JP7304261B2 - Film forming apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method - Google Patents

Film forming apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method Download PDF

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Description

本発明は、成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, and an electronic device manufacturing method.

近年、ディスプレイの一種として、有機材料の電界発光を用いた有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置が注目を集めている。かかる有機ＥＬ装置の製造の際には、成膜室を有する成膜装置において、基板上に金属電極材料や有機材料などの成膜材料を付着させて成膜を行う工程がある。 2. Description of the Related Art In recent years, as a type of display, an organic EL device having an organic EL element using electroluminescence of an organic material has been attracting attention. When manufacturing such an organic EL device, there is a step of depositing a film forming material such as a metal electrode material or an organic material on a substrate in a film forming apparatus having a film forming chamber.

成膜装置の成膜室内では、容器内に収容された蒸着材料を加熱したり、ターゲットにスパッタリングを行ったりすることで、成膜材料を飛翔させて基板に付着させて、基板上に膜を形成する。その際、均一な膜を形成する等の目的から、成膜室内で基板を回転させながら成膜を行う場合がある。また、成膜室内が高温となる場合に、成膜室内で基板を支持する部材の内部に冷却液が入る空間を設けておき、当該空間と成膜室の外部の間で冷却液を循環させることで、基板を冷却して成膜材料の品質劣化を防止する場合がある。 In the film forming chamber of the film forming apparatus, the vapor deposition material contained in the container is heated and the target is sputtered to cause the film forming material to fly and adhere to the substrate, thereby forming a film on the substrate. Form. At that time, for the purpose of forming a uniform film, etc., the film formation may be performed while rotating the substrate in the film formation chamber. In addition, when the inside of the film formation chamber becomes hot, a space is provided inside the member that supports the substrate in the film formation chamber to receive the cooling liquid, and the cooling liquid is circulated between the space and the outside of the film formation chamber. Thus, the substrate may be cooled to prevent quality deterioration of the deposition material.

特許文献１（特開２０１２－０５７７５５号公報）には、効率的にターゲットを冷却するため、冷却水の流路を変えることで、使用中のターゲットを大流量の冷却水で集中的に冷却し、使用していないターゲットについては、比較的少量の冷却水で冷却するロータリージョイントおよびスパッタリング装置が開示されている。特許文献２（２００６－３２２０１６号公報）には、蒸着時の基板温度をある程度の高温で制御し、蒸着終了後、迅速に基板を冷却して取り出すことを可能とする真空蒸着装置が開示されている。 In Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-057755), in order to efficiently cool the target, the target in use is intensively cooled with a large flow rate of cooling water by changing the flow path of the cooling water. , discloses a rotary joint and sputtering apparatus that cools the unused target with a relatively small amount of cooling water. Patent document 2 (2006-322016) discloses a vacuum deposition apparatus that controls the substrate temperature during deposition to a certain high temperature, and enables the substrate to be quickly cooled and taken out after deposition is completed. there is

特開２０１２－５７７５５号公報JP 2012-57755 A 特開２００６－３２２０１６号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-322016

しかし、上記のような装置においては、成膜を行っている間は基本的に、常時冷却液を循環させる必要がある。その結果、ロータリージョイントにおける各部材の接続部分において（特に回転力が作用する回転体と筐体の間から）、冷却液が漏出するという問題がある。かかる冷却液の漏れは、回転体と筐体の間に磁気シールやＯリングなどのシール部材を配置したとしても、ある程度発生してしまう。冷却液としてフッ素系不活性液体などの比較的高価な材料を用いた場合、漏出による損失がコスト面に及ぼす影響が大きい。 However, in the apparatus as described above, basically, it is necessary to constantly circulate the cooling liquid during film formation. As a result, there is a problem that the cooling liquid leaks from the connection portion of each member in the rotary joint (especially from between the rotating body and the housing where the rotational force acts). Even if a sealing member such as a magnetic seal or an O-ring is arranged between the rotating body and the housing, such leakage of the coolant will occur to some extent. When a relatively expensive material such as a fluorine-based inert liquid is used as the coolant, loss due to leakage has a large impact on cost.

本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、成膜装置のロータリージョイントに用いる液体の漏出を抑制するための技術を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a technique for suppressing leakage of a liquid used in a rotary joint of a film forming apparatus.

本発明は以下の構成を採用する。すなわち、
成膜室において被成膜物に成膜を行う成膜装置であって、
前記被成膜物を支持する被成膜物支持部と、
前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部と、前記回転部の周囲に設けられ前記
成膜室に固定された固定部と、を有するロータリージョイントと、
を備え、
前記固定部は、液体が供給される供給口と、液体が排出される排出口と、を有し、
前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路と、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路と、を有し、
前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に液体が流れる液体流路が構成される成膜装置において、
前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路と、
前記循環経路に配されたポンプおよびバルブと、
前記液体流路から漏出したドレイン液を排出するために前記ロータリージョイントに設けられたドレイン口と、
前記ドレイン液の漏出を抑制するために、前記成膜装置の稼働状態に応じて、前記ポンプおよび前記バルブを制御する制御部と、
を備えることを特徴とする成膜装置である。


The present invention employs the following configurations. i.e.
A film forming apparatus for forming a film on a film to be formed in a film forming chamber,
a film-forming object supporting portion that supports the film-forming object;
a rotary joint having a rotating portion that rotates while being connected to the support portion for film formation, and a fixed portion that is provided around the rotating portion and fixed to the film formation chamber;
with
The fixed part has a supply port to which the liquid is supplied and a discharge port to which the liquid is discharged,
The rotating part includes a supply channel for supplying the liquid supplied from the supply port to the film formation object support part, and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film formation object support part to the discharge port. having a road and
In a film forming apparatus in which a liquid channel through which a liquid flows in the order of the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, the discharge channel, and the discharge port,
a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port;
a pump and a valve arranged in the circulation path;
a drain port provided in the rotary joint for discharging the drain liquid leaked from the liquid channel;
a control unit that controls the pump and the valve according to the operating state of the film forming apparatus in order to suppress leakage of the drain liquid ;
A film forming apparatus comprising:

本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
成膜装置の成膜室において被成膜物に成膜を行う成膜方法であって、
前記成膜装置は、
前記被成膜物を支持する被成膜物支持部と、
前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部と、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部と、を有するロータリージョイントと、
を有し、
前記固定部は、液体が供給される供給口と、液体が排出される排出口と、を有し、
前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路と、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路と、を有し、
前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に前記液体が流れる液体流路が構成されており、
前記成膜装置は、さらに、
前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路と、
前記循環経路に配されたポンプおよびバルブと、
前記液体流路から漏出したドレイン液を排出するために前記ロータリージョイントに設けられたドレイン口と、
を有し、
前記ドレイン液の漏出を抑制するために、前記成膜装置の稼働状態に応じて、前記ポンプおよび前記バルブを制御する工程を備える
ことを特徴とする成膜方法である。


The present invention also employs the following configurations. i.e.
A film forming method for forming a film on a film to be formed in a film forming chamber of a film forming apparatus,
The film forming apparatus is
a film-forming object supporting portion that supports the film-forming object;
a rotary joint having a rotating portion that rotates while being connected to the support portion for film formation, and a fixed portion that is provided around the rotating portion and fixed to the film formation chamber;
has
The fixed part has a supply port to which the liquid is supplied and a discharge port to which the liquid is discharged,
The rotating part includes a supply channel for supplying the liquid supplied from the supply port to the film formation object support part, and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film formation object support part to the discharge port. having a road and
A liquid channel through which the liquid flows is configured in the order of the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, the discharge channel, and the discharge port,
The film forming apparatus further includes
a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port;
a pump and a valve arranged in the circulation path;
a drain port provided in the rotary joint for discharging the drain liquid leaked from the liquid channel;
has
The film forming method is characterized by comprising a step of controlling the pump and the valve according to the operating state of the film forming apparatus in order to suppress leakage of the drain liquid .

本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
成膜装置の成膜室において被成膜物に成膜材料が成膜される、電子デバイスの製造方法であって、
前記成膜装置は、
前記被成膜物を支持する被成膜物支持部と、
前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部と、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部と、を有するロータリージョイントと、
を備え、
前記固定部は、液体が供給される供給口と、液体が排出される排出口と、を有し、
前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路と、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路と、を有し、
前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に前記液体が流れる液体流路が構成されており、
前記成膜装置は、さらに、
前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路と、
前記循環経路に配されたポンプおよびバルブと、
前記液体流路から漏出したドレイン液を排出するために前記ロータリージョイントに設けられたドレイン口と、
を有し、
前記ドレイン液の漏出を抑制するために、前記成膜装置の稼働状態に応じて、前記ポンプおよび前記バルブを制御する工程を備える
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法である。
The present invention also employs the following configurations. i.e.
A method for manufacturing an electronic device, in which a film of a film-forming material is formed on a film-forming object in a film-forming chamber of a film-forming apparatus,
The film forming apparatus is
a film-forming object supporting portion that supports the film-forming object;
a rotary joint having a rotating portion that rotates while being connected to the support portion for film formation, and a fixed portion that is provided around the rotating portion and fixed to the film formation chamber;
with
The fixed part has a supply port to which the liquid is supplied and a discharge port to which the liquid is discharged,
The rotating part includes a supply channel for supplying the liquid supplied from the supply port to the film formation object support part, and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film formation object support part to the discharge port. having a road and
A liquid channel through which the liquid flows is configured in the order of the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, the discharge channel, and the discharge port,
The film forming apparatus further includes
a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port;
a pump and a valve arranged in the circulation path;
a drain port provided in the rotary joint for discharging the drain liquid leaked from the liquid channel;
has
The method of manufacturing an electronic device includes controlling the pump and the valve according to the operating state of the film forming apparatus in order to suppress leakage of the drain liquid .

本発明によれば、成膜装置のロータリージョイントに用いる液体の漏出を抑制するための技術を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the technique for suppressing the leakage of the liquid used for the rotary joint of a film-forming apparatus can be provided.

実施形態１の成膜装置の概略構成を示すブロック図1 is a block diagram showing a schematic configuration of a film forming apparatus according to Embodiment 1; FIG. 成膜装置に用いるロータリージョイントの構成を示す模式断面図Schematic cross-sectional view showing the configuration of a rotary joint used in a film forming apparatus 実施形態２の成膜装置の概略構成を示すブロック図FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of a film forming apparatus according to Embodiment 2; 循環経路、バイパス経路、三方弁および逆止弁を示す図Diagram showing circulation path, bypass path, three-way valve and check valve 成膜装置を含む、有機電子デバイスの製造システムを示す図A diagram showing a manufacturing system for an organic electronic device, including a film forming apparatus. 有機電子デバイスの製造方法を説明するための図A diagram for explaining a method for manufacturing an organic electronic device

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態および実施例を説明する。ただし、以下の実施形態および実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定するものではない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成およびソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Preferred embodiments and examples of the present invention will now be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples merely exemplify preferred configurations of the present invention, and do not limit the scope of the present invention to those configurations. In addition, unless otherwise specified, the scope of the present invention is limited only to the hardware configuration and software configuration of the device, processing flow, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, etc. in the following description. It's not intended.

本発明は、蒸着やスパッタリングにより被成膜物に蒸着材料の膜を形成するための、成膜装置および成膜方法、蒸着装置および蒸着方法、ならびに、電子デバイスの製造方法、などに、好ましく適用される。本発明はまた、成膜方法、蒸着方法、成膜装置または蒸着装置の制御方法や、これらの方法をコンピュータに実行させるプログラムや、当該プログラムを格納した記憶媒体としても捉えられる。記憶媒体は、コンピュータにより読み取り可能な非一時的な記憶媒体であってもよい。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is preferably applied to a film-forming apparatus and a film-forming method, a vapor-depositing apparatus and a vapor-depositing method, an electronic device manufacturing method, etc. for forming a film of a vapor-depositing material on a film-forming object by vapor deposition or sputtering. be done. The present invention can also be regarded as a film forming method, a vapor deposition method, a film forming apparatus or a vapor deposition apparatus control method, a program for causing a computer to execute these methods, and a storage medium storing the program. The storage medium may be a non-transitory computer-readable storage medium.

本発明は、例えば、被成膜物である基板の表面や、基板表面に形成された別の材料の膜の上に、所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に好ましく適用できる。基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属などの任意の材料を選択できる。なお、被成膜物は、平板状の基板に限られない。例えば、凹凸や開口のある機械部品に成膜してもよい。また、成膜材料として、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択できる。有機膜だけではなく金属膜を成膜することも可能である。本発明の技術は、例えば、有機電子デバイス（例えば、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ装置、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。 The present invention can be preferably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) with a desired pattern on the surface of a substrate, which is an object to be deposited, or a film of another material formed on the substrate surface. Any material such as glass, resin, or metal can be selected as the material of the substrate. Note that the object to be deposited is not limited to a flat substrate. For example, a film may be formed on a machine part having irregularities or openings. Also, any material such as an organic material or an inorganic material (metal, metal oxide, etc.) can be selected as a film forming material. It is possible to form not only an organic film but also a metal film. The technology of the present invention is applicable to, for example, manufacturing apparatuses for organic electronic devices (eg, organic EL devices using organic EL elements, thin-film solar cells), optical members, and the like.

以下の実施形態では、成膜装置の一例として、成膜材料として蒸発源の容器に収容された有機材料を用いる蒸着装置を挙げて説明する。 In the following embodiments, as an example of a film forming apparatus, a vapor deposition apparatus using an organic material stored in a container of an evaporation source as a film forming material will be described.

［実施形態１］
＜成膜装置の構成＞
図１および図２を参照しつつ、本実施形態にかかる成膜装置の構成を説明する。図１は、成膜装置の概略構成を示すブロック図である。図２は、成膜装置に用いるロータリージョイントの構成と、成膜室内部の構成を示す模式断面図である。 [Embodiment 1]
<Configuration of deposition apparatus>
The configuration of the film forming apparatus according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a film forming apparatus. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a rotary joint used in the film forming apparatus and the internal structure of the film forming chamber.

成膜装置１００は、概略、成膜室１、それに接続されたロータリージョイント１１、冷却液８０を循環させるポンプ５０、冷却液容器７０、ドレイン液容器７１、および制御部１１０を備える。冷却液容器７０は、冷却液８０を収容し、成膜装置１００に冷却液を供給するタンクである。ドレイン液容器７１は、ドレイン液８１を回収し収容するタンクである。ポンプ５０および冷却液容器７０は、チラー９０内に設置されている。チラー９０は、冷却液８０の温度を管理しながら循環させるための機構である。ドレイン液容器７１を、チラー９０内に設置してもよい。また、本実施形態では基板５の温度の過剰上昇を抑制する目的で冷却液８０を用いているため「チラー（ｃｈｉｌｌｅｒ）」と称呼しているが、温度調節機構の目的は冷却に限られない。 The film forming apparatus 100 roughly includes a film forming chamber 1 , a rotary joint 11 connected thereto, a pump 50 for circulating a cooling liquid 80 , a cooling liquid container 70 , a drain liquid container 71 , and a controller 110 . The cooling liquid container 70 is a tank that stores the cooling liquid 80 and supplies the cooling liquid to the film forming apparatus 100 . The drain liquid container 71 is a tank that collects and stores the drain liquid 81 . Pump 50 and coolant container 70 are installed in chiller 90 . The chiller 90 is a mechanism for circulating the coolant 80 while controlling its temperature. A drain liquid container 71 may be installed in the chiller 90 . Further, in this embodiment, the cooling liquid 80 is used for the purpose of suppressing an excessive rise in the temperature of the substrate 5, so it is called a "chiller", but the purpose of the temperature control mechanism is not limited to cooling. .

図１の構成では、成膜室１とチラー９０が別のフロアに設置されている。成膜装置１００は装置フロアに設置されており、装置フロア床部１２１に固定されている。本実施形態では、チラー９０は、装置フロアより下の設備フロアに設置されており、設備フロア床部１２２に固定されている。この構成により、冷却液８０（８０ｂ）やドレイン液８１がスムーズに下方のチラー９０に移動できる。なお、成膜室１およびチラー９０の設置は、図
１の構成に限られない。成膜室１およびチラー９０を同一のフロアに設置してもよい。 In the configuration of FIG. 1, the film forming chamber 1 and the chiller 90 are installed on separate floors. The film forming apparatus 100 is installed on the apparatus floor and fixed to the apparatus floor floor section 121 . In this embodiment, the chiller 90 is installed on the equipment floor below the equipment floor and is fixed to the equipment floor floor section 122 . With this configuration, the cooling liquid 80 (80b) and the drain liquid 81 can smoothly move to the chiller 90 below. The installation of the film forming chamber 1 and the chiller 90 is not limited to the configuration shown in FIG. The film forming chamber 1 and the chiller 90 may be installed on the same floor.

成膜室１の内部は真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。成膜室１の内部には基板ホルダ３（被成膜物支持部）と蒸発源２が配置されている。基板ホルダ３は、搬送ロボットにより成膜室内に搬入された基板５（被成膜物）を、マスク６とともに支持する。基板ホルダ３は、搬入された基板５およびマスク６を水平に保持する。基板ホルダ３は、基板５やマスク６を挟持するためのクランプ機構や、載置するための受け爪などの支持具を備えていることが好ましい。さらに成膜装置１００は、基板５とマスク６を位置合わせして基板ホルダ３に支持させるためのアライメント機構を設けてもよい。アライメント機構としては、成膜室内部に設けられたクランプ機構や支持機構と、成膜室外部に設けられたＸＹθアクチュエータなどの駆動機構を用いるとよい。 The inside of the film forming chamber 1 is maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas. A substrate holder 3 (substrate supporting portion) and an evaporation source 2 are arranged inside the film forming chamber 1 . The substrate holder 3 supports, together with the mask 6 , the substrate 5 (object to be deposited) carried into the deposition chamber by the transport robot. The substrate holder 3 horizontally holds the loaded substrate 5 and mask 6 . The substrate holder 3 preferably has a clamping mechanism for clamping the substrate 5 and the mask 6 and supports such as receiving claws for mounting. Furthermore, the film forming apparatus 100 may be provided with an alignment mechanism for aligning the substrate 5 and the mask 6 and supporting them on the substrate holder 3 . As the alignment mechanism, it is preferable to use a clamp mechanism or a support mechanism provided inside the film formation chamber, and a drive mechanism such as an XYθ actuator provided outside the film formation chamber.

上述した通り、基板５としてはガラス、樹脂、金属などの任意の材料を使用できる。マスク６は、基板上に（または、先に基板５に形成された膜の上に）形成される所定の薄膜パターンに対応する開口パターンをもつマスクである。ただし、形成する膜の種類によっては、必ずしもマスク６は必要ない。成膜室内部には基板５の温度を検出する温度センサ７が設けられている。温度センサ７は、例えば、放射温度計である。温度センサ７によって検出された基板５の温度に関する情報は、制御部１１０に送られる。成膜室内部には他に、成膜の状況を確認するための蒸着モニタを設けてもよい。 As described above, the substrate 5 can be made of any material such as glass, resin, and metal. The mask 6 is a mask having an opening pattern corresponding to a predetermined thin film pattern to be formed on the substrate (or on the film previously formed on the substrate 5). However, depending on the type of film to be formed, the mask 6 is not necessarily required. A temperature sensor 7 for detecting the temperature of the substrate 5 is provided inside the deposition chamber. The temperature sensor 7 is, for example, a radiation thermometer. Information about the temperature of the substrate 5 detected by the temperature sensor 7 is sent to the controller 110 . In addition, a deposition monitor may be provided inside the film formation chamber for checking the state of film formation.

本実施形態では、成膜源として蒸発源２を用いる。蒸発源２は、内部に蒸着材料を収容するための坩堝等の容器と、ヒータ等の加熱装置（加熱部）と、蒸発源２からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板５に飛散することを阻むシャッタを備える。ヒータによって加熱された蒸着材料が飛翔して、マスク６を介して基板５に到達して堆積することにより、所定のパターンに応じた層が形成される。蒸発源２は、成膜の内容に応じて選択できる。例えば、ノズルの有無、点状や線状など蒸発源の種類、基板５と平行な面内で蒸発源を移動させる移動機構の有無など、任意のものを利用してよい。 In this embodiment, an evaporation source 2 is used as a film formation source. The evaporation source 2 includes a container such as a crucible for containing the evaporation material, a heating device (heating unit) such as a heater, and the evaporation material scattered on the substrate 5 until the evaporation rate from the evaporation source 2 becomes constant. Equipped with a shutter that prevents The vapor deposition material heated by the heater flies, reaches the substrate 5 through the mask 6 and deposits thereon, thereby forming a layer according to a predetermined pattern. The evaporation source 2 can be selected according to the contents of film formation. For example, the presence or absence of a nozzle, the type of evaporation source such as point-like or linear, and the presence or absence of a movement mechanism for moving the evaporation source within a plane parallel to the substrate 5 may be used.

なお、スパッタ法により成膜を行う場合、成膜源として、ターゲットと磁石を含み、電圧印加に応じてターゲットから成膜材料を飛翔させる磁石ユニットを用いてもよい。
図示例での基板５は、成膜室１の上部に、被成膜面が重力方向に垂直となるように配置されている。そして、蒸発源２から蒸着材料が上方に飛翔する、いわゆるデポアップの構成となっている。しかし、基板５が下方に配置されるデポダウンの構成でもよいし、基板５の被成膜面が重力方向と平行な構成でもよい。 When the film is formed by the sputtering method, a magnet unit may be used as the film forming source, which includes a target and a magnet and causes the film forming material to fly from the target in response to voltage application.
In the illustrated example, the substrate 5 is arranged in the upper part of the film forming chamber 1 so that the surface on which the film is to be formed is perpendicular to the direction of gravity. Then, the vapor deposition material flies upward from the evaporation source 2, which is a so-called deposit-up configuration. However, a deposition-down configuration in which the substrate 5 is placed downward, or a configuration in which the film formation surface of the substrate 5 is parallel to the direction of gravity may be employed.

冷却液８０は、基板５を冷却するための液体である。ここでは冷却液と呼んでいるが、本発明の構成は、冷却の場合に限られず、温度維持や加熱など、液体の温度調整全般に適用できる。蒸着材料の種類にもよるが、成膜室内部は非常に高温となるため、冷却液８０としては反応性が低く化学的に不活性な材料が好ましい。例えば、フルオロカーボンとも呼ばれる、炭素－フッ素結合を持つ有機フッ素化合物を好適に使用できる。有機フッ素化合物の例として、３Ｍ社のフロリナート（商標）や、ソルベイ社のガルデン（商標）などが挙げられる。ただしこれらの液体には限定されない。 The cooling liquid 80 is liquid for cooling the substrate 5 . Although referred to as a cooling liquid here, the configuration of the present invention is not limited to cooling, and can be applied to temperature control of liquids in general, such as temperature maintenance and heating. Although it depends on the type of vapor deposition material, since the inside of the film forming chamber becomes extremely hot, a chemically inert material with low reactivity is preferable as the cooling liquid 80 . For example, an organic fluorine compound having a carbon-fluorine bond, also called fluorocarbon, can be preferably used. Examples of organic fluorine compounds include Fluorinert (trademark) from 3M and Galden (trademark) from Solvay. However, it is not limited to these liquids.

制御部１１０は、成膜装置１００の制御、例えば基板５やマスク６の搬出入およびアライメント、成膜の開始や終了のタイミング制御、温度制御を行う。制御部１１０は、流路の開閉バルブを制御することにより、冷却液の流量、圧力を制御する。また、制御部１１０は、流路のポンプや弁を制御することにより、冷却液の流量、圧力、経路などを制御してもよい。なお、複数の制御手段を組み合わせて制御部１１０を構成してもよい。複数の制御手段とは、蒸発源の加熱制御手段、アライメント制御手段、搬出入制御手段などである。制御部１１０は、不図示の制御線により他のブロックと接続され、情報通信が可能と
なっている。 The control unit 110 controls the film forming apparatus 100, for example, controls the loading/unloading and alignment of the substrate 5 and the mask 6, controls the timing of starting and ending the film formation, and controls the temperature. The control unit 110 controls the flow rate and pressure of the cooling liquid by controlling the opening/closing valves of the channels. Further, the control unit 110 may control the flow rate, pressure, route, etc. of the cooling liquid by controlling pumps and valves in the flow path. Note that the control unit 110 may be configured by combining a plurality of control means. The plurality of control means includes a heating control means for the evaporation source, an alignment control means, a loading/unloading control means, and the like. The control unit 110 is connected to other blocks by control lines (not shown) to enable information communication.

制御部１１０は、例えば、プロセッサ、メモリ、入出力手段（Ｉ／Ｏ）、ＵＩなどを有するコンピュータにより構成される。この場合、制御部１１０の機能は、メモリに保存されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を用いてもよい。あるいは、制御部１１０の機能の一部又は全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。
本実施形態の成膜装置１００が、成膜システムに含まれる複数の成膜装置の一つである場合、成膜装置ごとに制御部を設けてもよいし、単一の制御部が成膜システム全体を制御してもよい。 The control unit 110 is configured by, for example, a computer having a processor, memory, input/output means (I/O), UI, and the like. In this case, the functions of the control unit 110 are implemented by the processor executing the program stored in the memory. As a computer, a general-purpose computer may be used, or a built-in computer or PLC (programmable logic controller) may be used. Alternatively, part or all of the functions of the control unit 110 may be configured with a circuit such as ASIC or FPGA.
When the film deposition apparatus 100 of the present embodiment is one of a plurality of film deposition apparatuses included in a film deposition system, a control unit may be provided for each film deposition apparatus, or a single control unit may It may control the entire system.

＜ロータリージョイントの構成＞
図２に示すように、ロータリージョイント１１は概略、筐体３０、筐体３０によって外周を支持された回転体２０（回転部）、成膜室内部において基板５を支持する基板ホルダ３を有する。回転体２０は、成膜室１の上壁に設けられた貫通孔に挿通されており、その下端部は成膜室内部の基板ホルダ３に接続されている。回転体２０は、筐体３０に対して軸回りに回転可能である。成膜中に回転体２０が回転することにより、共に基板ホルダ３も回転し、基板５への均一な成膜が可能になる。 <Configuration of Rotary Joint>
As shown in FIG. 2, the rotary joint 11 generally includes a housing 30, a rotating body 20 (rotating portion) whose outer periphery is supported by the housing 30, and a substrate holder 3 that supports the substrate 5 inside the deposition chamber. The rotating body 20 is inserted through a through hole provided in the upper wall of the film forming chamber 1, and its lower end is connected to the substrate holder 3 inside the film forming chamber. The rotating body 20 is rotatable about its axis with respect to the housing 30 . As the rotor 20 rotates during film formation, the substrate holder 3 also rotates, enabling uniform film formation on the substrate 5 .

一方、筐体３０（固定部）は成膜室１に対して位置関係が固定されているため、回転体２０とその周囲の筐体３０の間にベアリング４０を設けることで、回転体２０がスムーズに回転するようにしている。通常、ベアリング４０には潤滑性向上や摩擦防止のために、潤滑剤（グリース）が用いられている。 On the other hand, since the housing 30 (fixed part) has a fixed positional relationship with respect to the film forming chamber 1, by providing the bearing 40 between the rotating body 20 and the surrounding housing 30, the rotating body 20 can be Makes it rotate smoothly. A lubricant (grease) is usually used in the bearing 40 to improve lubricity and prevent friction.

筐体３０には、冷却液８０の供給口３１と、環状供給流路３２が設けられている。供給口３１は外部から冷却液８０を導入するポートである。環状供給流路３２は、筐体３０の内周面に回転体２０と対向するように設けられた環状の流路である。環状供給流路３２は、回転体内部の供給流路２２に接続されている。なお、環状供給流路３２を回転体２０の側に設けても構わない。かかる構成により、回転体２０が回転しながらでも、供給口３１から導入された冷却液８０が、環状供給流路３２と供給流路２２を介して基板ホルダ内の流路４に到達することができる。 The housing 30 is provided with a supply port 31 for the coolant 80 and an annular supply channel 32 . The supply port 31 is a port for introducing the coolant 80 from the outside. The annular supply channel 32 is an annular channel provided on the inner peripheral surface of the housing 30 so as to face the rotating body 20 . The annular supply channel 32 is connected to the supply channel 22 inside the rotating body. Note that the annular supply channel 32 may be provided on the rotating body 20 side. With such a configuration, the cooling liquid 80 introduced from the supply port 31 can reach the flow path 4 in the substrate holder through the annular supply flow path 32 and the supply flow path 22 even while the rotating body 20 is rotating. can.

筐体３０にはまた、冷却液８０の排出口３３と、環状排出流路３４が設けられている。排出口３３は外部に冷却液８０を排出するポートである。環状排出流路３４は、筐体３０の内周面に回転体２０と対向するように設けられた環状の流路である。環状排出流路３４は、回転体内部の排出流路２３に接続されている。なお、環状排出流路３４を回転体２０の側に設けても構わない。かかる構成により、回転体２０が回転しながらでも、基板ホルダ内の流路４から流れてきた冷却液８０が、排出流路２３と環状排出流路３４を介して排出口３３に到達することができる。環状供給流路３２、供給流路２２、基板ホルダ内の流路４、排出流路２３、および環状排出流路３４は、まとめて、液体を供給口から排出口まで導く液体流路であると言える。 The housing 30 is also provided with an outlet 33 for the coolant 80 and an annular outlet channel 34 . The discharge port 33 is a port for discharging the coolant 80 to the outside. The annular discharge channel 34 is an annular channel provided on the inner peripheral surface of the housing 30 so as to face the rotating body 20 . The annular discharge channel 34 is connected to the discharge channel 23 inside the rotating body. Note that the annular discharge channel 34 may be provided on the rotating body 20 side. With this configuration, the cooling liquid 80 flowing from the flow path 4 in the substrate holder can reach the discharge port 33 through the discharge flow path 23 and the annular discharge flow path 34 even while the rotating body 20 is rotating. can. The annular supply channel 32, the supply channel 22, the channel 4 in the substrate holder, the discharge channel 23, and the annular discharge channel 34 are collectively considered to be liquid channels that lead the liquid from the supply port to the discharge port. I can say

環状供給流路３２および環状排出流路３４が位置するのは、それぞれ別の部材である筐体３０と回転体２０の摺動面であるため、冷却液８０が摺動面に漏れ出す場合がある。筐体３０と回転体２０の接する面には、磁気シールやＯリングなどのシール部材３９が設けられているが、冷却液８０の漏出を完全に防止することは難しい。
そこで、ロータリージョイント１１の高さ方向における適当な位置に、ドレイン口３５，３７と、環状ドレイン流路３６，３８が設けられている。ここでは２つのドレイン口を設けたが、数はこれには限定されない。これにより、摺動面から漏出したドレイン液８１
が、ドレイン口３５，３７から外部に排出される。 Since the annular supply channel 32 and the annular discharge channel 34 are positioned on the sliding surfaces of the housing 30 and the rotating body 20, which are separate members, the coolant 80 may leak onto the sliding surfaces. be. A sealing member 39 such as a magnetic seal or an O-ring is provided on the contact surface between the housing 30 and the rotating body 20, but it is difficult to completely prevent the coolant 80 from leaking.
Therefore, drain ports 35 and 37 and annular drain channels 36 and 38 are provided at appropriate positions in the height direction of the rotary joint 11 . Although two drain ports are provided here, the number is not limited to this. As a result, the drain liquid 81 leaked from the sliding surface
is discharged from the drain ports 35 and 37 to the outside.

なお、図１では、簡潔化のために、一方のドレイン口３７のみを示した。しかし、ドレイン口３５からのドレイン液８１をドレイン液容器７１まで輸送する別の経路があると考えてもよい。あるいは、ドレイン口３５からのドレイン液８１が、ドレイン口３７からのドレイン経路に合流すると考えてもよい。 Note that FIG. 1 shows only one drain port 37 for simplification. However, it may be considered that there is another route for transporting the drain liquid 81 from the drain port 35 to the drain liquid container 71 . Alternatively, it may be considered that the drain liquid 81 from the drain port 35 joins the drain path from the drain port 37 .

＜本実施形態での冷却液とドレイン液の経路＞
図１を参照して、本実施形態における冷却液とドレイン液の移動について説明する。所定のタイミングで、制御部１１０は、成膜室１に基板５とマスク６を搬入してアライメントを行い、ヒータによって蒸発源２を加熱させる。そして、ポンプ５０を駆動して循環経路を流れる冷却液８０を循環させる。 <Path of cooling liquid and drain liquid in this embodiment>
The movement of the cooling liquid and the drain liquid in this embodiment will be described with reference to FIG. At a predetermined timing, the control unit 110 loads the substrate 5 and the mask 6 into the film forming chamber 1, aligns them, and heats the evaporation source 2 with the heater. Then, the pump 50 is driven to circulate the coolant 80 flowing through the circulation path.

冷却液容器７０からポンプ５０に冷却液８０が送出され、ポンプ５０から循環経路（配管）５１（５１ａ）に冷却液８０（８０ａ）が送出される。循環経路５１ａは、第１の循環経路の一例である。ポンプ５０から循環経路５１（５１ａ）に送出された冷却液８０ａは、供給口３１に導入される。上述したように、ロータリージョイント１１内部において、冷却液８０は基板５の冷却に用いられる。そして、排出口３３から循環経路（配管）５１（５１ｂ）に冷却液８０（８０ｂ）が送出される。循環経路５１ｂは、第２の循環経路の一例である。循環経路５１ｂに送出された冷却液８０ｂが冷却液容器７０に流入する。冷却液容器７０に流入した冷却液８０がポンプ５０に流入し、ポンプ５０から循環経路５１ａに冷却液８０ａが送出される。図１の構成では、循環経路５１ｂが冷却液容器７０に接続されているが、この構成に限らず、循環経路５１ｂをポンプ５０に接続することにより、循環経路５１ｂに送出された冷却液８０ｂをポンプ５０に直接流入するようにしてもよい。なお、循環経路上に、冷却液８０の温度を維持するための温調機構や恒温槽を設けてもよい。このように、通常、冷却液８０は循環経路上で循環しながら移動している。 Coolant 80 is delivered from coolant container 70 to pump 50, and coolant 80 (80a) is delivered from pump 50 to circulation path (pipe) 51 (51a). The circulation path 51a is an example of a first circulation path. The cooling liquid 80 a sent from the pump 50 to the circulation path 51 ( 51 a ) is introduced into the supply port 31 . As described above, the coolant 80 is used to cool the substrate 5 inside the rotary joint 11 . Then, the coolant 80 (80b) is delivered from the outlet 33 to the circulation path (pipe) 51 (51b). The circulation path 51b is an example of a second circulation path. The cooling liquid 80b delivered to the circulation path 51b flows into the cooling liquid container 70. As shown in FIG. The cooling liquid 80 that has flowed into the cooling liquid container 70 flows into the pump 50, and the cooling liquid 80a is delivered from the pump 50 to the circulation path 51a. In the configuration of FIG. 1, the circulation path 51b is connected to the coolant container 70. However, the configuration is not limited to this configuration. It may also flow directly into the pump 50 . A temperature control mechanism or a constant temperature bath for maintaining the temperature of the coolant 80 may be provided on the circulation path. In this manner, the coolant 80 normally moves while circulating on the circulation path.

一方、筐体３０と回転体２０の摺動面などから漏出した冷却液８０は、ドレイン口３７から排出され、ドレイン経路７１に流入してドレイン液８１となる。ドレイン液８１には、冷却液８０の成分と不純物成分が含まれている。不純物の成分として例えば、ベアリング４０などに用いられるグリースから分離した基油が挙げられる。ドレイン液８１は、ドレイン液容器７１に収容される。
ドレイン液８１の収容をスムーズに行うために、ドレイン液容器７１への流入口を、ドレイン口３７よりも垂直方向において低い位置に設けて重力による流入を可能にしてもよい。あるいは、ドレイン経路７１にポンプ等の輸送機構を設けてもよい。なお、図１には示していないものの、ドレイン口３５から排出されたドレイン液もドレイン液容器７１に流入している。 On the other hand, the cooling liquid 80 leaking from the sliding surfaces of the housing 30 and the rotating body 20 is discharged from the drain port 37 and flows into the drain path 71 to become the drain liquid 81 . The drain liquid 81 contains the components of the cooling liquid 80 and the impurity components. An example of an impurity component is base oil separated from grease used for the bearing 40 or the like. The drain liquid 81 is contained in the drain liquid container 71 .
In order to accommodate the drain liquid 81 smoothly, the inlet to the drain liquid container 71 may be provided at a position lower than the drain port 37 in the vertical direction to allow the inflow by gravity. Alternatively, the drain path 71 may be provided with a transportation mechanism such as a pump. Although not shown in FIG. 1 , the drain liquid discharged from the drain port 35 also flows into the drain liquid container 71 .

＜成膜装置に対する冷却液の供給の制御＞
制御部１１０が循環経路５１ａに設けられたバルブ５２を制御することにより、成膜装置１００への冷却液８０の供給を制御する。バルブ５２は、例えば、開閉バルブである。成膜装置１００が稼働している場合、制御部１１０は、バルブ５２を開状態に制御（開制御）することにより、成膜装置１００に冷却液８０を供給する。一方、成膜装置１００の稼働が停止した場合（成膜装置１００が稼働していない場合）、制御部１１０は、バルブ５２を閉状態に制御（閉制御）することにより、成膜装置１００への冷却液８０の供給を停止する。 <Control of Supply of Coolant to Film Forming Apparatus>
The control unit 110 controls the supply of the coolant 80 to the film forming apparatus 100 by controlling the valve 52 provided in the circulation path 51a. The valve 52 is, for example, an opening/closing valve. When the film forming apparatus 100 is in operation, the control unit 110 supplies the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 by controlling the valve 52 to open (open control). On the other hand, when the operation of the film deposition apparatus 100 is stopped (when the film deposition apparatus 100 is not in operation), the control unit 110 controls the valve 52 to a closed state (close control) so that the film deposition apparatus 100 supply of the cooling liquid 80 is stopped.

成膜装置１００の稼働が停止した場合であっても、環状供給流路３２、供給流路２２、基板ホルダ内の流路４、排出流路２３、および環状排出流路３４内には冷却液８０が満たされている。成膜装置１００が稼働していない場合に成膜装置１００に冷却液８０が供給
されると、成膜装置１００が稼働していない場合においてもロータリージョイント１１からドレイン液８１が漏出する。成膜装置１００が停止した場合に成膜装置１００への冷却液８０の供給を停止することにより、成膜装置１００が稼働していない場合におけるロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出を抑止することができる。このように、成膜装置１００の非稼働状態における成膜装置１００に対する冷却液８０の供給を停止することで、成膜装置１００の非稼働状態におけるロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出が抑止される。ロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出が抑止されるため、成膜装置１００の運用コストを低減できる。 Even when the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the cooling liquid remains in the annular supply channel 32, the supply channel 22, the channel 4 in the substrate holder, the discharge channel 23, and the annular discharge channel . 80 is filled. If the cooling liquid 80 is supplied to the film forming apparatus 100 while the film forming apparatus 100 is not operating, the drain liquid 81 leaks from the rotary joint 11 even when the film forming apparatus 100 is not operating. By stopping the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 when the film forming apparatus 100 is stopped, leakage of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 when the film forming apparatus 100 is not in operation is suppressed. be able to. By stopping the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 in the non-operating state of the film forming apparatus 100 in this way, leakage of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 in the non-operating state of the film forming apparatus 100 is suppressed. be done. Since leakage of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 is suppressed, the operating cost of the film forming apparatus 100 can be reduced.

成膜装置１００への冷却液８０の供給が停止することにより、循環経路５１ｂから冷却液容器７０への冷却液８０ｂの流入も停止する。冷却液容器７０への冷却液８０ｂの流入が停止した場合、ポンプ５０の駆動が自動的に停止するようにしてもよい。循環経路５１ｂがポンプ５０に接続されている場合、ポンプ５０への冷却液８０ｂの流入の停止と共に、ポンプ５０の駆動が自動的に停止するようにしてもよい。また、制御部１１０がポンプ５０の駆動を制御することにより、ポンプ５０の駆動を停止してもよい。 By stopping the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100, the flow of the cooling liquid 80b from the circulation path 51b to the cooling liquid container 70 is also stopped. When the cooling liquid 80b stops flowing into the cooling liquid container 70, the driving of the pump 50 may be automatically stopped. When the circulation path 51b is connected to the pump 50, the driving of the pump 50 may be automatically stopped when the inflow of the cooling liquid 80b to the pump 50 is stopped. Further, the drive of the pump 50 may be stopped by the control unit 110 controlling the drive of the pump 50 .

例えば、回転体２０が回転し、基板５の成膜が行われているときの成膜装置１００の状態は、成膜装置１００が稼働している状態（稼働状態）である。そして、基板５の成膜が終了し、回転体２０の回転が停止したときの成膜装置１００の状態は、成膜装置１００が稼働していない状態（非稼働状態）であり、成膜装置１００の稼働が停止している状態（稼働停止状態）である。例えば、成膜装置１００が稼働している場合、成膜装置１００に冷却液８０が供給され、成膜装置１００の稼働が停止すると、成膜装置１００への冷却液８０の供給が停止し、成膜装置１００の稼働が再開すると、成膜装置１００への冷却液８０の供給が再開される。 For example, the state of the film forming apparatus 100 when the rotator 20 is rotating and the film is being formed on the substrate 5 is a state in which the film forming apparatus 100 is in operation (operating state). The state of the film forming apparatus 100 when the film formation on the substrate 5 is completed and the rotation of the rotating body 20 is stopped is a state in which the film forming apparatus 100 is not operating (non-operating state). 100 is in a stopped state (operation stopped state). For example, when the film forming apparatus 100 is in operation, the cooling liquid 80 is supplied to the film forming apparatus 100, and when the film forming apparatus 100 stops operating, the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 is stopped, When the operation of the film forming apparatus 100 is restarted, the supply of the coolant 80 to the film forming apparatus 100 is restarted.

成膜装置１００の稼働の開始および再開のタイミングの一例を以下に示す。成膜室内に基板５が搬入されたタイミングを、成膜装置１００の稼働が開始又は再開するタイミングとしてもよい。成膜室内に基板５が搬入され、回転体２０の回転が開始又は再開するタイミングを、成膜装置１００の稼働が開始又は再開するタイミングとしてもよい。回転体２０の回転が開始又は再開され、基板５の成膜が開始するタイミングを、成膜装置１００の稼働が開始又は再開するタイミングとしてもよい。蒸発源２からの蒸発レートが一定になり、蒸発源２のシャッタが開くタイミングを、成膜装置１００の稼働が開始又は再開するタイミングとしてもよい。蒸発源２に対するヒータによる加熱が開始又は再開するタイミングを、成膜装置１００の稼働が開始又は再開するタイミングとしてもよい。 An example of the timing of starting and resuming operation of the film forming apparatus 100 is shown below. The timing at which the substrate 5 is carried into the film forming chamber may be the timing at which the operation of the film forming apparatus 100 is started or restarted. The timing at which the substrate 5 is carried into the film formation chamber and the rotation of the rotor 20 is started or restarted may be the timing at which the operation of the film formation apparatus 100 is started or restarted. The timing at which the rotation of the rotating body 20 is started or restarted and the film formation on the substrate 5 is started may be the timing at which the operation of the film forming apparatus 100 is started or restarted. The timing at which the evaporation rate from the evaporation source 2 becomes constant and the shutter of the evaporation source 2 opens may be the timing at which the operation of the film forming apparatus 100 is started or restarted. The timing at which the heating of the evaporation source 2 by the heater is started or restarted may be the timing at which the operation of the film forming apparatus 100 is started or restarted.

成膜装置１００の稼働の停止のタイミングの一例を以下に示す。基板５の成膜が終了したタイミングを、成膜装置１００の稼働が停止したタイミングとしてもよい。基板５の成膜が終了し、回転体２０の回転が停止したタイミングを、成膜装置１００の稼働が停止したタイミングとしてもよい。基板５の成膜が終了し、蒸発源２のシャッタが閉じたタイミングを、成膜装置１００の稼働が停止したタイミングとしてもよい。蒸発源２に対するヒータによる加熱が停止したタイミングを、成膜装置１００の稼働が停止したタイミングとしてもよい。成膜室内から基板５が搬出されたタイミングを、成膜装置１００の稼働が停止したタイミングとしてもよい。 An example of the timing of stopping the operation of the film forming apparatus 100 is shown below. The timing at which the film formation on the substrate 5 is completed may be the timing at which the operation of the film forming apparatus 100 is stopped. The timing at which the film formation on the substrate 5 is completed and the rotation of the rotating body 20 is stopped may be the timing at which the operation of the film forming apparatus 100 is stopped. The timing at which the film formation on the substrate 5 is completed and the shutter of the evaporation source 2 is closed may be the timing at which the operation of the film forming apparatus 100 is stopped. The timing at which the heater stops heating the evaporation source 2 may be the timing at which the film forming apparatus 100 stops operating. The timing at which the substrate 5 is taken out of the film forming chamber may be the timing at which the operation of the film forming apparatus 100 is stopped.

制御部１１０によるバルブ５２の制御の一例を以下に示す。成膜装置１００の稼働が開始した場合、バルブ５２の開度が基準値ＲＶ１（第１の基準値）に制御され、供給口３１に冷却液８０が導入される。これにより、成膜装置１００に冷却液８０が供給される。成膜装置１００の稼働が停止した場合、バルブ５２が閉じるように制御され、供給口３１への冷却液８０の導入が停止する。これにより、成膜装置１００への冷却液８０の供給が停止する。成膜装置１００の稼働が再開した場合、バルブ５２の開度を基準値ＲＶ１に戻す
。また、制御部１１０は、温度センサ７を介して基板５の温度を常時測定してもよい。成膜装置１００の稼働が停止した後、基板５の温度が所定温度に達した場合、バルブ５２の開度を基準値ＲＶ１に戻してもよい。所定温度は、基板５の基準温度よりも高い温度であり、例えば、基板５の基準温度よりも約１０％高い温度であってもよい。成膜装置１００への冷却液８０の供給が停止すると、基板５の温度が高くなる。基板５の温度が高くなりすぎないようにするために、基板５の温度が所定温度に達した場合、成膜装置１００への冷却液８０の供給を再開してもよい。 An example of control of the valve 52 by the controller 110 is shown below. When the film forming apparatus 100 starts operating, the degree of opening of the valve 52 is controlled to the reference value RV<b>1 (first reference value), and the cooling liquid 80 is introduced into the supply port 31 . Thereby, the cooling liquid 80 is supplied to the film forming apparatus 100 . When the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the valve 52 is controlled to close, and the introduction of the cooling liquid 80 to the supply port 31 is stopped. Thereby, the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 is stopped. When the operation of the film forming apparatus 100 is restarted, the opening degree of the valve 52 is returned to the reference value RV1. Also, the control unit 110 may constantly measure the temperature of the substrate 5 via the temperature sensor 7 . When the temperature of the substrate 5 reaches a predetermined temperature after the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the degree of opening of the valve 52 may be returned to the reference value RV1. The predetermined temperature is a temperature higher than the reference temperature of the substrate 5 , and may be, for example, a temperature about 10% higher than the reference temperature of the substrate 5 . When the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 is stopped, the temperature of the substrate 5 rises. In order to prevent the temperature of the substrate 5 from becoming too high, the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 may be resumed when the temperature of the substrate 5 reaches a predetermined temperature.

バルブ５２は、電動弁（調整弁）であってもよい。成膜装置１００の稼働が停止した場合、制御部１１０は、バルブ５２の開度を制御することにより、供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力を制御してもよい。成膜装置１００の稼働が停止した場合、供給口３１に導入される冷却液８０の流量が減少するように、制御部１１０は、バルブ５２の開度を制御する。或いは、成膜装置１００の稼働が停止した場合、供給口３１に導入される冷却液８０の圧力が減少するように、制御部１１０は、バルブ５２の開度を制御する。供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力を制御するとは、供給口３１に導入される冷却液８０の圧力が一定の状態で、供給口３１に導入される冷却液８０の流量を制御することを含む。また、供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力を制御するとは、供給口３１に導入される冷却液８０の流量が一定の状態で、供給口３１に導入される冷却液８０の圧力を制御することを含む。また、供給口３１に導入される冷却液８０の流量を制御することにより、供給口３１に導入される冷却液８０の流量がゼロになる場合（バルブ５２が閉じた場合）、成膜装置１００への冷却液８０の供給が停止する。 The valve 52 may be an electrically operated valve (regulating valve). When the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the control section 110 may control the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 by controlling the opening degree of the valve 52 . The controller 110 controls the opening degree of the valve 52 so that the flow rate of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 is reduced when the operation of the film forming apparatus 100 is stopped. Alternatively, when the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the controller 110 controls the opening of the valve 52 so that the pressure of the coolant 80 introduced into the supply port 31 is reduced. Controlling the flow rate or pressure of the coolant 80 introduced into the supply port 31 means controlling the flow rate of the coolant 80 introduced into the supply port 31 while the pressure of the coolant 80 introduced into the supply port 31 is constant. Including controlling. Controlling the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 means that the flow rate of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 is constant, and the flow rate of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 is controlled. Including controlling the pressure. Further, by controlling the flow rate of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31, when the flow rate of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 becomes zero (when the valve 52 is closed), the film forming apparatus 100 The supply of coolant 80 to is stopped.

制御部１１０によるバルブ５２の制御の他の一例を以下に示す。成膜装置１００の稼働が開始した場合、バルブ５２の開度が基準値ＲＶ１に制御され、供給口３１に冷却液８０が導入される。これにより、成膜装置１００に冷却液８０が供給される。成膜装置１００の稼働が停止した場合、バルブ５２の開度が所定値ＰＶ１（第１の所定値）に制御され、供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が減少する。所定値ＰＶ１に制御されたバルブ５２の開度は、基準値ＲＶ１に制御されたバルブ５２の開度よりも小さい。そして、成膜装置１００の稼働が再開した場合、バルブ５２の開度を基準値ＲＶ１に戻す。また、バルブ５２の開度が所定値ＰＶ１に制御された後、基板５の温度が所定温度に達した場合、バルブ５２の開度を基準値ＲＶ１に戻してもよい。 Another example of control of the valve 52 by the controller 110 is shown below. When the film forming apparatus 100 starts operating, the degree of opening of the valve 52 is controlled to the reference value RV<b>1 and the cooling liquid 80 is introduced into the supply port 31 . Thereby, the cooling liquid 80 is supplied to the film forming apparatus 100 . When the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the degree of opening of the valve 52 is controlled to a predetermined value PV1 (first predetermined value), and the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 is reduced. The degree of opening of the valve 52 controlled to the predetermined value PV1 is smaller than the degree of opening of the valve 52 controlled to the reference value RV1. Then, when the operation of the film forming apparatus 100 is restarted, the opening degree of the valve 52 is returned to the reference value RV1. Further, when the temperature of the substrate 5 reaches the predetermined temperature after the degree of opening of the valve 52 is controlled to the predetermined value PV1, the degree of opening of the valve 52 may be returned to the reference value RV1.

制御部１１０によるバルブ５２の制御の他の一例を以下に示す。成膜室内から基板５が搬出されたときに供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が、成膜室内に基板５が搬入されたときに供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力よりも減少するように、バルブ５２の開度が制御される。基板５の成膜が行われていないときに供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が、基板５の成膜が行われているときに供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力よりも減少するように、バルブ５２の開度が制御される。蒸発源２に対するヒータによる加熱が行われていないときに供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が、蒸発源２に対するヒータによる加熱が行われているときに供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力よりも減少するように、バルブ５２の開度が制御される。回転体２０が回転していないときに供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が、回転体２０が回転しているときに供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力よりも減少するように、バルブ５２の開度が制御される。 Another example of control of the valve 52 by the controller 110 is shown below. The flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 when the substrate 5 is carried out from the film formation chamber is the same as the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 when the substrate 5 is carried into the film formation chamber. The opening of the valve 52 is controlled so that the flow rate or pressure is less than that of the The flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 when the film is not formed on the substrate 5 is the same as the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 when the film is formed on the substrate 5. The opening of the valve 52 is controlled so that the flow rate or pressure is less than that of the The flow rate or pressure of the coolant 80 introduced into the supply port 31 when the evaporation source 2 is not heated by the heater is the flow rate or pressure introduced into the supply port 31 when the evaporation source 2 is heated by the heater. The opening degree of the valve 52 is controlled so that the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 is less than that of the cooling liquid 80 . The flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 when the rotating body 20 is not rotating is the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supplying port 31 when the rotating body 20 is rotating. The opening degree of the valve 52 is controlled so as to be less than .

供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力の減少量に応じて、ロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出量が減少する。成膜装置１００の非稼働状態における供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が減少することにより、成膜装置１００の非稼働状態におけるロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出量を抑制することができる。このため、成膜装置１００の運用コストを低減できる。 The amount of leakage of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 decreases according to the amount of decrease in the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 . By reducing the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 in the non-operating state of the film forming apparatus 100, the leakage amount of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 in the non-operating state of the film forming apparatus 100 is reduced. can be suppressed. Therefore, the operating cost of the film forming apparatus 100 can be reduced.

上記では、供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力を制御する例を示したが、この制御に限らず、供給口３１に導入される冷却液８０の流量および圧力を制御してもよい。制御部１１０は、供給口３１に導入される冷却液８０の流量および圧力の少なくとも一方を制御してもよい。成膜装置１００の稼働が停止した場合、制御部１１０は、供給口３１に導入される冷却液８０の流量及び圧力の少なくとも一方が減少するように、制御部１１０は、バルブ５２の開度を制御してもよい。 Although an example of controlling the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 has been described above, the control is not limited to this control, and the flow rate and pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 can be controlled. good too. Control unit 110 may control at least one of the flow rate and pressure of coolant 80 introduced into supply port 31 . When the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the control unit 110 adjusts the opening degree of the valve 52 so that at least one of the flow rate and pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 is reduced. may be controlled.

成膜装置１００の稼働が停止した場合、制御部１１０は、ポンプ５０の出力（回転数）を制御することにより、供給口３１に導入される冷却液８０の流量および圧力の少なくとも一方を制御してもよい。成膜装置１００の稼働が停止した場合、供給口３１に導入される冷却液８０の流量および圧力の少なくとも一方が減少するように、制御部１１０は、ポンプ５０の出力を制御してもよい。ポンプ５０の出力が減少することにより、供給口３１に導入される冷却液８０の流量および圧力の少なくとも一方が減少する。この制御によっても、成膜装置１００の非稼働状態におけるロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出量を抑制することができるため、成膜装置１００の運用コストを低減できる。 When the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the control unit 110 controls at least one of the flow rate and pressure of the coolant 80 introduced into the supply port 31 by controlling the output (rotational speed) of the pump 50. may The control unit 110 may control the output of the pump 50 so that at least one of the flow rate and pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 is reduced when the operation of the film forming apparatus 100 is stopped. At least one of the flow rate and pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 is reduced by reducing the output of the pump 50 . This control can also reduce the amount of leakage of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 when the film forming apparatus 100 is not in operation, so that the operating cost of the film forming apparatus 100 can be reduced.

［実施形態２］
図３および図４を参照しながら、実施形態２について説明する。実施形態１と同様の構成要素には同じ符号を付し、説明を簡略化する。本実施形態では、循環経路５１ａと循環経路５１ｂとの間に、循環経路５１ａと循環経路５１ｂとを接続するバイパス経路（配管）５１ｃを設けることに特徴がある。図４は、図３の円Ａ１で囲まれた部分の拡大図である。図４には、循環経路５１ａ、５１ｂと、バイパス経路５１ｃと、三方弁５３と、逆止弁５４が示されている。図３の構成では、成膜室１とチラー９０が別のフロアに設置されているが、実施形態１と同様に、成膜室１およびチラー９０を同一のフロアに設置してもよい。 [Embodiment 2]
Embodiment 2 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. The same reference numerals are given to the same components as in the first embodiment, and the description is simplified. This embodiment is characterized in that a bypass route (piping) 51c connecting the circulation routes 51a and 51b is provided between the circulation routes 51a and 51b. FIG. 4 is an enlarged view of the portion surrounded by circle A1 in FIG. FIG. 4 shows circulation paths 51a and 51b, a bypass path 51c, a three-way valve 53, and a check valve . In the configuration of FIG. 3, the film formation chamber 1 and the chiller 90 are installed on different floors, but the film formation chamber 1 and the chiller 90 may be installed on the same floor as in the first embodiment.

三方弁５３が、循環経路５１ａとバイパス経路５１ｃとの接続位置に設けられている。バイパス経路５１ｃには、循環経路５１ａから三方弁５３を介して冷却液８０ａが流入する。バイパス経路５１ｃに流入した冷却液８０ａは、循環経路５１ｂを流れる冷却液８０ｂに合流する。このように、バイパス経路５１ｃは、循環経路５１ａを流れる冷却液８０ａを循環経路５１ｂに送出する。循環経路５１ｂには、循環経路５１ｂとバイパス経路５１ｃとの接続箇所よりも上流側に逆止弁５４が設けられている。逆止弁５４は、バイパス経路５１ｃから循環経路５１ｂに流入する冷却液８０ａが循環経路５１ｂの上流側に流れ込まないようにするための弁である。三方弁５３を制御することで、冷却液８０を成膜装置１００に供給せずに、冷却液８０をバイパス経路５１ｃおよび循環経路５１ｂを介して冷却液容器７０に戻すことができる。また、三方弁５３を制御することで、循環経路５１ａ内の冷却液８０の流れを調整し、供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力を減らすことができる。図３の構成では、循環経路５１ｂが冷却液容器７０に接続されているが、この構成に限らず、循環経路５１ｂをポンプ５０に接続することにより、冷却液８０をバイパス経路５１ｃおよび循環経路５１ｂを介してポンプ５０に戻すようにしてもよい。 A three-way valve 53 is provided at a connection position between the circulation path 51a and the bypass path 51c. The coolant 80a flows from the circulation path 51a through the three-way valve 53 into the bypass path 51c. The coolant 80a flowing into the bypass path 51c joins the coolant 80b flowing through the circulation path 51b. Thus, the bypass route 51c sends the coolant 80a flowing through the circulation route 51a to the circulation route 51b. The circulation path 51b is provided with a check valve 54 on the upstream side of the connection point between the circulation path 51b and the bypass path 51c. The check valve 54 is a valve for preventing the coolant 80a flowing into the circulation path 51b from the bypass path 51c from flowing into the upstream side of the circulation path 51b. By controlling the three-way valve 53 , the cooling liquid 80 can be returned to the cooling liquid container 70 via the bypass path 51 c and the circulation path 51 b without supplying the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 . Also, by controlling the three-way valve 53, the flow of the cooling liquid 80 in the circulation path 51a can be adjusted, and the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 can be reduced. In the configuration of FIG. 3, the circulation path 51b is connected to the coolant container 70. However, the configuration is not limited to this configuration. By connecting the circulation path 51b to the pump 50, the coolant 80 can be may be returned to the pump 50 via

＜成膜装置に対する冷却液の供給の制御＞
制御部１１０が循環経路５１ａに設けられた三方弁５３を制御することにより、成膜装置１００への冷却液８０の供給を制御する。三方弁５３は、例えば、電動式又はエア駆動式である。例えば、成膜装置１００が稼働している場合、制御部１１０は、三方弁５３を制御し、冷却液８０ａが循環経路５１ａのみを流れ、冷却液８０ａがバイパス経路５１ｃには流入しないようにする。この制御により、ポンプ５０から送出された冷却液８０ａは循環経路５１ａのみを流れ、供給口３１に冷却液８０が導入され、成膜装置１００に冷却
液８０が供給される。一方、成膜装置１００の稼働が停止した場合（成膜装置１００が稼働していない場合）、制御部１１０は三方弁５３を制御することにより、冷却液８０ａがバイパス経路５１ｃに流入する。バイパス経路５１ｃを介して冷却液８０ａが循環経路５１ｂに流入するため、供給口３１への冷却液８０の導入が停止し、成膜装置１００への冷却液８０の供給が停止する。 <Control of Supply of Coolant to Film Forming Apparatus>
The control unit 110 controls the supply of the coolant 80 to the film forming apparatus 100 by controlling the three-way valve 53 provided in the circulation path 51a. The three-way valve 53 is, for example, electrically driven or air driven. For example, when the film forming apparatus 100 is in operation, the control unit 110 controls the three-way valve 53 so that the coolant 80a flows only through the circulation path 51a and does not flow into the bypass path 51c. . With this control, the cooling liquid 80 a sent from the pump 50 flows only through the circulation path 51 a , the cooling liquid 80 is introduced into the supply port 31 , and the cooling liquid 80 is supplied to the film forming apparatus 100 . On the other hand, when the film forming apparatus 100 stops operating (when the film forming apparatus 100 does not operate), the control unit 110 controls the three-way valve 53 so that the cooling liquid 80a flows into the bypass path 51c. Since the coolant 80a flows into the circulation path 51b through the bypass path 51c, the introduction of the coolant 80 to the supply port 31 is stopped, and the supply of the coolant 80 to the film forming apparatus 100 is stopped.

成膜装置１００が停止した場合に成膜装置１００への冷却液８０の供給を停止することにより、成膜装置１００が稼働していない場合におけるロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出を抑止することができる。このように、成膜装置１００の非稼働状態における成膜装置１００に対する冷却液８０の供給を停止することで、成膜装置１００の非稼働状態におけるロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出が抑止される。ロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出が抑止されるため、成膜装置１００の運用コストを低減できる。 By stopping the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 when the film forming apparatus 100 is stopped, leakage of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 when the film forming apparatus 100 is not in operation is suppressed. be able to. By stopping the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 in the non-operating state of the film forming apparatus 100 in this way, leakage of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 in the non-operating state of the film forming apparatus 100 is suppressed. be done. Since leakage of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 is suppressed, the operating cost of the film forming apparatus 100 can be reduced.

成膜装置１００への冷却液８０の供給は停止しているが、ポンプ５０は駆動しているため、冷却液８０は、循環経路５１ａ、バイパス経路５１ｃおよび循環経路５１ｂを流れて冷却液容器７０に戻る。なお、成膜装置１００への冷却液８０の供給を停止すると共に、ポンプ５０の駆動が自動的に停止するようにしてもよい。また、制御部１１０がポンプ５０の駆動を制御することにより、ポンプ５０の駆動を停止してもよい。実施形態１の構成のように、循環経路５１ａにバルブ５２を設けてもよい。この構成の場合、制御部１１０は、バルブ５２を制御すると共に、三方弁５３を制御してもよい。また、制御部１１０は、バルブ５２および三方弁５３の何れか一方を制御してもよい。 Although the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 is stopped, the pump 50 is being driven. back to It should be noted that the supply of the cooling liquid 80 to the film forming apparatus 100 may be stopped and the driving of the pump 50 may be automatically stopped. Further, the drive of the pump 50 may be stopped by the control unit 110 controlling the drive of the pump 50 . A valve 52 may be provided in the circulation path 51a as in the configuration of the first embodiment. In this configuration, the control unit 110 may control the three-way valve 53 while controlling the valve 52 . Also, the control unit 110 may control one of the valve 52 and the three-way valve 53 .

成膜装置１００の稼働が停止した場合、制御部１１０は、三方弁５３の開度を制御することにより、供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力を制御してもよい。循環経路５１ａを流れる冷却液８０ａの一部がバイパス経路５１ｃに流入し、供給口３１に導入される冷却液８０の流量が減少するように、制御部１１０は、三方弁５３の開度を制御する。或いは、循環経路５１ａを流れる冷却液８０ａの一部がバイパス経路５１ｃに流入し、供給口３１に導入される冷却液８０の圧力が減少するように、制御部１１０は、三方弁５３の開度を制御する。 When the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the control section 110 may control the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 by controlling the opening degree of the three-way valve 53 . The control unit 110 controls the opening of the three-way valve 53 so that part of the coolant 80a flowing through the circulation path 51a flows into the bypass path 51c and the flow rate of the coolant 80 introduced into the supply port 31 is reduced. do. Alternatively, the controller 110 adjusts the opening degree of the three-way valve 53 so that part of the coolant 80a flowing through the circulation path 51a flows into the bypass path 51c and the pressure of the coolant 80 introduced into the supply port 31 is reduced. to control.

制御部１１０による三方弁５３の制御の一例を以下に示す。成膜装置１００が稼働している場合、三方弁５３の開度が基準値ＲＶ２（第２の基準値）に制御され、供給口３１に冷却液８０が導入される。これにより、成膜装置１００に冷却液８０が供給される。この場合、冷却液８０ａが循環経路５１ａのみを流れ、冷却液８０ａがバイパス経路５１ｃには流入しないように、基準値ＲＶ２が設定される。成膜装置１００の稼働が停止した場合、三方弁５３の開度が基準値ＲＶ２と異なる所定値ＰＶ２（第２の所定値）に制御され、供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が減少する。この場合、冷却液８０ａが循環経路５１ａを流れると共に、循環経路５１ａを流れる冷却液８０ａの一部がバイパス経路５１ｃに流入するように、所定値ＰＶ２が設定される。そして、成膜装置１００の稼働が再開した場合、三方弁５３の開度を基準値ＲＶ２に戻す。また、三方弁５３の開度が所定値ＰＶ２に制御された後、基板５の温度が所定温度に達した場合、三方弁５３の開度を基準値ＲＶ２に戻してもよい。 An example of control of the three-way valve 53 by the controller 110 will be described below. When the film forming apparatus 100 is in operation, the opening degree of the three-way valve 53 is controlled to the reference value RV2 (second reference value), and the cooling liquid 80 is introduced into the supply port 31 . Thereby, the cooling liquid 80 is supplied to the film forming apparatus 100 . In this case, the reference value RV2 is set so that the coolant 80a flows only through the circulation path 51a and does not flow into the bypass path 51c. When the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the degree of opening of the three-way valve 53 is controlled to a predetermined value PV2 (second predetermined value) different from the reference value RV2, and the flow rate or pressure decreases. In this case, the predetermined value PV2 is set such that the coolant 80a flows through the circulation path 51a and part of the coolant 80a flowing through the circulation path 51a flows into the bypass path 51c. Then, when the operation of the film forming apparatus 100 is restarted, the opening degree of the three-way valve 53 is returned to the reference value RV2. Further, when the temperature of the substrate 5 reaches the predetermined temperature after the degree of opening of the three-way valve 53 is controlled to the predetermined value PV2, the degree of opening of the three-way valve 53 may be returned to the reference value RV2.

制御部１１０による三方弁５３の制御の他の一例を以下に示す。成膜装置１００が稼働している場合、三方弁５３の開度が基準値ＲＶ３（第３の基準値）に制御され、供給口３１に冷却液８０が導入される。これにより、成膜装置１００に冷却液８０が供給される。この場合、冷却液８０ａが循環経路５１ａを流れると共に、循環経路５１ａを流れる冷却液８０ａの一部がバイパス経路５１ｃに流入するように、基準値ＲＶ３が設定される。成膜装置１００の稼働が停止した場合、三方弁５３の開度が基準値ＲＶ３と異なる所定値Ｐ
Ｖ３（第３の所定値）に制御され、供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が減少する。この場合、循環経路５１ａを流れる冷却液８０ａの流量又は圧力が減少し、循環経路５１ｃに流入する冷却液８０ａの流量又は圧力が増加するように、所定値ＰＶ３が設定される。そして、成膜装置１００の稼働が再開した場合、三方弁５３の開度を基準値ＲＶ３に戻す。三方弁５３の開度が基準値ＲＶ３に戻ることにより、循環経路５１ａを流れる冷却液８０ａの流量又は圧力が増加し、成膜装置１００の稼働状態における供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が増加する。また、三方弁５３の開度が所定値ＰＶ３に制御された後、基板５の温度が所定温度に達した場合、三方弁５３の開度を基準値ＲＶ３に戻してもよい。 Another example of control of the three-way valve 53 by the control unit 110 is shown below. When the film forming apparatus 100 is in operation, the degree of opening of the three-way valve 53 is controlled to the reference value RV3 (third reference value), and the coolant 80 is introduced into the supply port 31 . Thereby, the cooling liquid 80 is supplied to the film forming apparatus 100 . In this case, the reference value RV3 is set such that the coolant 80a flows through the circulation path 51a and part of the coolant 80a flowing through the circulation path 51a flows into the bypass path 51c. When the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the degree of opening of the three-way valve 53 is a predetermined value P different from the reference value RV3.
Controlled to V3 (third predetermined value), the flow rate or pressure of the coolant 80 introduced into the supply port 31 is reduced. In this case, the predetermined value PV3 is set such that the flow rate or pressure of the cooling liquid 80a flowing through the circulation path 51a decreases and the flow rate or pressure of the cooling liquid 80a flowing into the circulation path 51c increases. Then, when the operation of the film forming apparatus 100 is restarted, the opening degree of the three-way valve 53 is returned to the reference value RV3. When the opening degree of the three-way valve 53 returns to the reference value RV3, the flow rate or pressure of the cooling liquid 80a flowing through the circulation path 51a increases, and the amount of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 in the operating state of the film forming apparatus 100 increases. Increased flow or pressure. Further, when the temperature of the substrate 5 reaches the predetermined temperature after the degree of opening of the three-way valve 53 is controlled to the predetermined value PV3, the degree of opening of the three-way valve 53 may be returned to the reference value RV3.

制御部１１０による三方弁５３の制御の他の一例を以下に示す。蒸発源２に対するヒータによる加熱が行われていないときに供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が、蒸発源２に対するヒータによる加熱が行われているときに供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力よりも減少するように、三方弁５３の開度が制御される。 Another example of control of the three-way valve 53 by the control unit 110 is shown below. The flow rate or pressure of the coolant 80 introduced into the supply port 31 when the evaporation source 2 is not heated by the heater is the flow rate or pressure introduced into the supply port 31 when the evaporation source 2 is heated by the heater. The opening degree of the three-way valve 53 is controlled so that the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 is lower than that of the cooling liquid 80 .

供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力の減少量に応じて、ロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出量が減少する。成膜装置１００の非稼働状態における供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力が減少することにより、成膜装置１００の非稼働状態におけるロータリージョイント１１からのドレイン液８１の漏出量を抑制することができる。このため、成膜装置１００の運用コストを低減できる。 The amount of leakage of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 decreases according to the amount of decrease in the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 . By reducing the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 in the non-operating state of the film forming apparatus 100, the leakage amount of the drain liquid 81 from the rotary joint 11 in the non-operating state of the film forming apparatus 100 is reduced. can be suppressed. Therefore, the operating cost of the film forming apparatus 100 can be reduced.

上記では、供給口３１に導入される冷却液８０の流量又は圧力を制御する例を示したが、この制御に限らず、供給口３１に導入される冷却液８０の流量および圧力を制御してもよい。成膜装置１００の稼働が停止した場合、制御部１１０は、供給口３１に導入される冷却液８０の流量および圧力の少なくとも一方を制御してもよい。成膜装置１００の稼働が停止した場合、制御部１１０は、供給口３１に導入される冷却液８０の流量及び圧力の少なくとも一方が減少するように、制御部１１０は、三方弁５３の開度を制御してもよい。 Although an example of controlling the flow rate or pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 has been described above, the control is not limited to this control, and the flow rate and pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 can be controlled. good too. When the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the controller 110 may control at least one of the flow rate and pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 . When the operation of the film forming apparatus 100 is stopped, the control unit 110 adjusts the opening of the three-way valve 53 so that at least one of the flow rate and pressure of the cooling liquid 80 introduced into the supply port 31 is reduced. may be controlled.

［実施形態３］
本実施形態では、有機ＥＬディスプレイ等を製造するための電子デバイス製造装置に、上記各実施形態の成膜装置を適用する方法について説明する。図５は、電子デバイスの製造装置５００の一部を模式的に示す平面図である。電子デバイスの製造装置５００は、電子デバイス製造において、基板の前処理から成膜・封止までの工程を自動で行う。なお、図示したような、搬送室の周囲に複数の処理室を配置したクラスタ型の構成に代えて、複数の処理室を工程順に配置したインライン型の構成を採用してもよい。 [Embodiment 3]
In this embodiment, a method of applying the film forming apparatus of each of the above embodiments to an electronic device manufacturing apparatus for manufacturing an organic EL display or the like will be described. FIG. 5 is a plan view schematically showing a part of an electronic device manufacturing apparatus 500. As shown in FIG. The electronic device manufacturing apparatus 500 automatically performs processes from substrate pretreatment to film formation and sealing in electronic device manufacturing. Instead of the illustrated cluster configuration in which a plurality of processing chambers are arranged around a transfer chamber, an in-line configuration in which a plurality of processing chambers are arranged in order of steps may be adopted.

搬送室５１０の周囲には、前処理室５１１、有機処理室５１２、金属処理室５１３、測定室５１４が放射状に配置されている。なお、図５は簡略化した図であり、処理室の種類や数はこれに限られない。例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの処理室を設けてもよいし、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）などの色ごとに発光層の処理室を設けてもよい。搬送室５１０には、基板５を保持し搬送する搬送ロボット５１９が設けられている。搬送ロボット５１９は、例えば、多関節アームに、基板を保持するロボットハンドが取り付けられた構造をもつロボットであり、各処理室および測定室への基板の搬入と搬出を行う。 A pretreatment chamber 511 , an organic treatment chamber 512 , a metal treatment chamber 513 and a measurement chamber 514 are radially arranged around the transfer chamber 510 . Note that FIG. 5 is a simplified diagram, and the types and number of processing chambers are not limited to this. For example, processing chambers such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer may be provided. of processing chambers may be provided. A transfer robot 519 that holds and transfers the substrate 5 is provided in the transfer chamber 510 . The transport robot 519 is, for example, a robot having a structure in which a robot hand for holding a substrate is attached to an articulated arm, and carries the substrate into and out of each processing chamber and measurement chamber.

電子デバイスの製造プロセスは概略次のとおりである。まず、基板５が前処理室５１１に搬入され、洗浄等の前処理が行われる。その後基板は、成膜材料の種類に応じて、搬送ロボット５１９により有機処理室５１２や金属処理室５１３に搬送される。各処理室では、蒸発源からの蒸着やスパッタリングにより、蒸着材料が基板に付着して膜が形成される
。次いで、基板５が測定室５１４に搬入される。測定室内では、膜厚や成膜の均一性などが測定される。 The outline of the manufacturing process of the electronic device is as follows. First, the substrate 5 is carried into the pretreatment chamber 511 and subjected to pretreatment such as cleaning. After that, the substrate is transported to an organic processing chamber 512 or a metal processing chamber 513 by a transport robot 519 according to the type of film forming material. In each processing chamber, a deposition material adheres to a substrate by deposition or sputtering from an evaporation source to form a film. The substrate 5 is then loaded into the measurement chamber 514 . In the measurement chamber, the film thickness and the uniformity of film formation are measured.

成膜を行う各処理室にはそれぞれ成膜装置が設けられている。搬送ロボットとの基板の受け渡し、基板とマスクの相対位置の調整（アライメント）、マスク上への基板の固定、成膜（蒸着）などの一連のプロセスは、成膜装置によって自動で行われる。また、測定室における測定の工程も自動化が可能である。さらに測定後の処理として、乾燥剤や接着剤を塗布した封止ガラスによる封止処理が行われてもよい。完成したパネルは製造装置から自動搬出され、次の工程（例えばディスプレイパネルのアセンブル工程）へと供給される。ただし、上記の構成は一例であり、本発明の成膜装置やそれを含んだ電子デバイス製造装置の構成を限定するものではない。 Each processing chamber for film formation is provided with a film formation device. A series of processes such as transfer of the substrate to and from the transfer robot, adjustment of the relative positions of the substrate and mask (alignment), fixing of the substrate on the mask, and deposition (deposition) are automatically performed by the deposition apparatus. Also, the measurement process in the measurement room can be automated. Furthermore, as a post-measurement treatment, a sealing treatment using a sealing glass coated with a desiccant or an adhesive may be performed. The completed panel is automatically unloaded from the manufacturing equipment and supplied to the next process (for example, the process of assembling the display panel). However, the above configuration is an example, and does not limit the configuration of the film forming apparatus of the present invention or the electronic device manufacturing apparatus including the same.

以上の電子デバイス製造装置や、それを用いた電子デバイス製造方法によれば、成膜装置において基板の温度調節が良好に行われているので、良好に成膜がなされる。その結果、品質の良い電子デバイスを製造可能となる。 According to the electronic device manufacturing apparatus and the electronic device manufacturing method using the same, the temperature of the substrate is satisfactorily adjusted in the film forming apparatus, so that the film is formed satisfactorily. As a result, it is possible to manufacture high-quality electronic devices.

［実施形態４］
＜有機電子デバイスの製造方法＞
本実施形態では、蒸発源装置を備える成膜装置を用いた有機電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、有機電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成および製造方法を例示する。まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図６（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図６（ｂ）は一つの画素の断面構造を表している。 [Embodiment 4]
<Method for producing organic electronic device>
In this embodiment, an example of a method for manufacturing an organic electronic device using a film forming apparatus including an evaporation source device will be described. Hereinafter, as an example of the organic electronic device, the configuration and manufacturing method of an organic EL display device will be illustrated. First, the organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 6(a) shows an overall view of the organic EL display device 60, and FIG. 6(b) shows a cross-sectional structure of one pixel.

図６（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本図の有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。 As shown in FIG. 6A, in a display area 61 of an organic EL display device 60, a plurality of pixels 62 each having a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix. Each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. The term "pixel" as used herein refers to a minimum unit capable of displaying a desired color in the display area 61. FIG. In the case of the organic EL display device of this figure, the pixel 62 is configured by a combination of a first light emitting element 62R, a second light emitting element 62G, and a third light emitting element 62B that emit light different from each other. The pixel 62 is often composed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element and a white light emitting element. It is not limited.

図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板５上に、第１電極（陽極）６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、第２電極（陰極）６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。 FIG. 6(b) is a schematic partial cross-sectional view taken along line AB in FIG. 6(a). The pixel 62 includes a first electrode (anode) 64, a hole transport layer 65, any one of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B, an electron transport layer 67, and a second electrode (cathode) 68 on the substrate 5. and an organic EL element. Among these layers, the hole transport layer 65, the light emitting layers 66R, 66G and 66B, and the electron transport layer 67 correspond to organic layers. In this embodiment, the light emitting layer 66R is an organic EL layer that emits red, the light emitting layer 66G is an organic EL layer that emits green, and the light emitting layer 66B is an organic EL layer that emits blue.

発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、第１電極６４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と第２電極６８は、複数の発光素子６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極６４と第２電極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層Ｐが設けられている。 The light-emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in patterns corresponding to light-emitting elements (also referred to as organic EL elements) that emit red, green, and blue, respectively. Also, the first electrode 64 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the second electrode 68 may be formed in common with the plurality of light emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed for each light emitting element. An insulating layer 69 is provided between the first electrodes 64 to prevent short-circuiting between the first electrodes 64 and the second electrodes 68 due to foreign matter. Furthermore, since the organic EL layer is deteriorated by moisture and oxygen, a protective layer P is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.

次に、電子デバイスとしての有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および第１電極６４が形成された基板５を準備する。 Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device as an electronic device will be specifically described. First, a substrate 5 having a circuit (not shown) for driving an organic EL display device and a first electrode 64 formed thereon is prepared.

次に、第１電極６４が形成された基板５の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。 Next, an acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 5 on which the first electrode 64 is formed, and the acrylic resin is patterned by lithography so that an opening is formed in the portion where the first electrode 64 is formed. and an insulating layer 69 is formed. This opening corresponds to a light emitting region where the light emitting element actually emits light.

次に、絶縁層６９がパターニングされた基板５を第１の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の第１電極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。ここで、本ステップでの成膜や、以下の各レイヤーの成膜において用いられる成膜装置は、上記各実施形態のいずれかに記載された成膜装置である。 Next, the substrate 5 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the first film forming apparatus, the substrate is held by the substrate holding unit, and the hole transport layer 65 is placed on the first electrode 64 in the display area. It is deposited as a common layer. The hole transport layer 65 is deposited by vacuum deposition. Since the hole transport layer 65 is actually formed to have a size larger than that of the display area 61, a high-definition mask is not required. Here, the film deposition apparatus used in the film formation in this step and the film formation of each layer described below is the film formation apparatus described in any of the above embodiments.

次に、正孔輸送層６５までが形成された基板５を第２の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板５の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。本例によれば、マスクと基板とを良好に重ね合わせることができ、高精度な成膜を行うことができる。 Next, the substrate 5 with the hole transport layer 65 formed thereon is carried into the second film forming apparatus and held by the substrate holding unit. The substrate and the mask are aligned, the substrate is placed on the mask, and the red-emitting light-emitting layer 66R is formed on the portion of the substrate 5 where the red-emitting element is to be arranged. According to this example, the mask and the substrate can be satisfactorily overlapped, and highly accurate film formation can be performed.

発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６５は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。 Similarly to the deposition of the light emitting layer 66R, a green light emitting layer 66G is deposited by the third deposition apparatus, and a blue light emitting layer 66B is deposited by the fourth deposition apparatus. After the formation of the light-emitting layers 66R, 66G, and 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed over the entire display area 61 by the fifth film forming apparatus. The electron transport layer 65 is formed as a layer common to the three color light-emitting layers 66R, 66G, and 66B.

電子輸送層６５までが形成された基板をスパッタリング装置に移動し、第２電極６８を成膜し、その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層Ｐを成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。 The substrate on which the electron transport layer 65 has been formed is transferred to a sputtering apparatus, a second electrode 68 is formed thereon, and then transferred to a plasma CVD apparatus to form a protective layer P, whereby the organic EL display device 60 is completed. do.

絶縁層６９がパターニングされた基板５を成膜装置に搬入してから保護層Ｐの成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。 If the substrate 5 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the film-forming apparatus and is exposed to an atmosphere containing moisture and oxygen until the film-forming of the protective layer P is completed, the light-emitting layer made of the organic EL material will be damaged. It may deteriorate due to moisture and oxygen. Therefore, in this example, substrates are carried in and out between film forming apparatuses under a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.

本実施形態に係る成膜方法または電子デバイスの製造方法によれば、成膜時の温度調節が適切に行われるので、良好な成膜が可能となる。 According to the film forming method or the method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment, temperature control during film formation is appropriately performed, so favorable film formation is possible.

１００：成膜装置、１：成膜室、３：基板ホルダ、５：基板、１１：ロータリージョイント、２０：回転体、３０：筐体、３１：供給口，３２：供給流路、３３：排出口，３４：排出流路、３５，３７：ドレイン口、５０：ポンプ、５１ａ，５１ｂ：循環経路、８０：冷却液、１１０：制御部
100: film forming apparatus, 1: film forming chamber, 3: substrate holder, 5: substrate, 11: rotary joint, 20: rotary body, 30: housing, 31: supply port, 32: supply channel, 33: exhaust Outlet 34: discharge channel 35, 37: drain port 50: pump 51a, 51b: circulation path 80: coolant 110: control unit

Claims (13)

成膜室において被成膜物に成膜を行う成膜装置であって、
前記被成膜物を支持する被成膜物支持部と、
前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部と、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部と、を有するロータリージョイントと、
を備え、
前記固定部は、液体が供給される供給口と、液体が排出される排出口と、を有し、
前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路と、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路と、を有し、
前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に液体が流れる液体流路が構成される成膜装置において、
前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路と、
前記循環経路に配されたポンプおよびバルブと、
前記液体流路から漏出したドレイン液を排出するために前記ロータリージョイントに設けられたドレイン口と、
前記ドレイン液の漏出を抑制するために、前記成膜装置の稼働状態に応じて、前記ポンプおよび前記バルブを制御する制御部と、
を備えることを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus for forming a film on a film to be formed in a film forming chamber,
a film-forming object supporting portion that supports the film-forming object;
a rotary joint having a rotating portion that rotates while being connected to the support portion for film formation, and a fixed portion that is provided around the rotating portion and fixed to the film formation chamber;
with
The fixed part has a supply port to which the liquid is supplied and a discharge port to which the liquid is discharged,
The rotating part includes a supply channel for supplying the liquid supplied from the supply port to the film formation object support part, and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film formation object support part to the discharge port. having a road and
In a film forming apparatus in which a liquid channel through which a liquid flows in the order of the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, the discharge channel, and the discharge port,
a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port;
a pump and a valve arranged in the circulation path;
a drain port provided in the rotary joint for discharging the drain liquid leaked from the liquid channel;
a control unit that controls the pump and the valve according to the operating state of the film forming apparatus in order to suppress leakage of the drain liquid ;
A film forming apparatus comprising: 前記ドレイン液は、前記液体と不純物成分とを含み、
前記ドレイン口から排出した前記ドレイン液はドレイン液容器に収容される
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 The drain liquid contains the liquid and an impurity component,
The drain liquid discharged from the drain port is stored in a drain liquid container.
The film forming apparatus according to claim 1, characterized in that: 前記制御部は、前記成膜室内から前記被成膜物が搬出されたときに前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方が、前記成膜室内に前記被成膜物が搬入されたときに前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方よりも減少するように、前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 The control unit controls at least one of flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port when the object to be film-formed is carried out from the film-forming chamber so that at least one of the flow rate and the pressure of the object to be film-formed in the film-forming chamber is At least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port is controlled so as to be lower than at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port when it is carried in. The film forming apparatus according to claim 1. 前記制御部は、前記被成膜物の成膜が行われていないときに前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方が、前記被成膜物の成膜が行われているときに前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方よりも減少するように、前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 The control unit adjusts at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port when the film formation of the film formation target is not performed. at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port is controlled so as to be lower than at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port when the The film forming apparatus according to claim 1 . 前記成膜室内に設けられ、蒸発源を加熱する加熱部を備え、
前記制御部は、前記加熱部による加熱が行われていないときに前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方が、前記加熱部による加熱が行われているときに前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方よりも減少するように、前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 A heating unit provided in the film formation chamber for heating the evaporation source,
The control unit adjusts at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port when the heating unit is not heating the liquid to the supply port when the heating unit is heating the liquid. 2. The method according to claim 1, wherein at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port is controlled so as to be lower than at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the Deposition equipment. 前記制御部は、前記回転部が回転していないときに前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方が、前記回転部の回転が開始しているときに前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方よりも減少するように、前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 The control unit controls at least one of flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port when the rotation unit is not rotating to be supplied to the supply port when the rotation of the rotation unit is started. 2. The film formation according to claim 1, wherein at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port is controlled so as to be lower than at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port. Device. 前記制御部は、温度センサを用いて前記被成膜物の温度を測定し、その温度に応じて前記液体の流量および圧力の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 2. The device according to claim 1, wherein the controller measures the temperature of the film-forming object using a temperature sensor, and controls at least one of flow rate and pressure of the liquid according to the temperature. membrane device. 前記制御部は、前記成膜装置の稼働状態に応じて前記バルブの開度を制御することにより前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方を制御する
ことを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の成膜装置。 The control unit controls at least one of a flow rate and a pressure of the liquid supplied to the supply port by controlling an opening degree of the valve according to an operating state of the film forming apparatus. Item 8. The film forming apparatus according to any one of Items 1 to 7. 前記循環経路は、前記供給口に接続された第１の循環経路と、前記排出口に接続された第２の循環経路と、前記第１の循環経路と前記第２の循環経路との間に設けられ、前記第１の循環経路を流れる前記液体を前記第２の循環経路に送出するバイパス経路とを有し、
前記第１の循環経路と前記バイパス経路との接続位置に三方弁が設けられ、
前記制御部は、前記成膜装置の稼働状態に応じて前記三方弁の開度を制御することにより前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方を制御する
ことを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の成膜装置。 The circulation path includes a first circulation path connected to the supply port, a second circulation path connected to the discharge port, and between the first circulation path and the second circulation path. a bypass path for sending the liquid flowing through the first circulation path to the second circulation path;
A three-way valve is provided at a connection position between the first circulation route and the bypass route,
The control unit controls at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port by controlling the degree of opening of the three-way valve according to the operating state of the film forming apparatus. The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 7. 前記循環経路上に前記液体の温度を維持するための温調機構または恒温槽を設ける
ことを特徴する請求項１から７の何れか一項に記載の成膜装置。 8. The film forming apparatus according to claim 1, further comprising a temperature control mechanism or a constant temperature bath for maintaining the temperature of the liquid on the circulation path. 前記制御部は、前記成膜装置の稼働状態に応じて前記ポンプの出力を制御することにより前記供給口に供給される前記液体の流量および圧力の少なくとも一方を制御する
ことを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の成膜装置。 3. The control unit controls at least one of the flow rate and pressure of the liquid supplied to the supply port by controlling the output of the pump according to the operating state of the film forming apparatus. 8. The film forming apparatus according to any one of 1 to 7. 成膜装置の成膜室において被成膜物に成膜を行う成膜方法であって、
前記成膜装置は、
前記被成膜物を支持する被成膜物支持部と、
前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部と、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部と、を有するロータリージョイントと、
を有し、
前記固定部は、液体が供給される供給口と、液体が排出される排出口と、を有し、
前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路と、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路と、を有し、
前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に前記液体が流れる液体流路が構成されており、
前記成膜装置は、さらに、
前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路と、
前記循環経路に配されたポンプおよびバルブと、
前記液体流路から漏出したドレイン液を排出するために前記ロータリージョイントに設けられたドレイン口と、
を有し、
前記ドレイン液の漏出を抑制するために、前記成膜装置の稼働状態に応じて、前記ポンプおよび前記バルブを制御する工程を備える
ことを特徴とする成膜方法。 A film forming method for forming a film on a film to be formed in a film forming chamber of a film forming apparatus,
The film forming apparatus is
a film-forming object supporting portion that supports the film-forming object;
a rotary joint having a rotating portion that rotates while being connected to the support portion for film formation, and a fixed portion that is provided around the rotating portion and fixed to the film formation chamber;
has
The fixed part has a supply port to which the liquid is supplied and a discharge port to which the liquid is discharged,
The rotating part includes a supply channel for supplying the liquid supplied from the supply port to the film formation object support part, and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film formation object support part to the discharge port. having a road and
A liquid channel through which the liquid flows is configured in the order of the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, the discharge channel, and the discharge port,
The film forming apparatus further includes
a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port;
a pump and a valve arranged in the circulation path;
a drain port provided in the rotary joint for discharging the drain liquid leaked from the liquid channel;
has
A method of forming a film, comprising: controlling the pump and the valve according to an operating state of the film forming apparatus in order to suppress leakage of the drain liquid . 成膜装置の成膜室において被成膜物に成膜材料が成膜される、電子デバイスの製造方法であって、
前記成膜装置は、
前記被成膜物を支持する被成膜物支持部と、
前記被成膜物支持部と接続されて回転する回転部と、前記回転部の周囲に設けられ前記成膜室に固定された固定部と、を有するロータリージョイントと、
を備え、
前記固定部は、液体が供給される供給口と、液体が排出される排出口と、を有し、
前記回転部は、前記供給口から供給された液体を前記被成膜物支持部へ供給する供給流路と、前記被成膜物支持部から排出された液体を前記排出口へ排出する排出流路と、を有し、
前記供給口、前記供給流路、前記被成膜物支持部、前記排出流路、前記排出口の順に前記液体が流れる液体流路が構成されており、
前記成膜装置は、さらに、
前記排出口から排出された液体を前記供給口に供給する循環経路と、
前記循環経路に配されたポンプおよびバルブと、
前記液体流路から漏出したドレイン液を排出するために前記ロータリージョイントに設けられたドレイン口と、
を有し、
前記ドレイン液の漏出を抑制するために、前記成膜装置の稼働状態に応じて、前記ポンプおよび前記バルブを制御する工程を備える
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
A method for manufacturing an electronic device, in which a film of a film-forming material is formed on a film-forming object in a film-forming chamber of a film-forming apparatus,
The film forming apparatus is
a film-forming object supporting portion that supports the film-forming object;
a rotary joint having a rotating portion that rotates while being connected to the support portion for film formation, and a fixed portion that is provided around the rotating portion and fixed to the film formation chamber;
with
The fixed part has a supply port to which the liquid is supplied and a discharge port to which the liquid is discharged,
The rotating part includes a supply channel for supplying the liquid supplied from the supply port to the film formation object support part, and a discharge channel for discharging the liquid discharged from the film formation object support part to the discharge port. having a road and
A liquid channel through which the liquid flows is configured in the order of the supply port, the supply channel, the film-forming object supporting portion, the discharge channel, and the discharge port,
The film forming apparatus further includes
a circulation path for supplying the liquid discharged from the discharge port to the supply port;
a pump and a valve arranged in the circulation path;
a drain port provided in the rotary joint for discharging the drain liquid leaked from the liquid channel;
has
A method of manufacturing an electronic device, comprising a step of controlling the pump and the valve according to an operating state of the film forming apparatus in order to suppress leakage of the drain liquid .
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