JP7298971B2 - 電子デバイスパッケージ、コンピューティングシステム、補剛組立体および方法 - Google Patents
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Description
以下では本技術の実施形態の概要を最初に記載した後、本技術の具体的な実施形態をさらに詳細に説明する。最初に記載する要約は、読者が本技術をより短時間で理解できるようにすることを意図しており、本技術の鍵となる特徴または必要な特徴を特定することを意図しているわけではなく、請求している主題の範囲を限定することを意図したものでもない。
以下に記載する例は、本技術の具体的な実施形態に関し、そのような実施形態を実現する際に利用または組み合わせられる具体的な特徴、要素またはステップを説明する。
<項目1>
パッケージ基板と、
パッケージ基板に動作可能に結合されているアクティブ層と、
金属の補剛材と、
補剛材をパッケージ基板に結合する磁気損失ボンディング層と
を備える電子デバイスパッケージ。
<項目2>
磁気損失ボンディング層は、接着剤および複数の磁性粒子を含むボンディング材料を含む
項目1に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目3>
接着剤は樹脂である
項目2に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目4>
接着剤はエポキシである
項目2に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目5>
磁性粒子は電磁信号を減衰させる
項目2に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目6>
磁性粒子は、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、ジルコニウム(Zr)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、ネオジム(Nd)、タンタル(Ta)、フェライト、鉄(Fe)、フェロシリコン(FeSi)、酸化鉄およびこれらの混合物から成る群の構成要素を含む
項目2に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目7>
ボンディング材料における磁性粒子の量は体積パーセントで70パーセントまでである
項目2に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目8>
ボンディング材料における磁性粒子の量は体積パーセントで50パーセントから60パーセントである。
項目2に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目9>
磁気損失ボンディング層は、非磁性粒子が略存在しない
項目1に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目10>
磁気損失ボンディング層は、銀粒子が略存在しない
項目1に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目11>
金属の補剛材は電気的に浮遊している
項目1に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目12>
アクティブ層は、少なくとも1つの電磁信号発生コンポーネントを有する
項目1に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目13>
パッケージ基板は、
電子デバイスパッケージを接地するよう構成されている平面を画定している接地層と、
接地層に結合されている誘電層と、
誘電層に結合されている信号層と、
信号層に結合されているソルダマスクと
を有する
項目1に記載の電子デバイスパッケージ。
<項目14>
電子デバイスパッケージを製造する方法であって、
平面を画定する基板を用意する段階と、
アクティブ層を基板に結合する段階と、
磁気損失ボンディング層を介して基板に対して補剛層を結合する段階と
を備える方法。
<項目15>
磁気損失ボンディング層は、接着剤および複数の磁性粒子を含むボンディング材料を含む
項目14に記載の方法。
<項目16>
接着剤は樹脂である
項目15に記載の方法。
<項目17>
接着剤はエポキシである
項目15に記載の方法。
<項目18>
磁性粒子は電磁信号を減衰させる
項目15に記載の方法。
<項目19>
磁性粒子は、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、ジルコニウム(Zr)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、ネオジム(Nd)、タンタル(Ta)、フェライト、鉄(Fe)、フェロシリコン(FeSi)、酸化鉄およびこれらの混合物から成る群の構成要素を含む
項目15に記載の方法。
<項目20>
ボンディング材料における磁性粒子の量は体積パーセントで70パーセントまでである
項目15に記載の方法。
<項目21>
ボンディング材料における磁性粒子の量は体積パーセントで50パーセントから60パーセントである
項目15に記載の方法。
<項目22>
磁気損失ボンディング層は、非磁性粒子が略存在しない
項目14に記載の方法。
<項目23>
磁気損失ボンディング層は、銀粒子が略存在しない
項目14に記載の方法。
<項目24>
金属の補剛材は電気的に浮遊している
項目14に記載の方法。
<項目25>
電子デバイスパッケージにおいて電磁信号を減衰させる方法であって、
磁気損失ボンディング層を介して電子デバイスパッケージの基板に対して補剛材を結合して、電子デバイスパッケージの動作中に発生する電磁信号の少なくとも一部から補剛材を保護する
方法。
<項目26>
電磁信号は電子デバイスパッケージのアクティブ層で発生する
項目25に記載の方法。
<項目27>
電磁信号は基板内の少なくとも1つの層で発生する
項目25に記載の方法。
<項目28>
電磁信号の低減量は20dBを超える
項目25に記載の方法。
Claims (58)
- パッケージ基板と、
前記パッケージ基板に動作可能に結合されているアクティブ層と、
金属の補剛材と、
前記補剛材を前記パッケージ基板に結合している磁気損失ボンディング層と
を備え、
前記金属の補剛材は電気的に浮遊している、
電子デバイスパッケージ。 - 前記金属の補剛材は、鉄、鉄合金、スチール、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、および、これらの組み合わせから成る群から選択される材料を含む、請求項1に記載の電子デバイスパッケージ。
- パッケージ基板と、
前記パッケージ基板に動作可能に結合されているアクティブ層と、
金属の補剛材と、
前記補剛材を前記パッケージ基板に結合している磁気損失ボンディング層と、
を備え、
前記パッケージ基板は、信号層と、前記信号層に結合されているソルダマスクとを有し、
前記パッケージ基板の上面視において、前記アクティブ層の周囲が前記補剛材で囲まれ、
前記ソルダマスクには、前記補剛材を接地するためのソルダレジスト開口が無い、
電子デバイスパッケージ。 - 前記パッケージ基板は、前記電子デバイスパッケージを接地するよう構成されている平面を画定している接地層と、前記接地層に結合されている誘電層とを有し、
前記信号層は、前記誘電層に結合されている、
請求項3に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記信号層は、電磁信号を発生させる
請求項3または4に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記磁気損失ボンディング層は、接着剤および複数の磁性粒子を含むボンディング材料を含む
請求項1から5のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記接着剤は樹脂である
請求項6に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記接着剤はエポキシである
請求項6に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記複数の磁性粒子は電磁信号を減衰させる
請求項6から8のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記複数の磁性粒子は、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、ジルコニウム(Zr)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、ネオジム(Nd)、タンタル(Ta)、フェライト、鉄(Fe)、フェロシリコン(FeSi)、酸化鉄およびこれらの混合物から成る群の構成要素を含む
請求項6から9のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記複数の磁性粒子は鉄(Fe)を含む
請求項10に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記ボンディング材料における前記複数の磁性粒子の量は体積パーセントで70パーセントまでである
請求項6から11のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記ボンディング材料における前記複数の磁性粒子の量は体積パーセントで50パーセントから60パーセントである。
請求項6から11のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記磁気損失ボンディング層は、非磁性粒子が略存在しない
請求項1から13のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記磁気損失ボンディング層は、銀粒子が略存在しない
請求項9に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記複数の磁性粒子は、前記電磁信号の周波数依存性損失特性を制御する
請求項9または15に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記アクティブ層は、少なくとも1つの電磁信号発生コンポーネントを含む
請求項1から16のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記電磁信号発生コンポーネントはダイである
請求項17に記載の電子デバイスパッケージ。 - 前記ダイは集積回路を含む
請求項18に記載の電子デバイスパッケージ。 - マザーボードと、
前記マザーボードに動作可能に結合されている請求項1から19のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージと
を備えるコンピューティングシステム。 - 前記コンピューティングシステムは、デスクトップコンピュータ、ラップトップ、タブレット、スマートフォン、ウェアラブルデバイス、サーバまたはこれらの組み合わせを含む
請求項20に記載のコンピューティングシステム。 - 前記マザーボードに動作可能に結合されているプロセッサ、メモリデバイス、ヒートシンク、無線装置、スロット、ポートまたはこれらの組み合わせをさらに備える
請求項20または21に記載のコンピューティングシステム。 - 金属の補剛材と、
前記補剛材を電子デバイスパッケージ基板に結合するよう構成されている磁気損失ボンディング層と
を備え、
前記金属の補剛材は電気的に浮遊している、
補剛組立体。 - 前記金属の補剛材は、鉄、鉄合金、スチール、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、および、これらの組み合わせから成る群から選択される材料を含む、請求項23に記載の補剛組立体。
- 前記磁気損失ボンディング層は、接着剤および複数の磁性粒子を含むボンディング材料を含む
請求項23または24に記載の補剛組立体。 - 前記接着剤は樹脂である
請求項25に記載の補剛組立体。 - 前記接着剤はエポキシである
請求項25に記載の補剛組立体。 - 前記複数の磁性粒子は電磁信号を減衰させる
請求項25から27のいずれか一項に記載の補剛組立体。 - 前記複数の磁性粒子は、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、ジルコニウム(Zr)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、ネオジム(Nd)、タンタル(Ta)、フェライト、鉄(Fe)、フェロシリコン(FeSi)、酸化鉄およびこれらの混合物から成る群の構成要素を含む
請求項25から28のいずれか一項に記載の補剛組立体。 - 前記複数の磁性粒子は鉄(Fe)を含む
請求項29に記載の補剛組立体。 - 前記ボンディング材料における前記複数の磁性粒子の量は体積パーセントで70パーセントまでである
請求項25から30のいずれか一項に記載の補剛組立体。 - 前記ボンディング材料における前記複数の磁性粒子の量は体積パーセントで50パーセントから60パーセントである
請求項25から30のいずれか一項に記載の補剛組立体。 - 前記磁気損失ボンディング層は、非磁性粒子が略存在しない
請求項23から32のいずれか一項に記載の補剛組立体。 - 前記磁気損失ボンディング層は、銀粒子が略存在しない
請求項28に記載の補剛組立体。 - 前記複数の磁性粒子は、前記電磁信号の周波数依存性損失特性を制御する
請求項28または34に記載の補剛組立体。 - 前記磁気損失ボンディング層に結合されている剥離可能な剥離ライナーをさらに備える
請求項23から35のいずれか一項に記載の補剛組立体。 - 前記剥離ライナーはポリマー材料を含む
請求項36に記載の補剛組立体。 - 前記ポリマー材料はポリテトラフルオロエチレン(PTFE)を含む
請求項37に記載の補剛組立体。 - 電子デバイスパッケージを製造する方法であって、
平面を画定する基板を用意する段階と、
アクティブ層を前記基板に結合する段階と、
磁気損失ボンディング層を介して前記基板に対して金属の補剛層を結合する段階と
を備え、
前記金属の補剛層は電気的に浮遊している、
方法。 - 前記金属の補剛層は、鉄、鉄合金、スチール、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、および、これらの組み合わせから成る群から選択される材料を含む、請求項39に記載の方法。
- 電子デバイスパッケージを製造する方法であって、
平面を画定する基板を用意する段階と、
アクティブ層を前記基板に結合する段階と、
磁気損失ボンディング層を介して前記基板に対して金属の補剛層を結合する段階と
を備え、
前記基板は、信号層と、前記信号層に結合されているソルダマスクとを有し、
前記基板の上面視において、前記アクティブ層の周囲が前記補剛層で囲まれ、
前記ソルダマスクには、前記金属の補剛層を接地するためのソルダレジスト開口が無い、
方法。 - 前記基板は、前記電子デバイスパッケージを接地するよう構成されている平面を画定している接地層と、前記接地層に結合されている誘電層とを有し、
前記信号層は、前記誘電層に結合されている、
請求項41に記載の方法。 - 前記磁気損失ボンディング層は、接着剤および複数の磁性粒子を含むボンディング材料を含む
請求項39から42のいずれか一項に記載の方法。 - 前記接着剤は樹脂である
請求項43に記載の方法。 - 前記接着剤はエポキシである
請求項43に記載の方法。 - 前記複数の磁性粒子は電磁信号を減衰させる
請求項43から45のいずれか一項に記載の方法。 - 前記複数の磁性粒子は、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、ジルコニウム(Zr)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、ネオジム(Nd)、タンタル(Ta)、フェライト、鉄(Fe)、フェロシリコン(FeSi)、酸化鉄およびこれらの混合物から成る群の構成要素を含む
請求項43から46のいずれか一項に記載の方法。 - 前記複数の磁性粒子は鉄(Fe)を含む
請求項47に記載の方法。 - 前記ボンディング材料における前記複数の磁性粒子の量は体積パーセントで70パーセントまでである
請求項43から48のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ボンディング材料における前記複数の磁性粒子の量は体積パーセントで50パーセントから60パーセントである
請求項43から48のいずれか一項に記載の方法。 - 前記磁気損失ボンディング層は、非磁性粒子が略存在しない
請求項39から50のいずれか一項に記載の方法。 - 前記磁気損失ボンディング層は、銀粒子が略存在しない
請求項46に記載の方法。 - 前記複数の磁性粒子は、前記電磁信号の周波数依存性損失特性を制御する
請求項46または52に記載の方法。 - 電子デバイスパッケージにおいて電磁信号を減衰させる方法であって、
磁気損失ボンディング層を介して前記電子デバイスパッケージの基板に対して補剛材を結合して、前記補剛材を、前記電子デバイスパッケージの動作中に発生する電磁信号の少なくとも一部から保護し、
前記補剛材は電気的に浮遊している、
方法。 - 前記補剛材は、鉄、鉄合金、スチール、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、および、これらの組み合わせから成る群から選択される材料を含む、請求項54に記載の方法。
- 前記電磁信号は前記電子デバイスパッケージ内のアクティブ層で発生する
請求項54または55に記載の方法。 - 前記電磁信号は前記基板内の少なくとも1つの層で発生する
請求項54または55に記載の方法。 - 前記電磁信号の低減量は20dBを超える
請求項54から57のいずれか一項に記載の方法。
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KR20220008097A (ko) * | 2020-07-13 | 2022-01-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001131499A (ja) | 1999-11-09 | 2001-05-15 | Toray Ind Inc | 半導体装置用接着剤シートおよびそれを用いた部品ならびに半導体装置 |
JP2002016167A (ja) | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ部品及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ |
JP2005277389A (ja) | 2004-02-23 | 2005-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | 多層配線基板及び半導体パッケージ |
JP2005317946A (ja) | 2004-03-30 | 2005-11-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路基板 |
JP2006108388A (ja) | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Sony Corp | 放熱部品及びその製造方法 |
JP2014150150A (ja) | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Canon Inc | 半導体パッケージ |
JP2017112253A (ja) | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 日本合成化学工業株式会社 | 電磁波抑制シートおよびこれを用いた電磁波抑制粘着シート、電磁波抑制用樹脂組成物、電磁波抑制層 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5866943A (en) * | 1997-06-23 | 1999-02-02 | Lsi Logic Corporation | System and method for forming a grid array device package employing electomagnetic shielding |
JP4390541B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2009-12-24 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8779570B2 (en) * | 2008-03-19 | 2014-07-15 | Stats Chippac Ltd. | Stackable integrated circuit package system |
JP5829562B2 (ja) | 2012-03-28 | 2015-12-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US20150371884A1 (en) * | 2014-06-19 | 2015-12-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd | Concentric Stiffener Providing Warpage Control To An Electronic Package |
US20160268213A1 (en) | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Intel Corporation | On Package Floating Metal/Stiffener Grounding to Mitigate RFI and SI Risks |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001131499A (ja) | 1999-11-09 | 2001-05-15 | Toray Ind Inc | 半導体装置用接着剤シートおよびそれを用いた部品ならびに半導体装置 |
JP2002016167A (ja) | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ部品及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ |
JP2005277389A (ja) | 2004-02-23 | 2005-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | 多層配線基板及び半導体パッケージ |
JP2005317946A (ja) | 2004-03-30 | 2005-11-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路基板 |
JP2006108388A (ja) | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Sony Corp | 放熱部品及びその製造方法 |
JP2014150150A (ja) | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Canon Inc | 半導体パッケージ |
JP2017112253A (ja) | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 日本合成化学工業株式会社 | 電磁波抑制シートおよびこれを用いた電磁波抑制粘着シート、電磁波抑制用樹脂組成物、電磁波抑制層 |
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