JP7298543B2 - フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents

Description

本発明はフィルタおよびマルチプレクサに関する。

従来、圧電基板上に設けられ、第１並列腕共振子と第２並列腕共振子とを含むラダー型フィルタと縦結合共振子型フィルタとが直列接続された帯域通過型フィルタが知られている（例えば、特許文献１）。

特許文献１のフィルタは、第１並列腕共振子に接続された第１グランド端子と第２並列腕共振子に接続された第２グランド端子と縦結合共振子型フィルタに接続された第３グランド端子を有している。

第１グランド端子と第２グランド端子とは圧電基板上において互いに接続されておらず、第２グランド端子と第３グランド端子とは圧電基板上において互いに接続されている。言い換えれば、圧電基板上において、第１グランド端子と第２グランド端子とは独立し、第２グランド端子と第３グランド端子とは共通化されている。

特許文献１のフィルタによれば、第１グランド端子と第２グランド端子とを独立させたことで、寄生インダクタンスの影響が低減されるので、通過帯域の低域端における減衰特性を急峻にできる。また、第２グランド端子と第３グランド端子とを共通化したことで、縦結合共振子型フィルタのグランド電位が安定化するので、通過帯域外の減衰量（例えば、他のフィルタとともにマルチプレクサを構成する場合のアイソレーション）を大きくできる。

特開２０１７－８５２６２号公報

しかしながら、従来のフィルタでは通過帯域外の減衰量が十分でない場合がある。

そこで、本発明は、ラダー型フィルタと縦結合共振子型フィルタとが直列接続された帯域通過型フィルタであって、通過帯域外の減衰量に優れたフィルタを提供する。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るフィルタは、第１並列腕共振子および第２並列腕共振子を含むラダー型フィルタと、前記ラダー型フィルタの前記第２並列腕共振子が接続されたノードに接続された縦結合共振子型フィルタと、前記第１並列腕共振子に接続された第１グランド端子と、前記第１グランド端子と独立して設けられ、前記第２並列腕共振子に接続された第２グランド端子および前記縦結合共振子型フィルタに接続された第３グランド端子と、前記第２並列腕共振子と前記第２グランド端子とを結ぶ第１信号経路上の第１ノードと前記縦結合共振子型フィルタと第３グランド端子とを結ぶ第２信号経路上の第２ノードとに接続された第３信号経路と、前記第１信号経路上の前記第１ノードと前記第２グランド端子との間に接続された第１インダクタ、あるいは前記第２信号経路上の前記第２ノードと前記第３グランド端子との間に接続された第２インダクタのうち少なくとも一方のインダクタと、を備え、前記一方のインダクタは、蛇行部を有する配線で構成される。

また、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、一端同士が互いに接続された第１フィルタと第２フィルタとを備え、前記第１フィルタは上記のフィルタであり、前記第１フィルタの通過帯域の中心周波数は、前記第２フィルタの通過帯域の中心周波数より高い。

上記のフィルタによれば、第１グランド端子が第２グランド端子および第３グランド端子から独立して設けられるので、従来のフィルタと同様、通過帯域の低域端における減衰特性を急峻にできる。

また、第２並列腕共振子と縦結合共振子型フィルタとが、グランド側において、インダクタを介して互いに接続される。ここで、インダクタは、第１ノードと第２ノードとを結ぶ信号経路が有するインダクタンス成分の等価的な表現であり、実質的に無視できる程度に小さくてもよい。

これにより、第２並列腕共振子と縦結合共振子型フィルタとを合わせた合成容量と第２インダクタとによる直列共振が生じる。当該直列共振で発生する減衰極は、第２インダクタを設けない場合と比べて、低周波側にシフトする。その結果、通過帯域外の低周波側にある目的の周波数帯域における減衰が効果的に改善される。

第２並列腕共振子と縦結合共振子型フィルタとに共通して第２インダクタを接続するので、第２並列腕共振子および縦結合共振子型フィルタに個別のインダクタを接続する場合と比べて、装置の小型化が可能になる。

また、第２インダクタを第１ノードと第２グランド端子との間に接続するので、第２インダクタを第２ノードと第３グランド端子との間に接続する場合と比べて、縦結合共振子型フィルタのグランド電位が不安定になりにくい。その結果、目的の周波数帯域における減衰が安定的に改善される。

上記のフィルタによれば、通過帯域の低域端における急峻な減衰特性とともに、通過帯域外の低周波側にある目的の周波数帯域における減衰が改善される。そのため、上記のフィルタと、通過帯域の中心周波数がより低い他のフィルタと、を組み合わせてマルチプレクサを構成することで、帯域間のアイソレーションに優れたマルチプレクサが得られる。

図１は、実施の形態に係るマルチプレクサの構成の一例を示す回路図である。 図２は、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極の構造の一例を模式的に示す平面図および断面図である。 図３は、実施の形態に係るマルチプレクサの圧電基板上での電極配置の一例を模式的に示す平面図である。 図４は、比較例１に係るマルチプレクサの圧電基板上での電極配置の一例を模式的に示す平面図である。 図５は、比較例２に係るマルチプレクサの構成の一例を示す回路図である。 図６は、比較例２に係るマルチプレクサの圧電基板上での電極配置の一例を模式的に示す平面図である。 図７は、比較例３に係るマルチプレクサの構成の一例を示す回路図である。 図８は、比較例３に係るマルチプレクサの圧電基板上での電極配置の一例を模式的に示す平面図である。 図９は、変形例に係るマルチプレクサの圧電基板上での電極配置の一例を模式的に示す平面図である。 図１０は、マルチプレクサの端子Ｔｘ、Ｒｘ間のアイソレーション特性の一例を示すグラフである。

以下、本発明の実施の形態について、実施の形態および図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。なお、以下の実施の形態において、「接続される」とは、配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含まれる。

実施の形態に係るマルチプレクサについて、送信フィルタと受信フィルタとを備えるデュプレクサの例を挙げて説明する。

図１は、実施の形態に係るマルチプレクサ１の構成の一例を示す回路図である。図１に示されるように、マルチプレクサ１は、端子Ａｎｔ、Ｔｘ、Ｒｘ、受信フィルタ１０および送信フィルタ２０を備える。端子Ａｎｔは、アンテナ素子３０に接続される。

受信フィルタ１０は、所定の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタ回路であり、端子Ａｎｔと端子Ｒｘとに接続される。受信フィルタ１０の一端および他端はそれぞれ端子ＡｎｔおよびＲｘに直接接続されてもよく、図示しない他の回路素子を介して接続されてもよい。

受信フィルタ１０において、直列腕共振子１３および１４ならびに並列腕共振子１５および１６によりラダー型の共振子フィルタが構成される。また、互いに並列に接続された共振子群１７および１８により縦結合共振子型フィルタが構成される。共振子群１７および１８の各々は、弾性波の伝搬方向に並置された５つのＩＤＴ電極を有する。ラダー型の共振子フィルタと縦結合共振子型フィルタとは直列接続される。

並列腕共振子１５の一端はグランドＢ１に接続される。並列腕共振子１６とグランドＢ２とを結ぶ信号経路Ｒ１上のノードＮ１と共振子群１７および１８とグランドＢ３とを結ぶ信号経路Ｒ２上のノードＮ２とは、信号経路Ｒ３によって接続される。

信号経路Ｒ１上のノードＮ１とグランドＢ２との間にインダクタＬ１が配置され、信号経路Ｒ２上のノードＮ２とグランドＢ３との間にインダクタＬ２が配置される。共振子群１７および１８に含まれるすべてのＩＤＴ電極のグランド側の端は、インダクタＬ２を介して、グランドＢ３に接続される。グランドＢ１、Ｂ２およびＢ３は、外部接続用の端子であり、寄生インダクタンスを有する。

インダクタＬ１およびＬ２は、対応する配線が有する等価的なインダクタンス成分であってもよく、ディスクリート部品によるインダクタンス成分であってもよい。インダクタＬ１のインダクタンスは、インダクタＬ２のインダクタンスより大きい。インダクタＬ２のインダクタンスは、実質的に無視できる程度に小さくてもよい。なお、他の配線にもインダクタンス成分は存在するが、本発明の要部ではないため図示を省略する。

送信フィルタ２０は、直列腕共振子２１、２２、２３、２４および２５ならびに並列腕共振子２６、２７、２８および２９からなるラダー型の共振子フィルタである。並列腕共振子２６のグランド側の端はグランドＢ４に接続され、並列腕共振子２７、２８および２９のグランド側の端はグランドＢ５に接続される。グランドＢ４およびＢ５は、外部接続用の端子であり、寄生インダクタンス成分を有する。

次に、ＩＤＴ電極の基本的な構造について説明する。

図２は、ＩＤＴ電極５０の基本的な構造の一例を模式的に表す平面図及び断面図である。図２に示されるＩＤＴ電極５０の構造は、受信フィルタ１０における直列腕共振子１３および１４、並列腕共振子１５および１６、ならびに共振子群１７および１８を構成する各ＩＤＴ電極に適用される。なお、図２の例は、ＩＤＴ電極５０の基本的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数および長さなどは、図２の例には限定されない。

ＩＤＴ電極５０は、互いに対向する一対の櫛歯状電極５０ａ、５０ｂからなる。櫛歯状電極５０ａは、互いに平行な複数の電極指５１ａと、複数の電極指５１ａを接続するバスバー電極５２ａとで構成されている。櫛歯状電極５０ｂは、互いに平行な複数の電極指５１ｂと、複数の電極指５１ｂを接続するバスバー電極５２ｂとで構成されている。電極指５１ａおよび５１ｂは、弾性波の伝搬方向であるＸ軸方向と直交する方向に延びるように形成されており、互いに間挿し合うように配置されている。

ＩＤＴ電極５０の形状および大きさを規定するパラメータを電極パラメータと言う。電極パラメータの一例として、電極指５１ａまたは電極指５１ｂのＸ軸方向における繰り返し周期である波長λ、Ｘ軸方向に見て電極指５１ａ、５１ｂが重複する長さである交差幅Ｌ、電極指５１ａ、５１ｂのライン幅Ｗ、および隣り合う電極指５１ａ、５１ｂ間のスペース幅Ｓが挙げられる。

電極指５１ａ、５１ｂを合わせた電極指の本数の１／２である対数、電極指５１ａ、５１ｂを合わせた電極指の繰り返し周期であるピッチ（Ｗ＋Ｓ）、ピッチに占めるライン幅の割合であるデューティ比Ｗ／（Ｗ＋Ｓ）も、電極パラメータの一例である。

電極指５１ａ、５１ｂ、およびバスバー電極５２ａ、５２ｂは、圧電基板５９上に形成された電極層５３で構成されている。

一例として、電極層５３は、銅、アルミニウムなどの金属またはこれらの合金で構成され、圧電基板５９は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムなどを含有する圧電体層で構成されてもよい。電極層５３は、図示していない密着層を介在して圧電基板５９上に形成されてもよい。電極層５３は、保護層５４で被覆されてもよい。

圧電基板５９は、圧電体層一層からなってもよいし、少なくとも一部に圧電性を有する積層型基板であってもよい。少なくとも一部に圧電性を有する積層型基板は、支持基板と、支持基板上に形成されており、圧電薄膜を伝搬する弾性波音速より伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜と、高音速膜上に積層されており、圧電薄膜を伝搬する弾性バルク波音速より伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、低音速膜上に積層された圧電薄膜と、で構成された積層体であってもよい。また、支持基板は、高音速膜と支持基板を兼ねる、シリコン基板などの高音速支持基板であってもよい。

次に、圧電基板上に形成されたマルチプレクサ１の電極配置の一例について説明する。

図３は、マルチプレクサ１の圧電基板５９上での電極配置の一例を模式的に示す平面図である。図３に示されるように、マルチプレクサ１の各共振子は、圧電基板５９上の対応する符号を付した領域に形成されたＩＤＴ電極で構成される。また、圧電基板５９上には、外部接続用の電極構造である端子Ａｎｔ、Ｔｘ、Ｒｘ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４およびＢ５、ならびに共振子同士を接続する配線および共振子と端子とを接続する配線として機能する電極が形成される。

共振子群１７、１８を構成するＩＤＴ電極のグランド側のバスバー電極とグランド端子Ｂ３とは、立体配線１９を介して接続される。グランド端子Ｂ１はグランド端子Ｂ２、Ｂ３から独立して設けられている。

インダクタＬ１およびＬ２は、対応する配線のインダクタンス成分である。具体的に、インダクタＬ１は、ノードＮ１とグランド端子Ｂ２とを結ぶ配線のインダクタンス成分である。インダクタＬ２は、ノードＮ２とグランド端子Ｂ３とを結ぶ配線のインダクタンス成分である。

インダクタＬ１のインダクタンス成分は、インダクタＬ２のインダクタンス成分より大きい。具体的に、ノードＮ１とグランド端子Ｂ２とを結ぶ配線は蛇行するように意図的に引き回された配線で構成されるため、インダクタＬ１のインダクタンス成分は大きい。これに対し、ノードＮ２とグランド端子Ｂ３とを結ぶ配線は蛇行部を有しない平面状のパターンを有する配線で構成されるため、インダクタＬ２のインダクタンス成分は無視できる程度に小さい。

並列腕共振子１５および１６の電極パラメータは、一例として次のように設定される。並列腕共振子１５および１６の対数は、それぞれ６３対、６７対であり、交差幅はそれぞれ７１μｍ、９１μｍである。

共振子の静電容量は主に対数と交差幅との積に比例する。並列腕共振子１５および１６の静電容量は、それぞれ２．１ｐＦ、２．８ｐＦであり、並列腕共振子１６の静電容量は、並列腕共振子１５の静電容量より大きい。

上記のように構成されたマルチプレクサ１によれば、グランド端子Ｂ１がグランド端子Ｂ２およびＢ３から独立して設けられるので、従来のフィルタと同様、通過帯域の低域端における減衰特性を急峻にできる。

また、並列腕共振子１６と共振子群１７、１８とが、グランド側において、信号経路Ｒ３を介して互いに接続される。

これにより、並列腕共振子１６と共振子群１７、１８とを合わせた合成容量とインダクタＬ１とによる直列共振が生じる。直列共振で発生する減衰極は、インダクタＬ１を設けない場合と比べて、低周波側にシフトする。その結果、通過帯域外の低周波側にある送信周波数帯域における減衰が効果的に改善される。

並列腕共振子１６と共振子群１７、１８とに共通してインダクタＬ１を接続するので、並列腕共振子１６と共振子群１７、１８とに個別のインダクタを接続する場合と比べて、装置の小型化が可能になる。

また、ノードＮ１とグランド端子Ｂ２との間に接続されたインダクタＬ１を用いて減衰極をシフトさせるので、ノードＮ２とグランド端子Ｂ３との間に接続されたインダクタＬ２のインダクタンスを大きくする必要がない。インダクタＬ２のインダクタンスを大きくしないので、共振子群１７、１８のグランド電位が不安定になりにくい。その結果、送信周波数帯域における減衰が安定的に改善される。

また、共振子群１７、１８のすべてのＩＤＴ電極のグランド側の端が共通化されているので、共振子群１７、１８のグランド電位がより安定化され、寄生インダクタンス成分が減ることにより、送信周波数帯域における減衰の改善効果が高まる。

また、並列腕共振子１６の静電容量は、並列腕共振子１５、１６の静電容量のうちで最も大きい。これにより並列腕共振子１６と共振子群１７、１８とを合わせた合成容量が大きくなり、減衰極を低周波側にシフトさせるための必要なインダクタンス成分を小さくできる。その結果、チップの小型化に寄与できる。

受信フィルタ１０によれば、通過帯域の低域端における急峻な減衰特性とともに、送信周波数帯域における減衰が改善される。そのため、受信フィルタ１０と送信フィルタ２０とを組み合わせてマルチプレクサ１を構成することで、送受間のアイソレーションに優れたマルチプレクサ１が得られる。

上記したマルチプレクサ１および変形例の効果を、比較例と対比して説明する。

図４は、比較例１に係るマルチプレクサ２の圧電基板５９上での電極配置の一例を模式的に示す平面図である。

マルチプレクサ２は、マルチプレクサ１と比べて、回路構成において同一であり、インダクタＬ１のインダクタンス成分がより小さい点で異なる。

図４に示されるように、マルチプレクサ２では、ノードＮ１とグランド端子Ｂ２とを結ぶ配線が平面状のパターンを有する電極で構成されるため、インダクタＬ１のインダクタンス成分は、インダクタＬ２のインダクタンス成分とはほぼ同じであり、無視できる程度に小さい。

図５は、比較例２に係るマルチプレクサ３の構成の一例を示す回路図である。

図６は、マルチプレクサ３の圧電基板５９上での電極配置の一例を模式的に示す平面図である。

マルチプレクサ３は、マルチプレクサ１と比べて、並列腕共振子１６とノードＮ１との間にインダクタＬ３を有する点で異なる。

図５および図６に示されるように、マルチプレクサ３では、受信フィルタ１１において、並列腕共振子１６とノードＮ１との間に蛇行するように意図的に引き回された配線によるインダクタＬ３が設けられる。インダクタＬ１に対応する配線の長さは実質的に０であり、インダクタＬ２に対応する配線は平面状のパターンを有する電極で構成されるため、インダクタＬ１およびＬ２のインダクタンス成分は、いずれも無視できる程度に小さい。

図７は、比較例３に係るマルチプレクサ４の構成の一例を示す回路図である。

図８は、マルチプレクサ４の圧電基板５９上での電極配置の一例を模式的に示す平面図である。

マルチプレクサ４は、マルチプレクサ１と比べて、ノードＮ１とノードＮ２とを接続する信号経路を有しない点で異なる。

図７および図８に示されるように、マルチプレクサ４では、受信フィルタ１２において、グランド端子Ｂ１、Ｂ２およびＢ３がすべて独立して設けられる。また、並列腕共振子１６とグランド端子Ｂ２との間に蛇行するように意図的に引き回された配線によるインダクタＬ４が設けられる。

図９は、変形例に係るマルチプレクサ５の圧電基板５９上での電極配置の一例を模式的に示す平面図である。

マルチプレクサ５は、図１のマルチプレクサ１と比べて、回路構成において同一であり、インダクタＬ１のインダクタンス成分がより小さく、かつインダクタＬ２のインダクタンス成分がより大きく構成される点で異なる。

図９に示されるように、マルチプレクサ５では、ノードＮ２とグランド端子Ｂ３との間の配線は蛇行するように意図的に引き回された配線で構成されるため、インダクタＬ２のインダクタンス成分は大きい。また、ノードＮ１とグランド端子Ｂ２とを結ぶ配線が平面状のパターンを有する電極で構成されるため、インダクタＬ１のインダクタンス成分は無視できる程度に小さい。これにより、マルチプレクサ５では、インダクタＬ２のインダクタンス成分が、インダクタＬ１のインダクタンス成分より大きい。

マルチプレクサ１を実施例とし、実施例、比較例１、２および３、ならびに変形例に係るマルチプレクサ１、２、３、４および５について、端子Ｔｘ→Ｒｘ間のアイソレーション特性を求めた。ＬＴＥ（登録商標）（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のＢａｎｄ２６の上り周波数帯域（８１４ＭＨｚ以上８４９ＭＨｚ以下）を送信フィルタ２０の通過帯域（以下、送信帯域）とし、下り周波数帯域（８５９ＭＨｚ以上８９４ＭＨｚ以下）を受信フィルタ１０、１１および１２の通過帯域（以下、受信帯域）とした。

図１０は、マルチプレクサの端子Ｔｘ→Ｒｘ間のアイソレーション特性の一例を示すグラフである。

図１０に見られるように、送信帯域内での挿入損失の最小値（アイソレーションの最悪値）は、実施例では６０．７ｄＢ、変形例では５８．６ｄＢ、比較例１では５７．２ｄＢ、比較例２では５６．３ｄＢ、比較例３では５３．８ｄＢである。

実施例では、ノードＮ１とノードＮ２とを接続することで、並列腕共振子１６と共振子群１７、１８とを合わせた合成容量とインダクタＬ１とによる直列共振で発生する減衰極を、受信帯域の近傍から低周波側にシフトさせている。合成容量を利用して減衰極を低周波側にシフトさせることで、必要なインダクタンス成分を小さくしつつ、送信帯域の全域で良好なアイソレーションを実現している。

比較例１では、ノードＮ１とノードＮ２とは接続されているが、インダクタＬ１が平面状のパターンを有する電極で実現され、インダクタンス成分が実質的に無視できる程度に小さいため、減衰極を低周波側に十分にシフトさせることができない。そのため、実施例と比べて、送信帯域の中域から高域（８３１．５ＭＨｚ以上８４９ＭＨｚ以下）でのアイソレーションが悪化する。

比較例２では、並列腕共振子１６とノードＮ１との間にインダクタＬ３を設け、並列腕共振子１６とインダクタＬ３との直列共振で発生する減衰極を、受信帯域の近傍から低周波側にシフトさせることで、送信帯域の減衰の改善を図っている。

比較例２では、実施例と比べて、減衰極をシフトさせるために、共振子群１７、１８の容量を使用しない分、必要なインダクタンス成分が大きくなってしまう。そのため、装置の小型化の障害となる。また、受信帯域の低域端において減衰特性の急峻性が悪化するため、送信帯域の高域端付近（８４９ＭＨｚ）でのアイソレーションが悪化してしまう。

比較例３では、並列腕共振子１６のグランドと共振子群１７、１８のグランドとを共通化せず、並列腕共振子１６とグランド端子Ｂ２との間にインダクタＬ４を設け、並列腕共振子１６とインダクタＬ４との直列共振で発生する減衰極を、受信帯域の近傍から低周波側にシフトさせることで、送信帯域の減衰の改善を図っている。

比較例３では、共振子群１７、１８のグランド側の端がグランド端子Ｂ２に接続されていないため、共振子群１７、１８のグランドに発生する寄生インダクタンス成分が大きくなってしまう。通常、共振子群１７、１８のグランド電位が安定しているほど、送信帯域における減衰は大きくなるところ、比較例３では、寄生インダクタンス成分が大きくなることでグランド電位が安定しにくくなるため、送信帯域の全域でのアイソレーションが悪化する。

変形例では、ノードＮ１とノードＮ２とを接続することで、並列腕共振子１６と共振子群１７、１８とを合わせた合成容量とインダクタＬ２とによる直列共振で発生する減衰極を、受信帯域の近傍から低周波側にシフトさせている。変形例では、実施例と同様、合成容量を利用して減衰極を低周波側にシフトさせることで、必要なインダクタンス成分を小さくしている。

変形例では、ノードＮ２とグランド端子Ｂ３との間に接続されたインダクタＬ２を利用して減衰極を低周波側にシフトさせるので、実施例と比べて、共振子群１７、１８のグランドに発生する寄生インダクタンス成分が大きくなってしまう。そのため、送信帯域の中域（８３１．５ＭＨｚ）付近でのアイソレーションが、実施例と比べて悪化する。

なお、実施例、比較例１、２および３、ならびに変形例に係るマルチプレクサ１、２、３、４および５のいずれにおいても、グランド端子Ｂ１は、グランド端子Ｂ２およびＢ３から独立している。グランド端子Ｂ１をグランド端子Ｂ２およびＢ３と共通化すると、並列腕共振子１５によって発生する減衰極も低域側へシフトしてしまい、受信帯域の低域側における減衰特性の急峻性が損なわれる不利が生じ得る。マルチプレクサ１、２、３、４および５によれば、このような不利を回避できる。

以上、本発明の実施の形態に係るフィルタおよびマルチプレクサについて説明したが、本発明は、個々の実施の形態には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の一つ又は複数の態様の範囲内に含まれてもよい。

例えば、実施の形態ではデュプレクサの例を挙げて説明したが、本発明は、デュプレクサには限られず、例えば、単に周波数帯域が異なる複数の信号を分波および合波するダイプレクサ、トリプレクサ、クアッドプレクサなどに適用されてもよい。

例えば、実施の形態では、第２並列腕共振子と縦結合共振子型フィルタとが、グランド側においてインダクタを介して互いに接続されており、このインダクタが、第１信号経路Ｒ１上のノードＮ１とグランド端子Ｂ２との間にあるインダクタＬ１である例を示したが、それに限られない。上記インダクタは、信号経路Ｒ２上のノードＮ２とグランド端子Ｂ３との間にあるインダクタＬ２であってもよい。インダクタＬ２によっても、インダクタＬ１と同様に、通過帯域外の減衰量を大きくすることができる。

本発明は、フィルタおよびマルチプレクサとして、携帯電話機などの通信機器に広く利用できる。

１、２、３、４、５ マルチプレクサ
１０、１１、１２ 受信フィルタ
１３、１４ 直列腕共振子
１５、１６ 並列腕共振子
１７、１８ 共振子群
１９ 立体配線
２０ 送信フィルタ
２１、２２、２３、２４、２５ 直列腕共振子
２６、２７、２８、２９ 並列腕共振子
３０ アンテナ素子
５０ ＩＤＴ電極
５０ａ、５０ｂ 櫛歯状電極
５１ａ、５１ｂ 電極指
５２ａ、５２ｂ バスバー電極
５３ 電極層
５４ 保護層
５９ 圧電基板
Ｎ１、Ｎ２ ノード
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 信号経路
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４ インダクタ
Ａｎｔ、Ｔｘ、Ｒｘ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５ 端子

Claims (6)

1. 第１並列腕共振子および第２並列腕共振子を含むラダー型フィルタと、
   前記ラダー型フィルタの前記第２並列腕共振子が接続されたノードに接続された縦結合共振子型フィルタと、
   前記第１並列腕共振子に接続された第１グランド端子と、
   前記第１グランド端子と独立して設けられ、前記第２並列腕共振子に接続された第２グランド端子および前記縦結合共振子型フィルタに接続された第３グランド端子と、
   前記第２並列腕共振子と前記第２グランド端子とを結ぶ第１信号経路上の第１ノードと前記縦結合共振子型フィルタと第３グランド端子とを結ぶ第２信号経路上の第２ノードとに接続された第３信号経路と、
   前記第１信号経路上の前記第１ノードと前記第２グランド端子との間に接続された第１インダクタ、あるいは前記第２信号経路上の前記第２ノードと前記第３グランド端子との間に接続された第２インダクタのうち少なくとも一方のインダクタと、
   を備え、
   前記一方のインダクタは、蛇行部を有する配線で構成される、
   フィルタ。
2. 前記フィルタは、前記第１インダクタおよび前記第２インダクタの両方を備え、
   前記第１インダクタあるいは前記第２インダクタのうちの他方のインダクタは、蛇行部を有しない配線で構成される、
   請求項１に記載のフィルタ。
3. 前記フィルタは、前記第１インダクタおよび前記第２インダクタの両方を備え、
   前記第１インダクタのインダクタンスは、前記第２インダクタのインダクタンスより大きい、
   請求項１または２に記載のフィルタ。
4. 前記縦結合共振子型フィルタは、弾性波の伝搬方向に並置された複数のＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極を有し、前記複数のＩＤＴ電極のすべての一方端が前記第３グランド端子に接続される、
   請求項１から３のいずれか１項に記載のフィルタ。
5. 前記第２並列腕共振子の静電容量は、前記ラダー型フィルタに含まれるすべての並列腕共振子の静電容量のうちで最も大きい、
   請求項１から４のいずれか１項に記載のフィルタ。
6. 一端同士が互いに接続された第１フィルタと第２フィルタとを備え、
   前記第１フィルタは請求項１から５のいずれか１項に記載のフィルタであり、
   前記第１フィルタの通過帯域の中心周波数は、前記第２フィルタの通過帯域の中心周波数より高い、
   マルチプレクサ。

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