JP7284721B2 - ダイオード - Google Patents
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Description
図7を参照して、本実施例のダイオード200について、第1実施例のダイオード100と異なる点を説明する。ダイオード200では、トレンチ18に充填される導電部232は、金属層32aと同様の金属材料で作成されている。その他のダイオード200の構成は、ダイオード100と同様である。
図8~図11を参照して、ダイオード200の効果を説明する。図8~図11は、ダイオード200を用いたシミュレーション結果を表すグラフである。本シミュレーションでは、トレンチ18の半導体層12の表面からの深さが6μmであるダイオード200において、導電部232が半導体層12に直接的に接触している深さD(以下では、「接触深さD」と呼ぶ)が、0μm(すなわち導電部232が半導体層12に直接的に接触していない態様、以下、「比較例のダイオード」と呼ぶ)、1~6μmの間の複数のダイオード200が用いられている。
Claims (5)
- 半導体層と、
前記半導体層の表面に配置される表面電極と、
前記半導体層の前記表面から裏面に向かって延びるトレンチと、
前記トレンチの内壁面を覆う絶縁膜と、
前記トレンチに充填されるとともに、前記表面電極に接触する導電部と、
前記半導体層の裏面に配置される裏面電極と、を備えるダイオードであって、
前記絶縁膜は、前記トレンチの内壁面のうち前記半導体層の前記裏面側の一部を覆い、
前記導電部は、前記トレンチの前記半導体層の前記表面側において、前記半導体層と接触しており、
前記導電部は、前記トレンチにおいて前記半導体層の前記裏面側に配置されるポリシリコン層と、前記ポリシリコン層の前記半導体層の前記表面側に配置される金属層と、を備え、
前記ポリシリコン層の前記半導体層の前記表面側の面は、前記絶縁膜の上端に一致しており、
前記半導体層の前記表面から前記裏面に向かう前記トレンチの深さ方向において、前記トレンチ内で前記導電部が前記半導体層に接触している接触深さは、前記トレンチの前記半導体層の表面からの深さの1/2以上であって2/3以下である、ダイオード。 - 前記表面電極は、金属電極であり、
前記表面電極及び前記導電部は、前記半導体層とショットキー接触している、請求項1に記載のダイオード。 - 前記トレンチの内壁面は、前記半導体層の前記裏面側に位置する底面と、前記底面から前記半導体層の前記表面まで延びる側面と、を備え、
前記底面と前記側面とは、湾曲面で連結されている、請求項1又は2に記載のダイオード。 - 前記トレンチの内壁面は、前記半導体層の前記表面側の端部において、前記トレンチの幅が広がるように傾斜している、請求項1から3のいずれか一項に記載のダイオード。
- 前記トレンチの前記裏面側端の前記裏面側に位置する前記半導体層は、前記半導体層の他の部分よりも不純物濃度が低い低濃度領域を有する、請求項1から4のいずれか一項に記載のダイオード。
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