JP7276277B2 - Power converter control circuit - Google Patents

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Description

本発明は、回転電機の各相の巻線に電気的に接続された上下アームのスイッチを有する電力変換器の制御回路に関する。 The present invention relates to a control circuit for a power converter having switches on upper and lower arms electrically connected to each phase winding of a rotating electric machine.

この種の制御回路として、特許文献1では、電圧検出部と、異常判定部とを備えるものが開示されている。電圧検出部は、蓄電部の出力電圧を検出し、異常判定部へと出力する。異常判定部は、入力された電圧検出部の検出電圧が閾値を跨いだ場合、システムに過電圧異常が発生したと判定する。 As this type of control circuit, Patent Document 1 discloses a control circuit that includes a voltage detection section and an abnormality determination section. The voltage detection unit detects the output voltage of the power storage unit and outputs it to the abnormality determination unit. The abnormality determination unit determines that an overvoltage abnormality has occurred in the system when the input detection voltage of the voltage detection unit straddles the threshold.

特開2015-198503号公報JP 2015-198503 A

過電圧異常を判定できなくなる異常が発生し得る。この場合、例えば、以下の問題が発生する。 An anomaly may occur that makes it impossible to determine an overvoltage anomaly. In this case, for example, the following problems occur.

制御回路は、システムに過電圧異常が発生した場合に対処するべく、上下アームのうちいずれか一方のアームにおけるスイッチをオンし、他方のアームにおけるスイッチをオフする短絡制御を実施する。しかし、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生した場合、短絡制御を実施するべき状況であるにもかかわらず、短絡制御が実施されないことが懸念される。 The control circuit performs short-circuit control to turn on the switch in one of the upper and lower arms and turn off the switch in the other arm in order to deal with the case where an overvoltage abnormality occurs in the system. However, when an abnormality that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality occurs, there is concern that short-circuit control may not be performed even though short-circuit control should be performed.

なお、短絡制御に限らず、上下アームのスイッチを強制的にオフするシャットダウン制御が実施される構成においても、上述した問題は同様に発生する。 It should be noted that the above-described problem similarly occurs not only in short-circuit control, but also in a configuration in which shutdown control for forcibly turning off the switches of the upper and lower arms is performed.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生したことを判定することができる電力変換器の制御回路を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a power converter control circuit capable of determining that an abnormality has occurred that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality.

本発明は、蓄電部と、多相の回転電機と、前記回転電機の各相の巻線と前記蓄電部とに電気的に接続された上下アームのスイッチを有する電力変換器と、を備えるシステムに適用される電力変換器の制御回路において、前記蓄電部の出力電圧を検出する電圧検出部と、前記電圧検出部の検出電圧が閾値を跨ぐことにより、前記システムに過電圧異常が発生したと判定する異常判定部と、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いでいない状態において、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いだ状態にする疑似異常処理を実施する処理部と、を備える。 The present invention is a system comprising a power storage unit, a multiphase rotating electrical machine, and a power converter having upper and lower arm switches electrically connected to the windings of each phase of the rotating electrical machine and the power storage unit. In a control circuit of a power converter applied to a voltage detection unit that detects the output voltage of the power storage unit, and when the detected voltage of the voltage detection unit crosses a threshold value, it is determined that an overvoltage abnormality has occurred in the system and a processing unit that performs pseudo-abnormality processing to make the detected voltage of the voltage detection unit cross the threshold when the voltage detected by the voltage detection unit does not cross the threshold. Prepare.

本発明によれば、疑似異常処理が実施されることにより、異常判定部においてシステムに過電圧異常が発生したと判定される状態が模擬される。これにより、疑似異常処理が実施されたにもかかわらず、異常判定部によりシステムに過電圧異常が発生したと判定されない場合、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生したことを判定することができる。 According to the present invention, by performing pseudo-abnormality processing, a state in which the abnormality determination unit determines that an overvoltage abnormality has occurred in the system is simulated. Thus, when the abnormality determination unit does not determine that an overvoltage abnormality has occurred in the system even though the pseudo abnormality processing has been performed, it is possible to determine that an abnormality has occurred that makes it impossible to determine the overvoltage abnormality.

第1実施形態に係る制御システムの全体構成図。1 is an overall configuration diagram of a control system according to a first embodiment; FIG. 制御回路及びその周辺構成を示す図。The figure which shows a control circuit and its peripheral structure. 高圧検出回路の構成の一例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an example of the configuration of a high voltage detection circuit; 比較例における制御回路を示す図。The figure which shows the control circuit in a comparative example. 比較例の制御回路が実施する制御の一例を示すタイムチャート。4 is a time chart showing an example of control performed by a control circuit of a comparative example; 制御回路を示す図。The figure which shows a control circuit. マイコンが実施する処理の手順を示すフローチャート。4 is a flowchart showing the procedure of processing performed by a microcomputer; 第2実施形態に係る制御回路を示す図。The figure which shows the control circuit which concerns on 2nd Embodiment. マイコンが実施する処理の手順を示すフローチャート。4 is a flowchart showing the procedure of processing performed by a microcomputer; 第3実施形態に係るマイコンが実施する処理の手順を示すフローチャート。FIG. 11 is a flowchart showing the procedure of processing performed by a microcomputer according to the third embodiment; FIG. 第4実施形態に係るマイコンが実施する処理の手順を示すフローチャート。FIG. 11 is a flowchart showing the procedure of processing performed by a microcomputer according to the fourth embodiment; FIG.

<第1実施形態>
以下、本発明に係る制御回路を具体化した第1実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態に係る制御回路は、電力変換器としての3相インバータに適用される。本実施形態において、インバータを備える制御システムは、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載される。
<First Embodiment>
A first embodiment embodying a control circuit according to the present invention will be described below with reference to the drawings. The control circuit according to this embodiment is applied to a three-phase inverter as a power converter. In this embodiment, a control system including an inverter is installed in a vehicle such as an electric vehicle or a hybrid vehicle.

図1に示すように、制御システムは、回転電機10、インバータ15及びDCDCコンバータ25を備えている。回転電機10は、車載主機であり、そのロータが図示しない駆動輪と動力伝達可能とされている。本実施形態では、回転電機10として、同期機が用いられており、より具体的には、永久磁石同期機が用いられている。 As shown in FIG. 1, the control system includes a rotating electrical machine 10, an inverter 15, and a DCDC converter 25. The rotary electric machine 10 is an in-vehicle main machine, and its rotor can transmit power to drive wheels (not shown). In this embodiment, a synchronous machine is used as the rotary electric machine 10, and more specifically, a permanent magnet synchronous machine is used.

DCDCコンバータ25は、「直流電源」としての高圧電源30に入力側が接続されており、入力された高圧電源30の出力電圧を昇圧し、インバータ15に出力する。DCDCコンバータ25は、制御回路50によって制御される。本実施形態において、高圧電源30は、2次電池であり、その出力電圧(定格電圧)が例えば百V以上である。なお、DCDCコンバータ25が「昇圧回路」に相当する。 The input side of the DCDC converter 25 is connected to a high voltage power supply 30 as a “direct current power supply”, and the output voltage of the input high voltage power supply 30 is stepped up and output to the inverter 15 . DCDC converter 25 is controlled by control circuit 50 . In this embodiment, the high-voltage power supply 30 is a secondary battery, and its output voltage (rated voltage) is, for example, 100 V or higher. Note that the DCDC converter 25 corresponds to a "booster circuit".

インバータ15は、スイッチングデバイス部20を備えている。スイッチングデバイス部20は、上アームスイッチSWHと下アームスイッチSWLとの直列接続体を3相分備えている。各相において、上,下アームスイッチSWH,SWLの接続点には、回転電機10の巻線11の第1端が接続されている。各相巻線11の第2端は、中性点で接続されている。各相巻線11は、電気角で互いに120°ずらされて配置されている。ちなみに、本実施形態では、各スイッチSWH,SWLとして、電圧制御形の半導体スイッチング素子が用いられており、より具体的には、IGBTが用いられている。上,下アームスイッチSWH,SWLには、フリーホイールダイオードである上,下アームダイオードDH,DLが逆並列に接続されている。 The inverter 15 has a switching device section 20 . The switching device section 20 includes serially connected bodies of upper arm switches SWH and lower arm switches SWL for three phases. In each phase, the first end of the winding 11 of the rotary electric machine 10 is connected to the connection point between the upper and lower arm switches SWH and SWL. A second end of each phase winding 11 is connected at a neutral point. The phase windings 11 are arranged with an electrical angle of 120 degrees from each other. Incidentally, in this embodiment, voltage-controlled semiconductor switching elements, more specifically, IGBTs, are used as the switches SWH and SWL. Upper and lower arm diodes DH and DL, which are freewheel diodes, are connected in anti-parallel to the upper and lower arm switches SWH and SWL.

各上アームスイッチSWHの高電位側端子であるコレクタには、高電位側電気経路22Hを介して、DCDCコンバータ25の出力側が接続されている。各下アームスイッチSWLの低電位側端子であるエミッタには、低電位側電気経路22Lを介して、DCDCコンバータ25の出力側が接続されている。 The output side of the DCDC converter 25 is connected to the collector, which is the high potential side terminal of each upper arm switch SWH, via the high potential side electric path 22H. The output side of the DCDC converter 25 is connected to the emitter, which is the low potential side terminal of each lower arm switch SWL, via the low potential side electric path 22L.

高電位側電気経路22Hには、第1遮断スイッチ23aが設けられ、低電位側電気経路22Lには、第2遮断スイッチ23bが設けられている。各スイッチ23a,23bは、例えば、リレー又は半導体スイッチング素子である。ここで、各スイッチ23a,23bは、インバータ15が備える制御回路50によって駆動されてもよいし、制御回路50に対して上位の制御装置によって駆動されてもよい。 The high potential side electric path 22H is provided with a first cutoff switch 23a, and the low potential side electric path 22L is provided with a second cutoff switch 23b. Each switch 23a, 23b is, for example, a relay or a semiconductor switching element. Each of the switches 23 a and 23 b may be driven by the control circuit 50 included in the inverter 15 or may be driven by a control device higher than the control circuit 50 .

インバータ15は、「蓄電部」としての平滑コンデンサ24を備えている。平滑コンデンサ24は、高電位側電気経路22Hのうち第1遮断スイッチ23aよりもスイッチングデバイス部20側と、低電位側電気経路22Lのうち第2遮断スイッチ23bよりもスイッチングデバイス部20側とを電気的に接続している。 The inverter 15 includes a smoothing capacitor 24 as a "storage unit". The smoothing capacitor 24 electrically connects the high potential side electrical path 22H closer to the switching device section 20 than the first cutoff switch 23a and the low potential side electrical path 22L closer to the switching device section 20 than the second cutoff switch 23b. properly connected.

高電位側電気経路22HのうちDCDCコンバータ25とインバータ15との間の高電位側接続点THは、制御回路50に接続されている。低電位側電気経路22LのうちDCDCコンバータ25とインバータ15との間の低電位側接続点TLは、制御回路50に接続されている。制御回路50は平滑コンデンサ24の端子電圧VHを取得する。 A high potential side connection point TH between the DCDC converter 25 and the inverter 15 in the high potential side electric path 22</b>H is connected to the control circuit 50 . A low potential side connection point TL between the DCDC converter 25 and the inverter 15 in the low potential side electric path 22L is connected to the control circuit 50 . The control circuit 50 acquires the terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 .

制御システムは、相電流センサ40と、角度センサ41とを備えている。相電流センサ40は、回転電機10に流れるU,V,W相電流のうち、少なくとも2相分の電流を検出する。角度センサ41は、回転電機10の電気角に応じた角度信号を出力する。角度センサ41は、例えば、レゾルバ、エンコーダ又は磁気抵抗効果素子を有するMRセンサであり、本実施形態ではレゾルバである。 The control system comprises phase current sensors 40 and angle sensors 41 . Phase current sensor 40 detects currents for at least two phases of U, V, and W phase currents flowing in rotating electric machine 10 . The angle sensor 41 outputs an angle signal corresponding to the electrical angle of the rotating electric machine 10 . The angle sensor 41 is, for example, a resolver, an encoder, or an MR sensor having a magnetoresistive element, and is a resolver in this embodiment.

図2を用いて、制御回路50の構成について説明する。 The configuration of the control circuit 50 will be described with reference to FIG.

制御回路50は、低圧領域に設けられたマイコン51を備えている。マイコン51には、相電流センサ40の電流信号が入力される。マイコン51は、入力された電流信号に基づいて、相電流Irを算出する。マイコン51は、回転電機10の電気角θeを取得する。詳しくは、制御回路50は、図示しない励磁回路及びレゾルバデジタルコンバータを有している。励磁回路から角度センサ41を構成するレゾルバステータに、正弦波状の励磁信号が供給される。レゾルバステータから出力された角度信号は、レゾルバデジタルコンバータに入力される。レゾルバデジタルコンバータは、角度信号に基づいて、回転電機10の電気角θeを算出し、マイコン51に出力する。 The control circuit 50 has a microcomputer 51 provided in the low voltage area. A current signal from the phase current sensor 40 is input to the microcomputer 51 . The microcomputer 51 calculates the phase current Ir based on the input current signal. The microcomputer 51 acquires the electrical angle θe of the rotating electric machine 10 . Specifically, the control circuit 50 has an excitation circuit and a resolver digital converter (not shown). A sinusoidal excitation signal is supplied from the excitation circuit to the resolver stator forming the angle sensor 41 . An angle signal output from the resolver stator is input to a resolver digital converter. The resolver-to-digital converter calculates the electrical angle θe of the rotating electric machine 10 based on the angle signal and outputs it to the microcomputer 51 .

制御回路50は、「電圧検出部」としての高圧検出回路52を備えている。高圧検出回路52は、制御回路50において、低圧領域と高圧領域との境界を跨いで低圧領域及び高圧領域に設けられている。高圧検出回路52の高圧領域側には、高電位側接続点TH及び低電位側接続点TLを介して平滑コンデンサ24の端子電圧VHが入力される。高圧検出回路52は、平滑コンデンサ24の端子電圧VHを降圧した電圧である検出電圧VS(例えば0~5V)を、低圧領域側のマイコン51に出力する。 The control circuit 50 includes a high voltage detection circuit 52 as a "voltage detection section". The high voltage detection circuit 52 is provided in the low voltage area and the high voltage area across the boundary between the low voltage area and the high voltage area in the control circuit 50 . The terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 is input to the high voltage region side of the high voltage detection circuit 52 via the high potential side connection point TH and the low potential side connection point TL. The high voltage detection circuit 52 outputs a detection voltage VS (for example, 0 to 5 V), which is a voltage obtained by stepping down the terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24, to the microcomputer 51 on the low voltage region side.

図3は、高圧検出回路52において、平滑コンデンサ24の端子電圧VHを降圧する回路の一例である。高圧検出回路52は、オペアンプ70と、各抵抗体71~74とを有する差動増幅回路を備えている。本実施形態において、高圧検出回路52は、平滑コンデンサ24の端子電圧VHを、マイコン51に入力可能な電圧範囲(例えば0~5V)に降圧する変換機能を備えている。これは、本実施形態では、高圧電源30が高圧領域に備えられているのに対し、マイコン51及びASIC部63が低圧領域に備えられているためである。 FIG. 3 shows an example of a circuit for stepping down the terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 in the high voltage detection circuit 52. As shown in FIG. The high voltage detection circuit 52 includes an operational amplifier 70 and a differential amplifier circuit having resistors 71-74. In this embodiment, the high voltage detection circuit 52 has a conversion function to step down the terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 to a voltage range (0 to 5 V, for example) that can be input to the microcomputer 51 . This is because the microcomputer 51 and the ASIC section 63 are provided in the low voltage region while the high voltage power supply 30 is provided in the high voltage region in this embodiment.

DCDCコンバータ25から出力される高電位側接続点THの電位と低電位側接続点TLの電位との差は、複数の高抵抗体71によって分圧された後、オペアンプ70の反転入力端子に入力される。また、DCDCコンバータ25から出力された低電位側接続点TLの電位と接地電位(グランド電位)との差は、複数の高抵抗体72と、低抵抗体73とによって分圧され、オペアンプ70の非反転入力端子に入力される。オペアンプ70の反転入力端子と出力端子とは抵抗体74によって接続されている。 The difference between the potential of the high potential side connection point TH and the potential of the low potential side connection point TL output from the DCDC converter 25 is divided by a plurality of high resistance elements 71 and then input to the inverting input terminal of the operational amplifier 70. be done. Further, the difference between the potential of the low potential side connection point TL output from the DCDC converter 25 and the ground potential (ground potential) is divided by a plurality of high resistance bodies 72 and low resistance bodies 73, Input to the non-inverting input terminal. An inverting input terminal and an output terminal of the operational amplifier 70 are connected by a resistor 74 .

本実施形態において、高圧検出回路52は、平滑コンデンサ24の端子電圧VHが高いほど、高圧検出回路52の検出電圧VSを低くするように変換する。 In the present embodiment, the high voltage detection circuit 52 converts the detection voltage VS of the high voltage detection circuit 52 to be lower as the terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 is higher.

マイコン51には、上位制御装置42から指令値が入力される。マイコン51は、回転電機10の制御量をその指令値に制御すべく、スイッチングデバイス部20の各スイッチSWH,SWLをオンオフさせるスイッチング指令を生成する。制御量は、例えばトルクである。 A command value is input to the microcomputer 51 from the host controller 42 . The microcomputer 51 generates a switching command for turning on/off the switches SWH and SWL of the switching device section 20 in order to control the control amount of the rotating electric machine 10 to the command value. The controlled variable is, for example, torque.

詳しくは、マイコン51は、スイッチング指令生成部を備えている。スイッチング指令生成部は、トルク指令値に基づいて、d,q軸指令電流Id*,Iq*を算出する。 Specifically, the microcomputer 51 has a switching command generator. The switching command generator calculates d- and q-axis command currents Id* and Iq* based on the torque command value.

スイッチング指令生成部は、相電流Irと、電気角θeとに基づいて、3相固定座標系におけるU,V,W相電流を、2相回転座標系(dq座標系)におけるd軸電流Idr及びq軸電流Iqrに変換する。 Based on the phase current Ir and the electrical angle θe, the switching command generator converts U, V, and W phase currents in a three-phase fixed coordinate system into d-axis currents Idr and Convert to q-axis current Iqr.

スイッチング指令生成部は、d軸指令電流Id*からd軸電流Idrを減算することにより、d軸電流偏差ΔIdを算出する。また、スイッチング指令生成部は、q軸指令電流Iq*からq軸電流Iqrを減算することにより、q軸電流偏差ΔIqを算出する。 The switching command generator calculates the d-axis current deviation ΔId by subtracting the d-axis current Idr from the d-axis command current Id*. Further, the switching command generator calculates the q-axis current deviation ΔIq by subtracting the q-axis current Iqr from the q-axis command current Iq*.

スイッチング指令生成部は、d軸電流偏差ΔIdに基づいて、d軸電流Idrをd軸指令電流Id*にフィードバック制御するための操作量として、d軸指令電圧Vdを算出する。また、スイッチング指令生成部は、q軸電流偏差ΔIqに基づいて、q軸電流Iqrをq軸指令電流Iq*にフィードバック制御するための操作量として、q軸指令電圧Vqを算出する。なお、スイッチング指令生成部で用いられるフィードバック制御は、例えば比例積分制御とすればよい。 Based on the d-axis current deviation ΔId, the switching command generator calculates a d-axis command voltage Vd as a manipulated variable for feedback-controlling the d-axis current Idr to the d-axis command current Id*. Further, the switching command generator calculates a q-axis command voltage Vq as a manipulated variable for feedback-controlling the q-axis current Iqr to the q-axis command current Iq* based on the q-axis current deviation ΔIq. Feedback control used in the switching command generator may be proportional integral control, for example.

スイッチング指令生成部は、d,q軸指令電圧Vd,Vq及び電気角θeに基づいて、dq座標系におけるd,q軸指令電圧Vd,Vqを、3相固定座標系におけるU,V,W相指令電圧VU,VV,VWに変換する。本実施形態において、U,V,W相指令電圧VU,VV,VWは、電気角で位相が120°ずつずれた波形となる。 The switching command generator converts the d- and q-axis command voltages Vd and Vq in the dq coordinate system to the U, V and W phases in the three-phase fixed coordinate system based on the d and q-axis command voltages Vd and Vq and the electrical angle θe. Convert to command voltages VU, VV, VW. In this embodiment, the U-, V-, and W-phase command voltages VU, VV, and VW have waveforms whose phases are shifted by an electrical angle of 120°.

スイッチング指令生成部は、U,V,W相指令電圧VU,VV,VWと、高圧検出回路52の検出電圧VSとに基づいて、インバータ15を構成するU,V,W相における上,下アームスイッチSWH,SWLのスイッチング指令を生成する。スイッチング指令生成部は、例えば、U,V,W相指令電圧VU,VV,VWを高圧検出回路52の検出電圧VSの1/2で除算した値と、キャリア信号(例えば三角波信号)との大小比較に基づくPWM処理によってスイッチング指令を生成する。 The switching command generator controls the upper and lower arms of the U-, V- and W-phases constituting the inverter 15 based on the U-, V- and W-phase command voltages VU, VV and VW and the detection voltage VS of the high voltage detection circuit 52. A switching command for the switches SWH and SWL is generated. For example, the switching command generation unit determines the magnitude of a value obtained by dividing the U-, V-, and W-phase command voltages VU, VV, and VW by 1/2 of the detection voltage VS of the high voltage detection circuit 52 and a carrier signal (for example, a triangular wave signal). A switching command is generated by PWM processing based on the comparison.

制御回路50は、インターフェース部53を備えている。インターフェース部53には、マイコン51のスイッチング指令及び高圧検出回路52の検出電圧VSが入力される。インターフェース部53は、高圧検出回路52の検出電圧VSに基づいて、回転電機10の制御量を指令値に制御する通常時駆動制御と、過電圧異常が発生した場合に対処するべく実施される異常時制御とを切り替える。本実施形態において、異常時制御は、上アームスイッチSWHをオフし、下アームスイッチSWLをオンする三相短絡制御である。本実施形態では、三相短絡制御が実施されるのに先立ち、上,下アームスイッチSWH,SWLを強制的にオフするシャットダウン制御が実施される。インターフェース部53は、通常時駆動制御又は三相短絡制御を実施するべくオン指令又はオフ指令を出力する。なお、インターフェース部53は低圧領域に設けられている。本実施形態において、インターフェース部53が「異常時制御部」に相当する。 The control circuit 50 has an interface section 53 . A switching command from the microcomputer 51 and a detection voltage VS from the high voltage detection circuit 52 are input to the interface unit 53 . Based on the detected voltage VS of the high voltage detection circuit 52, the interface unit 53 performs normal drive control for controlling the control amount of the rotating electric machine 10 to a command value, and normal drive control for coping with an overvoltage abnormality. Toggle with control. In this embodiment, the abnormal control is three-phase short-circuit control that turns off the upper arm switch SWH and turns on the lower arm switch SWL. In this embodiment, shutdown control for forcibly turning off the upper and lower arm switches SWH and SWL is performed before the three-phase short-circuit control is performed. The interface unit 53 outputs an ON command or an OFF command to perform normal drive control or three-phase short-circuit control. Note that the interface section 53 is provided in the low voltage region. In this embodiment, the interface section 53 corresponds to the "abnormality control section".

制御回路50は、ドライバ54を備えている。ドライバ54は、インターフェース部53のオン指令又はオフ指令に基づいて、スイッチングデバイス部20の各上,下アームスイッチSWH,SWLをオンオフする。本実施形態において、ドライバ54が「スイッチ駆動部」に相当する。 The control circuit 50 has a driver 54 . The driver 54 turns on and off the upper and lower arm switches SWH and SWL of the switching device section 20 based on an ON command or an OFF command from the interface section 53 . In this embodiment, the driver 54 corresponds to the "switch driving section".

詳しくは、ドライバ54は、スイッチングデバイス部20を構成する各上アームスイッチSWH及び各下アームスイッチSWLに対応して個別に設けられている。このため、ドライバ54は合わせて6つ設けられている。各ドライバ54は、オン指令が入力された場合、対応する各スイッチSWH,SWLのゲートに充電電流を供給する。これにより、各スイッチSWH,SWLのゲート電圧が閾値電圧Vth以上となり、各スイッチSWH,SWLがオンされる。一方、各ドライバ54は、オフ指令が入力された場合、対応する各スイッチSWH,SWLのゲートからエミッタ側へと放電電流を流す。これにより、各スイッチSWH,SWLのゲート電圧が閾値電圧Vth未満となり、各スイッチSWH,SWLがオフされる。なお、本実施形態において、ドライバ54は高圧領域に備えられている。 Specifically, the drivers 54 are individually provided corresponding to the upper arm switches SWH and the lower arm switches SWL that constitute the switching device section 20 . Therefore, a total of six drivers 54 are provided. Each driver 54 supplies a charging current to the gates of the corresponding switches SWH and SWL when an ON command is input. As a result, the gate voltages of the switches SWH and SWL become equal to or higher than the threshold voltage Vth, and the switches SWH and SWL are turned on. On the other hand, each driver 54 causes a discharge current to flow from the gate of each corresponding switch SWH, SWL to the emitter side when an OFF command is input. As a result, the gate voltages of the switches SWH and SWL become less than the threshold voltage Vth, turning off the switches SWH and SWL. Incidentally, in this embodiment, the driver 54 is provided in the high voltage region.

制御回路50は、通常時駆動制御が正常に実施されているか否かを判定する制御判定部55を有している。制御判定部55は、高圧検出回路52の検出電圧VS、相電流Ir及び回転電機10の電気角θeのうち少なくとも1つが異常値となった場合、通常時駆動制御が正常に実施されていないと判定する。これにより、通常時駆動制御に用いられる構成のうち少なくとも1つに異常が発生していることを判定できる。通常時駆動制御に用いられる構成とは、例えば、相電流センサ40、角度センサ41、高圧検出回路52、マイコン51のスイッチング指令生成部、インターフェース部53、ドライバ54及び上,下アームスイッチSWH,SWL等である。 The control circuit 50 has a control determination section 55 that determines whether or not the normal drive control is being performed normally. When at least one of the detected voltage VS of the high-voltage detection circuit 52, the phase current Ir, and the electrical angle θe of the rotating electric machine 10 becomes an abnormal value, the control determination unit 55 determines that normal drive control is not being performed normally. judge. This makes it possible to determine that at least one of the components used for normal drive control is abnormal. The configuration used for normal drive control includes, for example, a phase current sensor 40, an angle sensor 41, a high voltage detection circuit 52, a switching command generation section of the microcomputer 51, an interface section 53, a driver 54, and upper and lower arm switches SWH and SWL. etc.

次に、制御システムに過電圧異常が発生したと判定された場合に実施される異常時制御について説明する。まず、本実施形態の説明に先立ち、図4を用いて比較例について説明する。 Next, an abnormality control that is performed when it is determined that an overvoltage abnormality has occurred in the control system will be described. First, before describing the present embodiment, a comparative example will be described with reference to FIG.

制御回路50は、第1接続経路L1、バッファ回路60及び第1ローパスフィルタ61を備えている。第1接続経路L1は、マイコン51と高圧検出回路52とを接続している。バッファ回路60及び第1ローパスフィルタ61は第1接続経路L1に設けられている。第1ローパスフィルタ61は、抵抗体及びコンデンサで構成されるアナログ回路である。高圧検出回路52の検出電圧VSがバッファ回路60に入力され、バッファ回路60の出力電圧が第1ローパスフィルタ61に入力される。第1ローパスフィルタ61から出力される制御用検出電圧VSaがマイコン51に入力される。 The control circuit 50 includes a first connection path L1, a buffer circuit 60 and a first low-pass filter 61. The first connection path L1 connects the microcomputer 51 and the high voltage detection circuit 52 . The buffer circuit 60 and the first low-pass filter 61 are provided on the first connection path L1. The first low-pass filter 61 is an analog circuit composed of resistors and capacitors. A detection voltage VS of the high voltage detection circuit 52 is input to the buffer circuit 60 , and an output voltage of the buffer circuit 60 is input to the first low-pass filter 61 . A control detection voltage VSa output from the first low-pass filter 61 is input to the microcomputer 51 .

マイコン51のスイッチング指令生成部は、制御用検出電圧VSa、相電流Ir、電気角θe及び指令値に基づいて、各上アームスイッチSWHをオンオフさせる第1上アーム信号Sg1H、及び各下アームスイッチSWLをオンオフさせる第1下アーム信号Sg1Lを生成する。第1上,下アーム信号Sg1H,Sg1Lは、論理Hによってオン指令を示し、論理Lによってオフ指令を示す。第1上アーム信号Sg1Hは、各上アームスイッチSWHに対応する各上アームドライバ54aのPWM指令入力部に入力される。制御回路50は各相に対応したOR回路68を備えており、第1下アーム信号Sg1Lは、対応する各OR回路68に入力される。 A switching command generator of the microcomputer 51 generates a first upper arm signal Sg1H for turning on/off each upper arm switch SWH and each lower arm switch SWL based on the control detection voltage VSa, phase current Ir, electrical angle θe, and command value. to turn on/off the first lower arm signal Sg1L. The logic H of the first upper and lower arm signals Sg1H and Sg1L indicates an ON command, and logic L indicates an OFF command. The first upper arm signal Sg1H is input to the PWM command input section of each upper arm driver 54a corresponding to each upper arm switch SWH. The control circuit 50 includes an OR circuit 68 corresponding to each phase, and the first lower arm signal Sg1L is input to each corresponding OR circuit 68.

制御回路50は、第2接続経路L2、第2ローパスフィルタ62及びASIC部63を備えている。第2接続経路L2は、第1接続経路L1のうち高圧検出回路52及びバッファ回路60の中間点と、ASIC部63とを接続している。第2ローパスフィルタ62は、第2接続経路L2に設けられている。第2ローパスフィルタ62は、抵抗体及びコンデンサで構成されるアナログ回路である。高圧検出回路52の検出電圧VSが第2ローパスフィルタ62に入力され、第2ローパスフィルタ62から判定用検出電圧VSbが出力される。判定用検出電圧VSbがASIC部63に入力される。ASIC部63及びOR回路68は、インターフェース部53を構成する。 The control circuit 50 includes a second connection path L2, a second low-pass filter 62 and an ASIC section 63. The second connection path L2 connects the midpoint between the high voltage detection circuit 52 and the buffer circuit 60 in the first connection path L1 and the ASIC section 63 . The second low-pass filter 62 is provided on the second connection path L2. The second low-pass filter 62 is an analog circuit composed of resistors and capacitors. The detection voltage VS of the high voltage detection circuit 52 is input to the second low-pass filter 62, and the detection voltage VSb for determination is output from the second low-pass filter 62. FIG. A determination detection voltage VSb is input to the ASIC section 63 . The ASIC section 63 and the OR circuit 68 constitute the interface section 53 .

第2ローパスフィルタ62の時定数τ2は、第1ローパスフィルタ61の時定数τ1よりも小さくされている。そのため、判定用検出電圧VSbは、制御用検出電圧VSaと比較して、平滑コンデンサ24の端子電圧VHの変化に対する応答が速くなるようにされている。 The time constant τ2 of the second low-pass filter 62 is made smaller than the time constant τ1 of the first low-pass filter 61 . Therefore, the determination detection voltage VSb is designed to respond faster to changes in the terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 than the control detection voltage VSa.

制御回路50は、定電圧源64、第1閾値用抵抗体65、第2閾値用抵抗体66及び第3接続経路L3を備えている。定電圧源64は、第1閾値用抵抗体65の第1端に接続されている。第1閾値用抵抗体65の第2端は、第2閾値用抵抗体66の第1端に接続されている。第2閾値用抵抗体66の第2端はグランドに接続されている。第3接続経路L3は、第1閾値用抵抗体65の第2端及び第2閾値用抵抗体66の第1端の接続点と、ASIC部63とを接続している。定電圧源64から供給される電圧値、及び第1,第2閾値用抵抗体65,66の抵抗値に基づいて、判定用閾値Vpが定められる。判定用閾値VpはASIC部63に入力される。 The control circuit 50 includes a constant voltage source 64, a first threshold resistor 65, a second threshold resistor 66, and a third connection path L3. The constant voltage source 64 is connected to the first end of the first threshold resistor 65 . A second end of the first threshold resistor 65 is connected to a first end of the second threshold resistor 66 . A second end of the second threshold resistor 66 is connected to the ground. The third connection path L3 connects the connection point between the second end of the first threshold resistor 65 and the first end of the second threshold resistor 66 and the ASIC section 63 . A determination threshold Vp is determined based on the voltage value supplied from the constant voltage source 64 and the resistance values of the first and second threshold resistors 65 and 66 . The determination threshold Vp is input to the ASIC section 63 .

ASIC部63は、異常判定部67を備えている。異常判定部67には、判定用検出電圧VSb及び判定用閾値Vpが入力される。異常判定部67は、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満の場合、制御システムに過電圧異常が発生したと判定する。制御システムに過電圧異常が発生したと判定された場合、ASIC部63は、シャットダウン制御を実施し、その後三相短絡制御を実施する。 The ASIC section 63 has an abnormality determination section 67 . The detection voltage VSb for determination and the threshold value Vp for determination are input to the abnormality determination unit 67 . The abnormality determination unit 67 determines that an overvoltage abnormality has occurred in the control system when the detection voltage VSb for determination is less than the threshold value Vp for determination. When it is determined that an overvoltage abnormality has occurred in the control system, the ASIC unit 63 performs shutdown control and then three-phase short-circuit control.

異常判定部67では、判定用検出電圧VSbに基づいて制御システムの過電圧異常が判定される。これは、第1ローパスフィルタ61よりも小さい時定数の第2ローパスフィルタ62を介して、高圧検出回路52の検出電圧VSを伝達することにより、制御システムの過電圧異常を早期に判定するためである。 The abnormality determination unit 67 determines an overvoltage abnormality of the control system based on the detection voltage VSb for determination. This is because the detection voltage VS of the high-voltage detection circuit 52 is transmitted through the second low-pass filter 62 having a time constant smaller than that of the first low-pass filter 61, so that an overvoltage abnormality in the control system can be determined early. .

異常判定部67により制御システムに過電圧異常が発生したと判定された場合、ASIC部63は、シャットダウン制御を実施するべく、第2上アーム信号Sg2H及び第2下アーム信号Sg2Lの論理をLにする。ここで、第2上,下アーム信号Sg2H,Sg2Lは、論理Lによってシャットダウン制御の実行指令を示し、論理Hによってシャットダウン制御の解除指令を示す。第2上アーム信号Sg2Hは、上アームドライバ54aのシャットダウン指令入力部に入力される。第2下アーム信号Sg2Lは下アームドライバ54bのシャットダウン指令入力部に入力される。 When the abnormality determination section 67 determines that an overvoltage abnormality has occurred in the control system, the ASIC section 63 sets the logic of the second upper arm signal Sg2H and the second lower arm signal Sg2L to L in order to perform shutdown control. . Here, the logic L of the second upper and lower arm signals Sg2H and Sg2L indicates a shutdown control execution command, and the logic H indicates a shutdown control cancellation command. The second upper arm signal Sg2H is input to the shutdown command input section of the upper arm driver 54a. The second lower arm signal Sg2L is input to the shutdown command input section of the lower arm driver 54b.

ASIC部63は、シャットダウン制御を実施した後、三相短絡制御を実施するべく、第2下アーム信号Sg2Lの論理をHにし、第3下アーム信号Sg3Lの論理をHにする。ここで、第3下アーム信号Sg3Lは、論理Hによって三相短絡制御の実行指令を示し、論理Lによって三相短絡制御の解除指令を示す。第3下アーム信号Sg3LはOR回路68に入力される。 After performing the shutdown control, the ASIC unit 63 sets the logic of the second lower arm signal Sg2L to H and the logic of the third lower arm signal Sg3L to H in order to perform the three-phase short-circuit control. Here, the logic H of the third lower arm signal Sg3L indicates an instruction to execute the three-phase short-circuit control, and the logic L indicates an instruction to cancel the three-phase short-circuit control. The third lower arm signal Sg3L is input to the OR circuit 68.

OR回路68は、第1下アーム信号Sg1L及び第3下アーム信号Sg3Lのうち少なくとも一方の論理がHとされた場合、論理Hのオン指令を出力する。一方、OR回路68は、第1下アーム信号Sg1L及び第3下アーム信号Sg3Lの論理がLとされた場合、論理Lのオフ指令を出力する。OR回路68の出力信号は下アームドライバ54bのPWM指令入力部へと出力される。 The OR circuit 68 outputs a logic H ON command when at least one of the first lower arm signal Sg1L and the third lower arm signal Sg3L is logic H. On the other hand, when the first lower arm signal Sg1L and the third lower arm signal Sg3L are logically L, the OR circuit 68 outputs a logic L OFF command. The output signal of the OR circuit 68 is output to the PWM command input section of the lower arm driver 54b.

OR回路68は、例えば、第1,第2ダイオード及び抵抗体によって構成される。詳しくは、第1ダイオードのアノードがマイコン51の第1下アーム信号Sg1Lの出力部に接続され、第2ダイオードのアノードがASIC部63の第3下アーム信号Sg3Lの出力部に接続されている。第1,第2ダイオードのカソードが抵抗体の第1端に接続されている。抵抗体の第2端がグランドに接続されている。 The OR circuit 68 is composed of, for example, first and second diodes and resistors. Specifically, the anode of the first diode is connected to the output section of the microcomputer 51 for the first lower arm signal Sg1L, and the anode of the second diode is connected to the output section of the ASIC section 63 for the third lower arm signal Sg3L. Cathodes of the first and second diodes are connected to the first end of the resistor. A second end of the resistor is connected to ground.

図5に、上述した比較例において、制御システムに過電圧異常が発生した場合、シャットダウン制御が実施された後、三相短絡制御が実施される一例を示す。図5において、(a)は判定用検出電圧VSbの推移を示し、(b)は第1上アーム信号Sg1Hの状態を示し、(c)は第1下アーム信号Sg1Lの状態を示し、(d)は第2上アーム信号Sg2Hの状態を示し、(e)は第2下アーム信号Sg2Lの状態を示し、(f)は第3下アーム信号Sg3Lの状態を示し、(g)は上アームスイッチSWHのゲート電圧VgHの推移を示し、(h)は下アームスイッチSWLのゲート電圧VgLの推移を示す。 FIG. 5 shows an example in which three-phase short-circuit control is performed after shutdown control is performed when an overvoltage abnormality occurs in the control system in the comparative example described above. In FIG. 5, (a) shows transition of the detection voltage VSb for determination, (b) shows the state of the first upper arm signal Sg1H, (c) shows the state of the first lower arm signal Sg1L, (d ) indicates the state of the second upper arm signal Sg2H, (e) indicates the state of the second lower arm signal Sg2L, (f) indicates the state of the third lower arm signal Sg3L, and (g) indicates the state of the upper arm switch. FIG. 10(h) shows the transition of the gate voltage VgH of the SWH, and (h) shows the transition of the gate voltage VgL of the lower arm switch SWL.

時刻t1において、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満となり、異常判定部67により制御システムに過電圧異常が発生したと判定される。これにより、第1上,下アーム信号Sg1H,Sg1Lは、通常時駆動制御における信号の状態から論理Lに切り替えられる。 At time t1, the detection voltage VSb for determination becomes less than the threshold value Vp for determination, and the abnormality determination unit 67 determines that an overvoltage abnormality has occurred in the control system. As a result, the first upper and lower arm signals Sg1H and Sg1L are switched from the state of the signal in the normal drive control to logic L.

時刻t1からフィルタ時間tfが経過するまでの期間に亘って、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満になる状態が継続したと異常判定部67により判定される。このため、時刻t1からフィルタ時間tfだけ経過した時刻t2において、第2上,下アーム信号Sg2H,Sg2Lは、通常時駆動制御における信号の状態から論理Lに切り替えられる。これにより、上アームスイッチSWHのゲート電圧VgHが低下し始める。時刻t3において、上アームスイッチSWHのゲート電圧VgHが閾値電圧Vth未満となることにより、上アームスイッチSWHがオフされ、シャットダウン制御が実施される。 The abnormality determination unit 67 determines that the detection voltage VSb for determination continues to be less than the threshold value Vp for determination over the period from time t1 until the filter time tf elapses. Therefore, at time t2 after the filter time tf has elapsed from time t1, the second upper and lower arm signals Sg2H and Sg2L are switched from the signal state in normal drive control to logic L. As a result, the gate voltage VgH of the upper arm switch SWH starts to drop. At time t3, the gate voltage VgH of the upper arm switch SWH becomes less than the threshold voltage Vth, thereby turning off the upper arm switch SWH and performing shutdown control.

時刻t4において、第2下アーム信号Sg2L及び第3下アーム信号Sg3Lの論理がHに切り替えられる。これにより、下アームスイッチSWLにおいて、シャットダウン制御の解除指令が出力され、三相短絡制御の実行指令が出力される。そのため、下アームスイッチSWLのゲート電圧VgLが上昇し始める。時刻t5において、下アームスイッチSWLのゲート電圧VgLが閾値電圧Vthより高くなることにより、下アームスイッチSWLがオンされ、三相短絡制御が実施される。その結果、平滑コンデンサ24の端子電圧VHの上昇が抑制されるため、判定用検出電圧VSbの低下が抑制される。 At time t4, the logic of the second lower arm signal Sg2L and the third lower arm signal Sg3L is switched to H. As a result, the lower arm switch SWL outputs a shutdown control cancellation command and outputs a three-phase short-circuit control execution command. Therefore, the gate voltage VgL of the lower arm switch SWL starts to rise. At time t5, the gate voltage VgL of the lower arm switch SWL becomes higher than the threshold voltage Vth, thereby turning on the lower arm switch SWL and performing three-phase short-circuit control. As a result, an increase in the terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 is suppressed, thereby suppressing a decrease in the determination detection voltage VSb.

比較例では、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生した場合、三相短絡制御を実施するべき状況であるにもかかわらず、三相短絡制御が実施されないことが懸念される。過電圧異常を判定できなくなる異常は、高圧検出回路52、第2ローパスフィルタ62、ASIC部63、定電圧源64及び第1,第2閾値用抵抗体65,66のうち少なくとも1つに異常が発生した場合に生じる。そこで、本実施形態では、制御回路50は、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生したことを判定することができる構成とされる。 In the comparative example, there is concern that the three-phase short-circuit control will not be performed when an abnormality that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality occurs, even though the three-phase short-circuit control should be performed. An abnormality that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality is an abnormality occurring in at least one of the high voltage detection circuit 52, the second low-pass filter 62, the ASIC section 63, the constant voltage source 64, and the first and second threshold resistors 65 and 66. occurs when Therefore, in the present embodiment, the control circuit 50 is configured to be able to determine that an abnormality has occurred that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality.

図6に、本実施形態における制御回路50の構成を示す。図6において、先の図4の比較例に示した構成については、便宜上、同一の符号を付している。なお、本実施形態において、高圧検出回路52としては、先の図3に示した構成が用いられる。 FIG. 6 shows the configuration of the control circuit 50 in this embodiment. In FIG. 6, the same reference numerals are assigned to the configurations shown in the comparative example of FIG. 4 for convenience. In this embodiment, the structure shown in FIG. 3 is used as the high voltage detection circuit 52. As shown in FIG.

制御回路50は、電圧変更用スイッチ80及び第4接続経路L4を備えている。本実施形態では、電圧変更用スイッチ80として、NPN型バイポーラトランジスタにベース抵抗及びベースエミッタ間抵抗が内蔵された抵抗内蔵トランジスタが用いられている。電圧変更用スイッチ80のコレクタは、第2接続経路L2のうち第2ローパスフィルタ62と、ASIC部63との間にある第1中間点N1に接続されている。電圧変更用スイッチ80のエミッタはグランドに接続されている。電圧変更用スイッチ80のベースは、マイコン51に接続されている。なお、本実施形態において、第1接続経路L1、バッファ回路60及び第1ローパスフィルタ61が「第1伝達部」に相当し、第2接続経路L2、第4接続経路L4、第2ローパスフィルタ62及び電圧変更用スイッチ80が「第2伝達部」に相当する。 The control circuit 50 includes a voltage changing switch 80 and a fourth connection path L4. In this embodiment, as the voltage change switch 80, a transistor with a built-in resistor, which is an NPN bipolar transistor with a built-in base resistor and a base-emitter resistor, is used. The collector of the voltage change switch 80 is connected to the first intermediate point N1 between the second low-pass filter 62 and the ASIC section 63 on the second connection path L2. The emitter of the voltage change switch 80 is connected to the ground. A base of the voltage change switch 80 is connected to the microcomputer 51 . In this embodiment, the first connection path L1, the buffer circuit 60, and the first low-pass filter 61 correspond to the "first transmission unit", and the second connection path L2, the fourth connection path L4, and the second low-pass filter 62 and the voltage change switch 80 correspond to the "second transmission section".

第4接続経路L4は、第2接続経路L2のうち第2ローパスフィルタ62及び第1中間点N1の間にある第2中間点N2と、マイコン51とを接続している。これにより、判定用検出電圧VSbがマイコン51に入力される。 The fourth connection path L4 connects the microcomputer 51 and the second intermediate point N2 between the second low-pass filter 62 and the first intermediate point N1 in the second connection path L2. As a result, the determination detection voltage VSb is input to the microcomputer 51 .

各上アームドライバ54aは、各上アームスイッチSWHの駆動状態を伝達する上アームモニタ用信号SgmHをマイコン51に出力する。上アームモニタ用信号SgmHは、論理Hによって上アームスイッチSWHがオンされていることを示し、論理Lによって上アームスイッチSWHがオフされていることを示す。これにより、マイコン51は、各上アームスイッチSWHのオンオフを把握する。 Each upper arm driver 54a outputs to the microcomputer 51 an upper arm monitor signal SgmH for transmitting the driving state of each upper arm switch SWH. The upper arm monitor signal SgmH indicates that the upper arm switch SWH is turned on by logic H, and that the upper arm switch SWH is turned off by logic L. Thereby, the microcomputer 51 grasps ON/OFF of each upper arm switch SWH.

各下アームドライバ54bは、各下アームスイッチSWLの駆動状態を伝達する下アームモニタ用信号SgmLをマイコン51に出力する。下アームモニタ用信号SgmLは、論理Hによって下アームスイッチSWLがオンされていることを示し、論理Lによって下アームスイッチSWLがオフされていることを示す。これにより、マイコン51は、各下アームスイッチSWLのオンオフを把握する。 Each lower arm driver 54b outputs to the microcomputer 51 a lower arm monitor signal SgmL for transmitting the driving state of each lower arm switch SWL. The lower arm monitor signal SgmL indicates that the lower arm switch SWL is turned on by logic H, and that the lower arm switch SWL is turned off by logic L. Thereby, the microcomputer 51 grasps ON/OFF of each lower arm switch SWL.

次に、マイコン51によって実施される疑似異常処理について説明する。疑似異常処理とは、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp以上の状態において、判定用検出電圧VSbを判定用閾値Vp未満にする処理である。 Next, pseudo-abnormality processing performed by the microcomputer 51 will be described. The pseudo-abnormality process is a process of making the detection voltage VSb for determination less than the threshold Vp for determination when the detection voltage VSb for determination is equal to or higher than the threshold Vp for determination.

マイコン51は、疑似異常処理を実施する場合、電圧変更信号Sg4の論理をHにする。ここで、電圧変更信号Sg4は、電圧変更用スイッチ80のベースに出力される信号であり、論理Hによって電圧変更用スイッチ80のオン指令を示し、論理Lによって電圧変更用スイッチ80のオフ指令を示す。電圧変更用スイッチ80がオンされることにより、第2接続経路L2がグランドに接続され、判定用検出電圧VSbが0Vにされる。これにより、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされる。本実施形態において、マイコン51が「処理部」に相当する。 The microcomputer 51 sets the logic of the voltage change signal Sg4 to H when executing the pseudo-abnormality processing. Here, the voltage change signal Sg4 is a signal output to the base of the voltage change switch 80. Logic H indicates an ON command for the voltage change switch 80, and logic L indicates an OFF command for the voltage change switch 80. show. By turning on the voltage change switch 80, the second connection path L2 is connected to the ground, and the determination detection voltage VSb is set to 0V. As a result, the determination detection voltage VSb is made less than the determination threshold Vp. In this embodiment, the microcomputer 51 corresponds to the "processing section".

続いて、図7を用いて、疑似異常処理を含むマイコン51の処理について説明する。なお、この処理は、例えば、1トリップに1回実施されてもよいし、車両の走行距離が所定距離になるたびに実施されてもよい。また、この処理は、制御回路50が起動又は停止されるタイミングに実施されるとよい。 Next, the processing of the microcomputer 51 including pseudo-abnormality processing will be described with reference to FIG. Note that this process may be performed, for example, once per trip, or may be performed each time the travel distance of the vehicle reaches a predetermined distance. Also, this process is preferably executed at the timing when the control circuit 50 is started or stopped.

ステップS10において、判定用検出電圧VSbを取得する。 In step S10, the detection voltage VSb for determination is acquired.

ステップS11において、電圧変更信号Sg4の論理をHにする疑似異常処理を実施する。これにより、判定用検出電圧VSbは、ステップS10において取得した値から0Vに低下する。ステップS12において、電圧変更信号Sg4の論理をHに切り替えてから所定時間Tp以内に、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満となったか否かを判定する。所定時間Tpは、例えば、高圧検出回路52、第2ローパスフィルタ62、ASIC部63、定電圧源64及び第1,第2閾値用抵抗体65,66が正常な場合において、判定用検出電圧VSbが0Vまで低下するのに要する十分な時間に設定されればよい。本実施形態において、ステップS12が「電圧判定部」に相当する。 In step S11, pseudo-abnormality processing is performed to set the logic of the voltage change signal Sg4 to H. As a result, the determination detection voltage VSb drops from the value obtained in step S10 to 0V. In step S12, it is determined whether or not the detection voltage VSb for determination has become less than the threshold value Vp for determination within a predetermined time Tp after switching the logic of the voltage change signal Sg4 to H. For example, when the high voltage detection circuit 52, the second low-pass filter 62, the ASIC unit 63, the constant voltage source 64, and the first and second threshold resistors 65 and 66 are normal, the predetermined time Tp is equal to the detection voltage VSb for determination. should be set to a time sufficient for the V to drop to 0V. In this embodiment, step S12 corresponds to the "voltage determination unit".

ステップS12において肯定判定された場合、第2上アーム信号Sg2Hの論理がLにされ、第2,第3下アーム信号Sg2L,Sg3Lの論理がHにされる。これにより、上アームスイッチSWHがオフされ、下アームスイッチSWLがオンされる。上アームスイッチSWHがオフされると上アームモニタ用信号SgmHの論理がLにされ、下アームスイッチSWLがオンされると下アームモニタ用信号SgmLの論理がHにされる。また、ステップS12において肯定判定された場合、ステップS13に進み、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生していないと判定する。一方、ステップS12において否定判定された場合、ステップS14に進み、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生していると判定する。 If the determination in step S12 is affirmative, the logic of the second upper arm signal Sg2H is set to L, and the logic of the second and third lower arm signals Sg2L and Sg3L is set to H. As a result, the upper arm switch SWH is turned off and the lower arm switch SWL is turned on. When the upper arm switch SWH is turned off, the logic of the upper arm monitor signal SgmH is set to L, and when the lower arm switch SWL is turned on, the logic of the lower arm monitor signal SgmL is set to H. If the determination in step S12 is affirmative, the process proceeds to step S13, and it is determined that an abnormality that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality has not occurred. On the other hand, if a negative determination is made in step S12, the process proceeds to step S14, and it is determined that there is an abnormality that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality.

以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。 According to this embodiment detailed above, the following effects can be obtained.

疑似異常処理が実施されることにより、判定用検出電圧VSbが0Vに変更される構成とした。これにより、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされ、異常判定部67により制御システムに過電圧異常が発生したと判定される状態が模擬される。この際、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされない場合、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生したことを判定することができる。 The detection voltage VSb for determination is changed to 0V by executing the pseudo-abnormality processing. As a result, the detection voltage VSb for determination is set to be less than the threshold value Vp for determination, and a state in which the abnormality determination unit 67 determines that an overvoltage abnormality has occurred in the control system is simulated. At this time, if the detection voltage VSb for determination is not less than the threshold value Vp for determination, it can be determined that an abnormality that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality has occurred.

本実施形態では、制御用検出電圧VSa及び判定用検出電圧VSbのうち、判定用検出電圧VSbにより制御システムの過電圧異常が判定される。そこで、疑似異常処理が実施された場合においても、判定用検出電圧VSbを用いて、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生したか否かが判定される構成とした。これにより、過電圧異常が判定される場合と、疑似異常処理が実施され、過電圧異常を判定できなくなる異常が判定される場合との条件を揃えることができる。その結果、過電圧異常を判定できなくなる異常が判定される条件の違いにより生じる誤判定を抑制することができる。 In this embodiment, out of the control detection voltage VSa and the determination detection voltage VSb, the determination detection voltage VSb is used to determine the overvoltage abnormality of the control system. Therefore, even when the pseudo-abnormality processing is performed, the detection voltage VSb for determination is used to determine whether or not an abnormality that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality has occurred. As a result, it is possible to match the conditions for the case where the overvoltage abnormality is determined and the case where the pseudo-abnormality process is performed and the overvoltage abnormality cannot be determined. As a result, it is possible to suppress erroneous determination caused by a difference in conditions for determining an overvoltage abnormality, which makes it impossible to determine an overvoltage abnormality.

疑似異常処理が実施されてから、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされるまでには、短いながらもある程度の時間を要する。そのため、疑似異常処理が実施されてから所定時間Tpが経過したのにもかかわらず、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満であると判定されない場合、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生している可能性がある。また、所定時間Tpが経過した後、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満であると判定された場合であっても、その後に三相短絡制御が速やかに実施されない問題が生じるため、正常に過電圧異常を判定できていない可能性がある。 It takes a certain amount of time, though short, from when the pseudo-abnormality processing is performed until the detection voltage VSb for determination becomes less than the threshold value Vp for determination. Therefore, if it is not determined that the detection voltage VSb for determination is less than the threshold value Vp for determination even after the predetermined time Tp has elapsed since the pseudo-abnormality processing was performed, an abnormality occurs that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality. There is a possibility that In addition, even if it is determined that the detection voltage VSb for determination is less than the threshold value Vp for determination after the predetermined time Tp has elapsed, there is a problem that the three-phase short-circuit control is not promptly performed after that. There is a possibility that the overvoltage abnormality could not be determined at this time.

そこで、本実施形態において、疑似異常処理が実施されてから所定時間Tp内に、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされない場合、過電圧異常を判定できない異常が発生していると判定する構成とした。これにより、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生したことを的確に判定することができる。 Therefore, in the present embodiment, if the detection voltage VSb for determination does not become less than the threshold value Vp for determination within a predetermined time Tp after the pseudo-abnormality processing is performed, it is determined that an abnormality that cannot be determined as an overvoltage abnormality has occurred. It was configured. Accordingly, it is possible to accurately determine that an abnormality that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality has occurred.

通常時駆動制御が実施される場合において、通常時駆動制御が正常に実施されているか否かが判定される構成とした。これにより、通常時駆動制御に用いられる構成に異常が発生していることを判定することができる。その結果、通常時駆動制御に用いられる構成の異常により、三相短絡制御を実施するべき状況であるにもかかわらず、三相短絡制御が実施されない事態の発生を抑制することができる。 In the case where the normal drive control is performed, it is determined whether the normal drive control is normally performed. This makes it possible to determine that an abnormality has occurred in the configuration used for normal drive control. As a result, it is possible to suppress the occurrence of a situation in which the three-phase short-circuit control is not performed due to an abnormality in the configuration used for the normal drive control even though the three-phase short-circuit control should be performed.

<第2実施形態>
以下、第2実施形態について、第1実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、疑似異常処理として、判定用検出電圧VSbを低減する処理に代えて、判定用閾値Vpを上昇させる処理が行われる。
<Second embodiment>
The second embodiment will be described below with reference to the drawings, focusing on differences from the first embodiment. In this embodiment, as the pseudo-abnormality processing, instead of reducing the detection voltage VSb for determination, processing for increasing the threshold value Vp for determination is performed.

図8に、本実施形態における制御回路50の構成を示す。図8において、先の図6に示した構成については、便宜上、同一の符号を付している。制御回路50は、定電圧電源である閾値用電源81、第1閾値用スイッチ82、第2閾値用スイッチ83及び第5接続経路L5を備えている。本実施形態では、第1閾値用スイッチ82として、PNP型バイポーラトランジスタにベース抵抗及びベースエミッタ間抵抗が内蔵された抵抗内蔵トランジスタが用いられている。また、第2閾値用スイッチ83として、NPN型バイポーラトランジスタにベース抵抗及びベースエミッタ間抵抗が内蔵された抵抗内蔵トランジスタが用いられている。 FIG. 8 shows the configuration of the control circuit 50 in this embodiment. In FIG. 8, the same reference numerals are assigned to the configurations shown in FIG. 6 for convenience. The control circuit 50 includes a threshold power supply 81, which is a constant voltage power supply, a first threshold switch 82, a second threshold switch 83, and a fifth connection path L5. In this embodiment, as the first threshold switch 82, a transistor with a built-in resistor, which is a PNP bipolar transistor with a built-in base resistor and a base-emitter resistor, is used. As the second threshold switch 83, a transistor with a built-in resistor, which is an NPN type bipolar transistor with a built-in base resistor and a base-emitter resistor, is used.

第1閾値用スイッチ82のコレクタは第3接続経路L3に設けられた第3中間点N3に接続され、第1閾値用スイッチ82のエミッタは閾値用電源81に接続されている。第2閾値用スイッチ83のコレクタは第1閾値用スイッチ82のベースに接続され、第2閾値用スイッチ83のエミッタはグランドに接続されている。第2閾値用スイッチ83のベースはマイコン51に接続されている。第5接続経路L5は、第3接続経路L3のうち第3中間点N3及びASIC部63の間にある第4中間点N4と、マイコン51とを接続している。本実施形態において、判定用閾値Vpは、第5接続経路L5を介してマイコン51に入力され、第3接続経路L3を介してASIC部63に入力される。なお、本実施形態において、判定用閾値Vpが「閾値」に相当する。 The collector of the first threshold switch 82 is connected to the third intermediate point N3 provided on the third connection path L3, and the emitter of the first threshold switch 82 is connected to the threshold power source 81. FIG. The collector of the second threshold switch 83 is connected to the base of the first threshold switch 82, and the emitter of the second threshold switch 83 is grounded. The base of the second threshold switch 83 is connected to the microcomputer 51 . The fifth connection path L5 connects the microcomputer 51 and the fourth intermediate point N4 between the third intermediate point N3 and the ASIC unit 63 in the third connection path L3. In this embodiment, the determination threshold value Vp is input to the microcomputer 51 via the fifth connection path L5 and input to the ASIC section 63 via the third connection path L3. Note that, in the present embodiment, the determination threshold value Vp corresponds to the "threshold value".

マイコン51は、疑似異常処理を実施する場合、閾値変更信号Sg5の論理をHにする。ここで、閾値変更信号Sg5は、第2閾値用スイッチ83のベースに出力される信号であり、論理Hによって第2閾値用スイッチ83のオン指令を示し、論理Lによって第2閾値用スイッチ83のオフ指令を示す。第2閾値用スイッチ83がオンされることにより、第1閾値用スイッチ82のベースがグランドに接続される。これにより、第1閾値用スイッチ82がオンされ、閾値用電源81の電圧が供給される。その結果、第3接続経路L3の電圧が上昇するため、判定用閾値Vpが上昇する。本実施形態において、判定用閾値Vpは、マイコン51に入力可能な電圧範囲の上限電圧まで上昇する。 The microcomputer 51 sets the logic of the threshold change signal Sg5 to H when executing the pseudo-abnormality processing. Here, the threshold change signal Sg5 is a signal that is output to the base of the second threshold switch 83. Logic H indicates an ON command for the second threshold switch 83, and logic L indicates an ON command for the second threshold switch 83. Indicates an off command. By turning on the second threshold switch 83, the base of the first threshold switch 82 is connected to the ground. As a result, the first threshold switch 82 is turned on, and the voltage of the threshold power source 81 is supplied. As a result, since the voltage of the third connection path L3 rises, the determination threshold Vp rises. In this embodiment, the determination threshold Vp rises to the upper limit voltage of the voltage range that can be input to the microcomputer 51 .

図9を用いて、疑似異常処理を含むマイコン51の処理について説明する。図9において、先の図7に示した処理については、便宜上、同一の符号を付している。先の図7に示す処理では、ステップS11の処理を実施したが、図9に示す処理では、ステップS15の処理を実施する。ステップS15において、疑似異常処理として、閾値変更信号Sg5の論理をHにする。これにより、判定用閾値Vpがマイコン51に入力可能な電圧範囲の上限電圧まで上昇する。 Processing of the microcomputer 51 including pseudo-abnormality processing will be described with reference to FIG. In FIG. 9, the same reference numerals are assigned to the processes shown in FIG. 7 for convenience. In the process shown in FIG. 7, the process of step S11 is performed, but in the process shown in FIG. 9, the process of step S15 is performed. In step S15, the logic of the threshold change signal Sg5 is set to H as pseudo-abnormality processing. As a result, the determination threshold Vp rises to the upper limit voltage of the voltage range that can be input to the microcomputer 51 .

制御システムの起動中において、判定用検出電圧VSbは、マイコン51に入力可能な電圧範囲の中間値とされる。そのため、判定用閾値Vpがマイコン51に入力可能な電圧範囲の上限電圧まで上昇した場合、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされる。よって、本実施形態においても、疑似異常処理が実施された場合、異常判定部67により制御システムに過電圧異常が発生したと判定される状態が模擬される。この際、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされない場合、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生したことを判定することができる。 During activation of the control system, the determination detection voltage VSb is set to an intermediate value within the voltage range that can be input to the microcomputer 51 . Therefore, when the determination threshold Vp rises to the upper limit voltage of the voltage range that can be input to the microcomputer 51, the determination detection voltage VSb becomes less than the determination threshold Vp. Therefore, also in this embodiment, when the pseudo-abnormality processing is performed, a state in which the abnormality determination unit 67 determines that an overvoltage abnormality has occurred in the control system is simulated. At this time, if the detection voltage VSb for determination is not less than the threshold value Vp for determination, it can be determined that an abnormality that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality has occurred.

<第3実施形態>
以下、第3実施形態について、第1実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、疑似異常処理として、判定用検出電圧VSbを低減する処理に代えて、DCDCコンバータ25の出力電圧の制御により平滑コンデンサ24の端子電圧VHを上昇させる処理が行われる。
<Third Embodiment>
The third embodiment will be described below with reference to the drawings, focusing on differences from the first embodiment. In the present embodiment, as the pseudo-abnormality processing, instead of the processing of reducing the determination detection voltage VSb, the processing of increasing the terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 by controlling the output voltage of the DCDC converter 25 is performed.

図10を用いて、疑似異常処理を含むマイコン51の処理について説明する。図10において、先の図7に示した処理については、便宜上、同一の符号を付している。先の図7に示す処理では、ステップS11の処理を実施したが、図10に示す処理では、ステップS16の処理を実施する。ステップS16において、疑似異常処理として、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満となるように、DCDCコンバータ25の出力電圧の目標値を上昇させる。これにより、平滑コンデンサ24の端子電圧VHが上昇する。 Processing of the microcomputer 51 including pseudo-abnormality processing will be described with reference to FIG. In FIG. 10, the same reference numerals are assigned to the processes shown in FIG. 7 for convenience. In the process shown in FIG. 7, the process of step S11 is performed, but in the process shown in FIG. 10, the process of step S16 is performed. In step S16, as pseudo-abnormality processing, the target value of the output voltage of the DCDC converter 25 is increased so that the detection voltage VSb for determination becomes less than the threshold value Vp for determination. As a result, terminal voltage VH of smoothing capacitor 24 increases.

本実施形態においても、疑似異常処理が実施され、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされることにより、異常判定部67により制御システムに過電圧異常が発生したと判定される状態が模擬される。この際、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされない場合、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生したことを判定することができる。 In the present embodiment as well, the pseudo-abnormality process is performed, and the detection voltage VSb for judgment is set to be less than the threshold value Vp for judgment, thereby simulating a state in which the abnormality judgment unit 67 judges that an overvoltage abnormality has occurred in the control system. be done. At this time, if the detection voltage VSb for determination is not less than the threshold value Vp for determination, it can be determined that an abnormality that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality has occurred.

DCDCコンバータ25の出力電圧の目標値を上昇させる昇圧制御により平滑コンデンサ24の端子電圧VHを上昇させた。そのため、疑似異常処理により、高圧領域の構成(例えば高圧検出回路52の高圧領域側)も正常に動作するか否かをチェックできる。これにより、高圧領域の構成において異常が発生した場合においても、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生したことを判定することができる。 The terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 is increased by boost control for increasing the target value of the output voltage of the DCDC converter 25 . Therefore, it is possible to check whether or not the configuration of the high voltage region (for example, the high voltage region side of the high voltage detection circuit 52) also operates normally by the pseudo-abnormality processing. As a result, even when an abnormality occurs in the configuration of the high voltage region, it is possible to determine that an abnormality has occurred that makes it impossible to determine an overvoltage abnormality.

<第4実施形態>
以下、第4実施形態について、第1実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。第1実施形態では、疑似異常処理が実施されることにより、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされたか否かが判定された。それに加えて、本実施形態では、上,下アームスイッチSWH,SWLの駆動状態に基づいて、三相短絡制御が実施されたか否かが判定される。
<Fourth Embodiment>
The fourth embodiment will be described below with reference to the drawings, focusing on differences from the first embodiment. In the first embodiment, it is determined whether or not the detection voltage VSb for determination is less than the threshold value Vp for determination by performing the pseudo-abnormality processing. In addition to that, in the present embodiment, it is determined whether or not the three-phase short-circuit control has been performed based on the drive states of the upper and lower arm switches SWH and SWL.

図11を用いて、疑似異常処理を含むマイコン51の処理について説明する。図11において、先の図7に示した処理については、便宜上、同一の符号を付している。図11に示す処理では、ステップS17の処理が追加されている。 Processing of the microcomputer 51 including pseudo-abnormality processing will be described with reference to FIG. In FIG. 11, the same reference numerals are assigned to the processes shown in FIG. 7 for convenience. In the process shown in FIG. 11, the process of step S17 is added.

ステップS12において肯定判定された場合、ステップS17に進む。ステップS17では、上アームモニタ用信号SgmHに基づいて、上アームスイッチSWHがオフされているか否かを判定する。また、下アームモニタ用信号SgmLに基づいて、下アームスイッチSWLがオンされているか否かを判定する。ステップS17において、肯定判定された場合はステップS13に進み、否定判定された場合はステップS14に進む。本実施形態において、ステップS17が「駆動判定部」に相当する。 If the determination in step S12 is affirmative, the process proceeds to step S17. In step S17, it is determined whether or not the upper arm switch SWH is turned off based on the upper arm monitor signal SgmH. Also, based on the lower arm monitor signal SgmL, it is determined whether or not the lower arm switch SWL is turned on. In step S17, if the determination is affirmative, the process proceeds to step S13, and if the determination is negative, the process proceeds to step S14. In this embodiment, step S17 corresponds to the "driving determination section".

以上説明した本実施形態によれば、疑似異常処理が実施され、過電圧異常が発生した状態が模擬されたにもかかわらず、三相短絡制御が実施されない場合、過電圧異常を判定できなくなる異常が発生したことを判定することができる。その結果、三相短絡制御を実施するべき状況であるにもかかわらず、三相短絡制御が実施されない事態の発生を抑制することができる。 According to the present embodiment described above, even though the pseudo-abnormality processing is performed and the state in which the overvoltage abnormality has occurred is simulated, if the three-phase short-circuit control is not performed, an abnormality that makes it impossible to determine the overvoltage abnormality occurs. can determine what has been done. As a result, it is possible to suppress the occurrence of a situation in which the three-phase short-circuit control is not performed even though the three-phase short-circuit control should be performed.

<その他の実施形態>
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
<Other embodiments>
It should be noted that the above embodiment may be modified as follows.

・ステップS12の判定を実施するのは、マイコン51に限られず、ASIC部63であってもよい。この場合、ASIC部63は「電圧判定部」を含む。 - It is not limited to the microcomputer 51, and the ASIC unit 63 may perform the determination in step S12. In this case, the ASIC section 63 includes a "voltage determination section".

・第1接続経路L1、バッファ回路60及び第1ローパスフィルタ61は制御回路50に備えられていなくてもよい。この場合、制御回路50において判定用検出電圧VSbがマイコン51に入力される構成とされ、マイコン51は、判定用検出電圧VSbに基づいて、スイッチング指令を生成すればよい。 - The first connection path L1, the buffer circuit 60, and the first low-pass filter 61 may not be provided in the control circuit 50. In this case, the detection voltage VSb for determination is input to the microcomputer 51 in the control circuit 50, and the microcomputer 51 may generate a switching command based on the detection voltage VSb for determination.

・疑似異常処理として、第1~第3実施形態において説明した処理を組み合わせた処理が実施されてもよい。例えば、疑似異常処理が実施される場合、判定用検出電圧VSbが低減されつつ、判定用閾値Vpが上昇されることにより、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vp未満とされてもよい。これにより、異常判定部67により制御システムに過電圧異常が発生したと判定される状態が模擬される。 - As the pseudo-abnormality processing, a processing that combines the processing described in the first to third embodiments may be performed. For example, when the pseudo-abnormality process is performed, the detection voltage VSb for determination may be decreased and the threshold value Vp for determination may be increased so that the detection voltage VSb for determination is less than the threshold value Vp for determination. This simulates a state in which the abnormality determining unit 67 determines that an overvoltage abnormality has occurred in the control system.

・高圧検出回路52は、平滑コンデンサ24の端子電圧VHが高いほど、検出電圧VSを低くするように変換するものに限らない。高圧検出回路52は、平滑コンデンサ24の端子電圧VHが高いほど、検出電圧VSを高くするように変換するものであってもよい。この場合、異常判定部67は、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vpより高い場合、制御システムに異常が発生したと判定すればよい。 The high voltage detection circuit 52 is not limited to one that converts the detection voltage VS to be lower as the terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 is higher. The high voltage detection circuit 52 may convert the detection voltage VS to be higher as the terminal voltage VH of the smoothing capacitor 24 is higher. In this case, the abnormality determination unit 67 may determine that an abnormality has occurred in the control system when the detection voltage VSb for determination is higher than the threshold value Vp for determination.

疑似異常処理においては、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vpよりも高くなるように、判定用検出電圧VSb及び判定用閾値Vpのうち少なくとも一方を変更すればよい。例えば、判定用検出電圧VSbを5Vまで上昇させればよい。また、例えば、判定用閾値Vpを0Vまで低減すればよい。この場合、ステップS12において、マイコン51は、疑似異常処理が実施されてから所定時間Tp以内に、判定用検出電圧VSbが判定用閾値Vpよりも高くなったか否かを判定すればよい。 In the pseudo-abnormality process, at least one of the determination detection voltage VSb and the determination threshold Vp may be changed so that the determination detection voltage VSb is higher than the determination threshold Vp. For example, the determination detection voltage VSb may be raised to 5V. Also, for example, the determination threshold value Vp may be reduced to 0V. In this case, in step S12, the microcomputer 51 may determine whether or not the detection voltage VSb for determination has become higher than the threshold value Vp for determination within a predetermined time Tp after execution of the pseudo-abnormality processing.

・三相短絡制御として、3相分の上アームスイッチSWHをオンし、かつ、3相分の下アームスイッチSWLをオフする制御が行われてもよい。 - As the three-phase short-circuit control, control may be performed to turn on the upper arm switches SWH for three phases and to turn off the lower arm switches SWL for three phases.

・制御システムに過電圧異常が発生したと判定された場合、シャットダウン制御のみが実施されてもよい。ここで、ステップS12において肯定判定された場合、異常判定部67によりシャットダウン制御を実施するべく、第2上,下アーム信号Sg2H,Sg2Lの論理がLにされる。これにより、上,下アームスイッチSWH,SWLがオフされる。上,下アームスイッチSWH,SWLがオフされることにより、上,下アームモニタ用信号SgmH,SgmLの論理がLにされる。第4実施形態のステップS17では、上アームモニタ用信号SgmHに基づいて、上アームスイッチSWHがオフされているか否かを判定すればよい。また、下アームモニタ用信号SgmLに基づいて、下アームスイッチSWLがオフされているか否かを判定すればよい。 - Only shutdown control may be performed when it is determined that an overvoltage abnormality has occurred in the control system. Here, if the determination in step S12 is affirmative, the logic of the second upper and lower arm signals Sg2H and Sg2L is set to L so that the abnormality determining section 67 performs shutdown control. As a result, the upper and lower arm switches SWH and SWL are turned off. By turning off the upper and lower arm switches SWH and SWL, the logic of the upper and lower arm monitor signals SgmH and SgmL is set to L. In step S17 of the fourth embodiment, it is determined whether or not the upper arm switch SWH is turned off based on the upper arm monitor signal SgmH. Further, whether or not the lower arm switch SWL is turned off may be determined based on the lower arm monitor signal SgmL.

・スイッチングデバイス部20を構成するスイッチSWH,SWLとしては、IGBTに限らず、例えばボディダイオードを内蔵するNチャネルMOSFETであってもよい。 - The switches SWH and SWL constituting the switching device section 20 are not limited to IGBTs, and may be, for example, N-channel MOSFETs incorporating body diodes.

・回転電機10の制御量としては、トルクに限らず、例えば、回転電機10のロータの回転速度であってもよい。 - The control amount of the rotary electric machine 10 is not limited to the torque, and may be, for example, the rotation speed of the rotor of the rotary electric machine 10 .

・回転電機10としては、永久磁石同期機に限らず、例えば巻線界磁型同期機であってもよい。また、回転電機10としては、同期機に限らず、例えば誘導機であってもよい。さらに、回転電機10としては、車載主機として用いられるものに限らず、電動パワーステアリング装置や空調用電動コンプレッサを構成する電動機等、他の用途に用いられるものであってもよい。 - The rotary electric machine 10 is not limited to a permanent magnet synchronous machine, and may be, for example, a winding field synchronous machine. Further, the rotary electric machine 10 is not limited to a synchronous machine, and may be an induction machine, for example. Furthermore, the rotary electric machine 10 is not limited to being used as a vehicle-mounted main engine, and may be used for other purposes such as an electric power steering device or an electric motor constituting an air conditioning electric compressor.

・DCDCコンバータ25は制御システムに備えられていなくてもよい。 - The DCDC converter 25 may not be provided in the control system.

・制御システムが搭載される移動体としては、車両に限らず、例えば、航空機又は船舶であってもよい。また、制御システムの搭載先としては、移動体に限らない。 - The mobile object on which the control system is mounted is not limited to a vehicle, and may be, for example, an aircraft or a ship. Further, the mounting destination of the control system is not limited to the mobile body.

・本開示に記載の制御部及びその手法は、コンピュータプログラムにより具体化された一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。あるいは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ以上の専用ハードウエア論理回路によってプロセッサを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。もしくは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリと一つ以上のハードウエア論理回路によって構成されたプロセッサとの組み合わせにより構成された一つ以上の専用コンピュータにより、実現されてもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータにより実行されるインストラクションとして、コンピュータ読み取り可能な非遷移有形記録媒体に記憶されていてもよい。 - The controller and techniques described in this disclosure can be performed by a dedicated computer provided by configuring a processor and memory programmed to perform one or more functions embodied by a computer program; may be implemented. Alternatively, the controls and techniques described in this disclosure may be implemented by a dedicated computer provided by configuring the processor with one or more dedicated hardware logic circuits. Alternatively, the control units and techniques described in this disclosure can be implemented by a combination of a processor and memory programmed to perform one or more functions and a processor configured by one or more hardware logic circuits. It may also be implemented by one or more dedicated computers configured. The computer program may also be stored as computer-executable instructions on a computer-readable non-transitional tangible recording medium.

10…回転電機、15…インバータ、30…高圧電源、50…制御回路、51…マイコン、52…高圧検出回路、63…ASIC部、SWH,SWL…上,下アームスイッチ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Rotary electric machine, 15... Inverter, 30... High voltage power supply, 50... Control circuit, 51... Microcomputer, 52... High voltage detection circuit, 63... ASIC part, SWH, SWL... Upper and lower arm switches.

Claims (10)

蓄電部(24)と、
多相の回転電機(10)と、
前記回転電機の各相の巻線(11)と前記蓄電部とに電気的に接続された上下アームのスイッチ(SWH,SWL)を有する電力変換器(15)と、を備えるシステムに適用される電力変換器の制御回路(50)において、
前記蓄電部の出力電圧を検出する電圧検出部(52)と、
前記電圧検出部の検出電圧が閾値を跨ぐことにより、前記システムに過電圧異常が発生したと判定する異常判定部(67)と、
前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いでいない状態において、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いだ状態にする疑似異常処理を実施する処理部(51)と
前記システムに過電圧異常が発生したと判定された場合、上下アームのうちいずれか一方のアームにおける前記スイッチをオンし、他方のアームにおける前記スイッチをオフする短絡制御、又は上下アームの前記スイッチを強制的にオフするシャットダウン制御のいずれかである異常時制御を実施する異常時制御部(53)と、
前記疑似異常処理が実施された場合、上下アームの前記スイッチの駆動状態に基づいて前記異常時制御が実施されたか否かを判定する駆動判定部と、を備える電力変換器の制御回路。
a power storage unit (24);
a multiphase rotating electric machine (10);
applied to a system comprising a power converter (15) having upper and lower arm switches (SWH, SWL) electrically connected to each phase winding (11) of the rotating electric machine and the power storage unit In a power converter control circuit (50),
a voltage detection unit (52) for detecting the output voltage of the power storage unit;
an abnormality determination unit (67) that determines that an overvoltage abnormality has occurred in the system when the voltage detected by the voltage detection unit crosses a threshold;
a processing unit (51) that performs pseudo-abnormality processing to make the detected voltage of the voltage detection unit cross the threshold in a state where the voltage detected by the voltage detection unit does not cross the threshold ;
When it is determined that an overvoltage abnormality has occurred in the system, short-circuit control to turn on the switch in either one of the upper and lower arms and turn off the switch in the other arm, or force the switches in the upper and lower arms an abnormal time control unit (53) that performs an abnormal time control that is one of shutdown control that turns off automatically;
A control circuit for a power converter, comprising: a drive determination unit that determines whether or not the abnormality control is performed based on the driving state of the switch of the upper and lower arms when the pseudo abnormality process is performed.
前記処理部は、前記疑似異常処理として、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いだ状態になるように、前記電圧検出部の検出電圧を変更する処理を行う請求項に記載の電力変換器の制御回路。 The power according to claim 1 , wherein, as the pseudo-abnormality processing, the processing unit changes the detected voltage of the voltage detection unit so that the detected voltage of the voltage detection unit straddles the threshold. Converter control circuit. 前記電圧検出部は、前記蓄電部の出力電圧を降圧するとともに降圧した電圧を検出する請求項に記載の電力変換器の制御回路。 3. The power converter control circuit according to claim 2 , wherein said voltage detection unit steps down the output voltage of said power storage unit and detects the stepped-down voltage. 蓄電部(24)と、
多相の回転電機(10)と、
前記回転電機の各相の巻線(11)と前記蓄電部とに電気的に接続された上下アームのスイッチ(SWH,SWL)を有する電力変換器(15)と
直流電源(30)と、
前記直流電源の出力電圧を昇圧し、前記蓄電部に出力する昇圧回路(25)と、を備えるシステムに適用される電力変換器の制御回路(50)において、
前記蓄電部の出力電圧を検出する電圧検出部(52)と、
前記電圧検出部の検出電圧が閾値を跨ぐことにより、前記システムに過電圧異常が発生したと判定する異常判定部(67)と、
前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いでいない状態において、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いだ状態にする疑似異常処理を実施する処理部(51)と、を備え
前記電圧検出部は、前記蓄電部の出力電圧を降圧するとともに降圧した電圧を検出し、
前記処理部は、前記昇圧回路の出力電圧を制御可能であり、前記疑似異常処理として、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いだ状態となるように、前記昇圧回路の出力電圧を上昇させる処理を行う電力変換器の制御回路。
a power storage unit (24);
a multiphase rotating electric machine (10);
a power converter (15) having upper and lower arm switches (SWH, SWL) electrically connected to each phase winding (11) of the rotating electric machine and the power storage unit ;
a DC power supply (30);
In a power converter control circuit (50) applied to a system comprising a booster circuit (25) for boosting the output voltage of the DC power supply and outputting it to the power storage unit,
a voltage detection unit (52) for detecting the output voltage of the power storage unit;
an abnormality determination unit (67) that determines that an overvoltage abnormality has occurred in the system when the voltage detected by the voltage detection unit crosses a threshold;
a processing unit (51) that performs pseudo-abnormality processing to make the detected voltage of the voltage detection unit cross the threshold in a state where the voltage detected by the voltage detection unit does not cross the threshold ,
The voltage detection unit steps down the output voltage of the power storage unit and detects the stepped-down voltage,
The processing unit is capable of controlling the output voltage of the booster circuit, and as the pseudo-abnormality processing, increases the output voltage of the booster circuit so that the detected voltage of the voltage detection unit straddles the threshold. The control circuit of the power converter that performs processing to cause
蓄電部(24)と、
多相の回転電機(10)と、
前記回転電機の各相の巻線(11)と前記蓄電部とに電気的に接続された上下アームのスイッチ(SWH,SWL)を有する電力変換器(15)と、を備えるシステムに適用される電力変換器の制御回路(50)において、
前記蓄電部の出力電圧を検出する電圧検出部(52)と、
前記電圧検出部の検出電圧が閾値を跨ぐことにより、前記システムに過電圧異常が発生したと判定する異常判定部(67)と、
前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いでいない状態において、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いだ状態にする疑似異常処理を実施する処理部(51)と、を備え
前記処理部は、前記疑似異常処理として、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いだ状態になるように、前記閾値を変更する処理を行う電力変換器の制御回路。
a power storage unit (24);
a multiphase rotating electric machine (10);
applied to a system comprising a power converter (15) having upper and lower arm switches (SWH, SWL) electrically connected to each phase winding (11) of the rotating electric machine and the power storage unit In a power converter control circuit (50),
a voltage detection unit (52) for detecting the output voltage of the power storage unit;
an abnormality determination unit (67) that determines that an overvoltage abnormality has occurred in the system when the voltage detected by the voltage detection unit crosses a threshold;
a processing unit (51) that performs pseudo-abnormality processing to make the detected voltage of the voltage detection unit cross the threshold in a state where the voltage detected by the voltage detection unit does not cross the threshold ,
The control circuit of the electric power converter, wherein the processing unit changes the threshold value so that the detected voltage of the voltage detection unit straddles the threshold value as the pseudo-abnormality processing.
前記疑似異常処理が実施されてから所定時間内に、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨がない場合、前記過電圧異常を判定できない異常が発生していると判定する電圧判定部を備える請求項1~5のいずれか一項に記載の電力変換器の制御回路。 a voltage determination unit that determines that an abnormality that cannot determine the overvoltage abnormality has occurred if the detected voltage of the voltage detection unit does not cross the threshold within a predetermined time after the pseudo abnormality processing is performed; A power converter control circuit according to any one of claims 1 to 5 . 前記回転電機の制御量を指令値に制御するスイッチング指令を生成するスイッチング指令生成部(51)と、
前記スイッチング指令に基づいて、上下アームの前記スイッチをオンオフする通常時駆動制御を実施するスイッチ駆動部(54)と、
前記回転電機の駆動状態に基づいて、前記通常時駆動制御を実施できなくなる異常が発生しているか否かを判定する制御判定部(55)と、を備える請求項1~6のいずれか一項に記載の電力変換器の制御回路。
a switching command generation unit (51) for generating a switching command for controlling the control amount of the rotating electric machine to a command value;
a switch drive unit (54) that performs normal drive control for turning on and off the switches of the upper and lower arms based on the switching command;
A control determination unit (55) that determines whether or not an abnormality has occurred that prevents the normal drive control from being performed, based on the drive state of the rotating electric machine . A control circuit for the power converter according to .
前記電圧検出部の検出電圧を伝達する第1伝達部(60,61,L1)と、
前記第1伝達部を介して入力された前記電圧検出部の検出電圧に基づいて、前記回転電機の制御量を指令値に制御するスイッチング指令を生成するスイッチング指令生成部(51)と、
前記電圧検出部の検出電圧を前記異常判定部に伝達する第2伝達部(62,80,L2,L4)と、
前記疑似異常処理が実施された場合、前記第2伝達部を介して入力された前記電圧検出部の検出電圧に基づいて、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨いだ状態にされたか否かを判定する電圧判定部と、を備える請求項2~4のいずれか一項に記載の電力変換器の制御回路。
a first transmission unit (60, 61, L1) that transmits the voltage detected by the voltage detection unit;
a switching command generation unit (51) for generating a switching command for controlling a control amount of the rotating electrical machine to a command value based on the detected voltage of the voltage detection unit input via the first transmission unit;
a second transmission unit (62, 80, L2, L4) that transmits the voltage detected by the voltage detection unit to the abnormality determination unit;
When the pseudo-abnormality processing is performed, whether or not the detected voltage of the voltage detection unit crosses the threshold based on the detected voltage of the voltage detection unit input via the second transmission unit. The power converter control circuit according to any one of claims 2 to 4 , further comprising a voltage determination unit that determines whether the
前記電圧判定部は、前記疑似異常処理が実施されてから所定時間内に、前記電圧検出部の検出電圧が前記閾値を跨がない場合、前記過電圧異常を判定できない異常が発生していると判定する請求項に記載の電力変換器の制御回路。 If the voltage detected by the voltage detection unit does not cross the threshold value within a predetermined time after the pseudo-abnormality processing is performed, the voltage determination unit determines that an abnormality that cannot be determined as the overvoltage abnormality has occurred. 9. The power converter control circuit according to claim 8 . 前記スイッチング指令に基づいて、上下アームの前記スイッチをオンオフする通常時駆動制御を実施するスイッチ駆動部(54)と、
前記回転電機の駆動状態に基づいて、前記通常時駆動制御を実施できなくなる異常が発生しているか否かを判定する制御判定部(55)と、を備える請求項又はに記載の電力変換器の制御回路。
a switch drive unit (54) that performs normal drive control for turning on and off the switches of the upper and lower arms based on the switching command;
The power conversion according to claim 8 or 9 , further comprising: a control determination unit (55) that determines whether or not an abnormality that prevents the normal drive control from being performed has occurred based on the drive state of the rotating electric machine. instrument control circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0546426A (en) * 1991-08-07 1993-02-26 Toshiba Corp Self-diagnostic circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019198139A (en) 2018-05-07 2019-11-14 株式会社デンソー Control circuit of power converter
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