JP7276131B2 - 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 - Google Patents
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Description
基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機EL層、
有機EL層の上に成膜されたカソード電極、
絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って形成された溝部、及び、
溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、
を備え、
カソード電極は、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続されている。また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する。
基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機EL層、及び、
有機EL層の上に成膜されたカソード電極、
を備える表示装置の製造に当たって、
絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って溝部を形成するとともに、当該溝部の底部に、所定の電位が与えられるコンタクト電極を設け、
カソード電極を、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続する。
1.本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器、全般に関する説明
2.本開示の表示装置
2-1.システム構成
2-2.画素回路
2-3.従来例に係るパネル構造
3.実施形態の説明
3-1.実施例1
3-2.実施例2
3-3.実施例3
3-4.実施例4
3-5.実施例5
4.変形例
5.本開示の電子機器
5-1.具体例1(デジタルスチルカメラの例)
5-2.具体例2(ヘッドマウントディスプレイの例)
6.本開示がとることができる構成
本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、溝部の側壁に、カソード電極とコンタクト電極とを電気的に接続する補助電極を設ける構成とすることができる。
本開示の表示装置は、透明絶縁基板上に形成した薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)や、シリコン半導体基板上に形成したMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタで、発光部(発光素子)を駆動して発光させる、所謂、アクティブマトリクス型表示装置である。
図1は、本開示のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。図1に示すように、本開示の有機EL表示装置10は、有機EL素子を含む複数の画素20が行列状(マトリクス状)に2次元配置されて成る画素アレイ部30と、当該画素アレイ部30の周辺に配置される周辺回路(周辺駆動部)とを有する構成となっている。
図2は、本開示のアクティブマトリクス型有機EL表示装置10における画素(画素回路)の回路構成の一例を示す回路図である。画素20の発光部は、有機EL素子21から成る。有機EL素子21は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
ここで、従来例に係る表示パネル70の構造(パネル構造)について説明する。図3Aに、従来例に係る表示パネル70の構造の平面図を示し、図3Bに、図3AのA-A線に沿った矢視断面図を示す。
そこで、本実施形態に係る有機EL表示装置10では、有機EL素子21が配列形成される絶縁膜(層間膜72)における画素間に、画素の配列方向に沿って溝部を形成するとともに、当該溝部の底部に、所定の電位が与えられるコンタクト電極75を設けたパネル構造とする。そして、このパネル構造において、カソード電極73を溝部にてコンタクト電極75と電気的に接続する。これにより、有機EL素子21のカソード電極73には、溝部において、コンタクト電極75を介して所定の電位がカソード電位Vcathとして与えられる。
実施例1は、本実施形態に係る有機EL表示装置10のパネル構造において、R,G,B等の単色発光有機EL材料を用いて有機EL層を形成した例である。図5は、実施例1に係るパネル構造の要部の断面構造を示す切断部端面図である。ここでは、互いに隣接して配置されるR,G,B3画素(副画素)20R,20G,20Bの断面構造を示している。
実施例2は、本実施形態に係る有機EL表示装置10のパネル構造において、白色発光有機EL材料を用いて有機EL層を形成した例である。図9は、実施例2に係るパネル構造の要部の断面構造を示す断面図である。ここでは、互いに隣接して配置されるR,G,B3画素(副画素)20R,20G,20Bの断面構造を示している。
実施例3は、画素20(20R,20G,20B)の各種の平面形状の例である。図10は、実施例3に係る画素20の形状例1を示す平面図であり、図11は、実施例3に係る画素20の形状例2を示す平面図であり、図12は、実施例3に係る画素20の形状例3を示す平面図である。
実施例4は、実施例3の変形例であり、溝部80の他の例である。図14は、実施例4に係る画素配列の一部を示す平面図である。
実施例5は、本実施形態に係る有機EL表示装置10のパネル構造、例えば実施例1に係るパネル構造の製造方法の例である。図15A、図15B及び図15Cは、実施例5に係るパネル構造の製造方法(製造工程)の流れを示す工程図(その1)であり、図16A、図16B及び図16Cは、当該パネル構造の製造方法の流れを示す工程図(その2)である。
以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、上記の実施形態では、有機EL素子21及びその駆動回路を、シリコン基板のような半導体基板上に形成することを想定したが、これに限られるものではなく、ガラス基板のような透明絶縁性基板上に形成することも可能である。
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部(表示装置)として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。
図17は、本開示の電子機器の具体例1に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図17Aにその正面図を示し、図17Bにその背面図を示す。
図18は、本開示の電子機器の具体例2に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
≪A.表示装置≫
[A-1]基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機EL層、
有機EL層の上に成膜されたカソード電極、
絶縁膜における画素間に画素の配列方向に沿って形成された溝部、及び、
溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、
を備え、
カソード電極は、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続されている、
表示装置。
[A-2]溝部の側壁には、カソード電極とコンタクト電極とを電気的に接続する補助電極が設けられている、
上記[A-1]に記載の表示装置。
[A-3]コンタクト電極には、発光画素領域全体に亘って同一の電位が与えられる、
上記[A-1]又は上記[A-2]に記載の表示装置。
[A-4]発光画素領域は、複数の領域に分割され、コンタクト電極は、複数の領域の各領域毎に電気的に分離されており、
複数の領域のコンタクト電極には、領域毎に異なる電位が与えられる、
上記[A-1]又は上記[A-2]に記載の表示装置。
[A-5]有機EL層は、複数色の単色発光有機EL材料にて画素単位で形成されている、
上記[A-1]乃至上記[A-4]に記載の表示装置。
[A-6]有機EL層は、白色発光有機EL材料にて全画素共通に形成されており、
有機EL層で発光される白色光は、複数色の分光スペクトルを持つカラーフィルタによって分光される、
上記[A-1]乃至上記[A-4]に記載の表示装置。
[A-7]有機EL層を含む発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記[A-1]乃至上記[A-6]に記載の表示装置。
≪B.表示装置の製造方法≫
[B-1]基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機EL層、及び、
有機EL層の上に成膜されたカソード電極、
を備える表示装置の製造に当たって、
絶縁膜における画素間に画素の配列方向に沿って溝部を形成するとともに、当該溝部の底部に、所定の電位が与えられるコンタクト電極を設け、
カソード電極を、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続する、
表示装置の製造方法。
[B-2]溝部の側壁に、カソード電極とコンタクト電極とを電気的に接続する補助電極を形成する、
上記[B-1]に記載の表示装置の製造方法。
[B-3]コンタクト電極に、発光画素領域全体に亘って同一の電位を与える、
上記[B-1]又は上記[B-2]に記載の表示装置の製造方法。
[B-4]発光画素領域を複数の領域に分割するとともに、コンタクト電極を複数の領域の各領域毎に電気的に分離し、
複数の領域のコンタクト電極に、領域毎に異なる電位を与える、
上記[B-1]又は上記[B-2]に記載の表示装置の製造方法。
[B-5]有機EL層を、複数色の単色発光有機EL材料にて画素単位で形成する、
上記[B-1]乃至上記[B-4]に記載の表示装置の製造方法。
[B-6]有機EL層を、白色発光有機EL材料にて全画素共通に形成し、
有機EL層で発光される白色光を、複数色の分光スペクトルを持つカラーフィルタによって分光する、
上記[B-1]乃至上記[B-4]に記載の表示装置の製造方法。
[B-7]有機EL層を含む発光部の駆動回路部を、半導体基板上に形成する、
上記[B-1]乃至上記[B-6]に記載の表示装置の製造方法。
≪C.電子機器≫
[C-1]基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機EL層、
有機EL層の上に成膜されたカソード電極、
絶縁膜における画素間に画素の配列方向に沿って形成された溝部、及び、
溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、
を備え、
カソード電極は、溝部においてコンタクト電極と電気的に接続されている、
表示装置を有する電子機器。
[C-2]溝部の側壁には、カソード電極とコンタクト電極とを電気的に接続する補助電極が設けられている、
上記[C-1]に記載の電子機器。
[C-3]コンタクト電極には、発光画素領域全体に亘って同一の電位が与えられる、
上記[C-1]又は上記[C-2]に記載の電子機器。
[C-4]発光画素領域は、複数の領域に分割され、コンタクト電極は、複数の領域の各領域毎に電気的に分離されており、
複数の領域のコンタクト電極には、領域毎に異なる電位が与えられる、
上記[C-1]又は上記[C-2]に記載の電子機器。
[C-5]有機EL層は、複数色の単色発光有機EL材料にて画素単位で形成されている、
上記[C-1]乃至上記[C-4]に記載の電子機器。
[C-6]有機EL層は、白色発光有機EL材料にて全画素共通に形成されており、
有機EL層で発光される白色光は、複数色の分光スペクトルを持つカラーフィルタによって分光される、
上記[C-1]乃至上記[C-4]に記載の電子機器。
[C-7]有機EL層を含む発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記[C-1]乃至上記[C-6]に記載の電子機器。
Claims (8)
- 半導体基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機EL層、
前記有機EL層の上に成膜されたカソード電極、
前記絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って前記半導体基板の表面に対して垂直に形成された溝部、
前記溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、及び、
前記溝部の側壁の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記コンタクト電極と同一材料からなる補助電極、
を備え、
前記カソード電極は、前記溝部において、前記補助電極を介して前記コンタクト電極と電気的に接続されている、
表示装置。 - 前記コンタクト電極には、発光画素領域全体に亘って同一の電位が与えられる、
請求項1に記載の表示装置。 - 発光画素領域は、複数の領域に分割され、前記コンタクト電極は、前記複数の領域の領域毎に電気的に分離されており、
前記複数の領域の前記コンタクト電極には、領域毎に異なる電位が与えられる、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記有機EL層は、複数色の単色発光有機EL材料にて画素単位で形成されている、
請求項1~3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記有機EL層は、白色発光有機EL材料にて全画素共通に形成されており、
前記有機EL層で発光される白色光は、複数色の分光スペクトルを持つカラーフィルタによって分光される、
請求項1~3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記有機EL層を含む発光部の駆動回路部は、前記半導体基板上に形成されている、
請求項1~5のいずれか1項に記載の表示装置。 - 半導体基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機EL層、前記有機EL層の上に成膜されたカソード電極、所定の電位が与えられるコンタクト電極、及び、前記コンタクト電極と同一材料からなる補助電極、
を備える表示装置の製造に当たって、
絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って前記半導体基板の表面に対して垂直に溝部を形成するとともに、当該溝部の底部に、前記コンタクト電極を設け、
前記溝部の側壁の少なくとも一部を覆うように、前記補助電極を設け、
前記カソード電極を、前記溝部において、前記補助電極を介して前記コンタクト電極と電気的に接続するように、前記溝部の前記側壁に沿って設ける、
表示装置の製造方法。 - 半導体基板上に形成された回路部上に、絶縁膜を介して成膜された有機EL層、
前記有機EL層の上に成膜されたカソード電極、
前記絶縁膜における画素間に、画素の配列方向に沿って前記半導体基板の表面に対して垂直に形成された溝部、
前記溝部の底部に設けられ、所定の電位が与えられるコンタクト電極、及び、
前記溝部の側壁の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記コンタクト電極と同一材料からなる補助電極、
を備え、
前記カソード電極は、前記溝部において、前記補助電極を介して前記コンタクト電極と電気的に接続されている、
表示装置を有する電子機器。
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