JP7259795B2 - 炭化珪素ウェハの製造方法、半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 333
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 333
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 103
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 67
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 148
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 141
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 99
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 8
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
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- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Description
第1実施形態にかかるSiCウェハの製造方法、半導体基板の製造方法およびSiC半導体装置の製造方法について説明する。
以上のようにして、図5に示すような所望の径を有するSiCウェハ83を取り出すことができる。その後、取り出したSiCウェハ83を対して、図6に示すようにSiCウェハ83の裏面にSiC支持基板90で貼り付けて半導体基板100を作成する裏面貼付工程を行う。ここではSiCウェハ83の裏面にSiC支持基板90を直接接合などによって裏面貼付工程を行っている。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiCウェハ83の製造方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第1、第2実施形態では、SiC単結晶インゴット80の上面側から円筒研削加工を行って、径の小さい円柱状部から形成し、徐々に、径の大きい円柱状部が形成されるようにしている。しかしながら、これは一例を挙げたものであり、SiC単結晶インゴット80の下面側から円筒研削加工を行って、径の大きい円柱状部から形成し、徐々に、径の小さい円柱状部が形成されるようにしても良い。
第3実施形態について説明する。本実施形態も、第1、第2実施形態に対してSiCウェハ83の製造方法を変更したものであり、その他については第1、第2実施形態と同様であるため、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第1実施形態のように研削工程とスライス工程を交互に行う際に本実施形態を適用する場合を例に挙げるが、第2実施形態のように研削工程で複数の異なる径の円柱状部を形成してからスライス工程を行う場合も同様に適用可能である。
上記第3実施形態では、レーザ照射後の剥離前にSiC単結晶インゴット80のうちSiCウェハ83を取り出す側の表面にSiC支持基板90を直接接合しているが、この順番を逆にしても良い。すなわち、剥離前にSiC単結晶インゴット80のうちSiCウェハ83を取り出す側の表面にSiC支持基板90を直接接合してから、レーザ照射を行ってレーザ痕を形成し、レーザ痕にて破断させることでSiCウェハ83を取り出すようにしても良い。
本開示は、上記した実施形態に準拠して記述されたが、当該実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
81 第1円柱状部
82 第2円筒状部
83 SiCウェハ
90 SiC支持基板
100 半導体基板
110 表面支持基板
Claims (9)
- 炭化珪素単結晶インゴット(80)をスライスして炭化珪素ウェハ(83)を製造する炭化珪素ウェハの製造方法であって、
上面および該上面よりも径が大きい下面を有する円錐台形状の前記炭化珪素単結晶インゴットを用意することと、
前記円錐台形状の前記炭化珪素単結晶インゴットに対して該炭化珪素単結晶インゴットの外縁部を研削加工にて除去し、前記上面から前記下面に向かうほど径が大きくなる複数段の径が異なる円柱状部(81、82)を形成することと、
前記円柱状部を前記炭化珪素ウェハにスライスすることと、を含む、炭化珪素ウェハの製造方法。 - 前記円柱状部を形成することと前記スライスすることとを交互に繰り返し行い、
前記複数段のうちの一部の前記円柱状部を形成することの後に、形成した前記円柱状部に対して前記スライスすることを行う、請求項1に記載の炭化珪素ウェハの製造方法。 - 前記円柱状部を形成することによって、前記炭化珪素単結晶インゴットの上面から下面に至るまで複数段の前記円柱状部を形成したのち、該複数段の前記円柱状部が一体のまま前記円柱状部に対して前記スライスすることを行う、請求項1に記載の炭化珪素ウェハの製造方法。
- 前記複数段の円柱状部を形成したのち、該複数段の前記円柱状部が一体のまま、該複数段の円柱状部の外周位置の同じ位置にノッチもしくはオリエンテーションフラットを形成することを含む、請求項3に記載の炭化珪素ウェハの製造方法。
- 前記円柱状部を形成することでは、複数段の前記円柱状部の段数を3段~5段のいずれかにする、請求項1ないし4のいずれか1つに記載の炭化珪素ウェハの製造方法。
- 請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素ウェハの製造方法を用いる半導体基板(10)を製造する半導体基板の製造方法であって、
前記円柱状部を形成することの後に、前記スライスすることによって前記炭化珪素ウェハとして取り出す前記円柱状部の表面に炭化珪素支持基板(90)を貼り付けることと、
前記炭化珪素支持基板を貼り付けることの後に、前記炭化珪素支持基板にて支持した状態で前記スライスすることを行って前記炭化珪素ウェハを取り出すことと、を含む半導体基板の製造方法。 - 請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素ウェハの製造方法を用いる半導体基板(10)を製造する半導体基板の製造方法であって、
前記スライスすることは、前記円柱状部に対してレーザ照射を行ってレーザ痕を形成することと、前記レーザ痕において前記円柱状部を破断させることで前記炭化珪素ウェハを取り出すことと、を含み、
前記円柱状部を形成することの後、かつ、前記レーザ痕を形成することの前または後に、前記スライスすることによって前記炭化珪素ウェハとして取り出す前記円柱状部の表面に炭化珪素支持基板(90)を貼り付けることを行い、
前記炭化珪素支持基板を貼り付けることの後に、前記炭化珪素支持基板にて支持した状態で前記レーザ痕において前記円柱状部を破断させることで前記炭化珪素ウェハを取り出すことを行う、半導体基板の製造方法。 - 前記炭化珪素支持基板を貼り付けることは、前記複数段の円柱状部のうちのいずれの段の前記円柱状部を前記スライスすることによって前記炭化珪素ウェハを取り出す際にも、前記炭化珪素支持基板として同じ径のものを用いる、請求項6または7に記載の半導体基板の製造方法。
- 請求項8に記載の半導体基板の製造方法によって形成した前記半導体基板を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記炭化珪素支持基板に前記炭化珪素ウェハが支持された前記半導体基板を用意することと、
前記半導体基板に対して半導体プロセスを行って半導体素子を形成することと、を含み、
前記半導体素子を形成することでは、前記複数段の円柱状部のうちのいずれの段の前記円柱状部を前記スライスすることによって取り出された異径の前記炭化珪素ウェハに対しても、同一設備を用いた前記半導体プロセスを行う、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020063149A JP7259795B2 (ja) | 2020-03-31 | 2020-03-31 | 炭化珪素ウェハの製造方法、半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
EP21161704.8A EP3889324A1 (en) | 2020-03-31 | 2021-03-10 | Production method of silicon carbide wafer, production method of semiconductor substrate, and production method of silicon carbide semiconductor device |
US17/211,962 US11795576B2 (en) | 2020-03-31 | 2021-03-25 | Production method of silicon carbide wafer, production method of semiconductor substrate, and production method of silicon carbide semiconductor device |
CN202110338843.2A CN113458905B (zh) | 2020-03-31 | 2021-03-30 | 碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020063149A JP7259795B2 (ja) | 2020-03-31 | 2020-03-31 | 炭化珪素ウェハの製造方法、半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021160971A JP2021160971A (ja) | 2021-10-11 |
JP7259795B2 true JP7259795B2 (ja) | 2023-04-18 |
Family
ID=74870678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020063149A Active JP7259795B2 (ja) | 2020-03-31 | 2020-03-31 | 炭化珪素ウェハの製造方法、半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11795576B2 (ja) |
EP (1) | EP3889324A1 (ja) |
JP (1) | JP7259795B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2023080091A1 (ja) * | 2021-11-05 | 2023-05-11 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009102196A (ja) | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
JP6334253B2 (ja) | 2014-05-15 | 2018-05-30 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの加工方法 |
JP2018125390A (ja) | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP2020515504A (ja) | 2017-03-29 | 2020-05-28 | パリデュス インクPallidus, Inc. | SiC体積形状物およびブール(BOULE)の形成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1179896A (ja) | 1997-08-27 | 1999-03-23 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2004039808A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法及び製造装置 |
JP5432573B2 (ja) * | 2009-04-16 | 2014-03-05 | 株式会社ブリヂストン | 炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP6075709B2 (ja) | 2012-11-19 | 2017-02-08 | Toto株式会社 | タンクの蓋の固定構造 |
JP6773506B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-10-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP2022180703A (ja) * | 2021-05-25 | 2022-12-07 | 株式会社ディスコ | 剥離方法及び剥離装置 |
-
2020
- 2020-03-31 JP JP2020063149A patent/JP7259795B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-10 EP EP21161704.8A patent/EP3889324A1/en active Pending
- 2021-03-25 US US17/211,962 patent/US11795576B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009102196A (ja) | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
JP6334253B2 (ja) | 2014-05-15 | 2018-05-30 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの加工方法 |
JP2018125390A (ja) | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP2020515504A (ja) | 2017-03-29 | 2020-05-28 | パリデュス インクPallidus, Inc. | SiC体積形状物およびブール(BOULE)の形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210301420A1 (en) | 2021-09-30 |
EP3889324A1 (en) | 2021-10-06 |
JP2021160971A (ja) | 2021-10-11 |
US11795576B2 (en) | 2023-10-24 |
CN113458905A (zh) | 2021-10-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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