JP7257731B2 - resin sheet - Google Patents

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Description

本発明は、樹脂シートに関する。 The present invention relates to resin sheets.

従来、電子デバイスと基板との間が中空構造となっている中空型電子デバイスを樹脂封止して中空型電子デバイスパッケージを作製する際に、封止樹脂としてシート状のものが用いられることがある（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, when a hollow electronic device having a hollow structure between an electronic device and a substrate is resin-sealed to produce a hollow electronic device package, a sheet-like sealing resin is often used. (See, for example, Patent Document 1).

特開２００６－１９７１４号公報JP 2006-19714 A

上記パッケージの製造方法としては、被着体上に配置された１又は複数の電子デバイス上にシート状の封止樹脂を配置し、次に、電子デバイスとシート状の封止樹脂とを近づける方向に加圧して電子デバイスをシート状の封止樹脂に埋め込み、その後、シート状の封止樹脂を熱硬化させる方法が挙げられる。 As a method for manufacturing the above package, a sheet-shaped sealing resin is placed on one or more electronic devices placed on an adherend, and then the electronic device and the sheet-shaped sealing resin are brought closer to each other. pressure is applied to embed the electronic device in the sheet-like sealing resin, and then the sheet-like sealing resin is thermally cured.

しかしながら、熱硬化後、被着体（例えば、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板）と封止樹脂との収縮差によりパッケージに反りが発生する場合があるといった問題があった。特に、複数の電子デバイスを一括封止する場合には、封止後、個々のパッケージに分割（ダイシング）する必要があるが、ダイシングテープに貼り付ける際に、全体にひずみが生じ、破損等の不具合が発生するおそれがある。また、ダンシングにより規定のサイズに分割できず、歩留りが低下するといった問題がある。 However, after thermal curing, there is a problem that the package may warp due to the difference in shrinkage between the adherend (eg, LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrate) and the sealing resin. In particular, when encapsulating multiple electronic devices at once, it is necessary to divide (dicing) them into individual packages after encapsulation. Failure to do so may result in malfunction. In addition, there is a problem that it is impossible to divide into a prescribed size due to dancing, resulting in a decrease in yield.

本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、熱硬化後のパッケージの反りを抑制することが可能な樹脂シートを提供することにある。 The present invention has been made in view of the problems described above, and an object thereof is to provide a resin sheet capable of suppressing warpage of a package after thermosetting.

本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。 The inventors of the present application have found that the above problems can be solved by adopting the following configuration, and have completed the present invention.

すなわち、本発明に係る樹脂シートは、グリシジル基含有アクリル樹脂を含み、
前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量は、樹脂シートの樹脂成分全体に対して１５～８０重量％であることを特徴とする。 That is, the resin sheet according to the present invention contains a glycidyl group-containing acrylic resin,
The content of the glycidyl group-containing acrylic resin is 15 to 80% by weight based on the total resin components of the resin sheet.

前記構成によれば、熱可塑性成分としてグリシジル基含有アクリル樹脂を含むため、樹脂シートの熱硬化後の弾性率を低くすることができる。
また、従来、熱可塑性成分として、カルボキシル基含有アクリル樹脂が使用される場合があった。カルボキシル基は反応性が高いため、樹脂シートにエポキシ樹脂やフェノール樹脂が含有されている場合、これらとも反応する。
しかしながら、本発明では、熱可塑性成分として、グリシジル基含有アクリル樹脂を含有する。グリシジル基は、カルボキシル基と比べると反応性が低いため、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との間での反応が優先的に進行する。その結果、未反応のグリシジル基が残留した状態で樹脂が硬化することになり、カルボキシル基含有アクリル樹脂を用いた場合と比較して、エポキシ樹脂やフェノール樹脂との間での架橋構造を作りにくくなる。これにより、弾性率が低下する。
以上より、本発明によれば、樹脂シートの熱硬化後の弾性率を低くでき、熱硬化後のパッケージの反りを抑制することができる。 According to the above configuration, since the glycidyl group-containing acrylic resin is included as the thermoplastic component, the elastic modulus of the resin sheet after thermosetting can be reduced.
Moreover, conventionally, a carboxyl group-containing acrylic resin has sometimes been used as a thermoplastic component. Since carboxyl groups are highly reactive, they also react with epoxy resins and phenolic resins when the resin sheet contains them.
However, the present invention contains a glycidyl group-containing acrylic resin as a thermoplastic component. Since the glycidyl group is less reactive than the carboxyl group, the reaction between the epoxy resin and the phenol resin proceeds preferentially. As a result, the resin is cured with unreacted glycidyl groups remaining, making it difficult to create a crosslinked structure with the epoxy resin or phenolic resin compared to the case of using a carboxyl group-containing acrylic resin. Become. This reduces the elastic modulus.
As described above, according to the present invention, the elastic modulus of the resin sheet after thermosetting can be lowered, and warping of the package after thermosetting can be suppressed.

前記構成において、前記グリシジル基含有アクリル樹脂の重量平均分子量は、１０万以上２００万以下であることが好ましい。 In the above configuration, the glycidyl group-containing acrylic resin preferably has a weight average molecular weight of 100,000 or more and 2,000,000 or less.

前記グリシジル基含有アクリル樹脂の重量平均分子量が１０万以上であると、熱硬化時の中空部への樹脂の進入量を少なくすることができる。一方、前記重量平均分子量が２００万以下であると、電子デバイスの埋め込みを良好とすることができる。 When the weight average molecular weight of the glycidyl group-containing acrylic resin is 100,000 or more, it is possible to reduce the amount of the resin entering the hollow portion during heat curing. On the other hand, when the weight-average molecular weight is 2,000,000 or less, embedding in electronic devices can be improved.

前記構成において、熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率が、２０ＧＰａ以下であることが好ましい。 In the above configuration, the tensile storage modulus at 25° C. after thermosetting is preferably 20 GPa or less.

熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率が、２０ＧＰａ以下であると、パッケージの反りをより抑制できる。 If the tensile storage elastic modulus at 25° C. after thermosetting is 20 GPa or less, warpage of the package can be further suppressed.

前記構成においては、無機充填剤を含み、
前記無機充填剤の含有量は、樹脂シート全体に対して８０～９２重量％であることが好ましい。 The configuration includes an inorganic filler,
The content of the inorganic filler is preferably 80 to 92% by weight with respect to the entire resin sheet.

無機充填剤を、樹脂シート全体に対して８０重量％以上含むと、硬化後の貯蔵弾性率を高く維持でき、外部からの衝撃等から素子を保護することができる。また、信頼性試験時に基板と樹脂間の線膨張の差が大きくなるのを抑制し、基板と樹脂間に剥離が生じることを防止できる。一方、無機充填剤を、樹脂シート全体に対して９２％以下で含むと、樹脂粘度が上昇しすぎるのを抑制できる。その結果、素子端部まで樹脂を行き届かせることができ、パッケージ化するために個片化したときに、基板と樹脂の接着不良部分が残ることを防止できる。 When the inorganic filler is contained in an amount of 80% by weight or more based on the entire resin sheet, a high storage elastic modulus after curing can be maintained, and the device can be protected from impacts from the outside. In addition, it is possible to suppress the difference in linear expansion between the substrate and the resin from increasing during the reliability test, and prevent the occurrence of separation between the substrate and the resin. On the other hand, when the inorganic filler is contained in an amount of 92% or less with respect to the entire resin sheet, excessive increase in resin viscosity can be suppressed. As a result, the resin can be spread all the way to the edge of the element, and when the element is separated into individual pieces for packaging, it is possible to prevent the portion where the adhesion between the substrate and the resin is defective from remaining.

本実施形態に係る電子デバイス封止用樹脂シートの断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the resin sheet for electronic device sealing which concerns on this embodiment. （ａ）は、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。(a) is a cross-sectional schematic diagram for explaining the procedure for measuring the amount of approach X1 and the amount of approach Y1, and (b) is a plan view thereof. 進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the procedure which measures approach amount X1 and approach amount Y1. 進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the procedure which measures approach amount X1 and approach amount Y1. 進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the procedure which measures approach amount X1 and approach amount Y1. 図５の部分拡大図である。FIG. 6 is a partially enlarged view of FIG. 5; 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the hollow type electronic device package which concerns on this embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the invention is not limited to only these embodiments.

（電子デバイス封止用樹脂シート）
図１は、本実施形態に係る電子デバイス封止用樹脂シート（樹脂シート）の断面模式図である。図１に示すように、電子デバイス封止用樹脂シート１１（以下、「樹脂シート１１」ともいう）は、代表的に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどのセパレータ１１ａ上に積層された状態で提供される。なお、セパレータ１１ａには樹脂シート１１の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。 (Resin sheet for encapsulating electronic devices)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a resin sheet for encapsulating an electronic device (resin sheet) according to this embodiment. As shown in FIG. 1, the electronic device sealing resin sheet 11 (hereinafter also referred to as "resin sheet 11") is typically provided in a state of being laminated on a separator 11a such as a polyethylene terephthalate (PET) film. be done. In addition, the separator 11a may be subjected to a release treatment so that the resin sheet 11 can be easily peeled off.

なお、本実施形態では、樹脂シートの一方の面にのみセパレータが積層された場合について説明するが、本発明はこの例に限定されず、樹脂シートの両面にセパレータが積層されていてもよい。この場合、使用する直前に一方のセパレータを剥離して、使用することができる。また、本発明において樹脂シートは、セパレータに積層されず、樹脂シートの単体で提供されてもよい。また、本発明の趣旨に反しない範囲において、樹脂シート上に他の層が積層されていてもよい。 In this embodiment, a case in which a separator is laminated only on one side of a resin sheet will be described, but the present invention is not limited to this example, and separators may be laminated on both sides of the resin sheet. In this case, one separator can be peeled off immediately before use. Further, in the present invention, the resin sheet may be provided as a single resin sheet without being laminated on the separator. Further, other layers may be laminated on the resin sheet within the scope of the present invention.

樹脂シート１１は、グリシジル基含有アクリル樹脂を含む。
熱可塑性成分を含むため、樹脂シート１１の熱硬化後の弾性率を低くすることができる。特に、熱可塑性成分としてカルボキシル基含有アクリル樹脂ではなく、グリシジル基含有アクリル樹脂を含有するため、熱硬化後の弾性率を低くすることができる。その結果、熱硬化後のパッケージの反りを抑制することができる。 The resin sheet 11 contains a glycidyl group-containing acrylic resin.
Since the resin sheet 11 contains a thermoplastic component, the elastic modulus of the resin sheet 11 after thermosetting can be lowered. In particular, since the acrylic resin containing a glycidyl group is contained as a thermoplastic component instead of the acrylic resin containing a carboxyl group, the elastic modulus after thermosetting can be lowered. As a result, warping of the package after heat curing can be suppressed.

前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量は、樹脂シート１１の樹脂成分全体に対して１５～８０重量％であり、１７～７８重量％であることが好ましく、２０～７５重量％であることがより好ましい。前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量が、樹脂シート１１の樹脂成分全体に対して１５重量％以上であるため、個片化する際に影響しない程度の反り量を保ちつつ、素子への成型性も担保することが可能である。一方、前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量が、樹脂シート１１の樹脂成分全体に対して８０重量％以下であるため、封止樹脂としての保護機能を保つための一定の硬化後貯蔵弾性率を保持しつつ素子への封止性も両立することができる。 The content of the glycidyl group-containing acrylic resin is 15 to 80% by weight, preferably 17 to 78% by weight, more preferably 20 to 75% by weight, based on the total resin components of the resin sheet 11. preferable. Since the content of the glycidyl group-containing acrylic resin is 15% by weight or more with respect to the total resin component of the resin sheet 11, the moldability to the element is maintained while maintaining the amount of warp to the extent that it does not affect the singulation. can also be secured. On the other hand, since the content of the glycidyl group-containing acrylic resin is 80% by weight or less with respect to the entire resin component of the resin sheet 11, a certain post-curing storage elastic modulus for maintaining the protective function as a sealing resin is maintained. It is possible to achieve both the sealing property to the element while holding it.

前記グリシジル基含有アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上２００万以下のものが好ましく、２０万～１９０万のものがより好ましく、３０万～１８０万のものがさらに好ましい。前記グリシジル基含有アクリル樹脂の重量平均分子量が１０万以上であると、熱硬化時の中空部への樹脂の進入量を少なくすることができる。一方、前記重量平均分子量が２００万以下であると、電子デバイスの埋め込みを良好とすることができる。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。重量平均分子量（Ｍｗ）は東ソー製ＧＰＣ：ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣを用いて以下測定条件で測定した値を採用する。
（測定条件）
カラム：ＧＭＨＸＬ相当×３本
流量：１．０ｍｌ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
試料濃度：０．１重量％ＴＨＦ溶液
注入量：１５０μｌ Among the glycidyl group-containing acrylic resins, those having a weight average molecular weight of 100,000 to 2,000,000 are preferable, those of 200,000 to 1,900,000 are more preferable, and those of 300,000 to 1,800,000 are even more preferable. When the weight average molecular weight of the glycidyl group-containing acrylic resin is 100,000 or more, it is possible to reduce the amount of the resin entering the hollow portion during heat curing. On the other hand, when the weight-average molecular weight is 2,000,000 or less, embedding in electronic devices can be improved. The weight average molecular weight is a value measured by GPC (gel permeation chromatography) and calculated by polystyrene conversion. For the weight average molecular weight (Mw), the value measured using Tosoh's GPC: HLC-8120GPC under the following measurement conditions is adopted.
(Measurement condition)
Column: GMH XL equivalent × 3 Flow rate: 1.0 ml / min
Detector: RI detector Sample concentration: 0.1% by weight THF solution Injection volume: 150 μl

樹脂シート１１は、エポキシ樹脂、及びフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。 The resin sheet 11 preferably contains epoxy resin and phenol resin. This provides good thermosetting properties.

エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。 The epoxy resin is not particularly limited. For example, triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, modified bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, modified bisphenol F type epoxy resin, dicyclopentadiene type Various epoxy resins such as epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, and phenoxy resins can be used. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０～２５０、軟化点もしくは融点が５０～１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、成型性および信頼性の観点から、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などがより好ましい。 From the viewpoint of ensuring the toughness and reactivity of the epoxy resin after curing, it is preferable to have an epoxy equivalent of 150 to 250 and a softening point or melting point of 50 to 130° C., which is solid at room temperature. From the viewpoint of reliability, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin and the like are more preferable.

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。 The phenol resin is not particularly limited as long as it causes a curing reaction with the epoxy resin. For example, phenol novolac resin, phenol aralkyl resin, biphenyl aralkyl resin, dicyclopentadiene type phenol resin, cresol novolac resin, resole resin, etc. are used. These phenol resins may be used alone or in combination of two or more.

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０～２５０、軟化点が５０～１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高く安価であるという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。 As the phenol resin, it is preferable to use one having a hydroxyl equivalent of 70 to 250 and a softening point of 50 to 110° C. from the viewpoint of reactivity with the epoxy resin. , phenol novolak resins can be preferably used. Moreover, from the viewpoint of reliability, low hygroscopic resins such as phenol aralkyl resins and biphenyl aralkyl resins can also be preferably used.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７～１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９～１．２当量である。 From the viewpoint of curing reactivity, the blending ratio of epoxy resin and phenolic resin is such that the total amount of hydroxyl groups in the phenolic resin is 0.7 to 1.5 equivalents per equivalent of epoxy groups in the epoxy resin. is preferably 0.9 to 1.2 equivalents.

樹脂シート１１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量の下限は、２重量％以上が好ましく３重量％以上がより好ましい。５．０重量％以上であると、電子デバイス、基板などに対する接着力が良好に得られる。一方、上記合計含有量の上限は、２５重量％以下が好ましく、２０重量％以下がより好ましい。２５重量％以下であると、樹脂シートの吸湿性を低減させることができる。 The lower limit of the total content of the epoxy resin and the phenol resin in the resin sheet 11 is preferably 2% by weight or more, more preferably 3% by weight or more. When it is 5.0% by weight or more, good adhesion to electronic devices, substrates, and the like can be obtained. On the other hand, the upper limit of the total content is preferably 25% by weight or less, more preferably 20% by weight or less. When it is 25% by weight or less, the hygroscopicity of the resin sheet can be reduced.

樹脂シート１１は、無機充填剤を含有することが好ましい。 The resin sheet 11 preferably contains an inorganic filler.

前記無機充填剤は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。 The inorganic filler is not particularly limited, and conventionally known various fillers can be used, for example, quartz glass, talc, silica (fused silica, crystalline silica, etc.), alumina, aluminum nitride, nitride Examples include powders of silicon and boron nitride. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, silica and alumina are preferable, and silica is more preferable, because they can favorably reduce the coefficient of linear expansion.

シリカとしては、シリカ粉末が好ましく、溶融シリカ粉末がより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。 As silica, silica powder is preferable, and fused silica powder is more preferable. Examples of the fused silica powder include spherical fused silica powder and crushed fused silica powder. From the viewpoint of fluidity, spherical fused silica powder is preferable.

樹脂シート１１は、樹脂１１シート全体に対して８０～９２重量％の範囲内で含有することが好ましい。上記含有量は、８１～９１重量％の範囲内であることがより好ましく、８２～９０重量％の範囲内であることがさらに好ましい。無機充填剤を、樹脂シート全体に対して８０重量％以上含むと、硬化後の貯蔵弾性率を高く維持でき、外部からの衝撃等から素子を保護することができる。また、信頼性試験時に基板と樹脂間の線膨張の差が大きくなるのを抑制し、基板と樹脂間に剥離が生じることを防止できる。一方、無機充填剤を、樹脂シート全体に対して９２％以下で含むと、樹脂粘度が上昇しすぎるのを抑制できる。その結果、素子端部まで樹脂を行き届かせることができ、パッケージ化するために個片化したときに、基板と樹脂の接着不良部分が残ることを防止できる。 The resin sheet 11 preferably contains 80 to 92% by weight of the resin sheet 11 as a whole. The content is more preferably in the range of 81 to 91% by weight, more preferably in the range of 82 to 90% by weight. When the inorganic filler is contained in an amount of 80% by weight or more based on the entire resin sheet, a high storage elastic modulus after curing can be maintained, and the device can be protected from impacts from the outside. In addition, it is possible to suppress the difference in linear expansion between the substrate and the resin from increasing during the reliability test, and prevent the occurrence of separation between the substrate and the resin. On the other hand, when the inorganic filler is contained in an amount of 92% or less with respect to the entire resin sheet, excessive increase in resin viscosity can be suppressed. As a result, the resin can be spread all the way to the edge of the element, and when the element is separated into individual pieces for packaging, it is possible to prevent the portion where the adhesion between the substrate and the resin is defective from remaining.

前記無機充填剤がシリカである場合、前記無機充填剤の含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。樹脂シート１１中のシリカの含有量は、６０～８８重量％であることが好ましく、７０～８５重量％であることがより好ましい。 When the inorganic filler is silica, the content of the inorganic filler can also be described using "weight %" as a unit. The content of silica in the resin sheet 11 is preferably 60-88% by weight, more preferably 70-85% by weight.

無機充填剤の平均粒径は２０μｍ以下の範囲のものを用いることが好ましく、０．１～１５μｍの範囲のものを用いることがより好ましく、０．５～１０μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。
また、前記無機充填剤としては、平均粒子径の異なる２種以上の無機充填剤を用いてもよい。平均粒径の異なる２種以上の無機充填剤を用いる場合、前記の「無機充填剤の平均粒径は２０μｍ以下」とは、無機充填剤全体の平均粒径が２０μｍ以下のことをいう。 The average particle size of the inorganic filler is preferably in the range of 20 μm or less, more preferably in the range of 0.1 to 15 μm, and particularly in the range of 0.5 to 10 μm. preferable.
As the inorganic filler, two or more inorganic fillers having different average particle sizes may be used. When two or more kinds of inorganic fillers having different average particle diameters are used, the phrase "the inorganic filler has an average particle diameter of 20 µm or less" means that the average particle diameter of the inorganic filler as a whole is 20 µm or less.

前記無機充填剤の形状は特に限定されず、球状（楕円体状を含む。）、多面体状、多角柱状、扁平形状、不定形状等の任意の形状であってもよいが、中空構造付近での高充填状態の達成や適度な流動性の観点から、球状が好ましい。 The shape of the inorganic filler is not particularly limited. A spherical shape is preferable from the viewpoint of achieving a highly filled state and moderate fluidity.

樹脂シート１１に含有される前記無機充填剤は、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において、２つのピークを有していることが好ましい。このような無機充填剤は、例えば、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合することにより得ることができる。粒度分布において２つのピークを有する無機充填剤を用いると、無機充填剤を高密度で充填することができる。その結果、無機充填剤の含有量をより多くすることが可能となる。
前記２つのピークは、特に限定されないが、粒径の大きい側のピークが、３～３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１～１μｍの範囲内にあることが好ましい。前記２つのピークが前記数値範囲内にあると、無機充填剤の含有量をさらに多くすることが可能となる。
上記粒度分布は、具体的には、以下の方法により得られる。
（ａ）樹脂シート１１をるつぼに入れ、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱して灰化させる。
（ｂ）得られた灰分を純水中に分散させて１０分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「ＬＳ １３ ３２０」；湿式法）を用いて粒度分布（体積基準）を求める。
なお、樹脂シート１１の組成として無機充填剤以外は有機成分であり、上記の強熱処理により実質的に全ての有機成分が焼失することから、得られる灰分を無機充填剤とみなして測定を行う。なお、平均粒径の算出も粒度分布と同時に行うことができる。 The inorganic filler contained in the resin sheet 11 preferably has two peaks in a particle size distribution measured by a laser diffraction scattering method. Such an inorganic filler can be obtained, for example, by mixing two inorganic fillers having different average particle diameters. Using an inorganic filler having two peaks in the particle size distribution allows the inorganic filler to be packed at a high density. As a result, it becomes possible to increase the content of the inorganic filler.
Although the two peaks are not particularly limited, it is preferable that the peak on the larger particle size side is in the range of 3 to 30 μm and the peak on the smaller particle size side is in the range of 0.1 to 1 μm. . When the two peaks are within the numerical range, the inorganic filler content can be further increased.
Specifically, the particle size distribution is obtained by the following method.
(a) The resin sheet 11 is placed in a crucible and ignited at 700° C. for 2 hours in an air atmosphere to be incinerated.
(b) The obtained ash was dispersed in pure water and subjected to ultrasonic treatment for 10 minutes, and the particle size distribution was measured using a laser diffraction scattering particle size distribution analyzer (manufactured by Beckman Coulter, "LS 13 320"; wet method). (volume basis) is obtained.
The composition of the resin sheet 11 consists of organic components other than the inorganic filler, and since substantially all of the organic components are burned off by the above-described strong heat treatment, the obtained ash is regarded as the inorganic filler in the measurement. In addition, the calculation of the average particle size can be performed at the same time as the particle size distribution.

樹脂シート１１は、無機充填剤がシランカップリング剤で予め表面処理されていることが好ましい。 In the resin sheet 11, the inorganic filler is preferably surface-treated in advance with a silane coupling agent.

前記シランカップリング剤としては、メタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有しており、無機充填剤の表面処理をすることが可能なものであれば特に限定されない。前記シランカップリング剤の具体例としては、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシオクチルトリメトキシシラン、メタクリロキシオクチルトリエトキシシランを挙げることができる。なかでも、反応性とコストの観点から、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。 The silane coupling agent is not particularly limited as long as it has a methacryloxy group or an acryloxy group and is capable of surface-treating the inorganic filler. Specific examples of the silane coupling agent include 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, methacryloxy Mention may be made of octyltrimethoxysilane, methacryloxyoctyltriethoxysilane. Among them, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane is preferable from the viewpoint of reactivity and cost.

樹脂シート１１が、シランカップリング剤としてのメタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物で予め表面処理された無機充填剤を含有する場合、前記無機充填剤は、無機充填剤１００重量部に対して０．５～２重量部のシランカップリング剤により予め表面処理されていることが好ましい。
シランカップリング剤により無機充填剤の表面処理をすれば、樹脂シート１１の粘度が大きくなりすぎるのを抑制することができる。 When the resin sheet 11 contains an inorganic filler preliminarily surface-treated with a compound having a methacryloxy group or an acryloxy group as a silane coupling agent, the inorganic filler is added to 100 parts by weight of the inorganic filler. It is preferably surface-treated in advance with 0.5 to 2 parts by weight of a silane coupling agent.
By surface-treating the inorganic filler with a silane coupling agent, it is possible to prevent the viscosity of the resin sheet 11 from becoming too high.

樹脂シート１１が、シランカップリング剤としてのメタクリロキシ基、又は、アクリロキシ基を有する化合物で予め予め表面処理された無機充填剤を含有する場合であり、且つ、前記無機充填剤として、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合したものを用いる場合、少なくとも、平均粒径の小さい方の無機充填剤を予めシランカップリング剤で表面処理しておくことが好ましい。平均粒径の小さい方の無機充填剤の方が、比表面積は大きいため、粘度の上昇をより抑制することが可能となる。
また、前記無機充填剤として、平均粒径の異なる２種類の無機充填剤を混合したものを用いる場合、平均粒径の小さい方の無機充填剤と大きい方の無機充填剤との両方を予めシランカップリング剤で表面処理しておくことがより好ましい。この場合、粘度の上昇をさらに抑制することが可能となる。 The resin sheet 11 contains an inorganic filler surface-treated in advance with a compound having a methacryloxy group or an acryloxy group as a silane coupling agent, and the inorganic filler has an average particle diameter of When using a mixture of two different inorganic fillers, it is preferable to surface-treat at least the smaller average particle diameter inorganic filler with a silane coupling agent in advance. Since the inorganic filler with a smaller average particle size has a larger specific surface area, it is possible to further suppress the increase in viscosity.
When a mixture of two types of inorganic fillers having different average particle diameters is used as the inorganic filler, both the inorganic filler with the smaller average particle diameter and the inorganic filler with the larger average particle diameter are mixed in advance with the silane. It is more preferable to treat the surface with a coupling agent. In this case, it becomes possible to further suppress the increase in viscosity.

樹脂シート１１は、硬化促進剤を含むことが好ましい。 The resin sheet 11 preferably contains a curing accelerator.

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されないが、反応開始温度を１３０℃以下とすることができるものが好ましい。このような硬化促進剤としては、例えば、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン等を挙げることができる。反応開始温度を１３０℃以下とすることができる硬化促進剤を用いれば、１３０℃以下で熱硬化が開始するため、電子デバイスを埋め込んだ後から熱硬化が終了するまでの間に、電子デバイスと被着体との間の中空部における樹脂の進入量（移動量）をさらに少なくすることができる。なかでも、反応温度と保存性の観点から、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。
なお、本明細書において反応開始温度とは、ＤＳＣ測定において発熱が開始する温度をいう（反応開始からピークまでの変曲点における接線と、ベースラインとの交点の温度ではない）。 The curing accelerator is not particularly limited as long as it promotes the curing of the epoxy resin and the phenol resin, but it is preferable to use one that can set the reaction initiation temperature to 130° C. or lower. Examples of such curing accelerators include 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6-[2′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s- Triazine and the like can be mentioned. If a curing accelerator capable of setting the reaction initiation temperature to 130° C. or less is used, thermal curing starts at 130° C. or less. It is possible to further reduce the amount of penetration (movement) of the resin in the hollow portion between the adherend. Among them, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole is preferred from the viewpoint of reaction temperature and storage stability.
In this specification, the reaction start temperature means the temperature at which heat generation starts in DSC measurement (not the temperature at the intersection of the tangent line at the inflection point from the reaction start to the peak and the baseline).

硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１～５重量部が好ましい。 The content of the curing accelerator is preferably 0.1 to 5 parts by weight per 100 parts by weight of the total of the epoxy resin and the phenol resin.

樹脂シート１１は、必要に応じ、難燃剤成分を含んでもよい。これにより、部品ショートや発熱などにより発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン系難燃剤などを用いることができる。 The resin sheet 11 may contain a flame retardant component as needed. As a result, it is possible to reduce the spread of combustion in the event of ignition due to a component short circuit or heat generation. Flame retardant components include, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, iron hydroxide, calcium hydroxide, tin hydroxide, various metal hydroxides such as composite metal hydroxides; can be done.

樹脂シート１１は、顔料を含むことが好ましい。顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。 Resin sheet 11 preferably contains a pigment. The pigment is not particularly limited, and examples thereof include carbon black.

樹脂シート１１中の顔料の含有量は、０．１～２重量％が好ましい。０．１重量％以上であると、良好なマーキング性が得られる。２重量％以下であると、硬化後の樹脂シートの強度を確保することができる。 The content of the pigment in the resin sheet 11 is preferably 0.1 to 2% by weight. Favorable marking property is obtained as it is 0.1 weight% or more. When it is 2% by weight or less, the strength of the cured resin sheet can be ensured.

なお、樹脂組成物には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。 In addition to the components described above, other additives may be appropriately added to the resin composition, if necessary.

樹脂シート１１の厚さは特に限定されないが、例えば、１００～２０００μｍである。上記範囲内であると、良好に電子デバイスを封止することができる。 Although the thickness of the resin sheet 11 is not particularly limited, it is, for example, 100 to 2000 μm. Within the above range, the electronic device can be favorably sealed.

樹脂シート１１は、単層構造であってもよいし、２以上の樹脂シートを積層した多層構造であってもよい。 The resin sheet 11 may have a single layer structure, or may have a multilayer structure in which two or more resin sheets are laminated.

樹脂シート１１は、熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率が、２０ＧＰａ以下であることが好ましく、１８ＧＰａ以下であることがより好ましく、１５ＧＰａ以下であることがさらに好ましい。熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率が、２０ＧＰａ以下であると、パッケージの反りをより抑制できる。熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率の測定方法は、実施例記載の方法による。 The resin sheet 11 preferably has a tensile storage modulus at 25° C. after thermosetting of 20 GPa or less, more preferably 18 GPa or less, and even more preferably 15 GPa or less. If the tensile storage elastic modulus at 25° C. after thermosetting is 20 GPa or less, warpage of the package can be further suppressed. The method for measuring the tensile storage modulus at 25°C after thermosetting is according to the method described in Examples.

樹脂シート１１は、下記反り評価方法にて測定される熱硬化後の反り量、及び、リフロー後の反り量が、３ｍｍ以下であることが好ましく、２ｍｍ以下であることがより好ましい。 The resin sheet 11 preferably has an amount of warp after thermosetting and a amount of warp after reflow measured by the warpage evaluation method described below, and is preferably 3 mm or less, more preferably 2 mm or less.

＜反り評価方法＞
反り評価用のサンプル（縦８７ｍｍ、横８７ｍｍ、厚さ１５０μｍ）を準備するステップＺ１、
反り評価用のアルミナ板（縦１００ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ）の中央に、下記貼り付け条件にて前記サンプルを貼り付ける工程Ｚ２、
＜貼り付け条件＞
温度：９５℃
加圧時間：６０秒
加圧力：３００ｋＰａ
前記サンプルを１７０℃で２時間加熱し、熱硬化させるステップＺ３、
反り量（熱硬化後の反り量）を測定するステップＺ４、
２６０℃で２０秒の加熱を３回行うステップＺ５、及び、
反り量（リフロー後の反り量）を測定するステップＺ６。 <Warpage evaluation method>
Step Z1 of preparing a sample for warp evaluation (87 mm long, 87 mm wide, 150 μm thick),
Step Z2 of attaching the sample under the following attachment conditions to the center of an alumina plate for warpage evaluation (100 mm long, 100 mm wide, 0.2 mm thick),
<Paste conditions>
Temperature: 95°C
Pressure time: 60 seconds Pressure: 300 kPa
Heating the sample at 170° C. for 2 hours to thermally cure step Z3;
Step Z4 of measuring the amount of warpage (the amount of warpage after heat curing),
Step Z5 of performing heating at 260 ° C. for 20 seconds three times, and
Step Z6 of measuring the amount of warpage (the amount of warpage after reflow).

前記ステップＺ４、及び、前記ステップＺ６では、アルミナ板とサンプルの積層物を、アルミナ板を下側にして平らな机の上に置き、アルミナ板の４隅が机から浮いている高さを測定し、これを反り量とする。なお、４隅のうち、浮いている高さが一番高い部分の測定値を反り量とする。 In step Z4 and step Z6, the laminate of the alumina plate and the sample is placed on a flat desk with the alumina plate facing down, and the height of the four corners of the alumina plate floating from the desk is measured. and this is the amount of warpage. The measured value of the portion with the highest floating height among the four corners is taken as the amount of warpage.

本発明の樹脂シートは、中空封止用の電子デバイス封止用樹脂シートとして好適に使用できる。樹脂シート１１は、下記ステップＡ～ステップＧの手順により測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２３μｍ以下であることがさらに好ましい。
また、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値（Ｙ１－Ｘ１）が３０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることがさらに好ましい。 The resin sheet of the present invention can be suitably used as an electronic device sealing resin sheet for hollow sealing. The penetration amount X1 of the resin sheet 11 measured by the procedure of steps A to G below is preferably 0 μm or more and 30 μm or less, more preferably 3 μm or more and 25 μm or less, and 5 μm or more and 23 μm or less. More preferred.
Also, the value obtained by subtracting the amount of penetration X1 from the amount of penetration Y1 (Y1-X1) is preferably 30 μm or less, more preferably 15 μm or less, and even more preferably 10 μm or less.

下記仕様の４つのダミーチップが樹脂バンプを介してガラス基板（縦６ｃｍ、横１０ｃｍ、厚さ１．３ｍｍ）に実装されたダミーチップ実装基板を準備するステップＡ、
縦２ｃｍ、横２ｃｍ、厚さ２５０μｍのサイズの樹脂シートのサンプルを準備するステップＢ、
前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置するステップＣ、
下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込むステップＤ、
前記ステップＤの後、前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定するステップＥ、
前記ステップＥの後、１７０℃の熱風乾燥機中に２時間放置し、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得るステップＦ、及び、
前記封止体サンプルにおける前記中空部への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定するステップＧ。
＜ダミーチップの仕様＞
チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプが形成されている。隣り合うチップとの距離Ｗ：０．５ｍｍ
＜埋め込み条件＞
プレス方法：平板プレス
温度：９０℃
加圧力：１．２ＭＰａ
プレス時の真空度：１０ｔｏｒｒ
プレス時間：１分 Step A of preparing a dummy chip mounting substrate in which four dummy chips with the following specifications are mounted on a glass substrate (6 cm long, 10 cm wide, and 1.3 mm thick) via resin bumps;
Step B of preparing a sample of a resin sheet with a size of 2 cm long, 2 cm wide, and 250 μm thick;
step C of placing the sample on the dummy chip of the dummy chip mounting substrate;
a step D of embedding the dummy chip in the sample under the following embedding conditions;
After the step D, a step E of measuring an amount X1 of the resin forming the sample entering the hollow portion between the dummy chip and the glass substrate;
After step E, step F to obtain a sealed body sample by heat-curing the sample by leaving it in a hot air dryer at 170 ° C. for 2 hours, and
Step G of measuring an amount Y1 of the resin entering the hollow portion of the sealing body sample.
<Dummy chip specifications>
The chip size is 3 mm in length, 3 mm in width, and 200 μm in thickness, and resin bumps with a height of 50 μm are formed. Distance W between adjacent chips: 0.5 mm
<Embedding conditions>
Pressing method: Flat press Temperature: 90°C
Pressing force: 1.2 MPa
Degree of vacuum during pressing: 10 torr
Press time: 1 minute

以下、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値を求める方法について説明する。 A method of obtaining the amount of approach X1 and a value obtained by subtracting the amount of approach X1 from the amount of approach Y1 will be described below.

図２（ａ）は、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。図３～図５は、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１を測定する手順を説明するための断面模式図である。図６は、図５の部分拡大図である。 FIG. 2(a) is a schematic cross-sectional view for explaining the procedure for measuring the approach amount X1 and the approach amount Y1, and FIG. 2(b) is a plan view thereof. 3 to 5 are cross-sectional schematic diagrams for explaining the procedure for measuring the approach amount X1 and the approach amount Y1. 6 is a partially enlarged view of FIG. 5. FIG.

（ステップＡ）
ステップＡでは、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、４つのダミーチップ１１３が樹脂バンプ１１３ａを介してガラス基板１１２（縦６ｃｍ、横１０ｃｍ、厚さ１．３ｍｍ）に実装されたダミーチップ実装基板１１５を準備する。ダミーチップ１１３の仕様は下記の通りである。ダミーチップ実装基板１１５は、より具体的には、実施例記載の方法により準備する。
＜ダミーチップ１１３の仕様＞
チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプ１１３ａが形成されている。隣り合うチップとの距離Ｗ：０．５ｍｍ (Step A)
In step A, as shown in FIGS. 2A and 2B, four dummy chips 113 are mounted on a glass substrate 112 (6 cm long, 10 cm wide, 1.3 mm thick) via resin bumps 113a. A dummy chip mounting substrate 115 is prepared. The specifications of the dummy chip 113 are as follows. More specifically, the dummy chip mounting substrate 115 is prepared by the method described in the examples.
<Specifications of Dummy Chip 113>
The chip size is 3 mm long, 3 mm wide, and 200 μm thick, and resin bumps 113a of 50 μm high are formed. Distance W between adjacent chips: 0.5 mm

（ステップＢ）
ステップＢでは、図３に示すように、縦２ｃｍ、横２ｃｍ、厚さ２５０μｍのサイズのサンプル１１１を準備する。サンプル１１１は、樹脂シート１１と同一の材料を用いて、縦２ｃｍ、横２ｃｍ、厚さ２５０μｍのサイズにしたものである。本実施形態では、サンプル１１１を、セパレータ１１１ａ上に積層した場合について説明する。サンプル１１１は、例えば、まず、縦１０ｃｍ以上、横１０ｃｍ以上、厚さ２５０μｍの封止用シート１１を作成し、その後、縦２ｃｍ、横２ｃｍ、厚さ２５０μｍのサイズに切り出すことにより作成することができる。なお、樹脂シート１１自体が縦２ｃｍ、横２ｃｍ、厚さ２５０μｍのサイズである必要はない。 (Step B)
In step B, as shown in FIG. 3, a sample 111 having a length of 2 cm, a width of 2 cm, and a thickness of 250 μm is prepared. The sample 111 is made of the same material as the resin sheet 11 and has a size of 2 cm long, 2 cm wide, and 250 μm thick. In this embodiment, the case where the sample 111 is laminated on the separator 111a will be described. The sample 111 can be prepared, for example, by first creating a sealing sheet 11 having a length of 10 cm or more, a width of 10 cm or more, and a thickness of 250 μm, and then cutting it into a size of 2 cm length, 2 cm width, and 250 μm thickness. can. The resin sheet 11 itself need not be 2 cm long, 2 cm wide, and 250 μm thick.

（ステップＣ）
ステップＣでは、図４に示すように、サンプル１１１を、ダミーチップ実装基板１１５のダミーチップ１１３上に配置する。例えば、下側加熱板１２２上に、ダミーチップ実装基板１１５を、ダミーチップ１１３が固定された面を上にして配置するとともに、ダミーチップ１１３面上にサンプル１１１を配置する。このステップにおいては、下側加熱板１２２上にまずダミーチップ実装基板１１５を配置し、その後、ダミーチップ実装基板１１５上にサンプル１１１を配置してもよく、ダミーチップ実装基板１１５上にサンプル１１１を先に積層し、その後、ダミーチップ実装基板１１５とサンプル１１１とが積層された積層物を下側加熱板１２２上に配置してもよい。 (Step C)
In step C, as shown in FIG. 4, the sample 111 is placed on the dummy chip 113 of the dummy chip mounting board 115. As shown in FIG. For example, the dummy chip mounting substrate 115 is placed on the lower heating plate 122 with the surface to which the dummy chip 113 is fixed facing up, and the sample 111 is placed on the dummy chip 113 surface. In this step, the dummy chip mounting substrate 115 may be placed on the lower heating plate 122 first, and then the sample 111 may be placed on the dummy chip mounting substrate 115 . Alternatively, the dummy chip mounting substrate 115 and the sample 111 may be stacked first and then placed on the lower heating plate 122 .

（ステップＤ）
ステップＣの後、ステップＤでは、図５に示すように、下記埋め込み条件下で、ダミーチップ１１３をサンプル１１１に埋め込む（封止する）。具体的には、下記埋め込み条件下で、平板プレスが備える下側加熱板１２２と上側加熱板１２４とにより熱プレスして、ダミーチップ１１３をサンプル１１１に埋め込む。その後、大気圧、常温（２５℃）に放置する。放置時間は、２４時間以内とする。
＜埋め込み条件＞
プレス方法：平板プレス
温度：９０℃
加圧力：１．２ＭＰａ
プレス時の真空度：１０ｔｏｒｒ
プレス時間：１分 (Step D)
After step C, in step D, as shown in FIG. 5, the dummy chip 113 is embedded (sealed) in the sample 111 under the following embedding conditions. Specifically, the dummy chip 113 is embedded in the sample 111 by hot pressing with the lower heating plate 122 and the upper heating plate 124 of the flat plate press under the following embedding conditions. After that, it is left at normal temperature (25° C.) under atmospheric pressure. The leaving time shall be within 24 hours.
<Embedding conditions>
Pressing method: Flat press Temperature: 90°C
Pressing force: 1.2 MPa
Degree of vacuum during pressing: 10 torr
Press time: 1 minute

（ステップＥ）
ステップＤの後、ステップＥでは、ダミーチップ１１３とガラス基板１１２との間の中空部１１４への、サンプル１１１を構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定する（図６参照）。進入量Ｘ１は、ダミーチップ１１３の端部から中空部１１４へ進入した樹脂の最大到達距離とする。 (Step E)
After step D, in step E, the penetration amount X1 of the resin forming the sample 111 into the hollow portion 114 between the dummy chip 113 and the glass substrate 112 is measured (see FIG. 6). The intrusion amount X1 is the maximum reaching distance of the resin entering the hollow portion 114 from the end portion of the dummy chip 113 .

（ステップＦ）
前記ステップＥの後、ダミーチップ１１３がサンプル１１１に埋め込まれた構造物を、１７０℃の熱風乾燥機中に２時間放置し、サンプル１１１を熱硬化させて封止体サンプルを得る。 (Step F)
After step E, the structure in which the dummy chip 113 is embedded in the sample 111 is left in a hot air dryer at 170° C. for 2 hours to thermally cure the sample 111 to obtain a sealed body sample.

（ステップＧ）
前記ステップＦの後、前記封止体サンプルにおける中空部１１４への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定する。進入量Ｙ１は、ダミーチップ１１３の端部から中空部１１４へ進入した樹脂の最大到達距離とする。 (Step G)
After step F, the amount Y1 of the resin entering the hollow portion 114 of the sealing body sample is measured. The intrusion amount Y1 is the maximum reaching distance of the resin entering the hollow portion 114 from the end portion of the dummy chip 113 .

その後、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値を求める。 After that, a value obtained by subtracting the amount of approach X1 from the amount of approach Y1 is obtained.

以上により、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値を求める方法について説明した。 The method for determining the amount of approach X1 and the value obtained by subtracting the amount of approach X1 from the amount of approach Y1 has been described above.

樹脂シート１１は、上述の通り、ステップＡ～ステップＧの手順により測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。また、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が３０μｍ以下であることが好ましい。
前記進入量Ｘ１が０μｍ以上３０μｍ以下であると、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造において、電子デバイスを樹脂シート１１に埋め込んだ際に、電子デバイスと被着体との間の中空部へ適度に樹脂を進入させることができる。
また、前記進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が３０μｍ以下であると、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造において、樹脂シート１１を熱硬化させる際の、中空部における樹脂の流動を抑制できる。
なお、進入量Ｘ１、及び、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値を用いて樹脂シート１１の物性を評価しているのは、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造を想定した条件で評価するためである。ただし、これらの評価における条件は、当然、実際の中空型電子デバイスパッケージの製造における条件と異なることがある。 As described above, the resin sheet 11 preferably has an intrusion amount X1 of 0 μm or more and 30 μm or less, which is measured by the procedure of Steps A to G. Further, it is preferable that a value obtained by subtracting the above-described penetration amount X1 from the penetration amount Y1 is 30 μm or less.
When the penetration amount X1 is 0 μm or more and 30 μm or less, in the actual production of a hollow electronic device package, when the electronic device is embedded in the resin sheet 11, it is moderately penetrated into the hollow portion between the electronic device and the adherend. can enter the resin.
Further, if the value obtained by subtracting the penetration amount X1 from the penetration amount Y1 is 30 μm or less, the flow of the resin in the hollow portion when the resin sheet 11 is thermally cured in the actual manufacture of the hollow electronic device package is reduced. can be suppressed.
It should be noted that the physical properties of the resin sheet 11 are evaluated using the intrusion amount X1 and the value obtained by subtracting the intrusion amount X1 from the intrusion amount Y1 under the conditions assuming the actual manufacture of the hollow electronic device package. It is for evaluation. However, the conditions in these evaluations may naturally differ from the conditions in the actual production of hollow electronic device packages.

また、前記進入量Ｙ１は、９０μｍ以下であることが好ましく、６０μｍ以下であることがより好ましい。中空型電子デバイスパッケージにおいて、バンプや電子デバイスに形成される能動面は、電子デバイスの端部から中空部方向に９０μｍ以上内側に設けられることが多い。従って、前記進入量Ｙ１を６０μｍ以下とすれば、中空型電子デバイスパッケージとして確実に機能させることが可能となる。 Also, the penetration amount Y1 is preferably 90 μm or less, more preferably 60 μm or less. In hollow electronic device packages, bumps and active surfaces formed on the electronic device are often provided 90 μm or more inward from the end of the electronic device in the direction of the hollow portion. Therefore, if the intrusion amount Y1 is set to 60 μm or less, the hollow electronic device package can function reliably.

［樹脂シートの製造方法］
樹脂シート１１は、適当な溶剤に樹脂シート１１を形成するための樹脂等を溶解、分散させてワニスを調整し、このワニスをセパレータ１１ａ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させて形成することができる。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０～１６０℃、乾燥時間１～３０分間の範囲内で行われる。
また、他の方法として、支持体上に前記ワニスを塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて樹脂シート１１を形成してもよい。その後、セパレータ１１ａ上に樹脂シート１１を支持体と共に貼り合わせる。樹脂シート１１が、特に、熱可塑性樹脂（アクリル樹脂）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を含む場合、これらすべてを溶剤に溶解させた上で、塗布、乾燥させる。溶剤としては、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン等を挙げることができる。
また、樹脂シート１１は、混練押出により製造してもよい。混練押出により製造する方法としては、例えば、樹脂シート１１を形成するための各成分をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物を可塑加工してシート状に形成する方法などが挙げられる。
具体的には、溶融混練後の混練物を冷却することなく高温状態のままで、押出成形することで、樹脂シートを形成することができる。このような押出方法としては、特に制限されず、Ｔダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。押出温度としては、上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０～１５０℃、好ましくは５０～１４０℃、さらに好ましくは７０～１２０℃である。以上により、樹脂シート１１を形成することができる。 [Method for manufacturing resin sheet]
The resin sheet 11 is formed by dissolving and dispersing a resin or the like for forming the resin sheet 11 in an appropriate solvent to prepare a varnish. After that, the coating film can be formed by drying under predetermined conditions. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include roll coating, screen coating, gravure coating and the like. The drying conditions are, for example, a drying temperature of 70 to 160° C. and a drying time of 1 to 30 minutes.
As another method, the resin sheet 11 may be formed by applying the varnish on the support to form a coating film, and then drying the coating film under the drying conditions. After that, the resin sheet 11 is pasted together with the support on the separator 11a. In particular, when the resin sheet 11 contains a thermoplastic resin (acrylic resin), an epoxy resin, or a phenol resin, all of these are dissolved in a solvent before being applied and dried. Examples of solvents include methyl ethyl ketone, ethyl acetate, and toluene.
Alternatively, the resin sheet 11 may be produced by kneading extrusion. As a method of manufacturing by kneading extrusion, for example, each component for forming the resin sheet 11 is melt-kneaded by a known kneader such as a mixing roll, a pressure kneader, and an extruder to prepare a kneaded product. For example, the kneaded product thus obtained is plastic-processed to form a sheet.
Specifically, the resin sheet can be formed by extruding the kneaded material after melt-kneading in a high temperature state without cooling. Such an extrusion method is not particularly limited, and includes a T-die extrusion method, a roll rolling method, a roll kneading method, a co-extrusion method, a calender molding method, and the like. The extrusion temperature is preferably at least the softening point of each component described above, and considering the thermosetting and moldability of the epoxy resin, for example, 40 to 150°C, preferably 50 to 140°C, more preferably 70 to 120°C. be. As described above, the resin sheet 11 can be formed.

［中空型電子デバイスパッケージの製造方法］
本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法は、
電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
樹脂シートを準備する工程と、
前記樹脂シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
熱プレスにより、前記電子デバイスを前記樹脂シートに埋め込む工程と、
前記埋め込む工程の後、前記樹脂シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
を少なくとも含む。 [Manufacturing method of hollow electronic device package]
A method for manufacturing a hollow electronic device package according to the present embodiment includes:
Preparing a laminate in which an electronic device is fixed on an adherend via bumps;
a step of preparing a resin sheet;
placing the resin sheet on the electronic device of the laminate;
embedding the electronic device in the resin sheet by hot pressing;
and a step of thermally curing the resin sheet to obtain a sealing body after the embedding step.

前記被着体としては特に限定されず、例えば、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板等が挙げられる。本実施形態では、ＬＴＣＣ基板１２上に搭載されたＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１により中空封止して中空型電子デバイスパッケージを作製する。なお、ＳＡＷチップ１３とは、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタを有するチップである。すなわち、本実施形態では、本発明の電子デバイスが、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタを有するチップである場合について説明する。 The adherend is not particularly limited, and examples thereof include LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrates, printed wiring boards, ceramic substrates, silicon substrates, and metal substrates. In this embodiment, a SAW chip 13 mounted on an LTCC substrate 12 is hollow-sealed with a resin sheet 11 to produce a hollow electronic device package. The SAW chip 13 is a chip having a SAW (Surface Acoustic Wave) filter. That is, in this embodiment, the electronic device of the present invention is a chip having a SAW (Surface Acoustic Wave) filter.

図７～図１１は、本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法を説明するための断面模式図である。 7 to 11 are schematic cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the hollow electronic device package according to this embodiment.

（積層体を準備する工程）
本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法では、まず、複数のＳＡＷチップ１３（ＳＡＷフィルタ１３）がＬＴＣＣ基板１２上に搭載された積層体１５を準備する（図７参照）。ＳＡＷチップ１３は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。ＳＡＷチップ１３のＬＴＣＣ基板１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。ＳＡＷチップ１３とＬＴＣＣ基板１２とはバンプ１３ａを介して電気的に接続されている。また、ＳＡＷチップ１３とＬＴＣＣ基板１２との間は、ＳＡＷフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部１４を維持するようになっている。ＳＡＷチップ１３とＬＴＣＣ基板１２との間の距離（中空部の幅）は適宜設定でき、一般的には１０～１００μｍ程度である。 (Step of preparing laminate)
In the method of manufacturing a hollow electronic device package according to the present embodiment, first, a laminate 15 having a plurality of SAW chips 13 (SAW filters 13) mounted on an LTCC substrate 12 is prepared (see FIG. 7). The SAW chip 13 can be formed by dicing a piezoelectric crystal on which a predetermined comb-shaped electrode is formed into individual pieces by a known method. A known device such as a flip chip bonder or a die bonder can be used to mount the SAW chip 13 on the LTCC substrate 12 . SAW chip 13 and LTCC substrate 12 are electrically connected via bumps 13a. A hollow portion 14 is maintained between the SAW chip 13 and the LTCC substrate 12 so as not to hinder the propagation of surface acoustic waves on the surface of the SAW filter. The distance (the width of the hollow portion) between the SAW chip 13 and the LTCC substrate 12 can be appropriately set, and is generally about 10 to 100 μm.

（樹脂シートを準備する工程）
また、本実施形態に係る中空型電子デバイスパッケージの製造方法では、樹脂シート１１（図１参照）を準備する。 (Step of preparing resin sheet)
Moreover, in the manufacturing method of the hollow electronic device package according to the present embodiment, the resin sheet 11 (see FIG. 1) is prepared.

（樹脂シートを配置する工程）
次に、図８に示すように、下側加熱板２２上に、積層体１５を、ＳＡＷチップ１３が固定された面を上にして配置するとともに、ＳＡＷチップ１３面上に樹脂シート１１を配置する。この工程においては、下側加熱板２２上にまず積層体１５を配置し、その後、積層体１５上に樹脂シート１１を配置してもよく、積層体１５上に樹脂シート１１を先に積層し、その後、積層体１５と樹脂シート１１とが積層された積層物を下側加熱板２２上に配置してもよい。 (Process of arranging resin sheet)
Next, as shown in FIG. 8, the laminate 15 is placed on the lower heating plate 22 with the surface to which the SAW chips 13 are fixed facing up, and the resin sheet 11 is placed on the surface of the SAW chips 13 . do. In this step, the laminate 15 may be first placed on the lower heating plate 22 and then the resin sheet 11 may be placed on the laminate 15 , or the resin sheet 11 may be first laminated on the laminate 15 . After that, the laminate obtained by laminating the laminate 15 and the resin sheet 11 may be placed on the lower heating plate 22 .

（電子デバイスを樹脂シートに埋め込む工程）
次に、図９に示すように、下側加熱板２２と上側加熱板２４とにより熱プレスして、ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に埋め込む。下側加熱板２２、及び、上側加熱板２４は、平板プレスが備えるものであってよい。樹脂シート１１は、ＳＡＷチップ１３及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能することとなる。 (Process of embedding electronic device in resin sheet)
Next, as shown in FIG. 9, the SAW chip 13 is embedded in the resin sheet 11 by hot pressing with the lower heating plate 22 and the upper heating plate 24 . The lower hot plate 22 and the upper hot plate 24 may be provided in a flat plate press. The resin sheet 11 functions as a sealing resin for protecting the SAW chip 13 and its associated elements from the external environment.

この埋め込む工程は、樹脂シート１１を構成する樹脂の、ＳＡＷフィルタ１３とＬＴＣＣ基板１２との間の中空部１４への進入量Ｘ２が０μｍ以上４０μｍ以下となるように行うことが好ましい。前記進入量Ｘ２は、好ましくは０μｍ以上３０μｍ以下である。前記進入量Ｘ２を０μｍ以上４０μｍ以下とする方法としては、樹脂シート１１の粘度を調整したり、熱プレス条件を調整することにより達成することができる。より具体的には、例えば、圧力、及び、温度を高めに設定する方法が挙げられる。 This embedding step is preferably performed so that the amount X2 of the resin forming the resin sheet 11 entering the hollow portion 14 between the SAW filter 13 and the LTCC substrate 12 is 0 μm or more and 40 μm or less. The penetration amount X2 is preferably 0 μm or more and 30 μm or less. The approach amount X2 can be adjusted to 0 μm or more and 40 μm or less by adjusting the viscosity of the resin sheet 11 or by adjusting the hot press conditions. More specifically, for example, there is a method of setting the pressure and temperature higher.

具体的に、ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に埋め込む際の熱プレス条件としては、樹脂シート１１の粘度等に応じて異なるが、温度が、好ましくは２０～１５０℃、より好ましくは４０～１００℃であり、圧力が、例えば、０．０１～２０ＭＰａ、好ましくは０．０５～５ＭＰａであり、時間が、例えば０．３～１０分間、好ましくは０．５～５分間である。熱プレス方法としては、平行平板プレスやロールプレスが挙げられる。なかでも、平行平板プレスが好ましい。熱プレス条件を上記数値範囲内とすることにより、進入量Ｘ２を上記数値範囲内とし易くなる。
熱プレス時の温度が高すぎると、熱プレス中に反応が開始し、侵入量がばらつく可能性があり、作業性の観点からも、低温（例えば、１００℃以下）等が求められている。また、圧力も、チップへの破損を防止する観点より、低圧が好ましい。 Specifically, the heat press conditions for embedding the SAW chip 13 in the resin sheet 11 vary depending on the viscosity of the resin sheet 11, but the temperature is preferably 20 to 150°C, more preferably 40 to 100°C. , the pressure is, for example, 0.01 to 20 MPa, preferably 0.05 to 5 MPa, and the time is, for example, 0.3 to 10 minutes, preferably 0.5 to 5 minutes. Parallel plate press and roll press are mentioned as a hot press method. Among them, a parallel plate press is preferable. By setting the hot press condition within the above numerical range, it becomes easier to set the penetration amount X2 within the above numerical range.
If the temperature during hot-pressing is too high, a reaction may start during hot-pressing and the amount of penetration may vary. From the viewpoint of workability, a low temperature (for example, 100° C. or lower) is required. Also, the pressure is preferably low from the viewpoint of preventing damage to the chip.

また、樹脂シート１１のＳＡＷチップ１３及びＬＴＣＣ基板１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下においてプレスすることが好ましい。
前記減圧条件としては、圧力が、例えば、０～２０Ｔｏｒｒ、好ましくは、５～１０Ｔｏｒｒであり、減圧保持時間（減圧開始からプレス開始までの時間）が、例えば、５～６００秒であり、好ましくは、１０～３００秒である。 Moreover, in consideration of improving the adhesion and followability of the resin sheet 11 to the SAW chip 13 and the LTCC substrate 12, it is preferable to press under reduced pressure conditions.
As the pressure reduction conditions, the pressure is, for example, 0 to 20 Torr, preferably 5 to 10 Torr, and the pressure reduction holding time (time from the start of pressure reduction to the start of pressing) is, for example, 5 to 600 seconds, preferably , 10 to 300 seconds.

（セパレータ剥離工程）
次に、本実施形態のように、片面にセパレータが付いた状態のままで樹脂シート１１を使用している場合には、セパレータ１１ａを剥離する（図１０参照）。 (Separator peeling process)
Next, when the resin sheet 11 is used with the separator attached to one side as in this embodiment, the separator 11a is peeled off (see FIG. 10).

（熱硬化させて封止体を得る工程）
次に、樹脂シート１１を熱硬化させて封止体２５を得る。
この封止体を得る工程は、封止体２５を得る工程の後の状態における、中空部１４への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が３０μｍ以下となるように行うことが好ましい。前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値は、好ましくは２５μｍ以下である。前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値を３０μｍ以下とする方法としては、樹脂シート１１の硬化前の粘度を調整したり、加熱時の硬化速度が早くなるように樹脂シート１１の構成材料を調整することにより達成することができる。具体的には、例えば、上記硬化促進剤を選択することにより達成することができる。 (Step of obtaining a sealed body by thermosetting)
Next, the resin sheet 11 is thermally cured to obtain the sealing body 25 .
In the process of obtaining this sealing body, the amount of resin entering the hollow portion 14 after the process of obtaining the sealing body 25 is Y2, and the amount of resin entering is subtracted from the amount of entering Y2 by the amount of entering X2. It is preferable to carry out so that the value is 30 μm or less. The value obtained by subtracting the penetration amount X2 from the penetration amount Y2 is preferably 25 μm or less. As a method of setting the value obtained by subtracting the amount of penetration X2 from the amount of penetration Y2 to 30 μm or less, the viscosity of the resin sheet 11 before curing may be adjusted, or the resin sheet 11 may be configured so as to increase the curing speed during heating. It can be achieved by adjusting materials. Specifically, it can be achieved, for example, by selecting the above curing accelerator.

具体的に、熱硬化処理の条件として、樹脂シート１１の粘度や構成材料等に応じて異なるが、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。
熱硬化処理の条件を上記数値範囲内とすることにより、埋め込む工程後から熱硬化工程後までの間の樹脂の流動距離、すなわち、進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値を３０μｍ以下とし易い。 Specifically, the heating temperature is preferably 100.degree. C. or higher, more preferably 120.degree. On the other hand, the upper limit of the heating temperature is preferably 200°C or lower, more preferably 180°C or lower. The heating time is preferably 10 minutes or longer, more preferably 30 minutes or longer. On the other hand, the upper limit of the heating time is preferably 180 minutes or less, more preferably 120 minutes or less. Moreover, the pressure may be applied as necessary, preferably 0.1 MPa or more, more preferably 0.5 MPa or more. On the other hand, the upper limit is preferably 10 MPa or less, more preferably 5 MPa or less.
By setting the conditions of the thermosetting treatment within the above numerical range, the flow distance of the resin from the embedding step to the thermosetting step, that is, the value obtained by subtracting the entering amount X2 from the entering amount Y2 is set to 30 μm or less. easy.

電子デバイスとしてのＳＡＷフィルタ１３を１つのみ封止した場合は、封止体２５を１つの中空型電子デバイスパッケージとすることができる。また、複数のＳＡＷフィルタ１３を一括して封止した場合は、ＳＡＷフィルタごとに分割することにより、それぞれ１つの中空型電子デバイスパッケージとすることができる。すなわち、本実施形態のように、複数のＳＡＷフィルタ１３を一括して封止した場合、さらに、下記の構成を行ってもよい。 When only one SAW filter 13 as an electronic device is sealed, the sealing body 25 can be made into one hollow electronic device package. Further, when a plurality of SAW filters 13 are collectively sealed, each SAW filter can be divided into one hollow electronic device package. That is, when a plurality of SAW filters 13 are collectively sealed as in the present embodiment, the following configuration may be performed.

（ダイシング工程）
熱硬化工程の後、封止体２５のダイシングを行ってもよい（図６参照）。これにより、ＳＡＷチップ１３単位での中空パッケージ１８（中空型電子デバイスパッケージ）を得ることができる。
ダイシングは、封止体２５をダイシングテープに貼り付けた後、ダイシングブレードによるダイシング等、公知の方法により行うことができる。封止体２５をダイシングテープに貼り付ける際には、封止体２５のＬＴＣＣ基板１２側の面をダイシングテープに貼り付ける。
ここで、樹脂シート１１は、グリシジル基含有アクリル樹脂を含み、前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量は、樹脂シートの樹脂成分全体に対して１５～８０重量％である。そのため、熱硬化後の封止体２５の反りは、抑制されている。従って、ダイシングテープに貼り付ける際に、全体にひずみが生じにくい。その結果、破損等の不具合がおこりにくい。また、反りが抑制されているため、ダイシングし易い。その結果、歩留りの低下を抑制できる。 (Dicing process)
After the heat curing process, the sealing body 25 may be diced (see FIG. 6). Thereby, a hollow package 18 (hollow electronic device package) for each SAW chip 13 can be obtained.
Dicing can be performed by a known method such as dicing with a dicing blade after attaching the sealing body 25 to a dicing tape. When attaching the sealing body 25 to the dicing tape, the surface of the sealing body 25 on the LTCC substrate 12 side is attached to the dicing tape.
Here, the resin sheet 11 contains a glycidyl group-containing acrylic resin, and the content of the glycidyl group-containing acrylic resin is 15 to 80% by weight based on the total resin components of the resin sheet. Therefore, warping of the sealing body 25 after thermosetting is suppressed. Therefore, when the film is attached to the dicing tape, it is less likely to be distorted as a whole. As a result, problems such as breakage are less likely to occur. In addition, since warpage is suppressed, dicing is easy. As a result, a decrease in yield can be suppressed.

（基板実装工程）
必要に応じて、中空パッケージ１８に対してバンプを形成し、これを別途の基板（図示せず）に実装する基板実装工程を行うことができる。中空パッケージ１８の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。 (Board mounting process)
If necessary, a substrate mounting process of forming bumps on the hollow package 18 and mounting them on a separate substrate (not shown) can be performed. A known device such as a flip chip bonder or a die bonder can be used to mount the hollow package 18 on the substrate.

上述した実施形態では、本発明の中空型電子デバイスが、可動部を有する半導体チップであるＳＡＷチップ１３である場合について説明した。しかしながら、本発明の中空型電子デバイスは、被着体と電子デバイスとの間に中空部を有するものであれば、この例に限定されない。例えば、可動部として圧力センサ、振動センサなどのＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）を有する半導体チップであってもよい。
また、上述の本実施形態では、樹脂シートを用いて、電子デバイスを平行平板プレスで埋め込む場合について説明したが、本発明は、この例に限定されず、真空状態の真空チェンバー内において、離型フィルムで、電子デバイスと電子デバイス用樹脂シートとの積層物を密閉した後、チャンバー内に大気圧以上のガスを導入して、電子デバイスを電子デバイス用樹脂シートの熱硬化性封止用シートに埋め込むこととしてもよい。具体的には、特開２０１３－５２４２４号公報に記載されている方法により、電子デバイスを樹脂シートの熱硬化性樹脂シートに埋め込むこととしてもよい。 In the above-described embodiments, the case where the hollow electronic device of the present invention is the SAW chip 13, which is a semiconductor chip having a movable portion, has been described. However, the hollow electronic device of the present invention is not limited to this example as long as it has a hollow portion between the adherend and the electronic device. For example, it may be a semiconductor chip having MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) such as a pressure sensor and a vibration sensor as a movable part.
Further, in the present embodiment described above, the case of embedding the electronic device by using a parallel plate press using a resin sheet has been described, but the present invention is not limited to this example, and in a vacuum chamber in a vacuum state, a mold release is performed. After sealing the laminate of the electronic device and the resin sheet for electronic devices with a film, a gas above the atmospheric pressure is introduced into the chamber, and the electronic device is made into a thermosetting sealing sheet for the resin sheet for electronic devices. It may be embedded. Specifically, the electronic device may be embedded in the thermosetting resin sheet of the resin sheet by the method described in JP-A-2013-52424.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below. However, the materials and compounding amounts described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to them, unless otherwise specified.

実施例で使用した樹脂シートの成分について説明する。
エポキシ樹脂Ａ：三菱樹脂製の８２５（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）
フェノール樹脂Ａ：明和化成製のＭＥＨ８０００Ｈ（ノボラック型フェノール樹脂）
硬化促進剤Ａ：四国化成工業社製の２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４－ヒドロキシメチル－５－メチルイミダゾール）
硬化促進剤Ｂ：日本曹達製のＨＣ１８８Ｗ（イミダゾール系触媒２Ｐ４ＭＨＺを５－ヒドロキシ―イソフタル酸で包接した潜在性硬化触媒。２Ｐ４ＭＨＺ含有割合６７％）
グリシジル基含有アクリル樹脂Ａ：根上工業製のＮＤＨＢ－１０１（グリシジル基を有するアクリル樹脂、平均重量分子量１２０万）
グリシジル基含有アクリル樹脂Ｂ：根上工業製のＮＤ－７８Ｌ（グリシジル基を有するアクリル樹脂、平均重量分子量１００万）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
無機充填剤Ａ：アドマテックス製のＡＣ－９１５０ＳＭＥ（平均粒径３μｍ、材質：アルミナ） Components of the resin sheet used in the examples will be described.
Epoxy resin A: Mitsubishi Plastics 825 (bisphenol A type epoxy resin)
Phenolic resin A: Meiwa Kasei MEH8000H (novolak type phenolic resin)
Curing accelerator A: 2P4MHZ-PW (2-phenyl-4-hydroxymethyl-5-methylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.
Curing accelerator B: HC188W manufactured by Nippon Soda (a latent curing catalyst in which imidazole-based catalyst 2P4MHZ is clathrated with 5-hydroxy-isophthalic acid. 2P4MHZ content 67%)
Glycidyl group-containing acrylic resin A: NDHB-101 manufactured by Negami Kogyo (acrylic resin having a glycidyl group, average weight molecular weight 1,200,000)
Glycidyl group-containing acrylic resin B: ND-78L manufactured by Negami Kogyo (acrylic resin having a glycidyl group, average weight molecular weight of 1,000,000)
Carbon black: #20 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation
Inorganic filler A: AC-9150SME manufactured by Admatechs (average particle size 3 μm, material: alumina)

［実施例、及び、比較例に係る樹脂シートの作成］
表１に記載の樹脂シートの配合比に従い、各成分を溶剤としてのメチルエチルケトンに溶解、分散させ、ワニスを得た。その後、ワニス粘度を調整するため、表１の「追加ＭＥＫ」に記載の量のＭＥＫ（メチルエチルケトン）をワニスに追加した。ＭＥＫ追加後のワニスを、シリコーン離型処理したセパレータ上に塗布した後、１１０℃で５分間乾燥させた。これにより、厚さ５０μｍのシートを得た。このシートを５層積層させて厚さ２５０μｍの樹脂シートを作製した。
なお、下記評価においては、樹脂シートの厚みは、下記評価で用いたチップ厚みとバンプ高さとの合計以上の厚みで実施することが好ましい。これは、シート厚が薄すぎると、侵入量が減り、安定的な評価を行うことができないためである。従って、本実施例では、下記評価での「チップ厚みとバンプ高さとの合計」である２５０μｍとした。 [Preparation of Resin Sheets According to Examples and Comparative Examples]
According to the compounding ratio of the resin sheet shown in Table 1, each component was dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone as a solvent to obtain a varnish. MEK (methyl ethyl ketone) was then added to the varnish in the amounts listed in Table 1 under "Additional MEK" to adjust the varnish viscosity. The varnish after MEK was added was applied on a silicone release-treated separator, and then dried at 110° C. for 5 minutes. A sheet having a thickness of 50 μm was thus obtained. Five layers of this sheet were laminated to prepare a resin sheet having a thickness of 250 μm.
In the following evaluation, it is preferable that the thickness of the resin sheet is equal to or greater than the sum of the chip thickness and bump height used in the following evaluation. This is because if the sheet thickness is too thin, the amount of penetration decreases and stable evaluation cannot be performed. Therefore, in the present embodiment, it was set to 250 μm, which is the “sum of chip thickness and bump height” in the following evaluation.

（反り評価）
実施例、比較例の樹脂シートを縦８７ｍｍ、横８７ｍｍ、厚さ２５０μｍに切り出し、反り評価用のサンプルとした。 (Warpage evaluation)
The resin sheets of Examples and Comparative Examples were cut into a size of 87 mm long, 87 mm wide and 250 μm thick to prepare a sample for evaluating warpage.

次に、反り評価用のアルミナ板（縦１００ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ）の中央に、下記貼り付け条件にて反り評価用サンプルを貼り付けた。
＜貼り付け条件＞
温度：９５℃
加圧時間：６０秒
加圧力：３００ｋＰａ Next, a warp evaluation sample was adhered to the center of an alumina plate for warp evaluation (100 mm long, 100 mm wide, 0.2 mm thick) under the following affixing conditions.
<Paste conditions>
Temperature: 95°C
Pressure time: 60 seconds Pressure: 300 kPa

次に、前記反り評価用サンプルを１７０℃で２時間加熱し、熱硬化させた。なお、本実施例では、硬化促進剤として、四国化成工業社製の２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール）を用いており、この製品「２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ」は、反応開始温度が１３０℃付近である。硬化度を高めるため（厳しい硬化条件で評価するため）、本実施例では、熱硬化条件を１７０℃で２時間とした。 Next, the warpage evaluation sample was heated at 170° C. for 2 hours to be thermally cured. In this example, 2P4MHZ-PW (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. was used as the curing accelerator. The temperature is around 130°C. In order to increase the degree of cure (to evaluate under severe curing conditions), in this example, the thermosetting conditions were set at 170° C. for 2 hours.

次に、反り量（熱硬化後の反り量）を測定した。具体的には、アルミナ板と反り評価用サンプルの積層物を、アルミナ板を下側にして平らな机の上に置き、アルミナ板の４隅が机から浮いている高さを測定した。４隅のうち、浮いている高さが一番高い部分の測定値を反り量とした。測定は、２５℃にて行った。 Next, the amount of warpage (the amount of warpage after thermosetting) was measured. Specifically, the laminate of the alumina plate and the sample for warpage evaluation was placed on a flat desk with the alumina plate facing downward, and the height at which the four corners of the alumina plate were lifted from the desk was measured. The measured value of the portion with the highest floating height among the four corners was taken as the amount of warpage. Measurements were made at 25°C.

次に、２６０℃で２０秒の加熱を３回行った。 Next, heating was performed at 260° C. for 20 seconds three times.

次に、反り量（リフロー後の反り量）を測定した。測定方法は、熱硬化後の反り量の測定と同様とした。リフロー後の反り量が２ｍｍ以下である場合を○、２ｍｍより大きく３ｍｍ以下である場合を△、３ｍｍより大きい場合を×と評価した。結果を表１に示す。 Next, the amount of warpage (the amount of warpage after reflow) was measured. The measurement method was the same as the measurement of the amount of warpage after thermosetting. The case where the amount of warpage after reflow was 2 mm or less was evaluated as ◯, the case where the amount was greater than 2 mm and 3 mm or less was evaluated as Δ, and the case where the amount was greater than 3 mm was evaluated as ×. Table 1 shows the results.

（パッケージ中空部への樹脂進入性評価）
＜ステップＡ＞
まず、下記仕様の４つのダミーチップが樹脂バンプを介してガラス基板（縦６ｃｍ、横１０ｃｍ、厚さ１．３ｍｍ）に実装されたダミーチップ実装基板を準備した。ガラス基板とダミーチップの間のギャップ幅は、５０μｍであった。
＜ダミーチップの仕様＞
チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍ、直径１０μｍの樹脂バンプ（樹脂の材質：アクリル樹脂）が形成されている。１チップのバンプ数は、６０バンプ。バンプの配置位置は、２５μｍピッチである。ダミーチップの材質は、シリコンウエハである。また、隣り合うチップとの距離Ｗは、０．５ｍｍである。
なお、近年、電子デバイスの薄型化が進んでおり、チップや半導体パッケージの薄型化が求められている。そのため、チップ表面に形成されるバンプ高さが１０～５０μｍ程度が求められている。ここで、バンプは、シリコンウエハを所定厚みまで研削した後にウエハ表面に形成しているため、ウエハ厚みがあまり薄すぎるとバンプを有効に形成できなくなる。そこで、本実施例では、バンプを安定的に形成できるウエハ厚みの限界を考慮し、チップ厚さとして約２００μｍを採用して評価した。また、評価のバラツキを抑えるためには、バンプ高さは低い方がよい。この観点より、バンプ高さを５０μｍとして評価した。 (Evaluation of penetration of resin into hollow part of package)
<Step A>
First, a dummy chip mounting substrate was prepared in which four dummy chips having the following specifications were mounted on a glass substrate (6 cm long, 10 cm wide, 1.3 mm thick) via resin bumps. A gap width between the glass substrate and the dummy chip was 50 μm.
<Dummy chip specifications>
The chip size is 3 mm long, 3 mm wide, and 200 μm thick, and resin bumps (resin material: acrylic resin) having a height of 50 μm and a diameter of 10 μm are formed. The number of bumps in one chip is 60 bumps. The bumps are arranged at a pitch of 25 μm. The material of the dummy chip is a silicon wafer. A distance W between adjacent chips is 0.5 mm.
In recent years, electronic devices have become thinner, and there is a demand for thinner chips and semiconductor packages. Therefore, the height of bumps formed on the chip surface is required to be about 10 to 50 μm. Here, since the bumps are formed on the wafer surface after grinding the silicon wafer to a predetermined thickness, if the wafer thickness is too thin, the bumps cannot be effectively formed. Therefore, in this embodiment, considering the wafer thickness limit for stably forming bumps, a chip thickness of about 200 μm was used for evaluation. Also, in order to suppress variations in evaluation, the bump height should be as low as possible. From this point of view, the bump height was evaluated as 50 μm.

具体的には、上記ダミーチップを、下記ボンディング条件で、上記ガラス基板に実装することにより、ダミーチップ実装基板を準備した。
＜ボンディング条件＞
装置：パナソニック電工（株）製
ボンディング条件：２００℃、３Ｎ、１秒、超音波出力２Ｗ Specifically, the dummy chip mounting substrate was prepared by mounting the dummy chip on the glass substrate under the following bonding conditions.
<Bonding conditions>
Equipment: manufactured by Panasonic Electric Works Co., Ltd. Bonding conditions: 200° C., 3 N, 1 second, ultrasonic output 2 W

＜ステップＢ＞
上記実施例、比較例にて作成した厚さ２５０μｍの樹脂シートを縦２ｃｍ、横２ｃｍに切り出してサンプルとした。 <Step B>
A 2 cm long by 2 cm wide resin sheet was cut from the resin sheet having a thickness of 250 μm prepared in the above examples and comparative examples to obtain a sample.

＜ステップＣ＞
前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置した。 <Step C>
The sample was placed on the dummy chip of the dummy chip mounting board.

＜ステップＤ＞
下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込んだ。
＜埋め込み条件＞
プレス方法：平板プレス
温度：９０℃
加圧力：１．２ＭＰａ
プレス時の真空度：１０ｔｏｒｒ
プレス時間：１分 <Step D>
The dummy chip was embedded in the sample under the following embedding conditions.
<Embedding conditions>
Pressing method: Flat press Temperature: 90°C
Pressing force: 1.2 MPa
Degree of vacuum during pressing: 10 torr
Press time: 1 minute

＜ステップＥ＞
大気圧に開放した後、前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定した。具体的には、ＫＥＹＥＮＣＥ社製、商品名「デジタルマイクロスコープ」（２００倍）により、ダミーチップとセラミック基板との間の中空部への樹脂の進入量Ｘ１を測定した。樹脂進入量Ｘ１は、ＳＡＷチップの端部から中空部へ進入した樹脂の最大到達距離を測定し、これを樹脂進入量Ｘ１とした。なお、進入がなく、中空部がＳＡＷチップよりも外側に広がっている場合は、樹脂進入量をマイナスで表した。 <Step E>
After releasing to the atmospheric pressure, the amount X1 of the resin forming the sample entering into the hollow portion between the dummy chip and the glass substrate was measured. Specifically, the penetration amount X1 of the resin into the hollow portion between the dummy chip and the ceramic substrate was measured using KEYENCE Co., Ltd., trade name "Digital Microscope" (200x magnification). The amount X1 of resin intrusion was obtained by measuring the maximum reaching distance of the resin entering the hollow portion from the end of the SAW chip, and using this as the amount X1 of resin intrusion. In addition, when there is no penetration and the hollow portion spreads outside the SAW chip, the amount of resin penetration is indicated by a minus value.

＜ステップＦ＞
前記ステップＥの後、１７０℃の熱風乾燥機中に２時間放置した。これにより、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得た。 <Step F>
After the step E, it was left in a hot air dryer at 170°C for 2 hours. As a result, the sample was thermally cured to obtain a sealed body sample.

＜ステップＧ＞
その後、封止体サンプルにおける中空部への樹脂の進入量Ｙ１を測定した。測定方法は、進入量Ｘ１と同様である。 <Step G>
After that, the resin entering amount Y1 into the hollow portion of the sealing body sample was measured. The measuring method is the same as that of the approach amount X1.

その後、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値を求めた。進入量Ｘ１が１００μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から進入量Ｘ１を引いた値（Ｙ１－Ｘ１）が２０μｍ以下である場合を○、進入量Ｘ１が１００μｍよりも大きい、又は、（Ｙ１－Ｘ１）が２０μｍより大きい場合を△、進入量Ｘ１が１００μｍよりも大きく、且つ、（Ｙ１－Ｘ１）が２０μｍより大きい場合を×として評価した。結果を表１に示す。 After that, a value obtained by subtracting the amount of approach X1 from the amount of approach Y1 was obtained. If the penetration amount X1 is 100 μm or less and the value obtained by subtracting the penetration amount X1 from the penetration amount Y1 (Y1−X1) is 20 μm or less, ◯, the penetration amount X1 is greater than 100 μm, or (Y1− A case where X1) was larger than 20 μm was evaluated as Δ, and a case where the penetration amount X1 was larger than 100 μm and (Y1−X1) was larger than 20 μm was evaluated as ×. Table 1 shows the results.

（熱硬化後の２５℃での貯蔵弾性率の測定）
実施例及び比較例で作製した樹脂シートを１５０℃、１時間の条件で熱硬化させた。なお、本明細書において、「熱硬化後の２５℃での貯蔵弾性率」とは、１５０℃、１時間の条件で熱硬化させた後の２５℃での貯蔵弾性率をいう。
次に、樹脂シートの熱硬化後の２５℃における貯蔵弾性率を測定した。結果を表１に示す。
ここでの貯蔵弾性率は、樹脂シートを厚さ０．１ｍｍ、幅２ｍｍ、長さ４０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、インスツルメント社製の動的粘弾性測定装置（ＲＳＡ－Ｇ２）を用いて、下記測定条件にて測定して得られた値である。
＜測定条件＞
周波数：１ｈｚ
ひずみ：０．０５％
Ｇａｐ：２０ｍｍ
測定温度領域：－１０℃～２６０℃
温度上昇速度：１０℃／ｍｉｎ (Measurement of storage modulus at 25°C after thermosetting)
The resin sheets produced in Examples and Comparative Examples were thermally cured at 150° C. for 1 hour. In the present specification, "storage modulus at 25°C after thermosetting" refers to storage modulus at 25°C after thermosetting at 150°C for 1 hour.
Next, the storage elastic modulus at 25° C. after thermosetting of the resin sheet was measured. Table 1 shows the results.
The storage modulus here is obtained by cutting the resin sheet into strips with a thickness of 0.1 mm, a width of 2 mm, and a length of 40 mm with a cutter knife, and a dynamic viscoelasticity measuring device (RSA-G2) manufactured by Instruments Co., Ltd. It is a value obtained by measuring under the following measurement conditions.
<Measurement conditions>
Frequency: 1hz
Strain: 0.05%
Gap: 20mm
Measurement temperature range: -10°C to 260°C
Temperature rise rate: 10°C/min

Figure 0007257731000001
Figure 0007257731000001

１１ 電子デバイス封止用樹脂シート（樹脂シート）
１３ ＳＡＷフィルタ（電子デバイス）
１４ 中空部
１５ 積層体
１８ 中空型電子デバイスパッケージ
２５ 封止体
１１２ ガラス基板
１１３ ダミーチップ
１１３ａ 樹脂バンプ
１１４ 中空部
１１５ ダミーチップ実装基板 11 Electronic device sealing resin sheet (resin sheet)
13 SAW filter (electronic device)
14 Hollow Part 15 Laminate 18 Hollow Electronic Device Package 25 Sealing Body 112 Glass Substrate 113 Dummy Chip 113a Resin Bump 114 Hollow Part 115 Dummy Chip Mounting Substrate

Claims (4)

グリシジル基含有アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及び、硬化促進剤を含み、
前記グリシジル基含有アクリル樹脂の含有量は、樹脂シートの樹脂成分全体に対して１５～８０重量％であり、
前記硬化促進剤は、反応開始温度を１３０℃以下とすることができるものであることを特徴とする中空封止用の樹脂シート。 glycidyl group-containing acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, and a curing accelerator,
The content of the glycidyl group-containing acrylic resin is 15 to 80% by weight with respect to the total resin component of the resin sheet,
The resin sheet for hollow sealing , wherein the curing accelerator can set the reaction initiation temperature to 130° C. or lower. 前記グリシジル基含有アクリル樹脂の重量平均分子量は、１０万以上２００万以下であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂シート。 2. The resin sheet according to claim 1, wherein the glycidyl group-containing acrylic resin has a weight average molecular weight of 100,000 or more and 2,000,000 or less. 熱硬化後の２５℃での引張貯蔵弾性率が、２０ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂シート。 3. The resin sheet according to claim 1, wherein the tensile storage modulus at 25[deg.] C. after thermosetting is 20 GPa or less. 無機充填剤を含み、
前記無機充填剤の含有量は、樹脂シート全体に対して８０～９２重量％であることを特徴とする請求項１～３のいずれか１に記載の樹脂シート。 containing inorganic fillers,
4. The resin sheet according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the inorganic filler is 80 to 92% by weight with respect to the entire resin sheet.
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