JP7255254B2 - 半導体モジュールの製造方法および組立冶具セット - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 146
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4825—Connection or disconnection of other leads to or from flat leads, e.g. wires, bumps, other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67333—Trays for chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
特許文献1 特開2015-170731号公報
特許文献2 特開2006-093574号公報
特許文献3 特開2005-109416号公報
T=α×2×t
αは、半導体セルの取り数である。tは、冶具1個を載置するためにかかる時間である。
Claims (10)
- 半導体チップを有する半導体モジュールの製造方法であって、
載置用トレイに複数の回路基板を載置する段階と、
複数の第1個別冶具を第1トレイ冶具上に載置する段階と、
前記載置用トレイ上に前記第1トレイ冶具を載置することにより、前記複数の第1個別冶具を前記複数の回路基板に載置する段階と、
前記複数の第1個別冶具により、前記半導体チップの載置面に平行な平行方向における位置を決定して、前記複数の回路基板のそれぞれに半導体チップを搭載する段階と
を備える製造方法。 - 前記複数の第1個別冶具は、前記第1トレイ冶具により、前記平行方向における位置が決定されている
請求項1に記載の製造方法。 - 前記半導体チップを搭載する段階において、前記複数の第1個別冶具は、前記複数の回路基板により、前記半導体チップの載置面と直交する直交方向における位置が決定されている
請求項1または2に記載の製造方法。 - 前記第1トレイ冶具上に、複数の第2個別冶具が載置された第2トレイ冶具を載置する段階と、
前記複数の第2個別冶具により、前記平行方向における位置を決定して、複数の前記半導体チップのそれぞれに金属配線板を搭載する段階と
をさらに備える
請求項1から3のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記複数の第2個別冶具は、前記第2トレイ冶具により、前記平行方向における位置が決定されている
請求項4に記載の製造方法。 - 前記金属配線板を搭載する段階において、前記複数の第2個別冶具は、前記複数の第1個別冶具により、前記半導体チップの載置面と直交する直交方向における位置が決定されている
請求項4または5に記載の製造方法。 - 半導体チップを有する半導体モジュールの組立冶具セットであって、
複数の回路基板を載置するための載置用トレイと、
前記載置用トレイにより、前記半導体チップの載置面に平行な平行方向における位置が決定された第1トレイ冶具と、
前記第1トレイ冶具上に載置された、前記複数の回路基板のそれぞれに前記半導体チップを搭載するための複数の第1個別冶具であって、前記第1トレイ冶具により前記平行方向における位置が決定された複数の第1個別冶具と
を備える組立冶具セット。 - 前記第1トレイ冶具により前記平行方向における位置が決定された第2トレイ冶具と、
前記第2トレイ冶具上に載置された、複数の前記半導体チップのそれぞれに金属配線板を搭載するための複数の第2個別冶具であって、前記第2トレイ冶具により前記平行方向における位置が決定された複数の第2個別冶具と
をさらに備える
請求項7に記載の組立冶具セット。 - 前記第1トレイ冶具は、位置決め用の複数のピンを有し、
前記載置用トレイおよび前記第2トレイ冶具は、前記複数のピンを受け入れるための複数の窪みを有する
請求項8に記載の組立冶具セット。 - 前記複数の第1個別冶具は、前記半導体チップを誘導するための傾斜部を有する
請求項7から9のいずれか一項に記載の組立冶具セット。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019049861A JP7255254B2 (ja) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | 半導体モジュールの製造方法および組立冶具セット |
CN202010078985.5A CN111710610A (zh) | 2019-03-18 | 2020-02-03 | 半导体模块的制造方法和组装治具套件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019049861A JP7255254B2 (ja) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | 半導体モジュールの製造方法および組立冶具セット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020155457A JP2020155457A (ja) | 2020-09-24 |
JP7255254B2 true JP7255254B2 (ja) | 2023-04-11 |
Family
ID=72536192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019049861A Active JP7255254B2 (ja) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | 半導体モジュールの製造方法および組立冶具セット |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7255254B2 (ja) |
CN (1) | CN111710610A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088008A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置製造用治具、半導体装置の製造方法 |
JP2015170731A (ja) | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、位置決め治具 |
JP2018098255A (ja) | 2016-12-08 | 2018-06-21 | 新電元工業株式会社 | リフロー治具、およびリフロー治具を用いた電子装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-03-18 JP JP2019049861A patent/JP7255254B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-03 CN CN202010078985.5A patent/CN111710610A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088008A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置製造用治具、半導体装置の製造方法 |
JP2015170731A (ja) | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、位置決め治具 |
JP2018098255A (ja) | 2016-12-08 | 2018-06-21 | 新電元工業株式会社 | リフロー治具、およびリフロー治具を用いた電子装置の製造方法 |
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CN111710610A (zh) | 2020-09-25 |
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