JP7253646B2 - π-conjugated compound, organic electroluminescence device material, light-emitting material, charge transport material, light-emitting thin film, organic electroluminescence device, display device and lighting device - Google Patents

Description

本発明は、π共役系化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、発光材料、電荷輸送材料、発光性薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。 The present invention relates to a π-conjugated compound, an organic electroluminescence device material, a light-emitting material, a charge transport material, a light-emitting thin film, an organic electroluminescence device, a display device and a lighting device.

有機材料のエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「ＥＬ」と略記する。）を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子（「有機電界発光素子」、「有機ＥＬ素子」ともいう。）は、平面発光を可能とする新しい発光システムとして既に実用化されている技術である。有機ＥＬ素子は、電子ディスプレイはもとより、最近では照明機器にも適用され、その発展が期待されている。 An organic electroluminescence device (also referred to as an “organic electroluminescence device” or “organic EL device”) utilizing electroluminescence (hereinafter abbreviated as “EL”) of an organic material enables planar light emission. This technology has already been put into practical use as a new light emitting system. Organic EL devices have recently been applied not only to electronic displays but also to lighting equipment, and their development is expected.

有機ＥＬ素子の発光方式としては、三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。 There are two emission methods for organic EL devices: phosphorescent emission, which emits light when the triplet excited state returns to the ground state, and fluorescence emission, which emits light when the singlet excited state returns to the ground state. there is a street

有機ＥＬ素子に電界をかけると、陽極と陰極からそれぞれ正孔と電子が注入され、発光層において再結合し励起子を生じる。このとき一重項励起子と三重項励起子とが２５％：７５％の割合で生成するため、三重項励起子を利用するリン光発光の方が、蛍光発光に比べ、理論的に高い内部量子効率が得られることが知られている。しかしながら、リン光発光方式において実際に高い量子効率を得るためには、中心金属にイリジウムや白金等の希少金属を用いた錯体を用いる必要があり、将来的に希少金属の埋蔵量や金属自体の値段が産業上大きな問題となることが懸念される。 When an electric field is applied to the organic EL element, holes and electrons are injected from the anode and the cathode, respectively, and recombine in the light-emitting layer to generate excitons. At this time, singlet excitons and triplet excitons are generated at a ratio of 25%: 75%, so phosphorescence emission using triplet excitons is theoretically higher than fluorescence emission. Efficiency is known to be obtained. However, in order to actually obtain high quantum efficiency in the phosphorescence emission method, it is necessary to use a complex using a rare metal such as iridium or platinum as the central metal. There is concern that the price will become a major problem in the industry.

一方で、蛍光発光型においても発光効率を向上させるために様々な開発がなされており、近年新しい動きが出てきた。例えば、特許文献１には、二つの三重項励起子の衝突により一重項励起子が生成する現象（Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ：以下、適宜「ＴＴＡ」と略記する。また、Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｆｕｓｉｏｎ：「ＴＴＦ」ともいう。）に着目し、ＴＴＡを効率的に起こして蛍光素子の高効率化を図る技術が開示されている。この技術により蛍光発光材料の発光効率は従来の蛍光発光材料の２～３倍まで向上しているが、ＴＴＡにおける理論的な一重項励起子生成効率は４０％程度にとどまるため、依然としてリン光発光に比べ高発光効率化の問題を有している。 On the other hand, various developments have been made in order to improve the luminous efficiency of the fluorescent light emitting type, and new trends have emerged in recent years. For example, Patent Document 1 describes a phenomenon in which singlet excitons are generated by collisions of two triplet excitons (Triplet-Triplet Annihilation: hereinafter abbreviated as “TTA” as appropriate. Also, Triplet-Triplet Fusion: “TTF (also referred to as ". Although this technology has improved the luminous efficiency of fluorescent materials to 2 to 3 times that of conventional fluorescent materials, the theoretical singlet exciton generation efficiency in TTA is only about 40%, so phosphorescence is still emitted. However, it has a problem of high luminous efficiency.

さらに近年では、三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差（Ｒｅｖｅｒｓｅ Ｉｎｔｅｒｓｙｓｔｅｍ Ｃｒｏｓｓｉｎｇ：以下、適宜「ＲＩＳＣ」と略記する。）が生じる現象を利用した現象（熱活性型遅延蛍光（「熱励起型遅延蛍光」ともいう：Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：以下、適宜「ＴＡＤＦ」と略記する。）を利用した蛍光発光材料と、有機ＥＬ素子への利用の可能性が報告されている（例えば、特許文献２、非特許文献１、非特許文献２参照）。このＴＡＤＦ機構による遅延蛍光を利用すると、電界励起による蛍光発光においても、理論的にはリン光発光と同等の１００％の内部量子効率が可能となる。 Furthermore, in recent years, a phenomenon (thermally activated delayed fluorescence (“ Also referred to as "thermally activated delayed fluorescence": Thermally Activated Delayed Fluorescence: hereinafter abbreviated as "TADF". See Patent Document 2, Non-Patent Document 1, and Non-Patent Document 2.) When delayed fluorescence by this TADF mechanism is used, the internal quantum efficiency of 100%, which is theoretically equivalent to phosphorescence emission, is achieved even in fluorescence emission due to electric field excitation. becomes possible.

ＴＡＤＦ現象を発現させるためには、室温又は発光素子中の発光層温度で電界励起により生じた７５％の三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差が起こる必要がある。さらに、逆項間交差により生じた一重項励起子が、直接励起により生じた２５％の一重項励起子と同様に蛍光発光することにより、１００％の内部量子効率が理論上可能となる。この逆項間交差が起こるためには、最低励起一重項エネルギー準位（Ｓ１）と最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１）の差の絶対値（ΔＥ_ＳＴ）が小さいことが求められる。 In order to develop the TADF phenomenon, 75% of triplet excitons generated by electric field excitation must undergo reverse intersystem crossing to singlet excitons at room temperature or at the temperature of the light-emitting layer in the light-emitting device. Furthermore, 100% internal quantum efficiency is theoretically possible because singlet excitons generated by reverse intersystem crossing fluoresce like 25% of singlet excitons generated by direct excitation. In order for this reverse intersystem crossing to occur, the absolute value (ΔE _ST ) of the difference between the lowest excited singlet energy level (S1) and the lowest triplet excited energy level (T1) must be small.

さらに、ホスト材料と発光材料からなる発光層に、ＴＡＤＦ性を示す材料を第三成分（アシストドーパント材料）として発光層に含めると、高発光効率の発現に有効であることが知られている（非特許文献３参照）。アシストドーパント材料上に２５％の一重項励起子と７５％の三重項励起子を電界励起により発生させることによって、三重項励起子は逆項間交差（ＲＩＳＣ）を伴って一重項励起子を生成することができる。一重項励起子のエネルギーは、発光材料へ蛍光共鳴エネルギー移動（Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｅｎｅｒｇｙ ｔｒａｎｓｆｅｒ：以下、適宜、「ＦＲＥＴ」と略記する。）し、発光材料が移動してきたエネルギーにより発光することが可能となる。従って、理論上１００％の励起子エネルギーを利用して、発光材料を発光させることが可能となり、高発光効率が発現する。 Furthermore, it is known that when a material exhibiting TADF properties is included as a third component (assist dopant material) in the light-emitting layer composed of a host material and a light-emitting material, high light-emitting efficiency can be achieved ( See Non-Patent Document 3). By generating 25% singlet excitons and 75% triplet excitons on the assisting dopant material by electric field excitation, the triplet excitons generate singlet excitons with reverse intersystem crossing (RISC). can do. The energy of the singlet exciton is transferred to the light-emitting material by fluorescence resonance energy transfer (hereinafter abbreviated as “FRET” as appropriate), and the energy transferred by the light-emitting material makes it possible to emit light. . Therefore, theoretically, 100% of the exciton energy can be used to cause the luminescent material to emit light, resulting in high luminous efficiency.

例えばＴＡＤＦ現象を発現させるためには、有機化合物のΔＥ_ＳＴを小さくすることが有効であり；ΔＥ_ＳＴを小さくするためには、分子内の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）を混在させずに局在化させること（明確に分離すること）が有効である。 For example, in order to develop the TADF phenomenon, it is effective to reduce _{the ΔEST} of an organic compound; LUMO) are localized (clearly separated) without being mixed.

図１及び図２は、ＴＡＤＦ現象を発現する化合物（ＴＡＤＦ化合物）と一般的な蛍光発光材料のエネルギーダイヤグラム示した模式図である。例えば、図１に示す構造を有する２ＣｚＰＮでは、ベンゼン環上の１位と２位のカルバゾリル基にＨＯＭＯが局在し、４位と５位のシアノ基にＬＵＭＯが局在している。そのため、２ＣｚＰＮのＨＯＭＯとＬＵＭＯを分離することができ、ΔＥ_ＳＴが極めて小さくなってＴＡＤＦ現象を発現する。一方、２ＣｚＰＮの４位と５位のシアノ基をメチル基に置き換えた２ＣｚＸｙ（図２）では、構造は類似しているが、２ＣｚＰＮでみられるＨＯＭＯとＬＵＭＯの明確な分離ができないために、ΔＥ_ＳＴを小さくすることはできず、ＴＡＤＦ現象を発現させるには至らない。 1 and 2 are schematic diagrams showing energy diagrams of a compound (TADF compound) that exhibits the TADF phenomenon and general fluorescent light-emitting materials. For example, in 2CzPN having the structure shown in FIG. 1, HOMO is localized at the 1- and 2-position carbazolyl groups on the benzene ring, and LUMO is localized at the 4- and 5-position cyano groups. Therefore, the HOMO and LUMO of 2CzPN can be separated, _ΔEST becomes extremely small, and the TADF phenomenon occurs. On the other hand, 2CzXy in which the cyano groups at the 4- and 5-positions of 2CzPN are replaced with methyl groups (Fig. 2) has a similar structure, but the HOMO and LUMO seen in 2CzPN cannot be clearly separated, resulting in ΔE _ST cannot be reduced, and the TADF phenomenon is not brought about.

このように、２ＣｚＰＮ等の従来の化合物でもＴＡＤＦ現象を発現し得るが、ΔＥ_ＳＴを一層小さくして、有機ＥＬ素子の発光効率を一層高めることが求められている。 As described above, even conventional compounds such as 2CzPN can exhibit the TADF phenomenon, but there is a need to further reduce _ΔEST and further increase the luminous efficiency of organic EL devices.

国際公開第２０１０／１３４３５０号WO2010/134350 特開２０１３－１１６９７５号公報JP 2013-116975 A

Ｈ．Ｕｏｙａｍａ，ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ，２０１２，４９２，２３４－２３８H. Uoyama, et al. , Nature, 2012, 492, 234-238 Ｑ．Ｚｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ，Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ，２０１４，８，３２６－３３２Q. Zhang et al. , Nature, Photonics, 2014, 8, 326-332 Ｈ．Ｎａｋａｎоｔａｎｉ，ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｉｏｎ，２０１４，５，４０１６－４０２２．H. Nakanotani, et al. , Nature Communication, 2014, 5, 4016-4022.

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を改良しうる新たなπ共役系化合物を提供することである。また、当該π共役系化合物を用いた、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、発光材料、電荷輸送材料、発光性薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems and circumstances, and the problem to be solved is to provide a new π-conjugated compound capable of improving the luminous efficiency of, for example, an organic electroluminescence device. Further, an organic electroluminescence device material, a light-emitting material, a charge transport material, a light-emitting thin film, an organic electroluminescence device, and a display device and a lighting device equipped with the organic electroluminescence device are provided using the π-conjugated compound. It is to be.

［１］ 下記一般式（１）で表される、π共役系化合物。

（一般式（１）中、Ｑ^１～Ｑ^３は、それぞれ－ＣＨ又は窒素原子を表し、Ｌ^１、Ｌ^２及びＭは、それぞれ電子供与性基Ｄ又は電子求引性基Ａを表し、前記Ｌ^１及びＬ^２が前記電子供与性基Ｄであり、且つ前記Ｍが前記電子求引性基Ａであるか、又は前記Ｌ^１及びＬ^２が前記電子求引性基Ａであり、且つ前記Ｍが前記電子供与性基Ｄであり、前記電子供与性基Ｄは、置換されていてもよい１０，１１－ジヒドロジベンゾアゼピン環、置換されていてもよい９，１０－ジヒドロアクリジン環、置換されていてもよい５，１０－ジヒドロフェナジン環、置換されていてもよい５，１０－ジヒドロフェナザシリン環、置換されていてもよいフェノキサジン環、置換されていてもよいフェノチアジン環、置換されていてもよいベンゾフリルインドール環、置換されていてもよいベンゾチエノインドール環、置換されていてもよいベンゾチエノベンゾチオフェン環、置換されていてもよいベンゾカルバゾール環、置換されていてもよいジベンゾカルバゾール環、置換されていてもよいアザカルバゾール環、及び置換されていてもよいジアザカルバゾール環からなる群より選ばれる置換されていてもよい電子供与性の複素環基、又は置換されたアミノ基であり、前記電子求引性基Ａは、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されたカルボニル基、置換されたスルホニル基、置換されたホスフィンオキサイド基、置換されたボリル基、電子求引性基で置換されていてもよいアリール基、及び置換されていてもよい電子求引性の複素環基からなる群より選ばれる基である）
［２］ 前記Ｌ^１及びＬ^２が前記電子供与性基Ｄであり、且つ前記Ｍが前記電子求引性基Ａである、［１］に記載のπ共役系化合物。
［３］ 前記Ｌ^１及びＬ^２が前記電子求引性基Ａであり、且つ前記Ｍが前記電子供与性基Ｄであり、前記Ｌ^１とＬ^２が同時にシアノ基ではない、［１］に記載のπ共役系化合物。
［４］ 前記Ｑ^１～Ｑ^３は、いずれも－ＣＨである、［１］～［３］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物。
［５］ 前記Ｑ^１～Ｑ^３は、いずれも窒素原子である、［１］～［３］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物。
［６］ 前記電子供与性基Ｄは、置換されていてもよい９，１０－ジヒドロアクリジン環、置換されていてもよい５，１０－ジヒドロフェナザシリン環、及び置換されていてもよいフェノキサジン環からなる群より選ばれる置換されていてもよい電子供与性の含窒素芳香族複素環基であり、且つ該含窒素芳香族複素環基の窒素原子が前記Ｑ^１～Ｑ^３を含む環と結合しているか、又は前記置換されたアミノ基である、［１］～［５］のいずれかに記載のπ共役系化合物。
［７］ 前記電子供与性基Ｄは、置換されていてもよいアザカルバゾリル基、又は置換されていてもよいジアザカルバゾリル基である、［１］～［５］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物。
［８］ 前記電子求引性基Ａは、シアノ基、シアノ基で置換されたアリール基、無置換の含窒素芳香族六員環基、フッ素原子で置換された含窒素芳香族六員環基、シアノ基で置換された含窒素芳香族六員環基、フッ素置換アルキル基で置換された含窒素芳香族六員環基、及び置換されていてもよいアリール基で置換された含窒素芳香族六員環基、アザジベンゾフリル基、及びジアザジベンゾフリル基からなる群より選ばれる基である、［１］～［７］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物。
［９］ 前記電子求引性基Ａは、無置換のアリール基である、［１］～［７］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物。
［１０］ 最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差の絶対値ΔＥ_ＳＴが０．５０ｅＶ以下である、［１］～［９］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物。
［１１］［１］～［１０］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
［１２］ ［１］～［１０］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物を含み、前記π共役系化合物が蛍光を放射する、発光材料。
［１３］ 前記π共役系化合物が、遅延蛍光を放射する、［１２］に記載の発光材料。
［１４］［１］～［１０］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物を含み、前記π共役系化合物が蛍光を放射する、電荷輸送材料。
［１５］ 前記π共役系化合物が、遅延蛍光を放射する、［１４］に記載の電荷輸送材料。
［１６］ ［１］～［１０］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物を含む、発光性薄膜。
［１７］ 陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層とを含み、前記発光層の少なくとも一層が、［１］～［１０］のいずれか一項に記載のπ共役系化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
［１８］ 前記発光層が、ホスト化合物をさらに含む、［１７］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［１９］ 前記発光層は、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物の少なくとも一方をさらに含む、［１７］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［２０］ 前記発光層は、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物の少なくとも一方と、ホスト化合物とをさらに含む、［１７］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
［２１］ 前記ホスト化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される構造を有する、［１８］又は［２０］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（一般式（Ｉ）中、Ｘ_１０１は、ＮＲ_１０１、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、ＣＲ_１０２Ｒ_１０３又はＳｉＲ_１０４Ｒ_１０５を表し、ｙ_１～ｙ_８は、それぞれ独立に、ＣＲ_１０６又は窒素原子を表し、Ｒ_１０１～Ｒ_１０６は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、Ａｒ_１０１及びＡｒ_１０２は、それぞれ独立に、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、ｎ１０１及びｎ１０２は、各々０～４の整数を表す。ただし、Ｒ_１０１が水素原子の場合は、ｎ１０１は１～４の整数を表す。）
［２２］ 前記一般式（Ｉ）で表される構造を有するホスト化合物が、下記一般式（II）で表される構造を有する、［２１］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（一般式（II）中、Ｘ_１０１は、ＮＲ_１０１、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、ＣＲ_１０２Ｒ_１０３又はＳｉＲ_１０４Ｒ_１０５を表し、Ｒ_１０１～Ｒ_１０５は、各々水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、Ａｒ_１０１及びＡｒ_１０２は、それぞれ独立に、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、ｎ１０２は０～４の整数を表す。）
［２３］ ［１７］～［２２］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、表示装置。
［２４］ ［１７］～［２２］のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、照明装置。 [1] A π-conjugated compound represented by the following general formula (1).

(In general formula (1), Q ¹ to Q ³ each represent —CH or a nitrogen atom, L ¹ , L ² and M each represent an electron-donating group D or an electron-withdrawing group A, L ¹ and L ² are the electron donating group D and M is the electron withdrawing group A, or L ¹ and L ² are the electron withdrawing group A and M is the electron-donating group D, and the electron-donating group D is an optionally substituted 10,11-dihydrodibenzazepine ring, an optionally substituted 9,10-dihydroacridine ring, a substituted optionally substituted 5,10-dihydrophenazine ring, optionally substituted 5,10-dihydrophenazacillin ring, optionally substituted phenoxazine ring, optionally substituted phenothiazine ring, substituted optionally substituted benzofurylindole ring, optionally substituted benzothienoindole ring, optionally substituted benzothienobenzothiophene ring, optionally substituted benzocarbazole ring, optionally substituted dibenzocarbazole ring , an optionally substituted electron-donating heterocyclic group selected from the group consisting of an optionally substituted azacarbazole ring and an optionally substituted diazacarbazole ring, or a substituted amino group , the electron-withdrawing group A is a fluorine atom, a cyano group, a fluorine atom-substituted alkyl group, a substituted carbonyl group, a substituted sulfonyl group, a substituted phosphine oxide group, a substituted boryl group, A group selected from the group consisting of an aryl group optionally substituted with an electron-withdrawing group and an electron-withdrawing heterocyclic group optionally substituted)
[2] The π-conjugated compound according to [1], wherein L ¹ and L ² are the electron-donating group D, and M is the electron-withdrawing group A.
[3] to [1], wherein ^L1 and ^L2 are the electron-withdrawing group A, M is the electron-donating group D, and ^L1 and ^L2 are not cyano groups at the same time; The described π-conjugated compound.
[4] The π-conjugated compound according to any one of [ ¹ ] to [3], wherein Q 1 to Q ³ are all —CH.
[5] The π-conjugated compound according to any one of [ ¹ ] to [3], wherein Q 1 to Q ³ are all nitrogen atoms.
[6] The electron-donating group D includes an optionally substituted 9,10-dihydroacridine ring, an optionally substituted 5,10-dihydrophenazacillin ring, and an optionally substituted phenoxazine a ring that is an optionally substituted electron-donating nitrogen-containing aromatic heterocyclic group selected from the group consisting of rings, and wherein the nitrogen atom of the nitrogen-containing aromatic heterocyclic group contains the above Q ¹ to Q ³ ; The π-conjugated compound according to any one of [1] to [5], which is bonded or is the substituted amino group.
[7] The electron-donating group D according to any one of [1] to [5], which is an optionally substituted azacarbazolyl group or an optionally substituted diazacarbazolyl group. π-conjugated compound of.
[8] The electron-withdrawing group A is a cyano group, an aryl group substituted with a cyano group, an unsubstituted nitrogen-containing six-membered aromatic ring group, or a nitrogen-containing six-membered aromatic ring group substituted with a fluorine atom. , a nitrogen-containing aromatic six-membered ring group substituted with a cyano group, a nitrogen-containing aromatic six-membered ring group substituted with a fluorine-substituted alkyl group, and a nitrogen-containing aromatic group substituted with an optionally substituted aryl group The π-conjugated compound according to any one of [1] to [7], which is a group selected from the group consisting of a six-membered ring group, an azadibenzofuryl group, and a diazadibenzofuryl group.
[9] The π-conjugated compound according to any one of [1] to [7], wherein the electron-withdrawing group A is an unsubstituted aryl group.
[10] The π-conjugate according to any one of [1] to [9], wherein the absolute value _ΔEST of the energy difference between the lowest excited singlet level and the lowest excited triplet level is 0.50 eV or less. system compound.
[11] An organic electroluminescence device material comprising the π-conjugated compound according to any one of [1] to [10].
[12] A luminescent material comprising the π-conjugated compound according to any one of [1] to [10], wherein the π-conjugated compound emits fluorescence.
[13] The luminescent material according to [12], wherein the π-conjugated compound emits delayed fluorescence.
[14] A charge-transporting material comprising the π-conjugated compound according to any one of [1] to [10], wherein the π-conjugated compound emits fluorescence.
[15] The charge-transporting material of [14], wherein the π-conjugated compound emits delayed fluorescence.
[16] A luminescent thin film comprising the π-conjugated compound according to any one of [1] to [10].
[17] The method according to any one of [1] to [10], including an anode, a cathode, and a light-emitting layer provided between the anode and the cathode, wherein at least one layer of the light-emitting layer is An organic electroluminescence device containing a π-conjugated compound.
[18] The organic electroluminescence device according to [17], wherein the light-emitting layer further contains a host compound.
[19] The organic electroluminescence device according to [17], wherein the emitting layer further contains at least one of a fluorescent compound and a phosphorescent compound.
[20] The organic electroluminescence device according to [17], wherein the emitting layer further contains at least one of a fluorescent compound and a phosphorescent compound, and a host compound.
[21] The organic electroluminescence device according to [18] or [20], wherein the host compound has a structure represented by the following general formula (I).

(In general formula (I), X ₁₀₁ represents NR ₁₀₁ , an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfinyl group, a sulfonyl group, CR ₁₀₂ R ₁₀₃ or SiR ₁₀₄ R ₁₀₅ , and y ₁ to y ₈ each independently represents CR ₁₀₆ or a nitrogen atom, R ₁₀₁ to R ₁₀₆ each independently represent a hydrogen atom or a substituent, which may be combined to form a ring, Ar ₁₀₁ and Ar ₁₀₂ each independently represents an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group, and n101 and n102 each represent an integer of 0 to 4. However, when R ₁₀₁ is a hydrogen atom, n101 is 1 Represents an integer of ~4.)
[22] The organic electroluminescence device according to [21], wherein the host compound having the structure represented by the general formula (I) has the structure represented by the following general formula (II).

(In general formula (II), X ₁₀₁ represents NR ₁₀₁ , an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfinyl group, a sulfonyl group, CR ₁₀₂ R ₁₀₃ or SiR ₁₀₄ R ₁₀₅ , and R ₁₀₁ to R ₁₀₅ each represent a hydrogen atom or represents a substituent, may be combined to form a ring, Ar ₁₀₁ and Ar ₁₀₂ each independently represents an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group, n102 represents an integer of 0 to 4.)
[23] A display device comprising the organic electroluminescence device according to any one of [17] to [22].
[24] A lighting device comprising the organic electroluminescence device according to any one of [17] to [22].

本発明の上記手段により、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を改良しうる新たなπ共役系化合物を提供することができる。さらに、本発明の上記手段により、発光効率の改良を実現した新たな有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。また、当該π共役系化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子材料、発光性薄膜、発光材料、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することができる。 The means of the present invention can provide a novel π-conjugated compound capable of improving the luminous efficiency of, for example, an organic electroluminescence device. Furthermore, the above means of the present invention can provide a new organic electroluminescence device with improved luminous efficiency. Further, it is possible to provide an organic electroluminescence device material, a light-emitting thin film, a light-emitting material using the π-conjugated compound, and a display device and a lighting device provided with the organic electroluminescence device.

ＴＡＤＦ化合物のエネルギーダイヤグラム示した模式図である。1 is a schematic diagram showing an energy diagram of a TADF compound. FIG. 一般的な蛍光発光性化合物のエネルギーダイヤグラム示した模式図である。1 is a schematic diagram showing an energy diagram of a general fluorescent compound. FIG. π共役系化合物がアシストドーパント材料として機能する場合のエネルギーダイヤグラムを示した模式図である。It is a schematic diagram showing an energy diagram when a π-conjugated compound functions as an assist dopant material. π共役系化合物がホスト材料として機能する場合のエネルギーダイヤグラムを示した模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing an energy diagram when a π-conjugated compound functions as a host material. 有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。1 is a schematic diagram showing an example of a display device composed of organic EL elements; FIG. アクティブマトリクス方式による表示装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a display device using an active matrix system; FIG. 画素の回路を示した概略図である。1 is a schematic diagram showing a circuit of a pixel; FIG. パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a display device using a passive matrix system; FIG. 照明装置の概略図である。1 is a schematic diagram of an illumination device; FIG. 照明装置の模式図である。It is a schematic diagram of an illuminating device. 実施例で作製した本発明のπ共役系化合物を用いた共蒸着膜６－１について、蛍光減衰測定を行った際の励起光照射からの時間と光子数との関係を示すグラフである。4 is a graph showing the relationship between the time from irradiation of excitation light and the number of photons when fluorescence decay measurement was performed on the co-evaporated film 6-1 using the π-conjugated compound of the present invention produced in Example.

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention, its constituent elements, and embodiments and modes for carrying out the present invention will be described in detail below. In the present application, "-" is used to mean that the numerical values before and after it are included as the lower limit and the upper limit.

本発明者らは、１）環構成原子として炭素原子又は窒素原子を含む芳香族６員環において、１つの電子求引性基Ａと２つの電子供与性基Ｄ（又は２つの電子求引性基Ａと１つの電子供与性基Ｄ）を互いにメタ位に配置し、且つ２）電子供与性基Ｄを「置換されていてもよい特定の電子供与性の複素環基」又は「置換されたアミノ基」とすることで、有機ＥＬ素子の発光効率を顕著に高めうることを見出した。 The present inventors found that 1) in an aromatic 6-membered ring containing carbon atoms or nitrogen atoms as ring-constituting atoms, one electron-withdrawing group A and two electron-donating groups D (or two electron-withdrawing The group A and one electron-donating group D) are positioned meta to each other, and 2) the electron-donating group D is defined as a “specified electron-donating heterocyclic group optionally substituted” or a “substituted The inventors have found that the luminous efficiency of an organic EL device can be significantly increased by using an amino group.

この理由は明らかではないが、以下のように考えられる。即ち、芳香族６員環において、電子求引性基Ａと電子供与性基Ｄが互いにメタ位にあると、パラ位やオルト位にあるよりも、電子求引性基Ａや電子供与性基Ｄの連結部のＨＯＭＯやＬＵＭＯの軌道のそれぞれの分布が小さく、ＨＯＭＯとＬＵＭＯを分離しやすい。さらに、電子供与性基Ｄである「（アザカルバゾリル基とジアザカルバゾリル基以外の）特定の電子供与性の複素環基」及び「置換されたアミノ基」は、「カルバゾリル基」よりも適度に高い電子供与性を有する。これらの結果、ΔＥ_ＳＴを小さくすることができ、有機ＥＬ素子の発光効率を高め得ると考えられる。 Although the reason for this is not clear, it is considered as follows. That is, in the aromatic 6-membered ring, when the electron-withdrawing group A and the electron-donating group D are at the meta-position relative to each other, the electron-withdrawing group A and the electron-donating group are at the para-position or ortho-position. Each of the HOMO and LUMO orbital distributions at the connecting portion of D is small, and the HOMO and LUMO are easily separated. Furthermore, the electron-donating group D "specific electron-donating heterocyclic group (other than azacarbazolyl group and diazacarbazolyl group)" and "substituted amino group" are more moderately has a high electron-donating property. As a result, it is considered that _ΔEST can be reduced and the luminous efficiency of the organic EL element can be increased.

一方で、上記特定の電子供与性基の複素環基のうち、「アザカルバゾリル基とジアザカルバゾリル基」は、「カルバゾリル基」よりも電子供与性は若干低い。しかしながら、その分、「アザカルバゾリル基とジアザカルバゾリル基」は、「カルバゾリル基」よりも吸収スペクトルや発光スペクトルの長波長化を高度に抑制できる。さらに、「アザカルバゾリル基とジアザカルバゾリル基」は、「カルバゾリル基」と比べてＨＯＭＯが高くなり過ぎない。従って、電子供与性基Ｄとして「アザカルバゾリル基やジアザカルバゾリル基」を有するπ共役系化合物をホスト化合物又はアシストドーパント化合物として機能させることで、高い発光効率を得ることができる。本発明はこのような知見に基づきなされたものである。 On the other hand, among the heterocyclic groups of the specific electron-donating groups, "azacarbazolyl group and diazacarbazolyl group" have slightly lower electron-donating properties than "carbazolyl group". However, the "azacarbazolyl group and the diazacarbazolyl group" can suppress the lengthening of the absorption spectrum and the emission spectrum to a greater extent than the "carbazolyl group". Furthermore, the "azacarbazolyl group and the diazacarbazolyl group" do not have an excessively high HOMO compared to the "carbazolyl group". Therefore, a π-conjugated compound having an “azacarbazolyl group or diazacarbazolyl group” as the electron-donating group D functions as a host compound or an assist dopant compound, whereby high luminous efficiency can be obtained. The present invention is made based on such findings.

＜π共役系化合物＞
本発明のπ共役系化合物は、下記一般式（１）で表される化合物であることが好ましい。

<π-conjugated compound>
The π-conjugated compound of the present invention is preferably a compound represented by the following general formula (1).

一般式（１）のＱ^１～Ｑ^３は、それぞれ－ＣＨ又は窒素原子を表す。分子の対称性が高いほうが量子収率を高めやすい観点から、Ｑ^１～Ｑ^３の全てが－ＣＨであるか、又はＱ^１～Ｑ^３の全てが窒素原子であることが好ましい。 Q ¹ to Q ³ in general formula (1) each represent —CH or a nitrogen atom. From the viewpoint that the higher the molecular symmetry, the higher the quantum yield, it is preferable that all of Q ¹ to Q ³ are —CH or all of Q ¹ to Q ³ are nitrogen atoms.

一般式（１）のＬ^１、Ｌ^２及びＭは、それぞれ電子供与性基Ｄ又は電子求引性基Ａを表す。具体的には、Ｌ^１及びＬ^２が電子供与性基Ｄであり、且つＭが電子求引性基Ａであるか、又はＬ^１及びＬ^２が電子求引性基Ａであり、且つＭが電子供与性基Ｄである。Ｌ^１及びＬ^２は、互いに同一であっても異なってもよいが、合成が容易であり、発光効率も良好である点から、同一であることが好ましい。 L ¹ , L ² and M in general formula (1) represent an electron-donating group D or an electron-withdrawing group A, respectively. Specifically, L ¹ and L ² are an electron-donating group D and M is an electron-withdrawing group A, or L ¹ and L ² are an electron-withdrawing group A and M is the electron-donating group D. L ¹ and L ² may be the same or different, but are preferably the same from the viewpoint of ease of synthesis and good luminous efficiency.

（電子供与性基Ｄ）
電子供与性基Ｄは、「置換されていてもよい特定の電子供与性の複素環基」又は「置換されたアミノ基」である。 (Electron donating group D)
The electron-donating group D is an "optionally substituted specific electron-donating heterocyclic group" or a "substituted amino group".

Ｄで表される「置換されていてもよい電子供与性の特定の複素環基」における「電子供与性の特定の複素環基」は、カルバゾール環以外の炭素原子数４～２４の電子供与性の芳香族複素環から誘導される基であることが好ましい。そのような電子供与性の芳香族複素環の例には、１０，１１－ジヒドロジベンゾアゼピン、９，１０－ジヒドロアクリジン環、５，１０－ジヒドロフェナジン環、５，１０－ジヒドロフェナザシリン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、及びジアザカルバゾール環等が含まれる。
中でも、９，１０－ジヒドロアクリジン環、５，１０－ジヒドロフェナザシリン環、フェノキサジン環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、５，１０－ジヒドロフェナジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、及びベンゾフリルインドール環が好ましく、９，１０－ジヒドロアクリジン環、５，１０－ジヒドロフェナザシリン環、フェノキサジン環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環等の含窒素芳香族複素環がより好ましい。電子供与性の芳香族複素環は、同一の又は異なる２以上の上記芳香族複素環が単結合を介して結合したものであってもよい。また、これらの複素環基のＱ^１～Ｑ^３を含む環との結合位置は、特に制限されないが、例えば複素環基が電子供与性の含窒素芳香族複素環基である場合、Ｑ^１～Ｑ^３を含む環に電子を遷移しやすくできる点から、該電子供与性の含窒素芳香族複素環基は、その窒素原子を介して、Ｑ^１～Ｑ^３を含む環と結合していることが好ましい。 The "specific electron-donating heterocyclic group" in the "optionally substituted electron-donating specific heterocyclic group" represented by D is an electron-donating group having 4 to 24 carbon atoms other than a carbazole ring is preferably a group derived from an aromatic heterocycle of Examples of such electron-donating heteroaromatic rings include 10,11-dihydrodibenzazepine, 9,10-dihydroacridine ring, 5,10-dihydrophenazine ring, 5,10-dihydrophenazacillin ring, Phenoxazine ring, phenothiazine ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, benzothienobenzothiophene ring, benzocarbazole ring, dibenzocarbazole ring, azacarbazole ring, diazacarbazole ring and the like are included.
Among others, 9,10-dihydroacridine ring, 5,10-dihydrophenazacillin ring, phenoxazine ring, azacarbazole ring, diazacarbazole ring, 5,10-dihydrophenazine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, and benzo A furylindole ring is preferred, and nitrogen-containing aromatic heterocycles such as 9,10-dihydroacridine ring, 5,10-dihydrophenazacillin ring, phenoxazine ring, azacarbazole ring, and diazacarbazole ring are more preferred. The electron-donating aromatic heterocycle may be one in which two or more of the same or different aromatic heterocycles are bonded via a single bond. In addition, the bonding position of these heterocyclic groups to ^the ring containing Q ¹ to Q ³ is not particularly limited. The electron-donating nitrogen-containing aromatic heterocyclic group should be bonded to the ring containing Q ¹ to Q ³ via the nitrogen atom, because electrons can be easily transferred to the ring containing Q ³ . is preferred.

当該特定の複素環基が有しうる置換基の例には、アルキル基、アルコキシ基、アルキル基で置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい複素環基、及び置換されていてもよいアミノ基が含まれる。 Examples of substituents that the specific heterocyclic group may have include an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group optionally substituted with an alkyl group, an optionally substituted heterocyclic group, and a substituted contains a good amino group.

アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれであってもよく、例えば炭素原子数１～２０の直鎖又は分岐のアルキル基、或いは炭素原子数５～２０の環状のアルキル基でありうる。アルキル基の例には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、２－ヘキシルオクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、及びｎ－イコシル基等が含まれ；好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基及び２－ヘキシルオクチル基である。 The alkyl group may be linear, branched or cyclic, for example a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 5 to 20 carbon atoms. Examples of alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, s-butyl, t-butyl, n-pentyl, neopentyl, n-hexyl, cyclohexyl. group, 2-ethylhexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-hexyloctyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n- tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, and n-icosyl group; preferably methyl group, ethyl group, isopropyl group, t -butyl group, cyclohexyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group and 2-hexyloctyl group.

アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれであってもよく、例えば炭素原子数１～２０の直鎖又は分岐のアルコキシ基、或いは炭素原子数６～２０の環状のアルコキシ基でありうる。アルコキシ基の例には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７－ジメチルオクチルオキシ基、ｎ－ウンデシルオキシ基、ｎ－ドデシルオキシ基、ｎ－トリデシルオキシ基、ｎ－テトラデシルオキシ基、２－ｎ－ヘキシル－ｎ－オクチルオキシ基、ｎ－ペンタデシルオキシ基、ｎ－ヘキサデシルオキシ基、ｎ－ヘプタデシルオキシ基、ｎ－オクタデシルオキシ基、ｎ－ノナデシルオキシ基、ｎ－イコシルオキシ基等が含まれ、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ－ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、２－ヘキシルオクチルオキシ基である。 The alkoxy group may be linear, branched or cyclic, for example a linear or branched alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms or a cyclic alkoxy group having 6 to 20 carbon atoms. Examples of alkoxy groups include methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, n-butoxy, isobutoxy, t-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, n-hexyloxy. group, cyclohexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, n-undecyloxy group, n-dodecyloxy group, n-tridecyloxy group, n-tetradecyloxy group, 2-n-hexyl-n-octyloxy group, n-pentadecyloxy group, n-hexadecyloxy group, n-heptadecyloxy group, n -octadecyloxy group, n-nonadecyloxy group, n-icosyloxy group and the like, preferably methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, t-butoxy group, cyclohexyloxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group 2-hexyloctyloxy group.

「アルキル基で置換されていてもよいアリール基」におけるアリール基は、炭素原子数６～２４の芳香族炭化水素環から誘導される基であることが好ましい。そのような芳香族炭化水素環の例には、ベンゼン環、インデン環、ナフタレン環、アズレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、アセナフチレン環、ビフェニレン環、ナフタセン環、ピレン環、ペンタレン環、アセアントリレン環、ヘプタレン環、トリフェニレン環、ａｓ－インダセン環、クリセン環、ｓ－インダセン環、プレイアデン環、フェナレン環、フルオランテン環、ペリレン環、アセフェナントリレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、及びテトラフェニル環等が含まれる。
中でも、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ビフェニレン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、クリセン環、フルオランテン環、ペリレン環、ビフェニル環、及びターフェニル環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
該アリール基は、上述のアルキル基やアルコキシ基で置換されていてもよい。 The aryl group in the "aryl group optionally substituted with an alkyl group" is preferably a group derived from an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 24 carbon atoms. Examples of such aromatic hydrocarbon rings include benzene ring, indene ring, naphthalene ring, azulene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, acenaphthylene ring, biphenylene ring, naphthacene ring, pyrene ring, pentalene ring, aceane ring tolylene ring, heptalene ring, triphenylene ring, as-indacene ring, chrysene ring, s-indacene ring, preiadene ring, phenalene ring, fluoranthene ring, perylene ring, acephenanthrylene ring, biphenyl ring, terphenyl ring, and A tetraphenyl ring and the like are included.
Among them, benzene ring, naphthalene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, biphenylene ring, chrysene ring, pyrene ring, triphenylene ring, chrysene ring, fluoranthene ring, perylene ring, biphenyl ring and terphenyl ring are preferable, and benzene ring is more preferred.
The aryl group may be substituted with the alkyl group or alkoxy group described above.

「置換されていてもよい複素環基」における複素環基は、炭素原子数４～２４の芳香族複素環から誘導される基、好ましくは電子供与性の芳香族複素環から誘導される基である。そのような電子供与性の芳香族複素環の例には、ピロール環、インドール環、インドロインドール環、１０，１１－ジヒドロジベンゾアゼピン、９，１０－ジヒドロアクリジン環、５，１０－ジヒドロフェナジン環、５，１０－ジヒドロフェナザシリン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、カルバゾール環、ジベンゾチオフェンオキシド環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、アザジベンゾフラン環、ジアザジベンゾフラン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホールオキシド環等が含まれる。 The heterocyclic group in the "optionally substituted heterocyclic group" is a group derived from an aromatic heterocyclic ring having 4 to 24 carbon atoms, preferably a group derived from an electron-donating aromatic heterocyclic ring. be. Examples of such electron-donating heteroaromatic rings include pyrrole ring, indole ring, indoloindole ring, 10,11-dihydrodibenzazepine, 9,10-dihydroacridine ring, 5,10-dihydrophenazine ring. , 5,10-dihydrophenazacillin ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothienocarbazole ring, benzothienobenzothiophene ring, benzocarbazole ring, dibenzocarbazole ring, azacarbazole ring, diazacarbazole ring, carbazole ring, dibenzothiophene oxide ring, dibenzothiophene dioxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, pteridine ring, phenanthridine ring, phenanthroline ring, dibenzofuran ring, azadibenzofuran ring, diazadibenzofuran ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphoroxide ring, etc. is included.

「置換されていてもよい複素環基」における置換基の例としては、前述のアルキル基、アルコキシ基、アルキル基で置換されていてもよいアリール基が挙げられる。 Examples of substituents in the "optionally substituted heterocyclic group" include the aforementioned alkyl group, alkoxy group, and aryl group optionally substituted with an alkyl group.

「置換されていてもよいアミノ基」における置換基の例には、アルキル基、アルキル基で置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい複素環基が含まれる。アルキル基、アリール基、及び置換されていてもよい複素環基は、前述のアルキル基、アリール基及び置換されていてもよい複素環基とそれぞれ同義である。 Examples of substituents in the "optionally substituted amino group" include an alkyl group, an optionally substituted aryl group with an alkyl group, and an optionally substituted heterocyclic group. An alkyl group, an aryl group, and an optionally substituted heterocyclic group are the same as the aforementioned alkyl group, an aryl group, and an optionally substituted heterocyclic group, respectively.

Ｄで表される「置換されたアミノ基」における置換基は、前述の「置換されていてもよいアミノ基」における置換基と同義である。 The substituents in the "substituted amino group" represented by D are synonymous with the substituents in the aforementioned "optionally substituted amino group".

中でも、発光波長の制御の観点から、電子供与性基Ｄは、「置換されていてもよい電子供与性の複素環基」であることが好ましく、「置換されていてもよい電子供与性の含窒素芳香族複素環基」であることがより好ましい。高い電子供与性を有し、ΔＥ_ＳＴを小さくし得る点では、置換されていてもよい９，１０－ジヒドロアクリジン環、置換されていてもよい５，１０－ジヒドロフェナザシリン環、置換されていてもよいフェノキサジン環から誘導される基がさらに好ましく；適度に高い電子供与性を有し、吸収スペクトルや発光スペクトルの長波長化を高度に抑制できる点では、置換されていてもよいアザカルバゾール環、置換されていてもよいジアザカルバゾール環から誘導される基であることがさらに好ましい。置換されていてもよい電子供与性の含窒素芳香族複素環基は、その窒素原子を介して、Ｑ^１～Ｑ^３を含む環と結合していることが好ましい。 Among them, from the viewpoint of controlling the emission wavelength, the electron-donating group D is preferably an “optionally substituted electron-donating heterocyclic group”, and an “optionally substituted electron-donating heterocyclic group”. A nitrogen aromatic heterocyclic group” is more preferred. The optionally substituted 9,10- _{dihydroacridine} ring, the optionally substituted 5,10-dihydrophenazacillin ring, the substituted A group derived from a phenoxazine ring, which may be optionally substituted, is more preferable; it has a moderately high electron-donating property and can highly suppress the lengthening of the absorption spectrum and the emission spectrum, and optionally substituted azacarbazole It is more preferably a group derived from a ring or an optionally substituted diazacarbazole ring. The optionally substituted electron-donating nitrogen-containing aromatic heterocyclic group is preferably bonded to the ring containing Q ¹ to Q ³ via its nitrogen atom.

電子供与性基Ｄの分子量は、１００以上であることが好ましく、１５０以上であることがより好ましい。分子量が１５０以上である電子供与性基Ｄは、電子供与性基Ｄや窒素原子上の不対電子の電子供与性を高めるような置換基が導入されていることにより電子を放出しやすく、高い電子供与性を有し得る。電子供与性基Ｄの分子量の上限値は、例えば１０００である。電子供与性基Ｄの分子量は、組成式に基づいて式量として求めることができる。 The electron-donating group D preferably has a molecular weight of 100 or more, more preferably 150 or more. The electron-donating group D having a molecular weight of 150 or more easily releases electrons and has a high It can have electron-donating properties. The upper limit of the molecular weight of the electron-donating group D is 1,000, for example. The molecular weight of the electron-donating group D can be obtained as a formula weight based on the compositional formula.

（電子求引性基Ａ）
電子求引性基Ａは、「フッ素原子」、「シアノ基」、「フッ素原子で置換されたアルキル基」、「置換されたカルボニル基」、「置換されたスルホニル基」、「置換されたホスフィンオキサイド基」、「置換されたボリル基」、「電子求引性基で置換されていてもよいアリール基」、又は「置換されていてもよい電子求引性の複素環基」である。但し、電子吸引性能が強すぎると発光波長等の制御が困難になる虞がある観点から、Ｌ^１とＬ^２の両方が、電子求引性基Ａとして同時にシアノ基ではないことが好ましい。 (Electron-withdrawing group A)
Electron-withdrawing group A includes a "fluorine atom", a "cyano group", a "fluorine-substituted alkyl group", a "substituted carbonyl group", a "substituted sulfonyl group", and a "substituted phosphine oxide group", "substituted boryl group", "aryl group optionally substituted with an electron-withdrawing group", or "optionally substituted electron-withdrawing heterocyclic group". However, it is preferable that both L ¹ and L ² are not a cyano group as the electron-withdrawing group A, from the viewpoint that control of the emission wavelength and the like may become difficult if the electron-withdrawing performance is too strong.

Ａで表される「フッ素原子で置換されたアルキル基」におけるアルキル基は、前述のアルキル基と同義である。フッ素で置換されたアルキル基の例には、－ＣＦ_３、－ＣＦ_２Ｈ、－ＣＨ_２Ｆ、－ＣＦ_２ＣＦ_３等が含まれる。 The alkyl group in the "fluorine-substituted alkyl group" represented by A has the same definition as the aforementioned alkyl group. Examples of fluorine-substituted alkyl groups include -CF ₃ , -CF ₂ H, -CH ₂ F, -CF ₂ CF ₃ and the like.

Ａで表される「置換されたカルボニル基」、「置換されたスルホニル基」、「置換されたホスフィンオキサイド基」及び「置換されたボリル基」における置換基の例には、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい電子求引性の複素環基が含まれる。 Examples of substituents in the "substituted carbonyl group", "substituted sulfonyl group", "substituted phosphine oxide group" and "substituted boryl group" represented by A include deuterium atom, fluorine atoms, cyano groups, alkyl groups optionally substituted with fluorine atoms, aryl groups optionally substituted, and electron-withdrawing heterocyclic groups optionally substituted.

Ａで表される「置換されていてもよいアリール基」におけるアリール基は、前述のＤで表される「置換されていてもよい電子供与性の複素環基」が有し得る置換基としてのアリール基と同義である。 The aryl group in the "optionally substituted aryl group" represented by A is a substituent that the "optionally substituted electron-donating heterocyclic group" represented by D above may have Synonymous with aryl group.

当該アリール基が有しうる置換基の例には、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、置換されていてもよい電子求引性の複素環基、置換されていてもよいアミノ基が含まれる。
中でも、当該アリール基が有しうる置換基は、電子求引性基であることが好ましく、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、及び置換されていてもよい電子求引性の複素環基が好ましく；フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、及び置換されていてもよい電子求引性の複素環基がより好ましい。 Examples of substituents that the aryl group may have include a deuterium atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group optionally substituted with fluorine, a carbonyl group optionally substituted, and an optionally substituted A sulfonyl group, an optionally substituted phosphine oxide group, an optionally substituted boryl group, an optionally substituted electron-withdrawing heterocyclic group, and an optionally substituted amino group are included.
Among them, the substituent that the aryl group may have is preferably an electron-withdrawing group such as a fluorine atom, a cyano group, an optionally fluorine-substituted alkyl group, an optionally substituted carbonyl group, An optionally substituted sulfonyl group, an optionally substituted phosphine oxide group, an optionally substituted boryl group, and an optionally substituted electron-withdrawing heterocyclic group are preferred; fluorine atom, cyano groups, optionally fluorine-substituted alkyl groups, and optionally substituted electron-withdrawing heterocyclic groups are more preferred.

Ａで表される「置換されていてもよい電子求引性の複素環基」は、炭素原子数３～２４の電子求引性の芳香族複素環から誘導される基であることが好ましい。そのような電子求引性の芳香族複素環の例には、ジベンゾチオフェンオキシド環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、アザジベンゾフラン環、ジアザジベンゾフラン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホールオキシド環等が含まれる。中でも、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、アザジベンゾフラン環、ジアザジベンゾフラン環が好ましく、含窒素芳香族複素環がより好ましく、含窒素芳香族六員環、アザジベンゾフラン環、及びジアザジベンゾフラン環がさらに好ましい。なお、電子求引性の芳香族複素環は、同一の又は異なる２以上の上記芳香族複素環を連結したものであってもよい。 The “optionally substituted electron-withdrawing heterocyclic group” represented by A is preferably a group derived from an electron-withdrawing aromatic heterocyclic ring having 3 to 24 carbon atoms. Examples of such electron withdrawing aromatic heterocycles include dibenzothiophene oxide ring, dibenzothiophene dioxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, pteridine ring, phenanthridine ring, phenanthroline ring, dibenzofuran ring, azadibenzofuran ring, diazadibenzofuran ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphoroxide ring, etc. included. Among them, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinazoline ring, a quinoxaline ring, a phenanthridine ring, a phenanthroline ring, a dibenzofuran ring, an azadibenzofuran ring, and a diazadibenzofuran ring are preferable, and nitrogen-containing rings. Aromatic heterocycles are more preferred, and nitrogen-containing six-membered aromatic rings, azadibenzofuran rings, and diazadibenzofuran rings are even more preferred. The electron-withdrawing aromatic heterocycle may be a combination of two or more of the same or different aromatic heterocycles.

当該電子求引性の複素環基が有しうる置換基の例には、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基で置換されていてもよいアリール基、フッ素で置換されていてもよいアリール基が含まれ、好ましくはフッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、及びフッ素で置換されていてもよいアリール基である。 Examples of substituents that the electron-withdrawing heterocyclic group may have include a deuterium atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group optionally substituted with fluorine, and an alkyl group optionally substituted with fluorine. An aryl group optionally substituted with a group, an aryl group optionally substituted with fluorine, preferably a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group optionally substituted with fluorine, and an alkyl group optionally substituted with fluorine, and is an aryl group that may be

中でも、Ｑ^１～Ｑ^３の２以上、好ましくは全てが－ＣＨである場合、電子求引性基Ａは、高い電子求引性を有する基であることが好ましい。高い電子求引性を有する電子求引性基Ａの例には、シアノ基、シアノ基で置換されたアリール基、無置換の含窒素芳香族六員環基、フッ素原子で置換された含窒素芳香族六員環基、シアノ基で置換された含窒素芳香族六員環基、フッ素置換アルキル基で置換された含窒素芳香族六員環基、置換されていてもよいアリール基で置換された含窒素芳香族六員環基、アザジベンゾフリル基、又はジアザジベンゾフリル基であることが好ましく、シアノ基、シアノ基で置換されたアリール基、無置換の含窒素芳香族六員環基、置換されていてもよいアリール基で置換された含窒素芳香族六員環基、アザジベンゾフリル基、又はジアザジベンゾフリル基であることがより好ましい。さらに好ましくは、シアノ基、シアノ基で置換されたフェニル基、シアノ基で置換されたピリジル基、置換されてもよいピラジル基、置換されていてもよいピリミジル基、置換されていてもよいトリアジル基、アザジベンゾフリル基、又はジアザジベンゾフリル基が挙げられ、より好ましくはシアノフェニル基、ｍ－ジシアノフェニル基、２－シアノピリジル基、３－シアノピリジル基、２，６－ジシアノピリジル基、２－シアノピラジル基、２－シアノピリミジル基、５－シアノピリミジル基、置換されていてもよい２，４－ジフェニルピリミジル基、置換されていてもよいジフェニルトリアジル基、アザジベンゾフリル基、又はジアザジベンゾフリル基である。 Above all, when two or more, preferably all, of Q ¹ to Q ³ are —CH, the electron-withdrawing group A is preferably a group having high electron-withdrawing properties. Examples of the electron-withdrawing group A having a high electron-withdrawing property include a cyano group, an aryl group substituted with a cyano group, an unsubstituted nitrogen-containing six-membered ring group, a nitrogen-containing group substituted with a fluorine atom. Aromatic 6-membered ring group, nitrogen-containing aromatic 6-membered ring group substituted with cyano group, nitrogen-containing aromatic 6-membered ring group substituted with fluorine-substituted alkyl group, optionally substituted aryl group is preferably a nitrogen-containing aromatic six-membered ring group, an azadibenzofuryl group, or a diazadibenzofuryl group, a cyano group, an aryl group substituted with a cyano group, an unsubstituted nitrogen-containing aromatic six-membered ring group , a nitrogen-containing aromatic six-membered ring group substituted with an optionally substituted aryl group, an azadibenzofuryl group, or a diazadibenzofuryl group are more preferable. More preferably, a cyano group, a phenyl group substituted with a cyano group, a pyridyl group substituted with a cyano group, an optionally substituted pyrazyl group, an optionally substituted pyrimidyl group, and an optionally substituted triazyl group , azadibenzofuryl group, or diazadibenzofuryl group, more preferably cyanophenyl group, m-dicyanophenyl group, 2-cyanopyridyl group, 3-cyanopyridyl group, 2,6-dicyanopyridyl group, 2 -cyanopyrazyl group, 2-cyanopyrimidyl group, 5-cyanopyrimidyl group, optionally substituted 2,4-diphenylpyrimidyl group, optionally substituted diphenyltriazyl group, azadibenzofuryl group, or diazadibenzo It is a furyl group.

一方、Ｑ^１～Ｑ^３の２以上、好ましくは全てが窒素原子である場合、電子求引性基Ａは、適度な電子求引性を有する基であることが好ましい。Ｑ^１～Ｑ^３を含む環自体が、一定以上の電子求引性を有するからである。適度な電子求引性を有する電子求引性基Ａの例には、無置換のアリール基が含まれる。 On the other hand, when two or more, preferably all, of Q ¹ to Q ³ are nitrogen atoms, the electron-withdrawing group A is preferably a group having moderate electron-withdrawing properties. This is because the ring itself containing Q ¹ to Q ³ has a certain or more electron-withdrawing property. Examples of electron-withdrawing group A having moderate electron-withdrawing properties include unsubstituted aryl groups.

電子求引性基Ａの分子量は、１９～９００程度とし得る。電子求引性基Ａの分子量は、電子供与性基Ｄの分子量と同様の方法で求めることができる。 The molecular weight of the electron-withdrawing group A can be about 19-900. The molecular weight of the electron-withdrawing group A can be determined in the same manner as the molecular weight of the electron-donating group D.

前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物は、該π共役系化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子材料、及び該π共役系化合物を含む発光性薄膜、及び該π共役系化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子として用いることができる。 The π-conjugated compound represented by the general formula (1) includes an organic electroluminescent element material containing the π-conjugated compound, a light-emitting thin film containing the π-conjugated compound, and an organic material containing the π-conjugated compound. It can be used as an electroluminescence element.

前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物は、電界励起によって励起状態となり、励起子を生成することができる。したがって、前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層に好ましく含まれる。即ち、発光層は、高発光性の観点から、前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物を単独で用いるか；前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物と後述のホスト化合物とを含むか；前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物と、後述の蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも１種とを含むか；或いは前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物と、後述の蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも１種と、後述のホスト化合物とを含むことが好ましい。 The π-conjugated compound represented by the general formula (1) is brought into an excited state by electric field excitation, and can generate excitons. Therefore, the π-conjugated compound represented by the general formula (1) is preferably included in the light-emitting layer of the organic electroluminescence device. That is, from the viewpoint of high luminescence, the light-emitting layer may use the π-conjugated compound represented by the general formula (1) alone; the host compound; or the π-conjugated compound represented by the general formula (1), and at least one of the fluorescent-emitting compound and the phosphorescent-emitting compound described later; or the general formula ( It preferably contains the π-conjugated compound represented by 1), at least one of the below-described fluorescent compound and phosphorescent compound, and the below-described host compound.

前記一般式（１）で表されるπ共役系化合物において、該π共役系化合物の最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差の絶対値（ΔＥ_ＳＴ）が０．５０ｅＶ以下であることが好ましく、前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記素子材料、又は前記発光性薄膜に含有されることが好ましい。 In the π-conjugated compound represented by the general formula (1), the absolute value of the energy difference (ΔE _ST ) between the lowest excited singlet level and the lowest excited triplet level of the π-conjugated compound is 0.50 eV. It is preferably the following, and is preferably contained in the organic electroluminescence element, the element material, or the light-emitting thin film.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、照明装置及び表示装置に好適に具備され得る。 The organic electroluminescence device of the present invention can be suitably provided in lighting devices and display devices.

以下に、本発明に係るπ共役系化合物の好ましい具体例を挙げるが、これらの化合物はさらに置換基を有していたり、構造異性体などが存在していたりする場合もあり、本記述に限定されない。 Preferred specific examples of the π-conjugated compound according to the present invention are given below. not.

これらの化合物のうちΔＥ_ＳＴの絶対値が０．５０ｅＶ以下の材料については、ＴＡＤＦ性（遅延蛍光性）を示す、つまり、遅延蛍光を放射してもよい。遅延蛍光性を示すとは、蛍光減衰測定を行ったときに、放射される蛍光の減衰速度の異なる成分が２種類以上あることをいう。なお、減衰が遅い成分は、一般的には減衰時間がサブマイクロ秒以上であることが多いが、材料によって減衰時間が異なるため、減衰時間は限定されない。 Among these compounds, materials having an absolute value of _ΔEST of 0.50 eV or less may exhibit TADF properties (delayed fluorescence), that is, emit delayed fluorescence. Exhibiting delayed fluorescence means that there are two or more types of components with different decay rates in emitted fluorescence when fluorescence decay measurement is performed. In general, the slow-attenuating component has an attenuation time of submicroseconds or more, but the attenuation time is not limited because the attenuation time differs depending on the material.

蛍光減衰測定は、一般的には以下のように行うことができる。π共役系化合物（発光性化合物）の溶液又は薄膜、又はπ共役系化合物と第二成分との共蒸着膜に、窒素雰囲気下で励起光を照射し、ある発光波長の光子数を計測する。そしてこのとき、放射される蛍光の減衰速度の異なる成分が２種類以上ある場合に、π共役系化合物が遅延蛍光性を示すものとする。測定サンプルの作製条件や測定条件は、後述する実施例と同様とし得る。 Fluorescence decay measurements can generally be performed as follows. A solution or thin film of a π-conjugated compound (luminescent compound) or a co-deposited film of a π-conjugated compound and a second component is irradiated with excitation light in a nitrogen atmosphere, and the number of photons at a certain emission wavelength is measured. At this time, it is assumed that the π-conjugated compound exhibits delayed fluorescence when there are two or more components of emitted fluorescence with different decay rates. The conditions for preparing the measurement sample and the conditions for measurement may be the same as those in the examples described later.

なお、これらの化合物は、バイポーラー性を有し、様々なエネルギー準位に対応できることから、発光材料又はホスト材料としても使用できるのみならず、正孔輸送、電子輸送にも適した化合物、即ち、電荷輸送材料として使用することができるため、発光層での使用に限定されず、上述の正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、中間層などに用いてもよい。 In addition, since these compounds have bipolar properties and can correspond to various energy levels, they can be used not only as light-emitting materials or host materials, but also as compounds suitable for hole transport and electron transport. , it can be used as a charge transport material, so it is not limited to use in the light-emitting layer, and the above-mentioned hole injection layer, hole transport layer, electron blocking layer, hole blocking layer, electron transport layer, electron injection layer , an intermediate layer, and the like.

＜合成方法＞
上記π共役系化合物は、例えば、国際公開第２０１０／１１３７５５号に記載の方法、又は、これらの文献に記載の参照文献に記載の方法を参照することにより合成することができる。 <Synthesis method>
The π-conjugated compound can be synthesized, for example, by referring to the method described in International Publication No. 2010/113755 or the method described in the references described in these documents.

次に、本発明の技術思想と関連する、有機ＥＬの発光方式及び発光材料について述べる。 Next, the organic EL light-emitting method and light-emitting materials related to the technical idea of the present invention will be described.

＜有機ＥＬの発光方式＞
有機ＥＬの発光方式としては三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。
有機ＥＬのような電界で励起する場合には、三重項励起子が７５％の確率で、一重項励起子が２５％の確率で生成するため、リン光発光の方が蛍光発光に比べ発光効率を高くすることが可能で、低消費電力化を実現するには優れた方式である。
一方、蛍光発光においても、７５％の確率で生成してしまう、通常では、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしかならない三重項励起子を、高密度で存在させることによって、二つの三重項励起子から一つの一重項励起子を発生させて発光効率を向上させるＴＴＡ（Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ、また、Ｔｒｉｐｌｅｔ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｆｕｓｉｏｎ：「ＴＴＦ」と略記する。）機構を利用した方式が見つかっている。 <Emitting method of organic EL>
There are two types of organic EL emission methods: "phosphorescence", which emits light when returning from the triplet excited state to the ground state, and "fluorescence emission", which emits light when returning from the singlet excited state to the ground state. be.
When excited by an electric field such as organic EL, triplet excitons are generated with a probability of 75% and singlet excitons are generated with a probability of 25%. can be increased, and this is an excellent method for achieving low power consumption.
On the other hand, even in fluorescence emission, triplet excitons, which are generated with a probability of 75% and usually have only heat energy due to non-radiative deactivation, are present at high density. A method using a TTA (Triple-Triplet Annihilation, or Triplet-Triplet Fusion: abbreviated as "TTF") mechanism that generates one singlet exciton from two triplet excitons to improve the luminous efficiency. found.

さらに、近年では、安達らの発見により一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギーギャップを小さくすることで、発光中のジュール熱及び／又は発光素子が置かれる環境温度によりエネルギー準位の低い三重項励起状態から一重項励起状態に逆項間交差がおこり、結果としてほぼ１００％に近い蛍光発光を可能とする現象（熱励起型遅延蛍光又は熱励起型遅延蛍光ともいう：「ＴＡＤＦ」）とそれを可能にする蛍光物質が見いだされている（例えば、非特許文献１等参照。）。 Furthermore, in recent years, according to the discovery by Adachi et al., by reducing the energy gap between the singlet excited state and the triplet excited state, triplet Reverse intersystem crossing occurs from the term excited state to the singlet excited state, resulting in a phenomenon (also referred to as thermally excited delayed fluorescence or thermally excited delayed fluorescence: “TADF”) that enables nearly 100% fluorescence emission. Fluorescent substances that make this possible have been found (see, for example, Non-Patent Document 1, etc.).

＜リン光発光性化合物＞
前述のとおり、リン光発光は発光効率的には蛍光発光よりも理論的には３倍有利であるが、三重項励起状態から一重項基底状態へのエネルギー失活（＝リン光発光）は禁制遷移であり、また同様に一重項励起状態から三重項励起状態への項間交差も禁制遷移であるため、通常その速度定数は小さい。すなわち、遷移が起こりにくいため、励起子寿命はミリ秒から秒オーダーと長くなり、所望の発光を得ることが困難である。
ただし、イリジウムや白金などの重金属を用いた錯体が発光する場合には、中心金属の重原子効果によって、前記の禁制遷移の速度定数が３桁以上増大し、配位子の選択によっては、１００％のリン光量子収率を得ることも可能となる。
しかしながら、このような理想的な発光を得るためには、希少金属であるイリジウムやパラジウム、白金などのいわゆる白金属と呼ばれる貴金属を用いる必要があり、大量に使用されることになるとその埋蔵量や金属自体の値段が産業上大きな問題となってくる。 <Phosphorescent compound>
As mentioned above, phosphorescence emission is theoretically three times more advantageous than fluorescence emission in terms of emission efficiency, but energy deactivation from the triplet excited state to the singlet ground state (= phosphorescence emission) is forbidden. In addition, the intersystem crossing from the singlet excited state to the triplet excited state is also a forbidden transition, so the rate constant is usually small. That is, since the transition is difficult to occur, the exciton lifetime is lengthened from milliseconds to seconds, making it difficult to obtain desired luminescence.
However, when a complex using a heavy metal such as iridium or platinum emits light, the rate constant of the forbidden transition increases by three orders of magnitude or more due to the heavy atom effect of the central metal. % phosphorescence quantum yield can also be obtained.
However, in order to obtain such ideal light emission, it is necessary to use precious metals called platinum metals such as iridium, palladium, and platinum, which are rare metals. The price of the metal itself has become a major problem in the industry.

＜蛍光発光性化合物＞
一般的な蛍光発光性化合物は、リン光発光性化合物のような重金属錯体である必要性は特になく、炭素、酸素、窒素及び水素などの一般的な元素の組み合わせから構成される、いわゆる有機化合物が適用でき、さらに、リンや硫黄、ケイ素などその他の非金属元素を用いることも可能で、また、アルミニウムや亜鉛などの典型金属の錯体も活用できるなど、その多様性はほぼ無限と言える。
ただし、従来の蛍光化合物では前記のように励起子の２５％しか発光に適用できないために、リン光発光のような高効率発光は望めない。 <Fluorescent compound>
Common fluorescent compounds do not have to be heavy metal complexes such as phosphorescent compounds, so-called organic compounds composed of combinations of common elements such as carbon, oxygen, nitrogen and hydrogen. In addition, other non-metallic elements such as phosphorus, sulfur, and silicon can be used, and complexes of typical metals such as aluminum and zinc can also be used.
However, in conventional fluorescent compounds, only 25% of the excitons can be used for light emission as described above, so high-efficiency light emission such as phosphorescence light emission cannot be expected.

＜遅延蛍光化合物＞
［励起三重項－三重項消滅（ＴＴＡ）遅延蛍光化合物］
蛍光発光性化合物の問題点を解決すべく登場したのが遅延蛍光を利用した発光方式である。三重項励起子同士の衝突を起源とするＴＴＡ方式は、下記のような一般式で記述できる。すなわち、従来、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしか変換されなかった三重項励起子の一部が、発光に寄与しうる一重項励起子に逆項間交差できるメリットがあり、実際の有機ＥＬ素子においても従来の蛍光発光素子の約２倍の外部取り出し量子効率を得ることができている。
一般式： Ｔ^＊ ＋ Ｔ^＊ → Ｓ^＊ ＋ Ｓ
（式中、Ｔ^＊は三重項励起子、Ｓ^＊は一重項励起子、Ｓは基底状態分子を表す。）
しかしながら、上式からもわかるように、二つの三重項励起子から発光に利用できる一重項励起子は一つしか生成しないため、この方式で１００％の内部量子効率を得ることは原理上できない。 <Delayed fluorescence compound>
[Excited triplet-triplet annihilation (TTA) delayed fluorescence compound]
A luminescence method using delayed fluorescence has emerged to solve the problems of fluorescent compounds. The TTA method originating from collisions between triplet excitons can be described by the following general formula. That is, conventionally, exciton energy is converted only to heat by non-radiative deactivation, but some of the triplet excitons have the advantage of being able to reverse intersystem crossover to singlet excitons that can contribute to light emission. In actual organic EL devices, it is possible to obtain an external extraction quantum efficiency approximately double that of conventional fluorescent light emitting devices.
General formula: T ^* + T ^* → S ^* + S
(Wherein, T ^* represents a triplet exciton, S ^* represents a singlet exciton, and S represents a ground state molecule.)
However, as can be seen from the above equation, only one singlet exciton that can be used for light emission is generated from two triplet excitons, so it is impossible in principle to obtain 100% internal quantum efficiency with this method.

［熱活性型遅延蛍光（ＴＡＤＦ）化合物］
もう一つの高効率蛍光発光であるＴＡＤＦ方式は、ＴＴＡの問題点を解決できる方式である。
蛍光発光性化合物は前記のごとく無限に分子設計できる利点を持っている。すなわち、分子設計された化合物の中で、特異的に三重項励起状態と一重項励起状態のエネルギー準位差が極めて近接する化合物が存在する。
このような化合物は、分子内に重原子を持っていないにもかかわらず、ΔＥ_ＳＴが小さいために通常では起こりえない三重項励起状態から一重項励起状態への逆項間交差が起こる。さらに、一重項励起状態から基底状態への失活（＝蛍光発光）の速度定数が極めて大きいことから、三重項励起子はそれ自体が基底状態に熱的に失活（無輻射失活）するよりも、一重項励起状態経由で蛍光を発しながら基底状態に戻る方が速度論的に有利である。そのため、ＴＡＤＦでは理論的には１００％の蛍光発光が可能となる。 [Thermal activated delayed fluorescence (TADF) compound]
The TADF method, which is another high-efficiency fluorescence emission method, is a method that can solve the problems of TTA.
Fluorescent compounds have the advantage that they can be designed indefinitely as described above. That is, among molecularly designed compounds, there are compounds in which the energy level difference between the triplet excited state and the singlet excited state is very close to each other.
Such a compound does not have a heavy atom in the molecule, but reverse intersystem crossing from a triplet excited state to a singlet excited state, which cannot normally occur due to a small _ΔEST , occurs. Furthermore, since the rate constant of deactivation (= fluorescence emission) from the singlet excited state to the ground state is extremely large, the triplet exciton itself is thermally deactivated to the ground state (non-radiative deactivation). It is kinetically advantageous to return to the ground state while emitting fluorescence via the singlet excited state. Therefore, TADF theoretically enables 100% fluorescence emission.

＜ΔＥ_ＳＴに関する分子設計思想＞
上記ΔＥ_ＳＴを小さくするための分子設計について説明する。
ΔＥ_ＳＴを小さくするためには、原理上分子内の最高被占軌道（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ：ＨＯＭＯ）と最低空軌道（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ：ＬＵＭＯ）の空間的な重なりを小さくすることが最も効果的である。
一般に分子の電子軌道において、ＨＯＭＯは電子供与性部位に、ＬＵＭＯは電子求引性部位に分布することが知られており、分子内に電子供与性と電子求引性の骨格を導入することによって、ＨＯＭＯとＬＵＭＯが存在する位置を遠ざけることが可能である。 <Molecular design concept for _ΔEST >
A molecular design for reducing the _ΔEST will be described.
In order to reduce _ΔEST , in principle, it is most effective to reduce the spatial overlap between the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital (LOWEST UNOCCUPIED MOLECULAR ORBITAL: LUMO). target.
It is generally known that HOMO is distributed at the electron-donating site and LUMO is distributed at the electron-withdrawing site in the electron orbital of the molecule. , HOMOs and LUMOs can be moved away.

例えば、「実用化ステージを迎えた有機光エレクトロニクス」応用物理 第８２巻、第６号、２０１３年においては、シアノ基やトリアジンなどの電子求引性の骨格と、カルバゾールやジフェニルアミノ基等の電子供与性の骨格とを導入することで、ＬＵＭＯとＨＯＭＯとをそれぞれ局在化させている。
また、化合物の基底状態と三重項励起状態との分子構造変化を小さくすることも効果的である。構造変化を小さくするための方法としては、例えば、化合物を剛直にすることなどが効果的である。ここで述べる剛直とは、例えば、分子内の環と環との結合における自由回転を抑制することや、π共役面の大きい縮合環を導入するなど、分子内において自由に動ける部位が少ないことを意味する。特に、発光に関与する部位を剛直にすることによって、励起状態における構造変化を小さくすることが可能である。 For example, in "Organic optoelectronics reaching the stage of practical application" Applied Physics, Vol. 82, No. 6, 2013, electron-withdrawing skeletons such as cyano groups and triazines and electrons such as carbazole and diphenylamino groups LUMO and HOMO are localized by introducing a donating skeleton.
It is also effective to reduce the change in molecular structure between the ground state and the triplet excited state of the compound. As a method for reducing the structural change, it is effective, for example, to make the compound rigid. The term "rigidity" as used here means that there are few sites that can move freely in the molecule, such as by suppressing free rotation of bonds between rings in the molecule or by introducing condensed rings with large π-conjugated planes. means. In particular, structural changes in the excited state can be reduced by making the sites involved in light emission rigid.

以下に、本発明に係るπ共役系化合物に関する種々の測定方法について記載する。 Various measuring methods for the π-conjugated compound according to the present invention are described below.

［電子密度分布］
本発明に係るπ共役系化合物は、ΔＥ_ＳＴを小さくするという観点から、分子内においてＨＯＭＯとＬＵＭＯが実質的に分離していることが好ましい。これらＨＯＭＯ及びＬＵＭＯの分布状態については、分子軌道計算により得られる構造最適化した際の電子密度分布から求めることができる。
本発明におけるπ共役系化合物の分子軌道計算による構造最適化及び電子密度分布の算出は、計算手法として、汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数として６－３１Ｇ（ｄ）を用いた分子軌道計算用ソフトウェアを用いて算出することができ、ソフトウェアに特に限定はなく、いずれを用いても同様に求めることができる。
本発明においては、分子軌道計算用ソフトウェアとして、米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製のＧａｕｓｓｉａｎ０９（Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｃ．０１，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，２０１０．）を用いた。 [Electron density distribution]
In the π-conjugated compound according to the present invention, it is preferable that HOMO and LUMO are substantially separated in the molecule from the viewpoint of reducing _ΔEST . The distribution states of these HOMOs and LUMOs can be determined from the electron density distribution when the structure is optimized by molecular orbital calculations.
Structural optimization and calculation of electron density distribution by molecular orbital calculation of the π-conjugated compound in the present invention are performed using molecular orbital calculation software using B3LYP as a functional and 6-31G(d) as a basis function as a calculation method. There is no particular limitation on the software, and any software can be used for the same calculation.
In the present invention, Gaussian09 (Revision C.01, M.J. Frisch, et al., Gaussian, Inc., 2010.) manufactured by Gaussian, Inc., USA, was used as molecular orbital calculation software.

また、「ＨＯＭＯとＬＵＭＯが実質的に分離している」とは、上記分子計算により算出されたＨＯＭＯ軌道分布及びＬＵＭＯ軌道分布の中心部位が離れており、より好ましくはＨＯＭＯ軌道の分布とＬＵＭＯ軌道の分布がほぼ重なっていないことを意味する。
また、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの分離状態については、前述の汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数として６－３１Ｇ（ｄ）を用いた構造最適化計算から、さらに時間依存密度汎関数法（Ｔｉｍｅ－Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ＤＦＴ）による励起状態計算を実施してＳ_１、Ｔ_１のエネルギー準位（それぞれＥ（Ｓ_１）、Ｅ（Ｔ_１））を求めてΔＥ_ＳＴ＝｜Ｅ（Ｓ_１）－Ｅ（Ｔ_１）｜として算出することも可能である。算出されたΔＥ_ＳＴが小さいほど、ＨＯＭＯとＬＵＭＯがより分離していることを示す。本発明においては、前述と同様の計算手法を用いて算出されたΔＥ_ＳＴが０．５０ｅＶ以下であり、好ましくは０．３０ｅＶ以下であり、より好ましくは０．１０ｅＶ以下である。 Further, "the HOMO and the LUMO are substantially separated" means that the central sites of the HOMO orbital distribution and the LUMO orbital distribution calculated by the molecular calculation are separated, and more preferably the HOMO orbital distribution and the LUMO orbital distributions are almost non-overlapping.
In addition, for the separated state of HOMO and LUMO, from the structure optimization calculation using B3LYP as the functional described above and 6-31G(d) as the basis function, further by time-dependent density functional theory (Time-Dependent DFT) Excited state calculations are performed to determine the energy levels of S ₁ and T ₁ (E(S ₁ ) and E(T ₁ ), respectively), and ΔE _ST = |E(S ₁ )−E(T ₁ )| It is also possible to calculate A smaller calculated _ΔEST indicates a better separation between HOMO and LUMO. In the present invention, _ΔEST calculated using the same calculation method as described above is 0.50 eV or less, preferably 0.30 eV or less, and more preferably 0.10 eV or less.

［最低励起一重項エネルギー準位Ｓ_１］
本発明におけるπ共役系化合物の最低励起一重項エネルギー準位Ｓ_１については、本発明においても通常の手法と同様にして算出されるもので定義される。すなわち、測定対象となる化合物を石英基板上に蒸着して試料を作製し、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸光度、横軸：波長とする。）を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値に基づいて、所定の換算式から算出される。
ただし、本発明において使用するπ共役系化合物の分子自体の凝集性が比較的高い場合、薄膜の測定においては凝集による誤差を生じる可能性がある。本発明におけるπ共役系化合物はストークスシフトが比較的小さいこと、さらに励起状態と基底状態の構造変化が小さいことを考慮し、本発明における最低励起一重項エネルギー準位Ｓ_１は、室温（２５℃）におけるπ共役系化合物の溶液状態の最大発光波長のピーク値を近似値として用いた。
ここで、使用する溶媒は、π共役系化合物の凝集状態に影響を与えない、すなわち溶媒効果の影響が小さい溶媒、例えばシクロヘキサンやトルエン等の非極性溶媒等を用いることができる。 [Lowest excited singlet energy level S ₁ ]
The lowest excited singlet energy level _S1 of the π-conjugated compound in the present invention is also defined by calculation in the same manner as in the usual method. That is, a compound to be measured is vapor-deposited on a quartz substrate to prepare a sample, and the absorption spectrum (vertical axis: absorbance, horizontal axis: wavelength) of this sample is measured at normal temperature (300K). A tangent line is drawn with respect to the rise on the long wavelength side of this absorption spectrum, and calculation is performed from a predetermined conversion formula based on the wavelength value at the intersection of the tangent line and the horizontal axis.
However, if the molecule itself of the π-conjugated compound used in the present invention has a relatively high cohesiveness, there is a possibility that errors due to aggregation may occur in the measurement of the thin film. Considering that the π-conjugated compound in the present invention has a relatively small Stokes shift and that the structural change between the excited state and the ground state is small, the lowest excited singlet energy level S ₁ in the present invention is set at room temperature (25 ° C. ) was used as an approximate value for the peak value of the maximum emission wavelength of the π-conjugated compound in the solution state.
Here, the solvent to be used may be a solvent that does not affect the aggregation state of the π-conjugated compound, that is, a solvent that has a small solvent effect, such as a nonpolar solvent such as cyclohexane or toluene.

［最低励起三重項エネルギー準位Ｔ_１］
本発明で用いられるπ共役系化合物の最低励起三重項エネルギー準位（Ｔ_１）については、溶液若しくは薄膜のフォトルミネッセンス（ＰＬ）特性により算出した。例えば、薄膜における算出方法としては、希薄状態のπ共役系化合物の分散物を薄膜にした後に、ストリークカメラを用い、過渡ＰＬ特性を測定することで、蛍光成分とリン光成分の分離を行い、そのエネルギー差の絶対値をΔＥ_ＳＴとして最低励起一重項エネルギー準位から最低励起三重項エネルギー準位を求めることができる。
測定・評価にあたって、絶対ＰＬ量子収率の測定については、絶対ＰＬ量子収率測定装置Ｃ９９２０－０２（浜松ホトニクス社製）を用いた。発光寿命は、ストリークカメラＣ４３３４（浜松ホトニクス社製）を用いて、サンプルをレーザー光で励起させながら測定した。 [Lowest excited triplet energy level T ₁ ]
The lowest excited triplet energy level (T ₁ ) of the π-conjugated compound used in the present invention was calculated from the photoluminescence (PL) characteristics of the solution or thin film. For example, as a calculation method in a thin film, after making a dispersion of a dilute π-conjugated compound into a thin film, a streak camera is used to measure the transient PL characteristics, thereby separating the fluorescent component and the phosphorescent component. Using the absolute value of the energy difference as _ΔEST , the lowest excited singlet energy level to the lowest excited triplet energy level can be obtained.
In the measurement and evaluation, an absolute PL quantum yield measurement device C9920-02 (manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) was used to measure the absolute PL quantum yield. The emission lifetime was measured using a streak camera C4334 (manufactured by Hamamatsu Photonics) while exciting the sample with laser light.

《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光層の少なくとも１層が、前記一般式（１）で表される構造を有するπ共役系化合物を含有することを特徴とする。
本発明の有機ＥＬ素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／（電子阻止層／）発光層／（正孔阻止層／）電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の中で（７）の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
本発明に用いられる発光層は、単層又は複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。 <<Constituent layer of organic EL element>>
The organic EL device of the present invention is an organic electroluminescence device having at least a light-emitting layer between an anode and a cathode, wherein at least one layer of the light-emitting layer has a structure represented by the general formula (1). It is characterized by containing a conjugated compound.
Typical device configurations in the organic EL device of the present invention include the following configurations, but are not limited to these.
(1) anode/light-emitting layer/cathode (2) anode/light-emitting layer/electron-transporting layer/cathode (3) anode/hole-transporting layer/light-emitting layer/cathode (4) anode/hole-transporting layer/light-emitting layer/electron Transport layer/cathode (5) Anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode (6) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode ( 7) Anode/Hole Injection Layer/Hole Transport Layer/(Electron Blocking Layer/) Emitting Layer/(Hole Blocking Layer/) Electron Transport Layer/Electron Injection Layer/Cathode Among the above, the configuration of (7) is preferable. used, but not limited to.
The light-emitting layer used in the present invention is composed of a single layer or multiple layers, and when there are multiple light-emitting layers, a non-light-emitting intermediate layer may be provided between each light-emitting layer.

必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層（正孔障壁層ともいう）や電子注入層（陰極バッファー層ともいう）を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層（電子障壁層ともいう）や正孔注入層（陽極バッファー層ともいう）を設けてもよい。
本発明に用いられる電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層であり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
本発明に用いられる正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層を「有機層」ともいう。 If necessary, a hole-blocking layer (also referred to as a hole-blocking layer) or an electron-injecting layer (also referred to as a cathode buffer layer) may be provided between the light-emitting layer and the cathode. An electron blocking layer (also referred to as an electron blocking layer) or a hole injection layer (also referred to as an anode buffer layer) may be provided between them.
The electron transport layer used in the present invention is a layer having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. Moreover, you may comprise by multiple layers.
The hole-transporting layer used in the present invention is a layer having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole-injecting layer and an electron-blocking layer are also included in the hole-transporting layer. Moreover, you may comprise by multiple layers.
In the above representative device structure, the layers other than the anode and cathode are also referred to as "organic layers".

（タンデム構造）
また、本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも１層の発光層を含む発光ユニットを複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。
タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。
陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／中間層／第３発光ユニット／陰極
ここで、上記第１発光ユニット、第２発光ユニット及び第３発光ユニットは全て同じであっても、異なっていてもよい。また二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていてもよい。
複数の発光ユニットは直接積層されていても、中間層を介して積層されていてもよく、中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。 (tandem structure)
Further, the organic EL element of the present invention may be a so-called tandem structure element in which a plurality of light emitting units each including at least one light emitting layer are laminated.
As a representative element configuration of the tandem structure, for example, the following configuration can be given.
anode/first light-emitting unit/intermediate layer/second light-emitting unit/intermediate layer/third light-emitting unit/cathode Here, even if the first light-emitting unit, the second light-emitting unit and the third light-emitting unit are all the same, can be different. Also, two light emitting units may be the same and the remaining one may be different.
A plurality of light-emitting units may be directly laminated or may be laminated via an intermediate layer. Also called an insulating layer, a known material structure can be used as long as the layer has a function of supplying electrons to the adjacent layer on the anode side and holes to the adjacent layer on the cathode side.

中間層に用いられる材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ_２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯｘ、ＶＯｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ_２、ＣｕＧａＯ_２、ＳｒＣｕ_２Ｏ_２、ＬａＢ_６、ＲｕＯ_２、Ａｌ等の導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３等の２層膜や、ＳｎＯ_２／Ａｇ／ＳｎＯ_２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３／Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２／ＴｉＮ／ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＺｒＮ／ＴｉＯ_２等の多層膜、またＣ_６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
発光ユニット内の好ましい構成としては、例えば、上記の代表的な素子構成で挙げた（１）～（７）の構成から、陽極と陰極を除いたもの等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Materials used for the intermediate layer include, for example, ITO (indium tin oxide), IZO (indium/zinc oxide), ZnO ₂ , TiN, ZrN, HfN, TiOx, VOx, CuI, InN, GaN, CuAlO ₂ , Conductive _inorganic compound layers _such as CuGaO ₂ , SrCu _{2 O 2} , LaB ₆ , RuO ₂ and Al _; , Bi ₂ O ₃ /Au/Bi ₂ O ₃ , TiO ₂ /TiN/TiO ₂ , TiO ₂ /ZrN/TiO ₂ etc., fullerenes such as C ₆₀ , conductive organic layers such as oligothiophene, Examples include conductive organic compound layers such as metal phthalocyanines, metal-free phthalocyanines, metal porphyrins, and metal-free porphyrins, but the present invention is not limited thereto.
Preferred structures in the light-emitting unit include, for example, structures (1) to (7) exemplified in the representative element structures above, except for the anode and the cathode. Not limited.

タンデム型有機ＥＬ素子の具体例としては、例えば、米国特許第６３３７４９２号、米国特許第７４２０２０３号、米国特許第７４７３９２３号、米国特許第６８７２４７２号、米国特許第６１０７７３４号、米国特許第６３３７４９２号、国際公開第２００５／００９０８７号、特開２００６－２２８７１２号公報、特開２００６－２４７９１号公報、特開２００６－４９３９３号公報、特開２００６－４９３９４号公報、特開２００６－４９３９６号公報、特開２０１１－９６６７９号公報、特開２００５－３４０１８７号公報、特許第４７１１４２４号、特許第３４９６６８１号、特許第３８８４５６４号、特許第４２１３１６９号、特開２０１０－１９２７１９号公報、特開２００９－０７６９２９号公報、特開２００８－０７８４１４号公報、特開２００７－０５９８４８号公報、特開２００３－２７２８６０号公報、特開２００３－０４５６７６号公報、国際公開第２００５／０９４１３０号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Specific examples of tandem-type organic EL devices include, for example, US Pat. No. 6,337,492, US Pat. No. 7,420,203, US Pat. Publication No. 2005/009087, JP 2006-228712, JP 2006-24791, JP 2006-49393, JP 2006-49394, JP 2006-49396, JP 2011 -96679, JP 2005-340187, JP 4711424, JP 3496681, JP 3884564, JP 4213169, JP 2010-192719, JP 2009-076929, Patent Element configurations and constituent materials described in JP 2008-078414, JP 2007-059848, JP 2003-272860, JP 2003-045676, WO 2005/094130, etc. However, the invention is not limited to these.

以下、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。 Each layer constituting the organic EL element of the present invention will be described below.

《発光層》
本発明に用いられる発光層は、電極又は隣接層から注入されてくる電子及び正孔が再結合し、励起子を経由して発光する場を提供する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。本発明に用いられる発光層は、本発明で規定する要件を満たしていれば、その構成に特に制限はない。
発光層の層厚の総和は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ～５μｍの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは２～５００ｎｍの範囲に調整され、更に好ましくは５～２００ｎｍの範囲に調整される。
また、本発明に用いられる個々の発光層の層厚としては、２ｎｍ～１μｍの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは２～２００ｎｍの範囲に調整され、更に好ましくは３～１５０ｎｍの範囲に調整される。
本発明に用いられる発光層に一層でもよいし、複数の層から構成されてもよい。本願のπ共役系化合物を発光層に用いる場合、単独で用いてもよいし、後述のホスト材料、蛍光発光材料、りん光発光材料などと混合して用いてもよい。発光層の少なくとも一層が、発光ドーパント（発光性化合物、発光性ドーパント、単にドーパントともいう。）を含有し、さらにホスト化合物（マトリックス材料、発光ホスト化合物、単にホストともいう。）を含有することが好ましい。本願のπ共役系化合物は、発光層の少なくとも一層が、本願π共役系化合物と、ホスト化合物とを含有すると、発光効率が向上するため好ましい。発光層の少なくとも一層が、本願π共役系化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも１種類とを含有すると、発光効率が向上するため好ましい。発光層の少なくとも一層が、本願π共役系化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも１種類と、ホスト化合物とを含有すると、発光効率が向上するため好ましい。 《Light emitting layer》
The light-emitting layer used in the present invention is a layer in which electrons and holes injected from an electrode or an adjacent layer recombine and provide a field for light emission via excitons. It may be within the layer or at the interface between the light-emitting layer and the adjacent layer. The light-emitting layer used in the present invention is not particularly limited in its structure as long as it satisfies the requirements defined in the present invention.
The total thickness of the light-emitting layer is not particularly limited, but it is necessary to ensure uniformity of the film to be formed, prevent application of unnecessary high voltage during light emission, and improve the stability of the emission color with respect to the driving current. From the point of view, it is preferably adjusted in the range of 2 nm to 5 μm, more preferably in the range of 2 to 500 nm, and even more preferably in the range of 5 to 200 nm.
Further, the layer thickness of each light-emitting layer used in the present invention is preferably adjusted in the range of 2 nm to 1 μm, more preferably in the range of 2 to 200 nm, and still more preferably in the range of 3 to 150 nm. adjusted.
The light-emitting layer used in the present invention may be composed of one layer or a plurality of layers. When the π-conjugated compound of the present application is used in the light-emitting layer, it may be used alone, or may be used in combination with a host material, fluorescent light-emitting material, phosphorescent light-emitting material, or the like, which will be described later. At least one layer of the light-emitting layer may contain a light-emitting dopant (also referred to as a light-emitting compound, a light-emitting dopant, or simply a dopant) and a host compound (also referred to as a matrix material, a light-emitting host compound, or simply a host). preferable. The .pi.-conjugated compound of the present application preferably contains the .pi.-conjugated compound of the present application and a host compound in at least one layer of the light-emitting layer because the luminous efficiency is improved. It is preferable that at least one layer of the light-emitting layer contains the π-conjugated compound of the present application and at least one of the fluorescent light-emitting compound and the phosphorescent light-emitting compound because the light emission efficiency is improved. It is preferable that at least one layer of the light-emitting layer contains the π-conjugated compound of the present application, at least one of the fluorescent light-emitting compound and the phosphorescent light-emitting compound, and a host compound, because the light emission efficiency is improved.

（１）発光ドーパント
発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント（蛍光発光性化合物、蛍光ドーパントともいう。）と、リン光発光性ドーパント（リン光発光性化合物、リン光ドーパントともいう。）が好ましく用いられる。本発明においては、発光層が、本発明に係るπ共役系化合物を蛍光発光性化合物又はアシストドーパアントとして、０．１～５０質量％の範囲内で含有し、特に、１～３０質量％の範囲内で含有することが好ましい。 (1) Luminescent dopant As the luminescent dopant, a fluorescent dopant (also referred to as a fluorescent compound or fluorescent dopant.) and a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent compound or phosphorescent dopant.) are preferably used. be done. In the present invention, the light-emitting layer contains the π-conjugated compound according to the present invention as a fluorescent compound or an assist dopant in the range of 0.1 to 50% by mass, particularly 1 to 30% by mass. It is preferable to contain within the range.

本発明においては、発光層が発光性化合物を０．１～５０質量％の範囲内で含有し、特に、１～３０質量％の範囲内で含有することが好ましい。
発光層中の発光性化合物の濃度については、使用される特定の発光性化合物及びデバイスの必要条件に基づいて、任意に決定することができ、発光層の層厚方向に対し、均一な濃度で含有されていてもよく、また任意の濃度分布を有していてもよい。
また、本発明で用いられる発光性化合物は、複数種を併用して用いてもよく、構造の異なる蛍光発光性化合物同士の組み合わせや、蛍光発光性化合物とリン光発光性化合物とを組み合わせて用いてもよい。これにより、任意の発光色を得ることができる。 In the present invention, the light-emitting layer preferably contains the light-emitting compound in the range of 0.1 to 50% by mass, and particularly preferably in the range of 1 to 30% by mass.
The concentration of the emissive compound in the emissive layer can be arbitrarily determined based on the particular emissive compound used and the requirements of the device, and is uniform in concentration along the thickness of the emissive layer. It may be contained and may have any concentration distribution.
Further, the luminescent compound used in the present invention may be used in combination of a plurality of types, a combination of fluorescent compounds having different structures, or a combination of a fluorescent compound and a phosphorescent compound. may This makes it possible to obtain an arbitrary emission color.

最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位の差の絶対値（ΔＥ_ＳＴ）が、０．５０ｅＶ以下である本発明に係るπ共役系化合物と、発光性化合物と、ホスト化合物を発光層に含有する場合、本発明に係るπ共役系化合物はアシストドーパントとして作用する。一方、発光層が、本発明に係るπ共役系化合物と発光性化合物を含有し、ホスト化合物を含有しない場合、本発明に係るπ共役系化合物はホスト化合物として作用する。発光層が、本発明に係るπ共役系化合物のみを含有する場合、本発明に係るπ共役系化合物はホスト化合物兼発光性化合物として作用する。
効果が発現する機構としては、いずれの場合も同様であり、本発明に係るπ共役系化合物上に生成した三重項励起子を逆項間交差（ＲＩＳＣ）で一重項励起子へと変換する点にある。
これにより、本発明に係るπ共役系化合物上に生成した理論上すべての励起子エネルギーを発光性化合物に蛍光共鳴エネルギー移動（ＦＲＥＴ）することができ、高発光効率の発現を可能にする。
したがって、発光層が、本発明に係るπ共役系化合物、発光性化合物及びホスト化合物の３成分を含有する場合は、π共役系化合物のＳ_１とＴ_１のエネルギー準位は、ホスト化合物のＳ_１とＴ_１のエネルギー準位よりも低く、発光性化合物のＳ_１とＴ_１のエネルギー準位よりも高い方が好ましい。
同様に、発光層が、本発明に係るπ共役系化合物と発光性化合物の２成分を含有する場合は、π共役系化合物のＳ_１とＴ_１のエネルギー準位は、発光性化合物のＳ_１とＴ_１のエネルギー準位よりも高い方が好ましい。 The absolute value (ΔE _ST ) of the difference between the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level is a π-conjugated compound according to the present invention of 0.50 eV or less, a light-emitting compound, and a host compound. When contained in the light-emitting layer, the π-conjugated compound according to the present invention acts as an assist dopant. On the other hand, when the light-emitting layer contains the π-conjugated compound and the light-emitting compound according to the present invention and does not contain the host compound, the π-conjugated compound according to the present invention acts as the host compound. When the light-emitting layer contains only the π-conjugated compound according to the present invention, the π-conjugated compound according to the present invention acts as both a host compound and a light-emitting compound.
The mechanism for expressing the effect is the same in any case, and the triplet excitons generated on the π-conjugated compound according to the present invention are converted into singlet excitons by reverse intersystem crossing (RISC). It is in.
As a result, theoretically all exciton energies generated on the π-conjugated compound according to the present invention can be transferred to the luminescent compound by fluorescence resonance energy transfer (FRET), and high luminous efficiency can be achieved.
Therefore, when the light-emitting layer contains the three components of the π-conjugated compound according to the present invention, the light-emitting compound, and the host compound, the energy levels of S ₁ and T ₁ of the π-conjugated compound are the same as those of the host compound S It is preferably lower than the energy levels of ₁ and _T1 and higher than the energy levels of _S1 and _T1 of the luminescent compound.
Similarly, when the light-emitting layer contains two components, the π-conjugated compound according to the present invention and the light-emitting compound, the energy levels of S ₁ and T ₁ of the π-conjugated compound are the same as those of S ₁ of the light-emitting compound. and T ₁ energy levels.

図３及び図４に、本発明のπ共役系化合物がそれぞれアシストドーパント及びホスト化合物として作用する場合の模式図を示す。図３及び図４は一例であって、本発明に係るπ共役系化合物上に生成する三重項励起子の生成過程は電界励起のみに限定されず、発光層内又は周辺層界面からのエネルギー移動や電子移動等も含まれる。
さらに、図３及び図４では、発光材料として蛍光発光性化合物を用いて示しているが、これに限定されず、リン光発光性化合物を用いてもよいし、蛍光発光性化合物とリン光発光性化合物の両者を用いてもよい。 FIG. 3 and FIG. 4 show schematic diagrams when the π-conjugated compound of the present invention acts as an assist dopant and a host compound, respectively. FIGS. 3 and 4 are examples, and the generation process of triplet excitons generated on the π-conjugated compound according to the present invention is not limited to electric field excitation, and energy transfer from the inside of the light-emitting layer or from the interface of the peripheral layer and electron transfer are also included.
Furthermore, in FIGS. 3 and 4, the fluorescent light-emitting compound is used as the light-emitting material, but the present invention is not limited to this, and a phosphorescent compound may be used, or the fluorescent light-emitting compound and the phosphorescent light-emitting compound may be used. You may use both sexual compounds.

本発明に係るπ共役系化合物をアシストドーパントとして用いる場合、発光層は、π共役系化合物に対し質量比で１００％以上のホスト化合物を含有し、蛍光発光性化合物及び／又はリン光発光性化合物がπ共役系化合物に対して質量比０．１～５０％の範囲内で含有していることが好ましい。 When the π-conjugated compound according to the present invention is used as an assist dopant, the light-emitting layer contains a host compound in a mass ratio of 100% or more with respect to the π-conjugated compound, and is a fluorescent compound and/or a phosphorescent compound. is preferably contained within the range of 0.1 to 50% by mass relative to the π-conjugated compound.

本発明に係るπ共役系化合物をホスト化合物として用いる場合、発光層は、蛍光発光性化合物及び／又はリン光発光性化合物をπ共役系化合物に対して質量比０．１～５０％の範囲内で含有することが好ましい。 When the π-conjugated compound according to the present invention is used as a host compound, the light-emitting layer contains a fluorescent compound and/or a phosphorescent compound in a mass ratio of 0.1 to 50% with respect to the π-conjugated compound. It is preferable to contain at

本発明に係るπ共役系化合物をアシスタドーパント又はホスト化合物として用いる場合、本発明に係るπ共役系化合物の発光スペクトルと発光性化合物の吸収スペクトルが重なることが好ましい。 When the π-conjugated compound according to the present invention is used as an assistant dopant or host compound, the emission spectrum of the π-conjugated compound according to the present invention and the absorption spectrum of the light-emitting compound preferably overlap.

本発明の有機ＥＬ素子や本発明に用いられる化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図３．１６において、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタ（株）製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
本発明においては、１層又は複数層の発光層が、発光色の異なる複数の発光ドーパントを含有し、白色発光を示すことも好ましい。
白色を示す発光ドーパントの組み合わせについては特に限定はないが、例えば青と橙や、青と緑と赤の組合わせ等が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子における白色とは、２度視野角正面輝度を前述の方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ^２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がｘ＝０．３９±０．０９、ｙ＝０．３８±０．０８の領域内にあることが好ましい。 The color emitted by the organic EL element of the present invention and the compound used in the present invention is shown in Fig. 3.16 on page 108 of "New Color Science Handbook" (edited by the Color Society of Japan, University of Tokyo Press, 1985). The color is determined by applying the results of measurement with a CS-1000 luminance meter (manufactured by Konica Minolta, Inc.) to the CIE chromaticity coordinates.
In the present invention, it is also preferable that one or more light-emitting layers contain a plurality of light-emitting dopants with different emission colors to exhibit white light emission.
Although there is no particular limitation on the combination of dopants that emit white light, examples thereof include a combination of blue and orange, and a combination of blue, green, and red.
The white color in the organic EL device of the present invention means that the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 cd/m ² is x = 0.39 ± 0.09 when the 2-degree viewing angle front luminance is measured by the method described above. , y=0.38±0.08.

（１．２）蛍光発光性ドーパント
蛍光発光性ドーパント（蛍光ドーパント）は、本発明のπ共役系化合物を用いてもよいし、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知の蛍光ドーパントや遅延蛍光性ドーパントの中から適宜選択して用いてもよい。 (1.2) Fluorescent dopant The fluorescent dopant (fluorescent dopant) may be the π-conjugated compound of the present invention, or a known fluorescent dopant or delayed fluorescence used in the light-emitting layer of an organic EL device. It may be used by appropriately selecting from among the active dopants.

本発明に使用できる公知の蛍光ドーパントの具体例としては、例えば、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ホウ素錯体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、シアニン誘導体、クロコニウム誘導体、スクアリウム誘導体、オキソベンツアントラセン誘導体、フルオレセイン誘導体、ローダミン誘導体、ピリリウム誘導体、ペリレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、又は希土類錯体系化合物等が挙げられる。また、近年では遅延蛍光を利用した発光ドーパントも開発されており、これらを用いてもよい。遅延蛍光を利用した発光ドーパントの具体例としては、例えば、国際公開第２０１１／１５６７９３号、特開２０１１－２１３６４３号公報、特開２０１０－９３１８１号公報、特許５３６６１０６号等に記載の化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Specific examples of known fluorescent dopants that can be used in the present invention include anthracene derivatives, pyrene derivatives, chrysene derivatives, fluoranthene derivatives, perylene derivatives, fluorene derivatives, arylacetylene derivatives, styrylarylene derivatives, styrylamine derivatives, and arylamine derivatives. , boron complexes, coumarin derivatives, pyran derivatives, cyanine derivatives, croconium derivatives, squalium derivatives, oxobenzanthracene derivatives, fluorescein derivatives, rhodamine derivatives, pyrylium derivatives, perylene derivatives, polythiophene derivatives, or rare earth complex compounds. In recent years, light-emitting dopants using delayed fluorescence have also been developed, and these may be used. Specific examples of luminescent dopants utilizing delayed fluorescence include compounds described in International Publication No. 2011/156793, JP-A-2011-213643, JP-A-2010-93181, and Japanese Patent No. 5366106. However, the invention is not limited to these.

（１．３）リン光発光性ドーパント
本発明に用いられるリン光発光性ドーパントについて説明する。
本発明に用いられるリン光発光性ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。 (1.3) Phosphorescent dopant The phosphorescent dopant used in the present invention will be described.
The phosphorescent dopant used in the present invention is a compound in which emission from excited triplet is observed, specifically, a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), phosphorescence quantum yield is defined as a compound with a phosphorescence quantum yield of 0.01 or higher at 25° C., with a preferred phosphorescence quantum yield of 0.1 or higher.
The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Jikken Kagaku Koza 7, 4th edition, Spectroscopy II, page 398 (1992 edition, Maruzen). Phosphorescence quantum yield in solution can be measured using various solvents, the phosphorescence dopant used in the present invention, the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) is achieved in any of the solvents All you have to do is

リン光ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。本発明に使用できる公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
Ｎａｔｕｒｅ ３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許出願公開第２００２／００３４６５６号明細書、米国特許第７３３２２３２号、米国特許出願公開第２００９／０１０８７３７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号明細書、米国特許第６９２１９１５号、米国特許第６６８７２６６号、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１６５８４６号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７２５０２２６号、米国特許第７３９６５９８号、米国特許出願公開第２００６／０２６３６３５号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１５２８０２号明細書、米国特許第７０９０９２８号、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７３９３５９９号、米国特許第７５３４５０５号、米国特許第７４４５８５５号、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書、米国特許第７３３８７２２号、米国特許出願公開第２００２／０１３４９８４号明細書、米国特許第７２７９７０４号、米国特許出願公開第２００６／０９８１２０号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第２００８１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、米国特許出願公開第２０１２／２２８５８３号明細書、米国特許出願公開第２０１２／２１２１２６号明細書、特開２０１２－０６９７３７号公報、特願２０１１－１８１３０３号公報、特開２００９－１１４０８６号公報、特開２００３－８１９８８号公報、特開２００２－３０２６７１号公報、特開２００２－３６３５５２号公報等である。
中でも、好ましいリン光ドーパントとしてはＩｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属－炭素結合、金属－窒素結合、金属－酸素結合、金属－硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。 The phosphorescent dopant can be appropriately selected and used from known ones used in the light-emitting layer of the organic EL device. Specific examples of known phosphorescent dopants that can be used in the present invention include the compounds described in the following documents.
Nature 395, 151 (1998), Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001), Adv. Mater. 19, 739 (2007), Chem. Mater. 17, 3532 (2005), Adv. Mater. 17, 1059 (2005), WO 2009/100991, WO 2008/101842, WO 2003/040257, U.S. Patent Application Publication No. 2006/835469, U.S. Patent Application Publication No. 2006/ 0202194, US Patent Application Publication No. 2007/0087321, US Patent Application Publication No. 2005/0244673, Inorg. Chem. 40, 1704 (2001), Chem. Mater. 16, 2480 (2004), Adv. Mater. 16, 2003 (2004), Angew. Chem. lnt. Ed. 2006, 45, 7800, Appl. Phys. Lett. 86, 153505 (2005), Chem. Lett. 34, 592 (2005), Chem. Commun. 2906 (2005), Inorg. Chem. 42, 1248 (2003), WO2009/050290, WO2002/015645, WO2009/000673, US2002/0034656, US7332232, US Patent Application Publication No. 2009/0108737, US Patent Application Publication No. 2009/0039776, US Patent No. 6921915, US Patent No. 6687266, US Patent Application Publication No. 2007/0190359, US Patent Applications Publication No. 2006/0008670, U.S. Patent Application Publication No. 2009/0165846, U.S. Patent Application Publication No. 2008/0015355, U.S. Patent No. 7250226, U.S. Patent No. 7396598, U.S. Patent Application Publication No. 2006/0263635, US Patent Application Publication No. 2003/0138657, US Patent Application Publication No. 2003/0152802, US Patent No. 7,090,928, Angew. Chem. lnt. Ed. 47, 1 (2008), Chem. Mater. 18, 5119 (2006), Inorg. Chem. 46, 4308 (2007), Organometallics 23, 3745 (2004), Appl. Phys. Lett. 74, 1361 (1999), WO 2002/002714, WO 2006/009024, WO 2006/056418, WO 2005/019373, WO 2005/123873, WO 2005/123873 2005/123873, WO2007/004380, WO2006/082742, US2006/0251923, US2005/0260441, US7393599 , US Pat. No. 7,534,505, US Pat. 0134984, US7279704, US2006/098120, US2006/103874, WO2005/076380, WO2010/032663 , International Publication No. 2008140115, International Publication No. 2007/052431, International Publication No. 2011/134013, International Publication No. 2011/157339, International Publication No. 2010/086089, International Publication No. 2009/113646, International Publication No. 2012/020327, WO2011/051404, WO2011/004639, WO2011/073149, US2012/228583, US2012/212126 Specification, JP 2012-069737, JP 2011-181303, JP 2009-114086, JP 2003-81988, JP 2002-302671, JP 2002-363552 etc.
Among them, preferred phosphorescent dopants include organometallic complexes having Ir as a central metal. More preferably, the complex contains at least one coordination mode of metal-carbon bond, metal-nitrogen bond, metal-oxygen bond, and metal-sulfur bond.

（２）ホスト化合物
本発明に用いられるホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入及び輸送を担う化合物であり、有機ＥＬ素子においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。
ホスト化合物は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
ホスト化合物は、単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機エレクトロルミネッセンス素子を高効率化することができる。
以下に、本発明において好ましく用いられるホスト化合物について述べる。 (2) Host compound The host compound used in the present invention is a compound that is mainly responsible for charge injection and transport in the light-emitting layer, and its own light emission is substantially not observed in the organic EL device.
It is preferable that the mass ratio of the host compound in the layer is 20% or more among the compounds contained in the light-emitting layer.
The host compound may be used alone or in combination of multiple types. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the transfer of electric charges, and to improve the efficiency of the organic electroluminescence device.
Host compounds preferably used in the present invention are described below.

ホスト化合物としては、上述のように本発明で用いられるπ共役系化合物を用いてもよいが、特に制限はない。逆エネルギー移動の観点から、ドーパントの励起一重項エネルギーより大きな励起エネルギーをもつものが好ましく、さらにドーパントの励起三重項エネルギーより大きな励起三重項エネルギーをもつものがより好ましい。
ホスト化合物は、発光層内においてキャリアの輸送及び励起子の生成を担う。そのため、カチオンラジカル状態、アニオンラジカル状態、及び励起状態の全ての活性種の状態において安定に存在でき、分解や付加反応などの化学変化を起こさないこと、さらに、層中において通電経時でホスト分子がオングストロームレベルで移動しないことが好ましい。 As the host compound, the π-conjugated compound used in the present invention may be used as described above, but there is no particular limitation. From the viewpoint of reverse energy transfer, one having excitation energy higher than the singlet excitation energy of the dopant is preferred, and one having triplet excitation energy higher than the triplet excitation energy of the dopant is more preferred.
The host compound is responsible for transporting carriers and generating excitons in the light-emitting layer. Therefore, it can exist stably in all states of active species such as cation radical state, anion radical state, and excited state, and chemical changes such as decomposition and addition reactions do not occur. It is preferred not to move at the Angstrom level.

また、特に併用する発光ドーパントがＴＡＤＦ発光を示す場合には、ＴＡＤＦ化合物の三重項励起状態の存在時間が長いことから、ホスト化合物自体のＴ_１エネルギー準位が高いこと、さらにホスト化合物同士が会合した状態で低Ｔ_１状態を作らないこと、ＴＡＤＦ化合物とホスト化合物とがエキサイプレックスを形成しないこと、ホスト化合物が電界によりエレクトロマーを形成しないことなど、ホスト化合物が低Ｔ_１化しないような分子構造の適切な設計が必要となる。
このような要件を満たすためには、ホスト化合物自体が電子のホッピング移動性が高いこと、かつ、正孔のホッピング移動が高いこと、三重項励起状態となったときの構造変化が小さいことが必要である。このような要件を満たすホスト化合物の代表格としてカルバゾール骨格、アザカルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格又はアザジベンゾフラン骨格などの、高Ｔ_１エネルギー準位を有するものが好ましく挙げられる。 In addition, especially when the luminescent dopant used in combination exhibits TADF luminescence, the existence time of the triplet excited state of the TADF compound is long, so the T ₁ energy level of the host compound itself is high, Molecules that do not create a low T 1 state in _a low T ₁ state, do not form an exciplex between the TADF compound and the host compound, do not form an electromer with the host compound due to an electric field, etc. Appropriate design of the structure is required.
In order to satisfy these requirements, the host compound itself must have high electron hopping mobility, high hole hopping mobility, and small structural change when it becomes a triplet excited state. is. Preferred representatives of host compounds satisfying these requirements include those having a high _T1 energy level, such as carbazole, azacarbazole, dibenzofuran, dibenzothiophene, and azadibenzofuran skeletons.

また、ホスト化合物は、正孔輸送能又は電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、さらに、有機エレクトロルミネッセンス素子を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対して安定して動作させる観点から、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有することが好ましい。好ましくはＴｇが９０℃以上であり、より好ましくは１２０℃以上である。
ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ Ｋ ７１２１－２０１２に準拠した方法により求められる値である。 In addition, the host compound has a hole-transporting ability or an electron-transporting ability, prevents emission from becoming longer in wavelength, and stabilizes the organic electroluminescence element against heat generation during high-temperature driving and element driving. It is preferable to have a high glass transition temperature (Tg) from the viewpoint of operating with a high temperature. Tg is preferably 90° C. or higher, more preferably 120° C. or higher.
Here, the glass transition point (Tg) is a value determined by a method based on JIS K 7121-2012 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).

また、本発明に用いられるホスト化合物としては、上述のように本発明に係るπ共役系化合物を用いることも好適である。本発明に係るπ共役系化合物は、高いＴ_１を有しており、発光波長の短い（すなわちＴ_１及びＳ_１のエネルギー準位が高い）発光材料に対しても好適に用いることができるためである。 As the host compound used in the present invention, it is also preferable to use the π-conjugated compound according to the present invention as described above. The π-conjugated compound according to the present invention has a high T ₁ and can be suitably used for light-emitting materials with short emission wavelengths (that is, high energy levels of T ₁ and S ₁ ). is.

本発明の有機ＥＬ素子に公知のホスト化合物を用いる場合、その具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
特開２００１－２５７０７６号公報、同２００２－３０８８５５号公報、同２００１－３１３１７９号公報、同２００２－３１９４９１号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－３３４７８６号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－３３４７８７号公報、同２００２－１５８７１号公報、同２００２－３３４７８８号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－３３４７８９号公報、同２００２－７５６４５号公報、同２００２－３３８５７９号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３４３５６８号公報、同２００２－１４１１７３号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２０３６８３号公報、同２００２－３６３２２７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００３－３１６５号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００３－２７０４８号公報、同２００２－２５５９３４号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－２８０１８３号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００２－３０２５１６号公報、同２００２－３０５０８３号公報、同２００２－３０５０８４号公報、同２００２－３０８８３７号公報、米国特許出願公開第２００３／０１７５５５３号、米国特許出願公開第２００６／０２８０９６５号、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号、米国特許出願公開第２００９／００１７３３０号、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号、米国特許出願公開第２００５／０２３８９１９号、国際公開第２００１／０３９２３４号、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８－０７４９３９号公報、特開２００７－２５４２９７号公報、欧州特許第２０３４５３８号明細書、国際公開第２０１１／０５５９３３号、国際公開第２０１２／０３５８５３号、特開２０１５－３８９４１号公報等である。特開２０１５－３８９４１号公報に記載のホスト化合物の例には、明細書の［０２５５］～［０２９３］に記載の化合物Ｈ－１～Ｈ－２３０が含まれる。 When a known host compound is used in the organic EL device of the present invention, specific examples thereof include compounds described in the following documents, but the present invention is not limited thereto.
JP 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357977, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445, 2002-343568, 2002-141173, 2002-352957, 2002-203683, 2002-363227, 2002-231453, 2003 -3165, 2002-234888, 2003-27048, 2002-255934, 2002-260861, 2002-280183, 2002-299060, 2002- 302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, US Patent Application Publication No. 2003/0175553, US Patent Application Publication No. 2006/0280965, US Patent Application Publication No. 2005/0112407, US2009/0017330, US2009/0030202, US2005/0238919, WO2001/039234, WO2009/021126 , WO 2008/056746, WO 2004/093207, WO 2005/089025, WO 2007/063796, WO 2007/063754, WO 2004/107822, International Publication No. 2005/030900, International Publication No. 2006/114966, International Publication No. 2009/086028, International Publication No. 2009/003898, International Publication No. 2012/023947, JP 2008-074939, JP 2007 -254297, European Patent No. 2034538, WO 2011/055933, WO 2012/035853, JP 2015-38941, and the like. Examples of the host compound described in JP-A-2015-38941 include compounds H-1 to H-230 described in [0255] to [0293] of the specification.

以下に、本発明に用いられるホスト化合物として、具体的な化合物例を示すが、これらに限定されるものではない。

Specific examples of the host compound used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.

さらに、本発明に用いられるホスト化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。下記一般式（Ｉ）で表される化合物はバイポーラー性を有し、かつ非常に安定である。したがってホスト化合物が下記一般式（Ｉ）で表される化合物であると、有機ＥＬ素子の寿命が長くなりやすい。

上記一般式（Ｉ）中、Ｘ_１０１は、ＮＲ_１０１、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、ＣＲ_１０２Ｒ_１０３又はＳｉＲ_１０４Ｒ_１０５を表す。また、ｙ_１～ｙ_８は、それぞれ独立に、ＣＲ_１０６、又は窒素原子を表す。ここで、Ｒ_１０１～Ｒ_１０６は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ_１０１～Ｒ_１０６でありうる置換基の例には、以下の基が含まれる。 Furthermore, the host compound used in the present invention is preferably a compound represented by the following general formula (I). The compound represented by the following general formula (I) has bipolar properties and is very stable. Therefore, when the host compound is a compound represented by the following general formula (I), the life of the organic EL element tends to be long.

In general formula (I) above, X ₁₀₁ represents NR ₁₀₁ , an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfinyl group, a sulfonyl group, CR ₁₀₂ R ₁₀₃ or SiR ₁₀₄ R ₁₀₅ . Moreover, y ₁ to y ₈ each independently represent CR ₁₀₆ or a nitrogen atom. Here, R ₁₀₁ to R ₁₀₆ each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and may combine with each other to form a ring. Examples of substituents that can be R ₁₀₁ -R ₁₀₆ include the following groups.

直鎖状又は分岐状のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）；
アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）；
アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）；
芳香族炭化水素環基（芳香族炭素環基やアリール基等とも称される。例えば、ベンゼン環、ビフェニル、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ－ターフェニル環、ｍ－ターフェニル環、ｐ－ターフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、インデン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環、テトラリン等から導出される基）；
芳香族複素環基（例えば、フラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ジベンゾチオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換された環等から導出される基。また、カルボリン環とジアザカルバゾール環を合わせて「アザカルバゾール環」と称される場合もある。）；
非芳香族炭化水素環基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）；
非芳香族複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）；
アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）；
シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）；
アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）；
アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）；
シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）；
アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）；
アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）；
アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）；
スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２－ピリジルアミノスルホニル基等）；
アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２－エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）；
アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）；
アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２－エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）；
カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２－エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２－ピリジルアミノカルボニル基等）；
ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２－ピリジルアミノウレイド基等）；
スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２－エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２－ピリジルスルフィニル基等）；
アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２－エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）；
アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２－ピリジルスルホニル基等）；
アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２－ピリジルアミノ基、ジフェニルアミノ基等）；
ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）；
フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）；
シアノ基；
ニトロ基；
ヒドロキシ基；
チオール基；
シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）；
重水素原子 Linear or branched alkyl group (e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.) );
alkenyl group (e.g., vinyl group, allyl group, etc.);
alkynyl group (e.g., ethynyl group, propargyl group, etc.);
Aromatic hydrocarbon ring groups (also referred to as aromatic carbocyclic groups, aryl groups, etc., such as benzene ring, biphenyl, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, indene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphene ring, picene a group derived from a ring, pyrene ring, pyranthrene ring, anthraantrene ring, tetralin, etc.);
Aromatic heterocyclic groups (e.g., furan ring, dibenzofuran ring, thiophene ring, dibenzothiophene ring, oxazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring , triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, indazole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoline ring, isoquinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine A group derived from a ring, carbazole ring, carboline ring, diazacarbazole ring (a ring in which one of the carbon atoms of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring is further substituted with a nitrogen atom, etc. In addition, carboline ring and diazacarbazole The rings are sometimes collectively referred to as "azacarbazole ring".);
non-aromatic hydrocarbon ring group (e.g., cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.);
non-aromatic heterocyclic group (e.g., pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.);
alkoxy group (e.g., methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.);
cycloalkoxy group (e.g., cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.);
aryloxy group (e.g., phenoxy group, naphthyloxy group, etc.);
alkylthio group (e.g., methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.);
cycloalkylthio group (e.g., cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.);
arylthio group (e.g., phenylthio group, naphthylthio group, etc.);
alkoxycarbonyl group (e.g., methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.);
aryloxycarbonyl group (e.g., phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.);
sulfamoyl group (e.g., aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthyl aminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.);
Acyl group (e.g., acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.) );
acyloxy group (e.g., acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.);
Amido groups (e.g., methylcarbonylamino, ethylcarbonylamino, dimethylcarbonylamino, propylcarbonylamino, pentylcarbonylamino, cyclohexylcarbonylamino, 2-ethylhexylcarbonylamino, octylcarbonylamino, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.);
Carbamoyl group (e.g., aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group , phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.);
Ureido group (e.g., methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.);
sulfinyl group (e.g., methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.);
alkylsulfonyl group (e.g., methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.);
arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (e.g., phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.);
amino group (e.g., amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, diphenylamino group, etc.) );
halogen atoms (e.g., fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.);
fluorohydrocarbon groups (e.g., fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.);
cyano group;
nitro group;
hydroxy group;
thiol group;
silyl group (e.g., trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.);
deuterium atom

上記の中でも好ましい基として、直鎖又は分岐アルキル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、アミノ基、フッ素原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、及びシリル基が挙げられる。 Preferred groups among the above include linear or branched alkyl groups, aromatic hydrocarbon ring groups, aromatic heterocyclic groups, amino groups, fluorine atoms, fluorohydrocarbon groups, cyano groups, and silyl groups.

また、Ａｒ_１０１及びＡｒ_１０２は、それぞれ独立に、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。「置換されていてもよいアリール基」におけるアリール基は、炭素原子数６～２４の芳香族炭化水素環から誘導される基であることが好ましい。そのような芳香族炭化水素環の例には、ベンゼン環、インデン環、ナフタレン環、アズレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、アセナフチレン環、ビフェニレン環、ナフタセン環、ピレン環、ペンタレン環、アセアントリレン環、ヘプタレン環、トリフェニレン環、ａｓ－インダセン環、クリセン環、ｓ－インダセン環、プレイアデン環、フェナレン環、フルオランテン環、ペリレン環、アセフェナントリレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、及びテトラフェニル環等が含まれる。好ましくは、ベンゼン環、ビフェニル環、ターフェニル環である。 Ar ₁₀₁ and Ar ₁₀₂ each independently represent an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group. The aryl group in the "optionally substituted aryl group" is preferably a group derived from an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 24 carbon atoms. Examples of such aromatic hydrocarbon rings include benzene ring, indene ring, naphthalene ring, azulene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, acenaphthylene ring, biphenylene ring, naphthacene ring, pyrene ring, pentalene ring, aceane ring tolylene ring, heptalene ring, triphenylene ring, as-indacene ring, chrysene ring, s-indacene ring, preiadene ring, phenalene ring, fluoranthene ring, perylene ring, acephenanthrylene ring, biphenyl ring, terphenyl ring, and A tetraphenyl ring and the like are included. A benzene ring, a biphenyl ring and a terphenyl ring are preferred.

また、「置換されていてもよいヘテロアリール基」におけるヘテロアリール基は、各種芳香族複素環から誘導される基であることが好ましい。そのような芳香族複素環の例にはピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、９，１０－ジヒドロアクリジン環、５，１０－ジヒドロフェナジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、アザジベンゾフラン環、ジアザカルバゾール環、ジアザジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンオキシド環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホールオキシド環等が含まれる。好ましくは、カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、アザジベンゾフラン環、ジアザカルバゾール環、ジアザジベンゾフラン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環である。 Moreover, the heteroaryl group in the "optionally substituted heteroaryl group" is preferably a group derived from various aromatic heterocycles. Examples of such heteroaromatic rings include pyrrole ring, indole ring, carbazole ring, indoloindole ring, 9,10-dihydroacridine ring, 5,10-dihydrophenazine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene. ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothienocarbazole ring, benzothienobenzothiophene ring, benzocarbazole ring, dibenzocarbazole ring, azacarbazole ring, azadibenzofuran ring, dia The carbazole ring, diazadibenzofuran ring, dibenzothiophene oxide ring, dibenzothiophene dioxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, Phthalazine ring, pteridine ring, phenanthridine ring, phenanthroline ring, dibenzofuran ring, dibenzosilole ring, dibenzoborole ring, dibenzophosphoroxide ring and the like are included. Carbazole, benzocarbazole, azacarbazole, azadibenzofuran, diazacarbazole, diazadibenzofuran, pyridine, pyrimidine and triazine rings are preferred.

アリール基やヘテロアリール基が有しうる置換基の例には、アルキル基で置換されていてもよいアリール基、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、置換されていてもよい複素環基、置換されていてもよいアミノ基、置換されていてもよいシリル基等が含まれる。
上記「アルキル基」は、直鎖、分岐又は環状のいずれであってもよく、例えば炭素原子数１～２０の直鎖又は分岐のアルキル基、或いは炭素原子数５～２０の環状のアルキル基でありうる。アルキル基の例には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、２－ヘキシルオクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、及びｎ－イコシル基等が含まれる。また、「アリール基」及び「複素環基」は、Ａｒ_１０１及びＡｒ_１０２で表されるアリール基やヘテロアリール基と同様でありうる。 Examples of substituents that the aryl group or heteroaryl group may have include an aryl group optionally substituted with an alkyl group, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group optionally substituted with fluorine, a substituted optionally substituted carbonyl group, optionally substituted sulfonyl group, optionally substituted phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, optionally substituted heterocyclic group, optionally substituted amino groups, optionally substituted silyl groups, and the like.
The above-mentioned "alkyl group" may be linear, branched or cyclic. For example, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a cyclic alkyl group having 5 to 20 carbon atoms. Possible. Examples of alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, s-butyl, t-butyl, n-pentyl, neopentyl, n-hexyl, cyclohexyl. group, 2-ethylhexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-hexyloctyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n- Tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-icosyl group and the like are included. Also, the “aryl group” and “heterocyclic group” may be the same as the aryl group and heteroaryl group represented by Ar ₁₀₁ and Ar ₁₀₂ .

また、上記一般式（Ｉ）において、ｎ１０１及びｎ１０２は、各々０～４の整数を表すが、Ｒ_１０１が水素原子の場合は、ｎ１０１は１～４の整数を表す。 In general formula (I) above, n101 and n102 each represent an integer of 0 to 4, and n101 represents an integer of 1 to 4 when _R101 is a hydrogen atom.

上記一般式（Ｉ）で表される構造を有するホスト化合物は、下記一般式（II）で表される構造を有することがより好ましい。

一般式（II）において、Ｘ_１０１は、ＮＲ_１０１、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、ＣＲ_１０２Ｒ_１０３又はＳｉＲ_１０４Ｒ_１０５を表す。Ｒ_１０１～Ｒ_１０５は、それぞれ独立して水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。なお、Ｒ_１０１～Ｒ_１０５は、一般式（Ｉ）のＲ_１０１～Ｒ_１０５と同義である。 The host compound having the structure represented by general formula (I) above preferably has a structure represented by general formula (II) below.

In general formula (II), _X101 represents _NR101 , an oxygen atom, a sulfur atom _, a sulfinyl group _, a sulfonyl group, _CR102R103 or _SiR104R105 . R ₁₀₁ to R ₁₀₅ each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and may combine with each other to form a ring. R ₁₀₁ to R ₁₀₅ have the same definitions as R ₁₀₁ to R ₁₀₅ in formula (I).

Ａｒ_１０１及びＡｒ_１０２は、それぞれ独立に、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、Ａｒ_１０１及びＡｒ_１０２は、一般式（Ｉ）のＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２と同義である。 Ar ₁₀₁ and Ar ₁₀₂ each independently represent an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group, Ar ₁₀₁ and Ar ₁₀₂ represent Ar ₁₀₁ and Ar ₁₀₂ in general formula (I) is synonymous with

また、ｎ１０２は０～４の整数を表す。 Also, n102 represents an integer of 0 to 4.

さらに、一般式（II）で表される化合物は、下記一般式（III－１）、（III－２）又は（III－３）で表される化合物であることが好ましい。 Further, the compound represented by general formula (II) is preferably a compound represented by general formula (III-1), (III-2) or (III-3) below.

一般式（III－１）～（III－３）において、Ｘ_１０１、Ａｒ_１０２、ｎ１０２は、前記一般式（II）におけるＸ_１０１、Ａｒ_１０２、ｎ１０２と同義である。また、一般式（III－２）において、Ｒ_１０４は、前記一般式（Ｉ）におけるＲ_１０４と同義である。
一般式（III－１）～（III－３）において、Ｘ_１０１を含んで形成される縮合環、カルバゾール環及びベンゼン環は、ホスト化合物の機能を阻害しない範囲でさらに置換基を有してもよい。 In general formulas (III-1) to (III-3), X ₁₀₁ , Ar ₁₀₂ and n102 have the same meanings as X ₁₀₁ , Ar ₁₀₂ and n102 in general formula (II). In general formula (III-2), R ₁₀₄ has the same definition as R ₁₀₄ in general formula (I).
In general formulas (III-1) to (III-3), the condensed ring, carbazole ring and benzene ring formed containing X ₁₀₁ may further have a substituent within a range that does not impede the function of the host compound. good.

上記一般式（Ｉ）、（II）、又は（III－１）～（III－３）で表されるホスト化合物の好ましい具体例を挙げるが、これらの化合物はさらに置換基を有していたり、構造異性体などが存在していたりする場合もあり、本記述に限定されない。 Preferred specific examples of the host compounds represented by the above general formulas (I), (II), or (III-1) to (III-3) are given below, and these compounds further have substituents, Structural isomers and the like may exist, and are not limited to this description.

《電子輸送層》
本発明において電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明に係る電子輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は２ｎｍ～５μｍの範囲であり、より好ましくは２～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５～２００ｎｍである。
また、有機ＥＬ素子においては発光層で生じた光を電極から取り出す際、発光層から直接取り出される光と、光を取り出す電極と対極に位置する電極によって反射されてから取り出される光とが干渉を起こすことが知られている。光が陰極で反射される場合は、電子輸送層の総層厚を数ｎｍ～数μｍの間で適宜調整することにより、この干渉効果を効率的に利用することが可能である。
一方で、電子輸送層の層厚を厚くすると電圧が上昇しやすくなるため、特に層厚が厚い場合においては、電子輸送層の電子移動度は１０^－５ｃｍ^２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という）としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。 《Electron transport layer》
In the present invention, the electron-transporting layer is made of a material having a function of transporting electrons, as long as it has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light-emitting layer.
The total layer thickness of the electron transport layer according to the invention is not particularly limited, but is usually in the range of 2 nm to 5 μm, more preferably 2 nm to 500 nm, still more preferably 5 nm to 200 nm.
In the organic EL device, when the light generated in the light-emitting layer is taken out from the electrode, the light directly taken out from the light-emitting layer and the light taken out after being reflected by the electrode and the electrode positioned opposite to the light-outgoing electrode interfere with each other. known to cause When light is reflected by the cathode, this interference effect can be efficiently utilized by appropriately adjusting the total layer thickness of the electron transport layer between several nanometers and several micrometers.
On the other hand, when the thickness of the electron transport layer is increased, the voltage tends to increase. Therefore, when the layer thickness is particularly thick, the electron mobility of the electron transport layer is preferably 10 ⁻⁵ cm ² /Vs or more. .
The material used for the electron transport layer (hereinafter referred to as an electron transport material) may have either an electron injection or transport property or a hole blocking property, and is selected from conventionally known compounds. can be selected and used.

例えば、含窒素芳香族複素環誘導体（カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体（カルバゾール環を構成する炭素原子の一つ以上が窒素原子に置換されたもの）、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等）、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体、芳香族炭化水素環誘導体（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体等）等が挙げられる。 For example, nitrogen-containing aromatic heterocyclic derivatives (carbazole derivatives, azacarbazole derivatives (one or more carbon atoms constituting the carbazole ring are substituted with nitrogen atoms), pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyridazine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, phenanthroline derivatives, azatriphenylene derivatives, oxazole derivatives, thiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, etc.), dibenzofuran derivatives, Examples include dibenzothiophene derivatives, silole derivatives, aromatic hydrocarbon ring derivatives (naphthalene derivatives, anthracene derivatives, triphenylene derivatives, etc.).

また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されたものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型－Ｓｉ、ｎ型－ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 In addition, metal complexes having a quinolinol skeleton or a dibenzoquinolinol skeleton in the ligand, such as tris(8-quinolinol)aluminum (Alq), tris(5,7-dichloro-8-quinolinol)aluminum, tris(5,7- Dibromo-8-quinolinol)aluminum, tris(2-methyl-8-quinolinol)aluminum, tris(5-methyl-8-quinolinol)aluminum, bis(8-quinolinol)zinc (Znq), etc., and metal complexes thereof Metal complexes in which the central metal is replaced with In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as electron transport materials.
In addition, metal-free or metal phthalocyanines, or those whose terminals are substituted with alkyl groups, sulfonic acid groups, etc., can also be preferably used as electron transport materials. In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material for the light-emitting layer can also be used as an electron transport material. can also be used as an electron transport material.
Also, polymer materials in which these materials are introduced into the polymer chain or these materials are used as the main chain of the polymer can also be used.

本発明に係る電子輸送層においては、電子輸送層にドープ材をゲスト材料としてドープして、ｎ性の高い（電子リッチ）電子輸送層を形成してもよい。ドープ材としては、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のｎ型ドーパントが挙げられる。このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平４－２９７０７６号公報、同１０－２７０１７２号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されたものが挙げられる。 In the electron transport layer according to the present invention, the electron transport layer may be doped with a doping material as a guest material to form an electron transport layer having a high n property (electron rich). Examples of dopants include n-type dopants such as metal compounds such as metal complexes and metal halides. Specific examples of the electron transport layer having such a structure include, for example, JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J. Am. Appl. Phys. , 95, 5773 (2004).

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
米国特許第６５２８１８７号、米国特許第７２３０１０７号、米国特許出願公開第２００５／００２５９９３号明細書、米国特許出願公開第２００４／００３６０７７号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１１５３１６号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０１８７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１７９５５４号明細書、国際公開第２００３／０６０９５６号、国際公開第２００８／１３２０８５号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７５，４（１９９９）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９，４４９（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９，１５６（２００１）、米国特許第７９６４２９３号、米国特許出願公開第２００９／０３０２０２号明細書、国際公開第２００４／０８０９７５号、国際公開第２００４／０６３１５９号、国際公開第２００５／０８５３８７号、国際公開第２００６／０６７９３１号、国際公開第２００７／０８６５５２号、国際公開第２００８／１１４６９０号、国際公開第２００９／０６９４４２号、国際公開第２００９／０６６７７９号、国際公開第２００９／０５４２５３号、国際公開第２０１１／０８６９３５号、国際公開第２０１０／１５０５９３号、国際公開第２０１０／０４７７０７号、欧州特許第２３１１８２６号明細書、特開２０１０－２５１６７５号公報、特開２００９－２０９１３３号公報、特開２００９－１２４１１４号公報、特開２００８－２７７８１０号公報、特開２００６－１５６４４５号公報、特開２００５－３４０１２２号公報、特開２００３－４５６６２号公報、特開２００３－３１３６７号公報、特開２００３－２８２２７０号公報、国際公開第２０１２／１１５０３４号等である。 Specific examples of known electron-transporting materials suitable for use in the organic EL device of the present invention include the compounds described in the following documents, but the present invention is not limited thereto.
US6528187, US7230107, US2005/0025993, US2004/0036077, US2009/0115316, US Patent Published Application No. 2009/0101870, U.S. Patent Application Publication No. 2009/0179554, WO 2003/060956, WO 2008/132085, Appl. Phys. Lett. 75, 4 (1999), Appl. Phys. Lett. 79, 449 (2001), Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002), Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002), Appl. Phys. Lett. 79, 156 (2001), U.S. Pat. Publication No. 2006/067931, WO 2007/086552, WO 2008/114690, WO 2009/069442, WO 2009/066779, WO 2009/054253, WO 2011/086935, WO 2010/150593, WO 2010/047707, EP 2311826, JP 2010-251675, JP 2009-209133, JP 2009-124114 JP, JP 2008-277810, JP 2006-156445, JP 2005-340122, JP 2003-45662, JP 2003-31367, JP 2003-282270 , International Publication No. 2012/115034, and the like.

本発明におけるより好ましい公知の電子輸送材料としては、少なくとも一つの窒素原子を含む芳香族複素環化合物や、リン原子を含む化合物が挙げられ、例えばピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、アザジベンゾフラン誘導体、アザジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、アリールホスフィンオキサイド誘導体などが挙げられる。
電子輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。 Preferred known electron transport materials in the present invention include aromatic heterocyclic compounds containing at least one nitrogen atom and compounds containing a phosphorus atom, such as pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, triazine derivatives, dibenzofuran derivatives, dibenzothiophene derivatives, azadibenzofuran derivatives, azadibenzothiophene derivatives, carbazole derivatives, azacarbazole derivatives, benzimidazole derivatives, arylphosphine oxide derivatives and the like.
The electron-transporting material may be used singly or in combination of two or more.

《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子に設ける正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
本発明に係る正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３～１００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは５～３０ｎｍの範囲である。
正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。 《Hole blocking layer》
In a broad sense, the hole-blocking layer is a layer having the function of an electron-transporting layer. can improve the recombination probability of electrons and holes.
Moreover, the configuration of the electron transport layer described above can be used as the hole blocking layer according to the present invention, if necessary.
The hole-blocking layer provided in the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the cathode side of the light-emitting layer.
The layer thickness of the hole blocking layer according to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably in the range of 5 to 30 nm.
As the material used for the hole-blocking layer, the material used for the electron-transporting layer described above is preferably used, and the material used for the host compound described above is also preferably used for the hole-blocking layer.

《電子注入層》
本発明に係る電子注入層（「陰極バッファー層」ともいう）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されている。
本発明において電子注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に存在させてもよい。
電子注入層はごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその層厚は０．１～５ｎｍの範囲が好ましい。また構成材料が断続的に存在する不均一な層（膜）であってもよい。 《Electron injection layer》
The electron injection layer (also referred to as "cathode buffer layer") according to the present invention is a layer provided between the cathode and the light-emitting layer to reduce the driving voltage and improve the luminance of light emission. Forefront of industrialization (published by NTS on Nov. 30, 1998), Volume 2, Chapter 2 "Electrode materials" (pp. 123-166).
In the present invention, the electron injection layer is optionally provided, and may exist between the cathode and the light-emitting layer or between the cathode and the electron transport layer as described above.
The electron injection layer is preferably a very thin film, and its layer thickness is preferably in the range of 0.1 to 5 nm depending on the material. Alternatively, it may be a non-uniform layer (film) in which the constituent material exists intermittently.

電子注入層は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、８－ヒドロキシキノリネートリチウム（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、前述の電子輸送材料を用いることも可能である。
また、上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、複数種を併用して用いてもよい。 Details of the electron injection layer are also described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, etc. Specific examples of materials preferably used for the electron injection layer include , metals such as strontium and aluminum, alkali metal compounds such as lithium fluoride, sodium fluoride and potassium fluoride, alkaline earth metal compounds such as magnesium fluoride and calcium fluoride, oxidation Metal oxides typified by aluminum and metal complexes typified by lithium 8-hydroxyquinolinate (Liq) and the like are included. It is also possible to use the aforementioned electron transport materials.
Moreover, the material used for the electron injection layer may be used alone, or a plurality of materials may be used in combination.

《正孔輸送層》
本発明において正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明に係る正孔輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍの範囲であり、より好ましくは２～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５～２００ｎｍである。
正孔輸送層に用いられる材料（以下、正孔輸送材料という）としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー（例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。 <<Hole transport layer>>
In the present invention, the hole-transporting layer is made of a material having a function of transporting holes as long as it has a function of transmitting holes injected from the anode to the light-emitting layer.
The total layer thickness of the hole-transporting layer according to the invention is not particularly limited, but is usually in the range of 5 nm to 5 μm, more preferably 2 to 500 nm, still more preferably 5 to 200 nm.
The material used for the hole transport layer (hereinafter referred to as a hole transport material) may have either a hole injection or transport property or an electron barrier property. Any one can be selected and used from.
For example, porphyrin derivatives, phthalocyanine derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, polyarylalkane derivatives, triarylamine derivatives, carbazole derivatives. , indolocarbazole derivatives, isoindole derivatives, acene derivatives such as anthracene and naphthalene, fluorene derivatives, fluorenone derivatives, polyvinylcarbazole, polymeric materials or oligomers with aromatic amines introduced into the main chain or side chain, polysilane, conductive organic polymers or oligomers (for example, PEDOT/PSS, aniline copolymers, polyaniline, polythiophene, etc.), and the like.

トリアリールアミン誘導体としては、α－ＮＰＤ（４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル）に代表されるベンジジン型や、ＭＴＤＡＴＡに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
また、特表２００３－５１９４３２号公報や特開２００６－１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
さらに不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。 Examples of triarylamine derivatives include benzidine type represented by α-NPD (4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl), starburst type represented by MTDATA, Examples thereof include compounds having fluorene or anthracene in the triarylamine-linked core portion.
Hexaazatriphenylene derivatives as described in JP-A-2003-519432, JP-A-2006-135145, etc. can also be used as a hole transport material.
Furthermore, an impurity-doped hole-transporting layer having a high p-property can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, and JP-A-2001-102175; Appl. Phys. , 95, 5773 (2004).

また、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料やｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣ等の無機化合物を用いることもできる。さらにＩｒ（ｐｐｙ）３に代表されるような中心金属にＩｒやＰｔを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。 Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-251067, J. Am. Huang et. al. So-called p-type hole transport materials and inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC, as described in Applied Physics Letters 80 (2002), p.139, can also be used. Further, an ortho-metalated organometallic complex having Ir or Pt as a central metal such as Ir(ppy)3 is also preferably used.
As the hole-transporting material, those mentioned above can be used. Polymeric materials, oligomers, or the like are preferably used.

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい正孔輸送材料の具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６９，２１６０（１９９６）、Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．７２－７４，９８５（１９９７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，６７３（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１，９１３（１９８７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．８７，１７１（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．９１，２０９（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１１１，４２１（２０００）、ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ，３７，９２３（２００６）、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．３，３１９（１９９３）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．６，６７７（１９９４）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１５，３１４８（２００３）、米国特許出願公開第２００３／０１６２０５３号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１５８２４２号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２４０２７９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２２０２６５号明細書、米国特許第５０６１５６９号、国際公開第２００７／００２６８３号、国際公開第２００９／０１８００９号、ＥＰ６５０９５５、米国特許出願公開第２００８／０１２４５７２号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７８９３８号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１０６１９０号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１８２２１号明細書、国際公開第２０１２／１１５０３４号、特表２００３－５１９４３２号公報、特開２００６－１３５１４５号公報、米国特許出願番号１３／５８５９８１号等である。
正孔輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。 Specific examples of known preferred hole-transporting materials used in the organic EL device of the present invention include the compounds described in the following documents in addition to the above-mentioned documents, but the present invention is limited to these. not.
For example, Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996); Lumin. 72-74, 985 (1997), Appl. Phys. Lett. 78, 673 (2001), Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007), Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007), Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987), Synth. Met. 87, 171 (1997), Synth. Met. 91, 209 (1997), Synth. Met. 111, 421 (2000); SID Symposium Digest, 37, 923 (2006); Mater. Chem. 3, 319 (1993), Adv. Mater. 6, 677 (1994), Chem. Mater. 15, 3148 (2003), US Patent Application Publication No. 2003/0162053, US Patent Application Publication No. 2002/0158242, US Patent Application Publication No. 2006/0240279, US Patent Application Publication No. 2008/ 0220265, US5061569, WO2007/002683, WO2009/018009, EP650955, US2008/0124572, US2007/0278938 Specification, US Patent Application Publication No. 2008/0106190, US Patent Application Publication No. 2008/0018221, International Publication No. 2012/115034, Japanese Patent Publication No. 2003-519432, Japanese Patent Application Publication No. 2006-135145 , U.S. patent application Ser. No. 13/585,981, and others.
The hole-transporting material may be used singly or in combination of two or more.

《電子阻止層》
電子阻止層とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る電子阻止層として用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子に設ける電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
本発明に係る電子阻止層の層厚としては、好ましくは３～１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５～３０ｎｍの範囲内である。
電子阻止層に用いられる材料としては、前述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物も電子阻止層に好ましく用いられる。 《Electron blocking layer》
The electron blocking layer is a layer having the function of a hole transport layer in a broad sense, and is preferably made of a material having a function of transporting holes but having a small ability to transport electrons. By blocking electrons, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
Moreover, the structure of the hole transport layer described above can be used as the electron blocking layer according to the present invention, if necessary.
The electron blocking layer provided in the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the anode side of the light emitting layer.
The layer thickness of the electron blocking layer according to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably in the range of 5 to 30 nm.
As the material used for the electron blocking layer, the material used for the hole transporting layer is preferably used, and the host compound described above is also preferably used for the electron blocking layer.

《正孔注入層》
本発明に係る正孔注入層（「陽極バッファー層」ともいう）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されている。
本発明において正孔注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に存在させてもよい。
正孔注入層は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば前述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。
中でも銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表２００３－５１９４３２号公報や特開２００６－１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。
前述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。 《Hole Injection Layer》
The hole injection layer (also referred to as "anode buffer layer") according to the present invention is a layer provided between the anode and the light emitting layer in order to reduce the driving voltage and improve the luminance of light emission. The Forefront of Industrialization (published by NTS on Nov. 30, 1998)", Volume 2, Chapter 2 "Electrode Materials" (pp. 123-166).
In the present invention, the hole-injecting layer is optionally provided, and may exist between the anode and the light-emitting layer or between the anode and the hole-transporting layer as described above.
The details of the hole injection layer are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069, etc. Materials used for the hole injection layer include, for example, Materials used for the above-mentioned hole transport layer and the like are included.
Among them, phthalocyanine derivatives typified by copper phthalocyanine, hexaazatriphenylene derivatives such as those described in Japanese Patent Application Publication No. 2003-519432 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-135145, metal oxides typified by vanadium oxide, and amorphous carbon. , conductive polymers such as polyaniline (emeraldine) and polythiophene, ortho-metalated complexes such as tris(2-phenylpyridine)iridium complex, and triarylamine derivatives are preferred.
The materials used for the hole injection layer described above may be used alone, or a plurality of materials may be used in combination.

《添加物》
前述した本発明における有機層は、更に他の添加物が含まれていてもよい。
添加物としては、例えば臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Ｐｄ、Ｃａ、Ｎａ等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。
添加物の含有量は、任意に決定することができるが、含有される層の全質量％に対して１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下である。
ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的などによってはこの範囲内ではない。 "Additive"
The organic layer in the present invention described above may further contain other additives.
Examples of the additive include halogen elements such as bromine, iodine and chlorine, halogenated compounds, alkali metals such as Pd, Ca and Na, alkaline earth metals, transition metal compounds, complexes and salts.
The content of the additive can be arbitrarily determined, but it is preferably 1000 ppm or less, more preferably 500 ppm or less, and still more preferably 50 ppm or less with respect to the total mass% of the layer containing it. .
However, depending on the purpose of improving the transportability of electrons and holes, or the purpose of making the energy transfer of excitons advantageous, it is not within this range.

《有機層の形成方法》
本発明に係る有機層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、中間層等）の形成方法について説明する。
本発明に係る有機層の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう）等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア－ブロジェット法）等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。 <<Method of Forming Organic Layer>>
A method for forming the organic layers (hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, hole blocking layer, electron transport layer, electron injection layer, intermediate layer, etc.) according to the present invention will be described.
The method for forming the organic layer according to the present invention is not particularly limited, and conventionally known forming methods such as a vacuum deposition method and a wet method (also referred to as a wet process) can be used.
Wet methods include a spin coating method, a casting method, an inkjet method, a printing method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, a spray coating method, a curtain coating method, an LB method (Langmuir-Blodgett method), and the like. From the viewpoints of easy formation of a uniform thin film and high productivity, methods highly suitable for roll-to-roll systems such as die coating, roll coating, ink jet, and spray coating are preferred.

本発明に用いられる有機ＥＬ材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
更に層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０～４５０℃、真空度１０^－６～１０^－２Ｐａ、蒸着速度０．０１～５０ｎｍ／秒、基板温度－５０～３００℃、層（膜）厚０．１ｎｍ～５μｍ、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
本発明に係る有機層の形成は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。 Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the organic EL material used in the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbons such as mesitylene and cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used.
Moreover, as a dispersion method, it can be dispersed by a dispersion method such as ultrasonic wave, high shear force dispersion, media dispersion, or the like.
Furthermore, different film formation methods may be applied for each layer. When a vapor deposition method is used for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, etc. Generally, the boat heating temperature is 50 to 450° C., the degree of vacuum is 10 ⁻⁶ to 10 ⁻² Pa, and the vapor deposition rate is 0.01 to 0.01. 50 nm/sec, substrate temperature of −50 to 300° C., layer (film) thickness of 0.1 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm.
In the formation of the organic layer according to the present invention, it is preferable to consistently form the hole injection layer to the cathode by one evacuation, but it may be taken out in the middle and subjected to a different film formation method. In that case, it is preferable to carry out the work in a dry inert gas atmosphere.

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上、好ましくは４．５ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度を余り必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。
陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ～１μｍ、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲内で選ばれる。 "anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material having a large work function (4 eV or more, preferably 4.5 eV or more), a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO ₂ and ZnO. A material such as IDIXO (In ₂ O ₃ —ZnO) that is amorphous and capable of forming a transparent conductive film may also be used.
The anode may be formed by forming a thin film of these electrode substances by a method such as vapor deposition or sputtering, and forming a pattern of a desired shape by photolithography, or when pattern accuracy is not required so much (approximately 100 μm or more). A pattern may be formed through a mask having a desired shape during vapor deposition or sputtering of the electrode material.
Alternatively, when a coatable substance such as an organic conductive compound is used, a wet film forming method such as a printing method or a coating method may be used. When emitting light from the anode, the transmittance is desirably greater than 10%, and the sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω/□ or less.
Although the film thickness of the anode depends on the material, it is usually selected within the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm.

《陰極》
陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。 "cathode"
As the cathode, an electrode material having a small work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron-injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloys, magnesium, lithium, magnesium/copper mixtures, magnesium/silver mixtures, magnesium/aluminum mixtures, magnesium/indium mixtures, aluminum/aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) mixtures, indium, lithium/aluminum mixtures, aluminum, rare earth metals and the like. Among these, mixtures of electron-injecting metals and secondary metals, which are stable metals having a higher work function value than the electron-injecting metals, from the viewpoint of electron-injecting properties and durability against oxidation, for example, magnesium/silver mixtures, Magnesium/aluminum mixtures, magnesium/indium mixtures, aluminum/aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) mixtures, lithium/aluminum mixtures, aluminum and the like are suitable.

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることで作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ～５μｍ、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲で選ばれる。
なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を１～２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。 The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. Also, the sheet resistance of the cathode is preferably several hundred Ω/□ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm.
In order to allow the emitted light to pass therethrough, if either the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or semi-transparent, the luminance of the emitted light will be improved, which is convenient.
In addition, a transparent or translucent cathode can be produced by forming the above-mentioned metal in a thickness of 1 to 20 nm on the cathode and then forming thereon a conductive transparent material mentioned in the explanation of the anode. can be applied to fabricate devices in which both the anode and cathode are transparent.

［支持基板］
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基板、基材等ともいう。）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。 [Supporting substrate]
Supporting substrates (hereinafter also referred to as substrates, base materials, etc.) that can be used in the organic EL element of the present invention are not particularly limited in type such as glass and plastic, and may be transparent or opaque. may When light is extracted from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent. Glass, quartz, and a transparent resin film can be mentioned as a transparent support substrate that is preferably used. A particularly preferable support substrate is a resin film capable of imparting flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。 Examples of resin films include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose esters such as cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate, or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylates, ARTON (trade name manufactured by JSR) or APEL (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.).

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ Ｋ ７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０^－３ｍｌ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ以下、水蒸気透過度が、１×１０^－５ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 A coating of an inorganic substance, an organic substance, or a hybrid coating of both may be formed on the surface of the resin film, and the water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C. , relative humidity (90±2)% RH) is preferably a barrier film of 0.01 g/m ² · 24 h or less, and oxygen permeability measured by a method in accordance with JIS K 7126-1987. However, it is preferably a high barrier film having a water vapor permeability of 1×10 ⁻³ ml/m ² ·24 h·atm or less and a water vapor permeability of 1×10 ⁻⁵ g/m ² ·24 h or less.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４－６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。 As the material for forming the barrier film, any material can be used as long as it has a function of suppressing the infiltration of substances such as moisture and oxygen that cause deterioration of the device. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, and the like can be used. Furthermore, in order to improve the fragility of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. The order of lamination of the inorganic layer and the organic layer is not particularly limited, but it is preferable to alternately laminate the two layers a plurality of times.
The method for forming the barrier film is not particularly limited, and examples thereof include vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, and atmospheric pressure plasma polymerization. , a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, and an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温（２５℃）における外部取り出し量子効率は、１％以上であることが好ましく、５％以上であるとより好ましい。
ここで、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を、蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。 Examples of opaque support substrates include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, ceramic substrates, and the like.
The external extraction quantum efficiency of light emitted from the organic EL device of the present invention at room temperature (25° C.) is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.
Here, external extraction quantum efficiency (%)=number of photons emitted outside the organic EL element/number of electrons passed through the organic EL element×100.
Further, a hue improving filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter for converting the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor may be used in combination.

［封止］
本発明の有機ＥＬ素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。 [Sealing]
As a sealing means used for sealing the organic EL element of the present invention, for example, a method of adhering a sealing member, an electrode, and a supporting substrate with an adhesive can be mentioned. The sealing member may be arranged so as to cover the display area of the organic EL element, and may be in the form of a concave plate or a flat plate. Moreover, transparency and electric insulation are not particularly limited.
Specifically, glass plates, polymer plates/films, metal plates/films, and the like can be mentioned. Examples of glass plates include soda-lime glass, barium-strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Further, examples of the polymer plate include polycarbonate, acryl, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone, and the like. Metal plates include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium and tantalum.

本発明においては、有機ＥＬ素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムはＪＩＳ Ｋ ７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^－３ｍｌ／ｍ^２・２４ｈ以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％）が、１×１０^－３ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。 In the present invention, a polymer film or a metal film can be preferably used since the organic EL device can be made thinner. Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability of 1×10 ⁻³ ml/m ² ·24 h or less measured by a method in accordance with JIS K 7126-1987, and a method in accordance with JIS K 7129-1992. It preferably has a water vapor permeability (25±0.5° C., relative humidity of 90±2%) of 1×10 ⁻³ g/m ² ·24 h or less.
Sandblasting, chemical etching, or the like is used to process the sealing member into a concave shape.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２－シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。 Specific examples of adhesives include photocurable and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups of acrylic acid-based oligomers and methacrylic acid-based oligomers, and moisture-curable adhesives such as 2-cyanoacrylic acid esters. be able to. Thermal and chemical curing types (two-liquid mixture) such as epoxy systems can also be mentioned. Hot-melt type polyamides, polyesters and polyolefins can also be mentioned. Further, a cationic curing type ultraviolet curing type epoxy resin adhesive can be mentioned.
Since the organic EL element may be deteriorated by heat treatment, it is preferable to use a material that can be adhesively cured from room temperature to 80°C. Also, a desiccant may be dispersed in the adhesive. A commercially available dispenser may be used to apply the adhesive to the sealing portion, or printing such as screen printing may be used.

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。
さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。 It is also possible to preferably form a sealing film by covering the outer side of the electrode on the side facing the supporting substrate with the organic layer sandwiched therebetween and the organic layer and forming inorganic and organic layers in contact with the supporting substrate. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing the infiltration of substances that cause deterioration of the device, such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, and the like can be used. can.
Furthermore, in order to improve the fragility of the film, it is preferable to have a laminate structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. The method for forming these films is not particularly limited. A method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。 An inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorocarbon or silicone oil may be injected into the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element in the gas phase or the liquid phase. preferable. A vacuum is also possible. Also, a hygroscopic compound can be sealed inside.
Examples of hygroscopic compounds include metal oxides (e.g. sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, etc.), sulfates (e.g. sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate etc.), metal halides (e.g., calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide, etc.), perchlorates (e.g., perchloric acid barium, magnesium perchlorate, etc.), and anhydrous salts are preferably used for sulfates, metal halides and perchlorates.

［保護膜、保護板］
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。 [Protective film, protective plate]
A protective film or a protective plate may be provided on the outside of the sealing film or sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, in order to increase the mechanical strength of the device. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, so it is preferable to provide such a protective film and protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate/film, metal plate/film, etc. used for sealing can be used. is preferably used.

［光取り出し向上技術］
有機ＥＬ素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率１．６～２．１程度の範囲内）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。 [Light extraction improvement technology]
An organic EL element emits light inside a layer having a higher refractive index than air (within a refractive index range of about 1.6 to 2.1), and about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer It is generally said that it cannot be taken out. This is because the light incident on the interface (the interface between the transparent substrate and the air) at an angle θ greater than the critical angle is totally reflected and cannot be extracted outside the device, and the light between the transparent electrode or the light-emitting layer and the transparent substrate cannot be extracted. This is because the light is totally reflected between them, the light is guided through the transparent electrode or the light-emitting layer, and as a result, the light escapes in the lateral direction of the device.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（例えば、米国特許第４７７４４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（例えば、特開昭６３－３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（例えば、特開平１－２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（例えば、特開昭６２－１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（例えば、特開２００１－２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１－２８３７５１号公報）などが挙げられる。 Methods for improving the efficiency of extracting light include, for example, forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (see, for example, US Pat. No. 4,774,435); A method of improving efficiency by providing light-collecting properties (for example, JP-A-63-314795), a method of forming a reflective surface on the side surface of an element (for example, JP-A-1-220394), a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the substrate and the light emitter (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-172691), a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter A method of introducing a flat layer having a coefficient (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any of the substrate, the transparent electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside world) ( JP-A-11-283751) and the like.

本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明は、これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。 In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL element of the present invention. A method of forming a diffraction grating between any of the electrode layers and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be preferably used.
According to the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element with even higher luminance or excellent durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマーなどが挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５～１．７程度の範囲内であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。またさらに１．３５以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚さは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。 When a medium with a low refractive index is formed with a thickness longer than the wavelength of light between the transparent electrode and the transparent substrate, the light emitted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower. Become.
Examples of the low refractive index layer include airgel, porous silica, magnesium fluoride, and fluoropolymers. Since the refractive index of the transparent substrate is generally in the range of about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.
Moreover, it is desirable that the thickness of the low refractive index medium is at least twice the wavelength in the medium. This is because when the thickness of the low-refractive-index medium is about the wavelength of light and reaches a thickness at which the electromagnetic wave seeped out by evanescence penetrates into the substrate, the effect of the low-refractive-index layer is reduced.

全反射を起こす界面又は、いずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった、いわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。 The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving the light extraction efficiency. This method utilizes the property that a diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by means of so-called Bragg diffraction, such as first-order diffraction and second-order diffraction. Among the emitted light, the light that cannot go out due to total reflection between layers or the like is diffracted by introducing a diffraction grating in one of the layers or in the medium (inside the transparent substrate or in the transparent electrode). , to bring the light out.

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては、いずれかの層間、若しくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２～３倍程度の範囲内が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。 The diffraction grating to be introduced preferably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because the light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so a general one-dimensional diffraction grating that has a periodic refractive index distribution in only one direction can only diffract light traveling in a specific direction. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.
However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted and the light extraction efficiency is increased.
The position where the diffraction grating is introduced may be between any of the layers or in the medium (inside the transparent substrate or in the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light-emitting layer where light is generated. At this time, the period of the diffraction grating is preferably in the range of about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium. The arrangement of the diffraction gratings is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

［集光シート］
本発明の有機ＥＬ素子は、支持基板（基板）の光取出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設ける加工や、いわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は１０～１００μｍの範囲内が好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、有機ＥＬ素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）などを用いることができる。 [Condensing sheet]
The organic EL device of the present invention can be processed in a specific direction, for example, a frontal view of the light emitting surface of the device, by processing the light extraction side of the support substrate (substrate), for example, by providing a structure like a microlens array, or by combining with a so-called light-condensing sheet. By concentrating light in a direction, the brightness in a particular direction can be enhanced.
As an example of the microlens array, square pyramids each having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are arranged two-dimensionally on the light extraction side of the substrate. One side is preferably within the range of 10 to 100 μm. If it is smaller than this, the effect of diffraction will occur and coloring will occur.
As the condensing sheet, it is possible to use, for example, a material that has been put to practical use in the LED backlight of the liquid crystal display device. For example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd. can be used as such a sheet. The shape of the prism sheet may be, for example, a triangular stripe with an apex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm formed on the base material, or a shape with rounded apex angles and a randomly varying pitch. It may be a curved shape or other shape.
In addition, a light diffusing plate/film may be used together with the condensing sheet in order to control the light emission angle from the organic EL element. For example, a diffusion film (light up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

［用途］
本発明の有機ＥＬ素子は、電子機器、例えば、表示装置、ディスプレイ、各種発光装置として用いることができる。
発光装置として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。 [Use]
The organic EL element of the present invention can be used as electronic devices such as display devices, displays, and various light-emitting devices.
Examples of light-emitting devices include lighting devices (home lighting, vehicle interior lighting), backlights for clocks and liquid crystals, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copiers, light sources for optical communication processors, and light sources. Examples include, but are not limited to, light sources for sensors, and can be effectively used particularly as backlights for liquid crystal display devices and light sources for illumination.
In the organic EL element of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an inkjet printing method, or the like at the time of film formation, if necessary. In the case of patterning, only the electrodes may be patterned, the electrodes and the light-emitting layer may be patterned, or the entire layer of the device may be patterned. can be done.

＜表示装置＞
本発明の有機ＥＬ素子を具備する表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。 <Display device>
A display device equipped with the organic EL element of the present invention may be monochromatic or multicolor, but here, a multicolor display device will be described.

多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法又は印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法及び印刷法である。 In the case of a multicolor display device, a shadow mask is provided only when forming a light-emitting layer, and a film can be formed on one surface by vapor deposition, casting, spin coating, inkjet, printing, or the like.
When only the light-emitting layer is patterned, the method is not particularly limited, but vapor deposition, inkjet, spin coating, and printing are preferred.

表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて上記の有機ＥＬ素子の構成例の中から選択される。 The configuration of the organic EL element provided in the display device is selected from the above configuration examples of the organic EL element as required.

また、有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様に示したとおりである。 Moreover, the manufacturing method of the organic EL element is as shown in the aspect of manufacturing the organic EL element of the present invention.

このようにして得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を－の極性として電圧２～４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が－の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。 When a DC voltage is applied to the thus obtained multicolor display device, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with positive polarity to the anode and negative polarity to the cathode. Also, even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light is emitted. Furthermore, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the - state. Note that the AC waveform to be applied may be arbitrary.

多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ又は各種発光光源として用いることができる。表示デバイス又はディスプレイにおいて、青、赤及び緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。 A multicolor display device can be used as a display device, a display, or a light source of various kinds of light emission. In a display device or display, full-color display is possible by using three kinds of organic EL elements emitting blue, red, and green light.

表示デバイス又はディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示及び自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。 Display devices or displays include televisions, personal computers, mobile devices, AV equipment, teletext displays, information displays in automobiles, and the like. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images or moving images. When used as a display device for reproducing moving images, the driving method may be either a passive matrix method or an active matrix method.

発光装置としては、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Light-emitting devices include household lighting, vehicle interior lighting, backlights for clocks and liquid crystals, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copiers, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. but the present invention is not limited thereto.

以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図５は有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。 An example of a display device having the organic EL element of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a display device composed of organic EL elements. 1 is a schematic diagram of a display of, for example, a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element; FIG.

ディスプレイ１は複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ、表示部Ａと制御部Ｂとを電気的に接続する配線部Ｃ等を有する。
制御部Ｂは表示部Ａと配線部Ｃを介して電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線ごとの画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。 The display 1 has a display section A having a plurality of pixels, a control section B for performing image scanning of the display section A based on image information, a wiring section C for electrically connecting the display section A and the control section B, and the like.
The control section B is electrically connected to the display section A through the wiring section C, sends scanning signals and image data signals to each of a plurality of pixels based on image information from the outside, and controls pixels for each scanning line according to the scanning signals. sequentially emit light according to the image data signal to perform image scanning and display image information on the display section A. FIG.

図６はアクティブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部Ｃと複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
図６においては、画素３の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。 FIG. 6 is a schematic diagram of a display device using an active matrix system.
The display portion A has a wiring portion C including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6, a plurality of pixels 3, and the like on a substrate. Main members of the display portion A will be described below.
FIG. 6 shows the case where the light emitted by the pixel 3 is taken out in the direction of the white arrow (downward).

配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。
画素３は走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。 The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 of the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (details are not shown). not).
When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data.
A full-color display can be realized by appropriately arranging pixels emitting red light, pixels emitting green light, and pixels emitting blue light on the same substrate.

次に、画素の発光プロセスを説明する。図７は画素の回路を示した概略図である。
画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサー１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色及び青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。 Next, the light emitting process of the pixel will be described. FIG. 7 is a schematic diagram showing the circuit of a pixel.
A pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like. By using organic EL elements emitting red, green, and blue light as the organic EL elements 10 in a plurality of pixels and arranging them on the same substrate, full-color display can be performed.

図７において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサー１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。 In FIG. 7, an image data signal is applied to the drain of the switching transistor 11 from the control section B through the data line 6 . Then, when a scanning signal is applied to the gate of the switching transistor 11 from the control section B through the scanning line 5, the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is applied to the capacitor 13 and the driving transistor 12. to the gate of

画像データ信号の伝達により、コンデンサー１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。 Due to the transmission of the image data signal, the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive transistor 12 is turned on. The driving transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10. A voltage is applied from the power supply line 7 to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.

制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサー１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。 When the scanning signal shifts to the next scanning line 5 by the sequential scanning of the control section B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 retains the charged potential of the image data signal, so the drive transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. The light emission of the organic EL element 10 continues until . When a scanning signal is applied next by sequential scanning, the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
That is, the light emission of the organic EL element 10 is obtained by providing the switching transistor 11 and the driving transistor 12, which are active elements, for the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels 3. It is carried out. Such a light emission method is called an active matrix method.

ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサー１３の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。 Here, the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations based on a multi-valued image data signal having a plurality of gradation potentials, or may be a predetermined amount of light emission on or off based on a binary image data signal. good. The potential of the capacitor 13 may be held continuously until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.
The present invention is not limited to the active matrix method described above, and may be a passive matrix method of light emission driving in which the organic EL elements emit light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.

図８は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図８において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
本発明の有機ＥＬ素子を用いることにより、発光効率が向上した表示装置が得られた。 FIG. 8 is a schematic diagram of a passive matrix display device. In FIG. 8, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are arranged in a grid pattern so as to face each other with pixels 3 interposed therebetween.
When a scanning signal is applied to the scanning line 5 by sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal.
In the passive matrix method, the pixel 3 does not have an active element, and the manufacturing cost can be reduced.
A display device with improved luminous efficiency was obtained by using the organic EL element of the present invention.

＜照明装置＞
本発明の有機ＥＬ素子は、照明装置に用いることもできる。
本発明の有機ＥＬ素子は、共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよい。このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、パッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。又は、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。 <Lighting device>
The organic EL device of the present invention can also be used in lighting devices.
The organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure. The organic EL element having such a resonator structure may be used as a light source for optical storage media, a light source for electrophotographic copiers, a light source for optical communication processors, a light source for optical sensors, and the like. Not limited. In addition, it may be used for the above applications by causing laser oscillation.
Further, the organic EL device of the present invention may be used as a kind of lamp such as a light source for illumination or exposure, a projection device for projecting an image, or a type for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a display device (display).
When used as a display device for reproducing moving images, the driving method may be either a passive matrix method or an active matrix method. Alternatively, a full-color display device can be produced by using two or more kinds of the organic EL elements of the present invention having different emission colors.

また、本発明に用いられるπ共役系化合物は、実質的に白色の発光を生じる有機ＥＬ素子を具備する照明装置に適用できる。例えば、複数の発光材料を用いる場合、複数の発光色を同時に発光させて、混色することで白色発光を得ることができる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色及び青色の３原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。 Also, the π-conjugated compound used in the present invention can be applied to a lighting device equipped with an organic EL element that emits substantially white light. For example, when a plurality of light-emitting materials are used, white light emission can be obtained by emitting light of a plurality of colors at the same time and mixing the colors. As a combination of a plurality of emission colors, it may be one containing three emission maximum wavelengths of the three primary colors of red, green, and blue, or two colors using a complementary color relationship, such as blue and yellow, and blue-green and orange. It may contain the emission maximum wavelength.

また、本発明の有機ＥＬ素子の形成方法は、発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよい。他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法及び印刷法等で、例えば、電極膜を形成でき、生産性も向上する。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、素子自体が白色発光である。 In the method of forming the organic EL element of the present invention, a mask may be provided only when forming the light-emitting layer, the hole transport layer, the electron transport layer, or the like, and the layers may be simply arranged, for example, by painting separately using the mask. Since other layers are common, patterning such as a mask is unnecessary, and an electrode film can be formed on one surface by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, etc., and productivity is improved.
According to this method, the element itself emits white light, unlike a white organic EL device in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array.

［本発明の照明装置の一態様］
本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図９及び図１０に示すような照明装置を形成することができる。
図９は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子（照明装置内の有機ＥＬ素子１０１）はガラスカバー１０２で覆われている（なお、ガラスカバーでの封止作業は、照明装置内の有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。）。
図１０は、照明装置の断面図を示し、１０５は陰極、１０６は有機層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
本発明の有機ＥＬ素子を用いることにより、発光効率が向上した照明装置が得られる。 [One aspect of the lighting device of the present invention]
One aspect of the lighting device of the present invention, which includes the organic EL element of the present invention, will be described.
The non-light-emitting surface of the organic EL element of the present invention is covered with a glass case, a glass substrate having a thickness of 300 μm is used as a sealing substrate, and an epoxy-based photocurable adhesive (Lux Track LC0629B) is applied, overlaid on the cathode and in close contact with the transparent support substrate, irradiated with UV light from the glass substrate side, cured, sealed and illuminated as shown in FIGS. A device can be formed.
FIG. 9 shows a schematic diagram of an illumination device, in which the organic EL element of the present invention (organic EL element 101 in the illumination device) is covered with a glass cover 102 (the sealing work with the glass cover is The measurement was performed in a glove box under a nitrogen atmosphere (in an atmosphere of high-purity nitrogen gas with a purity of 99.999% or more) without exposing the organic EL element 101 in the apparatus to the atmosphere.
FIG. 10 shows a cross-sectional view of the lighting device, 105 denotes a cathode, 106 denotes an organic layer, and 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode. The inside of the glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water capturing agent 109 is provided.
By using the organic EL device of the present invention, a lighting device with improved luminous efficiency can be obtained.

＜発光材料＞
本発明のπ共役系化合物は、電界励起等により、蛍光を放射することができる。したがって、各種発光材料として使用することができる。発光材料には、π共役系化合物以外に、必要に応じて他の成分が含まれてもよい。また、発光材料は、粉体状で用いられてもよく、所望の形状に加工されて用いられてもよい。発光材料は、例えば後述の発光性薄膜を形成するための材料や、蛍光塗料、バイオイメージング蛍光色素に適用することができる。 <Luminescent material>
The π-conjugated compound of the present invention can emit fluorescence by electric field excitation or the like. Therefore, it can be used as various light-emitting materials. In addition to the π-conjugated compound, the light-emitting material may contain other components as necessary. Moreover, the light-emitting material may be used in the form of powder, or may be used after being processed into a desired shape. The luminescent material can be applied to, for example, a material for forming a luminescent thin film described later, a fluorescent paint, and a bioimaging fluorescent dye.

また、π共役系化合物のΔＥ_ＳＴの絶対値が０．５０ｅＶ以下である場合、π共役系化合物が、遅延蛍光を放射することがあり、このような化合物は、バイオイメージング蛍光色素に適用することができる。さらに遅延蛍光は、酸素により消光されることが知られているため、酸素センシング材料にも適用することができる。 In addition, when the absolute value of _ΔEST of the π-conjugated compound is 0.50 eV or less, the π-conjugated compound may emit delayed fluorescence, and such a compound can be applied to bioimaging fluorescent dyes. can be done. Furthermore, delayed fluorescence is known to be quenched by oxygen, so it can also be applied to oxygen sensing materials.

＜発光性薄膜＞
本発明に係る発光性薄膜は、上述の本発明に係るπ共役系化合物を含有することを特徴とし、前記有機層の形成方法と同様に作製することができる。
本発明の発光性薄膜及は、前記有機層の形成方法と同様に作製することができる。 <Luminescent thin film>
The luminescent thin film according to the present invention is characterized by containing the π-conjugated compound according to the present invention described above, and can be produced in the same manner as the method for forming the organic layer.
The light-emitting thin film of the present invention can be produced in the same manner as the method for forming the organic layer.

本発明の発光性薄膜の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう）等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア－ブロジェット法）等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。 The method for forming the luminescent thin film of the present invention is not particularly limited, and conventionally known forming methods such as a vacuum deposition method and a wet method (also referred to as a wet process) can be used.
Wet methods include a spin coating method, a casting method, an inkjet method, a printing method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, a spray coating method, a curtain coating method, an LB method (Langmuir-Blodgett method), and the like. From the viewpoints of easy formation of a uniform thin film and high productivity, methods highly suitable for roll-to-roll systems such as die coating, roll coating, ink jet, and spray coating are preferred.

本発明に用いられる発光材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。 Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the luminescent material used in the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, and mesitylene. , cyclohexylbenzene and other aromatic hydrocarbons, cyclohexane, decalin, dodecane and other aliphatic hydrocarbons, and DMF, DMSO and other organic solvents can be used.

また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
更に層毎に異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度を５０～４５０℃の範囲内、真空度を１０^－６～１０^－２Ｐａの範囲内、蒸着速度０．０１～５０ｎｍ／秒の範囲内、基板温度－５０～３００℃の範囲内、層厚０．１ｎｍ～５μｍの範囲内、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
また、成膜にスピンコート法を採用する場合、スピンコーターを１００～１０００ｒｐｍの範囲内、１０～１２０秒の範囲内で、乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。 Moreover, as a dispersion method, it can be dispersed by a dispersion method such as ultrasonic wave, high shear force dispersion, media dispersion, or the like.
Furthermore, different film formation methods may be applied for each layer. When a vapor deposition method is employed for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, etc., but generally the boat heating temperature is in the range of 50 to 450° C. and the degree of vacuum is in the range of 10 ⁻⁶ to 10 ⁻² Pa. Among them, the deposition rate is in the range of 0.01 to 50 nm/sec, the substrate temperature is in the range of -50 to 300°C, the layer thickness is in the range of 0.1 nm to 5 μm, and the layer thickness is preferably in the range of 5 to 200 nm. desirable.
Further, when a spin coating method is employed for film formation, it is preferable to operate the spin coater at a speed of 100 to 1000 rpm for 10 to 120 seconds in a dry inert gas atmosphere.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。 EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although "%" is used in the examples, "% by mass" is indicated unless otherwise specified.

実施例及び比較例で用いた化合物を以下に示す。

The compounds used in Examples and Comparative Examples are shown below.

（π共役系化合物Ｔ－２５の合成）
（３，５－ジブロモフェニル）ボラン酸と２－クロロ－４,６－ジフェニル－１,３,５－トリアジンを、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムと炭酸カリウムの存在下、トルエン、エタノール、及び水中、１００℃で加熱撹拌し、２－（３，５－ジブロモ）－４,６－ジフェニル－１,３,５－トリアジンを得た。次に、２－（３，５－ジブロモ）－４,６－ジフェニル－１,３,５－トリアジンとジフェニルアミンを、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム、トリ（ｔ－ブチル）ホスフィン、ｔ－ブトキシナトリウムの存在下、キシレン中、１４０℃で加熱撹拌し、π共役系化合物Ｔ－２５の粗精製物を得た。その後、カラムクロマトグラフィー、再結晶、昇華精製を行って、π共役系化合物Ｔ－２５の高純度品を取得した。 (Synthesis of π-conjugated compound T-25)
(3,5-dibromophenyl)boranoic acid and 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine in the presence of tetrakis(triphenylphosphine)palladium and potassium carbonate in toluene, ethanol, and water , and stirred at 100° C. to obtain 2-(3,5-dibromo)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine. Next, 2-(3,5-dibromo)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine and diphenylamine were combined with tris(dibenzylideneacetone)dipalladium, tri(t-butyl)phosphine, t-butoxy Heated and stirred in xylene at 140° C. in the presence of sodium to obtain a crude π-conjugated compound T-25. Thereafter, column chromatography, recrystallization, and sublimation purification were performed to obtain a highly pure π-conjugated compound T-25.

（その他のπ共役系化合物の合成）
主に原材料を変更した以外は前述と同様にして、化合物Ｔ－１、Ｔ－８、Ｔ－１３、Ｔ－１５、Ｔ－１６、Ｔ－２２、Ｔ－２６、Ｔ－３３、Ｔ－３４、Ｔ－３５、Ｔ－３６、Ｔ－３７、Ｔ－４０、Ｔ－４８、Ｔ－４９、Ｔ－５２、Ｔ－５３、及びＴ－５６を合成した。 (Synthesis of other π-conjugated compounds)
Compounds T-1, T-8, T-13, T-15, T-16, T-22, T-26, T-33 and T-34 were prepared in the same manner as described above except that the raw materials were mainly changed. , T-35, T-36, T-37, T-40, T-48, T-49, T-52, T-53, and T-56 were synthesized.

得られた化合物及び比較化合物１～４のΔＥ_ＳＴを、以下の方法で計算して求めた。 The _ΔEST of the obtained compounds and Comparative Compounds 1 to 4 were calculated by the following method.

（ΔＥ_ＳＴの算出）
化合物の分子軌道計算による構造最適化及び電子密度分布の算出は、計算手法として、汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数として６－３１Ｇ（ｄ）を用いた分子軌道計算用ソフトウェアを用いて算出した。分子軌道計算用ソフトウェアとして、米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製のＧａｕｓｓｉａｎ０９（Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｃ．０１，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，２０１０．）を用いた。
この汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数として６－３１Ｇ（ｄ）を用いた構造最適化計算から、さらに時間依存密度汎関数法（Ｔｉｍｅ－Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ＤＦＴ）による励起状態計算を実施してＳ_１、Ｔ_１のエネルギー準位（それぞれＥ（Ｓ_１）、Ｅ（Ｔ_１））を求めてΔＥ_ＳＴ＝｜Ｅ（Ｓ_１）－Ｅ（Ｔ_１）｜として算出した。 (Calculation of _ΔEST )
Structure optimization and calculation of electron density distribution by molecular orbital calculation of a compound were calculated using software for molecular orbital calculation using B3LYP as a functional and 6-31G(d) as a basis function as a calculation method. Gaussian09 (Revision C.01, M.J. Frisch, et al., Gaussian, Inc., 2010.) manufactured by Gaussian, Inc., USA was used as software for molecular orbital calculation.
From the structure optimization calculation using B3LYP as this functional and 6-31G(d) as the basis function, further excited state calculation by time-dependent density functional theory (Time-Dependent DFT) is performed to obtain S ₁ and T ₁ (E(S ₁ ), E(T ₁ ), respectively) were determined and calculated as ΔE _ST =|E(S ₁ )−E(T ₁ )|.

［実施例１］
（有機ＥＬ素子１－１の作製）
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで成膜し、パターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。その後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。 [Example 1]
(Preparation of organic EL device 1-1)
A 150 nm thick film of ITO (indium tin oxide) was formed as an anode on a glass substrate of 50 mm×50 mm and 0.7 mm thick, and patterning was performed. Thereafter, the transparent substrate with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaned for 5 minutes. After that, this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus.
Each crucible for vapor deposition in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in the optimum amount for device fabrication. A vapor deposition crucible was made of molybdenum or tungsten resistance heating material.

真空度１×１０^－４Ｐａまで減圧した後、ＨＩ－１の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、層厚１０ｎｍの正孔注入輸送層を形成した。
次いで、α－ＮＰＤ（４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔注入層上に蒸着し、層厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。ホスト化合物としてＨ－２３２、発光性化合物として比較化合物１を、それぞれ９４％、６％の体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、層厚３０ｎｍの発光層を形成した。
その後、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
さらに、フッ化リチウムを膜厚０．５ｎｍで形成した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成した。
上記素子の非発光面側を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機ＥＬ素子１－１を作製した。 After reducing the pressure to a degree of vacuum of 1×10 ⁻⁴ Pa, the crucible for vapor deposition containing HI-1 was energized to heat it, vapor-deposited on the ITO transparent electrode at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec, and a layer thickness of 10 nm. A hole injection transport layer was formed.
Then, α-NPD (4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl) was deposited on the hole injection layer at a deposition rate of 0.1 nm/sec to obtain a layer thickness of 40 nm. of the hole transport layer was formed. H-232 as a host compound and comparative compound 1 as a light-emitting compound were co-deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec so as to have a volume percentage of 94% and 6%, respectively, to form a light-emitting layer with a layer thickness of 30 nm. .
Thereafter, BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form an electron transport layer with a layer thickness of 30 nm.
Furthermore, after forming lithium fluoride with a film thickness of 0.5 nm, aluminum was vapor-deposited with a thickness of 100 nm to form a cathode.
The non-light-emitting surface side of the device was covered with a can-shaped glass case in an atmosphere of high-purity nitrogen gas with a purity of 99.999% or more, and an electrode extraction wiring was installed to prepare an organic EL device 1-1.

（有機ＥＬ素子１－２～１－２３の作製）
発光性化合物を表１に示すように変えた以外は有機ＥＬ素子１－１と同様の方法で有機ＥＬ素子１－２～１－２３を作製した。 (Preparation of organic EL elements 1-2 to 1-23)
Organic EL devices 1-2 to 1-23 were produced in the same manner as the organic EL device 1-1, except that the luminescent compound was changed as shown in Table 1.

（相対発光効率の測定）
上記作製した各有機ＥＬ素子を、室温（約２５℃）で、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度を、分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ社製）を用いて測定した。表１に、得られた発光輝度の相対値（実施例１では有機ＥＬ素子１－１の発光輝度に対する相対値）を示した。 (Measurement of relative luminous efficiency)
Each of the organic EL devices prepared above is allowed to emit light at room temperature (approximately 25° C.) under a constant current condition of 2.5 mA/cm ² . company). Table 1 shows the relative values of the obtained emission luminance (relative values to the emission luminance of the organic EL element 1-1 in Example 1).

［実施例２］
（有機ＥＬ素子２－１の作製）
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用いて３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、層厚２０ｎｍの正孔注入層を設けた。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。 [Example 2]
(Preparation of organic EL device 2-1)
As an anode, patterning was performed on a substrate (NA45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) obtained by forming a film of ITO (indium tin oxide) to 100 nm on a glass substrate of 100 mm×100 mm×1.1 mm. Thereafter, the transparent support substrate provided with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaned for 5 minutes.
On this transparent support substrate, poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-polystyrene sulfonate (PEDOT/PSS, manufactured by Bayer, Baytron P Al 4083) was diluted to 70% with pure water, and was spun at 3000 rpm. After forming a thin film by spin coating under conditions of 30 seconds, it was dried at 200° C. for 1 hour to form a hole injection layer with a layer thickness of 20 nm. This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus.
Each crucible for vapor deposition in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in the optimum amount for device fabrication. A vapor deposition crucible was made of molybdenum or tungsten resistance heating material.

真空度１×１０^－４Ｐａまで減圧した後、α－ＮＰＤを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔注入層上に蒸着し、層厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。ホスト化合物としてＨ－２３４、発光性化合物としてＴＢＰｅ（２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン）が、それぞれ９７％、３％の体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、層厚３０ｎｍの発光層を形成した。
その後、ＴＰＢｉ（１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンゾイミダゾール－２－イル）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
さらに、フッ化ナトリウムを膜厚１ｎｍで形成した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成した。
上記素子の非発光面側を、純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機ＥＬ素子２－１を作製した。 After reducing the pressure to a degree of vacuum of 1×10 ⁻⁴ Pa, α-NPD was deposited on the hole injection layer at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a hole transport layer with a layer thickness of 40 nm. H-234 as the host compound and TBPe (2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene) as the luminescent compound were deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec so that the volume percentages were 97% and 3%, respectively. to form a light-emitting layer having a layer thickness of 30 nm.
Thereafter, TPBi (1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form an electron transport layer with a layer thickness of 30 nm.
Furthermore, after forming sodium fluoride with a film thickness of 1 nm, a cathode was formed by vapor-depositing aluminum with a thickness of 100 nm.
The non-light-emitting surface side of the device was covered with a can-shaped glass case in an atmosphere of high-purity nitrogen gas with a purity of 99.999% or more, and an electrode extraction wiring was installed to prepare an organic EL device 2-1.

（有機ＥＬ素子２－２の作製）
ホスト化合物としてＨ－２３４、発光性化合物としてＴＢＰｅ（２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン）、第三成分として比較化合物１を用い、それぞれの比率が８２％、３％、１５％の体積％となるように発光層を形成した以外は有機ＥＬ素子２－１の作製と同様にして、有機ＥＬ素子２－２を作製した。 (Preparation of organic EL device 2-2)
Using H-234 as the host compound, TBPe (2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene) as the light-emitting compound, and comparative compound 1 as the third component, the respective ratios are 82%, 3%, and 15%. An organic EL device 2-2 was fabricated in the same manner as the organic EL device 2-1, except that the light-emitting layer was formed so as to have a volume percentage of 10%.

（有機ＥＬ素子２－３～２－８の作製）
表２に示すように、第三成分を変えた以外は有機ＥＬ素子２－２と同様の方法で有機ＥＬ素子２－３～２－８を作製した。 (Preparation of organic EL elements 2-3 to 2-8)
As shown in Table 2, organic EL devices 2-3 to 2-8 were produced in the same manner as organic EL device 2-2, except that the third component was changed.

上記作製した各有機ＥＬ素子の駆動時の相対発光効率を、実施例１と同様にして測定した。表２に、得られた発光輝度の相対値（実施例２では有機ＥＬ素子２－１の発光輝度に対する相対値）を示した。

In the same manner as in Example 1, the relative luminous efficiency during driving of each of the organic EL devices produced above was measured. Table 2 shows the relative values of the obtained emission luminance (relative values to the emission luminance of the organic EL device 2-1 in Example 2).

［実施例３］
（有機ＥＬ素子３－１の作製）
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで製膜し、パターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。前記抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。 [Example 3]
(Preparation of organic EL device 3-1)
A 150 nm thick film of ITO (indium tin oxide) was formed as an anode on a glass substrate of 50 mm×50 mm and 0.7 mm thick and patterned. Thereafter, the transparent substrate with the ITO transparent electrode attached thereto was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaned for 5 minutes. Fixed.
Each resistive heating boat for vapor deposition in a vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in the optimum amount for device fabrication. The resistance heating boat was made of molybdenum or tungsten.

真空度１×１０^－４Ｐａまで減圧した後、ＨＩ－１の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、層厚１５ｎｍの正孔注入層を形成した。 After reducing the pressure to a degree of vacuum of 1×10 ⁻⁴ Pa, a resistance heating boat containing HI-1 was energized to heat, vapor-deposited on the ITO transparent electrode at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec, and a positive layer having a layer thickness of 15 nm was formed. A hole injection layer was formed.

次いで、α－ＮＰＤ（４，４’－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。 Next, α-NPD (4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a hole transport layer with a layer thickness of 30 nm. bottom.

次いで、ホスト化合物として比較化合物１と発光性化合物としてＧＤ－１の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚４０ｎｍの発光層を形成した。 Then, a resistance heating boat containing Comparative Compound 1 as a host compound and GD-1 as a luminescent compound was energized and heated, and the hole transport layer was heated at a deposition rate of 0.1 nm/sec and 0.010 nm/sec, respectively. was co-evaporated to form a light-emitting layer having a layer thickness of 40 nm.

次いで、ＨＢ－１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚５ｎｍの第一電子輸送層を形成した。 Then, HB-1 was deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a first electron transport layer with a layer thickness of 5 nm.

さらにその上に、ＥＴ―１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚４５ｎｍの第二電子輸送層を形成した。 Furthermore, ET-1 was deposited thereon at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a second electron transport layer having a layer thickness of 45 nm.

その後、フッ化リチウムを厚さ０．５ｎｍになるよう蒸着した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子３－１を作製した。 After that, lithium fluoride was vapor-deposited to a thickness of 0.5 nm, and then aluminum was vapor-deposited to a thickness of 100 nm to form a cathode, thereby fabricating an organic EL device 3-1.

（有機ＥＬ素子３－２～３－８の作製）
ホスト化合物を表３に示すように変えた以外は有機ＥＬ素子３－１と同様の方法で有機ＥＬ素子３－２～３－８を作製した。 (Preparation of organic EL elements 3-2 to 3-8)
Organic EL devices 3-2 to 3-8 were produced in the same manner as the organic EL device 3-1 except that the host compound was changed as shown in Table 3.

上記作製した各有機ＥＬ素子の相対発光効率を、実施例１と同様にして測定した。
表３に、得られた発光輝度の相対値（実施例３では有機ＥＬ素子３－１の発光輝度に対する相対値）を示した。

The relative luminous efficiency of each organic EL element produced above was measured in the same manner as in Example 1.
Table 3 shows the relative values of the obtained emission luminance (relative values to the emission luminance of the organic EL device 3-1 in Example 3).

［実施例４］
（有機ＥＬ素子４－１の作製）
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１５０ｎｍの厚さで製膜し、パターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。前記抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。 [Example 4]
(Preparation of organic EL device 4-1)
A 150 nm thick film of ITO (indium tin oxide) was formed as an anode on a glass substrate of 50 mm×50 mm and 0.7 mm thick and patterned. Thereafter, the transparent substrate with the ITO transparent electrode attached thereto was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaned for 5 minutes. Fixed.
Each resistive heating boat for vapor deposition in a vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in the optimum amount for device fabrication. The resistance heating boat was made of molybdenum or tungsten.

真空度１×１０^－４Ｐａまで減圧した後、α－ＮＰＤ（４，４’－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル）の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、層厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。 After reducing the pressure to a degree of vacuum of 1×10 ⁻⁴ Pa, a resistance heating boat containing α-NPD (4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl) was energized to heat. was deposited on the ITO transparent electrode at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a hole injection layer with a layer thickness of 30 nm.

次いで、ＴＣＴＡ（トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚２０ｎｍの第一正孔輸送層を形成した。 Then, TCTA (tris(4-carbazolyl-9-ylphenyl)amine) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a first hole transport layer with a layer thickness of 20 nm.

さらに、Ｈ－２３３を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚１０ｎｍの第二正孔輸送層を形成した。 Further, H-233 was deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a second hole transport layer with a layer thickness of 10 nm.

次いで、ホスト化合物として比較化合物１と発光性化合物としてＴＢＰｅ（２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン）の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚２０ｎｍの発光層を形成した。 Then, a resistance heating boat containing Comparative Compound 1 as a host compound and TBPe (2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene) as a light-emitting compound was energized and heated, and the vapor deposition rate was 0.1 nm/. It was co-evaporated on the hole transport layer at a rate of 0.010 nm/sec for a second to form a light-emitting layer having a layer thickness of 20 nm.

次いで、Ｈ－２３２を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚１０ｎｍの第一電子輸送層を形成した。 Then, H-232 was deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a first electron transport layer with a layer thickness of 10 nm.

さらにその上に、ＴＢＰｉを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚３０ｍの第二電子輸送層を形成した。 Furthermore, TBPi was deposited thereon at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a second electron transport layer having a layer thickness of 30 m.

その後、フッ化リチウムを厚さ０．５ｎｍになるよう蒸着した後に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子４－１を作製した。 After that, lithium fluoride was vapor-deposited to a thickness of 0.5 nm, and then aluminum was vapor-deposited to a thickness of 100 nm to form a cathode, thereby fabricating an organic EL device 4-1.

（有機ＥＬ素子４－２～４－６の作製）
ホスト化合物を表４に示すように変えた以外は有機ＥＬ素子４－１と同様の方法で有機ＥＬ素子４－２～４－６を作製した。 (Preparation of organic EL elements 4-2 to 4-6)
Organic EL devices 4-2 to 4-6 were produced in the same manner as organic EL device 4-1, except that the host compound was changed as shown in Table 4.

上記作製した各有機ＥＬ素子の相対発光効率を、実施例１と同様にして測定した。
表４に、得られた発光輝度の相対値（実施例４では有機ＥＬ素子４－１の発光輝度に対する相対値）を示した。 The relative luminous efficiency of each organic EL element produced above was measured in the same manner as in Example 1.
Table 4 shows the relative values of the obtained emission luminance (relative values to the emission luminance of the organic EL device 4-1 in Example 4).

素子１～４において、いずれの場合も、比較例化合物より本発明の化合物の方が高い発光効率を示した。 In all of the devices 1 to 4, the compound of the present invention showed higher luminous efficiency than the comparative example compound.

表１では、有機ＥＬ素子１－３、１－７及び１－８の対比から、発光性化合物として電子供与性基Ｄが「ジヒドロアクリジニル基」である化合物Ｔ－１３を用いた有機ＥＬ素子１－７及び「フェノキサジニル基」である化合物Ｔ－１５を用いた有機ＥＬ素子１－８は、電子供与性基Ｄが「カルバゾリル基」である比較化合物３を用いた有機ＥＬ素子１－３よりもΔＥｓｔが小さく、相対発光効率が高いことが示される。 In Table 1, from the comparison of the organic EL devices 1-3, 1-7 and 1-8, the organic EL device using the compound T-13 in which the electron-donating group D is a "dihydroacridinyl group" as the light-emitting compound Element 1-7 and organic EL element 1-8 using compound T-15, which is a "phenoxazinyl group", are organic EL elements 1-3 using comparative compound 3, in which the electron-donating group D is a "carbazolyl group". It shows that ΔEst is smaller than that, and the relative luminous efficiency is high.

表１では、有機ＥＬ素子１－７と１－２３の対比から、発光性化合物としてＬ^１とＬ^２がいずれもアザジベンゾフラニル基である化合物Ｔ－５６を用いた有機ＥＬ素子１－２３は、Ｌ^１とＬ^２がいずれもシアノ基である化合物Ｔ－１３を用いた有機ＥＬ素子１－７よりもΔＥｓｔが小さく、相対発光効率が高いことが示される。 In Table 1, from a comparison of organic EL devices 1-7 and 1-23, organic EL device 1-23 using compound T-56 in which both L ¹ and L ² are azadibenzofuranyl groups as a light-emitting compound has a smaller ΔEst and a higher relative luminous efficiency than the organic EL device 1-7 using the compound T-13 in which both L ¹ and L ² are cyano groups.

表１では、有機ＥＬ素子１－１０と１－２２の対比から、発光性化合物としてＱ^１～Ｑ^３が全て炭素原子である化合物Ｔ－２２を用いた有機ＥＬ素子１－１０のほうが、Ｑ^１～Ｑ^３の一部が窒素原子である化合物Ｔ－５３を用いた有機ＥＬ素子１－２２よりもΔＥｓｔが小さく、相対発光効率が高いことが示される。 In Table 1, a comparison of organic EL devices 1-10 and 1-22 reveals that organic EL device 1-10 using compound T-22 in which Q ¹ to Q ³ are all carbon atoms as a light-emitting compound has Q ΔEst is smaller than that of the organic EL device 1-22 using the compound T-53 in which part of ¹ to Q ³ are nitrogen atoms, indicating that the relative luminous efficiency is higher.

表１では、有機ＥＬ素子１－５と１－２１の対比から、発光性化合物としてＱ^１～Ｑ^３が全て窒素原子である化合物Ｔ－１を用いた有機ＥＬ素子１－５のほうが、Ｑ^１～Ｑ^３の一部が窒素原子である化合物Ｔ－５２を用いた有機ＥＬ素子１－２１よりも相対発光効率が高いことが示される。 In Table 1, from a comparison of organic EL devices 1-5 and 1-21, organic EL device 1-5 using compound T-1 in which Q ¹ to Q ³ are all nitrogen atoms as a light-emitting compound is superior to Q It is shown that the relative luminous efficiency is higher than that of the organic EL device 1-21 using the compound T-52 in which a part of ¹ to ^Q3 are nitrogen atoms.

表１では、有機ＥＬ素子１－７と１－９の対比から、発光性化合物として電子供与性基Ｄが「ジヒドロアクリジニル基」である化合物Ｔ－１３を用いた有機ＥＬ素子１－７のほうが、電子供与性基Ｄが「フェノチアジニル基」である化合物Ｔ－１６を用いた有機ＥＬ素子１－９よりも相対発光効率が高いことが示される。 In Table 1, from a comparison of organic EL devices 1-7 and 1-9, organic EL device 1-7 using compound T-13 in which electron-donating group D is a “dihydroacridinyl group” as a light-emitting compound has a higher relative luminous efficiency than the organic EL device 1-9 using the compound T-16 in which the electron-donating group D is a “phenothiazinyl group”.

表２では、有機ＥＬ素子２－３、２－４及び２－８の対比から、第三成分として電子供与性基Ｄが「ジアザカルバゾリル基」である化合物Ｔ－８やＴ－４９を用いた有機ＥＬ素子２－４や２－８は、電子供与性基Ｄが「ジヒドロアクリジニル基」である化合物Ｔ－１を用いた有機ＥＬ素子２－３よりもΔＥｓｔが小さく、相対発光効率が高いことが示される。 In Table 2, from the comparison of organic EL devices 2-3, 2-4 and 2-8, compounds T-8 and T-49 in which the electron-donating group D is a "diazacarbazolyl group" as the third component The organic EL devices 2-4 and 2-8 using the compound T-1 in which the electron-donating group D is a “dihydroacridinyl group” have a smaller ΔEst than the organic EL device 2-3 using the compound T-1. It is shown that the luminous efficiency is high.

表４では、有機ＥＬ素子４－２と４－６の対比から、ホスト化合物として電子供与性基Ｄが「ジアザカルバゾリル基」である化合物Ｔ－４９を用いた有機ＥＬ素子４－６は、電子供与性基Ｄが「ジヒドロアクリジニル基」である化合物Ｔ－１を用いた有機ＥＬ素子４－２よりもΔＥｓｔが小さく、相対発光効率が高いことが示される。 In Table 4, from a comparison of organic EL devices 4-2 and 4-6, organic EL device 4-6 using compound T-49 in which electron-donating group D is a "diazacarbazolyl group" as a host compound has a smaller ΔEst and a higher relative luminous efficiency than the organic EL device 4-2 using the compound T-1 in which the electron-donating group D is a “dihydroacridinyl group”.

［実施例５］
（有機ＥＬ素子５－１～５－６の作製）
実施例１の素子１－５から、ホスト化合物及び発光性化合物を表５に示すようにそれぞれ変えた以外は有機ＥＬ素子１－５と同様の方法で有機ＥＬ素子５－１～５－６を作製した。
また、前述の有機ＥＬ素子１－５、１－６、１－１１、１－１５、１－１８及び１－１９を準備した。 [Example 5]
(Preparation of organic EL elements 5-1 to 5-6)
Organic EL elements 5-1 to 5-6 were prepared in the same manner as for organic EL element 1-5 except that the host compound and the light-emitting compound were changed from element 1-5 of Example 1 as shown in Table 5. made.
Also, the aforementioned organic EL devices 1-5, 1-6, 1-11, 1-15, 1-18 and 1-19 were prepared.

（相対輝度半減時間の測定）
上記準備した各素子を、初期輝度３００ｃｄ/ｍ^２で点灯したときの輝度半減時間（輝度が３００ｃｄ／ｍ_２から１５０ｃｄ／ｍ^２まで低下するのに要する時間）をそれぞれ測定した。
そして、表５に各素子の輝度半減時間の、有機ＥＬ素子１－１９の輝度半減時間に対する相対値）を示した。

(Measurement of relative luminance half-life time)
Luminance half-life time (time required for luminance to decrease from 300 cd/ _{m 2} ^to 150 cd/m ² ) was measured for each device prepared above when lit at an initial luminance of 300 cd/m 2 .
Table 5 shows the luminance half-life time of each element relative to the luminance half-life time of the organic EL elements 1-19.

素子５において、ホスト化合物として一般式（Ｉ）で表される化合物を用いた素子のほうが、Ｈ－２３２を用いた素子よりも、相対輝度半減時間が長いことが示される。 In element 5, it is shown that the element using the compound represented by general formula (I) as the host compound has a longer relative luminance half life than the element using H-232.

［実施例６］
（共蒸着膜６－１の作製）
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの石英基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（ｍＣＰ）および化合物Ｔ－２５を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。 [Example 6]
(Preparation of co-deposited film 6-1)
A quartz substrate having a size of 50 mm×50 mm and a thickness of 0.7 mm was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes. fixed to
Each deposition crucible in the vacuum deposition apparatus was charged with 1,3-bis(N-carbazolyl)benzene (mCP) and compound T-25. A vapor deposition crucible was made of molybdenum or tungsten resistance heating material.

真空度１×１０^－４Ｐａまで減圧した後、ホスト化合物として１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（ｍＣＰ）、発光性化合物として化合物Ｔ－２５を、それぞれ９４％、６％の体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、層厚４０ｎｍの共蒸着膜６－１を形成した。 After reducing the pressure to a degree of vacuum of 1×10 ⁻⁴ Pa, 1,3-bis(N-carbazolyl)benzene (mCP) as a host compound and compound T-25 as a light-emitting compound were added at 94% and 6% by volume, respectively. was co-deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a co-deposited film 6-1 with a layer thickness of 40 nm.

（共蒸着膜６－１の遅延蛍光の測定）
窒素雰囲気下で、共蒸着膜６－１に、波長３５５ｎｍの励起光を照射し、各々の極大発光波長での蛍光減衰測定を行った。各共蒸着膜６－１について、時間と光子数との関係を示すグラフを図１１に示す。図１１に示すように、本発明のπ共役系化合物（Ｔ－２５）は、蛍光の減衰速度の異なる成分が２種以上確認され、遅延蛍光を放射することが確認された。 (Measurement of delayed fluorescence of co-deposited film 6-1)
In a nitrogen atmosphere, the co-evaporated film 6-1 was irradiated with excitation light having a wavelength of 355 nm, and fluorescence decay measurement was performed at each maximum emission wavelength. FIG. 11 shows a graph showing the relationship between time and the number of photons for each co-deposited film 6-1. As shown in FIG. 11, it was confirmed that the π-conjugated compound (T-25) of the present invention had two or more components with different fluorescence decay rates, and emitted delayed fluorescence.

本発明によれば、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を改良しうる新たなπ共役系化合物を提供することができる。また、当該π共役系化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子材料、発光性薄膜、発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a new π-conjugated compound capable of improving the luminous efficiency of an organic electroluminescence device, for example. Further, it is possible to provide an organic electroluminescence device material, a light-emitting thin film, a light-emitting material, an organic electroluminescence device, and a display device and a lighting device equipped with the organic electroluminescence device using the π-conjugated compound.

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
７ 電源ライン
１０ 有機ＥＬ素子
１１ スイッチングトランジスタ
１２ 駆動トランジスタ
１３ コンデンサー
１０１ 照明装置内の有機ＥＬ素子
１０２ ガラスカバー
１０５ 陰極
１０６ 有機層
１０７ 透明電極付きガラス基板
１０８ 窒素ガス
１０９ 捕水剤
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
Ｃ 配線部
1 Display 3 Pixel 5 Scanning Line 6 Data Line 7 Power Supply Line 10 Organic EL Element 11 Switching Transistor 12 Drive Transistor 13 Capacitor 101 Organic EL Element in Lighting Device 102 Glass Cover 105 Cathode 106 Organic Layer 107 Glass Substrate with Transparent Electrode 108 Nitrogen Gas 109 water capturing agent A display unit B control unit C wiring unit

Claims (8)

陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層とを含み、
前記発光層の少なくとも一層が、アシストドーパントと、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物の少なくとも一方と、ホスト化合物とを含み、
前記アシストドーパントは、下記一般式（１）で表されるπ共役系化合物を含み、かつ
前記π共役系化合物の最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差の絶対値ΔＥ_ＳＴが０．５０ｅＶ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子。

（一般式（１）中、
Ｑ^１およびＱ^３が窒素原子、Ｑ^２が－ＣＨであるか、または、Ｑ^１～Ｑ^３の全部が窒素原子であり、
Ｌ^１及びＬ^２が電子供与性基Ｄであり、且つＭが電子求引性基Ａであるか、又はＬ^１及びＬ^２が電子求引性基Ａであり、且つＭが電子供与性基Ｄであり、
前記電子供与性基Ｄは、置換されていてもよい９，１０－ジヒドロアクリジン環（ただし、前記Ｑ^１～Ｑ^３がいずれも窒素原子である場合は、９，９－ジメチル－９、１０－ジヒドロアクリジンを除く）から誘導される基であり、且つ該置換されていてもよい９，１０－ジヒドロアクリジン環から誘導される基の窒素原子が前記Ｑ ^１ ～Ｑ ^３ を含む環と結合しており、
前記電子求引性基Ａは、フェニル基である。） comprising an anode, a cathode, and a light-emitting layer provided between the anode and the cathode;
At least one layer of the light-emitting layer contains an assist dopant, at least one of a fluorescent compound and a phosphorescent compound, and a host compound,
The assist dopant includes a π-conjugated compound represented by the following general formula (1), and the absolute value ΔE of the energy difference between the lowest excited singlet level and the lowest excited triplet level of the π-conjugated compound _ST is 0.50 eV or less,
Organic electroluminescence device.

(In general formula (1),
Q ¹ and Q ³ are nitrogen atoms, Q ² is —CH, or all of Q ¹ to Q ³ are nitrogen atoms,
L ¹ and L ² are an electron donating group D and M is an electron withdrawing group A or L ¹ and L ² are an electron withdrawing group A and M is an electron donating group is D;
The electron-donating group D is an optionally substituted 9,10-dihydroacridine ring (however, when the Q ¹ to Q ³ are all nitrogen atoms, 9,9-dimethyl-9,10- excluding dihydroacridine) , and the nitrogen atom of the group derived from the optionally substituted 9,10-dihydroacridine ring is bonded to the ring containing Q ¹ to Q ³ cage,
The electron-withdrawing group A is a phenyl group. ) 前記Ｌ^１及びＬ^２が前記電子求引性基Ａであり、且つ前記Ｍが前記電子供与性基Ｄである、
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The L ¹ and L ² are the electron withdrawing group A, and the M is the electron donating group D,
The organic electroluminescence device according to claim 1. 前記Ｑ^１～Ｑ^３は、いずれも窒素原子である、
請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 All of the Q ¹ to Q ³ are nitrogen atoms,
3. The organic electroluminescence device according to claim 1 or 2. 前記ホスト化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される構造を有する、
請求項１～３のいずれか一項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（一般式（Ｉ）中、
Ｘ_１０１は、ＮＲ_１０１、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、ＣＲ_１０２Ｒ_１０３又はＳｉＲ_１０４Ｒ_１０５を表し、
ｙ_１～ｙ_８は、それぞれ独立に、ＣＲ_１０６又は窒素原子を表し、
Ｒ_１０１～Ｒ_１０６は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、
Ａｒ_１０１及びＡｒ_１０２は、それぞれ独立に、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、
ｎ１０１及びｎ１０２は、各々０～４の整数を表す。
ただし、Ｒ_１０１が水素原子の場合は、ｎ１０１は１～４の整数を表す。） The host compound has a structure represented by the following general formula (I),
The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 3 .

(in general formula (I),
X ₁₀₁ represents NR ₁₀₁ , an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfinyl group, a sulfonyl group, CR ₁₀₂ R ₁₀₃ or SiR ₁₀₄ R ₁₀₅ ;
y ₁ to y ₈ each independently represent CR ₁₀₆ or a nitrogen atom;
R ₁₀₁ to R ₁₀₆ each independently represent a hydrogen atom or a substituent, which may be combined to form a ring,
Ar ₁₀₁ and Ar ₁₀₂ each independently represent an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group,
n101 and n102 each represent an integer of 0 to 4;
However, when R ₁₀₁ is a hydrogen atom, n101 represents an integer of 1-4. ) 前記一般式（Ｉ）で表される構造を有するホスト化合物が、下記一般式（II）で表される構造を有する、
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（一般式（II）中、
Ｘ_１０１は、ＮＲ_１０１、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、ＣＲ_１０２Ｒ_１０３又はＳｉＲ_１０４Ｒ_１０５を表し、
Ｒ_１０１～Ｒ_１０５は、各々水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、
Ａｒ_１０１及びＡｒ_１０２は、それぞれ独立に、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、
ｎ１０２は０～４の整数を表す。） The host compound having a structure represented by the general formula (I) has a structure represented by the following general formula (II),
The organic electroluminescence device according to claim 4 .

(In general formula (II),
X ₁₀₁ represents NR ₁₀₁ , an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfinyl group, a sulfonyl group, CR ₁₀₂ R ₁₀₃ or SiR ₁₀₄ R ₁₀₅ ;
R ₁₀₁ to R ₁₀₅ each represent a hydrogen atom or a substituent, which may combine to form a ring,
Ar ₁₀₁ and Ar ₁₀₂ each independently represent an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group,
n102 represents an integer of 0-4. ) 前記π共役系化合物の含有量は、前記発光層に対して１～３０質量％である、
請求項１～５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The content of the π-conjugated compound is 1 to 30% by mass with respect to the light-emitting layer.
The organic electroluminescence device according to any one of claims 1-5 . 請求項１～６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、
表示装置。 comprising the organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 6 ,
display device. 請求項１～６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、
照明装置。 comprising the organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 6 ,
lighting device.

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