JP7245661B2 - ターゲットおよび成膜装置並びに成膜対象物の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、成膜装置の模式的な構成を示す図である。
続いて、成膜装置1における成膜動作について説明する。
上述した成膜装置1は、電子サイクロトロン共鳴現象(ECR)と発散磁場を利用して作られたプラズマ流を成膜対象物SUBに照射し、同時に、ターゲットTAとグランドとの間に高周波電圧を加えることにより、プラズマ中のイオンをターゲットTAに衝突させて成膜対象物SUBに膜を形成する方法である。この成膜方法をECRスパッタリング法と呼ぶことにすると、このECRスパッタリング法には、以下に示す利点がある。
図3は、成膜装置1で使用されるターゲットTAの外観構成を示す模式図である。
図6は、関連技術におけるターゲットTA1の模式的な構成を示す断面図である。
本実施の形態における基本思想は、ターゲットの構造を対称構造にすることにより、反転可能な構成を実現する思想である。この基本思想によれば、プラズマ密度が高いプラズマ生成部側において、ターゲット部材の消費が大きくなっても、ターゲットを反転させることにより、プラズマ密度が低い成膜対象物側に位置している消費の少ないターゲット部材の部位をプラズマ密度の高いプラズマ生成部側に再配置することができる。この結果、プラズマ密度が高いプラズマ生成部側において、ターゲット部材の厚さを回復することができる。したがって、本実施の形態における基本思想によれば、ターゲットの長寿命化を図ることができ、これによって、本実施の形態におけるターゲットを使用する成膜装置のランニングコストを低減することができる。
図12は、本実施の形態におけるターゲットTA2を成膜装置の固定部FU2に取り付けた状態を模式的に示す図である。図12において、本実施の形態におけるターゲットTA2は、成膜装置に設けられている固定部FU2によって固定されていることがわかる。
図14は、本変形例におけるターゲットTA3の構造を模式的に示す図である。
続いて、本実施の形態における成膜対象物の製造方法について説明する。
13 プラズマ生成部
70 バッキングチューブ
70a 第1部位
70b 第2部位
70c 第3部位
71 ターゲット部材
400 本体部
400a 流路
401 押さえ部
500a Oリング
500b Oリング
500c Oリング
FU 固定部
FU2 固定部
TA ターゲット
TA1 ターゲット
TA2 ターゲット
Claims (15)
- 筒形状をしたターゲット部材と、
前記ターゲット部材を前記ターゲット部材の外側から支持する支持部材と、
を備える、ターゲットであって、
前記支持部材は、接着部材を介して前記ターゲット部材と接する壁部を有し、
前記壁部は、
第1厚さで形成された第1部位と、
前記第1厚さよりも厚い第2厚さで形成された第2部位と、
前記第1厚さで形成された第3部位と、
を有し、
前記第2部位は、前記第1部位と前記第3部位で挟まれ、
前記第1部位と前記第3部位は、前記筒形状の中心線と直交し、かつ、前記ターゲット部材を2等分割する仮想面に対して対称配置され、
前記ターゲットは、前記仮想面に対して上下反転可能に構成され、
前記第2部位は、前記第1厚さよりも厚く、かつ、前記第2厚さよりも薄い凹部を含む、ターゲット。 - 請求項1に記載のターゲットにおいて、
前記ターゲット部材は、円筒形状から構成されている、ターゲット。 - 成膜対象物を保持する保持部と、
プラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記保持部と前記プラズマ生成部との間に設けられたターゲットと、
前記ターゲットを固定する固定部と、
を備える、成膜装置であって、
前記ターゲットは、
筒形状をしたターゲット部材と、
前記ターゲット部材を前記ターゲット部材の外側から支持する支持部材と、
を有し、
前記支持部材は、接着部材を介して前記ターゲット部材と接する壁部を含み、
前記壁部は、
第1厚さで形成された第1部位と、
前記第1厚さよりも厚い第2厚さで形成された第2部位と、
前記第1厚さで形成された第3部位と、
を有し、
前記第2部位は、前記第1部位と前記第3部位で挟まれ、
前記第1部位と前記第3部位は、前記筒形状の中心線と直交し、かつ、前記ターゲット部材を2等分割する仮想面に対して対称配置され、
前記ターゲットは、前記仮想面に対して上下反転可能に構成され、
前記固定部は、前記ターゲットを取り外し可能に構成され、かつ、上下反転した前記ターゲットも取り付け可能に構成され、
前記固定部は、
本体部と、
前記ターゲットを押さえる押さえ部と、
を含み、
前記成膜装置は、
前記第1部位と前記第2部位と前記押さえ部とに接触する第1封止部材と、
前記第2部位と前記第3部位と前記本体部とに接触する第2封止部材と、
前記本体部と前記押さえ部とに接触する第3封止部材と、
を有する、成膜装置。 - 請求項3に記載の成膜装置において、
前記第1封止部材は、Oリングから構成され、
前記第2封止部材も、Oリングから構成され、
前記第3封止部材も、Oリングから構成されている、成膜装置。 - 請求項4に記載の成膜装置において、
前記第1封止部材と前記第2封止部材は、同サイズのOリングから構成されている、成膜装置。 - 請求項3に記載の成膜装置において、
前記本体部は、前記第2部位と対向する側面を有し、
前記第2部位と前記側面との間には、隙間が存在する、成膜装置。 - 請求項6に記載の成膜装置において、
前記隙間は、前記第1封止部材と前記第2封止部材と前記第3封止部材とによって密閉されている、成膜装置。 - 請求項7に記載の成膜装置において、
前記隙間には、前記ターゲットを冷却するための冷却水が流れる、成膜装置。 - 請求項3に記載の成膜装置において、
前記プラズマ生成部は、電子サイクロトロン共鳴現象を利用してプラズマを生成する、成膜装置。 - 請求項3に記載の成膜装置において、
前記成膜装置は、高周波電圧を前記ターゲットに印加する高周波電源部を有する、成膜装置。 - 請求項3に記載の成膜装置において、
前記成膜対象物は、劈開面を有する、成膜装置。 - (a)第1成膜対象物を保持する保持部とプラズマを生成するプラズマ生成部との間に設けられ、かつ、固定部によって固定された筒形状のターゲットを使用して、前記第1成膜対象物に膜を形成する工程、
(b)前記(a)工程の後、前記保持部から前記第1成膜対象物を取り外す工程、
(c)前記(b)工程の後、前記ターゲットを前記固定部から取り外す工程、
(d)前記(c)工程の後、前記ターゲットを反転させて、前記固定部に前記ターゲットを取り付ける工程、
(e)前記(d)工程の後、第2成膜対象物を前記保持部で保持する工程、
(f)前記(e)工程の後、前記ターゲットを使用して、前記第2成膜対象物に膜を形成する工程、
を備え、
前記ターゲットは、
筒形状をしたターゲット部材と、
前記ターゲット部材を前記ターゲット部材の外側から支持する支持部材と、
を有し、
前記支持部材は、接着部材を介して前記ターゲット部材と接する壁部を含み、
前記壁部は、
第1厚さで形成された第1部位と、
前記第1厚さよりも厚い第2厚さで形成された第2部位と、
前記第1厚さで形成された第3部位と、
を有し、
前記第2部位は、前記第1部位と前記第3部位で挟まれ、
前記第1部位と前記第3部位は、前記筒形状の中心線と直交し、かつ、前記ターゲット部材を2等分割する仮想面に対して対称配置され、
前記ターゲットは、前記仮想面に対して上下反転可能に構成されている、成膜対象物の製造方法。 - 請求項12に記載の成膜対象物の製造方法において、
前記(a)工程の後、前記(c)工程の前において、
前記ターゲット部材の前記プラズマ生成部側の厚さは、前記ターゲット部材の前記保持部側の厚さよりも薄い、成膜対象物の製造方法。 - 請求項12に記載の成膜対象物の製造方法において、
前記(d)工程の後、前記(f)工程の前において、
前記ターゲット部材の前記プラズマ生成部側の厚さは、前記ターゲット部材の前記保持部側の厚さよりも厚い、成膜対象物の製造方法。 - 請求項12に記載の成膜対象物の製造方法において、
前記(a)工程では、前記ターゲットを冷却し、
前記(f)工程でも、前記ターゲットを冷却する、成膜対象物の製造方法。
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