JP7244712B2 - パッケージ - Google Patents

Description

本発明は、パッケージに関し、特に、ビア電極によって貫通された枠部を有するセラミックスパッケージに関するものである。

セラミックグリーンシートを用いて製造されるセラミック部品として、水晶振動子用のパッケージが知られている。一般的な水晶振動子は、水晶ブランクと、水晶ブランクが収められるキャビティを有するパッケージと、キャビティを封止するための蓋とを有している。パッケージは、キャビティの底面をなす基板部と、キャビティを囲む枠部と、この枠部上に設けられたメタライズ層とを有している。メタライズ層に蓋が接合材（典型的には、ろう材）を用いて接合される。

パッケージの枠部上のメタライズ層は、通常、接地電位用の電極パッドに電気的に短絡されている。この電気的経路は、典型的には、枠部を貫通するビア電極を介して確保することができる。しかしながら、パッケージの小型化の進展にともなって枠部の材料幅（枠部の内壁面と外壁面との間の寸法）が小さくなってきており、これに対応しての微細なビア電極を形成することが困難となってきている。具体的には、微細なビア電極用の微細なビアホールを、焼成されることによって枠部となるグリーンシートに形成することが、困難となってきている。ビアホールの典型的な形成方法として、ピン形状を有する金型が用いられる場合、ビアホールを微細化するためにピン形状を微細化すると、ピンの機械的強度が不足しやすい。そこで、たとえば特開２００７－２７５９２号公報に開示された技術によれば、ビア電極に代わって、枠部の内壁面上に、略三日月状の形状を有するキャスタレーション電極が設けられている。

しかしながら、上記公報の技術のようにビア電極に代わってキャスタレーション電極がキャビティの側壁に設けられている場合、ろう材を用いた接合工程において、ろう材がキャビティ中へキャスタレーション電極に沿って流れ込みやすい。流れ込んだろう材と水晶ブランクとが接触することによって、水晶振動子の性能に悪影響が生じることがある。なお、ろう材の流れ込みによる機械的特性への悪影響は、パッケージに実装される素子が水晶ブランクの場合に特に懸念されるが、他の圧電素子の場合にも生じることがある。さらに、パッケージに実装される素子が電気的素子である限り、たとえば意図しない短絡のような、電気的特性への悪影響が懸念される。

特開２００９－２３４０７４号公報は、ビアホールとしての微小な貫通孔を、セラミックグリーンシートに、レーザー加工技術によって形成する方法が開示されている。具体的には、厚みが２５０μｍ以下のセラミックグリーンシートに、直径３０μｍ乃至５０μｍの貫通孔が、紫外線レーザーを用いて形成される。このように厚みに対して直径の小さい貫通孔がレーザー加工によって形成される場合、貫通孔がテーパ形状を有する傾向があることが指摘されている。そして上記公報においては、貫通孔のテーパ形状は、貫通孔への導体ペーストの充填を困難にするものとして問題視されている。そこで上記公報の技術においては、テーパ率を６０％以上とすることができるレーザー光照射条件が検討されている。ここでテーパ率は、テーパの直径比によって定義されており、テーパ率１００％は貫通孔がテーパ形状を有しないことを意味し、また、より小さなテーパ率は、より急激なテーパ形状を意味する。

特開２００７－２７５９２号公報 特開２００９－２３４０７４号公報

本発明者らの検討によれば、上記公報に開示されたレーザー加工技術が、パッケージの枠部にビア電極を設ける目的で単純に適用されると、キャビティの気密性を十分に確保することが困難なことがある。この問題は、パッケージの小型化の進展にともなって枠部の幅が小さくなるほど深刻となる。

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、気密性の低下を抑制することができるパッケージを提供することである。

第１態様は、キャビティが設けられたパッケージであって、セラミックスからなる枠部を備え、前記枠部は、第１面と、厚み方向において前記第１面と反対の第２面とを有しており、前記第２面は、前記キャビティを囲む内縁と、前記内縁を囲む外縁とを有しており、前記パッケージはさらに、セラミックスからなる基板部を備え、前記基板部は、前記枠部の前記第２面を支持する部分と、前記キャビティに面する部分とを有する第３面を有しており、前記パッケージはさらに、前記基板部の前記第３面上に設けられている電極層と、前記第１面と前記第２面との間で前記枠部を貫通するビア電極とを備え、前記ビア電極は、前記第１面で直径ＤＡを有する端面と、前記第２面で前記電極層に接し前記直径ＤＡよりも小さい直径ＤＢを有する底面と、を有しており、平面視において前記ビア電極の前記底面は、前記枠部の前記第２面の前記内縁からの最小寸法ＬＩと、前記枠部の前記第２面の前記外縁からの最小寸法ＬＯとを有しており、ＬＯ＞ＬＩが満たされている。

第２態様は、第１態様のパッケージであって、前記直径ＤＡは５０μｍ以下である。

第３態様は、第１または第２態様のパッケージであって、前記枠部の前記第２面の前記内縁と前記外縁との間の最小寸法は２００μｍ以下である。

第４態様は、第１から第３態様のいずれかのパッケージであって、ＬＯ≧ＬＩ×１．５が満たされている。

第５態様は、第１から第４態様のいずれかのパッケージであって、前記ビア電極は、前記厚み方向における前記端面と前記底面との中間位置において、（ＤＡ＋ＤＢ）／２以下の直径を有している。

第６態様は、第１から第５態様のいずれかのパッケージであって、前記ビア電極は、前記厚み方向において前記端面からテーパ形状で延びる部分を有している。

第７態様は第６態様のパッケージであって、前記テーパ形状は５度以上のテーパ角を有している。

第８態様は、第６または第７態様のパッケージであって、前記テーパ形状は前記枠部の厚みの１／２以上の厚みを有している。

第９態様は、第１から第８態様のいずれかのパッケージであって、前記ビア電極は、前記端面と前記底面とをつなぐ側面を有しており、前記側面は、前記厚み方向に平行な断面視において、少なくとも１つの屈曲点を有している。

第１０態様は、第９態様のパッケージであって、前記少なくとも１つの屈曲点は、逆方向に曲がる２つの屈曲点を含む。

第１１態様は、第１から第１０態様のいずれかのパッケージであって、前記枠部は、前記第１面と、前記第２面の前記外縁とをつなぐ外壁面を有しており、前記外壁面は、前記第１面につながる焼成面（ａｓ－ｆｉｒｅｄ ｓｕｒｆａｃｅ）と、前記第２面につながる破断面（ｆｒａｃｔｕｒｅ ｓｒｕｆａｃｅ）とを有している。

第１２態様は、第１から第１１態様のいずれかのパッケージであって、前記枠部の前記第１面上に設けられ前記ビア電極の前記端面に接するメタライズ層をさらに備え、前記メタライズ層は前記ビア電極の前記端面との接続部分で局所的に厚くなっている。

第１３態様は、第１から第１１態様のいずれかのパッケージであって、前記枠部の前記第１面上に設けられ前記ビア電極の前記端面に接するメタライズ層をさらに備え、前記枠部の前記第１面は、前記ビア電極の前記端面に直接つながれた第１領域と、前記ビア電極の前記端面に前記第１領域を介してつながれた第２領域と、を有しており、前記第２領域は前記厚み方向に垂直であり、前記第１領域は、前記第２領域に対して、前記ビア電極の前記端面に近いほど前記枠部の厚みが小さくなるように傾斜している。

第１態様によれば、底面の直径ＤＢが端面の直径ＤＡに比して小さいことにより、ビア電極の底面の周りで、枠部の第２面と基板部の第３面との界面が広くされる。言い換えれば、ビア電極の底面の周りで、セラミックス間の積層界面が広くされる。ここで、ＬＯ＞ＬＩが満たされるようにビア電極の底面が配置されていることから、底面と枠部の第２面の外縁との間で、セラミックス間の積層界面が配置された箇所が、大きく確保される。ここで、セラミックス間の積層界面は、金属とセラミックスとの積層界面に比して、高い気密性を有する。よって、積層界面に沿ったリークに起因しての気密性の低下を抑制することができる。

第２態様によれば、ビア電極の直径ＤＡが５０μｍ以下の微細な寸法である。これにより、枠部の幅寸法も微細化することができる。この微細化が進むほど基板部と枠部との間の積層界面に沿ったリークが問題となりやすいところ、当該問題が、上述した理由によって効果的に抑制される。

第３態様によれば、枠部の第２面の内縁と外縁との間の最小寸法は２００μｍ以下である。このように微細化が進むほど基板部と枠部との間の積層界面に沿ったリークが問題となりやすいところ、当該問題が、上述した理由によって効果的に抑制される。

第４態様によれば、ＬＯ≧ＬＩ×１．５が満たされている。これにより、基板部と枠部との間の積層界面に沿ったリークに起因しての気密性の低下を、より十分に抑制することができる。

第５態様によれば、前記ビア電極は、厚み方向における前記端面と前記底面との中間位置において、（ＤＡ＋ＤＢ）／２以下の直径を有している。これにより、ビア電極の当該中間位置と、枠部の外壁面との間の距離を十分に確保することができる。よって、ビア電極と枠部との間の気密信頼性を高めることができる。

第６態様によれば、ビア電極は、厚み方向において端面からテーパ形状で延びる部分を有している。これにより、端面の直下において、ビア電極と、枠部の外壁面との間の距離を確保しやすくなる。よって、ビア電極と枠部との間の気密信頼性を高めることができる。

第７態様によれば、ビア電極の、端面から延びるテーパ形状は、５度以上のテーパ角を有している。これにより、端面の直下において、ビア電極と、枠部の外壁面との間の距離を、より十分に確保しやすくなる。

第８態様によれば、ビア電極の、端面から延びるテーパ形状は、枠部の厚みの１／２以上の厚みを有している。これにより、ビア電極と枠部の外壁面との間の距離を、テーパ形状によって、より十分に増大させることができる。

第９態様によれば、ビア電極の側面は、少なくとも１つの屈曲点を有している。これにより、パッケージの製造における焼結収縮に起因してのビア電極の側面と枠部との間のはがれを抑制することができる。

第１０態様によれば、ビア電極の側面は、逆方向に曲がる２つの屈曲点を有している。これにより、パッケージの製造における焼結収縮に起因してのビア電極の側面と枠部との間のはがれを、より十分に抑制することができる。

第１１態様によれば、枠部の外壁面は、第１面につながる焼成面と、第２面につながる破断面とを有している。破断面はブレイク工程によって形成されるところ、その工程ばらつきの影響によって、枠部の第２面の外縁とビア電極の底面との間の距離が小さくなることがある。しかしながら、前述したようにＤＡ＞ＤＢかつＬＯ＞ＬＩが満たされていることによって、当該距離が過小とはなりにくくなる。よって、当該距離が過小なことに起因しての枠部の気密性の不足を防止することができる。

第１２態様によれば、メタライズ層は前記ビア電極の前記端面との接続部分で局所的に厚くなっている。これにより、ビア電極の端面の直径ＤＡと底面の直径ＤＢとを維持したままで、ビア電極の側面と枠部の第１面とがなす鈍角を、より大きくすることができる。よって、主に金属からなるビア電極およびメタライズ層と、セラミックスからなる枠部と、の間での熱膨張の差異に起因した熱応力を緩和することができる。

第１３態様によれば、枠部の第１面の第１領域は、ビア電極の端面に近いほど枠部の厚みが小さくなるように傾斜している。これにより、ビア電極の端面の直径ＤＡと底面の直径ＤＢとを維持したままで、ビア電極の側面と枠部の第１面とがなす鈍角を、より大きくすることができる。よって、主に金属からなるビア電極およびメタライズ層と、セラミックスからなる枠部と、の間での熱膨張の差異に起因した熱応力を緩和することができる。

この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

本発明の実施の形態１における水晶振動子の構成を概略的に示す平面図である。 図１の線ＩＩ－ＩＩに沿う概略的な断面図である。 図１の水晶振動子の製造方法の一工程を概略的に示す平面図である。 図３の線ＩＶ－ＩＶに沿う概略的な断面図である。 本発明の実施の形態１におけるパッケージの構成を概略的に示す平面図である。 図５の線ＶＩ－ＶＩに沿う概略的な断面図である。 図５におけるメタライズ層および枠部の図示を省略した平面図である。 図７における基板部およびビア電極を、パッケージ電極パッドを破線で示しつつ、概略的に示す平面図である。 図５における枠部上のメタライズ層の図示を省略した平面図である。 図９の線Ｘ－Ｘに沿う概略的な断面図である。 図９の一部拡大図である。 本発明の実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１におけるパッケージの製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。 図１０に示されたビア電極の構成の詳細を説明するための図である。 図１５に示された構成を、枠部の枠上面の微細な傾斜を考慮しつつ、メタライズ層と共に示す図である。 本発明の実施の形態２におけるパッケージが有するビア電極の構成の詳細を説明するための図である。 図１７に示された構成を、枠部の枠上面の微細な傾斜を考慮しつつ、メタライズ層と共に示す図である。 本発明の実施の形態３におけるパッケージが有するビア電極の構成の詳細を説明するための図である。 図１９に示された構成を、枠部の枠上面の微細な傾斜を考慮しつつ、メタライズ層と共に示す図である。 図１５の構成に対応する実施例を示す顕微鏡写真である。 図１７の構成に対応する実施例を示す顕微鏡写真である。 図１９の構成に対応する実施例を示す顕微鏡写真である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。

＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態１における水晶振動子９００（電気的部品）の構成を概略的に示す平面図である。図２は、図１の線ＩＩ－ＩＩに沿う概略的な断面図である。図３は、水晶振動子９００（図１）の製造方法における、水晶ブランク８９０（電気的素子）が実装された直後の構成を概略的に示す平面図である。図４は、図３の線ＩＶ－ＩＶに沿う概略的な断面図である。

水晶振動子９００は、パッケージ７０１と、水晶ブランク８９０と、ろう材９６０と、蓋９８０とを有している。パッケージ７０１にはキャビティＣＶが設けられている。水晶ブランク８９０は、キャビティＣＶ内に収められており、パッケージ７０１の素子電極パッド２１１および素子電極パッド２１２の上に実装されている。蓋９８０は、ろう材９６０によってパッケージ７０１のメタライズ層６００に接合されており、これによりキャビティＣＶが封止されている。ろう材９６０は、典型的には、金を含む合金からなることが好ましく、たとえば、金およびスズを含む合金、言い換えればＡｕ－Ｓｎ系合金、からなる。蓋９８０は、金属からなり、例えば、鉄およびニッケルを含む合金からなる。なお本明細書において、合金は金属の一種とみなす。

メタライズ層６００は、例えば、モリブデンおよびタングステンの少なくともいずれかを含む金属からなる。メタライズ層６００の表面（ろう材９６０に面する面）には、めっき層が設けられていてよく、典型的には金めっき層が設けられている。また金めっき層の下地としてニッケルめっき層が設けられていてよい。本実施の形態においては、パッケージ７０１の枠部１２０の枠上面ＳＦ１上に直接設けられたメタライズ層６００と、蓋９８０との間が、ろう材９６０のみによって接合されている。

図５は、パッケージ７０１の構成を概略的に示す平面図である。図６は、図５の線ＶＩ－ＶＩに沿う概略的な断面図である。パッケージ７０１は、セラミック部１００と、素子電極パッド２１１と、素子電極パッド２１２と、パッケージ電極パッド３０１～３０４とを有している。また詳しくは後述するが、パッケージ７０１は、セラミック部１００に設けられた、電気的配線のための構成を有している。

セラミック部１００は、セラミックからなり、好ましくは酸化物を主成分として有しており、より好ましくはアルミナを主成分として有しており、例えば実質的にアルミナからなる。セラミック部１００は、基板部１１０と、枠部１２０とを含む。基板部１１０の材料と、枠部１２０の材料とは、同じであってよい。枠部１２０は厚み方向（図６における縦方向）において基板部１１０に積層されている。枠部１２０は、枠上面ＳＦ１（第１面）と、枠下面ＳＦ２（厚み方向において第１面と反対の第２面）とを有している。また枠部１２０は、枠上面ＳＦ１と枠下面ＳＦ２とを互いにつなぐ内壁面を有しており、当該内壁面はキャビティＣＶの側壁である。基板部１１０は基板上面ＳＦ３（第３面）を有している。基板上面ＳＦ３は、枠部１２０の枠下面ＳＦ２を支持する支持面部分ＳＦ３Ｓと、キャビティＣＶに面するキャビティ面部分ＳＦ３Ｃとを有している。キャビティ面部分ＳＦ３ＣはキャビティＣＶの底面をなしている。

素子電極パッド２１１および素子電極パッド２１２（図５）はキャビティＣＶに面してセラミック部１００（図６）に配置されている。具体的には、素子電極パッド２１１および素子電極パッド２１２は、基板部１１０（図６）の上面（キャビティＣＶに面する面）上に配置されている。パッケージ電極パッド３０１～３０４（図５）はキャビティＣＶ外においてセラミック部１００（図６）に配置されている。具体的には、パッケージ電極パッド３０１～３０４は、基板部１１０（図６）の下面（キャビティＣＶに面する面とは反対の面）上に配置されている。

中継電極２２０（図５）は、基板部１１０（図６）の基板上面ＳＦ３上に設けられている。中継電極２２０は、少なくとも部分的に支持面部分ＳＦ３Ｓ（図６）上に配置されている。よって、中継電極２２０（図５）は、少なくとも部分的に枠部１２０に覆われている。中継電極２２０はさらに、枠部１２０には覆われずにキャビティＣＶの底面に配置された部分を有していてよい。言い換えれば、中継電極２２０は枠部１２０に部分的にのみ覆われていてよい。

図７は、メタライズ層６００（図５）および枠部１２０（図６）の図示を省略した平面図である。図８は、図７における基板部１１０および基板ビア電極４１１～４１４を、パッケージ電極パッド３０１～３０４を破線で示しつつ、概略的に示す平面図である。

セラミック部１００の基板部１１０にはその上面近傍において配線層４０１～４０３が埋め込まれている。配線層４０１は素子電極パッド２１１に接触しており、配線層４０２は素子電極パッド２１２に接触しており、配線層４０３は中継電極２２０に接触している。これらの接触を阻害しない範囲で配線層４０１～４０３は、基板部１１０の一部としての絶縁膜１１０ｉ（図１０参照）に被覆されていてよく、特に素子電極パッド２１１と配線層４０３との間は、絶縁膜１１０ｉによって絶縁されている。配線層４０３および中継電極２２０によって電極層２００が構成されている。

パッケージ７０１は、セラミック部１００の基板部１１０中に埋め込まれた基板ビア電極４１１～４１４を有している。基板ビア電極４１１は配線層４０２とパッケージ電極パッド３０１とを互いに接続している。基板ビア電極４１２は配線層４０３とパッケージ電極パッド３０２とを互いに接続している。基板ビア電極４１３は配線層４０１とパッケージ電極パッド３０３とを互いに接続している。基板ビア電極４１４は配線層４０３とパッケージ電極パッド３０４とを互いに接続している。

以上の構成から、素子電極パッド２１１はパッケージ電極パッド３０３に電気的に接続されており、素子電極パッド２１２はパッケージ電極パッド３０１に電気的に接続されており、中継電極２２０はパッケージ電極パッド３０２およびパッケージ電極パッド３０４に電気的に接続されている。

図９は、図５におけるメタライズ層６００の図示を省略した平面図である。図１０は、図９の線Ｘ－Ｘに沿う概略的な断面図である。図１１は、図９の一部拡大図である。

枠部１２０の枠下面ＳＦ２は、キャビティＣＶを囲む内縁ＥＩと、内縁ＥＩを囲む外縁ＥＯとを有している。内縁ＥＩと外縁ＥＯとの間の最小寸法ＷＤ（図１１）は、２００μｍ以下であってよく、典型的には２０μｍ以上１１０μｍ以下である。枠部１２０は、枠上面ＳＦ１と、枠下面ＳＦ２の外縁ＥＯとをつなぐ外壁面ＳＦ４を有している。また枠部１２０は、枠上面ＳＦ１と枠下面ＳＦ２の内縁ＥＩとをつなぐ内壁面を有しており、内壁面はキャビティＣＶに面している。本実施の形態においては、外壁面ＳＦ４は、枠上面ＳＦ１につながる焼成面ＳＦ４Ａと、枠下面ＳＦ２につながる破断面ＳＦ４Ｂとを有している。破断面ＳＦ４Ｂは、枠上面ＳＦ１から、おおよそ垂直な面であってよい。焼成面ＳＦ４Ａは、図１０に示されているように、枠上面ＳＦ１と破断面ＳＦ４Ｂとの間を面取りするベベル面であってよい。言い換えれば、焼成面ＳＦ４Ａの法線方向は、枠上面ＳＦ１および破断面ＳＦ４Ｂの法線方向とは異なってよく、かつ、それらの間であってよい。

前述したように、配線層４０３および中継電極２２０によって、基板部１１０の基板上面ＳＦ３上に電極層２００が構成されている。また、前述したように基板部１１０がその一部として絶縁膜１１０ｉ（図１０）を有している。変形例として、絶縁膜１１０ｉはパッケージの設計によっては省略されてよい。また電極層２００は、配線層４０３および中継電極２２０のいずれか一方のみによって構成されてよい。例えば、電極層２００は、中継電極２２０が省略されつつ配線層４０３を有していてよく、その場合において、配線層４０３と絶縁膜１１０ｉとの境界位置（図１０における配線層４０３の右端位置）が支持面部分ＳＦ３Ｓ上の中継電極２２０の端位置（図１０における中継電極２２０の右端位置）へずらされてよく、中継電極２２０は省略されてよい。またキャビティＣＶに面している絶縁膜１１０ｉの端は、枠部１２０に達するように変形されてよく、その場合、電極層２００は絶縁膜１１０ｉによってキャビティＣＶから隔てられてよい。また、電極層２００は、典型的には図１０に示されているように支持面部分ＳＦ３Ｓとキャビティ面部分ＳＦ３Ｃとにまたがっているが、変形例として、支持面部分ＳＦ３Ｓ上にのみ配置されていてよい。また電極層２００は、本実施の形態においては枠部１２０の枠下面ＳＦ２の外縁ＥＯから離れた端（図１０における右端）を有しているが、この端は外縁ＥＯに達するように変形されてよい。

パッケージ７０１は、ビア電極５１０を有している。ビア電極５１０は枠上面ＳＦ１と枠下面ＳＦ２との間で枠部１２０を貫通している。ビア電極５１０は、枠上面ＳＦ１で端面ＳＦＡを有しており、また枠下面ＳＦ２で底面ＳＦＢを有している。平面視において、端面ＳＦＡの中心位置と、底面ＳＦＢの中心位置とは、おおよそ同じであってよい。底面ＳＦＢは、電極層２００に接しており、本実施の形態においては中継電極２２０に接している。前述したように、中継電極２２０は配線層４０３に接触しており、配線層４０３（図７）には基板ビア電極４１２および基板ビア電極４１４が接続されている。よって基板ビア電極４１２および基板ビア電極４１４は、ビア電極５１０に電気的に接続されている。さらに、ビア電極５１０の端面ＳＦＡは、メタライズ層６００（図６）に接している。よってメタライズ層６００は、基板ビア電極４１２および基板ビア電極４１４のそれぞれを介して、パッケージ電極パッド３０２およびパッケージ電極パッド３０４に電気的に接続されている（図８参照）。

ビア電極５１０の端面ＳＦＡは直径ＤＡ（図１１）を有している。直径ＤＡは、最小寸法ＷＤより小さく、５０μｍ以下であってよい。ビア電極５１０の底面ＳＦＢは、直径ＤＡよりも小さい直径ＤＢ（図１１）を有している。ビア電極５１０は、厚み方向（図１０における縦方向）における端面ＳＦＡと底面ＳＦＢとの中間位置（端面ＳＦＡの位置と底面ＳＦＢの位置との平均位置）において、（ＤＡ＋ＤＢ）／２以下の直径を有していることが好ましい。テーパ率（直径ＤＡに対する直径ＤＢの百分率）は６０％未満であることが好ましい。

平面視（図１１）において底面ＳＦＢは、枠部１２０の枠下面ＳＦ２の内縁ＥＩからの最小寸法ＬＩと、枠部１２０の枠下面ＳＦ２の外縁ＥＯからの最小寸法ＬＯとを有している。ＬＯ＞ＬＩが満たされており、好ましくは、ＬＯ≧ＬＩ×１．５が満たされている。

図１１に示された平面レイアウトにおいて、端面ＳＦＡおよび底面ＳＦＢの形状は、おおよそ円形形状であるが、これら形状は幾何学的に厳密な円形状から、製造誤差に起因して若干異なっていてもよい。その場合、直径ＤＡおよび直径ＤＢは、端面ＳＦＡおよび底面ＳＦＢを円形形状で近似することによって算出されてよい。

また図１１に示された平面レイアウトにおいて、枠下面ＳＦ２（図１０参照）の内縁ＥＩは、第１直線部（図中、縦方向の直線部）と、第１直線部に対して直角方向に延びる第２直線部（図中、横方向の直線部）と、これらを互いにつなぐ角部とを有している。最小寸法ＬＩは、この角部への寸法であってよい。

図１２から図１４は、複数のパッケージ７０１を一括して製造する製造方法の一工程を概略的に示す部分断面図である。なお図１２から図１４においては、説明の便宜上、メタライズ層６００（図６）となる部分の図示が省略されている。メタライズ層６００の形成は、例えば、導電ペーストの塗布とその焼成とによる周知技術によって可能であることから、その説明を省略する。なお当該焼成は、後述する焼成工程と共通であってよい。また、図１２および図１３は、図１３の状態を図１４の状態へと変化させる焼成工程よりも前の状態を示している。よって、図１２および図１３中の各構成は、完成されたパッケージ７０１とは異なり未焼成の材料からなるが、説明の便宜上、材料についてのこの相違を無視して、パッケージ７０１の構成を表す符号と同様の符号が図１２および図１３においても付されている。

グリーンシート７００Ｇ（図１２）は複数の領域７０１Ｇを含み、その各々が最終的にパッケージ７０１となる。図１２の状態において、ビア電極５１０は、導電ペーストが充填された貫通孔に対応する。当該貫通孔の形成は、グリーンシート７００Ｇへのレーザー加工によって行われる。

グリーンシート７００Ｇの枠上面ＳＦ１にトレンチＴＲ１（図１３）が形成される。また、グリーンシート７００Ｇの、枠上面ＳＦ１と反対の面に、トレンチＴＲ２（図１３）が形成される。トレンチＴＲ１とトレンチＴＲ２とは、厚み方向において対向するように配置される。トレンチＴＲ１およびトレンチＴＲ２は、例えば、刃先をグリーンシート７００Ｇへ押し付けることによって形成される。その後、グリーンシート７００Ｇ（図１３）を焼成する焼成工程が行われる。なお、焼成工程後に、必要に応じて、めっき工程も行われてよい。

上記焼成工程によって焼成シート７００Ｆ（図１４）が形成される。焼成工程において、トレンチＴＲ１の内面は、焼成雰囲気にさらされる。よって、焼成シート７００ＦのトレンチＴＲ１の内面は焼成面となる。当該焼成面が、パッケージ７０１の焼成面ＳＦ４Ａ（図１０）となる。焼成シート７００Ｆへ応力を印加することによって、トレンチＴＲ１からクラックを発生させるブレイク工程が行われる。ブレイク工程によって枠部１２０が破断されることによって破断面が形成される。当該破断面が、パッケージ７０１の破断面ＳＦ４Ｂ（図１０）となる。ブレイク工程は、トレンチＴＲ１とトレンチＴＲ２との間でクラックを発生させる工程であってよい。ブレイク工程により、焼成シート７００Ｆから複数のパッケージ７０１が切り出される。

ブレイク工程において、トレンチＴＲ１からのクラックは、理想的には図中実線矢印に示されたように厚み方向に沿って伸展するが、実際には、図中破線矢印に示されたように、一方のビア電極５１０（図中、左側のビア電極５１０）へ、他方のビア電極５１０（図中、右側のビア電極５１０）に比して、意図せず接近することがある。その結果、当該一方のビア電極５１０を有するパッケージ７０１において、枠部１２０の枠下面ＳＦ２の最小寸法ＬＯ（図１１）が小さくなってしまうことがある。過小な最小寸法ＬＯはパッケージ７０１のリークにつながりやすいので、最小寸法ＬＯは、ある程度の余裕を有していることが望まれる。本実施の形態によれば、この余裕を確保しやすくなる。

図１５は、ビア電極５１０（図１０）の構成の詳細を説明するための図である。ビア電極５１０は、厚み方向（図中縦方向）の全体において端面ＳＦＡから底面ＳＦＢまでテーパ形状で延びる部分を有している。このテーパ形状は、厚み方向ＬＤを基準として、５度以上のテーパ角ＴＰ_ＡＶを有していることが好ましい。ビア電極５１０は、端面ＳＦＡと底面ＳＦＢとをつなぐ側面を有している。点ＫＡおよび点ＫＢのそれぞれは、厚み方向における端面ＳＦＡおよび底面ＳＦＢの位置での当該側面の位置を示す。点ＫＶは、厚み方向における点ＫＡと点ＫＢとの間での当該側面の位置を示す。点ＫＷは、厚み方向における点ＫＶと点ＫＢとの間での当該側面の位置を示す。本実施の形態においては、点ＫＡと点ＫＢとを結ぶ直線上に、点ＫＶおよび点ＫＷが実質的に位置する。

図１６は、図１５に示された構成を、図１５においては捨象されていた枠上面ＳＦ１の微細な傾斜を考慮しつつ、メタライズ層６００（図６参照）と共に示す図である。枠部１２０の枠上面ＳＦ１は、ビア電極５１０の端面ＳＦＡに直接つながれた傾斜領域ＳＦ１ｄ（第１領域）と、ビア電極５１０の端面ＳＦＡに傾斜領域ＳＦ１ｄを介してつながれた平行領域ＳＦ１ｆ（第２領域）と、を有している。平行領域ＳＦ１ｆは厚み方向に垂直である。傾斜領域ＳＦ１ｄは、平行領域ＳＦ１ｆに対して、ビア電極５１０の端面ＳＦＡに近いほど枠部１２０の厚みが小さくなるように傾斜している。この傾斜の角度は、例えば、４°以上、２０°以下である。傾斜領域ＳＦ１ｄはビア電極５１０の端面ＳＦＡを囲んでいてよく、平行領域ＳＦ１ｆはこの傾斜領域ＳＦ１ｄを囲んでいてよい。メタライズ層６００は、枠上面ＳＦ１の傾斜領域ＳＦ１ｄおよび平行領域ＳＦ１ｆ上に設けられており、ビア電極５１０の端面ＳＦＡに接している。

本実施の形態によれば、図１１に示されているように、底面ＳＦＢの直径ＤＢが端面ＳＦＡの直径ＤＡに比して小さい。これにより、ビア電極５１０の底面ＳＦＢの周りで、枠部１２０の枠下面ＳＦ２（図１０）と、基板部１１０の基板上面ＳＦ３（図１０）との界面が広くされる。言い換えれば、ビア電極５１０の底面ＳＦＢの周りで、セラミックス間の積層界面が広くされる。ここで、図１１に示されているように、ＬＯ＞ＬＩが満たされるようにビア電極５１０の底面ＳＦＢが配置されていることから、底面ＳＦＢと枠部１２０の枠下面ＳＦ２の外縁ＥＯとの間で、セラミックス間の積層界面が配置された箇所が、大きく確保される。ここで、セラミックス間の積層界面は、金属とセラミックスとの積層界面に比して、高い気密性を有する。よって、積層界面に沿ったリークに起因しての気密性の低下を抑制することができる。

ビア電極５１０の直径ＤＡは５０μｍ以下であってよい。これにより、枠部１２０の最小寸法ＷＤ（図１１）も微細化することができる。この微細化が進むほど基板部１１０と枠部１２０との間の積層界面に沿ったリークが問題となりやすいところ、当該問題が、上述した理由によって効果的に抑制される。

枠部１２０の枠下面ＳＦ２の内縁ＥＩと外縁ＥＯとの間の最小寸法は２００μｍ以下であってよい。このように微細化が進むほど基板部１１０と枠部１２０との間の積層界面に沿ったリークが問題となりやすいところ、当該問題が、上述した理由によって効果的に抑制される。

図１１を参照して、ＬＯ≧ＬＩ×１．５が満たされている場合、図１０を参照して、基板部１１０の基板上面ＳＦ３と枠部１２０の枠下面ＳＦ２との間の積層界面に沿ったリークに起因しての気密性の低下を、より十分に抑制することができる。

ビア電極５１０は、厚み方向（図１０における縦方向）における端面ＳＦＡと底面ＳＦＢとの中間位置において、図１１を参照して、（ＤＡ＋ＤＢ）／２以下の直径を有していてよい。これにより、ビア電極５１０の当該中間位置と、枠部１２０の外壁面ＳＦ４との間の距離を十分に確保することができる。よって、ビア電極５１０と枠部１２０との間の気密信頼性を高めることができる。

ビア電極５１０は、厚み方向（図１０における縦方向）において、端面ＳＦＡからテーパ形状で延びる部分を有している。これにより、端面ＳＦＡの直下において、ビア電極５１０と、枠部１２０の外壁面ＳＦ４との間の距離を確保しやすくなる。よって、ビア電極５１０と枠部１２０との間の気密信頼性を高めることができる。特に本実施の形態においては、ビア電極５１０の全体がテーパ形状で延びているので、この効果がより十分に得られる。

テーパ角ＴＰ_ＡＶ（図１５）は５度以上であってよい。これにより、端面ＳＦＡの直下において、ビア電極５１０と、枠部１２０の外壁面ＳＦ４（図１０）との間の距離を、より十分に確保しやすくなる。

枠部１２０の外壁面ＳＦ４（図１０）は、枠上面ＳＦ１につながる焼成面ＳＦ４Ａと、枠下面ＳＦ２につながる破断面ＳＦ４Ｂとを有している。破断面ＳＦ４Ｂはブレイク工程によって形成されるところ、その工程ばらつきの影響によって、最小寸法ＬＯ（図１１）が小さくなることがある。しかしながら、前述したようにＤＡ＞ＤＢかつＬＯ＞ＬＩが満たされていることによって、最小寸法ＬＯが過小とはなりにくくなる。よって、最小寸法ＬＯが過小なことに起因しての枠部１２０の気密性の不足を防止することができる。

傾斜領域ＳＦ１ｄ（図１６）が前述したように傾斜していることにより、ビア電極５１０（図１５）の直径ＤＡおよび直径ＤＢを維持したままで、ビア電極５１０の側面と枠上面ＳＦ１とがなす鈍角ＳＨを、より大きくすることができる。よって、主に金属からなるビア電極５１０およびメタライズ層６００と、セラミックスからなる枠部１２０と、の間での熱膨張の差異に起因した熱応力を緩和することができる。よって、熱応力に起因しての、クラック、または、ビア電極５１０と枠部１２０との間での剥がれを防止することができる。

補足すると、直径ＤＢ（図１５）を一定として、直径ＤＡ（図１５）を大きくするほど鈍角ＳＨ（図１６）も大きくなる。しかしながら、前述したように枠部１２０の幅を小さくすることが近年求められており、それに対応して直径ＤＡには設計上の上限がある。また、直径ＤＡ（図１５）を一定として、直径ＤＢ（図１５）を小さくするほど鈍角ＳＨ（図１６）も大きくなる。しかしながら、直径ＤＢが小さいほど、ビア電極５１０の底面ＳＦＢの面積も小さくなるので、図１０の構成において、ビア電極５１０の底面ＳＦＢと電極層２００の中継電極２２０との間の電気的接続が不十分になりやすい。

なお、傾斜領域ＳＦ１ｄによる上記効果が特に必要でない場合、傾斜領域ＳＦ１ｄは省略されてよい。言い換えれば、その場合は、枠上面ＳＦ１の、ビア電極５１０の端面ＳＦＡに直接つながれた領域が、厚み方向に垂直であってよい。

＜実施の形態２＞
図１７は、本実施の形態２におけるパッケージ７０２が有するビア電極５２０の構成の詳細を説明するための図である。ビア電極５２０の側面は、厚み方向に平行な断面視（図１７）において、少なくとも１つの屈曲点を有しており、具体的には、逆方向に曲がる２つの屈曲点として点ＫＶおよび点ＫＷを有している。ビア電極５２０は、点ＫＡから点ＫＶまでの側面を有する部分５２１と、点ＫＶから点ＫＷまでの側面を有する部分５２２と、点ＫＷから点ＫＢまでの側面を有する部分５２３とを有している。部分５２１は、厚み方向において端面ＳＦＡからテーパ形状で延びており、このテーパ形状のテーパ角ＴＰ_ＡＶは５度以上であることが好ましい。部分５２１は、枠部１２０の厚みの１／２以上の厚みを有していることが好ましい。部分５２２は、部分５２１に比して緩やかなテーパ形状、または円筒状形状を有している。部分５２３は、部分５２２に比して急激なテーパ形状を有している。

図１８は、図１７に示された構成を、図１７においては捨象されていた枠上面ＳＦ１の微細な傾斜を考慮しつつ、メタライズ層６００（図６参照）と共に示す図である。図１８に示された構成は、図１６に示された構成においてビア電極５１０（実施の形態１）がビア電極５２０（本実施の形態２）に置換されたものに対応している。図１８に示された構成によっても、図１６に示された構成に関連して実施の形態１において述べた効果と同様の効果が得られる。

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

ビア電極５２０の部分５２１は、枠部１２０の厚みの１／２以上の厚みを有している。これにより、ビア電極５２０と枠部１２０の外壁面ＳＦ４（図１０参照）との間の距離を、テーパ形状によって、より十分に増大させることができる。

ビア電極５２０の側面は、屈曲点（具体的には、点ＫＶおよび点ＫＷ）を有している。これにより、パッケージ７０２の製造における焼結収縮に起因してのビア電極５２０の側面と枠部１２０との間のはがれを抑制することができる。屈曲点としての点ＫＶおよび点ＫＷが逆方向に曲がっていることにより、この効果が、より十分なものとされる。

＜実施の形態３＞
図１９は、本実施の形態３におけるパッケージ７０３が有するビア電極５３０の構成の詳細を説明するための図である。ビア電極５３０は、点ＫＡから点ＫＶまでの側面を有する部分５３１と、点ＫＶから点ＫＷまでの側面を有する部分５３２と、点ＫＷから点ＫＢまでの側面を有する部分５３３とを有している。部分５３１は、厚み方向において端面ＳＦＡからテーパ形状で延びており、このテーパ形状のテーパ角ＴＰ_ＡＶは５度以上であることが好ましい。部分５３１は、枠部１２０の厚みの１／２以上の厚みを有していることが好ましい。部分５３２は、端面ＳＦＡから底面ＳＦＢへ向かう方向において逆テーパ形状を有している。部分５３３は、端面ＳＦＡから底面ＳＦＢへ向かう方向においてテーパ形状を有している。

図２０は、図１９に示された構成を、図１９においては捨象されていた枠上面ＳＦ１の微細な傾斜を考慮しつつ、メタライズ層６００（図６参照）と共に示す図である。図２０に示された構成は、図１６に示された構成においてビア電極５１０（実施の形態１）がビア電極５３０（本実施の形態３）に置換されたものに対応している。図２０に示された構成によっても、図１６に示された構成に関連して実施の形態１において述べた効果と同様の効果が得られる。

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態によれば、焼結収縮に起因してのビア電極５２０の側面と枠部１２０との間のはがれを抑制する効果が、実施の形態２に比して、より高められる。

＜実施例＞
図１２を参照して、グリーンシート７００Ｇ（図１２）の形成において、ビア電極５１０が充填されることになる貫通孔は、前述したようにレーザー加工によって行われる。当該加工におけるレーザー光の照射時間および照射回数を、以下の表１に示されているように設定することによって、実施例１～８のパッケージを作製した。なお、全実施例に共通して、ＣＯ_２レーザーからの、波長９．４μｍ、平均出力２００Ｗのレーザー光が、開口径０．８ｍｍのマスクを介してグリーンシート７００Ｇへ照射された。

実施例１～５においては、ビア電極５１０（図１５）に対応する形状が得られた。具体的には、点ＫＶ（図１５）を厚み方向における点ＫＡと点ＫＢとの中間位置（言い換えれば平均位置）とし、点ＫＷ（図１５）を厚み方向における点ＫＶと点ＫＢとの中間位置（言い換えれば平均位置）として、直径ＤＡは４６μｍであり、直径ＤＶ（点ＫＶを通る直径）は３４μｍであり、直径ＤＷ（点ＫＷを通る直径）は２８μｍであり、直径ＤＢは２３μｍであった。また、点ＫＡから点ＫＢへのテーパ角は５．９度であり、点ＫＡから点ＫＶへのテーパ角は６．１度であり、点ＫＶから点ＫＷへのテーパ角は５．７度であり、点ＫＷから点ＫＢへのテーパ角は５．９度であった。このように、ビア電極の全体が、５．９±０．２度の範囲内で、ほぼ単調なテーパ形状を有していた。この観察時の顕微鏡写真の例を図２１に示す。

なお、図２１の例では、メタライズ層６００（図６参照）がビア電極５１０の端面ＳＦＡ（図１５参照）との接続部分で局所的に厚くなっていた。直径ＤＡ（図１５参照）は、当該接続部分（図２１における矢印部分）において計測された。このことは、後述の図２２および図２３の例においても同様である。図２１の例は、図１６の構成に対応しており、メタライズ層６００は、破線部（図１６）より下方に突出することによって、ビア電極５１０の端面ＳＦＡとの接続部分で局所的に厚くなっていて、鈍角ＳＨ（図１６）は、ビア電極５１０の左側および右側の各々で、１１３°であった。

実施例６においては、ビア電極５２０（図１７）に対応する形状が得られた。具体的には、点ＫＶ（図１７）および点ＫＷ（図１７）のような屈曲点が観察された。この観察において、点ＫＶ（図１７）は厚み方向における点ＫＡと点ＫＢとのおおよそ中間位置（言い換えれば平均位置）であり、点ＫＷ（図１７）は厚み方向における点ＫＶと点ＫＢとのおおよそ中間位置（言い換えれば平均位置）であった。直径ＤＡは４７μｍであり、直径ＤＶ（点ＫＶを通る直径）は３４μｍであり、直径ＤＷ（点ＫＷを通る直径）は３３μｍであり、直径ＤＢは２３μｍであった。また、点ＫＡから点ＫＢへのテーパ角は６．１度であり、点ＫＡから点ＫＶへのテーパ角は６．５度であり、点ＫＶから点ＫＷへのテーパ角は０．８度であり、点ＫＷから点ＫＢへのテーパ角は１０．５度であった。この観察時の顕微鏡写真の例を図２２に示す。図２２の例は、図１８の構成に対応しており、メタライズ層６００は、破線部（図１８）より下方に突出することによって、ビア電極５２０の端面ＳＦＡとの接続部分で局所的に厚くなっていて、鈍角ＳＨ（図１８）は、ビア電極５２０の左側および右側の各々で、１１４°であった。

実施例７および８においては、ビア電極５３０（図１９）に対応する形状が得られた。具体的には、点ＫＶ（図１９）および点ＫＷ（図１９）のような屈曲点が観察された。この観察において、点ＫＶ（図１９）は厚み方向における点ＫＡと点ＫＢとのおおよそ中間位置（言い換えれば平均位置）であり、点ＫＷ（図１９）は厚み方向における点ＫＶと点ＫＢとのおおよそ中間位置（言い換えれば平均位置）であった。直径ＤＡは４５μｍであり、直径ＤＶ（点ＫＶを通る直径）は３１μｍであり、直径ＤＷ（点ＫＷを通る直径）は３２μｍであり、直径ＤＢは１８μｍであった。また、点ＫＡから点ＫＢへのテーパ角は６．９度であり、点ＫＡから点ＫＶへのテーパ角は６．９度であり、点ＫＶから点ＫＷへのテーパ角は－０．８度であり、点ＫＷから点ＫＢへのテーパ角は１４．４度であった。点ＫＶから点ＫＷへのテーパ角はマイナスの値を有しており、これは逆テーパ形状を意味する。この観察時の顕微鏡写真の例を図２３に示す。図２３の例は、図２０の構成に対応しており、メタライズ層６００は、破線部（図２０）より下方に突出することによって、ビア電極５３０の端面ＳＦＡとの接続部分で局所的に厚くなっていて、鈍角ＳＨ（図２０）は、ビア電極５３０（図２０）の左側および右側のそれぞれで、１０２°および１２０°であった。

以上、本発明の実施の形態１～３およびその変形例について説明した。これら実施の形態および変形例は、互いに矛盾しない限り、互いに自由に組み合わされてよい。

１００ ：セラミック部
１１０ｉ ：絶縁膜
１２０ ：枠部
２００ ：電極層
２２０ ：中継電極
３０１～３０４：パッケージ電極パッド
４０１～４０３：配線層
４１１～４１４：基板ビア電極
５１０ ：ビア電極
５２０ ：ビア電極
５３０ ：ビア電極
６００ ：メタライズ層
７００Ｆ ：焼成シート
７００Ｇ ：グリーンシート
７０１～７０３：パッケージ
ＣＶ ：キャビティ
ＥＩ ：内縁
ＥＯ ：外縁
ＳＦ１ ：枠上面（第１面）
ＳＦ１ｄ ：傾斜領域（第１領域）
ＳＦ１ｆ ：平行領域（第２領域）
ＳＦ４Ａ ：焼成面
ＳＦ４Ｂ ：破断面

Claims (13)

1. キャビティが設けられたパッケージであって、
   セラミックスからなる枠部を備え、前記枠部は、第１面と、厚み方向において前記第１面と反対の第２面とを有しており、前記第２面は、前記キャビティを囲む内縁と、前記内縁を囲む外縁とを有しており、前記パッケージはさらに、
   セラミックスからなる基板部を備え、前記基板部は、前記枠部の前記第２面を支持する部分と、前記キャビティに面する部分とを有する第３面を有しており、前記パッケージはさらに、
   前記基板部の前記第３面上に設けられている電極層と、
   前記第１面と前記第２面との間で前記枠部を貫通するビア電極とを備え、前記ビア電極は、前記第１面で直径ＤＡを有する端面と、前記第２面で前記電極層に接し前記直径ＤＡよりも小さい直径ＤＢを有する底面と、を有しており、
   平面視において前記ビア電極の前記底面は、前記枠部の前記第２面の前記内縁からの最小寸法ＬＩと、前記枠部の前記第２面の前記外縁からの最小寸法ＬＯとを有しており、ＬＯ＞ＬＩが満たされている、パッケージ。
2. 前記直径ＤＡは５０μｍ以下である、請求項１に記載のパッケージ。
3. 前記枠部の前記第２面の前記内縁と前記外縁との間の最小寸法は２００μｍ以下である、請求項１または２に記載のパッケージ。
4. ＬＯ≧ＬＩ×１．５が満たされている、請求項１から３のいずれか１項に記載のパッケージ。
5. 前記ビア電極は、前記厚み方向における前記端面と前記底面との中間位置において、（ＤＡ＋ＤＢ）／２以下の直径を有している、請求項１から４のいずれか１項に記載のパッケージ。
6. 前記ビア電極は、前記厚み方向において前記端面からテーパ形状で延びる部分を有している、請求項１から５のいずれか１項に記載のパッケージ。
7. 前記テーパ形状は５度以上のテーパ角を有している、請求項６に記載のパッケージ。
8. 前記テーパ形状は前記枠部の厚みの１／２以上の厚みを有している、請求項６または７に記載のパッケージ。
9. 前記ビア電極は、前記端面と前記底面とをつなぐ側面を有しており、前記側面は、前記厚み方向に平行な断面視において、少なくとも１つの屈曲点を有している、請求項１から８のいずれか１項に記載のパッケージ。
10. 前記少なくとも１つの屈曲点は、逆方向に曲がる２つの屈曲点を含む、請求項９に記載のパッケージ。
11. 前記枠部は、前記第１面と、前記第２面の前記外縁とをつなぐ外壁面を有しており、
    前記外壁面は、前記第１面につながる焼成面と、前記第２面につながる破断面とを有している、
    請求項１から１０のいずれか１項に記載のパッケージ。
12. 前記枠部の前記第１面上に設けられ、前記ビア電極の前記端面に接するメタライズ層をさらに備え、
    前記メタライズ層は、前記ビア電極の前記端面との接続部分で局所的に厚くなっている、
    請求項１から１１のいずれか１項に記載のパッケージ。
13. 前記枠部の前記第１面上に設けられ、前記ビア電極の前記端面に接するメタライズ層をさらに備え、
    前記枠部の前記第１面は、前記ビア電極の前記端面に直接つながれた第１領域と、前記ビア電極の前記端面に前記第１領域を介してつながれた第２領域と、を有しており、前記第２領域は前記厚み方向に垂直であり、前記第１領域は、前記第２領域に対して、前記ビア電極の前記端面に近いほど前記枠部の厚みが小さくなるように傾斜している、請求項１から１１のいずれか１項に記載のパッケージ。

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