JP7244436B2 - エキシマレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
<1.比較例>(図1~図8)
1.1 構成
1.2 動作
1.3 課題
<2.実施形態1>(較正関数を用いてスペクトル線幅を算出する例)(図9~図15)
2.1 構成
2.2 動作
2.3 作用・効果
<3.実施形態2>(較正関数の更新を行う例)(図16~図17)
3.1 構成
3.2 動作
3.3 作用・効果
<4.実施形態3>(電子デバイスの製造方法)(図18)
<5.その他>
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。
なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
[1.1 構成]
図1は、比較例に係るレーザ装置101の一構成例を概略的に示している。
図2は、スペクトル線幅Δλの一例としてのFWHMの概要を示している。図3は、スペクトル線幅Δλの一例としてのE95の概要を示している。図2及び図3において、横軸は波長λ、縦軸は光の強度を示す。
E95可変部60において、出力結合ミラーを兼ねるレンズ62から出力されたパルスレーザ光Lpは、ビームスプリッタ31とビームスプリッタ32とによって一部がパルスエネルギEを検出するためのサンプル光として、パルスエネルギ計測器33に入射する。
λ=λc+αr2 ……(A)
ただし、
α:比例定数、
r:干渉縞の半径、
λc:干渉縞の中央の光強度が最大となった時の波長
とする。
レーザ制御部2は、露光装置4から各種目標データを読み込む。各種目標データには、目標パルスエネルギEtと目標波長λtと目標スペクトル線幅Δλtとが含まれている。
スペクトル計測部70では、以下のようなスペクトル線幅Δλの計測を行う。
T(λ)=O(λ)*-1I(λ)
関数fと関数gのコンボリューション積分h=f*gは、以下の式(2)で表される。式(2)の関係を満たすような関数fを推定する演算処理が、関数hと関数gのデコンボリューション処理であり、f=h*-1gと表される。
以上のように、比較例に係るレーザ装置101では、スペクトル線幅Δλの計測の際には、スペクトル計測部70が、スペクトル線幅計測器34Aによって計測されたNi個のスペクトルの生波形Orを積算して積算波形Oiを算出すると共に、Na個の積算波形Oiを平均化して平均波形Oaを生成する。スペクトル計測部70は、平均波形Oaをスペクトル空間にマッピングし、スペクトル波形O(λ)を生成する。その後、スペクトル波形O(λ)と装置関数I(λ)とのデコンボリューション処理を行って真のスペクトル波形T(λ)を算出する。スペクトル計測部70は、真のスペクトル波形T(λ)に基づいて、スペクトル線幅ΔλとしてE95を算出する。
次に、本開示の実施形態1に係るレーザ装置について説明する。なお、以下では上記比較例に係るレーザ装置101の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
実施形態1に係るレーザ装置の基本的な構成は、上記比較例に係るレーザ装置101と略同様である。ただし、以下で説明するように、スペクトル計測部70によるスペクトル線幅Δλを算出する動作が部分的に異なっている。
図9及び図10は、実施形態1に係るレーザ装置におけるスペクトル線幅Δλの計測動作の流れの一例を示すフローチャートである。実施形態1に係るレーザ装置では、図7及び図8に示したスペクトル線幅Δλの計測動作に代えて、図9及び図10に示す計測動作を実施する。なお、図9及び図10では、図7及び図8のフローチャートにおけるステップと同様の処理を行うステップには同一のステップ番号を付している。
rm2=(r12+r22)/2
F(E95,WL)=a・WL+b・E95+c
F(E95,Asym)=a・Asym+b・E95+c
実施形態1のレーザ装置によれば、スペクトル線幅ΔλであるE95の算出の際に、マッピング処理とデコンボリューション処理とを実施しないため、スペクトル線幅Δλの計測速度と、スペクトル線幅Δλの制御速度とが向上する。その結果、スペクトル線幅Δλの安定性を向上させることができる。また、較正関数F(x)による較正によって、十分な計測精度を保つことができる。
次に、本開示の実施形態2に係るレーザ装置について説明する。なお、以下では上記比較例、又は実施形態1に係るレーザ装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
実施形態2に係るレーザ装置の基本的な構成は、上記比較例に係るレーザ装置101と略同様である。ただし、以下で説明するように、スペクトル計測部70によるスペクトル線幅Δλを算出する動作が部分的に異なっている。
実施形態2に係るレーザ装置では、実施形態1に係るレーザ装置と同様にして、スペクトル計測部70が、較正関数F(x)を用いて、スペクトル線幅ΔλとしてE95を算出する。実施形態2に係るレーザ装置では、さらに、スペクトル計測部70が、較正関数F(x)を更新する処理を行う。
実施形態2のレーザ装置によれば、実施形態1と同様にして較正関数F(x)を用いたスペクトル線幅Δλの算出を行うので、スペクトル線幅Δλの計測速度と、スペクトル線幅Δλの制御速度とが向上する。その結果、スペクトル線幅Δλの安定性を向上させることができる。さらに、定期的に較正関数F(x)を更新するため、スペクトル線幅Δλの計測の精度をより高めることができる。
上記実施形態1または2に係るレーザ装置は、半導体デバイス等の電子デバイスの製造方法に適用可能である。以下、具体例を説明する。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
Claims (13)
- レーザ光のフリンジ波形を計測するエタロン分光器と、
前記エタロン分光器で計測された前記フリンジ波形の全面積のうち第1の割合を占める部分の全幅を第1のスペクトル線幅として算出すると共に、基準計測器によって計測された前記レーザ光の第2のスペクトル線幅と、前記第1のスペクトル線幅との相関を示す相関関数に基づいて、前記第1のスペクトル線幅を較正するコントローラであって、
前記フリンジ波形から求まる第1のスペクトル波形を前記エタロン分光器の装置関数によってデコンボリューション処理することによって第2のスペクトル波形を算出し、算出された前記第2のスペクトル波形に基づいて、第3のスペクトル線幅を算出し、
前記相関関数に基づいて較正された後の前記第1のスペクトル線幅と、前記第3のスペクトル線幅との関係に基づいて、前記相関関数の更新処理を行う、
前記コントローラと
を備える
エキシマレーザ装置。 - 請求項1に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記コントローラは、
前記フリンジ波形のうち中央位置を基準とする所定範囲内にある部分の面積を、前記フリンジ波形の全面積とする。 - 請求項2に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記コントローラは、前記フリンジ波形のピーク位置を、前記フリンジ波形の前記中央位置とする。 - 請求項2に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記コントローラは、前記フリンジ波形の半値全幅の中央位置を、前記フリンジ波形の前記中央位置とする。 - 請求項1に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記コントローラは、前記フリンジ波形を、複数の分割波長区間に分割し、前記複数の分割波長区間のそれぞれの分割面積を算出して積算することにより、前記第1の割合の面積を算出する。 - 請求項1に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記コントローラは、
前記フリンジ波形の第1の端部から積算された面積が前記フリンジ波形の全面積のうち第2の割合となる第1の波形位置と、前記フリンジ波形の第2の端部から積算された面積が前記第2の割合となる第2の波形位置とを特定し、
前記フリンジ波形における前記第1の波形位置と前記第2の波形位置との間の面積を前記第1の割合の面積とみなして、前記第1のスペクトル線幅を算出する。 - 請求項1に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記第1の割合は、前記フリンジ波形の全面積の95%である。 - 請求項1に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記コントローラは、
前記相関関数の更新処理を繰り返し行う。 - レーザ光のフリンジ波形を計測するエタロン分光器と、
前記エタロン分光器で計測された前記フリンジ波形の全面積のうち第1の割合を占める部分の全幅を第1のスペクトル線幅として算出すると共に、基準計測器によって計測された前記レーザ光の第2のスペクトル線幅と、前記第1のスペクトル線幅との相関を示す相関関数に基づいて、前記第1のスペクトル線幅を較正するコントローラであって、
前記フリンジ波形から求まる第1のスペクトル波形を前記エタロン分光器の装置関数によってデコンボリューション処理することによって第2のスペクトル波形を算出し、算出された前記第2のスペクトル波形に基づいて、第3のスペクトル線幅を算出し、
前記相関関数に基づいて較正された後の前記第1のスペクトル線幅と、前記第3のスペクトル線幅との関係に基づいて、前記相関関数の更新処理を行う、
前記コントローラと
を備えるレーザシステムによって前記レーザ光を生成し、
前記レーザ光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置によって感光基板上に前記レーザ光を露光すること
を含む電子デバイスの製造方法。 - 請求項2に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記コントローラは、前記フリンジ波形の重心に相当する位置を、前記フリンジ波形の前記中央位置とする。 - 請求項1に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記相関関数は、少なくとも2つの定数を含む多項式又は指数関数である。 - 請求項1に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記相関関数は、波長依存を較正する係数を含む。 - 請求項1に記載のエキシマレーザ装置であって、
前記相関関数は、スペクトル非対称性依存を較正する係数を含む。
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---|---|---|---|---|
CN111289107B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-03-11 | 北京科益虹源光电技术有限公司 | 一种激光器光谱在线测量装置及方法 |
CN111934183A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-13 | 北京科益虹源光电技术有限公司 | 一种准分子激光器线宽和e95主动控制装置及方法 |
CN116670592A (zh) * | 2021-02-11 | 2023-08-29 | 极光先进雷射株式会社 | 激光***、谱波形计算方法和电子器件的制造方法 |
WO2022219689A1 (ja) * | 2021-04-12 | 2022-10-20 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、レーザ光のスペクトルの評価方法、及び電子デバイスの製造方法 |
WO2023101807A2 (en) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | Cymer, Llc | Determination of a property of an exposure light beam |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003243752A (ja) | 2002-02-21 | 2003-08-29 | Gigaphoton Inc | ガスレーザ装置 |
JP2004271498A (ja) | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Gigaphoton Inc | レーザ光のスペクトル指標値演算方法、レーザ光のスペクトル指標値演算装置及びスペクトル波形計測装置 |
JP2006024855A (ja) | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Komatsu Ltd | 狭帯域化レーザ装置 |
JP2007516417A (ja) | 2003-06-26 | 2007-06-21 | サイマー インコーポレイテッド | 超短波長超狭帯域幅高出力レーザの光スペクトル出力の帯域幅の測定方法及び装置 |
JP2007527522A (ja) | 2003-07-07 | 2007-09-27 | サイマー インコーポレイテッド | レーザ出力の帯域幅を測定する方法及び装置 |
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JP2009267097A (ja) | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Nikon Corp | スペクトル幅計測器の校正方法、スペクトル幅計測器の校正装置、狭帯域化レーザ装置、露光装置及び電子デバイスの製造方法 |
WO2017098625A1 (ja) | 2015-12-10 | 2017-06-15 | ギガフォトン株式会社 | 狭帯域化レーザ装置及びスペクトル線幅計測装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6329758A (ja) | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Canon Inc | 露光装置用光源 |
US6317448B1 (en) * | 1999-09-23 | 2001-11-13 | Cymer, Inc. | Bandwidth estimating technique for narrow band laser |
JP3888673B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-03-07 | ウシオ電機株式会社 | 露光用フッ素分子レーザシステム |
TWI263412B (en) | 2003-06-26 | 2006-10-01 | Cymer Inc | Improved bandwidth estimation |
US7317536B2 (en) * | 2005-06-27 | 2008-01-08 | Cymer, Inc. | Spectral bandwidth metrology for high repetition rate gas discharge lasers |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003243752A (ja) | 2002-02-21 | 2003-08-29 | Gigaphoton Inc | ガスレーザ装置 |
JP2004271498A (ja) | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Gigaphoton Inc | レーザ光のスペクトル指標値演算方法、レーザ光のスペクトル指標値演算装置及びスペクトル波形計測装置 |
JP2007516417A (ja) | 2003-06-26 | 2007-06-21 | サイマー インコーポレイテッド | 超短波長超狭帯域幅高出力レーザの光スペクトル出力の帯域幅の測定方法及び装置 |
JP2007536498A (ja) | 2003-06-26 | 2007-12-13 | サイマー インコーポレイテッド | 改善された帯域幅の推定法 |
JP2007527522A (ja) | 2003-07-07 | 2007-09-27 | サイマー インコーポレイテッド | レーザ出力の帯域幅を測定する方法及び装置 |
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