JP7244263B2 - メモリ装置 - Google Patents
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Description
2 メモリチップ
3 基板
4 入出力ピン
10、50 メモリ装置
20 メモリコントローラ
21 コントロールロジック
22 行ドライバ
23 列ドライバ
30、61、211、311~341 バンクアレイ
40 メモリセル
60、210、310~340 メモリバンク
62 行デコーダ
63 列デコーダ
64 センスアンプ
70 ロジック回路
100、200、300、400 メモリ装置
110、410 第1メモリバンク
111、411 第1バンクアレイ
112、122、412、422 行デコーダ
113、123、413、423 読み出し/書き込み回路
114、124、414、424 列デコーダ
115、125、415、425 センスアンプ
116、126、212、312~342、416、426 ラッチ回路
117、127、213、313~343 比較回路
120、420 第2メモリバンク
121、421 第2バンクアレイ
130、430 メモリコントローラ
131、431 コントロールロジック
132,432 モードレジスタ
133、433 アドレス生成器
140,250、350,440 入出力バス
220,360 目標データ
230、371~374、371A~374A、371B~374B 格納データ
240、381~384、381A~384A、381B~384B (比較)結果データ
390,390A,390B 出力データ
417、427 演算回路
ADDR1,ADDR2 第1、第2アドレス
BL ビットライン
CC 情報格納キャパシタ
COMPARE 比較動作
DLL ダイナミックリンクライブラリ(Dynamic_Link_Library)
MRS モードレジスタセット(Mode Register Set)
RD 読み出し動作コマンド
RD_AB 第1読み出し動作コマンド
RD_PB 第2読み出し動作コマンド
RESULT_DATA 結果データ
SW スイッチ素子
TRT リードレイテンシ
TW1 第1待機時間
TW2 第2待機時間
WL ワードライン
WR 書き込み動作コマンド
WR_AB 第1書き込み動作コマンド
WR_DATA 目標データ
WR_PB 第2書き込み動作コマンド
Claims (19)
- 入出力バスを共有する複数のメモリバンクと、
前記メモリバンクを制御するメモリコントローラと、を含むメモリ装置であって、
前記複数のメモリバンクの各々は、
複数のメモリセルを含むバンクアレイと、
前記入出力バスを介して伝送される目標データを格納するラッチ回路と、
前記バンクアレイが出力する格納データを前記目標データと比較し、前記格納データと前記目標データの比較結果を含む結果データを前記メモリコントローラに伝送する比較回路と、を含み、
前記メモリコントローラは、前記複数のメモリバンクの各々に含まれる前記比較回路が伝送する前記結果データを併合して1つの出力データを生成することを特徴とするメモリ装置。 - 前記ラッチ回路と前記比較回路は,前記バンクアレイと前記入出力バスとの間のデータ伝送経路に連結される、ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記複数のメモリバンクの各々は、各々の前記データ伝送経路に連結されたマルチプレクサをさらに含み、前記メモリコントローラは、前記マルチプレクサを用いて目標データを前記ラッチ回路に格納する、ことを特徴とする請求項2に記載のメモリ装置。
- 前記ラッチ回路は、Nバイトのサイズの前記目標データを格納し、前記Nは、前記複数のメモリバンクのバーストのサイズによって決定される、ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記比較回路は、前記バンクアレイの互いに異なるアドレスから出力される複数の格納データの各々を前記目標データと比較し、前記結果データを複数個生成し、
前記メモリコントローラは、複数個の前記結果データを併合して1つの出力データを生成する、ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記比較回路は、前記目標データと前記格納データをビット毎にXOR演算して前記結果データを生成する、ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記目標データと前記格納データの各々はNバイト(Nは自然数)のサイズを有し、前記結果データはNビットのサイズを有する、ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記メモリコントローラは、前記結果データを外部プロセッサに出力し、前記外部プロセッサは、前記結果データに基づいて、前記目標データと前記格納データが一致するメモリバンクが存在するか否かを判断する、ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記メモリコントローラは、前記目標データと前記格納データが一致するメモリバンクが存在する場合、前記格納データを出力したメモリバンクの情報と、前記格納データを格納した前記バンクアレイのアドレス情報を外部プロセッサに出力する、ことを特徴とする請求項8に記載のメモリ装置。
- 前記メモリコントローラは、前記目標データと前記格納データが一致するメモリバンクが存在しない場合、前記バンクアレイの他のアドレスから前記格納データが出力されるように前記複数のメモリバンクを制御する、ことを特徴とする請求項8に記載のメモリ装置。
- 前記メモリコントローラは、前記目標データと前記格納データが一致するメモリバンクが存在しない場合、前記格納データを出力する前記バンクアレイのアドレスを変更するアドレス生成器を含む、ことを特徴とする請求項10に記載のメモリ装置。
- 前記メモリコントローラは、モードレジスタ及びコントロールロジックを含み、前記モードレジスタは、外部プロセッサから受信したモードレジスタセットをデコードし、デコードしたモードレジスタセットに比較動作コマンドが含まれている場合、前記コントロールロジックは、前記ラッチ回路と前記比較回路を活性化させる、ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記外部プロセッサは、前記目標データを、前記バンクアレイではなく前記ラッチ回路に格納する書き込みコマンド、及び前記バンクアレイが出力する前記格納データを前記比較回路が受信し、前記ラッチ回路に格納された前記目標データと比較する読み出しコマンドを生成する、ことを特徴とする請求項12に記載のメモリ装置。
- 前記メモリコントローラは、前記外部プロセッサからの前記書き込みコマンドによる書き込み動作と、前記読み出しコマンドによる読み出し動作を行うように前記複数のメモリバンクを制御する、ことを特徴とする請求項13に記載のメモリ装置。
- 前記メモリコントローラは、前記目標データと前記格納データが一致しないと、前記格納データを出力する前記バンクアレイのアドレスを変更しながら前記読み出し動作を繰り返し行うように前記複数のメモリバンクを制御する、ことを特徴とする請求項14に記載のメモリ装置。
- 前記比較回路は、前記メモリバンクのリードレイテンシ(latency)の間に前記目標データと前記格納データを比較する、ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 複数のメモリセルを含むバンクアレイ、前記バンクアレイのデータ伝送経路に連結されるラッチ回路と比較回路を各々含み、1つの入出力バスを共有する複数のメモリバンクと、
外部プロセッサが伝送する動作コマンドに応答して、前記複数のメモリバンクに目標データを格納する書き込み動作、及び前記複数のメモリバンクが格納データを出力する読み出し動作を行うメモリコントローラと、を含むメモリ装置であって、
前記メモリコントローラは、前記外部プロセッサが伝送する比較動作コマンドに応答して、前記書き込み動作で、前記ラッチ回路が前記目標データを格納し、前記読み出し動作で、前記比較回路が前記格納データを前記ラッチ回路に格納された目標データと比較して結果データを生成するように、前記複数のメモリバンクを制御し、
前記メモリコントローラは、前記複数のメモリバンクの各々に含まれる前記比較回路が伝送する前記結果データを併合して1つの出力データを生成することを特徴とするメモリ装置。 - 前記メモリコントローラは、前記外部プロセッサが伝送する前記比較動作コマンドに応答して、前記書き込み動作と前記読み出し動作を行い、
前記目標データと前記格納データが一致しないと、前記格納データを出力する前記バンクアレイのアドレスを変更しながら前記読み出し動作を繰り返し行うように前記複数のメモリバンクを制御する、ことを特徴とする請求項17に記載のメモリ装置。 - 複数のメモリセルを含むバンクアレイ、前記バンクアレイのデータ伝送経路に連結されるラッチ回路と比較回路を各々含み、1つの入出力バスを共有する複数のメモリバンクと、
前記複数のメモリバンクを制御するメモリコントローラと、を含むメモリ装置であって、
前記メモリコントローラが、外部プロセッサから目標データと共に比較動作コマンドを受信すると、前記複数のメモリバンクは、前記ラッチ回路が前記目標データを格納する書き込み動作を同時に行い、前記比較回路が前記バンクアレイから出力される格納データを前記目標データと比較して結果データを生成する読み出し動作を同時に行う、ことを特徴とするメモリ装置。
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10749529B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-08-18 | Crossbar, Inc. | Memory device including integrated deterministic pattern recognition circuitry |
US11127460B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-09-21 | Crossbar, Inc. | Resistive random access memory matrix multiplication structures and methods |
US11270767B2 (en) * | 2019-05-31 | 2022-03-08 | Crossbar, Inc. | Non-volatile memory bank with embedded inline computing logic |
KR20210091404A (ko) * | 2020-01-13 | 2021-07-22 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 메모리 모듈 및 메모리 장치의 동작 방법 |
KR20210106226A (ko) | 2020-02-20 | 2021-08-30 | 삼성전자주식회사 | 펑션-인-메모리 동작을 수행하는 적층형 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
US11960754B2 (en) * | 2020-12-30 | 2024-04-16 | Micron Technology, Inc. | Memory sub-system memory bank search component |
EP4095859A4 (en) * | 2021-03-29 | 2023-07-19 | Changxin Memory Technologies, Inc. | DATA TRANSMISSION CIRCUIT AND METHOD, AND STORAGE DEVICE |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003187600A (ja) | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2003256265A (ja) | 2002-02-18 | 2003-09-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 検索メモリ、メモリ検索用コントローラ、メモリ検索方法 |
JP2010287279A (ja) | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2014093030A (ja) | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Naltec Inc | Sdramコントローラ |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100621761B1 (ko) | 1999-12-22 | 2006-09-07 | 삼성전자주식회사 | 멀티비트 테스트 모드 비교기를 가지는 반도체 메모리 장치 |
JP4002378B2 (ja) | 1999-12-27 | 2007-10-31 | エルピーダメモリ株式会社 | 電子回路 |
JP4290537B2 (ja) | 2003-11-26 | 2009-07-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4237109B2 (ja) | 2004-06-18 | 2009-03-11 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置及びリフレッシュ周期制御方法 |
US20060069896A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Sigmatel, Inc. | System and method for storing data |
JP4247262B2 (ja) | 2006-09-29 | 2009-04-02 | 株式会社東芝 | 集積回路装置 |
US8238140B2 (en) | 2008-01-07 | 2012-08-07 | The New Industry Research Organization | Semiconductor memory and program |
US8467213B1 (en) * | 2011-03-22 | 2013-06-18 | Netlogic Microsystems, Inc. | Power limiting in a content search system |
US9934856B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-04-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for comparing data patterns in memory |
KR20160061704A (ko) | 2014-11-24 | 2016-06-01 | 삼성전자주식회사 | 페이지 상태 알림 기능이 있는 메모리 장치 |
-
2018
- 2018-01-03 KR KR1020180000640A patent/KR102385569B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003187600A (ja) | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2003256265A (ja) | 2002-02-18 | 2003-09-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 検索メモリ、メモリ検索用コントローラ、メモリ検索方法 |
JP2010287279A (ja) | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2014093030A (ja) | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Naltec Inc | Sdramコントローラ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102385569B1 (ko) | 2022-04-12 |
US20190206460A1 (en) | 2019-07-04 |
KR20190083103A (ko) | 2019-07-11 |
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JP2019121370A (ja) | 2019-07-22 |
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