JP7237670B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents

Description

この発明は、表面に処理液が付着した基板を洗浄する基板処理装置および基板処理方法に関するものである。なお、上記基板には、半導体基板、フォトマスク用基板、液晶表示用基板、有機ＥＬ表示用基板、プラズマ表示用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for cleaning a substrate having a processing liquid attached to its surface. The above substrates include semiconductor substrates, photomask substrates, liquid crystal display substrates, organic EL display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, optical Substrates for magnetic disks, etc. are included.

半導体装置や表示装置などの電子部品等の製造工程においては、基板表面に例えば加工のための処理液を作用させることで基板を加工し、その後に洗浄液で洗浄するという処理工程が常用されている。この場合の処理液としては、例えば現像液やエッチング液等が挙げられる。この場合、基板表面において均一かつ良好な処理結果を得るためには、処理液による処理において規定の処理時間が厳密に守られる必要がある。この目的のためには、処理液による処理が規定時間継続された後、直ちに、かつ確実に処理液が除去され処理が停止されることが求められる。 2. Description of the Related Art In the process of manufacturing electronic components such as semiconductor devices and display devices, a processing step is commonly used in which a substrate is processed by applying a processing liquid for processing to the surface of the substrate, and then washed with a cleaning liquid. . Examples of the processing liquid in this case include a developer and an etching liquid. In this case, in order to obtain uniform and good processing results on the substrate surface, it is necessary to strictly observe the specified processing time in processing with the processing liquid. For this purpose, it is required to immediately and reliably remove the processing liquid and stop the processing after the processing with the processing liquid has been continued for a specified period of time.

例えば特許文献１に記載の技術では、上記した「処理液」に該当する現像液が表面に液盛りされた状態で水平搬送される基板に対し、まずカーテン状のエアを吹き付けることで現像液を除去し、さらにその下流側で基板表面にリンス液を下流方向に向けて吹き付け基板を液膜で覆うことで現像の進行が停止される。この技術においては、リンス液を吐出するノズルの下面と基板表面との間をリンス液により液密状態とすることにより、基板に吹き付けられたエアが下流側へ侵入しリンス液の液膜を乱すことが防止されている。 For example, in the technique described in Patent Document 1, a curtain-like air is first blown onto a substrate that is horizontally transported in a state in which the developing solution corresponding to the above-described "processing liquid" is heaped up on the surface of the substrate, thereby removing the developing solution. Further, the substrate is covered with a liquid film by spraying the rinsing liquid on the downstream side of the substrate surface in the downstream direction, thereby stopping the progress of development. In this technique, the bottom surface of the nozzle that discharges the rinse liquid and the surface of the substrate are made liquid-tight with the rinse liquid, so that the air blown onto the substrate enters the downstream side and disturbs the liquid film of the rinse liquid. is prevented.

特開２０１５－１９２９８０号公報JP 2015-192980 A

上記技術において基板に形成される液膜中には、特に液膜のうち基板の搬送方向の上流側端部近傍において、処理液に溶け込んだあるいは浮遊していた不純物が不可避的に含まれる。上記従来技術では、ノズル下面と基板表面との間を液密状態としており、このような液中の不純物がノズルに付着または再析出することがあり得る。特にノズルの吐出口が付着物で部分的に塞がれてしまうと、この部分で洗浄液が基板に供給されず、結果として現像等の加工処理にムラが生じるおそれがある。 In the above technique, the liquid film formed on the substrate inevitably contains impurities dissolved in or floating in the processing liquid, particularly in the vicinity of the upstream end of the liquid film in the transport direction of the substrate. In the prior art described above, the space between the lower surface of the nozzle and the substrate surface is in a liquid-tight state, and such impurities in the liquid may adhere or re-deposit on the nozzle. In particular, if the discharge port of the nozzle is partially blocked by the deposits, the cleaning liquid cannot be supplied to the substrate at this portion, which may result in uneven processing such as development.

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、表面が処理液により処理された基板を適切に洗浄し処理ムラの発生を抑制することのできる技術を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a technique capable of appropriately cleaning a substrate whose surface has been treated with a treatment liquid and suppressing the occurrence of treatment unevenness.

本発明に係る基板処理装置は、表面に第１処理液が付着した基板を、前記表面を上向きにして水平方向に沿った搬送方向に搬送する搬送機構と、前記搬送方向と直交する幅方向における前記基板の全域に亘り前記表面に気体を吹き付けて、前記第１処理液を前記表面から除去する気体吐出部と、前記気体吐出部からの前記気体が吹き付けられる位置よりも前記搬送方向における下流側の前記表面に対し、第２処理液を供給する液体吐出部とを備えている。 A substrate processing apparatus according to the present invention comprises a transport mechanism for transporting a substrate having a first processing liquid adhered to the surface thereof in a transport direction along a horizontal direction with the surface facing upward, and a gas discharger for blowing gas onto the surface over the entire area of the substrate to remove the first processing liquid from the surface; and a liquid discharger for supplying a second treatment liquid to the surface of the substrate.

上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置の一の態様では、前記液体吐出部は、前記基板の前記幅方向における一端部から他端部までをカバーするスリット状に開口し、前記表面の方向へ前記第２処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口の開口部の全体と対向するように前記吐出口の下方に設けられ、前記搬送方向の上流側から下流側に向かって下るように傾斜する平滑な傾斜面とを有し、前記吐出口から吐出された前記第２処理液を前記傾斜面に沿って流下させることで、前記搬送方向の下流側に向かう方向の成分を有する薄層状の液流を前記傾斜面上に形成し、該液流を前記傾斜面の前記搬送方向における下流側端部から前記表面に流下させ、前記下流側端部と前記表面との距離が、前記液流により前記表面に形成される液膜の厚さよりも大きく、前記表面に対向する前記液体吐出部の下面が、前記表面に形成される液膜とは接触しない。 In order to achieve the above object, in one aspect of the substrate processing apparatus according to the present invention, the liquid discharger has a slit-like opening covering from one end to the other end in the width direction of the substrate, An ejection port for ejecting the second treatment liquid in the direction of the surface, and an ejection port provided below the ejection port so as to face the entire opening of the ejection port, extending from the upstream side to the downstream side in the transport direction. and a smooth slope that slopes downward, and the second treatment liquid ejected from the ejection port is caused to flow down along the slope, thereby reducing the component in the direction toward the downstream side of the transport direction. forming a thin layer of liquid flow on the inclined surface, causing the liquid flow to flow down from the downstream end of the inclined surface in the conveying direction to the surface, and The distance is greater than the thickness of the liquid film formed on the surface by the liquid flow, and the lower surface of the liquid discharger facing the surface does not contact the liquid film formed on the surface.

また、他の一の態様では、前記液体吐出部は、前記基板の前記幅方向における一端部から他端部までをカバーするスリット状に開口し、前記表面の方向へ前記第２処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口の開口部の全体と対向するように前記吐出口の下方に設けられ、前記搬送方向の上流側から下流側に向かって下るように傾斜する平滑な傾斜面とを有し、前記液体吐出部の下面は、前記搬送方向の下流側に向かって下る勾配を有するとともに最も低い部分で前記傾斜面の下流側端部と接続しており、前記下流側端部と前記表面との距離が、前記幅方向に直交する方向における前記吐出口の開口サイズよりも大きい。 In another aspect, the liquid ejection part has a slit-like opening covering from one end to the other end in the width direction of the substrate, and ejects the second treatment liquid in the direction of the surface. and a smooth inclined surface that is provided below the ejection port so as to face the entire opening of the ejection port and that slopes downward from the upstream side to the downstream side in the conveying direction. the lower surface of the liquid discharger has a slope that descends toward the downstream side in the conveying direction and is connected to the downstream end of the inclined surface at the lowest portion ; and the surface is larger than the opening size of the ejection port in the direction orthogonal to the width direction.

また、この発明に係る基板処理方法は、上記目的を達成するため、表面に第１処理液が付着した基板を、前記表面を上向きにして水平方向に沿った搬送方向に搬送しながら、前記搬送方向と直交する幅方向における前記基板の全域に亘り前記表面に気体を吹き付けて、前記第１処理液を前記表面から除去する第１処理工程と、前記気体が吹き付けられる位置よりも前記搬送方向における下流側の前記表面に対し、液体吐出部から第２処理液を供給する第２処理工程とを備えている。 Further, in order to achieve the above object, the substrate processing method according to the present invention is such that a substrate having a first processing liquid adhering to its surface is transported in a transport direction along a horizontal direction with the surface facing upward, and the transport is a first treatment step of blowing a gas onto the entire surface of the substrate in a width direction perpendicular to the direction to remove the first processing liquid from the surface; and a second treatment step of supplying a second treatment liquid from a liquid discharger to the surface on the downstream side.

前記第２処理工程では、前記基板の前記幅方向における一端部から他端部までをカバーするスリット状に開口する吐出口から前記表面の方向へ前記第２処理液を吐出させ、前記吐出口から吐出された前記第２処理液を、前記吐出口の開口部の全体と対向するように前記吐出口の下方に設けた、前記搬送方向の上流側から下流側に向かって下るように傾斜する平滑な傾斜面に沿って流下させることで、前記搬送方向の下流側に向かう方向の成分を有する薄層状の液流を前記傾斜面上に形成し、該液流を前記傾斜面の前記搬送方向における下流側端部から前記表面に流下させる。さらに、前記下流側端部と前記表面との距離を、前記液流により前記表面に形成される液膜の厚さよりも大きくしておくことで、前記表面に対向する前記液体吐出部の下面を前記表面に形成される液膜と接触させずに前記第２処理液を供給する。 In the second treatment step, the second treatment liquid is ejected in the direction of the surface from a slit-shaped ejection opening covering from one end to the other end in the width direction of the substrate. The ejected second treatment liquid is applied to a smooth surface that slopes downward from the upstream side toward the downstream side in the conveying direction, provided below the ejection port so as to face the entire opening of the ejection port. By flowing down along the inclined surface, a thin layer-like liquid flow having a component in the direction toward the downstream side of the conveying direction is formed on the inclined surface, and the liquid flow is formed on the inclined surface in the conveying direction It flows down the surface from the downstream end. Further, by making the distance between the downstream end portion and the surface larger than the thickness of the liquid film formed on the surface by the liquid flow, the liquid ejecting section facing the surface The second processing liquid is supplied without contacting the lower surface with the liquid film formed on the surface.

このように構成された発明では、吐出口から吐出される第２処理液は、気体により第１処理液を除去された後の基板に対し直接供給されるのではなく、いったん傾斜面に吐出され傾斜面を流下した上で基板に供給される。こうして供給される第２処理液による液膜が基板表面に形成されて基板が洗浄される。幅広いスリット状の吐出口から吐出された第２処理液が吐出口と対向する幅広の傾斜面を流下することで、幅方向において均一な薄層状の液流を基板表面に供給することができる。 In the invention configured as described above, the second treatment liquid ejected from the ejection port is not directly supplied to the substrate after the first treatment liquid has been removed by the gas, but is once ejected onto the inclined surface. After flowing down the inclined surface, it is supplied to the substrate. A liquid film is formed on the surface of the substrate by the second processing liquid thus supplied, and the substrate is cleaned. The second processing liquid ejected from the wide slit-shaped ejection port flows down the wide inclined surface facing the ejection port, so that a thin liquid flow uniform in the width direction can be supplied to the substrate surface.

なお、以下の説明においては、説明が煩雑になるのを回避するため、「基板の搬送方向における上流、上流側、上流方向」をそれぞれ単に「上流、上流側、上流方向」と略称し、また「基板の搬送方向における下流、下流側、下流方向」をそれぞれ単に「下流、下流側、下流方向」と略称することがある。 In the following description, in order to avoid complicating the description, "upstream, upstream, and upstream directions in the substrate transport direction" will be abbreviated as "upstream, upstream, and upstream directions" respectively. "Downstream, downstream side, and downstream direction in the transport direction of the substrate" may be abbreviated as "downstream, downstream side, and downstream direction," respectively.

本発明では、傾斜面のうち第２処理液が基板に供給される直前に通過する最下流側の端部が、基板表面に供給される液流によって基板表面に形成される液膜の上面よりも上方となるように、傾斜面の下流側端部と基板表面との距離が設定されている。このように傾斜面の下流側端部が基板表面から離されていること、および、傾斜面から基板表面に流下する液流に基板の搬送方向の下流側に向かう方向の成分が与えられていることから、供給される第２処理液による液膜は、傾斜面の下流側端部よりも下流側、かつそれよりも下方で基板表面に形成されることになる。 In the present invention, the most downstream end of the inclined surface through which the second processing liquid passes just before it is supplied to the substrate is located above the upper surface of the liquid film formed on the substrate surface by the liquid flow supplied to the substrate surface. The distance between the downstream end of the inclined surface and the substrate surface is set so that the edge of the inclined surface is also upward. In this way, the downstream end of the inclined surface is separated from the substrate surface, and the liquid flow flowing down from the inclined surface to the substrate surface is given a component in the downstream direction in the substrate transport direction. Therefore, the liquid film of the supplied second processing liquid is formed on the substrate surface downstream and below the downstream end of the inclined surface.

そのため、第１処理液による基板処理後の残滓が液体吐出部の周辺に付着することが回避される。また仮に第１処理液（または第１処理液と第２処理液との混合物）の飛沫が傾斜面に飛来したとしても、流下する液流に取り込まれて排出される。さらに、仮に吐出口への付着物によって吐出口から吐出される第２処理液の幅方向における均一性が低下したとしても、傾斜面を流下する間に解消される。したがって、付着物に起因する基板表面への第２処理液の供給をムラなく均一なものとすることができ、基板の処理ムラを抑制することができる。 Therefore, it is possible to prevent the residue after substrate processing with the first processing liquid from adhering to the periphery of the liquid discharger. Also, even if the splash of the first treatment liquid (or the mixture of the first treatment liquid and the second treatment liquid) flies onto the inclined surface, it is caught in the flowing liquid flow and discharged. Furthermore, even if the uniformity in the width direction of the second processing liquid ejected from the ejection port deteriorates due to the deposits on the ejection port, it is eliminated while flowing down the inclined surface. Therefore, it is possible to uniformly supply the second processing liquid to the substrate surface due to deposits, and to suppress uneven processing of the substrate.

また、基板表面に供給される際の液流の方向は傾斜面の傾斜によって規定されるため、吐出口に至るまでの第２処理液の流路については比較的自由に設定することができる。したがって流路自体を上流側から下流側へ向かうものとする必要はなく、流路を含む液体吐出部を小型に構成することができる。これにより、気体吐出部による気体の吹き付け位置と第２処理液の供給位置との距離を小さくすることが可能であり、気体吹き付けによる第１処理液除去後の基板表面に対し速やかに第２処理液を供給することが可能となる。このことも処理ムラの発生を抑制する効果に資する。 In addition, since the direction of the liquid flow when supplied to the substrate surface is defined by the inclination of the inclined surface, the flow path of the second processing liquid up to the ejection port can be relatively freely set. Therefore, the flow path itself does not need to be directed from the upstream side to the downstream side, and the liquid discharge section including the flow path can be configured to be small. This makes it possible to reduce the distance between the position where the gas is blown by the gas discharger and the position where the second processing liquid is supplied, and the second processing can be performed quickly on the substrate surface after the first processing liquid has been removed by the gas blowing. Liquid can be supplied. This also contributes to the effect of suppressing the occurrence of processing unevenness.

以上のように、本発明によれば、表面が第１処理液により処理された基板に対し、気体の吹き付けによって第１処理液を除去し、さらに均一に供給される第２処理液により洗浄を行うので、基板を適切に洗浄し、処理ムラの発生を抑制することが可能である。 As described above, according to the present invention, a substrate whose surface has been treated with the first treatment liquid is blown with gas to remove the first treatment liquid, and then cleaned with the uniformly supplied second treatment liquid. Therefore, it is possible to appropriately clean the substrate and suppress the occurrence of processing unevenness.

本実施形態の基板処理装置の概略構成を示す側面断面図である。It is a side sectional view showing a schematic structure of a substrate processing apparatus of this embodiment. 基板処理装置の動作を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows operation of a substrate processing device. 現像部とリンス部との境界部分を拡大して示す概略側面図である。4 is a schematic side view showing an enlarged boundary portion between the developing section and the rinsing section; FIG. リンス液ノズルの外形および内部構造を示す分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view showing the outer shape and internal structure of the rinse liquid nozzle; リンス液ノズルと基板との寸法関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the dimensional relationship between the rinse liquid nozzle and the substrate; リンス液ノズルの内部構造を示す部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing the internal structure of the rinse liquid nozzle; リンス液ノズル下面の位置および形状の他の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing another example of the position and shape of the lower surface of the rinse liquid nozzle; リンス液ノズルの変形例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a modification of the rinse liquid nozzle; リンス液ノズルの変形例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a modification of the rinse liquid nozzle;

以下、本発明の一実施形態に係る基板処理装置について説明する。ここで説明する基板処理装置１は、例えば液晶表示装置等の表示装置における表示用画面パネルを製造する基板処理システムの一部として機能するものである。このような基板処理システムの全体構成は、前述の特許文献１（特開２０１５－１９２９８０号公報）に開示されている。基板処理システムは、画面パネルとなる例えば角型のガラス基板にレジスト膜を形成し、それを露光し現像することにより、基板に所定の回路パターンを形成するという一連の製造プロセスを実行するものである。本実施形態の基板処理装置１は、露光後の基板を現像し洗浄する処理に適用可能である。 A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below. The substrate processing apparatus 1 described here functions as part of a substrate processing system for manufacturing a display screen panel in a display device such as a liquid crystal display device. The overall configuration of such a substrate processing system is disclosed in the aforementioned Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-192980). A substrate processing system executes a series of manufacturing processes in which a resist film is formed on, for example, a rectangular glass substrate, which will become a screen panel, and a predetermined circuit pattern is formed on the substrate by exposing and developing the resist film. be. The substrate processing apparatus 1 of this embodiment can be applied to the processing of developing and cleaning the exposed substrate.

また、本実施形態の基板処理装置１は、後述するリンス液ノズルの構造および動作に主たる特徴を有するが、それ以外の基本的な構成および動作は、特許文献１（例えば図２）に記載の基板処理装置と共通している。このような共通する構成については特許文献１の記載を参照することができるため、ここでは簡単な説明に留めることとする。 Further, the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment is mainly characterized by the structure and operation of the rinsing liquid nozzle, which will be described later. Common with substrate processing equipment. Since the description of Patent Document 1 can be referred to for such a common configuration, only a brief description will be given here.

図１は本実施形態の基板処理装置の概略構成を示す側面断面図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため、Ｚ方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。また、理解を容易にする目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。 FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus of this embodiment. In order to clarify the directional relationship between them, FIG. 1 and subsequent figures appropriately use an XYZ orthogonal coordinate system in which the Z direction is the vertical direction and the XY plane is the horizontal plane. Also, for the purpose of facilitating understanding, the dimensions and numbers of each part are exaggerated or simplified as necessary.

この基板処理装置１は、表面にレジスト膜が形成され、それが所定のパターン形状に応じて露光されたガラス基板（以下、単に「基板」という）Ｓを受け入れて現像、洗浄および乾燥を行うための装置である。この目的のために、基板処理装置１には、現像部２０、リンス部３０および乾燥部３００が設けられている。現像部２０は、露光された基板Ｓを現像液Ｌ１に浸漬し、不要なレジスト膜を除去する。リンス部３０は、現像処理された基板Ｓをリンス液Ｌ２でリンス処理することで現像を停止させ基板Ｓを洗浄する。乾燥部３００は、基板Ｓ上のリンス液を除去し基板Ｓを乾燥させる。 This substrate processing apparatus 1 receives a glass substrate (hereinafter simply referred to as "substrate") S having a resist film formed on its surface and exposed according to a predetermined pattern shape, and develops, cleans and dries the substrate. device. For this purpose, the substrate processing apparatus 1 is provided with a developing section 20 , a rinsing section 30 and a drying section 300 . The developing section 20 immerses the exposed substrate S in the developer L1 to remove the unnecessary resist film. The rinsing unit 30 stops the development and cleans the substrate S by rinsing the developed substrate S with the rinsing liquid L2. The drying section 300 removes the rinse liquid on the substrate S and dries the substrate S. FIG.

現像部２０、リンス部３０および乾燥部３００は、Ｘ方向に沿ってこの順番に配列されている。基板Ｓは、（＋Ｘ）方向に搬送されることにより現像部２０、リンス部３０および乾燥部３００をこの順番に通過し処理を受ける。以下の説明では、特に断りのない限り、基板Ｓの搬送方向の上流側、すなわち（－Ｘ）方向側を単に「上流側」と称し、基板Ｓの搬送方向の下流側、すなわち（＋Ｘ）方向側を単に「下流側」と称する。また、搬送方向であるＸ方向に直交する、つまり図１において紙面に垂直な方向であるＹ方向を、基板Ｓの「幅方向」と称する。 The developing section 20, the rinsing section 30 and the drying section 300 are arranged in this order along the X direction. The substrate S is conveyed in the (+X) direction and passes through the developing section 20, the rinsing section 30 and the drying section 300 in this order and undergoes processing. In the following description, unless otherwise specified, the upstream side in the transport direction of the substrate S, that is, the (−X) direction side is simply referred to as the “upstream side”, and the downstream side in the transport direction of the substrate S, that is, the (+X) direction. side is simply referred to as the "downstream side". Further, the Y direction, which is perpendicular to the X direction, which is the transport direction, that is, the direction perpendicular to the paper surface in FIG.

現像部２０、リンス部３０および乾燥部３００は筐体４０に収容されている。筐体４０は、現像部２０とリンス部３０とを区画する仕切板４１、および、リンス部３０と乾燥部３００とを区画する仕切板４２を備えている。仕切板４１には基板Ｓを通過させるための通路口４１１が、また仕切板４２には基板Ｓを通過させるための通路口４２１が、それぞれ設けられている。また、筐体４０の上流側側面には前工程（例えば露光工程）を実行する装置からの基板Ｓを受け入れるための搬入口４０１が設けられる一方、下流側側面には後工程（例えばポストベーク工程）を実行する装置に基板Ｓを払い出すための搬出口４０２が設けられている。 The developing section 20 , the rinsing section 30 and the drying section 300 are accommodated in the housing 40 . The housing 40 includes a partition plate 41 that partitions the developing section 20 and the rinse section 30 and a partition plate 42 that partitions the rinse section 30 and the drying section 300 . The partition plate 41 is provided with a passage port 411 through which the substrate S passes, and the partition plate 42 is provided with a passage port 421 through which the substrate S is passed. Further, the housing 40 has an inlet 401 for receiving the substrate S from an apparatus that performs a pre-process (e.g., an exposure process) on the upstream side surface of the housing 40, and a post-process (e.g., post-baking process) on the downstream side surface. ) is provided with a discharge port 402 for discharging the substrate S.

基板処理装置１では、基板Ｓは、Ｘ方向に沿って配列され、図示しない駆動機構により回転駆動される複数の搬送ローラ５０により搬送される。より具体的には、前工程から払い出される基板Ｓは搬入口４０１を介して基板処理装置１の現像部２０に搬入される。そして、搬送ローラ５０の作動により、基板Ｓは現像部２０からリンス部３０および乾燥部３００に順次送り込まれ、最終的に搬出口４０２から後工程へ払い出される。 In the substrate processing apparatus 1, the substrate S is transported by a plurality of transport rollers 50 arranged along the X direction and driven to rotate by a driving mechanism (not shown). More specifically, the substrate S discharged from the previous process is carried into the developing section 20 of the substrate processing apparatus 1 through the carry-in port 401 . Then, by the operation of the transport rollers 50, the substrate S is sent from the developing section 20 to the rinsing section 30 and the drying section 300 in order, and finally discharged from the carry-out port 402 to the post-process.

現像部２０には、基板Ｓの上面に現像液Ｌ１を供給する現像液ノズル２２と、基板Ｓの上面にエアを吹き付けるエアノズル２４とが設けられている。現像液ノズル２２は、現像部２０の上流側端部近く、つまり筐体４０の内側であって搬入口４０１の近傍に設けられている。一方、エアノズル２４は、現像部２０の下流側端部近く、具体的には仕切板４１１の上流側の側面に取り付けられている。 The developing section 20 is provided with a developer nozzle 22 for supplying the developer L1 onto the upper surface of the substrate S and an air nozzle 24 for blowing air onto the upper surface of the substrate S. As shown in FIG. The developer nozzle 22 is provided near the upstream end of the developing section 20 , that is, inside the housing 40 and near the entrance 401 . On the other hand, the air nozzle 24 is attached near the downstream end of the developing section 20 , specifically, on the upstream side surface of the partition plate 411 .

現像液ノズル２２の下面には現像液Ｌ１を吐出する吐出口が、またエアノズル２４の下面にはエアを吐出する吐出口がそれぞれ設けられている。これらの吐出口は、それぞれ幅方向に細長いスリット状の開口を有しており、該開口は基板Ｓの幅方向における両端部間の全体をカバーするように設けられる。 The developer nozzle 22 has a discharge port for discharging the developer L1, and the air nozzle 24 has a discharge port for discharging air. Each of these ejection ports has a slit-shaped opening that is elongated in the width direction, and the opening is provided so as to cover the entire area between both ends of the substrate S in the width direction.

したがって、現像液ノズル２２から吐出される現像液Ｌ１は、基板Ｓの幅方向（Ｙ方向）の全体に亘り略均一に吐出される。基板Ｓが搬送方向（Ｘ方向）に搬送されることで基板Ｓへの現像液供給位置がＸ方向に順次変化し、最終的には基板Ｓの全体が、現像液Ｌ１により液盛りされてパドル状の液膜で覆われた状態となる。 Therefore, the developer L1 discharged from the developer nozzle 22 is substantially uniformly discharged over the entire width direction (Y direction) of the substrate S. As shown in FIG. As the substrate S is transported in the transport direction (X direction), the developer supply position to the substrate S is sequentially changed in the X direction. It becomes a state covered with a liquid film.

エアノズル２４は、下方を搬送される基板Ｓに対して、基板Ｓの幅よりも十分長いカーテン状（薄膜状または帯状）のエアを上方から吹き付ける。これによって、基板Ｓの上面に盛られた現像液Ｌ１がより下流へ搬送されることが防止される。すなわち、エアノズル２４は、基板Ｓに沿った現像液Ｌ１の広がりをカーテン状エアによって遮断するエアナイフ装置としての機能を有している。現像部２０の下部には現像液回収部２６が設けられており、基板Ｓの縁から溢れて下方へ落下する現像液Ｌ１は現像液回収部２６により回収される。回収された現像液については、現像処理により溶解されて基板から除去されたレジスト膜の溶解生成物や異物を除去したり濃度調整をしたりする等の再生処理を必要に応じ施して現像処理に再利用することが可能である。あるいは、廃液として処理されてもよい。 The air nozzle 24 blows curtain-like (thin film-like or belt-like) air sufficiently longer than the width of the substrate S from above onto the substrate S being conveyed below. As a result, the developer L1 piled up on the upper surface of the substrate S is prevented from being transported further downstream. In other words, the air nozzle 24 functions as an air knife device that blocks the spread of the developer L1 along the substrate S with curtain-like air. A developer collecting section 26 is provided below the developing section 20, and the developer L1 overflowing from the edge of the substrate S and falling downward is collected by the developer collecting section 26. FIG. The recovered developer is subjected to a regenerating process such as removal of dissolved products of the resist film dissolved and removed from the substrate by the development process and foreign matter, and concentration adjustment, etc., if necessary, before the development process. It can be reused. Alternatively, it may be treated as a waste liquid.

リンス部３０には、搬送される基板Ｓの上面にリンス液Ｌ２を供給するリンス液ノズル３２が設けられている。リンス液ノズル３２は、筐体４０における仕切板４１の下流側近傍に設けられている。したがって、エアナイフにより現像液Ｌ１が除去された直後の基板Ｓに対しリンス液が供給されることになる。リンス液ノズル３２の構造については後に詳しく説明する。また、リンス液ノズル３２よりも下流側には、基板Ｓの上方からリンス液を供給する複数のシャワーノズル３４が設けられている。これにより基板Ｓの上面はリンス液Ｌ２の液膜により覆われ洗浄される。 The rinsing section 30 is provided with a rinsing liquid nozzle 32 that supplies the rinsing liquid L2 onto the upper surface of the substrate S being transported. The rinse liquid nozzle 32 is provided near the downstream side of the partition plate 41 in the housing 40 . Therefore, the rinse liquid is supplied to the substrate S immediately after the developer L1 is removed by the air knife. The structure of the rinse liquid nozzle 32 will be described later in detail. A plurality of shower nozzles 34 for supplying the rinse liquid from above the substrate S are provided downstream of the rinse liquid nozzles 32 . As a result, the upper surface of the substrate S is covered with the liquid film of the rinse liquid L2 and cleaned.

乾燥部３００には、基板Ｓの上面および下面にカーテン状のエアを供給することによって基板Ｓに盛られたリンス液Ｌ２を除去し、基板Ｓを乾燥させる一対のエアノズル３５ａ，３５ｂが設けられている。一対のエアノズル３５ａ，３５ｂは、乾燥部３００において搬出口４０２の近傍に設けられている。リンス部３０および乾燥部３００の下部にはリンス液回収部３６が設けられており、基板Ｓから下方へ落下するリンス液Ｌ２はリンス液回収部３６により回収される。 The drying section 300 is provided with a pair of air nozzles 35a and 35b for drying the substrate S by supplying curtain-like air to the upper and lower surfaces of the substrate S to remove the rinsing liquid L2 piled up on the substrate S. there is A pair of air nozzles 35 a and 35 b are provided near the outlet 402 in the drying section 300 . A rinse liquid recovery section 36 is provided below the rinse section 30 and the drying section 300, and the rinse liquid L2 dropping downward from the substrate S is recovered by the rinse liquid recovery section 36. FIG.

このように、現像液Ｌ１が扱われる現像部２０と、リンス液Ｌ２が扱われるリンス部３０および乾燥部３００とが仕切板４１１，４２１によってそれぞれ区画され、またそれぞれで排出される現像液Ｌ１とリンス液Ｌ２とが個別に回収されることにより、現像液の再利用など、回収された液体の有効活用や廃液処理のコスト抑制が可能となる。 In this way, the developing section 20 handling the developer L1 and the rinsing section 30 and the drying section 300 handling the rinse liquid L2 are separated by the partition plates 411 and 421, respectively. By collecting the rinse liquid L2 separately, it becomes possible to effectively utilize the collected liquid, such as reuse of the developing liquid, and to reduce the cost of waste liquid treatment.

図２は基板処理装置の動作を示すフローチャートである。上記したように、基板処理装置１は、前工程で露光処理されて搬入される基板Ｓを水平方向に搬送し（ステップＳ１０１）、該基板Ｓに対し現像液Ｌ１の供給による現像処理（ステップＳ１０２）、エアナイフによる現像液の除去（ステップＳ１０３）、リンス液Ｌ２の液膜によるリンス処理（ステップＳ１０４）、およびリンス液による液膜の除去・乾燥（ステップＳ１０５）という一連の処理を実行する。 FIG. 2 is a flow chart showing the operation of the substrate processing apparatus. As described above, the substrate processing apparatus 1 horizontally transports the substrate S that has been exposed in the previous process and is carried in (step S101), and develops the substrate S by supplying the developer L1 (step S102). ), removing the developer with an air knife (step S103), rinsing with the liquid film of the rinse liquid L2 (step S104), and removing and drying the liquid film with the rinse liquid (step S105).

上記のように構成された基板処理装置１およびその動作においては、基板Ｓの全体で均一かつ良好な現像結果を得るためには、現像液に触れる時間（以下、「現像時間」という）が基板Ｓの全体で等しくなる必要がある。基板Ｓの各部が最初に現像液Ｌ１に触れ現像が開始されるのは現像液ノズル２２の直下位置を通過する時である。一方、現像液が除去され現像が停止されるのは、原則的にはエアナイフとして機能するエアノズル２４の直下位置を通過する時である。したがって、現像液ノズル２２とエアノズル２４との距離が固定され、基板Ｓの搬送速度が一定であれば、基板Ｓの現像時間は位置によらず一定となるはずである。 In the substrate processing apparatus 1 configured as described above and its operation, in order to obtain a uniform and favorable development result on the entire substrate S, the time for which the substrate is exposed to the developer (hereinafter referred to as "development time") is must be equal over S. Each portion of the substrate S first touches the developer L1 and development starts when the substrate S passes through the position immediately below the developer nozzle 22 . On the other hand, the developing solution is removed and the development is stopped, in principle, when passing the position directly below the air nozzle 24 functioning as an air knife. Therefore, if the distance between the developer nozzle 22 and the air nozzle 24 is fixed and the transport speed of the substrate S is constant, the development time of the substrate S should be constant regardless of the position.

ただし、エアナイフによる現像液の除去位置を通過した後にも基板Ｓの上面に現像液が残留付着していることがある。このような局所的な現像液の残存により現像が進行するため、現像時間に位置による差が生じ、現像ムラ、つまり現像結果のばらつきが生じるおそれがある。現像液除去後の基板Ｓにリンス液Ｌ２が供給されることで現像は確実に停止されるが、リンス液供給のタイミングが幅方向においてばらつくと、現像停止のタイミングが不均一となり、やはり現像ムラの原因となる。この問題を解消するための本実施形態のリンス液ノズル３２の構造およびその機能について、以下に詳しく説明する。 However, the developing solution may remain on the upper surface of the substrate S even after the substrate S has passed through the position where the developing solution is removed by the air knife. Since the development progresses due to such local remaining developer, there is a possibility that the development time differs depending on the position, resulting in uneven development, that is, variations in the development result. Although the development is reliably stopped by supplying the rinse liquid L2 to the substrate S after the developer has been removed, if the timing of supplying the rinse liquid varies in the width direction, the timing of stopping the development becomes uneven, which also causes uneven development. cause. The structure and function of the rinse liquid nozzle 32 of this embodiment for solving this problem will be described in detail below.

図３は現像部とリンス部との境界部分を拡大して示す概略側面図である。また、図４ないし図６はリンス液ノズルの構造をより詳細に示す図である。より具体的には、図４はリンス液ノズル３２の外形および内部構造を示す分解斜視図であり、図５はリンス液ノズル３２と基板Ｓとの寸法関係を示す図である。また、図６（ａ）はリンス液ノズル３２の内部構造を示す部分断面図であり、図６（ｂ）はリンス液ノズル３２から吐出されるリンス液の状態を示す図である。 FIG. 3 is a schematic side view showing an enlarged boundary portion between the developing section and the rinsing section. 4 to 6 are diagrams showing the structure of the rinse liquid nozzle in more detail. More specifically, FIG. 4 is an exploded perspective view showing the outer shape and internal structure of the rinse nozzle 32, and FIG. 6A is a partial cross-sectional view showing the internal structure of the rinse liquid nozzle 32, and FIG. 6B is a diagram showing the state of the rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 32. As shown in FIG.

図３に示すように、エアノズル２４とリンス液ノズル３２とは仕切板４１１を挟んで近接配置されている。エアノズル２４は仕切板４１１の上流側側面に取り付けられている。エアノズル２４には圧縮エア供給部２９から圧縮エアが供給され、また下端には吐出口２４１が設けられている。したがって、エアノズル２４は、上面に現像液Ｌ１の液膜が形成され搬送ローラ５０の回転により（＋Ｘ）方向に搬送される基板Ｓの上面に向けて、その上方からカーテン状のエアＡを噴出する。これにより現像液Ｌ１の液膜がさらに下流側へ搬送されることは阻止され、エア吹き付け位置より下流側の基板Ｓの上面は現像液が除去された状態となっている。基板Ｓから下方へ落下する現像液Ｌ１は、現像液回収部２６により回収される。 As shown in FIG. 3, the air nozzle 24 and the rinse liquid nozzle 32 are arranged close to each other with a partition plate 411 interposed therebetween. The air nozzle 24 is attached to the upstream side surface of the partition plate 411 . Compressed air is supplied to the air nozzle 24 from a compressed air supply section 29, and a discharge port 241 is provided at the lower end. Therefore, the air nozzle 24 ejects a curtain-like air A from above toward the upper surface of the substrate S, which has a liquid film of the developer L1 formed on its upper surface and is conveyed in the (+X) direction by the rotation of the conveying roller 50. . As a result, the liquid film of the developer L1 is prevented from being transported further downstream, and the developer is removed from the upper surface of the substrate S on the downstream side of the air blowing position. The developer L<b>1 dropping downward from the substrate S is recovered by the developer recovery section 26 .

一方、リンス液ノズル３２は、図示しない支持部材により、仕切板４１１の下流側側面から所定の距離を隔てて支持されている。このため、仕切板４１１の下流側側面とリンス液ノズル３２の上流側側面との間には空隙Ｇが設けられている。リンス液ノズル３２にはリンス液供給部３９からリンス液Ｌ２として例えば純水、脱イオン水（ＤＩＷ）等の液体が供給される。次に詳しく説明する構造により、リンス液ノズル３２は、リンス液Ｌ２を下流方向かつ下向きの方向成分を有する液流として基板Ｓに供給する機能を有する。これにより基板Ｓの上面にリンス液Ｌ２の液膜が形成される。基板Ｓから下方へ落下するリンス液Ｌ２は、リンス液回収部３６により回収される。 On the other hand, the rinse liquid nozzle 32 is supported at a predetermined distance from the downstream side surface of the partition plate 411 by a support member (not shown). Therefore, a gap G is provided between the downstream side surface of the partition plate 411 and the upstream side surface of the rinse liquid nozzle 32 . Liquid such as pure water or deionized water (DIW) is supplied to the rinse liquid nozzle 32 as the rinse liquid L2 from the rinse liquid supply unit 39 . With a structure that will be described in detail below, the rinse liquid nozzle 32 has a function of supplying the rinse liquid L2 to the substrate S as a liquid flow having components in the downstream and downward directions. As a result, a liquid film of the rinse liquid L2 is formed on the upper surface of the substrate S. As shown in FIG. The rinse liquid L<b>2 dropping downward from the substrate S is recovered by the rinse liquid recovery section 36 .

エアノズル２４から吹き出されるエアによってリンス液Ｌ２の液流が乱されるのを防止するために、仕切板４１１とリンス液ノズル３２との間に空隙Ｇが設けられている。すなわち、この空隙Ｇがなければ吹き出されたエアはリンス液ノズル３２と基板Ｓとの隙間に流れ込み、リンス液ノズル３２から基板Ｓに供給されるリンス液Ｌ２の流れを乱す。空隙Ｇを設けることにより、エアはこの空隙Ｇを通って上方へ抜けるため、リンス液Ｌ２の流れが乱されることはない。つまり、空隙Ｇはエアノズル２４から吹き出されるエアをリンス液ノズル３２の周辺から排出する機能を有する。 A gap G is provided between the partition plate 411 and the rinse liquid nozzle 32 in order to prevent the flow of the rinse liquid L2 from being disturbed by the air blown out from the air nozzle 24 . That is, if there is no gap G, the blown air flows into the gap between the rinse liquid nozzle 32 and the substrate S, disturbing the flow of the rinse liquid L2 supplied from the rinse liquid nozzle 32 to the substrate S. By providing the gap G, the air escapes upward through the gap G, so that the flow of the rinse liquid L2 is not disturbed. In other words, the gap G has a function of discharging the air blown from the air nozzle 24 from around the rinse liquid nozzle 32 .

図４および図６（ａ）に示すように、リンス液ノズル３２は、第１部材３２１および第２部材３２２がスペーサ３２３を介してＸ方向に積層された構造を有している。第１部材３２１および第２部材３２２は、リンス液供給部３９から供給されるリンス液の圧力に耐える材料、例えば適度な硬度を有する樹脂または金属製とすることができる。 As shown in FIGS. 4 and 6A, the rinse liquid nozzle 32 has a structure in which a first member 321 and a second member 322 are stacked in the X direction with spacers 323 interposed therebetween. The first member 321 and the second member 322 can be made of a material that can withstand the pressure of the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply section 39, such as a resin or metal having appropriate hardness.

第１部材３２１は、Ｘ方向から見たときにＹ方向を長手方向とする略長方形の外形を有する平板状の平坦部３２１ａと、平坦部３２１ａの下端に接続されて（＋Ｘ）方向および（－Ｚ）方向に斜め下向きに延びる傾斜部３２１ｂとを有する。傾斜部３２１ｂの断面形状は楔型であり、その厚みは先端に近いほど薄くなっている。傾斜部３２１ｂの上面は滑らかな平面状の傾斜面３２１ｃとなっており、該傾斜面の法線は（＋Ｘ）方向および（＋Ｚ）方向の成分を有している。 The first member 321 includes a flat plate-like flat portion 321a having a substantially rectangular outer shape whose longitudinal direction is the Y direction when viewed from the X direction, and a flat portion 321a connected to the lower end of the flat portion 321a in the (+X) and (−X) directions. and an inclined portion 321b extending obliquely downward in the Z) direction. The cross-sectional shape of the inclined portion 321b is wedge-shaped, and the thickness of the inclined portion 321b decreases toward the tip. The upper surface of the inclined portion 321b is a smooth planar inclined surface 321c, and the normal to the inclined surface has components in the (+X) direction and the (+Z) direction.

また、第２部材３２２は、Ｘ方向から見た平面サイズが第１部材３２１の平坦部３２１ａと略同じである略直方体のブロックである。その（－Ｘ）側側面と（＋Ｘ）側側面との間を貫通して、リンス液供給部３９から供給されるリンス液を受け入れるための貫通孔３２２ａが設けられている。図５に破線で示すように、貫通孔３２２ａはＹ方向に位置を異ならせて複数設けられてもよい。 The second member 322 is a substantially rectangular parallelepiped block whose planar size when viewed in the X direction is substantially the same as the flat portion 321a of the first member 321 . A through hole 322a for receiving the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply section 39 is provided through between the (−X) side surface and the (+X) side surface. As indicated by broken lines in FIG. 5, a plurality of through holes 322a may be provided at different positions in the Y direction.

スペーサ３２３は、第１部材３２１の平坦部３２１ａをＸ方向から見たときの長方形のうち下辺を除く３辺に沿った逆Ｕ字型の部材である。第１部材３２１と第２部材３２２とがスペーサ３２３を介して積層されることにより、第１部材３２１の（＋Ｘ）側側面と第２部材３２２の（－Ｘ）側側面とは第２部材３２２とはスペーサ３２３の厚みに相当する間隔を隔てて対向することになる。これにより、両者の間に一定幅のギャップ空間ＧＳが形成される。スペーサ３２３には、第１部材３２１と第２部材３２２との間隔を微小かつ一定に保ちつつ隙間からの液漏れを防止することのできる材料、例えば適度な弾性を有する樹脂材料を用いることができる。以下の通り、ギャップ空間ＧＳはリンス液の流路の一部として機能する。 The spacer 323 is an inverted U-shaped member along three sides except the lower side of a rectangle when the flat portion 321a of the first member 321 is viewed from the X direction. By stacking the first member 321 and the second member 322 via the spacer 323, the (+X) side surface of the first member 321 and the (−X) side surface of the second member 322 are separated from each other by the second member 322. are opposed to each other with an interval corresponding to the thickness of the spacer 323 . Thereby, a gap space GS having a constant width is formed between them. For the spacer 323, a material that can prevent liquid leakage from the gap while keeping the gap between the first member 321 and the second member 322 minute and constant, for example, a resin material having appropriate elasticity can be used. . As described below, the gap space GS functions as part of the rinse liquid flow path.

ギャップ空間ＧＳの下端はスペーサ３２３により塞がれず外部空間に連通しており、また貫通孔３２２ａはギャップ空間ＧＳに連通する位置に設けられている。したがって、リンス液供給部３９から貫通孔３２２ａに供給されるリンス液はギャップ空間ＧＳを満たし、最終的にギャップ空間ＧＳの下端から外部空間へ吐出される。この意味において、ギャップ空間ＧＳの下端において第１部材３２１、第２部材３２２およびスペーサ３２３により形成される開口部が、リンス液ノズル３２におけるリンス液の吐出口３２４を構成する。したがって、幅方向と直交する方向（Ｘ方向）における吐出口３２４の開口サイズは、ギャップ空間ＧＳのギャップ間隔（図６（ｂ）に符号Ｄｇで示す）と同じである。そして、吐出口３２４の直下には傾斜部３２１ｂの上面である傾斜面３２１ｃが位置しており、該傾斜面３２１ｃは吐出口３２４と対向する位置に設けられているといえる。 The lower end of the gap space GS is not blocked by the spacer 323 and communicates with the external space, and the through hole 322a is provided at a position communicating with the gap space GS. Therefore, the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply portion 39 to the through-holes 322a fills the gap space GS, and is finally discharged from the lower end of the gap space GS to the external space. In this sense, the opening formed by the first member 321 , the second member 322 and the spacer 323 at the lower end of the gap space GS constitutes the rinse liquid discharge port 324 of the rinse liquid nozzle 32 . Therefore, the opening size of the ejection port 324 in the direction (X direction) orthogonal to the width direction is the same as the gap interval of the gap space GS (indicated by symbol Dg in FIG. 6B). An inclined surface 321 c , which is the upper surface of the inclined portion 321 b , is positioned immediately below the ejection port 324 , and the inclined surface 321 c is provided at a position facing the ejection port 324 .

吐出口３２４から下向きに吐出される液体は、傾斜部３２１ｂの傾斜面３２１ｃに当たり、傾斜面に沿って流下する薄層状の液流を形成する。該液流は、最終的に傾斜面３２１ｃの下端から下方へ流れ落ちる。図５に示すように、Ｘ方向に見たとき、吐出口３２４の開口幅Ｙｄは基板Ｓの幅Ｙｓよりも大きく、かつ、吐出口３２４はＹ方向における基板Ｓの両端部を含む全体をカバーする開口を有している。また、傾斜面３２１ｃの幅Ｙｃは吐出口３２４の開口幅Ｙｄよりも大きく、かつ、傾斜面３２１ｃはＹ方向における吐出口３２４の両端部を含む全体をカバーするように設けられている。したがって、吐出口３２４から吐出され傾斜面３２１ｃを流れ落ちる液体は、基板Ｓの幅方向（Ｙ方向）における全域に亘って一様に供給される。 The liquid ejected downward from the ejection port 324 hits the inclined surface 321c of the inclined portion 321b and forms a thin liquid flow that flows down along the inclined surface. The liquid flow finally flows downward from the lower end of the inclined surface 321c. As shown in FIG. 5, when viewed in the X direction, the opening width Yd of the ejection port 324 is larger than the width Ys of the substrate S, and the ejection port 324 covers the entire substrate S including both ends in the Y direction. It has an opening for Further, the width Yc of the inclined surface 321c is larger than the opening width Yd of the ejection port 324, and the inclined surface 321c is provided so as to cover the entirety including both ends of the ejection port 324 in the Y direction. Therefore, the liquid discharged from the discharge port 324 and flowing down the inclined surface 321c is supplied uniformly over the entire width of the substrate S (Y direction).

このように構成されたリンス液ノズル３２に対し、リンス液供給部３９からリンス液Ｌ２が圧送される。これにより、図６（ｂ）に示すように、吐出口３２４から吐出されるリンス液Ｌ２は、傾斜面３２１ｃに沿って流下しその下端部から基板Ｓの上面Ｓａに供給される。液の供給量、加圧力、ギャップ間隔Ｄｇ等を適宜に設定すれば、傾斜面３２１ｃから落下するリンス液Ｌ２の液流は、下流側へ向けて勢いよく噴射される、つまり（＋Ｘ）方向の速度成分を比較的多く含むものとすることができる。例えば、傾斜面３２１ｃから流れ落ちるリンス液Ｌ２の流速が、基板Ｓの搬送速度よりも大きくなるようにすることができる。 The rinse liquid L2 is pressure-fed from the rinse liquid supply section 39 to the rinse liquid nozzle 32 configured in this way. Thereby, as shown in FIG. 6B, the rinse liquid L2 discharged from the discharge port 324 flows down along the inclined surface 321c and is supplied to the upper surface Sa of the substrate S from the lower end thereof. If the liquid supply amount, pressure, gap distance Dg, etc. are appropriately set, the liquid flow of the rinsing liquid L2 falling from the inclined surface 321c is vigorously jetted downstream, that is, in the (+X) direction. It may contain a relatively large amount of velocity components. For example, the flow velocity of the rinse liquid L2 flowing down from the inclined surface 321c can be made higher than the transport velocity of the substrate S.

このようにすると、傾斜面３２１ｃの下流側端部よりも下流側でリンス液Ｌ２を基板Ｓの上面Ｓａに着液させることができる。つまり、Ｘ方向における着液位置Ｐ２を、傾斜面３２１ｃの下流側端部の位置Ｐ１よりも（＋Ｘ）側の位置とすることができる。これにより、リンス液ノズル３２の下面３２０にリンス液Ｌ２が付着することが防止される。ノズル下面３２０にリンス液が付着すると、ノズル下面３２０から基板Ｓへのリンス液Ｌ２の落下や、ノズル下面３２０と基板上面Ｓａとの間が局所的にリンス液Ｌ２で液密状態となること等により、基板Ｓが最初にリンス液Ｌ２に触れる位置が、本来の着液位置Ｐ２よりも上流側にずれることになる。このようなずれが局所的に生じることで現像ムラが発生してしまう。リンス液Ｌ２がノズルの最下流側端部（すなわち傾斜面３２１ｃの先端３２１ｄ）よりも下流側で基板Ｓに着液するようにすることで、リンス液がノズル下面３２０に回り込んで付着するのを抑制することが可能である。 By doing so, the rinse liquid L2 can be made to land on the upper surface Sa of the substrate S on the downstream side of the downstream end of the inclined surface 321c. That is, the liquid landing position P2 in the X direction can be positioned on the (+X) side of the downstream end position P1 of the inclined surface 321c. This prevents the rinse liquid L2 from adhering to the bottom surface 320 of the rinse liquid nozzle 32 . If the rinse liquid adheres to the nozzle lower surface 320, the rinse liquid L2 may drop from the nozzle lower surface 320 onto the substrate S, or the rinse liquid L2 may locally cause a liquid-tight state between the nozzle lower surface 320 and the substrate upper surface Sa. As a result, the position where the substrate S first comes into contact with the rinse liquid L2 shifts to the upstream side of the original liquid landing position P2. Due to such a local deviation, uneven development occurs. By setting the rinse liquid L2 to land on the substrate S downstream of the most downstream end of the nozzle (that is, the tip 321d of the inclined surface 321c), the rinse liquid wraps around and adheres to the nozzle lower surface 320. can be suppressed.

また、基板Ｓに供給されるリンス液Ｌ２は下流側へ向かう速度成分を有した状態で基板Ｓに着液するため、着液位置から上流側に向けて逆流するおそれは極めて低くなっている。したがって、基板Ｓが最初にリンス液Ｌ２に接触する位置を、幅方向（Ｙ方向）の全域において一定とすることが容易である。また、エアノズル２４から吹き出されてリンス液ノズル３２と基板Ｓとの隙間に流れ込むエアの影響も抑えることができる。 In addition, since the rinse liquid L2 supplied to the substrate S lands on the substrate S while having a velocity component toward the downstream side, the risk of backflow from the liquid landing position toward the upstream side is extremely low. Therefore, it is easy to make the position where the substrate S comes into first contact with the rinse liquid L2 uniform throughout the width direction (Y direction). Moreover, the influence of the air blown from the air nozzle 24 and flowing into the gap between the rinse liquid nozzle 32 and the substrate S can also be suppressed.

リンス液供給部３９から一定量のリンス液Ｌ２が継続的に供給されているとき、その流路であるギャップ空間ＧＳの間隔Ｄｇ（吐出口３２４の開口サイズもこれと等しい）と、傾斜面３２１ｃを流下する液流の厚さＴｃと、基板Ｓへの着液直後に基板Ｓに形成される液膜の厚さＴｐとは略同一である。これらの寸法に対し、傾斜面３２１ｃの下端と基板上面Ｓａとの間隔Ｄｓの方が大きくなるように、つまり傾斜面３２１ｃの下端が基板上の液膜の上面よりも上方に位置するように、リンス液ノズル３２のＺ方向における配設位置が設定されている。したがって吐出口３２４の鉛直方向位置も液膜上面の高さより上方にある。また、リンス液ノズル３２の下面のうち基板Ｓの上面Ｓａに最も近い位置にあるのは、ノズル下面３２０と傾斜面３２１ｃとの接続部分である傾斜部３２１ｂの最下流側端部３２１ｄである。これらの目的も、ノズル下面３２０へのリンス液Ｌ２の付着を防止することである。すなわち、ノズル下面３２０のうち最も下流側の端部３２１ｄが最も低い位置にあり、この位置からリンス液が放出されることで、ノズル下面３２０の他の位置への液の回り込みを抑制することができる。 When a constant amount of the rinse liquid L2 is continuously supplied from the rinse liquid supply unit 39, the interval Dg (the opening size of the discharge port 324 is also equal to this) of the gap space GS, which is the flow path, and the inclined surface 321c and the thickness Tp of the liquid film formed on the substrate S immediately after the liquid lands on the substrate S are substantially the same. With respect to these dimensions, the distance Ds between the lower end of the inclined surface 321c and the upper surface Sa of the substrate is larger, that is, the lower end of the inclined surface 321c is positioned above the upper surface of the liquid film on the substrate. The arrangement position in the Z direction of the rinse liquid nozzle 32 is set. Therefore, the vertical position of the ejection port 324 is also above the height of the upper surface of the liquid film. In addition, the portion of the lower surface of the rinse liquid nozzle 32 that is closest to the upper surface Sa of the substrate S is the most downstream end 321d of the inclined portion 321b, which is the connecting portion between the nozzle lower surface 320 and the inclined surface 321c. The purpose of these is also to prevent the rinsing liquid L2 from adhering to the nozzle lower surface 320 . That is, the most downstream end 321d of the nozzle lower surface 320 is at the lowest position, and the rinse liquid is discharged from this position, thereby suppressing the liquid from flowing to other positions on the nozzle lower surface 320. can.

図７はリンス液ノズル下面の位置および形状の他の例を示す図である。図７（ａ）に示す比較例では、リンス液ノズル３２の下面３２０と基板上面Ｓａとの距離が、基板Ｓ上の液膜の厚さよりも小さい。このような場合、傾斜部３２１ｂの先端部分が実質的に液膜中に含まれてしまうことになるまた、図７（ｂ）に示す比較例のリンス液ノズルＮ１では、下面が基板Ｓの上面と平行である。また、図７（ｃ）に示す比較例のリンス液ノズルＮ２では、ノズル底面に、傾斜部の最下流側端部よりも基板Ｓに近い部分がある。これらの構成では、それぞれ点線で囲んだ部分でリンス液の滞留が生じやすくなり、これにより現像ムラが発生しやすい。図７（ｂ）および（ｃ）に示す例では、特にノズル下面と基板上面Ｓａとの距離が小さいときに問題が生じやすい。 FIG. 7 is a diagram showing another example of the position and shape of the lower surface of the rinse liquid nozzle. 7A, the distance between the lower surface 320 of the rinse liquid nozzle 32 and the substrate upper surface Sa is smaller than the thickness of the liquid film on the substrate S. In the comparative example shown in FIG. In such a case, the tip portion of the inclined portion 321b is substantially included in the liquid film. is parallel to In addition, in the rinse liquid nozzle N2 of the comparative example shown in FIG. 7C, there is a portion closer to the substrate S than the most downstream end of the inclined portion on the bottom surface of the nozzle. In these configurations, the rinsing liquid tends to stagnate in the portions enclosed by the dotted lines, which tends to cause uneven development. In the examples shown in FIGS. 7B and 7C, problems tend to occur particularly when the distance between the nozzle lower surface and the substrate upper surface Sa is small.

図６（ｂ）に示すように、本実施形態のリンス液ノズル３２では、ノズル下面３２０が下流側に向かって低くなっており、そのうち傾斜部３２１ｂの最下流側端部３２１ｄが最も低い、つまり基板上面Ｓａに近い位置にある。しかも、該最下流側端部と基板上面Ｓａとの間隔Ｄｓは基板Ｓ上の液膜の厚さＴｐよりも大きい。さらに、リンス液ノズル３２から基板Ｓに供給されるリンス液Ｌ２の液流は、（＋Ｘ）方向への比較的大きい速度成分を有している。これらの構成により、ノズル下面３２０と基板上面Ｓａとの間にリンス液が滞留することは効果的に抑制されている。そのため、リンス液の滞留に起因する現像ムラの発生が抑制される。 As shown in FIG. 6B, in the rinse liquid nozzle 32 of the present embodiment, the nozzle lower surface 320 is lowered toward the downstream side, and the most downstream end 321d of the inclined portion 321b is the lowest. It is located near the substrate upper surface Sa. Moreover, the distance Ds between the most downstream end portion and the substrate upper surface Sa is larger than the thickness Tp of the liquid film on the substrate S. Furthermore, the liquid flow of the rinse liquid L2 supplied to the substrate S from the rinse liquid nozzle 32 has a relatively large velocity component in the (+X) direction. These configurations effectively prevent the rinse liquid from staying between the nozzle lower surface 320 and the substrate upper surface Sa. Therefore, the occurrence of uneven development due to retention of the rinse liquid is suppressed.

また、基板Ｓに供給されたリンス液には、基板Ｓに残留する現像液に含まれていた、基板Ｓから剥落したまたは液中に溶解したレジスト膜の成分が混入している。吐出口の周囲やノズル下面を液密状態にする構成では、このような成分が再析出して吐出口やノズル下面に付着し、液の流れを妨げることで現像ムラが生じることがあり得る。 In addition, the rinse liquid supplied to the substrate S contains components of the resist film that have been peeled off from the substrate S or dissolved in the liquid, and which are contained in the developer remaining on the substrate S. In a configuration in which the periphery of the ejection port and the lower surface of the nozzle are liquid-tight, such components may re-precipitate and adhere to the ejection port and the lower surface of the nozzle, hindering the flow of the liquid and causing uneven development.

本実施形態では、ノズル下面３２０をリンス液に触れさせていないので、ノズル下面３２０にこのような付着物が生じることはなく、また仮に付着したとしてもリンス処理への影響はない。また、傾斜面３２１ｃには新しいリンス液Ｌ２が常時供給されている。このため、レジスト膜の成分を含む液の飛沫が飛来したとしても液流に取り込まれて下流側へ流されるので、傾斜面３２１ｃやさらに上流の吐出口３２４に付着することは防止される。また、仮に吐出口３２４に付着物が生じ吐出量が不均一になったとしても、傾斜面３２１ｃを流れ下る間に液流が均一化されるため、このような原因による現像ムラの発生は防止される。 In this embodiment, since the nozzle lower surface 320 is not in contact with the rinse liquid, such deposits do not occur on the nozzle lower surface 320, and even if they adhere, they do not affect the rinse process. Also, new rinse liquid L2 is always supplied to the inclined surface 321c. Therefore, even if droplets of the liquid containing the components of the resist film are splashed, they are taken in by the liquid flow and flowed downstream, so that they are prevented from adhering to the inclined surface 321c and the discharge port 324 further upstream. In addition, even if the ejection amount becomes uneven due to deposits on the ejection port 324, the liquid flow is made uniform while flowing down the inclined surface 321c. be done.

また、この実施形態のリンス液ノズル３２では、下向きに開口する吐出口３２４の下方に傾斜面３２１ｃを対向させている。吐出口３２４から下向きに吐出されたリンス液Ｌ２は、傾斜面３２１ｃに沿って流下することで下流側へ向かう速度成分を付与される。このため、吐出口３２４よりも上流側にリンス液の流路を設ける必要はない。このことは、吐出口３２４よりも上流側におけるリンス液ノズル３２の形状が流路に制約されず、高い自由度を有することを意味する。例えば、基板Ｓにおけるエアの供給位置とリンス液の供給位置との間隔を適宜に設定して、現像液が除去されてからリンス液が供給されるまでの時間を調整することが可能である。 In addition, in the rinse liquid nozzle 32 of this embodiment, the inclined surface 321c is opposed to the lower side of the discharge port 324 that opens downward. The rinse liquid L2 ejected downward from the ejection port 324 is imparted with a downstream velocity component by flowing down along the inclined surface 321c. Therefore, it is not necessary to provide a rinse liquid flow path upstream of the discharge port 324 . This means that the shape of the rinse liquid nozzle 32 on the upstream side of the discharge port 324 is not restricted by the flow path and has a high degree of freedom. For example, it is possible to appropriately set the interval between the air supply position and the rinse liquid supply position on the substrate S to adjust the time from the removal of the developer to the supply of the rinse liquid.

以上説明したように、上記実施形態においては、現像液Ｌ１およびリンス液Ｌ２がそれぞれ本発明の「第１処理液」および「第２処理液」に相当している。また、上記実施形態では、搬送ローラ５０、エアノズル２４およびリンス液ノズル３２がそれぞれ本発明の「搬送機構」、「気体吐出部」および「液体吐出部」として機能している。また、上記実施形態では、リンス液ノズル３２のギャップ空間ＧＳが本発明の「流路」に相当し、リンス液ノズル３２と仕切板４１１との空隙Ｇが本発明の「排気経路」に相当している。また、図２のステップＳ１０３、Ｓ１０４が、それぞれ本発明の「第１処理工程」、「第２の処理工程」に相当している。 As described above, in the above embodiment, the developer L1 and the rinse liquid L2 respectively correspond to the "first processing liquid" and the "second processing liquid" of the present invention. Further, in the above embodiment, the transport roller 50, the air nozzle 24 and the rinse liquid nozzle 32 respectively function as the "transport mechanism", the "gas ejector" and the "liquid ejector" of the present invention. Further, in the above embodiment, the gap space GS of the rinse liquid nozzle 32 corresponds to the "channel" of the invention, and the gap G between the rinse liquid nozzle 32 and the partition plate 411 corresponds to the "exhaust path" of the invention. ing. Also, steps S103 and S104 in FIG. 2 correspond to the "first processing step" and the "second processing step" of the present invention, respectively.

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態のリンス液ノズル３２に代えて、以下のような構造のノズルを適用することも可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, instead of the rinsing liquid nozzle 32 of the above-described embodiment, it is also possible to apply a nozzle having the following structure.

図８および図９はリンス液ノズルのいくつかの変形例を示す図である。図８（ａ）に示す変形例のリンス液ノズル６１では、第１部材６１１は平板状部材の下端を下流側へ折り曲げることにより、平坦部６１１ａと傾斜部６１１ｂとを設けたものである。第２部材６１２およびスペーサ６１３については、上記実施形態のものと同一とすることができる。このような構造のリンス液ノズル６１については、上記実施形態のリンス液ノズル３２に代えて基板処理装置に搭載することができる。 8 and 9 are diagrams showing some modifications of the rinse liquid nozzle. In the rinse liquid nozzle 61 of the modified example shown in FIG. 8A, the first member 611 is formed by bending the lower end of the flat plate-like member toward the downstream side to provide a flat portion 611a and an inclined portion 611b. The second member 612 and spacer 613 can be the same as those in the above embodiment. The rinsing liquid nozzle 61 having such a structure can be installed in the substrate processing apparatus in place of the rinsing liquid nozzle 32 of the above embodiment.

また、図８（ｂ）～図８（ｄ）に示す変形例は、リンス液ノズルにエアノズルの機能も兼備させた複合ノズルとしたものである。すなわち、図８（ｂ）に示す変形例の複合ノズル６２では、第１部材６２１と第２部材６２２とがスペーサ６２４を介して対向配置されている点は上記実施形態と同じである。一方で、第２部材６２２とは反対側の第１部材６２１の側面（基板搬送方向においては上流側）に、スペーサ６２５を介して第３部材６２３が取り付けられている。 8(b) to 8(d) show a composite nozzle in which the rinsing liquid nozzle also functions as an air nozzle. That is, in the composite nozzle 62 of the modified example shown in FIG. 8(b), the point that the first member 621 and the second member 622 are opposed to each other with the spacer 624 interposed therebetween is the same as in the above embodiment. On the other hand, a third member 623 is attached via a spacer 625 to the side surface of the first member 621 opposite to the second member 622 (on the upstream side in the substrate transport direction).

このような構成では、第１部材６２１と第３部材６２３との間の空隙にエアを送り込み、空隙の下端の開口部６２６からエアを吹き出させることにより、リンス液ノズルがエアノズルとしての機能も有することになる。したがって、上記実施形態において設けられていたエアノズル２４およびリンス液ノズル３２の代替品として複合ノズル６２を適用可能である。この場合、複合ノズル６２を仕切板４１１に取り付ければよいが、基板から落下する現像液とリンス液とを分別して回収することができるようにするための配慮がなされることが望ましい。以下の各変形例においても同様である。 In such a configuration, the rinse liquid nozzle also functions as an air nozzle by feeding air into the gap between the first member 621 and the third member 623 and blowing the air out from the opening 626 at the lower end of the gap. It will be. Therefore, the composite nozzle 62 can be applied as a substitute for the air nozzle 24 and rinse liquid nozzle 32 provided in the above embodiment. In this case, the composite nozzle 62 may be attached to the partition plate 411, but it is desirable that consideration be given to separate and collect the developing solution and the rinsing solution falling from the substrate. The same applies to the following modified examples.

図８（ｃ）に示す変形例の複合ノズル６３は、上記した複合ノズル６２を一部変更したものである。すなわち、スペーサ６３４を介して対向配置された第１部材６３１と第２部材６３２とがリンス液の流路を形成する点は上記変形例の複合ノズル６２と同じである。一方、スペーサ６３５を介して対向する第１部材６３１と第３部材６３３とで構成されるエアの流路は、その下端において上流側（図において左側）に曲げられている。 A modified composite nozzle 63 shown in FIG. 8C is obtained by partially changing the above-described composite nozzle 62 . That is, the point that the first member 631 and the second member 632 that are opposed to each other with the spacer 634 interposed therebetween form a flow path for the rinse liquid is the same as the composite nozzle 62 of the above modified example. On the other hand, the air flow path formed by the first member 631 and the third member 633 facing each other with the spacer 635 interposed therebetween is bent upstream (to the left in the drawing) at its lower end.

このような構成では、吹き出されるエアが上流方向への速度成分を有することとなる。そのため、基板に付着する現像液を上流側へ押し戻すことにより、現像液とリンス液との混合をより確実に防止することが可能となる。 In such a configuration, the blown air has a velocity component in the upstream direction. Therefore, by pushing back the developer adhering to the substrate to the upstream side, it is possible to more reliably prevent mixing of the developer and the rinse liquid.

図８（ｄ）に示す変形例の複合ノズル６４は、スペーサ６４５を介して対向する第１部材６４１および第２部材６４２を含んで構成されるリンス液ノズル６４ａと、スペーサ６４６を介して対向する第３部材６４３および第４部材６４４を含んで構成されるエアノズル６４ｂとが、排気経路６４７となる一定の空隙を隔てて対向するように、図示しない適宜の支持部材で支持された構造を有する。排気経路６４７の上端部分については、筐体４０内の空間に開放されていてもよく、また適宜の排気機構に接続されてもよい。 A composite nozzle 64 of a modified example shown in FIG. 8D faces a rinse liquid nozzle 64a including a first member 641 and a second member 642 facing each other via a spacer 645 via a spacer 646. The air nozzle 64b including the third member 643 and the fourth member 644 is supported by an appropriate support member (not shown) so as to face each other with a certain gap serving as the exhaust path 647. The upper end portion of the exhaust path 647 may be open to the space inside the housing 40, or may be connected to an appropriate exhaust mechanism.

このような構成によれば、エアノズル６４ａから吹き出されるエアが排気経路６４７を通って排気されるため、エアがリンス液ノズル６４ａの下面と基板との間に回り込んでリンス液の液流を乱すことが防止される。また、エアによる液流の乱れを生じさせることなくエアノズルとリンス液ノズルとを近接して配置することができるので、現像液が除去されてからリンス液が供給されるまでの基板表面が露出した時間を短くすることができる。 With such a configuration, the air blown out from the air nozzle 64a is exhausted through the exhaust path 647, so that the air flows between the bottom surface of the rinse liquid nozzle 64a and the substrate, thereby reducing the flow of the rinse liquid. Disturbance is prevented. In addition, since the air nozzle and the rinsing liquid nozzle can be arranged close to each other without causing turbulence of the liquid flow due to air, the substrate surface is exposed from the removal of the developing liquid to the supply of the rinsing liquid. time can be shortened.

また、図９に示す変形例のリンス液ノズル６５は、第１部材６５１、第２部材６５２および第３部材６５３の３つのブロックを組み合わせた構造を有している。第１部材６５１と第２部材６５２とはギャップ空間ＧＳを挟んで対向しており、第１部材６５１の下部に第３部材６５３が取り付けられている。第１部材６５１および第３部材６５３は、これらが一体として上記実施形態の第１部材３２１に相当するものであり、主に製作のしやすさの観点から２ピースに分割されている。 9 has a structure in which three blocks of a first member 651, a second member 652 and a third member 653 are combined. The first member 651 and the second member 652 face each other across the gap space GS, and the third member 653 is attached to the lower portion of the first member 651 . The first member 651 and the third member 653 integrally correspond to the first member 321 of the above embodiment, and are divided into two pieces mainly from the viewpoint of ease of manufacture.

第３部材６５３は、その上面６５５が「傾斜面」として機能するものである。上面６５５の下流側先端部は、上記実施形態では鋭い断面形状となっていた先端部を少し切り落とした形状となっている。したがって、上面６５５の下流側端部６５５ａと、下面６５０の下流側端部６５０ａとが一致していない。すなわち、下面６５０の下流側端部６５０ａは、下流側端部６５５ａよりも下方かつ上流側に位置している。このような形状は、上記と同様の製作しやすさと、鋭い先端部よりも他の部材との接触等による変形、欠損のおそれが少ないという実用上の理由とに基づくものである。 The third member 653 has an upper surface 655 that functions as an "inclined surface". The downstream tip of the upper surface 655 has a shape obtained by slightly cutting off the tip, which had a sharp cross-sectional shape in the above embodiment. Therefore, the downstream end 655a of the upper surface 655 and the downstream end 650a of the lower surface 650 do not match. In other words, the downstream end 650a of the lower surface 650 is positioned below and upstream of the downstream end 655a. Such a shape is based on the same ease of manufacture as described above and the practical reason that there is less risk of deformation or damage due to contact with other members than with sharp tip portions.

この場合においても、上面６５５の下流側端部６５５ａの高さを基板上面Ｓａに形成される液膜の厚さよりも大きくしておくことで、ノズル下部への液体の回り込みを防止することができる。この効果をより高めるには、下面６５０の下流側端部６５０ａが液膜の厚さより大きいこと、またノズル下面６５０において最も低い位置にあるのが下面６５０の下流側端部６５０ａであること等の要件が満たされていることがより好ましい。 Even in this case, by making the height of the downstream end portion 655a of the upper surface 655 larger than the thickness of the liquid film formed on the substrate upper surface Sa, it is possible to prevent the liquid from flowing into the lower part of the nozzle. . In order to enhance this effect, the downstream end 650a of the lower surface 650 should be larger than the thickness of the liquid film, and the lowest position on the nozzle lower surface 650 should be the downstream end 650a of the lower surface 650. More preferably, the requirements are met.

また、上記実施形態は、本発明の「第１処理液」としての現像液および「第２処理液」としてのリンス液を用いて基板を処理する基板処理装置であるが、第１処理液および第２処理液の種類についてはこれに限定されるものではなく、種々の液体を用いる基板処理に、本発明を適用することが可能である。 Further, the above embodiment is a substrate processing apparatus for processing a substrate using the developer as the "first processing liquid" and the rinsing liquid as the "second processing liquid" of the present invention. The type of the second processing liquid is not limited to this, and the present invention can be applied to substrate processing using various liquids.

以上、具体的な実施形態を例示して説明してきたように、本発明に係る基板処理装置において、吐出口は、例えば傾斜面の下流側端部よりも上方位置で開口するように構成されてよい。このような構成によれば、第２処理液に含まれる不要な成分が吐出口の周辺に付着して詰まらせたり、第２処理液の流れを乱したりするという問題が解消される。 As described above by exemplifying specific embodiments, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the ejection port is configured to open at a position above the downstream end of the inclined surface, for example. good. According to such a configuration, the problem that unnecessary components contained in the second processing liquid adhere to the periphery of the ejection port and cause clogging or disturb the flow of the second processing liquid can be solved.

また例えば、傾斜面の下流側端部と接続し表面に対向する液体吐出部の下面と基板表面との距離が、搬送方向の上流側ほど大きくなるように構成されてよい。言い換えれば、基板表面に対向する液体吐出部の下面と基板表面との距離は、液体吐出部の下面のうち傾斜面の下流側端部との接続部分において最小であるように構成されてよい。このような構成によれば、液体吐出部の下面と基板表面との間に第２処理液が滞留することに起因する処理ムラを抑制することができる。 Further, for example, the distance between the lower surface of the liquid discharger connected to the downstream end portion of the inclined surface and facing the surface and the substrate surface may be configured to increase toward the upstream side in the transport direction. In other words, the distance between the lower surface of the liquid discharger facing the substrate surface and the substrate surface may be the smallest at the portion of the lower surface of the liquid discharger that is connected to the downstream end of the inclined surface. According to such a configuration, it is possible to suppress uneven processing caused by the second processing liquid remaining between the lower surface of the liquid discharger and the substrate surface.

また例えば、液流が基板表面に着液する着液位置のうち搬送方向における最上流側端部が、傾斜面の下流側端部よりも搬送方向において下流側であるように構成されてよい。このような構成によれば、基板に付着することで汚染源を含み得る第２処理液が液体吐出部に付着することが回避される。 Further, for example, the most upstream end in the transport direction of the liquid landing positions where the liquid lands on the substrate surface may be configured to be downstream in the transport direction from the downstream end of the inclined surface. According to such a configuration, the second processing liquid, which may contain a contamination source by adhering to the substrate, is prevented from adhering to the liquid discharger.

また例えば、基板表面に対向する液体吐出部の下面が、基板表面に形成される液膜とは接触しないように構成されてよい。このような構成によっても、基板に付着することで汚染源を含み得る第２処理液が液体吐出部に付着することが回避される。 Further, for example, the lower surface of the liquid ejection portion facing the substrate surface may be configured so as not to come into contact with the liquid film formed on the substrate surface. Such a configuration also prevents the second processing liquid, which may contain a contamination source by adhering to the substrate, from adhering to the liquid discharger.

また例えば、液体吐出部は、断面形状が吐出口の開口形状と同一で吐出口に連通し、吐出口に向けて第２処理液を流通させる流路を有し、流路における第２処理液の流通方向が鉛直下向きである構成とされてよい。このような構成によれば、吐出口よりも上流側における液体吐出部の形状についての自由度が高く、例えば気体吐出部と液体吐出部との間隔を適宜に調整することが可能となる。 Further, for example, the liquid ejecting portion has a channel having a cross-sectional shape identical to the opening shape of the ejection port, communicating with the ejection port, and allowing the second processing liquid to flow toward the ejection port. may be configured such that the flow direction of the liquid is vertically downward. With such a configuration, the degree of freedom in the shape of the liquid ejection portion on the upstream side of the ejection port is high, and for example, it is possible to appropriately adjust the distance between the gas ejection portion and the liquid ejection portion.

また例えば、搬送方向において、気体吐出部と液体吐出部との間に気体を排出するための排気経路が設けられてよい。このような構成によれば、気体吐出部から吹き出された気体が液体吐出部と基板表面との間に吹き込むことにより液流が乱されるのを防止することができる。 Further, for example, an exhaust path for exhausting gas may be provided between the gas ejection section and the liquid ejection section in the transport direction. According to such a configuration, it is possible to prevent the liquid flow from being disturbed by the gas blown out from the gas discharger blowing in between the liquid discharger and the substrate surface.

本発明は、処理液による処理後の基板から処理液を除去する各種の基板処理に適用可能である。例えばレジスト膜の現像処理、エッチング処理、剥離処理などに、本発明を好適に適用可能である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to various types of substrate processing in which the processing liquid is removed from the substrate after processing with the processing liquid. For example, the present invention can be suitably applied to resist film development processing, etching processing, stripping processing, and the like.

１ 基板処理装置
２０ 現像部
２４ エアノズル（気体吐出部）
３０ リンス部
３２ リンス液ノズル（液体吐出部）
５０ 搬送ローラ（搬送機構）
３２１ 第１部材
３２１ｃ 傾斜面
３２２ 第２部材
ＧＳ ギャップ空間（流路）
Ｓ 基板
Ｓａ 基板上面 1 Substrate Processing Apparatus 20 Developing Section 24 Air Nozzle (Gas Discharging Section)
30 rinse section 32 rinse liquid nozzle (liquid ejection section)
50 transport roller (transport mechanism)
321 First member 321c Inclined surface 322 Second member GS Gap space (flow path)
S Substrate Sa Substrate upper surface

Claims (9)

表面に第１処理液が付着した基板を、前記表面を上向きにして水平方向に沿った搬送方向に搬送する搬送機構と、
前記搬送方向と直交する幅方向における前記基板の全域に亘り前記表面に気体を吹き付けて、前記第１処理液を前記表面から除去する気体吐出部と、
前記気体吐出部からの前記気体が吹き付けられる位置よりも前記搬送方向における下流側の前記表面に対し、第２処理液を供給する液体吐出部と
を備え、
前記液体吐出部は、
前記基板の前記幅方向における一端部から他端部までをカバーするスリット状に開口し、前記表面の方向へ前記第２処理液を吐出する吐出口と、
前記吐出口の開口部の全体と対向するように前記吐出口の下方に設けられ、前記搬送方向の上流側から下流側に向かって下るように傾斜する平滑な傾斜面と
を有し、前記吐出口から吐出された前記第２処理液を前記傾斜面に沿って流下させることで、前記搬送方向の下流側に向かう方向の成分を有する薄層状の液流を前記傾斜面上に形成し、該液流を前記傾斜面の前記搬送方向における下流側端部から前記表面に流下させ、
前記下流側端部と前記表面との距離が、前記液流により前記表面に形成される液膜の厚さよりも大きく、
前記表面に対向する前記液体吐出部の下面が、前記表面に形成される液膜とは接触しない、基板処理装置。 a transport mechanism for transporting the substrate having the first processing liquid adhered to the surface in a transport direction along the horizontal direction with the surface facing upward;
a gas ejection unit for blowing gas onto the surface over the entire surface of the substrate in a width direction orthogonal to the transport direction to remove the first processing liquid from the surface;
a liquid ejection unit that supplies a second treatment liquid to the surface downstream in the transport direction from a position where the gas is blown from the gas ejection unit;
The liquid ejection part is
a slit-shaped ejection opening that covers from one end to the other end in the width direction of the substrate and ejects the second treatment liquid in the direction of the surface;
a smooth inclined surface that is provided below the ejection port so as to face the entire opening of the ejection port and that slopes downward from the upstream side to the downstream side in the conveying direction; By causing the second treatment liquid discharged from the outlet to flow down along the inclined surface, a thin-layered liquid flow having a component directed toward the downstream side in the conveying direction is formed on the inclined surface, causing a liquid flow to flow down to the surface from a downstream end of the inclined surface in the conveying direction ;
the distance between the downstream end and the surface is greater than the thickness of the liquid film formed on the surface by the liquid flow;
A substrate processing apparatus, wherein a lower surface of the liquid discharger facing the surface does not contact a liquid film formed on the surface. 表面に第１処理液が付着した基板を、前記表面を上向きにして水平方向に沿った搬送方向に搬送する搬送機構と、
前記搬送方向と直交する幅方向における前記基板の全域に亘り前記表面に気体を吹き付けて、前記第１処理液を前記表面から除去する気体吐出部と、
前記気体吐出部からの前記気体が吹き付けられる位置よりも前記搬送方向における下流側の前記表面に対し、第２処理液を供給する液体吐出部と
を備え、
前記液体吐出部は、
前記基板の前記幅方向における一端部から他端部までをカバーするスリット状に開口し、前記表面の方向へ前記第２処理液を吐出する吐出口と、
前記吐出口の開口部の全体と対向するように前記吐出口の下方に設けられ、前記搬送方向の上流側から下流側に向かって下るように傾斜する平滑な傾斜面と
を有し、
前記液体吐出部の下面は、前記搬送方向の下流側に向かって下る勾配を有するとともに最も低い部分で前記傾斜面の下流側端部と接続しており、
前記下流側端部と前記表面との距離が、前記幅方向に直交する方向における前記吐出口の開口サイズよりも大きい、基板処理装置。 a transport mechanism for transporting the substrate having the first processing liquid adhered to the surface in a transport direction along the horizontal direction with the surface facing upward;
a gas ejection unit for blowing gas onto the surface over the entire surface of the substrate in a width direction orthogonal to the transport direction to remove the first processing liquid from the surface;
a liquid ejection unit that supplies a second treatment liquid to the surface downstream in the transport direction from a position where the gas is blown from the gas ejection unit;
The liquid ejection part is
a slit-shaped ejection opening that covers from one end to the other end in the width direction of the substrate and ejects the second treatment liquid in the direction of the surface;
a smooth inclined surface that is provided below the ejection port so as to face the entire opening of the ejection port and that slopes downward from the upstream side to the downstream side in the conveying direction;
the lower surface of the liquid discharger has a gradient that descends toward the downstream side in the transport direction and is connected to the downstream end of the inclined surface at the lowest portion;
A substrate processing apparatus, wherein a distance between the downstream end portion and the surface is larger than an opening size of the ejection port in a direction orthogonal to the width direction. 表面に第１処理液が付着した基板を、前記表面を上向きにして水平方向に沿った搬送方向に搬送する搬送機構と、
搬送される前記基板に対して気体と液体とをそれぞれ吐出する複合ノズルと
を備え、
前記複合ノズルは、前記搬送方向と直交する幅方向における前記基板の全域に亘り前記表面に前記気体を吹き付けて、前記第１処理液を前記表面から除去する気体吐出部と、前記気体吐出部からの前記気体が吹き付けられる位置よりも前記搬送方向における下流側の前記表面に対し、前記液体として第２処理液を供給する液体吐出部とが一体化された構造を有し、
前記液体吐出部では、前記基板の前記幅方向における一端部から他端部までをカバーするスリット状に開口し前記表面の方向へ前記第２処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口の開口部の全体と対向するように前記吐出口の下方に設けられ前記搬送方向の上流側から下流側に向かって下るように傾斜する平滑な傾斜面とが設けられ、
前記気体吐出部では、前記吐出口に対し前記搬送方向の上流側に隣接して前記複合ノズルに設けられ前記複合ノズルの下面まで連通する空隙が前記気体の流路となる、
基板処理装置。 a transport mechanism for transporting the substrate having the first processing liquid adhered to the surface in a transport direction along the horizontal direction with the surface facing upward;
a composite nozzle for ejecting a gas and a liquid respectively onto the transported substrate;
The composite nozzle includes a gas discharger for blowing the gas onto the entire surface of the substrate in a width direction orthogonal to the transport direction to remove the first processing liquid from the surface, and and a liquid ejection part for supplying a second treatment liquid as the liquid to the surface on the downstream side in the transport direction from the position where the gas is sprayed,
The liquid ejection part has a slit-like ejection opening that covers from one end to the other end in the width direction of the substrate and ejects the second processing liquid toward the surface, and an opening of the ejection opening. a smooth inclined surface provided below the discharge port so as to face the entire part and inclined downward from the upstream side to the downstream side in the conveying direction;
In the gas discharge portion, a gap provided in the composite nozzle adjacent to the discharge port on the upstream side in the transport direction and communicating with the lower surface of the composite nozzle serves as the flow path of the gas.
Substrate processing equipment. 前記吐出口は、前記傾斜面の前記下流側端部よりも上方位置で開口する請求項１または２に記載の基板処理装置。 3. The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein said ejection port opens at a position above said downstream end of said inclined surface. 前記表面に対向する前記液体吐出部の下面と前記表面との距離は、前記下面のうち前記傾斜面の前記下流側端部との接続部分において最小である請求項１、２、４のいずれかに記載の基板処理装置。 5. The distance between the lower surface of the liquid discharger facing the surface and the surface is the smallest at a portion of the lower surface that is connected to the downstream end of the inclined surface. The substrate processing apparatus according to 1. 前記第２処理液が前記表面に着液する着液位置のうち前記搬送方向における最上流側端部が、前記傾斜面の前記下流側端部よりも前記搬送方向において下流側である請求項１、２、４、５のいずれかに記載の基板処理装置。 2. The most upstream end in the transport direction of the landing positions where the second treatment liquid lands on the surface is downstream in the transport direction from the downstream end of the inclined surface. 6. The substrate processing apparatus according to any one of 1, 2, 4, and 5. 前記液体吐出部は、断面形状が前記吐出口の開口形状と同一で前記吐出口に連通し、前記吐出口に向けて前記第２処理液を流通させる流路を有し、当該流路における前記第２処理液の流通方向が鉛直下向きである請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。 The liquid ejection part has a flow path having the same cross-sectional shape as the opening shape of the ejection port, communicates with the ejection port, and circulates the second treatment liquid toward the ejection port. 7. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the flow direction of the second processing liquid is vertically downward. 前記搬送方向において、前記気体吐出部と前記液体吐出部との間に前記気体を排出するための排気経路が設けられる請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置。 8. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein an exhaust path for exhausting the gas is provided between the gas discharger and the liquid discharger in the transport direction. 表面に第１処理液が付着した基板を、前記表面を上向きにして水平方向に沿った搬送方向に搬送しながら、前記搬送方向と直交する幅方向における前記基板の全域に亘り前記表面に気体を吹き付けて、前記第１処理液を前記表面から除去する第１処理工程と、
前記気体が吹き付けられる位置よりも前記搬送方向における下流側の前記表面に対し、液体吐出部から第２処理液を供給する第２処理工程と
を備え、
前記第２処理工程では、
前記基板の前記幅方向における一端部から他端部までをカバーするスリット状に開口する吐出口から前記表面の方向へ前記第２処理液を吐出させ、
前記吐出口から吐出された前記第２処理液を、前記吐出口の開口部の全体と対向するように前記吐出口の下方に設けた、前記搬送方向の上流側から下流側に向かって下るように傾斜する平滑な傾斜面に沿って流下させることで、前記搬送方向の下流側に向かう方向の成分を有する薄層状の液流を前記傾斜面上に形成し、該液流を前記傾斜面の前記搬送方向における下流側端部から前記表面に流下させ、
前記下流側端部と前記表面との距離を、前記液流により前記表面に形成される液膜の厚さよりも大きくすることで、前記表面に対向する前記液体吐出部の下面を前記表面に形成される液膜と接触させずに前記第２処理液を供給する、基板処理方法。 While transporting the substrate having the first processing liquid adhered to the surface thereof in a transport direction along the horizontal direction with the surface facing upward, a gas is applied to the surface over the entire area of the substrate in a width direction orthogonal to the transport direction. a first treatment step of spraying to remove the first treatment liquid from the surface;
a second treatment step of supplying a second treatment liquid from a liquid ejection part to the surface on the downstream side in the transport direction from the position where the gas is blown,
In the second treatment step,
discharging the second treatment liquid in the direction of the surface from a slit-shaped discharge opening covering from one end portion to the other end portion of the substrate in the width direction;
The second treatment liquid ejected from the ejection port is provided below the ejection port so as to face the entire opening of the ejection port so as to descend from the upstream side to the downstream side in the conveying direction. By flowing down along a smooth inclined surface that is inclined to the direction of flow down to the surface from the downstream end in the conveying direction ;
By setting the distance between the downstream end portion and the surface to be larger than the thickness of the liquid film formed on the surface by the liquid flow, the lower surface of the liquid ejecting portion facing the surface is the surface. and supplying the second processing liquid without contacting the liquid film formed on the substrate.

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