JP7236461B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM - Google Patents
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Description
本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。 The present disclosure relates to substrate processing apparatuses, substrate processing methods, and computer-readable recording media.
特許文献1は、基板に高濃度オゾン水を供給することにより、基板に付着している付着物(例えば、レジスト膜、汚染物、酸化膜など)を除去する基板処理装置を開示している。 Patent Literature 1 discloses a substrate processing apparatus that removes deposits (eg, resist film, contaminants, oxide film, etc.) adhering to a substrate by supplying high-concentration ozone water to the substrate.
高濃度オゾン水のオゾン濃度は短時間で減衰することが知られている。そこで、本開示は、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。 It is known that the ozone concentration of high-concentration ozonated water attenuates in a short time. Accordingly, the present disclosure describes a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer-readable recording medium capable of supplying ozone water with a stable ozone concentration to a substrate.
基板処理装置の一例は、オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、オゾンガスを調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部とを備える。 An example of a substrate processing apparatus includes an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas, an adjustment liquid supply unit configured to supply adjustment liquid exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration, and an ozone gas dissolved in the adjustment liquid. at least one processing chamber configured to perform a cleaning process on the substrate with the ozone water; and the at least one treatment of the ozone water from the dissolution unit through the liquid feed line. a liquid delivery section configured to deliver liquid to the chamber.
本開示に係る基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能となる。 According to the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the computer-readable recording medium according to the present disclosure, it is possible to supply ozone water with a stable ozone concentration to the substrate.
以下に、本開示に係る実施形態の一例について、図面を参照しつつより詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。 An example of an embodiment according to the present disclosure will be described below in more detail with reference to the drawings. In the following description, the same reference numerals will be used for the same elements or elements having the same functions, and redundant description will be omitted.
[基板処理システムの構成]
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。[Configuration of substrate processing system]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to this embodiment. Hereinafter, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis and Z-axis are defined to be orthogonal to each other, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertically upward direction.
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading/
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ(以下ウエハW)を水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
The loading/
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウエハWを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウエハWの搬送を行う。
The
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
The
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウエハWを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウエハWの搬送を行う。
The
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウエハWに対して所定の基板処理を行う。
The
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
The substrate processing system 1 also includes a
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
The program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウエハWを取り出し、取り出したウエハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウエハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the
処理ユニット16へ搬入されたウエハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウエハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
The wafer W loaded into the
[基板処理装置の構成]
続いて、図2~図4を参照して、基板処理システム1が含む基板処理装置10の構成を説明する。基板処理装置10は、ウエハWにオゾン水を供給して、ウエハWの表面に付着している付着物を除去する機能を有する。[Configuration of substrate processing apparatus]
Next, the configuration of the
ウエハWは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハWは、一部が切り欠かれた切り欠き部を有していてもよい。切り欠き部は、例えば、ノッチ(U字形、V字形等の溝)であってもよいし、直線状に延びる直線部(いわゆる、オリエンテーション・フラット)であってもよい。ウエハWは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、FPD(Flat Panel Display)基板その他の各種基板であってもよい。ウエハWの直径は、例えば200mm~450mm程度であってもよい。 The wafer W may have a disk shape, or may have a plate shape such as a polygonal shape other than a circular shape. The wafer W may have a cutout portion that is partially cut out. The notch may be, for example, a notch (a U-shaped, V-shaped groove, etc.) or a linear portion extending linearly (so-called orientation flat). The wafer W may be, for example, a semiconductor substrate, a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display) substrate, or other various substrates. The diameter of the wafer W may be, for example, approximately 200 mm to 450 mm.
基板処理装置10は、図2に示されるように、複数の処理ユニット16と、オゾン水供給部100と、アルカリ性溶液供給部200と、リンス液供給部300と、排液部400と、排気部500と、制御装置4(制御部18)とを備える。
As shown in FIG. 2, the
[処理ユニット]
処理ユニット16は、処理チャンバ16aと、回転保持部16bと、ノズルN1,N2とを含む。処理チャンバ16aは、図示しないゲートバルブを介してウエハWを出し入れ可能に構成されている。回転保持部16bは、ウエハWを保持して回転するように構成されており、処理チャンバ16a内に配置されている。[Processing unit]
The
ノズルN1,N2は、ウエハWが回転保持部16bに保持されている状態でウエハWの上方に位置するように、処理チャンバ16a内に配置されている。ノズルN1からはオゾン水が吐出される。ノズルN2からはリンス液が吐出される。なお、図2では、3つの処理ユニット16(16A~16C)が並んでいる様子を例示しているが、処理ユニット16の数は特に限定されない。すなわち、基板処理装置10は、少なくとも一つの処理ユニット16を備えていてもよい。
The nozzles N1 and N2 are arranged in the
[オゾン水供給部]
オゾン水供給部100は、オゾン水を生成する機能と、生成したオゾン水をウエハWにノズルN1を通じて供給する機能とを有する。オゾン水供給部100は、オゾンガス供給部110と、調整液供給部120と、溶解部130と、送液部140とを含む。[Ozonated water supply part]
The ozone
オゾンガス供給部110は、酸素からオゾンガスを生成するように構成されている。オゾンガス供給部110は、配管D1を介して溶解部130に接続されており、生成したオゾンガスを溶解部130に供給する。調整液供給部120は、液源121,122と、循環タンク123と、ポンプ124と、ヒータ125と、水素イオン濃度モニタ126と、バルブV1~V3とを含む。
The ozone
液源121は、酸性溶液を貯留するように構成されている。酸性溶液は、有機酸(例えば、クエン酸、酢酸、炭酸)の溶液であってもよいし、無機酸(例えば、塩酸、硝酸)の溶液であってもよいし、有機酸と無機酸とが混合された溶液であってもよい。有機酸と無機酸(例えば塩酸)とが混合されてなる酸性溶液を用いる場合、レジストの溶解性が高まりうる。液源121は、配管D2を介して循環タンク123に接続されており、酸性溶液を循環タンク123に供給する。
The
液源122は、水(例えば、純水、DIW(Deionized Water))を貯留するように構成されている。液源122は、配管D2,D3を介して循環タンク123に接続されており、水を循環タンク123に供給する。配管D3は、配管D2の中途に接続されていてもよい。この場合、配管D2,D3の合流部分において酸性溶液と水とが混合され、調整液が生成される。調整液は、所定の水素イオン濃度を示すように調整される。調整液の水素イオン濃度は、例えば、液源121から供給される酸性溶液の流量及び濃度と、液源122から供給される水の流量とに基づいて調整されてもよい。調整液の水素イオン濃度は、例えば、pH1~pH4程度であってもよい。
The
循環タンク123は、調整液を一時的に貯留しつつ、配管D4を通じて調整液を循環させるように構成されている。調整液が循環タンク123及び配管D4を通じて循環することで、循環の過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合されうる。
The
配管D4は、循環タンク123の下部と上部とをつないでいる。配管D4には、ポンプ124と、ヒータ125と、水素イオン濃度モニタ126と、バルブV3とが上流側から順に接続されている。ポンプ124は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D4を通じて循環タンク123内の調整液を下流側に送液するように構成されている。ヒータ125は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、調整液が所定温度(例えば、22℃~85℃程度)となるように調整液を加熱するように構成されている。
A pipe D4 connects the lower part and the upper part of the
水素イオン濃度モニタ126は、配管D4を流れる調整液の水素イオン濃度のデータを取得するように構成されている。水素イオン濃度モニタ126によって取得されたデータは、制御装置4に送信される。
The hydrogen
バルブV1~V3はそれぞれ、配管D2~D4の中途に設けられている。バルブV1は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D2を流れる酸性溶液の流量を制御するように構成されている。バルブV2は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D3を流れる水の流量を制御するように構成されている。
The valves V1 to V3 are provided midway along the pipes D2 to D4, respectively. The valve V1 is configured to operate based on a control signal from the
バルブV3は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、調整液が配管D4及び循環タンク123を循環する流路と、調整液が循環タンク123から配管D4,D5を通じて溶解部130に送液される流路とを切り替え可能に構成されている。バルブV3は、例えば、3方向電磁弁(ソレノイドバルブ)であってもよい。配管D5は、バルブV3と溶解部130とを接続している。
The valve V3 is operated based on a control signal from the
溶解部130は、オゾンガス供給部110から供給されたオゾンガスを、調整液供給部120から供給された調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成されている。溶解部130は、例えば、多孔質膜の1次側にオゾンガスを流し、多孔質膜の2次側に水を流すことで気液を接触させて、オゾンガスを水に溶解させる溶解モジュールであってもよい。
The dissolving unit 130 is configured to dissolve the ozone gas supplied from the ozone
送液部140は、溶解部130において生成されたオゾン水を、各処理ユニット16A~16C又は排液部400に送液する機能を有する。送液部140は、配管D6~D9(送液ライン)と、補助ヒータ141と、温度モニタ142と、オゾン濃度モニタ143と、バルブV4~V6とを含む。
The
配管D6は、溶解部130と排液部400とを接続するように延びている。配管D6には、補助ヒータ141と、温度モニタ142と、オゾン濃度モニタ143とが上流側から順に接続されている。補助ヒータ141は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、オゾン水が所定温度(例えば、22℃~85℃程度)となるようにオゾン水を加熱するように構成されている。温度モニタ142は、配管D6を流れるオゾン水の温度のデータを取得するように構成されている。温度モニタ142によって取得されたデータは、制御装置4に送信される。
The pipe D6 extends to connect the dissolving section 130 and the
オゾン濃度モニタ143は、配管D6を流れるオゾン水のオゾン濃度のデータを取得するように構成されている。すなわち、オゾン濃度モニタ143は、溶解部130の下流側におけるオゾン水のオゾン濃度のデータを取得する。オゾン濃度モニタ143によって取得されたデータは、制御装置4に送信される。オゾン濃度モニタ143は、溶解部130からオゾン濃度モニタ143までの経路長と、溶解部130から各処理ユニット16A~16Cまで(各ノズルN1まで)の各経路長とが略同等となる位置に設定されてもよい。
The ozone concentration monitor 143 is configured to acquire data on the ozone concentration of the ozone water flowing through the pipe D6. That is, the ozone concentration monitor 143 acquires data on the ozone concentration of the ozonized water on the downstream side of the dissolving section 130 . Data acquired by the ozone concentration monitor 143 is transmitted to the
配管D7~D9はそれぞれ、配管D6の中途から分岐して、各処理ユニット16A~16CのノズルN1に接続されている。配管D7,D8はそれぞれ、所定の経路長を確保するための調整部D7a,D8aを含んでいてもよい。調整部D7a,D8aは、例えば、配管D7,D8が部分的に蛇行したものであってもよいし、配管D7,D8が部分的に螺旋状に延びたものであってもよい。これらの調整部D7a,D8aの存在により、溶解部130から各処理ユニット16A~16Cまで(各ノズルN1まで)の各経路長がいずれも略同等とされてもよい。なお、配管D9も調整部を含んでいてもよい。
The pipes D7 to D9 branch off from the middle of the pipe D6 and are connected to the nozzles N1 of the
バルブV4~V6はそれぞれ、配管D7~D9の中途に設けられている。バルブV4~V6は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D7~D9を流れるオゾン水にアルカリ性溶液供給部200から供給されるアルカリ調整液を混合するように構成されている。バルブV4~V6は、例えば、混合水栓(ミキシングバルブ)であってもよい。
The valves V4 to V6 are provided in the middle of the pipes D7 to D9, respectively. The valves V4 to V6 are configured to operate based on control signals from the
[アルカリ性溶液供給部]
アルカリ性溶液供給部200は、アルカリ調整液を生成する機能と、生成したアルカリ調整液をウエハWにノズルN1を通じて供給する機能とを有する。アルカリ性溶液供給部200は、液源201,202と、循環タンク203と、ポンプ204と、ヒータ205と、水素イオン濃度モニタ206と、バルブV7,V8とを含む。[Alkaline solution supply part]
The alkaline
液源201は、アルカリ性溶液を貯留するように構成されている。アルカリ性溶液は、例えばアンモニア水であってもよい。液源201は、配管D10を介して循環タンク203に接続されており、アルカリ性溶液を循環タンク203に供給する。
The
液源202は、液源122と同様に、水(例えば、純水、DIW(Deionized Water))を貯留するように構成されている。液源202は、配管D10,D11を介して循環タンク203に接続されており、水を循環タンク203に供給する。配管D11は、配管D10の中途に接続されていてもよい。この場合、配管D10,D11の合流部分においてアルカリ性溶液と水とが混合され、アルカリ調整液が生成される。アルカリ調整液は、所定の水素イオン濃度を示すように調整される。調整液の水素イオン濃度は、例えば、液源201から供給されるアルカリ性溶液の流量及び濃度と、液源122から供給される水の流量とに基づいて調整されてもよい。アルカリ調整液の水素イオン濃度は、例えば、pH9~pH13程度であってもよい。
Like the
循環タンク203は、アルカリ調整液を一時的に貯留しつつ、配管D12を通じてアルカリ調整液を循環させるように構成されている。アルカリ調整液が循環タンク203及び配管D12を通じて循環することで、循環の過程で水とアルカリ性溶液とが十分均一に混合されうる。
The
配管D12は、循環タンク203の下部と上部とをつないでいる。配管D12には、ポンプ204と、ヒータ205と、水素イオン濃度モニタ206とが上流側から順に接続されている。ポンプ204は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D12を通じて循環タンク203内の調整液を下流側に送液するように構成されている。ヒータ205は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、アルカリ調整液が所定温度(例えば、22℃~85℃程度)となるようにアルカリ調整液を加熱するように構成されている。
A pipe D<b>12 connects the lower part and the upper part of the
水素イオン濃度モニタ206は、配管D12を流れるアルカリ調整液の水素イオン濃度のデータを取得するように構成されている。水素イオン濃度モニタ206によって取得されたデータは、制御装置4に送信される。
The hydrogen
配管D12には、その中途からそれぞれ分岐した配管D13~D15が接続されている。配管D12から分岐した配管D13は、バルブV4に接続されている。配管D13の下流側において配管D12から分岐した配管D14は、バルブV5に接続されている。配管D14の下流側において配管D12から分岐した配管D15は、バルブV6に接続されている。そのため、アルカリ性溶液供給部200から供給されるアルカリ調整液は、各バルブV4~V6において、オゾン水供給部100から供給されるオゾン水と混合される。
The pipe D12 is connected to pipes D13 to D15 branched from the middle thereof. A pipe D13 branched from the pipe D12 is connected to a valve V4. A pipe D14 branched from the pipe D12 on the downstream side of the pipe D13 is connected to the valve V5. A pipe D15 branched from the pipe D12 on the downstream side of the pipe D14 is connected to the valve V6. Therefore, the alkaline adjustment liquid supplied from the alkaline
バルブV7,V8はそれぞれ、配管D10,D11の中途に設けられている。バルブV7は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D10を流れるアルカリ性溶液の流量を制御するように構成されている。バルブV8は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D11を流れる水の流量を制御するように構成されている。
Valves V7 and V8 are provided in the middle of pipes D10 and D11, respectively. The valve V7 is configured to operate based on a control signal from the
[リンス液供給部]
リンス液供給部300は、リンス液をウエハWにノズルN2を通じて供給する機能を有する。リンス液供給部300は、液源301と、ポンプ302と、バルブV9~V11とを含む。液源301は、リンス液を貯留するように構成されている。リンス液は、例えば、薬液、基板に付着している付着物などを洗い流すためのものである。リンス液は、水(例えば、純水、DIW(Deionized Water))であってもよい。液源301は、配管D16~D19を介して各処理ユニット16A~16Cに向けて延びている。配管D17~D19はそれぞれ、配管D16の中途から分岐して、各処理ユニット16A~16CのノズルN2に接続されている。そのため、液源301から供給されるリンス液は、各処理ユニット16A~16CのノズルN2に供給される。[Rinse liquid supply part]
The rinse
ポンプ302は、配管D16の中途に設けられている。ポンプ302は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D16を通じてリンス液を下流側に送液するように構成されている。バルブV9~V11はそれぞれ、配管D17~D19の中途に設けられている。バルブV9~V11はそれぞれ、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D17~D19を流れるリンス液の流通量を制御するように構成されている。
The
[排液部]
排液部400は、排液処理ユニット401と、バルブV12とを含む。排液処理ユニット401は、オゾン水に含まれるオゾンを酸素に分解するように構成されている。オゾンの分解には、例えば、オゾン分解触媒、活性炭などを用いてもよい。排液処理ユニット401は、配管D6によって、溶解部130と接続されている。そのため、排液処理ユニット401には、配管D6を通じて、オゾン水供給部100において生成されたがノズルN1に供給されなかったオゾン水が流入する。バルブV12は、配管D6の中途に設けられている。バルブV12は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D16を流れるオゾン水の流量を制御するように構成されている。[Drainage part]
The
排液処理ユニット401は、三つに分岐された配管D20によって、各処理ユニット16A~16Cと接続されている。そのため、排液処理ユニット401には、配管D20を通じて、各処理ユニット16A~16CにおいてウエハWの洗浄処理に供されたオゾン水が流入する。排液処理ユニット401による処理済みの液体は、系外に排出される。
The waste
[排気部]
排気部500は、排気処理ユニット501と、ポンプ502とを含む。排気処理ユニット501は、オゾンガスを酸素に分解するように構成されている。オゾンの分解には、例えば、オゾン分解触媒、活性炭などを用いてもよい。排気処理ユニット501は、三つに分岐された配管D21によって、各処理ユニット16A~16Cと接続されている。そのため、排気処理ユニット501には、配管D21を通じて、各処理ユニット16A~16Cでの洗浄処理に際して内部に発生したオゾンガスが流入する。排気処理ユニット501による処理済みの気体は、系外に排出される。[Exhaust part]
The
ポンプ502は、配管D21の中途に設けられている。ポンプ502は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D21を通じてオゾンガスを下流側に送気するように構成されている。
The
[制御装置]
制御装置4は、例えば図3に示されるように、基板処理装置10を制御するための機能的な構成(機能モジュール)として、水素イオン濃度制御部M1と、送液制御部M2と、排液制御部M3と、排気制御部M4とを含む。これらの機能モジュールは、制御装置4の制御部18および記憶部19の協働により構成される。なお、記憶部19は、例えば、記録媒体RMから読み出したプログラム、ウエハWを処理する際の各種データ(いわゆる処理レシピ)、外部入力装置(図示せず)を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶していてもよい。[Control device]
As shown in FIG. 3, for example, the
水素イオン濃度制御部M1は、オゾン濃度モニタ143が取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部120において生成される調整液の水素イオン濃度を調節するように、調整液供給部120を制御してもよい。ところで、調整液の水素イオン濃度が高いほど(pHが低いほど)、調整液にオゾンガスが溶解しやすいことが知られている。そのため、例えば、オゾン濃度モニタ143が取得するオゾン濃度が所定値よりも低い場合には、水素イオン濃度制御部M1は、バルブV1,V2に指示して、液源121からの酸性溶液の供給量を増やすことと、液源122からの水の供給量を減らすこととの少なくとも一方を実行してもよい。例えば、オゾン濃度モニタ143が取得するオゾン濃度が所定値よりも高い場合には、水素イオン濃度制御部M1は、バルブV1,V2に指示して、液源121からの酸性溶液の供給量を減らすことと、液源122からの水の供給量を増やすこととの少なくとも一方を実行してもよい。
The hydrogen ion concentration control unit M1 controls the adjustment
水素イオン濃度制御部M1は、水素イオン濃度モニタ206が取得する水素イオン濃度に応じて、アルカリ性溶液供給部200において生成されるアルカリ調整液の水素イオン濃度を調節するように、アルカリ性溶液供給部200を制御してもよい。例えば、オゾン濃度モニタ143が取得する水素イオン濃度が所定値よりも高い場合には、水素イオン濃度制御部M1は、バルブV7,V8に指示して、液源201からのアルカリ性溶液の供給量を増やすことと、液源202からの水の供給量を減らすこととの少なくとも一方を実行してもよい。例えば、水素イオン濃度モニタ206が取得する水素イオン濃度が所定値よりも低い場合には、水素イオン濃度制御部M1は、バルブV7,V8に指示して、液源201からのアルカリ性溶液の供給量を減らすことと、液源202からの水の供給量を増やすこととの少なくとも一方を実行してもよい。
The hydrogen ion concentration control unit M1 controls the alkaline
送液制御部M2は、循環タンク123及び配管D4を通じた調整液の循環と、調整液の溶解部130への供給とを切り替えるように、ポンプ124及びバルブV3を制御してもよい。送液制御部M2は、温度モニタ142が取得する温度が所定値以上であり、水素イオン濃度モニタ126,206が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン濃度モニタ143が取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、溶解部130において生成されたオゾン水を処理ユニット16A~16Cの少なくとも一つに送液するように、ポンプ124及びバルブV3~V6を制御してもよい。このとき、送液制御部M2は、アルカリ性溶液供給部200において生成されたアルカリ調整液がオゾン水に混合されるように、バルブV3~V6を制御してもよい。送液制御部M2は、処理ユニット16A~16Cのいずれか一つにオゾン水が送液されている場合に、処理ユニット16A~16Cの残余にオゾン水を送液しないように、バルブV3~V6を制御してもよい。送液制御部M2は、液源301のリンス液を処理ユニット16A~16Cの少なくとも一つに送液するように、バルブV9~V11を制御してもよい。
The liquid transfer controller M2 may control the
排液制御部M3は、オゾン水が処理ユニット16A~16Cの少なくとも一つに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブV12を制御してもよい。排液制御部M3は、温度モニタ142が取得する温度が所定値未満であり、水素イオン濃度モニタ126,206が取得する水素イオン濃度が所定値未満であり、又は、オゾン濃度モニタ143が取得するオゾン濃度が所定値未満であるときに、溶解部130において生成されたオゾン水を系外に排出するようにバルブV12を制御してもよい。あるいは、排液制御部M3は、オゾン水が処理ユニット16A~16Cのいずれにも送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブV12を制御してもよい。
The liquid discharge controller M3 may control the valve V12 so as to discharge the ozone water to the outside of the system when the ozone water is not sent to at least one of the
排気制御部M4は、処理ユニット16A~16C内の気体を吸引して系外に排出するようにポンプ502を制御してもよい。
The exhaust controller M4 may control the
制御装置4のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。制御装置4は、ハードウェア上の構成として、例えば図4に示される回路4Aを有する。回路4Aは、電気回路要素(circuitry)で構成されていてもよい。回路4Aは、具体的には、プロセッサ4Bと、メモリ4C(記憶部)と、ストレージ4D(記憶部)と、入出力ポート4Eとを有する。プロセッサ4Bは、メモリ4C及びストレージ4Dの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート4Eを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート4Eは、プロセッサ4B、メモリ4C及びストレージ4Dと、基板処理装置10の各部との間で、信号の入出力を行う。
The hardware of the
基板処理装置10は、例えば、一つの制御装置4を備えていてもよいし、複数の制御装置4で構成されるコントローラ群(制御部)を備えていてもよい。基板処理装置10がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つの制御装置4によって実現されていてもよいし、2個以上の制御装置4の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置4が複数のコンピュータ(回路4A)で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ(回路4A)によって実現されていてもよいし、2つ以上のコンピュータ(回路4A)の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置4は、複数のプロセッサ4Bを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つ又は複数のプロセッサ4Bによって実現されていてもよい。
The
[基板処理方法]
続いて、図5を参照して、ウエハWの洗浄処理方法(基板処理方法)について説明する。まず、ウエハWを洗浄処理するための準備処理を行う(ステップS1参照)。準備処理では、送液制御部M2及び排液制御部M3が、水素イオン濃度モニタ126、温度モニタ142及びオゾン濃度モニタ143から入力されるデータに基づいて、ポンプ124及びバルブV12を制御する。[Substrate processing method]
Next, a cleaning processing method (substrate processing method) for the wafer W will be described with reference to FIG. First, a preparatory process for cleaning the wafer W is performed (see step S1). In the preparatory process, the liquid transfer control unit M2 and the liquid discharge control unit M3 control the
例えば、送液制御部M2及び排液制御部M3は、温度モニタ142及びオゾン濃度モニタ143が取得するデータのいずれもが所定値以上であるか否かを判断する。その結果、水素イオン濃度モニタ126、温度モニタ142及びオゾン濃度モニタ143が取得するデータのいずれかが所定値未満である場合には、オゾン水を処理ユニット16A~16Cに送液せず系外に排出するように、送液制御部M2がバルブV4~V6を閉鎖すると共に、排液制御部M3がバルブV12を開放する。
For example, the liquid supply control unit M2 and the liquid discharge control unit M3 determine whether or not the data acquired by the
水素イオン濃度モニタ126のデータが所定値未満である場合には、調整液の水素イオン濃度が所定値以上となるように、水素イオン濃度制御部M1がバルブV1,V2を制御してもよい。温度モニタ142のデータが所定値未満である場合には、調整液の温度が所定値以上となるように、制御装置4がヒータ125を制御してもよい。オゾン濃度モニタ143のデータが所定値未満である場合には、オゾン水のオゾン濃度が所定値以上となるように、水素イオン濃度制御部M1がバルブV1,V2を制御してもよい。
When the data of the hydrogen
一方、水素イオン濃度モニタ126、温度モニタ142及びオゾン濃度モニタ143が取得するデータのいずれもが所定値以上である場合には、送液制御部M2及び排液制御部M3は、ウエハWを洗浄処理するための準備が整ったものと判断する(準備処理完了)。
On the other hand, when all of the data acquired by the hydrogen
準備処理が完了すると、次に、ウエハWの搬送処理を行う(ステップS2参照)。例えば、キャリアC内の一つのウエハWを処理ユニット16Aに搬送するように、制御装置4が基板搬送装置13,17を制御する。これにより、処理ユニット16A内において、ウエハWが回転保持部16bに保持される。
When the preparation process is completed, next, the transfer process of the wafer W is performed (see step S2). For example, the
処理ユニット16AへのウエハWの搬送処理が完了すると、次に、処理ユニット16Aへのオゾン水の供給処理を行う(ステップS3参照)。例えば、オゾン水を処理ユニット16Aに送液するように送液制御部M2がバルブV4を開放し且つバルブV5,V6を閉鎖すると共に、排液制御部M3がバルブV12を閉鎖する。これにより、処理ユニット16A内のウエハWにノズルN1からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハWの洗浄処理が行われる。
When the transfer process of the wafer W to the
処理ユニット16Aへのオゾン水の供給処理と並行して、ウエハWの搬送処理を行う(ステップS3参照)。例えば、キャリアC内の一つのウエハWを処理ユニット16Bに搬送するように、制御装置4が基板搬送装置13,17を制御する。これにより、処理ユニット16B内において、ウエハWが回転保持部16bに保持される。
In parallel with the process of supplying the ozone water to the
処理ユニット16Aへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット16Aへのリンス液の供給処理を行う(ステップS4参照)。例えば、リンス液を処理ユニット16Aに送液するように送液制御部M2がバルブV9を開放し且つバルブV10,V11を閉鎖する。これにより、処理ユニット16A内のウエハWにノズルN2からリンス液が供給され、リンス液によるウエハWのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハWは、例えば、基板搬送装置13,17によってキャリアC内に戻されてもよい。
When the process of supplying the ozone water to the
処理ユニット16Aへのリンス液の供給処理と並行して、処理ユニット16Bへのオゾン水の供給処理を行う(ステップS4参照)。例えば、オゾン水を処理ユニット16Bに送液するように送液制御部M2がバルブV5を開放し且つバルブV4,V6を閉鎖すると共に、排液制御部M3がバルブV12を閉鎖する。これにより、処理ユニット16B内のウエハWにノズルN1からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハWの洗浄処理が行われる。なお、処理ユニット16Bへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット16A内へのオゾン水が停止された後に行われてもよいし、処理ユニット16Aへのリンス液の供給処理が開始された以後に行われてもよい。
In parallel with the process of supplying the rinsing liquid to the
処理ユニット16Aへのリンス液の供給処理と並行して、ウエハWの搬送処理を行う(ステップS4参照)。例えば、キャリアC内の一つのウエハWを処理ユニット16Cに搬送するように、制御装置4が基板搬送装置13,17を制御する。これにより、処理ユニット16C内において、ウエハWが回転保持部16bに保持される。
In parallel with the process of supplying the rinse liquid to the
処理ユニット16Bへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット16Bへのリンス液の供給処理を行う(ステップS5参照)。例えば、リンス液を処理ユニット16Bに送液するように送液制御部M2がバルブV10を開放し且つバルブV9,V11を閉鎖する。これにより、処理ユニット16B内のウエハWにノズルN2からリンス液が供給され、リンス液によるウエハWのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハWは、例えば、基板搬送装置13,17によってキャリアC内に戻されてもよい。
When the process of supplying the ozone water to the
処理ユニット16Bへのリンス液の供給処理と並行して、処理ユニット16Cへのオゾン水の供給処理を行う(ステップS5参照)。例えば、オゾン水を処理ユニット16Cに送液するように送液制御部M2がバルブV6を開放し且つバルブV4,V5を閉鎖すると共に、排液制御部M3がバルブV12を閉鎖する。これにより、処理ユニット16C内のウエハWにノズルN1からオゾン水が供給され、オゾン水によるウエハWの洗浄処理が行われる。なお、処理ユニット16Cへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット16B内へのオゾン水が停止された後に行われてもよいし、処理ユニット16Bへのリンス液の供給処理が開始された以後に行われてもよい。
In parallel with the process of supplying the rinsing liquid to the
処理ユニット16Cへのオゾン水の供給処理が完了すると、次に、処理ユニット16Cへのリンス液の供給処理を行う(ステップS6参照)。例えば、リンス液を処理ユニット16Cに送液するように送液制御部M2がバルブV11を開放し且つバルブV9,V10を閉鎖する。これにより、処理ユニット16C内のウエハWにノズルN2からリンス液が供給され、リンス液によるウエハWのリンス処理が行われる。リンス処理されたウエハWは、例えば、基板搬送装置13,17によってキャリアC内に戻されてもよい。
When the process of supplying the ozone water to the
[作用]
以上の例によれば、オゾン水の処理ユニット16への供給直前に溶解部130においてオゾン水が生成される。そのため、オゾン水のオゾン濃度が大きく減衰してしまう前に、オゾン水が処理ユニット16に供給される。従って、安定したオゾン濃度のオゾン水をウエハWに供給することが可能となる。[Action]
According to the above example, the ozonated water is generated in the dissolving section 130 immediately before the ozonized water is supplied to the
以上の例によれば、オゾン濃度モニタ143が取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部120において生成される調整液の水素イオン濃度が調節される。そのため、オゾン水のオゾン濃度を適切な値に保つことが可能となる。
According to the above example, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment
ところで、オゾン水のオゾン濃度は、溶解部130においてオゾン水が生成された直後から減衰しはじめる。そこで、以上の例によれば、溶解部130からオゾン濃度モニタ143までの経路長は、溶解部130から各処理ユニット16A~16Cまでの経路長と略同等とされうる。この場合、各処理ユニット16A~16Cに供給されるときのオゾン水のオゾン濃度を、オゾン濃度モニタ143によって間接的に取得することができる。従って、オゾン水によるウエハWの洗浄処理をより精度よく行うことが可能となる。
By the way, the ozone concentration of the ozonated water begins to attenuate immediately after the ozonated water is produced in the dissolving section 130 . Therefore, according to the above example, the path length from the dissolving section 130 to the ozone concentration monitor 143 can be substantially the same as the path length from the dissolving section 130 to each of the
以上の例によれば、溶解部130から各処理ユニット16A~16Cまでの経路長は略同等とされうる。そのため、オゾン水が溶解部130から各処理ユニット16A~16Cに到達するまでのオゾン濃度の減衰量が略同等となる。したがって、いずれの処理ユニット16でウエハWを洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。
According to the above example, the path lengths from the dissolving section 130 to the
以上の例によれば、調整液供給部は調整液を循環させるように構成されている。そのため、調整液が循環する過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合される。したがって、溶解部130においてオゾンガスを調整液に安定して溶解させることが可能となる。 According to the above example, the adjustment liquid supply section is configured to circulate the adjustment liquid. Therefore, the water and the acid solution are sufficiently uniformly mixed in the course of circulation of the adjustment liquid. Therefore, it is possible to stably dissolve the ozone gas in the adjustment liquid in the dissolving section 130 .
以上の例によれば、アルカリ性溶液供給部200が、バルブV4~V6を介してアルカリ調整液を配管D7~D9に供給しうる。この場合、オゾンガスの調整液への溶解性を低めるアルカリ性溶液が、オゾン水の生成後にオゾン水に混合される。そのため、オゾン水のオゾン濃度の低下を抑制しつつ、ウエハWに付着している付着物をアルカリ成分によっても除去することが可能となる。
According to the above example, the alkaline
以上の例によれば、水素イオン濃度モニタ126、温度モニタ142及びオゾン濃度モニタ143が取得するデータのいずれもが所定値以上である場合に、送液制御部M2及び排液制御部M3は、溶解部130において生成されたオゾン水を処理ユニット16A~16Cの少なくとも一つに送液するように、ポンプ124及びバルブV3~V6を制御しうる。この場合、処理ユニット16に供給されるオゾン水のオゾン濃度が、安定的に所定値以上に維持される。そのため、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。
According to the above example, when all of the data acquired by the hydrogen
以上の例によれば、処理ユニット16Bへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット16A内へのオゾン水が停止された後に行われ、処理ユニット16Cへのオゾン水の供給処理は、処理ユニット16B内へのオゾン水が停止された後に行われうる。すなわち、処理ユニット16A~16Cのうちいずれか一つにオゾン水が送液されている場合に、処理ユニット16A~16Cの残余にはオゾン水が送液されない。この場合、オゾン水によるウエハWの洗浄処理が各処理ユニット16A~16Cにおいて同時に行われない。そのため、安定したオゾン濃度のオゾン水が各処理ユニット16A~16Cに供給される。従って、いずれの処理ユニット16A~16CでウエハWを洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。
According to the above example, the process of supplying ozone water to the
以上の例によれば、排液制御部M3は、オゾン水が処理ユニット16A~16Cの少なくとも一つに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するようにバルブV12を制御しうる。この場合、オゾン水が配管D6~D9(送液ライン)に滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。
According to the above example, the liquid discharge controller M3 can control the valve V12 so as to discharge the ozone water to the outside of the system when the ozone water is not sent to at least one of the
[変形例]
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。[Modification]
Although the embodiments according to the present disclosure have been described in detail above, various modifications may be made to the above embodiments without departing from the scope and spirit of the claims.
(1)図6に示されるように、調整液供給部120は、循環タンク123等を含んでおらず、液源121からの酸性溶液と液源122からの水とが混合された調整液を循環させることなく直ちに溶解部130に供給してもよい。この場合、液源121,122はそれぞれ、配管D2,D3を介してバルブV13に接続されていてもよい。配管D2にはバルブV1が設けられていてもよい。配管D3にはバルブV2とヒータ125とが上流側からこの順に設けられていてもよい。バルブV13は、制御装置4からの制御信号に基づいて動作し、配管D2を流れる酸性溶液と配管D3を流れる水とを混合するように構成されていてもよい。バルブV13は、例えば、混合水栓(ミキシングバルブ)であってもよい。
(1) As shown in FIG. 6, the adjustment
(2)溶解部130は、複数の溶解モジュールが直列に接続されたものであってもよい。この場合、上流側の溶解モジュールにおいて調整液に溶解しなかったオゾンガスを下流側の溶解モジュールに供給して調整液にさらに溶解させることができる。そのため、より高いオゾン濃度のオゾン水を生成することが可能となる。溶解部130は、複数の溶解モジュールが並列に接続されたものであってもよい。この場合、溶解モジュールで生成されるオゾン水の流量を増やすことが可能となる。 (2) The dissolving section 130 may be composed of a plurality of dissolving modules connected in series. In this case, the ozone gas that has not been dissolved in the adjustment liquid in the upstream dissolution module can be supplied to the downstream dissolution module and further dissolved in the adjustment liquid. Therefore, it is possible to generate ozone water with a higher ozone concentration. The dissolving section 130 may be formed by connecting a plurality of dissolving modules in parallel. In this case, it is possible to increase the flow rate of the ozonized water generated by the dissolving module.
(3)オゾン水の温度が高いほど、オゾンとウエハWの表面に付着している付着物との反応性が高まる傾向にある一方で、オゾン水に溶存しているオゾンが気体となって放散してしまいオゾン水のオゾン濃度が低下する傾向にある。そこで、処理ユニット16は、ノズルN1から吐出されたオゾン水をウエハWの直上において加熱するように構成された加熱源をさらに含んでいてもよい。この場合、ウエハWへの吐出の直前まではオゾン水の温度が相対的に低いので、高濃度のオゾン水をウエハWに供給することができる。また、ノズルN1から吐出されたオゾン水がウエハWの直上において加熱されることで、オゾン水からのオゾンガスの放散を最小限に抑えつつ、ウエハWの付着物に対するオゾンの反応性を高めることができる。従って、ウエハWに付着している付着物を極めて効果的に除去することが可能となる。
(3) The higher the temperature of the ozonated water, the higher the reactivity between the ozone and the deposits adhering to the surface of the wafer W, while the ozone dissolved in the ozonized water becomes gas and diffuses. As a result, the ozone concentration of the ozonized water tends to decrease. Therefore, the
加熱源は、例えば、ウエハWを裏面側から加熱するヒータであってもよいし、ウエハWの裏面に高温の温水又は蒸気を吹き付ける加熱流体供給機構であってもよい。これらの場合、処理ユニット16内において、ウエハWが回転保持部16bに吸着保持されていてもよいし、ウエハWの周縁が物理的に保持されてもよい(いわゆる、メカニカルチャックによってウエハWが保持されてもよい)。
The heating source may be, for example, a heater that heats the wafer W from the back surface side, or a heating fluid supply mechanism that sprays high-temperature hot water or steam onto the back surface of the wafer W. FIG. In these cases, within the
加熱源は、例えば、電磁誘導によって加熱される被加熱体であってもよい。この場合、処理ユニット16内において、ウエハWは被加熱体に支持される。
The heating source may be, for example, a heated body that is heated by electromagnetic induction. In this case, the wafer W is supported by the object to be heated in the
加熱源は、例えば、ノズルN1に供給される直前のオゾン水を高速昇温するように構成されたヒータであってもよい。 The heating source may be, for example, a heater configured to rapidly heat the ozone water just before it is supplied to the nozzle N1.
処理ユニット16は、複数のウエハWを一つの処理槽において同時に処理するバッチ式のチャンバであってもよい。この場合、加熱源は、処理槽に供給される直前のオゾン水を高速昇温するように構成されたヒータであってもよい。
The
(4)処理ユニット16は、紫外線等のエネルギー線を照射するように構成された照射部をさらに含んでいてもよい。制御装置4はオゾン水によるウエハWの洗浄処理中にウエハWに対してエネルギー線を照射するように、照射部を制御するようにしてもよい。この場合、ウエハWの表面に付着している付着物をより効果的に除去することが可能となる。
(4) The
(5)全ての処理ユニット16においてウエハWの洗浄処理が当面行われないような場合(洗浄処理が終了してから所定時間以上が経過する場合)には、排液部400を介してオゾン水を系外に排液することに代えて、オゾン水供給部100におけるオゾン水の生成を停止してもよい。
(5) When the cleaning process of the wafer W is not performed in any of the
[例示]
例1.基板処理装置の一例は、オゾンガスを供給するように構成されたオゾンガス供給部と、所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、オゾンガスを調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部とを備える。この場合、オゾン水の処理チャンバへの供給直前に溶解部においてオゾン水が生成される。そのため、オゾン水のオゾン濃度が大きく減衰してしまう前に、オゾン水が処理チャンバに供給される。従って、安定したオゾン濃度のオゾン水を基板に供給することが可能となる。[Example]
Example 1. An example of a substrate processing apparatus includes an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas, an adjustment liquid supply unit configured to supply adjustment liquid exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration, and an ozone gas dissolved in the adjustment liquid. at least one processing chamber configured to perform a cleaning process on the substrate with the ozone water; and the at least one treatment of the ozone water from the dissolution unit through the liquid feed line. a liquid delivery section configured to deliver liquid to the chamber. In this case, the ozonated water is generated in the dissolving section immediately before the ozonated water is supplied to the processing chamber. Therefore, the ozonated water is supplied to the processing chamber before the ozone concentration of the ozonized water is greatly attenuated. Therefore, it is possible to supply ozone water with a stable ozone concentration to the substrate.
例2.例1の装置は、送液ラインと接続されており、オゾン水を系外に排出するように構成された排液部をさらに備えていてもよい。この場合、溶解部においてオゾン水を継続的に生成しておき、オゾン水による基板の洗浄処理を行わない場合には排液部からオゾン水を排出することができる。そのため、オゾン水が送液ラインに滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。 Example 2. The apparatus of Example 1 may further include a drain section connected to the liquid feed line and configured to drain the ozone water out of the system. In this case, the ozonized water can be continuously generated in the dissolving section, and the ozonized water can be discharged from the draining section when the substrate is not washed with the ozonated water. Therefore, it becomes difficult for the ozonated water to stay in the liquid feeding line, so that the ozone concentration of the ozonized water can be further stabilized.
例3.例1又は例2の装置は、送液ラインに設けられており、溶解部の下流側におけるオゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタをさらに備えていてもよい。 Example 3. The apparatus of Example 1 or Example 2 may further include an ozone concentration monitor provided in the liquid feed line and configured to acquire the ozone concentration of the ozone water downstream of the dissolving section.
例4.例3の装置は、オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度に応じて、調整液供給部において生成される調整液の水素イオン濃度を調節するように、調整液供給部を制御する処理を実行する制御部をさらに備えていてもよい。ところで、調整液の水素イオン濃度が高いほど(pHが小さいほど)オゾンガスが当該調整液に溶解しやすく、調整液の水素イオン濃度が低いほど(pHが大きいほど)オゾンガスが当該調整液に溶解しにくい傾向にある。そのため、オゾン濃度モニタが取得したオゾン濃度に応じて調整液の水素イオン濃度を調節するようフィードバック制御することで、オゾン水のオゾン濃度を適切な値に保つことが可能となる。 Example 4. The apparatus of Example 3 controls the adjustment liquid supply unit so as to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit according to the ozone concentration obtained by the ozone concentration monitor. A part may be further provided. By the way, the higher the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid (the lower the pH), the easier the ozone gas dissolves in the adjustment liquid, and the lower the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid (the higher the pH), the more easily the ozone gas dissolves in the adjustment liquid. tends to be difficult. Therefore, it is possible to keep the ozone concentration of the ozone water at an appropriate value by performing feedback control so as to adjust the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor.
例5.例3又は例4の装置において、溶解部からオゾン濃度モニタまでの送液ラインの経路長は、溶解部から少なくとも一つの処理チャンバまでの送液ラインの経路長と略同等であってもよい。オゾン水のオゾン濃度は、溶解部においてオゾン水が生成された直後から減衰しはじめる。そのため、溶解部から少なくとも一つの処理チャンバまでの送液ラインの経路長と同等の位置にオゾン濃度モニタを設けておくことにより、少なくとも一つの処理チャンバに供給されるときのオゾン水のオゾン濃度を間接的に取得することができる。従って、オゾン水による基板の洗浄処理をより精度よく行うことが可能となる。 Example 5. In the apparatus of Example 3 or Example 4, the path length of the liquid delivery line from the dissolving section to the ozone concentration monitor may be substantially equal to the path length of the liquid delivery line from the dissolving section to the at least one processing chamber. The ozone concentration of the ozonized water begins to attenuate immediately after the ozonized water is produced in the dissolving section. Therefore, by providing an ozone concentration monitor at a position equivalent to the path length of the liquid feed line from the dissolving part to at least one processing chamber, the ozone concentration of the ozonized water when supplied to at least one processing chamber can be monitored. Can be obtained indirectly. Therefore, it becomes possible to perform the cleaning process of the substrate with the ozone water with higher accuracy.
例6.例1~例5のいずれかの装置において、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された第1及び第2の処理チャンバを含み、送液ラインは、溶解部から第1の処理チャンバと第2の処理チャンバとのそれぞれに向けて分岐して延びており、送液ラインのうち溶解部から第1の処理チャンバまでの経路長は、送液ラインのうち溶解部から第2の処理チャンバまでの経路長と略同等であってもよい。この場合、オゾン水が溶解部から第1の処理チャンバに到達するまでのオゾン濃度の減衰量と、オゾン水が溶解部から第2の処理チャンバに到達するまでのオゾン濃度の減衰量とが略同等となる。そのため、第1及び第2の処理チャンバのどちらで基板を洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。 Example 6. In the apparatus of any one of Examples 1 to 5, the at least one processing chamber includes first and second processing chambers configured to clean the substrate with ozone water, and the liquid feed line is connected to the dissolving section to the first processing chamber and the second processing chamber. may be approximately equal to the path length from the unit to the second processing chamber. In this case, the attenuation amount of the ozone concentration until the ozone water reaches the first processing chamber from the dissolving section and the attenuation amount of the ozone concentration until the ozone water reaches the second processing chamber from the dissolving section are substantially equal. be equivalent. Therefore, a uniform cleaning result can be obtained regardless of whether the substrate is cleaned in the first or second processing chamber.
例7.例1~例6のいずれかの装置において、調整液供給部は、水と酸性溶液とを混合して調整液を生成するように構成されていてもよい。 Example 7. In the apparatus of any of Examples 1-6, the conditioning liquid supply may be configured to mix water and an acidic solution to produce the conditioning liquid.
例8.例7の装置において、調整液供給部は調整液を循環させるように構成されていてもよい。この場合、調整液が循環する過程で水と酸性溶液とが十分均一に混合される。そのため、溶解部においてオゾンガスを調整液に安定して溶解させることが可能となる。 Example 8. In the apparatus of Example 7, the adjustment liquid supply may be configured to circulate the adjustment liquid. In this case, the water and the acid solution are sufficiently uniformly mixed during the circulation of the adjustment liquid. Therefore, it is possible to stably dissolve the ozone gas in the adjustment liquid in the dissolving section.
例9.例1~例8のいずれかの装置は、アルカリ性溶液を送液ラインに供給するように構成されたアルカリ性溶液供給部をさらに備えていてもよい。この場合、オゾンガスの調整液への溶解性を低めるアルカリ性溶液が、オゾン水の生成後にオゾン水に混合される。そのため、オゾン水のオゾン濃度の低下を抑制しつつ、基板に付着している付着物をアルカリ成分によっても除去することが可能となる。 Example 9. The apparatus of any of Examples 1-8 may further comprise an alkaline solution supply configured to supply an alkaline solution to the liquid feed line. In this case, an alkaline solution that reduces the solubility of ozone gas in the adjustment liquid is mixed with the ozone water after the ozone water is produced. Therefore, it becomes possible to remove the deposits adhering to the substrate with the alkaline component while suppressing the decrease in the ozone concentration of the ozone water.
例10.例1~例9のいずれかの装置は、調整液又はオゾン水の温度を取得するように構成された温度モニタと、調整液の水素イオン濃度を取得するように構成された水素イオン濃度モニタと、オゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタと、温度モニタが取得する温度が所定値以上であり、水素イオン濃度が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、オゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液するように送液部を制御する処理を実行する制御部とをさらに備えていてもよい。この場合、少なくとも一つの処理チャンバに供給されるオゾン水のオゾン濃度が、安定的に所定値以上に維持される。そのため、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。 Example 10. The apparatus of any one of Examples 1-9 includes a temperature monitor configured to obtain the temperature of the conditioning liquid or ozone water and a hydrogen ion concentration monitor configured to obtain the hydrogen ion concentration of the conditioning liquid. an ozone concentration monitor configured to acquire the ozone concentration of the ozonated water; a temperature acquired by the temperature monitor is equal to or greater than a predetermined value; and a hydrogen ion concentration acquired by the hydrogen ion concentration is equal to or greater than a predetermined value; a control unit that controls the liquid sending unit to send the ozone water from the dissolving unit to at least one processing chamber when the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor is equal to or higher than a predetermined value. may be In this case, the ozone concentration of the ozone water supplied to at least one processing chamber is stably maintained at a predetermined value or higher. Therefore, it is possible to obtain a uniform cleaning result.
例11.例1~例10のいずれかの装置は、制御部をさらに備え、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、送液ラインは、溶解部から複数の処理チャンバのそれぞれに向けて分岐して延びており、送液部は、送液ラインを通じてオゾン水を溶解部から複数の処理チャンバのそれぞれに送液するように構成されており、制御部は、複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバにオゾン水が送液されている場合に、複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバにオゾン水を送液しないように送液部を制御する処理を実行してもよい。この場合、オゾン水による基板の洗浄処理が各チャンバにおいて同時に行われない。そのため、安定したオゾン濃度のオゾン水が各チャンバに供給される。従って、いずれの処理チャンバで基板を洗浄処理しても、均一な洗浄結果を得ることが可能となる。 Example 11. The apparatus of any one of Examples 1 to 10 further includes a control unit, at least one processing chamber includes a plurality of processing chambers configured to clean the substrate with ozone water, and the liquid feed line comprises: The dissolving section branches toward each of the plurality of processing chambers, and the liquid feeding section is configured to feed the ozone water from the dissolving section to each of the plurality of processing chambers through the liquid feeding line. , the control unit controls the liquid sending unit so that, when the ozone water is being sent to one of the plurality of processing chambers, the ozone water is not sent to the remaining processing chambers of the plurality of processing chambers. You may perform the process to control. In this case, the cleaning process of the substrate with ozone water is not performed simultaneously in each chamber. Therefore, ozone water with a stable ozone concentration is supplied to each chamber. Therefore, a uniform cleaning result can be obtained regardless of which processing chamber the substrate is cleaned.
例12.例1~例11のいずれかの装置は、送液ラインに設けられており、オゾン水を系外に排出するように構成された排液部と、オゾン水が少なくとも一つの処理チャンバに送液されない場合に、オゾン水を系外に排出するように排液部を制御する処理を実行する制御部とをさらに備えていてもよい。この場合、オゾン水が送液ラインに滞留し難くなるので、オゾン水のオゾン濃度をより安定化させることが可能となる。 Example 12. The apparatus according to any one of Examples 1 to 11 is provided in the liquid feeding line, and has a drainage section configured to discharge the ozonized water to the outside of the system, and the ozonated water to be fed to at least one processing chamber. and a control unit that executes a process of controlling the drain unit so as to discharge the ozone water to the outside of the system when the ozone water is not discharged. In this case, it becomes difficult for the ozonized water to stay in the liquid feeding line, so that the ozone concentration of the ozonized water can be further stabilized.
例13.基板処理方法の一例は、オゾンガスと所定の水素イオン濃度を示す調整液とを溶解部に供給し、オゾンガスを調整液に溶解させることによりオゾン水を生成することと、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバに、送液ラインを通じて溶解部からオゾン水を送液することとを含む。この場合、例1の装置と同様の作用効果を奏する。 Example 13. An example of a substrate processing method includes supplying ozone gas and an adjustment liquid having a predetermined hydrogen ion concentration to a dissolution unit, dissolving the ozone gas in the adjustment liquid to generate ozone water, and cleaning the substrate with the ozone water. feeding the ozonated water from the dissolving section through the liquid feeding line into at least one processing chamber configured to do so. In this case, the same effects as those of the device of Example 1 are obtained.
例14.例13の方法は、送液ラインを流れるオゾン水のオゾン濃度に応じて調整液の水素イオン濃度を調節することをさらに含んでいてもよい。この場合、例4の装置と同様の作用効果を奏する。 Example 14. The method of Example 13 may further include adjusting the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid according to the ozone concentration of the ozone water flowing through the liquid feed line. In this case, the same effects as those of the device of Example 4 are obtained.
例15.例13又は例14の方法において、オゾン水を送液することは、調整液又はオゾン水の温度が所定値以上であり、調整液の水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン水のオゾン濃度が所定値以上であるときに、オゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液することを含んでいてもよい。この場合、例10の装置と同様の作用効果を奏する。 Example 15. In the method of Example 13 or Example 14, when the ozonized water is sent, the temperature of the adjustment liquid or the ozonized water is equal to or higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid is equal to or higher than the predetermined value, and the ozonized water is The method may include sending ozonated water from the dissolving unit to the at least one processing chamber when the ozone concentration is equal to or greater than a predetermined value. In this case, the same effects as those of the device of Example 10 are obtained.
例16.例13~例15のいずれかの方法において、少なくとも一つの処理チャンバは、オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された複数の処理チャンバを含み、オゾン水を送液することは、複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバにオゾン水が送液している場合に、複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバにオゾン水を送液しないことを含んでいてもよい。この場合、例11の装置と同様の作用効果を奏する。 Example 16. The method of any one of Examples 13-15, wherein the at least one processing chamber includes a plurality of processing chambers configured to clean the substrate with ozonated water, and sending the ozonated water comprises a plurality of It may include not feeding the ozone water to the remaining processing chambers of the plurality of processing chambers when the ozone water is being fed to one of the processing chambers. In this case, the same effects as those of the device of Example 11 are obtained.
例17.例13~例16のいずれかの方法は、オゾン水が少なくとも一つの処理チャンバに送液されていない場合に、オゾン水を系外に排出することをさらに含んでいてもよい。この場合、例12の装置と同様の作用効果を奏する。 Example 17. The method of any one of Examples 13 to 16 may further include discharging the ozonated water out of the system when the ozonated water is not being sent to the at least one processing chamber. In this case, the same effect as the apparatus of Example 12 is obtained.
例18.コンピュータ読み取り可能な記録媒体の一例は、例13~例17のいずれかの基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録している。この場合、例13~例17のいずれかの方法と同様の作用効果を奏する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、一時的でない有形の媒体(non-transitory computer recording medium)(例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置)であってもよいし、伝播信号(transitory computer recording medium)(例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号)であってもよい。 Example 18. An example of a computer-readable recording medium records a program for causing a substrate processing apparatus to execute any of the substrate processing methods of Examples 13-17. In this case, the same effects as those of any one of Examples 13 to 17 are obtained. In this specification, the computer-readable recording medium may be a non-transitory computer recording medium (for example, various main storage devices or auxiliary storage devices), or a propagated signal ( transitory computer recording medium) (eg, a data signal that can be provided over a network).
1…基板処理システム、3…処理ステーション、4…制御装置、10…基板処理装置、16…処理ユニット、18…制御部、100…オゾン水供給部、110…オゾンガス供給部、120…調整液供給部、126…水素イオン濃度モニタ、130…溶解部、140…送液部、142…温度モニタ、143…オゾン濃度モニタ、200…アルカリ性溶液供給部、300…リンス液供給部、400…排液部、500…排気部、D6~D9…配管(送液ライン)、RM…記録媒体。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...
Claims (10)
有機酸及び/又は無機酸の溶液である酸性溶液と水とが混合されることで生成された所定の水素イオン濃度を示す調整液を供給するように構成された調整液供給部と、
前記オゾンガスを前記調整液に溶解させてオゾン水を生成するように構成された溶解部と、
前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバと、
送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバに送液するように構成された送液部と、
前記送液ラインに設けられており、前記溶解部の下流側における前記オゾン水のオゾン濃度を取得するように構成されたオゾン濃度モニタと、
前記調整液又は前記オゾン水の温度を取得するように構成された温度モニタと、
前記調整液の水素イオン濃度を取得するように構成された水素イオン濃度モニタと、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度に応じて、前記酸性溶液の供給量及び/又は前記水の供給量を増減することにより、前記調整液供給部において生成される前記調整液の水素イオン濃度を調節して、前記オゾン濃度を適切な値に保つように、前記調整液供給部を制御する処理と、
前記温度モニタが取得する温度が所定値以上であり、前記水素イオン濃度が取得する水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、前記オゾン濃度モニタが取得するオゾン濃度が所定値以上であるときに、前記オゾン水を前記溶解部から前記少なくとも一つの処理チャンバに送液するように前記送液部を制御する処理とを実行するように構成されている、基板処理装置。 an ozone gas supply unit configured to supply ozone gas;
an adjustment liquid supply unit configured to supply an adjustment liquid having a predetermined hydrogen ion concentration generated by mixing an acidic solution, which is a solution of an organic acid and/or an inorganic acid, with water;
a dissolving unit configured to dissolve the ozone gas in the adjustment liquid to generate ozone water;
at least one processing chamber configured to clean a substrate with the ozonated water;
a liquid sending unit configured to send the ozone water from the dissolving unit to the at least one processing chamber through a liquid sending line;
an ozone concentration monitor provided in the liquid sending line and configured to acquire the ozone concentration of the ozone water downstream of the dissolving section;
a temperature monitor configured to acquire the temperature of the adjustment liquid or the ozone water;
a hydrogen ion concentration monitor configured to acquire the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid;
and a control unit,
The control unit
By increasing or decreasing the supply amount of the acidic solution and/or the supply amount of the water according to the ozone concentration acquired by the ozone concentration monitor, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid generated in the adjustment liquid supply unit is increased. a process of controlling the adjustment liquid supply unit so as to adjust and keep the ozone concentration at an appropriate value;
When the temperature obtained by the temperature monitor is equal to or higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration obtained by the hydrogen ion concentration is equal to or higher than a predetermined value, and the ozone concentration obtained by the ozone concentration monitor is equal to or higher than a predetermined value. , a substrate processing apparatus configured to perform a process of controlling the liquid sending unit so as to send the ozone water from the dissolving unit to the at least one processing chamber.
前記送液ラインは、前記溶解部から前記第1の処理チャンバと前記第2の処理チャンバとのそれぞれに向けて分岐して延びており、
前記送液ラインのうち前記溶解部から前記第1の処理チャンバまでの経路長は、前記送液ラインのうち前記溶解部から前記第2の処理チャンバまでの経路長と略同等である、請求項1~4のいずれか一項に記載の装置。 the at least one processing chamber includes first and second processing chambers configured to clean the substrate with the ozone water;
the liquid sending line branches and extends from the dissolving section toward each of the first processing chamber and the second processing chamber;
3. A path length of said liquid feeding line from said dissolving section to said first processing chamber is substantially equal to a path length of said liquid feeding line from said dissolving section to said second processing chamber. 5. Apparatus according to any one of claims 1-4.
前記送液ラインは、前記溶解部から前記複数の処理チャンバのそれぞれに向けて分岐して延びており、
前記送液部は、前記送液ラインを通じて前記オゾン水を前記溶解部から前記複数の処理チャンバのそれぞれに送液するように構成されており、
前記制御部は、前記複数の処理チャンバのうち一の処理チャンバに前記オゾン水が送液されている場合に、前記複数の処理チャンバのうち残余の処理チャンバに前記オゾン水を送液しないように前記送液部を制御する処理をさらに実行するように構成されている、請求項1~7のいずれか一項に記載の装置。 the at least one processing chamber includes a plurality of processing chambers configured to clean the substrate with the ozone water;
the liquid sending line branches and extends from the dissolving section toward each of the plurality of processing chambers,
The liquid sending unit is configured to send the ozone water from the dissolving unit to each of the plurality of processing chambers through the liquid sending line,
When the ozonized water is being sent to one of the plurality of processing chambers, the control unit prevents the ozonated water from being sent to the remaining processing chambers of the plurality of processing chambers. The device according to any one of claims 1 to 7 , further configured to perform a process of controlling the liquid delivery section.
前記オゾン水によって基板を洗浄処理するように構成された少なくとも一つの処理チャンバに、送液ラインを通じて前記溶解部から前記オゾン水を送液することと、
生成された前記オゾン水のオゾン濃度に応じて、前記酸性溶液の供給量及び/又は前記水の供給量を増減することにより、前記調整液の水素イオン濃度を調節して、前記オゾン濃度を適切な値に保つこととを含み、
前記オゾン水を送液することは、調整液又はオゾン水の温度が所定値以上であり、調整液の水素イオン濃度が所定値以上であり、且つ、オゾン水のオゾン濃度が所定値以上であるときに、オゾン水を溶解部から少なくとも一つの処理チャンバに送液することを含む、基板処理方法。 Ozone gas and an adjustment liquid exhibiting a predetermined hydrogen ion concentration generated by mixing an acidic solution, which is a solution of an organic acid and/or an inorganic acid, and water are supplied to the dissolving unit, and the ozone gas is adjusted to the adjustment. generating ozone water by dissolving in a liquid;
sending the ozone water from the dissolving unit through a liquid sending line to at least one processing chamber configured to clean a substrate with the ozone water;
By increasing or decreasing the supply amount of the acidic solution and/or the supply amount of the water according to the ozone concentration of the generated ozone water, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid is adjusted to appropriately adjust the ozone concentration. and keeping it at a reasonable value;
The ozonated water is sent when the temperature of the adjustment liquid or the ozonized water is equal to or higher than a predetermined value, the hydrogen ion concentration of the adjustment liquid is equal to or higher than the predetermined value, and the ozone concentration of the ozonized water is equal to or higher than the predetermined value. A method of processing a substrate, sometimes comprising pumping ozonated water from a dissolution section to at least one processing chamber.
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