JP7229014B2 - 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が高いほど前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離を短くするように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜装置である。
また、本発明は、以下の構成を採用する。すなわち、
成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が第1の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が第1の距離となるように、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させ、
前記スパッタリング領域の近傍の圧力が前記第1の圧力よりも高い第2の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が前記第1の距離よりも小さい第2の距離となるように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させて前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜装置である。
成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバであって、気体を前記チャンバから排出する排気口を備えるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域と前記排気口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を長くするように、前記スパッタリング領域と前記排気口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜装置である。
成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバであって、気体を前記チャンバから排出する排気口と前記気体を前記チャンバ内に導入する導入口とを備えるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域と前記導入口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を短くするように、前記スパッタリング領域と前記導入口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜装置である。
成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が高いほど前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離を短くするように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜方法である。
成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が第1の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が第1の距離となるように、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させ、
前記スパッタリング領域の近傍の圧力が前記第1の圧力よりも高い第2の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が前記第1の距離よりも小さ
い第2の距離となるように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させて前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜方法である。
成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバであって、気体を前記チャンバから排出する排気口を備えるチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域と前記排気口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を長くするように、前記スパッタリング領域と前記排気口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜方法である。
また、本発明は、また以下の構成を採用する。すなわち、
成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバであって、気体を前記チャンバから排出する排気口と前記気体を前記チャンバ内に導入する導入口とを備えるチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域と前記導入口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を短くするように、前記スパッタリング領域と前記導入口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜方法である。
電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が高いほど前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離を短くするように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法である。
また、本発明は、また以下の構成を採用する。すなわち、
電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が第1の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が第1の距離となるように、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させ、
前記スパッタリング領域の近傍の圧力が前記第1の圧力よりも高い第2の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が前記第1の距離よりも小さい第2の距離となるように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させて前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法である。
また、本発明は、また以下の構成を採用する。すなわち、
電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するように、気体を排出する排気口を備えるチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域と前記排気口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を長くするように、前記スパッタリング領域と前記排気口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法である。
また、本発明は、また以下の構成を採用する。すなわち、
電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するように、気体を排出する排気口と前記気体をチャンバ内に導入する導入口とを備えるチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域と前記導入口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を短くするように、前記スパッタリング領域と前記導入口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
い。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成およびソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
図面を参照して、実施形態1の成膜装置1の基本的な構成について説明する。成膜装置1は、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造において基板(基板上に積層体が形成されているものも含む)上に薄膜を堆積形成するために用いられる。より具体的には、成膜装置1は、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどの電子デバイスの製造において好ましく用いられる。中でも、本実施形態に係る成膜装置1は、有機EL(ErectroLuminescence)素子などの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造において特に好ましく用いられる。本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)も含むものである。
の回転中心軸を中心に回転しながら、回転中心軸に対して直交方向に移動する。一方、磁石ユニット3は、ターゲット2と異なり回転せず、常にターゲット2の成膜対象物6と対向する表面側に漏洩磁場を生成し、ターゲット2の近傍の電子密度を高くしてスパッタする。この漏洩磁場が生成される領域が、スパッタ粒子が発生するスパッタリング領域A1である。ターゲット2のスパッタリング領域A1が、カソードユニット8の移動と共にチャンバ10に対して移動することで、成膜対象物6の全体に順次成膜が行われる。ここでは磁石ユニット3は回転しないものとしたが、これに限定はされず、磁石ユニット3も回転または揺動してもよい。
ポートブロック210またはエンドブロック220に搭載されていてもよい。
ている。なお、導入口41,42を配置する位置は、チャンバの両側壁に限定されず、一方の側壁でもよいし、底壁や天井壁でもよい。また、配管がチャンバ内に延びて、導入口がチャンバ10内に開口していてもよい。また、各側壁の導入口41,42は、それぞれターゲット2の長手方向(Y軸方向)に複数配置されてもよい。
まで到達して堆積するスパッタ粒子の量を略均一にすることができる。その結果、成膜対象物6に生成される膜の膜厚や膜質のむらを低減し、スパッタリングの品質低下を抑制することができる。本実施形態では、移動手段としての移動台駆動装置12の動作および案内レール250の形状により、スパッタリング領域近傍の圧力に応じてスパッタリング領域A1と成膜対象物6の間の距離を変化させている。案内レール250や移動台230を移動手段に含めて考えてもよい。
次に、本発明の実施形態2について説明する。以下、実施形態1との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
次に、本発明の実施形態3について説明する。以下、上記各実施形態との相違点を中心
として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
本実施形態で説明したターゲット昇降機構9は、ターゲットを昇降させる以外に、スパッタリング完了後、カソードユニット8から冷却液を排水するためにも使用できる。以下、図10を参照して説明する。
次に、本発明の実施形態4について説明する。以下、上記各実施形態との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
ることで、スパッタリング領域A1からスパッタ粒子が放出される。プレーナカソードユニット308は、移動台230の上面に設置されている。
次に、本発明の実施形態5について説明する。以下、上記各実施形態との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。
時の膜厚や膜質のむらを低減し、スパッタリングの品質低下を抑制することができる。本実施形態では、移動手段としての移動台駆動装置12の動作と、距離変化手段としてのターゲット昇降機構9の動作により、スパッタリング領域近傍の圧力に応じてスパッタリング領域A1と成膜対象物6の間の距離を変化させる。案内レール250や移動台230を移動手段に含めて考えてもよい。
次に、本発明の実施形態6について説明する。以下、上記各実施形態との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。図8は、本実施形態の成膜装置1を示している。本実施形態では、T-S距離の制御においてターゲット側ではなく、成膜対象物たる基板の側が移動する。一方、ターゲットおよびスパッタリング領域は、成膜対象物6と平行な面内の移動領域で移動する。
れる。磁石ユニット移動装置430は、磁石ユニット3をX軸方向に直線案内する装置であり、特に図示しないが、磁石ユニット3を支持する移動台と移動台を案内するレール等のガイド等によって構成される。この磁石ユニット3の移動によって、スパッタリング領域A1がX軸方向に移動していく。圧力センサ7は、チャンバ10内に配置したセンサ移動装置450に支持され、ターゲット402に沿って、X軸方向に移動可能となっている。センサ移動装置450についても、磁石ユニット移動装置430と同様に、圧力センサ7を支持する移動台と移動台を案内するレール等のガイド等によって構成される。磁石ユニット3および圧力センサ7は制御部14によって制御されて移動し、制御部14は、圧力センサ7が測定した圧力値を随時取得する。
次に、本発明の実施形態7について説明する。以下、上記各実施形態との相違点を中心として説明を行い、同一の構成要素については同一の符号を付して説明を簡略化する。図9は、本実施形態にかかる成膜装置1を示している。本実施形態では実施形態6と同様に、T-S距離の制御においてターゲット側ではなく、成膜対象物たる基板の側が移動する。本実施形態と実施形態6の相違点は、円筒形状のターゲット2を備える回転カソードユニット8を用いることである。
上記各実施形態では、カソードユニット8や、プレーナカソードユニット308が1つの場合を示したが、これらのユニットがチャンバ内部に複数配置されていてもよい。
Claims (27)
- 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が高いほど前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離を短くするように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜装置。 - 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が第1の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が第1の距離となるように、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させ、
前記スパッタリング領域の近傍の圧力が前記第1の圧力よりも高い第2の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が前記第1の距離よりも小さい第2の距離となるように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させて前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記スパッタリング領域の近傍の圧力を取得する圧力取得手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。 - 前記圧力取得手段は、圧力センサである
ことを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。 - 前記圧力取得手段は、予め取得された前記チャンバ内の圧力分布に基づいて前記スパッタリング領域の近傍の圧力を取得する
ことを特徴とする請求項3又は4に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記ターゲットを、前記成膜対象物と平行でない移動領域内で移動させる
ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記ターゲットを案内レールに沿って移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記成膜対象物と前記案内レールの間の距離は、前記案内レールにおける位置によって異なる
ことを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。 - 前記案内レールに沿って移動する前記ターゲットを、前記成膜対象物に近づく方向または前記成膜対象物から遠ざかる方向に移動させる、距離変化手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは、前記成膜対象物と対向するように前記チャンバに固定されており、
前記移動手段は、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向するように配置された磁石を移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記成膜対象物を、前記ターゲットに近づく方向または前記ターゲットから遠ざかる方向に移動させる、第2の距離変化手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項10に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記ターゲットの長手方向と交差する方向に前記ターゲットを移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させる
ことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは円筒形状であり、
前記ターゲットを回転させる回転手段をさらに有する
ことを特徴とする請求項12に記載の成膜装置。 - 前記円筒形状のターゲットは、案内レールに沿って前記チャンバ内を移動し、
前記案内レールに沿って移動する前記円筒形状のターゲットを、前記成膜対象物に近づく方向または前記成膜対象物から遠ざかる方向に移動させる、距離変化手段をさらに有し、
前記距離変化手段は、前記円筒形状のターゲットのいずれか一方の端部を前記成膜対象物に近づく方向または前記成膜対象物から遠ざかる方向に移動させ、前記円筒形状の他方の端部と前記成膜対象物の間の距離は変化させないような制御が可能である
ことを特徴とする請求項13に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットは平板形状である
ことを特徴とする請求項12に記載の成膜装置。 - 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバであって、気体を前記チャンバから排出する排気口を備えるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域と前記排気口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を長くするように、前記スパッタリング領域と前記排気口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記チャンバは、前記気体を前記チャンバ内に導入する導入口をさらに備え、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域と前記導入口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする請求項16に記載の成膜装置。 - 前記移動手段は、前記スパッタリング領域と前記導入口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を短くする
ことを特徴とする請求項17に記載の成膜装置。 - 成膜対象物およびターゲットが内部に配置されるチャンバであって、気体を前記チャンバから排出する排気口と前記気体を前記チャンバ内に導入する導入口とを備えるチャンバと、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させる移動手段と、
を有し、
前記移動手段によって前記スパッタリング領域を移動させつつ前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記移動手段は、前記スパッタリング領域と前記導入口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を短くするように、前記スパッタリング領域と前記導入口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜装置。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が高いほど前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離を短くするように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜方法。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が第1の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が第1の距離となるように、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させ、
前記スパッタリング領域の近傍の圧力が前記第1の圧力よりも高い第2の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が前記第1の距離よりも小さい第2の距離となるように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させて前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜方法。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバであって、気体を前記チャンバから排出する排気口を備えるチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域と前記排気口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を長くするように、前記スパッタリング領域と前記排気口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜方法。 - 成膜対象物とターゲットが配置されたチャンバであって、気体を前記チャンバから排出する排気口と前記気体を前記チャンバ内に導入する導入口とを備えるチャンバを用いた成膜方法であって、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域と前記導入口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を短くするように、前記スパッタリング領域と前記導入口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする成膜方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が高いほど前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離を短くするように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するようにチャンバ内に配置する工
程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域の近傍の圧力が第1の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が第1の距離となるように、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させ、
前記スパッタリング領域の近傍の圧力が前記第1の圧力よりも高い第2の圧力であるときに、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の間の距離が前記第1の距離よりも小さい第2の距離となるように、前記スパッタリング領域の近傍の圧力に応じて、前記スパッタリング領域または前記成膜対象物を移動させて前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するように、気体を排出する排気口を備えるチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域と前記排気口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を長くするように、前記スパッタリング領域と前記排気口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
成膜対象物と、ターゲットを前記成膜対象物に対向するように、気体を排出する排気口と前記気体をチャンバ内に導入する導入口とを備えるチャンバ内に配置する工程と、
前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記スパッタリング領域と前記導入口が近いほど、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物の距離を短くするように、前記スパッタリング領域と前記導入口の位置関係に応じて、前記スパッタリング領域と前記成膜対象物との間の距離を変化させる
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7170016B2 (ja) * | 2020-10-06 | 2022-11-11 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
CN112593193B (zh) * | 2020-11-16 | 2022-12-09 | 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 | 一种真空磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法 |
WO2022268311A1 (en) * | 2021-06-23 | 2022-12-29 | Applied Materials, Inc. | Cathode assembly, deposition apparatus, and method for deinstalling a cathode assembly |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004091858A (ja) | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Toyota Industries Corp | 真空蒸着装置及び方法並びに蒸着膜応用製品の製造方法 |
JP2007138275A (ja) | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Canon Anelva Corp | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 |
JP2007182617A (ja) | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ成膜方法及び装置 |
JP2011246788A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | 酸化物透明導電膜の成膜方法、スパッタ装置および光電変換素子の製造方法 |
JP2013100568A (ja) | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置、ターゲット装置 |
JP2014074188A (ja) | 2010-12-27 | 2014-04-24 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
JP2014125649A (ja) | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置の制御方法 |
JP2017521560A (ja) | 2014-07-09 | 2017-08-03 | ソレラス・アドヴァンスト・コーティングス・ビーヴイビーエー | 移動ターゲットを有するスパッタ装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5970775A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-21 | Nippon Soken Inc | スパツタ装置 |
JPH03271369A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-03 | Casio Comput Co Ltd | スパッタ装置 |
JPH1161401A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング方法及び装置 |
US20030116427A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-06-26 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
US20070012558A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Applied Materials, Inc. | Magnetron sputtering system for large-area substrates |
WO2010140362A1 (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-09 | 株式会社ニコン | 被膜形成物および被膜形成物の製造方法 |
EP2437280A1 (en) | 2010-09-30 | 2012-04-04 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for forming a layer of sputtered material |
CN103714942B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-08-17 | 青岛大学 | 一种自偏置非均质微波铁磁薄膜材料及其制备方法 |
KR20170095362A (ko) * | 2014-12-16 | 2017-08-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 이동 가능한 스퍼터 조립체 및 프로세스 가스 파라미터들에 대한 제어를 이용하여 기판을 코팅하기 위한 장치 및 방법 |
-
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- 2019-11-15 CN CN201911115834.6A patent/CN111383900B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004091858A (ja) | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Toyota Industries Corp | 真空蒸着装置及び方法並びに蒸着膜応用製品の製造方法 |
JP2007138275A (ja) | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Canon Anelva Corp | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 |
JP2007182617A (ja) | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ成膜方法及び装置 |
JP2011246788A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | 酸化物透明導電膜の成膜方法、スパッタ装置および光電変換素子の製造方法 |
JP2014074188A (ja) | 2010-12-27 | 2014-04-24 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
JP2013100568A (ja) | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置、ターゲット装置 |
JP2014125649A (ja) | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置の制御方法 |
JP2017521560A (ja) | 2014-07-09 | 2017-08-03 | ソレラス・アドヴァンスト・コーティングス・ビーヴイビーエー | 移動ターゲットを有するスパッタ装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
田尻修一 他,スパッタリングプロセスにおける静的圧力分布、および動的圧力変化の実測,J.Vac.Soc.Jpn,2017年,Vol.60 No.6,220-227 |
Also Published As
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