JP7170016B2 - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7170016B2 JP7170016B2 JP2020169055A JP2020169055A JP7170016B2 JP 7170016 B2 JP7170016 B2 JP 7170016B2 JP 2020169055 A JP2020169055 A JP 2020169055A JP 2020169055 A JP2020169055 A JP 2020169055A JP 7170016 B2 JP7170016 B2 JP 7170016B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atmospheric
- chamber
- film forming
- forming apparatus
- cooling pipes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 65
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 61
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
チャンバと、
前記チャンバ内に配される基板上に薄膜を形成するための成膜源と、
内部が大気環境に保たれ、かつ前記成膜源を支持して往復移動する支持台と、
両端がいずれも回動自在に軸支される複数の大気アームにより構成され、前記チャンバと前記支持台とを連結するように設けられると共に、前記チャンバの外部と前記支持台の内部とを連通させ、かつ前記支持台の移動に伴って移動する連結機構と、
前記支持台の内部に配されて、前記成膜源に冷却液を供給するための第1冷却管と、
前記連結機構の内部に配されると共に、前記第1冷却管に対して多岐管を介して接続され、かつ、いずれも前記第1冷却管よりも細い複数の第2冷却管と、
を備えることを特徴とする。
図1~図6を参照して、本発明の実施例に係る成膜装置について説明する。なお、本実施例においては、成膜装置の一例として、スパッタ装置の場合を例にして説明する。図1は本発明の実施例に係る成膜装置の内部構成を上方から見た概略構成図である。図2は、図1において、矢印V1方向に見た断面図である。図3は、図1において、矢印V2方向に見た断面図である。図4は本発明の実施例に係る成膜源の概略構成図であり、同図(a)は成膜源の付近を正面から見た概略構成図であり、同図(b)は同図(a)中のAA断面図である。なお、図4(a)では、大気ボックスについては断面図で示している。図5は本発明の実施例に係る連結機構の一部を示す模式的断面図であり、大気アームの一部の付近を断面図にて示している。図6は本発明の実施例に係る第2冷却管の動作説明図である。
図1~図3を参照して、本実施例に係る成膜装置1の全体構成について説明する。成膜装置1は、内部が真空雰囲気となるチャンバ10と、チャンバ10内に備えられる成膜源100と、成膜源100を移動させるための駆動装置200とを備えている。
ャンバ10と大気ボックス210とを連結するように設けられ、大気ボックス210の移動に伴って従動して移動する連結機構240も備えられている。大気ボックス210は、その内部が空洞となっており、連結機構240により、チャンバ10の外部と大気ボックス210の内部とを連通させることで、大気ボックス210の内部は大気環境に保たれるように構成されている。このような構成が採用されることで、チャンバ10の外部に設けられた冷却液供給装置50に接続される冷却管と、同じくチャンバ10の外部に設けられた電源60に接続される配線61を成膜源100に接続することができる。
図4を参照して、成膜源100について、より詳細に説明する。成膜源100は、ターゲット110と、ターゲット110の両端を支持するサポートブロック120及びエンドブロック130とを備えている。なお、本実施例においては、ターゲット110は、2本設けられており、サポートブロック120及びエンドブロック130も、2本のターゲット110にそれぞれ一つずつ設けられている。ターゲット110は、スパッタリング時に回転する円筒状の部材であり、ロータリーカソードとも呼ばれる。サポートブロック120及びエンドブロック130は、大気ボックス210の上面に固定されている。ターゲット110は、円筒状のターゲット本体111と、その内周に配される電極であるカソード112とを備えている。また、ターゲット110は、サポートブロック120及びエンドブロック130により回転自在に支持されており、エンドブロック130内に備えられた不図示のモータなどの駆動源により、スパッタリング時に回転するように構成されている。なお、マグネトロンスパッタリング方式のスパッタ装置の場合には、ターゲット110と基板Pとの間に磁場(漏洩磁場)を発生させるために、カソード112の内部に磁石が設けられる。
連結機構240について、より詳細に説明する。連結機構240は、両端がいずれも回動自在に軸支され、かつ、内部が空洞である複数の大気アームにより構成される。より具体的には、連結機構240は、第1大気アーム241と第2大気アーム242とを備えて
いる。第1大気アーム241は、第1の端部がチャンバ10の底板に対して回動自在に構成されている。そして、第2大気アーム242は、第1の端部が第1大気アーム241の第2の端部に対して回動自在に軸支される。第2大気アーム242の第2の端部が大気ボックス210に対して回動自在に軸支されている。
冷却管について、より詳細に説明する。本実施例に係る冷却管は、大気ボックス210の内部に配されて成膜源100に接続される第1冷却管51と、連結機構240の内部に配される複数の第2冷却管52と、冷却液供給装置50に接続される第3冷却管53とを備えている。また、冷却管は、大気ボックス210の内部に配され、第1冷却管51と複数の第2冷却管52とを接続する多岐管54と、チャンバ10の外部に配され、複数の第2冷却管52と第3冷却管53とを接続する外部多岐管55とを備えている。
2冷却管52同士は、ある程度拘束されるため、無駄に弛んでしまうことを抑制でき、第2冷却管52同士、及び第2冷却管52とアーム内壁面との間で摺動摩擦が生じてしまうことを抑制することができる。なお、複数の第2冷却管52を束にして捩じれた状態にすることなく連結機構240の内部に配した場合には、各々の第2冷却管52は拘束されることなく個別に動作するため、局所的に摺動摩擦が生じて耐久性が低下するおそれがある。
本実施例に係る成膜装置1によれば、成膜源100に供給する冷却液の流量を増加させるために第1冷却管51を太くしても、複数の第2冷却管52は、いずれも第1冷却管51よりも細い。そのため、個々の第2冷却管52については、曲率半径を小さな状態で湾曲させることができる。従って、連結機構240を大きくしなくても、複数の第2冷却管52を連結機構240の内部に配することが可能となる。これにより、装置の大型化を抑制しつつ、成膜源100に供給する冷却液の流量の増加を図ることができる。また、大気ボックス210内においては、1本の第1冷却管51によって冷却液を供給する構成を採用することで、大気ボックス210内の容積を有効利用することができる。すなわち、仮に、大気ボックス210内において、複数の第2冷却管52を配する構成を採用した場合には、管の被覆の分だけ、冷却管の占有容積が大きくなってしまう。ただし、本発明においては、必ずしも第1冷却管が1本のみ設けられる構成に限定される訳ではない。第3冷却管についても同様に、2本以上設けられる場合も含まれる。
上記実施例で示した成膜装置1は、電子デバイスを製造するための製造装置として利用可能である。以下、電子デバイスの製造装置、及び、電子デバイスの製造装置により製造される電子デバイスについて、図7を参照して説明する。成膜装置1は、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造において基板P上(基板Pの表面に積層体が形成されているものも含む)に薄膜(有機膜、金属膜、金属酸化物膜など)を堆積形成するために用いることができる。より具体的には、成膜装置1は、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどの電子デバイスの製造において好ましく用いられる。中でも、本実施例に係る成膜装置1は、有機EL(ElectroLuminescence)素子などの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造において特に好ましく適用可能である。なお、電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)も含むものである。
上記実施例においては、成膜装置1がスパッタ装置であり、成膜源100がターゲット110などを備える構成の場合を示した。しかしながら、本発明においては、例えば、成膜装置が真空蒸着装置で、成膜源が蒸発源の場合にも適用可能である。
10 チャンバ
51 第1冷却管
52 第2冷却管
53 第3冷却管
54 多岐管
55 外部多岐管
100 成膜源
200 駆動装置
210 大気ボックス
230 移動機構
240 連結機構
241 第1大気アーム
242 第2大気アーム
Claims (5)
- チャンバと、
前記チャンバ内に配される基板上に薄膜を形成するための成膜源と、
内部が大気環境に保たれ、かつ前記成膜源を支持して往復移動する支持台と、
両端がいずれも回動自在に軸支される複数の大気アームにより構成され、前記チャンバと前記支持台とを連結するように設けられると共に、前記チャンバの外部と前記支持台の内部とを連通させ、かつ前記支持台の移動に伴って移動する連結機構と、
前記支持台の内部に配されて、前記成膜源に冷却液を供給するための第1冷却管と、
前記連結機構の内部に配されると共に、前記第1冷却管に対して多岐管を介して接続され、かつ、いずれも前記第1冷却管よりも細い複数の第2冷却管と、
を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記チャンバの外部に配されると共に、前記チャンバの外部に配された外部多岐管を介して、前記複数の第2冷却管に接続され、かつ前記第2冷却管よりも太い第3冷却管を備えることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記複数の大気アームは、
第1の端部が前記チャンバに回動自在に軸支される第1大気アームと、
第1の端部が前記第1大気アームの第2の端部に回動自在に軸支され、第2の端部が前記支持台に回動自在に軸支される第2大気アームと、
を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。 - 前記複数の第2冷却管は、束にして捩じれた状態で前記連結機構の内部に配されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記成膜源は、スパッタリングによって、基板上に薄膜を形成するための粒子を放出し、かつ、スパッタリングの際に回転するように構成される少なくとも一つの円筒状のターゲットを備えることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の成膜装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020169055A JP7170016B2 (ja) | 2020-10-06 | 2020-10-06 | 成膜装置 |
CN202111111518.9A CN114381698B (zh) | 2020-10-06 | 2021-09-23 | 成膜装置 |
KR1020210131867A KR20220045913A (ko) | 2020-10-06 | 2021-10-05 | 성막 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020169055A JP7170016B2 (ja) | 2020-10-06 | 2020-10-06 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022061206A JP2022061206A (ja) | 2022-04-18 |
JP7170016B2 true JP7170016B2 (ja) | 2022-11-11 |
Family
ID=81194473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020169055A Active JP7170016B2 (ja) | 2020-10-06 | 2020-10-06 | 成膜装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7170016B2 (ja) |
KR (1) | KR20220045913A (ja) |
CN (1) | CN114381698B (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013253316A (ja) | 2012-05-09 | 2013-12-19 | Iza Corp | スパッタリング装置 |
JP2017521560A (ja) | 2014-07-09 | 2017-08-03 | ソレラス・アドヴァンスト・コーティングス・ビーヴイビーエー | 移動ターゲットを有するスパッタ装置 |
JP2020105566A (ja) | 2018-12-27 | 2020-07-09 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006322055A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Kobe Steel Ltd | 連続成膜装置 |
KR20090130559A (ko) | 2008-06-16 | 2009-12-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 이송 장치 및 이를 구비하는 유기물 증착 장치 |
CN102251218B (zh) * | 2010-05-18 | 2014-04-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 镀膜装置 |
JP2012140671A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Canon Tokki Corp | 成膜装置 |
CN103695845B (zh) * | 2013-11-29 | 2015-12-09 | 东莞市汇成真空科技有限公司 | 一种立式真空离子镀膜机的无污染加热管装置 |
WO2016204022A1 (ja) * | 2015-06-16 | 2016-12-22 | 株式会社アルバック | 成膜方法及び成膜装置 |
JP6852018B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2021-03-31 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸着方法,電子デバイスの製造方法及び蒸着装置 |
JP7136648B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2022-09-13 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 |
JP7193291B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2022-12-20 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 |
JP7229015B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2023-02-27 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 |
JP7324593B2 (ja) * | 2019-03-05 | 2023-08-10 | キヤノントッキ株式会社 | 真空チャンバ内へのユーティリティライン導入機構、成膜装置、成膜システム |
-
2020
- 2020-10-06 JP JP2020169055A patent/JP7170016B2/ja active Active
-
2021
- 2021-09-23 CN CN202111111518.9A patent/CN114381698B/zh active Active
- 2021-10-05 KR KR1020210131867A patent/KR20220045913A/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013253316A (ja) | 2012-05-09 | 2013-12-19 | Iza Corp | スパッタリング装置 |
JP2017521560A (ja) | 2014-07-09 | 2017-08-03 | ソレラス・アドヴァンスト・コーティングス・ビーヴイビーエー | 移動ターゲットを有するスパッタ装置 |
JP2020105566A (ja) | 2018-12-27 | 2020-07-09 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114381698B (zh) | 2023-09-12 |
JP2022061206A (ja) | 2022-04-18 |
CN114381698A (zh) | 2022-04-22 |
KR20220045913A (ko) | 2022-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8337621B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR101985922B1 (ko) | 캐리어에 의해 지지되는 기판 상에 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하기 위한 시스템 및 그러한 시스템을 사용하는 방법 | |
KR20170007545A (ko) | 유기 재료를 위한 증발 소스, 유기 재료를 위한 증발 소스를 갖는 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치, 및 유기 재료를 증발시키기 위한 방법 | |
JP7170016B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP2020105566A (ja) | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
JP2020056054A (ja) | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
JP2021095609A (ja) | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
CN111383901B (zh) | 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法 | |
KR20180132498A (ko) | 진공 증착 장치 및 이를 사용한 디바이스 제조방법 | |
JP2022126050A (ja) | 成膜装置、電子デバイスの製造方法及び成膜源のメンテナンス方法 | |
JP2010040956A (ja) | 基板の処理装置 | |
US20200227637A1 (en) | Deposition apparatus, vacuum system, and method of operating a deposition apparatus | |
JP2020105567A (ja) | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
JP2022048667A (ja) | スパッタ装置及び成膜方法 | |
TWI824225B (zh) | 成膜裝置及電子裝置製造裝置 | |
TW201538768A (zh) | 用於沈積設備之電極組以及用於組裝電極組之方法 | |
JP2021098879A (ja) | 成膜装置、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
KR20230054635A (ko) | 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
JP2012038779A (ja) | 搬送装置及び基板処理装置 | |
KR20230039800A (ko) | 박막 전극 형성을 위한 스퍼터링 장치 및 방법 | |
CN115537743A (zh) | 成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法 | |
JP2020105570A (ja) | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
TWM500108U (zh) | 一種單磁控靶多層膜濺鍍系統 | |
JP2007073404A (ja) | スパッタ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7170016 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |