JP7222867B2 - 高周波素子、及び、該高周波素子を有する高周波帯デバイス - Google Patents

Description

本発明は、高周波素子、及び、該高周波素子を有する高周波帯デバイス、特に、減衰機能を有する高周波素子及び高周波帯デバイスに関する。

特開２００７－１７９９３９号公報（特許文献１）に、高周波素子及び高周波帯デバイスの一例が開示されている。
伝送信号の高速化に伴い、これらの高周波素子等には、例えば１００ＧＨｚ以上の高周波信号に対してもなお良好な周波数特性を有することができること、言い換えれば、良好な減衰機能を発揮することができることが所望されている。

特開２００７－１７９９３９号公報

本発明は、上記特許文献１に開示された高周波素子、及び、該高周波素子を有する高周波帯デバイスにおける周波数特性を改善するための構造を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明の一態様による高周波素子、又は、高周波素子を有する高周波帯デバイスは、第１部品と第２部品を含み、前記第１部品は、抵抗基板と、前記抵抗基板の信号接続部に前記抵抗基板の中心線に沿って設けた中継手段と、前記抵抗基板の対向する一対の縁部に設けたグランド接続部が挿通される一対の通路を有した導電部材と、を備え、前記第２部品は、相手同軸コネクタの相手側中心導体と電気的に接続される端子部と、前記相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続される外部導体部と、を備え、前記端子部は、前記中継手段を介して前記抵抗基板の信号接続部と電気的に接続され、前記外部導体部は、前記導電部材を通じて前記抵抗基板のグランド接続部と電気的に接続され、前記外部導体部に面した前記導電部材の面に、前記外部導体部と当接させる凸状部が設けられていることを特徴として有する。
このような凸状部を設けることによって、導電部材を外部導体部に対してより確実に当接させることができ、高周波素子、又は、該高周波素子を有する高周波帯デバイスにおける周波数特性を改善することができる。

上記態様の高周波素子において、前記凸状部は、前記中心線に対して同心状に設けられていてもよい。
前記凸状部の軌跡は、前記抵抗基板のグランド接続部を通るのが好ましい。

また、上記態様の高周波素子において、前記導電部材は、第１接続管と第２接続管を含んでもよい。
前記凸状部は、前記第２接続管は反対側の前記第１接続管の面に設けられていてもよい。

また、上記態様の高周波素子において、前記第１接続管は円環板状であって、前記中心線に沿う第１貫通穴を有し、前記第１貫通穴の直径方向における対向位置に、板厚方向に沿って一対の第１通路が設けられていてもよく、また、前記第２接続管は円環板状であって、前記中心線に沿う第２貫通穴を有し、前記第２貫通穴の直径方向における対向位置に、板厚方向に沿って一対の第２通路が設けられていてもよい。

また、前記第１接続管と前記第２接続管は、前記一対の第１通路と前記一対の第２通路を板厚方向にて連通させた状態で配置されていてもよい。
更に、上記態様の高周波素子において、前記抵抗基板のグランド接続部は、前記一対の第１通路及び前記一対の第２通路に挿通され、且つ、前記一対の第２通路と導通していてもよい。

上記態様の高周波素子において、前記第１接続管は、対で設けられており、前記対の第１接続管は、前記第２接続管を挟み込むように配置されていてもよい。

上記態様の高周波素子において、前記外部導体部は、前記相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続される円環板状部分を有するのが好ましい。

上記態様の高周波素子において、更に、前記第１接続管と前記外部導体部の間に介挿される導電性シートを設けてもよい。

前記導電性シートには、前記抵抗基板の前記グランド接続部と、前記通路との間に介挿される、挿入片を設けるのが好ましい。

上記態様の高周波素子において、前記第１部品と前記第２部品はシェルによって覆われているのが好ましい。

本発明によれば、上記特許文献１に開示された高周波素子、及び、該高周波素子を有する高周波帯デバイスにおける周波数特性を改善するための改良構造を提供することができる。

本発明による高周波帯デバイスの側面図である。 本発明による高周波帯デバイスの中心線断面図である。 第１部品と第１部品を組み合わせる前の状態を示す斜視図である。 図３の側面図である。 第２部品を第１部品の一部構成部品とともに示した斜視図である。 図５の側面図である。 第１部品の分解斜視図である。 第１部品の組立中間工程図である。 第１部品の組立完成図である。 図９の断面図である。 変形例としてのシートの使用態様を示した斜視図である。 図１１の側面図である。 シートの使用前の状態を示す図である。 シートの使用中の状態を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な一実施形態による、減衰機能を有する高周波素子、及び、該高周波素子を利用した高周波帯デバイスを説明する。ただし、以下の実施形態で説明する寸法、材料、形状及び構成要素の相対的な位置等は任意であり、本発明が適用される装置の構成又は様々な条件に応じて変更できる。また、特別な記載がない限り、本発明の範囲は、以下に具体的に記載された実施形態に限定されるものではない。

図１は、本発明による高周波帯デバイスの側面図、図２は、その中心線断面図である。この高周波帯デバイス１は、互いに同軸的に固定され得る略円筒状の３つの部分、即ち、ネジ部２０、第１シェル２１、及び第２シェル２２から成る。ネジ部２０は、高周波帯デバイス１を相手同軸コネクタ（図示せず）にネジ接続するための部材であって、第１シェル２１の前側の一部を覆うように第１シェル２１に固定され、一方、第２シェル２２は、第１シェル２１の後側の一部を覆うように第１シェル２１に固定される。第１シェル２１の内部には、主として、第１部品６と第２部品４Ａ、４Ｂを収容し得るようになっており、一方、第２シェル２２の内部には、主として、第２部品４Ｂの前端の一部を収容し得るようになっている。第２部品４Ａと第２部品４Ｂは互いに同一構造を有し、それらの間に第１部品６を挟み込んだ状態で左右対称に配置される。図３に、第２部品４Ｂと第１部品６を組み合わせる前の状態を斜視図で示し、図４に、その側面図を示す。

ネジ部２０は、その内側に第１シェル２１の前端を収容できるよう、その中心軸回りが所定の径で円筒状に刳り抜かれている。ネジ部２０には、第２シェル２２の前端側２６と同形状の接続部品を持つ相手同軸コネクタを取り付けることができる。これにより、高周波帯デバイス１を介して２つの同軸コネクタを連結させることができる。

第１シェル２１には、その中心軸回りが２つの内径を有するように段状且つ円筒状に刳り抜かれることによって、２つの円筒中空部２３ａＡ、２３ａＢが形成されている。前側の円筒中空部２３ａＡの内径は、後側の円筒中空部２３ａＢの内径よりも小さく設定されており、円筒中空部２３ａＡによって形成された比較的小さなフランジ２８には、第２部品４Ａの前側４９Ａが突き合わされて、第１シェル２１の前方側からの抜け落ちを防止する。

また、第２シェル２２には、その中心軸回りが１つの内径を有するように円筒状に刳り抜かれることによって、１つの円筒中空部２４Ｂが形成されている。円筒中空部２４Ｂによって形成された比較的小さなフランジ３０には、第２部品４Ｂの前側４９Ｂが突き合わされて、第２シェル２２の前方側からの抜け落ちを防止する。

ネジ部２０の内面の一部２５は、第１シェル２１との対向側付近においてネジ切りされていてもよい。このネジ切り部分を、相手同軸コネクタ（図示されていない）の所定部品、例えば、同軸ケーブルやその周囲を包囲するように設けられたネジ切り部分と軸方向にて接続することにより、高周波帯デバイス１をネジ部２０を介して相手同軸コネクタと接続することができる。

第２部品４Ａ、第１部品６、第２部品４Ｂは、この順番で、また、第２部品４Ａの前側４９Ａを第１シェル２１のフランジ２８に当接させた状態で、第１シェル２１の内部に所定の向きで挿入される。その後、第１シェル２１の後端に第２シェル２２をネジ等を利用して固定することにより、それら第２部品４Ａ、第１部品６、及び第２部品４Ｂは、高周波帯デバイス１の内部に完全に収容、保持され、且つ、それらの間の少なくとも軸方向における距離を一定に保つことができる。第１部品６の機能を調整することによって、高周波帯デバイス１には様々な機能を持たせることができる。例えば、本発明のように第１部品６に抵抗（６２）を設けることによって、減衰器として機能させることもできる。

尚、上の実施例では、相手同軸コネクタとの接続を、ネジ部２０のネジ切りによって行うものとしているが、プッシュオンロック（簡易ロック）でそれを行ってもよく、相手同軸コネクタとの接続は、これらの方法に限定されない。更に、ネジ部２０が相手同軸コネクタに設けられていてもよい。

図２乃至図４に加えて、図５及び図６を参照して、第２部品４Ａ、４Ｂの構成をより詳細に説明する。図５は、第２部品４Ｂを、第１部品６の一部構成部品（第１接続管８１Ｂ）とともに示した斜視図であって、それらの中心線断面を示すもの、図６は、同断面の側面図である。高周波帯デバイス１は２つの第２部品４Ａ、４Ｂを含む。両者を区別するため、各部品及び各部品を構成する部材に、必要に応じて「Ａ」、「Ｂ」の文字をそれぞれ付している。これら第２部品４Ａと第２部品４Ｂは、第２部品４Ａの第１雄端子４１Ａは外部に突出したピン形状としてあるのに対して、第２部品４Ｂの第１雌端子４１Ｂは相手同軸コネクタの第１雄端子４１Ａが収容され得るように円筒状の誘込形状としてある点においてのみ相違する。この相違は相手同軸コネクタの第１雄端子の形状との関係で生じるものであって、ここでは重要ではない。従って、第２部品４Ａと第２部品４Ｂは、本実施形態においては、実質的には同じものと考えることができる。尚、便宜上、図３乃至図６には、第２部品４Ａ、４Ｂのうち、第２部品４Ｂのみが示され、第２部品４Ａは示されていないが、第２部品４Ａの構成は、上記の説明、及び、図２乃至図６から明らかとなろう。

第２部品４Ｂは、絶縁座４０Ｂを介して第１雌端子４１Ｂと第２雌端子４２Ｂを対向側に有する端子部４３Ｂと、この端子部４３Ｂの外側を包囲して端子部４３Ｂに支持、固定された外部導体部４４Ｂから成る。外部導体部４４Ｂは、更に、第２シェル２２に設けた円筒中空部２４Ｂに挿入される本体４６ａＢと、第２シェル２２の後側の円環状壁面２９と対向させた状態で、且つ、第１接続管８１Ｂの環状面と整列され突き合わされた状態で設けた円環板状のフランジ４６ｂＢを含む。第１接続管８１Ｂと外部導体部４４Ｂの間に流れる（グランド）信号に雑音が生じることを防止するため、外部導体部４４Ｂに面した第１接続管（導電部材）８１Ｂの環状面に、第１雌端子４１Ｂや第２雌端子４２Ｂを通過する中心線「ｐ」に対して同心状に半円環状の凸状部８１ａＢを設けている。凸状部８１ａＢを設けたことにより、第１接続管８１Ｂの環状面と外部導体部４４Ｂのフランジ４６ｂＢを確実に当接させることができ、この結果、第１接続管８１Ｂと外部導体部４４Ｂとの間で流れる信号を、凸状部８１ａＢを通じて、言い換えれば、第１接続管８１Ｂや外部導体部４４Ｂの面方向に分散させることなく流すことができ、周波数特性の改善が図られる。

同様に、第２部品４Ａは、絶縁座４０Ａを介して第１雄端子４１Ａと第２雌端子４２Ａを対向側に有する端子部４３Ａと、この端子部４３Ａの外側を包囲して端子部４３Ａに支持、固定された外部導体部４４Ａから成る。外部導体部４４Ａは、更に、第１シェル２１に設けた円筒中空部２３ａＡに挿入される本体４６ａＡと、円筒中空部２３ａＢに該円筒中空部２３ａＢのフランジ２７と対向させた状態で、且つ、第１接続管８１Ａの環状面と整列され突き合わされた状態で設けた円環板状のフランジ４６ｂＡを含む。第１接続管８１Ａと外部導体部４４Ａの間に流れる（グランド）信号に雑音が生じることを防止するため、外部導体部４４Ａに面した第１接続管８１Ａの環状面に、第１雌端子４１Ｂや第２雌端子４２Ａを通過する中心線「ｐ」に対して同心状に半円環状の凸状部８１ａＡを設けている。凸状部８１ａＡを設けたことにより、第１接続管８１Ａの環状面と外部導体部４４Ａのフランジ４６ｂＡを確実に当接させることができ、この結果、第１接続管８１Ａと外部導体部４４Ａとの間で流れる信号を、凸状部８１ａＡを通じて、言い換えれば、第１接続管８１Ａや外部導体部４４Ａの面方向に分散させることなく流すことができ、周波数特性の改善が図られる。

各第２部品４Ａ、４Ｂにおいて、端子部４３Ａ、４３Ｂと外部導体部４４Ａ、４４Ｂは、樹脂４７Ａ、４７Ｂによって互いに固定され得る。端子部４３Ａ、４３Ｂを外部導体部４４Ａ、４４Ｂに挿入して、それらの中心を通じて貫通する整合穴４５Ａ、４５Ｂを整合させた後、これらの整合穴４５Ａ、４５Ｂに樹脂４７Ａ、４７Ｂを流し込むことにより、それらを所望の向きで互いに固定することができる。

高周波帯デバイス１の実際の使用時には、第２部品４Ａの外部導体部４４Ａは、相手同軸コネクタの相手側外部導体（図示されていない）と電気的に接続され、一方、第２部品４Ａの端子部４３Ａは、その第１雄端子４１Ａにおいて、相手同軸コネクタの相手側中心導体（図示されていない）と電気的に接続されて電気信号を受信する。

外部導体部４４Ａによって受信された信号は、その後、第１部品６の第１接続管８１Ａ、第２接続管８２、第１接続管８１Ｂをこの順に介して、第２部品４Ｂの外部導体部４４Ｂへ伝達され得る。一方、第１雄端子４１Ａによって受信された信号は、その後、第２雌端子４２Ａを介して、第１部品６の中継部８３Ａや抵抗基板６２に伝達され、抵抗基板６２で抵抗によって減衰された後、第１雌端子４１Ｂへ伝達され得る。

以上の電気信号の流れによって、高周波帯デバイス１を利用して、第１シェル２１側に接続された相手コネクタと第２シェル２２側に接続された相手コネクタを、減衰機能を付加した状態で接続させることができる。

次に、図２に加えて、図７乃至図１０をも参照して、第１部品６の基本構成を説明する。図７は、第１部品６の分解斜視図であり、図８は、その組立中間工程図、図９は、その組立完成図である。また、図１０は、図９の断面図、更に言えば、第１部品６の構成部品の１つである抵抗基板６２の上面沿いの水平断面図である。

第１部品６は、左右対称形状を有し、中央に配置される第２接続管８２と、第２接続管８２を挟み込んだ状態で第２接続管８２の左右各側に配置される一対の第１接続管８１Ａ、８１Ｂと、これら第２接続管８２と第１接続管８１Ａ、８１Ｂの中心に挿入される抵抗基板６２と、更に、抵抗基板６２の左右両側にそれぞれ固定される中継部８３Ａ、８３Ｂを備える。第２接続管８２と第１接続管８１Ａ、８１Ｂは、それら全体で、導電部材を形成している。

第２接続管８２は、所定の厚みを有する円環板状の部材として形成されており、導電性の良い部材であって、しかも、少なくともその表面が、第１接続管８１Ａ、８１Ｂよりも半田ぬれ性が良い部材、つまり、半田付けに適した（半田がつきやすい、半田ぬれ性のよい）部材、例えば、全体を金メッキした黄銅でできている。第２接続管８２には、中心線「ｐ」に沿う方形の貫通穴８４が設けられている。この方形の貫通穴８４には更に、抵抗基板６２を組み込むため、直径方向における対向位置に、板厚方向（「ｐ」に沿う方向）に沿って一対の方形の通路（第２通路）８５Ａ、８５Ｂが設けられている。これらの通路８５Ａ、８５Ｂが形成する直径方向における長さは、抵抗基板６２の横幅と略同じか若干大きい。また、各方形通路８５Ａ、８５Ｂの上下幅は、抵抗基板６２の厚みと略同じか若干大きい。抵抗基板６２は、左右の方形通路８５Ａ、８５Ｂに水平方向にて挿入され、水平方向にて対向する辺においてそこに保持される。

第１接続管８１Ａ、８１Ｂは、第２接続管８２と同様に、所定の厚みを有する円環板状の部材として形成されているが、第２接続管８２より大きな径を有する。また、第１接続管８１Ａ、８１Ｂは、第２接続管８２と異なり、導電性の良い部材であるが、少なくともその表面が、半田付けに適さない（半田がつきにくい）部材、例えば、アルミでできている。第１接続管８１Ａ、８１Ｂには、中心線「ｐ」に沿う円形の貫通穴８６Ａ、８６Ｂが設けられている。各貫通穴８６Ａ、８６Ｂには更に、抵抗基板６２を組み込むため、直径方向における対向位置に、板厚方向（「ｐ」に沿う方向）に沿って一対の半円状の通路（第１通路）８７Ａ、８７Ｂがそれぞれ設けられている。これらの通路８７Ａ、８７Ｂが形成する直径方向における長さは、抵抗基板６２の横幅と略同じか若干大きい。各円形通路８７Ａ、８７Ｂの上下幅は、抵抗基板６２の厚みより大きく、従って、各方形通路８５Ａ、８５Ｂの上下幅よりも大きく設定されており、したがって、少なくとも上下方向において、抵抗基板６２は、これら半円通路８７Ａ、８７Ｂに遊嵌される。尚、半円通路８７Ａ、８７Ｂの横幅の大きさを、方形通路８５Ａ、８５Ｂの大きさよりも大きく設定し、横方向においても、抵抗基板６２を半円通路８７Ａ、８７Ｂに遊嵌させるようにしてもよい。

第２接続管８２の片側の側面に、第２接続管８２の形状に対応して、第２接続管８２の片側側面を内包できる大きさの円形窪み８８Ａ、８８Ｂが設けられており、第１接続管８１Ａ、８１Ｂに設けたそれぞれの円形窪み８８Ａ、８８Ｂに、第２接続管８２の厚みの半分よりも小さな厚み部分を収容させ、第１接続管８１Ａと８１Ｂを離間した状態で互いに対向配置することができる。第１接続管８１Ａ、８１Ｂの円形窪み８８Ａ、８８Ｂを利用して、第１接続管８１Ａ、８１Ｂと第２接続管８２を接触させ、これらの接触を通じて、異種金属、即ち、金メッキした黄銅とアルミとが組み合わされるともに、第２接続管８２に設けた方形通路８５Ａ、８５Ｂと第１接続管８１Ａ、８１Ｂに設けた半円通路８７Ａ、８７Ｂが略一直線上に並んで、板厚方向にて連通した一対の通路（８７Ａ、８７Ｂ、８５Ａ、８５Ｂ）を形成する。抵抗基板６２は、この一対の通路（８７Ａ、８７Ｂ、８５Ａ、８５Ｂ）に挿通され、設置される。尚、このように、第２接続管８２の貫通穴８４より、第１接続管８１Ａ、８１Ｂの貫通穴８６Ａ、８６Ｂの径が大きいのは、中継部の外形との距離が電気特性と関係しているからである。

抵抗基板６２は、左右対称形状の平板状のチップ型抵抗であって、図１０によく示されているように、一方の対向辺に信号接続部６８Ａ、６８Ｂを有し、他方の対向辺にグランド接続部６９Ａ、６９Ｂを有する。信号接続部６８Ａ、６８Ｂは、一方の対向辺の一部の長さ部分にのみ設けてあり、グランド接続部６９Ａ、６９Ｂは、他方の対向辺の全長さ部分に設けてある。尚、図面からは明らかでないが、抵抗基板６２の表裏（上下）各面に、同じ形状の抵抗パターンが形成されていると考えてよい。信号接続部６８Ａと６８Ｂの間は、並列に配置された２本の信号線７０Ａ、７０Ｂによって接続されている。これらの各信号線７０Ａ、７０Ｂは、それぞれ、２本のグランド線７１（Ａ、Ｂ）、７５（Ａ、Ｂ）を通じて、グランド接続部６９Ａ、６９Ｂに接続されており、これにより、信号接続部６８Ａと６８Ｂの間に流れる信号に所定の抵抗を与えてそれを減衰させるものである。

高周波帯デバイスの組立時において、各信号接続部６８Ａ、６８Ｂは、それぞれ、中継部８３Ａや８３Ｂと半田付けされ、これらの接続を通じて相手同軸コネクタの相手側中心導体と電気的に接続され得る。信号接続部６８Ａ、６８Ｂは、中継部８３Ａ、８３Ｂとの接続が容易になるように、接続側、つまり、対向辺側において中央部に比べて比較的大きな面積を有している。一方、抵抗基板６２の一対の縁部に設けたグランド接続部６９Ａ、６９Ｂは、第２接続管８２に設けた方形通路８５Ａ、８５Ｂと第１接続管８１Ａ、８１Ｂに設けた半円通路８７Ａ、８７Ｂによって形成される連通した一対の通路（８７Ａ、８７Ｂ、８５Ａ、８５Ｂ）に挿通され、第２接続管８２の近傍、例えば、それを貫通する方形通路８５Ａ、８５Ｂの内部やその周辺で抵抗基板６２のグランド接続部６９Ａ、６９Ｂと半田付けされて導通し、これらの接続や第２接続管８２及び第１接続管８１Ａ、８１Ｂとの接続を通じて、外部導体部４４Ａ、４４Ｂ（図２乃至６参照）、更には、相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続され得る。この場合、図３、図７によく示されるように、凸状部８１ａＡ、８１ａＢの環状の軌跡は、グランド接続部６９Ａ、６９Ｂを通るのが好ましい。これにより、外部導体部４４Ａ、４４Ｂと、第１接続管８１Ａ及び第１接続管８１Ｂとの間のグランド接続を、より効率的に且つ確実に行うことができる。更に言えば、この構成によって、凸状部８１ａＡ、８１ａＢとグランド接続部６９Ａ、６９Ｂをより接近させて、グランド接続部６９Ａ、６９Ｂを通じた信号を、より直接的に、言い換えれば、最短の距離で、外部導体部４４Ａ、４４Ｂに伝達し、信号に雑音が生じることを防止して、周波数特性の改善を図ることができる。

抵抗基板６２のグランド接続部６９Ａ、６９Ｂの第２接続管８２に対する半田付けは、第１部品６を図９の完成状態とした後に、例えば、半円通路８７Ａ、８７Ｂの入口付近の内面とグランド接続部６９Ａ、６９Ｂの縁付近との隙間Ａにペースト半田を盛って、第１部品６をリフローしてペースト半田を溶融することによって簡単に行うことができる。このとき、溶融された半田は、第２接続管８２に設けた方形通路８５Ａ、８５Ｂと第１接続管８１Ａ、８１Ｂに設けた半円通路８７Ａ、８７Ｂとによって形成された通路の隙間で毛細管現象を利用して、且つ、半田がつきにくい第１接続管８１Ａ、８１Ｂを利用して、半田がつきやすい第２接続管８２へ自然に流れ込んで、例えば図１０に示すような半田７６Ａ、７６Ｂによって、第２接続管８２の方形通路８５Ａ、８５Ｂの近傍にて実装される。

主として図１０、図２を参照して、中継部８３Ａ、８３Ｂの構成を説明する。中継部８３Ａ、８３Ｂは、抵抗基板６２の中心線（「ｐ」）に沿って設けられ、抵抗基板６２と接続される接続端子６４Ａ、６４Ｂと、この接続端子６４Ａ、６４Ｂのフランジ６５Ａ、６５Ｂを境として、第２接続管８２や第１接続管８１Ａ、８１Ｂの側に円筒状の接合管６６Ａ、６６Ｂを、及び、その反対側の第２部品４Ａ、４Ｂの側に円筒状の中継管６７Ａ、６７Ｂを、それぞれ有する。

中継部８３Ａ、８３Ｂの端部には、半月状の断面を有しそれらの間にスリットを形成しているようなスリット部材７２Ａ、７２Ｂが設けられており、これらスリット部材７２Ａ、７２Ｂの間に抵抗基板６２の信号接続部６８Ａ、６８Ｂが挿入される。その後、これらスリット部材７２Ａ、７２Ｂの筒内に半田を盛ることにより、中継部８３Ａ、８３Ｂは抵抗基板６２に固定されるようになっている。抵抗基板６２に固定された中継部８３Ａ、８３Ｂは、第２接続管８２や第１接続管８１Ａ、８１Ｂの中心を通る位置において、第２接続管８２から第１接続管８１Ａ、８１Ｂに向かう方向、即ち、中心線「ｐ」に沿って第１接続管８１Ａ、８１Ｂの外方に延びる。

第２部品４Ａ、４Ｂと第１部品６を接続したとき、これらの部品は、第１部品６の中継端子６７と第２部品４Ａ、４Ｂの第２雌端子４２Ａ、４２Ｂとを利用して、少なくとも軸方向においてバネ構造によって弾性接続される。バネ構造を達成するため、中継管６７Ａ、６７Ｂには、第２部品４Ａ、４Ｂとの接続側において中心を通る横方向にスリ割り７４Ａ、７４Ｂが設けてある。このような構成において、第２部品４Ａ、４Ｂと第１部品６が軸方向にて互いに接近したとき、先ず、第１部品６の接続端子６４Ａ、６４Ｂの中心から軸方向に延びるガイドピン７７Ａ、７７Ｂが、第２部品４Ａ、４Ｂの第２雌端子４２Ａ、４２Ｂの入り口の穴５０Ａ、５０Ｂに誘い込まれ、更に接近したときに、ガイドピン７７Ａ、７７Ｂが、穴５０Ａ、５０Ｂの更に奥のガイド穴５１Ａ、５１Ｂへ案内されるとともに、中継管６７Ａ、６７Ｂのスリ割り７４Ａ、７４Ｂが、第２雌端子４２Ａ、４２Ｂの入り口の穴５０Ａ、５０Ｂに軸方向にて押し込まれて弾性変形される。これにより、第２部品４Ａ、４Ｂと第１部品６を弾性接続させることができる。この弾性接続により、高周波帯デバイス１（雄端子）と相手同軸コネクタ（雌端子）とを嵌合させる際にそれらの間に生じるストレスを排除することができ、また、それらの間に生じ得る嵌合ギャップを許容することができ、更に、抵抗基板６２と中継部８３Ａ、８３Ｂ（スリット部材７２Ａ、７２Ｂ）における半田部や、抵抗基板６２と第２接続管８２における半田部に、実質的にストレスがかかることがない。

尚、本発明は、上述した実施の形態に限定されるわけではなく、その他種々の変更が可能である。
例えば、外部導体部４４Ａ、４４Ｂのフランジ４６ｂＡ、４６ｂＢと、第１接続管８１Ａ、８１Ｂの環状面とを、より確実に当接させるため、それらの間に導電性のシートを介挿してもよい。図１１は、一例としてのシート１００を第１部品６、更に言えば、第１部品６を構成する第１接続管８１Ａ及び第１接続管８１Ｂの環状面に配した状態を示す斜視図、また、図１２は、その側面図である。便宜上、第２部品４Ａ、４Ｂは示していないが、シート１００は、第２部品４Ａ、４Ｂと第１部品６との間に挟み込まれるものとする。シート１００を設けることにより、第２部品４Ａ、４Ｂの外部導体部４４Ａ、４４Ｂのフランジ４６ｂＡ、４６ｂＢと、第１接続管８１Ａ及び第１接続管８１Ｂ、特に、その環状面に設けた凸状部８１ａＡ、８１ａＢとの間に隙間が形成されてしまうことを減らすことができ、それらをより確実に当接させることができる。シート１００の厚みを考慮して、外部導体部４４Ａ、４４Ｂのフランジ４６ｂＡ、４６ｂＢに、環状の凹状部４８Ａ、４６Ｂを設けてもよい。尚、凸状部８１ａＡ、８１ａＢを設けずに、シート１００を設けても効果が得られることは勿論である。

図１３の（ａ）に、シート１００の使用前の状態を斜視図で、また、図１３の（ｂ）に、その状態を正面図で示し、更に、図１４の（ａ）に、シート１００の使用中の状態を斜視図で、また、図１４の（ｂ）に、その状態を正面図で示す。シート１００は、外部導体部４４Ａ、４４Ｂのフランジ４６ｂＡ、４６ｂＢと、第１接続管８１Ａ、８１Ｂの環状面との間に単に挟み込んでもよいが、シート１００に挿入片１０３を設けて、これらを、抵抗基板６２のグランド接続部６９Ａ、６９Ｂ（図７、図１０等参照）と、通路８７Ａ、８７Ｂ、８５Ａ、８５Ｂとの間に介挿させることによって、外部導体部４４Ａ、４４Ｂと、第１接続管８１Ａ、８１Ｂとの間の電気的な接続をより確実に行わせることができる。この場合、挿入片１０３は、例えば、図１３に示すように、使用前は、略Ｔ字状の挿入片１０３として形成し、使用の際は、図１４に示すように、側面視略コの字状として、抵抗基板６２等の側に突出させた挿入片１０３Ａを形成し、この挿入片１０３Ａを、抵抗基板６２のグランド接続部６９Ａ、６９Ｂと、通路８７Ａ、８７Ｂ、８５Ａ、８５Ｂとの間に介挿させてもよい。

本発明は、他の及び異なる実施形態で構成することもでき、そしてその多数の細部は、本発明の精神及び範囲から逸脱せずに、種々の明らかな観点において変更することができる。従って、図面及び説明は、例示に過ぎず、これに限定されるものではない。

１ 高周波帯デバイス
４Ａ、４Ｂ 第２部品
６ 第１部品
２１ 第１シェル
２２ 第２シェル
４３Ａ、４３Ｂ 端子部
４４Ａ、４４Ｂ 外部導体部
６２ 抵抗基板
６７Ａ、６７Ｂ 中継管
６８Ａ、６８Ｂ 信号接続部
６９Ａ、６９Ｂ グランド接続部
８１Ａ、８１Ｂ 第１接続管
８１ａＡ、８１ａＢ 凸状部
８２ 第２接続管
８４ 方形穴
８５Ａ、８５Ｂ 方形の通路
８７Ａ、８７Ｂ 半円状の通路

Claims (15)

1. 第１部品と第２部品を含み、
   前記第１部品は、
   抵抗基板と、
   前記抵抗基板の信号接続部に前記抵抗基板の中心線に沿って設けた中継手段と、
   前記中心線に沿って設けた貫通穴を有する導電部材であって、前記抵抗基板の対向する一対の縁部に設けたグランド接続部が挿通される一対の通路が前記貫通穴に設けられている、前記導電部材と、を備え、
   前記第２部品は、
   相手同軸コネクタの相手側中心導体と電気的に接続される端子部と、
   前記相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続される外部導体部と、を備え、
   前記端子部は、前記中継手段を介して前記抵抗基板の信号接続部と電気的に接続され、
   前記外部導体部は、前記導電部材を通じて前記抵抗基板のグランド接続部と電気的に接続され、
   前記外部導体部に面した前記導電部材の面に、前記外部導体部と当接させる凸状部が前記一対の通路を除く前記貫通穴の縁に沿って設けられていることを特徴とする減衰機能を有する高周波素子。
2. 前記凸状部は、前記中心線に対して同心状に設けられている、請求項１に記載の高周波素子。
3. 前記凸状部の軌跡は、前記抵抗基板のグランド接続部を通る円環状のものである、請求項２に記載の高周波素子。
4. 前記導電部材は、第１接続管と第２接続管を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波素子。
5. 前記凸状部は、前記第２接続管とは反対側の前記第１接続管の面に設けられている、請求項４に記載の高周波素子。
6. 前記第１接続管は円環板状であって、前記中心線に沿う第１貫通穴を有し、前記第１貫通穴の直径方向における対向位置に、板厚方向に沿って一対の第１通路が設けられている、請求項４又は５に記載の高周波素子。
7. 前記第２接続管は円環板状であって、前記中心線に沿う第２貫通穴を有し、前記第２貫通穴の直径方向における対向位置に、板厚方向に沿って一対の第２通路が設けられている、請求項６に記載の高周波素子。
8. 前記第１接続管と前記第２接続管は、前記一対の第１通路と前記一対の第２通路を板厚方向にて連通させた状態で配置されている、請求項７に記載の高周波素子。
9. 前記抵抗基板のグランド接続部は、前記一対の第１通路及び前記一対の第２通路に挿通され、且つ、前記一対の第２通路と導通している、請求項８に記載の高周波素子。
10. 前記第１接続管は、対で設けられており、前記対の第１接続管は、前記第２接続管を挟み込むように配置されている、請求項４乃至９のいずれかに記載の高周波素子。
11. 前記第１接続管と前記外部導体部の間に介挿される導電性シートを更に設けた、請求項４乃至１０の何れかに記載の高周波素子。
12. 前記導電性シートに、前記抵抗基板の前記グランド接続部と、前記通路との間に介挿される、挿入片を設けた、請求項１１に記載の高周波素子。
13. 前記外部導体部は、前記相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続される円環板状部分を有する、請求項１乃至１２のいずれかに記載の高周波素子。
14. 前記第１部品と前記第２部品はシェルによって覆われている、請求項１乃至１３のいずれかに記載の高周波素子。
15. 請求項１乃至１４のいずれかの高周波素子を有する高周波帯デバイス。

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