JP7222867B2 - 高周波素子、及び、該高周波素子を有する高周波帯デバイス - Google Patents
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Description
伝送信号の高速化に伴い、これらの高周波素子等には、例えば100GHz以上の高周波信号に対してもなお良好な周波数特性を有することができること、言い換えれば、良好な減衰機能を発揮することができることが所望されている。
このような凸状部を設けることによって、導電部材を外部導体部に対してより確実に当接させることができ、高周波素子、又は、該高周波素子を有する高周波帯デバイスにおける周波数特性を改善することができる。
前記凸状部の軌跡は、前記抵抗基板のグランド接続部を通るのが好ましい。
前記凸状部は、前記第2接続管は反対側の前記第1接続管の面に設けられていてもよい。
更に、上記態様の高周波素子において、前記抵抗基板のグランド接続部は、前記一対の第1通路及び前記一対の第2通路に挿通され、且つ、前記一対の第2通路と導通していてもよい。
例えば、外部導体部44A、44Bのフランジ46bA、46bBと、第1接続管81A、81Bの環状面とを、より確実に当接させるため、それらの間に導電性のシートを介挿してもよい。図11は、一例としてのシート100を第1部品6、更に言えば、第1部品6を構成する第1接続管81A及び第1接続管81Bの環状面に配した状態を示す斜視図、また、図12は、その側面図である。便宜上、第2部品4A、4Bは示していないが、シート100は、第2部品4A、4Bと第1部品6との間に挟み込まれるものとする。シート100を設けることにより、第2部品4A、4Bの外部導体部44A、44Bのフランジ46bA、46bBと、第1接続管81A及び第1接続管81B、特に、その環状面に設けた凸状部81aA、81aBとの間に隙間が形成されてしまうことを減らすことができ、それらをより確実に当接させることができる。シート100の厚みを考慮して、外部導体部44A、44Bのフランジ46bA、46bBに、環状の凹状部48A、46Bを設けてもよい。尚、凸状部81aA、81aBを設けずに、シート100を設けても効果が得られることは勿論である。
4A、4B 第2部品
6 第1部品
21 第1シェル
22 第2シェル
43A、43B 端子部
44A、44B 外部導体部
62 抵抗基板
67A、67B 中継管
68A、68B 信号接続部
69A、69B グランド接続部
81A、81B 第1接続管
81aA、81aB 凸状部
82 第2接続管
84 方形穴
85A、85B 方形の通路
87A、87B 半円状の通路
Claims (15)
- 第1部品と第2部品を含み、
前記第1部品は、
抵抗基板と、
前記抵抗基板の信号接続部に前記抵抗基板の中心線に沿って設けた中継手段と、
前記中心線に沿って設けた貫通穴を有する導電部材であって、前記抵抗基板の対向する一対の縁部に設けたグランド接続部が挿通される一対の通路が前記貫通穴に設けられている、前記導電部材と、を備え、
前記第2部品は、
相手同軸コネクタの相手側中心導体と電気的に接続される端子部と、
前記相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続される外部導体部と、を備え、
前記端子部は、前記中継手段を介して前記抵抗基板の信号接続部と電気的に接続され、
前記外部導体部は、前記導電部材を通じて前記抵抗基板のグランド接続部と電気的に接続され、
前記外部導体部に面した前記導電部材の面に、前記外部導体部と当接させる凸状部が前記一対の通路を除く前記貫通穴の縁に沿って設けられていることを特徴とする減衰機能を有する高周波素子。 - 前記凸状部は、前記中心線に対して同心状に設けられている、請求項1に記載の高周波素子。
- 前記凸状部の軌跡は、前記抵抗基板のグランド接続部を通る円環状のものである、請求項2に記載の高周波素子。
- 前記導電部材は、第1接続管と第2接続管を含む、請求項1乃至3のいずれかに記載の高周波素子。
- 前記凸状部は、前記第2接続管とは反対側の前記第1接続管の面に設けられている、請求項4に記載の高周波素子。
- 前記第1接続管は円環板状であって、前記中心線に沿う第1貫通穴を有し、前記第1貫通穴の直径方向における対向位置に、板厚方向に沿って一対の第1通路が設けられている、請求項4又は5に記載の高周波素子。
- 前記第2接続管は円環板状であって、前記中心線に沿う第2貫通穴を有し、前記第2貫通穴の直径方向における対向位置に、板厚方向に沿って一対の第2通路が設けられている、請求項6に記載の高周波素子。
- 前記第1接続管と前記第2接続管は、前記一対の第1通路と前記一対の第2通路を板厚方向にて連通させた状態で配置されている、請求項7に記載の高周波素子。
- 前記抵抗基板のグランド接続部は、前記一対の第1通路及び前記一対の第2通路に挿通され、且つ、前記一対の第2通路と導通している、請求項8に記載の高周波素子。
- 前記第1接続管は、対で設けられており、前記対の第1接続管は、前記第2接続管を挟み込むように配置されている、請求項4乃至9のいずれかに記載の高周波素子。
- 前記第1接続管と前記外部導体部の間に介挿される導電性シートを更に設けた、請求項4乃至10の何れかに記載の高周波素子。
- 前記導電性シートに、前記抵抗基板の前記グランド接続部と、前記通路との間に介挿される、挿入片を設けた、請求項11に記載の高周波素子。
- 前記外部導体部は、前記相手同軸コネクタの相手側外部導体と電気的に接続される円環板状部分を有する、請求項1乃至12のいずれかに記載の高周波素子。
- 前記第1部品と前記第2部品はシェルによって覆われている、請求項1乃至13のいずれかに記載の高周波素子。
- 請求項1乃至14のいずれかの高周波素子を有する高周波帯デバイス。
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JP2019185716A JP7222867B2 (ja) | 2019-10-09 | 2019-10-09 | 高周波素子、及び、該高周波素子を有する高周波帯デバイス |
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JP2009016116A (ja) | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Toshiba Corp | 高周波同軸コネクタおよびその使用方法 |
US8616898B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-12-31 | Molex Incorporated | High frequency coaxial cable |
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JP2585567Y2 (ja) * | 1992-05-20 | 1998-11-18 | 三菱電線工業株式会社 | 同軸コネクタの接続構造 |
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