JP7216296B2 - 発光素子及び発光装置 - Google Patents
発光素子及び発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7216296B2 JP7216296B2 JP2020165837A JP2020165837A JP7216296B2 JP 7216296 B2 JP7216296 B2 JP 7216296B2 JP 2020165837 A JP2020165837 A JP 2020165837A JP 2020165837 A JP2020165837 A JP 2020165837A JP 7216296 B2 JP7216296 B2 JP 7216296B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- electrode
- light emitting
- opening
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 270
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 209
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- -1 cerium-activated yttrium-aluminum-garnet Chemical class 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、発光素子及び発光装置に関する。
発光素子を、フリップチップ実装する際に、バンプ高さを調整した発光装置が知られている（例えば、特許文献１～３）。
本発明の一実施形態は、発光素子をフリップチップ実装する場合に、実装性に優れた発光素子及びそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態は、以下を含む。
（１）第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間の活性層とを有し、前記第２半導体層の外周の内側において、前記第２半導体層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、前記露出部の上方に第１開口部を有し、前記第２半導体層の一部領域の上方に第２開口部を有する絶縁膜と、
前記第１開口部にて前記第１半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第１電極と、
前記第２開口部にて前記第２半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第２電極と、
前記第１電極上に配置される複数の第１バンプと、
前記第２電極上に配置される複数の第２バンプと、を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記第２半導体層上の前記絶縁膜上において、前記第２半導体層から同じ高さに位置する第１表面及び第２表面を有し、
前記第１バンプ及び前記第２バンプは、前記第１表面及び前記第２表面にそれぞれ接続されている発光素子。
（２）上面に第１配線及び第２配線を有する基板と、
前記第１配線及び前記第２配線上に、それぞれ複数のバンプを介してフリップチップ実装される発光素子と、を備え、
前記発光素子は、
第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間の活性層とを有し、前記第２半導体層の外周の内側において、前記第２半導体層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、前記露出部の上方に第１開口部を有し、前記第２半導体層の一部領域の上方に第２開口部を有する絶縁膜と、
前記第１開口部にて前記第１半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第１電極と、
前記第２開口部にて前記第２半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第２電極と、を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記第２半導体層上の前記絶縁膜上において、前記第２半導体層から同じ高さに位置する第１表面及び第２表面を有しており、
前記複数のバンプは、
前記基板の前記第１配線と、前記発光素子の前記第１表面とを接続する複数の第１バンプと、
前記基板の前記第２配線と、前記発光素子の前記第２表面とを接続する複数の第２バンプとを含む発光装置。
（１）第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間の活性層とを有し、前記第２半導体層の外周の内側において、前記第２半導体層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、前記露出部の上方に第１開口部を有し、前記第２半導体層の一部領域の上方に第２開口部を有する絶縁膜と、
前記第１開口部にて前記第１半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第１電極と、
前記第２開口部にて前記第２半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第２電極と、
前記第１電極上に配置される複数の第１バンプと、
前記第２電極上に配置される複数の第２バンプと、を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記第２半導体層上の前記絶縁膜上において、前記第２半導体層から同じ高さに位置する第１表面及び第２表面を有し、
前記第１バンプ及び前記第２バンプは、前記第１表面及び前記第２表面にそれぞれ接続されている発光素子。
（２）上面に第１配線及び第２配線を有する基板と、
前記第１配線及び前記第２配線上に、それぞれ複数のバンプを介してフリップチップ実装される発光素子と、を備え、
前記発光素子は、
第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間の活性層とを有し、前記第２半導体層の外周の内側において、前記第２半導体層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、前記露出部の上方に第１開口部を有し、前記第２半導体層の一部領域の上方に第２開口部を有する絶縁膜と、
前記第１開口部にて前記第１半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第１電極と、
前記第２開口部にて前記第２半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第２電極と、を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記第２半導体層上の前記絶縁膜上において、前記第２半導体層から同じ高さに位置する第１表面及び第２表面を有しており、
前記複数のバンプは、
前記基板の前記第１配線と、前記発光素子の前記第１表面とを接続する複数の第１バンプと、
前記基板の前記第２配線と、前記発光素子の前記第２表面とを接続する複数の第２バンプとを含む発光装置。
本発明によれば、発光素子を、フリップチップ実装する場合に、実装性に優れた発光素子及び発光装置を提供することができる。
以下に図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下に限定するものではない。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。断面図は、切断面のみを示す端面図を用いる場合がある。さらに、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略する。各実施形態において他の実施形態と同一の名称を用いる部材は、同一又は対応する部材を表している。そのような部材は、特に説明がない限り、他の実施形態で挙げた材料及び大きさ等を採用することができる。また、一部とは、一つの部材の一部分、複数の部材のうちのいくつかのいずれでもよく、全部とは、一つの部材の全体、複数の部材の全部のいずれでもよい。本明細書において、「上」、「下」等は、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。また、実施形態について、「被覆」とは、直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して被覆する場合も含む。
〔発光素子〕
本実施形態の発光素子１０は、図１Ａ及び１Ｂに示すように、支持基板２７と、半導体積層体２３と、絶縁膜１４と、第１電極１１と、第２電極１２と、第１バンプ３１と、第２バンプ３２とを備える。
半導体積層体２３は、第１半導体層２１と、第２半導体層２２と、第１半導体層２１と第２半導体層２２との間の活性層２４とを有し、第２半導体層２２の外周の内側において、第２半導体層２２から第１半導体層２１が露出する複数の露出部２１ａを有する。
絶縁膜１４は、半導体積層体２３の上面（つまり第２半導体層２２側の表面）を覆い、露出部２１ａの上方に第１開口部１４ａを有し、第２半導体層２２の一部領域の上方に第２開口部１４ｂを有する。
第１電極１１は、第１開口部１４ａにて第１半導体層２１と導通し、一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層２２上に配置されている。第２電極１２は、第２開口部１４ｂにて第２半導体層２２と導通し、一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層２２上に配置されている。第１電極１１及び第２電極１２は、第２半導体層２２上の絶縁膜１４上において、第２半導体層２２から同じ高さに位置する第１表面１１ａ及び第２表面１２ａを有している。
第１バンプ３１は、第１電極１１上に複数配置されている。第２バンプ３２は、第２電極１２上に複数配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａにそれぞれ接続されている。
つまり、発光素子１０は、第１電極１１を、第１半導体層と導通する第１開口部１４ａから第２半導体層２２の上方の絶縁膜１４上まで、第２電極１２を、第２半導体層と導通する第２開口部１４ｂから第２半導体層２２の上方の絶縁膜１４上まで、それぞれ延在させて、第２半導体層２２の上方の絶縁膜１４上に高低差の無い第１表面１１ａと第２表面１２ａとを配置させている。そして、第１表面１１ａに第１バンプ３１が、第２表面１２ａに第２バンプ３２がそれぞれ接続されている。
本実施形態の発光素子１０は、図１Ａ及び１Ｂに示すように、支持基板２７と、半導体積層体２３と、絶縁膜１４と、第１電極１１と、第２電極１２と、第１バンプ３１と、第２バンプ３２とを備える。
半導体積層体２３は、第１半導体層２１と、第２半導体層２２と、第１半導体層２１と第２半導体層２２との間の活性層２４とを有し、第２半導体層２２の外周の内側において、第２半導体層２２から第１半導体層２１が露出する複数の露出部２１ａを有する。
絶縁膜１４は、半導体積層体２３の上面（つまり第２半導体層２２側の表面）を覆い、露出部２１ａの上方に第１開口部１４ａを有し、第２半導体層２２の一部領域の上方に第２開口部１４ｂを有する。
第１電極１１は、第１開口部１４ａにて第１半導体層２１と導通し、一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層２２上に配置されている。第２電極１２は、第２開口部１４ｂにて第２半導体層２２と導通し、一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層２２上に配置されている。第１電極１１及び第２電極１２は、第２半導体層２２上の絶縁膜１４上において、第２半導体層２２から同じ高さに位置する第１表面１１ａ及び第２表面１２ａを有している。
第１バンプ３１は、第１電極１１上に複数配置されている。第２バンプ３２は、第２電極１２上に複数配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａにそれぞれ接続されている。
つまり、発光素子１０は、第１電極１１を、第１半導体層と導通する第１開口部１４ａから第２半導体層２２の上方の絶縁膜１４上まで、第２電極１２を、第２半導体層と導通する第２開口部１４ｂから第２半導体層２２の上方の絶縁膜１４上まで、それぞれ延在させて、第２半導体層２２の上方の絶縁膜１４上に高低差の無い第１表面１１ａと第２表面１２ａとを配置させている。そして、第１表面１１ａに第１バンプ３１が、第２表面１２ａに第２バンプ３２がそれぞれ接続されている。
このような構成の発光素子によれば、第１表面１１ａと第２表面１２ａとに接続される第１バンプ３１と第２バンプ３２の表面高さ（つまり発光素子の下面からバンプの上面３１ａ、３２ａまでの高さ）を同程度とすることができる。これにより、フリップチップ実装する際に、発光素子の実装面における第１電極及び第２電極の高さの違いに起因する傾きを抑制することができる。これにより、発光素子をフリップチップ実装する際の負荷が第１バンプ及び第２バンプにおいて略同等にかかるため、第１電極及び第２電極、さらに第１半導体層及び第２半導体層における実装時の負荷の偏りを低減することができる。その結果、安定したフリップチップ実装が可能となる。
また、製造工程において、高低差のない第１バンプ３１と第２バンプ３２とを同条件で一括して形成することができる。このため、工程を簡略化することができる。例えば、高低差のある電極上に同条件で形成されたバンプには高低差が生じるため、上述した傾きを抑えるために、バンプ高さを調整するための研磨処理等の工程が必要となるが、本実施形態ではこの工程を省略することができる。
発光素子１０及び／又は半導体積層体の平面形状は、例えば、矩形状が挙げられる。また、平面形状は三角形、六角形等の多角形、これらの角に丸みを帯びた形状、円形又は楕円形等であってもよい。なお、本明細書における「矩形」とは、４つの角の角度について、９０度±５度の変動が許容されることを意味し、矩形の角が面取り、丸められたもの等、これら矩形に近似する形状を包含する。また、「矩形」とは「正方形」を含む。
また、製造工程において、高低差のない第１バンプ３１と第２バンプ３２とを同条件で一括して形成することができる。このため、工程を簡略化することができる。例えば、高低差のある電極上に同条件で形成されたバンプには高低差が生じるため、上述した傾きを抑えるために、バンプ高さを調整するための研磨処理等の工程が必要となるが、本実施形態ではこの工程を省略することができる。
発光素子１０及び／又は半導体積層体の平面形状は、例えば、矩形状が挙げられる。また、平面形状は三角形、六角形等の多角形、これらの角に丸みを帯びた形状、円形又は楕円形等であってもよい。なお、本明細書における「矩形」とは、４つの角の角度について、９０度±５度の変動が許容されることを意味し、矩形の角が面取り、丸められたもの等、これら矩形に近似する形状を包含する。また、「矩形」とは「正方形」を含む。
（半導体積層体２３）
半導体積層体２３は、第１半導体層２１（例えば、ｎ型半導体層）、活性層２４及び第２半導体層２２（例えば、ｐ型半導体層）が、支持基板２７上に積層されたものである。ただし、発光素子１０の状態では、支持基板２７が除去されたものでもよい。第２半導体層２２側からの平面視において、第２半導体層２２は、第１半導体層２１の外周の内側に設けられていることが好ましい。つまり、第２半導体層側からの平面視において、半導体積層体２３の外周には第２半導体層２２と活性層２４とは設けられておらず、第１半導体層２１が露出していることが好ましい。さらに、第２半導体層２２側からの平面視において、第２半導体層２２の外縁と活性層２４の外縁は略一致しており、第１半導体層の外縁と半導体積層体２３の外縁は略一致していることが好ましい。
第１半導体層、活性層及び第２半導体層は、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。
半導体積層体２３は、第１半導体層２１（例えば、ｎ型半導体層）、活性層２４及び第２半導体層２２（例えば、ｐ型半導体層）が、支持基板２７上に積層されたものである。ただし、発光素子１０の状態では、支持基板２７が除去されたものでもよい。第２半導体層２２側からの平面視において、第２半導体層２２は、第１半導体層２１の外周の内側に設けられていることが好ましい。つまり、第２半導体層側からの平面視において、半導体積層体２３の外周には第２半導体層２２と活性層２４とは設けられておらず、第１半導体層２１が露出していることが好ましい。さらに、第２半導体層２２側からの平面視において、第２半導体層２２の外縁と活性層２４の外縁は略一致しており、第１半導体層の外縁と半導体積層体２３の外縁は略一致していることが好ましい。
第１半導体層、活性層及び第２半導体層は、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。
（支持基板２７）
支持基板２７は、例えば、半導体層の成長基板として、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものが挙げられる。このような成長基板の材料としては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、スピネル（ＭｇＡ１２Ｏ４）のような絶縁性基板等が挙げられる。
支持基板２７は、例えば、半導体層の成長基板として、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものが挙げられる。このような成長基板の材料としては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、スピネル（ＭｇＡ１２Ｏ４）のような絶縁性基板等が挙げられる。
（露出部２１ａ）
半導体積層体２３は、第２半導体層２２の外周の内側において、第２半導体層２２及び活性層２４が膜厚方向の全てにわたって除去され、第１半導体層２１が第２半導体層２２及び活性層２４から露出する露出部２１ａを複数有する。言い換えると、半導体積層体２３は、第２半導体層２２の上面に、第２半導体層２２及び活性層２４を貫通し、第１半導体層２１まで達する凹部を有する。凹部は、底面と、底面を取り囲む側面により画定される。凹部の底面には、露出部２１ａとして、第１半導体層２１が露出している。そして、凹部の側面には凹部の開口から底面に向かって、第２半導体層２２、活性層２４及び第１半導体層２１が配置されている。
露出部の形状、大きさ、位置、数は、意図する発光素子の大きさ、形状、電極パターン等によって適宜設定することができる。例えば、複数の露出部２１ａはすべてが同じ形状、大きさであってもよいし、それぞれ又は一部が異なる形状、大きさであってもよい。なかでも、複数の露出部２１ａは、全てが同程度の大きさ及び形状であることが好ましい。露出部２１ａは活性層２４を有さない領域であるため、同程度の大きさの複数の露出部２１ａを規則的に整列して配置することにより、発光面積の減少及び発光領域の偏りを抑制することができる。
複数の露出部は、第２半導体層側からの平面視において、第２半導体層の外周よりも内側において、規則的に配置されていることが好ましい。特に、半導体積層体２３の上面視（つまり第２半導体層側からの平面視）の形状が矩形状である場合、露出部は、矩形の一辺に平行な第１方向に沿って規則的に配列していることが好ましい。また、第１方向に沿った列を複数有し、各列が互いに平行に配置していることがより好ましい。このように複数の露出部２１ａが互いに離隔し、規則的に配置されることによって、電流密度分布のムラを抑制することができる。
半導体積層体２３は、第２半導体層２２の外周の内側において、第２半導体層２２及び活性層２４が膜厚方向の全てにわたって除去され、第１半導体層２１が第２半導体層２２及び活性層２４から露出する露出部２１ａを複数有する。言い換えると、半導体積層体２３は、第２半導体層２２の上面に、第２半導体層２２及び活性層２４を貫通し、第１半導体層２１まで達する凹部を有する。凹部は、底面と、底面を取り囲む側面により画定される。凹部の底面には、露出部２１ａとして、第１半導体層２１が露出している。そして、凹部の側面には凹部の開口から底面に向かって、第２半導体層２２、活性層２４及び第１半導体層２１が配置されている。
露出部の形状、大きさ、位置、数は、意図する発光素子の大きさ、形状、電極パターン等によって適宜設定することができる。例えば、複数の露出部２１ａはすべてが同じ形状、大きさであってもよいし、それぞれ又は一部が異なる形状、大きさであってもよい。なかでも、複数の露出部２１ａは、全てが同程度の大きさ及び形状であることが好ましい。露出部２１ａは活性層２４を有さない領域であるため、同程度の大きさの複数の露出部２１ａを規則的に整列して配置することにより、発光面積の減少及び発光領域の偏りを抑制することができる。
複数の露出部は、第２半導体層側からの平面視において、第２半導体層の外周よりも内側において、規則的に配置されていることが好ましい。特に、半導体積層体２３の上面視（つまり第２半導体層側からの平面視）の形状が矩形状である場合、露出部は、矩形の一辺に平行な第１方向に沿って規則的に配列していることが好ましい。また、第１方向に沿った列を複数有し、各列が互いに平行に配置していることがより好ましい。このように複数の露出部２１ａが互いに離隔し、規則的に配置されることによって、電流密度分布のムラを抑制することができる。
露出部２１ａの形状は、例えば、平面視において円又は楕円、三角形、四角形、六角形等の多角形等が挙げられ、なかでも、円形又は円形に近い形状（例えば楕円又は六角形以上の多角形）が好ましい。露出部の大きさは、半導体積層体の大きさ、求められる発光素子の発光出力等によって適宜調整することができ、例えば、直径が数十μｍから数百μｍ程度の大きさであることが好ましい。別の観点から、直径が、半導体積層体の一辺の１／２０から１／５程度の大きさであることが好ましい。
露出部は、第２半導体層の外周の内側に配置されるものの合計平面積が、第２半導体層の外周の内側の平面積の３０％以下、２５％以下、２０％以下、１８％以下、１５％以下が好ましい。このような範囲とすることで、かつ、複数の露出部を規則的に配列させることで、発光面積の減少による発光出力の低下を抑制しつつ、電流密度分布の偏りを抑制することができる。
露出部は、第２半導体層の外周の内側に配置されるものの合計平面積が、第２半導体層の外周の内側の平面積の３０％以下、２５％以下、２０％以下、１８％以下、１５％以下が好ましい。このような範囲とすることで、かつ、複数の露出部を規則的に配列させることで、発光面積の減少による発光出力の低下を抑制しつつ、電流密度分布の偏りを抑制することができる。
（絶縁膜１４）
絶縁膜１４は、半導体積層体２３の第２半導体層２２側の表面を被覆する。絶縁膜１４は、絶縁膜から第１半導体層２１が露出する第１開口部１４ａと、絶縁膜から第２半導体層が露出する第２開口部１４ｂを有する。
つまり、絶縁膜１４は、半導体積層体２３の第２半導体層側の表面を被覆するとともに、図１Ｃに示すように、露出部２１ａの上方に第１開口部１４ａ、第２半導体層２２の一部領域の上方に第２開口部１４ｂを有する。なお、複数の第１開口部１４ａのうちの一部は、半導体積層体２３の外周に露出する第１半導体層２１上に配置されていてもよい。
絶縁膜１４が半導体積層体２３を被覆し、かつ露出部２１ａの上方に第１開口部１４ａを有することにより、絶縁膜１４の上面の広範囲に第１電極１１を形成することができる。第１開口部１４ａは、露出部２１ａよりも小さい大きさで形成されていることが好ましく、露出部２１ａの形状と相似な形状及び同じ数で配置されていることがより好ましい。つまり、絶縁膜１４は、露出部２１ａを画定する凹部の側面を被覆することが好ましく、その側面近傍の露出部２１ａの外周部をも被覆し、露出部２１ａの中央部分の直上に第１開口部１４ａが配置されていることがより好ましい。つまり、絶縁膜１４は露出部２１ａを取り囲む第２半導体層２２の側面及び活性層２４の側面を被覆することが好ましい。これにより、第１開口部１４ａにおいて、第１電極１１が第１半導体層２１とのみ導通することができ、第２半導体層２２及び活性層２４との短絡を防止することができる。
絶縁膜１４は、半導体積層体２３の第２半導体層２２側の表面を被覆する。絶縁膜１４は、絶縁膜から第１半導体層２１が露出する第１開口部１４ａと、絶縁膜から第２半導体層が露出する第２開口部１４ｂを有する。
つまり、絶縁膜１４は、半導体積層体２３の第２半導体層側の表面を被覆するとともに、図１Ｃに示すように、露出部２１ａの上方に第１開口部１４ａ、第２半導体層２２の一部領域の上方に第２開口部１４ｂを有する。なお、複数の第１開口部１４ａのうちの一部は、半導体積層体２３の外周に露出する第１半導体層２１上に配置されていてもよい。
絶縁膜１４が半導体積層体２３を被覆し、かつ露出部２１ａの上方に第１開口部１４ａを有することにより、絶縁膜１４の上面の広範囲に第１電極１１を形成することができる。第１開口部１４ａは、露出部２１ａよりも小さい大きさで形成されていることが好ましく、露出部２１ａの形状と相似な形状及び同じ数で配置されていることがより好ましい。つまり、絶縁膜１４は、露出部２１ａを画定する凹部の側面を被覆することが好ましく、その側面近傍の露出部２１ａの外周部をも被覆し、露出部２１ａの中央部分の直上に第１開口部１４ａが配置されていることがより好ましい。つまり、絶縁膜１４は露出部２１ａを取り囲む第２半導体層２２の側面及び活性層２４の側面を被覆することが好ましい。これにより、第１開口部１４ａにおいて、第１電極１１が第１半導体層２１とのみ導通することができ、第２半導体層２２及び活性層２４との短絡を防止することができる。
複数の第１開口部１４ａはその全てが必ずしも同じ大きさ及び／又は形状でなくてもよい。半導体積層体２３の上面視の形状が矩形状である場合、第１開口部１４ａは、矩形の一辺に平行な第１方向にそって配列していることが好ましい。第１開口部１４ａの開口面積は、半導体積層体の大きさ、求められる発光素子の発光出力等によって適宜設定することができる。第１開口部１４ａの開口面積の合計は、例えば、半導体積層体の平面積の０．１％から１．５％が好ましく、０．３％から０．５％がより好ましい。
第２開口部１４ｂは、露出部２１ａとオーバーラップしない（つまり平面視で重なって配置されない）限り、任意の形状、大きさ、個数で配置することができる。第２開口部１４ｂが複数配置される場合、その一部又は全部が同じ形状、大きさであってもよいし、異なる形状、大きさであってもよい。例えば、平面視において円もしくは楕円、三角形、四角形、六角形等の多角形等又はこれらが組み合わせられた形状等が挙げられる。
例えば、半導体積層体２３の上面視の形状が矩形状で、第２電極が矩形の一辺に平行な第１方向に長い形状を有する場合、第２開口部１４ｂは、第１方向に長い形状であることが好ましい。さらに、第２開口部１４ｂは、その一部又は全部が、後述する第２電極１２の第１電極１１側の外縁に沿って配置されていることが好ましい。第２開口部１４ｂには、第２バンプが配置されないため、第１電極１１側に第２開口部１４ｂを設けることで、第２電極上に配置される第２バンプと、第１電極上に配置される第１バンプとの距離を確保することができる。なお、ここでの一部とは、一つの第２開口部１４ｂの一部分、複数の第２開口部１４ｂのうちのいくつかのいずれでもよい。全部とは、一つの第２開口部１４ｂの全体、複数の第２開口部１４ｂのうちの全部のいずれでもよい。
第２開口部１４ｂは、露出部２１ａとオーバーラップしない（つまり平面視で重なって配置されない）限り、任意の形状、大きさ、個数で配置することができる。第２開口部１４ｂが複数配置される場合、その一部又は全部が同じ形状、大きさであってもよいし、異なる形状、大きさであってもよい。例えば、平面視において円もしくは楕円、三角形、四角形、六角形等の多角形等又はこれらが組み合わせられた形状等が挙げられる。
例えば、半導体積層体２３の上面視の形状が矩形状で、第２電極が矩形の一辺に平行な第１方向に長い形状を有する場合、第２開口部１４ｂは、第１方向に長い形状であることが好ましい。さらに、第２開口部１４ｂは、その一部又は全部が、後述する第２電極１２の第１電極１１側の外縁に沿って配置されていることが好ましい。第２開口部１４ｂには、第２バンプが配置されないため、第１電極１１側に第２開口部１４ｂを設けることで、第２電極上に配置される第２バンプと、第１電極上に配置される第１バンプとの距離を確保することができる。なお、ここでの一部とは、一つの第２開口部１４ｂの一部分、複数の第２開口部１４ｂのうちのいくつかのいずれでもよい。全部とは、一つの第２開口部１４ｂの全体、複数の第２開口部１４ｂのうちの全部のいずれでもよい。
第２開口部１４ｂの開口面積は、半導体積層体の大きさ、求められる発光素子の発光出力等によって適宜設定することができる。第２開口部１４ｂの開口面積の合計は、例えば、半導体積層体の平面積の３％から１０％が好ましく、４％から６％がより好ましい。
第１開口部１４ａの開口面積の合計は、第２開口部１４ｂの開口面積の合計よりも小さいことが好ましい。例えば、第１開口部１４ａの開口面積の合計は、第２開口部１４ｂの開口面積の合計の５％から２５％が好ましく、８％から１５％がより好ましい。
上述したように、第２半導体層側からの平面視において、第２半導体層が第１半導体層の外周の内側に設けられている場合には、半導体積層体の外周に露出した第１半導体層の一部又は全部が、絶縁膜１４に被覆されていてもよい。
絶縁膜１４は、当該分野で公知の材料を、電気的な絶縁性を確保し得る材料及び厚みで形成されている。具体的には、絶縁膜１４には、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。絶縁膜１４は、スパッタや蒸着等の方法で成膜することができる。
第１開口部１４ａの開口面積の合計は、第２開口部１４ｂの開口面積の合計よりも小さいことが好ましい。例えば、第１開口部１４ａの開口面積の合計は、第２開口部１４ｂの開口面積の合計の５％から２５％が好ましく、８％から１５％がより好ましい。
上述したように、第２半導体層側からの平面視において、第２半導体層が第１半導体層の外周の内側に設けられている場合には、半導体積層体の外周に露出した第１半導体層の一部又は全部が、絶縁膜１４に被覆されていてもよい。
絶縁膜１４は、当該分野で公知の材料を、電気的な絶縁性を確保し得る材料及び厚みで形成されている。具体的には、絶縁膜１４には、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。絶縁膜１４は、スパッタや蒸着等の方法で成膜することができる。
（第１電極１１及び第２電極１２）
第１電極１１及び第２電極１２は、図１Ｄに示すように、半導体積層体２３の上面側（つまり、支持基板とは反対側の第２半導体層２２側）に配置されている。第１電極１１及び第２電極１２は、第１半導体層２１及び第２半導体層２２と、それぞれ、第１開口部１４ａ及び第２開口部１４ｂにて導通している。第１半導体層２１と第１電極１１、第２半導体層２２と第２電極１２とは直接接触していてもよいし、後述する光反射性電極２８等の導電層を介して電気的に接続されていてもよい。第１電極１１は、複数の第１開口部１４ａの全部又は一部を一体的に覆うことが好ましく、第１開口部１４ａの全部を一体的に覆うことがより好ましい。第２電極１２は、第２開口部１４ｂの全部又は一部を一体的に覆うことが好ましく、第２開口部１４ｂの全部を一体的に覆うことがより好ましい。
また、上述したように、第２半導体層側からの平面視において、第２半導体層２２が第１半導体層２１の外周の内側に設けられている場合には、第１電極１１は、第２半導体層２２の外周の外側において絶縁膜１４から露出する第１半導体層２１と導通することが好ましい。
第１電極１１及び第２電極１２は、図１Ｄに示すように、半導体積層体２３の上面側（つまり、支持基板とは反対側の第２半導体層２２側）に配置されている。第１電極１１及び第２電極１２は、第１半導体層２１及び第２半導体層２２と、それぞれ、第１開口部１４ａ及び第２開口部１４ｂにて導通している。第１半導体層２１と第１電極１１、第２半導体層２２と第２電極１２とは直接接触していてもよいし、後述する光反射性電極２８等の導電層を介して電気的に接続されていてもよい。第１電極１１は、複数の第１開口部１４ａの全部又は一部を一体的に覆うことが好ましく、第１開口部１４ａの全部を一体的に覆うことがより好ましい。第２電極１２は、第２開口部１４ｂの全部又は一部を一体的に覆うことが好ましく、第２開口部１４ｂの全部を一体的に覆うことがより好ましい。
また、上述したように、第２半導体層側からの平面視において、第２半導体層２２が第１半導体層２１の外周の内側に設けられている場合には、第１電極１１は、第２半導体層２２の外周の外側において絶縁膜１４から露出する第１半導体層２１と導通することが好ましい。
第１電極１１及び第２電極１２は、スパッタや蒸着等の方法で成膜することができる。
第１電極１１及び第２電極１２は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、これら第１電極１１及び第２電極１２は、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ－Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ等の積層膜によって形成することができる。第１電極１１及び第２電極１２は、同じ材料によって形成されていなくてもよいが、製造工程の簡略化の観点から、同じ材料で形成されていることが好ましい。膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚に適宜設定することができる。この場合、第１電極１１と第２電極１２とは、同じ膜厚でなくてもよいが、同じ膜厚であることが好ましい。特に、第１電極１１及び第２電極１２は、いずれも、絶縁膜１４を介して第２半導体層２２上の配置される領域を有するため、少なくともこのような領域においては、第２半導体層２２から同じ高さに位置する第１表面１１ａ及び第２表面１２ａを有するように、第１電極１１と第２電極１２との膜厚を設定することが好ましい。あるいは、後述するように、第２半導体層２２の上に、光反射性電極２８、さらに保護層２９を配置する場合には、これらが配置した領域及びこれらの膜厚等を考慮して、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａが、第２半導体層２２から同じ高さに位置するように、第１電極１１及び第２電極１２を形成することが好ましい。第１表面１１ａ及び第２表面１２ａは、いずれも、後述する第１バンプ及び第２バンプを形成する領域であるため、発光素子に印加する電圧値等を考慮して、適宜その大きさ、形状、配置等を設定することが好ましい。例えば、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａは、露出部２１ａが配置されていない領域に配置することが好ましい。
第１電極１１及び第２電極１２の形状は、それぞれ適宜設定することができる。例えば、第１電極１１及び第２電極１２を合わせた平面形状が、半導体積層体２３とほぼ同様の平面形状となる形状とすることが好ましい。例えば、第１電極１１及び第２電極１２は、平面視、矩形状の半導体積層体２３において、矩形の一辺に平行な第１方向に並行して配置されていてもよいし、第１電極１１が第２電極１２を挟む又は第２電極１２が第１電極１１を挟むように配置されていてもよい。
第１電極１１及び第２電極１２は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、これら第１電極１１及び第２電極１２は、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ－Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ等の積層膜によって形成することができる。第１電極１１及び第２電極１２は、同じ材料によって形成されていなくてもよいが、製造工程の簡略化の観点から、同じ材料で形成されていることが好ましい。膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚に適宜設定することができる。この場合、第１電極１１と第２電極１２とは、同じ膜厚でなくてもよいが、同じ膜厚であることが好ましい。特に、第１電極１１及び第２電極１２は、いずれも、絶縁膜１４を介して第２半導体層２２上の配置される領域を有するため、少なくともこのような領域においては、第２半導体層２２から同じ高さに位置する第１表面１１ａ及び第２表面１２ａを有するように、第１電極１１と第２電極１２との膜厚を設定することが好ましい。あるいは、後述するように、第２半導体層２２の上に、光反射性電極２８、さらに保護層２９を配置する場合には、これらが配置した領域及びこれらの膜厚等を考慮して、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａが、第２半導体層２２から同じ高さに位置するように、第１電極１１及び第２電極１２を形成することが好ましい。第１表面１１ａ及び第２表面１２ａは、いずれも、後述する第１バンプ及び第２バンプを形成する領域であるため、発光素子に印加する電圧値等を考慮して、適宜その大きさ、形状、配置等を設定することが好ましい。例えば、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａは、露出部２１ａが配置されていない領域に配置することが好ましい。
第１電極１１及び第２電極１２の形状は、それぞれ適宜設定することができる。例えば、第１電極１１及び第２電極１２を合わせた平面形状が、半導体積層体２３とほぼ同様の平面形状となる形状とすることが好ましい。例えば、第１電極１１及び第２電極１２は、平面視、矩形状の半導体積層体２３において、矩形の一辺に平行な第１方向に並行して配置されていてもよいし、第１電極１１が第２電極１２を挟む又は第２電極１２が第１電極１１を挟むように配置されていてもよい。
第１電極１１は、上述した半導体積層体２３の第２半導体層２２側に配置される露出部２１ａと、第１開口部１４ａにて電気的に接続される。この場合、第１電極１１は複数の露出部２１ａを一括して覆うように複数の露出部２１ａと接続されることが好ましく、全ての露出部２１ａに一体的に接続されることがより好ましい。第１電極１１は、露出部２１ａ（つまり第１半導体層２１）のみならず、第２半導体層２２上方にも配置される。このため、第１電極１１は、第１開口部１４ａにおいて、絶縁膜１４を介して、露出部２１ａを画定する第２半導体層２２及び活性層２４の側面を被覆するように配置される。
第２電極１２は、露出部２１ａが配置されていない領域、つまり第２半導体層２２上に配置され、第２開口部１４ｂにて、第２半導体層２２と電気的に接続される。第２電極１２は、第２半導体層２２と直接接していてもよいが、後述する光反射性電極等の導電層を介して第２半導体層２２上に配置されることが好ましい。
（第１バンプ３１及び第２バンプ３２）
第１バンプ３１は、第１電極１１上に複数配置されている。第２バンプ３２は、第２電極１２上に複数配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、いずれも、上述した第１表面１１ａ及び第２表面１２ａ上に配置され、それぞれ、第１電極１１及び第２電極１２と接続されている。
第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、厚みが同じであることが好ましい。これにより、後述する基板上の配線に、発光素子をフリップ実装する際に、バンプの接合強度を同程度にすることができる。また、発光素子の傾きを回避することができるため、基板に対する光軸の調整が容易となる。
第１バンプ３１は、第１電極１１上に複数配置されている。第２バンプ３２は、第２電極１２上に複数配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、いずれも、上述した第１表面１１ａ及び第２表面１２ａ上に配置され、それぞれ、第１電極１１及び第２電極１２と接続されている。
第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、厚みが同じであることが好ましい。これにより、後述する基板上の配線に、発光素子をフリップ実装する際に、バンプの接合強度を同程度にすることができる。また、発光素子の傾きを回避することができるため、基板に対する光軸の調整が容易となる。
第１バンプ３１及び第２バンプ３２の形状、大きさ、数は、いずれも、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａ上に配置できる限り、適宜設定することができる。例えば、第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、平面視において円又は楕円、三角形、四角形、六角形等の多角形等が挙げられ、なかでも、円形又は円形に近い形状（例えば楕円又は六角形以上の多角形）が好ましい。大きさは、半導体積層体の大きさ、求められる発光素子の発光出力等によって適宜調整することができ、例えば、直径が数十μｍから数百μｍ程度の大きさが挙げられる。別の観点から、直径が、半導体積層体の一辺の１／２０から１／５程度の大きさが挙げられる。第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、その全部又は一部が、同じ形状及び／又は大きさであってもよいし、異なる形状及び／又は大きさ異であってもよい。また、第１バンプ３１は、第２バンプ３２と、その全部又は一部が、同じ形状及び／又は大きさであってもよいし、異なる形状及び／又は大きさ異であってもよい。さらに第１バンプ３１は、第２バンプ３２と、同じ数であってもよいが、異なる数であってもよい。
第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、後述する基板上の配線に、発光素子をフリップ実装するために用いられる。第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、第１電極１１の第１表面１１ａ及び第２電極１２の第２表面１２ａ上に、任意に配置することができる。例えば、第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、全体として、半導体積層体の表面に対して、偏りなく配置されることが好ましい。また、第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、それぞれが、規則的に、略等間隔で、第１表面及び第２表面に接続されることが好ましい。このような配置により、第１バンプ３１及び第２バンプ３２を、露出部と平面視でオーバーラップすることなく、高密度に配置させることができる。これにより、発光素子に十分な電流を供給することができるとともに、供給される電流密度が分散され、電流密度分布のムラを抑制することができる。また、発光素子の面内における放熱性の偏りを抑制することができる。さらに、基板との接合時の負荷が抑制され、接合後のバンプの潰れ量のバラツキを抑えることができる。また、発光素子の傾きを回避することができ、基板に対する光軸の調整が容易となる。
第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｎｉ又はこれらの合金により形成することができ、例えば当該分野で公知のスタッドバンプにより形成することができる。スタッドバンプは、スタッドバンプボンダー、ワイヤボンディング装置等により形成することができる。また、第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等の当該分野において公知の方法によって形成してもよい。
（光反射性電極２８）
発光素子１０は、第２電極１２と第２半導体層２２との間に介在する光反射性電極２８を有していてもよい。光反射性電極２８は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、第２半導体層２２の上面を被覆する。
光反射性電極２８は、例えば、図１Ａ及び図１Ｅに示すように、複数の露出部２１ａそれぞれの上方に孔部２８ａを有している。孔部２８ａは、光反射性電極２８が露出部２１ａを被覆しないように、露出部２１ａに対応する位置に設けられた貫通孔である。孔部２８ａは、平面視で、露出部２１ａと同じ大きさ及び形状であるか、露出部２１ａを取り囲むように、露出部２１ａよりも若干大きいことが好ましい。光反射性電極２８は、第２電極１２及び第２半導体層２２と導通されるため、露出部２１ａを含む第１半導体層２１とは接触しないように配置される。
光反射性電極２８は、導電性と光反射性を有する金属材料を用いることができる。例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ又はこれらのいずれかの金属を主成分とする合金を用いることができる。なかでも、活性層から発せられる光に対して高い光反射性を有するＡｇ又はＡｇ合金がより好ましい。光反射性電極２８は、活性層から出射される光を効果的に反射することができる厚みを有することが好ましく、例えば、２０ｎｍから１μｍ程度が挙げられる。光反射性電極と第２半導体層との接触面積は大きいほど好ましく、このため、光反射性電極２８は、上方に第１電極１１が配置される第２半導体層２２上にも配置されることが好ましい。具体的には、光反射性電極２８の総平面積は、半導体積層体の平面積の５０％以上、６０％以上、７０％以上が挙げられる。
発光素子１０は、第２電極１２と第２半導体層２２との間に介在する光反射性電極２８を有していてもよい。光反射性電極２８は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、第２半導体層２２の上面を被覆する。
光反射性電極２８は、例えば、図１Ａ及び図１Ｅに示すように、複数の露出部２１ａそれぞれの上方に孔部２８ａを有している。孔部２８ａは、光反射性電極２８が露出部２１ａを被覆しないように、露出部２１ａに対応する位置に設けられた貫通孔である。孔部２８ａは、平面視で、露出部２１ａと同じ大きさ及び形状であるか、露出部２１ａを取り囲むように、露出部２１ａよりも若干大きいことが好ましい。光反射性電極２８は、第２電極１２及び第２半導体層２２と導通されるため、露出部２１ａを含む第１半導体層２１とは接触しないように配置される。
光反射性電極２８は、導電性と光反射性を有する金属材料を用いることができる。例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ又はこれらのいずれかの金属を主成分とする合金を用いることができる。なかでも、活性層から発せられる光に対して高い光反射性を有するＡｇ又はＡｇ合金がより好ましい。光反射性電極２８は、活性層から出射される光を効果的に反射することができる厚みを有することが好ましく、例えば、２０ｎｍから１μｍ程度が挙げられる。光反射性電極と第２半導体層との接触面積は大きいほど好ましく、このため、光反射性電極２８は、上方に第１電極１１が配置される第２半導体層２２上にも配置されることが好ましい。具体的には、光反射性電極２８の総平面積は、半導体積層体の平面積の５０％以上、６０％以上、７０％以上が挙げられる。
光反射性電極２８がＡｇを含む場合には、Ａｇのマイグレーションを防止するために、その上面、好ましくは、光反射性電極２８の上面及び側面の全てを被覆する保護層２９を第２半導体層２２上に設けることが好ましい。
具体的には、光反射性電極２８は、第２半導体層２２の外周における端部および露出部２１ａを画定する凹部の開口端部から離隔して、第２半導体層２２を被覆する。保護層２９は、第２半導体層２２の外周における端部および露出部２１ａを画定する凹部の開口端部を含む、第２半導体層２２の上面の全てを被覆する。これにより、保護層２９が光反射性電極２８の側面を含む表面の全てを被覆することができる。
保護層２９としては、通常、電極材料として用いられている金属及び合金等の導電性部材によって形成してもよいし、絶縁性部材を用いても形成してもよい。導電性部材としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属を含有する単層膜又は積層膜が挙げられる。絶縁性部材としては、上述した絶縁膜１４と同様の材料が挙げられるが、なかでもＳｉＮを用いることが好ましい。ＳｉＮは膜が緻密なため、水分の侵入を抑制する材料として優れている。保護層２９の厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、数百ｎｍから数μｍ程度が挙げられる。
保護層２９を絶縁性部材で形成する場合、保護層２９は、光反射性電極２８の上方であって、絶縁膜１４の第２開口部１４ｂに対応する位置に保護層２９を貫通する開口を有することが好ましい。これにより、第２開口部にて、光反射性電極２８を介して、第２半導体層２２と第２電極１２とを電気的に接続することができる。この際、保護層２９から露出する光反射性電極２８は露出する表面全てが第２電極１２で被覆されることが好ましい。
光反射性電極及び保護層は、スパッタや蒸着等の方法で成膜することができる。
具体的には、光反射性電極２８は、第２半導体層２２の外周における端部および露出部２１ａを画定する凹部の開口端部から離隔して、第２半導体層２２を被覆する。保護層２９は、第２半導体層２２の外周における端部および露出部２１ａを画定する凹部の開口端部を含む、第２半導体層２２の上面の全てを被覆する。これにより、保護層２９が光反射性電極２８の側面を含む表面の全てを被覆することができる。
保護層２９としては、通常、電極材料として用いられている金属及び合金等の導電性部材によって形成してもよいし、絶縁性部材を用いても形成してもよい。導電性部材としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属を含有する単層膜又は積層膜が挙げられる。絶縁性部材としては、上述した絶縁膜１４と同様の材料が挙げられるが、なかでもＳｉＮを用いることが好ましい。ＳｉＮは膜が緻密なため、水分の侵入を抑制する材料として優れている。保護層２９の厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、数百ｎｍから数μｍ程度が挙げられる。
保護層２９を絶縁性部材で形成する場合、保護層２９は、光反射性電極２８の上方であって、絶縁膜１４の第２開口部１４ｂに対応する位置に保護層２９を貫通する開口を有することが好ましい。これにより、第２開口部にて、光反射性電極２８を介して、第２半導体層２２と第２電極１２とを電気的に接続することができる。この際、保護層２９から露出する光反射性電極２８は露出する表面全てが第２電極１２で被覆されることが好ましい。
光反射性電極及び保護層は、スパッタや蒸着等の方法で成膜することができる。
〔発光装置〕
本実施形態の発光装置３０は、図７Ａ及び７Ｂに示すように、基板３３と、発光素子４４と、複数のバンプ４５とを備える。バンプ４５は、第１バンプと第２バンプとを備える。発光素子４４は、複数の第１バンプ及び第２バンプを介して基板３３上にフリップチップ実装されている。
ここでの発光素子４４及び複数のバンプ４５は、上述した又は後述する発光素子１０、１０Ａ～１０Ｅ等であってもよい。また、複数のバンプ４５は、発光素子とは別個に基板３３上に配置されたバンプでもよい。この場合、発光素子は、上述した又は後述する発光素子１０、１０Ａ～１０Ｅ等において第１バンプ及び第２バンプを備えない以外は、同一の構成を有するものが好ましい。複数のバンプ４５は、発光素子に配置された、上述した第１バンプ及び第２バンプと同様の構成を有することができる。つまり、基板３３上に配置されたバンプ４５は、上述したように、発光素子の第２半導体層上の絶縁膜上において、第２半導体層から同じ高さに位置する第１電極の第１表面及び第２電極の第２表面に接続されている。
この発光装置３０は、さらに被覆部材３４を備えていてもよい。また、発光素子４４の上には、透光部材３５が配置されていることが好ましい。
本実施形態の発光装置３０は、図７Ａ及び７Ｂに示すように、基板３３と、発光素子４４と、複数のバンプ４５とを備える。バンプ４５は、第１バンプと第２バンプとを備える。発光素子４４は、複数の第１バンプ及び第２バンプを介して基板３３上にフリップチップ実装されている。
ここでの発光素子４４及び複数のバンプ４５は、上述した又は後述する発光素子１０、１０Ａ～１０Ｅ等であってもよい。また、複数のバンプ４５は、発光素子とは別個に基板３３上に配置されたバンプでもよい。この場合、発光素子は、上述した又は後述する発光素子１０、１０Ａ～１０Ｅ等において第１バンプ及び第２バンプを備えない以外は、同一の構成を有するものが好ましい。複数のバンプ４５は、発光素子に配置された、上述した第１バンプ及び第２バンプと同様の構成を有することができる。つまり、基板３３上に配置されたバンプ４５は、上述したように、発光素子の第２半導体層上の絶縁膜上において、第２半導体層から同じ高さに位置する第１電極の第１表面及び第２電極の第２表面に接続されている。
この発光装置３０は、さらに被覆部材３４を備えていてもよい。また、発光素子４４の上には、透光部材３５が配置されていることが好ましい。
（基板３３）
基板３３は、上面に第１配線４１及び第２配線４２を有する。
基板３３の材料としては、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス等の絶縁性部材、表面に絶縁性部材を形成した金属部材等が挙げられる。なかでも、基板の材料は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。
第１配線４１及び第２配線４２は、発光素子に電流を供給し得るものであればよく、当該分野で通常使用されている材料、厚み、形状等で形成されている。具体的には、第１配線４１及び第２配線４２は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｎｉ等の金属又はこれらを含む合金等によって形成することができる。基板３３の上面に形成される第１配線４１及び第２配線４２は、発光素子１０からの光を効率よく取り出すために、その最表面が銀又は金等の反射率の高い材料で覆われていることが好ましい。第１配線４１及び第２配線４２は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成することができる。例えば、バンプ４５としてＡｕバンプを用いる場合、第１配線４１及び第２配線４２の最表面にＡｕを用いることで、発光素子と基板との接合性が向上できる。
基板３３は、上面に第１配線４１及び第２配線４２を有する。
基板３３の材料としては、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス等の絶縁性部材、表面に絶縁性部材を形成した金属部材等が挙げられる。なかでも、基板の材料は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。
第１配線４１及び第２配線４２は、発光素子に電流を供給し得るものであればよく、当該分野で通常使用されている材料、厚み、形状等で形成されている。具体的には、第１配線４１及び第２配線４２は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｎｉ等の金属又はこれらを含む合金等によって形成することができる。基板３３の上面に形成される第１配線４１及び第２配線４２は、発光素子１０からの光を効率よく取り出すために、その最表面が銀又は金等の反射率の高い材料で覆われていることが好ましい。第１配線４１及び第２配線４２は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成することができる。例えば、バンプ４５としてＡｕバンプを用いる場合、第１配線４１及び第２配線４２の最表面にＡｕを用いることで、発光素子と基板との接合性が向上できる。
第１配線４１及び第２配線４２は、基板３３の上面に正負のパターンとして形成されていることが好ましい。このような第１配線４１及び第２配線４２によって、後述する発光素子における第１半導体層に導通される第１電極と、第２半導体層に導通される第２電極とをバンプ４５を介して、第１配線４１及び第２配線４２上にフリップチップ実装により接続することができる。第１配線４１及び第２配線４２は、基板３３の上面のみならず、内部及び／又は側面を介して、下面に配置されていてもよい。下面に配置される第１配線及び第２配線は外部から電流を供給するための外部接続端子として用いることができる。また、基板３３には、発光素子と接続される第１配線４１及び第２配線４２以外に、放熱性確保のための配線及び／又は保護素子等他の電子部品を駆動するための配線を有していてもよい。
（被覆部材３４）
被覆部材３４は、図７Ｂに示すように、発光素子４４、第１バンプ及び第２バンプを含むバンプ４５及び基板３３上面の一部又は全部を被覆する絶縁性の部材である。なかでも、被覆部材３４は、基板３３の上面において、発光素子４４の側面、発光素子４４と基板３３との間、バンプ４５の側面の全てを被覆していることが好ましい。
被覆部材３４は、例えば光反射性、透光性、遮光性等を有する材料を用いて形成することができる。例えば、光反射性物質、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有した樹脂等によって形成することができる。なかでも、被覆部材は、光反射性及び／又は遮光性を有することが好ましい。被覆部材を構成する樹脂、光反射性物質等は、当該分野で通常使用されているもののいずれをも利用することができる。
例えば、樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂が挙げられる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト等が挙げられる。
被覆部材３４は、図７Ｂに示すように、発光素子４４、第１バンプ及び第２バンプを含むバンプ４５及び基板３３上面の一部又は全部を被覆する絶縁性の部材である。なかでも、被覆部材３４は、基板３３の上面において、発光素子４４の側面、発光素子４４と基板３３との間、バンプ４５の側面の全てを被覆していることが好ましい。
被覆部材３４は、例えば光反射性、透光性、遮光性等を有する材料を用いて形成することができる。例えば、光反射性物質、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有した樹脂等によって形成することができる。なかでも、被覆部材は、光反射性及び／又は遮光性を有することが好ましい。被覆部材を構成する樹脂、光反射性物質等は、当該分野で通常使用されているもののいずれをも利用することができる。
例えば、樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂が挙げられる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト等が挙げられる。
被覆部材３４を構成する材料は、発光素子と基板との間に入り込みやすく、ボイドの発生を防止しやすいという観点から、流動性が高く、熱又は光の照射により硬化する樹脂を含むことが好ましい。このような材料は、例えば、０．５Ｐａ・ｓから３０Ｐａ・ｓの粘度での流動性を示すものが挙げられる。また、被覆部材３４を構成する材料における光反射性物質等の含有量等によって光の反射量、透過量等を変動させることができる。被覆部材は、例えば、光反射性物質を２０ｗｔ％以上含有することが好ましい。
被覆部材３４は、例えば、射出成形、ポッティング、印刷、トランスファーモールド、圧縮成形等で成形することができる。
被覆部材３４は、例えば、射出成形、ポッティング、印刷、トランスファーモールド、圧縮成形等で成形することができる。
（透光部材３５）
発光装置３０は、発光素子１０の上に透光部材３５を有する。発光素子１０は第１電極及び第２電極を有する面を下面として、第１配線４１及び第２配線４２上にフリップチップ実装される。発光素子１０は、下面と反対側の上面を主な光取り出し面として、この上面と透光部材３５の下面とが接合される。
透光部材３５は、発光素子の光取り出し面を被覆し、発光素子から出射される光及び／又は発光素子からの光が波長変換された光（例えば波長３２０ｎｍから８５０ｎｍ）の６０％以上、好ましくは７０％以上を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。透光部材３５は、光拡散材又は発光素子４４から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体等を含有してもよい。
発光装置３０は、発光素子１０の上に透光部材３５を有する。発光素子１０は第１電極及び第２電極を有する面を下面として、第１配線４１及び第２配線４２上にフリップチップ実装される。発光素子１０は、下面と反対側の上面を主な光取り出し面として、この上面と透光部材３５の下面とが接合される。
透光部材３５は、発光素子の光取り出し面を被覆し、発光素子から出射される光及び／又は発光素子からの光が波長変換された光（例えば波長３２０ｎｍから８５０ｎｍ）の６０％以上、好ましくは７０％以上を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。透光部材３５は、光拡散材又は発光素子４４から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体等を含有してもよい。
透光部材３５の下面は、発光素子４４の上面面積の８０％から１５０％程度の面積を有することが好ましい。透光部材３５の下面外縁は、発光素子の上面外縁と一致するか、上面外縁より内側又は外側のどちらかのみに位置していることが好ましい。つまり、平面視において、発光素子の上面と透光部材の下面のどちらか一方がもう一方に内包されることが好ましい。透光部材の厚みは、例えば、５０μｍから３００μｍが挙げられる。
透光部材３５は、例えば、樹脂、ガラス、無機物等により形成することができる。また、蛍光体を含有する透光部材は、例えば蛍光体の焼結体や、樹脂、ガラス又は他の無機物に蛍光体を含有させたもの等が挙げられる。また、平板状の樹脂、ガラス、無機物等の成形体の表面に蛍光体及び／又は拡散材を含有する樹脂層を形成したものでもよい。透光部材は、透明度が高いほど、被覆部材との界面において光を反射させやすいため、発光装置の輝度を向上させることが可能となる。
透光部材３５は、例えば、樹脂、ガラス、無機物等により形成することができる。また、蛍光体を含有する透光部材は、例えば蛍光体の焼結体や、樹脂、ガラス又は他の無機物に蛍光体を含有させたもの等が挙げられる。また、平板状の樹脂、ガラス、無機物等の成形体の表面に蛍光体及び／又は拡散材を含有する樹脂層を形成したものでもよい。透光部材は、透明度が高いほど、被覆部材との界面において光を反射させやすいため、発光装置の輝度を向上させることが可能となる。
透光部材３５に含有させる蛍光体としては、例えば、発光素子として、青色発光素子又は紫外線発光素子を用いる場合には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２：Ｅｕ）、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、β サイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ（０＜Ｚ＜４．２））、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体等が挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子との組み合わせにより、所望の発光色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を得ることができる。このような蛍光体を透光部材に含有する場合、蛍光体の濃度は、例えば５％から５０％程度とすることが好ましい。
透光部材３５は、発光素子の光取り出し面を被覆するように接合されている。透光部材と発光素子とは、圧着、焼結、表面活性化接合、原子拡散接合、水酸基接合による直接接合法を用いて接合されていてもよいし、接着材を介して接合されていてもよい。接着材は、例えば、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂のような周知の樹脂を用いることができる。
発光装置３０が、透光部材３５を有する場合、透光部材３５の側面の一部又は全部が被覆部材３４で被覆されていることが好ましい。
発光装置３０が、透光部材３５を有する場合、透光部材３５の側面の一部又は全部が被覆部材３４で被覆されていることが好ましい。
発光装置は、任意に、保護素子３６等の別の素子、電子部品等を有していてもよい。これらの素子及び部品は、基板３３上に載置され、被覆部材３４に埋設されていることが好ましい。
実施形態１
実施形態１の発光素子１０は、図１Ａ及び１Ｂに示したように、平面視形状が略正方形状である。例えば、一辺が１．０ｍｍの発光素子１０とすることができる。
この発光素子１０は、半導体積層体２３と、絶縁膜１４と、第１電極１１及び第２電極１２と、第１バンプ３１及び第２バンプ３２とを備える。
半導体積層体２３は、第１半導体層２１と、第２半導体層２２と、第１半導体層２１と第２半導体層２２との間の活性層２４とを有する。また、第２半導体層２２の外周の内側において、第２半導体層２２から第１半導体層２１が露出する複数の露出部２１ａを有する。第２半導体層２２の外周において、第１半導体層２１が露出している。
発光素子１０の平面視において、露出部２１ａは、例えば、略円形であり、第１方向に長い形状の第２電極１２を挟んで両側にそれぞれ複数が略等間隔で配置されている。
図１Ａから図１Ｃに示すように、絶縁膜１４は、絶縁膜１４を貫通する第１開口部１４ａと第２開口部１４ｂを有する。絶縁膜１４は、露出部２１ａの上方に第１開口部１４ａを有し、第２半導体層２２の一部領域の上方に第２開口部１４ｂを有する以外は、半導体積層体２３の表面の略全面を被覆する。第２開口部１４ｂは、第２電極１２の第１電極１１と対向する外縁に沿って配置されている。例えば、第１開口部１４ａの合計開口面積は４８００μｍ２であり、第２開口部１４ｂの合計開口面積は５０９００μｍ２であり、第１開口部の合計開口面積は、第２開口部の合計開口面積よりも小さい。
実施形態１の発光素子１０は、図１Ａ及び１Ｂに示したように、平面視形状が略正方形状である。例えば、一辺が１．０ｍｍの発光素子１０とすることができる。
この発光素子１０は、半導体積層体２３と、絶縁膜１４と、第１電極１１及び第２電極１２と、第１バンプ３１及び第２バンプ３２とを備える。
半導体積層体２３は、第１半導体層２１と、第２半導体層２２と、第１半導体層２１と第２半導体層２２との間の活性層２４とを有する。また、第２半導体層２２の外周の内側において、第２半導体層２２から第１半導体層２１が露出する複数の露出部２１ａを有する。第２半導体層２２の外周において、第１半導体層２１が露出している。
発光素子１０の平面視において、露出部２１ａは、例えば、略円形であり、第１方向に長い形状の第２電極１２を挟んで両側にそれぞれ複数が略等間隔で配置されている。
図１Ａから図１Ｃに示すように、絶縁膜１４は、絶縁膜１４を貫通する第１開口部１４ａと第２開口部１４ｂを有する。絶縁膜１４は、露出部２１ａの上方に第１開口部１４ａを有し、第２半導体層２２の一部領域の上方に第２開口部１４ｂを有する以外は、半導体積層体２３の表面の略全面を被覆する。第２開口部１４ｂは、第２電極１２の第１電極１１と対向する外縁に沿って配置されている。例えば、第１開口部１４ａの合計開口面積は４８００μｍ２であり、第２開口部１４ｂの合計開口面積は５０９００μｍ２であり、第１開口部の合計開口面積は、第２開口部の合計開口面積よりも小さい。
この発光素子１０には、第２半導体層２２上の略全面に、Ａｇを主成分とする光反射性電極２８が配置されている。図１Ｅに示すように、光反射性電極２８は、複数の孔部２８ａを有する。
第１開口部１４ａは、孔部２８ａ及び露出部２１ａとオーバーラップするように配置されている。つまり、孔部２８ａにて、光反射性電極２８から露出部（つまり第１半導体層）が露出している。そして、第２半導体層２２上において、この光反射性電極２８の上面、外周側面及び孔部２８ａ確定する内側面を含む表面の全部を被覆するように、ＳｉＮからなる保護層２９が配置されている。
発光素子１０は、平面視において、図１Ｆに示すように、略円形の露出部２１ａを内包するように、略円形の孔部２８ａ（つまり、孔部２８ａを画定する光反射性電極２８の内周）が配置されている。そして、略円形の第１開口部１４ａ（つまり第１開口部１４ａを画定する絶縁膜１４の内周）を内包するように、露出部２１ａが配置されている。
第２開口部１４ｂは、第２半導体層２２の一部領域の上方として、第２半導体層２２を覆う光反射性電極２８の上方に配置されている。
第１電極１１及び第２電極１２は、Ａｕによって形成されている。図１Ａ及び図１Ｄに示すように、第２半導体層側からの平面視において、第１電極１１は、第２電極１２を挟むように、その両側に配置されている。具体的には、第１電極１１は、第１方向に長い形状の第２電極１２を囲むように配置されている。言い換えると、第２電極１２の両側の第１電極１１は、第２電極１２の第１方向の両端部において連続している。第１電極１１は、それぞれ、第１開口部１４ａにて第１半導体層と導通し、一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層２２上に配置されている。第１電極１１は、複数の露出部を一体的に覆っている。第２電極１２は、第２開口部１４ｂにて第２半導体層２２と導通し、一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層２２上に配置されるように配置されている。第２電極は、２つの第２開口部１４ｂを一体的に覆っている。第１電極１１及び第２電極１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜１４上において、それぞれ膜厚約１μｍである。第１電極１１及び第２電極１２は、第２半導体層２２の表面からの距離（図１Ｂ中、Ｈ１及びＨ２）が同じである、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａを有する。
第１開口部１４ａは、孔部２８ａ及び露出部２１ａとオーバーラップするように配置されている。つまり、孔部２８ａにて、光反射性電極２８から露出部（つまり第１半導体層）が露出している。そして、第２半導体層２２上において、この光反射性電極２８の上面、外周側面及び孔部２８ａ確定する内側面を含む表面の全部を被覆するように、ＳｉＮからなる保護層２９が配置されている。
発光素子１０は、平面視において、図１Ｆに示すように、略円形の露出部２１ａを内包するように、略円形の孔部２８ａ（つまり、孔部２８ａを画定する光反射性電極２８の内周）が配置されている。そして、略円形の第１開口部１４ａ（つまり第１開口部１４ａを画定する絶縁膜１４の内周）を内包するように、露出部２１ａが配置されている。
第２開口部１４ｂは、第２半導体層２２の一部領域の上方として、第２半導体層２２を覆う光反射性電極２８の上方に配置されている。
第１電極１１及び第２電極１２は、Ａｕによって形成されている。図１Ａ及び図１Ｄに示すように、第２半導体層側からの平面視において、第１電極１１は、第２電極１２を挟むように、その両側に配置されている。具体的には、第１電極１１は、第１方向に長い形状の第２電極１２を囲むように配置されている。言い換えると、第２電極１２の両側の第１電極１１は、第２電極１２の第１方向の両端部において連続している。第１電極１１は、それぞれ、第１開口部１４ａにて第１半導体層と導通し、一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層２２上に配置されている。第１電極１１は、複数の露出部を一体的に覆っている。第２電極１２は、第２開口部１４ｂにて第２半導体層２２と導通し、一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層２２上に配置されるように配置されている。第２電極は、２つの第２開口部１４ｂを一体的に覆っている。第１電極１１及び第２電極１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜１４上において、それぞれ膜厚約１μｍである。第１電極１１及び第２電極１２は、第２半導体層２２の表面からの距離（図１Ｂ中、Ｈ１及びＨ２）が同じである、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａを有する。
第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、それぞれ、膜厚１５μｍのＡｕによって形成されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２は、それぞれ、直径１１０μｍの平面視円形状を有し、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａにそれぞれ接合されている。第１バンプ３１は、第２電極１２の両側の第１電極１１上において、露出部２１ａと平面視でオーバーラップしないように、露出部間に、６×２個、等間隔でそれぞれ配置されている。第２バンプ３２は、細長い形状の第２電極１２上において、第２開口部１４ｂと平面視でオーバーラップしないように、第２電極の長手方向に沿って、６個、等間隔で配置されている。
第２開口部１４ｂは、細長い形状の第２電極の長手方向に沿って、第２バンプを挟むように２つ配置されている。第２開口部１４ｂは、略円形状の第２バンプ３２に対応するように、第２バンプ側の外縁の一部が略円弧状に凹んだ形状を有する。これにより、第２表面に第２バンプを容易に配置することができる。
このような構成を有することにより、発光素子の表面において、第１バンプ及び第２バンプの各表面が同一平面に位置することとなり、発光素子を、バンプを用いて基板にフリップチップ実装する場合に、極性の異なる電極に接続されるバンプの高さを同等とすることができるために、安定したフリップチップ実装することができる。また、第１バンプ及び第２バンプが規則的に配列されているために、実装時の負荷の偏りが抑制され、よりフリップチップ実装を安定させることができる。
第２開口部１４ｂは、細長い形状の第２電極の長手方向に沿って、第２バンプを挟むように２つ配置されている。第２開口部１４ｂは、略円形状の第２バンプ３２に対応するように、第２バンプ側の外縁の一部が略円弧状に凹んだ形状を有する。これにより、第２表面に第２バンプを容易に配置することができる。
このような構成を有することにより、発光素子の表面において、第１バンプ及び第２バンプの各表面が同一平面に位置することとなり、発光素子を、バンプを用いて基板にフリップチップ実装する場合に、極性の異なる電極に接続されるバンプの高さを同等とすることができるために、安定したフリップチップ実装することができる。また、第１バンプ及び第２バンプが規則的に配列されているために、実装時の負荷の偏りが抑制され、よりフリップチップ実装を安定させることができる。
実施形態２
実施形態２の発光素子１０Ａは、図２Ａに示すように、絶縁膜１１４が、第１開口部１１４ａを、第２半導体層の外周の外側にも有する点で上述した発光素子１０と異なる。発光素子１０Ａにおいて、第２半導体層２２の外周の外側に位置する第１開口部１１４ａは、第２半導体層２２の外周に沿って一定の間隔を隔てて規則的に配置されている。例えば、隣接する第１開口部１１４ａの間隔は１００μｍから３００μｍとすることが好ましい。
なお、実施形態２の発光素子１０Ａは、第１開口部１１４ａの平面視形状を、第２半導体層２２の外周の内側と外側においてそれぞれ同じ略円形状としている。そして、略円形状の第１開口部を外周の外側に配置するために、第２半導体層２２は、平面視で、外周の一部が、円弧状に切り欠かれたような形状の外縁凹部を有する。この外縁凹部に対応する位置に、略円形状の第１開口部１１４ａが配置されている。これにより、第２半導体層２２の外周の外側においても第１電極１１と第１半導体層２１との導通を確保することができるとともに、第２半導体層２２の面積の減少を抑制することができる。
実施形態２の発光素子１０Ａは、図２Ａに示すように、絶縁膜１１４が、第１開口部１１４ａを、第２半導体層の外周の外側にも有する点で上述した発光素子１０と異なる。発光素子１０Ａにおいて、第２半導体層２２の外周の外側に位置する第１開口部１１４ａは、第２半導体層２２の外周に沿って一定の間隔を隔てて規則的に配置されている。例えば、隣接する第１開口部１１４ａの間隔は１００μｍから３００μｍとすることが好ましい。
なお、実施形態２の発光素子１０Ａは、第１開口部１１４ａの平面視形状を、第２半導体層２２の外周の内側と外側においてそれぞれ同じ略円形状としている。そして、略円形状の第１開口部を外周の外側に配置するために、第２半導体層２２は、平面視で、外周の一部が、円弧状に切り欠かれたような形状の外縁凹部を有する。この外縁凹部に対応する位置に、略円形状の第１開口部１１４ａが配置されている。これにより、第２半導体層２２の外周の外側においても第１電極１１と第１半導体層２１との導通を確保することができるとともに、第２半導体層２２の面積の減少を抑制することができる。
第１開口部１１４ａの配置に対応して、例えば、光反射性電極１２８は、図２Ｃに示すように、露出部２１ａの上方に孔部１２８ａを有し、さらに、その外縁が、第２半導体層２２の外縁凹部の配置に対応する位置に、外縁凹部１２８ｂを有する。
この発光素子１０Ａにおいても、第１電極１１及び第２電極１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜１４上において、第２半導体層２２の表面からの距離が同じである、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａを有する。
そして、第１バンプ３１は、第２電極１２の両側の第１電極１１の第１表面１１ａ上において、露出部２１ａと平面視でオーバーラップしないように、露出部２１ａ間に、６×２個、等間隔でそれぞれ配置されている。第２バンプ３２は、第２電極１２の第２表面１２ａ上であって、第２開口部２１４ｂと平面視でオーバーラップしない位置に、６個、等間隔で配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２が同じ材料で、同じ厚みを有する。
上述した構成以外の構成は、実質的に実施形態１の発光素子１０と同様である。従って、同様の効果を有する。
また、このような第１半導体層２１及び第１開口部１１４ａの配置とすることにより、第２半導体層２２及び活性層２４の面積を確保しながら、発光時の電流密度分布のばらつきを抑制することができる。
この発光素子１０Ａにおいても、第１電極１１及び第２電極１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜１４上において、第２半導体層２２の表面からの距離が同じである、第１表面１１ａ及び第２表面１２ａを有する。
そして、第１バンプ３１は、第２電極１２の両側の第１電極１１の第１表面１１ａ上において、露出部２１ａと平面視でオーバーラップしないように、露出部２１ａ間に、６×２個、等間隔でそれぞれ配置されている。第２バンプ３２は、第２電極１２の第２表面１２ａ上であって、第２開口部２１４ｂと平面視でオーバーラップしない位置に、６個、等間隔で配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２が同じ材料で、同じ厚みを有する。
上述した構成以外の構成は、実質的に実施形態１の発光素子１０と同様である。従って、同様の効果を有する。
また、このような第１半導体層２１及び第１開口部１１４ａの配置とすることにより、第２半導体層２２及び活性層２４の面積を確保しながら、発光時の電流密度分布のばらつきを抑制することができる。
実施形態３
実施形態３の発光素子１０Ｂは、図３Ａ、３Ｃに示すように、平面視矩形状の半導体積層体２３において、第１電極３１１が矩形の対向する二辺の一方側に、第２電極３１２が他方側に偏って配置されている。第１電極３１１は、発光素子１０Ｂの中央部分で、第１電極３１１の第２電極３１２と対向する外縁が第２電極３１２側に突き出したような形状の凸領域を有する。この第１電極３１１の凸領域に対応するように、第２電極３１２は、第１電極３１１の凸領域と対向する側の外縁が凹んでいる。
露出部３２１ａは、第１電極３１１と重なるように、さらに少なくとも一部が第１電極３１１の凸領域と重なるように、中央部分に３×３個配置されている。露出部３２１ａの平面形状は略円形状である。
露出部３２１ａの配置に対応して、絶縁膜３１４における第１開口部３１４ａは、図３Ｂに示すように、発光素子１０Ｂの中央に配置されている。そして、中央の第１開口部３１４ａを挟むように、やや大きめの矩形状の第２開口部３１４ｂが２つ配置されている。さらに、第２電極３１２が配置されている他方側の外縁に沿って、第１開口部３１４ａよりもやや大きい平面形状が略円形の第２開口部３１４ｂｂが１列に５個配置されている。例えば、第１開口部３１４ａの合計開口面積は９２００μｍ２であり、第２開口部３１４ｂの合計開口面積は６８４００μｍ２であり、第１開口部の合計開口面積は、第２開口部の合計開口面積よりも小さい。
光反射性電極３２８は、第２半導体層２２の端部（露出部３２１ａを画定する凹部の開口端部を含む）から離隔して、第２半導体層２２上の略全面に配置されている。光反射性電極３２８は、露出部３２１ａの上方に配置される孔部３２８ａを備える。従って、第２開口部３１４ｂ、３１４ｂｂは、第２半導体層２２の一部領域の上方、つまり、光反射性電極３２８の一部領域の上方に配置されている。第２開口部３１４ｂにて、第２電極３１２は、光反射性電極３２８を介して第２半導体層２２と導通される。
実施形態３の発光素子１０Ｂは、図３Ａ、３Ｃに示すように、平面視矩形状の半導体積層体２３において、第１電極３１１が矩形の対向する二辺の一方側に、第２電極３１２が他方側に偏って配置されている。第１電極３１１は、発光素子１０Ｂの中央部分で、第１電極３１１の第２電極３１２と対向する外縁が第２電極３１２側に突き出したような形状の凸領域を有する。この第１電極３１１の凸領域に対応するように、第２電極３１２は、第１電極３１１の凸領域と対向する側の外縁が凹んでいる。
露出部３２１ａは、第１電極３１１と重なるように、さらに少なくとも一部が第１電極３１１の凸領域と重なるように、中央部分に３×３個配置されている。露出部３２１ａの平面形状は略円形状である。
露出部３２１ａの配置に対応して、絶縁膜３１４における第１開口部３１４ａは、図３Ｂに示すように、発光素子１０Ｂの中央に配置されている。そして、中央の第１開口部３１４ａを挟むように、やや大きめの矩形状の第２開口部３１４ｂが２つ配置されている。さらに、第２電極３１２が配置されている他方側の外縁に沿って、第１開口部３１４ａよりもやや大きい平面形状が略円形の第２開口部３１４ｂｂが１列に５個配置されている。例えば、第１開口部３１４ａの合計開口面積は９２００μｍ２であり、第２開口部３１４ｂの合計開口面積は６８４００μｍ２であり、第１開口部の合計開口面積は、第２開口部の合計開口面積よりも小さい。
光反射性電極３２８は、第２半導体層２２の端部（露出部３２１ａを画定する凹部の開口端部を含む）から離隔して、第２半導体層２２上の略全面に配置されている。光反射性電極３２８は、露出部３２１ａの上方に配置される孔部３２８ａを備える。従って、第２開口部３１４ｂ、３１４ｂｂは、第２半導体層２２の一部領域の上方、つまり、光反射性電極３２８の一部領域の上方に配置されている。第２開口部３１４ｂにて、第２電極３１２は、光反射性電極３２８を介して第２半導体層２２と導通される。
この発光素子１０Ｂにおいても、第１電極３１１及び第２電極３１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜３１４上において、第２半導体層２２の表面からの距離が同じである、第１表面及び第２表面を有する。
そして、第１バンプ３１は、第１電極３１１の第１表面上において、露出部３２１ａ及び第１開口部３１４ａと平面視でオーバーラップしない位置に、６×３個、等間隔でそれぞれ配置されている。第２バンプ３２は、第２電極３１２の第２表面上であって、第２開口部３１４ｂと平面視でオーバーラップしない位置に６×２個、等間隔で配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２は同じ材料で、同じ厚みを有する。
上述した構成以外の構成は、実質的に実施形態１の発光素子１０と同様である。従って、同様の効果を有する。
また、このような第１電極及び第２電極の配置によって、第１バンプと第２バンプが発光素子の一方と他方に偏って配置されるが、第１表面１１ａと第２表面１２ａとに接続される第１バンプ３１と第２バンプ３２の表面高さが同程度であるため、実装時の傾きを抑制することができる。
そして、第１バンプ３１は、第１電極３１１の第１表面上において、露出部３２１ａ及び第１開口部３１４ａと平面視でオーバーラップしない位置に、６×３個、等間隔でそれぞれ配置されている。第２バンプ３２は、第２電極３１２の第２表面上であって、第２開口部３１４ｂと平面視でオーバーラップしない位置に６×２個、等間隔で配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２は同じ材料で、同じ厚みを有する。
上述した構成以外の構成は、実質的に実施形態１の発光素子１０と同様である。従って、同様の効果を有する。
また、このような第１電極及び第２電極の配置によって、第１バンプと第２バンプが発光素子の一方と他方に偏って配置されるが、第１表面１１ａと第２表面１２ａとに接続される第１バンプ３１と第２バンプ３２の表面高さが同程度であるため、実装時の傾きを抑制することができる。
実施形態４
実施形態４の発光素子１０Ｃは、図４Ａ、４Ｃに示すように、平面視矩形状の半導体積層体２３において、第１電極４１１及び第２電極４１２が、矩形の対向する二辺の一方側と他方側とに偏って配置されている。第１電極４１１は、発光素子１０Ｃの中央部分で、第１電極４１１の第２電極４１２と対向する外縁が第２電極４１２側に突き出したような形状の凸領域を有する。この第１電極４１１の凸領域に対応するように、第２電極４１２は、第１電極４１１の凸領域と対向する側の外縁が凹んでいる。
露出部４２１ａは、第１電極４１１と重なるように、さらに少なくとも一部が第１電極４１１の凸領域と重なるように、中央部分に５個配置されている。露出部４２１ａの平面形状は略円形状である。
実施形態４の発光素子１０Ｃは、図４Ａ、４Ｃに示すように、平面視矩形状の半導体積層体２３において、第１電極４１１及び第２電極４１２が、矩形の対向する二辺の一方側と他方側とに偏って配置されている。第１電極４１１は、発光素子１０Ｃの中央部分で、第１電極４１１の第２電極４１２と対向する外縁が第２電極４１２側に突き出したような形状の凸領域を有する。この第１電極４１１の凸領域に対応するように、第２電極４１２は、第１電極４１１の凸領域と対向する側の外縁が凹んでいる。
露出部４２１ａは、第１電極４１１と重なるように、さらに少なくとも一部が第１電極４１１の凸領域と重なるように、中央部分に５個配置されている。露出部４２１ａの平面形状は略円形状である。
露出部４２１ａの配置に対応して、絶縁膜４１４における第１開口部４１４ａは、図４Ｂに示すように、発光素子１０Ｃの中央に配置されている。そして、中央の第１開口部４１４ａを挟むように、やや大きめの矩形状の第２開口部４１４ｂが２つ配置されている。さらに、第２電極４１２が配置されている他方側に、第１開口部４１４ａよりもやや小さい平面形状が略円形の第２開口部４１４ｂｂが６×２個配置されている。第２開口部４１４ｂは、その一部が第２電極４１２の第１電極４１１と対向する外縁に沿って配置されている。例えば、第１開口部４１４ａの合計開口面積は１３２００μｍ２であり、第２開口部４１４ｂの合計開口面積は５４１００μｍ２であり、第１開口部の合計開口面積は、第２開口部の合計開口面積よりも小さい。第１電極４１１は、複数の第１開口部４１４ａにて、第１半導体層２１と導通している。第２電極４１２は、複数の第２開口部４１４ｂにて、第２半導体層２２と導通している。
本実施形態においても、第２半導体層２２の端部を除く略全面に、光反射性電極４２８が配置されている。光反射性電極４２８は、露出部４２１ａの上方に配置される孔部４２８ａを備える。
この発光素子１０Ｃにおいても、第１電極４１１及び第２電極４１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜４１４上において、第２半導体層２２の表面からの距離が同じである、第１表面及び第２表面を有する。
そして、第１バンプ３１は、第１電極４１１の第１表面上において、露出部４２１ａ及び第１開口部４１４ａと平面視でオーバーラップしない位置に、６×１個と７×２個、ほぼ等間隔でそれぞれ配置されている。第２バンプ３２は、第２電極４１２の第２表面上であって、第２開口部４１４ｂと平面視でオーバーラップしない位置に７×２個と６×１個、ほぼ等間隔で配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２が同じ材料で、同じ厚みを有する。
上述した構成以外の構成は、実質的に発光素子１０及び１０Ｂと同様である。従って、同様の効果を有する。
この発光素子１０Ｃにおいても、第１電極４１１及び第２電極４１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜４１４上において、第２半導体層２２の表面からの距離が同じである、第１表面及び第２表面を有する。
そして、第１バンプ３１は、第１電極４１１の第１表面上において、露出部４２１ａ及び第１開口部４１４ａと平面視でオーバーラップしない位置に、６×１個と７×２個、ほぼ等間隔でそれぞれ配置されている。第２バンプ３２は、第２電極４１２の第２表面上であって、第２開口部４１４ｂと平面視でオーバーラップしない位置に７×２個と６×１個、ほぼ等間隔で配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２が同じ材料で、同じ厚みを有する。
上述した構成以外の構成は、実質的に発光素子１０及び１０Ｂと同様である。従って、同様の効果を有する。
実施形態５
実施形態５の発光素子１０Ｄは、図５Ａ、５Ｃに示すように、平面視において、半導体積層体２３の両端において第１方向に細長い形状の第２電極５１２が配置されており、第２電極５１２に挟まれる位置に第１電極５１１が配置されている。言い換えると、第２半導体層２２側からの平面視において、第２電極５１２は、第１電極５１１を挟んで配置されている。第１電極５１１は、両端の第２電極５１２を取り囲んで配置されている。
露出部５２１ａは、第１電極５１１と重なるように、平面視で第１方向と垂直な方向において中央に５×４個配置されている。露出部５２１ａの平面形状は略円形状である。露出部５２１ａの間隔は略同じである。
露出部５２１ａの配置に対応して、絶縁膜５１４における第１開口部５１４ａは、図５Ｂに示すように、平面視で露出部５２１ａと重なるように配置されている。また、第１開口部５１４ａを挟むように、それらの両側に、前記第２電極の外縁に沿って細長い形状を有する第２開口部５１４ｂが２つ配置されている。第２開口部５１４ｂは、第２電極５１２の第１電極５１１と対向する外縁に沿って配置されている。例えば、第１開口部５１４ａの合計開口面積は２７００μｍ２であり、第２開口部５１４ｂの合計開口面積は３６６００μｍ２であり、第１開口部の合計開口面積は、第２開口部の合計開口面積よりも小さい。第１電極５１１は、複数の露出部５２１ａ及び第１開口部５１４ａを一体的に覆っている。両端の第２電極５１２は、２つの第２開口部５１４ｂをそれぞれ覆っている。
実施形態５の発光素子１０Ｄは、図５Ａ、５Ｃに示すように、平面視において、半導体積層体２３の両端において第１方向に細長い形状の第２電極５１２が配置されており、第２電極５１２に挟まれる位置に第１電極５１１が配置されている。言い換えると、第２半導体層２２側からの平面視において、第２電極５１２は、第１電極５１１を挟んで配置されている。第１電極５１１は、両端の第２電極５１２を取り囲んで配置されている。
露出部５２１ａは、第１電極５１１と重なるように、平面視で第１方向と垂直な方向において中央に５×４個配置されている。露出部５２１ａの平面形状は略円形状である。露出部５２１ａの間隔は略同じである。
露出部５２１ａの配置に対応して、絶縁膜５１４における第１開口部５１４ａは、図５Ｂに示すように、平面視で露出部５２１ａと重なるように配置されている。また、第１開口部５１４ａを挟むように、それらの両側に、前記第２電極の外縁に沿って細長い形状を有する第２開口部５１４ｂが２つ配置されている。第２開口部５１４ｂは、第２電極５１２の第１電極５１１と対向する外縁に沿って配置されている。例えば、第１開口部５１４ａの合計開口面積は２７００μｍ２であり、第２開口部５１４ｂの合計開口面積は３６６００μｍ２であり、第１開口部の合計開口面積は、第２開口部の合計開口面積よりも小さい。第１電極５１１は、複数の露出部５２１ａ及び第１開口部５１４ａを一体的に覆っている。両端の第２電極５１２は、２つの第２開口部５１４ｂをそれぞれ覆っている。
露出部５２１ａが配置されている以外の第２半導体層２２上の略全面に、光反射性電極５２８が配置されており、第１開口部５１４ａの上方に、孔部５２８ａは配置されている。
この発光素子１０Ｄにおいても、第１電極５１１及び第２電極５１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜５１４上において、第２半導体層２２の表面からの距離が同じである、第１表面及び第２表面を有する。
そして、第１バンプ３１は、第１電極５１１の第１表面上において、露出部５２１ａ及び第１開口部５１４ａと平面視でオーバーラップしない位置であって、露出部５２１ａ間に、６×３個、等間隔でそれぞれ配置されている。第２バンプ３２は、第２電極５１２の第２表面上であって、第２開口部５１４ｂと平面視でオーバーラップしない位置に一列に６個、第１バンプ３１の両側にそれぞれ、等間隔で配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２が同じ材料で、同じ厚みを有する。
上述した構成以外の構成は、実質的に実施形態１の発光素子１０と同様である。従って、同様の効果を有する。
この発光素子１０Ｄにおいても、第１電極５１１及び第２電極５１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜５１４上において、第２半導体層２２の表面からの距離が同じである、第１表面及び第２表面を有する。
そして、第１バンプ３１は、第１電極５１１の第１表面上において、露出部５２１ａ及び第１開口部５１４ａと平面視でオーバーラップしない位置であって、露出部５２１ａ間に、６×３個、等間隔でそれぞれ配置されている。第２バンプ３２は、第２電極５１２の第２表面上であって、第２開口部５１４ｂと平面視でオーバーラップしない位置に一列に６個、第１バンプ３１の両側にそれぞれ、等間隔で配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２が同じ材料で、同じ厚みを有する。
上述した構成以外の構成は、実質的に実施形態１の発光素子１０と同様である。従って、同様の効果を有する。
実施形態６
実施形態６の発光素子１０Ｅは、上述した発光素子１０Ｄが、半導体積層体２３の両側に配置されている第２電極を備えるのに対し、図６Ａ及び６Ｃに示すように、第２電極が片側にのみ配置されている。言い換えると、第２半導体層側からの平面視において、第１電極６１１が一方側に、第２電極６１２が他方側に配置されている以外は、実質的に、発光素子１０Ｄと同様である。
この発光素子１０Ｅにおいても、第１電極６１１及び第２電極６１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜６１４上において、第２半導体層２２の表面からの距離が同じである、第１表面及び第２表面を有する。
そして、第１バンプ３１は、第１電極６１１の第１表面上において、露出部６２１ａ及び第１開口部６１４ａと平面視でオーバーラップしない位置であって、露出部６２１ａ間に、６×３個、第２電極６１２が配置しない端部に一列に等間隔で６個配置されている。第２バンプ３２は、第２電極６１２の第２表面上であって、第２開口部６１４ｂと平面視でオーバーラップしない位置に一列に６個、等間隔で配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２が同じ材料で、同じ厚みを有する。
上述した構成以外の構成は、実質的に実施形態１の発光素子１０と同様である。従って、同様の効果を有する。
実施形態６の発光素子１０Ｅは、上述した発光素子１０Ｄが、半導体積層体２３の両側に配置されている第２電極を備えるのに対し、図６Ａ及び６Ｃに示すように、第２電極が片側にのみ配置されている。言い換えると、第２半導体層側からの平面視において、第１電極６１１が一方側に、第２電極６１２が他方側に配置されている以外は、実質的に、発光素子１０Ｄと同様である。
この発光素子１０Ｅにおいても、第１電極６１１及び第２電極６１２は、それぞれ、第２半導体層２２上の絶縁膜６１４上において、第２半導体層２２の表面からの距離が同じである、第１表面及び第２表面を有する。
そして、第１バンプ３１は、第１電極６１１の第１表面上において、露出部６２１ａ及び第１開口部６１４ａと平面視でオーバーラップしない位置であって、露出部６２１ａ間に、６×３個、第２電極６１２が配置しない端部に一列に等間隔で６個配置されている。第２バンプ３２は、第２電極６１２の第２表面上であって、第２開口部６１４ｂと平面視でオーバーラップしない位置に一列に６個、等間隔で配置されている。第１バンプ３１及び第２バンプ３２が同じ材料で、同じ厚みを有する。
上述した構成以外の構成は、実質的に実施形態１の発光素子１０と同様である。従って、同様の効果を有する。
本発明の発光素子は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機、車載部品、看板用チャンネルレター等、種々の光源に使用することができる。
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、４４ 発光素子
１１、３１１、４１１、５１１、６１１ 第１電極
１１ａ 第１表面
１２、３１２、４１２、５１２、６１２ 第２電極
１２ａ 第２表面
１４、１１４、３１４、４１４、５１４、６１４ 絶縁膜
１４ａ、１１４ａ、３１４ａ、４１４ａ、５１４ａ、６１４ａ 第１開口部
１４ｂ、３１４ｂ、３１４ｂｂ、４１４ｂ、４１４ｂｂ、５１４ｂ、６１４ｂ 第２開口部
２１ 第１半導体層
２１ａ、２１ａａ、３２１ａ、４２１ａ、５２１ａ、６２１ａ 露出部
２２ 第２半導体層
２３ 半導体積層体
２４ 活性層
２７ 支持基板
２８、１２８、３２８、４２８、５２８ 光反射性電極
２８ａ、１２８ａ、３２８ａ、４２８ａ、５２８ａ 孔部
２９ 保護層
３０ 発光装置
３１ 第１バンプ
３１ａ 上面
３２ 第２バンプ
３２ａ 上面
３４ 被覆部材
３５ 透光部材
３６ 保護素子
４１ 第１配線
４２ 第２配線
３３ 基板
４５ バンプ
１１、３１１、４１１、５１１、６１１ 第１電極
１１ａ 第１表面
１２、３１２、４１２、５１２、６１２ 第２電極
１２ａ 第２表面
１４、１１４、３１４、４１４、５１４、６１４ 絶縁膜
１４ａ、１１４ａ、３１４ａ、４１４ａ、５１４ａ、６１４ａ 第１開口部
１４ｂ、３１４ｂ、３１４ｂｂ、４１４ｂ、４１４ｂｂ、５１４ｂ、６１４ｂ 第２開口部
２１ 第１半導体層
２１ａ、２１ａａ、３２１ａ、４２１ａ、５２１ａ、６２１ａ 露出部
２２ 第２半導体層
２３ 半導体積層体
２４ 活性層
２７ 支持基板
２８、１２８、３２８、４２８、５２８ 光反射性電極
２８ａ、１２８ａ、３２８ａ、４２８ａ、５２８ａ 孔部
２９ 保護層
３０ 発光装置
３１ 第１バンプ
３１ａ 上面
３２ 第２バンプ
３２ａ 上面
３４ 被覆部材
３５ 透光部材
３６ 保護素子
４１ 第１配線
４２ 第２配線
３３ 基板
４５ バンプ
Claims (12)
- 第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間の活性層とを有し、前記第２半導体層の外周の内側において、前記第２半導体層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、前記露出部の上方に第１開口部を有し、前記第２半導体層の一部領域の上方に第２開口部を有する絶縁膜と、
前記第１開口部にて前記第１半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第１電極と、
前記第２開口部にて前記第２半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第２電極と、
前記第１電極上に配置される複数の第１バンプと、
前記第２電極上に配置される複数の第２バンプと、を備え、
前記半導体積層体は、上面視、矩形状であり、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記第２半導体層上の前記絶縁膜上において、前記第２半導体層から同じ高さに位置する第１表面及び第２表面を有し、
前記第２電極は、前記矩形の一辺に平行な第１方向に長い形状であり、
前記第２開口部は、前記第２電極の外縁に沿って前記第１方向に長い形状を有し、前記第１方向に沿って、前記第２バンプを挟むように配置されており、
前記第１バンプ及び前記第２バンプは、前記第１表面及び前記第２表面にそれぞれ接続されている発光素子。 - 前記第１バンプと前記第２バンプとの厚みが同じである請求項１に記載の発光素子。
- 前記第２半導体層側からの平面視において、前記第２半導体層は、前記第１半導体層の外周の内側に設けられており、
前記第１電極は、前記第２半導体層の外周の外側において、前記絶縁膜から露出する前記第１半導体層と導通する請求項１または２に記載の発光素子。 - 前記第２半導体層側からの平面視において、前記第１電極は、前記第２電極を挟んで配置されている請求項１から３のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第２半導体層側からの平面視において、前記第１電極が一方側に、前記第２電極が他方側に配置されている請求項１から３のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第２半導体層側からの平面視において、前記第２電極は、前記第１電極を挟んで配置されている請求項１から３のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１開口部の開口面積は、前記第２開口部の開口面積よりも小さい請求項１から６のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第２開口部は、前記第２電極の前記第１電極と対向する外縁に沿って配置される請求項１から７のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１電極は、前記複数の露出部を一体的に覆う請求項１から８のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記絶縁膜は前記第２開口部を複数備え、
前記第２電極は、前記第２半導体層上に配置された複数の前記第２開口部を一体的に覆う請求項１から９のいずれか一項に記載の発光素子。 - 前記第２電極は、光反射性電極を介して前記第２半導体層に接続されている請求項１から１０のいずれか一項に記載の発光素子。
- 上面に第１配線及び第２配線を有する基板と、
前記第１配線及び前記第２配線上に、それぞれ複数のバンプを介してフリップチップ実装される発光素子と、を備え、
前記発光素子は、
第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間の活性層とを有し、前記第２半導体層の外周の内側において、前記第２半導体層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部を有し、上面視、矩形状である半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、前記露出部の上方に第１開口部を有し、前記第２半導体層の一部領域の上方に第２開口部を有する絶縁膜と、
前記第１開口部にて前記第１半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置される第１電極と、
前記第２開口部にて前記第２半導体層と導通し、一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置され、前記矩形の一辺に平行な第１方向に長い形状である第２電極と、を備え、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記第２半導体層上の前記絶縁膜上において、前記第２半導体層から同じ高さに位置する第１表面及び第２表面を有しており、
前記複数のバンプは、
前記基板の前記第１配線と、前記発光素子の前記第１表面とを接続する複数の第１バンプと、
前記基板の前記第２配線と、前記発光素子の前記第２表面とを接続する複数の第２バンプとを含み、
前記第２開口部は、前記第２電極の外縁に沿って前記第１方向に長い形状を有し、前記第１方向に沿って、前記第２バンプを挟むように配置されている発光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020165837A JP7216296B2 (ja) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 発光素子及び発光装置 |
| US17/489,392 US20220102587A1 (en) | 2020-09-30 | 2021-09-29 | Light-emitting element and light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020165837A JP7216296B2 (ja) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 発光素子及び発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022057530A JP2022057530A (ja) | 2022-04-11 |
| JP7216296B2 true JP7216296B2 (ja) | 2023-02-01 |
Family
ID=80823584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020165837A Active JP7216296B2 (ja) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 発光素子及び発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220102587A1 (ja) |
| JP (1) | JP7216296B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7506327B2 (ja) | 2022-04-14 | 2024-06-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子、発光素子の製造方法、及び発光装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011258670A (ja) | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| US20180198022A1 (en) | 2017-01-12 | 2018-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device including floating conductive pattern |
| JP2019012775A (ja) | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
2020
- 2020-09-30 JP JP2020165837A patent/JP7216296B2/ja active Active
-
2021
- 2021-09-29 US US17/489,392 patent/US20220102587A1/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011258670A (ja) | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| US20180198022A1 (en) | 2017-01-12 | 2018-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device including floating conductive pattern |
| JP2019012775A (ja) | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022057530A (ja) | 2022-04-11 |
| US20220102587A1 (en) | 2022-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11626543B2 (en) | Light emitting apparatus and production method thereof | |
| JP7054025B2 (ja) | 発光装置 | |
| US10243106B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
| US8946749B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| US10629783B2 (en) | Light emitting device | |
| US11329203B2 (en) | Light emitting device including covering member and optical member | |
| TWI649899B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
| JP2008277592A (ja) | 窒化物半導体発光素子、これを備える発光装置及び窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2007335798A (ja) | 発光装置 | |
| JP2019041044A (ja) | 発光装置 | |
| US11489097B2 (en) | Light emitting device including light transmissive cover member including an annular lens part, and LED package | |
| US10873008B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing same | |
| US11830967B2 (en) | Light emitting module and liquid crystal display device | |
| TW201633567A (zh) | 半導體發光裝置及其製造方法 | |
| JP2018139285A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| JP2017212470A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP7216296B2 (ja) | 発光素子及び発光装置 | |
| JP7410381B2 (ja) | 発光素子及び発光装置 | |
| JP2017069378A (ja) | 発光装置 | |
| JP2022121373A (ja) | 発光素子及び発光装置 | |
| JP2020098852A (ja) | 発光素子及び発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211005 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220830 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221021 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221220 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230102 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7216296 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |