JP7506327B2 - 発光素子、発光素子の製造方法、及び発光装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 161
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 353
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、及び発光装置に関する。
特許文献１には、半導体層上に設けられた透明導電膜上に低屈折率誘電膜を配置し、低屈折率誘電膜の開口で透明導電膜と反射導電膜が導通する発光素子が開示されている。
本発明は、高い信頼性を有する発光素子、発光素子の製造方法、及び発光装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、発光素子は、ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体と、前記ｐ側半導体層上に配置され、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に配置され、複数の前記第１ｐ側開口において前記ｐ側半導体層と電気的に接続された第１導電層と、前記第１導電層上に配置され、平面視において前記第１ｐ側開口から離れた位置に配置される第２ｐ側開口を有する第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に配置され、前記第２ｐ側開口において前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、前記第２導電層上であって平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置に配置されたｐ側電極と、を備える。
本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体を準備する工程と、前記ｐ側半導体層上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜に、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を形成する工程と、前記第１絶縁膜上及び複数の前記第１ｐ側開口内に、第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層上に、第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜に第２ｐ側開口を形成する工程であって、前記第２ｐ側開口を平面視において複数の前記第１ｐ側開口から離れた位置に形成する工程と、前記第２絶縁膜上及び前記第２ｐ側開口内に、第２導電層を形成する工程と、前記第２導電層上であって平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置に、ｐ側電極を配置する工程と、を備える。
本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体を準備する工程と、前記ｐ側半導体層上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜に、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を形成する工程と、前記第１絶縁膜上及び複数の前記第１ｐ側開口内に、第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層上に、第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜に第２ｐ側開口を形成する工程であって、前記第２ｐ側開口を平面視において複数の前記第１ｐ側開口から離れた位置に形成する工程と、前記第２絶縁膜上及び前記第２ｐ側開口内に、第２導電層を形成する工程と、前記第２導電層上であって平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置に、ｐ側電極を配置する工程と、を備える。
本発明によれば、高い信頼性を有する発光素子、発光素子の製造方法、及び発光装置を提供することができる。
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ構成には同じ符号を付している。なお、各図面は、実施形態を模式的に示したものであるため、各部材のスケール、間隔若しくは位置関係などが誇張、又は部材の一部の図示を省略する場合がある。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。
以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。また、特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本明細書において「上」と表現する位置関係は、接している場合と、接していないが上方に位置している場合も含む。
図１に示す実施形態の発光素子１の平面視において、互いに直交する２つの方向を第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとする。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交する方向を第３方向Ｚとする。
発光素子１は、半導体構造体１０を備える。半導体構造体１０は、窒化物半導体からなる。本明細書において「窒化物半導体」とは、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。また、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むものも「窒化物半導体」に含まれるものとする。
図２に示すように、半導体構造体１０は、ｎ側半導体層１１と、第３方向Ｚにおいてｎ側半導体層１１上に位置する活性層１２と、第３方向Ｚにおいて活性層１２上に位置するｐ側半導体層１３とを有する。活性層１２は、第３方向Ｚにおいて、ｎ側半導体層１１とｐ側半導体層１３との間に位置する。活性層１２は、光を発する発光層であり、例えば複数の障壁層と、複数の井戸層を含むＭＱＷ（Multiple Quantum well）構造を有する。ｎ側半導体層１１は、ｎ型不純物を含む半導体層を有する。ｐ側半導体層１３は、ｐ型不純物を含む半導体層を有する。
ｎ側半導体層１１は、第１面１１ｄと、活性層１２及びｐ側半導体層１３が配置された第２面１１ｃとを有する。活性層１２からの光は、主に第１面１１ｄから発光素子１の外部に取り出される。第２面１１ｃは、第３方向Ｚにおいて第１面１１ｄの反対側に位置する。
ｎ側半導体層１１は、ｐ側半導体層１３及び活性層１２から露出する複数の第１露出部１１ａを有する。図１に示すように、ｎ側半導体層１１は、平面視において第１方向Ｘに延びる２つの第１辺１１Ａと第２方向Ｙに延びる２つの第２辺１１Ｂとを有する四角形状に形成されている。ｎ側半導体層１１は、平面視において第１辺１１Ａ及び第２辺１１Ｂに隣接する外周部においてｐ側半導体層１３及び活性層１２から露出する第２露出部１１ｂを有する。第２露出部１１ｂは、平面視において、ｐ側半導体層１３及び活性層１２の方向に延出する領域を有し、その延出した領域には、後述する第１絶縁膜２０の第３ｎ側開口２３と、第２絶縁膜３０の第４ｎ側開口３３が設けられる。図１に示すように、第２露出部１１ｂは、第１辺１１Ａ及び第２辺１１Ｂに沿って連続している。図２に示すように、第１露出部１１ａ及び第２露出部１１ｂは、第３方向Ｚにおいて第１面１１ｄの反対側に位置する。
半導体構造体１０は、第３方向Ｚにおいて基板１００上に配置されている。基板１００の材料として、例えば、サファイア、スピネル、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、またはＳｉなどを用いることができる。なお、発光素子１は、基板１００を有していなくてもよい。
発光素子１は、第１絶縁膜２０、第２絶縁膜３０、第１導電層４１、及び第２導電層４２をさらに備える。
第１絶縁膜２０は、少なくともｐ側半導体層１３上に配置されている。第１絶縁膜２０は、ｐ側半導体層１３の上方に配置される複数の第１ｐ側開口２１を有する。複数の第１ｐ側開口２１は、ｐ側半導体層１３の上方の全領域において点在して配置されている。複数の第１ｐ側開口２１の個数は、例えば、４００個以上１５００個以下とすることができる。複数の第１ｐ側開口２１の平面視における総面積は、例えば、ｐ側半導体層１３の平面視における面積の０．２％以上５％以下である。このような複数の第１ｐ側開口２１の個数、複数の第１ｐ側開口２１の平面視における総面積をこれらの範囲にすることで、後述する第１絶縁膜２０による光反射を良好にしつつ、第１導電層４１とｐ側半導体層１３との電気的な接続を良好にすることができる。図２に示すように、例えば、第１絶縁膜２０は、ｐ側半導体層１３上、活性層１２上、第１露出部１１ａ上、及び第２露出部１１ｂ上に連続して配置されている。第１絶縁膜２０は、ｐ側半導体層１３、活性層１２、第１露出部１１ａ、及び第２露出部１１ｂを覆っている。また、第１絶縁膜２０は、ｎ側半導体層１１における活性層１２と第１露出部１１ａとの間に連続する側面、及び活性層１２と第２露出部１１ｂとの間に連続する側面を覆っている。第１絶縁膜２０は、第１露出部１１ａの上方に配置される複数の第１ｎ側開口２２と、第２露出部１１ｂの上方に配置される複数の第３ｎ側開口２３とを有する。第１絶縁膜２０は、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である。第１絶縁膜２０は、単層構造としてもよいし、複数の絶縁層が積層された積層構造としてもよい。
ｐ側半導体層１３上に第１絶縁膜２０を配置することで、活性層１２からｐ側半導体層１３側に放射された光を第１絶縁膜２０により主な光取り出し面である第１面１１ｄ側に反射させることができる。
第１導電層４１は、ｐ側半導体層１３の上方において第１絶縁膜２０上に配置されている。第１導電層４１は、第１絶縁膜２０の複数の第１ｐ側開口２１においてｐ側半導体層１３と電気的に接続されている。また、第１導電層４１は、活性層１２からｐ側半導体層１３側に放射された光を反射させて第１面１１ｄに向かわせる反射層としても機能する。第１導電層４１は、活性層１２からの光に対する反射率が高い金属材料を用いることが好ましい。第１導電層４１の金属材料として、例えば、銀またはアルミニウムを用いることができる。
発光素子１は、ｐ側半導体層１３と第１絶縁膜２０との間に配置された第３導電層４３をさらに備えてもよい。第３導電層４３は、ｐ側半導体層１３の上面１３ａに接している。第３導電層４３を配置した場合、複数の第１ｐ側開口２１は第３導電層４３上に配置され、第１導電層４１は複数の第１ｐ側開口２１において第３導電層４３に接する。すなわち、第１導電層４１は、複数の第１ｐ側開口２１において、第３導電層４３を介してｐ側半導体層１３と電気的に接続される。
ｐ側半導体層１３上に第１ｐ側開口２１を有する第１絶縁膜２０を配置すると、第１導電層４１とｐ側半導体層１３との電気的接続部は第１絶縁膜２０の第１ｐ側開口２１に限られることになるため、第１導電層４１から供給された電流がｐ側半導体層１３の面方向に拡散しにくい可能性がある。しかしながら、ｐ側半導体層１３と第１絶縁膜２０との間に第３導電層４３を配置することで、第１導電層４１からの電流をｐ側半導体層１３の面方向に拡散させて供給することができる。これにより、発光分布の偏りを低減できる。第３導電層４３には、第１導電層４１からの電流を拡散させる機能を有する材料を用いることが好ましい。第３導電層４３の材料として、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ（Zinc Oxide）、Ｉｎ２Ｏ３（Indium Oxide）を用いることができる。
第３導電層４３を配置した場合、第３導電層４３により活性層１２からｐ側半導体層１３側に放射された光を主な光取り出し面である第１面１１ｄ側に反射させることができる。
第２絶縁膜３０は、少なくとも第１導電層４１上に配置されている。第２絶縁膜３０は、図３に示すように、平面視において、第１絶縁膜２０の第１ｐ側開口２１から離れた位置に配置される第２ｐ側開口３１を有する。換言すると、平面視において、第２ｐ側開口３１は、第１ｐ側開口２１と重なっていない。図２に示すように、例えば、第２絶縁膜３０は、第１導電層４１上及び第１絶縁膜２０上に連続して配置されている。第２絶縁膜３０は、第１露出部１１ａの上方に配置される複数の第２ｎ側開口３２を有する。平面視において、第２絶縁膜３０の第２ｎ側開口３２の少なくとも一部は、第１絶縁膜２０の第１ｎ側開口２２に重なる。第２絶縁膜３０は、第２露出部１１ｂの上方に配置される複数の第４ｎ側開口３３を有する。平面視において、第２絶縁膜３０の第４ｎ側開口３３の少なくとも一部は、第１絶縁膜２０の第３ｎ側開口２３に重なる。第２絶縁膜３０は、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜である。第２絶縁膜３０は、単層構造としてもよいし、複数の絶縁層が積層された積層構造としてもよい。
図１に示す例においては、第１露出部１１ａ、第１ｎ側開口２２、及び第２ｎ側開口３２を、破線の円で表す。平面視において、第１露出部１１ａの内側に第２ｎ側開口３２が位置し、第２ｎ側開口３２の内側に第１ｎ側開口２２が位置する。第１ｎ側開口２２と第２ｎ側開口３２は、平面視において一致していてもよい。また、図１において、第２露出部１１ｂに位置する第４ｎ側開口３３及び第３ｎ側開口２３を破線の円で重ねて表す。なお、第１露出部１１ａ、第１ｎ側開口２２、第２ｎ側開口３２、第４ｎ側開口３３、及び第３ｎ側開口２３の平面視における形状は、円形に限らず、楕円形、四角形、または五角形以上の多角形であってもよい。
図２に示すように、第２導電層４２は、ｐ側半導体層１３の上方において第２絶縁膜３０上に配置されている。第２導電層４２は、第２絶縁膜３０の第２ｐ側開口３１において第１導電層４１に接し、第１導電層４１と電気的に接続されている。図１に示す例では、第２導電層４２は、第１方向Ｘに延びる長方形状に形成されている。
実施形態の発光素子１は、第２絶縁膜３０上に配置された第４導電層４４をさらに備える。ｐ側半導体層１３の上方において、第１導電層４１と第４導電層４４との間に第２絶縁膜３０が位置する。第４導電層４４は、ｎ側半導体層１１の第１露出部１１ａの上方に配置された第１絶縁膜２０の第１ｎ側開口２２及び第２絶縁膜３０の第２ｎ側開口３２において、ｎ側半導体層１１に接し、ｎ側半導体層１１と電気的に接続されている。また、第４導電層４４は、ｎ側半導体層１１の第２露出部１１ｂの上方に配置された第１絶縁膜２０の第３ｎ側開口２３及び第２絶縁膜３０の第４ｎ側開口３３において、ｎ側半導体層１１に接し、ｎ側半導体層１１と電気的に接続されている。図１に示す例では、第４導電層４４は、平面視において第２導電層４２を囲んでいる。平面視において、第４導電層４４の面積は、第２導電層４２の面積よりも広い。
第２導電層４２の材料として、例えば、金属、又は金属を含む合金を用いることができる。第４導電層４４の材料は、第２導電層４２と同じものを用いることができる。第２導電層４２及び第４導電層４４のそれぞれは、単層構造としてよいし、複数の金属層が積層された積層構造としてもよい。
実施形態の発光素子１は、ｐ側電極５１とｎ側電極５２をさらに備える。ｐ側電極５１及びｎ側電極５２は、例えば、金属部材である。ｐ側電極５１の材料として、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、白金などの金属、又はこれらの金属を含む合金を用いることができる。ｎ側電極５２の材料は、ｐ側電極５１と同じものを用いることができる。ｐ側電極５１及びｎ側電極５２のそれぞれは、単層構造としてもよいし、複数の層が積層された積層構造としてもよい。
ｐ側電極５１は、第２導電層４２上であって平面視において第２絶縁膜３０の第２ｐ側開口３１から離れた位置に配置されている。換言すると、平面視において、ｐ側電極５１は、第２ｐ側開口３１と重なっていない。図１及び図２に示すように、例えば、複数のｐ側電極５１が、第１方向Ｘに並んで第２導電層４２上に配置されている。
ｎ側電極５２は、ｐ側半導体層１３の上方における第４導電層４４上に配置されている。図１及び図２に示すように、例えば、複数のｎ側電極５２が第４導電層４４上に配置されている。平面視において、ｎ側電極５２は、第１露出部１１ａ及び第２露出部１１ｂから離れた位置に配置されている。換言すると、平面視において、ｎ側電極５２は、第１露出部１１ａ及び第２露出部１１ｂに重なっていない。ｎ側電極５２は、第４導電層４４上に複数点在するように配置することで、配線基板に実装する際の荷重を分散させつつ、ｎ側電極５２が第４導電層４４上に連続して配置する場合と比較して、ｎ側電極５２の材料を減らすことができる。
ｐ側電極５１はｐ側外部接続面５１ａを有し、ｎ側電極５２はｎ側外部接続面５２ａを有する。ｐ側外部接続面５１ａ及びｎ側外部接続面５２ａは、発光素子１を配線基板に実装する際に、配線基板の絶縁基材上に配置された配線部に接合される。第３方向Ｚにおいて、第１面１１ｄとｐ側外部接続面５１ａとの間の最短距離と、第１面１１ｄとｎ側外部接続面５２ａとの間の最短距離とは略同じである。ここで、第３方向Ｚにおいて、第１面１１ｄとｐ側外部接続面５１ａとの間の最短距離と、第１面１１ｄとｎ側外部接続面５２ａとの間の最短距離とは略同じとは、第３方向Ｚにおける第１面１１ｄとｐ側外部接続面５１ａとの間の最短距離と、第１面１１ｄとｎ側外部接続面５２ａとの間の最短距離との差が、１０μｍ以下であることを表す。
次に、図４Ａ～図４Ｊを参照して、実施形態の発光素子１の製造方法の一例について説明する。
発光素子１の製造方法は、ｎ側半導体層１１と、ｎ側半導体層１１上に位置する活性層１２と、活性層１２上に位置するｐ側半導体層１３とを有する半導体構造体１０を準備する工程を有する。図４Ａに示すように、半導体構造体１０は、例えば、基板１００上にＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法で形成することができる。基板１００上に、ｎ側半導体層１１、活性層１２、及びｐ側半導体層１３が順に形成される。
半導体構造体１０を準備する工程において、図４Ｂに示すように、ｎ側半導体層１１の第１露出部１１ａ及び第２露出部１１ｂが形成される。例えば、塩素系ガスを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、ｐ側半導体層１３の上面１３ａ側からｐ側半導体層１３の一部及び活性層１２の一部が除去され、第１露出部１１ａ及び第２露出部１１ｂが形成される。
発光素子１の製造方法は、半導体構造体１０を準備する工程の後、ｐ側半導体層１３上に第１絶縁膜２０を形成する工程を備える。第１絶縁膜２０は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより形成することができる。前述した第３導電層４３を有する発光素子１の場合、発光素子１の製造方法は、第１絶縁膜２０を形成する工程の前に、ｐ側半導体層１３上に第３導電層４３を形成する工程を備える。以降、第３導電層４３を有する発光素子１の製造方法について説明する。図４Ｃに示すように、第３導電層４３はｐ側半導体層１３の上面１３ａに接して形成される。第３導電層４３は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ法などにより形成することができる。
第３導電層４３を形成した後、図４Ｄに示すように、第３導電層４３上に第１絶縁膜２０が形成される。第１絶縁膜２０は、半導体構造体１０の第３導電層４３から露出した部分及び第３導電層４３を覆う。
第１絶縁膜２０を形成した後、発光素子１の製造方法は、図４Ｅに示すように、第１絶縁膜２０に複数の第１ｐ側開口２１を形成する工程を備える。複数の第１ｐ側開口２１は、ｐ側半導体層１３の上方に配置される。第１絶縁膜２０に複数の第１ｐ側開口２１を形成する工程において、第３導電層４３を複数の第１ｐ側開口２１に露出させる。例えば、シリコン酸化膜である第１絶縁膜２０に対して、フッ素系ガスを用いたＲＩＥ法により、第１ｐ側開口２１が形成される。第１絶縁膜２０に第１ｐ側開口２１を形成するときのエッチング条件において、第３導電層４３のエッチングレートは、第１絶縁膜２０のエッチングレートよりも低い。
第１ｐ側開口２１を形成した後、発光素子１の製造方法は、図４Ｆに示すように、第１導電層４１を形成する工程を備える。第１導電層４１は、例えば、スパッタ法などにより形成することができる。第１導電層４１は、ｐ側半導体層１３の上方における第１絶縁膜２０上及び複数の第１ｐ側開口２１内に形成される。第１導電層４１は、複数の第１ｐ側開口２１において第３導電層４３に接し、第３導電層４３を介してｐ側半導体層１３と電気的に接続される。
第１導電層４１を形成した後、発光素子１の製造方法は、図４Ｇに示すように、第１導電層４１上に第２絶縁膜３０を形成する工程を備える。第２絶縁膜３０は、例えば、第１絶縁膜２０と同様の方法で形成することができる。第２絶縁膜３０は、第１導電層４１及び第１絶縁膜２０を覆う。
第２絶縁膜３０を形成した後、発光素子１の製造方法は、図４Ｈに示すように、第２絶縁膜３０に第２ｐ側開口３１を形成する工程を備える。第１導電層４１上において、第２ｐ側開口３１を平面視において複数の第１ｐ側開口２１から離れた位置に形成する。第２絶縁膜３０に第２ｐ側開口３１を形成する工程において、第１導電層４１を第２ｐ側開口３１に露出させる。
例えば、シリコン酸化膜である第２絶縁膜３０に対して、フッ素系ガスを用いたＲＩＥ法により、第２ｐ側開口３１が形成される。第１導電層４１は、第２絶縁膜３０に第２ｐ側開口３１を形成するときのエッチング条件において、第２絶縁膜３０のエッチングレートよりも低いエッチングレートの金属層を含む。第１導電層４１が、第２絶縁膜３０のエッチングレートよりも低いエッチングレートの金属層を含むことで、ＲＩＥ法により、第２ｐ側開口３１を形成する際に、第１導電層４１がエッチングされてしまうことを低減できる。例えば、第１導電層４１は、第３導電層４３及び第１絶縁膜２０に接する部分に第１膜を含む。さらに、第１導電層４１は、第１膜上に配置された第２膜と、第２膜上に配置された第３膜と、第３膜上に配置された第４膜と、第４膜上に配置された第５膜と、第５膜上に配置された第６膜とを含む。第１膜は、第３導電層４３及び第１絶縁膜２０との密着性を高める機能を備える。第２膜は、活性層１２からの光に対する高い反射率を有する。第３膜は、第２膜が、第６膜方向に移動することを抑制する機能を備える。第４膜は、第３膜と第５膜が混ざり合うことを抑える機能を備える。第５膜は、第２絶縁膜３０に第２ｐ側開口３１を形成するときのエッチング条件において、第１膜、第２膜、第３膜、第４膜、及び、第６膜よりも低いエッチングレートの金属層である。第６膜は、第２絶縁膜３０との密着性を高める機能を備える。第１膜、第４膜、及び、第６膜は、例えば、チタンを含む。第２膜は、例えば、銀を含む。第３膜は、例えば、ニッケルを含む。第５膜は、例えば、白金を含む。
第２ｐ側開口３１を形成する工程のエッチングにおいて、第２絶縁膜３０の第２ｎ側開口３２、第２絶縁膜３０の第４ｎ側開口３３、第１絶縁膜２０の第１ｎ側開口２２、及び第１絶縁膜２０の第３ｎ側開口２３も形成される。第１ｎ側開口２２及び第２ｎ側開口３２において、ｎ側半導体層１１の第１露出部１１ａが露出する。第３ｎ側開口２３及び第４ｎ側開口３３において、ｎ側半導体層１１の第２露出部１１ｂが露出する。
第２ｐ側開口３１を形成する工程の後、発光素子１の製造方法は、図４Ｉに示すように、半導体構造体１０に基板１００に達する溝を形成し、半導体構造体１０を基板１００上において複数の素子部に分離する工程を備える。
半導体構造体１０を分離した後、発光素子１の製造方法は、図４Ｊに示すように、ｐ側半導体層１３の上方における第２絶縁膜３０上及び第２ｐ側開口３１内に、第２導電層４２を形成する工程を備える。第２導電層４２は、例えば、第１導電層４１と同様の方法で形成することができる。第２導電層４２は、第２ｐ側開口３１において第１導電層４１に接し、第１導電層４１と電気的に接続される。
第２導電層４２を形成する工程において、第２絶縁膜３０上に第４導電層４４も同時に形成される。例えば、第２導電層４２及び第４導電層４４となる導電層を第２絶縁膜３０上に連続して形成した後、ＲＩＥ法により導電層の一部を除去して、第２導電層４２と第４導電層４４とに分離することで第２導電層４２及び第４導電層４４を形成する。または、第２絶縁膜３０上において第２導電層４２が形成される領域と第４導電層４４が形成される領域との間にレジストを配置した状態で第２絶縁膜３０上に導電層を形成した後、レジストを除去することで第２導電層４２及び第４導電層４４を形成する。
第４導電層４４は、第１ｎ側開口２２内及び第２ｎ側開口３２内に形成され、ｎ側半導体層１１の第１露出部１１ａに接する。また、第４導電層４４は、第３ｎ側開口２３内及び第４ｎ側開口３３内に形成され、ｎ側半導体層１１の第２露出部１１ｂに接する。第４導電層４４は、第１露出部１１ａ及び第２露出部１１ｂにおいて、ｎ側半導体層１１と電気的に接続される。
第２導電層４２及び第４導電層４４を形成した後、発光素子１の製造方法は、図２に示すように、第２導電層４２上にｐ側電極５１を配置する工程を備える。ｐ側電極５１は、平面視において第２絶縁膜３０の第２ｐ側開口３１から離れた位置に配置される。
発光素子１の製造方法は、第２導電層４２及び第４導電層４４を形成した後、ｐ側半導体層１３の上方における第４導電層４４上に、ｎ側電極５２を配置する工程を備える。ｐ側電極５１とｎ側電極５２は同じ工程で形成することができる。ｐ側電極５１とｎ側電極５２は、例えば、電解めっき法、無電解めっき法、スパッタ法などによって形成することができる。
第１導電層４１は第１ｐ側開口２１による第１絶縁膜２０の段差に追従して形成される。第１導電層４１における第１ｐ側開口２１による段差を被覆する部分の厚さは、第１導電層４１における第１絶縁膜２０上に位置する部分よりも薄くなりやすい。第１導電層４１上に配置された第２絶縁膜３０の一部をエッチングにより除去して第２ｐ側開口３１を形成する図４Ｈに示す工程において、第２ｐ側開口３１に露出する第１導電層４１の一部がエッチングされ得る。このとき、第２ｐ側開口３１の下に第１ｐ側開口２１が位置すると、第１導電層４１のうち段差を被覆し厚さが薄い部分がさらにエッチングされ、より厚さが薄くなるおそれがある。これは、第１導電層４１の電気抵抗が部分的に増大する、あるいは第１導電層４１が切断されることにつながり、発光素子１の信頼性を低下させるおそれがある。
本実施形態によれば、第２ｐ側開口３１を平面視において複数の第１ｐ側開口２１から離れた位置に形成するため、第２ｐ側開口３１を形成するエッチングのときに第１導電層４１における第１ｐ側開口２１による段差を被覆し厚さが薄い部分がエッチングされにくい。これにより、発光素子１の信頼性を高くすることができる。
図２に示す実施形態の発光素子１は、前述したようにｐ側電極５１及びｎ側電極５２を介して配線基板に実装される。このとき、ｐ側電極５１及びｎ側電極５２には荷重がかかる。平面視においてｐ側電極５１が第２ｐ側開口３１に重なっていると、第２ｐ側開口３１による段差に荷重がかかり第２絶縁膜３０に亀裂などが生じやすくなる。
本実施形態によれば、ｐ側電極５１は、平面視において、第２絶縁膜３０の第２ｐ側開口３１から離れた位置に配置され、第２ｐ側開口３１と重なっていない。そのため、実装時におけるｐ側電極５１からの荷重が第２ｐ側開口３１による段差にかかりにくく、第２絶縁膜３０に亀裂などを生じにくくできる。これにより、発光素子１の信頼性を高くすることができる。
なお、ｐ側電極５１が平面視において第１絶縁膜２０の第１ｐ側開口２１と重なっていても、第１絶縁膜２０に亀裂などは生じにくい。これは、ｐ側電極５１と第１ｐ側開口２１との間に位置する第１導電層４１と第２絶縁膜３０とにより、ｐ側電極５１からの荷重が緩和されるためであると考えられる。同様に、ｎ側電極５２が平面視において第１ｐ側開口２１と重なっていても、ｎ側電極５２と第１ｐ側開口２１との間に位置する第１導電層４１と第２絶縁膜３０とにより、ｎ側電極５２からの荷重が緩和されるため、第１絶縁膜２０に亀裂などが生じにくい。
第１絶縁膜２０の厚さは、第２絶縁膜３０の厚さよりも薄いことが好ましい。これにより、第１ｐ側開口２１による段差を小さくでき、実装時にｐ側電極５１から荷重かかったとしても第１絶縁膜２０に亀裂などがさらに生じにくくできる。
図１に示す例では、平面視において、複数のｐ側電極５１が、長方形状の第２導電層４２の長辺方向である第１方向Ｘに並んで配置されている。第２絶縁膜３０の第２ｐ側開口３１は、平面視において複数のｐ側電極５１が配置された領域を囲んでいる。これにより、平面視において、ｐ側電極５１と第２ｐ側開口３１を重ならないように配置しつつ、第２ｐ側開口３１における第２導電層４２と第１導電層４１との接触面積を大きく確保でき、ｐ側電極５１の平面視における面積を大きくして配線基板との接合強度を高くすることができる。
次に、図５Ａ～図５Ｄを参照して、実施形態の発光素子１における第２絶縁膜３０の第２ｐ側開口３１の変形例について説明する。
図５Ａに示す第１の変形例では、第２方向Ｙに延びる複数の第２ｐ側開口３１ａが、第１方向Ｘに並んで位置する。さらに、第１方向Ｘにおいて隣り合う第２ｐ側開口３１ａの間に、第２ｐ側開口３１ａよりも第２方向Ｙの長さが短い第２ｐ側開口３１ｂが第１方向Ｘに並んで位置する。複数の第２ｐ側開口３１ｂは、平面視において長方形状の第２導電層４２の２つの長辺のうちの一方の長辺に近い位置で第１方向Ｘに並んだ複数の第２ｐ側開口３１ｂと、第２導電層４２の他方の長辺に近い位置で第１方向Ｘに並んだ複数の第２ｐ側開口３１ｂとを有する。第２導電層４２の一方の長辺に近い位置にある複数の第２ｐ側開口３１ｂと、第２導電層４２の他方の長辺に近い位置にある複数の第２ｐ側開口３１ｂとの間の領域に、ｐ側電極５１を配置することができる。第１の変形例の第２ｐ側開口３１の平面視における面積は、図１に示す形態の第２ｐ側開口３１の平面視における面積よりも大きい。従って、図５Ａに示す第１の変形例は、図１に示す形態よりも第２導電層４２と第１導電層４１との接触面積を大きく確保することができる。
図５Ｂに示す第２の変形例では、平面視において長方形状の第２導電層４２の第１方向Ｘの両端付近に、それぞれ第２方向Ｙに延びる第２ｐ側開口３１が位置する。ｐ側電極５１は、第１方向Ｘにおいて離れて位置する第２ｐ側開口３１の間に配置することができる。図５Ｂに示す第２の変形例では、長方形状の第２導電層４２の長辺に近い位置に第２ｐ側開口３１が形成されていない。従って、第１の変形例と比較して、第２方向Ｙにおけるｐ側電極５１の長さを長くしやすいため、ｐ側電極５１の平面視における面積を大きくして配線基板との接合強度を高くすることができる。
図５Ｃに示す第３の変形例では、平面視において長方形状の第２導電層４２の４つの角付近に、円形状の第２ｐ側開口３１が位置する。図５Ｃに示す第３の変形例では、第１の変形例と比較して、第２方向Ｙにおけるｐ側電極５１の長さを長くしやすい。さらに、第２方向Ｙにおいて離れて位置する２つの第２ｐ側開口３１の間にもｐ側電極５１を位置させることができる。そのため、ｐ側電極５１の平面視における面積を大きくして配線基板との接合強度を高くすることができる。
図５Ｄに示す第４の変形例では、第１方向Ｘに延びる複数の第２ｐ側開口３１が、第１方向Ｘに並んで位置する。複数の第２ｐ側開口３１は、平面視において長方形状の第２導電層４２の２つの長辺のうちの一方の長辺に近い位置で第１方向Ｘに並んだ複数の第２ｐ側開口３１と、第２導電層４２の他方の長辺に近い位置で第１方向Ｘに並んだ複数の第２ｐ側開口３１とを有する。第２導電層４２の一方の長辺に近い位置にある複数の第２ｐ側開口３１と、第２導電層４２の他方の長辺に近い位置にある複数の第２ｐ側開口３１との間の領域に、ｐ側電極５１を配置することができる。例えば、第２方向Ｙに長い楕円形状のｐ側電極５１の頂点の近傍が、第１方向Ｘにおいて隣り合う第２ｐ側開口３１の間に位置するようにｐ側電極５１を配置することができる。そのため、図５Ｄに示す第４の変形例においても、第２ｐ側開口３１における第２導電層４２と第１導電層４１との接触面積を大きく確保しつつ、ｐ側電極５１の平面サイズを大きくして配線基板との接合強度を高くすることができる。
図６は、実施形態の発光装置３００の模式断面図である。
発光装置３００は、配線基板２００と、配線基板２００上に配置された発光素子２とを備える。配線基板２００は、絶縁基材２０１と、絶縁基材２０１上に配置された第１配線部２０２と、絶縁基材２０１上に配置された第２配線部２０３とを有する。発光素子２は、前述した発光素子１におけるｐ側電極５１及びｎ側電極５２以外の構成を有する。
発光装置３００は、発光素子２とは別に準備されるｐ側電極５１及びｎ側電極５２を含む。発光素子２を配線基板２００上に配置する前に、ｐ側電極５１及びｎ側電極５２が配線基板２００上に配置される。ｐ側電極５１が第１配線部２０２に配置され、ｎ側電極５２が第２配線部２０３に配置される。ｐ側電極５１とｎ側電極５２は、例えば、電解めっき法、無電解めっき法、スパッタ法などによって形成することができる。ｐ側電極５１とｎ側電極５２は、スタッドバンプであってもよい。
配線基板２００上にｐ側電極５１及びｎ側電極５２を配置した後、発光素子２の第２導電層４２がｐ側電極５１に接合され、発光素子２の第４導電層４４がｎ側電極５２に接合される。荷重、熱、及び、超音波などを加えて、第２導電層４２がｐ側電極５１に接合され、第４導電層４４がｎ側電極５２に接合される。平面視において、ｐ側電極５１は、第２ｐ側開口３１から離れた位置で第２導電層４２と接合される。そのため、ｐ側電極５１からの荷重が第２ｐ側開口３１による段差にかかりにくく、第２絶縁膜３０に亀裂などを生じにくくできる。これにより、発光素子２の信頼性を高くすることができる。ｐ側電極５１は、第２導電層４２と第１配線部２０２との間に配置され、第２導電層４２及び第１配線部２０２と電気的に接続される。ｎ側電極５２は、第４導電層４４と第２配線部２０３との間に配置され、第４導電層４４及び第２配線部２０３と電気的に接続される。なお、ｐ側電極５１が平面視において第１絶縁膜２０の第１ｐ側開口２１と重なっていても、第１絶縁膜２０に亀裂などは生じにくい。これは、ｐ側電極５１と第１ｐ側開口２１との間に位置する第１導電層４１と第２絶縁膜３０とにより、ｐ側電極５１からの荷重が緩和されるためであると考えられる。同様に、ｎ側電極５２が平面視において第１ｐ側開口２１と重なっていても、ｎ側電極５２と第１ｐ側開口２１との間に位置する第１導電層４１と第２絶縁膜３０とにより、ｎ側電極５２からの荷重が緩和されるため、第１絶縁膜２０に亀裂などが生じにくい。
配線基板２００上に配置される前の発光素子は、ｐ側電極５１及びｎ側電極５２を有する発光素子１であってもよい。荷重、熱、及び超音波などを加えつつ、発光素子１におけるｐ側電極５１が第１配線部２０２に接合され、発光素子１におけるｎ側電極５２が第２配線部２０３に接合される。
本発明の実施形態は、以下の発光素子、発光素子の製造方法、及び発光装置を含む。
１．ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記ｐ側半導体層上に配置され、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に配置され、複数の前記第１ｐ側開口において前記ｐ側半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層上に配置され、平面視において前記第１ｐ側開口から離れた位置に配置される第２ｐ側開口を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第２ｐ側開口において前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、
前記第２導電層上であって平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置に配置されたｐ側電極と、
を備える発光素子。
２．前記ｐ側半導体層と前記第１絶縁膜との間に配置された第３導電層をさらに備え、
前記第１導電層は、複数の前記第１ｐ側開口において前記第３導電層に接する上記１に記載の発光素子。
３．前記第１絶縁膜の厚さは、前記第２絶縁膜の厚さよりも薄い上記１または２に記載の発光素子。
４．平面視において、複数の前記ｐ側電極が第１方向に並んで配置され、
前記第２絶縁膜の前記第２ｐ側開口は、平面視において複数の前記ｐ側電極が配置された領域を囲む上記１～３のいずれか１つに記載の発光素子。
５．前記ｎ側半導体層は、前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出する露出部を有し、
前記第１絶縁膜は、前記ｐ側半導体層上、前記活性層上、及び、前記露出部上に連続して配置され、
前記第２絶縁膜は、前記第１導電層上及び前記第１絶縁膜上に連続して配置され、
前記第１絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第１ｎ側開口を有し、
前記第２絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第２ｎ側開口を有し、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第１ｎ側開口及び前記第２ｎ側開口において前記ｎ側半導体層と電気的に接続された第４導電層と、
前記第４導電層上に配置されたｎ側電極と、をさらに備える上記１～４のいずれか１つに記載の発光素子。
６．ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体を準備する工程と、
前記ｐ側半導体層上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜に、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上及び複数の前記第１ｐ側開口内に、第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層上に、第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜に第２ｐ側開口を形成する工程であって、前記第２ｐ側開口を平面視において複数の前記第１ｐ側開口から離れた位置に形成する工程と、
前記第２絶縁膜上及び前記第２ｐ側開口内に、第２導電層を形成する工程と、
前記第２導電層上であって平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置に、ｐ側電極を配置する工程と、
を備える発光素子の製造方法。
７．前記第１絶縁膜を形成する工程の前に、前記ｐ側半導体層上に第３導電層を形成する工程をさらに備え、
前記第１絶縁膜を形成する工程において、前記第１絶縁膜は前記第３導電層上に形成され、
前記第１絶縁膜に複数の前記第１ｐ側開口を形成する工程において、前記第３導電層を複数の前記第１ｐ側開口に露出させる上記６に記載の発光素子の製造方法。
８．前記第１絶縁膜の厚さは、前記第２絶縁膜の厚さよりも薄い上記６または７に記載の発光素子の製造方法。
９．ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記ｐ側半導体層上に配置され、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に配置され、複数の前記第１ｐ側開口において前記ｐ側半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層上に配置され、平面視において前記第１ｐ側開口から離れた位置に配置される第２ｐ側開口を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第２ｐ側開口において前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、を有する
発光素子と、
絶縁基材と、前記絶縁基材上に配置された配線部とを有する配線基板と、
前記第２導電層と前記配線部との間に配置され、前記第２導電層及び前記配線部と電気的に接続されたｐ側電極であって、平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置に配置された前記ｐ側電極と、
を備える発光装置。
１０．前記ｐ側半導体層と前記第１絶縁膜との間に配置された第３導電層をさらに備え、
前記第１導電層は、複数の前記第１ｐ側開口において前記第３導電層に接する上記９に記載の発光装置。
１１．前記第１絶縁膜の厚さは、前記第２絶縁膜の厚さよりも薄い上記９または１０に記載の発光装置。
１２．平面視において、複数の前記ｐ側電極が第１方向に並んで配置され、
前記第２絶縁膜の前記第２ｐ側開口は、平面視において複数の前記ｐ側電極が配置された領域を囲む上記９～１１のいずれか１つに記載の発光装置。
１３．前記ｎ側半導体層は、前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出する露出部を有し、
前記第１絶縁膜は、前記ｐ側半導体層上、前記活性層上、及び、前記露出部上に連続して配置され、
前記第２絶縁膜は、前記第１導電層上及び前記第１絶縁膜上に連続して配置され、
前記第１絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第１ｎ側開口を有し、
前記第２絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第２ｎ側開口を有し、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第１ｎ側開口及び前記第２ｎ側開口において前記ｎ側半導体層と電気的に接続された第４導電層と、
をさらに備える上記９～１２のいずれか１つに記載の発光装置。
１４．前記配線基板は、前記絶縁基材上に配置された第２配線部を有し、
前記第４導電層と前記第２配線部との間に配置され、前記第４導電層及び前記第２配線部と電気的に接続されたｎ側電極をさらに備える上記１３に記載の発光装置。
１．ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記ｐ側半導体層上に配置され、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に配置され、複数の前記第１ｐ側開口において前記ｐ側半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層上に配置され、平面視において前記第１ｐ側開口から離れた位置に配置される第２ｐ側開口を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第２ｐ側開口において前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、
前記第２導電層上であって平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置に配置されたｐ側電極と、
を備える発光素子。
２．前記ｐ側半導体層と前記第１絶縁膜との間に配置された第３導電層をさらに備え、
前記第１導電層は、複数の前記第１ｐ側開口において前記第３導電層に接する上記１に記載の発光素子。
３．前記第１絶縁膜の厚さは、前記第２絶縁膜の厚さよりも薄い上記１または２に記載の発光素子。
４．平面視において、複数の前記ｐ側電極が第１方向に並んで配置され、
前記第２絶縁膜の前記第２ｐ側開口は、平面視において複数の前記ｐ側電極が配置された領域を囲む上記１～３のいずれか１つに記載の発光素子。
５．前記ｎ側半導体層は、前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出する露出部を有し、
前記第１絶縁膜は、前記ｐ側半導体層上、前記活性層上、及び、前記露出部上に連続して配置され、
前記第２絶縁膜は、前記第１導電層上及び前記第１絶縁膜上に連続して配置され、
前記第１絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第１ｎ側開口を有し、
前記第２絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第２ｎ側開口を有し、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第１ｎ側開口及び前記第２ｎ側開口において前記ｎ側半導体層と電気的に接続された第４導電層と、
前記第４導電層上に配置されたｎ側電極と、をさらに備える上記１～４のいずれか１つに記載の発光素子。
６．ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体を準備する工程と、
前記ｐ側半導体層上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜に、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上及び複数の前記第１ｐ側開口内に、第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層上に、第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜に第２ｐ側開口を形成する工程であって、前記第２ｐ側開口を平面視において複数の前記第１ｐ側開口から離れた位置に形成する工程と、
前記第２絶縁膜上及び前記第２ｐ側開口内に、第２導電層を形成する工程と、
前記第２導電層上であって平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置に、ｐ側電極を配置する工程と、
を備える発光素子の製造方法。
７．前記第１絶縁膜を形成する工程の前に、前記ｐ側半導体層上に第３導電層を形成する工程をさらに備え、
前記第１絶縁膜を形成する工程において、前記第１絶縁膜は前記第３導電層上に形成され、
前記第１絶縁膜に複数の前記第１ｐ側開口を形成する工程において、前記第３導電層を複数の前記第１ｐ側開口に露出させる上記６に記載の発光素子の製造方法。
８．前記第１絶縁膜の厚さは、前記第２絶縁膜の厚さよりも薄い上記６または７に記載の発光素子の製造方法。
９．ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記ｐ側半導体層上に配置され、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に配置され、複数の前記第１ｐ側開口において前記ｐ側半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層上に配置され、平面視において前記第１ｐ側開口から離れた位置に配置される第２ｐ側開口を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第２ｐ側開口において前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、を有する
発光素子と、
絶縁基材と、前記絶縁基材上に配置された配線部とを有する配線基板と、
前記第２導電層と前記配線部との間に配置され、前記第２導電層及び前記配線部と電気的に接続されたｐ側電極であって、平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置に配置された前記ｐ側電極と、
を備える発光装置。
１０．前記ｐ側半導体層と前記第１絶縁膜との間に配置された第３導電層をさらに備え、
前記第１導電層は、複数の前記第１ｐ側開口において前記第３導電層に接する上記９に記載の発光装置。
１１．前記第１絶縁膜の厚さは、前記第２絶縁膜の厚さよりも薄い上記９または１０に記載の発光装置。
１２．平面視において、複数の前記ｐ側電極が第１方向に並んで配置され、
前記第２絶縁膜の前記第２ｐ側開口は、平面視において複数の前記ｐ側電極が配置された領域を囲む上記９～１１のいずれか１つに記載の発光装置。
１３．前記ｎ側半導体層は、前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出する露出部を有し、
前記第１絶縁膜は、前記ｐ側半導体層上、前記活性層上、及び、前記露出部上に連続して配置され、
前記第２絶縁膜は、前記第１導電層上及び前記第１絶縁膜上に連続して配置され、
前記第１絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第１ｎ側開口を有し、
前記第２絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第２ｎ側開口を有し、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第１ｎ側開口及び前記第２ｎ側開口において前記ｎ側半導体層と電気的に接続された第４導電層と、
をさらに備える上記９～１２のいずれか１つに記載の発光装置。
１４．前記配線基板は、前記絶縁基材上に配置された第２配線部を有し、
前記第４導電層と前記第２配線部との間に配置され、前記第４導電層及び前記第２配線部と電気的に接続されたｎ側電極をさらに備える上記１３に記載の発光装置。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものである。
１,２…発光素子、１０…半導体構造体、１１…ｎ側半導体層、１１ａ…第１露出部、１１ｂ…第２露出部、１２…活性層、１３…ｐ側半導体層、２０…第１絶縁膜、２１…第１ｐ側開口、２２…第１ｎ側開口、２３…第３ｎ側開口、３０…第２絶縁膜、３１…第２ｐ側開口、３２…第２ｎ側開口、３３…第４ｎ側開口、４１…第１導電層、４２…第２導電層、４３…第３導電層、４４…第４導電層、５１…ｐ側電極、５２…ｎ側電極、１００…基板、２００…配線基板、２０２…第１配線部、２０３…第２配線部、３００…発光装置
Claims (9)
- ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記ｐ側半導体層上に配置され、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に配置され、複数の前記第１ｐ側開口において前記ｐ側半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層上に配置され、平面視において前記第１ｐ側開口から離れた位置に配置される第２ｐ側開口を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第２ｐ側開口において前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、
前記第２導電層上であって平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置且つ前記第１ｐ側開口に重なる位置に配置されたｐ側電極と、
を備える発光素子。 - 前記ｐ側半導体層と前記第１絶縁膜との間に配置された第３導電層をさらに備え、
前記第１導電層は、複数の前記第１ｐ側開口において前記第３導電層に接する請求項１に記載の発光素子。 - 前記第１絶縁膜の厚さは、前記第２絶縁膜の厚さよりも薄い請求項１または２に記載の発光素子。
- 平面視において、複数の前記ｐ側電極が第１方向に並んで配置され、
前記第２絶縁膜の前記第２ｐ側開口は、平面視において複数の前記ｐ側電極が配置された領域を囲む請求項１または２に記載の発光素子。 - 前記ｎ側半導体層は、前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出する露出部を有し、
前記第１絶縁膜は、前記ｐ側半導体層上、前記活性層上、及び、前記露出部上に連続して配置され、
前記第２絶縁膜は、前記第１導電層上及び前記第１絶縁膜上に連続して配置され、
前記第１絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第１ｎ側開口を有し、
前記第２絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第２ｎ側開口を有し、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第１ｎ側開口及び前記第２ｎ側開口において前記ｎ側半導体層と電気的に接続された第４導電層と、
前記第４導電層上に配置されたｎ側電極と、をさらに備える請求項１または２に記載の発光素子。 - ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体を準備する工程と、
前記ｐ側半導体層上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜に、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上及び複数の前記第１ｐ側開口内に、第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層上に、第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜に第２ｐ側開口を形成する工程であって、前記第２ｐ側開口を平面視において複数の前記第１ｐ側開口から離れた位置に形成する工程と、
前記第２絶縁膜上及び前記第２ｐ側開口内に、第２導電層を形成する工程と、
前記第２導電層上であって平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置且つ前記第１ｐ側開口に重なる位置に、ｐ側電極を配置する工程と、
を備える発光素子の製造方法。 - 前記第１絶縁膜を形成する工程の前に、前記ｐ側半導体層上に第３導電層を形成する工程をさらに備え、
前記第１絶縁膜を形成する工程において、前記第１絶縁膜は前記第３導電層上に形成され、
前記第１絶縁膜に複数の前記第１ｐ側開口を形成する工程において、前記第３導電層を複数の前記第１ｐ側開口に露出させる請求項６に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第１絶縁膜の厚さは、前記第２絶縁膜の厚さよりも薄い請求項６または７に記載の発光素子の製造方法。
- ｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するｐ側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記ｐ側半導体層上に配置され、前記ｐ側半導体層の上方に配置される複数の第１ｐ側開口を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に配置され、複数の前記第１ｐ側開口において前記ｐ側半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
前記第１導電層上に配置され、平面視において前記第１ｐ側開口から離れた位置に配置される第２ｐ側開口を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記第２ｐ側開口において前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、を有する
発光素子と、
絶縁基材と、前記絶縁基材上に配置された第１配線部とを有する配線基板と、
前記第２導電層と前記第１配線部との間に配置され、前記第２導電層及び前記第１配線部と電気的に接続されたｐ側電極であって、平面視において前記第２ｐ側開口から離れた位置且つ前記第１ｐ側開口に重なる位置に配置された前記ｐ側電極と、
を備える発光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022066751A JP7506327B2 (ja) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 発光素子、発光素子の製造方法、及び発光装置 |
| US18/299,282 US20230335699A1 (en) | 2022-04-14 | 2023-04-12 | Light-emitting element, method for manufacturing light-emitting element, and light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022066751A JP7506327B2 (ja) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 発光素子、発光素子の製造方法、及び発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023157082A JP2023157082A (ja) | 2023-10-26 |
| JP7506327B2 true JP7506327B2 (ja) | 2024-06-26 |
Family
ID=88307193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022066751A Active JP7506327B2 (ja) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 発光素子、発光素子の製造方法、及び発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230335699A1 (ja) |
| JP (1) | JP7506327B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210159266A1 (en) | 2016-09-05 | 2021-05-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Chip-scale package light emitting diode |
| JP2022057530A (ja) | 2020-09-30 | 2022-04-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
-
2022
- 2022-04-14 JP JP2022066751A patent/JP7506327B2/ja active Active
-
2023
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210159266A1 (en) | 2016-09-05 | 2021-05-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Chip-scale package light emitting diode |
| JP2022057530A (ja) | 2020-09-30 | 2022-04-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2023157082A (ja) | 2023-10-26 |
| US20230335699A1 (en) | 2023-10-19 |
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