JP7506327B2 - 発光素子、発光素子の製造方法、及び発光装置 - Google Patents
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Description
本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、n側半導体層と、前記n側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するp側半導体層と、を有する半導体構造体を準備する工程と、前記p側半導体層上に第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜に、前記p側半導体層の上方に配置される複数の第1p側開口を形成する工程と、前記第1絶縁膜上及び複数の前記第1p側開口内に、第1導電層を形成する工程と、前記第1導電層上に、第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜に第2p側開口を形成する工程であって、前記第2p側開口を平面視において複数の前記第1p側開口から離れた位置に形成する工程と、前記第2絶縁膜上及び前記第2p側開口内に、第2導電層を形成する工程と、前記第2導電層上であって平面視において前記第2p側開口から離れた位置に、p側電極を配置する工程と、を備える。
1.n側半導体層と、前記n側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するp側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記p側半導体層上に配置され、前記p側半導体層の上方に配置される複数の第1p側開口を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に配置され、複数の前記第1p側開口において前記p側半導体層と電気的に接続された第1導電層と、
前記第1導電層上に配置され、平面視において前記第1p側開口から離れた位置に配置される第2p側開口を有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に配置され、前記第2p側開口において前記第1導電層と電気的に接続された第2導電層と、
前記第2導電層上であって平面視において前記第2p側開口から離れた位置に配置されたp側電極と、
を備える発光素子。
2.前記p側半導体層と前記第1絶縁膜との間に配置された第3導電層をさらに備え、
前記第1導電層は、複数の前記第1p側開口において前記第3導電層に接する上記1に記載の発光素子。
3.前記第1絶縁膜の厚さは、前記第2絶縁膜の厚さよりも薄い上記1または2に記載の発光素子。
4.平面視において、複数の前記p側電極が第1方向に並んで配置され、
前記第2絶縁膜の前記第2p側開口は、平面視において複数の前記p側電極が配置された領域を囲む上記1~3のいずれか1つに記載の発光素子。
5.前記n側半導体層は、前記p側半導体層及び前記活性層から露出する露出部を有し、
前記第1絶縁膜は、前記p側半導体層上、前記活性層上、及び、前記露出部上に連続して配置され、
前記第2絶縁膜は、前記第1導電層上及び前記第1絶縁膜上に連続して配置され、
前記第1絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第1n側開口を有し、
前記第2絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第2n側開口を有し、
前記第2絶縁膜上に配置され、前記第1n側開口及び前記第2n側開口において前記n側半導体層と電気的に接続された第4導電層と、
前記第4導電層上に配置されたn側電極と、をさらに備える上記1~4のいずれか1つに記載の発光素子。
6.n側半導体層と、前記n側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するp側半導体層と、を有する半導体構造体を準備する工程と、
前記p側半導体層上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜に、前記p側半導体層の上方に配置される複数の第1p側開口を形成する工程と、
前記第1絶縁膜上及び複数の前記第1p側開口内に、第1導電層を形成する工程と、
前記第1導電層上に、第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜に第2p側開口を形成する工程であって、前記第2p側開口を平面視において複数の前記第1p側開口から離れた位置に形成する工程と、
前記第2絶縁膜上及び前記第2p側開口内に、第2導電層を形成する工程と、
前記第2導電層上であって平面視において前記第2p側開口から離れた位置に、p側電極を配置する工程と、
を備える発光素子の製造方法。
7.前記第1絶縁膜を形成する工程の前に、前記p側半導体層上に第3導電層を形成する工程をさらに備え、
前記第1絶縁膜を形成する工程において、前記第1絶縁膜は前記第3導電層上に形成され、
前記第1絶縁膜に複数の前記第1p側開口を形成する工程において、前記第3導電層を複数の前記第1p側開口に露出させる上記6に記載の発光素子の製造方法。
8.前記第1絶縁膜の厚さは、前記第2絶縁膜の厚さよりも薄い上記6または7に記載の発光素子の製造方法。
9.n側半導体層と、前記n側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するp側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記p側半導体層上に配置され、前記p側半導体層の上方に配置される複数の第1p側開口を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に配置され、複数の前記第1p側開口において前記p側半導体層と電気的に接続された第1導電層と、
前記第1導電層上に配置され、平面視において前記第1p側開口から離れた位置に配置される第2p側開口を有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に配置され、前記第2p側開口において前記第1導電層と電気的に接続された第2導電層と、を有する
発光素子と、
絶縁基材と、前記絶縁基材上に配置された配線部とを有する配線基板と、
前記第2導電層と前記配線部との間に配置され、前記第2導電層及び前記配線部と電気的に接続されたp側電極であって、平面視において前記第2p側開口から離れた位置に配置された前記p側電極と、
を備える発光装置。
10.前記p側半導体層と前記第1絶縁膜との間に配置された第3導電層をさらに備え、
前記第1導電層は、複数の前記第1p側開口において前記第3導電層に接する上記9に記載の発光装置。
11.前記第1絶縁膜の厚さは、前記第2絶縁膜の厚さよりも薄い上記9または10に記載の発光装置。
12.平面視において、複数の前記p側電極が第1方向に並んで配置され、
前記第2絶縁膜の前記第2p側開口は、平面視において複数の前記p側電極が配置された領域を囲む上記9~11のいずれか1つに記載の発光装置。
13.前記n側半導体層は、前記p側半導体層及び前記活性層から露出する露出部を有し、
前記第1絶縁膜は、前記p側半導体層上、前記活性層上、及び、前記露出部上に連続して配置され、
前記第2絶縁膜は、前記第1導電層上及び前記第1絶縁膜上に連続して配置され、
前記第1絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第1n側開口を有し、
前記第2絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第2n側開口を有し、
前記第2絶縁膜上に配置され、前記第1n側開口及び前記第2n側開口において前記n側半導体層と電気的に接続された第4導電層と、
をさらに備える上記9~12のいずれか1つに記載の発光装置。
14.前記配線基板は、前記絶縁基材上に配置された第2配線部を有し、
前記第4導電層と前記第2配線部との間に配置され、前記第4導電層及び前記第2配線部と電気的に接続されたn側電極をさらに備える上記13に記載の発光装置。
Claims (9)
- n側半導体層と、前記n側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するp側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記p側半導体層上に配置され、前記p側半導体層の上方に配置される複数の第1p側開口を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に配置され、複数の前記第1p側開口において前記p側半導体層と電気的に接続された第1導電層と、
前記第1導電層上に配置され、平面視において前記第1p側開口から離れた位置に配置される第2p側開口を有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に配置され、前記第2p側開口において前記第1導電層と電気的に接続された第2導電層と、
前記第2導電層上であって平面視において前記第2p側開口から離れた位置且つ前記第1p側開口に重なる位置に配置されたp側電極と、
を備える発光素子。 - 前記p側半導体層と前記第1絶縁膜との間に配置された第3導電層をさらに備え、
前記第1導電層は、複数の前記第1p側開口において前記第3導電層に接する請求項1に記載の発光素子。 - 前記第1絶縁膜の厚さは、前記第2絶縁膜の厚さよりも薄い請求項1または2に記載の発光素子。
- 平面視において、複数の前記p側電極が第1方向に並んで配置され、
前記第2絶縁膜の前記第2p側開口は、平面視において複数の前記p側電極が配置された領域を囲む請求項1または2に記載の発光素子。 - 前記n側半導体層は、前記p側半導体層及び前記活性層から露出する露出部を有し、
前記第1絶縁膜は、前記p側半導体層上、前記活性層上、及び、前記露出部上に連続して配置され、
前記第2絶縁膜は、前記第1導電層上及び前記第1絶縁膜上に連続して配置され、
前記第1絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第1n側開口を有し、
前記第2絶縁膜は、前記露出部の上方に配置される複数の第2n側開口を有し、
前記第2絶縁膜上に配置され、前記第1n側開口及び前記第2n側開口において前記n側半導体層と電気的に接続された第4導電層と、
前記第4導電層上に配置されたn側電極と、をさらに備える請求項1または2に記載の発光素子。 - n側半導体層と、前記n側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するp側半導体層と、を有する半導体構造体を準備する工程と、
前記p側半導体層上に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜に、前記p側半導体層の上方に配置される複数の第1p側開口を形成する工程と、
前記第1絶縁膜上及び複数の前記第1p側開口内に、第1導電層を形成する工程と、
前記第1導電層上に、第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜に第2p側開口を形成する工程であって、前記第2p側開口を平面視において複数の前記第1p側開口から離れた位置に形成する工程と、
前記第2絶縁膜上及び前記第2p側開口内に、第2導電層を形成する工程と、
前記第2導電層上であって平面視において前記第2p側開口から離れた位置且つ前記第1p側開口に重なる位置に、p側電極を配置する工程と、
を備える発光素子の製造方法。 - 前記第1絶縁膜を形成する工程の前に、前記p側半導体層上に第3導電層を形成する工程をさらに備え、
前記第1絶縁膜を形成する工程において、前記第1絶縁膜は前記第3導電層上に形成され、
前記第1絶縁膜に複数の前記第1p側開口を形成する工程において、前記第3導電層を複数の前記第1p側開口に露出させる請求項6に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第1絶縁膜の厚さは、前記第2絶縁膜の厚さよりも薄い請求項6または7に記載の発光素子の製造方法。
- n側半導体層と、前記n側半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置するp側半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記p側半導体層上に配置され、前記p側半導体層の上方に配置される複数の第1p側開口を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に配置され、複数の前記第1p側開口において前記p側半導体層と電気的に接続された第1導電層と、
前記第1導電層上に配置され、平面視において前記第1p側開口から離れた位置に配置される第2p側開口を有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に配置され、前記第2p側開口において前記第1導電層と電気的に接続された第2導電層と、を有する
発光素子と、
絶縁基材と、前記絶縁基材上に配置された第1配線部とを有する配線基板と、
前記第2導電層と前記第1配線部との間に配置され、前記第2導電層及び前記第1配線部と電気的に接続されたp側電極であって、平面視において前記第2p側開口から離れた位置且つ前記第1p側開口に重なる位置に配置された前記p側電極と、
を備える発光装置。
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