JP7212579B2 - ダイヤモンド被膜付き部材およびその製造方法ならびにダイヤモンド被膜の平滑化方法 - Google Patents
ダイヤモンド被膜付き部材およびその製造方法ならびにダイヤモンド被膜の平滑化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7212579B2 JP7212579B2 JP2019097750A JP2019097750A JP7212579B2 JP 7212579 B2 JP7212579 B2 JP 7212579B2 JP 2019097750 A JP2019097750 A JP 2019097750A JP 2019097750 A JP2019097750 A JP 2019097750A JP 7212579 B2 JP7212579 B2 JP 7212579B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- diamond coating
- coating
- mass
- radicals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
通常のメカニカルシール装置では、固定リングと回転リングの摺動運動で発生する非常に高い静電気が、放電破壊を起こすことが知られており(非特許文献1)、特許文献1に記載のメカニカルシール装置では、ダイヤモンド被膜に導電性を持たせることで固定リングの放電現象を防ぐことができ、長寿命化が期待される。メカニカルシールの流体が純水あるいは超純水の場合は、流体の抵抗値が高く、摺動運動により発生する正電荷が固定リングの放電破壊を防ぐのに非常に有効な手段であり、発電用循環水、半導体洗浄用循環水において高い効果が認められる。
しかしながら、メカニカルシールの流体が工業用排水、油性流体などの場合、流体中に多くの残渣、いわゆるスラッジ、金属残渣を含有しており、これらがダイヤモンド被膜上に張り付き、メカニカルシールの稼働開始から程なくトライボロジー的あるいは機械的破壊を起こすことから、ダイヤモンド被膜の更なる平滑化が求められている。
非特許文献2では、ダイヤモンドの禁制帯幅(バンドギャップ)が5.47eVである事から、この等価波長より短い波長のUV(紫外線)をダイヤモンドの表面に照射し、ダイヤモンドの表面炭素をガス化することで平滑化する方法が開示されている。また、非特許文献3において、紫外線援用研磨による多結晶ダイヤモンドの超精密加工について開示されている。紫外線を援用したダイヤモンドの平滑化では、表面粗さ0.8nmRaと非常に高い平滑性が得られている。しかし、紫外線を援用した研磨方法では、砥石を用いた定圧研削法による前処理が必要である。また、定圧研削法による研磨速度は10μm/hと十分高いが、紫外線照射面積が1cm2程度と小さく、径が数十cm単位になるメカニカルシールの経済的な研磨には応用が難しい。
上記方法もダイヤモンドの平滑化に優れた方法であるが、メカニカルシールへの経済的な研磨には適応が難しい。
電気分解によるダイヤモンド被膜の腐食は、酢酸水溶液(CH3COOH)、プロピオン酸(CH3CH2COOH)中で観察されたが、他の有機物、例えばギ酸(HCOOH)、グルコース、メタノールなどでは観察されなかった。
また、電気分解した後、酢酸溶液中では、メチルラジカル(CH3)の生成が検出された。これは電気分解により生成したOHラジカルが酢酸と反応し、CH3ラジカルが生成すると考えられる。CH3ラジカルがBDD表面に存在しているC-OH官能基と反応し、ダイヤモンド被膜の表面に存在する混成軌道sp3結合を有する炭素を、混成軌道sp2結合を有する炭素に構造変化することが、非特許文献5で述べられており、本発明ではこの現象を腐食という。
本発明は以下の(1)~(9)である。
(1)OHラジカルおよびCH3ラジカルが生成する酸性溶液中においてダイヤモンド被膜を表面に備えた部材の被膜表面を陽極として電界を掛けながら、前記酸性溶液に溶解しない質量体を用いて前記ダイヤモンド被膜の表面へ擦過運動を加えることで、前記ダイヤモンド被膜の表面粗さを低減させる工程を備える、ダイヤモンド被膜付き部材の製造方法。
(2)前記擦過運動を加えた後の前記ダイヤモンド被膜の最表面に混成軌道sp2結合を有する炭素原子が残存している、上記(1)に記載のダイヤモンド被膜付き部材の製造方法。
(3)前記ダイヤモンド被膜はボロンがドープされ、そのボロン濃度が0.5mass%以上である、上記(1)または(2)に記載のダイヤモンド被膜付き部材の製造方法。
(4)前記ダイヤモンド被膜の電気抵抗値が5Ω以下である、上記(1)~(3)のいずれかに記載のダイヤモンド被膜付き部材の製造方法。
(5)前記ダイヤモンド被膜はCVD法により形成された多結晶のダイヤモンド被膜である、上記(1)~(4)のいずれかに記載のダイヤモンド被膜付き部材の製造方法。
(6)前記部材がSiCである、上記(1)~(5)のいずれかに記載のダイヤモンド被膜付き部材の製造方法。
(7)上記(1)~(6)のいずれかに記載の製造方法によって得られ、機械部品として用いることができる、ダイヤモンド被膜付き部材。
(8)OHラジカルおよびCH3ラジカルが生成する酸性溶液中においてダイヤモンド被膜表面を陽極として電界を掛けながら、前記酸性溶液に溶解しない質量体を用いて前記ダイヤモンド被膜の表面へ擦過運動を加えることを特徴とするダイヤモンド被膜の平滑化方法。
本発明の製造方法は、OHラジカルおよびCH3ラジカルが生成する酸性溶液中においてダイヤモンド被膜を表面に備えた部材の被膜表面を陽極として電界を掛けながら、前記酸性溶液に溶解しない質量体を用いて前記ダイヤモンド被膜の表面へ擦過運動を加えることで、前記ダイヤモンド被膜の表面粗さを低減させる工程を備える、ダイヤモンド被膜付き部材の製造方法である。
このダイヤモンド被膜の表面粗度は、例えば0.1~0.3μmRa程度、より具体的には0.2μmRa程度であってよい。また、SiC基板にPCDを成膜した場合、SiC基板の表面粗さが反映され、部分的な突起(高さ7~10μm、直径2~5μm)が形成されている。
ここで酸性溶液は、電界を掛けることでOHラジカルおよびCH3ラジカルを生成させるものであり、具体的には、酢酸、プロピオン酸が挙げられる。
このような酸性溶液に電界を掛けることで生成されたOHラジカルが、酸性溶液中の酸(例えば酢酸(CH3COOH)やプロピオン酸(C2H5COOH))と反応し、中間体(例えばCH3COOラジカル)を生成し、これが分解してCH3ラジカルが生成すると考えられる。そして、このCH3ラジカルが、ダイヤモンド被膜の最表面に存する炭素原子が備える水酸基(OH基)と反応すると考えらえる。その結果、ダイヤモンド被膜の表面の混成軌道sp3結合を有する炭素原子が混成軌道sp2結合を有する炭素原子に変化すると考えられる。
ここでダイヤモンド被膜の表面へ加える荷重は0.5kg/mm2以上であることが好ましい。荷重の上限は特に限定されないが、例えば、5kg/mm2程度であってもよい。
そうすると、ダイヤモンド被膜の表面粗度は極めて低くなり、具体的には例えば2nmRaまで平滑化させることができる。
図1に示す装置を準備し、以下に示す実験を行った。
アクリル容器に95%硫酸(H2SO4) 6mlと、穀物酢(CH3COOHを5%程度含む) 27mlで満たした。そして、ここへCVD法によりSiC基板(25mm×25mm×3mm)にボロンを0.5mass%ドーピングした多結晶ダイヤモンドを8μm被膜した試料(電気抵抗値4Ω)を沈め、おおむねその主面が水平方向となるようにした。
そして、ダイヤモンド被膜の上に9.5mm径のアルミナ(Al2O3)球(京セラ製)を配置し、このアルミナ球へ、おおむね鉛直方向の上から下へ6kgの荷重を掛けることでダイヤモンド被膜へアルミナ球を押し付けながら、このアルミナ球を水平方向へ往復運動させることで、ダイヤモンド被膜の表面を擦過した。
このような処理を10分間行った後のダイヤモンド被膜表面のSEM像を図2に示す。色が薄い領域は、ダイヤモンド被膜の最表面に混成軌道sp2結合を有する炭素原子が残存している領域であり、平滑性が高いことがわかる。この領域について、レーザ顕微鏡(Olympus, OLS4100)で観察した(解析パラメータ:線粗さカットオフλc=8μm)。観察結果を図3(b)に示す。なお、図3(a)は処理前のダイヤモンド被膜表面をレーザ顕微鏡(Olympus, OLS4100)で観察した結果を示している。
図3(a)に示した処理前のダイヤモンド被膜の表面粗さ(Ra)は0.230μmRaであった。また、図3(b)に示した処理後のダイヤモンド被膜の表面粗さ(Ra)は0.002μmRaであった。
実施例1と同様のダイヤモンド被膜を表面に形成したメカニカルシールの固定リングについて、実施例1と同様の処理を施した。
そして、予め用意したグラファイトから作られた回転リングと、処理後の固定リングとからメカニカルシールを構成し、砂れき残渣を含む市水流体についての適用可能性を調査した。その結果、このメカニカルシールは市水流体への適用が可能であることを確認した。
半導体ウェハのメカノケミカル研磨装置(MCP)筺体に、実施例1の場合と同様のダイヤモンド被膜を形成した。その結果、微粒研磨剤の筺体における残渣は水洗洗浄だけで取り除くことができ、再使用が可能となった。
紫外線を援用したPCD研磨方法を試した。具体的に説明する。
初めに、実施例1と同様に、SiC基板(25mm×25mm×3mm)にボロンを0.5mass%ドーピングした多結晶ダイヤモンドを8μm被膜した試料を用意した。また、光触媒としてTiO2(アナターゼ、粒径φ5μm)を用意し、これを純水10mlに0.5g加えてコロイドを作成した。
そして、SiC基板の表面の多結晶ダイヤモンドへ紫外線を照射しながら、紫外線が照射されている多結晶ダイヤモンドの表面へ、上記のTiO2のコロイドを5~10分ごとに2mlずつ、ピペットを用いて滴下した。
ダイヤモンド被膜の上に側面が接するように石英ガラス円柱(φ25mm、幅t=10mm)を配置し、上から下へ向けて1kgの荷重を掛けながら石英ガラス円柱を転がすように往復運動させることで、ダイヤモンド被膜の表面を擦過した。しかし、図4(c)に示すように、このような処理を1時間行っても、PCD表面粗さの変化はなかった。なお、図4(a)は処理前の観察結果を示している。
UV-フェントン反応によりOHラジカルを生成させ、PCD研磨方法を行った。具体的に説明する。
初めに、実施例1と同様に、SiC基板(25mm×25mm×3mm)にボロンを0.5mass%ドーピングした多結晶ダイヤモンドを8μm被膜した試料を用意した。また、フェントン反応には、NiSO4 2g(またはFeSO4 2.12g)を95% H2SO4 2mlと純水5ml中に溶かして得た溶液を用いた。
そして、SiC基板の表面の多結晶ダイヤモンドへ紫外線を照射しながら、紫外線が照射されている多結晶ダイヤモンドの表面へ、上記のNiSO4およびH2SO4を含む溶液を5~10分ごとに2mlずつ、ピペットを用いて滴下しつつ、30%H2O2もピペットで滴下して、ダイヤモンド被膜上でフェントン反応を生じさせた。
ダイヤモンド被膜の上に側面が接するように石英ガラス円柱(φ25mm、幅t=10mm)を配置し、上から下へ向けて2.4kgの荷重を掛けながら石英ガラス円柱を転がすように往復運動させることで、ダイヤモンド被膜の表面を擦過した。
このような処理を1時間行った後のダイヤモンド被膜表面を観察した結果を図4(d)に示す。
図4(d)に示すように、ダイヤモンド被膜の表面にある突起部が削られたにすぎなかった。
Claims (6)
- OHラジカルおよびCH3ラジカルが生成する酸性溶液中において、ボロン濃度が0.5mass%以上となるようにボロンがドープされたダイヤモンド被膜を表面に備えた部材の被膜表面を陽極として電界を掛けながら、前記酸性溶液に溶解しない質量体を用いて前記ダイヤモンド被膜の表面へ擦過運動を加えることで、前記ダイヤモンド被膜の表面粗さを低減させる工程を備える、ダイヤモンド被膜付き部材の製造方法。
- 前記擦過運動を加えた後の前記ダイヤモンド被膜の最表面に混成軌道sp2結合を有する炭素原子が残存している、請求項1に記載のダイヤモンド被膜付き部材の製造方法。
- 前記ダイヤモンド被膜はCVD法により形成された多結晶のダイヤモンド被膜である、請求項1または2に記載のダイヤモンド被膜付き部材の製造方法。
- 前記部材がSiCである、請求項1~3のいずれかに記載のダイヤモンド被膜付き部材の製造方法。
- 請求項1~4のいずれかに記載の製造方法によって得られ、機械部品として用いることができる、ダイヤモンド被膜付き部材。
- OHラジカルおよびCH3ラジカルが生成する酸性溶液中において、ボロン濃度が0.5mass%以上となるようにボロンがドープされたダイヤモンド被膜表面を陽極として電界を掛けながら、前記酸性溶液に溶解しない質量体を用いて前記ダイヤモンド被膜の表面へ擦過運動を加えることを特徴とするダイヤモンド被膜の平滑化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019097750A JP7212579B2 (ja) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | ダイヤモンド被膜付き部材およびその製造方法ならびにダイヤモンド被膜の平滑化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019097750A JP7212579B2 (ja) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | ダイヤモンド被膜付き部材およびその製造方法ならびにダイヤモンド被膜の平滑化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020193111A JP2020193111A (ja) | 2020-12-03 |
JP7212579B2 true JP7212579B2 (ja) | 2023-01-25 |
Family
ID=73546240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019097750A Active JP7212579B2 (ja) | 2019-05-24 | 2019-05-24 | ダイヤモンド被膜付き部材およびその製造方法ならびにダイヤモンド被膜の平滑化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7212579B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4260694B2 (ja) | 2004-06-25 | 2009-04-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 光モジュール、光モジュール用セラミック基板 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55128600A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-04 | Hitachi Zosen Corp | Electrolytical superfine composite finishing of cylindrical product |
JP3213954B2 (ja) * | 1991-02-18 | 2001-10-02 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド質被覆層の平坦化方法 |
JP2009035442A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Kurita Water Ind Ltd | ダイヤモンドの加工方法 |
-
2019
- 2019-05-24 JP JP2019097750A patent/JP7212579B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4260694B2 (ja) | 2004-06-25 | 2009-04-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 光モジュール、光モジュール用セラミック基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020193111A (ja) | 2020-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5754754B2 (ja) | 固体酸化物の加工方法及びその装置 | |
JP4571217B2 (ja) | 耐食性部材およびその製造方法 | |
JP4456378B2 (ja) | 導電性ダイヤモンド電極の製造方法 | |
JP6781748B2 (ja) | 水素製造方法及び水素製造用シリコン微細粒子 | |
Yang et al. | Ultrasonic-assisted anodic oxidation of 4H-SiC (0001) surface | |
EP3142142B1 (en) | Method for processing wide-bandgap semiconductor substrate | |
JP2021027359A (ja) | 陽極酸化を援用した研磨方法 | |
JP7212579B2 (ja) | ダイヤモンド被膜付き部材およびその製造方法ならびにダイヤモンド被膜の平滑化方法 | |
WO2015163256A1 (ja) | 炭化ケイ素基板の研磨方法 | |
Karim et al. | Novel electropolishing of pure metallic titanium in choline chloride-based various organic solvents | |
JP6566303B2 (ja) | マイクロ・ナノバブルを利用した研磨方法及び研磨装置 | |
Wu et al. | Achieving smooth PZT surface via chemical mechanical polishing with ethylenediamine dihydrochloride | |
Tsuji et al. | Improvement in the polishing characteristics of titanium-based materials using electrochemical mechanical polishing | |
CN105350040A (zh) | 一种基于电刷镀镍抛光复合工艺的高光洁金属表面制备方法 | |
CN102365708A (zh) | 反应器表面的选择性蚀刻 | |
JP4895440B2 (ja) | 被加工物の表面機能改善方法及び装置 | |
RU2424381C1 (ru) | Способ получения износостойкого покрытия на алюминии и его сплавах | |
JP2007107025A (ja) | 導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置 | |
CN113967769B (zh) | 一种光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法 | |
Chiou et al. | A novel method of composite electroplating on lap in lapping process | |
Singh et al. | Microstructural and corrosion studies of Ti alloy (IMI 834) in acidic solutions | |
Xie et al. | Promote the catalytic performance and service life of Ti-based oxide coatings through sandblasting | |
WO2023238608A1 (ja) | 表面加工方法 | |
Coaca et al. | Plasma electrolytic oxidation treatment of Zr-2.5% Nb alloy for corrosion resistance enhancement | |
CN113909597A (zh) | 一种光催化辅助射流电解加工金属基碳化硅方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211019 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7212579 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |