JP7210266B2

JP7210266B2 - Dry etching method, dry etching apparatus

Info

Publication number: JP7210266B2
Application number: JP2018240348A
Authority: JP
Inventors: 大和長田
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2018-12-21
Filing date: 2018-12-21
Publication date: 2023-01-23
Anticipated expiration: 2038-12-21
Also published as: JP2020102557A

Description

本発明はドライエッチング方法、ドライエッチング装置に関し、特に異なる材質を連続的にドライエッチングする際に用いて好適な技術に関する。 The present invention relates to a dry etching method and a dry etching apparatus, and more particularly to a technology suitable for continuous dry etching of different materials.

従来から、基板表面、または、基板上に成膜した層に対してプラズマエッチングによってドライエッチング処理をおこなうことがあった。
例えば、特許文献1に記載されるような容量結合型のエッチング装置が知られている。
また、特許文献２に記載されるようなエッチング装置が知られている。 Conventionally, the surface of a substrate or a layer deposited on a substrate has been subjected to dry etching treatment by plasma etching.
For example, a capacitive coupling type etching apparatus as described in Patent Document 1 is known.
Also, an etching apparatus as described in Patent Document 2 is known.

これら特許文献１，２に記載されるように、被処理基板の周囲に、ガイドリングを配置して、エッチング特性を制御しようとすることが知られていた。 As described in these Patent Documents 1 and 2, it has been known to arrange a guide ring around the substrate to be processed to control etching characteristics.

また、基板上に異なる材質の複数層を成膜し、この基板をプラズマエッチングによって処理をおこなうことがあった（特許文献３）。 In addition, a plurality of layers made of different materials are formed on a substrate, and the substrate is processed by plasma etching (Patent Document 3).

特開２０１２－１６４７６６号公報JP 2012-164766 A 国際公開第２０１１／１５８４６９号WO2011/158469 特開２０１２－２０４５１０号公報JP 2012-204510 A

しかし、複数種類の被処理層を積層した基板では、それぞれの層に対してガイドリングを最適化できていないという問題があった。
このため、被処理層の材質が異なる場合に、ガイドリングの材質を被処理層の材質に対応して最適化することにより、エッチング性能を大幅に改善したいという要求があった。
また、このようなガイドリングの最適化を、チャンバを大気開放することなく、実現したいという要求があった。 However, in the case of a substrate in which a plurality of types of layers to be processed are laminated, there is a problem that the guide ring cannot be optimized for each layer.
Therefore, when the material of the layer to be processed is different, there is a demand to greatly improve the etching performance by optimizing the material of the guide ring according to the material of the layer to be processed.
There is also a demand for realizing such optimization of the guide ring without opening the chamber to the atmosphere.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．被処理層の材質に対応して、ガイドリングを最適化すること。
２．ガイドリングの最適化をチャンバを大気開放することなく可能とすること。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and aims to achieve the following objects.
1. To optimize the guide ring according to the material of the layer to be treated.
2. To enable optimization of a guide ring without opening a chamber to the atmosphere.

プラズマエッチングにおいては、図６に実線で示すように、プラズマエッチングにおける副生成物は、基板の中心に比べて基板の周縁付近で、その分布が低下する。
また、図７に実線で示すように、エッチングにおけるエッチャントであるラジカル等は、基板の中心に比べて基板の周縁付近で、その分布が増大する。
この際、基板の表面と平行な方向において、処理の均一性を求められる場合がある。 In plasma etching, as shown by the solid line in FIG. 6, the distribution of by-products in plasma etching decreases near the periphery of the substrate compared to the center of the substrate.
Further, as shown by the solid line in FIG. 7, the distribution of radicals and the like, which are etchants in etching, increases near the periphery of the substrate compared to the center of the substrate.
At this time, there are cases where uniformity of processing is required in a direction parallel to the surface of the substrate.

このため、図６に破線で示すように、基板全体が略均一な副生成物の分布を有し、図７に破線で示すように、ラジカルの分布を有するように、エッチング領域を基板の外側まで拡げることが考えられる。しかし、その場合、基板の外側位置がエッチングされてしまうため、これを防止するとともに、基板全面でのエッチング分布の均一性を担保するために、基板外側周囲に、ガイドリングを設ける。
なお、図６，図７において、ＧＲはガイドリング、Ｗは基板を示す。また、図６，図７において、それぞれの分布を高さで表すが、実線と破線とは説明のため異なる高さとして示した。 Therefore, as shown by the dashed line in FIG. 6, the substrate as a whole has a substantially uniform distribution of by-products, and as shown by the dashed line in FIG. It is possible to expand to However, in this case, since the outer position of the substrate is etched, a guide ring is provided around the outer periphery of the substrate in order to prevent this and to ensure the uniformity of the etching distribution over the entire surface of the substrate.
6 and 7, GR indicates a guide ring and W indicates a substrate. Also, in FIGS. 6 and 7, each distribution is represented by height, but the solid line and broken line are shown as different heights for explanation.

このようなガイドリングは、被処理層と異なる材質であり、多くは被処理層に比べて高いエッチング耐性を有する。また、ガイドリングは被処理層と異なる材質であるために、副生成物の分布およびラジカルの分布が、ガイドリングと被処理層とで異なる。このため、基板周縁部付近において、基板中心部とは異なる副生成物の分布およびラジカルの分布となる可能性があった。 Such a guide ring is made of a material different from that of the layer to be processed, and generally has higher etching resistance than the layer to be processed. In addition, since the guide ring is made of a material different from that of the layer to be treated, the distribution of by-products and the distribution of radicals differ between the guide ring and the layer to be treated. Therefore, there is a possibility that the distribution of by-products and the distribution of radicals are different from those in the central portion of the substrate in the vicinity of the peripheral portion of the substrate.

また、ドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性は、成膜空間（チャンバ）に露出した部分の影響を受けることが多い。
その中でも特に影響が大きいものとして、基板外周に位置してバイアスＲＦの印可される電極保護を目的としたガイドリングを挙げることができる。 Also, in dry etching, the distribution and etching characteristics are often affected by the portion exposed to the deposition space (chamber).
Among them, a guide ring that is positioned on the outer circumference of the substrate and intended to protect the electrode to which the bias RF is applied can be given as one that has a particularly large effect.

ここで、ドライエッチングにおいて改善しようとする分布とは、エッチングレートの基板の表面と平行な方向における基板表面の位置における差や、エッチング後の基板の表面と平行な方向における基板の表面の位置における形状の差のバラツキを意味する。
また、ドライエッチングにおいて改善しようとするエッチング特性とは、被処理層に対するマスク層の選択比（Ｓｅｌ．）や、エッチング形状の基板の表面と平行な方向における基板表面の位置における差や、エッチング後の基板の表面と平行な方向における基板の表面の位置におけるダメージの差のバラツキを意味する。 Here, the distribution to be improved in dry etching means the difference in the position of the substrate surface in the direction parallel to the surface of the substrate of the etching rate, and the position of the substrate surface in the direction parallel to the surface of the substrate after etching. It means the variation in shape difference.
In addition, the etching characteristics to be improved in dry etching include the selectivity (Sel.) of the mask layer to the layer to be processed, the difference in the position of the substrate surface in the direction parallel to the surface of the substrate in the etching shape, and the means the variation of the damage difference at the position of the substrate surface in the direction parallel to the substrate surface.

ガイドリングの材質は、被処理層のエッチングに対する影響が少なくなるように設定することが必要である。特に、被処理層の材質に対応して規定される差を鑑みてその材質を設定する。 It is necessary to set the material of the guide ring so as to reduce the influence on the etching of the layer to be processed. In particular, the material is set in view of the difference defined corresponding to the material of the layer to be processed.

ガイドリングの材質選定基準として以下を提案する。
通常、ガイドリングの材質としてエッチングに耐性のあるものを使うことが多く、例えば、石英等が選択されることがある。
これに対して、本発明者らは、ガイドリングをプラズマ耐性の低い材質に変更することにより、
・ガイドリング材質とプラズマによる副生成物量の制御
・ガイドリングによる未消費エッチャント量の制御
の最適化が期待できることを見出した。 We propose the following criteria for selecting the material for the guide ring.
Generally, a guide ring is often made of a material that is resistant to etching, such as quartz.
On the other hand, the present inventors changed the guide ring to a material with low plasma resistance,
・Controlling the amount of by-products by guide ring material and plasma ・Optimizing the control of unconsumed etchant amount by guide ring

さらに、複数種類の被処理層を積層した基板では、それぞれの被処理層に対応して、ガイドリングを交換することが好ましい。
本発明者らは、これらを鑑みて本発明を以下のように完成した。 Furthermore, in a substrate on which a plurality of types of layers to be processed are laminated, it is preferable to replace the guide ring corresponding to each layer to be processed.
The present inventors have completed the present invention as follows in view of these.

本発明のドライエッチング方法は、処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング方法であって、
前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられたガイドリングを前記被処理層に対応させて選択し、
それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する際に、
前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであるか、
前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであることにより上記課題を解決した。
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換することができる。
本発明において、前記ガイドリングの交換が、外部から密閉されて前記処理空間に連通された密閉空間の内部でおこなわれることが好ましい。
本発明のドライエッチング方法は、それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択することが可能である。
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであることができる。
本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであることができる。
また、本発明において、前記密閉空間に前記ガイドリングを収納する収納部が設けられる手段を採用することもできる。
本発明のドライエッチング装置は、処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング装置であって、
ドライエッチングをおこなう前記処理空間と、
前記処理空間の内部に配置されて前記基板を載置する基板支持部と、
前記基板の周囲に設けられ前記被処理層に対応させて選択可能なガイドリングと、
前記処理空間に密閉可能に連通する密閉空間に配置されて前記ガイドリングを収納可能な収納部と、
前記被処理層の材質に対応して選択した前記ガイドリングを前記収納部から取り出して前記基板の周囲に配置するガイドリング交換部と、
を有し、
前記ガイドリング交換部が、ドライエッチング処理の進行に対応して前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換し、
それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する際に、
前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであるか、
前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであることができる。
本発明のドライエッチング装置は、前記収納部が、前記密閉空間に配置可能なカセットとされることができる。
また、本発明のドライエッチング装置は、前記カセットが、前記基板を収納可能であることができる。
本発明においては、前記ガイドリングよりも上側に前記基板を収納可能であることができる。
本発明においては、前記処理空間は、プラズマを発生させるプラズマ発生部を有することができる。

The dry etching method of the present invention is a dry etching method for continuously processing a substrate on which a plurality of types of layers to be processed are laminated in a processing space,
selecting a guide ring provided around the substrate corresponding to the layer to be processed when the layer to be processed changes ;
When selecting the material of the guide ring corresponding to the material of each of the layers to be processed,
whether the material of the layer to be treated is Al and the material of the guide ring is alumina;
The above problems are solved by using Mo as the material of the layer to be treated and polyimide as the material of the guide ring .
In the dry etching method of the present invention, when the layer to be processed is changed, the guide ring provided around the substrate can be replaced in correspondence with the layer to be processed.
In the present invention, it is preferable that the replacement of the guide ring is performed inside a sealed space that is sealed from the outside and communicated with the processing space.
In the dry etching method of the present invention, the material of the guide ring can be selected according to the material of each layer to be processed.
In the dry etching method of the present invention, the material of the layer to be processed may be Al, and the material of the guide ring may be alumina.
In the dry etching method of the present invention, the material of the layer to be processed may be Mo, and the material of the guide ring may be polyimide.
Further, in the present invention, means may be adopted in which a storage portion for storing the guide ring is provided in the sealed space.
The dry etching apparatus of the present invention is a dry etching apparatus for continuously processing substrates in which a plurality of types of layers to be processed are laminated in a processing space,
the processing space for performing dry etching;
a substrate support disposed inside the processing space on which the substrate is placed;
a guide ring provided around the substrate and selectable corresponding to the layer to be processed;
a storage unit that is disposed in a closed space that is in airtight communication with the processing space and that can store the guide ring;
a guide ring replacement unit that takes out the guide ring selected according to the material of the layer to be processed from the storage unit and arranges it around the substrate;
has
The guide ring replacement unit replaces the guide ring provided around the substrate so as to correspond to the layer to be processed when the layer to be processed changes as the dry etching process progresses ,
When selecting the material of the guide ring corresponding to the material of each of the layers to be processed,
whether the material of the layer to be treated is Al and the material of the guide ring is alumina;
The material of the layer to be treated may be Mo, and the material of the guide ring may be polyimide .
In the dry etching apparatus of the present invention, the storage section can be a cassette that can be arranged in the closed space.
Further, in the dry etching apparatus of the present invention, the cassette can accommodate the substrate.
In the present invention, the substrate can be accommodated above the guide ring.
In the present invention, the processing space can have a plasma generator that generates plasma.

本発明のドライエッチング方法は、処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング方法であって、
前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられたガイドリングを前記被処理層に対応させて選択する。これにより、ドライエッチングにおいて、処理の感度が異なる材質を有する被処理層に対応して、被処理層の周囲に配置されるガイドリングを選択することにより、エッチングをおこなうラジカル、あるいは、副生成物の分布を最適化して、ドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性を最適化することが容易となる。
これにより、材質の異なる被処理層が積層された基板に対するドライエッチングにおいて、各層のエッチングを最適化することが可能となる。 The dry etching method of the present invention is a dry etching method for continuously processing a substrate on which a plurality of types of layers to be processed are laminated in a processing space,
When the layer to be processed changes, a guide ring provided around the substrate is selected to correspond to the layer to be processed. As a result, in dry etching, by selecting a guide ring arranged around the layer to be processed corresponding to the layer to be processed having materials with different processing sensitivities, radicals or by-products that perform etching By optimizing the distribution of , it becomes easier to optimize the distribution and etching characteristics in dry etching.
This makes it possible to optimize the etching of each layer in the dry etching of a substrate on which layers to be processed made of different materials are laminated.

本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換する。これにより、処理の感度が異なる材質を有する被処理層に対応して、被処理層の周囲に配置されるガイドリングを交換することにより、エッチングをおこなうラジカル、あるいは、副生成物の分布を最適化して、ドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性を最適化することが容易となる。
これにより、材質の異なる被処理層が積層された基板に対するドライエッチングにおいて、各層のエッチングを最適化することが可能となる。 In the dry etching method of the present invention, when the layer to be processed is changed, the guide ring provided around the substrate is replaced corresponding to the layer to be processed. Accordingly, by replacing the guide ring arranged around the layer to be processed according to the layer to be processed having materials with different processing sensitivities, the distribution of etching radicals or by-products can be optimized. This makes it easier to optimize the distribution and etching characteristics in dry etching.
This makes it possible to optimize the etching of each layer in the dry etching of a substrate on which layers to be processed made of different materials are laminated.

本発明において、前記ガイドリングの交換が、外部から密閉されて前記処理空間に連通された密閉空間の内部でおこなわれる。これにより、ガイドリングをIn-situにて交換することで、密閉状態を維持して基板における異なる被処理層へのエッチング処理に対応することが可能となり、できる大気開放に伴う基板への悪影響を回避することが可能となる。同時に、大気開放に伴うガイドリングへの悪影響を回避することが可能となる。これにより、エッチング処理特性が悪化することを防止できる。 In the present invention, replacement of the guide ring is performed inside a sealed space that is sealed from the outside and communicated with the processing space. As a result, by replacing the guide ring in-situ, it is possible to handle different etching processes on different layers on the substrate while maintaining a sealed state, thereby minimizing the adverse effects on the substrate caused by exposure to the atmosphere. It is possible to avoid. At the same time, it is possible to avoid adverse effects on the guide ring due to exposure to the atmosphere. Thereby, it is possible to prevent deterioration of etching processing characteristics.

本発明のドライエッチング方法は、それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する。これにより、ガイドリングをエッチングプロセスごとに選択して、被処理層の材質に対応したガイドリングに交換することが可能となる。これにより、プロセスごとに被処理層の材質に対応して、分布、エッチング特性を最適化することが可能となる。 In the dry etching method of the present invention, the material of the guide ring is selected according to the material of each layer to be processed. This makes it possible to select a guide ring for each etching process and replace it with a guide ring corresponding to the material of the layer to be processed. This makes it possible to optimize the distribution and etching characteristics in accordance with the material of the layer to be processed for each process.

本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナである。これにより、ガイドリングをエッチングプロセスごとに選択して、被処理層の材質に対応したガイドリングに交換することが可能となる。これにより、プロセスごとに被処理層の材質に対応して、分布、エッチング特性を最適化することが可能となる。 In the dry etching method of the present invention, the material of the layer to be processed is Al, and the material of the guide ring is alumina. This makes it possible to select a guide ring for each etching process and replace it with a guide ring corresponding to the material of the layer to be processed. This makes it possible to optimize the distribution and etching characteristics in accordance with the material of the layer to be processed for each process.

本発明のドライエッチング方法は、前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドである。これにより、ガイドリングをエッチングプロセスごとに選択して、被処理層の材質に対応したガイドリングに交換することが可能となる。これにより、プロセスごとに被処理層の材質に対応して、分布、エッチング特性を最適化することが可能となる。 In the dry etching method of the present invention, the material of the layer to be processed is Mo, and the material of the guide ring is polyimide. This makes it possible to select a guide ring for each etching process and replace it with a guide ring corresponding to the material of the layer to be processed. This makes it possible to optimize the distribution and etching characteristics in accordance with the material of the layer to be processed for each process.

また、本発明において、前記密閉空間に前記ガイドリングを収納する収納部が設けられる。これにより、複数種類が積層された被処理層に対応して、これらのエッチング処理を続けておこなう場合に、それぞれの被処理層に対応したガイドリングをエッチングのおこなわれる処理空間と密閉状態で連通する密閉空間の内部に位置する収納部から被処理基板の周りに搬入することができる。これにより、ガイドリングをIn-situにて交換することで、密閉状態を維持して基板における異なる被処理層へのエッチング処理に対応することが可能となり、できる大気開放に伴う基板への悪影響を回避することが可能となる。同時に、大気開放に伴うガイドリングへの悪影響を回避することが可能となる。これにより、エッチング処理特性が悪化することを防止できる。 Further, in the present invention, a storage portion for storing the guide ring is provided in the closed space. As a result, when successive etching processes are performed for layers to be processed in which a plurality of types are laminated, the guide rings corresponding to the respective layers to be processed are communicated with the processing space in which etching is performed in a sealed state. It can be carried in around the substrate to be processed from a storage portion located inside the closed space where the substrate is to be processed. As a result, by replacing the guide ring in-situ, it is possible to handle different etching processes on different layers on the substrate while maintaining a sealed state, thereby minimizing the adverse effects on the substrate caused by exposure to the atmosphere. It is possible to avoid. At the same time, it is possible to avoid adverse effects on the guide ring due to exposure to the atmosphere. Thereby, it is possible to prevent deterioration of etching processing characteristics.

本発明のドライエッチング装置は、処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング装置であって、
ドライエッチングをおこなう前記処理空間と、
前記処理空間の内部に配置されて前記基板を載置する基板支持部と、
前記基板の周囲に設けられ前記被処理層に対応させて選択可能なガイドリングと、
前記処理空間に密閉可能に連通する密閉空間に配置されて前記ガイドリングを収納可能な収納部と、
前記被処理層の材質に対応して選択した前記ガイドリングを前記収納部から取り出して前記基板の周囲に配置するガイドリング交換部と、
を有し、
前記ガイドリング交換部が、ドライエッチング処理の進行に対応して前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換する。これにより、プラズマエッチングをおこなう装置において、ガイドリングをIn-situにて交換することができる。また、密閉状態を維持して基板における異なる被処理層へのエッチング処理に対応したガイドリングを用いて副生成物やエッチング形状の分布などエッチング特性を被処理層に対応して最適化することが可能となる。 The dry etching apparatus of the present invention is a dry etching apparatus for continuously processing substrates in which a plurality of types of layers to be processed are laminated in a processing space,
the processing space for performing dry etching;
a substrate support disposed inside the processing space on which the substrate is placed;
a guide ring provided around the substrate and selectable corresponding to the layer to be processed;
a storage unit that is disposed in a closed space that is in airtight communication with the processing space and that can store the guide ring;
a guide ring replacement unit that takes out the guide ring selected according to the material of the layer to be processed from the storage unit and arranges it around the substrate;
has
The guide ring replacement unit replaces the guide ring provided around the substrate so as to correspond to the layer to be processed when the layer to be processed changes as the dry etching process progresses. As a result, the guide ring can be replaced in-situ in a plasma etching apparatus. In addition, it is possible to optimize the etching characteristics such as the distribution of by-products and etching shape corresponding to the layer to be processed by using a guide ring that maintains a sealed state and corresponds to the etching process for different layers to be processed on the substrate. It becomes possible.

本発明のドライエッチング装置は、前記収納部が、前記密閉空間に配置可能なカセットとされる。これにより、基板の処理を開始する前に、複数の被処理層に対応した複数枚のガイドリングをカセットに収納した状態で、ドライエッチング装置の密閉空間に搬入することが可能となる。これにより、異なる被処理層へのエッチング処理を切り替える際に、ガイドリングをIn-situにて交換することが容易に可能となる。
また、密閉空間のみを外部に開放してカセットを交換することができる。これにより、エッチング処理中の基板を大気開放することなく、ガイドリングを交換することも可能となる。 In the dry etching apparatus of the present invention, the storage section is a cassette that can be arranged in the sealed space. As a result, before starting the processing of the substrate, it is possible to store the plurality of guide rings corresponding to the plurality of layers to be processed in the cassette and carry it into the closed space of the dry etching apparatus. This makes it possible to easily replace the guide ring in-situ when switching etching processes for different layers to be processed.
Also, the cassette can be exchanged by opening only the sealed space to the outside. This makes it possible to replace the guide ring without exposing the substrate being etched to the atmosphere.

また、本発明のドライエッチング装置は、前記カセットが、前記基板を収納可能である。これにより、複数種類の被処理層が積層された基板と、これらの被処理層に対応した複数枚のガイドリングとが、収納されたカセットを同時にドライエッチング装置の密閉空間に搬入することが可能となる。これにより、異なる被処理層へのエッチング処理を切り替える際に、ガイドリングをIn-situにて交換することが容易に可能となる。 Also, in the dry etching apparatus of the present invention, the cassette can accommodate the substrate. As a result, substrates on which multiple types of layers to be processed are laminated and multiple guide rings corresponding to these layers to be processed make it possible to carry cassettes containing them into the sealed space of the dry etching apparatus at the same time. becomes. This makes it possible to easily replace the guide ring in-situ when switching etching processes for different layers to be processed.

本発明においては、前記ガイドリングよりも上側に前記基板を収納可能である。これにより、カセットに収納されたガイドリングから基板へのパーティクルの付着などの汚染を低減することが可能となる。 In the present invention, the substrate can be accommodated above the guide ring. This makes it possible to reduce contamination such as adhesion of particles to the substrate from the guide ring housed in the cassette.

本発明においては、前記処理空間にはが、プラズマを発生させるプラズマ発生部を有する。これにより、プラズマエッチング処理に対応したガイドリングを選択して、基板に積層された被処理層に対して、分布・エッチング特性を最適化したプラズマエッチング処理をおこなうことができる。 In the present invention, the processing space has a plasma generator for generating plasma. This makes it possible to select a guide ring suitable for plasma etching processing, and perform plasma etching processing with optimized distribution and etching characteristics on the layer to be processed laminated on the substrate.

本発明によれば、In-situにて被処理層に対して最適化したガイドリングを選択することで、エッチング処理の分布、特性を最適化することができるという効果を奏することが可能となる。 According to the present invention, by selecting a guide ring optimized for the layer to be processed in-situ, it is possible to achieve the effect of optimizing the distribution and characteristics of the etching process. .

本発明に係るドライエッチング装置の第１実施形態を示す模式平面図である。1 is a schematic plan view showing a first embodiment of a dry etching apparatus according to the present invention; FIG. 本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第１実施形態における基板を示す模式断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic cross section which shows the board|substrate in 1st Embodiment of the dry-etching method and dry-etching apparatus based on this invention. 本発明に係るドライエッチング方法の第１実施形態を示すフローチャートである。1 is a flow chart showing a first embodiment of a dry etching method according to the present invention; 本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第１実施形態を示す工程図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is process drawing which shows 1st Embodiment of the dry etching method which concerns on this invention, and a dry etching apparatus. 本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第１実施形態を示す工程図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is process drawing which shows 1st Embodiment of the dry etching method which concerns on this invention, and a dry etching apparatus. ドライエッチング方法における副生成物の分布を示す模式図である。It is a schematic diagram showing the distribution of by-products in the dry etching method. ドライエッチング方法におけるラジカル等の分布を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing the distribution of radicals and the like in a dry etching method; 本発明に係るドライエッチング装置の第２実施形態を示す模式平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing a second embodiment of a dry etching apparatus according to the present invention; 本発明に係るドライエッチング装置の第３実施形態を示す模式平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing a third embodiment of a dry etching apparatus according to the present invention; 本発明に係るドライエッチング装置の第４実施形態におけるカセットを示す模式正面図である。FIG. 11 is a schematic front view showing a cassette in a dry etching apparatus according to a fourth embodiment of the present invention;

以下、本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態におけるドライエッチング装置を示す模式平面図である。図において、符号１０は、ドライエッチング装置である。 A first embodiment of a dry etching method and a dry etching apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic plan view showing a dry etching apparatus according to this embodiment. In the figure, reference numeral 10 denotes a dry etching apparatus.

本実施形態に係るドライエッチング装置１０は、反応性イオンエッチング処理をおこなう装置とされる。
ドライエッチング装置１０は、図１に示すように、ドライエッチング室（処理空間）１１と、トランスファチャンバ（密閉空間）１２と、ロード／アンロード室１３とを有する。 The dry etching apparatus 10 according to this embodiment is an apparatus for performing reactive ion etching processing.
The dry etching apparatus 10 has a dry etching chamber (processing space) 11, a transfer chamber (closed space) 12, and a load/unload chamber 13, as shown in FIG.

ドライエッチング室１１は、例えば、プラズマ発生部によって、導入されたエッチングガスを電離して発生したプラズマによって、基板Ｗのドライエッチング処理をおこなうものとされる。ドライエッチング室１１は、密閉可能とされる。
ドライエッチング室１１には、エッチングガスを供給するエッチングガス供給部１１ａと、ドライエッチング室１１の内部を排気する排気部１１ｂと、基板Ｗを載置してエッチング処理可能とする基板保持部１１ｃと、プラズマ発生部と、が設けられる。プラズマ発生部は、図示しないプラズマ発生用電源と、基板Ｗにバイアス電位を印加可能な高周波電源１１ｄと、を有する。 The dry etching chamber 11 performs a dry etching process on the substrate W with plasma generated by, for example, ionizing an introduced etching gas by a plasma generation unit. The dry etching chamber 11 can be sealed.
The dry etching chamber 11 includes an etching gas supply unit 11a that supplies an etching gas, an exhaust unit 11b that exhausts the inside of the dry etching chamber 11, and a substrate holding unit 11c on which a substrate W is placed so that etching can be performed. , and a plasma generator. The plasma generation unit has a plasma generation power supply (not shown) and a high frequency power supply 11d capable of applying a bias potential to the substrate W. As shown in FIG.

また、エッチングガス供給部１１ａは、エッチングガスに加えて、パージガス等のガスや、ドライエッチング室１１をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能とされてもよい。
基板保持部１１ｃは、エッチング処理時に基板Ｗを支持する。基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置には、基板Ｗ以外の電極部分となる基板保持部１１ｃをプラズマから保護するガイドリングＧＲが載置される。
ガイドリングＧＲは、基板Ｗの外周に位置して、基板保持部１１ｃを覆うように円環状の平板とされる。 In addition to the etching gas, the etching gas supply unit 11a may be capable of supplying a gas such as a purge gas, a cleaning gas for cleaning the dry etching chamber 11, and the like.
The substrate holding part 11c supports the substrate W during the etching process. A guide ring GR for protecting the substrate holding portion 11c, which is an electrode portion other than the substrate W, from the plasma is placed at the outer peripheral position of the substrate W in the substrate holding portion 11c.
The guide ring GR is positioned on the outer circumference of the substrate W and is an annular flat plate so as to cover the substrate holding portion 11c.

基板保持部１１ｃには、基板Ｗを上下動するホイスト１１ｃＷと、ガイドリングＧＲを上下動するホイスト１１ｃＧＲとが設けられる。
ホイスト１１ｃＷ，１１ｃＧＲは、いずれも、鉛直方向に立設され、図示しない駆動部によって同期して上下動可能とされた複数のピンからなる。 The substrate holding portion 11c is provided with a hoist 11cW for vertically moving the substrate W and a hoist 11cGR for vertically moving the guide ring GR.
Each of the hoists 11cW and 11cGR consists of a plurality of pins which are erected in the vertical direction and vertically movable in synchronism with a drive section (not shown).

ホイスト１１ｃＷは、基板Ｗの下面に当接して、基板Ｗを水平に保持した状態で上下動可能とされる。
ホイスト１１ｃＷは、円形輪郭とされる基板Ｗの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＷが互いに基板Ｗの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。 The hoist 11cW contacts the lower surface of the substrate W and can move up and down while holding the substrate W horizontally.
A plurality of hoists 11cW are provided at equal distances along the peripheral edge of the substrate W having a circular outline. In this embodiment, for example, three hoists 11cW are arranged to maintain equidistant distances along the circular contour of the substrate W from each other.

ホイスト１１ｃＧＲは、ガイドリングＧＲの下面に当接して、ガイドリングＧＲを水平に保持した状態で上下動可能とされる。
ホイスト１１ｃＧＲは、円環状とされるガイドリングＧＲの周縁部に沿って、等距離に複数設けられる。本実施形態においては、例えば、３箇所のホイスト１１ｃＧＲが互いにガイドリングＧＲの円形輪郭に沿って等距離を維持するように配置される。 The hoist 11cGR abuts on the lower surface of the guide ring GR and is vertically movable while holding the guide ring GR horizontally.
A plurality of hoists 11cGR are provided at equal distances along the peripheral edge of the annular guide ring GR. In this embodiment, for example, three hoists 11cGR are arranged so as to maintain equidistant distances from each other along the circular contour of the guide ring GR.

ホイスト１１ｃＷとホイスト１１ｃＧＲとは、図1に示すように、基板Ｗの中心と一致する基板保持部１１ｃの中心から、同一の直線上に位置するように配置されている。 The hoist 11cW and the hoist 11cGR are arranged on the same straight line from the center of the substrate holding part 11c that coincides with the center of the substrate W, as shown in FIG.

ドライエッチング室１１には、エッチングガスを基板保持部１１ｃの上に載置された基板Ｗに均一に供給するシャワープレートと、このシャワープレートに高周波を印加するプラズマ発生用電源を有していてもよい。 The dry etching chamber 11 may have a shower plate for uniformly supplying an etching gas to the substrate W placed on the substrate holder 11c, and a power source for plasma generation for applying a high frequency to the shower plate. good.

ドライエッチング室１１は、ドアバルブ等とされる密閉部１５ａによって、トランスファチャンバ１２と密閉可能に連結されている。ドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲをやり取り可能とされている。 The dry etching chamber 11 is hermetically connected to the transfer chamber 12 by a sealing portion 15a such as a door valve. The dry etching chamber 11 and the transfer chamber 12 can exchange substrates W and/or guide rings GR with each other.

トランスファチャンバ１２には、トランスファチャンバ１２の内部を排気する排気部１２ａが接続される。
トランスファチャンバ１２には、パージガス等のガスや、トランスファチャンバ１２をクリーニングするクリーニングガス等を供給可能なガス供給部が設けられてもよい。 The transfer chamber 12 is connected to an exhaust portion 12 a for exhausting the inside of the transfer chamber 12 .
The transfer chamber 12 may be provided with a gas supply unit capable of supplying a gas such as a purge gas or a cleaning gas for cleaning the transfer chamber 12 .

トランスファチャンバ１２の内部には、複数枚の基板Ｗが載置可能とされるとともに、複数枚のガイドリングＧＲが載置可能とされる。 A plurality of substrates W and a plurality of guide rings GR can be placed inside the transfer chamber 12 .

トランスファチャンバ１２の内部には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂが配置されている。
搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアーム１２ｂ１と、ロボットアーム１２ｂ１の一端に形成されたロボットハンド１２ｂＷ，１２ｂＧＲと、上下動装置とを有している。 Inside the transfer chamber 12, a transfer device (transfer robot) 12b is arranged.
The transport device (transport robot) 12b has a rotating shaft, a robot arm 12b1 attached to the rotating shaft, robot hands 12bW and 12bGR formed at one end of the robot arm 12b1, and a vertical movement device. .

搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１は互いに屈曲可能な複数の能動アームから構成されている。図1に示す例では、２つの屈曲軸を有する構成とされている。搬送装置１２ｂは、被搬送物である基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１，トランスファチャンバ１２，ロード／アンロード室１３間で移動させることができる。なお、搬送装置１２ｂとして、ロボットアームを回転軸こと水平方向位置に移動させるか、基板Ｗをさらに水平方向に移動させる追加移動手段を設けることもできる。 In the transport device (transport robot) 12b, a robot arm 12b1 is composed of a plurality of active arms that are bendable with each other. The example shown in FIG. 1 is configured to have two bending axes. The transport device 12 b can move the substrate W and/or the guide ring GR, which are the objects to be transported, among the dry etching chamber 11 , the transfer chamber 12 and the load/unload chamber 13 . As the transport device 12b, additional moving means for moving the robot arm to the horizontal position, ie, the rotation axis, or moving the substrate W further in the horizontal direction may be provided.

搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１の先端には、ロボットアーム１２ｂ１に対して回転可能なロボットハンド１２ｂＷおよびロボットハンド１２ｂＧＲが設けられる。
ロボットハンド１２ｂＷは、基板Ｗを保持可能な形状とされている。また、ロボットハンド１２ｂＧＲは、ガイドリングＧＲを保持可能な形状とされている。 In the transport device (transport robot) 12b, a robot hand 12bW and a robot hand 12bGR rotatable with respect to the robot arm 12b1 are provided at the tip of the robot arm 12b1.
The robot hand 12bW has a shape capable of holding the substrate W. As shown in FIG. Further, the robot hand 12bGR has a shape capable of holding the guide ring GR.

ロボットハンド１２ｂＷは、ホイスト１１ｃＷで上昇位置とされた基板Ｗを下側から支持して、基板Ｗをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。
ロボットハンド１２ｂＧＲは、ホイスト１１ｃＧＲで上昇位置とされたガイドリングＧＲを下側から支持して、ガイドリングＧＲをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。 The robot hand 12bW can move the substrate W between the dry etching chamber 11 and the transfer chamber 12 by supporting from below the substrate W that has been raised by the hoist 11cW.
The robot hand 12bGR can move the guide ring GR between the dry etching chamber 11 and the transfer chamber 12 by supporting the guide ring GR in the raised position by the hoist 11cGR from below.

ロボットハンド１２ｂＷとロボットハンド１２ｂＧＲとは、互いに逆向き、つまり、それぞれのなす角度が１８０°をなるように構成されている。
なお、ロボットハンド１２ｂＷとロボットハンド１２ｂＧＲとは、基板ＷとガイドリングＧＲとをそれぞれ支持して移動可能であれば、この構成に限定されることはない。 The robot hand 12bW and the robot hand 12bGR are configured to face in opposite directions, that is, to form an angle of 180°.
The robot hand 12bW and the robot hand 12bGR are not limited to this configuration as long as they can support the substrate W and the guide ring GR, respectively, and move.

トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂがトランスファチャンバ１２の中央に位置して、複数枚の基板Ｗの収納部および複数枚のガイドリングＧＲの収納部が、それぞれ搬送装置（搬送ロボット）１２ｂの両側に位置している。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、密閉部１５ａの正面に位置する。 Inside the transfer chamber 12, a transport device (transport robot) 12b is positioned in the center of the transfer chamber 12, and a storage portion for a plurality of substrates W and a storage portion for a plurality of guide rings GR are respectively arranged in the transfer device ( 12b.
Inside the transfer chamber 12, a transfer device (transfer robot) 12b is positioned in front of the sealed portion 15a.

搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲと、基板保持部１１ｃのホイスト１１ｃＧＲとは、ガイドリング交換部を構成している。 The robot hand 12bGR of the transfer device (transfer robot) 12b and the hoist 11cGR of the substrate holding portion 11c constitute a guide ring replacement portion.

トランスファチャンバ１２は、ドアバルブ等とされる密閉部１５ｂによって、ロード／アンロード室１３と密閉可能に連結されている。ロード／アンロード室１３とトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲをやり取り可能とされている。トランスファチャンバ１２は、密閉可能とされる。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、密閉部１５ｂの正面に位置する。 The transfer chamber 12 is hermetically connected to the load/unload chamber 13 by a sealing portion 15b such as a door valve. The loading/unloading chamber 13 and the transfer chamber 12 are capable of exchanging substrates W and/or guide rings GR with each other. The transfer chamber 12 is sealable.
Inside the transfer chamber 12, a transfer device (transfer robot) 12b is positioned in front of the sealed portion 15b.

ロード／アンロード室１３は、ドアバルブ等とされる密閉部１５ｃによって、外部と密閉可能に連結されている。ロード／アンロード室１３は、外部と基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲをやり取り可能とされている。ロード／アンロード室１３は、密閉可能とされる。 The loading/unloading chamber 13 is hermetically connected to the outside by a sealing portion 15c such as a door valve. The loading/unloading chamber 13 is capable of exchanging the substrate W and/or the guide ring GR with the outside. The load/unload chamber 13 can be sealed.

図２は、本実施形態におけるドライエッチング方法、ドライエッチング装置においてエッチング処理される基板を示す模式断面図である。
本実施形態におけるドライエッチング方法、ドライエッチング装置においてエッチング処理される基板Ｗは、図２に示すように、異なる材質からなる複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３が積層されている。これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、異なる材質からなるものであれば、基板Ｗの全面に積層されるか、あるいは、基板Ｗに対して部分的に積層されていることもできる。 FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a substrate to be etched in a dry etching method and a dry etching apparatus according to this embodiment.
As shown in FIG. 2, a substrate W to be etched by the dry etching method and the dry etching apparatus according to the present embodiment has a plurality of layers to be processed W1, W2, W3 made of different materials laminated. The plurality of layers to be processed W1, W2, and W3 can be laminated over the entire surface of the substrate W or can be partially laminated on the substrate W as long as they are made of different materials.

なお、基板Ｗは、シリコン基板、ＳｉＣ基板、窒化ガリウム基板、サファイア基板、砒化ガリウム基板、リン化インジウム基板、ニオブ酸リチウム基板、タンタル酸リチウム基板とされることができ、また、複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、例えば、ＳｉＯ_２、Ｓｉ、Ａｌ，Ｃｏ．Ｃｕ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＳｉＣ、Ｃ、ＧａＮ、ＡｌＮ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｕなどから選択されたものとすることができる。
さらに、これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３に対応して、ガイドリングＧＲは、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、ＳｉＣ、Ｐｌ、Ｃ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｕなどから選択されたものとすることができる。
被処理層とガイドリングＧＲとの対応は、具体的には、ＡｌとＡｌ_２Ｏ_３、ＭｏとＰＩ、とすることができる。 The substrate W can be a silicon substrate, a SiC substrate, a gallium nitride substrate, a sapphire substrate, a gallium arsenide substrate, an indium phosphide substrate, a lithium niobate substrate, or a lithium tantalate substrate. Layers W1, W2, W3 are made of, for example, SiO ₂ , Si, Al, Co. It can be selected from Cu, Mo, Ti, SiC, C, GaN, AlN, Al, W, Mo, Ti, Cr, Ru and the like.
Further, the guide ring GR is selected from Si, SiO2 _, SiC, Pl, C, Al, W, Mo, Ti, Cr, Ru, etc., corresponding to the plurality of layers to be processed W1, W2, W3. can be
Specifically, the correspondence between the layer to be processed and the guide ring GR can be Al and Al ₂ O ₃ and Mo and PI.

以下、本実施形態におけるドライエッチング方法を図面に基づいて説明する。 The dry etching method according to this embodiment will be described below with reference to the drawings.

図３は、本実施形態におけるドライエッチング方法を示すフローチャートである。
本実施形態におけるドライエッチング方法は、前処理工程Ｓ００と、基板準備工程Ｓ０１と、ガイドリング準備工程Ｓ０２と、ガイドリング搬入工程Ｓ０３と、基板搬入工程Ｓ０４と、ガイドリングセット工程Ｓ１１と、基板セット工程Ｓ１２と、エッチング工程Ｓ１３と、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４と、ガイドリングセット工程Ｓ１５と、基板取り出し工程Ｓ１６と、基板搬出工程Ｓ２１と、ガイドリング搬出工程Ｓ２２と、後処理工程Ｓ２３と、を有する。 FIG. 3 is a flow chart showing the dry etching method in this embodiment.
The dry etching method in this embodiment includes a pretreatment step S00, a substrate preparation step S01, a guide ring preparation step S02, a guide ring loading step S03, a substrate loading step S04, a guide ring setting step S11, and a substrate setting. It has a step S12, an etching step S13, a guide ring removing step S14, a guide ring setting step S15, a substrate removing step S16, a substrate unloading step S21, a guide ring unloading step S22, and a post-processing step S23. .

図４は、本実施形態におけるドライエッチング方法を示す工程図である。図５は、本実施形態におけるドライエッチング方法を示す工程図である。
本実施形態におけるドライエッチング方法は、まず、図３に示す前処理工程Ｓ００として、基板Ｗに複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３を積層する。さらに、前処理工程Ｓ００においては、レジスト等を積層して、パターン形成することなどもできる。 FIG. 4 is a process chart showing the dry etching method in this embodiment. FIG. 5 is a process chart showing the dry etching method in this embodiment.
In the dry etching method according to the present embodiment, first, a plurality of layers to be processed W1, W2, W3 are laminated on the substrate W as a pretreatment step S00 shown in FIG. Furthermore, in the pretreatment step S00, it is also possible to layer a resist or the like and form a pattern.

図３に示す基板準備工程Ｓ０１においては、図１に示すドライエッチング装置１０におけるロード／アンロード室１３に基板Ｗを搬入できるように、ロード／アンロード室１３の外部位置に複数枚の基板Ｗを準備する。 In the substrate preparation step S01 shown in FIG. 3, a plurality of substrates W are placed outside the load/unload chamber 13 so that the substrates W can be loaded into the load/unload chamber 13 in the dry etching apparatus 10 shown in FIG. prepare.

図３に示すガイドリング準備工程Ｓ０２においては、図１に示すドライエッチング装置１０におけるロード／アンロード室１３にガイドリングＧＲを搬入できるように、ロード／アンロード室１３の外部位置に複数枚のガイドリングＧＲを準備する。
ここで、複数枚のガイドリングＧＲの材質は、基板Ｗに積層された複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の材質に対応して、エッチング処理における分布およびエッチング特性を最適化するように選択される。 In the guide ring preparing step S02 shown in FIG. 3, a plurality of guide rings GR are placed outside the load/unload chamber 13 so that the guide rings GR can be carried into the load/unload chamber 13 in the dry etching apparatus 10 shown in FIG. Prepare the guide ring GR.
Here, the materials of the plurality of guide rings GR are selected in accordance with the materials of the plurality of layers to be processed W1, W2, W3 laminated on the substrate W so as to optimize the distribution and etching characteristics in the etching process. be done.

次いで、図３に示すガイドリング搬入工程Ｓ０３においては、図１に示す密閉部１５ｃを開放して、ガイドリング準備工程Ｓ０２において準備した複数枚のガイドリングＧＲをロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚のガイドリングＧＲの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを用いる。
複数枚のガイドリングＧＲの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。 Next, in the guide ring carrying-in step S03 shown in FIG. 3, the sealed portion 15c shown in FIG. .
Further, after closing the sealed portion 15c, the load/unload chamber 13 is vented, the sealed portion 15b is opened, and a plurality of guide rings GR are carried into the transfer chamber 12 by a transfer device (transfer robot) 12b. , a plurality of guide rings GR are placed in the guide ring placement position (storage portion) of the transfer chamber 12 .
At this time, a robot hand 12bGR of a transport device (transport robot) 12b is used to move the guide rings GR.
After the movement of the plurality of guide rings GR is completed, the sealing portion 15b is closed.

次いで、図３に示す基板搬入工程Ｓ０４においては、図１に示す密閉部１５ｃを開放して、基板準備工程Ｓ０１において準備した複数枚の基板Ｗをロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚の基板Ｗの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを用いる。
複数枚の基板Ｗの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。 Next, in the substrate loading step S04 shown in FIG. 3, the sealed portion 15c shown in FIG.
Further, after closing the sealed portion 15c, the load/unload chamber 13 is vented, the sealed portion 15b is opened, and a plurality of substrates W are carried into the transfer chamber 12 by the transfer device (transfer robot) 12b, A plurality of substrates W are placed in the substrate placement position (accommodating portion) of the transfer chamber 12 .
At this time, a robot hand 12bW of a transport device (transport robot) 12b is used to move the plurality of substrates W. As shown in FIG.
After the movement of the plurality of substrates W is completed, the sealing portion 15b is closed.

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the guide ring setting step S11 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. One of the guide rings GR is selected and carried into the dry etching chamber 11 .

ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ａ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。 In the guide ring setting step S11, as shown in FIG. 4A, the guide ring GR placed on the robot hand 12bGR of the transport device (transport robot) 12b is positioned at the outer periphery of the substrate W in the substrate holding portion 11c. Move up.

次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｂ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。 Next, in the guide ring setting step S11, as shown in FIG. 4B, the hoist 11cGR is raised to raise the guide ring GR to such an extent that it does not come into contact with the robot hand 12bGR. At this time, the guide ring GR is supported by the hoist 11cGR.

次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｃ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。 Next, in the guide ring setting step S11, as shown in FIG. 4C, the robot hand 12bGR is retracted from the upper position of the substrate holding portion 11c, and the hoist 11cGR is lowered to move the guide ring GR to the substrate holding portion. It moves to the outer peripheral position of the substrate W in the portion 11c.

次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置した複数枚の基板Ｗから一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the substrate setting step S12 shown in FIG. 3, a plurality of substrates placed in the substrate placement position (storage portion) of the transfer chamber 12 in the substrate loading step S04 are placed in a state where the sealing portion 15a shown in FIG. 1 is opened. One of the substrates W is selected and carried into the dry etching chamber 11 .

基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。 In the substrate setting step S12, as shown in FIG. 4D, the substrate W placed on the robot hand 12bW of the transport device (transport robot) 12b is placed on the upper side of the substrate holder 11c where the substrate W is processed. Moving.

次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｅ）に示すように、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、基板Ｗをロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって、支持される。 Next, in the substrate setting step S12, as shown in FIG. 4E, the hoist 11cW is raised to raise the substrate W to such an extent that it does not come into contact with the robot hand 12bW. At this time, the substrate W is supported by the hoist 11cW.

次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｆ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＷを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置に移動する。 Next, in the substrate setting step S12, as shown in FIG. 4(f), the robot hand 12bW is retracted from the upper position of the substrate holding portion 11c, and the hoist 11cW is lowered to move the substrate W to the substrate holding portion 11c. to the processing position of the substrate W in .

次いで、図３に示すエッチング工程Ｓ１３においては、図１に示す密閉部１５ａを閉塞して、基板セット工程Ｓ１２においてドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃに載置した基板Ｗをエッチング処理する。 Next, in the etching step S13 shown in FIG. 3, the sealing portion 15a shown in FIG. 1 is closed, and the substrate W placed on the substrate holding portion 11c of the dry etching chamber 11 is etched in the substrate setting step S12.

エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、ドライエッチング室１１にエッチングガス供給部１１ａからエッチングガスを供給するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によってシャワープレートに高周波を印加するとともに、高周波電源１１ｄによって基板Ｗにバイアス電位を印加する。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、最上層である被処理層Ｗ３がエッチングされる。 In the etching step S13, as shown in FIG. 4G, the etching gas is supplied to the dry etching chamber 11 from the etching gas supply unit 11a, and the inside of the dry etching chamber 11 is exhausted by the exhaust unit 11b. At the same time, a high frequency is applied to the shower plate by the power source for plasma generation, and a bias potential is applied to the substrate W by the high frequency power source 11d.
In the etching step S13, as shown in FIG. 4G, the topmost layer W3 to be processed is etched by an etchant such as radicals or etching gas molecules.

このとき、ガイドリングＧＲの材質が被処理層Ｗ３のエッチング条件を最適化するように選択されていることにより、被処理層Ｗ３のエッチング処理における分布、エッチング特性が最適化される。
被処理層Ｗ３のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。 At this time, the material of the guide ring GR is selected so as to optimize the etching conditions for the layer W3 to be processed, thereby optimizing the distribution and etching characteristics in the etching process of the layer W3 to be processed.
When the etching of the layer W3 to be processed is completed, the etching step S13 is terminated, the supply of the etching gas from the etching gas supply unit 11a is stopped, and the inside of the dry etching chamber 11 is exhausted by the exhaust unit 11b. At the same time, the application of the high frequency to the shower plate by the power source for plasma generation is stopped, and the application of the bias potential to the substrate W by the high frequency power source 11d is stopped.

次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ３のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。 3, the sealed portion 15a shown in FIG. 1 is opened, and the guide ring GR corresponding to the etching of the layer W3 to be processed used in the etching step S13 is removed from the dry etching chamber 11. It is taken out and placed in the guide ring placement position (storage portion) of the transfer chamber 12 .

ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度にガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。 In the guide ring removal step S14, as shown in FIG. 5(a), the hoist 11cGR is raised to raise the guide ring GR to such an extent that it does not come into contact with the entering robot hand 12bGR. At this time, the guide ring GR is supported by the hoist 11cGR.

次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの上側で外周外側まで到達する位置に移動する。 Next, in the guide ring removing step S14, as shown in FIG. 5B, the robot hand 12bGR of the transport device (transport robot) 12b is positioned above the substrate W in the substrate holding portion 11c so as to reach the outside of the outer periphery. Moving.

次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。 Next, in the guide ring removing step S14, the hoist 11cGR is lowered to place the guide ring GR on the robot hand 12bGR. Further, as shown in FIG. 5(c), the hoist 11cGR is lowered and retracted.
Next, the transfer device (transfer robot) 12b is driven to move the guide ring GR mounted on the robot hand 12bGR to the guide ring mounting position (storage portion) of the transfer chamber 12. FIG.

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１とは異なり、被処理層Ｗ２のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the guide ring setting step S15 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. One guide ring GR corresponding to the etching of the layer W2 to be processed is selected from the plurality of guide rings GR and carried into the dry etching chamber 11, unlike the guide ring setting step S11.

ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。 In the guide ring setting step S15, as shown in FIG. 5D, the guide ring GR placed on the robot hand 12bGR of the transport device (transport robot) 12b is positioned at the outer circumference of the substrate W in the substrate holding portion 11c. Move up.

次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１２ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。 Next, in the guide ring setting step S15, as shown in FIG. 5(d), the hoist 11cGR is raised to raise the guide ring GR to such an extent that it does not come into contact with the robot hand 12bGR. At this time, the guide ring GR is supported by the hoist 11cGR.

次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。 Next, in the guide ring setting step S15, as shown in FIG. 5(e), the robot hand 12bGR is retracted from the upper position of the substrate holding part 11c, and the hoist 11cGR is lowered to move the guide ring GR It moves to the outer peripheral position of the substrate W in the substrate holding part 11c.

エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、ドライエッチング室１１にエッチングガス供給部１１ａからエッチングガスを供給するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によってシャワープレートに高周波を印加するとともに、高周波電源１１ｄによって基板Ｗにバイアス電位を印加する。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、２番目の層である被処理層Ｗ２がエッチングされる。 In the etching step S13, as shown in FIG. 4G, the etching gas is supplied to the dry etching chamber 11 from the etching gas supply unit 11a, and the inside of the dry etching chamber 11 is exhausted by the exhaust unit 11b. At the same time, a high frequency is applied to the shower plate by the power source for plasma generation, and a bias potential is applied to the substrate W by the high frequency power source 11d.
In the etching step S13, as shown in FIG. 4G, the layer to be processed W2, which is the second layer, is etched by an etchant such as radicals or etching gas molecules.

このとき、ガイドリングＧＲの材質が被処理層Ｗ２のエッチング条件を最適化するように選択されていることにより、被処理層Ｗ２のエッチング処理における分布、エッチング特性が最適化される。
なお、被処理層Ｗ２のエッチング条件は、被処理層Ｗ３のエッチング条件と異なることができる。
被処理層Ｗ２のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。 At this time, the material of the guide ring GR is selected so as to optimize the etching conditions for the layer W2 to be processed, so that the distribution and etching characteristics in the etching process of the layer W2 to be processed are optimized.
The etching conditions for the layer to be processed W2 can be different from the etching conditions for the layer to be processed W3.
When the etching of the layer W2 to be processed is completed, the etching step S13 is terminated, the supply of the etching gas from the etching gas supply unit 11a is stopped, and the inside of the dry etching chamber 11 is exhausted by the exhaust unit 11b. At the same time, the application of the high frequency to the shower plate by the power source for plasma generation is stopped, and the application of the bias potential to the substrate W by the high frequency power source 11d is stopped.

次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ２のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。 3, the sealing portion 15a shown in FIG. 1 is opened, and the guide ring GR corresponding to the etching of the layer W2 to be processed used in the etching step S13 is removed from the dry etching chamber 11. It is taken out and placed in the guide ring placement position (storage portion) of the transfer chamber 12 .

次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。 Next, in the guide ring removing step S14, as shown in FIG. 5B, the robot hand 12bGR of the transport device (transport robot) 12b is moved to the upper side, which is the outer peripheral position of the substrate W in the substrate holding portion 11c.

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１５とは異なり、被処理層Ｗ１のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the guide ring setting step S15 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. Unlike the guide ring setting step S15, one guide ring GR corresponding to the etching of the layer W1 to be processed is selected from a plurality of guide rings GR and carried into the dry etching chamber 11. FIG.

エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、ドライエッチング室１１にエッチングガス供給部１１ａからエッチングガスを供給するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によってシャワープレートに高周波を印加するとともに、高周波電源１１ｄによって基板Ｗにバイアス電位を印加する。
エッチング工程Ｓ１３においては、図４（ｇ）に示すように、エッッチャントである、ラジカル、あるいは、エッチングガス分子等によって、３番目の層である被処理層Ｗ１がエッチングされる。 In the etching step S13, as shown in FIG. 4G, the etching gas is supplied to the dry etching chamber 11 from the etching gas supply unit 11a, and the inside of the dry etching chamber 11 is exhausted by the exhaust unit 11b. At the same time, a high frequency is applied to the shower plate by the power source for plasma generation, and a bias potential is applied to the substrate W by the high frequency power source 11d.
In the etching step S13, as shown in FIG. 4G, the layer to be processed W1, which is the third layer, is etched by an etchant such as radicals or etching gas molecules.

このとき、ガイドリングＧＲの材質が被処理層Ｗ１のエッチング条件を最適化するように選択されていることにより、被処理層Ｗ１のエッチング処理における分布、エッチング特性が最適化される。
なお、被処理層Ｗ１のエッチング条件は、被処理層Ｗ３および被処理層Ｗ２のエッチング条件と異なることができる。
被処理層Ｗ１のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了し、エッチングガス供給部１１ａからエッチングガスの供給を停止するとともに、排気部１１ｂによってドライエッチング室１１の内部を排気する。同時に、プラズマ発生用電源によるシャワープレートへの高周波の印加を停止するとともに、高周波電源１１ｄによる基板Ｗへのバイアス電位の印加を停止する。 At this time, the material of the guide ring GR is selected so as to optimize the etching conditions for the layer W1 to be processed, so that the distribution and etching characteristics in the etching process of the layer W1 to be processed are optimized.
The etching conditions for the layer to be processed W1 can be different from the etching conditions for the layers to be processed W3 and W2.
When the etching of the layer W1 to be processed is finished, the etching step S13 is terminated, the supply of the etching gas from the etching gas supply unit 11a is stopped, and the inside of the dry etching chamber 11 is exhausted by the exhaust unit 11b. At the same time, the application of the high frequency to the shower plate by the power source for plasma generation is stopped, and the application of the bias potential to the substrate W by the high frequency power source 11d is stopped.

次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ１のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。 3, the sealing portion 15a shown in FIG. 1 is opened, and the guide ring GR corresponding to the etching of the layer W1 to be processed used in the etching step S13 is removed from the dry etching chamber 11 It is taken out and placed in the guide ring placement position (storage portion) of the transfer chamber 12 .

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１と同様に、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
この場合、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲは、先に使用したガイドリングＧＲとすること、あるいは、新たな未使用のガイドリングＧＲとすることもできる。 Next, in the guide ring setting step S15 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. One guide ring GR corresponding to etching of the layer W3 to be processed is selected from a plurality of guide rings GR and carried into the dry etching chamber 11 in the same manner as in the guide ring setting step S11.
In this case, one guide ring GR corresponding to the etching of the layer W3 to be processed can be the previously used guide ring GR or a new unused guide ring GR.

次いで、図３に示す基板取り出し工程Ｓ１６においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５を繰り返して、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングが終了した基板Ｗをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置する。 Next, in the substrate extraction step S16 shown in FIG. 3, the etching step S13, the guide ring extraction step S14, and the guide ring setting step S15 are repeated with the sealed portion 15a shown in FIG. After etching W3, W2, and W1, the substrate W is taken out from the dry etching chamber 11 and placed in the substrate placement position (storage portion) of the transfer chamber 12. As shown in FIG.

基板取り出し工程Ｓ１６においては、図５（ｆ）に示すように、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、進入するロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に基板Ｗを上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって、支持される。 In the substrate unloading step S16, as shown in FIG. 5(f), the hoist 11cW is raised to raise the substrate W to such an extent that it does not come into contact with the entering robot hand 12bW. At this time, the substrate W is supported by the hoist 11cW.

次いで、基板取り出し工程Ｓ１６においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの上側に移動する。 Next, in the substrate unloading step S16, the robot hand 12bW of the transport device (transport robot) 12b is moved above the substrate W in the substrate holder 11c.

次いで、基板取り出し工程Ｓ１６においては、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＷに載置された処理済みの基板Ｗを、トランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に移動する。 Next, in the substrate unloading step S16, the hoist 11cW is lowered to place the substrate W on the robot hand 12bGR.
Next, the transport device (transport robot) 12b is driven to move the processed substrate W placed on the robot hand 12bW to the substrate placement position (storage portion) of the transfer chamber 12. FIG.

次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２においては、図１に示す密閉部１５ａを開放した状態で、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置した複数枚の基板Ｗから新たに未処理の一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the substrate setting step S12 shown in FIG. 3, a plurality of substrates placed in the substrate placement position (storage portion) of the transfer chamber 12 in the substrate loading step S04 are placed in a state where the sealing portion 15a shown in FIG. 1 is opened. A new unprocessed substrate is selected from the substrates W and carried into the dry etching chamber 11 .

さらに、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５を繰り返して、同様にして、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングをおこなう。 Further, the etching step S13, the guide ring removing step S14, and the guide ring setting step S15 are repeated to similarly etch a plurality of layers W3, W2, and W1 to be processed.

次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５、基板取り出し工程Ｓ１６を繰り返して、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置した複数の基板Ｗに対する全ての処理を終了する。 Next, the substrate setting step S12, the etching step S13, the guide ring removing step S14, the guide ring setting step S15, and the substrate removing step S16 shown in FIG. section) is completed.

このとき、エッチング処理の終了した全ての基板Ｗを、トランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置しておく。
なお、全ての基板Ｗでエッチング処理が終了した際には、ガイドリングセット工程Ｓ１５による次のガイドリングＧＲのドライエッチング室１１への移動をおこなわないことが好ましい。 At this time, all the substrates W that have undergone the etching process are placed in the substrate placement position (storage portion) of the transfer chamber 12 .
It is preferable not to move the next guide ring GR to the dry etching chamber 11 in the guide ring setting step S15 when the etching process is completed for all the substrates W. FIG.

同様に、基板Ｗに対する全ての処理が終了したら、全てのガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置しておく。
全ての基板Ｗと全てのガイドリングを、トランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）およびガイドリング載置位置（収納部）に載置したら、密閉部１５ａを閉塞しておく。 Similarly, after all the processes on the substrate W are completed, all the guide rings GR are placed in the guide ring placement positions (accommodations) of the transfer chamber 12 .
After all the substrates W and all the guide rings are placed in the substrate placement position (storage portion) and the guide ring placement position (storage portion) of the transfer chamber 12, the sealing portion 15a is closed.

次いで、図３に示す基板搬出工程Ｓ２１として、処理の終了した全ての基板Ｗをトランスファチャンバ１２から取り出す。 Next, as a substrate unloading step S21 shown in FIG. 3, all the processed substrates W are unloaded from the transfer chamber 12 .

基板搬出工程Ｓ２１においては、図１に示す密閉部１５ｂを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、処理の終了した複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）からロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、複数枚の基板Ｗを外部に搬出する。
複数枚の基板Ｗを外部に搬出したら、密閉部１５ｃを閉塞しておく。 In the substrate unloading step S21, the sealed part 15b shown in FIG. is carried into the load/unload chamber 13 from the
Further, after closing the sealed portion 15b, the load/unload chamber 13 is made to have the same pressure as the outside, the sealed portion 15c is opened, and the plurality of substrates W are unloaded to the outside.
After carrying out the plurality of substrates W to the outside, the sealing portion 15c is closed.

次いで、図３に示すガイドリング搬出工程Ｓ２２として、処理の終了した全てのガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２から取り出す。 Next, as a guide ring unloading step S22 shown in FIG. 3, all the guide rings GR for which the treatment has been completed are unloaded from the transfer chamber 12. FIG.

ガイドリング搬出工程Ｓ２２においては、図１に示す密閉部１５ｂを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、使用した複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）からロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、複数枚のガイドリングＧＲを外部に搬出する。 In the guide ring unloading step S22, the sealed portion 15b shown in FIG. ) into the load/unload chamber 13 .
Further, after closing the sealed portion 15b, the load/unload chamber 13 is made to have the same pressure as the outside, the sealed portion 15c is opened, and the plurality of guide rings GR are carried out to the outside.

次いで、図３に示す後処理工程Ｓ２３として、ロード／アンロード室１３の外側において、必要な処理を基板Ｗに施す。
後処理工程Ｓ２３における処理としては、洗浄、アッシング等の表面処理を挙げることができる。 Next, as a post-processing step S23 shown in FIG. 3, the substrate W is subjected to necessary processing outside the loading/unloading chamber 13 .
Examples of the treatment in the post-treatment step S23 include surface treatments such as cleaning and ashing.

以上により、本実施形態におけるドライエッチング方法を終了する。 With the above, the dry etching method according to the present embodiment is finished.

本実施形態におけるドライエッチング装置１０によるドライエッチング方法においては、処理の感度が異なる材質を有する複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１にそれぞれ対応して、ドライエッチングの途中で異なるガイドリングＧＲを選択して、In-situにてガイドリングＧＲを交換して切り替えることにより、エッチングをおこなう複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１に対応してラジカル、あるいは、副生成物の分布を最適化して、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性を最適化することが容易となる。
これにより、材質の異なる複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１が積層された基板Ｗに対するドライエッチングにおいて、各被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングを最適化することが可能となる。 In the dry etching method using the dry etching apparatus 10 of the present embodiment, different guide rings GR are selected during dry etching corresponding to the plurality of layers to be processed W3, W2, W1 having materials with different processing sensitivities. Then, by exchanging and switching the guide ring GR in-situ, the distribution of radicals or by-products is optimized corresponding to the plurality of layers to be etched W3, W2, W1 to be etched, In the dry etching of the plurality of layers W3, W2, and W1 to be processed, it becomes easy to optimize the distribution and etching characteristics.
This makes it possible to optimize the etching of each of the layers W3, W2, and W1 to be processed in the dry etching of the substrate W on which a plurality of layers to be processed W3, W2, and W1 made of different materials are laminated.

以下、本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第２実施形態を、図面に基づいて説明する。
図８は、本実施形態におけるドライエッチング装置を示す平面図であり、本実施形態において、上述した第１実施形態と異なるのは、ガイドリング交換部に関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。 A second embodiment of the dry etching method and dry etching apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 8 is a plan view showing a dry etching apparatus according to the present embodiment. This embodiment differs from the above-described first embodiment in that it relates to the guide ring replacement section. Configurations corresponding to those of the embodiment are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

本実施形態におけるトランスファチャンバ１２には、図８に示すように、基板Ｗを搬送する搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと、ガイドリングＧＲを搬送する搬送装置（搬送ロボット）１８ｂと、が配置される。 As shown in FIG. 8, a transfer device (transfer robot) 12b for transferring the substrate W and a transfer device (transfer robot) 18b for transferring the guide ring GR are arranged in the transfer chamber 12 in the present embodiment. .

本実施形態の搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、図８に示すように、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアーム１２ｂ１と、ロボットアーム１２ｂ１の一端に形成されたロボットハンド１２ｂＷと、上下動装置とを有している。 As shown in FIG. 8, the transport device (transport robot) 12b of the present embodiment includes a rotating shaft, a robot arm 12b1 attached to the rotating shaft, a robot hand 12bW formed at one end of the robot arm 12b1, and a vertical movement device.

搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１は互いに屈曲可能な複数の能動アームから構成されている。図８に示す例では、２つの屈曲軸を有する構成とされている。搬送装置１２ｂは、被搬送物である基板Ｗを、ドライエッチング室１１，トランスファチャンバ１２，ロード／アンロード室１３間で移動させることができる。なお、搬送装置１２ｂとして、ロボットアームを回転軸こと水平方向位置に移動させるか、基板Ｗをさらに水平方向に移動させる追加移動手段を設けることもできる。 In the transport device (transport robot) 12b, a robot arm 12b1 is composed of a plurality of active arms that are bendable with each other. The example shown in FIG. 8 is configured to have two bending axes. The transfer device 12 b can transfer the substrate W, which is the object to be transferred, among the dry etching chamber 11 , the transfer chamber 12 and the load/unload chamber 13 . As the transport device 12b, additional moving means for moving the robot arm to the horizontal position, ie, the rotation axis, or moving the substrate W further in the horizontal direction may be provided.

搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１の先端には、ロボットアーム１２ｂ１に対して回転可能なロボットハンド１２ｂＷが設けられる。
ロボットハンド１２ｂＷは、基板Ｗを保持可能な形状とされている。 In the transport device (transport robot) 12b, a robot hand 12bW rotatable with respect to the robot arm 12b1 is provided at the tip of the robot arm 12b1.
The robot hand 12bW has a shape capable of holding the substrate W. As shown in FIG.

ロボットハンド１２ｂＷは、ホイスト１１ｃＷで上昇位置とされた基板Ｗを下側から支持して、基板Ｗをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。 The robot hand 12bW can move the substrate W between the dry etching chamber 11 and the transfer chamber 12 by supporting from below the substrate W that has been raised by the hoist 11cW.

本実施形態の搬送装置（搬送ロボット）１８ｂは、図８に示すように、回転軸と、この回転軸に取り付けられたロボットアーム１８ｂ１と、ロボットアーム１８ｂ１の一端に形成されたロボットハンド１８ｂＧＲと、上下動装置とを有している。 As shown in FIG. 8, the transport device (transport robot) 18b of this embodiment includes a rotating shaft, a robot arm 18b1 attached to the rotating shaft, a robot hand 18bGR formed at one end of the robot arm 18b1, and a vertical movement device.

搬送装置（搬送ロボット）１８ｂにおいて、ロボットアーム１８ｂ１は互いに屈曲可能な複数の能動アームから構成されている。図８に示す例では、２つの屈曲軸を有する構成とされている。搬送装置１８ｂは、被搬送物であるガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１，トランスファチャンバ１２，ロード／アンロード室１３間で移動させることができる。なお、搬送装置１８ｂとして、ロボットアームを回転軸こと水平方向位置に移動させるか、基板Ｗをさらに水平方向に移動させる追加移動手段を設けることもできる。 In the transport device (transport robot) 18b, a robot arm 18b1 is composed of a plurality of active arms that are bendable with each other. The example shown in FIG. 8 is configured to have two bending axes. The transport device 18 b can move the guide ring GR, which is the object to be transported, among the dry etching chamber 11 , the transfer chamber 12 and the load/unload chamber 13 . As the transport device 18b, an additional moving means for moving the robot arm to the horizontal position, ie, the rotation axis, or moving the substrate W further in the horizontal direction may be provided.

搬送装置（搬送ロボット）１８ｂにおいて、ロボットアーム１８ｂ１の先端には、ロボットアーム１８ｂ１に対して回転可能なロボットハンド１８ｂＧＲが設けられる。
ロボットハンド１８ｂＧＲは、ガイドリングＧＲを保持可能な形状とされている。 In the transfer device (transfer robot) 18b, a robot hand 18bGR rotatable with respect to the robot arm 18b1 is provided at the tip of the robot arm 18b1.
The robot hand 18bGR has a shape capable of holding the guide ring GR.

ロボットハンド１８ｂＧＲは、ホイスト１１ｃＧＲで上昇位置とされたガイドリングＧＲを下側から支持して、ガイドリングＧＲをドライエッチング室１１とトランスファチャンバ１２との間で移動することができる。 The robot hand 18bGR can move the guide ring GR between the dry etching chamber 11 and the transfer chamber 12 by supporting the guide ring GR in the raised position by the hoist 11cGR from below.

トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと搬送装置（搬送ロボット）１８ｂとがトランスファチャンバ１２の略中央に位置している。トランスファチャンバ１２の内部においては、複数枚の基板Ｗの収納部が搬送装置（搬送ロボット）１２ｂ側に位置する。トランスファチャンバ１２の内部においては、複数枚のガイドリングＧＲの収納部が、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂ側に位置している。
トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと搬送装置（搬送ロボット）１８ｂとが、密閉部１５ａの正面の両側に位置する。 Inside the transfer chamber 12 , a transfer device (transfer robot) 12 b and a transfer device (transfer robot) 18 b are positioned substantially in the center of the transfer chamber 12 . Inside the transfer chamber 12, a storage section for a plurality of substrates W is located on the transport device (transport robot) 12b side. Inside the transfer chamber 12, a storage portion for a plurality of guide rings GR is located on the side of the transport device (transport robot) 18b.
Inside the transfer chamber 12, a transfer device (transfer robot) 12b and a transfer device (transfer robot) 18b are positioned on both sides in front of the sealed portion 15a.

本実施形態のドライエッチング室１１には、図８に示すように、第１実施形態と同様に、基板保持部１１ｃが設けられる。 As shown in FIG. 8, the dry etching chamber 11 of the present embodiment is provided with a substrate holder 11c as in the first embodiment.

本実施形態の基板保持部１１ｃにも、基板Ｗを上下動するホイスト１１ｃＷと、ガイドリングＧＲを上下動するホイスト１１ｃＧＲとが設けられる。
ホイスト１１ｃＷ，１１ｃＧＲは、いずれも、鉛直方向に立設され、図示しない駆動部によって同期して上下動可能とされた複数のピンからなる。 A hoist 11cW for vertically moving the substrate W and a hoist 11cGR for vertically moving the guide ring GR are also provided in the substrate holding portion 11c of the present embodiment.
Each of the hoists 11cW and 11cGR consists of a plurality of pins which are erected in the vertical direction and vertically movable in synchronism with a drive section (not shown).

ホイスト１１ｃＷは、図８に示すように、基板Ｗの中心と一致する基板保持部１１ｃの中心から、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおけるロボットアーム１２ｂ１の駆動中心へ引いた直線上、および、この直線に対して、基板保持部１１ｃの中心角が１２０°をなす直線上とに位置するように配置されている。 As shown in FIG. 8, the hoist 11cW is on a straight line drawn from the center of the substrate holding part 11c that coincides with the center of the substrate W to the drive center of the robot arm 12b1 in the transport device (transport robot) 12b, and on this straight line. , the substrate holding portion 11c is arranged so as to be positioned on a straight line forming a central angle of 120°.

ホイスト１１ｃＧＲは、図８に示すように、ガイドリングＧＲの中心と一致する基板保持部１１ｃの中心から、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂにおけるロボットアーム１８ｂ１の駆動中心へ引いた直線上、および、この直線に対して、基板保持部１１ｃの中心角が１２０°をなす直線上とに位置するように配置されている。 The hoist 11cGR is, as shown in FIG. The substrate holding portion 11c is arranged so as to be positioned on a straight line forming a central angle of 120° with respect to the straight line.

本実施形態においては、トランスファチャンバ１２の内部における、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと搬送装置（搬送ロボット）１８ｂとの配置に対応して、ホイスト１１ｃＷとホイスト１１ｃＧＲとが、基板保持部１１ｃの中心に対して、周方向に互いにずれた位置に配置される。 In the present embodiment, the hoist 11cW and the hoist 11cGR correspond to the arrangement of the transfer device (transfer robot) 12b and the transfer device (transfer robot) 18b inside the transfer chamber 12, and are positioned at the center of the substrate holder 11c. are arranged at positions offset from each other in the circumferential direction.

搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲと、基板保持部１１ｃのホイスト１１ｃＧＲとは、ガイドリング交換部を構成している。 The robot hand 18bGR of the transport device (transport robot) 18b and the hoist 11cGR of the substrate holding part 11c constitute a guide ring replacement part.

以下、本実施形態におけるドライエッチング方法を図面に基づいて説明する。
なお、第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。 The dry etching method according to this embodiment will be described below with reference to the drawings.
In addition, the same code|symbol is attached|subjected to the structure corresponding to 1st Embodiment, and the description is abbreviate|omitted.

図３に示した第1実施形態と同様に、本実施形態におけるドライエッチング方法は、前処理工程Ｓ００と、基板準備工程Ｓ０１と、ガイドリング準備工程Ｓ０２と、ガイドリング搬入工程Ｓ０３と、基板搬入工程Ｓ０４と、ガイドリングセット工程Ｓ１１と、基板セット工程Ｓ１２と、エッチング工程Ｓ１３と、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４と、ガイドリングセット工程Ｓ１５と、基板取り出し工程Ｓ１６と、基板搬出工程Ｓ２１と、ガイドリング搬出工程Ｓ２２と、後処理工程Ｓ２３と、を有する。 As in the first embodiment shown in FIG. 3, the dry etching method in this embodiment includes a pretreatment step S00, a substrate preparation step S01, a guide ring preparation step S02, a guide ring loading step S03, and a substrate loading step S03. A step S04, a guide ring setting step S11, a substrate setting step S12, an etching step S13, a guide ring removing step S14, a guide ring setting step S15, a substrate removing step S16, a substrate unloading step S21, and a guide ring. It has an unloading step S22 and a post-processing step S23.

図３に示したガイドリング搬入工程Ｓ０３においては、図８に示す密閉部１５ｃを開放して、ガイドリング準備工程Ｓ０２において準備した複数枚のガイドリングＧＲをロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによって、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚のガイドリングＧＲの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲを用いる。
複数枚のガイドリングＧＲの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。 In the guide ring carrying-in step S03 shown in FIG. 3, the sealed portion 15c shown in FIG.
Further, after closing the sealed portion 15c, the load/unload chamber 13 is vented, the sealed portion 15b is opened, and a plurality of guide rings GR are carried into the transfer chamber 12 by a transfer device (transfer robot) 18b. , a plurality of guide rings GR are placed in the guide ring placement position (storage portion) of the transfer chamber 12 .
At this time, a robot hand 18bGR of a transport device (transport robot) 18b is used to move the guide rings GR.
After the movement of the plurality of guide rings GR is completed, the sealing portion 15b is closed.

次いで、図３に示す基板搬入工程Ｓ０４においては、図８に示す密閉部１５ｃを開放して、基板準備工程Ｓ０１において準備した複数枚の基板Ｗをロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂによって、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２に搬入し、複数枚の基板Ｗをトランスファチャンバ１２の基板載置位置（収納部）に載置する。
この際、複数枚の基板Ｗの移動には、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを用いる。
複数枚の基板Ｗの移動が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。 Next, in the substrate loading step S04 shown in FIG. 3, the sealing portion 15c shown in FIG.
Further, after closing the sealed portion 15c, the load/unload chamber 13 is vented, the sealed portion 15b is opened, and a plurality of substrates W are carried into the transfer chamber 12 by the transfer device (transfer robot) 12b, A plurality of substrates W are placed in the substrate placement position (accommodating portion) of the transfer chamber 12 .
At this time, a robot hand 12bW of a transport device (transport robot) 12b is used to move the plurality of substrates W. As shown in FIG.
After the movement of the plurality of substrates W is completed, the sealing portion 15b is closed.

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図８に示す密閉部１５ａを開放して、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the guide ring setting step S11 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. One of the guide rings GR is selected and carried into the dry etching chamber 11 .

ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ａ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。 In the guide ring setting step S11, corresponding to FIG. 4A, the guide ring GR placed on the robot hand 18bGR of the transport device (transport robot) 18b is positioned at the outer periphery of the substrate W in the substrate holder 11c. Move up.

次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｂ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。 Next, in the guide ring setting step S11, the hoist 11cGR is raised to raise the guide ring GR to such an extent that it does not come into contact with the robot hand 18bGR, corresponding to FIG. 4(b). At this time, the guide ring GR is supported by the hoist 11cGR.

次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｃ）に対応して、ロボットハンド１８ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。 Next, in the guide ring setting step S11, corresponding to FIG. 4C, the robot hand 18bGR is retracted from the upper position of the substrate holding part 11c, and the hoist 11cGR is lowered to move the guide ring GR to the substrate holding part. It moves to the outer peripheral position of the substrate W in the portion 11c.

基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｄ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。 In the substrate setting step S12, corresponding to FIG. 4D, the substrate W placed on the robot hand 12bW of the transport device (transport robot) 12b is moved to the upper side where the substrate W is processed in the substrate holder 11c. Moving.

次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｅ）に対応して、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、基板Ｗをロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって、支持される。 Next, in the substrate setting step S12, the hoist 11cW is raised to raise the substrate W to such an extent that it does not come into contact with the robot hand 12bW, corresponding to FIG. 4(e). At this time, the substrate W is supported by the hoist 11cW.

次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｆ）に対応して、ロボットハンド１２ｂＷを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置に移動する。 Next, in the substrate setting step S12, corresponding to FIG. 4(f), the robot hand 12bW is retracted from the upper position of the substrate holding portion 11c, and the hoist 11cW is lowered to move the substrate W to the substrate holding portion 11c. to the processing position of the substrate W in .

被処理層Ｗ３のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了した後、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度に、ガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ３のエッチングに対応するガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。 After the etching step S13 is finished when the etching of the layer W3 to be processed is finished, in the guide ring removing step S14, the hoist 11cGR is raised to move the robot hand 18bGR toward the advancing robot hand 18bGR, corresponding to FIG. 5(a). Raise the guide ring GR to the extent that it does not touch. At this time, the guide ring GR corresponding to the etching of the layer W3 to be processed used in the etching step S13 is supported by the hoist 11cGR.

次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの上側で外周外側まで到達する位置に移動する。 Next, in the guide ring removing step S14, corresponding to FIG. 5B, the robot hand 18bGR of the transport device (transport robot) 18b is positioned above the substrate W in the substrate holding portion 11c so as to reach the outside of the outer periphery. Moving.

次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂを駆動して、ロボットハンド１８ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に移動する。 Next, in the guide ring removing step S14, the hoist 11cGR is lowered to place the guide ring GR on the robot hand 18bGR. Furthermore, corresponding to FIG.5(c), the hoist 11cGR is lowered and retracted.
Next, the transfer device (transfer robot) 18b is driven to move the guide ring GR mounted on the robot hand 18bGR to the guide ring mounting position (storage portion) of the transfer chamber 12. FIG.

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図８に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１とは異なり、被処理層Ｗ２のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによってドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the guide ring setting step S15 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. Unlike the guide ring setting step S11, one guide ring GR corresponding to the etching of the layer W2 to be processed is selected from a plurality of guide rings GR, and transferred to the dry etching chamber 11 by a transfer device (transfer robot) 18b. bring in.

ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。 In the guide ring setting step S15, corresponding to FIG. 5D, the guide ring GR placed on the robot hand 18bGR of the transport device (transport robot) 18b is positioned at the outer periphery of the substrate W in the substrate holder 11c. Move up.

次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｄ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、ガイドリングＧＲをロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度に上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。 Next, in the guide ring setting step S15, the hoist 11cGR is raised to raise the guide ring GR to such an extent that it does not come into contact with the robot hand 18bGR, corresponding to FIG. 5(d). At this time, the guide ring GR is supported by the hoist 11cGR.

次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に対応して、ロボットハンド１８ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に移動する。 Next, in the guide ring setting step S15, corresponding to FIG. It moves to the outer peripheral position of the substrate W in the substrate holding part 11c.

被処理層Ｗ２のエッチングが終了した時点でエッチング工程Ｓ１３を終了した後、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図８に示す密閉部１５ａを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによって、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ２のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。 After the etching step S13 is finished when the etching of the layer W2 to be processed is finished, in the guide ring removing step S14 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. , the guide ring GR corresponding to the etching of the layer W2 to be processed used in the etching step S13 is taken out from the dry etching chamber 11 and placed in the guide ring placement position (accommodation portion) of the transfer chamber 12 .

ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ａ）に対応して、ホイスト１１ｃＧＲを上昇させて、進入するロボットハンド１８ｂＧＲに接触しない程度にガイドリングＧＲを上昇させる。このとき、ガイドリングＧＲはホイスト１１ｃＧＲによって、支持される。 In the guide ring removing step S14, the hoist 11cGR is raised to raise the guide ring GR to such an extent that it does not come into contact with the entering robot hand 18bGR, corresponding to FIG. 5(a). At this time, the guide ring GR is supported by the hoist 11cGR.

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図８に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１５とは異なり、被処理層Ｗ１のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによってドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the guide ring setting step S15 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. Unlike the guide ring setting step S15, one guide ring GR corresponding to the etching of the layer W1 to be processed is selected from a plurality of guide rings GR, and transferred to the dry etching chamber 11 by a transfer device (transfer robot) 18b. bring in.

次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図８に示す密閉部１５ａを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによって、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ１のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。 Next, in the guide ring removing step S14 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. The guide ring GR is taken out from the dry etching chamber 11 and placed in the guide ring placement position (storage portion) of the transfer chamber 12 .

次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図５（ｂ）に対応して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１８ｂＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。 Next, in the guide ring removing step S14, the robot hand 18bGR of the transport device (transport robot) 18b is moved to the upper outer peripheral position of the substrate W in the substrate holding portion 11c, corresponding to FIG. 5B.

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図８に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置した複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１と同様に、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによってドライエッチング室１１に搬入する。
この場合、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲは、先に使用したガイドリングＧＲとすること、あるいは、新たな未使用のガイドリングＧＲとすることもできる。 Next, in the guide ring setting step S15 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. As in the guide ring setting step S11, one guide ring GR corresponding to the etching of the layer W3 to be processed is selected from a plurality of guide rings GR, and transferred to the dry etching chamber 11 by the transfer device (transfer robot) 18b. bring in.
In this case, one guide ring GR corresponding to the etching of the layer W3 to be processed can be the previously used guide ring GR or a new unused guide ring GR.

ガイドリング搬出工程Ｓ２２においては、図８に示す密閉部１５ｂを開放して、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂによって、使用した複数枚のガイドリングＧＲをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）からロード／アンロード室１３に搬入する。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、複数枚のガイドリングＧＲを外部に搬出する。 In the guide ring unloading step S22, the sealing portion 15b shown in FIG. ) into the load/unload chamber 13 .
Further, after closing the sealed portion 15b, the load/unload chamber 13 is made to have the same pressure as the outside, the sealed portion 15c is opened, and the plurality of guide rings GR are carried out to the outside.

本実施形態におけるドライエッチング装置１０によるドライエッチング方法においては、上述した第１実施形態と同等の効果を奏することができる。
さらに、本実施形態においては、トランスファチャンバ１２の内部における、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂと搬送装置（搬送ロボット）１８ｂとの配置に対応して、ホイスト１１ｃＷとホイスト１１ｃＧＲとが、基板保持部１１ｃの中心に対して、周方向に互いにずれた位置に配置されている。これにより、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷがホイスト１１ｃＧＲに干渉することがない。同時に、搬送装置（搬送ロボット）１８ｂのロボットハンド１２ｂＧＲがホイスト１１ｃＷに干渉することがない。 In the dry etching method using the dry etching apparatus 10 of this embodiment, the same effects as those of the above-described first embodiment can be obtained.
Further, in the present embodiment, the hoist 11cW and the hoist 11cGR correspond to the arrangement of the transfer device (transfer robot) 12b and the transfer device (transfer robot) 18b inside the transfer chamber 12, and the substrate holding portion 11c are arranged at positions offset from each other in the circumferential direction with respect to the center of the Thereby, the robot hand 12bW of the transfer device (transfer robot) 12b does not interfere with the hoist 11cGR. At the same time, the robot hand 12bGR of the transfer device (transfer robot) 18b does not interfere with the hoist 11cW.

本実施形態においては、ガイドリングより基板側へのコンタミを防ぐことができるという効果を奏することができる。 In this embodiment, it is possible to prevent contamination from the guide ring to the substrate side.

以下、本発明に係るドライエッチング方法、ドライエッチング装置の第３実施形態を、図面に基づいて説明する。
図９は、本実施形態におけるドライエッチング装置を示す模式平面図である。図１０は、本実施形態におけるカセットを示す模式正面図である。
本実施形態において上述した第１および第２実施形態と異なるのはカセットに関する点である。 A dry etching method and a dry etching apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 9 is a schematic plan view showing a dry etching apparatus according to this embodiment. FIG. 10 is a schematic front view showing the cassette in this embodiment.
This embodiment differs from the above-described first and second embodiments in terms of the cassette.

本実施形態においては、基板ＷおよびガイドリングＧＲは、カセットＣに収納されて、ドライエッチング装置１０に搬入および搬出される。 In this embodiment, the substrate W and the guide ring GR are accommodated in the cassette C and carried into and out of the dry etching apparatus 10 .

ホイスト１１ｃＷとホイスト１１ｃＧＲとは、図９に示すように、基板Ｗの中心と一致する基板保持部１１ｃの中心から、同一の直線上に位置するように配置されている。 The hoist 11cW and the hoist 11cGR are arranged on the same straight line from the center of the substrate holding part 11c that coincides with the center of the substrate W, as shown in FIG.

本実施形態のドライエッチング装置１０においては、図９に示すように、トランスファチャンバ１２の内部に、複数枚の基板Ｗおよび複数枚のガイドリングＧＲがカセットＣに収納されて載置可能とされる。
トランスファチャンバ１２には、図９に示すように、密閉部１５ｂの正面に収納部としてカセットＣが載置可能である。 In the dry etching apparatus 10 of the present embodiment, as shown in FIG. 9, a plurality of substrates W and a plurality of guide rings GR can be accommodated in a cassette C and placed inside a transfer chamber 12. .
In the transfer chamber 12, as shown in FIG. 9, a cassette C can be placed in front of the sealed portion 15b as a storage portion.

搬送装置（搬送ロボット）１２ｂにおいて、ロボットアーム１２ｂ１は互いに屈曲可能な複数の能動アームから構成されている。図９に示す例では、２つの屈曲軸を有する構成とされている。搬送装置１２ｂは、被搬送物である基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１，トランスファチャンバ１２，ロード／アンロード室１３間で移動させることができる。なお、搬送装置１２ｂとして、ロボットアームを回転軸こと水平方向位置に移動させるか、基板Ｗをさらに水平方向に移動させる追加移動手段を設けることもできる。 In the transport device (transport robot) 12b, a robot arm 12b1 is composed of a plurality of active arms that are bendable with each other. The example shown in FIG. 9 is configured to have two bending axes. The transport device 12 b can move the substrate W and/or the guide ring GR, which are the objects to be transported, among the dry etching chamber 11 , the transfer chamber 12 and the load/unload chamber 13 . As the transport device 12b, additional moving means for moving the robot arm to the horizontal position, ie, the rotation axis, or moving the substrate W further in the horizontal direction may be provided.

トランスファチャンバ１２は、ドアバルブ等とされる密閉部１５ｂによって、ロード／アンロード室１３と密閉可能に連結されている。ロード／アンロード室１３とトランスファチャンバ１２とは、互いに基板Ｗおよび／またはガイドリングＧＲをやり取り可能とされている。トランスファチャンバ１２は、密閉可能とされる。 The transfer chamber 12 is hermetically connected to the load/unload chamber 13 by a sealing portion 15b such as a door valve. The loading/unloading chamber 13 and the transfer chamber 12 are capable of exchanging substrates W and/or guide rings GR with each other. The transfer chamber 12 is sealable.

トランスファチャンバ１２の内部においては、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂは、密閉部１５ｂの正面に位置する。 Inside the transfer chamber 12, a transfer device (transfer robot) 12b is positioned in front of the sealed portion 15b.

トランスファチャンバ１２においては、図９に示すように、密閉部１５ｂと密閉部１５ａとが対向する位置に配置される。トランスファチャンバ１２においては、密閉部１５ｂと密閉部１５ａとの間に収納部としてのカセットＣが載置される位置、および、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂが配置される。 In the transfer chamber 12, as shown in FIG. 9, the sealing portion 15b and the sealing portion 15a are arranged at positions facing each other. In the transfer chamber 12, a position where the cassette C is placed as a storage section and a transfer device (transfer robot) 12b are arranged between the sealed section 15b and the sealed section 15a.

したがって、トランスファチャンバ１２においては、図９に示すように、密閉部１５ｂ、収納部としてのカセットＣの載置位置、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂ、密閉部１５ａの順に並んで配置される。 Therefore, in the transfer chamber 12, as shown in FIG. 9, the sealed portion 15b, the placement position of the cassette C as a storage portion, the transfer device (transfer robot) 12b, and the sealed portion 15a are arranged in this order.

トランスファチャンバ１２には、後述するロード／アンロード室１３のカセット移動部１１ｆと協働して、ロード／アンロード室１３とトランスファチャンバ１２との間でカセットＣを移動するカセット移動部１２ｆが設けられる。 The transfer chamber 12 is provided with a cassette moving section 12f that moves the cassette C between the load/unload chamber 13 and the transfer chamber 12 in cooperation with a cassette moving section 11f of the load/unload chamber 13, which will be described later. be done.

ロード／アンロード室１３には、後述するトランスファチャンバ１２のカセット移動部１２ｆと協働して、ロード／アンロード室１３とトランスファチャンバ１２との間でカセットＣを移動するカセット移動部１３ｆが設けられる。 The loading/unloading chamber 13 is provided with a cassette moving portion 13f that moves the cassette C between the loading/unloading chamber 13 and the transfer chamber 12 in cooperation with a cassette moving portion 12f of the transfer chamber 12, which will be described later. be done.

カセット移動部１３ｆ，１２ｆは、密閉部１５ａが開放されている状態でロード／アンロード室１３とトランスファチャンバ１２との間でカセットＣを移動可能とされる。
カセット移動部１３ｆおよびカセット移動部１２ｆは、ガイドリング交換部の一部を構成する。 The cassette moving parts 13f and 12f can move the cassette C between the load/unload chamber 13 and the transfer chamber 12 while the sealing part 15a is open.
The cassette moving portion 13f and the cassette moving portion 12f constitute a part of the guide ring replacement portion.

なお、基板Ｗは、シリコン基板、ＳｉＣ基板、ニオブ酸リチウム基板、サファイア基板、砒化ガリウム基板、リン化インジウム基板、ニオブ酸リチウム基板、タンタル酸リチウム基板のいずれかとされることができ、また、複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３は、例えば、ＳｉＯ_２、Ｓｉ、Ａｌ，Ｃｏ．Ｃｕ，Ｍｏ，Ｔｉ，ＳｉＣ、Ｃ、ＧａＮ、ＡｌＮ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｕなどから選択されたものとすることができる。
さらに、これら複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３に対応して、ガイドリングＧＲは、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、ＳｉＣ、Ｐｌ、Ｃ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｒｕなどから選択されたものとすることができる。
被処理層と、ガイドリングＧＲとの対応は、具体的には、ＡｌとＡｌ_２Ｏ_３、ＭｏとＰＩとすることができる。 The substrate W can be any one of a silicon substrate, a SiC substrate, a lithium niobate substrate, a sapphire substrate, a gallium arsenide substrate, an indium phosphide substrate, a lithium niobate substrate, and a lithium tantalate substrate. to-be-processed layers W1, W2, W3 are, for example, SiO ₂ , Si, Al, Co. It can be selected from Cu, Mo, Ti, SiC, C, GaN, AlN, Al, W, Mo, Ti, Cr, Ru and the like.
Further, the guide ring GR is selected from Si, SiO2 _, SiC, Pl, C, Al, W, Mo, Ti, Cr, Ru, etc., corresponding to the plurality of layers to be processed W1, W2, W3. can be
Specifically, the correspondence between the layer to be processed and the guide ring GR can be Al and Al ₂ O ₃ , and Mo and PI.

本実施形態のカセットＣは、複数枚の基板Ｗを収納する基板収納部ＣＷと、複数枚のガイドリングＧＲを収納するガイドリング収納部ＣＧＲとを有する。
カセットＣにおいては、基板収納部ＣＷがガイドリング収納部ＣＧＲの上部に配置されている。 The cassette C of this embodiment has a substrate storage portion CW for storing a plurality of substrates W and a guide ring storage portion CGR for storing a plurality of guide rings GR.
In the cassette C, the substrate housing portion CW is arranged above the guide ring housing portion CGR.

基板収納部ＣＷとガイドリング収納部ＣＧＲとは、収納する基板ＷおよびガイドリングＧＲの径方向寸法に対応して、基板収納部ＣＷに比べて、ガイドリング収納部ＣＧＲが大きな水平方向寸法を有する。
したがって、カセットＣは、上側部分に比べて、下側部分が大きな幅寸法を有する。 The substrate housing portion CW and the guide ring housing portion CGR have a larger horizontal dimension than the substrate housing portion CW, corresponding to the radial dimension of the substrate W and the guide ring GR. .
Therefore, cassette C has a larger width dimension in the lower portion than in the upper portion.

基板収納部ＣＷとガイドリング収納部ＣＧＲとは、同一側となる側壁が開口されており、基板収納部ＣＷの底部とガイドリング収納部ＣＧＲの天井部とは隔離されている。 Side walls on the same side of the board storage part CW and the guide ring storage part CGR are opened, and the bottom part of the board storage part CW and the ceiling part of the guide ring storage part CGR are separated.

基板収納部ＣＷは、略箱形とされる。基板収納部ＣＷの側壁部分には、複数枚の基板Ｗを表面が水平な状態として、かつ、互いに等しい間隔で平行に離間する状態として支持可能とする基板縁支持部ＣＷ１，ＣＷ１が上下方向に複数設けられる。 The substrate housing portion CW is substantially box-shaped. On the side wall portion of the substrate housing portion CW, substrate edge support portions CW1, CW1 are arranged vertically to support a plurality of substrates W with their surfaces horizontal and spaced parallel to each other at equal intervals. Multiple are provided.

ガイドリング収納部ＣＧＲは、略箱形とされる。ガイドリング収納部ＣＧＲの側壁部分には、複数枚のガイドリングＧＲを表面が水平な状態として、かつ、互いに等しい間隔で平行に離間する状態として支持可能とするガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１が上下方向に複数設けられる。 The guide ring housing portion CGR is substantially box-shaped. Guide ring edge support portions CGR1 and CGR1 are provided on the side wall portion of the guide ring housing portion CGR to support a plurality of guide rings GR with their surfaces horizontal and in a state of being spaced parallel to each other at equal intervals. A plurality of them are provided in the vertical direction.

図３に示す基板準備工程Ｓ０１においては、図９に示すドライエッチング装置１０におけるロード／アンロード室１３に基板Ｗを搬入できるように、ロード／アンロード室１３の外部位置において、図１０に示すカセットＣの基板収納部ＣＷに複数枚の基板Ｗを収納する。この際、基板Ｗの縁部が、基板縁支持部ＣＷ１，ＣＷ１に載置される。 In the substrate preparation step S01 shown in FIG. 3, the substrate W is placed outside the load/unload chamber 13 shown in FIG. A plurality of substrates W are stored in the substrate storage part CW of the cassette C. At this time, the edge portion of the substrate W is placed on the substrate edge support portions CW1, CW1.

図３に示すガイドリング準備工程Ｓ０２においては、図９に示すドライエッチング装置１０におけるロード／アンロード室１３にガイドリングＧＲを搬入できるように、ロード／アンロード室１３の外部位置において、図１０に示すカセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲに複数枚のガイドリングＧＲを収納する。この際、ガイドリングＧＲの縁部が、ガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１に載置される。 In the guide ring preparation step S02 shown in FIG. 3, the guide ring GR is placed outside the load/unload chamber 13 so that the guide ring GR can be carried into the load/unload chamber 13 in the dry etching apparatus 10 shown in FIG. A plurality of guide rings GR are accommodated in the guide ring accommodating portion CGR of the cassette C shown in FIG. At this time, the edge of the guide ring GR is placed on the guide ring edge support portions CGR1, CGR1.

ここで、複数枚のガイドリングＧＲの材質は、基板Ｗに積層された複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の材質に対応して、エッチング処理における分布およびエッチング特性を最適化するように選択される。 Here, the materials of the plurality of guide rings GR are selected in accordance with the materials of the plurality of layers to be processed W1, W2, W3 laminated on the substrate W so as to optimize the distribution and etching characteristics in the etching process. be done.

また、カセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲにおいては、エッチング処理をおこなう複数の被処理層Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３に対応した順番となるように、ガイドリングＧＲの縁部を、上下方向に位置するガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１にそれぞれ載置する。 Further, in the guide ring housing portion CGR of the cassette C, the edge portion of the guide ring GR is vertically positioned so as to be in the order corresponding to the plurality of layers W1, W2, and W3 to be etched. They are placed on the ring edge support portions CGR1, CGR1, respectively.

次いで、図３に示すガイドリング搬入工程Ｓ０３および基板搬入工程Ｓ０４においては、図１に示す密閉部１５ｃを開放して、基板準備工程Ｓ０１およびガイドリング準備工程Ｓ０２においてカセットＣに収納した複数枚の基板ＷおよびガイドリングＧＲをロード／アンロード室１３に搬入する。 Next, in the guide ring loading step S03 and the substrate loading step S04 shown in FIG. 3, the sealed portion 15c shown in FIG. The substrate W and guide ring GR are carried into the load/unload chamber 13 .

さらに、ガイドリング搬入工程Ｓ０３および基板搬入工程Ｓ０４においては、密閉部１５ｃを閉塞した後、ロード／アンロード室１３をベントして、密閉部１５ｂを開放し、カセット移動部１１ｆ，１２ｆによって、基板ＷおよびガイドリングＧＲの収納されたカセットＣをトランスファチャンバ１２に搬入し、カセットＣをトランスファチャンバ１２の基板載置位置およびガイドリング載置位置（収納部）に載置する。
カセットＣの収納部への載置が終了したら、密閉部１５ｂを閉塞しておく。 Further, in the guide ring loading step S03 and the substrate loading step S04, after closing the sealed portion 15c, the load/unload chamber 13 is vented to open the sealed portion 15b, and the substrates are moved by the cassette moving portions 11f and 12f. The cassette C containing W and the guide ring GR is loaded into the transfer chamber 12, and the cassette C is mounted at the substrate mounting position and the guide ring mounting position (storage portion) of the transfer chamber 12. As shown in FIG.
After the cassette C has been placed in the storage section, the sealing section 15b is closed.

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図９に示す密閉部１５ａを開放して、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚のガイドリングＧＲから一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the guide ring setting step S11 shown in FIG. 3, the sealed portion 15a shown in FIG. One of the guide rings GR is selected and carried into the dry etching chamber 11 .

ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、カセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲにおいて、ガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１にそれぞれ載置したガイドリングＧＲのうち、一番上にある一枚を選択し、このガイドリングＧＲの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＧＲにガイドリングＧＲを載置する。
その後、図４（ａ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。 In the guide ring setting step S11, the top one of the guide rings GR placed on the guide ring edge support portions CGR1, CGR1 in the guide ring storage portion CGR of the cassette C is selected, and this guide ring is selected. A robot hand 12bGR of a transport device (transport robot) 12b is inserted under the ring GR and lifted, and the guide ring GR is placed on the robot hand 12bGR.
Thereafter, as shown in FIG. 4A, the transport device (transport robot) 12b is driven to move the guide ring GR placed on the robot hand 12bGR to the outer periphery of the substrate W in the substrate holding portion 11c of the dry etching chamber 11. Move to the upper position.

次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１１においては、図４（ｃ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に載置する。 Next, in the guide ring setting step S11, as shown in FIG. 4C, the robot hand 12bGR is retracted from the upper position of the substrate holding portion 11c, and the hoist 11cGR is lowered to move the guide ring GR to the substrate holding portion. The substrate W is placed at the outer peripheral position of the portion 11c.

次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚の基板Ｗから一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the substrate setting step S12 shown in FIG. 3, the plurality of substrates stored in the cassette C placed in the storage portion of the transfer chamber 12 in the substrate loading step S04 is opened with the sealed portion 15a shown in FIG. , one substrate W is selected and carried into the dry etching chamber 11 .

基板セット工程Ｓ１２においては、カセットＣの基板収納部ＣＷにおいて、基板縁支持部ＣＷ１，ＣＷ１にそれぞれ載置した基板Ｗのうち、所定箇所にある一枚を選択し、この基板Ｗの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＷに基板Ｗを載置する。
その後、図４（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。 In the substrate setting step S12, one of the substrates W placed on the substrate edge support portions CW1 and CW1 in the substrate storage portion CW of the cassette C is selected at a predetermined position, and placed under the substrate W. A robot hand 12bW of a transport device (transport robot) 12b is inserted and raised, and the substrate W is placed on the robot hand 12bW.
Thereafter, as shown in FIG. 4D, the transport device (transport robot) 12b is driven to move the substrate W placed on the robot hand 12bW to the processing position of the substrate W in the substrate holder 11c of the dry etching chamber 11. Move to the upper side.

次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｆ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＷを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置に載置する。 Next, in the substrate setting step S12, as shown in FIG. 4(f), the robot hand 12bW is retracted from the upper position of the substrate holding portion 11c, and the hoist 11cW is lowered to move the substrate W to the substrate holding portion 11c. The substrate W is placed at the processing position in .

次いで、図３に示すエッチング工程Ｓ１３においては、図９に示す密閉部１５ａを閉塞して、基板セット工程Ｓ１２においてドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃに載置した基板Ｗをエッチング処理する。 Next, in the etching step S13 shown in FIG. 3, the sealing portion 15a shown in FIG. 9 is closed, and the substrate W placed on the substrate holding portion 11c of the dry etching chamber 11 is etched in the substrate setting step S12.

次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図９に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ３のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２のガイドリング載置位置（収納部）に載置する。 3, the sealing part 15a shown in FIG. 9 is opened, and the guide ring GR corresponding to the etching of the layer W3 to be processed used in the etching step S13 is removed from the dry etching chamber 11. It is taken out and placed in the guide ring placement position (storage portion) of the transfer chamber 12 .

次いで、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。さらに、図５（ｃ）に示すように、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて退避させる。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置されたガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲに収納する。 Next, in the guide ring removing step S14, the hoist 11cGR is lowered to place the guide ring GR on the robot hand 12bGR. Further, as shown in FIG. 5(c), the hoist 11cGR is lowered and retracted.
Next, the transfer device (transfer robot) 12b is driven to store the guide ring GR placed on the robot hand 12bGR in the guide ring storage portion CGR of the cassette C placed in the transfer chamber 12 storage portion.

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１とは異なり、ガイドリング収納部ＣＧＲの２番目に収納されている被処理層Ｗ２のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the guide ring setting step S15 shown in FIG. 3, the guide ring is stored in the cassette C placed in the storage portion of the transfer chamber 12 in the guide ring loading step S03 with the sealed portion 15a shown in FIG. 9 opened. Unlike the guide ring setting step S11, one guide ring GR corresponding to the etching of the layer W2 to be processed, which is stored second in the guide ring storage part CGR, is selected from a plurality of guide rings GR, This is carried into the dry etching chamber 11 .

ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、カセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲにおいて、ガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１にそれぞれ載置したガイドリングＧＲのうち、２番目にある一枚を選択し、このガイドリングＧＲの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＧＲにガイドリングＧＲを載置する。
その後、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。 In the guide ring setting step S15, the second one of the guide rings GR placed on the guide ring edge support portions CGR1, CGR1 in the guide ring storage portion CGR of the cassette C is selected, and this guide ring A robot hand 12bGR of a transport device (transport robot) 12b is inserted under the GR and lifted, and the guide ring GR is placed on the robot hand 12bGR.
After that, as shown in FIG. 5D, the guide ring GR placed on the robot hand 12bGR of the transport device (transport robot) 12b is moved to the upper side of the substrate W in the substrate holding portion 11c of the dry etching chamber 11, which is the outer peripheral position of the substrate W. move to

次いで、ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図５（ｅ）に示すように、ロボットハンド１２ｂＧＲを基板保持部１１ｃにおける上側位置から退避するとともに、さらに、ホイスト１１ｃＧＲを下降させて、ガイドリングＧＲを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置に載置する。 Next, in the guide ring setting step S15, as shown in FIG. 5(e), the robot hand 12bGR is retracted from the upper position of the substrate holding part 11c, and the hoist 11cGR is lowered to move the guide ring GR The substrate W is placed at the outer peripheral position of the substrate holding portion 11c.

次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ２のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣに収納する。 3, the sealing portion 15a shown in FIG. 1 is opened, and the guide ring GR corresponding to the etching of the layer W2 to be processed used in the etching step S13 is removed from the dry etching chamber 11. It is taken out and stored in the cassette C placed in the storage portion of the transfer chamber 12 .

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１とは異なり、ガイドリング収納部ＣＧＲの３番目に収納されている被処理層Ｗ１のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the guide ring setting step S15 shown in FIG. 3, the guide ring is stored in the cassette C placed in the storage portion of the transfer chamber 12 in the guide ring loading step S03 with the sealed portion 15a shown in FIG. 9 opened. Unlike the guide ring setting step S11, one guide ring GR corresponding to the etching of the layer W1 to be processed, which is stored third in the guide ring storage part CGR, is selected from a plurality of guide rings GR, This is carried into the dry etching chamber 11 .

ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、カセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲにおいて、ガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１にそれぞれ載置したガイドリングＧＲのうち、３番目にある一枚を選択し、このガイドリングＧＲの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＧＲにガイドリングＧＲを載置する。
その後、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。 In the guide ring setting step S15, of the guide rings GR placed on the guide ring edge support portions CGR1 and CGR1 in the guide ring storage portion CGR of the cassette C, the third one is selected and this guide ring A robot hand 12bGR of a transport device (transport robot) 12b is inserted under the GR and lifted, and the guide ring GR is placed on the robot hand 12bGR.
After that, as shown in FIG. 5D, the guide ring GR placed on the robot hand 12bGR of the transport device (transport robot) 12b is moved to the upper side of the substrate W in the substrate holding portion 11c of the dry etching chamber 11, which is the outer peripheral position of the substrate W. move to

次いで、図３に示すガイドリング取り出し工程Ｓ１４においては、図１に示す密閉部１５ａを開放して、エッチング工程Ｓ１３において用いた被処理層Ｗ１のエッチングに対応するガイドリングＧＲをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣに収納する。 3, the sealing portion 15a shown in FIG. 1 is opened, and the guide ring GR corresponding to the etching of the layer W1 to be processed used in the etching step S13 is removed from the dry etching chamber 11 It is taken out and stored in the cassette C placed in the storage portion of the transfer chamber 12 .

次いで、図３に示すガイドリングセット工程Ｓ１５においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、ガイドリング搬入工程Ｓ０３においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚のガイドリングＧＲから、ガイドリングセット工程Ｓ１１と同様に、ガイドリング収納部ＣＧＲの１番目に収納されている被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲを選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。
この場合、被処理層Ｗ３のエッチングに対応する一枚のガイドリングＧＲは、先に使用したガイドリングＧＲとすること、あるいは、新たな未使用のガイドリングＧＲとすることもできる。 Next, in the guide ring setting step S15 shown in FIG. 3, the guide ring is stored in the cassette C placed in the storage portion of the transfer chamber 12 in the guide ring loading step S03 with the sealed portion 15a shown in FIG. 9 opened. One guide ring GR corresponding to the etching of the layer W3 to be processed, which is first stored in the guide ring storage part CGR, is selected from a plurality of guide rings GR, in the same manner as in the guide ring setting step S11, This is carried into the dry etching chamber 11 .
In this case, one guide ring GR corresponding to the etching of the layer W3 to be processed can be the previously used guide ring GR or a new unused guide ring GR.

ガイドリングセット工程Ｓ１５においては、カセットＣのガイドリング収納部ＣＧＲにおいて、ガイドリング縁支持部ＣＧＲ１，ＣＧＲ１にそれぞれ載置したガイドリングＧＲのうち、１番目にある一枚を選択し、このガイドリングＧＲの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＧＲにガイドリングＧＲを載置する。
その後、図５（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＧＲに載置したガイドリングＧＲを、ドライエッチング室１１の基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの外周位置となる上側に移動する。 In the guide ring setting step S15, the first one of the guide rings GR placed on the guide ring edge support portions CGR1 and CGR1 in the guide ring storage portion CGR of the cassette C is selected, and this guide ring A robot hand 12bGR of a transport device (transport robot) 12b is inserted under the GR and lifted, and the guide ring GR is placed on the robot hand 12bGR.
After that, as shown in FIG. 5D, the guide ring GR placed on the robot hand 12bGR of the transport device (transport robot) 12b is moved to the upper side of the substrate W in the substrate holding portion 11c of the dry etching chamber 11, which is the outer peripheral position of the substrate W. move to

次いで、図３に示す基板取り出し工程Ｓ１６においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５を繰り返して、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングが終了した基板Ｗをドライエッチング室１１から取り出して、これをトランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣに収納する。 Next, in the substrate extraction step S16 shown in FIG. 3, the etching step S13, the guide ring extraction step S14, and the guide ring setting step S15 are repeated with the sealed portion 15a shown in FIG. After etching W3, W2 and W1, the substrate W is taken out from the dry etching chamber 11 and stored in a cassette C placed in a storage portion of the transfer chamber 12. FIG.

次いで、基板取り出し工程Ｓ１６においては、ホイスト１１ｃＷを下降させて、基板Ｗを、ロボットハンド１２ｂＧＲに載置する。
次いで、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂを駆動して、ロボットハンド１２ｂＷに載置された処理済みの基板Ｗを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置されたカセットＣの基板収納部ＣＷに収納する。 Next, in the substrate unloading step S16, the hoist 11cW is lowered to place the substrate W on the robot hand 12bGR.
Next, the transport device (transport robot) 12b is driven to store the processed substrate W placed on the robot hand 12bW in the substrate storage portion CW of the cassette C placed in the storage portion of the transfer chamber 12. .

次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２においては、図９に示す密閉部１５ａを開放した状態で、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数枚の基板Ｗから、新たに未処理の一枚を選択して、これをドライエッチング室１１に搬入する。 Next, in the substrate setting step S12 shown in FIG. 3, the plurality of substrates stored in the cassette C placed in the storage portion of the transfer chamber 12 in the substrate loading step S04 is opened with the sealed portion 15a shown in FIG. A new unprocessed substrate W is selected from among the substrates W in the above, and is carried into the dry etching chamber 11 .

基板セット工程Ｓ１２においては、カセットＣの基板収納部ＣＷにおいて、基板縁支持部ＣＷ１，ＣＷ１にそれぞれ載置した基板Ｗのうち、所定箇所にある一枚を選択し、この基板Ｗの下側に搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷを差し込んで上昇させ、ロボットハンド１２ｂＷに基板Ｗを載置する。
その後、図４（ｄ）に示すように、搬送装置（搬送ロボット）１２ｂのロボットハンド１２ｂＷに載置した基板Ｗを、基板保持部１１ｃにおける基板Ｗの処理位置となる上側に移動する。 In the substrate setting step S12, one of the substrates W placed on the substrate edge support portions CW1 and CW1 in the substrate storage portion CW of the cassette C is selected at a predetermined position, and placed under the substrate W. A robot hand 12bW of a transport device (transport robot) 12b is inserted and raised, and the substrate W is placed on the robot hand 12bW.
After that, as shown in FIG. 4D, the substrate W placed on the robot hand 12bW of the transport device (transport robot) 12b is moved to the upper side where the substrate W is processed in the substrate holder 11c.

次いで、基板セット工程Ｓ１２においては、図４（ｅ）に示すように、ホイスト１１ｃＷを上昇させて、基板Ｗをロボットハンド１２ｂＷに接触しない程度に上昇させる。このとき、基板Ｗはホイスト１１ｃＷによって支持される。 Next, in the substrate setting step S12, as shown in FIG. 4E, the hoist 11cW is raised to raise the substrate W to such an extent that it does not come into contact with the robot hand 12bW. At this time, the substrate W is supported by the hoist 11cW.

次いで、図３に示す基板セット工程Ｓ１２、エッチング工程Ｓ１３、ガイドリング取り出し工程Ｓ１４、ガイドリングセット工程Ｓ１５、基板取り出し工程Ｓ１６を繰り返して、基板搬入工程Ｓ０４においてトランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納されている複数の基板Ｗに対する全ての処理を終了する。 Next, the substrate setting step S12, the etching step S13, the guide ring removing step S14, the guide ring setting step S15, and the substrate removing step S16 shown in FIG. All the processes for the plurality of substrates W stored in the cassette C are completed.

このとき、エッチング処理の終了した全ての基板Ｗは、トランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納しておく。
なお、全ての基板Ｗでエッチング処理が終了した際には、ガイドリングセット工程Ｓ１５による次のガイドリングＧＲを、カセットＣからのドライエッチング室１１へ移動しないことが好ましい。 At this time, all the substrates W for which the etching process has been completed are stored in the cassette C placed in the storage portion of the transfer chamber 12 .
It is preferable not to move the next guide ring GR from the cassette C to the dry etching chamber 11 after the guide ring setting step S15 when the etching process for all the substrates W is completed.

同様に、基板Ｗに対する全ての処理が終了したら、全てのガイドリングＧＲを、トランスファチャンバ１２の収納部に載置したカセットＣに収納しておく。
全ての基板Ｗと全てのガイドリングを、トランスファチャンバ１２収納部に載置したカセットＣに収納した後に、密閉部１５ａを閉塞しておく。 Similarly, after all the processes for the substrates W are completed, all the guide rings GR are housed in the cassette C placed in the housing portion of the transfer chamber 12 .
After storing all the substrates W and all the guide rings in the cassette C placed in the storage portion of the transfer chamber 12, the sealing portion 15a is closed.

次いで、図３に示す基板搬出工程Ｓ２１およびガイドリング搬出工程Ｓ２２として、処理の終了した全ての基板ＷとガイドリングＧＲとをトランスファチャンバ１２から取り出す。 Next, as a substrate unloading step S21 and a guide ring unloading step S22 shown in FIG. 3, all the processed substrates W and the guide rings GR are taken out from the transfer chamber 12 .

基板搬出工程Ｓ２１およびガイドリング搬出工程Ｓ２２においては、図９に示す密閉部１５ｂを開放して、カセット移動部１１ｆ，１２ｆによって、処理の終了した全ての基板ＷとガイドリングＧＲとの収納されたカセットＣを、トランスファチャンバ１２の収納部からロード／アンロード室１３に搬出する。
さらに、密閉部１５ｂを閉塞した後、ロード／アンロード室１３を外部と同圧として、密閉部１５ｃを開放し、カセットＣを外部に搬出する。
複数枚の基板ＷとガイドリングＧＲとの収納されたカセットＣを外部に搬出したら、密閉部１５ｃを閉塞しておく。 In the substrate unloading process S21 and the guide ring unloading process S22, the sealing part 15b shown in FIG. The cassette C is unloaded from the storage portion of the transfer chamber 12 to the load/unload chamber 13 .
Further, after closing the sealed portion 15b, the pressure in the load/unload chamber 13 is set to the same pressure as the outside, the sealed portion 15c is opened, and the cassette C is carried out to the outside.
After carrying out the cassette C containing the plurality of substrates W and the guide ring GR to the outside, the sealing portion 15c is closed.

以上により、本実施形態におけるドライエッチング方法を終了する。 With the above, the dry etching method according to the present embodiment is completed.

本実施形態におけるドライエッチング装置１０によるドライエッチング方法においては、処理の感度が異なる材質を有する複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１にそれぞれ対応して、ドライエッチングの途中で異なるガイドリングＧＲを選択して、In-situにてガイドリングＧＲを交換して切り替えることにより、エッチングをおこなう複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１に対応してラジカル、あるいは、副生成物の分布を最適化して、複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のドライエッチングにおいて、分布、および、エッチング特性を最適化することが容易となる。 In the dry etching method using the dry etching apparatus 10 of the present embodiment, different guide rings GR are selected during dry etching corresponding to the plurality of layers to be processed W3, W2, W1 having materials with different processing sensitivities. Then, by exchanging and switching the guide ring GR in-situ, the distribution of radicals or by-products is optimized corresponding to the plurality of layers to be etched W3, W2, W1 to be etched, In the dry etching of the plurality of layers W3, W2, and W1 to be processed, it becomes easy to optimize the distribution and etching characteristics.

これにより、材質の異なる複数の被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１が積層された基板Ｗに対するドライエッチングにおいて、各被処理層Ｗ３，Ｗ２，Ｗ１のエッチングを最適化することが可能となる。 This makes it possible to optimize the etching of each of the layers W3, W2, and W1 to be processed in the dry etching of the substrate W on which a plurality of layers to be processed W3, W2, and W1 made of different materials are laminated.

また、本実施形態においては、上述するカセットＣを用いることにより、収納したガイドリングＧＲから基板Ｗに対するパーティクル等による汚染発生を防止することができる。同時に、カセットＣを交換することで、タクトタイムを短縮することが可能となる。 In addition, in the present embodiment, by using the cassette C described above, it is possible to prevent the substrate W from being contaminated by particles or the like from the accommodated guide ring GR. At the same time, by exchanging the cassette C, the tact time can be shortened.

さらに、本実施形態においては、装置価格を安価に抑えることができるという効果を奏することができる。 Furthermore, in this embodiment, it is possible to achieve the effect that the device price can be kept low.

さらに、本実施形態においては、基板ＷとガイドリングＧＲとを別のカセットによって搬入・搬出することも可能である。または、基板ＷとガイドリングＧＲとのどちらかのみをカセットによって搬入・搬出することも可能である。 Furthermore, in this embodiment, it is also possible to carry in/out the substrate W and the guide ring GR using separate cassettes. Alternatively, either the substrate W or the guide ring GR can be carried in/out by the cassette.

なお、本発明においては、上記の各実施形態におけるそれぞれの構成を一部、あるいは適宜組み合わせて実施することも可能である。 In addition, in the present invention, it is also possible to implement a part of each configuration in each of the above-described embodiments or an appropriate combination thereof.

以下、本発明にかかる実施例を説明する。 Examples of the present invention will be described below.

なお、本発明におけるドライエッチング方法の具体例として、ガイドリング交換に対するドライエッチング確認試験について説明する。 As a specific example of the dry etching method according to the present invention, a dry etching confirmation test for guide ring replacement will be described.

＜実験例１＞
図２に示す基板に対して、図１に示すドライエッチング装置を用いて、ドライエッチングをおこなった。この際、基板に積層された被処理層に対応して、ガイドリングをin-situにて交換した。 <Experimental example 1>
Dry etching was performed on the substrate shown in FIG. 2 using the dry etching apparatus shown in FIG. At this time, the guide ring was exchanged in-situ corresponding to the layer to be processed laminated on the substrate.

以下に、ドライエッチング確認試験における諸元を示す。
基板寸法；φ１００ｍｍ
レジスト；フォトレジスト
レジスト膜厚；１μｍ The specifications in the dry etching confirmation test are shown below.
Substrate size; φ100mm
Resist; photoresist Resist film thickness; 1 μm

被処理層Ｗ２；Ａｌ；膜厚２００ｎｍ
被処理層Ｗ２エッチング条件
対応ガイドリング材質；アルミナ
エッチング時間；４０ｓｅｃ
エッチングガス；Ｃｌ_２／ＢＣｌ_３
ガス流量；５０ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍ
プラズマ発生電力；２００Ｗ
基板印加電力；５０Ｗ Layer to be processed W2; Al; film thickness 200 nm
Material of guide ring corresponding to etching conditions for layer to be processed W2: alumina Etching time: 40 sec
Etching gas; _Cl2 / _BCl3
Gas flow rate; 50 sccm/50 sccm
Plasma generation power; 200 W
Substrate applied power; 50 W

被処理層Ｗ１；Ｍｏ；膜厚２００ｎｍ
被処理層Ｗ１エッチング条件
対応ガイドリング材質；ＰＩ（ポリイミド）
エッチング時間；６０ｓｅｃ
エッチングガス；ＳＦ_６／Ｏ_２
ガス流量；４５ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ
プラズマ発生電力；２００Ｗ
基板印加電力；１５０Ｗ Layer to be processed W1; Mo; film thickness 200 nm
Material of guide ring corresponding to etching conditions of processed layer W1: PI (polyimide)
Etching time; 60 sec
Etching gas; _SF6 / _O2
Gas flow rate; 45 sccm/5 sccm
Plasma generation power; 200 W
Substrate applied power; 150 W

これらにより、エッチング処理をおこない、膜厚測定器によるエッチングレートを測定した。 Etching was performed using these, and the etching rate was measured with a film thickness measuring device.

また、比較のため、被処理層Ｗ２；Ａｌ及び被処理層Ｗ１；Ｍｏの場合に対応ガイドリング材質を石英とし、それぞれの被処理層に対して、ガイドリングを交換して同様にエッチング処理をおこない、膜厚測定器によるエッチングレートを測定した。
これらを比較した結果、被処理層Ｗ２；Ａｌのエッチングレート分布は±３％から±１％に、被処理層Ｗ１；Ｍｏのエッチングレート分布は±５％から±２％に改善した。 For comparison, in the case of the layer to be processed W2; Al and the layer to be processed W1; Mo, quartz was used as the corresponding guide ring material, and the same etching process was performed on each of the layers to be processed by exchanging the guide rings. Then, the etching rate was measured by a film thickness measuring device.
As a result of comparing these, the etching rate distribution of the layer to be processed W2; Al was improved from ±3% to ±1%, and the etching rate distribution of the layer to be processed W1; Mo was improved from ±5% to ±2%.

この結果から、被処理層に対して、最適なガイドリング材質を選択することで、エッチングにおける面内分布が改善することがわかる。 From this result, it can be seen that the in-plane distribution in etching can be improved by selecting the optimum guide ring material for the layer to be processed.

１０…ドライエッチング装置
１１…ドライエッチング室（処理空間）
１１ａ…エッチングガス供給部
１１ｂ…排気部
１１ｃ…基板保持部
１１ｃＷ，１１ｃＧＲ…ホイスト
１１ｆ…カセット移動部
１２…トランスファチャンバ（密閉空間）
１２ａ…排気部
１２ｂ，１８ｂ…搬送装置（搬送ロボット）
１２ｂ１，１８ｂ１…ロボットアーム
１２ｂＷ，１２ｂＧＲ，１８ｂＧＲ…ロボットハンド
１２ｆ…カセット移動部
１３…ロード／アンロード室
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ…密閉部
Ｃ…カセット
ＣＷ…基板収納部
ＣＷ１…基板縁支持部
ＣＧＲ…ガイドリング収納部
ＣＧＲ１…ガイドリング縁支持部
ＧＲ…ガイドリング
Ｗ…基板
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３…被処理層 10... Dry etching device 11... Dry etching chamber (processing space)
11a... Etching gas supply part 11b... Exhaust part 11c... Substrate holding part 11cW, 11cGR... Hoist 11f... Cassette moving part 12... Transfer chamber (closed space)
12a... Exhaust part 12b, 18b... Transfer device (transfer robot)
12b1, 18b1...Robot arms 12bW, 12bGR, 18bGR...Robot hand 12f...Cassette moving part 13...Load/unload chambers 15a, 15b, 15c...Sealing part C...Cassette CW...Substrate storage part CW1...Substrate edge support part CGR... Guide ring storage part CGR1... Guide ring edge support part GR... Guide ring W... Substrate W1, W2, W3... Layer to be processed

Claims

処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング方法であって、
前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられたガイドリングを前記被処理層に対応させて選択し、
それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する(c4)際に、
前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであるか、(c5)
前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドであ(c6)る
ことを特徴とするドライエッチング方法。 A dry etching method for continuously processing a substrate on which a plurality of types of layers to be processed are laminated in a processing space,
selecting a guide ring provided around the substrate corresponding to the layer to be processed when the layer to be processed changes ;
When selecting (c4) the material of the guide ring corresponding to the material of each of the layers to be processed,
(c5) whether the material of the layer to be treated is Al and the material of the guide ring is alumina;
A dry etching method, wherein the material of the layer to be processed is Mo, and the material of the guide ring is polyimide (c6) .

前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換する
ことを特徴とする請求項１記載のドライエッチング方法。 2. The dry etching method according to claim 1, wherein when the layer to be processed is changed, the guide ring provided around the substrate is replaced so as to correspond to the layer to be processed.

前記ガイドリングの交換が、外部から密閉されて前記処理空間に連通された密閉空間の内部でおこなわれる
ことを特徴とする請求項２記載のドライエッチング方法。 3. A dry etching method according to claim 2, wherein said exchange of said guide ring is performed inside a sealed space which is sealed from the outside and communicated with said processing space.

前記密閉空間に前記ガイドリングを収納する収納部が設けられる
ことを特徴とする請求項３記載のドライエッチング方法。 4. The dry etching method according to claim 3, wherein a storage portion for storing said guide ring is provided in said sealed space.

処理空間内において、複数種類の被処理層が積層された基板を連続して処理するドライエッチング装置であって、
ドライエッチングをおこなう前記処理空間と、
前記処理空間の内部に配置されて前記基板を載置する基板支持部と、
前記基板の周囲に設けられ前記被処理層に対応させて選択可能なガイドリングと、
前記処理空間に密閉可能に連通する密閉空間に配置されて前記ガイドリングを収納可能な収納部と、
前記被処理層の材質に対応して選択した前記ガイドリングを前記収納部から取り出して前記基板の周囲に配置するガイドリング交換部と、
を有し、
前記ガイドリング交換部が、ドライエッチング処理の進行に対応して前記被処理層が変わる時に、前記基板の周囲に設けられた前記ガイドリングを前記被処理層に対応させて交換し、
それぞれの前記被処理層の材質に対応して、前記ガイドリングの材質をそれぞれ選択する際に、
前記被処理層の材質がＡｌであり、前記ガイドリングの材質がアルミナであるか、
前記被処理層の材質がＭｏであり、前記ガイドリングの材質がポリイミドである
ことを特徴とするドライエッチング装置。 A dry etching apparatus for continuously processing substrates on which a plurality of types of layers to be processed are laminated in a processing space,
the processing space for performing dry etching;
a substrate support disposed inside the processing space on which the substrate is placed;
a guide ring provided around the substrate and selectable corresponding to the layer to be processed;
a storage unit that is disposed in a closed space that is in airtight communication with the processing space and that can store the guide ring;
a guide ring replacement unit that takes out the guide ring selected according to the material of the layer to be processed from the storage unit and arranges it around the substrate;
has
The guide ring replacement unit replaces the guide ring provided around the substrate so as to correspond to the layer to be processed when the layer to be processed changes as the dry etching process progresses ,
When selecting the material of the guide ring corresponding to the material of each of the layers to be processed,
whether the material of the layer to be treated is Al and the material of the guide ring is alumina;
A dry etching apparatus , wherein the material of the layer to be processed is Mo, and the material of the guide ring is polyimide .

前記収納部が、前記密閉空間に配置可能なカセットとされる
ことを特徴とする請求項５記載のドライエッチング装置。 6. A dry etching apparatus according to claim 5 , wherein said storage unit is a cassette that can be arranged in said sealed space.

前記カセットが、前記基板を収納可能である
ことを特徴とする請求項６記載のドライエッチング装置。 7. A dry etching apparatus according to claim 6 , wherein said cassette can accommodate said substrate.

前記カセットが、前記ガイドリングよりも上側に前記基板を収納可能である
ことを特徴とする請求項７記載のドライエッチング装置。 8. A dry etching apparatus according to claim 7 , wherein said cassette can accommodate said substrate above said guide ring.

前記処理空間は、プラズマを発生させるプラズマ発生部を有する
ことを特徴とする請求項５から８のいずれか記載のドライエッチング装置。 9. The dry etching apparatus according to any one of claims 5 to 8 , wherein said processing space has a plasma generator for generating plasma.