JP2010123733A - Substrate processing apparatus and processing method thereof, and storage medium - Google Patents

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俊治 平田
Masamichi Hara
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus continuing to produce products without interrupting the production of the products even when a dummy substrate is used. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus includes a processing section 2 which has a processing chamber 21a or 21b for processing a substrate W to be processed, a carrying-in/out chamber 31 which carries the substrate W to be processed in and out of the processing chamber 21a or 21b, load ports 32a to 32c for the substrate to be processed which are provided in the carrying-in/out chamber 31 and to which a carrier C for the substrate to be processed which houses the substrate W to be processed is attached, a load port 33 for the dummy substrate which is provided in the carrying-in/out chamber 31 and to which a dummy substrate carrier Cd housing the dummy substrate Wd is attached, and a dummy substrate storage section 34 which is provided in the carrying-in/out chamber 31 and stores the dummy substrate Wd. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、被処理基板に、成膜処理等の処理を施す基板処理装置に係わり、特に、被処理基板への処理を始める前、又は被処理基板への処理を終えた後、処理室にダミー基板を投入する基板処理装置及びその処理方法、並びにその処理方法を基板処理装置に実行させるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a process such as a film forming process on a substrate to be processed, and in particular, before starting a process on a substrate to be processed or after finishing a process on a substrate to be processed. The present invention relates to a substrate processing apparatus that inputs a dummy substrate, a processing method thereof, and a computer-readable storage medium that stores a program for causing the substrate processing apparatus to execute the processing method.

基板処理装置は、半導体ウエハ等の被処理基板に成膜等の処理を施す。   The substrate processing apparatus performs processing such as film formation on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer.

基板処理装置は、被処理基板への処理を始める前、又は被処理基板への処理を終えた後、処理室にダミー基板が投入される。ダミー基板を処理室内にある基板載置台上に載置した状態で、処理室の内部に堆積された膜のエッチング除去（クリーニング）、あるいは処理室の内部に予め膜を堆積するプリデポジション、あるいはメンテナンス後に実施されるバーンイン（慣らし運転）、あるいは成膜処理がスパッタ処理である場合には、膜源となる金属ターゲットの表面コンディショニング等が行われる。   In the substrate processing apparatus, a dummy substrate is placed in a processing chamber before starting processing on a target substrate or after finishing processing on a target substrate. Etching removal (cleaning) of a film deposited in the processing chamber in a state where the dummy substrate is placed on a substrate mounting table in the processing chamber, or pre-deposition for depositing a film in the processing chamber in advance, or When the burn-in (break-in operation) performed after the maintenance or the film forming process is a sputter process, surface conditioning of a metal target serving as a film source is performed.

このようなダミー基板を使用する基板処理装置は、例えば、特許文献１に記載されている。
特開平９−１４３６７４号公報 A substrate processing apparatus using such a dummy substrate is described in Patent Document 1, for example.
Japanese Patent Laid-Open No. 9-143673

ダミー基板は、ダミー基板を使用する処理の際に、外部から基板処理装置に搬入し、処理室に対して出し入れし、処理後は基板処理装置の外部に搬出することが一般的である。この点、特許文献１は、基板処理装置の内部にダミー基板を収容する収容室を備え、この収容室からダミー基板を処理室に対して出し入れする。このような構成を備えることで、特許文献１に記載された基板処理装置は、外部と基板処理装置との間でのダミー基板の搬入及び搬出作業を減らせる、という利点を得ることができる。   In general, the dummy substrate is carried into the substrate processing apparatus from the outside during processing using the dummy substrate, taken into and out of the processing chamber, and then carried out of the substrate processing apparatus after the processing. In this regard, Patent Document 1 includes a storage chamber for storing a dummy substrate inside the substrate processing apparatus, and the dummy substrate is taken into and out of the processing chamber from the storage chamber. By providing such a configuration, the substrate processing apparatus described in Patent Document 1 can obtain an advantage that the dummy substrate loading and unloading operations between the outside and the substrate processing apparatus can be reduced.

しかしながら、収容室に収容されたダミー基板が使用限度に達した時点で、基板処理装置における製品処理を続けることができなくなり、新しいダミー基板に交換されるまで、製品の生産が一時中断されることとなる。   However, when the dummy substrate stored in the storage chamber reaches the limit of use, the product processing in the substrate processing apparatus cannot be continued, and the production of the product is suspended until it is replaced with a new dummy substrate. It becomes.

この発明は、ダミー基板を使用しても、製品の生産を中断することなく、製品の生産を続けることができる基板処理装置及びその処理方法、並びにその処理方法を基板処理装置に実行させるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供することを目的とする。   The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of continuing product production without interrupting product production even when a dummy substrate is used, a processing method thereof, and a program for causing a substrate processing apparatus to execute the processing method. It is an object to provide a stored computer-readable storage medium.

この発明の第１の態様に係る基板処理装置は、被処理基板に処理を施す処理室を備えた処理部と、前記処理室に、前記被処理基板を搬入出する搬入出室と、前記搬入出室に設けられ、前記被処理基板を収容する被処理基板キャリアが取り付けられる被処理基板用ロードポートと、前記搬入出室に設けられ、ダミー基板を収容するダミー基板キャリアが取り付けられるダミー基板用ロードポートと、前記搬入出室に設けられ、前記ダミー基板を格納するダミー基板格納部と、を具備する。   A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes a processing unit including a processing chamber for processing a substrate to be processed, a loading / unloading chamber for loading / unloading the substrate to / from the processing chamber, and the loading / unloading chamber. A load port for a substrate to be processed, which is provided in an exit chamber and to which a substrate carrier to be processed that accommodates the substrate to be processed is attached; A load port; and a dummy substrate storage unit that is provided in the loading / unloading chamber and stores the dummy substrate.

この発明の第２の態様に係る基板処理方法は、被処理基板に処理を施す処理室を備えた処理部と、前記処理室に、前記被処理基板を搬入出する搬入出室と、前記搬入出室に設けられ、前記被処理基板を収容する被処理基板キャリアが取り付けられる被処理基板用ロードポートと、前記搬入出室に設けられ、ダミー基板を収容するダミー基板キャリアが取り付けられるダミー基板用ロードポートと、前記搬入出室に設けられ、前記ダミー基板を格納するダミー基板格納部と、を具備した基板処理装置の処理方法であって、前記基板処理装置の稼働中、前記ダミー基板格納部に使用可能なダミー基板を格納しておくとともに、前記ダミー基板用ロードポートに取り付けられた前記ダミー基板キャリアに使用可能なダミー基板を収容しておく。   A substrate processing method according to a second aspect of the present invention includes a processing unit including a processing chamber for processing a substrate to be processed, a loading / unloading chamber for loading / unloading the substrate to / from the processing chamber, and the loading / unloading chamber. A load port for a substrate to be processed, which is provided in an exit chamber and to which a substrate carrier to be processed that accommodates the substrate to be processed is attached; A processing method of a substrate processing apparatus, comprising: a load port; and a dummy substrate storage unit that is provided in the loading / unloading chamber and stores the dummy substrate, wherein the dummy substrate storage unit is in operation of the substrate processing apparatus. A usable dummy substrate is stored, and a usable dummy substrate is stored in the dummy substrate carrier attached to the dummy substrate load port.

この発明の第３の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、前記第１の態様に係る基板処理装置の処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる。   A storage medium according to a third aspect of the present invention is a computer-readable storage medium that operates on a computer and stores a program for controlling a substrate processing apparatus, and the program is executed when the first program is executed. The substrate processing apparatus is controlled by a computer so that the processing method of the substrate processing apparatus according to the above aspect is performed.

この発明によれば、ダミー基板を使用しても、製品の生産を中断することなく、製品の生産を続けることができる基板処理装置及びその処理方法、並びにその処理方法を基板処理装置に実行させるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供できる。   According to the present invention, even when a dummy substrate is used, the substrate processing apparatus, its processing method, and its processing method capable of continuing product production without interrupting product production are executed by the substrate processing apparatus. A computer-readable storage medium storing a program can be provided.

以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that common parts are denoted by common reference numerals throughout the drawings.

図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例を概略的に示す平面図である。   FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

図１に示すように、一実施形態に係る基板処理装置１は、被処理基板Ｗに処理を施す処理部２と、この処理部２に被処理基板Ｗを搬入出する搬入出部３と、装置１を制御する制御部４とを備えている。   As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment includes a processing unit 2 that performs processing on a substrate W to be processed, a loading / unloading unit 3 that loads and unloads the substrate W to / from the processing unit 2, And a control unit 4 for controlling the apparatus 1.

本例に係る基板処理装置１は、クラスターツール型（マルチチャンバータイプ）の半導体製造装置であり、被処理基板Ｗは半導体ウエハである。   The substrate processing apparatus 1 according to this example is a cluster tool type (multi-chamber type) semiconductor manufacturing apparatus, and the substrate to be processed W is a semiconductor wafer.

処理部２は、本例では、被処理基板Ｗに処理を施す処理室（ＰＭ）を二つ備えている（処理室２１ａ、２１ｂ）。これらの処理室２１ａ及び２１ｂはそれぞれ、内部を所定の真空度に減圧可能に構成され、例えば、処理室２１ａ及び２１ｂにおいては、高真空（低圧）での処理であるＰＶＤ処理、例えば、スパッタリング処理が行われ、被処理基板Ｗ、例えば、半導体ウエハ上に所定の金属又は金属化合物膜の成膜処理が実施される。処理室２１ａ及び２１ｂは、ゲートバルブＧ１、Ｇ２を介して、一つの搬送室（ＴＭ）２２に接続されている。   In this example, the processing unit 2 includes two processing chambers (PM) that perform processing on the target substrate W (processing chambers 21a and 21b). Each of these processing chambers 21a and 21b is configured so that the inside thereof can be depressurized to a predetermined degree of vacuum. For example, in the processing chambers 21a and 21b, PVD processing, for example, sputtering processing, which is processing at high vacuum (low pressure). Then, a predetermined metal or metal compound film is formed on the substrate W to be processed, for example, a semiconductor wafer. The processing chambers 21a and 21b are connected to one transfer chamber (TM) 22 via gate valves G1 and G2.

搬入出部３は、搬入出室（ＬＭ）３１を備えている。搬入出室３１は、内部を大気圧、又はほぼ大気圧、例えば、外部の大気圧に対してわずかに陽圧に調圧可能である。搬入出室３１の平面形状は、本例では、平面から見て長辺、この長辺に直交する短辺を有した矩形である。矩形の長辺は上記処理部２に隣接する。本例では長辺に沿った方向をＹ方向、短辺に沿った方向をＸ方向、高さ方向をＺ方向と呼ぶ。搬入出室３１は、被処理基板Ｗが収容されているキャリアＣが取り付けられる被処理基板用ロードポート（ＬＰ）と、ダミー基板Ｗｄが格納されているキャリアＣｄが取り付けられるダミー基板用ロードポート（ＬＰｄ）と、を備えている。本例では、搬入出室３１の処理部２に相対した長辺に、三つの被処理基板用ロードポート３２ａ、３２ｂ、及び３２ｃがＹ方向に沿って設けられ、短辺の一つに、一つのダミー基板用ロードポート３３が設けられている。本例においては、被処理基板用ロードポートの数、及びダミー基板用ロードポートの数を、それぞれ三つ、及び一つとしているが、これらに限られるものではなく、数は任意である。被処理基板用ロードポート３２ａ乃至３２ｃ、及びダミー基板用ロードポート３３には各々、図示せぬシャッターが設けられており、被処理基板Ｗを格納した、あるいは空のキャリアＣ、及びダミー基板Ｗｄを格納した、あるいは空のキャリアＣｄがこれらのロードポート３２ａ乃至３２ｃ、及び３３に取り付けられると、図示せぬシャッターが外れて外気の侵入を防止しつつ、キャリアＣ、及びＣｄの内部と搬入出室３１の内部とが連通される。さらに、本例の搬入出室３１は、ダミー基板Ｗｄを一時的に格納するダミー基板格納部（ＤＳ）３４を備えている。本例では、ダミー基板用ロードポート３３が備えられた短辺に相対する短辺に、ダミー基板格納部３４が設けられている。   The loading / unloading unit 3 includes a loading / unloading chamber (LM) 31. The carry-in / out chamber 31 can be adjusted to be slightly positive with respect to the atmospheric pressure or almost atmospheric pressure, for example, with respect to the external atmospheric pressure. In this example, the plane shape of the carry-in / out chamber 31 is a rectangle having a long side when viewed from the plane and a short side perpendicular to the long side. The long side of the rectangle is adjacent to the processing unit 2. In this example, the direction along the long side is called the Y direction, the direction along the short side is called the X direction, and the height direction is called the Z direction. The loading / unloading chamber 31 includes a substrate loading port (LP) to which the carrier C in which the substrate to be processed W is accommodated and a dummy substrate loading port to which the carrier Cd in which the dummy substrate Wd is stored ( LPd). In this example, three substrate load ports 32a, 32b, and 32c are provided along the Y direction on the long side of the loading / unloading chamber 31 facing the processing unit 2, and one of the short sides is provided with one of the short sides. Two dummy substrate load ports 33 are provided. In this example, the number of substrate load ports to be processed and the number of dummy substrate load ports are three and one, respectively, but the number is not limited to these, and the number is arbitrary. Each of the load ports 32a to 32c to be processed and the load port 33 for the dummy substrate is provided with a shutter (not shown), and stores the substrate W to be processed or an empty carrier C and dummy substrate Wd. When the stored or empty carrier Cd is attached to these load ports 32a to 32c and 33, the inside of the carriers C and Cd and the carry-in / out chamber are released while the shutter (not shown) is released to prevent the outside air from entering. The inside of 31 is communicated. Further, the carry-in / out chamber 31 of this example includes a dummy substrate storage (DS) 34 for temporarily storing the dummy substrate Wd. In this example, a dummy substrate storage portion 34 is provided on the short side opposite to the short side on which the dummy substrate load port 33 is provided.

処理部２と搬入出部３との間にはロードロック室（ＬＬＭ）、本例では二つのロードロック室５１ａ及び５１ｂが設けられている。ロードロック室５１ａ及び５１ｂは各々、内部を所定の真空度、及び大気圧、もしくはほぼ大気圧に切り換え可能に構成されている。ロードロック室５１ａ及び５１ｂは各々、ゲートバルブＧ３、Ｇ４を介して搬入出室３１の、被処理基板用ロードポート３２ａ乃至３２ｃが設けられた一辺に対向する一辺に接続され、ゲートバルブＧ５、Ｇ６を介して搬送室２２の、処理室２１ａ及び２１ｂが接続された二辺以外の辺のうちの二辺に接続される。ロードロック室５１ａ及び５１ｂは、対応するゲートバルブＧ３又はＧ４を開放することにより搬入出室３１と連通され、対応するゲートバルブＧ３又はＧ４を閉じることにより搬入出室３１から遮断される。また、対応するゲートバルブＧ５又はＧ６を開放することにより搬送室２２と連通され、対応するゲートバルブＧ５、又はＧ６を閉じることにより搬送室２２から遮断される。   Between the processing unit 2 and the loading / unloading unit 3, a load lock chamber (LLM), in this example, two load lock chambers 51a and 51b are provided. Each of the load lock chambers 51a and 51b is configured to be able to switch the inside to a predetermined degree of vacuum and atmospheric pressure or almost atmospheric pressure. The load lock chambers 51a and 51b are respectively connected to one side of the loading / unloading chamber 31 opposite to the side where the load ports 32a to 32c for the substrate to be processed are provided via the gate valves G3 and G4, and the gate valves G5 and G6. Is connected to two sides of the transfer chamber 22 other than the two sides to which the processing chambers 21a and 21b are connected. The load lock chambers 51a and 51b communicate with the loading / unloading chamber 31 by opening the corresponding gate valve G3 or G4, and are disconnected from the loading / unloading chamber 31 by closing the corresponding gate valve G3 or G4. Further, the corresponding gate valve G5 or G6 is opened to communicate with the transfer chamber 22, and the corresponding gate valve G5 or G6 is closed to be shut off from the transfer chamber 22.

搬入出室３１の内部には搬入出機構３５が設けられている。搬入出機構３５は、被処理基板用キャリアＣに対する被処理基板Ｗの搬入出、及びダミー基板用キャリアＣｄに対するダミー基板Ｗｄの搬入出を行う。これらとともに、ロードロック室５１ａ及び５１ｂに対する被処理基板Ｗ及びダミー基板Ｗｄの搬入出、並びにダミー基板格納部３４に対するダミー基板Ｗｄの搬入出を行う。搬入出機構３５は、例えば、二つの多関節アーム３６ａ及び３６ｂを有し、Ｙ方向に沿って延びるレール３７上を走行可能に構成されている。多関節アーム３６ａ及び３６ｂの先端には、ハンド３８ａ及び３８ｂが取り付けられている。被処理基板Ｗ、又はダミー基板Ｗｄは、ハンド３８ａ又は３８ｂに載せられ、上述した被処理基板Ｗ及びダミー基板Ｗｄの搬入出が行われる。図２に、図１中のII−II線に沿った搬入出室３１の概略的な断面を示しておく。   A loading / unloading mechanism 35 is provided inside the loading / unloading chamber 31. The carry-in / out mechanism 35 carries in / out the substrate W to be processed with respect to the substrate C to be processed and carries in / out the dummy substrate Wd with respect to the carrier Cd for dummy substrate. At the same time, the substrate W to be processed and the dummy substrate Wd are carried into and out of the load lock chambers 51a and 51b, and the dummy substrate Wd is carried into and out of the dummy substrate storage unit 34. The carry-in / out mechanism 35 has, for example, two articulated arms 36a and 36b, and is configured to be able to run on a rail 37 extending along the Y direction. Hands 38a and 38b are attached to the tips of the articulated arms 36a and 36b. The substrate to be processed W or the dummy substrate Wd is placed on the hand 38a or 38b, and the substrate to be processed W and the dummy substrate Wd described above are carried in and out. FIG. 2 shows a schematic cross section of the loading / unloading chamber 31 along the line II-II in FIG.

搬送室２２の内部には、処理室２１ａ及び２１ｂ、並びにロードロック室５１ａ、５１ｂ相互間に対して被処理基板Ｗ又はダミー基板Ｗｄの搬送を行う搬送機構２４が設けられている。搬送機構２４は、搬送室２２の略中央に配設されている。搬送機構２４は、回転及び伸縮可能なトランスファアームを、例えば、複数本有する。本例では、例えば、二つのトランスファアーム２４ａ及び２４ｂを有する、トランスファアーム２４ａ及び２４ｂの先端には、ホルダ２５ａ及び２５ｂが取り付けられている。被処理基板Ｗ又はダミー基板Ｗｄは、ホルダ２５ａ又は２５ｂに保持され、上述したように、処理室２１ａ及び２１ｂ、並びにロードロック室５１ａ、５１ｂ相互間に対する被処理基板Ｗ及びダミー基板Ｗｄの搬送が行われる。図３に、処理室２１ａ又は２１ｂ（図３中では参照符号２１のみで表記）の一例を概略的に示す断面を示す。   Inside the transfer chamber 22, there is provided a transfer mechanism 24 for transferring the substrate to be processed W or the dummy substrate Wd between the process chambers 21a and 21b and the load lock chambers 51a and 51b. The transport mechanism 24 is disposed substantially at the center of the transport chamber 22. The transport mechanism 24 has, for example, a plurality of transfer arms that can rotate and extend. In this example, for example, holders 25a and 25b are attached to the tips of the transfer arms 24a and 24b having two transfer arms 24a and 24b. The substrate to be processed W or the dummy substrate Wd is held by the holder 25a or 25b, and as described above, the substrate to be processed W and the dummy substrate Wd are transferred between the processing chambers 21a and 21b and the load lock chambers 51a and 51b. Done. FIG. 3 shows a cross section schematically showing an example of the processing chamber 21a or 21b (indicated only by reference numeral 21 in FIG. 3).

図３に示すように、一例に係る処理室２１は、ＰＶＤ処理装置（物理的気相蒸着方式の成膜装置）７０の一部をなしており、その内部において、被処理基板Ｗ上への、例えば、金属又は金属化合物のスパッタリング成膜が行われる。このような処理室２１の内部には、被処理基板Ｗを載置する載置台７１がほぼ中央部に配置されている。本例の載置台７１は、静電チャックを含んでおり、載置台７１に載置された被処理基板Ｗ又は、ダミー基板Ｗｄを静電チャックにより固定される。載置台７１上方領域はシールド部材７２により覆われている。処理室２１の上部には開口２１１が形成されている。開口２１１には、例えば、コニカル形状のスパッタリングターゲット部材７３が取り付けられ、スパッタリングターゲット部材７３の頂部に設けられた開口は、例えば、石英からなる誘電体天板７４で覆われている。このように、スパッタリングターゲット部材７３と誘電体天板７４とが処理室２１の天壁を構成している。スパッタリングターゲット部材７３には直流電源７５のマイナス極が接続されている。スパッタリングターゲット部材７３の上方には複数の固定磁石７６が設けられている。誘電体天板７４の上方には、処理室２１の内部に誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を形成するための誘導コイル７７が配置されている。誘導コイル７７には高周波電源７８が接続されている。また、載置台７１には高周波電源７９が接続されている。   As shown in FIG. 3, the processing chamber 21 according to an example is a part of a PVD processing apparatus (physical vapor deposition type film forming apparatus) 70, in which the processing chamber 21 is placed on the substrate W to be processed. For example, sputtering film formation of a metal or a metal compound is performed. Inside the processing chamber 21, a mounting table 71 on which the substrate W to be processed is mounted is disposed substantially at the center. The mounting table 71 of this example includes an electrostatic chuck, and the substrate to be processed W or the dummy substrate Wd mounted on the mounting table 71 is fixed by the electrostatic chuck. The region above the mounting table 71 is covered with a shield member 72. An opening 211 is formed in the upper portion of the processing chamber 21. For example, a conical sputtering target member 73 is attached to the opening 211, and the opening provided at the top of the sputtering target member 73 is covered with a dielectric top plate 74 made of, for example, quartz. Thus, the sputtering target member 73 and the dielectric top plate 74 constitute the top wall of the processing chamber 21. A negative pole of a DC power source 75 is connected to the sputtering target member 73. A plurality of fixed magnets 76 are provided above the sputtering target member 73. An induction coil 77 for forming inductively coupled plasma (ICP) is disposed inside the processing chamber 21 above the dielectric top plate 74. A high frequency power supply 78 is connected to the induction coil 77. In addition, a high frequency power source 79 is connected to the mounting table 71.

処理室２１の側壁にはシールド部材７２の内部に至るガス導入口８０が設けられており、このガス導入口８０にはガス供給配管８１が接続されている。ガス供給配管８１には、本例では、不活性ガス、例えば、Ａｒガスを供給するためのＡｒガス供給源８２が接続されている。処理室２１の内部には、Ａｒガス供給源８２からガス供給配管８１を介してＡｒガスが供給可能に構成されている。処理室２１の底部には、排気配管８３が接続されており、排気配管８３には真空ポンプ８４が接続されている。処理室２１の内部の圧力は、真空ポンプ８４を作動させることにより、例えば、１×１０−７〜１×１０−３Ｐａ（約１×１０−９〜１０×１０−５Ｔｏｒｒ）程度の圧力に保持することが可能になっている。 A gas introduction port 80 reaching the inside of the shield member 72 is provided on the side wall of the processing chamber 21, and a gas supply pipe 81 is connected to the gas introduction port 80. In this example, an Ar gas supply source 82 for supplying an inert gas, for example, Ar gas, is connected to the gas supply pipe 81. Inside the processing chamber 21, Ar gas can be supplied from an Ar gas supply source 82 via a gas supply pipe 81. An exhaust pipe 83 is connected to the bottom of the processing chamber 21, and a vacuum pump 84 is connected to the exhaust pipe 83. The pressure inside the processing chamber 21 is, for example, about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −3 Pa (about 1 × 10 −9 to 10 × 10 −5 Torr) by operating the vacuum pump 84. It is possible to hold on.

載置台７１には、ウエハ搬送用の３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン８５が載置台７１の表面に対して突没可能に設けられている。これらウエハ支持ピン８５は支持板８６に固定されている。そして、ウエハ支持ピン８５は、エアシリンダ等の駆動機構８８によりロッド８７を昇降することにより、支持板８６を介して昇降される。ロッド８７は、処理室２１の内部から外部にかけて設けられ、処理室２１の外部において駆動機構８８に接続される。ロッド８７のうち、処理室２１の外部に設けられた部分は、ベローズ８９により覆われている。処理室２１の側壁には、基板搬入出ポート２１２が形成されている。被処理基板Ｗ又はダミー基板Ｗｄの処理室２１と搬送室２２との間の搬入出は、ゲートバルブＧを開けた状態で行われる。   On the mounting table 71, three wafer support pins 85 (only two are shown) for wafer transfer are provided so as to protrude and retract with respect to the surface of the mounting table 71. These wafer support pins 85 are fixed to a support plate 86. The wafer support pins 85 are moved up and down via the support plate 86 by moving the rod 87 up and down by a drive mechanism 88 such as an air cylinder. The rod 87 is provided from the inside of the processing chamber 21 to the outside, and is connected to the drive mechanism 88 outside the processing chamber 21. A portion of the rod 87 provided outside the processing chamber 21 is covered with a bellows 89. A substrate carry-in / out port 212 is formed on the side wall of the processing chamber 21. Loading / unloading of the substrate W or the dummy substrate Wd between the processing chamber 21 and the transfer chamber 22 is performed with the gate valve G opened.

スパッタリング成膜を行う際、処理室２１の内部を、真空ポンプ８４を用いて排気して高真空とする。さらに、直流電源７５からスパッタリングターゲット部材７３に負の直流電圧を印加し、かつ、固定磁石７６により処理室２１内に磁界を形成する。このような処理室２１の内部にＡｒガスを導入し、内部の圧力を、上記圧力範囲に維持することで、スパッタリングターゲット部材７３の近傍に、上記磁界に閉じこめられたプラズマが形成される。このプラズマ中のＡｒイオンが陰極のスパッタリングターゲット部材７３に衝突し、スパッタリングターゲット部材７３を構成する材料の金属原子がたたき出される。   When performing the sputtering film formation, the inside of the processing chamber 21 is evacuated using a vacuum pump 84 to be a high vacuum. Further, a negative DC voltage is applied from the DC power source 75 to the sputtering target member 73, and a magnetic field is formed in the processing chamber 21 by the fixed magnet 76. By introducing Ar gas into the processing chamber 21 and maintaining the internal pressure in the pressure range, plasma confined in the magnetic field is formed in the vicinity of the sputtering target member 73. Ar ions in the plasma collide with the sputtering target member 73 serving as the cathode, and metal atoms of the material constituting the sputtering target member 73 are knocked out.

同時に、誘導コイル７７に高周波電圧を印加することで、チャンバ内に誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を形成する。たたき出された金属原子は、形成された誘導結合プラズマの中を通過する際にイオン化される。ここで、本例では、載置台７１に高周波電圧を印加する高周波電源７９が接続されている。高周波電源７９を利用して載置台７１に高周波電圧を印加してＲＦバイアスを生成しても良い。ＲＦバイアスを生成すると、例えば、載置台７１に載置された被処理基板Ｗに入射する金属原子イオンの非垂直成分を抑制でき、例えば、微小ホールへの成膜の際に形成されるオーバーハングが抑制され、ステップカバレージの良い金属膜又は金属化合物膜を形成できる。   At the same time, an inductively coupled plasma (ICP) is formed in the chamber by applying a high frequency voltage to the induction coil 77. The knocked out metal atoms are ionized when passing through the formed inductively coupled plasma. Here, in this example, a high-frequency power source 79 that applies a high-frequency voltage to the mounting table 71 is connected. An RF bias may be generated by applying a high-frequency voltage to the mounting table 71 using a high-frequency power source 79. When the RF bias is generated, for example, the non-vertical component of the metal atom ions incident on the substrate W to be processed placed on the placing table 71 can be suppressed. For example, an overhang formed at the time of film formation on a minute hole Is suppressed, and a metal film or a metal compound film with good step coverage can be formed.

処理部４は、プロセスコントローラ４１、ユーザーインターフェース４２、及び記憶部４３を含んで構成される。   The processing unit 4 includes a process controller 41, a user interface 42, and a storage unit 43.

プロセスコントローラ４１は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなる。   The process controller 41 is composed of a microprocessor (computer).

ユーザーインターフェース４２は、オペレータが基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を含む。   The user interface 42 includes a keyboard on which an operator inputs commands for managing the substrate processing apparatus 1, a display that visualizes and displays the operating status of the substrate processing apparatus 1, and the like.

記憶部４３は、基板処理装置１において実施される処理を、プロセスコントローラ４１の制御にて実現するための制御プログラム、各種データ、及び処理条件に応じて基板処理装置１に処理を実行させるためのレシピが格納される。レシピは、記憶部４３の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体はコンピュータ読み取り可能なもので、例えば、ハードディスクであっても良いし、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば、専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。任意のレシピはユーザーインターフェース４２からの指示等にて記憶部４３から呼び出され、プロセスコントローラ４１において実行されることで、プロセスコントローラ４１の制御のもと、基板処理装置１において被処理基板Ｗに対する処理が実施される。   The storage unit 43 causes the substrate processing apparatus 1 to execute processing according to a control program, various data, and processing conditions for realizing processing performed in the substrate processing apparatus 1 under the control of the process controller 41. Recipe is stored. The recipe is stored in a storage medium in the storage unit 43. The storage medium can be read by a computer, and can be, for example, a hard disk or a portable medium such as a CD-ROM, a DVD, or a flash memory. Moreover, you may make it transmit a recipe suitably from another apparatus via a dedicated line, for example. Arbitrary recipes are called from the storage unit 43 by an instruction from the user interface 42 and executed by the process controller 41, whereby the substrate processing apparatus 1 performs processing on the target substrate W under the control of the process controller 41. Is implemented.

次に、一実施形態に係る基板処理装置１を用いた処理方法を説明する。   Next, a processing method using the substrate processing apparatus 1 according to an embodiment will be described.

まず、図４Ａ及び図４Ｂ、並びに図５Ａ及び図５Ｂを参照して参考例を説明する。   First, a reference example will be described with reference to FIGS. 4A and 4B and FIGS. 5A and 5B.

図４Ａに示すように、参考例に係る装置１００は、ダミー基板格納部３４を搬送室２２に有するものである。ただし、装置１００は、ダミー基板用ロードポートは備えていない。ダミー基板Ｗｄは格納部３４に格納されており、ダミー基板Ｗｄを使用するときには、ダミー基板Ｗｄを、格納部３４から搬送室２２を介して処理室（本例では処理室２１ａ）に搬送する。処理終了後、図４Ｂに示すように、ダミー基板Ｗｄは処理室２１ａから搬出され、搬送室２２を介して格納部３４に戻される。   As shown in FIG. 4A, the apparatus 100 according to the reference example has a dummy substrate storage unit 34 in the transfer chamber 22. However, the apparatus 100 does not include a dummy substrate load port. The dummy substrate Wd is stored in the storage unit 34, and when the dummy substrate Wd is used, the dummy substrate Wd is transferred from the storage unit 34 to the processing chamber (in this example, the processing chamber 21a) through the transfer chamber 22. 4B, the dummy substrate Wd is unloaded from the processing chamber 21a and returned to the storage unit 34 via the transfer chamber 22.

ダミー基板Ｗｄには使用限度がある。ダミー基板Ｗｄが使用限度に達したら、ダミー基板Ｗｄを交換する。この交換は、ダミー基板Ｗｄを、搬送室２２、ロードロック室５１ａ又は５１ｂ、及び搬入出室３１を介してロードポート３２ａ乃至３２ｃのいずれかに取り付けたダミー基板用キャリアＣｄに移送し、収容する。収容後、キャリアＣｄごと交換場所まで移送し、交換場所において使用済みのダミー基板Ｗｄを、使用可能なダミー基板、例えば、未使用のダミー基板Ｗｄに交換する。   The dummy substrate Wd has a usage limit. When the dummy substrate Wd reaches the use limit, the dummy substrate Wd is replaced. In this replacement, the dummy substrate Wd is transferred to and stored in the dummy substrate carrier Cd attached to any of the load ports 32a to 32c via the transfer chamber 22, the load lock chamber 51a or 51b, and the loading / unloading chamber 31. . After the accommodation, the carrier Cd is transferred to the replacement place, and the used dummy substrate Wd at the replacement place is replaced with a usable dummy substrate, for example, an unused dummy substrate Wd.

このとき、図５Ａに示すように、ダミー基板格納部３４にダミー基板Ｗｄが無い状態であっても、被処理基板Ｗを処理することは可能である。しかしながら、ダミー基板Ｗｄが無い状態で、ダミー基板搬送要求が通知された場合にはこの限りではない。ダミー基板搬送要求は、数ロット処理する毎、あるいは通知が必要な際に通知される。ダミー基板搬送要求が通知されたときにダミー基板Ｗｄが無いと、図５Ｂに示すように、ダミー基板Ｗｄを用いた処理が行えず、製品の生産は、例えば、未使用のダミー基板Ｗｄを収容したダミー基板用キャリアＣｄが装置１００に届くまで中断してしまう。   At this time, as shown in FIG. 5A, it is possible to process the substrate W to be processed even when the dummy substrate storage unit 34 has no dummy substrate Wd. However, this is not the case when the dummy substrate transfer request is notified in the absence of the dummy substrate Wd. The dummy substrate transfer request is notified every time several lots are processed or when notification is required. If there is no dummy substrate Wd when the dummy substrate transfer request is notified, the processing using the dummy substrate Wd cannot be performed as shown in FIG. 5B, and the production of the product includes, for example, an unused dummy substrate Wd. The dummy substrate carrier Cd is interrupted until it reaches the apparatus 100.

対して、一実施形態に係る基板処理装置１は、図１に示したように、ダミー基板用格納部３４と、ダミー基板用ロードポート３３とを備えている。しかも、装置１は、その稼働中、例えば、製品を生産している間、使用可能なダミー基板Ｗｄを格納部３４に格納しておくとともに、ダミー基板用ロードポート３３に取り付けられたダミー基板キャリアＣｄにも、使用可能なダミー基板Ｗｄを収容しておくように構成されている。   On the other hand, the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment includes a dummy substrate storage section 34 and a dummy substrate load port 33 as shown in FIG. In addition, the apparatus 1 stores a usable dummy substrate Wd in the storage unit 34 during operation, for example, during production of a product, and a dummy substrate carrier attached to the dummy substrate load port 33. Cd is also configured to accommodate a usable dummy substrate Wd.

もちろん、ダミー基板Ｗｄは使用限度があるので、装置１においてもダミー基板Ｗｄは使用限度に達した時点で交換しなければならない。この交換の際には、使用限度に達したダミー基板Ｗｄをダミー基板用キャリアＣｄに戻す。そして、ダミー基板用キャリアＣｄから使用可能なダミー基板Ｗｄ、例えば、未使用のダミー基板Ｗｄを取り出し、搬送室２２を介して格納部３４に移送し、新たに格納する。   Of course, since the dummy substrate Wd has a use limit, the dummy substrate Wd in the apparatus 1 must be replaced when the use limit is reached. In this replacement, the dummy substrate Wd that has reached the use limit is returned to the dummy substrate carrier Cd. Then, a usable dummy substrate Wd, for example, an unused dummy substrate Wd, is taken out from the dummy substrate carrier Cd, transferred to the storage unit 34 via the transfer chamber 22, and newly stored.

このように一実施形態に係る装置１によれば、その稼働中、例えば、製品を生産している間、格納部３４に使用可能なダミー基板Ｗｄを常に格納しておくことが可能である。   As described above, according to the apparatus 1 according to the embodiment, it is possible to always store the usable dummy substrate Wd in the storage unit 34 during its operation, for example, while producing a product.

また、ダミー基板用キャリアＣｄに収容された使用可能なダミー基板Ｗｄが少なくなった、又は全くなくなった場合には、ダミー基板用キャリアＣｄは交換される。交換の際には、ダミー基板用キャリアＣｄはダミー基板用ロードポート３３から取り外される。しかしながら、図６Ａに示すように、格納部３４には使用可能なダミー基板Ｗｄが格納されているから、製品の生産を継続して行うことができる。   Further, when the usable dummy substrate Wd accommodated in the dummy substrate carrier Cd is reduced or not used at all, the dummy substrate carrier Cd is replaced. At the time of replacement, the dummy substrate carrier Cd is removed from the dummy substrate load port 33. However, as shown in FIG. 6A, since the usable dummy substrate Wd is stored in the storage unit 34, the production of the product can be continued.

しかも、ダミー基板用キャリアＣｄがダミー基板用ロードポート３３から取り外されている状態でダミー基板搬送要求が通知されたとしても、図６Ｂに示すように、使用可能なダミー基板Ｗｄが格納部３４に格納されているから、製品の生産を中断すること無く、ダミー基板Ｗｄを使用した処理を行うことができる。   Moreover, even if the dummy substrate transport request is notified in a state where the dummy substrate carrier Cd is detached from the dummy substrate load port 33, the usable dummy substrate Wd is stored in the storage unit 34 as shown in FIG. 6B. Since it is stored, the processing using the dummy substrate Wd can be performed without interrupting the production of the product.

このように、この発明の一実施形態によれば、ダミー基板を使用しても、製品の生産を中断することなく、製品の生産を続けることができる基板処理装置を提供できる、という利点を得ることができる。   As described above, according to an embodiment of the present invention, even when a dummy substrate is used, there is an advantage that a substrate processing apparatus capable of continuing product production without interrupting product production can be provided. be able to.

次に、基板処理装置１を用いた処理方法のより詳細な一例を説明する。   Next, a more detailed example of the processing method using the substrate processing apparatus 1 will be described.

図７Ａ乃至図１４Ａは基板処理装置１を概略的に示す平面図、図７Ｂ乃至図１４Ｂは図７Ａ乃至図１４Ａ中の７Ｂ−７Ｂ線…１４Ｂ−１４Ｂ線に沿う断面図である。   7A to 14A are plan views schematically showing the substrate processing apparatus 1, and FIGS. 7B to 14B are sectional views taken along lines 7B-7B... 14B-14B in FIGS.

図７Ａ及び図７Ｂには、使用可能なダミー基板Ｗｄを収容したダミー基板用キャリアＣｄが、ダミー基板用ロードポート３３に取り付けられる状態を示している。   7A and 7B show a state in which the dummy substrate carrier Cd containing the usable dummy substrate Wd is attached to the load port 33 for the dummy substrate.

本例では、キャリアＣｄに収容可能なダミー基板Ｗｄの収容数を、格納部３４に格納可能なダミー基板Ｗｄの格納数よりも多くしている。本例では、一例として格納部３４の格納数は“２”、キャリアＣｄの収容数は“９”とするが、格納数、及び収容数はこれに限らない。例えば、格納数を“６”、収容数を“２５”等のように任意に設定可能である。キャリアＣｄがダミー基板用ロードポート３３に取り付けられた後、使用可能なダミー基板Ｗｄを格納部３４に移送する移送作業が開始される（図８Ａ及び図８Ｂ）。   In this example, the number of dummy substrates Wd that can be accommodated in the carrier Cd is larger than the number of dummy substrates Wd that can be stored in the storage unit 34. In this example, the storage number of the storage unit 34 is “2” and the accommodation number of the carrier Cd is “9” as an example, but the storage number and the accommodation number are not limited thereto. For example, the storage number can be arbitrarily set to “6”, the accommodation number “25”, and the like. After the carrier Cd is attached to the dummy substrate load port 33, the transfer operation of transferring the usable dummy substrate Wd to the storage unit 34 is started (FIGS. 8A and 8B).

本例では、キャリアＣｄから使用可能なダミー基板Ｗｄを２枚取り出し、２枚の使用可能なダミー基板Ｗｄを格納部３４に格納する。このような処理は、基板処理装置１を用いた製品生産の開始前に行われ、生産開始後は、格納部３４及びキャリアＣｄの双方に、使用可能なダミー基板Ｗｄを収容、又は格納しておくようにする。   In this example, two usable dummy substrates Wd are taken out from the carrier Cd, and two usable dummy substrates Wd are stored in the storage unit 34. Such processing is performed before the start of product production using the substrate processing apparatus 1, and after the start of production, usable dummy substrates Wd are accommodated or stored in both the storage unit 34 and the carrier Cd. To leave.

また、本例では、格納部３４が搬入出室３１に備えられている。このため、格納部３４が搬送室２２に備えられている場合に比較して移送作業を迅速に行える、という利点もある。例えば、格納部３４が搬送室２２にあると、ダミー基板Ｗｄを一枚搬送する毎に、ロードロック室５１ａ（又は５１ｂ）において大気圧状態から減圧状態への圧力調整が必要となる場合がある。対して、格納部３４を搬入出室３１に備えておけば、移送作業は、圧力調整を必要とすることなく、全て大気圧状態で行えるので、迅速に行うことができる。   In this example, the storage unit 34 is provided in the carry-in / out chamber 31. For this reason, there is also an advantage that the transfer operation can be performed quickly as compared with the case where the storage unit 34 is provided in the transfer chamber 22. For example, when the storage unit 34 is in the transfer chamber 22, it is sometimes necessary to adjust the pressure from the atmospheric pressure state to the reduced pressure state in the load lock chamber 51 a (or 51 b) every time one dummy substrate Wd is transferred. . On the other hand, if the storage unit 34 is provided in the loading / unloading chamber 31, all the transfer work can be performed in an atmospheric pressure state without requiring pressure adjustment, so that it can be performed quickly.

次に、ダミー基板搬送要求が通知されたとする。搬送要求の一例は、成膜装置の膜源となる金属ターゲットの表面コンディショニングである。例えば、図３に示したように、一例に係る処理室２１は、被処理基板Ｗ上に、例えば、金属又は金属化合物のスパッタリング成膜を行うＰＶＤ処理装置７０であった。このようなＰＶＤ処理装置７０においては、アイドル時間が長くなると、膜源である金属ターゲット（図３中のスパッタリングターゲット部材７３に対応）の表面が酸化される。表面が酸化されたまま、成膜を行うと、安定した成膜が難しくなる。このため、表面の酸化被膜を除去する処理が必要である。これが金属ターゲットの表面コンディショニングである。この表面コンディショニングの際、載置台７１の上をカバーしておかないと、載置台７１に含まれる静電チャックが破壊されてしまう。このカバーに、ダミー基板Ｗｄを使用する。   Next, it is assumed that a dummy substrate transfer request is notified. An example of the transport request is surface conditioning of a metal target that is a film source of the film forming apparatus. For example, as shown in FIG. 3, the processing chamber 21 according to an example is a PVD processing apparatus 70 that performs sputtering film formation of, for example, a metal or a metal compound on the substrate W to be processed. In such a PVD processing apparatus 70, when the idle time becomes longer, the surface of the metal target (corresponding to the sputtering target member 73 in FIG. 3) which is a film source is oxidized. If film formation is performed while the surface is oxidized, stable film formation becomes difficult. For this reason, the process which removes the oxide film on the surface is required. This is the surface conditioning of the metal target. If the surface of the mounting table 71 is not covered during the surface conditioning, the electrostatic chuck included in the mounting table 71 will be destroyed. A dummy substrate Wd is used for this cover.

表面コンディショニングの際、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、１枚のダミー基板Ｗｄを格納部３４から取り出し、搬入出室３１、ロードロック室５１ａ（又は５１ｂ）、搬送室２２を介して処理室２１ａ（又は２１ｂ）へ搬送される。そして、処理室２１ａ（又は２１ｂ）において、ダミー基板Ｗｄを使用した処理、本例では表面コンディショニングが行われる。   At the time of surface conditioning, as shown in FIGS. 9A and 9B, one dummy substrate Wd is taken out from the storage unit 34, and the processing chamber is passed through the loading / unloading chamber 31, the load lock chamber 51a (or 51b), and the transfer chamber 22. It is conveyed to 21a (or 21b). In the processing chamber 21a (or 21b), processing using the dummy substrate Wd, in this example, surface conditioning is performed.

ダミー基板Ｗｄを使用した処理が終了したら、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、ダミー基板Ｗｄを処理室２１ａ（又は２１ｂ）から取り出し、搬送室２２、ロードロック室５１ａ（又は５１ｂ）、搬入出室３１を介して格納部３４へ搬送し、格納部３４に再格納する。   When the processing using the dummy substrate Wd is completed, as shown in FIGS. 10A and 10B, the dummy substrate Wd is taken out from the processing chamber 21a (or 21b), and the transfer chamber 22, the load lock chamber 51a (or 51b), and loading / unloading are performed. It is transported to the storage unit 34 via the chamber 31 and stored again in the storage unit 34.

ダミー基板Ｗｄを使用した処理には、ダミー基板Ｗｄを一回限り使用する処理と、使用限度に達するまで複数回繰り返し使用する処理とがある。後者の場合には、使用限度に達していない場合には、使用可能なダミー基板Ｗｄとして取り扱い、格納部３４に再格納する。複数回繰り返し使用する処理としては、表面コンディショニングの他、処理室の内部に堆積された膜のエッチング除去（クリーニング）、及び処理室の内部に予め膜を堆積するプリデポジション等を挙げることができる。また、一回限り使用する処理としては、処理室のメンテナンス後、あるいは金属ターゲット交換後に実施されるバーンイン（慣らし運転）を挙げることができる。   The process using the dummy substrate Wd includes a process that uses the dummy substrate Wd only once and a process that repeatedly uses the dummy substrate Wd a plurality of times until the use limit is reached. In the latter case, when the use limit is not reached, it is handled as a usable dummy substrate Wd and stored again in the storage unit 34. Examples of the treatment that is repeatedly used a plurality of times include surface conditioning, etching removal (cleaning) of a film deposited in the processing chamber, and predeposition for depositing a film in the processing chamber in advance. . Moreover, as a process used only once, the burn-in (break-in operation) implemented after the maintenance of a process chamber or after metal target replacement | exchange can be mentioned.

ダミー基板Ｗｄが使用限度に達した場合には、使用済ダミー基板Ｗｄとして取り扱い、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、処理室２１ａ（又は２１ｂ）から取り出した後、搬送室２２、ロードロック室５１ａ（又は５１ｂ）、搬入出室３１を介してキャリアＣｄへ搬送し、キャリアＣｄに収容する。   When the dummy substrate Wd reaches the limit of use, it is handled as a used dummy substrate Wd and, after being taken out from the processing chamber 21a (or 21b), as shown in FIGS. 11A and 11B, the transfer chamber 22, the load lock chamber 51a (or 51b) is transported to the carrier Cd via the loading / unloading chamber 31 and accommodated in the carrier Cd.

格納部３４に格納された使用可能なダミー基板Ｗｄが少なくなった、又は全くなくなった場合には、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、使用可能なダミー基板Ｗｄを、キャリアＣｄから取り出し、搬入出室３１を介して格納部３４へ搬送し、格納する。これにより、格納部３４には使用可能なダミー基板Ｗｄが再格納、又は補充される。   When the usable dummy substrate Wd stored in the storage unit 34 is reduced or no longer used, the usable dummy substrate Wd is taken out from the carrier Cd and loaded as shown in FIGS. 12A and 12B. It is transported to the storage unit 34 via the exit chamber 31 and stored. As a result, a usable dummy substrate Wd is re-stored or supplemented in the storage unit 34.

この再格納、又は補充作業も、格納部３４が搬入出室３１に備えられているので、圧力調整を必要とすることなく、全て大気圧状態で行うことができ、迅速に行える。   This re-storage or replenishment operation can also be performed quickly and can be quickly performed without any pressure adjustment since the storage section 34 is provided in the loading / unloading chamber 31.

ダミー基板Ｗｄを使用した処理に使用されるダミー基板Ｗｄは、格納部３４から搬送されるばかりでなく、図１３Ａ及び図１３Ｂに示すように、キャリアＣｄから搬送することも可能である。キャリアＣｄから搬送する例としては、ダミー基板Ｗｄを一回限り使用する処理、例えば、バーンインである。このような処理に使用したダミー基板Ｗｄは一回で使用済となる。このような場合には、格納部３４から搬送するよりもキャリアＣｄから搬送し、処理後は、図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、そのまま、キャリアＣｄに使用済ダミー基板Ｗｄとして戻すことが良い。   The dummy substrate Wd used for the processing using the dummy substrate Wd is not only transported from the storage unit 34 but can also be transported from the carrier Cd as shown in FIGS. 13A and 13B. An example of transporting from the carrier Cd is a process of using the dummy substrate Wd only once, for example, burn-in. The dummy substrate Wd used for such processing is used once. In such a case, the carrier Cd is transported rather than the storage unit 34, and after processing, as shown in FIGS. 14A and 14B, the carrier Cd may be returned as a used dummy substrate Wd. .

また、バーンインは、ダミー基板Ｗｄが一回で使用済となるため、バーンインの際には、未使用のダミー基板Ｗｄを、外部から内部に搬入しなければならなかった。このため、バーンインの際には、基板処理装置による製品の生産を中断するか、稼働を停止しなければならなかった。この点、基板処理装置１は、ダミー基板用ロードポート３３に取り付けられたキャリアＣｄに、使用可能なダミー基板Ｗｄ、例えば、未使用のダミー基板Ｗｄを収容しているので、これを利用してのバーンインが可能となる。また、このバーンインの際、処理室を複数備えている場合には、例えば、図１５に示すように、一つの処理室２１ａでは製品の生産を続け、もう一つの処理室２１ｂにおいては並列してバーンインを行う、ということも可能である。即ち、基板処理装置１によれば、製品の生産を中断することなく、バーンインが可能となる、という利点も得ることができる。   Further, in the burn-in, since the dummy substrate Wd is used once, an unused dummy substrate Wd has to be carried from the outside to the inside during the burn-in. For this reason, at the time of burn-in, production of products by the substrate processing apparatus has to be interrupted or stopped. In this regard, the substrate processing apparatus 1 accommodates a usable dummy substrate Wd, for example, an unused dummy substrate Wd, in a carrier Cd attached to the dummy substrate load port 33. Burn-in becomes possible. In addition, when there are a plurality of processing chambers at the time of the burn-in, for example, as shown in FIG. 15, production of products is continued in one processing chamber 21a and in parallel in the other processing chamber 21b. It is also possible to perform burn-in. That is, according to the substrate processing apparatus 1, it is possible to obtain an advantage that burn-in is possible without interrupting production of products.

キャリアＣｄの交換時期は、キャリアＣｄに収容された使用可能なダミー基板Ｗｄの枚数に基づいて、例えば、残数がわずか、又は残数無しに基づいて決定されれば良い。使用可能なダミー基板Ｗｄの残数が規定された枚数に達したら、キャリアＣｄの交換要求を、例えば、プロセスコントローラ４１に通知する。プロセスコントローラ４１は通知を受領したら、図示せぬ搬送ロボットにキャリアＣｄの交換を命令することで、キャリアＣｄを交換することができる。   The replacement time of the carrier Cd may be determined based on the number of usable dummy substrates Wd accommodated in the carrier Cd, for example, based on whether the remaining number is small or there is no remaining number. When the remaining number of usable dummy substrates Wd reaches a prescribed number, a request for replacing the carrier Cd is notified to the process controller 41, for example. When receiving the notification, the process controller 41 can exchange the carrier Cd by instructing a carrier robot (not shown) to exchange the carrier Cd.

使用可能なダミー基板Ｗｄの残数を把握するには、プロセスコントローラ４１を用いて、例えば、ダミー基板Ｗｄの取り出し枚数をカウントしておくようにソフトで対応することもできるし、例えば、図１６に示すように、キャリアＣｄに収容された使用可能なダミー基板の枚数を監視する監視手段、例えば、センサー９０を備えるなど、ハードで対応することも可能である。   In order to grasp the remaining number of usable dummy substrates Wd, the process controller 41 can be used, for example, by software so that the number of dummy substrates Wd taken out is counted. For example, FIG. As shown in FIG. 6, it is possible to cope with hardware by providing monitoring means for monitoring the number of usable dummy substrates accommodated in the carrier Cd, for example, a sensor 90.

このように、一実施形態によれば、ダミー基板を使用しても、製品の生産を中断することなく、製品の生産を続けることができる基板処理装置及びその処理方法、並びにその処理方法を基板処理装置に実行させるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供できる。   Thus, according to one embodiment, even when a dummy substrate is used, a substrate processing apparatus that can continue product production without interrupting production of the product, a processing method thereof, and a processing method for the substrate. A computer-readable storage medium storing a program to be executed by a processing apparatus can be provided.

以上、この発明を一実施形態により説明したが、この発明は上記一実施形態に限定されることなく、この発明の思想の範囲内で種々変形可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。   As mentioned above, although this invention was demonstrated by one Embodiment, this invention is not limited to the said one Embodiment, A various deformation | transformation is possible within the range of the thought of this invention. In the embodiment of the present invention, the above-described embodiment is not the only embodiment.

例えば、上記実施形態では処理室を２つ備えた例を示したが、処理室は１つでも良く、また、２つ以上備えていても良い。   For example, in the above-described embodiment, an example in which two processing chambers are provided has been described, but one processing chamber may be provided, or two or more processing chambers may be provided.

また、上記実施形態では、基板処理としてＰＶＤ処理を例示したが、基板処理はＰＶＤに限らず、ＣＶＤ処理等、ダミー基板を使用するものであれば、如何なる成膜処理にも適用することが可能である。もちろん、成膜処理に限らず、ダミー基板を使用するものであれば、エッチング処理等に適用することが可能である。   In the above-described embodiment, the PVD process is exemplified as the substrate process. However, the substrate process is not limited to the PVD, and can be applied to any film forming process as long as a dummy substrate such as a CVD process is used. It is. Needless to say, the present invention is not limited to the film formation process, and can be applied to an etching process or the like as long as a dummy substrate is used.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例を概略的に示す平面図The top view which shows roughly an example of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention 図１中のII−II線に沿う概略的な断面図Schematic cross-sectional view along the line II-II in FIG. 処理室の一例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows an example of a processing chamber roughly 図４Ａ及び図４Ｂは参考例に係る処理方法を示す平面図4A and 4B are plan views showing a processing method according to a reference example. 図５Ａ及び図５Ｂは参考例に係る処理方法を示す平面図5A and 5B are plan views showing a processing method according to a reference example. 図６Ａ及び図６Ｂは一実施形態に係る処理方法の一例を示す平面図6A and 6B are plan views showing an example of a processing method according to an embodiment. 図７Ａは一実施形態に係る処理方法のより詳細な一例を示す平面図、図７Ｂは図７Ａ中の７Ｂ−７Ｂ線に沿う概略的な断面図7A is a plan view showing a more detailed example of the processing method according to the embodiment, and FIG. 7B is a schematic cross-sectional view taken along line 7B-7B in FIG. 7A. 図８Ａは一実施形態に係る処理方法のより詳細な一例を示す平面図、図８Ｂは図８Ａ中の８Ｂ−８Ｂ線に沿う概略的な断面図8A is a plan view showing a more detailed example of the processing method according to the embodiment, and FIG. 8B is a schematic cross-sectional view taken along line 8B-8B in FIG. 8A. 図９Ａは一実施形態に係る処理方法のより詳細な一例を示す平面図、図９Ｂは図９Ａ中の９Ｂ−９Ｂ線に沿う概略的な断面図9A is a plan view showing a more detailed example of the processing method according to the embodiment, and FIG. 9B is a schematic cross-sectional view taken along line 9B-9B in FIG. 9A. 図１０Ａは一実施形態に係る処理方法のより詳細な一例を示す平面図、図１０Ｂは図１０Ａ中の１０Ｂ−１０Ｂ線に沿う概略的な断面図10A is a plan view showing a more detailed example of the processing method according to the embodiment, and FIG. 10B is a schematic cross-sectional view taken along line 10B-10B in FIG. 10A. 図１１Ａは一実施形態に係る処理方法のより詳細な一例を示す平面図、図１１Ｂは図１１Ａ中の１１Ｂ−１１Ｂ線に沿う概略的な断面図11A is a plan view showing a more detailed example of the processing method according to the embodiment, and FIG. 11B is a schematic cross-sectional view taken along line 11B-11B in FIG. 11A. 図１２Ａは一実施形態に係る処理方法のより詳細な一例を示す平面図、図１２Ｂは図１２Ａ中の１２Ｂ−１２Ｂ線に沿う概略的な断面図12A is a plan view illustrating a more detailed example of the processing method according to the embodiment, and FIG. 12B is a schematic cross-sectional view taken along the line 12B-12B in FIG. 12A. 図１３Ａは一実施形態に係る処理方法のより詳細な一例を示す平面図、図１３Ｂは図１３Ａ中の１３Ｂ−１３Ｂ線に沿う概略的な断面図13A is a plan view illustrating a more detailed example of the processing method according to the embodiment, and FIG. 13B is a schematic cross-sectional view taken along line 13B-13B in FIG. 13A. 図１４Ａは一実施形態に係る処理方法のより詳細な一例を示す平面図、図１４Ｂは図１４Ａ中の１４Ｂ−１４Ｂ線に沿う概略的な断面図14A is a plan view showing a more detailed example of the processing method according to the embodiment, and FIG. 14B is a schematic cross-sectional view taken along line 14B-14B in FIG. 14A. 一実施形態に係る処理方法のより詳細な一例を示す平面図The top view which shows a more detailed example of the processing method which concerns on one Embodiment 一実施形態に係る処理方法のより詳細な一例を示す断面図Sectional drawing which shows a more detailed example of the processing method which concerns on one Embodiment

符号の説明Explanation of symbols

２…処理部、２１、２１ａ、２１ｂ…処理室、３１…搬入出室、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ…被処理基板用ロードポート、３３…ダミー基板用ロードポート、３４…ダミー基板格納部、Ｗ…被処理基板、Ｃ…被処理基板用キャリア、Ｗｄ…ダミー基板、Ｃｄ…ダミー基板用キャリア。
2 ... Processing section, 21, 21a, 21b ... Processing chamber, 31 ... Loading / unloading chamber, 32a, 32b, 32c ... Load port for substrate to be processed, 33 ... Load port for dummy substrate, 34 ... Dummy substrate storage, W ... Substrate to be processed, C ... carrier for substrate to be processed, Wd ... dummy substrate, Cd ... carrier for dummy substrate.

Claims (16)

被処理基板に処理を施す処理室を備えた処理部と、
前記処理室に、前記被処理基板を搬入出する搬入出室と、
前記搬入出室に設けられ、前記被処理基板を収容する被処理基板キャリアが取り付けられる被処理基板用ロードポートと、
前記搬入出室に設けられ、ダミー基板を収容するダミー基板キャリアが取り付けられるダミー基板用ロードポートと、
前記搬入出室に設けられ、前記ダミー基板を格納するダミー基板格納部と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。 A processing unit including a processing chamber for processing a substrate to be processed;
A loading / unloading chamber for loading and unloading the substrate to be processed into the processing chamber;
A load port for a substrate to be processed, which is provided in the loading / unloading chamber and to which a substrate carrier to be processed for accommodating the substrate to be processed is attached;
A dummy substrate load port provided in the carry-in / out chamber, to which a dummy substrate carrier for accommodating a dummy substrate is attached;
A dummy substrate storage unit that is provided in the carry-in / out chamber and stores the dummy substrate;
A substrate processing apparatus comprising: 前記基板処理装置の稼働中、前記ダミー基板格納部に使用可能なダミー基板を格納しておくとともに、前記ダミー基板用ロードポートに取り付けられた前記ダミー基板キャリアに使用可能なダミー基板を収容しておくように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。   While the substrate processing apparatus is in operation, a dummy substrate that can be used is stored in the dummy substrate storage unit, and a dummy substrate that can be used is accommodated in the dummy substrate carrier attached to the load port for the dummy substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is configured to be placed. 前記ダミー基板キャリアに収容されるダミー基板の収容枚数が、前記ダミー基板格納部に格納されるダミー基板の格納枚数よりも多いことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。   3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the number of dummy substrates accommodated in the dummy substrate carrier is larger than the number of dummy substrates stored in the dummy substrate storage unit. 前記ダミー基板が使用限度に達したとき、使用限度に達したダミー基板を前記ダミー基板キャリアに収容するとともに、このダミー基板キャリアから前記ダミー基板格納部へ使用可能なダミー基板を搬送し格納するように構成されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。   When the dummy substrate reaches the use limit, the dummy substrate reaching the use limit is accommodated in the dummy substrate carrier, and the usable dummy substrate is transferred from the dummy substrate carrier to the dummy substrate storage unit and stored. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the substrate processing apparatus is configured as follows. 前記ダミー基板キャリアの交換が、前記ダミー基板格納部に使用可能なダミー基板を格納した状態で行われることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the replacement of the dummy substrate carrier is performed in a state where a usable dummy substrate is stored in the dummy substrate storage unit. 前記ダミー基板キャリアに収容された使用可能なダミー基板の枚数を監視する監視手段を有し、
前記ダミー基板キャリアに収容された使用可能なダミー基板の枚数に基づいて、前記ダミー基板キャリアの交換要求が通知されるように構成されていることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。 Monitoring means for monitoring the number of usable dummy substrates housed in the dummy substrate carrier;
6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein a request for replacing the dummy substrate carrier is notified based on the number of usable dummy substrates accommodated in the dummy substrate carrier. . ダミー基板を使用限度に達するまで繰り返し使用する処理の際、前記ダミー基板格納部に格納された使用可能なダミー基板を使用し、
ダミー基板を一回限り使用する処理の際、前記ダミー基板キャリアに収容された使用可能なダミー基板を使用することを特徴とする請求項２乃至請求項６いずれか一項に記載の基板処理装置。 In the process of repeatedly using the dummy board until the use limit is reached, the usable dummy board stored in the dummy board storage unit is used,
7. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein a usable dummy substrate accommodated in the dummy substrate carrier is used in the process of using the dummy substrate only once. . 前記処理室を複数備え、
前記処理室の少なくとも一つにおいて、前記被処理基板に対する処理を行い、
前記処理室の少なくとも他の一つにおいて、前記ダミー基板を用いて、ダミー基板を一回限り使用する処理を行うことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。 A plurality of the processing chambers;
Performing processing on the substrate to be processed in at least one of the processing chambers;
The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein in at least one other of the processing chambers, the dummy substrate is used to perform a process of using the dummy substrate only once. 被処理基板に処理を施す処理室を備えた処理部と、
前記処理室に、前記被処理基板を搬入出する搬入出室と、
前記搬入出室に設けられ、前記被処理基板を収容する被処理基板キャリアが取り付けられる被処理基板用ロードポートと、
前記搬入出室に設けられ、ダミー基板を収容するダミー基板キャリアが取り付けられるダミー基板用ロードポートと、
前記搬入出室に設けられ、前記ダミー基板を格納するダミー基板格納部と、
を具備した基板処理装置の処理方法であって、
前記基板処理装置の稼働中、前記ダミー基板格納部に使用可能なダミー基板を格納しておくとともに、前記ダミー基板用ロードポートに取り付けられた前記ダミー基板キャリアに使用可能なダミー基板を収容しておくことを特徴とする基板処理装置の処理方法。 A processing unit including a processing chamber for processing a substrate to be processed;
A loading / unloading chamber for loading and unloading the substrate to be processed into the processing chamber;
A load port for a substrate to be processed, which is provided in the loading / unloading chamber and to which a substrate carrier to be processed for accommodating the substrate to be processed is attached;
A dummy substrate load port provided in the carry-in / out chamber, to which a dummy substrate carrier for accommodating a dummy substrate is attached;
A dummy substrate storage unit that is provided in the carry-in / out chamber and stores the dummy substrate;
A processing method for a substrate processing apparatus comprising:
During operation of the substrate processing apparatus, a dummy substrate that can be used is stored in the dummy substrate storage unit, and a dummy substrate that can be used is accommodated in the dummy substrate carrier attached to the load port for the dummy substrate. A processing method for a substrate processing apparatus, comprising: 前記ダミー基板キャリアに収容されるダミー基板の収容枚数を、前記ダミー基板格納部に格納されるダミー基板の格納枚数よりも多くすることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置の処理方法。   10. The processing method of the substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the number of dummy substrates stored in the dummy substrate carrier is larger than the number of dummy substrates stored in the dummy substrate storage unit. . 前記ダミー基板が使用限度に達したとき、使用限度に達したダミー基板を前記ダミー基板キャリアに収容するとともに、このダミー基板キャリアから前記ダミー基板格納部へ使用可能なダミー基板を搬送し格納することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置の処理方法。   When the dummy substrate reaches the use limit, the dummy substrate reaching the use limit is accommodated in the dummy substrate carrier, and a usable dummy substrate is transferred from the dummy substrate carrier to the dummy substrate storage unit and stored. The processing method of the substrate processing apparatus according to claim 10. 前記ダミー基板キャリアの交換が、前記ダミー基板格納部に使用可能なダミー基板を格納した状態で行われることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置の処理方法。   12. The processing method of the substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the replacement of the dummy substrate carrier is performed in a state where a usable dummy substrate is stored in the dummy substrate storage unit. 前記ダミー基板キャリアに収容された未使用のダミー基板の枚数を監視し、
前記ダミー基板キャリアに収容された未使用のダミー基板の枚数に基づいて、前記ダミー基板キャリアの交換要求を通知することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置の処理方法。 Monitoring the number of unused dummy substrates contained in the dummy substrate carrier;
13. The processing method of a substrate processing apparatus according to claim 12, wherein a request for replacing the dummy substrate carrier is notified based on the number of unused dummy substrates accommodated in the dummy substrate carrier. ダミー基板を使用限度に達するまで繰り返し使用する処理の際、前記ダミー基板格納部に格納された使用可能なダミー基板を使用し、
ダミー基板を一回限り使用する処理の際、前記ダミー基板キャリアに収容された使用可能なダミー基板を使用することを特徴とする請求項９乃至請求項１２いずれか一項に記載の基板処理装置の処理方法。 In the process of repeatedly using the dummy board until the use limit is reached, the usable dummy board stored in the dummy board storage unit is used,
13. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein a usable dummy substrate accommodated in the dummy substrate carrier is used in the process of using the dummy substrate only once. Processing method. 前記処理室を複数備え、
前記処理室の少なくとも一つにおいて、前記被処理基板に対する処理を行い、
前記処理室の少なくとも他の一つにおいて、前記ダミー基板を用いて、ダミー基板を一回限り使用する処理を行うことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置の処理方法。 A plurality of the processing chambers;
Performing processing on the substrate to be processed in at least one of the processing chambers;
The processing method of a substrate processing apparatus according to claim 14, wherein in at least one other of the processing chambers, the dummy substrate is used to perform a process of using the dummy substrate only once. コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、前記請求項９乃至請求項１５いずれか一項に記載の基板処理装置の処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 A computer-readable storage medium that operates on a computer and stores a program for controlling the substrate processing apparatus,
The computer program, when executed, causes a computer to control the substrate processing apparatus so that the processing method of the substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 15 is performed. Possible storage medium.
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