JP7209228B2 - 情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本開示は、光学的手段によって情報を記録または再生する、大容量な情報記録媒体およびその製造方法に関するものである。
インターネットの普及や放送のデジタル化等により、デジタルデータの利用量が年々増加している。光学的情報記録媒体である光ディスクはデータの長期保存に適した信頼性の高い情報記録媒体として、増大する情報量と共に大容量化という進化を続けてきた。
ＢＤＸＬ規格（ＢＤ：Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標） Ｄｉｓｃ）は２０１０年６月に策定された。この規格に準じた３層ディスク（３つの情報層を備える光ディスク）は、１情報層あたりの記録容量が３３．４ギガバイト（ＧＢ）であり、片面で１００ＧＢという大容量のデータを保存できる。３層ディスクを構成する３つの情報層については、レーザ光の光源から最も遠いものが「Ｌ０層」と呼ばれ、次に遠いものが「Ｌ１層」と呼ばれ、レーザ光の光源に最も近いものが「Ｌ２層」と呼ばれる。
例えば、データセンター向けに、追記型のＢＤ－Ｒ ＸＬディスクを用いた、最大約６３８テラバイト（ＴＢ）の大容量を実現できる光ディスクライブラリーが既に提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
例えば、データセンター向けに、追記型のＢＤ－Ｒ ＸＬディスクを用いた、最大約６３８テラバイト（ＴＢ）の大容量を実現できる光ディスクライブラリーが既に提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
ＢＤＸＬ規格の次の規格として、業務用光ディスク規格「アーカイバル・ディスク（Ａｒｃｈｉｖａｌ Ｄｉｓｃ）」が２０１４年３月に策定された（例えば、非特許文献２参照）。アーカイバル・ディスクは、ＢＤよりも高い信頼性を有し、ランド・アンド・グルーブ記録方式の採用によって、より高い記録密度を有している。さらに、アーカイバル・ディスクは、基板の両面にディスク構造を備えているため、より大容量の記録媒体として提供される。アーカイバル・ディスク規格のロードマップは、ディスク１枚あたりの記録容量を順次増やすように策定されている。このロードマップによれば、具体的には、第１世代として３００ＧＢのシステムを、第２世代として５００ＧＢのシステムを、第３世代として１ＴＢのシステムを開発する計画である。
第１世代の３００ＧＢのアーカイバル・ディスクは、１５０ＧＢの情報を保存できる３層ディスクが基板の両面に設けられて、１枚あたり３００ＧＢの情報の記録再生を可能にするものである。すなわち、このアーカイバル・ディスクにおいて、１情報層あたりの記録容量は５０ＧＢである。各情報層は、酸化物誘電体膜で酸化物記録膜を挟んだ簡素な構造である（例えば、特許文献１および２参照）。記録膜にレーザ光を照射すると、記録膜が形状変化を生じて信号が記録される。このディスクを用いて、最大１．９ペタバイト（ＰＢ）という大容量を実現できる光ディスクライブラリーが既に提案されている（例えば、非特許文献３参照）。
パナソニック株式会社、データアーカイバーＬＢ－ＤＨ８シリーズカタログ、２０１６年９月
Ａｒｃｈｉｖａｌ Ｄｉｓｃ Ｗｈｉｔｅ Ｐａｐｅｒ：Ａｒｃｈｉｖａｌ Ｄｉｓｃ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ １ｓｔ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｊｕｌｙ ２０１５
パナソニック株式会社、データアーカイバーＬＢ－ＤＨ７シリーズカタログ、２０１６年９月
第２世代の５００ＧＢ容量のアーカイバル・ディスクにおいては、片面に設けられる３層ディスクが２５０ＧＢの容量を実現しなければならない。すなわち、１情報層あたりの記録容量を、第１世代の５０ＧＢから８３．４ＧＢへ増やす必要がある。記録容量を増やす一つの手法として、最短の記録マークのサイズを小さくして、一つの情報層における記録密度を高くする方法がある。その場合の課題の一つとして、再生耐久性が挙げられる。
また、情報層に含まれる誘電体膜には、従来、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、およびＩｎ２Ｏ３を含む材料（ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３）が用いられている。ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３は、ＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタのどちらでもスパッタ可能で、高い成膜速度を有する。また高透明性と高耐湿性を持ち合わせた優れた誘電体材料である。ＤＣスパッタができるのは、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３が透明導電材料のＩｎ２Ｏ３を含むからである。Ｉｎ２Ｏ３を減らしたり除去したりすると、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３のＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタが困難になる。
しかしながら、本発明者らは、Ｉｎ２Ｏ３の含有量に着目し、鋭意検討した結果、Ｉｎ２Ｏ３が再生耐久性を悪化させることを見出した。そして、誘電体膜として実用できる、従来のＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３に代わる、新しい誘電体材料が必要であるとの結論に至った。
しかしながら、本発明者らは、Ｉｎ２Ｏ３の含有量に着目し、鋭意検討した結果、Ｉｎ２Ｏ３が再生耐久性を悪化させることを見出した。そして、誘電体膜として実用できる、従来のＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３に代わる、新しい誘電体材料が必要であるとの結論に至った。
本開示の目的は、ＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタが可能で、且つ優れた再生耐久性を有し、高い生産性と高い信頼性を有する、５００ＧＢ以上の大容量な多層の情報記録媒体を提供することにある。
そして、本発明者らは、第１誘電体膜および記録膜の組み合わせを種々検討した。その結果、第１誘電体膜の組成および記録膜の組成を特定のものとした情報層を用いることにより、本発明を完成するに至った。
本発明は下記の手段により達成された。
〔１〕
２以上の情報層を含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
上記２以上の情報層のうちの、少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、上記第１情報層が、上記レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、および記録膜をこの順に含み、
上記第１誘電体膜が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと、酸素と、上記元素Ｄ１の原子数とを合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、上記元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含み、
上記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む、情報記録媒体。
〔２〕
上記第１誘電体膜が、さらに、
Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、〔１〕に記載の情報記録媒体。
〔３〕
上記第１誘電体膜が、さらに、ＧａおよびＡｌより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３を含み、Ｚｒと、酸素と、上記元素Ｄ１と、上記元素Ｄ２および上記元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、上記元素Ｄ３を７原子％以下含む、
〔１〕または〔２〕に記載の情報記録媒体。
〔４〕
上記第１情報層が、上記レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、上記第１誘電体膜、上記記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
上記第２誘電体膜が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと、酸素と、上記元素Ｄ１の原子数とを合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、上記元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含む、
〔１〕に記載の情報記録媒体。
〔５〕
上記第２誘電体膜が、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、
〔４〕に記載の情報記録媒体。
〔６〕
上記第２誘電体膜が、さらに、ＧａおよびＡｌより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３を含み、Ｚｒと、酸素と、上記元素Ｄ１と、上記元素Ｄ２および上記元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、上記元素Ｄ３を７原子％以下含む、
〔４〕または〔５〕に記載の情報記録媒体。
〔７〕
上記第１情報層が、レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、
上記第１誘電体膜、上記記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
上記第２誘電体膜が少なくともＺｒと、酸素と、Ｉｎとを含む、
〔１〕に記載の情報記録媒体。
〔８〕
上記第２誘電体膜が、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、
〔７〕に記載の情報記録媒体。
〔９〕
上記記録膜におけるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および上記元素Ｍが、
下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００－ｘ－ｙ－ｚ（原子％） （１）
（上記式（１）中、
１５≦ｘ＜６０、０＜ｙ≦３０、１０≦ｚ≦４０、且つ、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０）、
を満たす、〔１〕に記載の情報記録媒体。
〔１０〕
上記記録膜の上記元素Ｍが、ＴａとＺｎより選ばれる少なくとも一つである、〔１〕または〔９〕に記載の情報記録媒体。
〔１１〕
上記第１情報層が、上記レーザ光が照射される面から最も遠い位置に配置されている情報層よりも、上記レーザ光が照射される面に近い位置に配置されている、
〔１〕から〔１０〕のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
〔１２〕
上記第１情報層が、上記レーザ光照射面に最も近い位置に配置されている、〔１〕から〔１１〕のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
〔１３〕
２以上の情報層を含む情報記録媒体の製造方法であって、
上記２以上の情報層の各々を形成する工程を含み、
上記２以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、上記第１情報層を形成する工程が、少なくとも、第１誘電体膜を形成する工程と、記録膜を形成する工程とを含み、
上記第１誘電体膜を形成する工程が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含む第１誘電体膜を形成し、
上記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む記録膜を形成し、
上記第１誘電体膜を形成する工程と、上記記録膜を形成する工程が、ＤＣ電源を用いたスパッタリングにより実施される、情報記録媒体の製造方法。
〔１４〕
上記第１誘電体膜を形成する工程で形成する上記第１誘電体膜が、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、
〔１３〕に記載の情報記録媒体の製造方法。
本発明は下記の手段により達成された。
〔１〕
２以上の情報層を含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
上記２以上の情報層のうちの、少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、上記第１情報層が、上記レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、および記録膜をこの順に含み、
上記第１誘電体膜が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと、酸素と、上記元素Ｄ１の原子数とを合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、上記元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含み、
上記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む、情報記録媒体。
〔２〕
上記第１誘電体膜が、さらに、
Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、〔１〕に記載の情報記録媒体。
〔３〕
上記第１誘電体膜が、さらに、ＧａおよびＡｌより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３を含み、Ｚｒと、酸素と、上記元素Ｄ１と、上記元素Ｄ２および上記元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、上記元素Ｄ３を７原子％以下含む、
〔１〕または〔２〕に記載の情報記録媒体。
〔４〕
上記第１情報層が、上記レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、上記第１誘電体膜、上記記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
上記第２誘電体膜が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと、酸素と、上記元素Ｄ１の原子数とを合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、上記元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含む、
〔１〕に記載の情報記録媒体。
〔５〕
上記第２誘電体膜が、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、
〔４〕に記載の情報記録媒体。
〔６〕
上記第２誘電体膜が、さらに、ＧａおよびＡｌより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３を含み、Ｚｒと、酸素と、上記元素Ｄ１と、上記元素Ｄ２および上記元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、上記元素Ｄ３を７原子％以下含む、
〔４〕または〔５〕に記載の情報記録媒体。
〔７〕
上記第１情報層が、レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、
上記第１誘電体膜、上記記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
上記第２誘電体膜が少なくともＺｒと、酸素と、Ｉｎとを含む、
〔１〕に記載の情報記録媒体。
〔８〕
上記第２誘電体膜が、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、
〔７〕に記載の情報記録媒体。
〔９〕
上記記録膜におけるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および上記元素Ｍが、
下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００－ｘ－ｙ－ｚ（原子％） （１）
（上記式（１）中、
１５≦ｘ＜６０、０＜ｙ≦３０、１０≦ｚ≦４０、且つ、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０）、
を満たす、〔１〕に記載の情報記録媒体。
〔１０〕
上記記録膜の上記元素Ｍが、ＴａとＺｎより選ばれる少なくとも一つである、〔１〕または〔９〕に記載の情報記録媒体。
〔１１〕
上記第１情報層が、上記レーザ光が照射される面から最も遠い位置に配置されている情報層よりも、上記レーザ光が照射される面に近い位置に配置されている、
〔１〕から〔１０〕のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
〔１２〕
上記第１情報層が、上記レーザ光照射面に最も近い位置に配置されている、〔１〕から〔１１〕のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
〔１３〕
２以上の情報層を含む情報記録媒体の製造方法であって、
上記２以上の情報層の各々を形成する工程を含み、
上記２以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、上記第１情報層を形成する工程が、少なくとも、第１誘電体膜を形成する工程と、記録膜を形成する工程とを含み、
上記第１誘電体膜を形成する工程が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含む第１誘電体膜を形成し、
上記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む記録膜を形成し、
上記第１誘電体膜を形成する工程と、上記記録膜を形成する工程が、ＤＣ電源を用いたスパッタリングにより実施される、情報記録媒体の製造方法。
〔１４〕
上記第１誘電体膜を形成する工程で形成する上記第１誘電体膜が、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、
〔１３〕に記載の情報記録媒体の製造方法。
本発明の実施形態にかかる情報記録媒体は、優れた再生耐久性を示す情報層を有し、大容量かつ高信頼性の多層の情報記録媒体の実現を可能にする。また、高い生産性も併せ持つ多層の情報記録媒体を実現する。
以下、本開示の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本開示は以下の実施の形態に限定されない。
（実施の形態１）
本発明の実施形態に係る情報記録媒体は、２以上の情報層を含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
前記２以上の情報層のうちの、少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、前記第１情報層が前記レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、および記録膜をこの順に含み、
前記第１誘電体膜が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと、酸素と、前記元素Ｄ１の原子数とを合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、前記元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含み、
前記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む。
第１誘電体膜の組成および記録膜の組成を上記のとおり特定のものとした情報層を用いることにより、本発明の効果を得ることができる。
実施の形態１として、レーザ光６を用いて情報の記録及び再生を行う、情報記録媒体の一例を説明する。
本発明の実施形態に係る情報記録媒体は、２以上の情報層を含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
前記２以上の情報層のうちの、少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、前記第１情報層が前記レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、および記録膜をこの順に含み、
前記第１誘電体膜が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと、酸素と、前記元素Ｄ１の原子数とを合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、前記元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含み、
前記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む。
第１誘電体膜の組成および記録膜の組成を上記のとおり特定のものとした情報層を用いることにより、本発明の効果を得ることができる。
実施の形態１として、レーザ光６を用いて情報の記録及び再生を行う、情報記録媒体の一例を説明する。
図１に、本発明の実施形態に係る情報記録媒体１００の断面を示す。
本発明の実施形態にかかる情報記録媒体１００は基板１を有していてもよい。
本実施の形態の情報記録媒体１００は、情報を記録および再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれ３層ずつ（合計６層）設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層での情報の記録および再生が可能である多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
情報記録媒体１００は、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を貼り合わせた、両面の情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は、それらの基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）にて貼り合わせ層５により貼り合わされている。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は各々、基板１上に中間分離層２および３などを介して、情報層として順次積層されたＬ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０を有し、さらに、Ｌ２層３０に接して設けられたカバー層４を有する。Ｌ１層２０およびＬ２層３０は透過型の情報層である。
Ｌ０層１０は、レーザ光６が照射される面から遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３を、この順に含む。同様にＬ１層２０は、第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３を、Ｌ２層３０は、第１誘電体膜３１、記録膜３２および第２誘電体膜３３を、この順に含む。
本発明の実施形態にかかる情報記録媒体１００は基板１を有していてもよい。
本実施の形態の情報記録媒体１００は、情報を記録および再生する情報層を、基板１を介して両側にそれぞれ３層ずつ（合計６層）設けており、カバー層４側よりレーザ光６を照射し、各情報層での情報の記録および再生が可能である多層光学的情報記録媒体である。レーザ光６は波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光である。
情報記録媒体１００は、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を貼り合わせた、両面の情報記録媒体である。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は、それらの基板１の裏面（情報層を有する面とは逆側）にて貼り合わせ層５により貼り合わされている。Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２は各々、基板１上に中間分離層２および３などを介して、情報層として順次積層されたＬ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０を有し、さらに、Ｌ２層３０に接して設けられたカバー層４を有する。Ｌ１層２０およびＬ２層３０は透過型の情報層である。
Ｌ０層１０は、レーザ光６が照射される面から遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３を、この順に含む。同様にＬ１層２０は、第１誘電体膜２１、記録膜２２および第２誘電体膜２３を、Ｌ２層３０は、第１誘電体膜３１、記録膜３２および第２誘電体膜３３を、この順に含む。
すなわち、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２は、各々、はレーザ光６が照射される面から遠い方から近い方に向かって、基板１、Ｌ０層１０、中間分離層２、Ｌ１層２０、中間分離層３、Ｌ２層３０、およびカバー層４を順に形成した構造となっている。さらにＬ０層１０は、レーザ光６が照射される面から遠い方から近い方に向かって、基板１上に第１誘電体膜１１、記録膜１２、および第２誘電体膜１３が形成され、Ｌ１層２０は、中間分離層２上に第１誘電体膜２１、記録膜２２、および第２誘電体膜２３が形成され、Ｌ２層３０は、中間分離層３上に第１誘電体膜３１、記録膜３２、および第２誘電体膜３３が形成された構造となっている。第１誘電体膜２１、第１誘電体膜３１、記録膜２２、記録膜３２、第２誘電体膜２３、および第２誘電体膜３３は、スパッタリング（スパッタ）法を用いて形成することができる。
Ｌ１層２０とＬ２層３０は、第１誘電体膜２１と第１誘電体膜３１をそれぞれ中間分離層２と中間分離層３上に形成することができる。スパッタ時間が長いほど、スパッタリングターゲット（ターゲット）の熱輻射でスパッタ中の基板温度は高くなる。成膜速度を上げるためにはＤＣ（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタまたはパルスＤＣスパッタの採用が好ましく、基板温度も高周波スパッタ法よりも上昇する。中間分離層は、例えばアクリル系等の紫外線硬化型樹脂からなる。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１を形成する際、中間分離層２の表面は高温に曝される。また、Ｌ２層３０の第１誘電体膜３１を形成する際も、中間分離層３の表面は高温に曝される。紫外線硬化型樹脂からなる中間分離層２及び中間分離層３は紫外線による硬化工程を経ているが、スパッタ中に高温に曝されると、光重合開始剤の一部の未硬化成分や低分子成分が揮発する可能性がある。スパッタ時間が長いほど中間分離層２及び中間分離層３の表面温度が上がり、それらの成分の揮発量が増す。以下、光重合開始剤の一部の未硬化成分や低分子成分を「有機物」と記す。
Ｌ１層２０及びＬ２層３０の第１誘電体膜２１、及び第１誘電体膜３１は、従来は、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、およびＩｎ２Ｏ３を含む材料（ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３）を用いている。従来の情報記録媒体におけるＬ２層３０の、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３の第１誘電体膜３１を二次イオン質量分析法で定性分析したところ、ターゲット成分に含まれていない炭素が検出された。この結果から、スパッタ中に揮発した有機物が、第１誘電体膜３１に混入していることが推定された。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１も同様に有機物が混入していることが推定された。
Ｌ１層２０及びＬ２層３０の第１誘電体膜２１、及び第１誘電体膜３１は、従来は、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、およびＩｎ２Ｏ３を含む材料（ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３）を用いている。従来の情報記録媒体におけるＬ２層３０の、ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－Ｉｎ２Ｏ３の第１誘電体膜３１を二次イオン質量分析法で定性分析したところ、ターゲット成分に含まれていない炭素が検出された。この結果から、スパッタ中に揮発した有機物が、第１誘電体膜３１に混入していることが推定された。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１も同様に有機物が混入していることが推定された。
発明者らの実験によれば、Ｌ２層３０において、第１誘電体膜３１をより長い時間スパッタすると、再生耐久性がより悪化した。Ｌ１層２０でも同様の傾向が得られた。このことから、スパッタ時間が長いほど、その熱輻射でよりたくさんの有機物が中間分離層から揮発し、Ｌ２層３０の第１誘電体膜３１に混入し、再生耐久性を悪化させたと考えられる。
本発明の実施形態においては、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０、およびＬ２層３０より選択される少なくとも一つの情報層を第１情報層とする。
第１情報層は、レーザ光６が照射される面から最も遠い位置に配置されている情報層よりも、レーザ光６が照射される面に近い位置に配置されていることが好ましく、Ｌ１層２０、又はＬ２層３０が第１情報層であることがより好ましく、少なくともＬ２層３０が第１情報層であることが更に好ましく、Ｌ１層２０およびＬ２層３０が第１情報層であることが特に好ましい。
第１情報層は、レーザ光６が照射される面に最も近い位置に配置されていることが好ましく、少なくともＬ２層３０が第１情報層であることが好ましい。例えば、Ｌ０層１０およびＬ２層３０が第１情報層であることが好ましく、Ｌ１層２０およびＬ２層３０が第１情報層であることがより好ましく、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０が第１情報層であることが更に好ましい。
第１情報層は、レーザ光６が照射される面から最も遠い位置に配置されている情報層よりも、レーザ光６が照射される面に近い位置に配置されていることが好ましく、Ｌ１層２０、又はＬ２層３０が第１情報層であることがより好ましく、少なくともＬ２層３０が第１情報層であることが更に好ましく、Ｌ１層２０およびＬ２層３０が第１情報層であることが特に好ましい。
第１情報層は、レーザ光６が照射される面に最も近い位置に配置されていることが好ましく、少なくともＬ２層３０が第１情報層であることが好ましい。例えば、Ｌ０層１０およびＬ２層３０が第１情報層であることが好ましく、Ｌ１層２０およびＬ２層３０が第１情報層であることがより好ましく、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０が第１情報層であることが更に好ましい。
情報記録媒体１００において、案内溝を基板１に形成した場合、本明細書においては、レーザ光６が照射される面に近い側にある面を便宜的に「グルーブ」と呼び、レーザ光６が照射される面から遠い側にある面を便宜的に「ランド」と呼ぶ。このグルーブとランドの両方に対応する位置で記録膜に、記録密度を高くして（すなわち、マーク長を短くして）ピットを形成すれば（ランド－グルーブ記録）、１情報層あたりの容量を、例えば、８３．４ＧＢにすることができる。情報記録媒体１００においては６つの情報層で情報の記録および再生が可能であるから、情報記録媒体１００は５００ＧＢの容量を有するものとして提供できる。案内溝は、後述するとおり、中間分離層２および３にも形成してよい。特に、Ｌ１層２０およびＬ２層３０において、ランド－グルーブ記録を実施する場合には、中間分離層２および３に案内溝を形成することが好ましい。
３つの情報層の実効反射率は、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０の反射率と、Ｌ１層２０およびＬ２層３０の透過率を各々調整することにより制御できる。本明細書中では、上記のとおり、３つの情報層を積層した状態で測った各情報層の反射率を、実効反射率と定義する。特に断りがない限り、「実効」と記載していなければ、積層しないで測った反射率を指す。また、反射率Ｒｇはグルーブ部の未記録状態での溝部反射率、反射率Ｒｌはランド部の未記録状態での溝部反射率を示す。
本実施の形態では、一例として、Ｌ０層１０の実効反射率Ｒｇが３．５％、実効反射率Ｒｌが３．８％、Ｌ１層２０の実効反射率Ｒｇが４．０％、実効反射率Ｒｌが４．３％、Ｌ２層３０の実効反射率Ｒｇが５．８％、実効反射率Ｒｌが６．１％となるように設計した構成を説明する。
Ｌ２層３０の透過率が８０％、Ｌ１層２０の透過率が７７％である場合、Ｌ０層１０は反射率Ｒｇが８．０％、反射率Ｒｌが８．５％、Ｌ１層２０は反射率Ｒｇが６．０％、反射率Ｒｌが６．３％、Ｌ２層３０は反射率Ｒｇが５．８％、反射率Ｒｌが６．１％となるように設計すれば、前述の実効反射率を得ることができる。ここでの透過率は記録膜３２，２２，１２が未記録状態であるときのグルーブ部およびランド部での平均値を示している。
Ｌ２層３０の透過率が８０％、Ｌ１層２０の透過率が７７％である場合、Ｌ０層１０は反射率Ｒｇが８．０％、反射率Ｒｌが８．５％、Ｌ１層２０は反射率Ｒｇが６．０％、反射率Ｒｌが６．３％、Ｌ２層３０は反射率Ｒｇが５．８％、反射率Ｒｌが６．１％となるように設計すれば、前述の実効反射率を得ることができる。ここでの透過率は記録膜３２，２２，１２が未記録状態であるときのグルーブ部およびランド部での平均値を示している。
ここで、再生光量について説明する。再生光量は、各層の記録時の実効反射率と再生パワーの積を求め、これを１００で除すことにより（記録時の実効反射率Ｒ（％）×再生パワーＰｒ（ｍＷ）／１００）、求めることができる。
第２世代のアーカイバル・ディスクにおいては、より高い再生光量が必要とされており、ランド・アンド・グルーブ記録の５００ＧＢのアーカイバル・ディスクを作製すると、４倍速における再生光量は以下のようになる。
Ｌ０層１０の再生光量：０．０７０（２．８％×２．５ｍＷ／１００）
Ｌ１層２０の再生光量：０．０７０（３．２％×２．２ｍＷ／１００）
Ｌ２層３０の再生光量：０．０７０（４．６％×１．６ｍＷ／１００）
第２世代のアーカイバル・ディスクにおいては、より高い再生光量が必要とされており、ランド・アンド・グルーブ記録の５００ＧＢのアーカイバル・ディスクを作製すると、４倍速における再生光量は以下のようになる。
Ｌ０層１０の再生光量：０．０７０（２．８％×２．５ｍＷ／１００）
Ｌ１層２０の再生光量：０．０７０（３．２％×２．２ｍＷ／１００）
Ｌ２層３０の再生光量：０．０７０（４．６％×１．６ｍＷ／１００）
以下、基板１、中間分離層２、中間分離層３、カバー層４および貼り合わせ層５の機能、材料および厚さについて説明する。
基板１の材料として、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１は透明であることが好ましいが、半透明であってもよく、特に透明性は限定されない。また、基板１の形状は特に限定されず、円盤状であってもよい。基板１は、例えば、厚さが約０．５ｍｍであり、直径が約１２０ｍｍである円盤状のものである。
基板１のＬ０層１０側の表面には、必要に応じてレーザ光６を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。案内溝を基板１に形成した場合、前述した通り、レーザ光６が照射される面に近い側の溝（面）を「グルーブ」と呼び、レーザ光６が照射される面から遠い側の溝（面）を「ランド」と呼ぶ。溝深さ（グルーブ面とランド面の段差）は、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。ランド－グルーブ記録方式を採用し、かつ高い記録密度で記録する場合、クロストークの影響を低減するために、溝深さはより深く設計してよい。但し、溝を深くすると反射率は下がる傾向にある。クロストークを低減するとともに、反射率を維持できるよう、溝深さは２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。実施の形態１ではランド－グルーブ間距離（グルーブの幅方向の中心と、当該グルーブに隣接するランドの幅方向の中心との間の距離）は、約０．２２５μｍであるが、これに限定されるものではない。
基板１の材料として、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１は透明であることが好ましいが、半透明であってもよく、特に透明性は限定されない。また、基板１の形状は特に限定されず、円盤状であってもよい。基板１は、例えば、厚さが約０．５ｍｍであり、直径が約１２０ｍｍである円盤状のものである。
基板１のＬ０層１０側の表面には、必要に応じてレーザ光６を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。案内溝を基板１に形成した場合、前述した通り、レーザ光６が照射される面に近い側の溝（面）を「グルーブ」と呼び、レーザ光６が照射される面から遠い側の溝（面）を「ランド」と呼ぶ。溝深さ（グルーブ面とランド面の段差）は、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってよい。ランド－グルーブ記録方式を採用し、かつ高い記録密度で記録する場合、クロストークの影響を低減するために、溝深さはより深く設計してよい。但し、溝を深くすると反射率は下がる傾向にある。クロストークを低減するとともに、反射率を維持できるよう、溝深さは２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。実施の形態１ではランド－グルーブ間距離（グルーブの幅方向の中心と、当該グルーブに隣接するランドの幅方向の中心との間の距離）は、約０．２２５μｍであるが、これに限定されるものではない。
中間分離層２および３は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂等からなり、例えばアクリル系樹脂からなる。中間分離層２および３は、記録および再生に用いる波長λのレーザ光６に対して光吸収が小さいものであると、レーザ光６を効率よくＬ０層１０およびＬ１層２０に到達させることができる。中間分離層２および３は、Ｌ０層１０、Ｌ１層２０およびＬ２層３０のフォーカス位置を区別するために設けられるものである。したがって、中間分離層２および３の厚さは、例えば、対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光６の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上としてよい。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）２｝で近似できる。また、Ｌ１層２０における裏焦点の影響を防ぐため、中間分離層２と中間分離層３の厚さは異なる値としてよい。
中間分離層２および３において、レーザ光６の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。中間分離層２および３に設ける案内溝の段差、およびランド－グルーブ間距離は、基板１に設けられる案内溝に関して説明したとおりである。実施の形態１では、溝深さ（グルーブ面とランド面の段差）は３０ｎｍ、ランド－グルーブ間距離は、約０．２２５μｍとしているが、これらに限定されるものではない。
中間分離層２および３において、レーザ光６の入射側に凹凸の案内溝が形成されていてもよい。中間分離層２および３に設ける案内溝の段差、およびランド－グルーブ間距離は、基板１に設けられる案内溝に関して説明したとおりである。実施の形態１では、溝深さ（グルーブ面とランド面の段差）は３０ｎｍ、ランド－グルーブ間距離は、約０．２２５μｍとしているが、これらに限定されるものではない。
カバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）、もしくは遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。カバー層４は、使用するレーザ光６に対して光吸収が小さいものであってよい。あるいは、カバー層４は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いて形成してよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層４は、シート状や薄板状であってよい。シート状や薄板状のカバー層４は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を接着剤として、Ｌ２層３０における第２誘電体膜３３に貼り合わせることにより形成してよい。カバー層４の厚さは、例えば、上記ＮＡ＝０．９１で良好な記録および再生が可能な厚さである４０μｍ～８０μｍ程度としてよく、特に、５０μｍ～６５μｍ程度としてよい。
貼り合わせ層５は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂からなり、Ａ面情報記録媒体１０１とＢ面情報記録媒体１０２を接着させている。貼り合わせ層５の透明性は特に限定されず、透明であっても、半透明であってもよい。貼り合わせ層５にはレーザ光６を遮光する膜を設けてもよい。貼り合わせ層５の厚さは５μｍ～８０μｍ程度であってよく、特に２０μｍ～５０μｍ程度であってよい。
情報記録媒体１００の厚さをＢＤ規格の媒体と同等の厚さとする場合、中間分離層２および３ならびにカバー層４の厚さの総和は１００μｍに設定してよい。例えば、中間分離層２を約２５μｍ厚、中間分離層３を約１８μｍ厚、カバー層４を約５７μｍ厚に設定してよい。
情報記録媒体１００の厚さをＢＤ規格の媒体と同等の厚さとする場合、中間分離層２および３ならびにカバー層４の厚さの総和は１００μｍに設定してよい。例えば、中間分離層２を約２５μｍ厚、中間分離層３を約１８μｍ厚、カバー層４を約５７μｍ厚に設定してよい。
本発明の適用がより好ましいＬ２層３０が第１情報層である場合の、Ｌ２層３０の構成から順に説明する。
Ｌ２層３０は、中間分離層３の表面上に、少なくとも第１誘電体膜３１および記録膜３２がこの順に積層されることにより形成される。さらに、記録膜３２の表面上に、第２誘電体膜３３が積層されてもよい。
Ｌ２層３０が第１情報層である場合、本実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、スパッタ中に中間分離層３から揮発した有機物（光重合開始剤の一部の未硬化成分や低分子成分）が、第１誘電体膜３１に混入しても、Ｌ２層の再生耐久性を劣化させない、優れた誘電体材料である。この理由について、本発明者らは、第１誘電体膜３１が特定の組成を有することにより、第１誘電体膜３１に有機物（Ｃ等）が混入しても、再生パワーのレーザ光６を連続照射している間に、有機物と、第１誘電体膜３１中の成分とが結合しないため、再生耐久性が低下しないと推察している。
Ｌ２層３０は、中間分離層３の表面上に、少なくとも第１誘電体膜３１および記録膜３２がこの順に積層されることにより形成される。さらに、記録膜３２の表面上に、第２誘電体膜３３が積層されてもよい。
Ｌ２層３０が第１情報層である場合、本実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、スパッタ中に中間分離層３から揮発した有機物（光重合開始剤の一部の未硬化成分や低分子成分）が、第１誘電体膜３１に混入しても、Ｌ２層の再生耐久性を劣化させない、優れた誘電体材料である。この理由について、本発明者らは、第１誘電体膜３１が特定の組成を有することにより、第１誘電体膜３１に有機物（Ｃ等）が混入しても、再生パワーのレーザ光６を連続照射している間に、有機物と、第１誘電体膜３１中の成分とが結合しないため、再生耐久性が低下しないと推察している。
情報記録媒体１００における情報層の再生耐久性は、予め最適なパワーのレーザ光６で記録された記録マークに、再生パワーのレーザ光６を連続照射することにより評価することができる。具体的には、１００万回（１００万パス）再生できる最大再生パワーとして定義される。１００万パスの再生が可能か否かは、１００万パス後の記録信号のｄ－ＭＬＳＥ値の悪化量で判断することができる。ｄ－ＭＬＳＥ値の悪化が１パス後から１．５％以下であれば、その再生パワーで１００万パス再生できたと判断してよい。最大再生パワーが高いほど再生耐久性が優れている、と判断される。ここで、ｄ－ＭＬＳＥは５００ＧＢ容量のアーカイバル・ディスクの、記録信号品質の評価指標であり、Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｄｅｒｉｖｅｄ－Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｅｒｒｏｒ Ｅｓｔｉｍａｔｉｏｎの略号である。
再生耐久性が課題になることを先に述べたが、記録マークのサイズを小さくすると、再生するためのレーザ光６が記録マークに多数パス照射された場合、大きいサイズの記録マークと比較して、ｄ－ＭＬＳＥ値の悪化量がより大きくなる。記録マークが小さいほど、劣化面積が記録マークを占める割合が大きくなるからである。
Ｌ２層３０が第１情報層である場合、本実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと酸素と元素Ｄ１の原子数を合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含む。
第１誘電体膜３１としては、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、等を用いてよく、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎを用いることが好ましい。Ｏは酸素である。ここで、「－」は「混合」を意味する。したがって、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎは、Ｚｒと酸素とＺｎが混合されていることを意味する。Ｚｒ鉱物中にはＨｆが少量含まれているので、第１誘電体膜３１にＨｆが含まれていてもよい。
第１誘電体膜３１としては、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、等を用いてよく、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎを用いることが好ましい。Ｏは酸素である。ここで、「－」は「混合」を意味する。したがって、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎは、Ｚｒと酸素とＺｎが混合されていることを意味する。Ｚｒ鉱物中にはＨｆが少量含まれているので、第１誘電体膜３１にＨｆが含まれていてもよい。
本実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、Ｚｒと酸素と元素Ｄ１を含むことにより、Ｚｒと酸素がＺｒの酸化物を形成し、元素Ｄ１と酸素が元素Ｄ１の酸化物を形成していることが好ましい。その場合、Ｚｒの酸化物を１０モル％以上７０モル％以下含み、元素Ｄ１の酸化物を３０モル％以上９０モル％以下含むことが好ましい。
Ｚｒの酸化物を１０モル％以上含むことにより、Ｌ２層３０は優れた再生耐久性を実現できる。Ｚｒの酸化物を７０モル％より多く含むと、比抵抗値が大きくなり、パルスＤＣスパッタができなくなる。また、成膜速度も顕著に遅くなるため、生産性が低下する。Ｚｒの酸化物が１０モル％よりも少なくなると、再生耐久性が悪化する。
Ｚｒの酸化物に、さらに元素Ｄ１の酸化物を３０モル％以上含ませることにより、ターゲットの比抵抗値を下げ、導電性を持たせることができる。それによって、パルスＤＣスパッタが可能になる。高周波スパッタ法よりも成膜速度が速くなる。さらに元素Ｄ１の酸化物を４０モル％以上含ませることにより、さらにターゲットの比抵抗値を下げることができ、ＤＣスパッタが可能になる。パルスＤＣスパッタ法よりも成膜速度が速くなり、生産性が上がる。
Ｚｒの酸化物を１０モル％以上含むことにより、Ｌ２層３０は優れた再生耐久性を実現できる。Ｚｒの酸化物を７０モル％より多く含むと、比抵抗値が大きくなり、パルスＤＣスパッタができなくなる。また、成膜速度も顕著に遅くなるため、生産性が低下する。Ｚｒの酸化物が１０モル％よりも少なくなると、再生耐久性が悪化する。
Ｚｒの酸化物に、さらに元素Ｄ１の酸化物を３０モル％以上含ませることにより、ターゲットの比抵抗値を下げ、導電性を持たせることができる。それによって、パルスＤＣスパッタが可能になる。高周波スパッタ法よりも成膜速度が速くなる。さらに元素Ｄ１の酸化物を４０モル％以上含ませることにより、さらにターゲットの比抵抗値を下げることができ、ＤＣスパッタが可能になる。パルスＤＣスパッタ法よりも成膜速度が速くなり、生産性が上がる。
元素Ｄ１の酸化物はＺｎの酸化物およびＳｎの酸化物のうちの少なくとも一つであってよい。Ｚｎの酸化物は、導電性を持たせる機能を有する。Ｓｎの酸化物は、成膜速度を高める機能を有する。
Ｚｒの酸化物としてはＺｒＯ２を含んでよい。さらに、元素Ｄ１の酸化物としてはＺｎＯ、ＳｎＯおよびＳｎＯ２より選ばれる少なくとも一つを含んでよい。Ｓｎの酸化物は、融点が高く透明な、ＳｎＯ２を含ませることがより好ましい。
第１誘電体膜３１は、これらの酸化物から選択される２以上の酸化物の混合物から成ってよく、あるいは２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。例えば、ＺｒＯ２－ＺｎＯであってよい。
Ｚｒ鉱物中にはＨｆが少量含まれているので、第１誘電体膜３１にＨｆの酸化物が含まれていてもよい。
Ｚｒの酸化物としてはＺｒＯ２を含んでよい。さらに、元素Ｄ１の酸化物としてはＺｎＯ、ＳｎＯおよびＳｎＯ２より選ばれる少なくとも一つを含んでよい。Ｓｎの酸化物は、融点が高く透明な、ＳｎＯ２を含ませることがより好ましい。
第１誘電体膜３１は、これらの酸化物から選択される２以上の酸化物の混合物から成ってよく、あるいは２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。例えば、ＺｒＯ２－ＺｎＯであってよい。
Ｚｒ鉱物中にはＨｆが少量含まれているので、第１誘電体膜３１にＨｆの酸化物が含まれていてもよい。
第１誘電体膜３１としては、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２等を用いてよく、ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２が好ましい。
元素Ｄ１の酸化物を７０モル％（ＺｎＯを４０モル％とＳｎＯ２を３０モル％）含ませた場合、（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比になる。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含んでいてもよく、Ｍｇを含むことが好ましい。元素Ｄ２としてＭｇを含むことにより、後述のとおり生産効率が向上するためである。
第１誘電体膜３１としては、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
等を用いてよく、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ、又はＺｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎが好ましく、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎがより好ましい。
ＺｒＯ２－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２等を用いてよく、ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２が好ましい。
元素Ｄ１の酸化物を７０モル％（ＺｎＯを４０モル％とＳｎＯ２を３０モル％）含ませた場合、（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比になる。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含んでいてもよく、Ｍｇを含むことが好ましい。元素Ｄ２としてＭｇを含むことにより、後述のとおり生産効率が向上するためである。
第１誘電体膜３１としては、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
等を用いてよく、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ、又はＺｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎが好ましく、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎがより好ましい。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、さらに元素Ｄ２を含むことにより、元素Ｄ２と酸素が元素Ｄ２の酸化物を形成していることが好ましい。元素Ｄ２の酸化物は、Ｓｉの酸化物、Ｙの酸化物、Ｃａの酸化物およびＭｇの酸化物のうちの少なくとも一つであってよい。
ＺｒＯ２は１０００℃付近で、低温型（単斜晶系）の結晶構造から高温型（立方晶系）の結晶構造に可逆的に相転移する。この際、体積変化を伴う。ＺｒＯ２に希土類酸化物、ＣａＯ、ＭｇＯ等を数％添加すると、立方晶系の結晶構造となり相転移を生じなくなる。これを安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアという。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１においても、Ｚｒの酸化物と元素Ｄ２の酸化物が安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを形成していることが好ましい。これにより、高パワー（高電流、高電圧）を投入して量産してもターゲットが割れにくくなる。希土類元素の酸化物である元素Ｄ２の中でもＹの酸化物がより好ましいが、Ｃｅの酸化物など、他の希土類元素の酸化物を用いてもよい。Ｙの酸化物としてはＹ２Ｏ３、Ｃａの酸化物としてはＣａＯ、Ｍｇの酸化物としてはＭｇＯを含んでよい。
ＺｒＯ２は１０００℃付近で、低温型（単斜晶系）の結晶構造から高温型（立方晶系）の結晶構造に可逆的に相転移する。この際、体積変化を伴う。ＺｒＯ２に希土類酸化物、ＣａＯ、ＭｇＯ等を数％添加すると、立方晶系の結晶構造となり相転移を生じなくなる。これを安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアという。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１においても、Ｚｒの酸化物と元素Ｄ２の酸化物が安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを形成していることが好ましい。これにより、高パワー（高電流、高電圧）を投入して量産してもターゲットが割れにくくなる。希土類元素の酸化物である元素Ｄ２の中でもＹの酸化物がより好ましいが、Ｃｅの酸化物など、他の希土類元素の酸化物を用いてもよい。Ｙの酸化物としてはＹ２Ｏ３、Ｃａの酸化物としてはＣａＯ、Ｍｇの酸化物としてはＭｇＯを含んでよい。
ターゲットが、Ｚｒの酸化物を安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアとして含有することにより、スパッタ中に高温となるターゲット表面での、相転移に伴う可逆的な体積変化を抑えることができる。生産性を上げるために、高パワーを投入してＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタを繰り返しても、ターゲット表面からクラックが発生し難くなるため、ターゲットを最後まで使い切ることができる。元素Ｄ２の酸化物の中でも、Ｙ２Ｏ３を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアは、イオン伝導性に優れているので、ＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタを実施する場合はより好ましい。
また、本発明者らの検討により、第１誘電体膜３１を形成する際に、高スパッタパワーを投入してＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタを実施する場合、Ｍｇの酸化物を含むターゲットは、Ｙの酸化物を含むターゲット、およびＣａの酸化物を含むターゲットに比べて、より高いスパッタパワーでも、ターゲット表面にクラックが発生し難いことを見出した。
そのため、第１誘電体膜３１に対応したターゲット材料として、Ｍｇの酸化物を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを含ませることにより、生産効率が向上するため、より好ましい。
後述する第２誘電体膜３３、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１、第２誘電体膜２３、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３に、各々対応したターゲット材料においても同様に、Ｍｇの酸化物を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを含むことが好ましい。
そのため、第１誘電体膜３１に対応したターゲット材料として、Ｍｇの酸化物を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを含ませることにより、生産効率が向上するため、より好ましい。
後述する第２誘電体膜３３、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１、第２誘電体膜２３、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３に、各々対応したターゲット材料においても同様に、Ｍｇの酸化物を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを含むことが好ましい。
ＺｒＯ２に対して、元素Ｄ２の酸化物を１モル％から１０モル％の割合で添加してよい。
１０％を超えると、相転移が再現する。
例えば、第１誘電体膜３１が、ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３を１０モル％含有する場合、
（ＺｒＯ２）２７．３（Ｙ２Ｏ３）２．７（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比になる。
例えば、第１誘電体膜３１が、ＺｒＯ２に対してＭｇＯを８．７モル％含有する場合、
（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５モル％、と表記される組成比になる。
あるいはＳｉの酸化物として、ＳｉＯ２を含んでよく、ＺｒＯ２と、複合酸化物ＺｒＳｉＯ４を形成してよい。安定な正方晶系の結晶構造をとり、１７００℃ぐらいまで相転移は生じない。また、この複合酸化物にもわずかにＨｆが含まれていてもよい。
ＳｉＯ２は、ＺｒＯ２とモル比で１：１の割合で含まれていることが好ましく、モル比で３％以上３５％以下であることが好ましい。例えば、第１誘電体膜３１は、（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％にＳｉＯ２を含有する場合は、（ＺｒＯ２）１５（ＳｉＯ２）１５（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比が好ましい。
ＳｉＯ２が、ＺｒＯ２とモル比で１：１の割合から外れてもよく、その場合はＳｉＯ２とＺｒＯ２より選ばれる少なくとも一つと、ＺｒＳｉＯ４とが存在してよい。
１０％を超えると、相転移が再現する。
例えば、第１誘電体膜３１が、ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３を１０モル％含有する場合、
（ＺｒＯ２）２７．３（Ｙ２Ｏ３）２．７（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比になる。
例えば、第１誘電体膜３１が、ＺｒＯ２に対してＭｇＯを８．７モル％含有する場合、
（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５モル％、と表記される組成比になる。
あるいはＳｉの酸化物として、ＳｉＯ２を含んでよく、ＺｒＯ２と、複合酸化物ＺｒＳｉＯ４を形成してよい。安定な正方晶系の結晶構造をとり、１７００℃ぐらいまで相転移は生じない。また、この複合酸化物にもわずかにＨｆが含まれていてもよい。
ＳｉＯ２は、ＺｒＯ２とモル比で１：１の割合で含まれていることが好ましく、モル比で３％以上３５％以下であることが好ましい。例えば、第１誘電体膜３１は、（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％にＳｉＯ２を含有する場合は、（ＺｒＯ２）１５（ＳｉＯ２）１５（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比が好ましい。
ＳｉＯ２が、ＺｒＯ２とモル比で１：１の割合から外れてもよく、その場合はＳｉＯ２とＺｒＯ２より選ばれる少なくとも一つと、ＺｒＳｉＯ４とが存在してよい。
第１誘電体膜３１としては、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
第１誘電体膜３１は、生産効率の観点からＭｇＯを含むことが好ましく、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２、又はＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を含むことがより好ましく、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を含むことが更に好ましい。
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
第１誘電体膜３１は、生産効率の観点からＭｇＯを含むことが好ましく、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２、又はＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を含むことがより好ましく、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を含むことが更に好ましい。
ＨｆはＺｒと化学的性質が似ているので、第１誘電体膜３１のＺｒＯ２の一部または全部をＨｆＯ２に置き換えてもよい。ＨｆＯ２の相構造変化は１７００℃付近であり、ＺｒＯ２よりも高温相は安定である。よって、ＺｒＯ２の一部または全部をＨｆＯ２に置き換えることにより、ターゲットが割れにくくなることを期待できる。ただし、Ｈｆは地殻存在度が少ないため、ＨｆＯ２の方がＺｒＯ２よりも、かなり高価格である。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、さらに、ＧａおよびＡｌより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３を含み、Ｚｒと、酸素と、元素Ｄ１と、元素Ｄ２および元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、元素Ｄ３を７原子％以下含んでいてもよい。元素Ｄ３としてはＧａが好ましい。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、さらに、ＧａおよびＡｌより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３を含み、Ｚｒと、酸素と、元素Ｄ１と、元素Ｄ２および元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、元素Ｄ３を７原子％以下含んでいてもよい。元素Ｄ３としてはＧａが好ましい。
第１誘電体膜３１としては、含まれる元素は、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
等を用いてよい。
第１誘電体膜３１は、生産効率の観点からＭｇを含むことが好ましく、Ｍｇ及びＧａを含むことがより好ましい。第１誘電体膜３１は、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、又はＺｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌを含むことが好ましく、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａを含むことがより好ましい。
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
等を用いてよい。
第１誘電体膜３１は、生産効率の観点からＭｇを含むことが好ましく、Ｍｇ及びＧａを含むことがより好ましい。第１誘電体膜３１は、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、又はＺｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌを含むことが好ましく、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａを含むことがより好ましい。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、さらに元素Ｄ３を含むことにより、元素Ｄ３と酸素が元素Ｄ３の酸化物を形成していることが好ましい。元素Ｄ３の酸化物は、Ｇａの酸化物およびＡｌの酸化物のうちの少なくとも一つであってよい。Ｇａの酸化物はＧａ２Ｏ３であってよく、Ａｌの酸化物はＡｌ２Ｏ３であってよい。
本実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、元素Ｄ３を７原子％以下含む場合、Ｚｒの酸化物と、元素Ｄ１の酸化物と、元素Ｄ２の酸化物および元素Ｄ３の酸化物のモル数を合わせて１００モル％とした場合、元素Ｄ３の酸化物を８モル％以下含む。
元素Ｄ３をＺｎの酸化物に添加すると、Ｚｎの酸化物の比抵抗値が下がる。すなわち、元素Ｄ３は、Ｚｎの酸化物の導電性を向上させる役割を担う。さらには系全体の導電性が向上するので、ターゲットはＤＣスパッタしやすくなる。成膜速度が速くなり、生産性が上がる。元素Ｄ３の酸化物は、Ｚｎの酸化物の一部を置換する形で添加してよい。
元素Ｄ３の酸化物の添加量としては少量で効果が得られ、８モル％以下が好ましい。８モル％より多いと比抵抗値は下がらなくなる。
本実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、元素Ｄ３を７原子％以下含む場合、Ｚｒの酸化物と、元素Ｄ１の酸化物と、元素Ｄ２の酸化物および元素Ｄ３の酸化物のモル数を合わせて１００モル％とした場合、元素Ｄ３の酸化物を８モル％以下含む。
元素Ｄ３をＺｎの酸化物に添加すると、Ｚｎの酸化物の比抵抗値が下がる。すなわち、元素Ｄ３は、Ｚｎの酸化物の導電性を向上させる役割を担う。さらには系全体の導電性が向上するので、ターゲットはＤＣスパッタしやすくなる。成膜速度が速くなり、生産性が上がる。元素Ｄ３の酸化物は、Ｚｎの酸化物の一部を置換する形で添加してよい。
元素Ｄ３の酸化物の添加量としては少量で効果が得られ、８モル％以下が好ましい。８モル％より多いと比抵抗値は下がらなくなる。
第１誘電体膜３１としては、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
あるいは、第１誘電体膜３１としては、元素Ｄ２の酸化物と混合して、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
第１誘電体膜３１は、生産効率の観点からＭｇＯを含むことが好ましく、ＭｇＯ及びＧａ２Ｏ３を含むことが好ましい。第１誘電体膜３１は、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、又はＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２を含むことが好ましく、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２を含むことがより好ましい。
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
第１誘電体膜３１は、生産効率の観点からＭｇＯを含むことが好ましく、ＭｇＯ及びＧａ２Ｏ３を含むことが好ましい。第１誘電体膜３１は、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、又はＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２を含むことが好ましく、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２を含むことがより好ましい。
例えば、第１誘電体膜３１が、Ｇａ２Ｏ３を２モル％含有する場合、
（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）３８（Ｇａ２Ｏ３）２（ＳｎＯ２）３０モル％、あるいは、
（ＺｒＯ２）２７．３（Ｙ２Ｏ３）２．７（ＺｎＯ）３８（Ｇａ２Ｏ３）２（ＳｎＯ２）３０モル％、
と表記される組成比になる。
例えば、第１誘電体膜３１が、Ｇａ２Ｏ３を１．１モル％含有する場合、
（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ＳｎＯ２）２５モル％、
と表記される組成比を用いてよい。
（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）３８（Ｇａ２Ｏ３）２（ＳｎＯ２）３０モル％、あるいは、
（ＺｒＯ２）２７．３（Ｙ２Ｏ３）２．７（ＺｎＯ）３８（Ｇａ２Ｏ３）２（ＳｎＯ２）３０モル％、
と表記される組成比になる。
例えば、第１誘電体膜３１が、Ｇａ２Ｏ３を１．１モル％含有する場合、
（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ＳｎＯ２）２５モル％、
と表記される組成比を用いてよい。
第１誘電体膜３１の厚さは、例えば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。より好ましくは８ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜３２への水分の侵入を抑制できないことがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜３１の厚さが４０ｎｍを超えると、第１誘電体膜３１の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。
第１誘電体膜３１の組成は、例えば、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析）、またはラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）で分析することができる。後述する第１誘電体膜２１、１１、記録膜３２、２２、１２、および第２誘電体膜３３、２３、１３も、同様にこれらの手法で含まれる元素、およびその組成を分析することができる。
例えばＸＭＡの場合、本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１を分析すると、元素ごとの組成を分析することができる。例えば、下記（ａ）組成（モル％）の第１誘電体膜３１をＸＭＡで分析すると、おおよそ（ｂ）組成（原子％）が得られる。
（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％ －（ａ）、
Ｚｒ１１．５Ｚｎ１５．４Ｓｎ１１．５Ｏ６１．６原子％ －（ｂ）。
Ｚｒ１１．５Ｚｎ１５．４Ｓｎ１１．５Ｏ６１．６原子％ －（ｂ）。
あるいは（ｃ）組成（モル％）を分析すると、おおよそ（ｄ）組成（原子％）が得られる。
（ＺｒＯ２）２７．３（Ｙ２Ｏ３）２．７（ＺｎＯ）３８（Ｇａ２Ｏ３）２（ＳｎＯ２）３０モル％ －（ｃ）、
Ｚｒ１０．１Ｙ２．０Ｚｎ１４．０Ｇａ１．５Ｓｎ１１．１Ｏ６１．３原子％ －（ｄ）。
あるいは（ｒ）組成（モル％）を分析すると、おおよそ（ｓ）組成（原子％）が得られる。
（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ＳｎＯ２）２５モル％ －（ｒ）、
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｇａ０．９Ｓｎ１０。０Ｏ５９．６原子％ －（ｓ）。
Ｚｒを含む場合、Ｈｆも検出される場合がある。
Ｚｒ１０．１Ｙ２．０Ｚｎ１４．０Ｇａ１．５Ｓｎ１１．１Ｏ６１．３原子％ －（ｄ）。
あるいは（ｒ）組成（モル％）を分析すると、おおよそ（ｓ）組成（原子％）が得られる。
（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ＳｎＯ２）２５モル％ －（ｒ）、
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｇａ０．９Ｓｎ１０。０Ｏ５９．６原子％ －（ｓ）。
Ｚｒを含む場合、Ｈｆも検出される場合がある。
アモルファス膜の場合、形成されている酸化物を特定することは困難なので、元素ごとの組成となる。第１誘電体膜３１の膜中で、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成していることも考えられ、（ｂ）、（ｄ）および（ｓ）の計算値と実際の分析値が合わない場合もある。
上述したように、中間分離層３の表面に第１誘電体膜３１をスパッタで形成すると、スパッタの輻射熱で中間分離層３から有機物が揮発する場合がある。この場合、第１誘電体膜３１の中間分離層３との境界付近には、有機物が混入してしまう。これは、二次イオン質量分析法により、膜厚方向に元素分析したところ、炭素が検出されたことにより、検証することができる。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、光学的な位相差を調節してグルーブとランドの信号振幅を制御する働き、剛性を調節して記録マークの膨らみを制御する働き、Ｌ２層３０の反射率や透過率を制御する働き、を有する。また、第１誘電体膜３１は、記録膜３２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜３２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１は、光学的な位相差を調節してグルーブとランドの信号振幅を制御する働き、剛性を調節して記録マークの膨らみを制御する働き、Ｌ２層３０の反射率や透過率を制御する働き、を有する。また、第１誘電体膜３１は、記録膜３２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜３２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。
ターゲットの導電性は、従来のＩｎ２Ｏ３を使わず、元素Ｄ１の酸化物、必要に応じて元素Ｄ３の酸化物を使用して確保した。ターゲットの比抵抗値は、１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。これは後述する第１誘電体膜２１、１１についても同様である。
第１誘電体膜３１は、例えば、スパッタにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、第１誘電体膜３１に含まれる酸化物は、スパッタ中の酸素および／または金属の欠損、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施の形態および他の実施の形態において、第１誘電体膜３１に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。これは後述する第１誘電体膜２１、１１についても同様である。
第１誘電体膜３１は、例えば、スパッタにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、第１誘電体膜３１に含まれる酸化物は、スパッタ中の酸素および／または金属の欠損、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施の形態および他の実施の形態において、第１誘電体膜３１に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。これは後述する第１誘電体膜２１、１１についても同様である。
第１誘電体膜３１は、Ｚｒと酸素と元素Ｄ１から実質的に成っていてよい。
ここで「実質的に」という用語は、第１誘電体膜３１が例えばスパッタにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は第１誘電体膜３１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。これは、元素Ｄ２、元素Ｄ３を含む場合も適用される。また、後述する第１誘電体膜２１、１１に関して、「実質的に」という用語を用いる場合に同様に適用される。
ここで「実質的に」という用語は、第１誘電体膜３１が例えばスパッタにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は第１誘電体膜３１に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。これは、元素Ｄ２、元素Ｄ３を含む場合も適用される。また、後述する第１誘電体膜２１、１１に関して、「実質的に」という用語を用いる場合に同様に適用される。
Ｌ２層３０が第１情報層である場合、本発明の実施形態にかかる記録膜３２は、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む。
記録膜３２は、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含むので、例えば、レーザ光６の照射によって酸素（Ｏ）が分離し、また、Ｏ同士が結合して、記録マークとなる膨張部を形成する。この膨張部の形成は非可逆的な変化であるため、この記録膜３２を備えたＬ２層は追記型のものとなる。
記録膜３２において、Ｗ、ＣｕおよびＭｎは、各々Ｗ－Ｏ、Ｃｕ－Ｏ、Ｍｎ－Ｏの酸化物の形態で存在していてよい。
記録膜３２は、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含むので、例えば、レーザ光６の照射によって酸素（Ｏ）が分離し、また、Ｏ同士が結合して、記録マークとなる膨張部を形成する。この膨張部の形成は非可逆的な変化であるため、この記録膜３２を備えたＬ２層は追記型のものとなる。
記録膜３２において、Ｗ、ＣｕおよびＭｎは、各々Ｗ－Ｏ、Ｃｕ－Ｏ、Ｍｎ－Ｏの酸化物の形態で存在していてよい。
記録膜３２中のＷ－Ｏは透明な酸化物で、レーザ光６が記録膜３２に照射された際に、酸素を発生して記録膜３２を膨張させる機能を有する。また、Ｗを含むターゲットを用いて記録膜３２をＤＣスパッタで形成する際に、ターゲット中のＷは安定的にＤＣスパッタを持続させる機能を有する。記録膜３２中にＷを含有しなければ、記録膜３２が膨張せず、記録マークの形成が困難になる。Ｗが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタにより記録膜３２を形成すると、Ｗは、記録膜３２中ではＷ－Ｏとなるか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。
記録膜３２中のＣｕ－Ｏは光吸収性を有する酸化物であり、記録膜３２にレーザ光６を吸収させる役割を担う。また、ターゲット中のＣｕはターゲットに導電性を付与し、記録膜３２をＤＣスパッタで形成する際に、安定的にＤＣスパッタを持続させる機能を有する。記録膜３２にＣｕを含有しないターゲットを用いると、ＤＣスパッタが非常に困難になる。記録膜３２にＣｕが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタにより記録膜３２を形成すると、Ｃｕは、記録膜３２中ではＣｕ－Ｏとなるか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物になる。
記録膜３２中のＣｕ－Ｏは光吸収性を有する酸化物であり、記録膜３２にレーザ光６を吸収させる役割を担う。また、ターゲット中のＣｕはターゲットに導電性を付与し、記録膜３２をＤＣスパッタで形成する際に、安定的にＤＣスパッタを持続させる機能を有する。記録膜３２にＣｕを含有しないターゲットを用いると、ＤＣスパッタが非常に困難になる。記録膜３２にＣｕが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタにより記録膜３２を形成すると、Ｃｕは、記録膜３２中ではＣｕ－Ｏとなるか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物になる。
記録膜３２中のＭｎ－Ｏは光吸収性を有する酸化物であり、レーザ光６が記録膜３２に照射された際に、酸素を発生して記録膜３２を膨張させる機能を有する。記録膜３２中のＭｎ－Ｏの含有量が多いほど変調度は大きくなり、信号品質は向上する。記録膜３２にＭｎ－Ｏを含有しなければ、品質のよい記録マークは形成できない。記録膜３２にＭｎ－Ｏが含まれるターゲットを用い、酸素を導入しながらスパッタにより記録膜３２を形成すると、Ｍｎ－Ｏは記録膜３２中でそのまま存在するか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。
記録膜３２は、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含むことにより、大きな変調度が得られる。
記録膜３２は、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含むことにより、大きな変調度が得られる。
記録膜３２において、Ｚｎは、Ｚｎ－Ｏの酸化物の形態で存在していてよい。
記録膜３２中のＺｎ－Ｏは導電性を有する酸化物であり、これを含むターゲットを用いてＤＣスパッタにより記録膜３２を形成すると、ＤＣスパッタの持続性がより安定する。また、Ｚｎ－Ｏの量を調整することで、記録膜３２の透過率や光吸収率を調整することができる。ただし、ターゲット中にＺｎ－Ｏが含まれていなくてもＤＣスパッタは可能である。Ｚｎ－Ｏが含まれるターゲットを用いて、酸素を導入しながらスパッタにより記録膜３２を形成すると、Ｚｎ－Ｏは記録膜３２中でそのまま存在するか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。
記録膜３２において、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉは、Ｎｂ－Ｏ、Ｍｏ－Ｏ、Ｔａ－ＯおよびＴｉ－Ｏの酸化物の形態で存在していてよい。Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉはそれぞれ、酸化数の異なる複数の酸化物を形成し得る。一般に酸素の多い酸化物は透明である。例えば、ＮｂＯ（ニオブ２価）とＮｂＯ２（ニオブ４価）は黒色であるが、Ｎｂ２Ｏ５（ニオブ５価）は無色である。マグネリ相の酸化物Ｎｂ３ｎ＋１Ｏ８ｎ－２も存在する。ＭｏＯ２（モリブデン４価）は黒色であるが、ＭｏＯ３（モリブデン６価）は無色である。ＭｏＯ３を還元して得られる青色のマグネリ相の酸化物も存在する。ＴａＯ２（タンタル４価）は黒色であるが、Ｔａ２Ｏ５（タンタル５価）は無色である。ＴｉＯ（チタン２価）は黒色、Ｔｉ２Ｏ３（チタン３価）は黒紫色であるが、ＴｉＯ２（チタン４価）は無色である。
記録膜３２中のＺｎ－Ｏは導電性を有する酸化物であり、これを含むターゲットを用いてＤＣスパッタにより記録膜３２を形成すると、ＤＣスパッタの持続性がより安定する。また、Ｚｎ－Ｏの量を調整することで、記録膜３２の透過率や光吸収率を調整することができる。ただし、ターゲット中にＺｎ－Ｏが含まれていなくてもＤＣスパッタは可能である。Ｚｎ－Ｏが含まれるターゲットを用いて、酸素を導入しながらスパッタにより記録膜３２を形成すると、Ｚｎ－Ｏは記録膜３２中でそのまま存在するか、あるいは他の元素と結合して少なくとも一部が複合酸化物となる。
記録膜３２において、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉは、Ｎｂ－Ｏ、Ｍｏ－Ｏ、Ｔａ－ＯおよびＴｉ－Ｏの酸化物の形態で存在していてよい。Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉはそれぞれ、酸化数の異なる複数の酸化物を形成し得る。一般に酸素の多い酸化物は透明である。例えば、ＮｂＯ（ニオブ２価）とＮｂＯ２（ニオブ４価）は黒色であるが、Ｎｂ２Ｏ５（ニオブ５価）は無色である。マグネリ相の酸化物Ｎｂ３ｎ＋１Ｏ８ｎ－２も存在する。ＭｏＯ２（モリブデン４価）は黒色であるが、ＭｏＯ３（モリブデン６価）は無色である。ＭｏＯ３を還元して得られる青色のマグネリ相の酸化物も存在する。ＴａＯ２（タンタル４価）は黒色であるが、Ｔａ２Ｏ５（タンタル５価）は無色である。ＴｉＯ（チタン２価）は黒色、Ｔｉ２Ｏ３（チタン３価）は黒紫色であるが、ＴｉＯ２（チタン４価）は無色である。
さらに本発明の実施形態にかかる記録膜３２は、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍが、
下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００－ｘ－ｙ－ｚ（原子％） （１）
（前記式（１）中、
１５≦ｘ＜６０、０＜ｙ≦３０、１０≦ｚ≦４０、且つ、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０）、
下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００－ｘ－ｙ－ｚ（原子％） （１）
（前記式（１）中、
１５≦ｘ＜６０、０＜ｙ≦３０、１０≦ｚ≦４０、且つ、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０）、
を満たすことが好ましい。
Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍが上記式を満たす記録膜３２は、Ｌ２層３０の記録再生特性を良好にする。
式（１）中、ｘ（Ｗ量）は、１５以上６０以下であることが好ましい。ｘがこの範囲内にあれば記録膜３２を安定なＤＣスパッタにより形成でき、良好な記録再生特性を有するＬ２層が得られる。１５≦ｘであると、ＤＣスパッタを良好に実施できる。また、記録マークが容易に形成され、良好な記録再生特性が得られる。
ｘが１５未満であると、ＤＣスパッタを実施する場合に、スパッタが不安定となることがあり、異常放電が生じやすくなる。また、記録膜３２が膨張しにくくなり、記録マークの形成が困難になる。ｘが６０を超えると、Ｌ２層３０の記録に大きなレーザパワーが必要となることがある。
式（１）中、ｘ（Ｗ量）は、１５以上６０以下であることが好ましい。ｘがこの範囲内にあれば記録膜３２を安定なＤＣスパッタにより形成でき、良好な記録再生特性を有するＬ２層が得られる。１５≦ｘであると、ＤＣスパッタを良好に実施できる。また、記録マークが容易に形成され、良好な記録再生特性が得られる。
ｘが１５未満であると、ＤＣスパッタを実施する場合に、スパッタが不安定となることがあり、異常放電が生じやすくなる。また、記録膜３２が膨張しにくくなり、記録マークの形成が困難になる。ｘが６０を超えると、Ｌ２層３０の記録に大きなレーザパワーが必要となることがある。
ｙ（Ｃｕ量）は０＜ｙ≦３０を満たす。記録膜３２の場合、５≦ｙ≦２５がより好ましい。ｙを２５以下とすることにより、記録膜３２の光吸収率を調整し、Ｌ２層の記録感度を最適化し、規格を満たす再生パワーで良好な再生耐久性を得ることができる。ｙを０より大にすることにより、記録膜３２のパルスＤＣスパッタが実施しやすくなる。さらに５以上にすることにより、記録膜３２のＤＣスパッタが実施しやすくなる。ｙが３０を超えると、記録膜３２の光吸収が増え、記録感度が良くなり記録パワーが下がる。同時に最大再生パワーも下がるため、再生耐久性が劣ることになる。
ｚ（Ｍｎ量）は１０≦ｚ≦４０を満たす。Ｌ２層３０はレーザ光６が照射される面に最も近い位置にあるので、光学的には高い透過率を確保することが優先される。よって、Ｌ２層３０の記録膜３２は、Ｌ０層１０の記録膜１２およびＬ１層２０の記録膜２２よりも、ｚの値が小さい組成比で形成してよい。記録膜３２の場合、１０≦ｚ≦２５がより好ましい。この範囲であれば、Ｌ２層３０の光吸収率を抑え、高い透過率を確保し、再生パワーを上げることができる。
ｚ（Ｍｎ量）は１０≦ｚ≦４０を満たす。Ｌ２層３０はレーザ光６が照射される面に最も近い位置にあるので、光学的には高い透過率を確保することが優先される。よって、Ｌ２層３０の記録膜３２は、Ｌ０層１０の記録膜１２およびＬ１層２０の記録膜２２よりも、ｚの値が小さい組成比で形成してよい。記録膜３２の場合、１０≦ｚ≦２５がより好ましい。この範囲であれば、Ｌ２層３０の光吸収率を抑え、高い透過率を確保し、再生パワーを上げることができる。
１００－ｘ－ｙ－ｚ（元素Ｍ量）は１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０を満たす。１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０であると、Ｌ２層３０の記録再生特性が良好なものとなる。また、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０であると、記録膜３２の屈折率と消衰係数が最適化されて、Ｌ２層３０の透過率を上げるとともに、吸収率を小さくして再生パワーを上げることができる。元素Ｍは酸素をより多く分離したり、結合させたり、記録膜３２のレーザ光６の照射部の、膨張を促進する機能も有する。１００－ｘ－ｙ－ｚが５０より大きいと、元素Ｍが多くなりすぎて、記録膜３２の記録マークが過度に膨張して、記録マークが隣接トラックの記録マークの振幅を小さくしてしまう可能性がある。その結果、Ｌ２層３０の記録再生特性が悪化する。また、１００－ｘ－ｙ－ｚが１０以上であれば、元素Ｍの割合が十分となり、記録膜３２の記録マークが膨張しやすくなり、記録再生特性が向上する。
また、元素ＭはＴａとＺｎより選ばれる少なくとも一つであってよい。
ＴａはＴａ－Ｏとして存在した場合、元素Ｍの中では記録マークを膨張させる機能に最も優れた、より好ましい材料である。
また、元素ＭはＴａとＺｎより選ばれる少なくとも一つであってよい。
ＴａはＴａ－Ｏとして存在した場合、元素Ｍの中では記録マークを膨張させる機能に最も優れた、より好ましい材料である。
Ｚｎについては、Ｚｎを含ませることにより、記録膜３２をＤＣスパッタで形成する際にスパッタの安定性をさらに向上させることができる。そのため、スパッタパワーを上げたり、Ａｒガスを少なくしたりしても、異常放電が発生しにくくなり、生産性が向上する。あるいは、Ｌ２層３０の透過率を高くする機能も有する。
元素ＭがＴａおよびＺｎの場合、ＴａおよびＺｎの原子数を合わせて、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０であってよい。
元素ＭがＴａおよびＺｎの場合、ＴａおよびＺｎの原子数を合わせて、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０であってよい。
記録膜３２の膜厚は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜３２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、ｄ－ＭＬＳＥが悪化する。５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜３２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜３２の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。
記録膜３２の組成は、例えば、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ（Ｏ：酸素）、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｔａ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｔａ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、
等であってよい。
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏ（Ｏ：酸素）、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｔａ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｚｎ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｔａ－Ｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏ、
等であってよい。
記録膜３２中のＷは、透明性の高いＷＯ３の形態で存在していてよい。記録膜３２には、金属Ｗ、ＷＯ２、ＷＯ２とＷＯ３の中間の酸化物（Ｗ１８Ｏ４９、Ｗ２０Ｏ５８、Ｗ５０Ｏ１４８、Ｗ４０Ｏ１１９など）、またはマグネリ相（ＷｎＯ３ｎー１）が含まれていてもよい。
記録膜３２中のＣｕは、ＣｕＯまたはＣｕ２Ｏの形態で存在していてよい。記録膜３２には、金属Ｃｕが含まれていてもよい。
記録膜３２の膜中のＭｎは、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、Ｍｎ２Ｏ３、およびＭｎＯ２から選ばれる少なくとも一つの酸化物の形態で存在していてよい。記録膜３２には、金属Ｍｎが含まれていてもよい。
記録膜３２中のＮｂは、無色のＮｂ２Ｏ５またはＮｂＯｘの形態で存在していてよい。Ｎｂ２Ｏ５とＮｂＯｘが混在していてもよい。記録膜３２には、ＮｂＯ、ＮｂＯ２、またはマグネリ相（Ｎｂ３ｎ＋１Ｏ８ｎ－２）が含まれていてもよい。記録膜３２には、金属Ｎｂが含まれていてもよい。
記録膜３２中のＭｏは、無色のＭｏＯ３の形態で存在していてよい。記録膜３２には、ＭｏＯ２、ＭｏＯ２とＭｏＯ３の中間の酸化物（Ｍｏ３Ｏ８、Ｍｏ４Ｏ１１、Ｍｏ５Ｏ１４、Ｍｏ８Ｏ２３、Ｍｏ９Ｏ２６、Ｍｏ１７Ｏ４７など）、またはマグネリ相（ＭｏｎＯ３ｎ－２）が含まれていてもよい。記録膜３２には、金属Ｍｏが含まれていてもよい。
記録膜３２中のＴａは、無色のＴａ２Ｏ５の形態で存在していてよい。記録膜３２には、ＴａＯ２が含まれていてもよい。記録膜３２には、金属Ｔａが含まれていてもよい。
記録膜３２中のＴｉは、無色のＴｉＯ２またはＴｉＯｘの形態で存在していてよい。ＴｉＯ２とＴｉＯｘが混在していてもよい。記録膜３２には、ＴｉＯ、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ５、またはマグネリ相（ＴｉｎＯ２ｎ－１）が含まれていてもよい。記録膜３２には、金属Ｔｉが含まれていてもよい。
記録膜３２中のＣｕは、ＣｕＯまたはＣｕ２Ｏの形態で存在していてよい。記録膜３２には、金属Ｃｕが含まれていてもよい。
記録膜３２の膜中のＭｎは、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、Ｍｎ２Ｏ３、およびＭｎＯ２から選ばれる少なくとも一つの酸化物の形態で存在していてよい。記録膜３２には、金属Ｍｎが含まれていてもよい。
記録膜３２中のＮｂは、無色のＮｂ２Ｏ５またはＮｂＯｘの形態で存在していてよい。Ｎｂ２Ｏ５とＮｂＯｘが混在していてもよい。記録膜３２には、ＮｂＯ、ＮｂＯ２、またはマグネリ相（Ｎｂ３ｎ＋１Ｏ８ｎ－２）が含まれていてもよい。記録膜３２には、金属Ｎｂが含まれていてもよい。
記録膜３２中のＭｏは、無色のＭｏＯ３の形態で存在していてよい。記録膜３２には、ＭｏＯ２、ＭｏＯ２とＭｏＯ３の中間の酸化物（Ｍｏ３Ｏ８、Ｍｏ４Ｏ１１、Ｍｏ５Ｏ１４、Ｍｏ８Ｏ２３、Ｍｏ９Ｏ２６、Ｍｏ１７Ｏ４７など）、またはマグネリ相（ＭｏｎＯ３ｎ－２）が含まれていてもよい。記録膜３２には、金属Ｍｏが含まれていてもよい。
記録膜３２中のＴａは、無色のＴａ２Ｏ５の形態で存在していてよい。記録膜３２には、ＴａＯ２が含まれていてもよい。記録膜３２には、金属Ｔａが含まれていてもよい。
記録膜３２中のＴｉは、無色のＴｉＯ２またはＴｉＯｘの形態で存在していてよい。ＴｉＯ２とＴｉＯｘが混在していてもよい。記録膜３２には、ＴｉＯ、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ５、またはマグネリ相（ＴｉｎＯ２ｎ－１）が含まれていてもよい。記録膜３２には、金属Ｔｉが含まれていてもよい。
記録膜３２中には、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、および元素Ｍから選択される２以上の金属を含む複合酸化物が存在してもよい。
記録膜３２の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｚｎ－Ｏである場合、記録膜３２の系は、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＺｎＯ、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＺｎＯ、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＺｎＯ、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＺｎＯ、およびＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＺｎＯ、
等であってよい。あるいは酸化タングステンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＺｎＯ、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＺｎＯ、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＺｎＯ、およびＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＺｎＯ、
等であってよい。あるいは酸化タングステンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。
記録膜３２の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ－Ｏである場合、記録膜３２の系は、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－Ｎｂ２Ｏ５、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－Ｎｂ２Ｏ５、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５、
ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＮｂＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＮｂＯ、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＮｂＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＮｂＯ、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＮｂＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＮｂＯ、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＮｂＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＮｂＯ、
ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＮｂＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＮｂＯ２、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＮｂＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＮｂＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＮｂＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＮｂＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＮｂＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＮｂＯ２、
等であってよい。ここに示した系において、Ｎｂ２Ｏ５に代えてＮｂＯｘが存在していてもよく、Ｎｂ２Ｏ５およびＮｂＯｘが混在していてもよい。あるいは酸化タングステン、酸化ニオブのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。さらに、ここに示した系において、ＺｎＯを含んでもよい。
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－Ｎｂ２Ｏ５、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５、
ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＮｂＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＮｂＯ、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＮｂＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＮｂＯ、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＮｂＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＮｂＯ、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＮｂＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＮｂＯ、
ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＮｂＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＮｂＯ２、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＮｂＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＮｂＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＮｂＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＮｂＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＮｂＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＮｂＯ２、
等であってよい。ここに示した系において、Ｎｂ２Ｏ５に代えてＮｂＯｘが存在していてもよく、Ｎｂ２Ｏ５およびＮｂＯｘが混在していてもよい。あるいは酸化タングステン、酸化ニオブのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。さらに、ここに示した系において、ＺｎＯを含んでもよい。
記録膜３２の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ－Ｏである場合、記録膜３２の系は、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＭｏＯ３、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＭｏＯ３、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＭｏＯ３、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＭｏＯ３、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＭｏＯ３、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＭｏＯ３、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＭｏＯ３、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＭｏＯ３、
ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＭｏＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＭｏＯ２、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＭｏＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＭｏＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＭｏＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＭｏＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＭｏＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＭｏＯ２、
等であってよい。あるいは酸化タングステン、酸化モリブデンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。さらに、ここに示した系において、ＺｎＯを含んでもよい。
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＭｏＯ３、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＭｏＯ３、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＭｏＯ３、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＭｏＯ３、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＭｏＯ３、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＭｏＯ３、
ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＭｏＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＭｏＯ２、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＭｏＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＭｏＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＭｏＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＭｏＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＭｏＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＭｏＯ２、
等であってよい。あるいは酸化タングステン、酸化モリブデンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。さらに、ここに示した系において、ＺｎＯを含んでもよい。
記録膜３２の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｏである場合、記録膜３２の系は、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－Ｔａ２Ｏ５、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－Ｔａ２Ｏ５、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－Ｔａ２Ｏ５、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－Ｔａ２Ｏ５、
ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＴａＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴａＯ２、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴａＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＴａＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＴａＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴａＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴａＯ２、およびＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＴａＯ２、
等であってよい。あるいは酸化タングステンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－Ｔａ２Ｏ５、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－Ｔａ２Ｏ５、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－Ｔａ２Ｏ５、
ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＴａＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴａＯ２、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴａＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＴａＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＴａＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴａＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴａＯ２、およびＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＴａＯ２、
等であってよい。あるいは酸化タングステンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。
記録膜３２の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ－Ｏである場合、記録膜３２の系は、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＴｉＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴｉＯ２、
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴｉＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＴｉＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＴｉＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴｉＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴｉＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＴｉＯ２、
等であってよい。ＴｉＯ２に代えてＴｉＯｘが存在していてもよく、ＴｉＯ２およびＴｉＯｘが混在していてもよい。あるいは酸化タングステン、酸化チタンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。さらに、ここに示した系において、ＺｎＯを含んでもよい。
ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴｉＯ２、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＴｉＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＴｉＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴｉＯ２、
ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴｉＯ２、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＴｉＯ２、
等であってよい。ＴｉＯ２に代えてＴｉＯｘが存在していてもよく、ＴｉＯ２およびＴｉＯｘが混在していてもよい。あるいは酸化タングステン、酸化チタンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。さらに、ここに示した系において、ＺｎＯを含んでもよい。
記録膜３２の組成が、例えば、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ－Ｚｎ－Ｏである場合、記録膜３２の系は、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＯ、
ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＴａＯ２－ＺｎＯ、
等であってよい。あるいは酸化タングステンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。
ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ２－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－ＣｕＯ－ＭｎＯ－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ２－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ２Ｏ３－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－Ｍｎ３Ｏ４－ＴａＯ２－ＺｎＯ、ＷＯ３－Ｃｕ２Ｏ－ＭｎＯ－ＴａＯ２－ＺｎＯ、
等であってよい。あるいは酸化タングステンのマグネリ相を含んでもよい。これらの系において、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。
このように、記録膜３２が複数の酸化物を含み、酸素以外の元素であるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＭの組成が、下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００－ｘ－ｙ－ｚ（原子％） （１）
（式中、ｘ、ｙおよびｚが、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦３０、１０≦ｚ≦４０、且つ、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０）
を満たせば、大容量（例えば、１ディスクあたり５００ＧＢ）の情報の記録再生に必要なＳ／Ｎを確保できる再生光量が得られる。
記録膜３２に含まれる酸素の割合は、金属元素と酸素の原子数の合計を１００原子％としたときに、６０原子％以上８０原子％以下であってよい。酸素の割合が６０原子％未満であると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。酸素の割合が８０原子％を超えると、記録感度が悪くなりすぎて、記録に大きなパワーが必要になり、高速記録も困難になる。
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００－ｘ－ｙ－ｚ（原子％） （１）
（式中、ｘ、ｙおよびｚが、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦３０、１０≦ｚ≦４０、且つ、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０）
を満たせば、大容量（例えば、１ディスクあたり５００ＧＢ）の情報の記録再生に必要なＳ／Ｎを確保できる再生光量が得られる。
記録膜３２に含まれる酸素の割合は、金属元素と酸素の原子数の合計を１００原子％としたときに、６０原子％以上８０原子％以下であってよい。酸素の割合が６０原子％未満であると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。酸素の割合が８０原子％を超えると、記録感度が悪くなりすぎて、記録に大きなパワーが必要になり、高速記録も困難になる。
記録膜３２は、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎ、酸素、および元素Ｍから実質的になっていてよい。ここで、「実質的に」という用語は、記録膜３２が例えばスパッタにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は記録膜３２に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。これは、後述する記録膜２２、１２に関して、「実質的に」という用語を用いる場合に同様に適用される。
記録膜３２は、例えばスパッタにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、記録膜３２に含まれる酸化物は、スパッタ中の酸素および／または金属の欠損、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施の形態および他の実施の形態において、記録膜３２に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。また、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。これは後述する記録膜２２、１２についても同様である。
記録膜３２は、例えばスパッタにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、記録膜３２に含まれる酸化物は、スパッタ中の酸素および／または金属の欠損、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施の形態および他の実施の形態において、記録膜３２に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。また、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成してよい。これは後述する記録膜２２、１２についても同様である。
本実施形態にかかる第２誘電体膜３３は、記録膜３２のレーザ光６が照射される面側に配置されてよい。
Ｌ２層３０が第１情報層である場合、第１情報層が、レーザ光６が照射される面から遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜３１、記録膜３２、および第２誘電体膜３３をこの順に含み、第２誘電体膜３３が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと、酸素と、前記元素Ｄ１の原子数とを合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、前記元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含むことが好ましい。
Ｌ２層３０が第１情報層である場合、第１情報層が、レーザ光６が照射される面から遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜３１、記録膜３２、および第２誘電体膜３３をこの順に含み、第２誘電体膜３３が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと、酸素と、前記元素Ｄ１の原子数とを合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、前記元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含むことが好ましい。
本実施形態にかかる第２誘電体膜３３としては、第１誘電体膜３１と同様に、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、等を用いてよく、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎを用いることが好ましい。Ｏは酸素である。ここで、「－」は「混合」を意味する。したがって、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎは、Ｚｒと酸素とＺｎが混合されていることを意味する。Ｚｒ鉱物中にはＨｆが少量含まれているので、第２誘電体膜３３にＨｆが含まれていてもよい。
第２誘電体膜３３は、Ｚｒと酸素と元素Ｄ１とを含むことにより、Ｚｒと酸素がＺｒの酸化物を形成し、元素Ｄ１と酸素が元素Ｄ１の酸化物を形成していることが好ましい。その場合、Ｚｒの酸化物を１０モル％以上７０モル％以下含み、元素Ｄ１の酸化物を３０モル％以上９０モル％以下含むことが好ましい。
Ｚｒの酸化物を１０モル％以上含むことにより、Ｌ２層３０は優れた再生耐久性を実現できる。Ｚｒの酸化物を７０モル％より多く含むと、比抵抗値が大きくなり、パルスＤＣスパッタができなくなる。また、成膜速度も顕著に遅くなるため、生産性が低下する。Ｚｒの酸化物が１０モル％よりも少なくなると、再生耐久性が悪化する。
Ｚｒの酸化物に、さらに元素Ｄ１の酸化物を３０モル％以上含ませることにより、ターゲットの比抵抗値を下げ、導電性を持たせることができる。それによって、パルスＤＣスパッタが可能になる。高周波スパッタ法よりも成膜速度が速くなる。さらに元素Ｄ１の酸化物を４０モル％以上含ませることにより、さらにターゲットの比抵抗値を下げることができ、ＤＣスパッタが可能になる。パルスＤＣスパッタ法よりも成膜速度が速くなり、生産性が上がる。
第２誘電体膜３３は、Ｚｒと酸素と元素Ｄ１とを含むことにより、Ｚｒと酸素がＺｒの酸化物を形成し、元素Ｄ１と酸素が元素Ｄ１の酸化物を形成していることが好ましい。その場合、Ｚｒの酸化物を１０モル％以上７０モル％以下含み、元素Ｄ１の酸化物を３０モル％以上９０モル％以下含むことが好ましい。
Ｚｒの酸化物を１０モル％以上含むことにより、Ｌ２層３０は優れた再生耐久性を実現できる。Ｚｒの酸化物を７０モル％より多く含むと、比抵抗値が大きくなり、パルスＤＣスパッタができなくなる。また、成膜速度も顕著に遅くなるため、生産性が低下する。Ｚｒの酸化物が１０モル％よりも少なくなると、再生耐久性が悪化する。
Ｚｒの酸化物に、さらに元素Ｄ１の酸化物を３０モル％以上含ませることにより、ターゲットの比抵抗値を下げ、導電性を持たせることができる。それによって、パルスＤＣスパッタが可能になる。高周波スパッタ法よりも成膜速度が速くなる。さらに元素Ｄ１の酸化物を４０モル％以上含ませることにより、さらにターゲットの比抵抗値を下げることができ、ＤＣスパッタが可能になる。パルスＤＣスパッタ法よりも成膜速度が速くなり、生産性が上がる。
元素Ｄ１の酸化物はＺｎの酸化物およびＳｎの酸化物のうちの少なくとも一つであってよい。Ｚｎの酸化物は、導電性を持たせる機能を有する。Ｓｎの酸化物は、成膜速度を高める機能を有する。
Ｚｒの酸化物としてはＺｒＯ２を含んでよい。さらに、元素Ｄ１の酸化物としてはＺｎＯ、ＳｎＯおよびＳｎＯ２より選ばれる少なくとも一つを含んでよい。Ｓｎの酸化物は、融点が高く透明な、ＳｎＯ２を含ませることがより好ましい。
第２誘電体膜３３は、これらの酸化物から選択される２以上の酸化物の混合物から成ってよく、あるいは２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。例えば、ＺｒＯ２－ＺｎＯであってよい。
Ｚｒ鉱物中にはＨｆが少量含まれているので、第２誘電体膜３３は、Ｈｆの酸化物を含んでいてもよい。
Ｚｒの酸化物としてはＺｒＯ２を含んでよい。さらに、元素Ｄ１の酸化物としてはＺｎＯ、ＳｎＯおよびＳｎＯ２より選ばれる少なくとも一つを含んでよい。Ｓｎの酸化物は、融点が高く透明な、ＳｎＯ２を含ませることがより好ましい。
第２誘電体膜３３は、これらの酸化物から選択される２以上の酸化物の混合物から成ってよく、あるいは２以上の酸化物で形成された複合酸化物から成ってよい。例えば、ＺｒＯ２－ＺｎＯであってよい。
Ｚｒ鉱物中にはＨｆが少量含まれているので、第２誘電体膜３３は、Ｈｆの酸化物を含んでいてもよい。
第２誘電体膜３３としては、第１誘電体膜３１と同様、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、等を用いてよい。
元素Ｄ１の酸化物を７０モル％（ＺｎＯを４０モル％とＳｎＯ２を３０モル％）含ませた場合、（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比になる。
第２誘電体膜３３は、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含んでいてもよい。
ＺｒＯ２－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－ＳｎＯ２、ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、等を用いてよい。
元素Ｄ１の酸化物を７０モル％（ＺｎＯを４０モル％とＳｎＯ２を３０モル％）含ませた場合、（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比になる。
第２誘電体膜３３は、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含んでいてもよい。
第２誘電体膜３３としては、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、生産効率の観点からＭｇを含むことが好ましい。第２誘電体膜３３は、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ、又はＺｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎを含むことが好ましく、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎを含むことがより好ましい。
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、生産効率の観点からＭｇを含むことが好ましい。第２誘電体膜３３は、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ、又はＺｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎを含むことが好ましく、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎを含むことがより好ましい。
第２誘電体膜３３は、さらに元素Ｄ２を含むことにより、元素Ｄ２と酸素が元素Ｄ２の酸化物を形成していることが好ましい。元素Ｄ２の酸化物は、Ｓｉの酸化物、Ｙの酸化物、Ｃａの酸化物およびＭｇの酸化物のうちの少なくとも一つであってよい。
第２誘電体膜３３においても、Ｚｒの酸化物と元素Ｄ２の酸化物が安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを形成していることが好ましい。これにより、高パワーを投入して量産してもターゲットが割れにくくなる。希土類元素の酸化物の中でもＹの酸化物がより好ましいが、Ｃｅの酸化物など、他の希土類元素の酸化物を用いてもよい。Ｙの酸化物としてはＹ２Ｏ３、Ｃａの酸化物としてはＣａＯ、Ｍｇの酸化物としてはＭｇＯを含んでよい。
ターゲットが、Ｚｒの酸化物を安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアとして含有することにより、スパッタ中に高温となるターゲット表面での、相転移に伴う可逆的な体積変化を抑えることができる。生産性を上げるために、高パワーを投入してＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタを繰り返しても、ターゲット表面からクラックが発生し難くなるため、ターゲットを最後まで使い切ることができる。元素Ｄ２の酸化物の中でも、Ｙ２Ｏ３を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアは、イオン伝導性に優れているので、ＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタを実施する場合はより好ましい。
また、生産効率の観点から、Ｍｇの酸化物を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを含むことが好ましい。
第２誘電体膜３３においても、Ｚｒの酸化物と元素Ｄ２の酸化物が安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを形成していることが好ましい。これにより、高パワーを投入して量産してもターゲットが割れにくくなる。希土類元素の酸化物の中でもＹの酸化物がより好ましいが、Ｃｅの酸化物など、他の希土類元素の酸化物を用いてもよい。Ｙの酸化物としてはＹ２Ｏ３、Ｃａの酸化物としてはＣａＯ、Ｍｇの酸化物としてはＭｇＯを含んでよい。
ターゲットが、Ｚｒの酸化物を安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアとして含有することにより、スパッタ中に高温となるターゲット表面での、相転移に伴う可逆的な体積変化を抑えることができる。生産性を上げるために、高パワーを投入してＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタを繰り返しても、ターゲット表面からクラックが発生し難くなるため、ターゲットを最後まで使い切ることができる。元素Ｄ２の酸化物の中でも、Ｙ２Ｏ３を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアは、イオン伝導性に優れているので、ＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタを実施する場合はより好ましい。
また、生産効率の観点から、Ｍｇの酸化物を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを含むことが好ましい。
第２誘電体膜３３には、ＺｒＯ２に対して、元素Ｄ２の酸化物を１モル％から１０モル％の割合で添加してよい。例えば、第２誘電体膜３３が、ＺｒＯ２に対してＹ２Ｏ３を１０モル％含有する場合、（ＺｒＯ２）２７．３（Ｙ２Ｏ３）２．７（ＺｎＯ）４０（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比になる。
例えば、第２誘電体膜３３が、ＺｒＯ２に対してＭｇＯを８．７モル％含有する場合、（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５モル％、と表記される組成比になる。
例えば、第２誘電体膜３３が、ＺｒＯ２に対してＭｇＯを８．７モル％含有する場合、（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５モル％、と表記される組成比になる。
第２誘電体膜３３としては、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、生産効率の観点からＭｇＯを含むことが好ましい、第２誘電体膜３３は、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２、又はＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を含むことがより好ましく、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を含むことがより好ましい。
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、生産効率の観点からＭｇＯを含むことが好ましい、第２誘電体膜３３は、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２、又はＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を含むことがより好ましく、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を含むことがより好ましい。
ＨｆはＺｒと化学的性質が似ているので、第２誘電体膜３３のＺｒＯ２の一部または全部をＨｆＯ２に置き換えてもよい。ＨｆＯ２については第１誘電体膜３１において説明したので、省略する。
第２誘電体膜３３は、さらに、ＧａおよびＡｌより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３を含み、Ｚｒと、酸素と、元素Ｄ１と、元素Ｄ２および元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、元素Ｄ３を７原子％以下含んでいてもよい。
第２誘電体膜３３は、さらに、ＧａおよびＡｌより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３を含み、Ｚｒと、酸素と、元素Ｄ１と、元素Ｄ２および元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、元素Ｄ３を７原子％以下含んでいてもよい。
第２誘電体膜３３としては、含まれる元素は、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ
等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、生産効率の観点からＭｇを含むことが好ましく、ＭｇとＧａを含むことがより好ましい。第２誘電体膜３３は、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、又はＺｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌを含むことが好ましく、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａを含むことがより好ましい。
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｙ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｃａ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、
Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｓｉ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌ
等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、生産効率の観点からＭｇを含むことが好ましく、ＭｇとＧａを含むことがより好ましい。第２誘電体膜３３は、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ａｌ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ｇａ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｓｎ－Ａｌ、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、又はＺｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ａｌを含むことが好ましく、Ｚｒ－Ｍｇ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａを含むことがより好ましい。
本発明の実施形態にかかる第２誘電体膜３３は、さらに元素Ｄ３を含むことにより、元素Ｄ３と酸素が元素Ｄ３の酸化物を形成していることが好ましい。元素Ｄ３の酸化物は、Ｇａの酸化物およびＡｌの酸化物のうちの少なくとも一つであってよい。Ｇａの酸化物はＧａ２Ｏ３であってよく、Ａｌの酸化物はＡｌ２Ｏ３であってよい。
第２誘電体膜３３は、元素Ｄ３を７原子％以下含む場合、Ｚｒの酸化物と、元素Ｄ１の酸化物と、元素Ｄ２の酸化物および元素Ｄ３の酸化物のモル数を合わせて１００モル％とした場合、元素Ｄ３の酸化物を８モル％以下含む。
元素Ｄ３をＺｎの酸化物に添加すると、Ｚｎの酸化物の比抵抗値が下がる。すなわち、元素Ｄ３は、Ｚｎの酸化物の導電性を向上させる役割を担う。さらには系全体の導電性が向上するので、ターゲットはＤＣスパッタしやすくなる。成膜速度が速くなり、生産性が上がる。Ｚｎの酸化物の一部を置換する形で添加してよい。
元素Ｄ３の酸化物の添加量としては少量で効果が得られ、８モル％以下が好ましい。８モル％より多いと比抵抗値は下がらなくなる。
第２誘電体膜３３は、元素Ｄ３を７原子％以下含む場合、Ｚｒの酸化物と、元素Ｄ１の酸化物と、元素Ｄ２の酸化物および元素Ｄ３の酸化物のモル数を合わせて１００モル％とした場合、元素Ｄ３の酸化物を８モル％以下含む。
元素Ｄ３をＺｎの酸化物に添加すると、Ｚｎの酸化物の比抵抗値が下がる。すなわち、元素Ｄ３は、Ｚｎの酸化物の導電性を向上させる役割を担う。さらには系全体の導電性が向上するので、ターゲットはＤＣスパッタしやすくなる。成膜速度が速くなり、生産性が上がる。Ｚｎの酸化物の一部を置換する形で添加してよい。
元素Ｄ３の酸化物の添加量としては少量で効果が得られ、８モル％以下が好ましい。８モル％より多いと比抵抗値は下がらなくなる。
第２誘電体膜３３としては、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
あるいは、第２誘電体膜３３としては、元素Ｄ２の酸化物と混合して、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、ＭｇＯを含むことが好ましく、ＭｇＯとＧａ２Ｏ３を含むことがより好ましい。第２誘電体膜３３は、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、又はＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２を含むことがより好ましく、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２を含むことがより好ましい。
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＳｉＯ４－ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、ＭｇＯを含むことが好ましく、ＭｇＯとＧａ２Ｏ３を含むことがより好ましい。第２誘電体膜３３は、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＳｎＯ２－Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、又はＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｎＯ２を含むことがより好ましく、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２を含むことがより好ましい。
例えば、第２誘電体膜３３が、Ｇａ２Ｏ３を２モル％含有する場合、
（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）３８（Ｇａ２Ｏ３）２（ＳｎＯ２）３０モル％、あるいは、
（ＺｒＯ２）２７．３（Ｙ２Ｏ３）２．７（ＺｎＯ）３８（Ｇａ２Ｏ３）２（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比になる。
例えば、第２誘電体膜３３が、Ｇａ２Ｏ３を１．１モル％含有する場合、
（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ＳｎＯ２）２５モル％、
と表記される組成比を用いてよい。
（ＺｒＯ２）３０（ＺｎＯ）３８（Ｇａ２Ｏ３）２（ＳｎＯ２）３０モル％、あるいは、
（ＺｒＯ２）２７．３（Ｙ２Ｏ３）２．７（ＺｎＯ）３８（Ｇａ２Ｏ３）２（ＳｎＯ２）３０モル％、と表記される組成比になる。
例えば、第２誘電体膜３３が、Ｇａ２Ｏ３を１．１モル％含有する場合、
（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ＳｎＯ２）２５モル％、
と表記される組成比を用いてよい。
第２誘電体膜３３は第１誘電体膜３１と同様に、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働き、および記録ピットの膨らみを制御して信号振幅を制御する働き、Ｌ２層３０の反射率や透過率を制御する働き、を有する。
また、第２誘電体膜３３は、カバー層４側からの記録膜３２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜３２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。第２誘電体膜３３はまた、カバー層４から記録膜３２への有機物の混入を抑制したり、Ｌ２層３０とカバー層４との密着性を確保したりする機能も併せ持つ。
また、第２誘電体膜３３は、カバー層４側からの記録膜３２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜３２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。第２誘電体膜３３はまた、カバー層４から記録膜３２への有機物の混入を抑制したり、Ｌ２層３０とカバー層４との密着性を確保したりする機能も併せ持つ。
第２誘電体膜３３は記録膜３２の表面にスパッタで形成するので、中間分離層３から揮発する有機物の量は、第１誘電体膜３１と比較すると少ない。第１誘電体膜３１、記録膜３２、と順にスパッタする間に、真空排気により、揮発する有機物も排気されていくからである。実際に第２誘電体膜３３スパッタ中に、真空室のガス成分を四重極質量分析計で計測したところ、第１誘電体膜３１スパッタ中よりも、炭素（Ｃ）の量が少なかった。したがって、第２誘電体膜３３は有機物の影響が少ないので、その材料は第１誘電体膜３１の材料と同じ材料でもよいし、異なる材料でもよい。
第２誘電体膜３３の厚さは、例えば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。より好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜３２への水分の侵入を抑制できないことがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ２層３０の反射率が低下することがある。
例えばＸＭＡの場合、本発明の実施形態にかかる第２誘電体膜３３を分析すると、元素ごとの組成を分析することができる。例えば、下記（ｅ）組成（モル％）の第２誘電体膜３３をＸＭＡで分析すると、おおよそ（ｆ）組成（原子％）が得られる。
例えばＸＭＡの場合、本発明の実施形態にかかる第２誘電体膜３３を分析すると、元素ごとの組成を分析することができる。例えば、下記（ｅ）組成（モル％）の第２誘電体膜３３をＸＭＡで分析すると、おおよそ（ｆ）組成（原子％）が得られる。
（ＺｒＯ２）２５（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５モル％ －（ｅ）、
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０原子％ －（ｆ）。
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０原子％ －（ｆ）。
あるいは（ｇ）組成（モル％）を分析すると、おおよそ（ｈ）組成（原子％）が得られる。
｛（ＺｒＯ２）０．９５（Ｙ２Ｏ３）０．０５｝２５（ＺｎＯ）４６（Ａｌ２Ｏ３）４（ＳｎＯ２）２５モル％ －（ｇ）、
Ｚｒ９．０Ｙ０．９Ｚｎ１７．４Ａｌ３．０Ｓｎ９．５Ｏ６０．２原子％ －（ｈ）。
あるいは（ｔ）組成（モル％）を分析すると、おおよそ（ｕ）組成（原子％）が得られる。
（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４７．５（Ｇａ２Ｏ３）２．５（ＳｎＯ２）２５モル％ －（ｔ）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．８Ｚｎ１８．６Ｇａ２．０Ｓｎ９．８Ｏ５９．８原子％ －（ｕ）。
Ｚｒを含む場合、Ｈｆも検出される場合がある。
Ｚｒ９．０Ｙ０．９Ｚｎ１７．４Ａｌ３．０Ｓｎ９．５Ｏ６０．２原子％ －（ｈ）。
あるいは（ｔ）組成（モル％）を分析すると、おおよそ（ｕ）組成（原子％）が得られる。
（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４７．５（Ｇａ２Ｏ３）２．５（ＳｎＯ２）２５モル％ －（ｔ）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．８Ｚｎ１８．６Ｇａ２．０Ｓｎ９．８Ｏ５９．８原子％ －（ｕ）。
Ｚｒを含む場合、Ｈｆも検出される場合がある。
アモルファス膜の場合、形成されている酸化物を特定することは困難なので、元素ごとの組成となる。第２誘電体膜３３の膜中で、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成していることも考えられ、（ｆ）、（ｈ）および（ｕ）の計算値と実際の分析値が合わない場合もある。
ターゲットの導電性は、従来のＩｎ２Ｏ３を使わず、元素Ｄ１、必要に応じて元素Ｄ３を使用して確保した。ターゲットの比抵抗値は、１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。これは後述する第２誘電体膜２３、１３についても同様である。
第２誘電体膜３３は、Ｚｒの酸化物と元素Ｄ１から実質的に成っていてよい。ここで「実質的に」という用語は、第２誘電体膜３３が例えばスパッタにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は第２誘電体膜３３に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。これは、元素Ｄ２、元素Ｄ３を含む場合も適用される。また、後述する第２誘電体膜２３、１３に関して、「実質的に」という用語を用いる場合に同様に適用される。
ターゲットの導電性は、従来のＩｎ２Ｏ３を使わず、元素Ｄ１、必要に応じて元素Ｄ３を使用して確保した。ターゲットの比抵抗値は、１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。これは後述する第２誘電体膜２３、１３についても同様である。
第２誘電体膜３３は、Ｚｒの酸化物と元素Ｄ１から実質的に成っていてよい。ここで「実質的に」という用語は、第２誘電体膜３３が例えばスパッタにより形成される場合には、スパッタ雰囲気に存在する希ガス（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水分、有機物（Ｃ）、空気、スパッタ室に配置された冶具およびターゲットに含まれる不純物に由来する他の元素が不可避に含まれる場合があることを考慮して使用されている。これら不可避の成分は第２誘電体膜３３に含まれる全原子を１００原子％とした場合、１０原子％を上限として含まれていてもよい。これは、元素Ｄ２、元素Ｄ３を含む場合も適用される。また、後述する第２誘電体膜２３、１３に関して、「実質的に」という用語を用いる場合に同様に適用される。
第２誘電体膜３３は、第１誘電体膜３１と異なる材料を用いてもよく、その場合、少なくともＺｒと酸素とＩｎとを含んでよい。上述したように、第２誘電体膜３３は、中間分離層３から揮発する有機物の影響は、第１誘電体膜３１と比較すると小さいので、Ｉｎを含ませてもよい。Ｚｒ鉱物中にはＨｆが少量含まれているので、第２誘電体膜３３にＨｆが含まれていてもよい。
第２誘電体膜３３としては、Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ、を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、Ｚｒと酸素がＺｒの酸化物を形成し、Ｉｎと酸素がＩｎの酸化物を形成していることが好ましい。Ｉｎの酸化物はターゲットの導電性を向上させるために有用である。
第２誘電体膜３３としては、Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ、を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、Ｚｒと酸素がＺｒの酸化物を形成し、Ｉｎと酸素がＩｎの酸化物を形成していることが好ましい。Ｉｎの酸化物はターゲットの導電性を向上させるために有用である。
Ｚｒの酸化物はＺｒＯ２であってよく、Ｉｎの酸化物はＩｎ２Ｏ３であってよい。Ｚｒの酸化物およびＩｎの酸化物は透明な酸化物で、第２誘電体膜３３とカバー層４との密着性を高めることができる。Ｚｒ鉱物中にはＨｆが少量含まれているので、第２誘電体膜３３にＨｆＯ２が含まれていてもよい。
第２誘電体膜３３としては、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含んでいてもよい。
第２誘電体膜３３としては、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３、を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含んでいてもよい。
第２誘電体膜３３としては、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｓｉ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｙ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｃａ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｍｇ、
等を用いてよい。
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｓｉ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｙ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｃａ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｍｇ、
等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、元素Ｄ２の酸化物を形成していることが好ましい。元素Ｄ２の酸化物は、Ｓｉの酸化物と、Ｙの酸化物と、Ｃａの酸化物およびＭｇの酸化物のうちの少なくとも一つであってよい。
Ｓｉの酸化物はＳｉＯ２であってよく、Ｙの酸化物はＹ２Ｏ３であってよく、Ｃａの酸化物はＣａＯであってよく、Ｍｇの酸化物はＭｇＯであってよい。
元素Ｄ２の酸化物が、Ｓｉの酸化物、Ｙの酸化物、Ｃａの酸化物、およびＭｇの酸化物より選ばれる少なくとも一つの酸化物の場合、Ｚｒの酸化物に添加した形態で、安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアが形成されていることが好ましい。Ｙ以外の希土類金属の酸化物を用いてもよい。例えばＣｅＯ２を用いてもよい。
Ｓｉの酸化物はＳｉＯ２であってよく、Ｙの酸化物はＹ２Ｏ３であってよく、Ｃａの酸化物はＣａＯであってよく、Ｍｇの酸化物はＭｇＯであってよい。
元素Ｄ２の酸化物が、Ｓｉの酸化物、Ｙの酸化物、Ｃａの酸化物、およびＭｇの酸化物より選ばれる少なくとも一つの酸化物の場合、Ｚｒの酸化物に添加した形態で、安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアが形成されていることが好ましい。Ｙ以外の希土類金属の酸化物を用いてもよい。例えばＣｅＯ２を用いてもよい。
第２誘電体膜３３としては、
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、
（ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３）－Ｉｎ２Ｏ３、
（ＺｒＯ２－ＣａＯ）－Ｉｎ２Ｏ３、
（ＺｒＯ２－ＭｇＯ）－Ｉｎ２Ｏ３、
（ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３）－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、
（ＺｒＯ２－ＣａＯ）－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、
（ＺｒＯ２－ＭｇＯ）－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、
等を用いてよい。
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、
（ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３）－Ｉｎ２Ｏ３、
（ＺｒＯ２－ＣａＯ）－Ｉｎ２Ｏ３、
（ＺｒＯ２－ＭｇＯ）－Ｉｎ２Ｏ３、
（ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３）－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、
（ＺｒＯ２－ＣａＯ）－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、
（ＺｒＯ２－ＭｇＯ）－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２、
等を用いてよい。
例えばＸＭＡの場合、本発明の実施形態にかかる第２誘電体膜３３を分析すると、元素ごとの組成を分析することができる。例えば、下記（ｉ）組成（モル％）の第２誘電体膜３３をＸＭＡで分析すると、おおよそ（ｊ）組成（原子％）が得られる。
（ＺｒＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５モル％ －（ｉ）、
Ｚｒ６．３Ｉｎ２５Ｓｉ６．３Ｏ６２．４原子％ －（ｊ）。
Ｚｒ６．３Ｉｎ２５Ｓｉ６．３Ｏ６２．４原子％ －（ｊ）。
あるいは（ｋ）組成（モル％）を分析すると、おおよそ（ｍ）組成（原子％）が得られる。
（ＺｒＯ２）２２．７（Ｙ２Ｏ３）２．３（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＳｉＯ２）２５モル％ －（ｋ）、
Ｚｒ５．６Ｙ１．１Ｉｎ２４．７Ｓｉ６．２Ｏ６２．４原子％ －（ｍ）。
Ｚｒ５．６Ｙ１．１Ｉｎ２４．７Ｓｉ６．２Ｏ６２．４原子％ －（ｍ）。
アモルファス膜の場合、形成されている酸化物を特定することは困難なので、元素ごとの組成となる。第２誘電体膜３３の膜中で、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物を形成していることも考えられ、（ｊ）および（ｍ）の計算値と実際の分析値が合わない場合もある。
第２誘電体膜３３にＩｎ２Ｏ３を含ませることにより、ターゲットの比抵抗値を下げて、導電性を高めることができる。あるいは、第２誘電体膜３３に含まれるＩｎ２Ｏ３を減らして、元素Ｄ１を含ませてもよい。
第２誘電体膜３３にＩｎ２Ｏ３を含ませることにより、ターゲットの比抵抗値を下げて、導電性を高めることができる。あるいは、第２誘電体膜３３に含まれるＩｎ２Ｏ３を減らして、元素Ｄ１を含ませてもよい。
例えば、ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ、
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｉＯ２、
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２－ＳｉＯ２、
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２－ＳｉＯ２、
等を用いてよい。
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｉＯ２、
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２－ＳｉＯ２、
ＺｒＯ２－Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２－ＳｉＯ２、
等を用いてよい。
あるいは、第２誘電体膜３３はＩｎの酸化物とＳｎの酸化物を含んでよく、
たとえば、Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＳｎＯ２）１０重量％（ＩＴＯ）等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、少なくともＺｒと、酸素と、Ｉｎとを含んでいてもよく、Ｚｒの酸化物とＩｎの酸化物から実質的に成っていてよい。これは、元素Ｄ２を含む場合も適用される。また、後述する第２誘電体膜２３、１３に関しても同様に適用される。
第２誘電体膜３３は、例えばスパッタにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、第２誘電体膜３３に含まれる酸化物は、スパッタ中の酸素および／または金属の欠損、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施の形態および他の実施の形態において、第２誘電体膜３３に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、前述のとおり、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。これは、第１誘電体膜３１の材料と同じ材料でも適用されるし、異なる材料でも適用される。これは後述する第２誘電体膜２３、１３についても同様である。
たとえば、Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２、（Ｉｎ２Ｏ３）９０（ＳｎＯ２）１０重量％（ＩＴＯ）等を用いてよい。
第２誘電体膜３３は、少なくともＺｒと、酸素と、Ｉｎとを含んでいてもよく、Ｚｒの酸化物とＩｎの酸化物から実質的に成っていてよい。これは、元素Ｄ２を含む場合も適用される。また、後述する第２誘電体膜２３、１３に関しても同様に適用される。
第２誘電体膜３３は、例えばスパッタにより形成されるナノメータオーダの薄膜である。そのため、第２誘電体膜３３に含まれる酸化物は、スパッタ中の酸素および／または金属の欠損、ならびに不可避的な不純物の混入により、厳密に言えば、化学量論組成とならないことがある。この理由により、本実施の形態および他の実施の形態において、第２誘電体膜３３に含まれる酸化物は必ずしも化学量論組成のものでなくてもよい。また、前述のとおり、本明細書において化学量論組成で表された材料には、酸素および／または金属の欠損、ならびに不純物の混入等により、厳密に言えば化学量論組成のものではないものも含まれることとする。これは、第１誘電体膜３１の材料と同じ材料でも適用されるし、異なる材料でも適用される。これは後述する第２誘電体膜２３、１３についても同様である。
第１誘電体膜３１、記録膜３２、および第２誘電体膜３３の具体的な厚さは、マトリクス法（例えば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年、第３章参照。）に基づく計算により設計できる。各膜の厚さを調整することにより、記録膜３２が未記録の場合と記録の場合の各反射率、および記録部－未記録部間での反射光の位相差を調整して、再生信号の信号品質を最適化することが可能である。
次にＬ１層２０の構成について説明する。Ｌ１層２０は、中間分離層２の表面上に、少なくとも第１誘電体膜２１および記録膜２２がこの順に積層されることにより形成される。さらに、記録膜２２の表面上に、第２誘電体膜２３が積層されてもよい。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜２１の機能は、前述したＬ２層３０の第１誘電体膜３１の機能と同様である。また、第１誘電体膜２１は、中間分離層２とＬ１層２０とを密着させる役割も有する。第１誘電体膜２１の材料は、第１誘電体膜３１と同様の材料を用いることがより好ましい。これは、Ｌ１層２０も、中間分離層２の表面上に第１誘電体膜２１をスパッタで形成するため、第１誘電体膜２１が中間分離層２から揮発する有機物の影響を受けるからである。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜２１の機能は、前述したＬ２層３０の第１誘電体膜３１の機能と同様である。また、第１誘電体膜２１は、中間分離層２とＬ１層２０とを密着させる役割も有する。第１誘電体膜２１の材料は、第１誘電体膜３１と同様の材料を用いることがより好ましい。これは、Ｌ１層２０も、中間分離層２の表面上に第１誘電体膜２１をスパッタで形成するため、第１誘電体膜２１が中間分離層２から揮発する有機物の影響を受けるからである。
したがって、第１誘電体膜２１は、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに元素Ｄ１を含み、Ｚｒと酸素と元素Ｄ１の原子数を合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含んでいてもよい。さらに、元素Ｄ２を含んでよく、さらに元素Ｄ３を含んでよく、Ｚｒと、元素Ｄ１と、元素Ｄ２および元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、元素Ｄ３を７原子％以下含んでよい。
この形態により、Ｌ１層２０も、Ｌ２層３０と同様に、第１誘電体膜２１のスパッタ中に、中間分離層２から有機物が揮発しても、良好な再生耐久性を得ることができる。
第１誘電体膜２１の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、中間分離層２との密着性が低下して、記録膜２２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜２１の厚さが４０ｎｍを超えると、第１誘電体膜２１の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。
この形態により、Ｌ１層２０も、Ｌ２層３０と同様に、第１誘電体膜２１のスパッタ中に、中間分離層２から有機物が揮発しても、良好な再生耐久性を得ることができる。
第１誘電体膜２１の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、中間分離層２との密着性が低下して、記録膜２２への水分の侵入を抑制する保護機能が低下することがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が低下することがある。また、第１誘電体膜２１の厚さが４０ｎｍを超えると、第１誘電体膜２１の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。
記録膜２２の機能は、前述したＬ２層３０の記録膜３２のそれと同様である。また、記録膜２２は、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、元素Ｍを含むことが好ましい。
記録膜２２は、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含むので、例えば、レーザ光６の照射によって酸素（Ｏ）が分離し、また、Ｏ同士が結合して、記録マークとなる膨張部を形成してもよい。この膨張部の形成は非可逆的な変化であるため、この記録膜２２を備えたＬ１層２０は追記型のものとなる。
記録膜２２の材料は、記録膜３２と同様であることが好ましい。Ｌ１層２０は、中間分離層２および３に挟まれているため、両者が硬い場合は、記録膜２２の記録マークは膨張しにくくなる。その場合は、記録膜２２は、記録マークを膨張させる機能に最も優れたＴａを、元素Ｍとして含むことがより好ましい。
記録膜２２に含まれる酸素の割合は、金属元素と酸素の原子数の合計を１００原子％としたときに、例えば６０原子％以上８０原子％以下であってよい。
記録膜２２の膜厚は、好ましくは１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、更に好ましくは２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下としてよい。膜厚が１５ｎｍより薄いと記録膜２２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、ｄ－ＭＬＳＥが悪化する。膜厚が５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜２２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜２２の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。
記録膜２２は、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含むので、例えば、レーザ光６の照射によって酸素（Ｏ）が分離し、また、Ｏ同士が結合して、記録マークとなる膨張部を形成してもよい。この膨張部の形成は非可逆的な変化であるため、この記録膜２２を備えたＬ１層２０は追記型のものとなる。
記録膜２２の材料は、記録膜３２と同様であることが好ましい。Ｌ１層２０は、中間分離層２および３に挟まれているため、両者が硬い場合は、記録膜２２の記録マークは膨張しにくくなる。その場合は、記録膜２２は、記録マークを膨張させる機能に最も優れたＴａを、元素Ｍとして含むことがより好ましい。
記録膜２２に含まれる酸素の割合は、金属元素と酸素の原子数の合計を１００原子％としたときに、例えば６０原子％以上８０原子％以下であってよい。
記録膜２２の膜厚は、好ましくは１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、更に好ましくは２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下としてよい。膜厚が１５ｎｍより薄いと記録膜２２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、ｄ－ＭＬＳＥが悪化する。膜厚が５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜２２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜２２の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。
第２誘電体膜２３の機能は、前述したＬ２層３０の第２誘電体膜３３のそれと同様である。第２誘電体膜２３の材料は、第２誘電体膜３３と同様の材料を用いてよい。また、第１誘電体膜２１と同じ材料でもよいし、異なる材料でもよい。
第２誘電体膜２３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜２２への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、３０ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が下がることがある。
第２誘電体膜２３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜２２への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、３０ｎｍを超えると、Ｌ１層２０の反射率が下がることがある。
次に、Ｌ０層１０の構成について説明する。Ｌ０層１０は基板１の表面上に、少なくとも第１誘電体膜１１および記録膜１２がこの順に積層されることにより形成される。
さらに、記録膜１２の表面上に第２誘電体膜１３が積層されてもよい。
第１誘電体膜１１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また、第１誘電体膜１１は、記録膜１２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜１２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。また、第１誘電体膜１１は、基板１とＬ０層１０とを密着させる役割も有する。
第１誘電体膜１１は、基板１の表面上にスパッタで形成してもよい。基板１は成形基板であり、例えば、ポリカーボネートが好ましく用いられる。ポリカーボネートは熱可塑性樹脂であって、光重合開始剤は含んでいない。また、低分子成分も少ないため、第１誘電体膜１１のスパッタ中に、揮発する可能性がある成分が少ないので、第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜２１および３１と違って、有機物の影響を受けにくい。よって、第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜３１と同じ材料を用いてもよく、第２誘電体膜３３と同じ材料を用いてもよい。
第１誘電体膜１１は、例えば、Ｚｒと酸素と元素Ｄ１を含む、
さらに、記録膜１２の表面上に第２誘電体膜１３が積層されてもよい。
第１誘電体膜１１は、光学的な位相差を調節して信号振幅を制御する働きや、記録マークの膨らみを調整して信号振幅を制御する働きを有する。また、第１誘電体膜１１は、記録膜１２への水分の侵入を抑制する働き、および記録膜１２中の酸素が外部へ逃避するのを抑制する働きを有する。また、第１誘電体膜１１は、基板１とＬ０層１０とを密着させる役割も有する。
第１誘電体膜１１は、基板１の表面上にスパッタで形成してもよい。基板１は成形基板であり、例えば、ポリカーボネートが好ましく用いられる。ポリカーボネートは熱可塑性樹脂であって、光重合開始剤は含んでいない。また、低分子成分も少ないため、第１誘電体膜１１のスパッタ中に、揮発する可能性がある成分が少ないので、第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜２１および３１と違って、有機物の影響を受けにくい。よって、第１誘電体膜１１は、第１誘電体膜３１と同じ材料を用いてもよく、第２誘電体膜３３と同じ材料を用いてもよい。
第１誘電体膜１１は、例えば、Ｚｒと酸素と元素Ｄ１を含む、
さらに、本発明者らの検討により、Ｌ０層１０は、第１誘電体膜１１にＺｒと、酸素と、元素Ｄ１とを含む材料を用いると、Ｚｒと、酸素と、Ｉｎとを含む材料を用いた場合に比べて、再生耐久性がより良好になることを見出した。
例えば、第１誘電体膜１１は、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
等を用いてよい。
材料が酸化物を形成している場合は、第１誘電体膜１１は、ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を用いることが好ましい。
あるいは、元素Ｄ２を含んでよく、第１誘電体膜１１は、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ、
等を用いてよい。
第１誘電体膜２１および３１と同様に、ターゲットのクラック発生を抑制できるので、第１誘電体膜１１は、Ｍｇを含む、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇを用いることがより好ましい。
材料が酸化物を形成している場合は、第１誘電体膜１１は、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を用いることがより好ましい。
あるいは、第１誘電体膜１１は、元素Ｄ３を含んでよく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ－Ｇａ、
等を用いてよい。
第１誘電体膜２１および３１と同様に、第１誘電体膜１１は、さらに導電性を向上できるＧａを添加して、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ－Ｇａを用いることがさらに好ましい。
材料が酸化物を形成している場合には、第１誘電体膜１１は、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２を用いることがさらに好ましい。
あるいは、Ｚｒと酸素とＩｎとを含んでよく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ、
等を用いてよい。
あるいは元素Ｄ２を含んでよく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｓｉ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｙ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｙ－Ｓｉ、
等を用いてよい。
あるいは、Ｚｒと酸素とＩｎと元素Ｄ１とを含んでよく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｚｎ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｓｎ、
等を用いてよい。
あるいはＳｉＯ２を含んでよく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｓｉ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｓｎ－Ｓｉ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｓｉ、
等を用いてよい。
第１誘電体膜１１も、第１誘電体膜２１および３１と同様に、上記の系にＨｆが含まれていてもよい。
例えば、第１誘電体膜１１は、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
等を用いてよい。
材料が酸化物を形成している場合は、第１誘電体膜１１は、ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を用いることが好ましい。
あるいは、元素Ｄ２を含んでよく、第１誘電体膜１１は、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ、
等を用いてよい。
第１誘電体膜２１および３１と同様に、ターゲットのクラック発生を抑制できるので、第１誘電体膜１１は、Ｍｇを含む、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇを用いることがより好ましい。
材料が酸化物を形成している場合は、第１誘電体膜１１は、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を用いることがより好ましい。
あるいは、第１誘電体膜１１は、元素Ｄ３を含んでよく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ－Ｇａ、
等を用いてよい。
第１誘電体膜２１および３１と同様に、第１誘電体膜１１は、さらに導電性を向上できるＧａを添加して、Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ－Ｇａを用いることがさらに好ましい。
材料が酸化物を形成している場合には、第１誘電体膜１１は、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２を用いることがさらに好ましい。
あるいは、Ｚｒと酸素とＩｎとを含んでよく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ、
等を用いてよい。
あるいは元素Ｄ２を含んでよく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｓｉ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｙ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｙ－Ｓｉ、
等を用いてよい。
あるいは、Ｚｒと酸素とＩｎと元素Ｄ１とを含んでよく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｚｎ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｓｎ、
等を用いてよい。
あるいはＳｉＯ２を含んでよく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｓｉ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｓｎ－Ｓｉ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｓｉ、
等を用いてよい。
第１誘電体膜１１も、第１誘電体膜２１および３１と同様に、上記の系にＨｆが含まれていてもよい。
第１誘電体膜１１の厚さは、例えば、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下し、記録膜１２への水分の侵入を抑制できないことがある。４０ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が低下することがある。
レーザ光６が入射する面（カバー層４の表面）から最も遠い位置にあるＬ０層１０は、その再生光量が最も小さくなる傾向にある。
レーザ光６が入射する面（カバー層４の表面）から最も遠い位置にあるＬ０層１０は、その再生光量が最も小さくなる傾向にある。
記録膜１２は、記録膜３２と同様の機能を持ち、用いる材料も同様である。
記録膜１２におけるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および前記元素Ｍが、
下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００－ｘ－ｙ－ｚ（原子％） （１）
（前記式（１）中、
１５≦ｘ＜６０、０＜ｙ≦３０、１０≦ｚ≦４０、且つ、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０）、
を満たすことが好ましい。
記録膜１２におけるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および前記元素Ｍが、
下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００－ｘ－ｙ－ｚ（原子％） （１）
（前記式（１）中、
１５≦ｘ＜６０、０＜ｙ≦３０、１０≦ｚ≦４０、且つ、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０）、
を満たすことが好ましい。
Ｌ０層１０は、レーザ光６が入射する面（カバー層４の表面）から最も遠い位置にあるため、Ｌ２層３０やＬ１層２０と比較して、光学的にはより高い反射率とより大きな吸収率を確保することが優先される。よって、Ｌ０層１０の記録膜１２は、Ｌ２層３０の記録膜３２およびＬ１層２０の記録膜２２よりも、式（１）におけるｘの値が小さい組成比で形成してよい。
式（１）中、ｘ（Ｗ量）は、１５≦ｘ≦４０であることがより好ましい。ｘがこの範囲内にあれば記録膜１２の光吸収を調整して、Ｌ０層１０の記録パワーを最適化することができる。１５≦ｘであると、ＤＣスパッタを良好に実施できる。また、記録マークが容易に形成され、良好な記録再生特性が得られる。
ｘが１５未満であると、ＤＣスパッタを実施する場合に、スパッタが不安定となることがあり、異常放電が生じやすくなる。また、記録膜１２が膨張しにくくなり、記録マークの形成が困難になる。ｘが４０を超えると、記録膜１２の光吸収が減り、Ｌ０層１０の記録に大きなレーザパワーが必要となることがある。
ｘが１５未満であると、ＤＣスパッタを実施する場合に、スパッタが不安定となることがあり、異常放電が生じやすくなる。また、記録膜１２が膨張しにくくなり、記録マークの形成が困難になる。ｘが４０を超えると、記録膜１２の光吸収が減り、Ｌ０層１０の記録に大きなレーザパワーが必要となることがある。
記録膜１２の場合、記録膜３２および記録膜２２よりも、ｙの値が大きい組成比で形成してよい。ｙ（Ｃｕ量）は１０≦ｙ≦３０であることがより好ましい。ｙを３０以下とすることにより、記録膜１２の光吸収率を調整し、Ｌ０層１０の記録感度を最適化し、規格を満たす再生パワーで良好な再生耐久性を得ることができる。ｙを１０以上にすることにより、記録膜１２の光吸収が増え、記録パワーを最適化できる。ｙが３０を超えると、記録感度が良くなり、再生パワーを下げることとなり、Ｌ０層１０の再生光量が減る。ｙが１０より小さいと、記録感度が悪化し、Ｌ０層１０の記録に大きなレーザパワーが必要となることがある。
記録膜１２の場合、記録膜３２および記録膜２２よりも、ｚの値が大きい組成比で形成してよい。ｚ（Ｍｎ量）は１５≦ｚ≦４０であることがより好ましい。この範囲であれば、Ｌ０層１０の光吸収率を調整して、記録パワーを最適化し、高い反射率を確保し、再生光量を上げることができる。
記録膜１２の場合、記録膜３２および記録膜２２よりも、ｚの値が大きい組成比で形成してよい。ｚ（Ｍｎ量）は１５≦ｚ≦４０であることがより好ましい。この範囲であれば、Ｌ０層１０の光吸収率を調整して、記録パワーを最適化し、高い反射率を確保し、再生光量を上げることができる。
１００－ｘ－ｙ－ｚ（元素Ｍ量）は１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０を満たす。１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０であると、Ｌ０層１０の記録再生特性が良好なものとなる。また、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０であると、記録膜１２の屈折率と消衰係数が最適化されて、Ｌ０層１０の反射率を上げるとともに、光吸収率を最適化して、再生光量を上げることができる。元素Ｍは酸素をより多く分離したり、結合させたり、記録膜１２のレーザ光６の照射部の、膨張を促進する機能も有する。また、ＮｂやＴｉは屈折率が大きいので、反射率を上げる効果がある。１００－ｘ－ｙ－ｚが５０より大きいと、元素Ｍが多くなりすぎて、記録膜１２の記録マークが過度に膨張して、記録マークが隣接トラックの記録マークの振幅を小さくしてしまう可能性がある。その結果、Ｌ０層１０の記録再生特性が悪化する。また、１００－ｘ－ｙ－ｚが１０より小さいと、元素Ｍの割合が少なくなって、記録膜１２の記録マークが膨張しにくくなり、記録再生特性が悪化する。
記録膜１２に含まれる酸素の割合は、金属元素と酸素の原子数の合計を１００原子％としたときに、例えば６０原子％以上８０原子％以下であってよい。
記録膜１２の膜厚は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜１２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、ｄ－ＭＬＳＥが悪化する。５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜１２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜１２の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。
記録膜１２の膜厚は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下としてよく、特に２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下としてよい。１５ｎｍより薄いと記録膜１２が十分に膨張せず、良好な記録マークが形成されないので、ｄ－ＭＬＳＥが悪化する。５０ｎｍを超えると、記録感度が良くなって記録パワーが小さくなり、その分再生パワーが低下して、再生光量が小さくなることがある。また、記録膜１２の厚さが５０ｎｍを超えると、記録膜１２の成膜に要する時間（スパッタ時間）が長くなり生産性が低下することがある。
第２誘電体膜１３の機能は、前述したＬ２層３０の第２誘電体膜３３のそれと同様である。第２誘電体膜１３の材料は、第２誘電体膜３３と同様の材料を用いてよい。また、第１誘電体膜１１と同じ材料でもよいし、異なる材料でもよい。
第２誘電体膜１３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜１２への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、３０ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が下がることがある。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１、２１、１１、記録膜３２、２２、１２、および第２誘電体膜３３、２３、１３は、５００ＧＢのアーカイバル・ディスクに限らず、５００ＧＢよりも容量の小さい３００ＧＢ、１００ＧＢ容量のアーカイバル・ディスクにも、必要に応じて適用してよい。記録膜３２、２２、１２の少なくとも一つに、元素ＭをＺｎとして、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｚｎ―Ｏを用いてよい。
第２誘電体膜１３の厚さは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であってよい。５ｎｍ未満であると、保護機能が低下して、記録膜１２への水分の侵入を抑制できなくなることがあり、３０ｎｍを超えると、Ｌ０層１０の反射率が下がることがある。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜３１、２１、１１、記録膜３２、２２、１２、および第２誘電体膜３３、２３、１３は、５００ＧＢのアーカイバル・ディスクに限らず、５００ＧＢよりも容量の小さい３００ＧＢ、１００ＧＢ容量のアーカイバル・ディスクにも、必要に応じて適用してよい。記録膜３２、２２、１２の少なくとも一つに、元素ＭをＺｎとして、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｚｎ―Ｏを用いてよい。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜１１、２１、３１、本発明の実施形態にかかる記録膜１２、２２、３２、および本発明の実施形態にかかる第２誘電体膜１３、２３、３３の組み合わせにおいて、レーザ光６の光源から最も遠いＬ０層１０を除く、Ｌ１層２０とＬ２層３０の少なくともいずれか一層が第１情報層であればよい。４以上の情報層を含む場合も同様に、Ｌ０層１０を除く、レーザ光６の光源に、より近い情報層のうちの少なくともいずれか一層が第１情報層であればよい。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜１１、２１、３１、記録膜１２、２２、３２、および第２誘電体膜１３、２３、３３の組み合わせは、中間分離層２、３から揮発する有機物の影響を克服して、再生耐久性を向上させるのに効果的である。よって、Ｌ１層２０およびＬ２層３０のように、中間分離層２、及び３上に形成される情報層を第１情報層とすることにより、より優れた効果を示す。
当然ながら、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１のスパッタ中に、基板１から炭素を含む成分が揮発する場合には、Ｌ０層１０に本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜１１を適用すれば、優れた再生耐久性を得ることができる。
本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜１１、２１、３１、記録膜１２、２２、３２、および第２誘電体膜１３、２３、３３の組み合わせは、中間分離層２、３から揮発する有機物の影響を克服して、再生耐久性を向上させるのに効果的である。よって、Ｌ１層２０およびＬ２層３０のように、中間分離層２、及び３上に形成される情報層を第１情報層とすることにより、より優れた効果を示す。
当然ながら、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１のスパッタ中に、基板１から炭素を含む成分が揮発する場合には、Ｌ０層１０に本発明の実施形態にかかる第１誘電体膜１１を適用すれば、優れた再生耐久性を得ることができる。
波長４０５ｎｍにおける、第１誘電体膜３１、２１、１１の屈折率は、１．９０以上２．３０以下であることが好ましく、消衰係数は、０．２０以下が好ましい。同様に記録膜３２、２２の屈折率は、２．００以上２．４０以下であることが好ましく、消衰係数は、０．３０以下が好ましい。同様に記録膜１２の屈折率は、２．１０以上２．５０以下であることが好ましく、消衰係数は、０．４０以下が好ましい。第２誘電体膜３３、２３、１３の屈折率は、１．９０以上２．３０以下であることが好ましく、消衰係数は、０．２０以下が好ましい。
第１誘電体膜１１、２１、３１、記録膜１２、２２、３２、および第２誘電体膜１３、２３，３３は、これらを構成する酸化物を混合したターゲットを用いて、ＲＦスパッタまたはＤＣスパッタにより形成してよい。あるいは、これらの膜は、酸素を含まない合金ターゲットを用いて、酸素導入下でのＲＦスパッタ、または酸素導入下でのＤＣスパッタにより形成してよい。あるいはまた、各酸化物のターゲットをそれぞれ個別の電源に取り付けて、同時にＲＦスパッタまたはＤＣスパッタに付す方法で、これらの膜を形成してよい（マルチスパッタリング法）。ＲＦスパッタとＤＣスパッタは同時に実施してもよい。さらに別の膜形成方法としては、金属の単体もしくは合金からなるターゲット、または酸化物のターゲットをそれぞれ個別の電源に取り付けて、必要に応じて酸素を導入しなら同時にＲＦスパッタする方法や、同時にＤＣスパッタする方法が挙げられる。あるいは、金属と酸化物を混合してなるターゲットを用い、酸素を導入しながら、ＲＦスパッタまたはＤＣスパッタする方法で、これらの膜を形成してよい。
実施の形態１の変形例においては、本実施の形態に示す情報記録媒体１００において、第１情報層以外のいずれかの情報層の記録膜が、Ｔｅ－Ｏ－ＰｄまたはＧｅ－Ｂｉ－Ｏ等の他の記録膜、すなわち本発明の実施形態にかかるＷ－Ｏ系記録膜以外の記録膜であってもよい。あるいは、他の変形例においては、必要に応じて、反射膜および上記において例示していない材料から成る誘電体膜を設けてもよい。本開示に係る技術の効果は、これらの変形例においても達成される。
情報記録媒体１００の記録方式は、線速度一定のＣｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＬＶ）、回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）、Ｚｏｎｅｄ ＣＬＶおよびＺｏｎｅｄ ＣＡＶのいずれであってよい。使用できるデータビット長は４７．７ｎｍである。また、多値記録方式にも使うことができる。
本実施の形態の情報記録媒体１００への情報の記録および再生は、対物レンズの開口数ＮＡが０．９１である光学系で実施してよく、あるいはＮＡ＞１の光学系で実施してよい。光学系としてはＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）、またはＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用してもよい。この場合、中間分離層２および３、ならびにカバー層４は５μｍ以下の厚さとしてよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
情報記録媒体１００の記録方式は、線速度一定のＣｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＬＶ）、回転数一定のＣｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（ＣＡＶ）、Ｚｏｎｅｄ ＣＬＶおよびＺｏｎｅｄ ＣＡＶのいずれであってよい。使用できるデータビット長は４７．７ｎｍである。また、多値記録方式にも使うことができる。
本実施の形態の情報記録媒体１００への情報の記録および再生は、対物レンズの開口数ＮＡが０．９１である光学系で実施してよく、あるいはＮＡ＞１の光学系で実施してよい。光学系としてはＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ（ＳＩＬ）、またはＳｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｍｉｒｒｏｒ（ＳＩＭ）を使用してもよい。この場合、中間分離層２および３、ならびにカバー層４は５μｍ以下の厚さとしてよい。あるいは、近接場光を利用した光学系を用いてもよい。
（実施の形態２）
次に、実施の形態１で説明した情報記録媒体１００の製造方法を、実施の形態２として説明する。
本発明の実施形態にかかる情報記録媒体の製造方法は、２以上の情報層を含む情報記録媒体の製造方法であって、
上記２以上の情報層の各々を形成する工程を含み、
上記２以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、上記第１情報層を形成する工程が、少なくとも、第１誘電体膜を形成する工程と、記録膜を形成する工程とを含み、
上記第１誘電体膜を形成する工程が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含む第１誘電体膜を形成し、
上記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む記録膜を形成し、
上記第１誘電体膜を形成する工程と、上記記録膜を形成する工程が、ＤＣ電源を用いたスパッタリングにより実施される。
次に、実施の形態１で説明した情報記録媒体１００の製造方法を、実施の形態２として説明する。
本発明の実施形態にかかる情報記録媒体の製造方法は、２以上の情報層を含む情報記録媒体の製造方法であって、
上記２以上の情報層の各々を形成する工程を含み、
上記２以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、上記第１情報層を形成する工程が、少なくとも、第１誘電体膜を形成する工程と、記録膜を形成する工程とを含み、
上記第１誘電体膜を形成する工程が、少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含む第１誘電体膜を形成し、
上記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む記録膜を形成し、
上記第１誘電体膜を形成する工程と、上記記録膜を形成する工程が、ＤＣ電源を用いたスパッタリングにより実施される。
Ｌ０層１０を構成する第１誘電体膜１１、記録膜１２および第２誘電体膜１３は、気相成膜法の一つであるスパッタリング法（スパッタ）により形成できる。
本発明の実施形態にかかる情報記録媒体１００は基板１を有していてもよい。
まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。この際、基板１に螺旋状の案内溝が形成されている場合は、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。
第１誘電体膜１１は、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタすることにより形成できる。希ガスは、例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、またはＸｅガスであるが、コスト面ではＡｒガスが有利である。これはスパッタの雰囲気ガスを希ガスまたはその混合ガスとする、いずれのスパッタについてもあてはまる。
本発明の実施形態にかかる情報記録媒体１００は基板１を有していてもよい。
まず、基板１（例えば、厚み０．５ｍｍ、直径１２０ｍｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて、まず第１誘電体膜１１を成膜する。この際、基板１に螺旋状の案内溝が形成されている場合は、この案内溝側に第１誘電体膜１１を成膜する。
第１誘電体膜１１は、得ようとする組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガス（例えば、酸素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタすることにより形成できる。希ガスは、例えば、Ａｒガス、Ｋｒガス、またはＸｅガスであるが、コスト面ではＡｒガスが有利である。これはスパッタの雰囲気ガスを希ガスまたはその混合ガスとする、いずれのスパッタについてもあてはまる。
ターゲットは、酸化物の形態で含んでよく、あるいは単体金属または合金の形態で含んでよい。金属（合金含む）からなるターゲットを使用する場合には、酸素ガスを含む雰囲気中で実施する反応性スパッタにより酸化物を形成してよい。
ターゲットの比抵抗値は好ましくは１Ω・ｃｍ以下である。これによりＤＣスパッタ、またはパルスＤＣスパッタを実施しやすくなる。
元素Ｄ１を含む組成のターゲットは、導電性が高く、ＤＣスパッタによって安定的に第１誘電体膜１１を形成しやすくなる。よって、第１誘電体膜１１の形成時に高い成膜レートを期待できる。
所望の第１誘電体膜１１の組成が得られるよう、ターゲットの組成を調整してよい。
続いて、第１誘電体膜１１上に記録膜１２を成膜する。
記録膜１２は、その組成に応じて、金属合金または金属－酸化物の混合物からなるターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングを実施することにより形成できる。記録膜１２の厚さが第１誘電体膜１１などの誘電体膜より厚いので、生産性を考慮し、記録膜１２は、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いて成膜することが好ましい。記録膜１２中に多くの酸素を含有させるため、雰囲気ガス中に多量の酸素ガスを混合することが好ましい。記録膜１２はマルチスパッタリングを実施して形成してよい。
ターゲットの比抵抗値は好ましくは１Ω・ｃｍ以下である。これによりＤＣスパッタ、またはパルスＤＣスパッタを実施しやすくなる。
元素Ｄ１を含む組成のターゲットは、導電性が高く、ＤＣスパッタによって安定的に第１誘電体膜１１を形成しやすくなる。よって、第１誘電体膜１１の形成時に高い成膜レートを期待できる。
所望の第１誘電体膜１１の組成が得られるよう、ターゲットの組成を調整してよい。
続いて、第１誘電体膜１１上に記録膜１２を成膜する。
記録膜１２は、その組成に応じて、金属合金または金属－酸化物の混合物からなるターゲットを用いて、希ガス雰囲気中または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングを実施することにより形成できる。記録膜１２の厚さが第１誘電体膜１１などの誘電体膜より厚いので、生産性を考慮し、記録膜１２は、ＲＦスパッタリングより高い成膜レートが期待できるＤＣスパッタリング、またはパルスＤＣスパッタリングを用いて成膜することが好ましい。記録膜１２中に多くの酸素を含有させるため、雰囲気ガス中に多量の酸素ガスを混合することが好ましい。記録膜１２はマルチスパッタリングを実施して形成してよい。
具体的には、記録膜１２の成膜に際して合金ターゲットまたは混合物ターゲットを用いる場合、ターゲットの組成は、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｚｎ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｎｂ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－ＺｎＯ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｍｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔｉ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ－ＺｎＯ、
等であってよい。
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｎｂ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｚｎ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｍｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔａ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ－Ｔｉ、Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｎｂ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－ＺｎＯ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｍｏ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔｉ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ、
Ｗ－Ｃｕ－Ｍｎ３Ｏ４－Ｔａ－ＺｎＯ、
等であってよい。
続いて、記録膜１２上に第２誘電体膜１３を成膜する。第２誘電体膜１３は、第２誘電体膜１３の組成に応じたターゲットを用いて、希ガス雰囲気、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気でスパッタリングを実施することにより形成できる。また、第２誘電体膜１３はマルチスパッタリングを実施して形成してよい。
第２誘電体膜１３の形成に用いるターゲットとしては、前述した第１誘電体膜１１を形成するターゲットを用いてよい。
続いて、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂（例えばアクリル系樹脂）を、Ｌ０層１０上に塗布しスピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。中間分離層２に案内溝を設ける場合、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた状態でスピンコートした後に樹脂を硬化させ、さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がす方法で中間分離層２を形成してよい。また、中間分離層２は二段階で形成してよく、具体的には、厚みの大部分を占める部分を先にスピンコート法で形成し、次に案内溝を有する部分を、スピンコート法と転写用基板による転写との組み合わせにより形成してよい。
第２誘電体膜１３の形成に用いるターゲットとしては、前述した第１誘電体膜１１を形成するターゲットを用いてよい。
続いて、第２誘電体膜１３上に中間分離層２を形成する。中間分離層２は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂（例えばアクリル系樹脂）を、Ｌ０層１０上に塗布しスピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。中間分離層２に案内溝を設ける場合、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂に密着させた状態でスピンコートした後に樹脂を硬化させ、さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がす方法で中間分離層２を形成してよい。また、中間分離層２は二段階で形成してよく、具体的には、厚みの大部分を占める部分を先にスピンコート法で形成し、次に案内溝を有する部分を、スピンコート法と転写用基板による転写との組み合わせにより形成してよい。
続いて、Ｌ１層２０を形成する。具体的には、まず、第１誘電体膜２１を中間分離層２の上に形成する。第１誘電体膜２１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、第１誘電体膜２１上に記録膜２２を形成する。記録膜２２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜２２上に第２誘電体膜２３を形成する。第２誘電体膜２３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、第２誘電体膜２３上に中間分離層３を形成する。中間分離層３は、前述した中間分離層２と同様の方法で形成できる。
続いて、Ｌ２層３０を形成する。Ｌ２層３０は、基本的には前述したＬ１層２０と同様の方法で形成できる。まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。
続いて、Ｌ２層３０を形成する。Ｌ２層３０は、基本的には前述したＬ１層２０と同様の方法で形成できる。まず、中間分離層３上に第１誘電体膜３１を形成する。第１誘電体膜３１は、前述した第１誘電体膜１１と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。
例えば、第１誘電体膜３１を形成するためのターゲットの組成は、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ－Ｇａ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ－Ｇａ、
等が好ましく用いられる。
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇａ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｙ－Ｇａ、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ－Ｇａ、
等が好ましく用いられる。
また、第１誘電体膜３１を形成する際に、高スパッタパワーを投入してＤＣスパッタまたはパルスＤＣスパッタを実施する場合、Ｍｇの酸化物を含むターゲットは、Ｙの酸化物を含むターゲット、およびＣａの酸化物を含むターゲットに比べて、より高いスパッタパワーでも、ターゲット表面にクラックが発生し難い。ターゲットを最後まで使い切ってもクラックが発生し難い。クラックの抑制にはＭｇの酸化物を用いることがより好ましい。
本実施の形態では、第１誘電体膜３１に対応したターゲット材料として、Ｍｇの酸化物を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを含むターゲットを用いることがより好ましい。
第２誘電体膜３３、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１、第２誘電体膜２３、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３に、各々対応したターゲット材料においても同様、Ｍｇの酸化物を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを含むことが好ましい。
本実施の形態では、第１誘電体膜３１に対応したターゲット材料として、Ｍｇの酸化物を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを含むターゲットを用いることがより好ましい。
第２誘電体膜３３、Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１、第２誘電体膜２３、Ｌ０層１０の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３に、各々対応したターゲット材料においても同様、Ｍｇの酸化物を添加した安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアを含むことが好ましい。
よって、第１誘電体膜３１を形成するためのターゲットの組成としては、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇを用いることがより好ましく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ－Ｇａを用いることがさらに好ましい。
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇを用いることがより好ましく、
Ｚｒ－Ｏ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｍｇ－Ｇａを用いることがさらに好ましい。
あるいはこれらがターゲット中の組織の中で、酸化物を形成していることが好ましく、
第１誘電体膜３１を形成するためのターゲットの組成としては、例えば、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
等が好ましく用いられる。
第１誘電体膜３１を形成するためのターゲットの組成としては、ＭｇＯを含む、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を用いることがより好ましく、ＭｇＯとＧａ２Ｏ３を含む、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２を用いることがさらに好ましい。
第１誘電体膜３１を形成するためのターゲットの組成としては、例えば、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２、
等が好ましく用いられる。
第１誘電体膜３１を形成するためのターゲットの組成としては、ＭｇＯを含む、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－ＳｎＯ２を用いることがより好ましく、ＭｇＯとＧａ２Ｏ３を含む、ＺｒＯ２－ＭｇＯ－ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３－ＳｎＯ２を用いることがさらに好ましい。
ターゲットは、粉末や焼結体が結晶相であれば、例えば、Ｘ線回折でターゲットに含まれる酸化物を調べることができる。また、ターゲットの組織には、複合酸化物、混合酸化物、亜酸化物、および高酸化数酸化物が含まれていてよい。これは、第１誘電体膜１１、２１、記録膜１２、２２、３２、および第２誘電体膜１３、２３、３３を形成するためのターゲットについても同様に適用される。
続いて、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。
いずれの誘電体膜および記録膜１２、２２、３２も、スパッタリング時の供給電力を１０Ｗ～１０ｋＷとし、成膜室の圧力を０．０１Ｐａ～１０Ｐａとして形成してよい。
続いて、第１誘電体膜３１上に記録膜３２を形成する。記録膜３２は、前述した記録膜１２と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。続いて、記録膜３２上に第２誘電体膜３３を形成する。第２誘電体膜３３は、前述した第２誘電体膜１３と同様の方法で、得ようとする組成に応じたターゲットを用いて形成できる。
いずれの誘電体膜および記録膜１２、２２、３２も、スパッタリング時の供給電力を１０Ｗ～１０ｋＷとし、成膜室の圧力を０．０１Ｐａ～１０Ｐａとして形成してよい。
続いて、第２誘電体膜３３上にカバー層４を形成する。カバー層４は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。あるいは、カバー層４は、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、もしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、またはガラスから成る円盤状の基板１を貼り合わせる方法で形成してよい。具体的には、第２誘電体膜３３に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）または遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、塗布した樹脂に基板１を密着させた状態でスピンコートを実施して樹脂を均一に延ばし、その後、樹脂を硬化させる方法でカバー層４を形成できる。
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
このようにしてＡ面情報記録媒体１０１を製造することができる。また必要に応じ、基板１およびＬ０層１０に、ディスクの識別コード（例えば、ＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ Ｃｕｔｔｉｎｇ Ａｒｅａ））が含まれるようにしてもよい。例えば、ポリカーボネート製の基板１に識別コードを付ける場合、基板１を成形した後に、ＣＯ２レーザなどを用いて、ポリカーボネートを溶解・気化することにより、識別コードを付けることができる。また、Ｌ０層１０に識別コードを付ける場合、半導体レーザなどを用いて、記録膜１２に記録を行う、または記録膜１２を分解することによって、識別コードを付けることができる。Ｌ０層１０に識別コードを付ける工程は、第２誘電体膜１３の形成後、中間分離層２の形成後、カバー層４の形成後、または後述する貼り合わせ層５の形成後に実施してよい。
同様にしてＢ面情報記録媒体１０２の製造も可能である。Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１に案内溝を設ける場合、螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝のそれと逆向きでもよいし、または同じ向きでもよい。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において、基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面に、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面を、塗布した樹脂に貼り付ける。その後、樹脂に光を照射して硬化させることにより、貼り合わせ層５を形成する。あるいは、遅行性硬化型の光硬化型樹脂を、Ａ面情報記録媒体１０１に均一に塗布した後に光を当て、その後、Ｂ面情報記録媒体１０２を貼り付けて、貼り合わせ層５を形成してもよい。このようにして、実施の形態１に係る、両面に情報層を有する情報記録媒体１００を製造することができる。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１において、基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面に、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対の面を、塗布した樹脂に貼り付ける。その後、樹脂に光を照射して硬化させることにより、貼り合わせ層５を形成する。あるいは、遅行性硬化型の光硬化型樹脂を、Ａ面情報記録媒体１０１に均一に塗布した後に光を当て、その後、Ｂ面情報記録媒体１０２を貼り付けて、貼り合わせ層５を形成してもよい。このようにして、実施の形態１に係る、両面に情報層を有する情報記録媒体１００を製造することができる。
以上のように、本開示に係る技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必要な必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面または詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
次に、実施例を用いて本開示の技術を詳細に説明する。
したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必要な必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面または詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
次に、実施例を用いて本開示の技術を詳細に説明する。
本発明のより具体的な実施の形態について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
（実施例１）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
ここで記録膜１２の表記に関して、元素比としては金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記し、以降についても同様に表記する。例えば、Ｗ１９Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３６（原子％）の酸化物であればＷ１９Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３６－Ｏと表記する。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
ここで記録膜１２の表記に関して、元素比としては金属元素比（原子％）のみを記載した形で表記し、以降についても同様に表記する。例えば、Ｗ１９Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３６（原子％）の酸化物であればＷ１９Ｃｕ２５Ｚｎ２０Ｍｎ３６－Ｏと表記する。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２は、まず母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させた。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離することで、中間分離層２が形成される。中間分離層２の厚みは約２５μｍである。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として表１に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３は、まず母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させる。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離することで、中間分離層３が形成された。中間分離層３の厚みは約１８μｍである。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表１に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて、本発明の実施形態にかかる誘電体を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表１に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて、本発明の実施形態にかかる誘電体を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１とは逆の方向とした。その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の形成方法は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２と同様であるが、案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層２とは逆の方向とした。これにより両面の同時再生が可能となる。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として表２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として表２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３は、まず母体の厚みを形成する紫外線硬化樹脂をスピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させる。次に、案内溝を転写する紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その上に案内溝が形成されたポリカーボネートからなるスタンパ基板を貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させた後、スタンパ基板を剥離することで、中間分離層３が形成された。中間分離層３の厚みは約１８μｍである。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて、本発明の実施形態にかかる誘電体を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて、本発明の実施形態にかかる誘電体を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第１誘電体膜３１に、
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１ Ｏ５９．７ （原子％）
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
およびＺｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１－１０１～１－１０６とする。また比較例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第１誘電体膜３１にＺｒ３．４Ｓｉ３．４Ｉｎ３１．８Ｏ６１．４ （原子％）を適用したディスクＮｏ．比較例１－１を作製した。
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１ Ｏ５９．７ （原子％）
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
およびＺｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１－１０１～１－１０６とする。また比較例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第１誘電体膜３１にＺｒ３．４Ｓｉ３．４Ｉｎ３１．８Ｏ６１．４ （原子％）を適用したディスクＮｏ．比較例１－１を作製した。
これらの１－１０１～１－１０６および比較例１－１において８倍速の再生耐久性の評価を行った。再生耐久性の評価はパルステック製評価機（ＯＤＵ－１０００）を用いて行った。
評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１８．０６ｍ／ｓ（５００ＧＢ－８倍速）および再生の線速度は１８．０６ｍ／ｓ（５００ＧＢ－８倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ～１２Ｔ）による記録を行い、信号品質はｄ－ＭＬＳＥ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｄｅｒｉｖｅｄ－Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｅｒｒｏｒ Ｅｓｔｉｍａｔｉｏｎ）として評価した。
評価機のレーザ光６の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．９１であり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。記録の線速度は１８．０６ｍ／ｓ（５００ＧＢ－８倍速）および再生の線速度は１８．０６ｍ／ｓ（５００ＧＢ－８倍速）で行った。データビット長を４７．７ｎｍとし、１情報層あたり８３．４ＧＢ密度の記録を行った。また再生光は２：１で高周波重畳（変調）されたレーザ光６を用いた。ランダム信号（２Ｔ～１２Ｔ）による記録を行い、信号品質はｄ－ＭＬＳＥ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｄｅｒｉｖｅｄ－Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｅｒｒｏｒ Ｅｓｔｉｍａｔｉｏｎ）として評価した。
Ｌ２層３０の再生耐久性の評価は、隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブのランダム信号を再生パワー２．３ｍＷ、線速度１８．０６ｍ／ｓで再生し、繰り返しの再生回数が１回目と１００万回目のｄ－ＭＬＳＥの変化量により良否を判定した。またＬ１層２０の再生耐久性の評価方法については再生パワーを３．１ｍＷとした実施した。
具体的には、変化量をΔｄ－ＭＬＳＥと定義すると、０．５％以下をＡ（非常に良好）、０．５％より大きく１．０％以下をＢ（良好）、１．０％より大きく１．５％以下をＣ（実用レベル）、１．５％より大きいものをＤ（実用不可）とした。
尚、ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、本実施例ではグルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。また、以下の実施例でも同様で、グルーブにおける再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表１に示す。
具体的には、変化量をΔｄ－ＭＬＳＥと定義すると、０．５％以下をＡ（非常に良好）、０．５％より大きく１．０％以下をＢ（良好）、１．０％より大きく１．５％以下をＣ（実用レベル）、１．５％より大きいものをＤ（実用不可）とした。
尚、ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、本実施例ではグルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。また、以下の実施例でも同様で、グルーブにおける再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表１に示す。
ディスクＮｏ．１－１０１～１－１０６において、比較例１－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表２に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表２に示す。
ディスクＮｏ．１－１０１～１－１０６において、比較例１－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例２）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として実質的に（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表３、５に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて、本発明の実施形態にかかる誘電体を１１～１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を９～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表３、５に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて、本発明の実施形態にかかる誘電体を１１～１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を９～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として本発明の実施形態における実質的に（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２として本発明における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として本発明の実施形態における実質的に（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２として本発明における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の形成方法は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３と同様であるが、案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の中間分離層３とは逆の方向とした。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として表４、６に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１１～１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いてＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を９～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、実施例１と同様にマトリクス法に基づく計算により決定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として表４、６に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１１～１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いてＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を９～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、実施例１と同様にマトリクス法に基づく計算により決定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に、
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％）、
Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％）
Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
Ｚｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＯ２とＳｉＯ２を含む）（原子％）
およびＺｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＳｉＯ４を含む）（原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２－１０１～２－１１２とする。
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％）、
Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％）
Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
Ｚｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＯ２とＳｉＯ２を含む）（原子％）
およびＺｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＳｉＯ４を含む）（原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２－１０１～２－１１２とする。
これらの２－１０１～２－１１２および比較例１－１において実施例１で説明した再生耐久性の評価を行った。
Ｌ２層３０の再生耐久性の評価は、隣接するグルーブおよびランドにランダム信号を記録し、記録を行ったトラックの中央に位置するグルーブのランダム信号を再生パワー２．３ｍＷ、線速度１８．０６ｍ／ｓで再生し、繰り返しの再生回数が１回目と１００万回目のｄ－ＭＬＳＥの変化量により良否を判定した。
具体的には、変化量をΔｄ－ＭＬＳＥと定義すると、０．５％以下をＡ（非常に良好）、０．５％より大きく１．０％以下をＢ（良好）、１．０％より大きく１．５％以下をＣ（実用レベル）、１．５％より大きいものをＤ（実用不可）とした。
尚、ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、本実施例ではグルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。また、以下の実施例でも同様で、グルーブにおける再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表３に示す。
具体的には、変化量をΔｄ－ＭＬＳＥと定義すると、０．５％以下をＡ（非常に良好）、０．５％より大きく１．０％以下をＢ（良好）、１．０％より大きく１．５％以下をＣ（実用レベル）、１．５％より大きいものをＤ（実用不可）とした。
尚、ランドではなくグルーブ再生による評価を行ったのは、本実施例ではグルーブのほうが光吸収率が高く、再生耐久性が悪くなるためである。また、以下の実施例でも同様で、グルーブにおける再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表３に示す。
ディスクＮｏ．２－１０１～２－１１２において、比較例１－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表４に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表４に示す。
ディスクＮｏ．２－１０１～２－１１２において、比較例１－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
また２－１０５、２－１０６および２－１０７の第１誘電体膜３１の成膜に用いたターゲットについて、より高いスパッタパワーを投入し、ターゲットにクラックが生じるパワーの評価を行った。その結果、２－１０７のターゲットが最も高いパワーを投入するとこができた。つまり、ＭｇＯを含むターゲットが最も高いパワーを投入できるため、より高い成膜速度を得ることができ、情報記録媒体の生産性を高めることができる。
また２－１０５、２－１０６および２－１０７の第１誘電体膜３１の成膜に用いたターゲットについて、より高いスパッタパワーを投入し、ターゲットにクラックが生じるパワーの評価を行った。その結果、２－１０７のターゲットが最も高いパワーを投入するとこができた。つまり、ＭｇＯを含むターゲットが最も高いパワーを投入できるため、より高い成膜速度を得ることができ、情報記録媒体の生産性を高めることができる。
さらに本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に、
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ７．４Ｚｎ２３．５Ｓｎ１０．３Ｏ５８．８ （原子％）、
Ｚｒ３．３Ｓｎ３０．０Ｏ６６．７ （原子％）、
Ｚｒ２．３Ｓｎ３１．０Ｏ６６．７ （原子％）、
Ｚｒ１７．８Ｚｎ６．７Ｓｎ１１．１Ｏ６４．４ （原子％）、
Ｚｒ２５．９Ｚｎ１１．１Ｏ６３．０ （原子％）、
Ｚｒ２６．５Ｚｎ１０．３Ｏ６３．２ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ６．７Ｙ１．２Ｚｎ２３．２Ｓｎ１０．２Ｏ５８．７ （原子％）、
Ｚｒ１２．７Ｙ１．１Ｚｎ１５．２Ｓｎ９．５Ｏ６１．５ （原子％）、
Ｚｒ１７．５Ｙ１．１Ｚｎ９．０Ｓｎ９．０Ｏ６３．４ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ７．２Ｚｎ２１．８Ｓｎ１０．０Ｇａ２．０Ｏ５９．０ （原子％）、
Ｚｒ１３．１Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．４Ｇａ１．９Ｏ６１．６ （原子％）、
Ｚｒ１７．７Ｚｎ８．０Ｓｎ８．９Ｇａ１．８Ｏ６３．７ （原子％）、
Ｚｒ９．４Ｚｎ１７．０Ｓｎ９．４Ｇａ３．８Ｏ６０．４ （原子％）、
Ｚｒ９．１Ｚｎ１５．３Ｓｎ９．１Ｇａ５．８Ｏ６０．７ （原子％）、
およびＺｒ８．９Ｚｎ１４．０Ｓｎ８．９Ｇａ７．５Ｏ６０．７ （原子％）、
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２－２０１～２－２１８とする。ディスクＮｏ．２－２０４、及び２－２０７は比較例である。
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ７．４Ｚｎ２３．５Ｓｎ１０．３Ｏ５８．８ （原子％）、
Ｚｒ３．３Ｓｎ３０．０Ｏ６６．７ （原子％）、
Ｚｒ２．３Ｓｎ３１．０Ｏ６６．７ （原子％）、
Ｚｒ１７．８Ｚｎ６．７Ｓｎ１１．１Ｏ６４．４ （原子％）、
Ｚｒ２５．９Ｚｎ１１．１Ｏ６３．０ （原子％）、
Ｚｒ２６．５Ｚｎ１０．３Ｏ６３．２ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ６．７Ｙ１．２Ｚｎ２３．２Ｓｎ１０．２Ｏ５８．７ （原子％）、
Ｚｒ１２．７Ｙ１．１Ｚｎ１５．２Ｓｎ９．５Ｏ６１．５ （原子％）、
Ｚｒ１７．５Ｙ１．１Ｚｎ９．０Ｓｎ９．０Ｏ６３．４ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ７．２Ｚｎ２１．８Ｓｎ１０．０Ｇａ２．０Ｏ５９．０ （原子％）、
Ｚｒ１３．１Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．４Ｇａ１．９Ｏ６１．６ （原子％）、
Ｚｒ１７．７Ｚｎ８．０Ｓｎ８．９Ｇａ１．８Ｏ６３．７ （原子％）、
Ｚｒ９．４Ｚｎ１７．０Ｓｎ９．４Ｇａ３．８Ｏ６０．４ （原子％）、
Ｚｒ９．１Ｚｎ１５．３Ｓｎ９．１Ｇａ５．８Ｏ６０．７ （原子％）、
およびＺｒ８．９Ｚｎ１４．０Ｓｎ８．９Ｇａ７．５Ｏ６０．７ （原子％）、
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２－２０１～２－２１８とする。ディスクＮｏ．２－２０４、及び２－２０７は比較例である。
これらの２－２０１～２－２１８において８倍速の再生耐久性の評価を行った。評価の方法は前述した方法と同じである。
さらに、２－２０１～２－２１８において５００ＧＢ密度８倍速記録におけるｄ－ＭＬＳＥの評価を行った。ｄ－ＭＬＳＥの評価においては１４．０％以下をＡ（非常に良好）、１４．０％より大きく１４．５％以下をＢ（良好）、１４．５％より大きく１５．０％以下をＣ（実用レベル）、１５％より大きいものをＤ（実用不可）とした。
さらに、２－２０１～２－２１８において５００ＧＢ密度８倍速記録におけるｄ－ＭＬＳＥの評価を行った。ｄ－ＭＬＳＥの評価においては１４．０％以下をＡ（非常に良好）、１４．０％より大きく１４．５％以下をＢ（良好）、１４．５％より大きく１５．０％以下をＣ（実用レベル）、１５％より大きいものをＤ（実用不可）とした。
さらに、２－２０１～２－２１８の第１誘電体膜３１に適用した誘電体材料の成膜速度の評価を行った。成膜速度は、ガラス基板上に第１誘電体膜３１を成膜し、段差計により膜厚を測定することで算出した。情報記録媒体１００を製造する上で定められたディスク１枚を製造する時間内で第１誘電体膜３１の成膜可能とする成膜速度が得られるものをＡ、成膜速度が不十分なものをＤ（実用不可）とした。
総合的に、再生耐久性、ｄ－ＭＬＳＥ、および成膜速度の評価において、Ｄが含まれるものをＤ（実用不可）、ＤがなくＣが含まれるものをＣ（実用レベル）、ＣやＤがなくＢが２つ以上のものをＢ（良好）、ＣやＤがなくＡが２つ以上のものをＡ（非常に良好）と判定した。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表５に示す。
総合的に、再生耐久性、ｄ－ＭＬＳＥ、および成膜速度の評価において、Ｄが含まれるものをＤ（実用不可）、ＤがなくＣが含まれるものをＣ（実用レベル）、ＣやＤがなくＢが２つ以上のものをＢ（良好）、ＣやＤがなくＡが２つ以上のものをＡ（非常に良好）と判定した。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表５に示す。
ディスクＮｏ．２－２０４において、Ｚｒ量が３原子％より少なくなるとｄ－ＭＬＳＥに悪化が見られ実用不可であることから、Ｚｒ量は３原子％以上である必要がある。また２－２０７において、Ｚｒ量が２６原子％より多くなると成膜速度に低下が見られ実用不可であることから、Ｚｒ量は２６原子％以下である必要がある。
また２－２１８において、Ｇａ量が７原子％より多くなるとｄ－ＭＬＳＥに悪化が見られることから、Ｇａ量は７原子％以下であることが好ましい。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表６に示す。
また２－２１８において、Ｇａ量が７原子％より多くなるとｄ－ＭＬＳＥに悪化が見られることから、Ｇａ量は７原子％以下であることが好ましい。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表６に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２においてもＡ面情報記録媒体１０１と同様の結果が得られた。
また第１誘電体膜３１としてＺｒ１６．８Ｙ４．６Ｚｎ１９．１Ｏ５９．５（原子％）（＝（ＺｒＯ２）４４（Ｙ２Ｏ３）６（ＺｎＯ）５０（ｍｏｌ％））を適用すると、第１誘電体膜３１の成膜工程においてターゲットに割れが生じ、安定した製造が困難であった。このことからＹ２Ｏ３量はＺｒＯ２量に対して、１０％以下のモル濃度が好ましい。
また第１誘電体膜３１としてＺｒ１６．８Ｙ４．６Ｚｎ１９．１Ｏ５９．５（原子％）（＝（ＺｒＯ２）４４（Ｙ２Ｏ３）６（ＺｎＯ）５０（ｍｏｌ％））を適用すると、第１誘電体膜３１の成膜工程においてターゲットに割れが生じ、安定した製造が困難であった。このことからＹ２Ｏ３量はＺｒＯ２量に対して、１０％以下のモル濃度が好ましい。
（実施例３）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１５ｎｍ、記録膜３２として表７に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて、３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１５ｎｍ、記録膜３２として表７に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて、３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１５ｎｍ、記録膜３２として表８に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＺｎＯ）５０（ＳｎＯ２）２５（ｍｏｌ％）を１５ｎｍ、記録膜３２として表８に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の記録膜３２に、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｚｎ３３Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｎｂ３３Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｍｏ３３Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ３３Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔｉ３３Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｎｂ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ１５Ｃｕ２２Ｔａ４０Ｍｎ２３ （原子％）、
Ｗ１４Ｃｕ２３Ｔａ４０Ｍｎ２３ （原子％）、
Ｗ５９Ｃｕ２０Ｔａ１０Ｍｎ２１ （原子％）、
Ｗ６０Ｃｕ２０Ｔａ１０Ｍｎ２０ （原子％）、
Ｗ３２Ｔａ３３Ｍｎ３５ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ３０Ｔａ２８Ｍｎ１０ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ３１Ｔａ２７Ｍｎ１０ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ３０Ｔａ２９Ｍｎ９ （原子％）、
Ｗ２９Ｃｕ１Ｔａ３０Ｍｎ４０ （原子％）、
Ｗ２９Ｃｕ１Ｔａ２９Ｍｎ４１ （原子％）、
Ｗ５５Ｃｕ１７Ｔａ１０Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ５６Ｃｕ１７Ｔａ９Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ１５Ｃｕ１７Ｚｎ２５Ｔａ２５Ｍｎ１８ （原子％）、
およびＷ１５Ｃｕ１７Ｚｎ２５Ｔａ２６Ｍｎ１７ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２－３０１～２－３２１とする。ディスクＮｏ．２－３１２は比較例である。
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｚｎ３３Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｎｂ３３Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｍｏ３３Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ３３Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔｉ３３Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｎｂ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ１５Ｃｕ２２Ｔａ４０Ｍｎ２３ （原子％）、
Ｗ１４Ｃｕ２３Ｔａ４０Ｍｎ２３ （原子％）、
Ｗ５９Ｃｕ２０Ｔａ１０Ｍｎ２１ （原子％）、
Ｗ６０Ｃｕ２０Ｔａ１０Ｍｎ２０ （原子％）、
Ｗ３２Ｔａ３３Ｍｎ３５ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ３０Ｔａ２８Ｍｎ１０ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ３１Ｔａ２７Ｍｎ１０ （原子％）、
Ｗ３２Ｃｕ３０Ｔａ２９Ｍｎ９ （原子％）、
Ｗ２９Ｃｕ１Ｔａ３０Ｍｎ４０ （原子％）、
Ｗ２９Ｃｕ１Ｔａ２９Ｍｎ４１ （原子％）、
Ｗ５５Ｃｕ１７Ｔａ１０Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ５６Ｃｕ１７Ｔａ９Ｍｎ１８ （原子％）、
Ｗ１５Ｃｕ１７Ｚｎ２５Ｔａ２５Ｍｎ１８ （原子％）、
およびＷ１５Ｃｕ１７Ｚｎ２５Ｔａ２６Ｍｎ１７ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２－３０１～２－３２１とする。ディスクＮｏ．２－３１２は比較例である。
これらの２－３０１～２－３２１において、実施例１で説明した再生耐久性、ｄ－ＭＬＳＥ、成膜速度の評価を行った。
さらに、透過率の評価を行った。透過率の評価においては、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板上にそれぞれの記録膜材料を適用したＬ２層３０を形成しカバー層４を形成したサンプルにおいて、分光光度計を用いて測定した。透過率が６７％以上のものをＡ、６０％以上６７％未満のものをＢ、５０％以上６０％未満のものをＣ、５０％未満のものをＤ（実用不可）、と判定した。
総合的に、Ｄが含まれるものをＤ（実用不可）、ＤがなくＣが含まれるものをＣ（実用レベル）、ＣやＤがなくＢが２つ以上のものをＢ（良好）、それ以外をＡ（非常に良好）と判定した。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表７に示す。
さらに、透過率の評価を行った。透過率の評価においては、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板上にそれぞれの記録膜材料を適用したＬ２層３０を形成しカバー層４を形成したサンプルにおいて、分光光度計を用いて測定した。透過率が６７％以上のものをＡ、６０％以上６７％未満のものをＢ、５０％以上６０％未満のものをＣ、５０％未満のものをＤ（実用不可）、と判定した。
総合的に、Ｄが含まれるものをＤ（実用不可）、ＤがなくＣが含まれるものをＣ（実用レベル）、ＣやＤがなくＢが２つ以上のものをＢ（良好）、それ以外をＡ（非常に良好）と判定した。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表７に示す。
ディスクＮｏ．２－３０９においてＷが少なくなると再生耐久性や透過率が悪化し、また２－３１１においてＷが多くなるとｄ－ＭＬＳＥが悪化する傾向がみられる。このことからＷ量は１５原子％以上、６０原子％未満であることが好ましい。
また、２－３１２においてＣｕが含まれないと安定した成膜ができず成膜速度が悪化、また再生耐久性が悪化することから、Ｃｕは記録膜３２中に含まれている必要がある。また２－３１４においてＣｕが多くなると再生耐久性が悪化する傾向がみられる。このことからＣｕ量は３０原子％以下であることが好ましい。
また、２－３１５においてＭｎが少なくなると再生耐久性やｄ－ＭＬＳＥが悪化し、また２－３１７においてＭｎが多くなると再生耐久性や成膜速度が悪化する傾向がみられる。このことからＭｎ量は１０原子％以上、４０原子％以下であることが好ましい。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表８に示す。
また、２－３１２においてＣｕが含まれないと安定した成膜ができず成膜速度が悪化、また再生耐久性が悪化することから、Ｃｕは記録膜３２中に含まれている必要がある。また２－３１４においてＣｕが多くなると再生耐久性が悪化する傾向がみられる。このことからＣｕ量は３０原子％以下であることが好ましい。
また、２－３１５においてＭｎが少なくなると再生耐久性やｄ－ＭＬＳＥが悪化し、また２－３１７においてＭｎが多くなると再生耐久性や成膜速度が悪化する傾向がみられる。このことからＭｎ量は１０原子％以上、４０原子％以下であることが好ましい。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表８に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２においてもＡ面情報記録媒体１０１と同様の結果が得られた。
（実施例４）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表９及び表１０に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３～１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いてＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として表９及び表１０に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１１～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表９及び表１０に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３～１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いてＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として表９及び表１０に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１１～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として、実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
基板１として、実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表１１及び表１２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３～１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いてＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として、表１１及び表１２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１１～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表１１及び表１２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３～１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いてＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として、表１１及び表１２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１１～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の実施形態にかかる情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、
（第１誘電体膜３１、第２誘電体膜３３）の順に、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％））、
（Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）、Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％））、
（Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％））、
および（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％））
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２－４０１～２－４２２とする。
（第１誘電体膜３１、第２誘電体膜３３）の順に、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％））、
（Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）、Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％））、
（Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％））、
および（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％））
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２－４０１～２－４２２とする。
これらの２－４０１～２－４２２、および実施例１で示した比較例１－１において、実施例１で説明した再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表９及び１０に示す。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表９及び１０に示す。
ディスクＮｏ．２－４０１～２－４２２おいて、比較例１－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表１１及び１２に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表１１及び１２に示す。
ディスクＮｏ．２－４０１～２－４２２において、比較例１－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例５）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。第１誘電体膜２１として表１３、１５に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて、本発明の実施形態にかかる誘電体を１３～１９ｎｍ、記録膜２２として実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を９～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。第１誘電体膜２１として表１３、１５に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて、本発明の実施形態にかかる誘電体を１３～１９ｎｍ、記録膜２２として実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を９～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として実質的に（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）（を１４ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜はＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜はＡｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。第１誘電体膜２１として、表１２、１４に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて１３～１９ｎｍ、記録膜２２として実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を９～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。第１誘電体膜２１として、表１２、１４に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて１３～１９ｎｍ、記録膜２２として実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ２１Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を９～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として実質的に（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を１４ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として実質的に（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）３０（ＳｉＯ２）３０（Ｉｎ２Ｏ３）４０（ｍｏｌ％）を１４ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１２ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２のＬ１層２０の第１誘電体膜２１に、
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％）、
Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％）
Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
Ｚｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＯ２とＳｉＯ２を含む）（原子％）
およびＺｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＳｉＯ４を含む）（原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－１０１～３－１１２とする。また比較例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１にＺｒ３．４Ｓｉ３．４Ｉｎ３１．８Ｏ６１．４ （原子％）を適用したディスクＮｏ．比較例２－１を作製した。
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％）、
Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％）
Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
Ｚｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＯ２とＳｉＯ２を含む）（原子％）
およびＺｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＳｉＯ４を含む）（原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－１０１～３－１１２とする。また比較例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１にＺｒ３．４Ｓｉ３．４Ｉｎ３１．８Ｏ６１．４ （原子％）を適用したディスクＮｏ．比較例２－１を作製した。
これらの３－１０１～３－１１２および比較例２－１において８倍速の再生耐久性の評価を行った。再生耐久性の評価はパルステック製評価機（ＯＤＵ－１０００）を用いて行った。評価方法についてはＬ１層２０における再生パワーを３．１ｍＷとした以外は実施例１と同様の方法で行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表１３に示す。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表１３に示す。
ディスクＮｏ．３－１０１～３－１１２において、比較例２－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表１４に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表１４に示す。
ディスクＮｏ．３－１０１～３－１１２において、比較例２－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
さらに本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に、
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ７．４Ｚｎ２３．５Ｓｎ１０．３Ｏ５８．８ （原子％）、
Ｚｒ３．３Ｓｎ３０．０Ｏ６６．７ （原子％）、
Ｚｒ２．３Ｓｎ３１．０Ｏ６６．７ （原子％）、
Ｚｒ１７．８Ｚｎ６．７Ｓｎ１１．１Ｏ６４．４ （原子％）、
Ｚｒ２５．９Ｚｎ１１．１Ｏ６３．０ （原子％）、
Ｚｒ２６．５Ｚｎ１０．３Ｏ６３．２ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ６．７Ｙ１．２Ｚｎ２３．２Ｓｎ１０．２Ｏ５８．７ （原子％）、
Ｚｒ１２．７Ｙ１．１Ｚｎ１５．２Ｓｎ９．５Ｏ６１．５ （原子％）、
Ｚｒ１７．５Ｙ１．１Ｚｎ９．０Ｓｎ９．０Ｏ６３．４ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ７．２Ｚｎ２１．８Ｓｎ１０．０Ｇａ２．０Ｏ５９．０ （原子％）、
Ｚｒ１３．１Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．４Ｇａ１．９Ｏ６１．６ （原子％）、
Ｚｒ１７．７Ｚｎ８．０Ｓｎ８．９Ｇａ１．８Ｏ６３．７ （原子％）、
Ｚｒ９．４Ｚｎ１７．０Ｓｎ９．４Ｇａ３．８Ｏ６０．４ （原子％）、
Ｚｒ９．１Ｚｎ１５．３Ｓｎ９．１Ｇａ５．８Ｏ６０．７ （原子％）、
およびＺｒ８．９Ｚｎ１４．０Ｓｎ８．９Ｇａ７．５Ｏ６０．７ （原子％）、
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－２０１～３－２１８とする。ディスクＮｏ．３－２０４及び３－２０７は比較例である。
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ７．４Ｚｎ２３．５Ｓｎ１０．３Ｏ５８．８ （原子％）、
Ｚｒ３．３Ｓｎ３０．０Ｏ６６．７ （原子％）、
Ｚｒ２．３Ｓｎ３１．０Ｏ６６．７ （原子％）、
Ｚｒ１７．８Ｚｎ６．７Ｓｎ１１．１Ｏ６４．４ （原子％）、
Ｚｒ２５．９Ｚｎ１１．１Ｏ６３．０ （原子％）、
Ｚｒ２６．５Ｚｎ１０．３Ｏ６３．２ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ６．７Ｙ１．２Ｚｎ２３．２Ｓｎ１０．２Ｏ５８．７ （原子％）、
Ｚｒ１２．７Ｙ１．１Ｚｎ１５．２Ｓｎ９．５Ｏ６１．５ （原子％）、
Ｚｒ１７．５Ｙ１．１Ｚｎ９．０Ｓｎ９．０Ｏ６３．４ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ７．２Ｚｎ２１．８Ｓｎ１０．０Ｇａ２．０Ｏ５９．０ （原子％）、
Ｚｒ１３．１Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．４Ｇａ１．９Ｏ６１．６ （原子％）、
Ｚｒ１７．７Ｚｎ８．０Ｓｎ８．９Ｇａ１．８Ｏ６３．７ （原子％）、
Ｚｒ９．４Ｚｎ１７．０Ｓｎ９．４Ｇａ３．８Ｏ６０．４ （原子％）、
Ｚｒ９．１Ｚｎ１５．３Ｓｎ９．１Ｇａ５．８Ｏ６０．７ （原子％）、
およびＺｒ８．９Ｚｎ１４．０Ｓｎ８．９Ｇａ７．５Ｏ６０．７ （原子％）、
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－２０１～３－２１８とする。ディスクＮｏ．３－２０４及び３－２０７は比較例である。
これらの３－２０１～３－２１８において８倍速の再生耐久性の評価を行った。評価の方法は前述した方法と同じである。
さらに、３－２０１～３－２１８において５００ＧＢ密度８倍速記録におけるｄ－ＭＬＳＥの評価を行った。ｄ－ＭＬＳＥの評価においては、１４．０％以下をＡ（非常に良好）、１４．０％より大きく１４．５％以下をＢ（良好）、１４．５％より大きく１５．０％以下をＣ（実用レベル）、１５％より大きいものをＤ（実用不可）とした。
さらに、３－２０１～３－２１８において５００ＧＢ密度８倍速記録におけるｄ－ＭＬＳＥの評価を行った。ｄ－ＭＬＳＥの評価においては、１４．０％以下をＡ（非常に良好）、１４．０％より大きく１４．５％以下をＢ（良好）、１４．５％より大きく１５．０％以下をＣ（実用レベル）、１５％より大きいものをＤ（実用不可）とした。
さらに、３－２０１～３－２１８の第１誘電体膜２１に適用した誘電体材料の成膜速度の評価を行った。成膜速度はガラス基板上に第１誘電体膜２１を成膜し、段差計により膜厚を測定することで算出した。情報記録媒体１００を製造する上で定められたディスク１枚を製造する時間内で第１誘電体膜２１の成膜可能とする成膜速度が得られるものをＡ、成膜速度が不十分なものをＤ（実用不可）とした。
総合的に、再生耐久性、ｄ－ＭＬＳＥ、および成膜速度の評価において、Ｄが含まれるものをＤ（実用不可）、ＤがなくＣが含まれるものをＣ（実用レベル）、ＣやＤがなくＢが２つ以上のものをＢ（良好）、ＣやＤがなくＡが２つ以上のものをＡ（非常に良好）と判定した。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表１５に示す。
総合的に、再生耐久性、ｄ－ＭＬＳＥ、および成膜速度の評価において、Ｄが含まれるものをＤ（実用不可）、ＤがなくＣが含まれるものをＣ（実用レベル）、ＣやＤがなくＢが２つ以上のものをＢ（良好）、ＣやＤがなくＡが２つ以上のものをＡ（非常に良好）と判定した。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表１５に示す。
ディスクＮｏ．３－２０４において、Ｚｒ量が３原子％より少なくなるとｄ－ＭＬＳＥに悪化が見られ実用不可であることから、Ｚｒ量は３原子％以上である必要がある。また３－２０７において、Ｚｒ量が２６原子％より多くなると成膜速度に低下が見られ実用不可であることから、Ｚｒ量は２６原子％以下である必要がある。
また３－２１８において、Ｇａ量が７原子％より多くなるとｄ－ＭＬＳＥに悪化が見られることから、Ｇａ量は７原子％以下であることが好ましい。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表１６に示す。
また３－２１８において、Ｇａ量が７原子％より多くなるとｄ－ＭＬＳＥに悪化が見られることから、Ｇａ量は７原子％以下であることが好ましい。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表１６に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２においてもＡ面情報記録媒体１０１と同様の結果が得られた。
（実施例６）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。第１誘電体膜２１として、表１７及び表１８に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３～１９ｎｍ、記録膜２２として、実質的にＷ３１Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として、表１７及び表１８に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１１～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例４と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例４と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。第１誘電体膜２１として、表１９及び表２０に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３～１９ｎｍ、記録膜２２として実質的にＷ３１Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として、表１９および表２０に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１１～１５ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例５と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例５と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３に、
（第１誘電体膜２１、第２誘電体膜２３）の順に、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％））、
（Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）、Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％））、
（Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０ Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９ Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１ Ｏ５９．７ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１ Ｏ５９．７ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９ Ｏ６０．２ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９ Ｏ６０．２ （原子％））
および（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％））
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－３０１～３－３２２とする。
これらの３－３０１～３－３２２、および実施例５で示した比較例２－１において、実施例５で説明した再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表１７及び１８に示す。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３に、
（第１誘電体膜２１、第２誘電体膜２３）の順に、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％））、
（Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）、Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％））、
（Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）、Ｚｒ１０Ｚｎ２０ Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９ Ｏ５９．８ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１ Ｏ５９．７ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１ Ｏ５９．７ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９ Ｏ６０．２ （原子％））、
（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９ Ｏ６０．２ （原子％））
および（Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％））
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３－３０１～３－３２２とする。
これらの３－３０１～３－３２２、および実施例５で示した比較例２－１において、実施例５で説明した再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表１７及び１８に示す。
ディスクＮｏ．３－３０１～３－３２２おいて、比較例２－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表１９及び２０に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表１９及び２０に示す。
ディスクＮｏ．３－３０１～３－３２２において、比較例２－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例７）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
続けて、基板１上にＬ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として、表２１に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
続けて、基板１上にＬ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として、表２１に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例５と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例５と同様である。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
続けて、基板１上にＬ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として表２２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
続けて、基板１上にＬ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として表２２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ２５Ｃｕ２１Ｔａ２１Ｚｎ５Ｍｎ２８－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例５と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例５と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２のＬ０層１０の第１誘電体膜１１に、
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％）、
Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％）
Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
Ｚｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＯ２とＳｉＯ２を含む）（原子％）
およびＺｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＳｉＯ４を含む）（原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４－１０１～４－１１２とする。また比較例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜１１にＺｒ３．４Ｓｉ３．４Ｉｎ３１．８Ｏ６１．４ （原子％）を適用したディスクＮｏ．比較例３－１を作製した。
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０ Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ２０Ｚｎ２０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ１６．７Ｚｎ１６．７Ｏ６６．６ （原子％）、
Ｚｒ１８．４Ｙ２．３Ｚｎ１９．５Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｃａ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ａｌ１．９Ｏ６０．２ （原子％）
Ｚｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
Ｚｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＯ２とＳｉＯ２を含む）（原子％）
およびＺｒ５Ｓｉ５Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０（ＺｒＳｉＯ４を含む）（原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ４－１０１～４－１１２とする。また比較例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜１１にＺｒ３．４Ｓｉ３．４Ｉｎ３１．８Ｏ６１．４ （原子％）を適用したディスクＮｏ．比較例３－１を作製した。
これらの４－１０１～４－１１２および比較例３－１において８倍速の再生耐久性の評価を行った。再生耐久性の評価はパルステック製評価機（ＯＤＵ－１０００）を用いて行った。評価方法については、Ｌ０層１０における再生パワーを３．５ｍＷとした以外は実施例２と同様の方法で行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表２１に示す。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表２１に示す。
ディスクＮｏ．４－１０１～４－１１２において、比較例３－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表２２に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表２２に示す。
ディスクＮｏ．４－１０１～４－１１２において、比較例３－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例８）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として、実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として、実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として表２３に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。本実施例においては、第２誘電体膜３３は設けていない。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を記録膜３２上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として表２３に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。本実施例においては、第２誘電体膜３３は設けていない。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を記録膜３２上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として表２４に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。本実施例においては、第２誘電体膜３３は設けていない。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を記録膜３２上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例２と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として表２４に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。本実施例においては、第２誘電体膜３３は設けていない。
第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を記録膜３２上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に、
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
およびＺｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ５－１０１～５－１０４とする。
これらの５－１０１～５－１０４において、実施例１で説明した再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表２３に示す。
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
およびＺｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ５－１０１～５－１０４とする。
これらの５－１０１～５－１０４において、実施例１で説明した再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表２３に示す。
ディスクＮｏ．５－１０１～５－１０４おいて、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表２４に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表２４に示す。
ディスクＮｏ．５－１０１～５－１０４において、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例９）
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。本実施例の情報記録媒体１００は片面にＬ０層１０とＬ１層２０の２つの情報層を有する情報記録媒体である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
続けて、基板１上にＬ０層１０を形成した。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。第１誘電体膜２１として表２５に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１６ｎｍ、記録膜２２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜２３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約７５μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
本実施例では図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。本実施例の情報記録媒体１００は片面にＬ０層１０とＬ１層２０の２つの情報層を有する情報記録媒体である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
続けて、基板１上にＬ０層１０を形成した。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。第１誘電体膜２１として表２５に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１６ｎｍ、記録膜２２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜２３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約７５μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次にＢ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
続けて、基板１上にＬ０層１０を形成した。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。第１誘電体膜２１として、表２６に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１６ｎｍ、記録膜２２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜２３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約７５μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。第１誘電体膜２１として、表２６に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１６ｎｍ、記録膜２２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１４ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。また、記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。また、第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気でＤＣ電源を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜２３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約７５μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に、
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
およびＺｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ６－１０１～６－１０４とする。
これらの６－１０１～６－１０４において、実施例１で説明した再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表２５に示す。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に、
Ｚｒ１０Ｚｎ２０Ｓｎ１０Ｏ６０ （原子％）、
Ｚｒ９．３Ｙ１．２Ｚｎ１９．８Ｓｎ９．９Ｏ５９．８ （原子％）、
Ｚｒ９．７Ｚｎ１８．５Ｓｎ９．７Ｇａ１．９Ｏ６０．２ （原子％）、
およびＺｒ９．０Ｙ１．２Ｚｎ１８．２Ｓｎ９．６Ｇａ１．９Ｏ６０．１ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ６－１０１～６－１０４とする。
これらの６－１０１～６－１０４において、実施例１で説明した再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表２５に示す。
ディスクＮｏ．６－１０１～６－１０４おいて、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表２６に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表２６に示す。
ディスクＮｏ．６－１０１～６－１０４において、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態における誘電体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例１０）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を用意した。その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として実質的に（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として実質的に（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表２７に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ１６Ｚｎ１７Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ１６Ｚｎ１７Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表２７に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ１６Ｚｎ１７Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ１６Ｚｎ１７Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。基板１として、螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（厚さ０．５ｍｍ）を用意した。案内溝の螺旋の回転方向は前述したＡ面情報記録媒体１０１の基板１とは逆の方向とした。その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として実質的に（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
第１誘電体膜１１は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として実質的に（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表２８に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ１６Ｚｎ１７Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ１６Ｚｎ１７Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１に、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１０－１０１～１０－１１１とする。
これらの１０－１０１～１０－１１１および比較例１－１において実施例２で説明した８倍速の再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表２７に示す。
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１０－１０１～１０－１１１とする。
これらの１０－１０１～１０－１１１および比較例１－１において実施例２で説明した８倍速の再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表２７に示す。
ディスクＮｏ．１０－１０１～１０－１１１において、比較例１－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明における誘電体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表２８に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表２８に示す。
ディスクＮｏ．１０－１０１～１０－１１１において、比較例１－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例１１）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表２９及び表３０に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として、表２９及び表３０に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として、表３１及び表３２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いてＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ２２Ｚｎ１１Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として、表３１及び表３２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１１ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３に、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０ Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１０－２０１～１０－２１１とする。
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０ Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１０－２０１～１０－２１１とする。
これらの１０－２０１～１０－２１１および比較例１－１において実施例２で説明した８倍速の再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表２９及び３０に示す。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表２９及び３０に示す。
ディスクＮｏ．１０－２０１～１０－２１１において、比較例１－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表３１及び３２に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表３１及び３２に示す。
（実施例１２）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として表３３に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として表３３に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として実質的に（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ１６Ｚｎ１７Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ１６Ｚｎ１７Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として表３４に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として表３４に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。第１誘電体膜３１として実質的に（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１ （ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２３（ＭｇＯ）２（ＺｎＯ）４８．９（ＳｎＯ２）２５（Ｇａ２Ｏ３）１．１（ｍｏｌ％）を１５ｎｍ、記録膜３２として実質的にＷ３２Ｃｕ１７Ｔａ１６Ｚｎ１７Ｍｎ１８－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３２Ｃｕ１７Ｔａ１６Ｚｎ１７Ｍｎ１８－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜３３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
第１誘電体膜３１および第２誘電体膜３３の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０の反射率が、記録膜３２が未記録状態でＲｇ≒５．８％、Ｒｌ≒６．１％、透過率が約８０％となるように設定した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
また、第１誘電体膜３１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜３２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜３３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１に、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１１－１０１～１１－１１１とする。
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１１－１０１～１１－１１１とする。
これらの１１－１０１～１１－１１１および比較例２－１において実施例５で説明した８倍速の再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表３３に示す。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表３３に示す。
ディスクＮｏ．１１－１０１～１１－１１１において、比較例２－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表３４に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表３４に示す。
ディスクＮｏ．１１－１０１～１１－１１１において、比較例２－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例１３）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として表３５及び表３６に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として表３５及び表３６に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。Ｌ０層１０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の第１誘電体膜２１として表３７及び表３８に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１７ｎｍ、記録膜２２として、本発明の実施形態における実質的にＷ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１８Ｔａ１６Ｚｎ１６Ｍｎ１９－Ｏを３５ｎｍ、第２誘電体膜２３として表３７及び表３８に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ２層３０がない場合のＬ１層２０の反射率が、記録膜２２が未記録状態でＲｇ≒６．０％、Ｒｌ≒６．３％、透過率が約７７％である。
また、第１誘電体膜２１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜２２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス（流量：１２＋３６ｓｃｃｍ）雰囲気でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜２３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜２１および第２誘電体膜２３に、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１１－２０１～１１－２１１とする。
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１１－２０１～１１－２１１とする。
これらの１１－２０１～１１－２１１および比較例２－１において実施例５で説明した８倍速の再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表３５及び３６に示す。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表３５及び３６に示す。
ディスクＮｏ．１１－２０１～１１－２１１において、比較例２－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表３７及び３８に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表３７及び３８に示す。
ディスクＮｏ．１１－２０１～１１－２１１において、比較例２－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例１４）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として表３９に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として表３９に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として表４０に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として表４０に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として実質的に（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）からなるターゲットを用いて、（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％）を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、ＤＣ電源（２ｋＷ）を用いて行った。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜１１に、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１２－１０１～１２－１１１とする。
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１２－１０１～１２－１１１とする。
これらの１２－１０１～１２－１１１および比較例３－１において実施例７で説明した８倍速の再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表３９に示す。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表３９に示す。
ディスクＮｏ．１２－１０１～１２－１１１において、比較例３－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表４０に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表４０に示す。
ディスクＮｏ．１２－１０１～１２－１１１において、比較例３－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
（実施例１５）
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として表４１及び表４２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として表４１及び表４２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
本実施例では、図１に示す情報記録媒体１００の別の一例を説明する。以下、本実施例の情報記録媒体１００の製造方法である。
まずＡ面情報記録媒体１０１の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として表４１及び表４２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として表４１及び表４２に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に、紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ａ面情報記録媒体１０１を作製した。
次に、Ｂ面情報記録媒体１０２の構成を説明する。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として表４３に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として表４４に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
基板１として実施例１と同様の基板を用いた。
その基板１上に、Ｌ０層１０を形成した。第１誘電体膜１１として表４３に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１３ｎｍ、記録膜１２として実質的にＷ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏからなるターゲットを用いて、Ｗ３１Ｃｕ１９Ｔａ２２Ｚｎ５Ｍｎ２３－Ｏを３４ｎｍ、第２誘電体膜１３として表４４に記載のそれぞれの組成に対応したターゲットを用いて本発明の実施形態にかかる誘電体を１０ｎｍ、順次スパッタリング法により成膜した。
波長４０５ｎｍのレーザ光６において、Ｌ１層２０およびＬ２層３０がない場合のＬ０層１０の反射率が、未記録状態でＲｇ≒８．０％、Ｒｌ≒８．５％である。
第１誘電体膜１１の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（４ｋＷ）を用いて行った。記録膜１２の成膜は、Ａｒ＋Ｏ２の混合ガス雰囲気（流量：１２＋３０ｓｃｃｍ）でパルスＤＣ電源（５ｋＷ）を用いて行った。第２誘電体膜１３の成膜は、Ａｒ雰囲気（流量：１２ｓｃｃｍ）で、パルスＤＣ電源（３ｋＷ）を用いて行った。
続けて、Ｌ０層１０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層２を形成した。中間分離層２の構成および製造方法は実施例１と同様である。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
次に、中間分離層２上にＬ１層２０を形成した。Ｌ１層２０の構成および製造方法は実施例１０と同様である。
続けて、Ｌ１層２０上に螺旋状の案内溝（深さ２７ｎｍ、トラックピッチ（ランド－グルーブ間距離）０．２２５μｍ）の設けられた中間分離層３を形成した。中間分離層３の構成および製造方法は実施例１と同様である。
中間分離層３上にＬ２層３０を形成した。Ｌ２層３０の構成および製造方法は実施例１２と同様である。
その後に紫外線硬化樹脂を第２誘電体膜３３上に塗布し、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層４を約５７μｍ形成し、Ｂ面情報記録媒体１０２を作製した。
最後に、Ａ面情報記録媒体１０１の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面に、紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、Ｂ面情報記録媒体１０２の基板１の案内溝が設けられた面とは反対側の面と貼り合わせ、紫外線により樹脂を硬化させ、貼り合わせ層５（厚み約３５μｍ）を形成した。
このようにして本実施例の情報記録媒体１００を作製した。
本実施例の情報記録媒体１００の一例として、Ａ面情報記録媒体１０１およびＢ面情報記録媒体１０２の第１誘電体膜１１および第２誘電体膜１３に、
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１２－２０１～１２－２１１とする。
Ｚｒ９．５Ｍｇ０．６Ｚｎ２０．１Ｓｎ１０．１Ｏ５９．７ （原子％）、
Ｚｒ９．０Ｍｇ０．６Ｚｎ１４．４Ｓｎ１４．４Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．６Ｚｎ１８．６Ｓｎ９．８Ｇａ２．０Ｏ５９．８ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．６Ｚｎ１３．０Ｓｎ１４．０Ｇａ２．０Ｏ６１．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ８．８Ｍｇ０．８Ｚｎ１４．０Ｓｎ１４．３Ｇａ０．８Ｏ６１．３ （原子％）
Ｚｒ１３．２Ｍｇ１．２Ｚｎ１４．０Ｓｎ９．６Ｇａ０．６Ｏ６１．４ （原子％）
Ｚｒ７．３Ｍｇ０．６Ｚｎ１９．４Ｓｎ１１．９Ｇａ０．９Ｏ５９．９ （原子％）
Ｚｒ１１．０Ｍｇ１．０Ｚｎ１９．５Ｓｎ８．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
Ｚｒ９．２Ｃａ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ｇａ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
およびＺｒ９．２Ｍｇ０．８Ｚｎ１９．５Ｓｎ１０．０Ａｌ０．９Ｏ５９．６ （原子％）
を適用した情報記録媒体１００を作製した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１２－２０１～１２－２１１とする。
これらの１２－２０１～１２－２１１および比較例３－１において実施例７で説明した８倍速の再生耐久性の評価を行った。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表４１及び４２に示す。
Ａ面情報記録媒体１０１における結果を表４１及び４２に示す。
ディスクＮｏ．１２－２０１～１２－２１１において、比較例３－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表４３及び４４に示す。
Ｂ面情報記録媒体１０２における結果を表４３及び４４に示す。
ディスクＮｏ．１２－２０１～１２－２１１において、比較例３－１に対し、いずれも再生耐久性が非常に良好な結果が得られ、本発明の実施形態にかかる情報記録媒体による再生耐久性向上の効果が確認できた。
以上の実施例において、記録再生の評価はデータビット長４７．７ｎｍの信号により行ったが、１０％程度であればデータビット長が異なる信号を用いてもいずれの実施例においても、同様の評価結果を得ることができる。
以上の実施例において、記録再生の評価はデータビット長４７．７ｎｍの信号により行ったが、１０％程度であればデータビット長が異なる信号を用いてもいずれの実施例においても、同様の評価結果を得ることができる。
本開示の情報記録媒体とその製造方法は、より高い再生光量を与える示す情報層を有するように構成されるので、高記録密度で情報を記録するのに適しており、大容量のコンテンツを記録する光ディスクに有用である。具体的にはアーカイバル・ディスク規格に準じて両面に３層ないし４層の情報層を備える、次世代の光ディスク（例えば、記録容量５００ＧＢ）に有用である。
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は、２０１８年８月９日出願の日本特許出願（特願２０１８－１５０２５５）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
本出願は、２０１８年８月９日出願の日本特許出願（特願２０１８－１５０２５５）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
１００ 情報記録媒体
１０１ Ａ面情報記録媒体
１０２ Ｂ面情報記録媒体
１０ Ｌ０層
２０ Ｌ１層
３０ Ｌ２層
１１、２１、３１ 第１誘電体膜
１２、２２、３２ 記録膜
１３、２３、３３ 第２誘電体膜
１ 基板
２、３ 中間分離層
４ カバー層
５ 貼り合わせ層
６ レーザ光
１０１ Ａ面情報記録媒体
１０２ Ｂ面情報記録媒体
１０ Ｌ０層
２０ Ｌ１層
３０ Ｌ２層
１１、２１、３１ 第１誘電体膜
１２、２２、３２ 記録膜
１３、２３、３３ 第２誘電体膜
１ 基板
２、３ 中間分離層
４ カバー層
５ 貼り合わせ層
６ レーザ光
Claims (14)
- ２以上の情報層を含み、レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
前記２以上の情報層のうちの、少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、前記第１情報層が、前記レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、および記録膜をこの順に含み、
前記第１誘電体膜が少なくとも
Ｚｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと、酸素と、前記元素Ｄ１の原子数とを合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、前記元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含み、
前記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む、情報記録媒体。 - 前記第１誘電体膜が、さらに、
Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。 - 前記第１誘電体膜が、さらに、
ＧａおよびＡｌより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３を含み、Ｚｒと、酸素と、前記元素Ｄ１と、前記元素Ｄ２および前記元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、前記元素Ｄ３を７原子％以下含む、
請求項２に記載の情報記録媒体。 - 前記第１情報層が、前記レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、
前記第１誘電体膜、前記記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
前記第２誘電体膜が、少なくとも
Ｚｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ１を含み、Ｚｒと、酸素と、前記元素Ｄ１の原子数とを合わせて１００原子％とした場合、Ｚｒを３原子％以上２６原子％以下含み、前記元素Ｄ１を１０原子％以上４３原子％以下含む、
請求項１に記載の情報記録媒体。 - 前記第２誘電体膜が、さらに、
Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、
請求項４に記載の情報記録媒体。 - 前記第２誘電体膜が、さらに、
ＧａおよびＡｌより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ３を含み、Ｚｒと、酸素と、前記元素Ｄ１と、前記元素Ｄ２および前記元素Ｄ３の原子数を合わせて１００原子％とした場合、前記元素Ｄ３を７原子％以下含む、
請求項５に記載の情報記録媒体。 - 前記第１情報層が、前記レーザ光が照射される面から遠い方から近い方に向かって、
前記第１誘電体膜、前記記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
前記第２誘電体膜が少なくとも
Ｚｒと、酸素と、Ｉｎとを含む、
請求項１に記載の情報記録媒体。 - 前記第２誘電体膜が、さらに、
Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、
請求項７に記載の情報記録媒体。 - 前記記録膜におけるＷ、Ｃｕ、Ｍｎ、および前記元素Ｍが、
下記の式（１）：
ＷｘＣｕｙＭｎｚＭ１００－ｘ－ｙ－ｚ（原子％） （１）
（前記式（１）中、
１５≦ｘ＜６０、０＜ｙ≦３０、１０≦ｚ≦４０、且つ、１０≦１００－ｘ－ｙ－ｚ≦５０）、
を満たす、請求項１に記載の情報記録媒体。 - 前記記録膜の前記元素ＭがＴａとＺｎより選ばれる少なくとも一つである、請求項１または９に記載の情報記録媒体。
- 前記第１情報層が、前記レーザ光照射面から見て最も遠い位置に配置されている情報層よりも、前記レーザ光照射面に近い位置に配置されている、
請求項１から１０のいずれか一項に記載の情報記録媒体。 - 前記第１情報層が、前記レーザ光照射面に最も近い位置に配置されている、
請求項１から１１のいずれか一項に記載の情報記録媒体。 - ２以上の情報層を含む情報記録媒体の製造方法であって、
前記２以上の情報層の各々を形成する工程を含み、
前記２以上の情報層のうちの少なくとも一つの情報層を第１情報層とし、前記第１情報層を形成する工程が、
少なくとも、第１誘電体膜を形成する工程と、記録膜を形成する工程とを含み、
前記第１誘電体膜を形成する工程が、
少なくともＺｒと酸素とを含み、さらに、ＺｎおよびＳｎの元素Ｄ１を含む第１誘電体膜を形成し、
前記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、
さらに、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＴｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍを含む記録膜を形成し、
前記第１誘電体膜を形成する工程と、前記記録膜を形成する工程が、ＤＣ電源を用いたスパッタリングにより実施される、情報記録媒体の製造方法。 - 前記第１誘電体膜を形成する工程で形成する前記第１誘電体膜が、
さらに、Ｓｉ、Ｙ、ＣａおよびＭｇより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄ２を含む、
請求項１３に記載の情報記録媒体の製造方法。
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