JP7208156B2 - ピクセルワイズイメージングの方法及びシステム - Google Patents
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Description
ここで、cpは、フレームfのサブフレーム内のピクセルpのアクティブなバケットを指定するS次元の行ベクトルである。cfsは、フレームfのサブフレームsのすべてのピクセルのアクティブなバケットを指定する列ベクトルである。
ここで、行ベクトルlsは、各フレームのサブフレームsでのシーンの照明条件を示す。この例では、強度がベクトルlsで与えられる一連のL方向光源と、「常にオン」であるL番目の光源として扱われる(つまり、すべてのsにつき、要素ls[L]=1)、周囲光の存在下でlsの最初のL-1要素で指定されたパターンを投影するプロジェクタとの2種類のシーン照明が考慮される。
をそれぞれFフレームでピクセルpに関連付けられたバケット1とバケット0の強度を保持する列ベクトルとする。図22に図示するように、この強度は、L光源からピクセルに関連付けられた2つのバケットへの光輸送の結果としてモデル化される。
ここで、
は、行列又はベクトルbのバイナリ補数を示し、Cpはpに対応するコード行列のスライス、tpはピクセルの輸送ベクトルである。このベクトルの要素tp[l]は、1つのサブフレームのタイムスパンで、すべての光路と両方のバケットにわたってピクセルpに輸送される光源lの強度の割合を特定する。
によって与えられる2つの潜在的に異なる照明条件の下でシーンを「見る」と考えることができる。さらに、cp fがフレームごとに異なる場合、これらの照明条件も変化する。
で示され、各バケットの照明条件はベクトルl=cp fLと
で示される。
ここで、l、
、Dはすべて既知である。Dは照明条件を表し、xはピクセル固有の未知数を含む3Dベクトルであり、aは未知のスカラーであり、e、
は観測ノイズである。各問題に関連する仮定の概要、及び、各問題の量と上記の関係式の要因のマッピングについては、以下の表1を参照する。
上記の方程式は、要素として強度i、
を持っているため、暗黙的にアルベドに依存する。
ランクW=分(F+1、S)
ここで、すべての多重化行列Wについて、最良の不偏線形推定器のMSEは、上記の式の下限を満たす。
は、画像センサ110の解像度の1/Fでサンプリングされる。フル解像度で3D形状を計算するには、画像デモザイキング技術によって照明モザイクをアップサンプリングし、ここで説明する技術をすべてのピクセルに個別に適用できる。カラーセンサに取り付けられ、通常変更できないカラーフィルターモザイクとは異なり、本実施形態の照明モザイクの取得は、あらゆるFに対して完全にプログラミング可能である。特定の場合、形状解像度を最大化するために、F=3又はF=2フレームを1つのショットに多重化する、可能な限り最も密度の高いモザイクの取得が考慮される。これを図23に示す。最初の3列のフレームは、3フレームコード行列Cによってキャプチャされたものである。この行列では、フレーム内のすべてのピクセルで同じであるが、フレーム間で異なる照明条件が割り当てられた。4列目には、一番右の画像の3ピクセルタイルを使用して左側のフレームを多重化する、1回のショットでキャプチャされた照明モザイクを示す。
を空間的に多重化する1フレームコード行列Cを特定することになる。これは、(1)センサ面の通常のFピクセルタイリングを定義し、(2)タイル内のピクセルとフレーム間の1対1の対応(pi、fi)、1≦i≦Fを特定することで行われる。
の列は、以下のように定義される。
Claims (24)
- シーンのピクセルワイズイメージングを行うためのシステムであって、
シーンに光パターンを投影するプロジェクタと、
シーンから受光した光にさらされると電子信号を生成する感光性受容体をそれぞれ有するピクセル列を含む画像センサと、
各ピクセルにつき、各感光性受容体が受信した電子信号を統合することが可能な1つ又は複数の収集ノードを含む信号記憶モジュールと、
制御メモリと1つ又は複数の論理コンポーネントとを有する制御論理モジュールであって、前記画像センサと前記信号記憶モジュールの間に直接配置され、前記制御メモリはピクセルワイズパターンを受け取り、前記ピクセルワイズパターンは画像センサの各ピクセルに対するマスキング値を含み、各ピクセルについて、前記1つ又は複数の論理コンポーネントは、各マスキング値に基づいて、電子信号を1つ又は複数の収集ノードのそれぞれに誘導する、ようにした、制御メモリと1つ又は複数の論理コンポーネントとを有する制御論理モジュールと、
を備え、
i)前記1つ又は複数の収集ノードは、各ピクセルにつき正確に2つの収集ノードを備え、前記ピクセルワイズパターンは、各ピクセルで受光した関連光がほぼ所定の経路タイプを含む場合、1つ又は複数の論理コンポーネントが電子信号を収集ノードの1つに誘導し、そうでない場合は他の収集ノードに誘導するような相補パターンを含み、または
ii)前記1つ又は複数の収集ノードは、各ピクセルにつき正確に1つの収集ノードを備え、前記ピクセルワイズパターンは、各ピクセルで受光した関連光がほぼ所定の経路タイプを含む場合、1つ又は複数の論理コンポーネントが電子信号を収集ノードに誘導し、それ以外の場合は、電子信号をブロック又は無視する、
ことを特徴とするシステム。 - 前記1つ又は複数の収集ノードは、ピクセル当たり正確に2つの収集ノードを含み、マスキング値は1桁のバイナリ値であり、高いバイナリ値は、電子信号を1つの収集ノードに誘導することを示し、低いバイナリ値は、電子信号を他の収集ノードに誘導することを示す、ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記1つ又は複数の収集ノードは、ピクセル当たり正確に4つの収集ノードを含み、マスキング値は2桁のバイナリ値であり、4つの収集ノードのそれぞれは2桁のバイナリ値の1つに関連付けられ、1つ又は複数の論理コンポーネントは、各2桁のバイナリ値に基づいて、電子信号を各収集ノードに誘導する、ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記制御メモリは、前記画像センサの各ピクセルで受信される信号を含むフレームごとに新しいピクセルワイズパターンを受け取り、1つ又は複数の論理コンポーネントは、新しいピクセルワイズパターンのマスキング値に基づいて電子信号を誘導する、ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記制御メモリは、サブフレームごとに新しいピクセルワイズパターンを受け取り、1つ又は複数の論理コンポーネントは、新しいピクセルワイズパターンのマスキング値に基づいて電子信号を誘導し、各フレームは複数のサブフレームを有し、各サブフレームはフレームの時間的な区分を構成する、ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記制御メモリは、
次のサブフレームの新しいピクセルワイズパターンを格納する第1のメモリユニットと、
現在のサブフレームのピクセルワイズパターンを格納する第2のメモリユニットと
を備えることを特徴とする請求項5に記載のシステム。 - 前記次のサブフレームの新しいピクセルワイズパターンが前記第1のメモリユニットに順次ロードされ、前記現在のサブフレームのピクセルワイズパターンが前記第2のメモリユニットに同時にロードされる、請求項6に記載のシステム。
- 前記画像センサは、ピン止めフォトダイオード、フォトゲート、電荷結合素子、電荷注入デバイス、単一光子アバランシェダイオードのうちの1つを含む、ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記論理コンポーネントは電荷移動ゲートを備え、収集ノードは浮遊拡散ノードを備える、ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 各収集ノードでの統合の測定値をデジタル化して出力するデジタル化モジュールをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記画像センサはラインセンサであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記所定の経路タイプは、直接光路、間接光路、又は反射光路からなる群から選択される、ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記信号記憶モジュールは、各ピクセルに対するマスキング値に基づいて前記収集ノードの1つまたは複数に誘導する前に前記電子信号を記憶するための記憶ノードを備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記感光性受容体が単一光子アバランシェダイオードである、請求項1に記載のシステム。
- シーンのピクセルワイズイメージングを行うための方法であって、
シーンに光パターンを投影する工程と、
画像センサのピクセル列のうちの各ピクセルのマスキング値を含むピクセルワイズパターンを受け取る工程と、
そのようなピクセルがシーンから受光した光にさらされると、各ピクセルで電子信号を生成する工程と、
各ピクセルで受信した電子信号を各マスキング値に基づいて該ピクセルに関連付けられた1つ又は複数の収集ノードに直接誘導する工程であって、前記1つ又は複数の収集ノードは各々は受信した電子信号を統合可能とする、工程と、
を備え、
i)前記1つ又は複数の収集ノードは、各ピクセルにつき正確に2つの収集ノードを備え、前記ピクセルワイズパターンは、各ピクセルで受光した関連光がほぼ所定の経路タイプを含む場合、1つ又は複数の論理コンポーネントが電子信号を収集ノードの1つに誘導し、そうでない場合は他の収集ノードに誘導するような相補パターンを含み、または
ii)前記1つ又は複数の収集ノードは、各ピクセルにつき正確に1つの収集ノードを備え、前記ピクセルワイズパターンは、各ピクセルで受光した関連光がほぼ所定の経路タイプを含む場合、1つ又は複数の論理コンポーネントが電子信号を収集ノードに誘導し、それ以外の場合は、電子信号をブロック又は無視する、
ことを特徴とする方法。 - 前記1つ又は複数の収集ノードは、各ピクセルにつき正確に2つの収集ノードを含み、マスキング値は1桁のバイナリ値であり、高いバイナリ値は、電子信号を収集ノードの1つに誘導することを示し、低いバイナリ値は、電子信号を他の収集ノードに誘導することを示す、ことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の収集ノードは、各ピクセルにつき正確に4つの収集ノードを含み、マスキング値は2桁のバイナリ値であり、4つの収集ノードはそれぞれ2桁のバイナリ値の1つに関連付けられ、電子信号は、各2桁のバイナリ値に基づいて各収集ノードに誘導される、ことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記画像センサの各ピクセルで受信される信号を含むフレームごとに新しいピクセルワイズパターンを受信し、新しいピクセルワイズパターンのマスキング値に基づいて電子信号が誘導される、ことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- フレームの時間的な区分を構成するサブフレームごとに新しいピクセルワイズパターンを受信し、電子信号は新しいピクセルワイズパターンのマスキング値に基づいて誘導され、各フレームは複数のサブフレームを含む、ことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 現在のサブフレームのピクセルワイズパターンを格納する工程と、
次のサブフレームの新しいピクセルワイズパターンを別々に格納する工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記次のサブフレームの新しいピクセルワイズパターンが順次メモリにロードされ、現在のサブフレームのピクセルワイズパターンがメモリに同時にロードされる、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記各収集ノードでの統合の測定値をデジタル化して出力する工程をさらに備えることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記所定の経路タイプは、直接光路、間接光路、又は反射光路からなる群から選択される、ことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 各ピクセルに対するマスキング値に基づいて信号を1つまたは複数の収集ノードに誘導する前に前記信号を記憶するための記憶ノードに転送することをさらに含む、請求項15に記載の方法。
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US11563911B2 (en) * | 2018-10-10 | 2023-01-24 | Northwestern University | Method and system for time-of-flight imaging with high lateral resolution |
US10855896B1 (en) | 2018-12-13 | 2020-12-01 | Facebook Technologies, Llc | Depth determination using time-of-flight and camera assembly with augmented pixels |
US10791286B2 (en) * | 2018-12-13 | 2020-09-29 | Facebook Technologies, Llc | Differentiated imaging using camera assembly with augmented pixels |
US10791282B2 (en) | 2018-12-13 | 2020-09-29 | Fenwick & West LLP | High dynamic range camera assembly with augmented pixels |
US11348954B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-05-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Time-resolving sensor for range measurement and 2D greyscale imaging |
WO2020252592A1 (en) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Method and system for extending image dynamic range using per-pixel coding of pixel parameters |
DE102019124142A1 (de) * | 2019-09-09 | 2021-03-11 | pmdtechnologies ag | Lichtlaufzeitkamerasystem |
JP7371443B2 (ja) * | 2019-10-28 | 2023-10-31 | 株式会社デンソーウェーブ | 三次元計測装置 |
US10902623B1 (en) | 2019-11-19 | 2021-01-26 | Facebook Technologies, Llc | Three-dimensional imaging with spatial and temporal coding for depth camera assembly |
US11194160B1 (en) | 2020-01-21 | 2021-12-07 | Facebook Technologies, Llc | High frame rate reconstruction with N-tap camera sensor |
CN115993094B (zh) * | 2023-03-01 | 2023-09-12 | 大连交通大学 | 一种基于ccd相机的大型膜结构屋顶位移监测方法及*** |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003521836A (ja) | 1999-03-04 | 2003-07-15 | ビジョン−サイエンシズ・インコーポレイテッド | 個別に制御可能な電子シャッター回路を備えた画像センサユニットセル |
JP2013509820A (ja) | 2009-10-28 | 2013-03-14 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 符号化ローリングシャッタの方法およびシステム |
JP2014209103A (ja) | 2013-03-20 | 2014-11-06 | コグネクス コーポレイション | マシーンビジョン3dラインスキャンイメージ取得及び処理 |
JP2015215181A (ja) | 2014-05-08 | 2015-12-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 測距装置及び測距装置の駆動方法 |
WO2016010838A1 (en) | 2014-07-12 | 2016-01-21 | Gibbons Robert C | Read-out integrated circuit with integrated compressive sensing |
WO2016028200A1 (en) | 2014-08-21 | 2016-02-25 | Totalförsvarets Forskningsinstitut | An imaging system parallelizing compressive sensing imaging |
JP2016511539A (ja) | 2013-01-31 | 2016-04-14 | アップル インコーポレイテッド | 垂直積層型画像センサ |
JP2016092593A (ja) | 2014-11-04 | 2016-05-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2256989B (en) * | 1991-06-21 | 1995-02-08 | Sony Broadcast & Communication | Video image capture apparatus |
US7369167B2 (en) * | 2003-06-02 | 2008-05-06 | Micron Technology, Inc. | Photo diode ID for CMOS imagers |
US7973838B2 (en) * | 2006-07-07 | 2011-07-05 | Immersive Media Company | Active mask for electronic imaging system |
US8648948B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-02-11 | Infrared Newco, Inc. | Imaging systems with multiple imaging pixel types and related methods |
EP2385698A3 (en) * | 2010-04-30 | 2012-01-04 | Honda Motor Co., Ltd. | Imaging apparatus, imaging method, and imaging program |
US9741754B2 (en) * | 2013-03-06 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors |
US9549099B2 (en) * | 2013-03-12 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Hybrid image sensor |
US20150022869A1 (en) * | 2013-07-17 | 2015-01-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Demosaicing rgbz sensor |
US9467628B2 (en) * | 2014-08-26 | 2016-10-11 | Sensors Unlimited, Inc. | High dynamic range image sensor |
KR102224851B1 (ko) * | 2014-12-11 | 2021-03-08 | 삼성전자주식회사 | 서브 픽셀 보간을 수행하는 이미지 처리 장치 및 이미지 처리 시스템 |
US10145678B2 (en) * | 2015-04-20 | 2018-12-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor for depth measurement using triangulation with point scan |
US9942503B2 (en) * | 2016-02-23 | 2018-04-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors having high-efficiency charge storage capabilities |
US10484628B2 (en) | 2016-10-21 | 2019-11-19 | The Johns Hopkins University | Flexible pixel-wise exposure control and readout |
-
2018
- 2018-04-27 CA CA3061622A patent/CA3061622A1/en active Pending
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-
2023
- 2023-01-05 JP JP2023000522A patent/JP2023052222A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003521836A (ja) | 1999-03-04 | 2003-07-15 | ビジョン−サイエンシズ・インコーポレイテッド | 個別に制御可能な電子シャッター回路を備えた画像センサユニットセル |
JP2013509820A (ja) | 2009-10-28 | 2013-03-14 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 符号化ローリングシャッタの方法およびシステム |
JP2016511539A (ja) | 2013-01-31 | 2016-04-14 | アップル インコーポレイテッド | 垂直積層型画像センサ |
JP2014209103A (ja) | 2013-03-20 | 2014-11-06 | コグネクス コーポレイション | マシーンビジョン3dラインスキャンイメージ取得及び処理 |
JP2015215181A (ja) | 2014-05-08 | 2015-12-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 測距装置及び測距装置の駆動方法 |
WO2016010838A1 (en) | 2014-07-12 | 2016-01-21 | Gibbons Robert C | Read-out integrated circuit with integrated compressive sensing |
WO2016028200A1 (en) | 2014-08-21 | 2016-02-25 | Totalförsvarets Forskningsinstitut | An imaging system parallelizing compressive sensing imaging |
JP2016092593A (ja) | 2014-11-04 | 2016-05-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
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