JP7207440B2 - n型GaN結晶、GaNウエハ、ならびに、GaN結晶、GaNウエハおよび窒化物半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
バルクGaN結晶の代表的な成長技法には、HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy
)、高圧溶液成長法、アモノサーマル法およびNaフラックス法がある(非特許文献1)。HVPEは他の技法に比べGaN結晶の成長レートが格段に高く、現在市販されているGaNウエハの殆ど全てはHVPEで成長されている。
アモノサーマル法で成長されたc面GaNシードウエハ上にHVPEでGaN結晶を成長させ、更に、そのHVPE成長したGaN結晶から切り出したc面シードウエハ上にHVPEによって、Si(ケイ素)でドープしたGaN結晶を成長させたとの報告がある(非特許文献3)。該SiドープGaN結晶の(002)XRDロッキングカーブFWHMは32arcsecであったという。
アモノサーマル法で成長されたc面GaNシードウエハ上に、HVPEによって、Ge(ゲルマニウム)でドープしたGaN結晶を成長させたとの報告がある(非特許文献4)。該GeドープGaN結晶の(002)XRDロッキングカーブFWHMは67arcsecであったという。
NH4F(フッ化アンモニウム)とNH4I(ヨウ化アンモニウム)を鉱化剤に用いて酸性アモノサーマル法で成長させたGaN結晶からなる、(004)XRDロッキングカーブFWHMが約10arcsecという導電性c面GaNウエハが知られている(特許文献1)。
上記にいうXRDはX線回折(X-Ray Diffraction)のことであり、FWHMは半値全
幅(Full Width at Half Maximum)のことである。
[A1]最も高い濃度で含有するドナー不純物がGeであること、0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、および、(004)XRDロッキングカーブFWHMが20arcsec未満、18arcsec未満、16arcsec未満、14arcsec未満または12arcsec未満であることを特徴とするn型GaN結晶。
[A2]前記[A1]に記載のn型GaN結晶であって、該結晶は互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面はそれぞれ面積が3cm2以上であり、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下である、n型GaN結晶。
[A3]20mm以上、45mm以上、95mm以上または145mm以上の直径を有する、前記[A2]に記載のn型GaN結晶。
[A4]互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、最も高い濃度で含有するドナー不純物がGeであること、0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、および、該一方の主面上で少なくとも1本のラインに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であることを特徴とする、n型GaN結晶。
[A5]前記全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下、12arcsec以下または10arcsec以下である、前記[A4]に記載のn型GaN結晶。
[A6]互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、最も高い濃度で含有するドナー不純物がGeであること、0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、および、該一方の主面上で少なくとも2本の互いに垂直なラインのそれぞれに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であることを特徴とする、n型GaN結晶。
[A7]前記各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下、1
2arcsec以下または10arcsec以下である、前記[A6]に記載のn型GaN結晶。
[A8]0.02Ω・cm未満、0.015Ω・cm未満または0.010Ω・cm未満の室温抵抗率を有する、前記[A2]~[A7]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[A9]キャリア濃度が1×1018cm-3以上、2×1018cm-3以上、3×1018cm-3以上または4×1018cm-3以上である、前記[A2]~[A7]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[A10]不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たす、前記[A2]~[A9]のいずれかに記載のn型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[A11]不純物濃度に関する前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[A10]に記載のn型GaN結晶。
[A12]O濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[A2]~[A11]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[A13]Ge濃度が1×1018atoms/cm3以上、かつ、Si濃度が4×1017atoms/cm3以上である、前記[A2]~[A12]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[A14]Ge、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[A2]~[A13]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[A15]HVPEで成長されたGaN結晶である、前記[A2]~[A14]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[A16]前記[A2]~[A15]のいずれかに記載のn型GaN結晶からなるGaNウエハ。
[A17]前記[A2]~[A15]のいずれかに記載のn型GaN結晶からなる第一領域がGa極性側に設けられ、該n型GaN結晶よりもキャリア濃度が低い第二領域がN極性側に設けられた、GaNウエハ。
[A18]前記第一領域の厚さが5μm以上250μm以下である、前記[A17]に記載のGaNウエハ。
[A19]前記第二領域が、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たす、前記[A17]または[A18]に記載のGaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[A20]前記第二領域が不純物濃度に関する前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[A19]に記載のGaNウエハ。
[A21]前記第二領域におけるO濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[A17]~[A20]のいずれかに記載のGaNウエハ。
[A22]前記第二領域における、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[A17]~[A21]のいずれかに記載のGaNウエハ。
[A23]前記第一領域と前記第二領域の間に再成長界面を有する、前記[A17]~[A22]のいずれかに記載のGaNウエハ。
[A24]前記[A16]~[A23]のいずれかに記載のGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなるエピタキシャルウエハの製造方法。
[A25]前記[A16]~[A23]のいずれかに記載のGaNウエハと、該GaNウ
エハ上にエピタキシャル成長したひとつ以上の窒化物半導体層と、からなるエピタキシャルウエハ。
[A26]前記[A16]~[A23]のいずれかに記載のGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなる窒化物半導体デバイスの製造方法。
[B1]0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有し、(004)XRDロッキングカーブFWHMが20arcsec未満であり、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たす、n型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[B2]前記[B1]に記載のn型GaN結晶であって、該結晶は互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面はそれぞれ面積が3cm2以上であり、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下である、n型GaN結晶。
[B3]20mm以上、45mm以上、95mm以上または145mm以上の直径を有する、前記[B2]に記載のn型GaN結晶。
[B4]互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、該一方の主面上で少なくとも1本のラインに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とする、n型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[B5]前記全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下または12arcsec以下である、前記[B4]に記載のn型GaN結晶。
[B6]互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、該一方の主面上で少なくとも2本の互いに垂直なラインのそれぞれに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とする、n型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[B7]前記各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下または12arcsec以下である、前記[B6]に記載のn型GaN結晶。
[B8]0.02Ω・cm未満、0.015Ω・cm未満または0.010Ω・cm未満の室温抵抗率を有する、前記[B2]~[B7]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[B9]キャリア濃度が1×1018cm-3以上または2×1018cm-3以上である、前記[B2]~[B7]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[B10]不純物濃度に関して前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[B2]~[B9]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[B11]O濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[B2]~[B10]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[B12]最も高い濃度で含有するドナー不純物がSiである、前記[B2]~[B11]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[B13]Siを除くドナー不純物の総濃度が、Si濃度の10%以下、5%以下または1%以下である、前記[B12]に記載のn型GaN結晶。
[B14]キャリア濃度がSi濃度の90%以上である、前記[B13]に記載のn型GaN結晶。
[B15]Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[B2]~[B14]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[B16]Ge濃度が1×1018atoms/cm3以上、かつ、Si濃度が4×1017atoms/cm3以上である、前記[B2]~[B12]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[B17]Ge、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[B16]に記載のn型GaN結晶。
[B18]HVPEで成長されたGaN結晶である、前記[B2]~[B17]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[B19]前記[B2]~[B18]のいずれかに記載のn型GaN結晶からなるGaNウエハ。
[B20]前記[B2]~[B18]のいずれかに記載のn型GaN結晶からなる第一領域がGa極性側に設けられ、該n型GaN結晶よりもキャリア濃度が低い第二領域がN極性側に設けられた、GaNウエハ。
[B21]前記第一領域の厚さが5μm以上250μm以下である、前記[B20]に記載のGaNウエハ。
[B22]前記第二領域が、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たす、前記[B20]または[B21]に記載のGaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[B23]前記第二領域が不純物濃度に関する前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[B22]に記載のGaNウエハ。
[B24]前記第二領域におけるO濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[B20]~[B23]のいずれかに記載のGaNウエハ。
[B25]前記第二領域における、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[B20]~[B24]のいずれかに記載のGaNウエハ。
[B26]前記第一領域と前記第二領域の間に再成長界面を有する、前記[B20]~[B25]のいずれかに記載のGaNウエハ。
[B27]前記[B19]~[B26]のいずれかに記載のGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなるエピタキシャルウエハの製造方法。
[B28]前記[B19]~[B26]のいずれかに記載のGaNウエハと、該GaNウエハ上にエピタキシャル成長したひとつ以上の窒化物半導体層と、からなるエピタキシャルウエハ。
[B29]前記[B19]~[B26]のいずれかに記載のGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成
長させるステップと、からなる窒化物半導体デバイスの製造方法。
[C1]互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、45mm以上の直径を有すること、(004)XRDロッキングカーブFWHMが20arcsec未満、18arcsec未満、16arcsec未満、14arcsec未満または12arcsec未満であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とするn型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[C2]95mm以上または145mm以上の直径を有する、前記[C1]に記載のn型GaN結晶。
[C3]互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、該一方の主面上で少なくとも1本のラインに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とする、n型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[C4]前記全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下、12arcsec以下または10arcsec以下である、前記[C3]に記載のn型GaN結晶。
[C5]互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、該一方の主面上で少なくとも2本の互いに垂直なラインのそれぞれに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とする、n型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[C6]前記各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下、12arcsec以下または10arcsec以下である、前記[C5]に記載のn型GaN結晶。
[C7]不純物濃度に関して前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[C1]~[C6]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[C8]Si濃度が5×1017atoms/cm3以下である、前記[C1]~[C7]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[C9]Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[C1]~[C8]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[C10]O濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[C1]~[C9]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[C11]5×1017cm-3未満のキャリア濃度と、0.04Ω・cm以上の室温抵抗率の少なくともいずれかを有する、前記[C1]~[C10]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[C12]HVPEで成長されたGaN結晶である、前記[C1]~[C11]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[C13]前記[C1]~[C12]のいずれかに記載のn型GaN結晶からなるGaNウエハ。
[C14]前記[C1]~[C12]のいずれかに記載のn型GaN結晶からなる裏層と、再成長界面を介して該n型GaN結晶のGa極性側の主面上に形成された、GaNからなる最小厚20μm以上のおもて層とを有し、該おもて層では少なくとも上面から距離5μm以内の部分が高キャリア濃度領域に含まれ、該高キャリア濃度領域はキャリア濃度の下限が1×1018cm-3以上の領域である、二層GaNウエハ。
[C15]前記おもて層では少なくとも上面から20μm以内の部分が前記高キャリア濃度領域に含まれる、前記[C14]に記載の二層GaNウエハ。
[C16]前記高キャリア濃度領域は、キャリア濃度の下限が2×1018cm-3以上、3×1018cm-3以上または4×1018cm-3以上の領域である、前記[C14]または[C15]に記載の二層GaNウエハ。
[C17]前記おもて層が、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たす、前記[C14]~[C16]のいずれかに記載の二層GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[C18]前記おもて層が不純物濃度に関する前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[C17]に記載の二層GaNウエハ。
[C19]前記おもて層におけるO濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[C14]~[C18]のいずれかに記載の二層GaNウエハ。
[C20]前記高キャリア濃度領域がSiでドープされている、前記[C14]~[C19]のいずれかに記載の二層GaNウエハ。
[C21]前記おもて層における、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[C20]に記載の二層GaNウエハ。
[C22]前記高キャリア濃度領域がGeでドープされている、前記[C14]~[C20]のいずれかに記載の二層GaNウエハ。
[C23]前記おもて層における、Ge、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[C22]に記載の二層GaNウエハ。
[C24]前記高キャリア濃度領域では、c軸方向に沿ったキャリア濃度またはドナー不純物の総濃度の変動が、中央値から±25%以内、±20%以内、±15%以内または±10%以内である、前記[C14]~[C23]のいずれかに記載の二層GaNウエハ。[C25]前記[C1]~[C12]のいずれかに記載のn型GaN結晶からなる裏層と、再成長界面を介して該n型GaN結晶のGa極性側の主面上に形成された、GaNからなる最小厚20μm以上のおもて層とを有し、該おもて層では少なくとも上面から距離5μm以内の部分がキャリア補償領域に含まれ、該キャリア補償領域は補償不純物の総濃度の下限が1×1017atoms/cm3以上の領域である、二層GaNウエハ。
[C26]前記おもて層では少なくとも上面から20μm以内の部分が前記キャリア補償領域に含まれる、前記[C25]に記載の二層GaNウエハ。
[C27]前記キャリア補償領域は、補償不純物の総濃度の下限が2×1017atoms/cm3以上、5×1017atoms/cm3以上、1×1018atoms/cm3以上、2×1018atoms/cm3以上または5×1018atoms/cm3以上の領域である、前記[C25]または[C26]に記載の二層GaNウエハ。
[C28]前記おもて層が、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上
の条件を充たす、前記[C25]~[C27]のいずれかに記載の二層GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[C29]前記キャリア補償領域では、c軸方向に沿った補償不純物の総濃度の変動が、中央値から±25%以内、±20%以内、±15%以内または±10%以内である、前記[C25]~[C28]のいずれかに記載の二層GaNウエハ。
[C30]当該二層GaNウエハの厚さが300μmより大きく、前記おもて層の最大厚が300μm以下、250μm以下または200μm以下である、前記[C14]~[C29]のいずれかに記載の二層GaNウエハ。
[C31]前記おもて層の最小厚が50μm以上、75μm以上または100μm以上である、前記[C14]~[C30]のいずれかに記載の二層GaNウエハ。
[C32]前記おもて層の最大厚と最小厚の差が200μm以下、100μm以下、50μm以下、25μm以下または10μm以下である、前記[C14]~[C31]のいずれかに記載の二層GaNウエハ。
[C33]前記[C13]~[C32]のいずれかに記載のウエハを準備するステップと、該準備したウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなるエピタキシャルウエハの製造方法。
[C34]前記[C13]~[C32]のいずれかに記載のウエハと、該GaNウエハ上にエピタキシャル成長したひとつ以上の窒化物半導体層と、からなるエピタキシャルウエハ。
[C35]前記[C13]~[C32]のいずれかに記載のウエハを準備するステップと、該準備したウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなる窒化物半導体デバイスの製造方法。
[C36]前記[C13]に記載のGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハのGa極性側の主面上に厚さ20μm以上のGaN層をエピタキシャル成長させるステップとを有し、該GaN層には高キャリア濃度領域またはキャリア補償領域が設けられ、該高キャリア濃度領域はキャリア濃度の下限が1×1018cm-3以上の領域であり、該キャリア補償領域は補償不純物の総濃度の下限が2×1017atoms/cm3以上の領域である、二層GaNウエハの製造方法。
[C37]前記エピタキシャル成長させるステップでは、前記GaN層をHVPEで成長させる、前記[C36]に記載の製造方法。
[C38]前記GaN層の厚さが500μm以下である、前記[C36]または[C37]に記載の製造方法。
[C39]前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域は、キャリア濃度の下限が2×1018cm-3以上、3×1018cm-3以上または4×1018cm-3以上の領域である、前記[C36]~[C38]のいずれかに記載の製造方法。
[C40]前記GaN層には前記高キャリア濃度が設けられ、前記高キャリア濃度領域がGeでドープされる、前記[C36]~[C39]のいずれかに記載の製造方法。
[C41]前記GaN層には前記高キャリア濃度が設けられ、前記高キャリア濃度領域がSiで意図的にドープされる、前記[C36]~[C40]のいずれかに記載の製造方法。
[C42]前記GaN層には前記キャリア補償領域が設けられ、前記キャリア補償領域は、補償不純物の総濃度の下限が5×1017atoms/cm3以上、1×1018atoms/cm3以上、2×1018atoms/cm3以上または5×1018atoms/cm3以上の領域である、前記[C36]~[C38]のいずれかに記載の製造方法。
[C43]前記エピタキシャル成長させるステップで得た積層体を薄化するステップを更に有する、前記[C36]~[C42]のいずれかに記載の製造方法。
[C44]前記[C13]に記載のGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハの上にGaNをエピタキシャル成長させるステップと、を有するバルクGaN結晶の製造方法。
[D1]最も高い濃度で含有するドナー不純物がGeであること、導電型がn型であって0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、および、(004)XRDロッキングカーブFWHMが20arcsec未満、18arcsec未満、16arcsec未満、14arcsec未満または12arcsec未満であることを特徴とするc面GaNウエハ。
[D2]面積3cm2以上の主面を備える、前記[D1]に記載のc面GaNウエハ。
[D3]20mm以上、45mm以上、95mm以上または145mm以上の直径を有する、前記[D1]に記載のc面GaNウエハ。
[D4]最も高い濃度で含有するドナー不純物がGeであること、導電型がn型であって0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、および、一方の主面上で少なくとも1本のラインに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であることを特徴とする、c面GaNウエハ。
[D5]前記全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下、12arcsec以下または10arcsec以下である、前記[D4]に記載のc面GaNウエハ。
[D6]最も高い濃度で含有するドナー不純物がGeであること、導電型がn型であって0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、および、一方の主面上で少なくとも2本の互いに垂直なラインのそれぞれに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であることを特徴とする、c面GaNウエハ。
[D7]前記各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下、12arcsec以下または10arcsec以下である、前記[D6]に記載のc面GaNウエハ。
[D8]おもて面の中心を通りx方向に延びるライン上におけるオフカット角のx方向成分の変動幅と、おもて面の中心を通り該x方向に垂直なy方向に延びるライン上におけるオフカット角のy方向成分の変動幅が、それぞれ、長さ40mmの区間内で0.15度以下、0.1度以下、または0.08度以下である、前記[D1]~[D7]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[D9]0.02Ω・cm未満、0.015Ω・cm未満または0.010Ω・cm未満の室温抵抗率を有する、前記[D1]~[D8]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。[D10]キャリア濃度が1×1018cm-3以上、2×1018cm-3以上、3×1018cm-3以上または4×1018cm-3以上である、前記[D1]~[D8]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[D11]不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たす、前記[D1]~[D10]のいずれかに記載のc面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[D12]不純物濃度に関する前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[D11]に記載のc面GaNウエハ。
[D13]O濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[D1]~[D12]
のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[D14]Ge濃度が1×1018atoms/cm3以上、かつ、Si濃度が4×1017atoms/cm3以上である、前記[D1]~[D13]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[D15]Ge、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[D1]~[D14]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[D16]HVPEで成長されたGaN結晶からなる、前記[D1]~[D15]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[D17]前記[D1]~[D16]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなるエピタキシャルウエハの製造方法。
[D18]前記[D1]~[D16]のいずれかに記載のGaNウエハと、該GaNウエハ上にエピタキシャル成長したひとつ以上の窒化物半導体層と、からなるエピタキシャルウエハ。
[D19]前記[D1]~[D16]のいずれかに記載のGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなる窒化物半導体デバイスの製造方法。
[E1]導電型がn型であって0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、(004)XRDロッキングカーブFWHMが20arcsec未満であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とする、c面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[E2]面積3cm2以上の主面を備える、前記[E1]に記載のc面GaNウエハ。
[E3]20mm以上、45mm以上、95mm以上または145mm以上の直径を有する、前記[E1]に記載のc面GaNウエハ。
[E4]導電型がn型であって0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、一方の主面上で少なくとも1本のラインに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とする、c面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[E5]前記全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下または12arcsec以下である、前記[E4]に記載のc面GaNウエハ。
[E6]導電型がn型であって0.03Ω・cm未満の室温抵抗率を有すること、一方の主面上で少なくとも2本の互いに垂直なラインのそれぞれに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とする、c面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[E7]前記各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下または12arcsec以下である、前記[E6]に記載のc面GaNウエハ。
[E8]おもて面の中心を通りx方向に延びるライン上におけるオフカット角のx方向成分の変動幅と、おもて面の中心を通り該x方向に垂直なy方向に延びるライン上におけるオフカット角のy方向成分の変動幅が、それぞれ、長さ40mmの区間内で0.15度以下、0.1度以下、または0.08度以下である、前記[E1]~[E7]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[E9]0.02Ω・cm未満、0.015Ω・cm未満または0.010Ω・cm未満の室温抵抗率を有する、前記[E1]~[E8]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。[E10]キャリア濃度が1×1018cm-3以上または2×1018cm-3以上である、前記[E1]~[E8]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[E11]不純物濃度に関して前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[E1]~[E10]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[E12]O濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[E1]~[E11]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[E13]最も高い濃度で含有するドナー不純物がSiである、前記[E1]~[E12]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[E14]Siを除くドナー不純物の総濃度が、Si濃度の10%以下、5%以下または1%以下である、前記[E13]に記載のc面GaNウエハ。
[E15]キャリア濃度がSi濃度の90%以上である、前記[E14]に記載のc面GaNウエハ。
[E16]Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[E1]~[E15]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[E17]HVPEで成長されたGaN結晶からなる、前記[E1]~[E16]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[E18]前記[E1]~[E17]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなるエピタキシャルウエハの製造方法。
[E19]前記[E1]~[E17]のいずれかに記載のc面GaNウエハと、該c面GaNウエハ上にエピタキシャル成長したひとつ以上の窒化物半導体層と、からなるエピタキシャルウエハ。
[E20]前記[E1]~[E17]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなる窒化物半導体デバイスの製造方法。
[F1]導電型がn型であること、45mm以上の直径を有すること、(004)XRDロッキングカーブFWHMが20arcsec未満、18arcsec未満、16arcsec未満、14arcsec未満または12arcsec未満であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とするc面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[F2]95mm以上または145mm以上の直径を有する、前記[F1]に記載のc面GaNウエハ。
[F3]導電型がn型であること、一方の主面上で少なくとも1本のラインに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、全測
定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とする、c面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[F4]前記全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下、12arcsec以下または10arcsec以下である、前記[F3]に記載のc面GaNウエハ。
[F5]導電型がn型であること、一方の主面上で少なくとも2本の互いに垂直なラインのそれぞれに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とする、c面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[F6]前記各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下、16arcsec以下、14arcsec以下、12arcsec以下または10arcsec以下である、前記[F5]に記載のc面GaNウエハ。
[F7]おもて面の中心を通りx方向に延びるライン上におけるオフカット角のx方向成分の変動幅と、おもて面の中心を通り該x方向に垂直なy方向に延びるライン上におけるオフカット角のy方向成分の変動幅が、それぞれ、長さ40mmの区間内で0.15度以下、0.1度以下、または0.08度以下である、前記[F1]~[F6]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[F8]不純物濃度に関して前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[F1]~[F7]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[F9]Si濃度が5×1017atoms/cm3以下である、前記[F1]~[F8]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[F10]Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[F1]~[F9]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[F11]O濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[F1]~[F10]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[F12]5×1017cm-3未満のキャリア濃度と、0.04Ω・cm以上の室温抵抗率の、少なくともいずれかを有する、前記[F1]~[F11]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[F13]HVPEで成長されたGaN結晶からなる、前記[F1]~[F12]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[F14]前記[F1]~[F13]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなるエピタキシャルウエハの製造方法。
[F15]前記[F1]~[F13]のいずれかに記載のc面GaNウエハと、該c面GaNウエハ上にエピタキシャル成長したひとつ以上の窒化物半導体層と、からなるエピタキシャルウエハ。
[F16]前記[F1]~[F13]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなる窒化物半導体デバイスの製造方法。
[F17]前記[F1]~[F13]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハのGa極性側の主面上に厚さ20μm以上のGaN層をエピタキシャル成長させるステップとを有し、該GaN層には高キャリア濃度領域またはキャリア補償領域が設けられ、該高キャリア濃度領域はキャリア濃度の下限が1×1018cm-3以上の領域であり、該キャリア補償領域は補償不純物の総濃度の下限が2×1017atoms/cm3以上の領域である、二層GaNウエハの製造方法。
[F18]前記エピタキシャル成長させるステップでは、前記GaN層をHVPEで成長させる、前記[F17]に記載の製造方法。
[F19]前記GaN層の厚さが500μm以下である、前記[F17]または[F18]に記載の製造方法。
[F20]前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域は、キャリア濃度の下限が2×1018cm-3以上、3×1018cm-3以上または4×1018cm-3以上の領域である、前記[F17]~[F19]のいずれかに記載の製造方法。
[F21]前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域がGeでドープされる、前記[F17]~[F20]のいずれかに記載の製造方法。
[F22]前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域がSiで意図的にドープされる、前記[F17]~[F21]のいずれかに記載の製造方法。
[F23]前記GaN層には前記キャリア補償領域が設けられ、前記キャリア補償領域は、補償不純物の総濃度の下限が5×1017atoms/cm3以上、1×1018atoms/cm3以上、2×1018atoms/cm3以上または5×1018atoms/cm3以上の領域である、前記[F17]~[F19]のいずれかに記載の製造方法。
[F24]前記エピタキシャル成長させるステップで得た積層体を薄化するステップを更に有する、前記[F17]~[F23]のいずれかに記載の製造方法。
[F25]前記[F1]~[F13]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にGaNをエピタキシャル成長させるステップと、を有するバルクGaN結晶の製造方法。
[G1]導電型がn型であること、一方の主面における転位密度が2×105cm-2以下、1×105cm-2以下、または5×104cm-2以下であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とするc面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[G2]不純物濃度に関して前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[G1]に記載のc面GaNウエハ。
[G3]O濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[G1]または[G2]に記載のc面GaNウエハ。
[G4]おもて面の中心を通りx方向に延びるライン上におけるオフカット角のx方向成分の変動幅と、おもて面の中心を通り該x方向に垂直なy方向に延びるライン上におけるオフカット角のy方向成分の変動幅が、それぞれ、長さ40mmの区間内で0.15度以下、0.1度以下、または0.08度以下である、前記[G1]~[G3]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[G5]5×1017cm-3未満のキャリア濃度と、0.04Ω・cm以上の室温抵抗率の、少なくともいずれかを有する、前記[G1]~[G4]のいずれかに記載のc面G
aNウエハ。
[G6]Si濃度が5×1017atoms/cm3以下である、前記[G1]~[G5]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[G7]Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[G6]に記載のc面GaNウエハ。
[G8]0.03Ω・cm未満、0.02Ω・cm未満、0.015Ω・cm未満または0.010Ω・cm未満の室温抵抗率を有する、前記[G1]~[G4]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[G9]キャリア濃度が1×1018cm-3以上、2×1018cm-3以上、3×1018cm-3以上または4×1018cm-3以上である、前記[G1]~[G4]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[G10]Ge濃度が1×1018atoms/cm3以上、かつ、Si濃度が4×1017atoms/cm3以上である、前記[G8]または[G9]に記載のc面GaNウエハ。
[G11]最も高い濃度で含有するドナー不純物がGeである、前記[G8]~[G10]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[G12]Ge、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[G10]または[G11]に記載のc面GaNウエハ。
[G13]最も高い濃度で含有するドナー不純物がSiである、前記[G8]または[G9]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[G14]Siを除くドナー不純物の総濃度が、Si濃度の10%以下、5%以下または1%以下である、前記[G13]に記載のc面GaNウエハ。
[G15]キャリア濃度がSi濃度の90%以上である、前記[G14]に記載のc面GaNウエハ。
[G16]Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[G13]~[G15]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[G17]HVPEで成長されたGaN結晶からなる、前記[G1]~[G16]のいずれかに記載のc面GaNウエハ。
[G18]前記[G1]~[G17]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなるエピタキシャルウエハの製造方法。
[G19]前記[G1]~[G17]のいずれかに記載のc面GaNウエハと、該c面GaNウエハ上にエピタキシャル成長したひとつ以上の窒化物半導体層と、からなるエピタキシャルウエハ。
[G20]前記[G1]~[G17]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなる窒化物半導体デバイスの製造方法。
[G21]前記[G1]~[G7]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハのGa極性側の主面上に厚さ20μm以上のGaN層をエピタキシャル成長させるステップとを有し、該GaN層には高キャリア濃度領域またはキャリア補償領域が設けられ、該高キャリア濃度領域はキャリア濃度の下限が1×1018cm-3以上の領域であり、該キャリア補償領域は補償不純物の総濃度の下限が2×1017atoms/cm3以上の領域である、二層GaNウエハの製造方法。
[G22]前記エピタキシャル成長させるステップでは、前記GaN層をHVPEで成長させる、前記[G21]に記載の製造方法。
[G23]前記GaN層の厚さが500μm以下である、前記[G21]または[G22]に記載の製造方法。
[G24]前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域は、キャリア濃度の下限が2×1018cm-3以上、3×1018cm-3以上または4×1018cm-3以上の領域である、前記[G21]~[G23]のいずれかに記
載の製造方法。
[G25]前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域がGeでドープされる、前記[G21]~[G24]のいずれかに記載の製造方法。
[G26]前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域がSiで意図的にドープされる、前記[G21]~[G25]のいずれかに記載の製造方法。
[G27]前記GaN層には前記キャリア補償領域が設けられ、前記キャリア補償領域は、補償不純物の総濃度の下限が5×1017atoms/cm3以上、1×1018atoms/cm3以上、2×1018atoms/cm3以上または5×1018atoms/cm3以上の領域である、前記[G21]~[G23]のいずれかに記載の製造方法。
[G28]前記エピタキシャル成長させるステップで得た積層体を薄化するステップを更に有する、前記[G21]~[G27]のいずれかに記載の製造方法。
[G29]前記[G1]~[G7]のいずれかに記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にGaNをエピタキシャル成長させるステップと、を有するバルクGaN結晶の製造方法。
[H1]互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、少なくともひとつの10mm×10mmの正方形エリアのX線異常透過像が得られること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とするn型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[H2]互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、少なくともひとつの15mm×15mmの正方形エリアのX線異常透過像が得られること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とするn型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[H3]互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、少なくともひとつの20mm×20mmの正方形エリアのX線異常透過像が得られること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすことを特徴とするn型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
[H4]不純物濃度に関して前記条件(a)~(c)の全てを充たす、前記[H1]~[H3]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[H5]O濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下である、前記[H1]~[H4]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[H6]5×1017cm-3未満のキャリア濃度と、0.04Ω・cm以上の室温抵抗率の、少なくともいずれかを有する、前記[H1]~[H5]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[H7]Si濃度が5×1017atoms/cm3以下である、前記[H1]~[H6]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[H8]Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[H7]に記載のn型GaN結晶。
[H9]0.03Ω・cm未満、0.02Ω・cm未満、0.015Ω・cm未満または0.010Ω・cm未満の室温抵抗率を有する、前記[H1]~[H5]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[H10]キャリア濃度が1×1018cm-3以上、2×1018cm-3以上、3×1018cm-3以上または4×1018cm-3以上である、前記[H1]~[H5]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[H11]Ge濃度が1×1018atoms/cm3以上、かつ、Si濃度が4×1017atoms/cm3以上である、前記[H9]または[H10]に記載のn型GaN結晶。
[H12]最も高い濃度で含有するドナー不純物がGeである、前記[H9]~[H11]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[H13]Ge、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[H11]または[H12]に記載のn型GaN結晶。
[H14]最も高い濃度で含有するドナー不純物がSiである、前記[H9]または[H10]に記載のn型GaN結晶。
[H15]Siを除くドナー不純物の総濃度が、Si濃度の10%以下、5%以下または1%以下である、前記[H14]に記載のn型GaN結晶。
[H16]キャリア濃度がSi濃度の90%以上である、前記[H15]に記載のn型GaN結晶。
[H17]Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、前記[H14]~[H16]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[H18]HVPEで成長されたGaN結晶からなる、前記[H1]~[H17]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[H19]GaNウエハである、前記[H1]~[H18]のいずれかに記載のn型GaN結晶。
[H20]おもて面の中心を通りx方向に延びるライン上におけるオフカット角のx方向成分の変動幅と、おもて面の中心を通り該x方向に垂直なy方向に延びるライン上におけるオフカット角のy方向成分の変動幅が、それぞれ、長さ40mmの区間内で0.15度以下、0.1度以下、または0.08度以下である、前記[H19]に記載のn型GaN結晶。
[H21]前記[H19]または[H20]に記載のn型GaN結晶を準備するステップと、該準備したn型GaN結晶の上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなるエピタキシャルウエハの製造方法。
[H22]前記[H19]または[H20]に記載のn型GaN結晶と、該n型GaN結晶上にエピタキシャル成長したひとつ以上の窒化物半導体層と、からなるエピタキシャルウエハ。
[H23]前記[H19]または[H20]に記載のn型GaN結晶を準備するステップと、該準備したn型GaN結晶の上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなる窒化物半導体デバイスの製造方法。
[H24]前記[H1]~[H8]のいずれかに記載のn型GaN結晶であるGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハのGa極性側の主面上に厚さ20μm以上のGaN層をエピタキシャル成長させるステップとを有し、該GaN層には高キャリア濃度領域またはキャリア補償領域が設けられ、該高キャリア濃度領域はキャリア濃度の下限が1×1018cm-3以上の領域であり、該キャリア補償領域は補償不純物の総濃度の下限が2×1017atoms/cm3以上の領域である、二層GaNウエハの製造方法。
[H25]前記エピタキシャル成長させるステップでは、前記GaN層をHVPEで成長させる、前記[H24]に記載の製造方法。
[H26]前記GaN層の厚さが500μm以下である、前記[H24]または[H25]に記載の製造方法。
[H27]前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域は、キャリア濃度の下限が2×1018cm-3以上、3×1018cm-3以上または4×1018cm-3以上の領域である、前記[H24]~[H26]のいずれかに記載の製造方法。
[H28]前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域がGeでドープされる、前記[H24]~[H27]のいずれかに記載の製造方法。
[H29]前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域がSiで意図的にドープされる、前記[H24]~[H28]のいずれかに記載の製造方法。
[H30]前記GaN層には前記キャリア補償領域が設けられ、前記キャリア補償領域は、補償不純物の総濃度の下限が5×1017atoms/cm3以上、1×1018atoms/cm3以上、2×1018atoms/cm3以上または5×1018atoms/cm3以上の領域である、前記[H24]に記載の製造方法。
[H31]前記エピタキシャル成長させるステップで得た積層体を薄化するステップを更に有する、前記[H24]~[H30]のいずれかに記載の製造方法。
[H32]前記[H1]~[H8]のいずれかに記載のn型GaN結晶であるGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハの上にGaNをエピタキシャル成長させるステップと、を有するバルクGaN結晶の製造方法。
本明細書において、結晶軸、結晶面、結晶方位等に言及する場合には、特に断らない限り、GaN結晶の結晶軸、結晶面、結晶方位等を意味する。
六方晶のミラー指数(hkil)は、h+k=-iの関係があることから、(hkl)と3桁で表記されることもある。例えば、(0004)を3桁で表記すると(004)である。
以下、適宜図面を参照しながら、本発明を実施形態に即して説明する。
1.1.形態および寸法
図1に示す結晶10は、実施形態に係るn型GaN結晶の一例である。
結晶10は、互いに反対方向を向いた2つの主面(大面積面)、すなわち、第一主面11と第二主面12を有している。第一主面11と第二主面12は、どちらか一方がGa極性であり、他方がN極性である。第一主面11と第二主面12は、好ましくは互いに平行である。
(0001)結晶面に対する第一主面11の傾斜とは、別の言い方をすれば、結晶10の[0001]方向と、第一主面11の法線ベクトルとがなす角度である。
第一主面11がN極性で第二主面12がGa極性であるとき、(000-1)結晶面に対する第一主面11の傾斜は0度以上10度以下である。該傾斜は、5度未満、2.5度未満、2度未満、1.5度未満、1度未満または0.5度未満であってもよい。
結晶10の直径DCは、通常20mm以上であり、45mm以上、95mm以上、あるいは145mm以上であってもよく、典型的には、25~27mm(約1インチ)、50~55mm(約2インチ)、100~105mm(約4インチ)、150~155mm(約6インチ)等である。
第一主面11および第二主面12の形状は円に限定されるものではなく、正方形、長方形等の四角形、正六角形等、正八角形等の多角形、その他任意の形状に変更し得る。
結晶10がインゴットであるとき、その厚さtCは、好ましくは1.5mm以上、より好ましくは2mm以上、更に好ましくは3mm以上である。
結晶10がウエハであるとき、その厚さtCは、200μm以上500μm未満、500μm以上750μm未満、750μm以上1mm未満、1mm以上2mm未満などであり得る。
結晶10が、他のGaN結晶上に成長したエピタキシャル層または支持基板に貼り合わされた膜であるとき、その厚さtCは、5μm以上50μm未満、50μm以上100μm未満、100μm以上150μm未満、150μm以上250μm以下などであり得る。
結晶10は、HVPEで成長されたGaNからなる。
石英リアクターを備える通常のHVPE装置で成長されたGaNは、不純物濃度に関して次の(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすのが普通である。
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である。
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である。
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
結晶10は、上記条件(a)~(c)の全てを充たし得る。
結晶10が含有し得るドナー不純物には、Si(ケイ素)、Ge(ゲルマニウム)等の14族元素と、O(酸素)、S(硫黄)等の16族元素がある。
結晶10が最も高い濃度で含有するドナー不純物は、好ましくはSiまたはGeである。
結晶10にGeを添加するときは、成長時に用いるキャリアガスに含まれるH2のモル比を比較的高くすることが、Geの濃度ムラを低減するうえで有効であるが、それに伴い結晶10のSi濃度は1017atoms/cm3台以上となり得る。
結晶10の品質は、CuKα1放射を用いたωスキャンにより測定される(004)XRDロッキングカーブFWHMを指標にして評価し得る。結晶品質が良好である程、(004)XRDロッキングカーブFWHMは狭い。
(004)XRDロッキングカーブ測定では、X線管球を電圧45kV、電流40mAで動作させ、Ge(440)4結晶対称モノクロメータを用いて単色化したCuKα線を第一主面11に入射させる。X線をどの方向から第一主面11に入射させるかは特に限定されず、例えば、X線の入射面がa軸と垂直になるようにしてもよい。
なわちX線を反射面である(004)面に垂直に入射させたときに、第一主面11上における照射エリアのサイズが、ω軸に平行な方向について5mm、ω軸に垂直な方向について1mmとなるように設定する。ω軸とは、ロッキングカーブ測定における試料の回転軸である。
X線のビームサイズをこのように設定したとき、GaNの(004)XRDロッキングカーブ測定では、ωが約36.5°であることから、第一主面11上における照射エリアのサイズは約1.7×5mm2である。
このようにして測定される(004)XRDロッキングカーブFWHMは、20arcsec未満、更には18arcsec未満、更には16arcsec未満、更には14arcsec未満、更には12arcsec未満であり得る。
該全測定点間での(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値は、18arcsec以下、更には16arcsec以下、更には14arcsec以下、更には12arcsec、更には10arcsec以下であり得る。
各ライン上の全測定点間での(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値は、18arcsec以下、更には16arcsec以下、更には14arcsec以下、更には12arcsec以下、更には10arcsec以下であり得る。
ラング法では、板状の試験片の一方の主面側にX線源が配置され、他方の主面側にX線検出器が配置される。
X線の異常透過はボルマン効果とも呼ばれ、通常であれば吸収現象のせいで透過し得ない厚さの結晶を、X線が透過する現象である。例えば、X線源にMoKα(波長0.71073Å)を用いたX線トポグラフィで、厚さ344μmのGaN結晶から透過像が得られる場合、それは異常透過像である。なぜなら、GaNの吸収係数μは、X線源がMoK
αの場合には290.40cm-1であり、ウエハの厚さtが344μmのときμ・t=10.0となるところ、異常透過がなければμ・t≧10の条件で透過像は得られないからである。
異常透過像は結晶の完全性が低いときには観察されないので、X線トポグラフィにおいて異常透過像が得られるGaN結晶は品質が良好であるといってよい。
結晶10からは、少なくともひとつの15mm×15mmの正方形エリアのX線異常透過像が得られることが好ましく、少なくともひとつの20mm×20mmの正方形エリアのX線異常透過像が得られることがより好ましい。
本明細書では、(0001)結晶面または(000-1)結晶面からのオフカットが10度以下のGaNウエハを、c面GaNウエハと呼ぶ。
図4に示すウエハ20は、実施形態に係るGaNウエハの一例である。
ウエハ20はc面GaNウエハであり、互いに反対方向を向いたその2つの主面(大面積面)、すなわち、第一主面21と第二主面22は、一方がGa極性、他方がN極性である。Ga極性側の主面はGa極性面と呼ばれることが、また、N極性側の主面はN極性面と呼ばれることがある。
第一主面21がGa極性であるとき、(0001)結晶面に対する第一主面21の傾斜は0度以上10度以下である。該傾斜は、0.2度以上であってもよく、また、5度未満、2.5度未満、1.5度未満、1度未満または0.5度未満であってもよい。
第一主面21がN極性であるとき、(000-1)結晶面に対する第一主面21の傾斜は0度以上10度以下である。該傾斜は、5度未満、2.5度未満、1.5度未満、1度未満または0.5度未満であってもよい。
第一主面21と第二主面22は、好ましくは互いに平行である。
ウエハ20の厚さtWは、直径DWに応じて、ウエハ20が自立可能かつハンドリング可能となるように設計される。例えばウエハ20の直径DWが約2インチのとき、厚さtWは好ましくは250~500μm、より好ましくは300~450μmであり、ウエハ20の直径DWが約4インチのとき、厚さtWは好ましくは400~800μm、より好ましくは500~650μmである。ウエハ20の直径DWが約6インチのとき、厚さtWは好ましくは500~850μm、より好ましくは600~750μmである。
ベクトルVcをこのように分解したとき、ベクトルVcxのz軸からの傾斜がオフカット角θのx方向成分θxであり、ベクトルVcyのz軸からの傾斜がオフカット角θのy軸方向成分θyである。
るオフカット角のy方向成分の変動幅が、それぞれ、長さ40mmの区間内で0.15度以下、好ましくは0.1度以下、より好ましくは0.08度以下であり得る。この評価では、ウエハ20を平面視したときに外周からの距離が5mm未満の部分は除外してもよい。
変動幅とは最大値と最小値の差であり、例えば変動幅が0.15度以下であることは、言い換えると、中央値からの変動が±0.075度以内ということである。
x方向はa面のひとつと平行であってもよく、そのときy方向はm面のひとつと平行で
ある。
第二主面22は「裏面」であり、鏡面仕上げされていてもよいし、艶消し仕上げされていてもよい。
ウエハ20には、結晶の方位を表示するオリエンテーション・フラットまたはノッチ、おもて面と裏面の識別を容易にするためのインデックス・フラット等、必要に応じて様々なマーキングを施してもよい。
ウエハ20の主面は円形であるが、円形に限定されるものではなく、正方形、長方形、六角形、八角形、その他任意の形状に変更することができる。
ウエハ20は、HVPEで成長されたGaN結晶からなる。
石英リアクターを備える通常のHVPE装置で成長されたGaNは、不純物濃度に関して次の(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たすのが普通である。
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である。
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である。
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
ウエハ20は、上記条件(a)~(c)の全てを充たし得る。
UID-GaNでは、Si濃度が5×1017atoms/cm3以下、O濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下であり得る。
UID-GaNでは、キャリア濃度が5×1017cm-3未満であり得るとともに、室温抵抗率が0.04Ω・cm以上であり得る。
ドナー不純物として作用し得る元素には、Si(ケイ素)、Ge(ゲルマニウム)等の14族元素と、O(酸素)、S(硫黄)等の16族元素がある。
第一に、SiとGeは、Oと並んで高い活性化率を有するドナー不純物である。
第二に、OでハイドープしたGaNを得るためにはファセット成長が必要であるのに対し、SiまたはGeでハイドープしたGaNはc面成長により得ることができる。
貫通転位はピットの底に集まる性質を持つため、ファセット成長により形成されたGaN膜では貫通転位の分布が不均一となる。そのようなGaN膜から切り出されるc面GaNウエハを、窒化物半導体デバイスの製造者は好まないことが多い。
(004)XRDロッキングカーブFWHMが20arcsec以下のGaN結晶は、貫通転位の密度が低いので、適切な条件でc面成長させたときの成長表面は、平坦でヒロックの無い、極めて良好なモホロジーを有するものとなり得る。SiとGeは、この特徴を生かすことができるドナー不純物といえる。
ウエハ20にGeを意図的に添加するときは、成長時に用いるキャリアガスに含まれるH2のモル比を比較的高くすることが、Geの濃度ムラを低減するうえで有効であるが、それに伴いウエハ20のSi濃度は、Siを意図的に添加しないときであっても、1017atoms/cm3台以上となり得る。
図5に示す例では、ウエハ20が、意図的ドープしたGaN(ID-GaN;intentio
nally doped GaN)からなる第一領域R1をGa極性の第一主面21側に有し、UID-
GaNからなる第二領域R2をN極性の第二主面22側に有している。第一領域R1は、第二領域R2よりも高いキャリア濃度と低い抵抗率を有している。
第一領域R1と第二領域R2の間には、これら2つの領域の中間のキャリア濃度を有する中間領域(図示せず)が設けられ得る。この中間領域においては、N極性側からGa極性側に向かってキャリア濃度が連続的または段階的に増加していてもよい。
第一領域R1と第二領域R2の間には、再成長界面が存在してもよい。すなわち、図5に示すウエハ20は、UID-GaNからなるc面GaNウエハを完成させた後に、そのc面GaNウエハのGa極性側主面上にID-GaN層をHVPEで成長させる工程を経て製造されたものであってもよい。
第一領域R1が含有する意図的ドーパントは、好ましくはドナー不純物であり、そのときに第一領域R1が最も高い濃度で含有するドナー不純物はSiまたはGeである。好適例では、第一領域R1において、Siを除くドナー不純物の総濃度を、Si濃度の10%以下、更には5%以下、更には1%以下とすることができる。
第二領域R2においては、Si濃度が5×1017atoms/cm3以下、O濃度が3×1016atoms/cm3以下、2×1016atoms/cm3以下または1×1016atoms/cm3以下、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下であり得る。
第二領域R2においては、キャリア濃度が5×1017未満であり得るとともに、室温抵抗率が0.04Ω・cm以上であり得る。
ウエハ20の結晶品質は、CuKα1放射を用いたωスキャンにより測定される(004)XRDロッキングカーブFWHMを指標にして評価し得る。結晶品質が良好である程、(004)XRDロッキングカーブFWHMは狭い。
(004)XRDロッキングカーブ測定では、X線管球を電圧45kV、電流40mAで動作させ、Ge(440)4結晶対称モノクロメータを用いて単色化したCuKα線を第一主面21に入射させる。
X線のビームサイズをこのように設定したとき、GaNの(004)XRDロッキングカーブ測定ではωが約36.5°であることから、第一主面21上における照射面積は約1.7×5mm2である。
だ40個の測定点PMでの(004)XRDロッキングカーブを得ることができる。各測定点PMにおけるωスキャンでは、ω軸をラインLと垂直とする。換言すれば、X線入射面とラインLとが平行となるように、X線をウエハ20に入射させる。
該全測定点間での(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値は、18arcsec以下、更には16arcsec以下、更には14arcsec以下、更には12arcsec以下、更には10arcsec以下であり得る。
各ライン上の全測定点間での(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値は、18arcsec以下、更には16arcsec以下、更には14arcsec以下、更には12arcsec以下、更には10arcsec以下であり得る。
ウエハ20は、基板として、各種の窒化物半導体デバイスの製造に好ましく使用することができる。
窒化物半導体デバイスとは、デバイス構造の主要部が窒化物半導体で形成された半導体デバイスである。窒化物半導体は、窒化物系III-V族化合物半導体、III族窒化物系化合
物半導体、GaN系半導体などとも呼ばれ、GaNを含む他、GaNのガリウムの一部または全部を他の周期表第13族元素(B、Al、In等)で置換した化合物を含む。
ウエハ20を用いて製造され得る窒化物半導体デバイスの代表例は、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)などの発光デバイスと、整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、HEMT(High Electron Mobility Transistor)など
の電子デバイスであるが、これらに限定されるものではない。
エッチング加工、イオン注入、電極や保護膜などの構造物の付与等を含み得る半導体プ
ロセスが実行された後、エピタキシャルウエハは必要に応じて薄化加工されたうえで分断され、窒化物半導体デバイスチップとされる。この薄化加工では、ウエハ20の第二主面22側が研削、研磨および/またはエッチングされる。
ウエハ20が、図5に示すように、第一主面21側にID-GaNで形成された第一領域R1、第二主面22側にUID-GaNで形成された第二領域R2を有するとき、一例では、ウエハ20を用いてエピタキシャルウエハが形成された後、ウエハ20から第二領域R2が研削、研磨および/またはエッチングにより除去され、それにより露出した第一領域R1の表面に電極が形成され得る。
ウエハ20がID-GaNのみからなるとき、一例では、ウエハ20を用いてエピタキシャルウエハが形成された後、ウエハ20の第二主面22上に電極が形成され得る。この電極が形成されるのは、エピタキシャルウエハの薄化工程の後であり得る。
図8に示す二層ウエハ40は、二層GaNウエハの一例であり、ウエハ20の少なくとも一部からなる裏層Lbと、ウエハ20のGa極性側の主面上にエピタキシャル成長したGaNからなるおもて層Lfとを有している。おもて層Lfと裏層Lbの間には再成長界面43が存在する。
二層ウエハ40の厚さが300μmを超えるとき、おもて層Lfの最大厚、すなわち厚さ最大の場所における厚さは、好ましくは300μm以下、より好ましくは250μm以下、更に好ましくは200μm以下である。
おもて層Lfの最大厚と最小厚の差は200μm以下であり、好ましくは100μm以下、より好ましくは50μm以下、更に好ましくは25μm以下、更により好ましくは10μm以下である。
好適例では、おもて層Lfのうち、上面から距離Z以内の部分が、高キャリア濃度領域またはキャリア補償領域に含まれる。ここで、Zは、おもて層Lfの最小厚を超えない限りで、20μm以上50μm未満、50μm以上100μm未満、100μm以上150μm未満、150μm以上250μm以下等であり得る。
高キャリア濃度領域に好ましく添加されるドナー不純物は、SiおよびGeである。
高キャリア濃度領域は、キャリア濃度の下限が4×1018cm-3以上であって、かつ、ドナー不純物の総濃度の下限が5×1018atoms/cm3以上、6×1018atoms/cm3以上、または8×1018atoms/cm3以上の領域であり得る。
高キャリア濃度領域におけるドナー不純物の総濃度は、結晶品質の著しい低下を避けるために、5×1019atoms/cm3以下、更には2×1019atoms/cm3以下、更には1×1019atoms/cm3以下とされ得る。
高キャリア濃度領域では、c軸方向に沿ったキャリア濃度の変動が、中央値から好ましくは±25%以内、より好ましくは±20%以内、更に好ましくは±15%以内、より更に好ましくは±10%以内である。キャリア濃度の測定が困難な場合には、これをドナー不純物の総濃度で代用してもよい。
補償不純物とは、GaN結晶中においてn型キャリアを補償する働きを持つ不純物である。好ましい補償不純物は、C(炭素)と遷移金属元素であり、遷移金属元素としては、Fe(鉄)、Mn(マンガン)、Co(コバルト)、Cr(クロム)、V(バナジウム)、Ni(ニッケル)、Cu(銅)などが好ましく例示される。
キャリア補償領域における補償不純物の総濃度は、結晶品質の著しい低下を避けるために、5×1019atoms/cm3以下、更には2×1019atoms/cm3以下、更には1×1019atoms/cm3以下とされ得る。
キャリア補償領域では、c軸方向に沿った補償不純物の総濃度の変動が、中央値から好ましくは±25%以内、より好ましくは±20%以内、更に好ましくは±15%以内、より更に好ましくは±10%以内である。
GaN層の成長方法に限定はなく、MOCVDでもよいが、好ましくはHVPEである。GaN層の成長厚は500μm以下とすることが好ましい。GaN層の少なくとも一部を意図的にドーピングすることにより、高キャリア濃度領域またはキャリア補償領域が設けられる。
GaN層の成長により得られた積層体を薄化する薄化工程は、必要に応じて設けられる。薄化工程では、ウエハ20のN極性側とGaN層のGa極性側のいずれか一方または両方が研削、研磨および/またはエッチングされる。
二層ウエハ40では、窒化物半導体デバイスの製造過程で裏層Lbが完全に除去されても、残ったおもて層Lfが窒化物半導体デバイスチップの構造を支える基板としての役割
を担い得るよう、該おもて層Lfの最小厚が少なくとも20μm、好ましくは50μm以上とされる。
その他各種の方法でバルクGaN結晶を成長させる際に、シードウエハとして使用することもできる。この用途に特に適しているのは、ウエハ20の中でもUID-GaNのみで形成されたものである。
以下では、実施形態に係るn型GaN結晶またはGaNウエハの製造に、あるいは実施形態に係るGaNウエハの製造方法で、好ましく用い得るGaN結晶の成長方法について説明する。
3.1.HVPE装置
実施形態に係るn型GaN結晶またはGaNウエハの製造に、あるいは実施形態に係るGaNウエハの製造方法で使用し得る、HVPE装置の基本構成を図9に示す。
図9を参照すると、HVPE装置100は、ホットウォール型のリアクター101と、該リアクター内に配置されるガリウム溜め102およびサセプター103と、該リアクターの外部に配置される第一ヒーター104および第二ヒーター105を備えている。第一ヒーター104および第二ヒーター105は、それぞれ、リアクター101を環状に取り囲んでいる。
第一ゾーンZ1に配置されるガリウム溜め102は、ガス入口とガス出口を有する石英容器である。
第二ゾーンZ2に配置されるサセプター103は、例えばグラファイトで形成される。サセプター103を回転させる機構は任意に設けることができる。
好ましくは、図10(a)に示すように、シードのエッジを覆うエッジカバーが、シードとともにサセプター上に配置される。
エッジカバーは例えばグラファイトで形成され、その高さhは、図10(b)に示すように、シード上に成長させるGaN厚膜の上面の位置が、その成長終了時においてエッジカバーの上端よりも上にならないように設定される。
エッジカバーは、図11に示すように、シードのエッジに加えて、シードの主面の外周部をも覆うものであってもよい。
本発明者等が経験したところでは、直径2インチの円形GaNウエハをシードに用いたとき、ウエハが切り出せる厚さのGaN層を割れないように成長させるには、エッジカバーの使用が不可欠であった。
一方、直径2インチの円より大面積だが矩形の主面を持つGaNウエハをシードに使用したときは、エッジカバーなしでも、ウエハが切り出せる厚さのGaN膜を割れないように成長させることが可能であった。しかし、エッジカバーなしで成長させたGaN厚膜は表面モホロジーが悪く、c軸方向に突き出たリッジが外縁に沿って形成され、該リッジの内側壁面には大型のピットが密に発生した他、該リッジの表面には微細なクラックが観察された。このGaN厚膜をc面に沿ってスライスすると、エッジから中央部に延びるクラ
ックが発生し、所望のウエハを取得することができなかった。
アンモニア導入管P1、塩化水素導入管P2、塩化ガリウム導入管P3およびドーパント導入管P4は、リアクター101内に配置される部分を石英で形成することができる。
あるいは、図9では独立しているアンモニア導入管P1のノズルと塩化ガリウム導入管P3のノズルを一体化し、前者を外管、後者を内管とする二重管ノズルとしてもよい。
成長するGaN結晶をGeでドープするとき、ドーピングガスにはGeH4(ゲルマン)、GeH3Cl(モノクロロゲルマン)、GeH2Cls(ジクロロゲルマン)、GeHCl3(トリクロロゲルマン)またはGeCl4(テトラクロロゲルマン)を好ましく使用し得る。
成長するGaN結晶は、意図的にドーピングしていないにも拘らず、OおよびSiを含有することがあり得る。恐らく、意図しないSiはリアクターまたは配管を構成する石英に由来し、意図しないOはかかる石英と外部からリアクター内に侵入した水分のいずれかまたは両方に由来する。
実施形態に係るn型GaN結晶またはGaNウエハの成長に用いられるシードの好適例は、NH4FとNH4Iを鉱化剤に用いて酸性アモノサーマル法で成長されたc面GaNウエハであり、その製造方法については、前述の特許文献1(WO2018/030311A1)を参照することができる。
このc面GaNウエハはしばしば1018atoms/cm3台中盤以上の酸素濃度を有するにも拘らず、そのGa極性側の主面上には酸素濃度が3×1016atoms/cm3以下のGaN結晶を、HVPEで、殆ど歪みを発生させることなく成長させることが可能である。
該主面の(0001)結晶面に対する傾斜は、好ましくは0度から1度、より好ましくは0度から0.5度の範囲内である。
シード上にGaN結晶をHVPEで成長させるときの好ましい条件は、以下に記す通りである。
ガリウム溜めの温度は、例えば500~1000℃であり、好ましくは700℃以上、また、好ましくは900℃以下である。
サセプター温度は、例えば900~1100℃であり、好ましくは930℃以上、より好ましくは950℃以上であり、また、好ましくは1050℃以下、より好ましくは1020℃以下である。
V/III比は大き過ぎても小さ過ぎても、成長するGaNの表面モホロジーが悪化する原因となる。表面モホロジーの悪化は、結晶品質の低下や意図せずGaN結晶に取り込まれる酸素の濃度が高くなる原因となる。
このような不純物の典型例はO(酸素)であるが、Ge(ゲルマニウム)も同様の傾向があることを本発明者等は見出している。後述するように、意図的にGeドープしたGaN結晶を成長させるとき、キャリアガス中のH2のモル比を下げ過ぎない方がよいのは、このことに関係している。
酸性アモノサーマル法で成長させたGaN結晶からなる、結晶品質の高いシード上にHVPEでGaN結晶を成長させるとき、成長レートを低くし過ぎると、局所的に成長が停止した領域が成長表面に形成される問題が発生することを、本発明者等は見出している。
生産効率を上げるために、成長の途中で成長レートを上げてもよい。最初の成長レートを40μm/hとし、途中で成長レートを80μm/hまたは120μm/hに上げたとき、80μm/hで成長させたGaN結晶の貫通転位密度は、酸性アモノサーマル法で成長させたGaN結晶からなるシードのそれと変わらず、120μm/hで成長させたGaN結晶においても、貫通転位密度はかかるシードのせいぜい2倍であることが、本発明者等による実験で示唆された。
成長レートを上げるときは、成長するGaN結晶の表面モホロジーが悪化しない範囲で行うべきである。表面モホロジーの悪化に伴い生じ得る問題については前述の通りである。
キャリアガス中のH2のモル比は、成長するGaN結晶の不純物濃度に影響する。なお、ここでいう、キャリアガス中のH2のモル比は、リアクター外からリアクター内にキャリアガスとして供給される各ガス種の流量に基づいて算出される。
キャリアガス中のH2のモル比が0(ゼロ)のときは、該モル比が0.7のときよりO
濃度も1桁高いことから分かるように、該モル比が0のときは成長中のGaNの表面モホロジーが悪く、Ge濃度が高いのもこれが原因であることを本発明者等は確認している。
OとGeはいずれもドナー不純物であることから、キャリアガス中のH2のモル比が低過ぎる条件で成長させたGaN結晶では、キャリア濃度の均一性の低下という問題が発生し得る。
従って、Geドーピングするときのキャリアガス中のH2のモル比は0.3~0.7程度であることが好ましい。かかる条件で成長させたGeドープGaN結晶では、Ge濃度が1×1018atoms/cm3以上のとき、Si濃度が4×1017atoms/cm3以上となる。
シードに用いるc面GaNウエハの結晶品質も、その上に成長するGaN結晶の表面モホロジーに影響する。品質の高いシード上には、よりO濃度の低いGaN結晶を成長させ得る。
シード上にGaN結晶を成長させるとき、ドーピングガスは最初から供給してもよいが、好ましくは、GaN層の成長厚が少なくとも10μmに達してから供給を開始する。また、ドーピングガスは供給開始から数分ないし数十分かけて、供給レートを徐々に所定値まで増加させることが好ましい。
以下に、本発明者等が行なった実験について記す。
実験において、アモノサーマル法によるGaN結晶の成長には、図12に基本構成を示す結晶成長装置を用いた。この結晶成長装置は、オートクレーブと、その中に設置されるPt-Ir合金製のカプセルを備えている。カプセルは、Pt製のバッフルで相互に区画された溶解ゾーンおよび成長ゾーンを内部に有する。GaN結晶を成長させるとき、溶解ゾーンにはフィードストックが鉱化剤(図示せず)とともに置かれ、成長ゾーンにはシードがPtワイヤで吊される。
真空ポンプ、アンモニアボンベおよび窒素ボンベが接続されたガスラインが、バルブを介してオートクレーブおよびカプセルと接続されている。カプセルにNH3(アンモニア)を入れる際には、アンモニアボンベから供給されるNH3の量をマスフローメーターで確認することが可能となっている。
シード、フィードストックおよび鉱化剤が設置され、NH3の導入が完了したら、カプセルは密封され、内部が超臨界状態となるようにオートクレーブの外側からヒーター(図示せず)で加熱される。溶解ゾーンと成長ゾーンの間に温度勾配を設けるために、複数のヒーターによってオートクレーブの上部と下部は別々に加熱される。
(1)シードの準備
まず、NH4FおよびNH4Iを鉱化剤に用いたアモノサーマル法で成長させた、0.4mmの厚さを有する、第一のc面GaNウエハを準備した。
該第一のc面GaNウエハの鏡面仕上げされたN極性面上に、リフトオフ法を用いて、100nm厚のTiW下地層上に100nm厚のPt表面層を積層した二層構造のスパッタ膜からなる、ストライプパターンの選択成長マスクを形成した。該選択成長マスクに設
けた線状開口の線幅は50μm、線状開口間のピッチは2mmであった。ストライプ方向は、該ウエハを構成するGaN結晶のa面と平行とした。
アモノサーマル工程では、フィードストックに多結晶GaNを、また、鉱化剤にNH4
FおよびNH4Iを用いた。
該多結晶GaNは、加熱下で単体GaにHClガスを接触させて気体GaClを発生させ、その気体GaClをNH3ガスと反応させる方法で製造した。
鉱化剤の仕込み量は、NH4FおよびNH4Iのそれぞれについて、NH3溶媒に対する
モル比で1.0%とした。NH4I鉱化剤は、反応容器であるPt-Irカプセル内でH
I(ヨウ化水素)ガスとNH3を反応させることにより合成した。
この第二のc面GaNウエハと同等の方法で作製したc面GaNウエハで、(004)XRDロッキングカーブの半値全幅を測定すると、10arcsec未満の値が得られた。
上記第二のc面GaNウエハを分断してなる、Ga極性面の面積が約7cm2で厚さ0.4mmのc面GaNウエハをシードに用いて、そのGa極性面上に、図9に示すHVPE装置と共通の基本構成を備える気相成長装置を用いて、HVPEでGaN厚膜を成長させた。手順は概ね以下に記す通りである。
まず、サセプター上にシードをセットした。エッジカバーは使用しなかった。
次いで、N2、H2およびNH3を、それぞれの分圧が0.25atm、0.73atmおよび0.02atmとなるようにリアクター内に供給しながら、リアクターの外側に設置したヒーターによってリアクターを加熱した。
成長開始直後から60分間は、GaClおよびNH3をそれぞれの分圧が7.7×10-3atmおよび2.3×10-2atmとなるようにリアクター内に供給し、意図的なドーピングガスの供給は行わなかった。
GeCl4の供給レートが所定値に達した後は、GaCl、NH3およびGeCl4を
、それぞれの分圧が7.7×10-3atm、2.3×10-2atmおよび1.7×10-7atmとなるようにリアクター内に供給して、GeドープしたGaN厚膜を約2.7mm成長させた。
厚さと成長時間から算出したGeドープGaN厚膜の成長レートは、約33μm/minであった。
<(004)XRDロッキングカーブFWHM>
Ga極性面上の、エッジから離れた位置にて、サンプルE-1の(004)XRDロッキングカーブ測定を行った。
測定ではX線回折装置[スペクトリス(株)製 パナリティカル X’Pert Pro MRD]
が備えるラインフォーカスCuKα線源を45kV、40mAで動作させ、Ge(440)4結晶対称モノクロメータを用いてCuKα1線を得た。使用した光学系は平行光学系で、入射側には1/2スリット、X線ミラーおよびw1mm×h1mmのクロススリットを用いた。検出器には半導体ピクセル検出器であるPIXcel3D(登録商標)の0Dモードを用いた。角度分解能は5~6arcsecであった。
ロッキングカーブ測定では、X線をGaN結晶のa軸に垂直な方向から試料に入射させた。換言すれば、X線の入射面をGaN結晶のa面と平行にした。(004)XRDロッキングカーブのFWHMは8.5arcsecであった。
サンプルE-1の室温抵抗率と、ホール測定により求めた室温でのキャリア濃度およびキャリア移動度は、それぞれ、0.012Ω・cm、1.5×1018cm-3および347cm2/V・sであった。
サンプルE-1の不純物濃度をダイナミックSIMSにより測定したところ、Ge濃度が1.4×1018atoms/cm3、Si濃度が7.0×1017atoms/cm3、O濃度が6.8×1015atoms/cm3であり、H、ClおよびCの濃度は検出下限未満であった。
このSIMS測定における検出下限濃度は、Geが1×1015atoms/cm3、Siが5×1014atoms/cm3、Oが4×1015atoms/cm3、H(水素)が2×1016atoms/cm3、Cl(塩素)が1×1014atoms/cm3、C(炭素)が3×1015atoms/cm3であった。
シードとして、実験1で作製した第二のc面GaNウエハと同等の結晶品質を有する、Ga極性面の面積が約6cm2で厚さ0.4mmのc面GaNウエハを、鉱化剤にNH4FとNH4Iを使ってアモノサーマル法で成長させたGaN結晶から作製した。このシードのGa極性面上に、実験1で用いたものと同じ気相成長装置を用いて、HVPEでGa
N厚膜を成長させた。手順は概ね以下に記す通りである。
まず、気相成長装置のサセプター上にシードをセットした。エッジカバーは使用しなかった。
次いで、N2、H2およびNH3を、それぞれの分圧が0.67atm、0.31atmおよび0.02atmとなるようにリアクター内に供給しながら、リアクターの外側に設置したヒーターによってリアクター内を加熱した。
成長開始直後から60分間は、GaClおよびNH3をそれぞれの分圧が7.9×10-3atmおよび2.4×10-2atmとなるようにリアクター内に供給し、意図的なドーピングガスの供給は行わなかった。
SiH2Cl2の供給レートが所定値に達した後は、GaCl、NH3およびSiH2Cl2を、それぞれの分圧が7.9×10-3atm、2.4×10-2atmおよび1.9×10-8atmとなるようにリアクター内に供給して、SiドープしたGaN厚膜を約2.38mm成長させた。
厚さと成長時間から算出したSiドープGaN厚膜の成長レートは40μm/hであった。
サンプルE-2の室温抵抗率と、ホール測定により求めた室温におけるキャリア濃度およびキャリア移動度は、それぞれ、0.013Ω・cm、1.3×1018cm-3および391cm2/V・sであった。
サンプルE-2において、Siを除くドナー不純物の総濃度はSi濃度の1%未満であり、キャリア濃度はSi濃度の93%であった。
シードとして、実験1で作製した第二のc面GaNウエハと同等の結晶品質を有する、Ga極性面の面積が約33cm2で厚さ0.4mmのc面GaNウエハを、鉱化剤にNH4FとNH4Iを使ってアモノサーマル法で成長させたGaN結晶から作製した。このシードのGa極性面上に、実験1で用いたものと同型の気相成長装置を用いて、HVPEで
GaN厚膜を成長させた。手順は概ね以下に記す通りである。
まず、気相成長装置のサセプター上にシードをセットするとともに、シードの周囲を高さ6mmのグラファイト製エッジカバーで取り囲んだ。エッジカバーはシードのエッジに密着させた。
サセプター温度が1000℃に到達した後は、サセプター温度を一定に保持し、GaNを成長させた。Gaボートの温度は900℃に設定した。成長時にリアクター内に供給するキャリアガスは、モル比にして75%をH2とし、残りをN2とした。
成長開始から60分後、リアクター内へのSiH2Cl2の供給を開始した。SiH2Cl2の供給レートは5分間かけて徐々に増加させた。
SiH2Cl2の供給レートが所定値に達した後は、GaCl、NH3およびSiH2Cl2を、それぞれの分圧が7.9×10-3atm、2.4×10-2atmおよび1.6×10-3atmとなるようにリアクター内に供給して、SiドープしたGaN厚膜を約2mm成長させた。
厚さと成長時間から算出したSiドープGaN厚膜の成長レートは35μm/hであった。
まず、Ga極性面の略中央を通りm軸に垂直な1本のラインに沿って、長さ40mmにわたり1mm毎にωスキャンを行うことにより、該ライン上に1mmピッチで並んだ40個の測定点での(004)XRDロッキングカーブを得た。X線をGaN結晶のm軸に垂直な方向から試料に入射させたことを除き、各測定点における測定条件は実験1と同じであった。
40個の測定点間での(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値は19.3arcsec、平均値は10.5arcsecであった。
40個の測定点間での(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値は16.2arcsec、平均値は10.4arcsecであった。
Ga極性面の中央で測定したサンプルE-3のキャリア濃度は、1.5×1018cm-3であった。
シードとして、実験1で作製した第二のc面GaNウエハと同等の結晶品質を有する、
Ga極性面の面積が約32cm2で厚さ0.56mmのc面GaNウエハを、鉱化剤にNH4FとNH4Iを使ってアモノサーマル法で成長させたGaN結晶から作製した。このシードのGa極性面上に、実験1で用いたものと同型の気相成長装置を用いて、HVPEでGaN厚膜を成長させた。手順は概ね以下に記す通りである。
まず、気相成長装置のサセプター上にシードをセットするとともに、高さ4mmのグラファイト製エッジカバーで、シードのエッジおよびGa極性面の外周部を覆った。
サセプター温度が960℃に到達したところでGaNの成長を開始した。成長開始から10分後、リアクター内へのSiH2Cl2の供給を開始した。SiH2Cl2の供給レートは30分間かけて徐々に増加させた。
このようにして、SiドープしたGaN厚膜を約2.2mmの厚さに成長させた。成長レートは37μm/hであった。
Ga極性面の中央を通りm軸に垂直な1本のラインに沿って、長さ40mmにわたり1mm毎にωスキャンを行うことにより、該ライン上に1mmピッチで並んだ40個の測定点での(004)XRDロッキングカーブを得た。X線をGaN結晶のm軸に垂直な方向から試料に入射させたことを除き、各測定点における測定条件は実験1と同じであった。
40個の測定点間での(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値は17.8arcsec、平均値は11.2arcsecであった。
SiH2Cl2の供給量を増加させたこと以外はサンプルE-4を成長させたときと略同じ条件を用いて、結晶品質がサンプルE-4と同等で、Ga極性面の中央におけるキャリア濃度が2.8×1018cm-3のc面GaN基板を成長させることも可能だった。
シードとして、実験1で作製した第二のc面GaNウエハと同等の結晶品質を有する、Ga極性面の面積が約33.8cm2で厚さ0.55mmのc面GaNウエハを、鉱化剤にNH4FとNH4Iを使ってアモノサーマル法で成長させたGaN結晶から作製した。このシードのGa極性面上に、実験1で用いたものと同型の気相成長装置を用いて、HVPEでGaN厚膜を成長させた。手順は概ね以下に記す通りである。
まず、気相成長装置のサセプター上にシードをセットするとともに、高さ4mmのグラファイト製エッジカバーで、シードのエッジおよびGa極性面の外周部を覆った。
サセプター温度が1005℃に到達したところでGaNの成長を開始した。成長条件は、ガリウム溜め温度800℃、サセプター温度1005℃、GaCl分圧9.0×10-3atm、NH3分圧4.1×10-2atmとし、リアクター内に供給するキャリアガスは、モル比にして38%をH2とし、残りをN2とした。
とした。
このようにして、GeドープしたGaN厚膜を約3mmの厚さに成長させた。成長レートは47μm/hであった。
まず、Ga極性面の中央を通りm軸に垂直な1本のラインに沿って、長さ40mmにわたり1mm毎にωスキャンを行うことにより、該ライン上に1mmピッチで並んだ40個の測定点での(004)XRDロッキングカーブを得た。X線をGaN結晶のm軸に垂直な方向から試料に入射させたことを除き、各測定点における測定条件は実験1と同じであった。
40個の測定点間での(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値は9.4arcsec、平均値は7.5arcsecであった。
40個の測定点間での(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値は11.0arcsec、平均値は7.9arcsecであった。
Ga極性面の中央で測定したサンプルE-5のキャリア濃度は、4.9×1018cm-3であった。
複数の測定点は、一辺2.88mmの正方格子の格子点に位置しており、その数は381個であった。
381個の測定点間における暗点密度の平均は3.3×104cm-2で、暗点が観察されなかった測定点の数は全体の54%に上った。平均値の算出にあたり、暗点が観察されなかった測定点における暗点密度は0cm-2とし、暗点が1個だけ観察された測定点
における転位密度は、230×230μm2あたり1個であるから、1.9×103cm-2とした。
PLイメージングによる上記の暗点密度測定の後で、サンプルE-5を270℃に加熱した濃度89%の硫酸で1時間エッチングしたところ、そのGa極性面に形成されたエッチピットはPLイメージの暗点と1対1で対応していた。この方法で形成されるエッチピットは、カソードルミネセンス像に現れる暗点とも1対1対応することを、本発明者等は別途確認している。
シードとして、実験1で作製した第二のc面GaNウエハと同等の結晶品質を有するc面GaNウエハを、鉱化剤にNH4FとNH4Iを使ってアモノサーマル法で成長させたGaN結晶から作製した。このシードのGa極性主面上に、実験1で使用したものと同型の気相成長装置を用いて、異なる条件でHVPEによりGaN結晶を成長させることにより、サンプルE-6a~E-6eを作製した。
サンプルE-6a~E-6eのいずれについても、シード上に最初に成長させる第一層は、成長レート約40μm/hで形成した。
サンプルE-6bは、第一層の成長に続いて、成長レート80μm/hで、厚さ40μmの第二層を成長させることにより作製した。
サンプルE-6cは、第一層の成長に続いて、成長レート120μm/hで、厚さ40μmの第二層を成長させることにより作製した。
サンプルE-6dは、第一層の成長に続いて、SiH2Cl2(ジクロロシラン)を用いてSiドープした厚さ21μmの第二層を成長させることにより作製した。
サンプルE-6eは、第一層の成長に続いて、GeCl4(テトラクロロゲルマン)を用いてGeドープした厚さ21μmの第二層を成長させることにより作製した。
サンプルE-6dおよびE-6eの断面を蛍光顕微鏡で観察したところ、第一層と第二層の界面の平坦性は良好であった。
サンプルE-6dおよびE-6eの、ラマン分光法で評価した第二層のキャリア濃度は、どちらも1×1018cm-3であった。
サンプルE-6aの第一層に存在する貫通転位は、シードから伝搬したものだけであった。シードと第一層との界面においても、また、第一層の途中においても、新たな貫通転位の発生は認められなかった。
サンプルE-6bでは、第一層の貫通転位が、第一層と第二層の界面で分岐することなく、第二層に伝搬していた。第二層の途中における新たな貫通転位の発生は認められなかった。
サンプルE-6cでは、サンプルE-6bと異なり、第一層から第二層に伝搬する貫通転位の全てが、第一層と第二層の界面で二分岐していた。つまり、第二層では貫通転位の本数が第一層の2倍となっていた。
サンプルE-6eにおいても、一部の貫通転位が、第一層から第二層に伝搬する際に、第一層と第二層の界面で二分岐していたが、そのような貫通転位の割合は、50にひとつという程度であった。第二層の途中における新たな貫通転位の発生は認められなかった。
このようなサンプルE-6dおよびE-6eの3PPL観察結果は、SiまたはGeの
ドーピングが貫通転位密度に殆ど影響を与えないことを示唆している。
シードとして、実験1で作製した第二のc面GaNウエハと同等の結晶品質を有する、Ga極性面の面積が約24.8cm2で厚さ0.53mmのc面GaNウエハを、鉱化剤にNH4FとNH4Iを使ってアモノサーマル法で成長させたGaN結晶から作製した。このGaN結晶の製造過程では、線幅20μmの線状開口が傾斜した四角格子パターンをなす選択成長マスクが使用された。傾斜した四角格子パターンは、それぞれがa面に平行
で互いに60度の角をなす2つのストライプパターンを重ね合わせたもので、2つのストライプパターンの一方はピッチ2mm、他方はピッチ15mmであった。
このシードのGa極性面上に、実験1で用いたものと同型の気相成長装置を用いて、HVPEでGaN厚膜を成長させた。手順は概ね以下に記す通りである。
まず、気相成長装置のサセプター上にシードをセットするとともに、高さ4mmのグラファイト製エッジカバーで、シードのエッジおよびGa極性面の外周部を覆った。
サセプター温度が1005℃に到達したところでGaNの成長を開始した。成長条件は、ガリウム溜め温度800℃、サセプター温度1005℃、GaCl分圧9.2×10-3atm、NH3分圧4.2×10-2atmとし、リアクター内に供給するキャリアガスは、モル比にして40%をH2とし、残りをN2とした。
とした。また、成長開始から5時間後、4時間かけて徐々にGaCl分圧9.4×10-3atmとした。
このようにして、GeドープしたGaN厚膜を約3mmの厚さに成長させた。成長レートは43μm/hであった。
Ga極性面の中央で測定したサンプルE-7のキャリア濃度は、2.0×1018cm-3であった。
行った。(110)結晶面からの回折を利用して得られた20mm×20mmの正方形エリアの透過X線トポグラフィ像を図16に示す。使用したX線源はMoKαで、試料の厚さは400μmであったから、μ・t=11.6であった。従って、該X線トポグラフィ像は異常透過像である。
過去に、HVPEで成長されたGaN結晶からなるm面GaNウエハでX線異常透過像が観察された例(WO2015/020161)はあるが、HVPEで成長されたc面GaNウエハにおけるX線の異常透過を報告するのは、本願が初めてではないかと思われる。
図16を参照すると、図中を左右方向に延びる欠陥アレイからなるストライプと、該ストライプから60度傾斜した、左下から右上方向に延びる欠陥領域が観察される。該ストライプはa面に平行でピッチが2mmであり、シード用のc面GaNウエハの製造過程で
用いられた選択成長マスクのパターンを反映している。
ドーパントをGeからSiに変更したこと以外は実質的に同じ方法で作製した厚さ350μmのc面GaNウエハにおいても、20mm×20mmの正方形エリアの透過X線トポグラフィ像を得ることができた。
11、21 第一主面
12、22 第二主面
20 ウエハ
40 二層ウエハ
43 再成長界面
100 HVPE装置
101 リアクター
102 ガリウム溜め
103 サセプター
104 第一ヒーター
105 第二ヒーター
Z1 第一ゾーン
Z2 第二ゾーン
P1 アンモニア導入管
P2 塩化水素導入管
P3 塩化ガリウム導入管
P4 ドーパント導入管
PE 排気管
Claims (65)
- 互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、
45mm以上の直径を有し、30cm2以下の面積を有すること、
(004)XRDロッキングカーブFWHMが20arcsec未満であること、および、不純物濃度に関して下記(a)~(c)の全ての条件を充たすことを特徴とするn型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、
該一方の主面上で少なくとも1本のラインに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、
不純物濃度に関して下記(a)~(c)の全ての条件を充たすこと
を特徴とする、n型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 前記全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下である、請求項2に記載のn型GaN結晶。
- 互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、
該一方の主面上で少なくとも2本の互いに垂直なラインのそれぞれに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcs
ec以下であること、および、
不純物濃度に関して下記(a)~(c)の全ての条件を充たすこと
を特徴とする、n型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 前記各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下である、請求項4に記載のn型GaN結晶。
- Si濃度が5×1017atoms/cm3以下である、請求項1~5のいずれか一項に記載のn型GaN結晶。
- Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、請求項1~6のいずれか一項に記載のn型GaN結晶。
- 5×1017cm-3未満のキャリア濃度と、0.04Ω・cm以上の室温抵抗率の、少なくともいずれかを有する、請求項1~7のいずれか一項に記載のn型GaN結晶。
- 請求項1~8のいずれか一項に記載のn型GaN結晶からなるGaNウエハ。
- 請求項1~8のいずれか一項に記載のn型GaN結晶からなる裏層と、再成長界面を介して該n型GaN結晶のGa極性側の主面上に形成された、GaNからなる最小厚20μm以上のおもて層とを有し、該おもて層では少なくとも上面から距離5μm以内の部分が高キャリア濃度領域に含まれ、該高キャリア濃度領域はキャリア濃度の下限が1×1018cm-3以上の領域である、二層GaNウエハ。
- 前記おもて層では少なくとも上面から20μm以内の部分が前記高キャリア濃度領域に含まれる、請求項10に記載の二層GaNウエハ。
- 前記高キャリア濃度領域は、キャリア濃度の下限が2×1018cm-3以上の領域である、請求項10または11に記載の二層GaNウエハ。
- 前記おもて層が、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たす、請求項10~12のいずれか一項に記載の二層GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 前記おもて層が不純物濃度に関する前記条件(a)~(c)の全てを充たす、請求項13に記載の二層GaNウエハ。
- 前記おもて層におけるO濃度が3×1016atoms/cm3以下である、請求項10~14のいずれか一項に記載の二層GaNウエハ。
- 前記高キャリア濃度領域がSiでドープされている、請求項10~15のいずれか一項に記載の二層GaNウエハ。
- 前記おもて層における、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、請求項16に記載の二層GaNウエハ。
- 前記高キャリア濃度領域がGeでドープされている、請求項10~16のいずれか一項に記載の二層GaNウエハ。
- 前記おもて層における、Ge、Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、請求項18に記載の二層GaNウエハ。
- 前記高キャリア濃度領域では、c軸方向に沿ったキャリア濃度またはドナー不純物の総濃度の変動が、中央値から±25%以内である、請求項10~19のいずれか一項に記載の二層GaNウエハ。
- 請求項1~8のいずれか一項に記載のn型GaN結晶からなる裏層と、再成長界面を介して該n型GaN結晶のGa極性側の主面上に形成された、GaNからなる最小厚20μm以上のおもて層とを有し、該おもて層では少なくとも上面から距離5μm以内の部分がキャリア補償領域に含まれ、該キャリア補償領域は補償不純物の総濃度の下限が1×1017atoms/cm3以上の領域である、二層GaNウエハ。
- 前記おもて層では少なくとも上面から20μm以内の部分が前記キャリア補償領域に含まれる、請求項21に記載の二層GaNウエハ。
- 前記キャリア補償領域は、補償不純物の総濃度の下限が2×1017atoms/cm3以上の領域である、請求項21または22に記載の二層GaNウエハ。
- 前記おもて層が、不純物濃度に関して下記(a)~(c)から選ばれる一以上の条件を充たす、請求項21~23のいずれか一項に記載の二層GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 前記キャリア補償領域では、c軸方向に沿った補償不純物の総濃度の変動が、中央値から±25%以内である、請求項21~24のいずれか一項に記載の二層GaNウエハ。
- 当該二層GaNウエハの厚さが300μmより大きく、前記おもて層の最大厚が300μm以下である、請求項10~25のいずれか一項に記載の二層GaNウエハ。
- 前記おもて層の最小厚が50μm以上である、請求項10~26のいずれか一項に記載の二層GaNウエハ。
- 前記おもて層の最大厚と最小厚の差が200μm以下である、請求項10~27のいずれか一項に記載の二層GaNウエハ。
- 請求項9~28のいずれか一項に記載のウエハを準備するステップと、該準備したウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなるエピタキシャルウエハの製造方法。
- 請求項9~28のいずれか一項に記載のウエハと、該GaNウエハ上にエピタキシャル成長したひとつ以上の窒化物半導体層と、からなるエピタキシャルウエハ。
- 請求項9~28のいずれか一項に記載のウエハを準備するステップと、該準備したウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなる窒
化物半導体デバイスの製造方法。 - 請求項9に記載のGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハのGa極性側の主面上に厚さ20μm以上のGaN層をエピタキシャル成長させるステップとを有し、該GaN層には高キャリア濃度領域またはキャリア補償領域が設けられ、該高キャリア濃度領域はキャリア濃度の下限が1×1018cm-3以上の領域であり、該キャリア補償領域は補償不純物の総濃度の下限が2×1017atoms/cm3以上の領域である、二層GaNウエハの製造方法。
- 前記エピタキシャル成長させるステップでは、前記GaN層をHVPEで成長させる、請求項32に記載の製造方法。
- 前記GaN層の厚さが500μm以下である、請求項32または33に記載の製造方法。
- 前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域は、キャリア濃度の下限が2×1018cm-3以上の領域である、請求項32~34のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記GaN層には前記高キャリア濃度が設けられ、前記高キャリア濃度領域がGeでドープされる、請求項32~35のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記GaN層には前記高キャリア濃度が設けられ、前記高キャリア濃度領域がSiで意図的にドープされる、請求項32~36のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記GaN層には前記キャリア補償領域が設けられ、前記キャリア補償領域は、補償不純物の総濃度の下限が5×1017atoms/cm3以上の領域である、請求項32~34のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記エピタキシャル成長させるステップで得た積層体を薄化するステップを更に有する、請求項32~38のいずれか一項に記載の製造方法。
- 請求項9に記載のGaNウエハを準備するステップと、該準備したGaNウエハの上にGaNをエピタキシャル成長させるステップと、を有するバルクGaN結晶の製造方法。
- 導電型がn型であること、
45mm以上の直径を有し、30cm2以下の面積を有すること、
(004)XRDロッキングカーブFWHMが20arcsec未満であること、および、
不純物濃度に関して下記(a)~(c)の全ての条件を充たすこと
を特徴とするc面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 導電型がn型であること、
一方の主面上で少なくとも1本のラインに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、
不純物濃度に関して下記(a)~(c)の全ての条件を充たすこと
を特徴とする、c面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 前記全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下である、請求項42に記載のc面GaNウエハ。
- 導電型がn型であること、
一方の主面上で少なくとも2本の互いに垂直なラインのそれぞれに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの最大値が20arcsec以下であること、および、
不純物濃度に関して下記(a)~(c)の全ての条件を充たすこと
を特徴とする、c面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 前記各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下である、請求項44に記載のc面GaNウエハ。
- おもて面の中心を通りx方向に延びるライン上におけるオフカット角のx方向成分の変動幅と、おもて面の中心を通り該x方向に垂直なy方向に延びるライン上におけるオフカット角のy方向成分の変動幅が、それぞれ、長さ40mmの区間内で0.15度以下である、請求項41~45のいずれか一項に記載のc面GaNウエハ。
- Si濃度が5×1017atoms/cm3以下である、請求項41~46のいずれか一項に記載のc面GaNウエハ。
- Si、OおよびHを除く各不純物の濃度が5×1015atoms/cm3以下である、請求項41~47のいずれか一項に記載のc面GaNウエハ。
- 5×1017cm-3未満のキャリア濃度と、0.04Ω・cm以上の室温抵抗率の、少なくともいずれかを有する、請求項41~48のいずれか一項に記載のc面GaNウエハ。
- 請求項41~49のいずれか一項に記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなるエピタキシャルウエハの製造方法。
- 請求項41~49のいずれか一項に記載のc面GaNウエハと、該c面GaN上にエピタキシャル成長したひとつ以上の窒化物半導体層と、からなるエピタキシャルウエハ。
- 請求項41~49のいずれか一項に記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にひとつ以上の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと、からなる窒化物半導体デバイスの製造方法。
- 請求項41~49のいずれか一項に記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハのGa極性側の主面上に厚さ20μm以上のGaN層をエピタキシャル成長させるステップとを有し、該GaN層には高キャリア濃度領域またはキャリア
補償領域が設けられ、該高キャリア濃度領域はキャリア濃度の下限が1×1018cm-3以上の領域であり、該キャリア補償領域は補償不純物の総濃度の下限が2×1017atoms/cm3以上の領域である、二層GaNウエハの製造方法。 - 前記エピタキシャル成長させるステップでは、前記GaN層をHVPEで成長させる、請求項53に記載の製造方法。
- 前記GaN層の厚さが500μm以下である、請求項53または54に記載の製造方法。
- 前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域は、キャリア濃度の下限が2×1018cm-3以上の領域である、請求項53~55のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域がGeでドープされる、請求項53~56のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記GaN層には前記高キャリア濃度領域が設けられ、前記高キャリア濃度領域がSiで意図的にドープされる、請求項53~57のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記GaN層には前記キャリア補償領域が設けられ、前記キャリア補償領域は、補償不純物の総濃度の下限が5×1017atoms/cm3以上の領域である、請求項53~55のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記エピタキシャル成長させるステップで得た積層体を薄化するステップを更に有する、請求項53~59のいずれか一項に記載の製造方法。
- 請求項41~49のいずれか一項に記載のc面GaNウエハを準備するステップと、該準備したc面GaNウエハの上にGaNをエピタキシャル成長させるステップと、を有するバルクGaN結晶の製造方法。
- 互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、
該一方の主面上で少なくとも1本のラインに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下であること、および、
不純物濃度に関して下記(a)~(c)のすべての条件を充たすこと
を特徴とする、n型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 互いに反対方向を向いた2つの主面を有し、該2つの主面の一方はGa極性であって(0001)結晶面に対する傾斜が0度以上10度以下であるn型GaN結晶において、
該一方の主面上で少なくとも2本の互いに垂直なラインのそれぞれに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下であること、および、
不純物濃度に関して下記(a)~(c)のすべての条件を充たすこと
を特徴とする、n型GaN結晶:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 導電型がn型であること、
一方の主面上で少なくとも1本のラインに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下であること、および、
不純物濃度に関して下記(a)~(c)のすべての条件を充たすこと
を特徴とする、c面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。 - 導電型がn型であること、
一方の主面上で少なくとも2本の互いに垂直なラインのそれぞれに沿って長さ40mmにわたり1mm毎に(004)XRDロッキングカーブを測定したときに、各ライン上の全測定点間における(004)XRDロッキングカーブFWHMの平均値が18arcsec以下であること、および、
不純物濃度に関して下記(a)~(c)のすべての条件を充たすこと
を特徴とする、c面GaNウエハ:
(a)Si濃度が5×1016atoms/cm3以上である;
(b)O濃度が3×1016atoms/cm3以下である;
(c)H濃度が1×1017atoms/cm3以下である。
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