JP7197646B1 - 電気的検出位置を有する垂直型発光ダイオードチップパッケージ - Google Patents
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Abstract
Description
図2及び図3に示すように、本発明の第1実施例は発光ダイオードチップ10と、パッケージングキャリア30とを含み、発光ダイオードチップ10はチップ導電性ベース構造11と、界面横方向延伸構造12と、半導体エピタキシャル構造13と、N型電極14と、P型分流検出電極15とを有し、チップ導電性ベース構造11は下方側に位置するP型一次電極16を有し、チップ導電性ベース構造11のP型一次電極16から遠い側には界面横方向延伸構造12が設けられ、界面横方向延伸構造12の上方平面には半導体エピタキシャル構造13、P型分流検出電極15がそれぞれ設けられ、半導体エピタキシャル構造13とチップ導電性ベース構造11は界面横方向延伸構造12を介してオーミック接触しており、半導体エピタキシャル構造13のチップ導電性ベース構造11から遠い側にはN型電極14が設けられる。
1.P型分流検出電極は半導体エピタキシャル構造とチップ導電性ベース構造の界面における界面横方向延伸構造に位置し、電気的テスト第2位置接点がP型分流検出電極に接続していれば、半導体エピタキシャル構造とチップ導電性ベース構造のそれぞれの電気的特性を測定でき、半導体部品の特性の正確なテストを行うことで、信頼性を一層向上させる。
1A 半導体エピタキシャル構造
1B 界面構造
1C チップ導電性ベース構造
1C1 代替基板接着層
2 P電極
3 パッケージングキャリア
4 ダイボンディング導電性ベース
4A ダイボンディング接着層
5 N電極
6 金線
7 ワイヤーボンディング端子
8 導電性金属
9A アノード
9B カソード
10 発光ダイオードチップ
11 チップ導電性ベース構造
11A 高熱伝導性代替基板
11B 代替基板接着層
11C 構造金属層
12 界面横方向延伸構造
12A 高導電性金属層
12B オーミック接触層
12B1 オーミック接触金属
12B2 透明材料
13 半導体エピタキシャル構造
13A P型半導体
13B 活性層
13C N型半導体
14 N型電極
15 P型分流検出電極
16 P型一次電極
30 パッケージングキャリア
301 上側平面
302 下側平面
303,304,305,306金属導電層
311 カソード
313 アノード
315 かさ上げ層
33 ダイボンディングベース
34A、34B、34C ワイヤーボンディング端子
41 主部品第1電極
42 主部品第2電極
43 主部品第3電極
431 ダイボンディング接着層
51 電気的テスト第1位置接点
52 電気的テスト第2位置接点
53 電気的テスト第3位置接点
54 電気的テスト第4位置接点
61 チップ第1ワイヤーボンディング金属
62 チップ第2ワイヤーボンディング金属
71 貫通するキャリア金属である第1導電性金属
73 貫通するキャリア金属である第2導電性金属
81 副部品第1電極
84 部品第2電極
85 ツェナーダイオード
85A、85B 単方向ツェナーダイオード
90 導電性金属
91 パッケージング材
92 第1パッケージング材
93 第2パッケージング材
Claims (15)
- チップ導電性ベース構造と、界面横方向延伸構造と、半導体エピタキシャル構造と、N型電極と、P型分流検出電極とを有し、前記チップ導電性ベース構造は下方側に位置するP型一次電極を有し、前記チップ導電性ベース構造の前記P型一次電極から遠い側には前記界面横方向延伸構造が設けられ、前記界面横方向延伸構造の上方平面には前記半導体エピタキシャル構造、前記P型分流検出電極がそれぞれ設けられ、前記半導体エピタキシャル構造と前記チップ導電性ベース構造は前記界面横方向延伸構造を介してオーミック接触しており、前記半導体エピタキシャル構造の前記チップ導電性ベース構造から遠い側には前記N型電極が設けられ、前記チップ導電性ベース構造は構造金属層と、代替基板接着層と、高熱伝導性代替基板とをさらに有し、前記構造金属層は前記界面横方向延伸構造の下方に位置し、前記構造金属層の下方は前記代替基板接着層によって前記高熱伝導性代替基板に接着され、前記高熱伝導性代替基板の下方に前記P型一次電極が設けられる発光ダイオードチップと、
両側に位置する上側平面と、下側平面とを有し、前記下側平面にはアノードとカソードとが設けられ、前記上側平面には主部品第1電極と、主部品第2電極と、主部品第3電極と、電気的テスト第1位置接点と、電気的テスト第2位置接点と、電気的テスト第3位置接点とが設けられ、前記N型電極と前記主部品第1電極はチップ第1ワイヤーボンディング金属によって電気的に接続され、前記P型分流検出電極と前記主部品第2電極はチップ第2ワイヤーボンディング金属によって電気的に接続され、前記P型一次電極はキャリアダイボンディング接着層を介してそのまま前記主部品第3電極に接着されて電気的に接続され、前記電気的テスト第1位置接点は前記主部品第1電極及び前記カソードに電気的に接続され、前記電気的テスト第2位置接点は前記主部品第2電極に電気的に接続され、前記電気的テスト第3位置接点は前記主部品第3電極及び前記アノードに電気的に接続されるパッケージングキャリアとを含むことを特徴とする電気的検出位置を有する垂直型発光ダイオードチップパッケージ。 - 前記パッケージングキャリアは副部品第1電極と、副部品第2電極と、電気的テスト第4位置接点とをさらに含み、前記副部品第1電極は前記電気的テスト第1位置接点に電気的に接続され、前記副部品第2電極は前記電気的テスト第4位置接点に電気的に接続され、且つ前記副部品第1電極と前記副部品第2電極との間にはツェナーダイオードが電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記ツェナーダイオードは単方向ダイオードであり、且つ前記ツェナーダイオードは反対の極性で前記発光ダイオードチップに並列に接続されることを特徴とする請求項2に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記電気的テスト第2位置接点、前記電気的テスト第3位置接点及び前記電気的テスト第4位置接点は導電性金属を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項2に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記パッケージングキャリアの前記上側平面を覆ってパッケージングするパッケージング材をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記発光ダイオードチップ、前記チップ第1ワイヤーボンディング金属、前記チップ第2ワイヤーボンディング金属、前記ツェナーダイオード、前記主部品第1電極、前記主部品第2電極、前記主部品第3電極、前記副部品第1電極及び前記副部品第2電極を覆う第1パッケージング材をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記電気的テスト第2位置接点、前記電気的テスト第3位置接点及び前記電気的テスト第4位置接点は導電性金属を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項6に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記導電性金属、前記電気的テスト第1位置接点、前記電気的テスト第2位置接点、前記電気的テスト第3位置接点及び前記電気的テスト第4位置接点を覆う第2パッケージング材をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記主部品第1電極と前記カソードは前記パッケージングキャリアを貫通するキャリア金属である第1導電性金属を介して電気的に接続され、前記主部品第3電極と前記アノードは前記パッケージングキャリアを貫通するキャリア金属である第2導電性金属を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記半導体エピタキシャル構造は順に積層されるP型半導体と、活性層と、N型半導体とを含み、前記N型電極は前記N型半導体に位置し、且つ前記P型半導体と前記P型分流検出電極はそれぞれ前記界面横方向延伸構造の異なる位置に位置することを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記界面横方向延伸構造は順に積層される高導電性金属層と、オーミック接触層と、高濃度P型半導体導電層とを含み、且つ前記P型分流検出電極は前記界面横方向延伸構造の縁部に位置することを特徴とする請求項10に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記高導電性金属層は前記構造金属層の上方に位置し、前記P型半導体と前記P型分流検出電極はそれぞれ前記高濃度P型半導体導電層に位置することを特徴とする請求項11に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記高導電性金属層は前記構造金属層の上方に位置し、前記P型半導体は前記高濃度P型半導体導電層に位置し、前記P型分流検出電極は前記オーミック接触層に位置することを特徴とする請求項11に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記高導電性金属層は前記構造金属層の上方に位置し、前記P型半導体は前記高濃度P型半導体導電層に位置し、前記P型分流検出電極は前記高導電性金属層に位置することを特徴とする請求項11に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
- 前記オーミック接触層はオーミック接触金属と透明材料の組み合わせであり、且つ前記オーミック接触金属は複数の円筒状構造であることを特徴とする請求項11に記載の垂直型発光ダイオードチップパッケージ。
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