JP7194918B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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Description
本開示の第1実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、第1実施形態に係る固体撮像素子の製造方法について図2~図10を参照しながら説明する。
以下、第1実施形態の一変形例について図11を参照しながら説明する。
以下、本開示の第2実施形態について図面を参照しながら説明する。図12及び図13は第2実施形態に係る固体撮像素子の一例を示している。ここでは、固体撮像素子100Bにおける単位画素を示している。
101 半導体基板
102 光電変換層
103 フローティングディフュージョン(FD)部
104 配線層(下層)
106 配線層(上層)
107 導波路
108 電荷蓄積部
108a 開口部
109、109B 下部電極
109A 下部電極形成膜
110 容量膜
110A 容量膜形成膜
111、111B 上部電極
111A 上部電極形成膜
111a 段差部
112 高屈折率絶縁膜(埋め込み絶縁膜)
203 層間絶縁膜(上層)
Claims (10)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた光電変換部と、
前記半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜における前記光電変換部の上に設けられ、前記光電変換部に受光光を導入する導波路と、
前記導波路の少なくとも側壁上に順次積層された下部電極、容量膜及び上部電極を有する電荷蓄積部と、
前記層間絶縁膜の内部に設けられた複数の配線層とを備え、
前記下部電極は、前記複数の配線層のうちの下層の配線層と前記導波路の側壁上で電気的に接続され、前記層間絶縁膜の上面に延伸しておらず、
前記容量膜及び上部電極は、前記層間絶縁膜の上面に延伸しており、
前記上部電極は、その上端部が前記層間絶縁膜の上面において前記複数の配線層のうちの最上層の配線層と接続されている、
固体撮像素子。 - 請求項1に記載の固体撮像素子において、
前記上部電極における前記最上層の配線層上での厚さは、他の部分での厚さよりも大きい、固体撮像素子。 - 請求項1または2に記載の固体撮像素子において、
前記導波路の側壁上において、前記下部電極の厚さは、前記上部電極の厚さよりも大きい、固体撮像素子。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像素子において、
前記導波路は埋め込み絶縁膜により埋め込まれており、
前記埋め込み絶縁膜は、シリコン窒化膜である、固体撮像素子。 - 請求項1~4のいずれか1項に記載の固体撮像素子において、
前記電荷蓄積部は、前記導波路の底部において前記半導体基板を露出する開口部を有している、固体撮像素子。 - 請求項5に記載の固体撮像素子において、
前記電荷蓄積部における前記開口部側の端面は、前記上部電極と前記容量膜との間、及び前記容量膜と前記下部電極との間の少なくとも一方において段差部を形成している、固体撮像素子。 - 請求項1~4のいずれか1項に記載の固体撮像素子において、
前記電荷蓄積部は、前記導波路の底部において、前記下部電極を残して前記容量膜及び上部電極が除かれている、固体撮像素子。 - 請求項7に記載の固体撮像素子において、
前記下部電極は、透明電極である、固体撮像素子。 - 請求項1に記載の固体撮像素子において、
前記半導体基板に設けられ、前記光電変換部により変換された電荷を蓄積するフローティングディフュージョン部をさらに備え、
前記フローティングディフュージョン部は、前記上部電極における前記層間絶縁膜の前記上面に延伸した部分の下側に配置されている、固体撮像素子。 - 請求項9に記載の固体撮像素子において、
前記フローティングディフュージョン部は、平面視において、前記上部電極における前記層間絶縁膜の前記上面に延伸した部分と重なっている、固体撮像素子。
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