JP7187139B2 - 接触燃焼式ガスセンサ - Google Patents
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Description
なお、本実施形態における可燃性ガスとは、燃焼反応によって水が生成するガスのことであり、例えば、水素、メタン、イソブタン、エタン、プロパン等が挙げられる。
なお、被支持基板部10の上面視の形状は、本実施形態に限らず、円形・楕円形などの形状でもよい。
また、例えば被支持基板部10を正方形とした場合、一辺のサイズは100~200μmである。
なお、接触燃焼式ガスセンサ100の制御部により、可燃性ガスの存在が確認された後に、一定時間ヒーター40を駆動するように制御して、消費電力を抑えるように構成してもよい。
なお、ヒーター40は、検知素子1及び補償素子2のそれぞれの周囲を加熱できるものであれば、本実施形態のパターン形状に限らず、どのようなパターン形状であってもよい。例えば、検知素子1及び補償素子2のそれぞれの周囲において比較的低温となり易い部分にヒーターを部分的に設ける構成としてもよい。
また、ヒーター40は、少なくとも燃焼反応により水が生成する検知素子1の周囲に設ければよい。
また、ヒーター40による加熱温度は、水が気化する温度以上であればよく、例えば、80℃以上が好ましい。
また、ヒーター40による加熱温度は、上記のとおり水が気化する温度以上であればよいが、省電力の観点から、加熱温度はできるだけ低いほうが好ましい。
また、ヒーター40が配置される範囲は、省電力の観点から、できるだけ狭い範囲であるほうが好ましい。
また、ヒーター40による加熱は、常時加熱しても、所定間隔毎に加熱(間欠的に加熱)してもよいが、省電力の観点からは水素などの可燃性ガスが検出された場合(水が生じる可能性が高い場合)のみ加熱を行うようにしてもよい。
なお、図4に示すグラフは、縦軸が従来の接触燃焼式ガスセンサのセンサ出力(mV)であり、横軸が時間(sec.)であり、ガス感応部の温度を300℃に維持して爆発下限界(LEL)までの可燃性ガスの濃度を所定時間経過毎に増加させていったものである。
31 シリコン基板
40 ヒーター
60 接触燃焼式ガス検知素子
100 接触燃焼式ガスセンサ
Claims (5)
- 可燃性ガスの燃焼熱に応じて抵抗値が変化する検知素子と、
前記可燃性ガスの燃焼によって生成される水を加熱によって除去する加熱除去手段と、
前記検知素子が支持される基板と、 を備え、
前記検知素子は、ガス感応部と当該ガス感応部を加熱するための加熱手段とを有し、
前記加熱除去手段は、前記基板に設けられる 接触燃焼式ガスセンサ。 - 前記検知素子は、前記基板に中空状態で支持される請求項1に記載の接触燃焼式ガスセンサ。
- 前記検知素子と並列に接続される補償素子をさらに備え、
前記除去手段は、少なくとも前記検知素子の周囲に設けられる請求項1または2に記載の接触燃焼式ガスセンサ。 - 前記除去手段は、前記基板における前記可燃性ガスの曝露面側に配置される請求項1~3の何れかに記載の接触燃焼式ガスセンサ。
- MEMS技術により形成した請求項1~4の何れか一項に記載の接触燃焼式ガスセンサ。
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