JP7184865B2 - 配線回路基板集合体シート - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板集合体シートに関する。

従来、複数の配線回路基板と、複数の配線回路基板を支持する支持枠とを備える配線回路基板集合体シートにおいて、支持枠にダミーパターンを設けることが知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。

特開２００６－１２８４０９号公報

特許文献１に記載されるような配線回路基板集合体シートにおいて、ダミーパターンの配線密度と、配線回路基板の導体パターンの配線密度との差が大きいと、配線回路基板の導体パターンの厚みが不均一である場合がある。

本発明は、導体パターンの厚みの均一化が図られた配線回路基板を得ることができる配線回路基板集合体シートを提供する。

本発明［１］は、絶縁層と、前記絶縁層の上に位置する導体パターンとを有する配線回路基板と、前記配線回路基板を支持するフレームであって、前記導体パターンと同じ材料からなるダミー導体パターンを有するフレームとを備え、前記配線回路基板が、前記ダミー導体パターンから離れて位置する第１エッジと、前記第１エッジと前記ダミー導体パターンとの間に位置する第２エッジと、を有し、前記フレームが、前記ダミー導体パターンを含むダミー形成領域であって、前記第２エッジと直交する方向において、前記第２エッジから５ｍｍの幅を有し、前記第２エッジが延びる方向において、前記配線回路基板と同じ長さを有するダミー形成領域を有し、前記絶縁層の面積に対する前記導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、５０％以下である、配線回路基板集合体シートを含む。

このような構成によれば、絶縁層の面積に対する導体パターンの面積の百分率と、ダミー形成領域の面積に対するダミー導体パターンの面積の百分率との差が、５０％以下に調節されている。

言い換えると、ダミー形成領域におけるダミー導体パターンの密度が、配線回路基板における導体パターンの密度と近似している。

そのため、導体パターンが形成されたときに、導体パターンの厚みの均一化が図られている。

その結果、導体パターンの厚みの均一化が図られた配線回路基板を得ることができる。

本発明［２］は、前記絶縁層の面積に対する前記導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、３０％以下である、上記［１］の配線回路基板集合体シートを含む。

本発明［３］は、前記導体パターンが、第１の厚みの第１導体パターンと、前記第１の厚みよりも厚い第２の厚みの第２導体パターンとを有し、前記ダミー導体パターンは、前記第１の厚みの第１ダミー導体パターンと、前記第２の厚みの第２ダミー導体パターンとを有する、上記［１］または［２］の配線回路基板集合体シートを含む。

本発明［４］は、前記絶縁層の面積に対する前記第１導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記第１ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、０％以上、５０％以下であり、前記絶縁層の面積に対する前記第２導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記第２ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、５０％以下である、上記［３］の配線回路基板集合体シートを含む。

本発明［５］は、前記絶縁層の面積に対する前記第１導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記第１ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、３０％以下であり、前記絶縁層の面積に対する前記第２導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記第２ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、３０％以下である、上記［３］の配線回路基板集合体シートを含む。

本発明の配線回路基板集合体シートによれば、導体パターンの厚みの均一化が図られた配線回路基板を得ることができる。

図１は、本発明の一実施形態としての配線回路基板集合体シートの平面図である。 図２は、図１に示す配線回路基板集合体シートの一部を拡大した拡大図である。 図３は、図２に示す配線回路基板集合体シートのＡ－Ａ断面図である。 図４Ａから図４Ｃは、配線回路基板集合体シートの製造方法を説明するための説明図であって、図４Ａは、第１絶縁層形成工程を示し、図４Ｂは、レジスト工程において、メッキレジストのフィルムを露光する工程を示し、図４Ｃは、レジスト工程において、メッキレジストのフィルムを現像する工程を示す。 図５Ａから図５Ｃは、図４Ｃに続いて、配線回路基板集合体シートの製造方法を説明するための説明図であって、図５Ａは、パターン形成工程において、電解メッキにより導体パターンおよびダミー導体パターンを形成する工程を示し、図５Ｂは、パターン形成工程において、メッキレジスト層を剥離する工程を示し、図５Ｃは、第２絶縁層形成工程を示す。 図６は、第１の変形例を説明するための説明図である。 図７は、第２の変形例を説明するための説明図である。 図８は、第３の変形例の配線回路基板集合体シートの断面図である。 図９Ａから図９Ｄは、第３の変形例の配線回路基板集合体シートの製造方法を説明するための説明図であって、図９Ａは、第１レジスト工程において、メッキレジストのフィルムを露光する工程を示し、図９Ｂは、第１レジスト工程において、メッキレジストのフィルムを現像する工程を示し、図９Ｃは、第１パターン形成工程において、電解メッキにより第１導体パターンおよび第１ダミー導体パターンを形成する工程を示し、図９Ｄは、第１パターン形成工程において、メッキレジスト層を剥離する工程を示す。 図１０Ａから図１０Ｄは、図９Ｄに続いて、第３の変形例の配線回路基板集合体シートの製造方法を説明するための説明図であって、図１０Ａは、第２レジスト工程において、メッキレジストのフィルムを露光する工程を示し、図１０Ｂは、第２レジスト工程において、メッキレジストのフィルムを現像する工程を示し、図１０Ｃは、第２パターン形成工程において、電解メッキにより第２導体パターンおよび第２ダミー導体パターンを形成する工程を示し、図１０Ｄは、第２パターン形成工程において、メッキレジスト層を剥離する工程を示す。 図１１は、第４の変形例を説明するための説明図である。

１．配線回路基板集合体シート
図１に示すように、配線回路基板集合体シート１は、第１方向および第２方向に延びるシート形状を有する。第２方向は、第１方向と直交する。配線回路基板集合体シート１は、複数の配線回路基板２と、フレーム３とを備える。

（１）配線回路基板
複数の配線回路基板２は、第１方向に互いに間隔を隔てて並ぶとともに、第２方向に互いに間隔を隔てて並ぶ。以下、配線回路基板集合体シート１中の１つの配線回路基板２について説明する。

図２に示すように、配線回路基板２は、第１方向および第２方向に延びる。配線回路基板２は、複数のエッジＥ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４を有する。本実施形態では、配線回路基板２は、略矩形状を有する。なお、配線回路基板２の形状は、限定されない。エッジＥ１は、第１方向における配線回路基板２の一端部に位置する。エッジＥ２は、第１方向における配線回路基板２の他端部に位置する。エッジＥ２は、第１方向において、エッジＥ１から離れて位置する。エッジＥ３は、第２方向における配線回路基板２の一端部に位置する。エッジＥ４は、第２方向における配線回路基板２の他端部に位置する。エッジＥ４は、第２方向において、エッジＥ３から離れて位置する。

図３に示すように、本実施形態では、配線回路基板２は、支持層２１と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層２２と、導体パターン２３と、カバー絶縁層２４とを有する。

（１－１）支持層
支持層２１は、ベース絶縁層２２、導体パターン２３、および、カバー絶縁層２４を支持する。支持層２１は、例えば、金属からなる。金属としては、例えば、ステンレス合金、銅合金が挙げられる。

（１－２）ベース絶縁層
ベース絶縁層２２は、配線回路基板集合体シート１の厚み方向において、支持層２１の上に位置する。厚み方向は、第１方向および第２方向と直交する。ベース絶縁層２２は、厚み方向において、支持層２１と導体パターン２３との間に位置する。ベース絶縁層２２は、支持層２１と導体パターン２３とを絶縁する。ベース絶縁層２２は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。

（１－３）導体パターン
導体パターン２３は、厚み方向において、ベース絶縁層２２の上に位置する。導体パターン２３は、厚み方向において、ベース絶縁層２２に対して、支持層２１の反対側に位置する。導体パターン２３は、金属からなる。金属としては、例えば、銅が挙げられる。

図２に示すように、導体パターン２３は、複数の第１端子２３１Ａ、２３１Ｂ、２３１Ｃ、２３１Ｄと、複数の第２端子２３２Ａ、２３２Ｂ、２３２Ｃ、２３２Ｄと、複数の配線２３３Ａ、２３３Ｂ、２３３Ｃ、２３３Ｄとを有する。なお、第１端子の数、第２端子の数、および配線の数は、限定されない。

第１端子２３１Ａ、２３１Ｂ、２３１Ｃ、２３１Ｄは、第２方向における配線回路基板２の一端部に位置する。本実施形態では、第１端子２３１Ａ、２３１Ｂ、２３１Ｃ、２３１Ｄは、互いに間隔を隔てて、第１方向に並ぶ。第１端子２３１Ａ、２３１Ｂ、２３１Ｃ、２３１Ｄのそれぞれは、角ランド形状を有する。

第２端子２３２Ａ、２３２Ｂ、２３２Ｃ、２３２Ｄは、第２方向における配線回路基板２の他端部に位置する。本実施形態では、第２端子２３２Ａ、２３２Ｂ、２３２Ｃ、２３２Ｄは、互いに間隔を隔てて、第１方向に並ぶ。第２端子２３２Ａ、２３２Ｂ、２３２Ｃ、２３２Ｄのそれぞれは、角ランド形状を有する。

配線２３３Ａは、第１端子２３１Ａと第２端子２３２Ａとを電気的に接続する。配線２３３Ｂは、第１端子２３１Ｂと第２端子２３２Ｂとを電気的に接続する。配線２３３Ｃは、第１端子２３１Ｃと第２端子２３２Ｃとを電気的に接続する。配線２３３Ｄは、第１端子２３１Ｄと第２端子２３２Ｄとを電気的に接続する。

導体パターン２３の厚みの測定値と設計値との差は、設計値に対して、例えば、１０％以下、好ましくは、５％以下である。導体パターン２３の厚みの測定値と設計値との差の下限値は、限定されない。導体パターン２３の厚みの測定値と設計値との差は、０％であってもよい。

（１－４）カバー絶縁層
図３に示すように、カバー絶縁層２４は、配線２３３Ａ、配線２３３Ｂ、２３３Ｃ、２３３Ｄを覆う。カバー絶縁層２４は、厚み方向において、ベース絶縁層２２の上に位置する。なお、カバー絶縁層２４は、第１端子２３１Ａ、２３１Ｂ、２３１Ｃ、２３１Ｄ（図２参照）、および、第２端子２３２Ａ、２３２Ｂ、２３２Ｃ、２３２Ｄ（図２参照）を覆わない。カバー絶縁層２４は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。

（２）フレーム
図２に示すように、配線回路基板集合体シート１は、配線回路基板２の周りにおいて、切欠き１１と、複数の接続部１２Ａ、１２Ｂとを有する。

切欠き１１は、配線回路基板２の外形形状に沿って延びる。切欠き１１は、配線回路基板２とフレーム３とを区画する。フレーム３は、配線回路基板２を囲む。フレーム３は、配線回路基板２の周りにおいて、複数の隣接部３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄを有する。隣接部３Ａは、エッジＥ１に隣り合う。隣接部３Ａは、エッジＥ１に沿って第２方向に延びる。隣接部３Ｂは、第１方向において、配線回路基板２に対して隣接部３Ａの反対側に位置する。隣接部３Ｂは、エッジＥ２に隣り合う。隣接部３Ｂは、エッジＥ２に沿って第２方向に延びる。隣接部３Ｃは、エッジＥ３に隣り合う。隣接部３Ｃは、エッジＥ３に沿って第１方向に延びる。隣接部３Ｄは、第２方向において、配線回路基板２に対して隣接部３Ｃの反対側に位置する。隣接部３Ｄは、エッジＥ４に隣り合う。隣接部３Ｄは、エッジＥ４に沿って第１方向に延びる。

接続部１２Ａ、１２Ｂは、配線回路基板２とフレーム３とを接続する。詳しくは、接続部１２Ａは、隣接部３ＡとエッジＥ１との間に位置し、隣接部３ＡとエッジＥ１とを接続する。接続部１２Ｂは、隣接部３ＢとエッジＥ２との間に位置し、隣接部３ＢとエッジＥ２とを接続する。これにより、フレーム３は、配線回路基板２を支持する。

本実施形態では、フレーム３は、１つの配線回路基板２に対して、２つのダミー形成領域３０Ａ、３０Ｂと、２つのダミー導体パターン３３Ａ、３３Ｂとを有する。

（２－１）ダミー形成領域
ダミー形成領域３０Ａは、ダミー導体パターン３３Ａが形成される領域である。ダミー形成領域３０Ａは、第１方向において、配線回路基板２の一方側に位置する。ダミー形成領域３０Ａは、隣接部３Ａの一部を含む。ダミー形成領域３０Ａは、配線回路基板２のエッジＥ１を基準に定義される。ダミー形成領域３０Ａは、エッジＥ１と直交する方向において、エッジＥ１から５ｍｍの幅Ｗ１を有し、エッジＥ１が延びる方向において、配線回路基板２と同じ長さＬ１を有する。

ダミー形成領域３０Ｂは、ダミー導体パターン３３Ｂが形成される領域である。ダミー形成領域３０Ｂは、第１方向において、配線回路基板２の他方側に位置する。ダミー形成領域３０Ｂは、隣接部３Ｂの一部を含む。ダミー形成領域３０Ｂは、エッジＥ２と直交する方向において、エッジＥ２から５ｍｍの幅Ｗ２を有し、エッジＥ２が延びる方向において、配線回路基板２と同じ長さＬ２を有する。

（２－２）ダミー導体パターン
ダミー導体パターン３３Ａは、ダミー形成領域３０Ａ内に位置する。言い換えると、ダミー形成領域３０Ａは、ダミー導体パターン３３Ａを含む。ダミー導体パターン３３Ａは、第１方向において、配線回路基板２の一方側に位置する。エッジＥ２は、第１方向において、ダミー導体パターン３３Ａから離れて位置する。エッジＥ１は、第１方向において、エッジＥ２とダミー導体パターン３３Ａとの間に位置する。第２方向におけるダミー導体パターン３３Ａの長さは、第２方向における導体パターン２３の長さと同じである。ダミー導体パターン３３Ａは、第２方向において、導体パターン２３より長くてもよい。ダミー導体パターン３３Ａの形状は、限定されない。ダミー導体パターン３３Ａの形状は、導体パターン２３の形状と異なっていてもよい。本実施形態では、ダミー導体パターン３３Ａは、複数のダミー配線３３１Ａを有する。

複数のダミー配線３３１Ａは、第１方向において、互いに間隔を隔てて並ぶ。複数のダミー配線３３１Ａのそれぞれは、第２方向に延びる。複数のダミー配線３３１Ａのそれぞれは、導体パターン２３の配線２３３Ａ、２３３Ｂ、２３３Ｃ、２３３Ｄが延びる方向に延びる。複数のダミー配線３３１Ａのそれぞれの、第２方向における長さは、第２方向における導体パターン２３の長さと同じである。複数のダミー配線３３１Ａのそれぞれは、第２方向において、導体パターン２３よりも長くてもよい。ダミー導体パターン３３Ａは、複数のダミー配線３３１Ａのそれぞれの一端部が互いに接続された櫛形状を有してもよい。

ベース絶縁層２２の面積に対する導体パターン２３の面積の百分率を、「導体パターン面積率」と定義し、ダミー形成領域３０Ａの面積に対するダミー導体パターン３３Ａの面積の百分率を、「ダミー導体パターン面積率」と定義した場合、導体パターン面積率とダミー導体パターン面積率との差は、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、より好ましくは、１０％以下、より好ましくは、５％以下である。

なお、導体パターン面積率とダミー導体パターン面積率との差の下限値は、限定されない。導体パターン面積率とダミー導体パターン面積率との差は、０％であってもよい。

ダミー導体パターン３３Ｂは、ダミー形成領域３０Ｂ内に位置する。言い換えると、ダミー形成領域３０Ｂは、ダミー導体パターン３３Ｂを含む。ダミー導体パターン３３Ｂは、第１方向において、配線回路基板２の他方側に位置する。エッジＥ１は、第１方向において、ダミー導体パターン３３Ｂから離れて位置する。エッジＥ２は、第１方向において、エッジＥ１とダミー導体パターン３３Ｂとの間に位置する。

ダミー導体パターン３３Ｂについての説明は、ダミー導体パターン３３Ａについての説明と同様である。そのため、ダミー導体パターン３３Ｂについての説明は、省略される。

（２－３）フレームの層構造
図３に示すように、フレーム３は、フレーム支持層３１と、フレーム絶縁層３２と、上記したダミー導体パターン３３Ａ、３３Ｂとを有する。

フレーム支持層３１は、配線回路基板２の支持層２１と同じ材料からなる。

フレーム絶縁層３２は、厚み方向において、フレーム支持層３１の上に位置する。隣接部３Ａのフレーム絶縁層３２は、厚み方向において、フレーム支持層３１とダミー導体パターン３３Ａとの間に位置する。隣接部３Ａのフレーム絶縁層３２は、フレーム支持層３１とダミー導体パターン３３Ａとを絶縁する。隣接部３Ｂのフレーム絶縁層３２は、厚み方向において、フレーム支持層３１とダミー導体パターン３３Ｂとの間に位置する。隣接部３Ｂのフレーム絶縁層３２は、フレーム支持層３１とダミー導体パターン３３Ｂとを絶縁する。フレーム絶縁層３２は、配線回路基板２のベース絶縁層２２と同じ材料からなる。なお、フレーム絶縁層３２は、ダミー導体パターン３３Ａ、３３Ｂが形成される部分にだけ形成されていてもよい。

ダミー導体パターン３３Ａ、３３Ｂのそれぞれは、厚み方向において、フレーム絶縁層３２の上に位置する。ダミー導体パターン３３Ａ、３３Ｂのそれぞれは、厚み方向において、フレーム絶縁層３２に対して、フレーム支持層３１の反対側に位置する。ダミー導体パターン３３Ａ、３３Ｂは、配線回路基板２の導体パターン２３と同じ材料からなる。

なお、フレーム３は、ダミー配線パターン３３Ａ、３３Ｂを覆うカバー絶縁層を有してもよい。フレーム３のカバー絶縁層は、厚み方向において、フレーム絶縁層３２の上に位置する。フレーム３のカバー絶縁層は、配線回路基板２のカバー絶縁層２４と同じ材料からなる。

２．配線回路基板集合体シート１の製造方法
次に、配線回路基板集合体シート１の製造方法について説明する。

本実施形態では、配線回路基板集合体シート１は、セミアディティブ法により製造される。配線回路基板集合体シート１は、アディティブ法により製造されてもよい。配線回路基板集合体シート１の製造方法は、第１絶縁層形成工程（図４Ａ参照）と、レジスト工程（図４Ｂ、図４Ｃ参照）と、パターン形成工程（図５Ａ、図５Ｂ参照）と、第２絶縁層形成工程（図５Ｃ参照）とを含む。

（１）第１絶縁層形成工程
図４Ａに示すように、第１絶縁層形成工程では、基材Ｓの上に、ベース絶縁層２２およびフレーム絶縁層３２を形成する。

基材Ｓは、配線回路基板２の支持層２１（図３参照）、および、フレーム３のフレーム支持層３１（図３参照）の材料である。基材Ｓは、支持層２１およびフレーム支持層３１を形成する金属からなる金属箔である。

第１絶縁層形成工程では、基材Ｓの製品領域Ａ１の上に、ベース絶縁層２２を形成し、基材Ｓのフレーム領域Ａ２の上に、フレーム絶縁層３２を形成する。製品領域Ａ１は、配線回路基板２になる領域である。フレーム領域Ａ２は、フレーム３になる領域である。

第１絶縁層形成工程では、まず、基材Ｓの上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成する。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像する。これにより、ベース絶縁層２２およびフレーム絶縁層３２が、基材Ｓの上に形成される。

（２）レジスト工程
次に、レジスト工程では、ベース絶縁層２２およびフレーム絶縁層３２の上に、メッキレジスト層Ｒを形成する。

レジスト工程では、まず、ベース絶縁層２２およびフレーム絶縁層３２の表面にシード層を形成する。シード層は、例えば、スパッタリングにより形成される。シード層の材料としては、例えば、クロム、銅、ニッケル、チタン、および、これらの合金が挙げられる。

次に、図４Ｂに示すように、シード層が形成されたベース絶縁層２２およびフレーム絶縁層３２の上に、メッキレジストのフィルムＦを貼り合わせる。次に、メッキレジストのフィルムＦの上にフォトマスクＭを重ねて、導体パターン２３およびダミー導体パターン３３Ａ、３３Ｂが形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストのフィルムＦを露光する。

次に、図４Ｃに示すように、露光されたメッキレジストのフィルムＦを現像する。これにより、遮光された部分、すなわち、導体パターン２３およびダミー導体パターン３３Ａ、３３Ｂが形成される部分のメッキレジストが除去され、露光された部分、すなわち、導体パターン２３およびダミー導体パターン３３Ａ、３３Ｂが形成されない部分のメッキレジストが残る。これにより、ベース絶縁層２２およびフレーム絶縁層３２の上に、開口Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３を有するメッキレジスト層Ｒが形成される。開口Ｒ１は、導体パターン２３が形成される部分のメッキレジストが除去されることにより形成される。開口Ｒ２は、ダミー導体パターン３３Ａが形成される部分のメッキレジストが除去されることにより形成される。開口Ｒ３は、ダミー導体パターン３３Ｂが形成される部分のメッキレジストが除去されることにより形成される。シード層は、開口Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３を介して露出する。

ベース絶縁層２２の面積に対する開口Ｒ１の面積の百分率を、「導体パターン開口率」と定義し、ダミー形成領域Ａ１１の面積に対する開口Ｒ２の面積の百分率、および、ダミー形成領域Ａ１２の面積に対する開口Ｒ３の面積の百分率を、「ダミー導体パターン開口率」と定義した場合、導体パターン開口率とダミー導体パターン開口率との差は、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、より好ましくは、１０％以下、より好ましくは、５％以下である。

なお、配線回路基板集合体シート１の製造方法におけるダミー形成領域Ａ１１は、製品領域Ａ１を基準に定義される。

具体的には、ダミー形成領域Ａ１１は、第１方向における製品領域Ａ１の一方側のエッジＥ１１と直交する方向において、エッジＥ１１から５ｍｍの幅を有し、エッジＥ１１が延びる方向において、製品領域Ａ１と同じ長さを有する。そのため、ダミー形成領域Ａ１１の範囲は、上記したダミー形成領域３０Ａ（図２参照）の範囲と同一である。

ダミー形成領域Ａ１２は、第１方向における製品領域Ａ１の他方側のエッジＥ１２と直交する方向において、エッジＥ１２から５ｍｍの幅を有し、エッジＥ１２が延びる方向において、製品領域Ａ１と同じ長さを有する。ダミー形成領域Ａ１２の範囲は、上記したダミー形成領域３０Ｂ（図２参照）の範囲と同一である。

（３）パターン形成工程
次に、パターン形成工程では、図５Ａに示すように、電解メッキにより、開口Ｒ１（図４Ｃ参照）内のシード層の上に導体パターン２３を形成し、開口Ｒ２（図４Ｃ参照）内のシード層の上にダミー導体パターン３３Ａを形成し、開口Ｒ３（図４Ｃ参照）内のシード層の上にダミー導体パターン３３Ｂを形成する。

このとき、導体パターン２３は、ダミー導体パターン３３Ａ、３３Ｂとともに形成される。そのため、メッキ液中において、製品領域Ａ１の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができ、導体パターン２３の厚みの均一化を図ることができる。

電解メッキが終了した後、図５Ｂに示すように、メッキレジスト層Ｒを剥離する。その後、メッキレジスト層Ｒによって覆われていたシード層を、エッチングにより除去する。

（４）第２絶縁層形成工程
次に、第２絶縁層形成工程では、図５Ｃに示すように、ベース絶縁層２２および導体パターン２３の上にカバー絶縁層２４を形成する。

第２絶縁層形成工程では、まず、ベース絶縁層２２および導体パターン２３の上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成する。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像する。これにより、カバー絶縁層２４が形成される。

その後、図３に示すように、製品領域Ａ１（図４Ａ参照）とフレーム領域Ａ２（図４Ａ参照）との間の基材Ｓをエッチングにより除去し、上記した配線回路基板集合体シート１を得る。

３．作用効果
配線回路基板集合体シート１によれば、図２に示すように、導体パターン面積率とダミー導体パターン面積率との差が、５０％以下に調節されている。

言い換えると、ダミー形成領域３０Ａにおけるダミー導体パターン３３Ａの密度が、配線回路基板２における導体パターン２３の密度と近似している。

そのため、導体パターン２３の厚みの均一化が図られている。

詳しくは、配線回路基板集合体シート１を製造するときに、図４Ｃに示すように、レジスト工程において、メッキレジスト層Ｒの導体パターン開口率とダミー導体パターン開口率との差が５０％以下に調節されている。これにより、図５Ａに示すように、パターン形成工程において電解メッキしたときに、メッキ液中において、製品領域Ａ１の周囲の金属イオン濃度の均一化が図られ、導体パターン２３の厚みの均一化が図られる。

そのため、図３に示すように、導体パターン面積率とダミー導体パターン面積率との差が５０％以下である配線回路基板集合体シート１では、導体パターン２３の厚みの均一化が図られている。

その結果、導体パターン２３の厚みの均一化が図られた配線回路基板２を得ることができる。

４．変形例
以下、図６から図１０Ｄを参照して、配線回路基板集合体シート１の変形例について説明する。以下の変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。

（１）図６に示すように、ダミー導体パターン３３は、第１方向における配線回路基板２の両側、および、第２方向における配線回路基板２の両側に配置されてもよい。ダミー導体パターン３３は、導体パターン２３の配線２３３Ａ、２３３Ｂ、２３３Ｃ、２３３Ｄが延びる方向と交差する方向に延びてもよい。

（２）図７に示すように、配線回路基板２同士が互いに近接して配置されている場合、ダミー導体パターン３３は、配線回路基板２の間に無くてもよい。詳しくは、複数の配線回路基板２は、接続部を介して、互いに接続されている。フレーム３は、配線回路基板集合体シート１の外周部分に位置する。フレーム３は、複数の配線回路基板２を囲む。この場合、ダミー形成領域は、フレーム３に最も近い配線回路基板２Ａのエッジを基準に定義される。

なお、この変形例では、配線回路基板集合体シート１の中央部分（外周部分のフレーム３に隣接していない部分）の配線回路基板２Ｂでは、隣接する配線回路基板２Ａ、２Ｂにより、配線密度の均一化が図られている。

そのため、フレーム３に最も近い配線回路基板２Ａのエッジを基準にダミー形成領域を定義し、そのダミー形成領域内のダミー導体パターン３３の配線密度を、配線回路基板２Ａの導体パターン２３の配線密度に近似させれば、配線回路基板集合体シート１の全ての配線回路基板２において、配線密度の均一化が図られる。

そのため、この変形例でも、上記した実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

（３）図８に示すように、導体パターン２３は、第１の厚みＴ１の第１導体パターン４１と、第１の厚みＴ１よりも厚い第２の厚みＴ２の第２導体パターン４２とを有してもよい。

この場合、ダミー導体パターン３３Ａは、第１の厚みＴ１の第１ダミー導体パターン５１Ａと、第２の厚みＴ２の第２ダミー導体パターン５２Ａとを有する。

第１ダミー導体パターン５１Ａおよび第２ダミー導体パターン５２Ａの形状は、限定されない。なお、第１ダミー導体パターン５１Ａが複数のダミー配線を有し、第２ダミー導体パターン５２Ａが複数のダミー配線を有する場合、第１ダミー導体パターン５１Ａのダミー配線と、第２ダミー導体パターン５２Ａのダミー配線とが、交互に並んでいてもよい。

ベース絶縁層２２の面積に対する第１導体パターン４１の面積の百分率と、ダミー形成領域３０Ａ（図２参照）の面積に対する第１ダミー導体パターン５１Ａの面積の百分率との差は、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、より好ましくは、１０％以下、より好ましくは、５％以下である。

ベース絶縁層２２の面積に対する第２導体パターン４２の面積の百分率と、ダミー形成領域３０Ａ（図２参照）の面積に対する第２ダミー導体パターン５２Ａの面積の百分率との差は、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、より好ましくは、１０％以下、より好ましくは、５％以下である。

なお、ダミー導体パターン３３Ｂも、第１の厚みＴ１の第１ダミー導体パターン５１Ｂと、第２の厚みＴ２の第２ダミー導体パターン５２Ｂとを有する。ダミー導体パターン３３Ｂについての説明は、ダミー導体パターン３３Ａについての説明と同様である。そのため、ダミー導体パターン３３Ｂについての説明は、省略される。

この変形例の製造方法は、上記した第１絶縁層形成工程（図４Ａ参照）と、第１レジスト工程（図９Ａ、図９Ｂ参照）と、第１パターン形成工程（図９Ｃ、図９Ｄ参照）と、第２レジスト工程（図１０Ａ、図１０Ｂ参照）と、第２パターン形成工程（図１０Ｃ、図１０Ｄ参照）と、上記した第２絶縁層形成工程（図５Ｃ参照）とを含む。

第１レジスト工程では、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、上記したレジスト工程と同様にして、ベース絶縁層２２およびフレーム絶縁層３２の上に、開口ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３を有するメッキレジスト層ＲＡを形成する。開口ＲＡ１は、第１導体パターン４１が形成される部分のメッキレジストが除去されることにより形成される。開口ＲＡ２は、第１ダミー導体パターン５１Ａが形成される部分のメッキレジストが除去されることにより形成される。開口ＲＡ３は、第１ダミー導体パターン５１Ｂが形成される部分のメッキレジストが除去されることにより形成される。

ベース絶縁層２２の面積に対する開口ＲＡ１の面積の百分率と、ダミー形成領域Ａ１１の面積に対する開口ＲＡ２の面積の百分率との差は、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、より好ましくは、１０％以下、より好ましくは、５％以下である。

ベース絶縁層２２の面積に対する開口ＲＡ１の面積の百分率と、ダミー形成領域Ａ１２の面積に対する開口ＲＡ３の面積の百分率との差は、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、より好ましくは、１０％以下、より好ましくは、５％以下である。

次に、第１パターン形成工程では、図９Ｃに示すように、電解メッキにより、開口ＲＡ１内のシード層の上に第１導体パターン４１を形成し、開口ＲＡ２内のシード層の上に第１ダミー導体パターン５１Ａを形成し、開口ＲＡ３内のシード層の上に第１ダミー導体パターン５１Ｂを形成する。

このとき、第１導体パターン４１は、第１ダミー導体パターン５１Ａ、５１Ｂとともに形成される。第１ダミー導体パターン５１Ａは、上記した範囲のダミー形成領域Ａ１１内に形成される。第１ダミー導体パターン５１Ｂは、上記した範囲のダミー形成領域Ａ１２内に形成される。

そのため、メッキ液中において、製品領域Ａ１の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができ、第１導体パターン４１の厚みの均一化を図ることができる。

電解メッキが終了した後、図９Ｄに示すように、メッキレジスト層ＲＡを剥離する。その後、メッキレジスト層ＲＡによって覆われていたシード層を、エッチングにより除去する。

第２レジスト工程では、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、上記したレジスト工程と同様にして、ベース絶縁層２２およびフレーム絶縁層３２の上に、開口ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３を有するメッキレジスト層ＲＢを形成する。開口ＲＢ１は、第２導体パターン４２が形成される部分のメッキレジストが除去されることにより形成される。開口ＲＢ２は、第２ダミー導体パターン５２Ａが形成される部分のメッキレジストが除去されることにより形成される。開口ＲＢ３は、第２ダミー導体パターン５２Ｂが形成される部分のメッキレジストが除去されることにより形成される。

ベース絶縁層２２の面積に対する開口ＲＢ１の面積の百分率と、ダミー形成領域Ａ１１の面積に対する開口ＲＢ２の面積の百分率との差は、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、より好ましくは、１０％以下、より好ましくは、５％以下である。

ベース絶縁層２２の面積に対する開口ＲＢ１の面積の百分率と、ダミー形成領域Ａ１２の面積に対する開口ＲＢ３の面積の百分率との差は、５０％以下、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下、より好ましくは、１０％以下、より好ましくは、５％以下である。

次に、第２パターン形成工程では、図１０Ｃに示すように、電解メッキにより、開口ＲＢ１内のシード層の上に第２導体パターン４２を形成し、開口ＲＢ２内のシード層の上に第２ダミー導体パターン５２Ａを形成し、開口ＲＢ３内のシード層の上に第２ダミー導体パターン５２Ｂを形成する
このとき、第２導体パターン４２は、第２ダミー導体パターン５２Ａ、５２Ｂとともに形成される。第２ダミー導体パターン５２Ａは、上記した範囲のダミー形成領域Ａ１１内に形成される。第２ダミー導体パターン５２Ｂは、上記した範囲のダミー形成領域Ａ１２内に形成される。

そのため、メッキ液中において、製品領域Ａ１の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができ、第２導体パターン４２の厚みの均一化を図ることができる。

電解メッキが終了した後、図１０Ｄに示すように、メッキレジスト層ＲＢを剥離する。その後、メッキレジスト層ＲＢによって覆われていたシード層を、エッチングにより除去する。

（４）図１１に示すように、第１方向における配線回路基板６０の一方のエッジＥ２１が、第２方向に延びるエッジＥ２１１と、第２方向に対して傾斜するエッジＥ２１２と、第２方向に延びるエッジＥ２１３とを含んでいる場合、ダミー形成領域６１は、エッジＥ２１に沿って、第２方向に延びる部分６１Ａと、第２方向に対して傾斜する部分６１Ｂと、第２方向に延びる部分６１Ｃとを含む。

部分６１Ａは、エッジＥ２１１が延びる方向と直交する方向において、エッジＥ２１１から５ｍｍの幅Ｗ１０を有し、エッジＥ２１１が延びる方向において、配線回路基板６０のうちの第２方向に延びる部分と、同じ長さＬ１０を有する。

部分６１Ｂは、エッジＥ２１２が延びる方向と直交する方向において、エッジＥ２１２から５ｍｍの幅Ｗ１０を有し、エッジＥ２１２が延びる方向において、配線回路基板６０のうちの第２方向と傾斜する方向に延びる部分と、同じ長さＬ２０を有する。

部分６１Ｃは、エッジＥ２１３が延びる方向と直交する方向において、エッジＥ２１３から５ｍｍの幅Ｗ１０を有し、エッジＥ２１３が延びる方向において、配線回路基板６０のうちの第２方向と傾斜する方向に延びる部分と、同じ長さＬ３０を有する。

総合すると、ダミー形成領域６１は、エッジＥ２１１、Ｅ２１２、Ｅ２１３のそれぞれが延びる方向と直交する方向において、エッジＥ２１１、Ｅ２１２、Ｅ２１３のそれぞれから５ｍｍの幅Ｗ１０を有し、エッジＥ２１１、Ｅ２１２、Ｅ２１３が延びる方向において、配線回路基板６０と同じ長さ（Ｌ１０＋Ｌ２０＋Ｌ３０）を有する。

この変形例でも、上記した実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

次に、本発明を、実施例および比較例に基づいて説明する。本発明は、下記の実施例によって限定されない。また、以下の記載において用いられる物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する、物性値、パラメータなどの上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値(「以上」、「よりも大きい」として定義されている数値）に代替することができる。

１．配線回路基板集合体シートの製造
セミアディティブ法により、各実施例および各比較例の配線回路基板集合体シートを製造した。

詳しくは、まず、金属箔（基材）の上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成した。

次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像し、金属箔の上にベース絶縁層およびフレーム絶縁層を形成した（第１絶縁層形成工程、図４Ａ参照）。

次に、ベース絶縁層およびフレーム絶縁層の表面に、スパッタリングによりシード層を形成した。

次に、シード層が形成されたベース絶縁層およびフレーム絶縁層の上に、メッキレジストのフィルムを貼り合わせた。

次に、メッキレジストのフィルムの上にフォトマスクを重ねて、導体パターンおよびダミー導体パターンが形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストのフィルムを露光した（図４Ｂ参照）。

次に、露光されたメッキレジストのフィルムを現像して、メッキレジスト層を形成した（レジスト工程、図４Ｃ参照）。メッキレジスト層には、導体パターンが形成される部分のメッキレジストが除去されることにより、第１開口が形成され、ダミー導体パターンが形成される部分のメッキレジストが除去されることにより、第２開口が形成された。

次に、電解メッキにより、第１開口内のシード層の上に導体パターンを形成し、第２開口内のシード層の上にダミー導体パターンを形成した（パターン形成工程、図５Ａ参照）。

電解メッキが終了した後、メッキレジスト層を剥離した（図５Ｂ参照）。その後、メッキレジスト層によって覆われていたシード層を、エッチングにより除去した。

次に、ベース絶縁層および導体パターンの上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成した。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像し、カバー絶縁層を形成した（図５Ｃ参照、第２絶縁層形成工程）。

その後、配線回路基板の外形に沿って基材をエッチングし、配線回路基板集合体シートを得た。

得られた配線回路基板集合体シートについて、ベース絶縁層の面積に対する導体パターンの面積の百分率（導体パターン面積率）、ダミー形成領域の面積に対するダミー導体パターンの面積の百分率（ダミー導体パターン面積率）、および、導体パターン面積率とダミー導体パターン面積率との差を測定した。結果を表１に示す。

２．評価
各実施例および各比較例の配線回路基板集合体シートのそれぞれについて、レーザー顕微鏡（ＬＥＸＴ ＯＬＳ５０００、オリンパス社製）を用いて、導体パターンの厚みを測定し、以下の評価基準に従って評価した。結果を表１に示す。

＜評価基準＞
〇：測定値と設計値との差が、設計値に対して、５％以下である。

△：測定値と設計値との差が、設計値に対して、５％よりも大きく、１０％以下である。

×：測定値と設計値との差が、設計値に対して、１０％よりも大きい。

１ 配線回路基板集合体シート
２ 配線回路基板
３ フレーム
２２ ベース絶縁層
２３ 導体パターン
３０Ａ ダミー形成領域
３３Ａ ダミー導体パターン
４１ 第１導体パターン
４２ 第２導体パターン
５１Ａ 第１ダミー導体パターン
５２Ａ 第２ダミー導体パターン
Ｅ１ エッジ
Ｅ２ エッジ
Ｗ１ 幅
Ｌ１ 長さ

Claims (5)

1. 絶縁層と、前記絶縁層の上に位置する導体パターンとを有する配線回路基板と、
   前記配線回路基板を支持するフレームであって、前記導体パターンと同じ材料からなるダミー導体パターンを有するフレームと
   を備え、
   前記配線回路基板は、前記ダミー導体パターンから離れて位置する第１エッジと、前記第１エッジと前記ダミー導体パターンとの間に位置する第２エッジと、を有し、
   前記絶縁層の面積に対する前記導体パターンの面積の百分率と、前記フレームにおいて前記ダミー導体パターンを含むダミー形成領域であって、前記第２エッジと直交する方向において、前記第２エッジから５ｍｍの幅を有し、前記第２エッジが延びる方向において、前記配線回路基板と同じ長さを有するダミー形成領域の面積に対する前記ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、５０％以下である、配線回路基板集合体シート。
2. 前記絶縁層の面積に対する前記導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、３０％以下である、請求項１に記載の配線回路基板集合体シート。
3. 前記導体パターンは、
   第１の厚みの第１導体パターンと、
   前記第１の厚みよりも厚い第２の厚みの第２導体パターンと
   を有し、
   前記ダミー導体パターンは、
   前記第１の厚みの第１ダミー導体パターンと、
   前記第２の厚みの第２ダミー導体パターンと
   を有する、請求項１または２に記載の配線回路基板集合体シート。
4. 前記絶縁層の面積に対する前記第１導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記第１ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、５０％以下であり、
   前記絶縁層の面積に対する前記第２導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記第２ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、５０％以下である、請求項３に記載の配線回路基板集合体シート。
5. 前記絶縁層の面積に対する前記第１導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記第１ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、３０％以下であり、
   前記絶縁層の面積に対する前記第２導体パターンの面積の百分率と、前記ダミー形成領域の面積に対する前記第２ダミー導体パターンの面積の百分率との差が、３０％以下である、請求項３に記載の配線回路基板集合体シート。
   

Images