JP7170511B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDF

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Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体基板、液晶表示装置および有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板、プリント基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing substrates. Substrates to be processed include, for example, semiconductor substrates, FPD (Flat Panel Display) substrates such as liquid crystal display devices and organic EL (Electroluminescence) display devices, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, Photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, printed circuit boards, etc. are included.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体基板やガラス基板などの基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられる場合がある。この種の基板処理装置は、例えば、基板の処理を行う複数の基板処理部を備える場合がある。各基板処理部は、基板を水平姿勢にて保持するとともに、当該基板を鉛直方向の軸まわりに回転させる。各基板処理部は、回転する基板の表面にノズルから処理液を供給する。これによって、各基板処理部は、基板を１つずつ処理する。 2. Description of the Related Art In the manufacturing process of semiconductor devices, liquid crystal display devices, and the like, there are cases where a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates such as semiconductor substrates and glass substrates one by one is used. This type of substrate processing apparatus may include, for example, a plurality of substrate processing units that process substrates. Each substrate processing section holds a substrate in a horizontal position and rotates the substrate around a vertical axis. Each substrate processing section supplies a processing liquid from a nozzle to the surface of a rotating substrate. Thereby, each substrate processing section processes the substrates one by one.

基板に供給される処理液に、ガスを溶解させる場合がある。例えば、特許文献１には、不活性ガス溶存水生成ユニットが、純水から酸素を脱気し、その純水に窒素ガスを添加して、不活性ガス溶存水を生成することが記載されている。純水に窒素ガスを溶解させることによって、純水における酸素の溶存濃度を低下させている。 The gas may be dissolved in the processing liquid supplied to the substrate. For example, Patent Document 1 describes that an inert gas-dissolved water generation unit deaerates oxygen from pure water and adds nitrogen gas to the pure water to generate inert gas-dissolved water. there is By dissolving nitrogen gas in the pure water, the dissolved oxygen concentration in the pure water is lowered.

特開２０１５－１７３２８５号公報JP 2015-173285 A

しかしながら、特許文献１では、不活性ガス溶存水が、流体ボックスの外部など、ノズルから比較的離れた位置にて生成される。この場合、不活性ガス溶存水は、ノズルに到達するまでに比較的長い配管を通過することになるため、液中の窒素ガスが抜けていくことにより、溶存濃度が大きく低下するおそれがあった。したがって、不活性ガス溶存水における窒素の溶存濃度を高く維持するためには、必要以上に多くのガスを混合させる場合があったため、ガスの使用量を低減する技術が求められている。 However, in Patent Document 1, the inert gas-dissolved water is generated at a location relatively distant from the nozzle, such as outside the fluid box. In this case, the inert gas-dissolved water passes through a relatively long pipe before reaching the nozzle, so there is a risk that the dissolved concentration will decrease significantly due to the nitrogen gas in the liquid being lost. . Therefore, in order to maintain the dissolved nitrogen concentration in the inert gas-dissolved water at a high level, more gas than necessary is mixed in some cases. Therefore, there is a demand for a technique for reducing the amount of gas used.

本発明は、ノズルから吐出される処理液のガス溶存濃度の維持に必要なガスの量を低減する技術を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a technique for reducing the amount of gas required to maintain the dissolved gas concentration of a processing liquid discharged from a nozzle.

上記課題を解決するため、第１態様は、基板を処理する基板処理装置であって、少なくとも１つの処理室と、前記処理室の内部に配置されており、基板を保持する基板保持部と、前記処理室の内部に配置されており、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて処理液を吐出する少なくとも１つのノズルと、前記ノズルに接続されており、内部に処理液を流通させる処理液配管と、内部にガスを流通させる少なくとも１つのガス配管と、前記処理液配管および前記ガス配管が装填され、前記処理室に併設される少なくとも１つの流体モジュール装填部と、前記処理液配管における、前記流体モジュール装填部の内部から前記ノズルまでの間の中間部に前記ガス配管を接続させる接続部とを含み、前記処理液配管は、複数の配管部に分岐する分岐部を有しており、前記接続部が、前記複数の配管部のうち少なくとも１つが前記ノズルに接続されており、前記接続部が、前記分岐部と前記ノズルとを接続する前記配管部の中間部に設けられ、前記処理液配管における前記接続部と前記ノズルとの間に設けられ、前記処理液配管を通過する前記処理液の気泡を捕捉する気泡捕捉部をさらに備える。
第２態様は、基板を処理する基板処理装置であって、少なくとも１つの処理室と、前記処理室の内部に配置されており、基板を保持する基板保持部と、前記処理室の内部に配置されており、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて処理液を吐出する少なくとも１つのノズルと、前記ノズルに接続されており、内部に処理液を流通させる処理液配管と、内部にガスを流通させる少なくとも１つのガス配管と、前記処理液配管および前記ガス配管が装填され、前記処理室に併設される少なくとも１つの流体モジュール装填部と、前記処理液配管における、前記流体モジュール装填部の内部から前記ノズルまでの間の中間部に前記ガス配管を接続させる接続部とを含み、前記処理液配管は、複数の配管部に分岐する分岐部を有しており、前記接続部が、前記複数の配管部のうち少なくとも１つが前記ノズルに接続されており、前記接続部が、前記分岐部と前記ノズルとを接続する前記配管部の中間部に設けられ、前記処理液配管における前記接続部と前記ノズルとの間に設けられ、前記処理液配管を通過する前記処理液中のガス濃度を検出するガス濃度計をさらに備える。
第３態様は、基板を処理する基板処理装置であって、少なくとも１つの処理室と、前記処理室の内部に配置されており、基板を保持する基板保持部と、前記処理室の内部に配置されており、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて処理液を吐出する少なくとも１つのノズルと、前記ノズルに接続されており、内部に処理液を流通させる処理液配管と、内部にガスを流通させる少なくとも１つのガス配管と、前記処理液配管および前記ガス配管が装填され、前記処理室に併設される少なくとも１つの流体モジュール装填部と、前記処理液配管における、前記流体モジュール装填部の内部から前記ノズルまでの間の中間部に前記ガス配管を接続させる接続部とを含み、前記処理液配管は、複数の配管部に分岐する分岐部を有しており、前記接続部が、前記複数の配管部のうち少なくとも１つが前記ノズルに接続されており、前記接続部が、前記分岐部と前記ノズルとを接続する前記配管部の中間部に設けられ、前記ガスが、窒素ガスを含む。
第４態様は、基板を処理する基板処理装置であって、少なくとも１つの処理室と、前記処理室の内部に配置されており、基板を保持する基板保持部と、前記処理室の内部に配置されており、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて処理液を吐出する少なくとも１つのノズルと、前記ノズルに接続されており、内部に処理液を流通させる処理液配管と、内部にガスを流通させる少なくとも１つのガス配管と、前記処理液配管および前記ガス配管が装填され、前記処理室に併設される少なくとも１つの流体モジュール装填部と、前記処理液配管における、前記流体モジュール装填部の内部から前記ノズルまでの間の中間部に前記ガス配管を接続させる接続部とを含み、前記処理液配管は、複数の配管部に分岐する分岐部を有しており、前記接続部が、前記複数の配管部のうち少なくとも１つが前記ノズルに接続されており、前記接続部が、前記分岐部と前記ノズルとを接続する前記配管部の中間部に設けられ、前記ガスが、水素ガス、フッ化水素ガス、アンモニアガスまたは塩素ガスを含む。 In order to solve the above problems, a first aspect is a substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising: at least one processing chamber; At least one nozzle disposed inside the processing chamber for discharging a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding unit; and a nozzle connected to the nozzle for circulating the processing liquid therein. a processing liquid pipe, at least one gas pipe for circulating a gas therein, at least one fluid module loading section loaded with the processing liquid pipe and the gas pipe, and provided side by side with the processing chamber; and the processing liquid pipe. and a connecting portion for connecting the gas pipe to an intermediate portion between the inside of the fluid module loading portion and the nozzle, wherein the processing liquid pipe has a branch portion that branches into a plurality of pipe portions. wherein at least one of the plurality of piping portions is connected to the nozzle, and the connection portion is provided in an intermediate portion of the piping portion connecting the branch portion and the nozzle ; The apparatus further includes an air bubble trapping part provided between the connection part and the nozzle in the treatment liquid pipe for trapping air bubbles of the treatment liquid passing through the treatment liquid pipe .
A second aspect is a substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising: at least one processing chamber; a substrate holding unit arranged inside the processing chamber for holding a substrate; at least one nozzle for discharging a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding part; a processing liquid pipe connected to the nozzle for circulating the processing liquid; at least one gas pipe for circulating a gas; at least one fluid module loading unit loaded with the processing liquid pipe and the gas pipe and installed side by side with the processing chamber; and the fluid module loading unit in the processing liquid pipe. and a connection portion for connecting the gas pipe to an intermediate portion between the inside of the and the nozzle, the treatment liquid pipe has a branch portion that branches into a plurality of pipe portions, and the connection portion includes: At least one of the plurality of piping portions is connected to the nozzle, and the connection portion is provided in an intermediate portion of the piping portion connecting the branch portion and the nozzle, and the connection in the processing liquid pipe A gas concentration meter is provided between the unit and the nozzle and detects gas concentration in the processing liquid passing through the processing liquid pipe.
A third aspect is a substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising: at least one processing chamber; a substrate holding unit arranged inside the processing chamber for holding a substrate; at least one nozzle for discharging a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding part; a processing liquid pipe connected to the nozzle for circulating the processing liquid; at least one gas pipe for circulating a gas; at least one fluid module loading unit loaded with the processing liquid pipe and the gas pipe and installed side by side with the processing chamber; and the fluid module loading unit in the processing liquid pipe. and a connection portion for connecting the gas pipe to an intermediate portion between the inside of the and the nozzle, the treatment liquid pipe has a branch portion that branches into a plurality of pipe portions, and the connection portion includes: At least one of the plurality of piping portions is connected to the nozzle, the connection portion is provided in an intermediate portion of the piping portion connecting the branch portion and the nozzle, and the gas is nitrogen gas. include.
A fourth aspect is a substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising: at least one processing chamber; a substrate holding unit arranged inside the processing chamber for holding a substrate; at least one nozzle for discharging a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding part; a processing liquid pipe connected to the nozzle for circulating the processing liquid; at least one gas pipe for circulating a gas; at least one fluid module loading unit loaded with the processing liquid pipe and the gas pipe and installed side by side with the processing chamber; and the fluid module loading unit in the processing liquid pipe. and a connection portion for connecting the gas pipe to an intermediate portion between the inside of the and the nozzle, the treatment liquid pipe has a branch portion that branches into a plurality of pipe portions, and the connection portion includes: At least one of the plurality of piping portions is connected to the nozzle, the connection portion is provided in an intermediate portion of the piping portion connecting the branch portion and the nozzle, and the gas is hydrogen gas, Contains hydrogen fluoride gas, ammonia gas or chlorine gas.

第５態様は、第１態様から第４態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記接続部が、多連弁を含む。 A fifth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first aspect to the fourth aspect , wherein the connecting portion includes a multiple valve.

第６態様は、第１態様から第５態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記接続部が、インラインミキサーを含む。 A sixth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects , wherein the connecting section includes an in-line mixer.

第７態様は、第１態様から第６態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記接続部が前記処理室の内部に設けられている。 A seventh aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, wherein the connecting section is provided inside the processing chamber.

第８態様は、第１態様から第７態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記処理液配管に設けられ、前記処理液配管内を通過する前記処理液の流量を調整する流量調整部と、を備え、前記接続部が、前記処理液配管における前記流量調整部と前記ノズルとの間に設けられている。 An eighth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first aspect to the seventh aspect, wherein the processing liquid pipe is provided with a flow rate adjustment for adjusting the flow rate of the processing liquid passing through the processing liquid pipe. and a portion, wherein the connecting portion is provided between the flow rate adjusting portion and the nozzle in the processing liquid pipe.

第９態様は、第１態様から第４態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記ノズルが少なくとも１つ設けられている複数の前記処理室を含み、前記分岐部から分岐した先の複数の前記配管部が前記ノズル各々に接続されており、前記配管部各々に少なくとも１つの前記ガス配管が接続されている。 A ninth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first aspect to the fourth aspect , comprising a plurality of the processing chambers in which at least one of the nozzles is provided; are connected to each of the nozzles, and at least one of the gas pipes is connected to each of the pipes.

第１０態様は、第１態様から第９態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記処理液配管に接続されており、処理液を貯留する処理液槽、をさらに備え、前記接続部が、前記処理液配管における前記処理液槽と前記ノズルとの間に設けられている。 A tenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to ninth aspects, further comprising: a processing liquid tank connected to the processing liquid pipe and storing the processing liquid; is provided between the processing liquid tank and the nozzle in the processing liquid pipe.

第１１態様は、第１０態様の基板処理装置であって、前記処理液槽に接続されており、前記処理液槽に貯留された処理液に前記ガスを供給するガス供給部をさらに備える。 An eleventh aspect is the substrate processing apparatus according to the tenth aspect, further comprising a gas supply unit connected to the processing liquid tank for supplying the gas to the processing liquid stored in the processing liquid tank.

第１２態様は、第１態様から第１１態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記ガス配管に設けられ、前記ガス配管内を通過するガスを濾過するガスフィルターをさらに備える。 A twelfth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to eleventh aspects, further comprising a gas filter provided in the gas pipe for filtering gas passing through the gas pipe.

第１３態様は、第１態様から第１２態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記処理液配管における前記ノズルと前記接続部との間に設けられ、前記処理液配管を通過する処理液を除去する処理液除去部をさらに備える。 A thirteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first aspect to the twelfth aspect, wherein the substrate processing apparatus is provided between the nozzle and the connecting portion in the processing liquid pipe, and the processing passes through the processing liquid pipe. It further includes a processing liquid removing unit that removes the liquid.

第１４態様は、基板を処理する基板処理方法であって、ａ）処理室の内部にて基板を保持することと、ｂ）前記処理室の内部に設けられたノズルに接続されている処理液配管に処理液を供給することと、ｃ）前記工程ｂ）によって前記処理液配管を通過する前記処理液中にガスを供給することと、ｄ）前記工程ｃ）によって前記ガスが供給された前記処理液を、前記ノズルから吐出させて前記基板に供給することとを含み、前記処理液配管は、複数の配管部に分岐する分岐部を有しており、前記複数の配管部のうち少なくとも１つが前記ノズルに接続されており、前記分岐部と前記ノズルとを接続する前記配管部の中間部に、内部に前記ガスを流通させるガス配管が接続され、ｅ） 前記工程ｃ）によって前記ガスが供給された、前記処理液配管を通過する前記処理液中の気泡を補足することをさらに含む。 A fourteenth aspect is a substrate processing method for processing a substrate, comprising: a) holding the substrate inside a processing chamber; and b) processing liquid connected to a nozzle provided inside the processing chamber. c) supplying a gas into said processing liquid passing through said processing liquid piping by said step b); and d) said gas supplied by said step c). and supplying a processing liquid to the substrate by discharging the processing liquid from the nozzle, wherein the processing liquid pipe has a branch portion branching into a plurality of pipe portions, and at least one of the plurality of pipe portions has a branch portion. is connected to the nozzle, and a gas pipe for circulating the gas is connected to an intermediate portion of the pipe portion connecting the branch portion and the nozzle ; Capturing air bubbles in the supplied processing liquid passing through the processing liquid piping .

第１５態様は、第１４態様の基板処理方法であって、前記工程ｂ）は、前記処理液を貯留する処理液槽から前記処理液を前記処理液配管に前記処理液を供給すること、を含み、前記工程ｃ）は、前記処理液配管における前記処理液槽と前記ノズルとの間の位置に前記ガスを供給することを含む。 A fifteenth aspect is the substrate processing method according to the fourteenth aspect, wherein the step b) comprises supplying the processing liquid from a processing liquid tank storing the processing liquid to the processing liquid pipe. wherein said step c) includes supplying said gas to a location in said processing liquid piping between said processing liquid bath and said nozzle.

第１６態様は、第１４態様または第１５態様の基板処理方法であって、前記工程ｂ）は、前記処理液配管を通過する前記処理液の流量を、流量調整部が調整すること、を含み、前記工程ｃ）は、前記処理液配管における前記流量調整部と前記ノズルとの間の位置に前記ガスを供給することを含む。 A sixteenth aspect is the substrate processing method according to the fourteenth aspect or the fifteenth aspect, wherein the step b) includes adjusting a flow rate of the processing liquid passing through the processing liquid pipe by a flow rate adjusting unit. , the step c) includes supplying the gas to a position between the flow control unit and the nozzle in the processing liquid pipe.

第１７態様は、第１４態様から第１６態様のいずれか１つの基板処理方法であって、ｆ）前記工程ｃ）によって前記ガスが供給された、前記処理液配管を通過する前記処理液を、前記処理液配管から排出することをさらに含む。
第１８態様は、第５態様の基板処理装置であって、前記多連弁に、気泡を補足する気泡補足部が設けられる。 A seventeenth aspect is the substrate processing method according to any one of the fourteenth aspect to the sixteenth aspect, wherein f) the processing liquid passing through the processing liquid pipe to which the gas is supplied in the step c) is Further comprising draining the treatment liquid line.
An eighteenth aspect is the substrate processing apparatus according to the fifth aspect, wherein the multiple valve is provided with an air bubble trapping section for trapping air bubbles.

第１から第４態様の基板処理装置によると、処理液配管における流体モジュール装填部内からノズルまでの間の中間部に配管内を流れる処理液にガスを混合させることができる。この場合、ノズルに到達するまでに処理液から抜けるガスの量を低減できるため、ガスの使用量を減らすことができる。また、処理液配管における分岐部で分岐した先の配管部にガスを混合できる。このため、ノズルに到達するまでの間に処理液から抜けるガスの量を低減できる。 According to the substrate processing apparatuses of the first to fourth aspects, the gas can be mixed with the processing liquid flowing through the pipe in the intermediate portion between the inside of the fluid module loading section and the nozzle in the processing liquid pipe. In this case, the amount of gas that escapes from the processing liquid before reaching the nozzle can be reduced, so the amount of gas used can be reduced. In addition, the gas can be mixed in the branched portion of the treatment liquid pipe. Therefore, it is possible to reduce the amount of gas that escapes from the processing liquid until it reaches the nozzle.

第５態様の基板処理装置によると、他蓮弁によって、処理液に対するガスの供給を制御できる。 According to the substrate processing apparatus of the fifth aspect, the gas supply to the processing liquid can be controlled by the lotus petals.

第６態様の基板処理装置によると、インラインミキサーによって処理液とガスの混合を促進することができるため、処理液に対するガスの溶解を促進できる。 According to the substrate processing apparatus of the sixth aspect, the mixing of the processing liquid and the gas can be promoted by the in-line mixer, so the dissolution of the gas into the processing liquid can be promoted.

第７態様の基板処理装置によると、処理室の内部に接続部を設けられることによって、ノズル近くで処理液にガスを混合できる。このため、接続部からノズルまでの間で処理液から抜けるガスの量を低減できる。 According to the substrate processing apparatus of the seventh aspect, by providing the connecting portion inside the processing chamber, the gas can be mixed with the processing liquid near the nozzle. Therefore, it is possible to reduce the amount of gas that escapes from the processing liquid between the connecting portion and the nozzle.

第８態様の基板処理装置によると、流量調整された処理液に対してガスを混合させることができる。 According to the substrate processing apparatus of the eighth aspect, gas can be mixed with the processing liquid whose flow rate is adjusted.

第９態様の基板処理装置によると、処理液配管における分岐部より先の配管部にガスを供給できる。この場合、分岐部よりも手前で窒素ガスを供給するときよりもノズルに近い位置で処理液にガスを混合できる。このため、ノズルに到達するまでの間に処理液から抜けるガスの量を低減できる。 According to the substrate processing apparatus of the ninth aspect, the gas can be supplied to the pipe portion ahead of the branch portion in the processing liquid pipe. In this case, the gas can be mixed with the processing liquid at a position closer to the nozzle than when the nitrogen gas is supplied before the branch. Therefore, it is possible to reduce the amount of gas that escapes from the processing liquid until it reaches the nozzle.

第１０態様の基板処理装置によると、接続部おいて、処理液槽から供給される処理液に対してガスを混合させることができる。 According to the substrate processing apparatus of the tenth aspect, the gas can be mixed with the processing liquid supplied from the processing liquid tank at the connecting portion.

第１１態様の基板処理装置によると、処理液槽にガスを供給することによって、処理液のガス濃度を高めることができる。 According to the substrate processing apparatus of the eleventh aspect, the gas concentration of the processing liquid can be increased by supplying the gas to the processing liquid tank.

第１態様の基板処理装置によると、処理液に溶け込めずに発生したガスの気泡を捕捉できる。 According to the substrate processing apparatus of the first aspect, it is possible to trap gas bubbles generated without dissolving in the processing liquid.

第２態様の基板処理装置によると、処理液に溶存するガスの濃度を検出できる。 According to the substrate processing apparatus of the second aspect, the concentration of gas dissolved in the processing liquid can be detected.

第３態様の基板処理装置によると、処理液に窒素ガスを溶解させることによって、酸素の溶存濃度を低下させることができる。 According to the substrate processing apparatus of the third aspect, the dissolved oxygen concentration can be reduced by dissolving nitrogen gas in the processing liquid.

第４態様の基板処理装置によると、水素ガス、フッ化水素ガス、アンモニアガスまたは塩素ガスが溶解した機能的な処理液を生成できる。 According to the substrate processing apparatus of the fourth aspect, it is possible to generate a functional processing liquid in which hydrogen gas, hydrogen fluoride gas, ammonia gas or chlorine gas is dissolved.

第１２態様の基板処理装置によると、ガスが処理液に混合される手間の位置にガスフィルターを設けることによって、処理液に混合されるガスの清浄度を高めることができる。 According to the substrate processing apparatus of the twelfth aspect, by providing the gas filter at a position where the gas is mixed with the processing liquid, the cleanliness of the gas mixed with the processing liquid can be improved.

第１３態様の基板処理装置によると、処理液配管における接続部よりも先の部分で、処理液配管の内部の処理液を除去できる。例えば、処理液とガスとの混合を開始した初期段階において、処理液におけるガスの溶存濃度が低い場合に、当該処理液を処理液配管から除去できる。 According to the substrate processing apparatus of the thirteenth aspect, the processing liquid inside the processing liquid pipe can be removed from the portion ahead of the connecting portion in the processing liquid pipe. For example, in the initial stage of starting the mixing of the processing liquid and the gas, if the dissolved gas concentration in the processing liquid is low, the processing liquid can be removed from the processing liquid pipe.

第１４態様の基板処理方法によると、処理液配管における流体モジュール装填部内からノズルまでの間の中間部に配管内を流れる処理液にガスを混合させることができる。この場合、ノズルに到達するまでに処理液から抜けるガスの量を低減できるため、ガスの使用量を減らすことができる。 According to the substrate processing method of the fourteenth aspect, the gas can be mixed with the processing liquid flowing in the processing liquid pipe in the intermediate portion between the inside of the fluid module loading portion and the nozzle in the processing liquid pipe. In this case, the amount of gas that escapes from the processing liquid before reaching the nozzle can be reduced, so the amount of gas used can be reduced.

第１５態様の基板処理方法によると、処理液槽にガスを供給することによって、処理液のガス濃度を高めることができる。 According to the substrate processing method of the fifteenth aspect, the gas concentration of the processing liquid can be increased by supplying the gas to the processing liquid tank.

第１６態様の基板処理方法によると、流量調整された処理液に対してガスを混合させることができる。 According to the substrate processing method of the sixteenth aspect, the gas can be mixed with the processing liquid whose flow rate is adjusted.

第１７態様の基板処理方法によると、ガスが供給された後の処理液を処理液配管から除去できる。例えば、ガス供給開始直後のガス濃度が不安定な処理液を処理液配管から排出することによって、当該処理液がノズルから基板に供給されることを抑制できる。
第１８態様の基板処理装置によると、処理液中に溶解できないガスの気泡を捕捉できる。

According to the substrate processing method of the seventeenth aspect, the processing liquid after the gas has been supplied can be removed from the processing liquid pipe. For example, by discharging the processing liquid whose gas concentration is unstable immediately after the start of gas supply from the processing liquid pipe, it is possible to suppress the processing liquid from being supplied from the nozzle to the substrate.
According to the substrate processing apparatus of the eighteenth aspect, gas bubbles that cannot be dissolved in the processing liquid can be captured.

第１実施形態の基板処理装置１のレイアウトを示す図解的な平面図である。1 is an illustrative plan view showing the layout of the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment; FIG. 第１実施形態の処理ユニット６および流体ボックス７を模式的に示す図である。4 is a diagram schematically showing a processing unit 6 and a fluid box 7 of the first embodiment; FIG. 第１実施形態の処理ユニット６における基板処理の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of a substrate processing in the processing unit 6 of 1st Embodiment. 第２実施形態の基板処理装置１Ａを模式的に示す図である。It is a figure which shows 1 A of substrate processing apparatuses of 2nd Embodiment typically. 第３実施形態の基板処理装置１Ｂを示す図である。It is a figure which shows the substrate processing apparatus 1B of 3rd Embodiment.

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the constituent elements described in this embodiment are merely examples, and are not intended to limit the scope of the present invention only to them. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions and numbers of each part may be exaggerated or simplified as necessary.

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「～の上」とは、特に断らない限り、２つの要素が接している場合のほか、２つの要素が離れている場合も含む。 Expressions indicating relative or absolute positional relationships (e.g., "in one direction", "along one direction", "parallel", "perpendicular", "center", "concentric", "coaxial", etc.) are used unless otherwise specified. Not only the positional relationship is strictly expressed, but also the relatively displaced state in terms of angle or distance within the range of tolerance or equivalent function. Expressions indicating equality (e.g., "same", "equal", "homogeneous", etc.), unless otherwise specified, not only express quantitatively strictly equality, but also tolerances or equivalent functions can be obtained It shall also represent the state in which there is a difference. Expressions indicating shapes (e.g., "square shape" or "cylindrical shape"), unless otherwise specified, not only represent the shape strictly geometrically, but also to the extent that the same effect can be obtained, such as Shapes having unevenness, chamfering, etc. are also represented. The terms "comprise", "comprise", "comprise", "include" or "have" an element are not exclusive expressions that exclude the presence of other elements. Unless otherwise specified, "on" includes not only the case where two elements are in contact but also the case where two elements are separated.

＜１． 第１実施形態＞
図１は、第１実施形態の基板処理装置１のレイアウトを示す図解的な平面図である。基板処理装置１は、半導体ウエハである基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、インデクサブロック２、および処理ブロック３を備えている。 <1. First Embodiment>
FIG. 1 is an illustrative plan view showing the layout of the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes substrates W, which are semiconductor wafers, one by one. A substrate processing apparatus 1 includes an indexer block 2 and a processing block 3 .

インデクサブロック２は、キャリア保持部４、インデクサロボットＩＲ、およびＩＲ移動機構５を備える。キャリア保持部４は、複数の基板Ｗを収容することが可能なキャリアＣを保持する。各キャリアＣは、所定のキャリア配列方向Ｕに沿って配列された状態で、キャリア保持部４に保持される。ＩＲ移動機構５は、キャリア配列方向Ｕに沿ってインデクサロボットＩＲを水平方向に移動させる。インデクサロボットＩＲは、キャリア保持部４に保持されたキャリアＣに基板Ｗを搬入する搬入動作、および基板ＷをキャリアＣから搬出する搬出動作を行う。キャリアＣは、例えば基板Ｗを密閉状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＲ（Standard Mechanical Interface）ポッド、またはＯＣ（Open Cassette）を含む。 The indexer block 2 includes a carrier holder 4 , an indexer robot IR, and an IR moving mechanism 5 . The carrier holding unit 4 holds a carrier C capable of accommodating a plurality of substrates W. As shown in FIG. Each carrier C is held by the carrier holding section 4 while being arranged along a predetermined carrier arrangement direction U. As shown in FIG. The IR movement mechanism 5 horizontally moves the indexer robot IR along the carrier arrangement direction U. As shown in FIG. The indexer robot IR performs a loading operation of loading the substrate W into the carrier C held by the carrier holding unit 4 and a carrying out operation of carrying the substrate W out of the carrier C. As shown in FIG. The carrier C includes, for example, a FOUP (Front Opening Unified Pod), a SMIR (Standard Mechanical Interface) pod, or an OC (Open Cassette) that accommodates the substrate W in a sealed state.

処理ブロック３は、インデクサブロック２に結合されている。処理ブロック３は、少なくとも１つの処理ユニット６（基板処理部）、少なくとも１つの流体ボックス７（モジュール装填部）、および少なくとも１のセンターロボットＣＲを備える。各処理ユニット６は、１つの基板Ｗを処理液で処理する。本実施形態の基板処理装置１は、１２個の処理ユニット６、１２個の流体ボックス７、１つのセンターロボットＣＲを備える。 Processing block 3 is coupled to indexer block 2 . The processing block 3 comprises at least one processing unit 6 (substrate processing section), at least one fluid box 7 (module loading section), and at least one central robot CR. Each processing unit 6 processes one substrate W with a processing liquid. The substrate processing apparatus 1 of this embodiment includes 12 processing units 6, 12 fluid boxes 7, and one center robot CR.

１２個の処理ユニット６は、鉛直方向に積層された３つ処理ユニット６を含む４つのタワーに分割されている。各タワーは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲む４つの箇所のうちの１つに設けられている。ここでは、キャリア配列方向Ｕに２つの上記タワーが並べられ、キャリア配列方向Ｕに直行する水平方向Ｈに２つの上記タワーが並べられている。 The twelve processing units 6 are divided into four towers containing three vertically stacked processing units 6 . Each tower is provided at one of four locations surrounding the center robot CR in plan view. Here, the two towers are arranged in the carrier arrangement direction U, and the two towers are arranged in the horizontal direction H orthogonal to the carrier arrangement direction U.

各流体ボックス７は、配管およびバルブなどの流体機器を収容する筐体を含む。基板処理装置１は、１つの処理ユニット６に対して、１つの流体ボックス７を有する。各流体ボックス７は、対応する処理ユニット６に対して処理液を供給する。各流体ボックス７は、処理ユニット６に対して水平方向Ｈに隣接する位置に配されている。つまり、各タワーにおいて、３つの流体ボックス７が上下に配列されている。 Each fluid box 7 includes a housing that houses fluid equipment such as piping and valves. The substrate processing apparatus 1 has one fluid box 7 for one processing unit 6 . Each fluid box 7 supplies processing liquid to the corresponding processing unit 6 . Each fluid box 7 is arranged adjacent to the processing unit 6 in the horizontal direction H. As shown in FIG. That is, in each tower, three fluid boxes 7 are arranged vertically.

センターロボットＣＲは、各処理ユニット６にアクセスする。センターロボットＣＲは、各処理ユニット６に基板Ｗを搬入する搬入動作、および各処理ユニット６から基板Ｗを搬出する搬出動作を行う。センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲによってキャリアＣから搬出されてパス部ＰＳに載置された未処理の基板Ｗを受け取る。そして、処理ユニット６は、当該未処理の基板Ｗを、いずれかの処理ユニット６に搬入する。 The center robot CR accesses each processing unit 6 . The center robot CR performs a loading operation of loading the substrate W into each processing unit 6 and a loading operation of loading the substrate W out of each processing unit 6 . The center robot CR receives unprocessed substrates W unloaded from the carrier C by the indexer robot IR and placed on the pass section PS. Then, the processing unit 6 carries the unprocessed substrate W into any one of the processing units 6 .

センターロボットＣＲは、各処理ユニット６から処理済の基板Ｗを搬出するとともに、当該処理済の基板Ｗをパス部ＰＳに載置する。処理済の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲによってパス部ＰＳからキャリアＣに搬入される。インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲは、制御部８によってその動作が制御される。 The center robot CR unloads the processed substrate W from each processing unit 6 and places the processed substrate W on the pass section PS. The processed substrate W is carried into the carrier C from the pass section PS by the indexer robot IR. The operations of the indexer robot IR and the center robot CR are controlled by the controller 8 .

図２は、第１実施形態の処理ユニット６および流体ボックス７を模式的に示す図である。処理ユニット６は、隔壁９で区画された処理室１０と、スピンチャック１１、ノズル１２、およびカップ１４を備える。スピンチャック１１，ノズル１２、およびカップ１４は、処理室１０の内部に配されている。 FIG. 2 is a diagram schematically showing the processing unit 6 and the fluid box 7 of the first embodiment. The processing unit 6 includes a processing chamber 10 partitioned by a partition wall 9, a spin chuck 11, a nozzle 12, and a cup 14. Spin chuck 11 , nozzle 12 and cup 14 are arranged inside processing chamber 10 .

スピンチャック１１は、基板Ｗを水平に保持して回転させる。スピンチャック１１は、回転軸１５、回転駆動モータ１５１、スピンベース１６、複数の挟持部材１７を有する。回転軸１５は、鉛直方向に平行な回転軸線Ａ１に沿って延びる円柱状の部材である。回転駆動モータ１５１は、回転軸１５の下端部に連結されており、回転軸１５を回転軸線Ａ１まわりに回転させる。回転駆動モータ１５１は、制御部８に接続されており、制御部８からの制御信号に応じて動作する。スピンベース１６は、回転軸１５の上端部に設けられており、上面が水平面である円板状の部材である。各挟持部材１７は、スピンベース１６の上面の周縁部に分散して配されている。スピンチャック１１は、各挟持部材１７を基板Ｗの周端面に当接させることにより、スピンベース１６の上方において基板Ｗを水平姿勢（主面の法線が鉛直方向に沿う姿勢）で挟持する。また、スピンチャック１１は、円形である基板Ｗの中心を回転軸線Ａ１に一致させた状態で保持する。各挟持部材１７によって基板Ｗを保持した状態で、回転駆動モータ１５１の駆動力を回転軸１５に入力することによって、基板Ｗが回転軸線Ａ１まわりに回転させる。 The spin chuck 11 holds the substrate W horizontally and rotates it. The spin chuck 11 has a rotary shaft 15 , a rotary drive motor 151 , a spin base 16 and a plurality of holding members 17 . The rotating shaft 15 is a cylindrical member extending along a rotating axis A1 parallel to the vertical direction. The rotary drive motor 151 is connected to the lower end of the rotating shaft 15 and rotates the rotating shaft 15 around the rotation axis A1. The rotation drive motor 151 is connected to the controller 8 and operates according to a control signal from the controller 8 . The spin base 16 is provided at the upper end of the rotating shaft 15 and is a disk-shaped member having a horizontal upper surface. The holding members 17 are distributed along the periphery of the upper surface of the spin base 16 . The spin chuck 11 clamps the substrate W above the spin base 16 in a horizontal posture (a posture in which the normal to the main surface is along the vertical direction) by bringing the clamping members 17 into contact with the peripheral end surface of the substrate W. Further, the spin chuck 11 holds the circular substrate W in a state in which the center thereof coincides with the rotation axis A1. By inputting the driving force of the rotation drive motor 151 to the rotation shaft 15 while holding the substrate W by the holding members 17, the substrate W is rotated around the rotation axis A1.

スピンチャック１１は、複数の挟持部材１７の代わりに、基板Ｗをスピンベース１６の上面に吸着する吸着機構を備えていてもよい。吸着機構は、例えば、スピンベース１６の上面に形成された１つ以上の溝、当該各溝に接続された１つ以上の孔、当該各孔に接続されて孔内の雰囲気を吸引する真空ポンプなどによって構成され得る。 The spin chuck 11 may include a suction mechanism that suctions the substrate W onto the upper surface of the spin base 16 instead of the plurality of holding members 17 . The suction mechanism includes, for example, one or more grooves formed on the upper surface of the spin base 16, one or more holes connected to each groove, and a vacuum pump connected to each hole to suck the atmosphere in the hole. and so on.

ノズル１２は、下端部に処理液を吐出する吐出口を有する。ノズル１２は、当該吐出口を下方に向けた状態で、スピンチャック１１の上方に配置される。なお、各処理ユニット６は、ノズル１２をスピンチャック１１の上方である上方位置と、スピンチャック１１の上方から外れた外方位置との間でノズル１２を水平方向に移動させる移動駆動モータを備えていてもよい。 The nozzle 12 has an ejection opening for ejecting the treatment liquid at its lower end. The nozzle 12 is arranged above the spin chuck 11 with the ejection port directed downward. Each processing unit 6 includes a movement drive motor that horizontally moves the nozzle 12 between an upper position above the spin chuck 11 and an outer position away from the spin chuck 11 . may be

ノズル１２は、流体ボックス７から供給される処理液をスピンチャック１１に保持された基板Ｗの上面中央部に向けて吐出する。スピンチャック１１によって回転する基板Ｗの上面に処理液が供給されると、その処理液が基板Ｗの上面中央部に着液した後、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁に向かって広がる。したがって、スピンチャック１１が基板Ｗを回転させつつ、ノズル１２が処理液を吐出することによって、基板Ｗの上面全域に処理液が供給される。 The nozzle 12 discharges the processing liquid supplied from the fluid box 7 toward the central portion of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 11 . When the processing liquid is supplied to the upper surface of the rotating substrate W by the spin chuck 11, the processing liquid lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, and then is subjected to centrifugal force due to the rotation of the substrate W and spreads along the peripheral edge of the substrate W. spread toward. Therefore, the spin chuck 11 rotates the substrate W, and the nozzle 12 discharges the processing liquid, thereby supplying the processing liquid to the entire upper surface of the substrate W. FIG.

ノズル１２は、基板Ｗ上での処理液の着液位置が固定されている固定ノズルであってもよいし、基板Ｗ上での処理液の着液位置が基板Ｗ上で移動する、いわゆるスキャンノズルであってもよい。 The nozzle 12 may be a fixed nozzle in which the processing liquid landing position on the substrate W is fixed. It may be a nozzle.

カップ１４は、上端が開放された有底筒状であり、スピンベース１６の水平方向の周囲を取り囲むことが可能である。ノズル１２から供給されて、基板Ｗの周囲に飛散する処理液は、カップ１４における基板Ｗの周端面に対向する内周面によって受け止められる。このようにカップ１４は、基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて捕獲する。カップ１４の底部には、捕獲された処理液を流体ボックス７に導くための排液配管２１が接続されている。 The cup 14 has a bottomed cylindrical shape with an open upper end, and can surround the spin base 16 in the horizontal direction. The processing liquid supplied from the nozzle 12 and scattered around the substrate W is received by the inner peripheral surface of the cup 14 facing the peripheral end surface of the substrate W. As shown in FIG. In this manner, the cup 14 receives and captures the processing liquid scattered from the substrate W. As shown in FIG. A drain pipe 21 is connected to the bottom of the cup 14 to guide the captured processing liquid to the fluid box 7 .

処理ユニット６が基板Ｗを処理する場合、スピンチャック１１によって回転する基板Ｗに、ノズル１２から処理液としての薬液が供給される。処理ユニット６において、薬液による処理が所定時間行われた後、スピンチャック１１によって回転する基板Ｗにノズル１２から処理液としてのリンス液が供給される。これにより、基板Ｗに付着している薬液がリンス液によって洗い流される。リンス処理が所定時間にわたって行われた後は、スピンチャック１１によって基板Ｗを高速回転させて当該基板Ｗを乾燥させる（スピンドライ）。 When the processing unit 6 processes the substrate W, a chemical liquid as a processing liquid is supplied from the nozzle 12 to the substrate W rotated by the spin chuck 11 . In the processing unit 6 , after the processing with the chemical liquid is performed for a predetermined time, the rinse liquid as the processing liquid is supplied from the nozzle 12 to the substrate W rotated by the spin chuck 11 . As a result, the chemical liquid adhering to the substrate W is washed away by the rinsing liquid. After the rinsing process is performed for a predetermined time, the spin chuck 11 rotates the substrate W at high speed to dry the substrate W (spin dry).

本実施形態では、薬液とリンス液をひとまとめに「処理液」と称する場合がある。処理液は、基板Ｗの表面を処理するための流体であり、例えば、フッ酸などの薬液や脱イオン水（ＤＩＷ）などのリンス液やイソプロピルアルコール（Isopropyl Alcohol: IPA）などの有機溶剤を含む。薬液は、フッ酸に限られず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＳＰＭ（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、ＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（hydrochloric hydrogen preoxide mixed water solution：塩酸過酸化水素水混合水溶液）などが挙げられる。 In the present embodiment, the chemical liquid and the rinse liquid may be collectively referred to as "treatment liquid". The processing liquid is a fluid for processing the surface of the substrate W, and includes, for example, a chemical liquid such as hydrofluoric acid, a rinse liquid such as deionized water (DIW), or an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA). . Chemical solutions are not limited to hydrofluoric acid, sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid (BHF), aqueous ammonia, aqueous hydrogen peroxide, organic acids (eg, citric acid, oxalic acid, etc.), organic alkalis. (for example, TMAH: tetramethylammonium hydroxide), a surfactant, or a liquid containing at least one of a corrosion inhibitor. Examples of chemical solutions in which these are mixed include SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture), SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mixture), SC2 (hydrochloric hydrogen peroxide mixture) mixed water solution: hydrochloric acid hydrogen peroxide mixed aqueous solution) and the like.

各流体ボックス７には、複数の供給モジュール２２、多連弁２３、および排液タンク２４などが収容されている。流体ボックス７、複数の供給モジュール２２、および多連弁２３によって１つの処理液供給部２５が構成されている。基板処理装置１は、各処理ユニット６に対して処理液供給部２５を１つずつ備えている。 Each fluid box 7 houses a plurality of supply modules 22, multiple valves 23, a drain tank 24, and the like. The fluid box 7 , the plurality of supply modules 22 , and the multiple valve 23 constitute one processing liquid supply section 25 . The substrate processing apparatus 1 includes one processing liquid supply unit 25 for each processing unit 6 .

各流体ボックス７は、直方体状であり、その内部には、複数の供給モジュール２２を配置するための複数の配置空間２６が設けられている。各配置空間２６は、大きさが統一された空間であり、流体ボックス７の内部において鉛直方向に配列されている。すなわち、各供給モジュール２２は、流体ボックス７の内部において鉛直方向に配列される。このように、各供給モジュール２２を配列することによって、流体ボックス７の占有体積を低減でき、もって基板処理装置１の占有体積を低減できる。 Each fluid box 7 has a rectangular parallelepiped shape, and a plurality of arrangement spaces 26 for arranging a plurality of supply modules 22 are provided therein. Each arrangement space 26 is a space with a uniform size and arranged vertically inside the fluid box 7 . That is, each supply module 22 is arranged vertically inside the fluid box 7 . By arranging the supply modules 22 in this manner, the volume occupied by the fluid box 7 can be reduced, and the volume occupied by the substrate processing apparatus 1 can be reduced.

各供給モジュール２２は、処理液Ａ，Ｂ，Ｃおよび窒素ガスの各供給源（流体源）のいずれかから供給される処理液または窒素ガス（流体）をノズル１２に向けて供給する。各供給モジュール２２は、流体供給機能および流量調整機能などを有する。流体供給機能は、ノズル１２に処理液を供給する機能である。流量調整機能は、流体の流量を調整してノズル１２に供給する機能である。なお、供給モジュール２２は、２種類以上の流体を混合するための配管および弁など、またはノズル１２に流体を供給していない間に流体源から供給された流体を流体源に帰還させて流体を循環させるための配管および弁などを備えていてもよい。なお、供給モジュール２２については、例えば、特開２０１０－１４７２１２号公報に記載された処理液供給モジュールの構成を適用してもよい。 Each supply module 22 supplies the processing liquid or nitrogen gas (fluid) supplied from any one of the processing liquids A, B, C and nitrogen gas supply sources (fluid sources) toward the nozzle 12 . Each supply module 22 has a fluid supply function, a flow rate adjustment function, and the like. The fluid supply function is a function of supplying the processing liquid to the nozzles 12 . The flow rate adjustment function is a function of adjusting the flow rate of the fluid and supplying it to the nozzle 12 . The supply module 22 includes piping and valves for mixing two or more types of fluid, or the fluid supplied from the fluid source while the fluid is not being supplied to the nozzle 12, and returns the fluid to the fluid source. Piping and valves for circulation may be provided. For the supply module 22, for example, the configuration of the processing liquid supply module described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-147212 may be applied.

各供給モジュール２２は、配置空間２６に配置可能な所定の大きさに統一されている。各供給モジュール２２は、トレー２７と、トレー２７に取り付けられた供給配管２８、流体機器群２９（機器）とを有する。トレー２７は、たとえば平面視矩形状であり、その大きさが複数の供給モジュール２２間で統一されている。各供給配管２８および各流体機器群２９は、対応するトレー２７の一方の面に沿って配置されており、平面的な配置に統一されている。 Each supply module 22 has a predetermined size that can be arranged in the arrangement space 26 . Each supply module 22 has a tray 27, a supply pipe 28 attached to the tray 27, and a fluid equipment group 29 (equipment). The tray 27 has, for example, a rectangular shape in plan view, and its size is uniform among the plurality of supply modules 22 . Each supply pipe 28 and each fluid device group 29 are arranged along one surface of the corresponding tray 27, and are unified in planar arrangement.

供給配管２８は、たとえばＰＦＡ（パーフルオロアルコキシエチレン）などのフッ素樹脂により形成されており、流体機器群２９は、供給配管２８に介装されたバルブなどにより構成されている。流体機器群２９を構成する機器としては、たとえば、開閉バルブ（不図示）、流量調整バルブ３１，３３、流量計３２，３４、各供給モジュール２２に設けられた流体機器群２９は、供給モジュール２２の機能ごとに異なる構成を備えていてもよい。 The supply pipe 28 is made of, for example, a fluororesin such as PFA (perfluoroalkoxyethylene), and the fluid device group 29 includes valves and the like interposed in the supply pipe 28 . Devices constituting the fluid device group 29 include, for example, on-off valves (not shown), flow rate adjustment valves 31 and 33, flowmeters 32 and 34, and fluid device groups 29 provided in each supply module 22. may have a different configuration for each function.

各流体ボックス７は、いずれの配置空間２６においても、トレー２７を取付けおよび取外し可能な取付構造を有する。各トレー２７は、それぞれ水平姿勢で流体ボックス７に取り付けられる。各トレー２７は、流体ボックス７内において、鉛直方向に間隔をあけて配列される。各供給配管２８および各流体機器群２９は、流体ボックス７の内部において、対応するトレー２７の上方に配置される。各トレー２７は、流体ボックス７の内部を鉛直方向に仕切る。各供給モジュール２２に設けられた供給配管２８および流体機器群２９は、各トレー２７によって他の供給配管２８および流体機器群２９から隔離される。 Each fluid box 7 has a mounting structure capable of mounting and removing the tray 27 in any arrangement space 26 . Each tray 27 is attached to the fluid box 7 in a horizontal position. Each tray 27 is vertically spaced within the fluid box 7 . Each supply pipe 28 and each fluid device group 29 are arranged above the corresponding tray 27 inside the fluid box 7 . Each tray 27 vertically partitions the interior of the fluid box 7 . The supply pipes 28 and fluid equipment groups 29 provided in each supply module 22 are isolated from other supply pipes 28 and fluid equipment groups 29 by each tray 27 .

流体ボックス７の内部において、各供給モジュール２２に設けられた供給配管２８および流体機器群２９を他の供給配管２８および流体機器群２９から隔離することにより、たとえば隣接する２つの供給モジュール２２に温度の異なる処理液が供給される場合でも、これらの供給モジュール２２にそれぞれ設けられた２つの供給配管２８を流れる処理液が互いに影響を受けてその温度が変化することを低減できる。また、隣接する２つの供給モジュール２２にそれぞれ酸性の処理液およびアルカリ性の処理液が供給される場合であっても、たとえば供給配管２８に浸透してその外部に移動した酸性の処理液とアルカリ性の処理液とが接触することを低減できる。 Inside the fluid box 7, by isolating the supply pipes 28 and the fluid equipment groups 29 provided in each supply module 22 from the other supply pipes 28 and the fluid equipment groups 29, for example, two adjacent supply modules 22 can be heated. Even when different processing liquids are supplied, it is possible to reduce the possibility that the processing liquids flowing through the two supply pipes 28 respectively provided in these supply modules 22 are affected by each other and change in temperature. Further, even when an acidic processing liquid and an alkaline processing liquid are supplied to two adjacent supply modules 22, for example, the acidic processing liquid and the alkaline Contact with the processing liquid can be reduced.

図２に示すように、この実施形態では、４つの供給モジュール２２が流体ボックス７に収容されている。最も上段に配置された供給モジュール２２には、窒素ガスが供給される。また、上から２段目～４段目の供給モジュール２２には、それぞれ、異なる処理液（順に、処理液Ａ、処理液Ｂ、処理液Ｃ）が供給される。以下の説明では、４つの供給モジュール２２を区別するため、上から順番に、「第１の供給モジュール２２」、「第２の供給モジュール２２」、「第３の供給モジュール２２」、および「第４の供給モジュール２２」と称する場合がある。 As shown in FIG. 2, in this embodiment four supply modules 22 are housed in the fluid box 7 . Nitrogen gas is supplied to the uppermost supply module 22 . Different processing liquids (processing liquid A, processing liquid B, and processing liquid C in order) are supplied to the second to fourth supply modules 22 from the top. In the following description, in order to distinguish between the four supply modules 22, "first supply module 22", "second supply module 22", "third supply module 22", and "third supply module 22" are described in order from the top. 4 supply module 22".

各供給モジュール２２は、多連弁２３に接続されている。多連弁２３に接続されたノズル供給配管３０はノズル１２に接続されている。第２～第４の供給モジュール２２の供給配管２８の１つと、ノズル供給配管３０は、処理液配管を構成している。 Each supply module 22 is connected to a multiple valve 23 . A nozzle supply pipe 30 connected to the multiple valve 23 is connected to the nozzle 12 . One of the supply pipes 28 of the second to fourth supply modules 22 and the nozzle supply pipe 30 constitute processing liquid pipes.

第１～第４の供給モジュール２２は、それぞれ多連弁２３に接続されている。多連弁２３は、複数のエア弁２３ｖ（空気圧により開閉される開閉バルブ）と複数の流路とが一体的に形成されたものである。個々のエア弁２３ｖは制御部８に接続されており、各エア弁２３ｖの開閉動作の制御は制御部８によって行われる。多連弁２３に設けられた個々のエア弁２３ｖを開閉させることにより、第１～第４の供給モジュール２２からそれぞれ供給される流体をノズル１２に供給できる。 The first to fourth supply modules 22 are connected to multiple valves 23 respectively. The multiple valve 23 is integrally formed with a plurality of air valves 23v (open/close valves that are opened and closed by air pressure) and a plurality of flow paths. The individual air valves 23v are connected to the controller 8, and the controller 8 controls the opening and closing of each air valve 23v. By opening and closing individual air valves 23v provided in the multiple valve 23, the fluids supplied from the first to fourth supply modules 22 can be supplied to the nozzle 12 respectively.

多連弁２３は、第１～第４の供給モジュール２２から供給される流体を、ノズル供給配管３０を介してノズル１２に供給する。また、多連弁２３は、第１～第４の供給モジュール２２のうち２つ以上から供給された流体その内部で混合して、混合処理液をノズル１２に供給する。 The multiple valve 23 supplies the fluid supplied from the first to fourth supply modules 22 to the nozzle 12 via the nozzle supply pipe 30 . Further, the multiple valve 23 mixes the fluids supplied from two or more of the first to fourth supply modules 22 inside and supplies the mixed treatment liquid to the nozzle 12 .

なお、流体ボックス７の内部に、多連弁２３に接続されない供給モジュール２２が配置されてもよい。また、当該供給モジュール２２から、処理室１０にノズル１２とは別に設置されたノズルに流体を供給してもよい。この場合、多連弁２３を介さないため、供給モジュール２２に供給された流体を多連弁２３に存在する他の流体と混合させずに基板Ｗに供給できる。 Note that the supply module 22 that is not connected to the multiple valve 23 may be arranged inside the fluid box 7 . Alternatively, the fluid may be supplied from the supply module 22 to a nozzle installed separately from the nozzle 12 in the processing chamber 10 . In this case, the fluid supplied to the supply module 22 can be supplied to the substrate W without being mixed with other fluid present in the multiple valve 23 because the fluid supplied to the supply module 22 does not pass through the multiple valve 23 .

ノズル１２からスピンチャック１１に保持された基板Ｗに供給された処理液は、基板Ｗの周囲に排出され、カップ１４によって捕獲される。カップ１４によって捕獲された処理液は、カップ１４の底部に接続された排液配管２１によって、排液タンク２４に導かれる。 The processing liquid supplied from the nozzle 12 to the substrate W held by the spin chuck 11 is discharged around the substrate W and captured by the cup 14 . The processing liquid captured by the cup 14 is led to a drainage tank 24 by a drainage pipe 21 connected to the bottom of the cup 14 .

なお、ノズル１２以外にも、処理室１０の内部において基板Ｗに処理液を吐出するノズルが設けられてもよい。例えば、基板Ｗの裏面に処理液を吐出するノズルを設けてもよい。この場合、例えば、回転軸１５およびスピンベース１６の中心に鉛直方向に延びる流路を形成して、当該流路に流体を供給することによって、基板Ｗの裏面側の中心部に処理液が供給されてもよい。 In addition to the nozzles 12 , nozzles for discharging the processing liquid onto the substrate W may be provided inside the processing chamber 10 . For example, a nozzle for ejecting the processing liquid may be provided on the rear surface of the substrate W. FIG. In this case, for example, a flow path extending vertically is formed in the center of the rotating shaft 15 and the spin base 16, and the processing liquid is supplied to the center of the back side of the substrate W by supplying the fluid to the flow path. may be

各供給モジュール２２は、それぞれ機能の異なる複数の供給モジュール２２を含む供給モジュール群２０から基板処理装置１の仕様に応じて選択されたものである。すなわち、この実施形態では、予め準備または設計された供給モジュール群２０から基板処理装置１の仕様に応じた複数の供給モジュール２２が選択され、この選択された複数の供給モジュール２２が流体ボックス７に取り付けられる。これにより、基板処理装置１の仕様に応じた処理液供給部２５が構成される。 Each supply module 22 is selected according to the specifications of the substrate processing apparatus 1 from a supply module group 20 including a plurality of supply modules 22 having different functions. That is, in this embodiment, a plurality of supply modules 22 corresponding to the specifications of the substrate processing apparatus 1 are selected from the supply module group 20 prepared or designed in advance, and the selected plurality of supply modules 22 are installed in the fluid box 7. It is attached. Thereby, the processing liquid supply unit 25 corresponding to the specifications of the substrate processing apparatus 1 is configured.

供給モジュール群２０を構成する各供給モジュール２２は、トレー２７、供給配管２８、および流体機器群２９を有する。供給モジュール群２０を構成する各供給モジュール２２は、配置空間２６に配置可能な所定の大きさに統一されている。したがって、供給モジュール群２０から選択した供給モジュール２２であれば、いずれの配置空間２６にも配置できる。これにより、供給モジュール群２０から基板処理装置１の仕様に応じた複数の供給モジュール２２を選択し、この選択した供給モジュール２２を流体ボックス７に取り付けることができる。また、処理液供給部２５の仕様を変更する場合でも、流体ボックス７に取り付けられた供給モジュール２２を流体ボックス７から外して、外された位置に他の供給モジュール２２を取り付ければよいので、容易に処理液供給部２５の仕様を変更できる。 Each supply module 22 constituting the supply module group 20 has a tray 27 , a supply pipe 28 and a fluid device group 29 . Each of the supply modules 22 constituting the supply module group 20 has a uniform size that can be arranged in the arrangement space 26 . Therefore, any supply module 22 selected from the supply module group 20 can be arranged in any arrangement space 26 . Thereby, a plurality of supply modules 22 corresponding to the specifications of the substrate processing apparatus 1 can be selected from the supply module group 20 and the selected supply modules 22 can be attached to the fluid box 7 . Further, even when the specifications of the treatment liquid supply unit 25 are changed, the supply module 22 attached to the fluid box 7 can be removed from the fluid box 7, and another supply module 22 can be attached to the removed position. The specifications of the processing liquid supply unit 25 can be changed.

第１の供給モジュール２２は、窒素ガスを多連弁２３に供給する。第１の供給モジュール２２の供給配管２８のうち、一方端はガス配管２８１を介して窒素ガス源に接続されており、他方端はガス配管２８３を介して多連弁２３に接続されている。第１の供給モジュール２２は、多連弁２３に供給される窒素ガスの流量を調整する流量調整バルブ３１を有する。流量調整バルブ３１は、供給配管２８の中間に配置されており、供給配管２８の内部（流路）の開度を調整することによって窒素ガスの流量を変更する。供給配管２８は制御部８に接続されており、供給配管２８の開度調整は制御部８からの制御信号に応じて行われる。第１の供給モジュール２２に供給配管２８の内部（流路）を開閉する開閉バルブが設けられてもよい。開閉バルブを制御部８によって制御することにより、多連弁２３への窒素ガスの供給がオンオフ制御されてもよい。 The first supply module 22 supplies nitrogen gas to the multiple valve 23 . One end of the supply pipe 28 of the first supply module 22 is connected to the nitrogen gas source via the gas pipe 281 , and the other end is connected to the multiple valve 23 via the gas pipe 283 . The first supply module 22 has a flow control valve 31 that regulates the flow rate of nitrogen gas supplied to the multiple valve 23 . The flow control valve 31 is arranged in the middle of the supply pipe 28 and changes the flow rate of nitrogen gas by adjusting the opening degree of the inside (channel) of the supply pipe 28 . The supply pipe 28 is connected to the controller 8 , and the opening degree of the supply pipe 28 is adjusted according to a control signal from the controller 8 . The first supply module 22 may be provided with an open/close valve that opens and closes the inside (channel) of the supply pipe 28 . The supply of nitrogen gas to the multiple valve 23 may be on/off controlled by controlling the opening/closing valve by the controller 8 .

第１の供給モジュール２２は、流量計３２を備える。流量計３２は、供給配管２８における、流量調整バルブ３１よりも出口側（多連弁２３に近い側）の部分に接続されている。流量計３２は、供給配管２８の内部を通過する窒素ガスの流量を検出する。流量計３２は、制御部８に接続されており、検出された流量に応じた検出信号を制御部８に適宜送信する。 First supply module 22 includes flow meter 32 . The flowmeter 32 is connected to a portion of the supply pipe 28 on the outlet side (closer to the multiple valve 23 ) than the flow rate control valve 31 . A flow meter 32 detects the flow rate of nitrogen gas passing through the supply pipe 28 . The flowmeter 32 is connected to the control unit 8 and appropriately transmits a detection signal corresponding to the detected flow rate to the control unit 8 .

第４の供給モジュール２２は、供給配管２８を介して処理液Ａを多連弁２３に供給する。当該供給配管２８の一方側は配管３６を介して処理液Ａの供給源に接続されており、当該供給配管２８の他方側は処理液配管２８５を介して多連弁２３に接続されている。 The fourth supply module 22 supplies the treatment liquid A to the multiple valve 23 through the supply pipe 28 . One side of the supply pipe 28 is connected to the supply source of the processing liquid A via the pipe 36 , and the other side of the supply pipe 28 is connected to the multiple valve 23 via the processing liquid pipe 285 .

第４の供給モジュール２２は、多連弁２３に供給される処理液Ａの流量を調整する流量調整バルブ３３を有する。流量調整バルブ３３は、供給配管２８の中間に配置されており、供給配管２８の内部の開度を調整することによって、処理液Ａの流量を変更する。流量調整バルブ３３は制御部８に接続されており、流量調整バルブ３３の開度調整は制御部８からの制御信号に応じて行われる。第４の供給モジュール２２に供給配管２８の内部（流路）を開閉する開閉バルブが設けられてもよい。開閉バルブを制御部８によって制御することにより、多連弁２３への処理液Ａの供給のオンオフが制御されてもよい。 The fourth supply module 22 has a flow rate control valve 33 for adjusting the flow rate of the treatment liquid A supplied to the multiple valve 23 . The flow control valve 33 is arranged in the middle of the supply pipe 28 and changes the flow rate of the treatment liquid A by adjusting the opening degree inside the supply pipe 28 . The flow rate adjusting valve 33 is connected to the control section 8 , and the opening degree of the flow rate adjusting valve 33 is adjusted according to a control signal from the control section 8 . The fourth supply module 22 may be provided with an open/close valve that opens and closes the inside (channel) of the supply pipe 28 . By controlling the opening/closing valve with the control unit 8, on/off of the supply of the treatment liquid A to the multiple valve 23 may be controlled.

第４の供給モジュール２２は、流量計３４を備える。流量計３４は、供給配管２８における流量調整バルブ３３よりも出口側（多連弁２３に近い側）の部分に接続されている。流量計３４は、供給配管２８の内部を通過する処理液Ａの流量を検出する。流量計３２は、制御部８に接続されており、検出された流量に応じた検出信号を制御部８に適宜送信する。 Fourth supply module 22 includes flow meter 34 . The flow meter 34 is connected to a portion of the supply pipe 28 closer to the outlet side (the side closer to the multiple valve 23 ) than the flow control valve 33 . The flow meter 34 detects the flow rate of the treatment liquid A passing through the supply pipe 28 . The flowmeter 32 is connected to the control unit 8 and appropriately transmits a detection signal corresponding to the detected flow rate to the control unit 8 .

第４の供給モジュール２２に供給される処理液は、処理液槽３５に貯留されている。処理液槽３５と第４の供給モジュール２２の供給配管２８は、配管３６で接続されている。また、処理液槽３５は、配管３７を介して処理液Ａの供給源と接続されている。配管３７の中間には、配管３７の内部（流路）を開閉する開閉動作を行う開閉バルブ３８が配置されている。開閉バルブ３８は制御部８に接続されている。開閉バルブ３８の開閉制御は、制御部８からの制御命令に応じて行われる。 The processing liquid supplied to the fourth supply module 22 is stored in the processing liquid tank 35 . The processing liquid tank 35 and the supply pipe 28 of the fourth supply module 22 are connected by a pipe 36 . The processing liquid tank 35 is also connected to a supply source of the processing liquid A through a pipe 37 . An opening/closing valve 38 is arranged in the middle of the pipe 37 for opening and closing the inside (flow path) of the pipe 37 . The open/close valve 38 is connected to the controller 8 . The opening/closing control of the opening/closing valve 38 is performed according to a control command from the control unit 8 .

処理液槽３５は、配管３９を介して窒素ガスの供給源と接続されている。配管３９の中間には配管３９の内部（流路）を開閉する開閉動作を行う開閉バルブ４０が設けられている。開閉バルブ４０は制御部８に接続されている。開閉バルブ４０の開閉動作は、制御部８からの制御命令に応じて行われる。 The processing liquid tank 35 is connected through a pipe 39 to a supply source of nitrogen gas. An opening/closing valve 40 is provided in the middle of the pipe 39 for opening and closing the inside (channel) of the pipe 39 . The open/close valve 40 is connected to the controller 8 . The opening/closing operation of the opening/closing valve 40 is performed according to a control command from the controller 8 .

配管３９は、処理液槽３５の内部に連通しており、処理液槽３５の内部に貯留された処理液Ａに対して窒素ガスを供給する。これにより、処理液槽３５の内部において、窒素ガスが混入されたガス溶存液を生成できる。なお、処理液槽３５に窒素ガスを供給する構成を備えることは必須ではなく、省略してもよい。 The pipe 39 communicates with the inside of the processing liquid tank 35 and supplies nitrogen gas to the processing liquid A stored inside the processing liquid tank 35 . As a result, a gas-dissolved liquid mixed with nitrogen gas can be generated inside the processing liquid tank 35 . It should be noted that provision of a configuration for supplying nitrogen gas to the processing liquid tank 35 is not essential and may be omitted.

第２および第３の供給モジュール２２各々においても、図示を省略するが、処理液Ｂ，Ｃの流量を調整する流量調整バルブ、処理液Ｂ，Ｃの多連弁２３への供給をオンオフ開閉バルブ、および処理液Ｂ，Ｃの流量を検出する流量計が適宜設けられる。 Also in each of the second and third supply modules 22, although not shown, a flow rate adjustment valve for adjusting the flow rate of the treatment liquids B and C, an on/off valve for supplying the treatment liquids B and C to the multiple valve 23 are provided. , and flow meters for detecting the flow rates of the treatment liquids B and C are provided as appropriate.

第１の供給モジュール２２の供給配管２８には、ガスフィルター４１が設けられている。ガスフィルター４１は、供給配管２８内を通過する窒素ガスを濾過することによって、窒素ガスに含まれる微小粒子を除去する。これにより、窒素ガスが浄化される。 A gas filter 41 is provided in the supply pipe 28 of the first supply module 22 . The gas filter 41 removes fine particles contained in the nitrogen gas by filtering the nitrogen gas passing through the supply pipe 28 . This purifies the nitrogen gas.

ノズル供給配管３０の中間部には、サックバック部４２、気泡捕捉部４３、およびガス濃度計４４がノズル１２に近い側に設けられている。サックバック部４２は、ノズル供給配管３０に接続された排出配管４２１と、排出配管４２１に接続されたサックバックバルブ４２２とを有する。サックバックバルブ４２２は、制御部８に接続されており、制御部８からの制御命令に応じて、排出配管４２１内に吸引力を作用させる。これにより、ノズル供給配管３０の内部の処理液が、排出配管４２１側に吸引されて外部に適宜排出される。 A suck-back section 42 , an air bubble capturing section 43 , and a gas concentration meter 44 are provided in an intermediate portion of the nozzle supply pipe 30 on the side closer to the nozzle 12 . The suckback section 42 has a discharge pipe 421 connected to the nozzle supply pipe 30 and a suckback valve 422 connected to the discharge pipe 421 . The suck back valve 422 is connected to the controller 8 and applies a suction force to the discharge pipe 421 according to a control command from the controller 8 . As a result, the processing liquid inside the nozzle supply pipe 30 is sucked to the discharge pipe 421 side and appropriately discharged to the outside.

気泡捕捉部４３は、ノズル供給配管３０の内部を通過する処理液中のエアを捕捉して、ノズル供給配管３０の外部に適宜排出する。気泡捕捉部４３は、例えば中空糸膜をフィルターとして備えていてもよい。また、気泡捕捉部４３は、配管の内部の空気を外部に放出する空気抜き弁を備えていてもよい。 The air bubble capture unit 43 captures air in the processing liquid passing through the nozzle supply pipe 30 and appropriately discharges it to the outside of the nozzle supply pipe 30 . The bubble trapping section 43 may be provided with, for example, a hollow fiber membrane as a filter. Moreover, the air bubble trapping part 43 may be provided with an air vent valve for releasing the air inside the pipe to the outside.

気泡捕捉部４３を備えることによって、ノズル供給配管３０を通過する処理液において、溶けきれなかった窒素ガスなどの気泡を除去できるため、ノズル１２から基板Ｗに向けて気泡が吐出されることを抑制できる。これにより、基板Ｗに気泡が付着することを抑制できるため、気泡の付着による処理不良を低減できる。なお、多連弁２３に気泡捕捉部が設けられてもよい。例えば、多連弁２３の最上部に気泡捕捉部として、気泡捕捉ための空間、および空気抜き弁を設けてもよい。この場合、発生した気泡を多連弁２３の内部で上昇させて多連弁２３の上部にためた後、空気抜き弁を介して外部に放出してもよい。 By providing the bubble trapping part 43, bubbles such as nitrogen gas that have not been completely dissolved in the processing liquid passing through the nozzle supply pipe 30 can be removed. can. As a result, it is possible to suppress adhesion of air bubbles to the substrate W, thereby reducing processing defects due to adhesion of air bubbles. Note that the multiple valve 23 may be provided with an air bubble capturing portion. For example, a space for trapping air bubbles and an air vent valve may be provided at the uppermost portion of the multiple valve 23 as an air bubble trapping portion. In this case, the generated air bubbles may be raised inside the multiple valve 23 and accumulated in the upper portion of the multiple valve 23, and then released to the outside through the air vent valve.

ガス濃度計４４は、ノズル供給配管３０の中間部に接続されており、ノズル供給配管３０の内部を通過する処理液に溶け込んでいる窒素の濃度（溶存濃度）を検出する。ガス濃度計４４は、制御部８に接続されており、検出されたガス濃度を示す検出信号を制御部８に送信する。ガス濃度計４４は、窒素以外のガス（酸素など）の溶存濃度を検出してもよい。 The gas concentration meter 44 is connected to an intermediate portion of the nozzle supply pipe 30 and detects the concentration (dissolved concentration) of nitrogen dissolved in the processing liquid passing through the nozzle supply pipe 30 . The gas concentration meter 44 is connected to the control unit 8 and transmits a detection signal indicating the detected gas concentration to the control unit 8 . The gas concentration meter 44 may detect the dissolved concentration of gases other than nitrogen (such as oxygen).

配管３６、第４の供給モジュール２２の供給配管２８、処理液配管２８５およびノズル供給配管３０は、ノズル１２に連通しており、内部に処理液を流通させる処理液配管１０１を構成する。ガス配管２８１、第１の供給モジュール２２の供給配管２８、ガス配管２８３は、内部（流路）にガスを流通させるガス配管１０３の一例である。流体ボックス７は、その内部に処理液配管１０１の一部である第４の供給モジュール２２の供給配管２８、および処理液配管２８５、並びにガス配管１０３の一部であるガス配管２８３が装填される、流体モジュール装填部の一例である。多連弁２３は、ガス配管１０３を処理液配管１０１に接続する接続部の一例である。当該多連弁２３は、流体ボックス７の内部に設けられている。すなわち、多連弁２３（接続部）は、処理液配管１０１における、流体ボックス７の内部からノズル１２までの間の中間部に設けられている。 The pipe 36, the supply pipe 28 of the fourth supply module 22, the processing liquid pipe 285, and the nozzle supply pipe 30 communicate with the nozzle 12 and constitute the processing liquid pipe 101 through which the processing liquid flows. The gas pipe 281, the supply pipe 28 of the first supply module 22, and the gas pipe 283 are an example of the gas pipe 103 that circulates the gas inside (channel). The fluid box 7 is loaded therein with the supply line 28 of the fourth supply module 22, which is part of the process liquid line 101, and the process liquid line 285, as well as the gas line 283, which is part of the gas line 103. , which is an example of a fluid module loading section. The multiple valve 23 is an example of a connecting portion that connects the gas pipe 103 to the processing liquid pipe 101 . The multiple valve 23 is provided inside the fluid box 7 . That is, the multiple valve 23 (connecting portion) is provided in an intermediate portion between the inside of the fluid box 7 and the nozzle 12 in the processing liquid pipe 101 .

処理液Ａの流量を調整する流量調整バルブ３３（流量調整部）は、処理液配管１０１の一部である、第４の供給モジュール２２の供給配管２８に設けられている。また、接続部である多連弁２３は、処理液配管１０１における、流量調整バルブ３３とノズル１２との間に設けられている。この位置に多連弁２３を設けることにより、流量調整バルブ３３によって流量調整された処理液Ａに対して、窒素ガスを混合させることができる。これにより、ノズル１２における処理液Ａのユースポイント近くで処理液Ａ中の窒素ガスの濃度を高めることで溶存酸素濃度を低減し精度よく制御することができる。 A flow rate adjustment valve 33 (flow rate adjustment unit) for adjusting the flow rate of the treatment liquid A is provided in the supply pipe 28 of the fourth supply module 22 which is part of the treatment liquid pipe 101 . The multiple valve 23 , which is a connecting portion, is provided between the flow control valve 33 and the nozzle 12 in the processing liquid pipe 101 . By providing the multiple valve 23 at this position, the nitrogen gas can be mixed with the treatment liquid A whose flow rate is adjusted by the flow rate adjustment valve 33 . Accordingly, by increasing the concentration of nitrogen gas in the processing liquid A near the use point of the processing liquid A in the nozzle 12, the dissolved oxygen concentration can be reduced and accurately controlled.

処理液配管１０１は処理液槽３５に接続されており、多連弁２３が処理液配管１０１における処理液槽３５とノズル１２との間に設けられている。このため、多連弁２３において、処理液槽３５から供給される処理液Ａに対して窒素ガスと混合させることができる。また、処理液槽３５に窒素ガスが供給されることにより、処理液Ａ中の窒素ガスの濃度をさらに高めることができる。ノズル１２から吐出される処理液Ａ中の窒素ガス濃度が高く維持されることによって、処理液Ａ中の酸素の溶存濃度を低減できる。これにより、基板Ｗの表面に供給された処理液Ａ中の酸素が、基板Ｗの表面に作用（酸化作用など）を及ぼすことを低減できる。 The processing liquid pipe 101 is connected to the processing liquid tank 35 , and the multiple valve 23 is provided between the processing liquid tank 35 and the nozzle 12 in the processing liquid pipe 101 . Therefore, in the multiple valve 23, the processing liquid A supplied from the processing liquid tank 35 can be mixed with the nitrogen gas. Further, by supplying nitrogen gas to the processing liquid tank 35, the concentration of nitrogen gas in the processing liquid A can be further increased. By maintaining a high nitrogen gas concentration in the treatment liquid A discharged from the nozzle 12, the dissolved oxygen concentration in the treatment liquid A can be reduced. As a result, the oxygen in the processing liquid A supplied to the surface of the substrate W exerts an action (such as an oxidizing action) on the surface of the substrate W can be reduced.

気泡捕捉部４３は、処理液配管１０１における多連弁２３とノズル１２とを連結するノズル供給配管３０の中間部に設けられている。このため、多連弁２３において窒素ガスと混合された処理液Ａにおいて、溶けきれなかった窒素ガス、あるいは処理液Ａに溶け込めずに発生した窒素ガスまたは酸素ガスなどの気泡を除去できる。 The bubble trapping part 43 is provided in the intermediate part of the nozzle supply pipe 30 that connects the multiple valve 23 and the nozzle 12 in the treatment liquid pipe 101 . Therefore, in the treatment liquid A mixed with nitrogen gas in the multiple valve 23, the nitrogen gas that has not been completely dissolved, or bubbles such as nitrogen gas or oxygen gas that have not been dissolved in the treatment liquid A can be removed.

ガス濃度計４４は、処理液配管１０１における多連弁２３とノズル１２とを連結するノズル供給配管３０の中間部に設けられている。このため、窒素ガスが混合された後の処理液Ａ中における窒素の溶存濃度を検出できる。 The gas concentration meter 44 is provided at an intermediate portion of the nozzle supply pipe 30 that connects the multiple valve 23 and the nozzle 12 in the processing liquid pipe 101 . Therefore, it is possible to detect the concentration of dissolved nitrogen in the treatment liquid A after the nitrogen gas has been mixed.

ガスフィルター４１は、ガス配管１０３の一部である、第１の供給モジュール２２の供給配管２８に設けられている。多連弁２３は、ガスフィルター４１とノズル１２との間に設けられている。このため、多連弁２３において処理液Ａに混合させる窒素ガスの清浄度を高めることができる。 Gas filter 41 is provided in supply line 28 of first supply module 22 , which is part of gas line 103 . Multiple valve 23 is provided between gas filter 41 and nozzle 12 . Therefore, the cleanliness of the nitrogen gas mixed with the treatment liquid A in the multiple valve 23 can be improved.

サックバック部４２は、処理液配管１０１における、多連弁２３とノズル１２とを接続するノズル供給配管３０の中間部に設けられている。このため、窒素ガス濃度が安定しない初期の処理液Ａを、サックバック部４２によってノズル供給配管３０から排出できる。これにより、窒素の溶存濃度が低い処理液Ａが、基板Ｗに供給されることを抑制できる。 The suckback portion 42 is provided in the intermediate portion of the nozzle supply pipe 30 that connects the multiple valve 23 and the nozzle 12 in the treatment liquid pipe 101 . Therefore, the initial treatment liquid A whose nitrogen gas concentration is not stable can be discharged from the nozzle supply pipe 30 by the suckback section 42 . As a result, the supply of the processing liquid A having a low dissolved nitrogen concentration to the substrate W can be suppressed.

＜基板処理装置１の動作＞
図３は、第１実施形態の処理ユニット６における基板処理の流れを示す図である。以下、特に断らない限り、基板処理装置１の動作部の動作は、制御部８の制御下で行われる。また、以下の説明では、窒素ガスが混合された処理液Ａを基板Ｗに供給して処理する例を説明する。処理ユニット６における基板処理は、搬入工程Ｓ１０、保持工程Ｓ１１、回転工程Ｓ１２、処理液供給工程Ｓ１３、ガス供給工程Ｓ１４、混合工程Ｓ１５、初期排出工程Ｓ１６、処理液吐出工程Ｓ１７、供給停止工程Ｓ１８、スピンドライ工程Ｓ１９、および搬出工程Ｓ２０を含む。 <Operation of Substrate Processing Apparatus 1>
FIG. 3 is a diagram showing the flow of substrate processing in the processing unit 6 of the first embodiment. Hereinafter, unless otherwise specified, the operation of the operating section of the substrate processing apparatus 1 is performed under the control of the control section 8 . Further, in the following description, an example in which the processing liquid A mixed with nitrogen gas is supplied to the substrate W for processing will be described. Substrate processing in the processing unit 6 includes a loading process S10, a holding process S11, a rotating process S12, a processing liquid supply process S13, a gas supply process S14, a mixing process S15, an initial discharging process S16, a processing liquid discharge process S17, and a supply stopping process S18. , a spin-drying step S19, and an unloading step S20.

搬入工程Ｓ１０は、センターロボットＣＲが１つの処理ユニット６に未処理の基板Ｗを搬入することを含む。搬入工程Ｓ１０の後、保持工程Ｓ１１が行われる。保持工程Ｓ１１は、スピンチャック１１の各挟持部材１７が基板Ｗを水平姿勢に保持することを含む。保持工程Ｓ１１によって基板Ｗが保持されると、回転工程Ｓ１２が行われる。回転工程Ｓ１２は、回転駆動モータ１５１が回転軸１５を第１回転速度で回転させることによって、基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させることを含む。 The loading step S10 includes loading unprocessed substrates W into one processing unit 6 by the center robot CR. Holding process S11 is performed after carrying-in process S10. The holding step S11 includes holding the substrate W in a horizontal posture by each holding member 17 of the spin chuck 11 . After the substrate W is held by the holding step S11, the rotating step S12 is performed. The rotation step S12 includes rotating the substrate W around the rotation axis A1 by causing the rotation drive motor 151 to rotate the rotation shaft 15 at the first rotation speed.

回転工程Ｓ１２の後、処理液供給工程Ｓ１３が行われる。処理液供給工程Ｓ１３は、処理液配管１０１に処理液Ａを供給することを含む。詳細には、不図示のポンプが駆動されることによって、処理液槽３５に貯留された処理液Ａが、配管３６、第４の供給モジュール２２の供給配管２８、および処理液配管２８５を流通して多連弁２３に送られる。 After the rotation step S12, the treatment liquid supply step S13 is performed. The processing liquid supply step S<b>13 includes supplying the processing liquid A to the processing liquid pipe 101 . Specifically, by driving a pump (not shown), the processing liquid A stored in the processing liquid tank 35 flows through the pipe 36, the supply pipe 28 of the fourth supply module 22, and the processing liquid pipe 285. and sent to the multiple valve 23.

また、回転工程Ｓ１２の後、ガス供給工程Ｓ１４が行われる。ガス供給工程Ｓ１４は、ガス配管１０３に窒素ガスを供給することを含む。詳細には、窒素ガス源からの窒素ガスが、ガス配管２８１、第１の供給モジュール２２の供給配管２８、およびガス配管２８３を流通して、多連弁２３に送られる。 Moreover, the gas supply step S14 is performed after the rotation step S12. The gas supply step S<b>14 includes supplying nitrogen gas to the gas pipe 103 . Specifically, nitrogen gas from a nitrogen gas source flows through gas pipe 281 , supply pipe 28 of first supply module 22 , and gas pipe 283 to multiple valve 23 .

処理液供給工程Ｓ１３およびガス供給工程Ｓ１４の後、混合工程Ｓ１５が行われる。混合工程Ｓ１５は、多連弁２３における第１のエア弁２３ｖ、および第４のエア弁２３ｖを開けることを含む。各エア弁２３ｖの開放によって、多連弁２３において、処理液配管１０１のノズル供給配管３０に向けて流れる処理液Ａに対して、ガス配管１０３からの窒素ガスが供給される。これによって、多連弁２３の内部において処理液Ａに窒素ガスが混合され、その処理液Ａがノズル供給配管３０に供給される。 After the treatment liquid supply step S13 and the gas supply step S14, the mixing step S15 is performed. The mixing step S15 includes opening the first air valve 23v and the fourth air valve 23v in the multiple valve 23 . By opening each air valve 23 v , nitrogen gas is supplied from the gas pipe 103 to the processing liquid A flowing toward the nozzle supply pipe 30 of the processing liquid pipe 101 in the multiple valve 23 . As a result, nitrogen gas is mixed with the processing liquid A inside the multiple valve 23 , and the processing liquid A is supplied to the nozzle supply pipe 30 .

混合工程Ｓ１５が行われた後の一定時間の間、初期排出工程Ｓ１６が行われる。初期排出工程Ｓ１６は、第１および第４のエア弁２３ｖが開放された後の一定時間の間、サックバック部４２が、ノズル供給配管３０の内部の処理液Ａを、排出配管４２１を通じて排出することを含む。これにより、混合開始直後の窒素の溶存濃度が安定しない処理液Ａを排出できるため、酸素の溶存濃度が高い状態の処理液Ａが基板Ｗに供給されることを抑制できる。 An initial discharge step S16 is performed for a certain period of time after the mixing step S15 is performed. In the initial discharge step S16, the suckback unit 42 discharges the processing liquid A inside the nozzle supply pipe 30 through the discharge pipe 421 for a certain period of time after the first and fourth air valves 23v are opened. Including. As a result, the processing liquid A having an unstable dissolved nitrogen concentration immediately after the start of mixing can be discharged.

初期排出工程Ｓ１６の後、処理液吐出工程Ｓ１７が行われる。処理液吐出工程Ｓ１７は、窒素ガスが混合された処理液Ａ（窒素ガス溶存処理液）を、ノズル供給配管３０を通じてノズル１２に供給すること、およびその処理液Ａをノズル１２の吐出口から基板Ｗの上面に向けて吐出することを含む。これにより、窒素ガスが溶存する処理液Ａが、回転中の基板Ｗに供給される（処理液吐出工程Ｓ１７）。基板Ｗに供給された処理液Ａは、基板Ｗの回転により遠心力を受けて、基板Ｗの周縁に向けて広がる。処理液Ａは、基板Ｗの周縁から外方へ飛散して、カップ１４の内周面にて受け止められ、排液配管２１を通じて排液タンク２４に排出される。 After the initial discharging step S16, the treatment liquid discharging step S17 is performed. In the processing liquid discharge step S17, the processing liquid A mixed with nitrogen gas (nitrogen gas-dissolved processing liquid) is supplied to the nozzle 12 through the nozzle supply pipe 30, and the processing liquid A is discharged from the discharge port of the nozzle 12 onto the substrate. Including discharging toward the top surface of W. As a result, the processing liquid A in which nitrogen gas is dissolved is supplied to the rotating substrate W (processing liquid discharge step S17). The processing liquid A supplied to the substrate W receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W and spreads toward the periphery of the substrate W. As shown in FIG. The processing liquid A scatters outward from the peripheral edge of the substrate W, is received by the inner peripheral surface of the cup 14 , and is discharged to the liquid drain tank 24 through the liquid drain pipe 21 .

処理液吐出工程Ｓ１７は、第４の供給モジュール２２に設けられた流量計３４が、多連弁２３に供給される処理液Ａの流量を検出すること、および第４の供給モジュール２２に設けられた流量調整バルブ３３が多連弁２３に供給される処理液Ａの流量を調整することを含む。詳細には、制御部８が、流量計３４から送られてくる検出信号に応じて、第４の供給モジュール２２の供給配管２８を通過する処理液の流量が既定の値となるように流量調整バルブ３３の開度を調整する。これにより、多連弁２３に供給される処理液Ａの流量が適正に調整される。 The treatment liquid discharge step S17 includes detecting the flow rate of the treatment liquid A supplied to the multiple valve 23 by the flow meter 34 provided in the fourth supply module 22, and detecting the flow rate of the treatment liquid A provided in the fourth supply module 22. The flow control valve 33 adjusts the flow rate of the treatment liquid A supplied to the multiple valve 23 . Specifically, the control unit 8 adjusts the flow rate of the processing liquid passing through the supply pipe 28 of the fourth supply module 22 to a predetermined value according to the detection signal sent from the flow meter 34. Adjust the opening of the valve 33 . As a result, the flow rate of the treatment liquid A supplied to the multiple valve 23 is properly adjusted.

処理液吐出工程Ｓ１７は、第１の供給モジュール２２に設けられた流量計３２が、多連弁２３に供給される窒素ガスの流量を検出すること、および第１の供給モジュール２２に設けられた流量調整バルブ３１が多連弁２３に供給される窒素ガスの流量を調整することを含む。詳細には、制御部８が、流量計３２から送られてくる検出信号に応じて、第１の供給モジュール２２の供給配管２８を通過する窒素ガスの流量が既定の値となるように、流量調整バルブ３１の開度を調整する。これにより、多連弁２３に供給される窒素ガスの流量が適正に調整される。 The treatment liquid discharge step S17 includes detecting the flow rate of the nitrogen gas supplied to the multiple valve 23 by the flow meter 32 provided in the first supply module 22, and detecting the flow rate of the nitrogen gas provided in the first supply module 22. It includes adjusting the flow rate of the nitrogen gas supplied to the multiple valve 23 by the flow control valve 31 . Specifically, the control unit 8 adjusts the flow rate of the nitrogen gas passing through the supply pipe 28 of the first supply module 22 to a predetermined value according to the detection signal sent from the flow meter 32. The opening degree of the adjustment valve 31 is adjusted. Thereby, the flow rate of the nitrogen gas supplied to the multiple valve 23 is properly adjusted.

処理液吐出工程Ｓ１７は、気泡捕捉部４３が、ノズル供給配管３０を通過する処理液Ａに発生した気泡を捕捉することを含む。これにより、気泡を含む処理液Ａが基板Ｗに供給されることを抑制できる。 The treatment liquid discharge step S<b>17 includes the air bubble capture unit 43 capturing air bubbles generated in the treatment liquid A passing through the nozzle supply pipe 30 . Thereby, the supply of the processing liquid A containing air bubbles to the substrate W can be suppressed.

処理液吐出工程Ｓ１７の後、供給停止工程Ｓ１８が行われる。供給停止工程Ｓ１８は、処理液吐出工程Ｓ１７にて基板Ｗに処理液Ａが供給されてから規定の時間が経過した後、制御部８が多連弁２３の第１および第４のエア弁２３ｖを閉じることを含む。これによって、ノズル供給配管３０への処理液Ａの供給が停止される。 After the treatment liquid discharge step S17, a supply stop step S18 is performed. In the supply stop step S18, after a specified time has elapsed since the treatment liquid A was supplied to the substrate W in the treatment liquid discharge step S17, the control unit 8 closes the first and fourth air valves 23v of the multiple valve 23. including closing the As a result, the supply of the treatment liquid A to the nozzle supply pipe 30 is stopped.

供給停止工程Ｓ１８の後、スピンドライ工程Ｓ１９が行われる。スピンドライ工程Ｓ１９は、回転駆動モータ１５１が回転軸１５を第１回転速度から第１回転速度よりも高速の第２回転速度で回転させて、基板Ｗを第２回転速度で既定時間の間、高速回転させることを含む。基板Ｗを高速回転させることによって、基板Ｗの上面に供給された処理液Ａが基板Ｗの外方に振り切られ、基板Ｗの表面の乾燥が促進される。 After the supply stop step S18, a spin drying step S19 is performed. In the spin drying step S19, the rotation drive motor 151 rotates the rotating shaft 15 from a first rotation speed to a second rotation speed higher than the first rotation speed, and the substrate W is rotated at the second rotation speed for a predetermined time. Including spinning at high speed. By rotating the substrate W at a high speed, the processing liquid A supplied to the upper surface of the substrate W is shaken off to the outside of the substrate W, and drying of the surface of the substrate W is accelerated.

スピンドライ工程Ｓ１９の後、搬出工程Ｓ２０が行われる。搬出工程Ｓ２０は、回転駆動モータ１５１が回転軸１５の回転を停止させること、挟持部材１７が回転を停止した基板Ｗの保持を解除すること、およびセンターロボットＣＲがその保持が解除された基板Ｗを処理室１０から搬出することを含む。 After the spin drying step S19, the unloading step S20 is performed. The unloading step S20 includes stopping the rotation of the rotating shaft 15 by the rotation drive motor 151, releasing the holding of the substrate W whose rotation has been stopped by the holding member 17, and moving the center robot CR to release the substrate W which has been released from the holding. from the processing chamber 10.

以上のように、本実施形態の基板処理装置１によると、処理室１０に併設される流体ボックス７に配された多連弁２３において、配管内を流れる処理液Ａに対して、窒素ガスが混合される。このように、ノズル１２に比較的近い位置で窒素ガスを処理液Ａに混合させることができるため、接続部である多連弁２３からノズル１２まで処理液Ａが移動する間に、処理液Ａから抜ける窒素ガスの量を低く抑えることができる。これにより、ノズル１２から吐出される処理液Ａ中の窒素ガス濃度を維持するために使用する窒素ガス量を低減できる。また、ノズル１２から吐出される処理液Ａにおいて、窒素ガスの溶存濃度を高く維持し、かつ精度よく制御できるため、当該処理液Ａにおいて、酸素の溶存濃度が高まることを抑制できる。 As described above, according to the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, in the multiple valve 23 arranged in the fluid box 7 provided side by side with the processing chamber 10, nitrogen gas is supplied to the processing liquid A flowing through the pipe. mixed. In this way, the nitrogen gas can be mixed with the processing liquid A at a position relatively close to the nozzle 12 . It is possible to suppress the amount of nitrogen gas that escapes from. As a result, the amount of nitrogen gas used to maintain the nitrogen gas concentration in the processing liquid A discharged from the nozzle 12 can be reduced. Further, in the treatment liquid A discharged from the nozzle 12, the dissolved concentration of nitrogen gas can be maintained high and controlled with high accuracy, so that the dissolved oxygen concentration in the treatment liquid A can be suppressed from increasing.

本実施形態では、接続部として多連弁２３を備えることにより、３つ以上の複数の流体を切り替えて混合させることが可能となっているが、多連弁２３を備えることは必須ではない。例えば、接続部として、ガス配管２８３とノズル供給配管３０とを連結する三方継ぎ手を有していてもよい。三方継ぎ手によってノズル供給配管３０およびガス配管２８３を接続することによって、ノズル供給配管３０に窒素ガスを混合させた処理液Ａを供給できる。 In the present embodiment, by providing the multiple valve 23 as a connecting portion, it is possible to switch and mix three or more fluids, but the multiple valve 23 is not essential. For example, the connecting portion may have a three-way joint that connects the gas pipe 283 and the nozzle supply pipe 30 . By connecting the nozzle supply pipe 30 and the gas pipe 283 with a three-way joint, the processing liquid A mixed with nitrogen gas can be supplied to the nozzle supply pipe 30 .

接続部は、インラインミキサーを含んでもよい。インラインミキサーは、少なくとも２つの流体を配管中で混合する可動部を持たない部材であり、流体自身の流れによって攪拌混合させる。インラインミキサーは、例えば配管内に配置され、所定の攪拌形状の開口を有するミキシング構造を有していてもよい。窒素ガスを含む処理液Ａが撹拌形状の開口を通過することによって、処理液Ａおよび窒素ガスの流れが不均一に変更され（攪拌され）、もって処理液Ａと窒素ガスの混合が促進される。インラインミキサーは、例えば多連弁２３の直後に設けるとよい。また、多連弁２３の内部にミキシング構造が設けられていてもよい。 The connection may include an in-line mixer. An in-line mixer is a member having no moving parts that mixes at least two fluids in a pipe, and stirs and mixes them by the flow of the fluids themselves. The in-line mixer may have, for example, a mixing structure that is arranged in a pipe and has an opening with a predetermined stirring shape. When the processing liquid A containing nitrogen gas passes through the agitation-shaped opening, the flow of the processing liquid A and the nitrogen gas is non-uniformly changed (stirred), thereby promoting the mixing of the processing liquid A and the nitrogen gas. . The in-line mixer may be provided immediately after the multiple valve 23, for example. Also, a mixing structure may be provided inside the multiple valve 23 .

基板処理装置１においては、接続部である多連弁２３が、処理室１０の外部である流体ボックス７に設けられている。しかしながら、多連弁２３を、例えば処理室１０の内部に設けられてもよい。この場合、多連弁２３が流体ボックス７に設けられたときよりもノズル１２に近い位置で処理液Ａに窒素ガスを混合できる。このため、窒素ガスの使用量をさらに低減できる。 In the substrate processing apparatus 1 , a multiple valve 23 as a connecting portion is provided in the fluid box 7 outside the processing chamber 10 . However, the multiple valve 23 may also be provided inside the processing chamber 10, for example. In this case, nitrogen gas can be mixed with the treatment liquid A at a position closer to the nozzle 12 than when the multiple valve 23 is provided in the fluid box 7 . Therefore, the amount of nitrogen gas used can be further reduced.

基板処理装置１においては、多連弁２３において、処理液Ａに窒素ガスが供給される場合を説明した。しかしながら、処理液Ａに供給されるガスは、窒素ガスに限定されるものではない。例えば、多連弁２３におよび窒素ガス以外の不活性ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、またはＸｅガス、もしくはこれらのうち２以上を混合したガス）を供給する供給モジュール２２を設けてもよい。また、多連弁２３に活性ガス（例えば、水素ガス、フッ化水素ガス、アンモニアガス、塩素ガス、またはこれらのうち２つ以上を混合させた混合ガスなど）を供給する供給モジュール２２が設けられてもよい。この場合、多連弁２３において、基板Ｗの表面に作用する活性ガスを溶存させた機能的な処理液を生成できる。 In the substrate processing apparatus 1, the case where nitrogen gas is supplied to the processing liquid A in the multiple valve 23 has been described. However, the gas supplied to the treatment liquid A is not limited to nitrogen gas. For example, the multiple valve 23 may be provided with a supply module 22 that supplies an inert gas other than nitrogen gas (Ar, He, Kr, or Xe gas, or a mixture of two or more of these gases). In addition, a supply module 22 is provided to supply an active gas (for example, hydrogen gas, hydrogen fluoride gas, ammonia gas, chlorine gas, or a mixed gas obtained by mixing two or more of these) to the multiple valve 23. may In this case, the multiple valve 23 can generate a functional processing liquid in which the active gas acting on the surface of the substrate W is dissolved.

＜２． 第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。なお、以降の説明において、既に説明した要素と同様の機能を有する要素については、同じ符号またはアルファベット文字を追加した符号を付して、詳細な説明を省略する場合がある。 <2. Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described. In the following description, elements having functions similar to those already described may be given the same reference numerals or reference numerals with additional alphabetic characters, and detailed description thereof may be omitted.

図４は、第２実施形態の基板処理装置１Ａを模式的に示す図である。図４においては、基板処理装置１Ａが備える１つの処理ユニット６Ａ、および１つの流体ボックス７Ａを示している。処理ユニット６Ａは、処理室１０内に、２つのノズル１２Ａ，１２Ｂを備える。ノズル１２Ａは、流体ボックス７Ａから供給される窒素ガス溶存処理液を基板Ｗの上面に吐出する。ノズル１２Ｂは、流体ボックス７Ａから供給される窒素ガス溶存処理液を基板Ｗの下面に吐出する。ノズル１２Ｂは、例えばスピンベース１６の中央部に設けられた孔の内部などに適宜設けられる。流体ボックス７Ａは、処理ユニット６Ａに併設されており、窒素ガスを混合させた処理液Ａを供給することが可能である。 FIG. 4 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus 1A of the second embodiment. FIG. 4 shows one processing unit 6A and one fluid box 7A provided in the substrate processing apparatus 1A. The processing unit 6A includes two nozzles 12A and 12B in the processing chamber 10. As shown in FIG. The nozzle 12A discharges the nitrogen gas-dissolved processing liquid supplied from the fluid box 7A onto the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. The nozzle 12B ejects the nitrogen gas-dissolved processing liquid supplied from the fluid box 7A onto the lower surface of the substrate W. As shown in FIG. The nozzle 12B is appropriately provided inside a hole provided in the central portion of the spin base 16, for example. The fluid box 7A is provided side by side with the processing unit 6A, and can supply the processing liquid A mixed with nitrogen gas.

処理液配管１０１Ａは、処理液Ａの供給源に接続されている。処理液配管１０１Ａは、流体ボックス７Ａに配置された中間部に、分岐部１０５を有する。処理液配管１０１Ａは、分岐部１０５において、２つの分岐配管１０７Ａ，１０７Ｂに分岐している。分岐配管１０７Ａは接続部２３Ａに接続しており、分岐配管１０７Ｂは接続部２３Ｂに接続している。接続部２３Ａ，２３Ｂは、多連弁２３または三つ叉継ぎ手などを含み、１つの配管に他の配管を接続する部分である。 The processing liquid pipe 101A is connected to a processing liquid A supply source. The processing liquid pipe 101A has a branch portion 105 at an intermediate portion arranged in the fluid box 7A. The processing liquid pipe 101A is branched into two branch pipes 107A and 107B at the branching portion 105 . The branch pipe 107A is connected to the connection portion 23A, and the branch pipe 107B is connected to the connection portion 23B. The connection portions 23A and 23B are portions that include the multiple valve 23 or a three-pronged joint, and connect one pipe to another pipe.

接続部２３Ａには、窒素ガスの供給源に接続されたガス配管１０３Ａが接続されている。接続部２３Ａは、分岐配管１０７Ａから供給される処理液Ａに対して窒素ガスを供給する。これにより、処理液Ａに対して窒素ガスが混合される。ノズル供給配管３０Ａは、ノズル１２Ａと接続部２３Ａとを接続する。ノズル供給配管３０Ａは、接続部２３Ａにおいて窒素ガスが混合された処理液Ａをノズル１２Ａに供給する。 A gas pipe 103A connected to a nitrogen gas supply source is connected to the connecting portion 23A. 23 A of connection parts supply nitrogen gas with respect to the process liquid A supplied from 107 A of branch piping. Thereby, the nitrogen gas is mixed with the treatment liquid A. As shown in FIG. The nozzle supply pipe 30A connects the nozzle 12A and the connection portion 23A. The nozzle supply pipe 30A supplies the processing liquid A mixed with nitrogen gas at the connection portion 23A to the nozzle 12A.

接続部２３Ｂには、窒素ガスの供給源に接続されたガス配管１０３Ｂが接続されている。接続部２３Ｂは、分岐配管１０７Ｂから供給される処理液Ａに対して窒素ガスを供給する。これにより、処理液Ａに対して窒素ガスが混合される。ノズル供給配管３０Ｂは、ノズル１２Ｂと接続部２３Ｂとを接続する。ノズル供給配管３０Ｂは、接続部２３Ｂにおいて窒素ガスが混合された処理液Ａをノズル１２Ｂに供給する。流体ボックス７Ａ、分岐部１０５を含む処理液配管１０１Ａ、接続部２３Ａ，２３Ｂは、処理液供給部２５Ａを構成する。 A gas pipe 103B connected to a nitrogen gas supply source is connected to the connection portion 23B. The connecting portion 23B supplies nitrogen gas to the processing liquid A supplied from the branch pipe 107B. Thereby, the nitrogen gas is mixed with the treatment liquid A. As shown in FIG. The nozzle supply pipe 30B connects the nozzle 12B and the connection portion 23B. The nozzle supply pipe 30B supplies the processing liquid A mixed with nitrogen gas at the connection portion 23B to the nozzle 12B. The fluid box 7A, the processing liquid pipe 101A including the branch portion 105, and the connection portions 23A and 23B constitute the processing liquid supply portion 25A.

本実施形態では、処理液配管１０１Ａにおける分岐部１０５から分岐してノズル１２Ａに接続される配管部（分岐配管１０７Ａおよびノズル供給配管３０Ａ）の中間部に、接続部２３Ａが設けられている。これにより、処理液配管１０１Ａにおける分岐部１０５より先（ノズル１２Ａ側）の配管部に窒素ガスを供給できる。この場合、分岐部１０５より手前（供給源側）で窒素ガスを混合させるときよりも、ノズル１２Ａに近い位置で処理液Ａに窒素ガスを混合できる。したがって、ノズル１２Ａに到達するまでの間に処理液Ａから抜ける窒素ガスの量を低減できる。 In this embodiment, a connecting portion 23A is provided in the intermediate portion of a pipe portion (a branch pipe 107A and a nozzle supply pipe 30A) branched from a branch portion 105 of the treatment liquid pipe 101A and connected to the nozzle 12A. As a result, the nitrogen gas can be supplied to the pipe portion ahead of the branch portion 105 (on the nozzle 12A side) of the processing liquid pipe 101A. In this case, the nitrogen gas can be mixed with the processing liquid A at a position closer to the nozzle 12A than when the nitrogen gas is mixed before the branch portion 105 (on the supply source side). Therefore, the amount of nitrogen gas that escapes from the processing liquid A before reaching the nozzle 12A can be reduced.

同様に、処理液配管１０１Ａにおける分岐部１０５から分岐してノズル１２Ｂに接続される配管部（分岐配管１０７Ｂおよびノズル供給配管３０Ｂ）の中間部に接続部２３Ｂが設けられている。これにより、処理液配管１０１Ａにおける分岐部１０５より先（ノズル１２Ｂ側）の配管部に窒素ガスを供給できる。この場合、分岐部１０５より手前（供給源側）で窒素ガスを混合させるときよりも、ノズル１２Ｂに近い位置で処理液Ａに窒素ガスを混合できる。したがって、ノズル１２Ｂに到達するまでの間に処理液Ａから抜ける窒素ガスの量を低減できる。 Similarly, a connection portion 23B is provided at an intermediate portion of a pipe portion (a branch pipe 107B and a nozzle supply pipe 30B) branched from the branch portion 105 of the treatment liquid pipe 101A and connected to the nozzle 12B. As a result, the nitrogen gas can be supplied to the pipe portion ahead of the branch portion 105 (on the nozzle 12B side) of the processing liquid pipe 101A. In this case, the nitrogen gas can be mixed with the treatment liquid A at a position closer to the nozzle 12B than when the nitrogen gas is mixed before the branch portion 105 (on the supply source side). Therefore, the amount of nitrogen gas that escapes from the processing liquid A before reaching the nozzle 12B can be reduced.

接続部２３Ａ，２３Ｂは、処理ユニット６Ａの処理室１０内に設けられてもよい。この場合、接続部２３Ａ，２３Ｂが流体ボックス７Ａに設けられるときよりも、ノズル１２Ａ，１２Ｂに近い位置で窒素ガスを処理液Ａに供給できる。このため、ノズル１２Ａ，１２Ｂに到達するまでの間に処理液Ａから抜ける窒素ガスの量を低減できる。このため、窒素ガスの使用量を低減できる。また、各ノズル１２Ａ，１２Ｂから吐出される処理液Ａ中における窒素の溶存濃度を高く維持できるため、当該処理液Ａ中における酸素の溶存濃度の上昇を低減、かつ精度よく制御できる。 The connecting portions 23A and 23B may be provided inside the processing chamber 10 of the processing unit 6A. In this case, the nitrogen gas can be supplied to the processing liquid A at positions closer to the nozzles 12A and 12B than when the connecting portions 23A and 23B are provided in the fluid box 7A. Therefore, the amount of nitrogen gas that escapes from the processing liquid A before reaching the nozzles 12A and 12B can be reduced. Therefore, the amount of nitrogen gas used can be reduced. Further, since the dissolved nitrogen concentration in the treatment liquid A discharged from the nozzles 12A and 12B can be maintained high, the increase in the dissolved oxygen concentration in the treatment liquid A can be reduced and controlled with high accuracy.

＜３． 第３実施形態＞
図５は、第３実施形態の基板処理装置１Ｂを示す図である。図５においては、基板処理装置１Ｂが備える２つの処理ユニット６Ｂおよび流体ボックス７Ａを示している。基板処理装置１Ｂにおいては、第２実施形態の基板処理装置１Ａと同様に、処理液供給部２５Ａから処理液が供給される。ただし、本実施形態では、１つの処理液供給部２５Ａから、２つの異なる処理ユニット６Ｂ各々に配置されたノズル１２Ａに処理液を供給する。以下の説明では、図６に示す上下の２つの処理ユニット６Ｂのうち、上側を「第１の処理ユニット６Ｂ」と称し、下側を「第２の処理ユニット６Ｂ」と称する場合がある。 <3. Third Embodiment>
FIG. 5 is a diagram showing a substrate processing apparatus 1B of the third embodiment. FIG. 5 shows two processing units 6B and a fluid box 7A provided in the substrate processing apparatus 1B. In the substrate processing apparatus 1B, similarly to the substrate processing apparatus 1A of the second embodiment, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply section 25A. However, in this embodiment, the processing liquid is supplied from one processing liquid supply section 25A to the nozzles 12A arranged in each of two different processing units 6B. In the following description, of the two upper and lower processing units 6B shown in FIG. 6, the upper one may be called "first processing unit 6B" and the lower one may be called "second processing unit 6B".

接続部２３Ａは、処理液配管１０１Ａにおける分岐部１０５から分岐して第１の処理ユニット６Ｂのノズル１２Ａに接続される配管部（分岐配管１０７Ａおよびノズル供給配管３０Ａ）の中間部に設けられている。これにより、処理液配管１０１Ａにおける分岐部１０５より先（ノズル１２Ａ側）の配管部に窒素ガスを供給できる。この場合、分岐部１０５より手前（供給源側）で窒素ガスを混合させるときよりも、ノズル１２Ａに近い位置で処理液Ａに窒素ガスを混合できる。したがって、ノズル１２Ａに到達するまでの間に処理液Ａから抜ける窒素ガスの量を低減できる。 The connection portion 23A is provided at an intermediate portion of a pipe portion (branch pipe 107A and nozzle supply pipe 30A) branched from the branch portion 105 of the processing liquid pipe 101A and connected to the nozzle 12A of the first processing unit 6B. . As a result, the nitrogen gas can be supplied to the pipe portion ahead of the branch portion 105 (on the nozzle 12A side) of the processing liquid pipe 101A. In this case, the nitrogen gas can be mixed with the processing liquid A at a position closer to the nozzle 12A than when the nitrogen gas is mixed before the branch portion 105 (on the supply source side). Therefore, the amount of nitrogen gas that escapes from the processing liquid A before reaching the nozzle 12A can be reduced.

接続部２３Ｂは、処理液配管１０１Ａにおける分岐部１０５から分岐して第２の処理ユニット６Ｂのノズル１２Ａに接続される配管部（分岐配管１０７Ａおよびノズル供給配管３０Ｂ）の中間部に設けられている。これにより、処理液配管１０１Ａにおける分岐部１０５より先（ノズル１２Ａ側）の配管部に窒素ガスを供給できる。この場合、分岐部１０５より手前（供給源側）で窒素ガスを混合させるときよりも、ノズル１２Ａに近い位置で処理液Ａに窒素ガスを混合できる。したがって、ノズル１２Ａに到達するまでの間に処理液Ａから抜ける窒素ガスの量を低減できる。 The connection portion 23B is provided at an intermediate portion of a pipe portion (the branch pipe 107A and the nozzle supply pipe 30B) branched from the branch portion 105 of the processing liquid pipe 101A and connected to the nozzle 12A of the second processing unit 6B. . As a result, the nitrogen gas can be supplied to the pipe portion ahead of the branch portion 105 (on the nozzle 12A side) of the processing liquid pipe 101A. In this case, the nitrogen gas can be mixed with the processing liquid A at a position closer to the nozzle 12A than when the nitrogen gas is mixed before the branch portion 105 (on the supply source side). Therefore, the amount of nitrogen gas that escapes from the processing liquid A before reaching the nozzle 12A can be reduced.

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although the present invention has been described in detail, the above description is, in all aspects, illustrative and not intended to limit the present invention. It is understood that numerous variations not illustrated can be envisioned without departing from the scope of the invention. Each configuration described in each of the above embodiments and modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

１，１Ａ，１Ｂ 基板処理装置
６，６Ａ，６Ｂ 処理ユニット
７，７Ａ 流体ボックス
８ 制御部
１０ 処理室
１１ スピンチャック
１２，１２Ａ，１２Ｂ ノズル
１７ 挟持部材（基板保持部）
２２ 供給モジュール
２３ 多連弁（接続部）
２３Ａ，２３Ｂ 接続部
２５，２５Ａ 処理液供給部
２９ 流体機器群
３０，３０Ａ，３０Ｂ ノズル供給配管（処理液配管）
３１，３３ 流量調整バルブ
３２，３４ 流量計
３５ 処理液槽
３６ 配管（処理液配管）
４２ サックバック部
４２１ 排出配管
４２２ サックバックバルブ
４３ 気泡捕捉部
４４ ガス濃度計
１０１，１０１Ａ 処理液配管
１０３，１０３Ａ，１０３Ｂ ガス配管
１０５ 分岐部
１０７Ａ，１０７Ｂ 分岐配管
２８１，２８３ ガス配管
２８５ 処理液配管
Ａ１ 回転軸線
ＩＲ インデクサロボット
Ｓ１１ 保持工程
Ｓ１３ 処理液供給工程
Ｓ１４ ガス供給工程
Ｓ１５ 混合工程
Ｓ１６ 初期排出工程
Ｓ１７ 処理液吐出工程
Ｗ 基板 Reference Signs List 1, 1A, 1B substrate processing apparatus 6, 6A, 6B processing unit 7, 7A fluid box 8 control section 10 processing chamber 11 spin chuck 12, 12A, 12B nozzle 17 holding member (substrate holding section)
22 supply module 23 multiple valve (connection)
23A, 23B connection part 25, 25A treatment liquid supply part 29 fluid device group 30, 30A, 30B nozzle supply pipe (treatment liquid pipe)
31, 33 flow control valve 32, 34 flow meter 35 processing liquid tank 36 piping (processing liquid piping)
42 suck back section 421 discharge pipe 422 suck back valve 43 bubble capture section 44 gas concentration meter 101, 101A treatment liquid piping 103, 103A, 103B gas piping 105 branch section 107A, 107B branch piping 281, 283 gas piping 285 treatment liquid piping A1 Axis of rotation IR Indexer robot S11 Holding process S13 Processing liquid supply process S14 Gas supply process S15 Mixing process S16 Initial discharging process S17 Processing liquid discharge process W Substrate

Claims (18)

基板を処理する基板処理装置であって、
少なくとも１つの処理室と、
前記処理室の内部に配置されており、基板を保持する基板保持部と、
前記処理室の内部に配置されており、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて処理液を吐出する少なくとも１つのノズルと、
前記ノズルに接続されており、内部に処理液を流通させる処理液配管と、
内部にガスを流通させる少なくとも１つのガス配管と、
前記処理液配管および前記ガス配管が装填され、前記処理室に併設される少なくとも１つの流体モジュール装填部と、
前記処理液配管における、前記流体モジュール装填部の内部から前記ノズルまでの間の中間部に前記ガス配管を接続させる接続部と、
を含み、
前記処理液配管は、複数の配管部に分岐する分岐部を有しており、
前記接続部が、前記複数の配管部のうち少なくとも１つが前記ノズルに接続されており、
前記接続部が、前記分岐部と前記ノズルとを接続する前記配管部の中間部に設けられ、
前記処理液配管における前記接続部と前記ノズルとの間に設けられ、前記処理液配管を通過する前記処理液の気泡を捕捉する気泡捕捉部、
をさらに備える、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
at least one processing chamber;
a substrate holding part that is arranged inside the processing chamber and holds a substrate;
at least one nozzle disposed inside the processing chamber for discharging a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding unit;
a processing liquid pipe connected to the nozzle for circulating the processing liquid therein;
at least one gas pipe for circulating gas therein;
at least one fluid module loading unit loaded with the processing liquid pipe and the gas pipe and provided side by side with the processing chamber;
a connecting portion for connecting the gas pipe to an intermediate portion between the inside of the fluid module loading portion and the nozzle in the processing liquid pipe;
including
The treatment liquid pipe has a branching portion that branches into a plurality of pipe portions,
wherein at least one of the plurality of pipe portions is connected to the nozzle, and
the connecting portion is provided in an intermediate portion of the piping portion connecting the branch portion and the nozzle;
an air bubble trapping portion provided between the connection portion and the nozzle in the treatment liquid pipe for trapping bubbles of the treatment liquid passing through the treatment liquid pipe;
A substrate processing apparatus further comprising: 基板を処理する基板処理装置であって、
少なくとも１つの処理室と、
前記処理室の内部に配置されており、基板を保持する基板保持部と、
前記処理室の内部に配置されており、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて処理液を吐出する少なくとも１つのノズルと、
前記ノズルに接続されており、内部に処理液を流通させる処理液配管と、
内部にガスを流通させる少なくとも１つのガス配管と、
前記処理液配管および前記ガス配管が装填され、前記処理室に併設される少なくとも１つの流体モジュール装填部と、
前記処理液配管における、前記流体モジュール装填部の内部から前記ノズルまでの間の中間部に前記ガス配管を接続させる接続部と、
を含み、
前記処理液配管は、複数の配管部に分岐する分岐部を有しており、
前記接続部が、前記複数の配管部のうち少なくとも１つが前記ノズルに接続されており、
前記接続部が、前記分岐部と前記ノズルとを接続する前記配管部の中間部に設けられ、
前記処理液配管における前記接続部と前記ノズルとの間に設けられ、前記処理液配管を通過する前記処理液中のガス濃度を検出するガス濃度計、
をさらに備える、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
at least one processing chamber;
a substrate holding part that is arranged inside the processing chamber and holds a substrate;
at least one nozzle disposed inside the processing chamber for discharging a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding unit;
a processing liquid pipe connected to the nozzle for circulating the processing liquid therein;
at least one gas pipe for circulating gas therein;
at least one fluid module loading unit loaded with the processing liquid pipe and the gas pipe and provided side by side with the processing chamber;
a connecting portion for connecting the gas pipe to an intermediate portion between the inside of the fluid module loading portion and the nozzle in the processing liquid pipe;
including
The treatment liquid pipe has a branching portion that branches into a plurality of pipe portions,
wherein at least one of the plurality of pipe portions is connected to the nozzle, and
the connecting portion is provided in an intermediate portion of the piping portion connecting the branch portion and the nozzle;
a gas concentration meter provided between the connection portion and the nozzle in the treatment liquid pipe, the gas concentration meter detecting a gas concentration in the treatment liquid passing through the treatment liquid pipe;
A substrate processing apparatus further comprising: 基板を処理する基板処理装置であって、
少なくとも１つの処理室と、
前記処理室の内部に配置されており、基板を保持する基板保持部と、
前記処理室の内部に配置されており、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて処理液を吐出する少なくとも１つのノズルと、
前記ノズルに接続されており、内部に処理液を流通させる処理液配管と、
内部にガスを流通させる少なくとも１つのガス配管と、
前記処理液配管および前記ガス配管が装填され、前記処理室に併設される少なくとも１つの流体モジュール装填部と、
前記処理液配管における、前記流体モジュール装填部の内部から前記ノズルまでの間の中間部に前記ガス配管を接続させる接続部と、
を含み、
前記処理液配管は、複数の配管部に分岐する分岐部を有しており、
前記接続部が、前記複数の配管部のうち少なくとも１つが前記ノズルに接続されており、
前記接続部が、前記分岐部と前記ノズルとを接続する前記配管部の中間部に設けられ、
前記ガスが、窒素ガスを含む、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
at least one processing chamber;
a substrate holding part that is arranged inside the processing chamber and holds a substrate;
at least one nozzle disposed inside the processing chamber for discharging a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding unit;
a processing liquid pipe connected to the nozzle for circulating the processing liquid therein;
at least one gas pipe for circulating gas therein;
at least one fluid module loading unit loaded with the processing liquid pipe and the gas pipe and provided side by side with the processing chamber;
a connecting portion for connecting the gas pipe to an intermediate portion between the inside of the fluid module loading portion and the nozzle in the processing liquid pipe;
including
The treatment liquid pipe has a branching portion that branches into a plurality of pipe portions,
wherein at least one of the plurality of pipe portions is connected to the nozzle, and
the connecting portion is provided in an intermediate portion of the piping portion connecting the branch portion and the nozzle;
The substrate processing apparatus, wherein the gas includes nitrogen gas. 基板を処理する基板処理装置であって、
少なくとも１つの処理室と、
前記処理室の内部に配置されており、基板を保持する基板保持部と、
前記処理室の内部に配置されており、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて処理液を吐出する少なくとも１つのノズルと、
前記ノズルに接続されており、内部に処理液を流通させる処理液配管と、
内部にガスを流通させる少なくとも１つのガス配管と、
前記処理液配管および前記ガス配管が装填され、前記処理室に併設される少なくとも１つの流体モジュール装填部と、
前記処理液配管における、前記流体モジュール装填部の内部から前記ノズルまでの間の中間部に前記ガス配管を接続させる接続部と、
を含み、
前記処理液配管は、複数の配管部に分岐する分岐部を有しており、
前記接続部が、前記複数の配管部のうち少なくとも１つが前記ノズルに接続されており、
前記接続部が、前記分岐部と前記ノズルとを接続する前記配管部の中間部に設けられ、
前記ガスが、水素ガス、フッ化水素ガス、アンモニアガスまたは塩素ガスを含む、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
at least one processing chamber;
a substrate holding part that is arranged inside the processing chamber and holds a substrate;
at least one nozzle disposed inside the processing chamber for discharging a processing liquid toward the substrate held by the substrate holding unit;
a processing liquid pipe connected to the nozzle for circulating the processing liquid therein;
at least one gas pipe for circulating gas therein;
at least one fluid module loading unit loaded with the processing liquid pipe and the gas pipe and provided side by side with the processing chamber;
a connecting portion for connecting the gas pipe to an intermediate portion between the inside of the fluid module loading portion and the nozzle in the processing liquid pipe;
including
The treatment liquid pipe has a branching portion that branches into a plurality of pipe portions,
wherein at least one of the plurality of pipe portions is connected to the nozzle, and
the connecting portion is provided in an intermediate portion of the piping portion connecting the branch portion and the nozzle;
A substrate processing apparatus, wherein the gas includes hydrogen gas, hydrogen fluoride gas, ammonia gas, or chlorine gas. 請求項１から請求項４のいずれか１項の基板処理装置であって、
前記接続部が、多連弁を含む、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 ,
A substrate processing apparatus, wherein the connecting portion includes a multiple valve. 請求項１から請求項５のいずれか１項の基板処理装置であって、
前記接続部が、インラインミキサーを含む、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 ,
A substrate processing apparatus, wherein the connecting section includes an in-line mixer. 請求項１から請求項６のいずれか１項の基板処理装置であって、
前記接続部が前記処理室の内部に設けられている、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6 ,
A substrate processing apparatus, wherein the connecting portion is provided inside the processing chamber. 請求項１から請求項７のいずれか１項の基板処理装置であって、
前記処理液配管に設けられ、前記処理液配管内を通過する前記処理液の流量を調整する流量調整部と、
を備え、
前記接続部が、前記処理液配管における前記流量調整部と前記ノズルとの間に設けられている、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7 ,
a flow rate adjusting unit provided in the processing liquid pipe for adjusting the flow rate of the processing liquid passing through the processing liquid pipe;
with
The substrate processing apparatus, wherein the connecting portion is provided between the flow rate adjusting portion and the nozzle in the processing liquid pipe. 請求項１から請求項４のいずれか１項の基板処理装置であって、
前記ノズルが少なくとも１つ設けられている複数の前記処理室を含み、
前記分岐部から分岐した先の複数の前記配管部が前記ノズル各々に接続されており、
前記配管部各々に少なくとも１つの前記ガス配管が接続されている、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 ,
including a plurality of the processing chambers in which at least one of the nozzles is provided;
a plurality of pipe sections branched from the branch section are connected to each of the nozzles;
A substrate processing apparatus, wherein at least one of the gas pipes is connected to each of the pipe sections. 請求項１から請求項９のいずれか１項の基板処理装置であって、
前記処理液配管に接続されており、処理液を貯留する処理液槽、
をさらに備え、
前記接続部が、前記処理液配管における前記処理液槽と前記ノズルとの間に設けられている、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9 ,
a processing liquid tank connected to the processing liquid pipe and storing the processing liquid;
further comprising
The substrate processing apparatus, wherein the connecting portion is provided between the processing liquid tank and the nozzle in the processing liquid pipe. 請求項１０の基板処理装置であって、
前記処理液槽に接続されており、前記処理液槽に貯留された処理液に前記ガスを供給するガス供給部、
をさらに備える、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 10 ,
a gas supply unit connected to the processing liquid tank and supplying the gas to the processing liquid stored in the processing liquid tank;
A substrate processing apparatus further comprising: 請求項１から請求項１１のいずれか１項の基板処理装置であって、
前記ガス配管に設けられ、前記ガス配管内を通過するガスを濾過するガスフィルター、
をさらに備える、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 11 ,
a gas filter provided in the gas pipe for filtering gas passing through the gas pipe;
A substrate processing apparatus further comprising: 請求項１から請求項１２のいずれか１項の基板処理装置であって、
前記処理液配管における前記ノズルと前記接続部との間に設けられ、前記処理液配管を通過する処理液を除去する処理液除去部、
をさらに備える、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 12 ,
a processing liquid removing unit provided between the nozzle and the connecting portion in the processing liquid pipe, the processing liquid removing unit removing the processing liquid passing through the processing liquid pipe;
A substrate processing apparatus further comprising: 基板を処理する基板処理方法であって、
ａ） 処理室の内部にて基板を保持することと、
ｂ） 前記処理室の内部に設けられたノズルに接続されている処理液配管に処理液を供給することと、
ｃ） 前記工程ｂ）によって前記処理液配管を通過する前記処理液中にガスを供給することと、
ｄ） 前記工程ｃ）によって前記ガスが供給された前記処理液を、前記ノズルから吐出させて前記基板に供給することと、
を含み、
前記処理液配管は、複数の配管部に分岐する分岐部を有しており、
前記複数の配管部のうち少なくとも１つが前記ノズルに接続されており、
前記分岐部と前記ノズルとを接続する前記配管部の中間部に、内部に前記ガスを流通させるガス配管が接続され、
ｅ） 前記工程ｃ）によって前記ガスが供給された、前記処理液配管を通過する前記処理液中の気泡を補足すること、
をさらに含む、基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate,
a) holding the substrate inside the processing chamber;
b) supplying a processing liquid to a processing liquid pipe connected to a nozzle provided inside the processing chamber;
c) supplying a gas into the processing liquid passing through the processing liquid line according to step b);
d) supplying the processing liquid supplied with the gas in the step c) to the substrate by ejecting the processing liquid from the nozzle;
including
The treatment liquid pipe has a branching portion that branches into a plurality of pipe portions,
At least one of the plurality of pipe sections is connected to the nozzle,
A gas pipe for circulating the gas therein is connected to an intermediate portion of the pipe portion connecting the branch portion and the nozzle,
e) trapping air bubbles in the processing liquid passing through the processing liquid piping supplied with the gas according to step c);
A substrate processing method further comprising: 請求項１４の基板処理方法であって、
前記工程ｂ）は、
前記処理液を貯留する処理液槽から前記処理液を前記処理液配管に前記処理液を供給すること、
を含み、
前記工程ｃ）は、
前記処理液配管における前記処理液槽と前記ノズルとの間の位置に前記ガスを供給すること、
を含む、基板処理方法。 15. The substrate processing method of claim 14 ,
Said step b) is
supplying the processing liquid from a processing liquid tank storing the processing liquid to the processing liquid pipe;
including
Said step c) is
supplying the gas to a position between the processing liquid tank and the nozzle in the processing liquid pipe;
A method of processing a substrate, comprising: 請求項１４または請求項１５の基板処理方法であって、
前記工程ｂ）は、
前記処理液配管を通過する前記処理液の流量を、流量調整部が調整すること、
を含み、
前記工程ｃ）は、
前記処理液配管における前記流量調整部と前記ノズルとの間の位置に前記ガスを供給すること、
を含む、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 14 or 15 ,
Said step b) is
adjusting a flow rate of the treatment liquid passing through the treatment liquid pipe;
including
Said step c) is
supplying the gas to a position between the flow rate adjusting unit and the nozzle in the processing liquid pipe;
A method of processing a substrate, comprising: 請求項１４から請求項１６のいずれか１項の基板処理方法であって、
ｆ） 前記工程ｃ）によって前記ガスが供給された、前記処理液配管を通過する前記処理液を、前記処理液配管から排出すること、
をさらに含む、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 14 to 16 ,
f) discharging from the processing liquid pipe the processing liquid passing through the processing liquid pipe supplied with the gas in step c);
A substrate processing method further comprising: 請求項５の基板処理装置であって、 The substrate processing apparatus according to claim 5,
前記多連弁に、気泡を補足する気泡補足部が設けられる、基板処理装置。 A substrate processing apparatus, wherein the multiple valve is provided with a bubble trapping section for trapping bubbles.
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