JP7168691B2 - Conductive substrate manufacturing method, conductive substrate - Google Patents

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Description

本発明は、導電性基板の製造方法、および、導電性基板に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a conductive substrate and a conductive substrate.

導電性細線（導電性を示す細線状の配線）を有する導電性基板は、タッチパネル、太陽電池、および、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子など種々の用途に幅広く利用されている。特に、近年、携帯電話および携帯ゲーム機器へのタッチパネルの搭載率が上昇しており、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板の需要が急速に拡大している。
導電性基板の製造方法としては、特許文献１において、ハロゲン化銀を含む感光性層に、露光処理、および、現像処理などを順次実施して、金属銀を含む導電性細線を形成する方法が開示されている。BACKGROUND ART Conductive substrates having conductive thin wires (thin wire-like wiring showing conductivity) are widely used in various applications such as touch panels, solar cells, and EL (electroluminescence) elements. In particular, in recent years, the mounting rate of touch panels on mobile phones and mobile game devices has been increasing, and the demand for conductive substrates for capacitive touch panels capable of multi-point detection is rapidly expanding.
As a method for producing a conductive substrate, in Patent Document 1, a photosensitive layer containing silver halide is subjected to exposure treatment, development treatment, and the like in sequence to form a conductive thin line containing metallic silver. disclosed.

特開２００７－１２９２０５号公報JP 2007-129205 A

一方で、近年、導電性細線のより一層の細線化が求められている。
本発明者は、特許文献１に開示される方法に従って、幅がより低減された（例えば、幅が２．０μｍ以下）導電性細線の形成を試みたところ、得られた導電性細線の導電性が不十分であることを知見した。On the other hand, in recent years, there has been a demand for further thinning of conductive thin wires.
The present inventor attempted to form a conductive thin line with a further reduced width (for example, a width of 2.0 μm or less) according to the method disclosed in Patent Document 1, and found that the obtained conductive thin line had a conductivity of was found to be insufficient.

本発明は、上記実情に鑑みて、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板の製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板を提供することも課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a conductive substrate having thin conductive wires with excellent conductivity.
Another object of the present invention is to provide a conductive substrate having fine conductive wires with excellent conductivity.

本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。 As a result of intensive studies on the above problem, the inventors have found that the above problem can be solved by the following configuration.

（１） 支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程Ａと、
ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含み、幅が２．０μｍ以下である細線状の銀含有層を形成する工程Ｂと、
工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程Ｃと、
工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程Ｄと、
工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を形成する工程Ｅと、
を有し、
導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下である、導電性基板の製造方法。
（２） ハロゲン化銀が、球相当径で１０～２００ｎｍの粒子である、（１）に記載の導電性基板の製造方法。
（３） めっき処理が、銀めっき処理または銅めっき処理である、（１）または（２）に記載の導電性基板の製造方法。
（４） めっき処理が、銀めっき処理である、（３）に記載の導電性基板の製造方法。
（５） 支持体が、その表面上に、ハロゲン化銀を含まず、ゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含み、厚みが１．０μｍ超であるハロゲン化銀不含有層を有する、（１）～（４）のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
（６） 工程Ｃが、工程Ｂで得られた銀含有層と過熱蒸気とを接触させる工程である、（１）～（５）のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
（７） 工程Ｅで得られた導電性細線に、平滑化処理を施す工程Ｆをさらに有する（１）～（６）のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
（８） 工程Ｆの後に、工程Ｆで得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Ｇをさらに有する、（７）に記載の導電性基板の製造方法。
（９） 支持体と、
支持体上に配置された、高分子および金属を含有する導電性細線と、を有し、
導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下であり、
垂直断面において、金属が存在する領域の幅に対する高さの比が０．４０超である、導電性基板。
（１０） 導電性細線によってメッシュパターンが形成されている、（９）に記載の導電性基板。
（１１） メッシュパターンの開口率が９５．００％以上である、（１０）に記載の導電性基板。(1) Step A of forming a silver halide-containing photosensitive layer containing silver halide, gelatin, and a polymer different from gelatin on a support;
A step of exposing and developing the silver halide-containing photosensitive layer to form a fine linear silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a polymer different from gelatin and having a width of 2.0 μm or less. B and
a step C of subjecting the silver-containing layer obtained in step B to a heat treatment;
a step D of removing the gelatin in the silver-containing layer obtained in step C;
a step E of plating the silver-containing layer obtained in step D to form a conductive thin wire;
has
A method for producing a conductive substrate, wherein the width of the region where the metal exists is 2.0 μm or less in the vertical cross section of the conductive fine wire in the direction orthogonal to the direction in which the conductive fine wire extends.
(2) The method for producing a conductive substrate according to (1), wherein the silver halide is particles having an equivalent spherical diameter of 10 to 200 nm.
(3) The method for producing a conductive substrate according to (1) or (2), wherein the plating treatment is silver plating treatment or copper plating treatment.
(4) The method for producing a conductive substrate according to (3), wherein the plating treatment is silver plating treatment.
(5) The support has on its surface a silver halide-free layer containing gelatin and a polymer different from gelatin and having a thickness of more than 1.0 μm. ) to (4), the method for producing a conductive substrate.
(6) The method for producing a conductive substrate according to any one of (1) to (5), wherein step C is a step of bringing the silver-containing layer obtained in step B into contact with superheated steam.
(7) The method for producing a conductive substrate according to any one of (1) to (6), further comprising a step F of smoothing the conductive thin wires obtained in step E.
(8) The method for producing a conductive substrate according to (7), further comprising a step G of heat-treating the conductive thin wire obtained in step F after step F.
(9) a support;
a conductive wire containing a polymer and a metal disposed on a support;
In a vertical cross section of the conductive thin wire in a direction orthogonal to the direction in which the conductive thin wire extends, the width of the region where the metal exists is 2.0 μm or less,
An electrically conductive substrate wherein, in a vertical cross-section, the height to width ratio of the areas in which the metal is present is greater than 0.40.
(10) The conductive substrate according to (9), wherein the mesh pattern is formed by conductive fine lines.
(11) The conductive substrate according to (10), wherein the mesh pattern has an aperture ratio of 95.00% or more.

本発明によれば、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板の製造方法を提供できる。
また、本発明によれば、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性基板を提供できる。ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the electrically conductive substrate which has the electrically conductive thin line|wire which was excellent in electrical conductivity can be provided.
Moreover, according to the present invention, it is possible to provide a conductive substrate having fine conductive wires with excellent conductivity.

導電性基板の一実施形態の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of one embodiment of a conductive substrate; 導電性細線の垂直断面図である。1 is a vertical cross-sectional view of a conductive thin wire; FIG. 導電性細線により形成されるメッシュパターンの一実施形態を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing one embodiment of a mesh pattern formed by conductive fine lines;

以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されない。
なお、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。The present invention will be described in detail below.
Although the description of the constituent elements described below may be made based on representative embodiments of the present invention, the present invention is not limited to such embodiments.
In this specification, a numerical range represented by "-" means a range including the numerical values before and after "-" as lower and upper limits.

本発明の従来技術と比較した特徴点としては、細線化された導電性細線を得る際にめっき処理を実施している点が挙げられる。
従来のハロゲン化銀を用いて導電性基板を製造する方法において、導電性細線の細線化がより進むと得られる導電性細線中での金属量が低くなり、十分な導電性が確保されない
。そこで、本発明者らは、後述する銀含有層からゼラチンを除去した後、めっき処理を実施することにより、ゼラチンが除去された空間に金属（めっき金属）を充填することにより、最終的に得られる導電性細線中における金属量を増加させて、優れた導電性を示す導電性細線を形成している。つまり、本発明者らは従来の方法における細線化の際に生じる問題を初めて見出し、その解決方法を提供している。A feature of the present invention compared with the prior art is that a plating process is performed when thinned conductive thin wires are obtained.
In the conventional method of producing a conductive substrate using silver halide, the amount of metal in the resulting conductive fine wire decreases as the conductive fine wire becomes thinner, and sufficient conductivity is not ensured. Therefore, the present inventors removed gelatin from the silver-containing layer to be described later, and then performed a plating treatment to fill the space from which the gelatin was removed with a metal (plated metal). By increasing the amount of metal in the conductive thin wire, a conductive thin wire exhibiting excellent conductivity is formed. In other words, the inventors of the present invention have found for the first time the problem that occurs in thinning in the conventional method, and have provided a method for solving the problem.

本発明の導電性基板の製造方法は、後述する工程Ａ～工程Ｅをこの順に有する。
以下、各工程について詳述する。The method for manufacturing a conductive substrate according to the present invention has steps A to E, which will be described later, in this order.
Each step will be described in detail below.

＜工程Ａ＞
工程Ａは、支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子（以下、「特定高分子」ともいう。）とを含むハロゲン化銀含有感光性層（以下、「感光性層」ともいう。）を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き支持体が製造される。
まず、工程Ａで使用される材料および部材について詳述し、その後、工程Ａの手順について詳述する。<Process A>
In step A, a silver halide-containing photosensitive layer (hereinafter referred to as "photosensitive layer ) is formed. Through this step, a support with a photosensitive layer to which the exposure treatment described below is applied is produced.
First, the materials and members used in step A are described in detail, and then the procedure of step A is described in detail.

（支持体）
支持体は感光性層を支持できれば、その種類は特に制限されず、プラスチック基板、ガラス基板、および、金属基板が挙げられ、プラスチック基板が好ましい。
支持体の厚みは特に制限されず、２５～５００μｍの場合が多い。なお、導電性基板をタッチパネルに応用する際に、支持体表面をタッチ面として用いる場合は、支持体の厚みは５００μｍを超えていてもよい。(support)
The type of the support is not particularly limited as long as it can support the photosensitive layer, and examples thereof include plastic substrates, glass substrates, and metal substrates, with plastic substrates being preferred.
The thickness of the support is not particularly limited, and is often 25 to 500 μm. When the conductive substrate is applied to a touch panel and the surface of the support is used as a touch surface, the thickness of the support may exceed 500 μm.

支持体を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（２５８℃）、ポリシクロオレフィン（１３４℃）、ポリカーボネート（２５０℃）、アクリルフィルム（１２８℃）、ポリエチレンナフタレート（２６９℃）、ポリエチレン（１３５℃）、ポリプロピレン（１６３℃）、ポリスチレン（２３０℃）、ポリ塩化ビニル（１８０℃）、ポリ塩化ビニリデン（２１２℃）、および、トリアセチルセルロース（２９０℃）などの融点が約２９０℃以下である樹脂が好ましく、ＰＥＴ、ポリシクロオレフィン、および、ポリカーボネートがより好ましい。
支持体の全光線透過率は、８５～１００％が好ましい。Materials constituting the support include polyethylene terephthalate (PET) (258°C), polycycloolefin (134°C), polycarbonate (250°C), acrylic film (128°C), polyethylene naphthalate (269°C), polyethylene ( 135°C), polypropylene (163°C), polystyrene (230°C), polyvinyl chloride (180°C), polyvinylidene chloride (212°C), and triacetyl cellulose (290°C) with a melting point below about 290°C. Certain resins are preferred, with PET, polycycloolefins, and polycarbonates being more preferred.
The total light transmittance of the support is preferably 85-100%.

支持体の表面上には、下塗り層が配置されていてもよい。
下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性細線の支持体に対する密着性がより向上する。
下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されず、導電層の支持体に対する密着性がより優れる点で、０．０２～０．３μｍが好ましく、０．０３～０．２μｍがより好ましい。A subbing layer may be disposed on the surface of the support.
The undercoat layer preferably contains a specific polymer, which will be described later. The use of this undercoat layer further improves the adhesion of the conductive fine wires to the support, which will be described later.
The method for forming the undercoat layer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a composition for forming an undercoat layer containing a specific polymer is applied onto a support and, if necessary, heat treatment is performed. The undercoat layer-forming composition may contain a solvent, if necessary. The type of solvent is not particularly limited, and examples thereof include solvents used in the composition for forming a photosensitive layer, which will be described later. Moreover, you may use the latex containing the particle|grains of a specific polymer as a composition for undercoat formation containing a specific polymer.
The thickness of the undercoat layer is not particularly limited, and is preferably 0.02 to 0.3 μm, more preferably 0.03 to 0.2 μm, from the viewpoint of better adhesion of the conductive layer to the support.

（ハロゲン化銀）
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、または、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、または、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび／またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。(silver halide)
The halogen atoms contained in the silver halide may be chlorine, bromine, iodine or fluorine atoms, or may be a combination thereof. For example, a silver halide mainly composed of silver chloride, silver bromide, or silver iodide is preferable, and a silver halide mainly composed of silver chloride or silver bromide is more preferable. Silver chlorobromide, silver iodochlorobromide, or silver iodobromide is also preferably used.
Here, for example, "silver halide composed mainly of silver chloride" refers to silver halide in which the mole fraction of chloride ions in all halide ions is 50% or more in the silver halide composition. The silver halide composed mainly of silver chloride may contain bromide ions and/or iodide ions in addition to chloride ions.

ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で１０～１０００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましく、湿熱環境下において導電性細線の抵抗値の変化がより小さい点で、５０～１５０ｎｍがさらに好ましい。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。
上記ハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は平均値であり、１００個のハロゲン化銀の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。Silver halide is usually in the form of solid particles, and the average particle diameter of the silver halide is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 10 to 200 nm, in terms of diameter equivalent to a sphere. 50 to 150 nm is more preferable because the change is smaller.
The equivalent sphere diameter is the diameter of a spherical particle having the same volume.
The "equivalent sphere diameter" used as the average grain size of the silver halide is an average value obtained by measuring the equivalent sphere diameters of 100 silver halide grains and averaging them arithmetically.

ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、および、１４面体状などの形状が挙げられる。 The shape of the silver halide grains is not particularly limited, and examples include spherical, cubic, tabular (hexagonal tabular, triangular tabular, quadrangular tabular, etc.), octahedral, and tetradecahedral forms. shape.

（ゼラチン）
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および／またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン（フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン）などを用いてもよい。(gelatin)
The type of gelatin is not particularly limited, and examples thereof include lime-processed gelatin and acid-processed gelatin. Hydrolysates of gelatin, enzymatic hydrolysates of gelatin, and gelatins modified with amino groups and/or carboxyl groups (phthalated gelatin and acetylated gelatin) may also be used.

（ゼラチンとは異なる高分子）
感光性層には、ゼラチンと異なる高分子が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される導電性細線の強度がより優れる。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子（非水溶性高分子）が挙げられ、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、および、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体などが挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、感光性層は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。(polymer different from gelatin)
The photosensitive layer contains a polymer other than gelatin. By including this specific polymer in the photosensitive layer, the strength of the conductive thin line formed from the photosensitive layer is further improved.
The type of the specific polymer is not particularly limited as long as it is different from gelatin, and a polymer that decomposes gelatin and is not decomposed by a proteolytic enzyme or an oxidizing agent, which will be described later, is preferable.
Specific polymers include hydrophobic polymers (water-insoluble polymers), for example, (meth)acrylic resins, styrene resins, vinyl resins, polyolefin resins, polyester resins, polyurethane resins, At least one resin selected from the group consisting of polyamide-based resins, polycarbonate-based resins, polydiene-based resins, epoxy-based resins, silicone-based resins, cellulose-based polymers, and chitosan-based polymers, or constitutes these resins and copolymers composed of monomers that
Moreover, the specific polymer preferably has a reactive group that reacts with a cross-linking agent, which will be described later.
The specific polymer is preferably particulate. In other words, the photosensitive layer preferably contains particles of the specific polymer.

特定高分子としては、以下の一般式（１）で表される高分子（共重合体）が好ましい。
一般式（１）： －（Ａ）ｘ－（Ｂ）ｙ－（Ｃ）ｚ－（Ｄ）ｗ－
なお、一般式（１）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤはそれぞれ、下記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位を表す。As the specific polymer, a polymer (copolymer) represented by the following general formula (1) is preferable.
General formula (1): -(A)x-(B)y-(C)z-(D)w-
In general formula (1), A, B, C and D each represent a repeating unit represented by the following general formulas (A) to (D).

Figure 0007168691000001
Figure 0007168691000001

Ｒ1は、メチル基またはハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。ｐは０～２の整数を表し、０または１が好ましく、０がより好ましい。
Ｒ2は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
Ｒ3は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。一般式（Ｃ）中、Ｌは、２価の連結基を表し、下記一般式（Ｆ）で表される基が好ましい。
一般式（Ｆ）：－（ＣＯ－Ｘ1）ｒ－Ｘ2－
一般式（Ｆ）中、Ｘ1は、酸素原子または－ＮＲ30－を表す。ここでＲ30は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基（例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシル基）を有してもよい。Ｒ30としては、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、および、ｎ－オクチル基）、または、アシル基（例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基）が好ましい。Ｘ1としては、酸素原子または－ＮＨ－が好ましい。
Ｘ2は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＮＨ－、－ＳＯ2－、－Ｎ（Ｒ31）－、または、－Ｎ（Ｒ31）ＳＯ2－などが途中に挿入されてもよい。Ｒ31は、炭素数１～６の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Ｘ2としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ｏ－フェニレン基、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯＣＨ2ＣＨ2－、または、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＯ（Ｃ6Ｈ4）－が好ましい。
ｒは０または１を表す。
ｑは０または１を表し、０が好ましい。R 1 represents a methyl group or a halogen atom, preferably a methyl group, a chlorine atom or a bromine atom. p represents an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, more preferably 0;
R 2 represents a methyl group or an ethyl group, preferably a methyl group.
R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group, preferably a hydrogen atom. In general formula (C), L represents a divalent linking group, preferably a group represented by general formula (F) below.
General formula (F): -(CO-X 1 )r-X 2 -
In general formula (F), X 1 represents an oxygen atom or -NR 30 -. Here, R 30 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or an acyl group, each of which may have a substituent (for example, a halogen atom, a nitro group, and a hydroxyl group). R 30 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (eg, methyl group, ethyl group, n-butyl group, n-octyl group), or an acyl group (eg, acetyl group, and benzoyl group) is preferred. X 1 is preferably an oxygen atom or -NH-.
X 2 represents an alkylene group, an arylene group, an alkylenearylene group, an arylenealkylene group, or an alkylenearylenealkylene group, and these groups include -O-, -S-, -CO-, -COO-, -NH -, -SO 2 -, -N(R 31 )-, or -N(R 31 )SO 2 - may be inserted in the middle. R 31 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. X 2 is a dimethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, o-phenylene group, m-phenylene group, p-phenylene group, -CH 2 CH 2 OCOCH 2 CH 2 -, or -CH 2 CH 2 OCO ( C 6 H 4 )— is preferred.
r represents 0 or 1;
q represents 0 or 1, with 0 being preferred.

Ｒ4は、アルキル基、アルケニル基、または、アルキニル基を表し、炭素数５～５０のアルキル基が好ましく、炭素数５～３０のアルキル基がより好ましく、炭素数５～２０のアルキル基がさらに好ましい。
Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6が好ましく、水素原子、メチル基、または、－ＣＨ2ＣＯＯＲ6がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
Ｒ6は、水素原子または炭素数１～８０のアルキル基を表し、Ｒ4と同じでも異なってもよく、Ｒ6の炭素数は１～７０が好ましく、１～６０がより好ましい。R 4 represents an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group, preferably an alkyl group having 5 to 50 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 5 to 30 carbon atoms, and further an alkyl group having 5 to 20 carbon atoms. preferable.
R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a halogen atom, or —CH 2 COOR 6 , preferably a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom, or —CH 2 COOR 6 , a hydrogen atom, a methyl group; , or -CH 2 COOR 6 is more preferred, and a hydrogen atom is even more preferred.
R 6 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 80 carbon atoms and may be the same as or different from R 4 . R 6 preferably has 1 to 70 carbon atoms, more preferably 1 to 60 carbon atoms.

一般式（１）中、ｘ、ｙ、ｚ、およびｗは各繰り返し単位のモル比率を表す。
ｘは、３～６０モル％であり、３～５０モル％が好ましく、３～４０モル％がより好ましい。
ｙは、３０～９６モル％であり、３５～９５モル％が好ましく、４０～９０モル％がより好ましい。
ｚは、０．５～２５モル％であり、０．５～２０モル％が好ましく、１～２０モル％がより好ましい。
ｗは、０．５～４０モル％であり、０．５～３０モル％が好ましい。
一般式（１）において、ｘは３～４０モル％、ｙは４０～９０モル％、ｚは０．５～２０モル％、ｗは０．５～１０モル％の場合が好ましい。In general formula (1), x, y, z, and w represent the molar ratio of each repeating unit.
x is 3 to 60 mol %, preferably 3 to 50 mol %, more preferably 3 to 40 mol %.
y is 30 to 96 mol%, preferably 35 to 95 mol%, more preferably 40 to 90 mol%.
z is 0.5 to 25 mol %, preferably 0.5 to 20 mol %, more preferably 1 to 20 mol %.
w is 0.5 to 40 mol %, preferably 0.5 to 30 mol %.
In general formula (1), x is preferably 3 to 40 mol%, y is 40 to 90 mol%, z is 0.5 to 20 mol%, and w is 0.5 to 10 mol%.

一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（２）で表される高分子が好ましい。 A polymer represented by the following general formula (2) is preferable as the polymer represented by the general formula (1).

Figure 0007168691000002
Figure 0007168691000002

一般式（２）中、ｘ、ｙ、ｚおよびｗは、上記の定義の通りである。 In general formula (2), x, y, z and w are as defined above.

一般式（１）で表される高分子は、上記一般式（Ａ）～（Ｄ）で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第３７５４７４５号公報の段落００１０～００２２にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式（１）で表される高分子は、一般式（Ｅ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。The polymer represented by formula (1) may contain repeating units other than the repeating units represented by formulas (A) to (D).
Examples of monomers for forming other repeating units include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, vinyl esters, olefins, crotonic acid esters, itaconic acid diesters, maleic acid diesters, and fumaric acid diesters. , acrylamides, unsaturated carboxylic acids, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl ketones, vinyl heterocyclic compounds, glycidyl esters, and unsaturated nitriles. These monomers are also described in paragraphs 0010 to 0022 of Japanese Patent No. 3754745. From the viewpoint of hydrophobicity, acrylic acid esters or methacrylic acid esters are preferred, and hydroxyalkyl methacrylates or hydroxyalkyl acrylates are more preferred.
The polymer represented by general formula (1) preferably contains a repeating unit represented by general formula (E).

Figure 0007168691000003
Figure 0007168691000003

上記式中、ＬEはアルキレン基を表し、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、炭素数２～６のアルキレン基がより好ましく、炭素数２～４のアルキレン基がさらに好ましい。In the above formula, L E represents an alkylene group, preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, and even more preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms.

一般式（１）で表される高分子としては、下記一般式（３）で表される高分子が特に好ましい。 A polymer represented by the following general formula (3) is particularly preferable as the polymer represented by the general formula (1).

Figure 0007168691000004
Figure 0007168691000004

上記式中、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１、およびｅ１は各繰り返し単位のモル比率を表し、ａ１は３～６０（モル％）、ｂ１は３０～９５（モル％）、ｃ１は０．５～２５（モル％）、ｄ１は０．５～４０（モル％）、ｅ１は１～１０（モル％）を表す。
ａ１の好ましい範囲は上記ｘの好ましい範囲と同じであり、ｂ１の好ましい範囲は上記ｙの好ましい範囲と同じであり、ｃ１の好ましい範囲は上記ｚの好ましい範囲と同じであり、ｄ１の好ましい範囲は上記ｗの好ましい範囲と同じである。
ｅ１は、１～１０モル％であり、２～９モル％が好ましく、２～８モル％がより好ましい。In the above formula, a1, b1, c1, d1, and e1 represent the molar ratio of each repeating unit, a1 is 3 to 60 (mol%), b1 is 30 to 95 (mol%), c1 is 0.5 to 25 (mol %), d1 represents 0.5 to 40 (mol %), and e1 represents 1 to 10 (mol %).
The preferred range of a1 is the same as the preferred range of x above, the preferred range of b1 is the same as the preferred range of y above, the preferred range of c1 is the same as the preferred range of z above, and the preferred range of d1 is It is the same as the preferred range of w above.
e1 is 1 to 10 mol %, preferably 2 to 9 mol %, more preferably 2 to 8 mol %.

特定高分子は、例えば、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報などを参照して合成できる。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、１０００～１００００００が好ましく、２０００～７５００００がより好ましく、３０００～５０００００がさらに好ましい。The specific polymer can be synthesized with reference to, for example, Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.
The weight average molecular weight of the specific polymer is not particularly limited, and is preferably 1,000 to 1,000,000, more preferably 2,000 to 750,000, and even more preferably 3,000 to 500,000.

感光性層には、必要に応じて、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
例えば、ハロゲン化銀の安定化および高感度化のために用いられるロジウム化合物およびイリジウム化合物などの８族および９族に属する金属化合物が挙げられる。または、特開２００９－００４３４８号公報の段落０２２０～０２４１に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。さらには、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。The photosensitive layer may contain materials other than those mentioned above, if necessary.
Examples thereof include metal compounds belonging to Groups 8 and 9 such as rhodium compounds and iridium compounds used for stabilizing silver halide and increasing sensitivity. Alternatively, antistatic agents, nucleation accelerators, spectral sensitizing dyes, surfactants, antifoggants, hardeners, black spot prevention, as described in paragraphs 0220 to 0241 of JP-A-2009-004348. Also included are agents, redox compounds, monomethine compounds, and dihydroxybenzenes. Furthermore, the photosensitive layer may contain physical development nuclei.

また、感光性層には、上記特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、ゼラチンが分解除去された際にも導電層中の金属銀同士の連結が保たれる。 In addition, the photosensitive layer may contain a cross-linking agent used for cross-linking the specific polymers. The inclusion of the cross-linking agent promotes cross-linking between the specific polymers, so that even when the gelatin is decomposed and removed, the connection between the metallic silver particles in the conductive layer is maintained.

（工程Ａの手順）
工程Ａにおいて上記成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を支持体上に接触させ、支持体上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。(Procedure of process A)
The method of forming a photosensitive layer containing the above components in step A is not particularly limited, but from the viewpoint of productivity, a composition for forming a photosensitive layer containing silver halide, gelatin and a specific polymer is coated on a support. A method of contacting to form a photosensitive layer on a support is preferred.
The form of the composition for forming a photosensitive layer used in this method will be described in detail below, and then the procedure of the steps will be described in detail.

（感光性層形成用組成物に含まれる材料）
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。
溶媒としては、水、有機溶媒（例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、および、エーテル類）、イオン性液体、および、これらの混合溶媒が挙げられる。(Material contained in composition for forming photosensitive layer)
The photosensitive layer-forming composition contains the above-described silver halide, gelatin, and specific polymer. In addition, the specific polymer may be contained in the composition for forming a photosensitive layer in the form of particles, if necessary.
The composition for forming a photosensitive layer may contain a solvent, if necessary.
Solvents include water, organic solvents (eg, alcohols, ketones, amides, sulfoxides, esters, and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof.

感光性層形成用組成物と支持体とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を支持体上に塗布する方法、および、感光性層形成用組成物中に支持体を浸漬する方法などが挙げられる。
なお、上記処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。The method of contacting the composition for forming a photosensitive layer with the support is not particularly limited. A method of immersing the support and the like can be mentioned.
In addition, after the above treatment, a drying treatment may be performed as necessary.

（ハロゲン化銀含有感光性層）
上記手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、銀換算で３．０～２０．０ｇ／ｍ2が好ましく、５．０～１５．０ｇ／ｍ2がより好ましい。
銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、０．０４～２．０ｇ／ｍ2が好ましく、０．０８～０．４０ｇ／ｍ2がより好ましく、０．１０～０．４０ｇ／ｍ2がさらに好ましい。(Silver halide-containing photosensitive layer)
The photosensitive layer formed by the above procedure contains silver halide, gelatin and a specific polymer.
The content of silver halide in the photosensitive layer is not particularly limited, and is preferably 3.0 to 20.0 g/m 2 , more preferably 5.0 to 15 g/m 2 in terms of silver, from the viewpoint of better conductivity of the conductive substrate. 0 g/m 2 is more preferred.
The term "in terms of silver" means that the amount is converted into the mass of silver produced by reducing all the silver halide.
The content of the specific polymer in the photosensitive layer is not particularly limited. m 2 is more preferred, and 0.10 to 0.40 g/m 2 is even more preferred.

＜工程Ｂ＞
工程Ｂは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと高分子とを含む幅が２．０μｍ以下である細線状の銀含有層を形成する工程である。<Step B>
Step B is a step of exposing the photosensitive layer and then developing it to form a fine linear silver-containing layer with a width of 2.0 μm or less containing metallic silver, gelatin, and a polymer.

感光性層に露光処理を施すことにより、露光領域において潜像が形成される。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、Ｘ線が挙げられる。By exposing the photosensitive layer, a latent image is formed in the exposed areas.
The exposure may be carried out in a pattern. For example, in order to obtain a mesh pattern composed of conductive fine lines, which will be described later, a method of exposing through a mask having a mesh-like opening pattern and scanning with a laser beam are used. and a method of exposing in a mesh pattern.
The type of light used for exposure is not particularly limited as long as it can form a latent image on silver halide, and examples thereof include visible light, ultraviolet rays, and X-rays.

露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域（潜像が形成された領域）では、金属銀が析出する。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、ＰＱ（ｐｈｅｎｉｄｏｎｅ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、ＭＱ（Ｍｅｔｏｌ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）現像液、および、ＭＡＡ（メトール・アスコルビン酸）現像液が挙げられる。By developing the exposed photosensitive layer, metallic silver is precipitated in the exposed areas (areas where the latent image is formed).
The method of development processing is not particularly limited, and examples thereof include known methods used for silver salt photographic films, photographic papers, printing plate-making films, and emulsion masks for photomasks.
A developing solution is usually used in the development processing. The type of developer is not particularly limited, and examples thereof include PQ (phenidone hydroquinone) developer, MQ (Metol hydroquinone) developer, and MAA (methol ascorbic acid) developer.

本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理をさらに有していてもよい。
定着処理は、現像と同時および／または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」（笹井著、写真工業出版社（株））ｐ３２１記載の定着液が挙げられる。This step may further include a fixing treatment for the purpose of removing and stabilizing the silver halide in the unexposed areas.
A fixing process is performed simultaneously with and/or after development. The fixing treatment method is not particularly limited, and examples thereof include methods used for silver halide photographic films, photographic papers, printing plate-making films, and emulsion masks for photomasks.
A fixing solution is usually used in the fixing process. The type of fixing solution is not particularly limited, and examples thereof include fixing solutions described in "Shinshin no Kagaku" (written by Sasai, Shashin Kogyo Publishing Co., Ltd.) p.321.

上記処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む、細線状の銀含有層を幅２．０μｍ以下で形成できる。
銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を２．０μｍ以下にすることにより、露光領域を調整できる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。
さらに、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および／または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。By carrying out the above treatment, a fine linear silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a specific polymer can be formed with a width of 2.0 μm or less.
Methods for adjusting the width of the silver-containing layer include, for example, adjusting the opening width of the mask used during exposure. For example, the exposure area can be adjusted by setting the opening width of the mask to 2.0 μm or less.
Moreover, when using a mask at the time of exposure, the width of the formed silver-containing layer can also be adjusted by adjusting the amount of exposure. For example, if the opening width of the mask is narrower than the target width of the silver-containing layer, the width of the region where the latent image is formed can be adjusted by increasing the exposure dose more than usual.
Furthermore, when laser light is used, the exposure area can be adjusted by adjusting the condensing range and/or scanning range of the laser light.

銀含有層の幅は、２．０μｍ以下であり、形成される導電性細線が視認されにくい点から、１．４μｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点から、０．４μｍ以上が好ましく、０．８μｍ以上がより好ましい。
なお、上記手順によって得られる銀含有層は細線状であり、銀含有層の幅とは細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向における銀含有層の長さ（幅）を意味する。
また、支持体上の少なくとも一部の領域に、幅が２．０μｍ以下の銀含有層が形成されればよく、支持体上の他の領域に、上記銀含有層以外の他の金属銀を含む層（例えば、幅が２．０μｍ超の金属銀を含む層）が形成されてもよい。The width of the silver-containing layer is 2.0 μm or less, and preferably 1.4 μm or less from the viewpoint that the formed conductive fine lines are difficult to see. Although the lower limit is not particularly limited, it is preferably 0.4 μm or more, more preferably 0.8 μm or more, from the viewpoint of better conductivity of the conductive thin wire.
The silver-containing layer obtained by the above procedure is in the shape of a thin line, and the width of the silver-containing layer means the length (width) of the silver-containing layer in the direction orthogonal to the direction in which the thin line-like silver-containing layer extends. do.
In addition, a silver-containing layer having a width of 2.0 μm or less may be formed on at least a part of the support, and metal silver other than the silver-containing layer may be formed on other regions of the support. A layer comprising (eg, a layer comprising metallic silver greater than 2.0 μm in width) may be formed.

＜工程Ｃ＞
工程Ｃは、工程Ｂで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。<Process C>
Step C is a step of subjecting the silver-containing layer obtained in step B to heat treatment. By carrying out this step, the fusion between the specific polymers in the silver-containing layer progresses, and the strength of the silver-containing layer is improved.

加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法、および、温調装置（例えば、ヒーター）で銀含有層を加熱する方法が挙げられ、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。 The method of heat treatment is not particularly limited, and includes a method of bringing the silver-containing layer into contact with superheated steam, and a method of heating the silver-containing layer with a temperature control device (e.g., heater). A method of contacting is preferred.

過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、１０～７０秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、５００～６００ｇ／ｍ3が好ましく、過熱蒸気の温度は、１気圧で１００～１６０℃（好ましくは１００～１２０℃）が好ましい。The superheated steam may be superheated steam or a mixture of superheated steam and other gas.
The contact time between the superheated steam and the silver-containing layer is not particularly limited, and is preferably 10 to 70 seconds.
The amount of superheated steam supplied is preferably 500 to 600 g/m 3 , and the temperature of the superheated steam is preferably 100 to 160°C (preferably 100 to 120°C) at 1 atmospheric pressure.

温調装置で銀含有層を加熱する方法における加熱条件としては、１００～２００℃（好ましくは１００～１５０℃）で１～２４０分間（好ましくは６０～１５０分間）加熱する条件が好ましい。 The heating conditions in the method of heating the silver-containing layer with a temperature control device are preferably 100 to 200° C. (preferably 100 to 150° C.) for 1 to 240 minutes (preferably 60 to 150 minutes).

＜工程Ｄ＞
工程Ｄは、工程Ｃで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、銀含有層中に空間が形成される。<Process D>
Step D is a step of removing the gelatin in the silver-containing layer obtained in Step C. By carrying out this step, gelatin is removed from the silver-containing layer and spaces are formed in the silver-containing layer.

ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法（以下、「方法１」ともいう。）、および、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法（以下、「方法２」ともいう。）が挙げられる。 The method for removing gelatin is not particularly limited. "Also called.).

方法１において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチンなどのタンパク質を加水分解できる植物性または動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法１における手順としては、銀含有層と上記タンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液（以下、「酵素液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、０．０５～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。
酵素液には、上記タンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤（例えば、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤）が含まれていてもよい。
酵素液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、５～９が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には２５～４５℃が好ましい。The proteolytic enzymes used in method 1 include known vegetable or animal enzymes that can hydrolyze proteins such as gelatin.
Proteolytic enzymes include, for example, pepsin, rennin, trypsin, chymotrypsin, cathepsin, papain, ficin, thrombin, renin, collagenase, bromelain and bacterial proteases, preferably trypsin, papain, ficin or bacterial proteases. .
The procedure in method 1 may be any method as long as the silver-containing layer and the protease are brought into contact with each other. A method of contacting is mentioned. Examples of the contact method include a method of immersing the silver-containing layer in the enzyme solution and a method of coating the silver-containing layer with the enzyme solution.
The content of the proteolytic enzyme in the enzyme solution is not particularly limited, and is preferably 0.05 to 20% by mass, preferably 0.5 to 0.5%, based on the total amount of the enzyme solution in terms of easy control of the degree of gelatin decomposition and removal. 10% by mass is more preferred.
The enzyme solution usually contains water in addition to the protease.
The enzyme solution may optionally contain other additives (eg, pH buffers, antimicrobial compounds, wetting agents, and preservatives).
The pH of the enzyme solution is selected so that the action of the enzyme can be maximized, and generally 5-9 is preferred.
The temperature of the enzyme solution is preferably a temperature at which the action of the enzyme is enhanced, specifically 25 to 45°C.

なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、および、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、２０～８０℃が好ましく、４０～６０℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間（洗浄時間）は特に制限されず、生産性の点から、１～６００秒間が好ましく、３０～３６０秒間がより好ましい。In addition, if necessary, after the treatment with the enzyme solution, the obtained silver-containing layer may be washed with warm water.
The washing method is not particularly limited, and is preferably a method of contacting the silver-containing layer with warm water. Examples thereof include a method of immersing the silver-containing layer in warm water and a method of applying warm water onto the silver-containing layer.
The temperature of the hot water is appropriately selected depending on the type of protease used, and is preferably 20 to 80°C, more preferably 40 to 60°C, from the viewpoint of productivity.
The contact time (washing time) between the hot water and the silver-containing layer is not particularly limited, and is preferably 1 to 600 seconds, more preferably 30 to 360 seconds, from the viewpoint of productivity.

方法２で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が＋１．５Ｖ以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位（２５℃、Ｅ０）を意図する。
上記酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩などが挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水（標準電極電位：１．７６Ｖ）、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。The oxidizing agent used in Method 2 may be any oxidizing agent capable of decomposing gelatin, and an oxidizing agent having a standard electrode potential of +1.5 V or higher is preferable. Here, the standard electrode potential means the standard electrode potential (25° C., E0) with respect to the standard hydrogen electrode in the aqueous solution of the oxidizing agent.
Examples of the oxidizing agent include persulfuric acid, percarbonic acid, superphosphoric acid, hypoperchloric acid, peracetic acid, meta-chloroperbenzoic acid, hydrogen peroxide solution, perchloric acid, periodic acid, potassium permanganate, ammonium sulfate, ozone, hypochlorous acid or salts thereof, etc., but from the viewpoint of productivity and economy, hydrogen peroxide water (standard electrode potential: 1.76 V), hypochlorous acid or salts thereof are preferred, Sodium hypochlorite is more preferred.

方法２における手順としては、銀含有層と上記酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層と酸化剤を含む処理液（以下、「酸化剤液」ともいう。）とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酸化剤液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶媒の種類は特に制限されず、水、および、有機溶媒が挙げられる。The procedure in Method 2 may be any method as long as it is a method of bringing the silver-containing layer into contact with the oxidizing agent. A method of contacting can be mentioned. Examples of the contact method include a method of immersing the silver-containing layer in an oxidizing agent solution and a method of coating the silver-containing layer with an oxidizing agent solution.
The type of solvent contained in the oxidizing agent liquid is not particularly limited, and includes water and organic solvents.

＜工程Ｅ＞
工程Ｅは、工程Ｄで得られた銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を得る工程である。本工程を実施することにより、ゼラチンを除去することにより形成された空間に金属（めっき金属）が充填された導電性細線が形成される。なお、導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下である。<Process E>
Step E is a step of plating the silver-containing layer obtained in step D to obtain a conductive fine wire. By carrying out this step, a conductive fine line is formed in which the space formed by removing the gelatin is filled with a metal (plated metal). In addition, the width of the region where the metal exists is 2.0 μm or less in the vertical cross section of the conductive thin wire in the direction orthogonal to the direction in which the conductive thin wire extends.

めっき処理の種類は特に制限されないが、無電解めっき（化学還元めっき、または、置換めっき）および電解めっきが挙げられ、無電解めっきが好ましい。無電解めっきとしては、公知の無電解めっき技術が用いられる。
めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、および、コバルトめっき処理が挙げられ、導電性細線の導電性がより優れる点で、銀めっき処理または銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。The type of plating treatment is not particularly limited, but includes electroless plating (chemical reduction plating or displacement plating) and electroplating, with electroless plating being preferred. As the electroless plating, a known electroless plating technique is used.
The plating treatment includes, for example, silver plating treatment, copper plating treatment, nickel plating treatment, and cobalt plating treatment, and silver plating treatment or copper plating treatment is preferable in that the conductivity of the conductive thin wire is more excellent. Silver plating is more preferred.

めっき処理で用いられるめっき液に含まれる成分は特に制限されないが、通常、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）、４．ｐＨ調整剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加剤が含まれていてもよい。
めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。The components contained in the plating solution used in the plating treatment are not particularly limited. metal ions for plating;2. reducing agent;3. 4. Additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions; It mainly contains pH adjusters. In addition to these, the plating bath may contain known additives such as plating bath stabilizers.
The type of metal ions for plating contained in the plating solution can be appropriately selected according to the metal species to be deposited, and examples thereof include silver ions, copper ions, nickel ions, and cobalt ions.

上記めっき処理の手順は特に制限されず、銀含有層とめっき液とを接触させる方法であればよく、例えば、めっき液中に銀含有層を浸漬させる方法が挙げられる。
銀含有層とめっき液との接触時間は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点および生産性の点から、１～３０分間が好ましい。The procedure of the plating treatment is not particularly limited as long as it is a method of bringing the silver-containing layer into contact with the plating solution, for example, a method of immersing the silver-containing layer in the plating solution.
The contact time between the silver-containing layer and the plating solution is not particularly limited, and is preferably 1 to 30 minutes from the standpoint of better conductivity of the conductive fine wire and productivity.

工程Ｅで得られる導電性細線が延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面において、金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下である。なかでも、導電性細線がより視認しづらくなる点で、１．５μｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点で、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。
上記工程Ａ～Ｅの処理を施すことで、垂直断面における、金属が存在する領域の幅Ｗが２．０μｍ以下であり、金属が存在する領域の幅Ｗに対する高さＨの比（Ｈ／Ｗ）が０．４０超の導電性細線を形成することができる。
なお、上記金属が存在する領域の幅の定義および測定方法は、後段で説明する。The width of the region where the metal exists is 2.0 μm or less in the vertical cross-section of the conductive fine wire obtained in step E in the direction orthogonal to the direction in which the conductive fine wire extends. Among them, 1.5 μm or less is preferable in that the conductive thin wire becomes more difficult to visually recognize. Although the lower limit is not particularly limited, it is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1.0 μm or more, from the viewpoint of better conductivity of the conductive thin wire.
By performing the above steps A to E, the width W of the region where the metal exists is 2.0 μm or less in the vertical cross section, and the ratio of the height H to the width W of the region where the metal exists (H/W ) is greater than 0.40.
The definition of the width of the region where the metal exists and the method for measuring the width will be described later.

＜工程Ｆ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ｅの後に、工程Ｅで得られた導電性細線に、さらに平滑化処理を施す工程Ｆを有していてもよい。
本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。<Process F>
The manufacturing method of the conductive substrate of the present invention may have, after the step E, a step F of smoothing the conductive thin wires obtained in the step E.
By carrying out this step, a conductive thin wire having excellent conductivity can be obtained.

平滑化処理の方法は特に制限されず、例えば、導電性細線を有する支持体を、少なくとも一対のロール間を加圧下で通過させるカレンダー処理工程が好ましい。以下、カレンダーロールを用いた平滑化処理をカレンダー処理と記す。
カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
ロール間の圧力は特に制限されず、２ＭＰａ以上が好ましく、４ＭＰａ以上がより好ましく、１２０ＭＰａ以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール（高圧用）を用いて測定できる。
平滑化処理の温度は特に制限されず、１０～１００℃が好ましく、１０～５０℃がより好ましい。The smoothing treatment method is not particularly limited, and for example, a calendering step of passing a support having conductive thin wires through at least a pair of rolls under pressure is preferred. The smoothing treatment using the calender roll is hereinafter referred to as calender treatment.
Examples of rolls used for calendering include plastic rolls and metal rolls, and plastic rolls are preferred from the viewpoint of preventing wrinkles.
The pressure between the rolls is not particularly limited, and is preferably 2 MPa or more, more preferably 4 MPa or more, and preferably 120 MPa or less. In addition, the pressure between rolls can be measured using Prescale (for high pressure) manufactured by FUJIFILM Corporation.
The temperature of the smoothing treatment is not particularly limited, preferably 10 to 100°C, more preferably 10 to 50°C.

＜工程Ｇ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ｆの後に、さらに、工程Ｆで得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Ｇを有していてもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
導電性細線に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Ｃで述べた方法が挙げられる。<Process G>
The method for manufacturing a conductive substrate of the present invention may further include a step G of heat-treating the conductive thin wire obtained in the step F after the step F. By carrying out this step, a conductive thin wire having excellent conductivity can be obtained.
The method of heat-treating the conductive fine wire is not particularly limited, and the method described in step C can be mentioned.

＜工程Ｈ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの前に、支持体上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Ｈを有していてもよい。本工程を実施することにより、支持体とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電層と支持体との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０．１～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０．０３ｇ／ｍ2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０ｇ／ｍ2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、１．６３ｇ／ｍ2以下の場合が多い。<Process H>
The method for producing a conductive substrate of the present invention may have, before step A, step H of forming a silver halide-free layer containing gelatin and a specific polymer on the support. By carrying out this step, a silver halide-free layer is formed between the support and the silver halide-containing photosensitive layer. This silver halide-free layer plays the role of a so-called antihalation layer and contributes to improving the adhesion between the conductive layer and the support.
The silver halide-free layer contains gelatin and the specific polymer described above. On the other hand, the silver halide-free layer does not contain silver halide.
The ratio of the mass of the specific polymer to the mass of gelatin (mass of the specific polymer/mass of gelatin) in the silver halide-free layer is not particularly limited, and is preferably 0.1 to 5.0. 0 to 3.0 is more preferable.
The content of the specific polymer in the silver halide-free layer is not particularly limited, and is often 0.03 g/m 2 or more . The above is preferable. Although the upper limit is not particularly limited, it is often 1.63 g/m 2 or less.

ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を支持体上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、０．０５μｍ以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、１．０μｍ超が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０μｍ以下の場合が多い。The method of forming the silver halide-free layer is not particularly limited, and for example, a method of coating a layer-forming composition containing gelatin and a specific polymer on a support and, if necessary, heat-treating it. mentioned.
The layer-forming composition may contain a solvent, if necessary. The type of solvent is exemplified by the solvent used in the photosensitive layer-forming composition described above.
The thickness of the silver halide-free layer is not particularly limited, and is often 0.05 μm or more, preferably more than 1.0 μm, more preferably 1.5 μm or more, from the viewpoint of better adhesion of the conductive fine wires. Although the upper limit is not particularly limited, it is often 3.0 μm or less.

＜工程Ｉ＞
本発明の導電性基板の製造方法は、工程Ａの後で工程Ｂの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Ｉを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止および力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比（特定高分子の質量／ゼラチンの質量）は特に制限されず、０超２．０以下が好ましく、０超１．０以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、０ｇ／ｍ2超０．３ｇ／ｍ2以下が好ましく、０．００５～０．１ｇ／ｍ2がより好ましい。<Process I>
The method for producing a conductive substrate of the present invention has a step I of forming a protective layer containing gelatin and a specific polymer on the silver halide-containing photosensitive layer after step A and before step B. may By providing a protective layer, the scratch resistance and mechanical properties of the photosensitive layer can be improved.
The ratio of the mass of the specific polymer to the mass of gelatin in the protective layer (mass of the specific polymer/mass of gelatin) is not particularly limited, and is preferably more than 0 and 2.0 or less, more than 0 and 1.0 or less. more preferred.
Moreover, the content of the specific polymer in the protective layer is not particularly limited, and is preferably more than 0 g/m 2 and not more than 0.3 g/m 2 , more preferably 0.005 to 0.1 g/m 2 .

保護層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶媒が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、０．０３～０．３μｍが好ましく、０．０７５～０．２０μｍがより好ましい。The method of forming the protective layer is not particularly limited, and for example, a method of coating a protective layer-forming composition containing gelatin and a specific polymer on the silver halide-containing photosensitive layer and, if necessary, heat-treating it. is mentioned.
The protective layer-forming composition may contain a solvent, if necessary. The type of solvent is exemplified by the solvent used in the photosensitive layer-forming composition described above.
The thickness of the protective layer is not particularly limited, preferably 0.03 to 0.3 μm, more preferably 0.075 to 0.20 μm.

なお、上述した工程Ｈ、工程Ａおよび工程Ｉは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。 In addition, the process H, the process A, and the process I mentioned above may be performed simultaneously by simultaneous multi-layer coating.

＜導電性基板＞
以下に、本発明の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板の構造について説明する。
図１に、本発明の導電性基板の第１実施形態の断面図を示す。
導電性基板１０は、支持体１２と、支持体１２上に配置された導電性細線１４Ａとを含む。なお、図１中は、導電性細線１４Ａが２つ記載されているが、その数は特に制限されない。
図２に、導電性細線１４Ａが延在する方向に直交する方向での導電性細線の垂直断面を示す。導電性細線の垂直断面とは、導電性細線１４Ａが延在する方向に直交する面で切断した際の断面である。つまり、導電性細線の垂直断面とは、導電性細線１４Ａが延在する方向に直交する方向に沿って、導電性細線１４Ａの表面に垂直な面で切断した際の断面である。
導電性細線１４Ａは、高分子１６と金属１８とを含むが、図２に示すように、高分子１６と、高分子１６中に分散した複数の金属１８とを含む場合が多い。つまり、図２に示すように、金属１８は、導電性細線１４Ａの表面１１４Ａ側近傍の領域または表面２１４Ａ側近傍の領域においては分布量が少なく、導電性細線１４Ａの中間領域付近において分布量が多い傾向がある。金属１８の形状は粒子状には限定されず、例えば、融着して一部または全体にわたって結合している等の形態であってもよい。<Conductive substrate>
The structure of the conductive substrate obtained by the manufacturing method of the conductive substrate of the present invention will be described below.
FIG. 1 shows a cross-sectional view of a first embodiment of the conductive substrate of the present invention.
The conductive substrate 10 includes a support 12 and conductive fine lines 14A arranged on the support 12. As shown in FIG. Although two conductive thin wires 14A are shown in FIG. 1, the number is not particularly limited.
FIG. 2 shows a vertical cross section of the conductive thin wire 14A in a direction perpendicular to the extending direction of the conductive thin wire 14A. The vertical cross section of the conductive fine wire is a cross section taken along a plane perpendicular to the direction in which the conductive fine wire 14A extends. That is, the vertical cross section of the conductive thin wire is a cross section obtained by cutting along a plane perpendicular to the surface of the conductive thin wire 14A along a direction perpendicular to the direction in which the conductive thin wire 14A extends.
The conductive fine wire 14A contains the polymer 16 and the metal 18, and as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 2, the metal 18 has a small amount of distribution in a region near the surface 114A side of the conductive thin wire 14A or a region near the surface 214A side, and a distribution amount near the intermediate region of the conductive thin wire 14A. tend to be many. The shape of the metal 18 is not limited to a particulate form, and may be, for example, a form that is partially or wholly bonded by fusion.

次に、図２に用いて、導電性細線の垂直断面における、金属が存在する領域の幅および高さについて説明する。
金属１８が存在する領域の幅Ｗとは、図２に示すように、導電性細線１４Ａの垂直断面において、導電性細線１４Ａの幅方向に沿って最も離れている金属１８間の距離に該当する。
また、金属１８が存在する領域の高さＨとは、図２に示すように、導電性細線１４Ａの垂直断面において、導電性細線１４Ａの高さ方向に沿って最も離れている金属１８間の距離に該当する。
導電性細線の垂直断面における金属が存在する領域の幅Ｗは、後述する導電性細線の厚みの測定と同様にできるが、本発明においては、走査型電子顕微鏡により導電性基板表面を観察し、延在する１本の導電性細線を選択して、選択された１本の導電性細線の任意の５箇所を選び、各箇所において導電性細線が延在する方向に２００ｎｍ間隔で金属が存在する領域の幅を２０点測定し、測定された計１００点を算術平均することにより、金属が存在する領域の幅Ｗを求める。つまり、上記で規定する金属が存在する領域の幅Ｗは、平均値に該当する。
なお、上記走査型電子顕微鏡による測定方法としては、まず、導電性細線の表面への導電性付与のため、導電性細線の表面にカーボン蒸着を行い、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製Ｓ-５２００型ＳＥＭ）にて表面形態を観察することにより、導電性細線内部の金属が存在する領域の幅を観察できる。なお、観察条件は、二次電子モードで、加速電圧:１０ｋＶで行う。
また、導電性細線の金属が存在する領域の高さＨは、上記幅Ｗの測定の際に選択した同じ１本の導電性細線の任意の１０か所において導電性細線が延在する方向に直交する方向の断面を観察して測定し、それぞれの断面における高さＨを測定して、それらを算術平均して求める。つまり、上記導電性細線の金属が存在する領域の高さＨは、平均値に該当する。
この際、導電性細線の垂直断面の観察は、走査型電子顕微鏡にて、高分子と金属とのコントラストがつく加速電圧を選択する。より具体的には、導電性細線の垂直断面の観察方法としては、ミクロトームにて導電性細線の垂直断面を切削した後、導電性付与のため、露出した垂直断面にカーボン蒸着を行い、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製Ｓ-５２００型ＳＥＭ）にて垂直断面を観察する。なお、観察条件は、反射電子モードで、加速電圧:５ｋＶで行う。Next, the width and height of the region where the metal exists in the vertical cross section of the conductive thin wire will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 2, the width W of the region where the metal 18 exists corresponds to the distance between the metals 18 that are farthest along the width direction of the conductive thin wire 14A in the vertical cross section of the conductive thin wire 14A. .
Further, the height H of the region where the metal 18 is present means, as shown in FIG. correspond to distance.
The width W of the region where the metal exists in the vertical cross section of the conductive thin wire can be measured in the same manner as the thickness of the conductive thin wire described later. In the present invention, the conductive substrate surface is observed with a scanning electron microscope, Select one extending conductive thin line, select 5 arbitrary points of the selected one conductive thin line, and metal is present at each point at intervals of 200 nm in the direction in which the conductive thin line extends. The width W of the region where the metal exists is obtained by measuring the width of the region at 20 points and arithmetically averaging a total of 100 measured points. That is, the width W of the region in which the metal is present as defined above corresponds to the average value.
In addition, as the measurement method using the scanning electron microscope, first, in order to impart conductivity to the surface of the conductive fine wire, carbon deposition is performed on the surface of the conductive fine wire, and a scanning electron microscope (Hitachi High-Technologies Co., Ltd. S -5200 type SEM), it is possible to observe the width of the region where the metal exists inside the conductive fine wire. Observation conditions are the secondary electron mode and an acceleration voltage of 10 kV.
In addition, the height H of the region where the metal of the conductive thin line exists is the direction in which the conductive thin line extends at any 10 points of the same single conductive thin line selected when measuring the width W. Observe and measure the cross section in the orthogonal direction, measure the height H in each cross section, and calculate the arithmetic mean of them. In other words, the height H of the region where the metal of the conductive thin wire exists corresponds to the average value.
At this time, observation of the vertical cross section of the conductive fine wire is performed with a scanning electron microscope, and an acceleration voltage that provides a contrast between the polymer and the metal is selected. More specifically, as a method for observing the vertical cross section of the conductive thin wire, after cutting the vertical cross section of the conductive thin wire with a microtome, carbon deposition is performed on the exposed vertical cross section to impart conductivity, and a scanning type is used. A vertical cross section is observed with an electron microscope (S-5200 type SEM manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). Observation conditions are backscattered electron mode and an acceleration voltage of 5 kV.

導電性細線の垂直断面における、金属が存在する領域の幅Ｗは２．０μｍ以下であり、導電性細線がより視認しづらくなる点で、１．５μｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点で、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。
ここで、めっき処理前の銀含有層幅に対し、めっき処理後の導電性細線の幅Ｗの比を取ることによる線太りは、導電性細線がより視認しづらくなる点で、１．５以下が好ましく、１．２以下がより好ましい。
導電性細線の垂直断面における、金属が存在する領域の幅Ｗに対する高さＨの比（Ｈ／Ｗ）は０．４０超であり、導電性細線の導電性がより優れる点で、０．６０以上が好ましく、０．８０以上がより好ましく、０．８６以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、外圧に対する耐性向上の点で、１．２０以下が好ましく、１．００以下がより好ましい。
なお、導電性細線の垂直断面における、金属が存在する領域の高さＨは上記比を満たせば特に制限されないが、０．５～２．５μｍが好ましく、１．０～２．０μｍがより好ましい。The width W of the region where the metal is present in the vertical cross section of the conductive thin wire is 2.0 μm or less, and preferably 1.5 μm or less in terms of making the conductive thin wire less visible. Although the lower limit is not particularly limited, it is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1.0 μm or more, from the viewpoint of better conductivity of the conductive thin wire.
Here, the line thickness obtained by taking the ratio of the width W of the conductive thin line after plating to the width of the silver-containing layer before plating is 1.5 or less in that the conductive thin line becomes more difficult to visually recognize. is preferred, and 1.2 or less is more preferred.
The ratio (H/W) of the height H to the width W of the region where the metal exists in the vertical cross section of the conductive thin wire is more than 0.40, and the conductive thin wire has better conductivity, so 0.60 0.80 or more is more preferable, and 0.86 or more is even more preferable. Although the upper limit is not particularly limited, it is preferably 1.20 or less, more preferably 1.00 or less, in terms of improving resistance to external pressure.
In addition, the height H of the region where the metal exists in the vertical cross section of the conductive fine wire is not particularly limited as long as the above ratio is satisfied, but it is preferably 0.5 to 2.5 μm, more preferably 1.0 to 2.0 μm. .

導電性細線は、高分子および金属を含む。
高分子の種類は特に制限されず、公知の高分子を使用することができる。なかでも、上述した特定高分子が好ましい。
金属は、導電性細線の導電特性を担保する部分である。前述のハロゲン化銀含有感光性層由来の銀に加えて、めっき処理によって付与される金属としては、導電特性がより優れる点で、銀（金属銀）、銅（金属銅）、金（金属金）、ニッケル（金属ニッケル）、パラジウム（金属パラジウム）、または、これらのうちの２種以上の混合物が好ましく、銀、銅、または、その混合物がより好ましく、銀がさらに好ましい。
なお、図２においては、金属が粒子状になって高分子中に分散した形態を記載しているがこの形態には限定されず、金属が層状となって導電性細線中に分散した形態であってもよい。Conductive wires include polymers and metals.
The type of polymer is not particularly limited, and known polymers can be used. Among them, the above-mentioned specific polymer is preferable.
The metal is a part that secures the conductive properties of the conductive thin wire. In addition to silver derived from the silver halide-containing photosensitive layer described above, metals imparted by plating include silver (metallic silver), copper (metallic copper), gold (metallic gold ), nickel (metallic nickel), palladium (metallic palladium), or a mixture of two or more thereof, more preferably silver, copper, or a mixture thereof, and still more preferably silver.
In FIG. 2, the metal particles are dispersed in the polymer, but the present invention is not limited to this form. There may be.

導電性細線の線幅は、通常、２．０μｍ以下である場合が多い。なかでも、導電性細線が視認されにくい点から、１．５μｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点から、０．５μｍ以上が好ましく、１．２μｍ以上がより好ましい。
なお、導電性細線の線幅とは、図２中のＷａで表される幅である。
導電性細線の厚みは特に制限されないが、０．５～２．５μｍが好ましく、１．０～２．０μｍがより好ましい。The line width of the conductive thin line is usually 2.0 μm or less in many cases. Among them, the thickness is preferably 1.5 μm or less from the viewpoint that the conductive thin line is hardly visible. Although the lower limit is not particularly limited, it is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1.2 μm or more, from the viewpoint of better conductivity of the conductive thin wire.
The line width of the conductive thin line is the width represented by Wa in FIG.
Although the thickness of the conductive thin wire is not particularly limited, it is preferably 0.5 to 2.5 μm, more preferably 1.0 to 2.0 μm.

導電性細線の線抵抗値は、２００Ω／ｍｍ未満であることが求められる。なかでも、タッチパネルとして用いた際の操作性の点から、１００Ω／ｍｍ未満であることが好ましく、８０Ω／ｍｍ未満がより好ましい。
線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（マイクロサポート社製タングステンプローブ（直径０．５ｕｍ））を該切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター ２４００型汎用ソースメーター）を用いて内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求める。The wire resistance value of the conductive thin wire is required to be less than 200Ω/mm. Among them, from the viewpoint of operability when used as a touch panel, it is preferably less than 100Ω/mm, more preferably less than 80Ω/mm.
The line resistance value is obtained by dividing the resistance value measured by the four-probe method by the distance between the measurement terminals. More specifically, after disconnecting both ends of any one conductive fine wire constituting the mesh pattern and separating it from the mesh pattern, four (A, B, C, D) microprobes (Micro Support Co., Ltd. A tungsten probe (diameter 0.5 um)) is brought into contact with the separated conductive thin wire, and a source meter (Keithley source meter 2400 general-purpose source meter) is used for the outermost probes A and D to measure the inner probe B, A constant current I is applied so that the voltage V between C becomes 5 mV, the resistance value R=V/I is measured, and the obtained resistance value R is divided by the distance between B and C to obtain the wire resistance value.

導電性細線は所定のパターンを形成していてもよく、例えば、そのパターンは特に制限されず、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形などの（正）ｎ角形、円、楕円、および、星形などを組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状（メッシュパターン）であることがより好ましい。
メッシュ状とは、図３に示すように、交差する導電性細線１４Ｂにより構成される複数の正方形状の開口部（格子）２０を含んでいる形状を意図する。The conductive thin wire may form a predetermined pattern, for example, the pattern is not particularly limited, triangular such as equilateral triangle, isosceles triangle, right triangle, square, rectangle, rhombus, parallelogram, trapezoid, etc. Square, (positive) hexagon, (positive) octagon and other (positive) n-sided polygons, circles, ellipses, and geometric figures that combine star shapes are preferable, and in a mesh shape (mesh pattern) It is more preferable to have
By mesh-like is intended a shape including a plurality of square openings (lattice) 20 constituted by intersecting thin conductive wires 14B, as shown in FIG.

開口部２０の一辺の長さＬは特に制限されないが、１５００μｍ以下が好ましく、１３００μｍ以下がより好ましく、１０００μｍ以下であることがさらに好ましく、５μｍ以上が好ましく、３０μｍ以上がより好ましく、８０μｍ以上がさらに好ましい。開口部の辺の長さが上記範囲である場合には、さらに透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基板を表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
可視光透過率の点から、メッシュパターンの開口率は、９０．００％以上が好ましく、９５．００％以上がより好ましく、９９．５０％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００％未満が挙げられる。
開口率とは、メッシュパターン領域中における導電性細線がある領域を除いた支持体上の領域が全体に占める割合に相当する。The length L of one side of the opening 20 is not particularly limited, but is preferably 1500 μm or less, more preferably 1300 μm or less, even more preferably 1000 μm or less, preferably 5 μm or more, more preferably 30 μm or more, and further preferably 80 μm or more. preferable. When the length of the side of the opening is within the above range, it is possible to maintain good transparency, and when the conductive substrate is attached to the front surface of the display device, the display can be visually recognized without discomfort. can be done.
From the viewpoint of visible light transmittance, the aperture ratio of the mesh pattern is preferably 90.00% or more, more preferably 95.00% or more, and even more preferably 99.50% or more. Although the upper limit is not particularly limited, it may be less than 100%.
The aperture ratio corresponds to the ratio of the area on the support excluding the area where the conductive fine lines are present in the mesh pattern area to the entire area.

＜用途＞
上記のようにして得られた導電性基板は、種々の用途に適用でき、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボードなどの種々の用途に適用できる。なかでも、本発明の導電性基板は、タッチパネル（静電容量式タッチパネル）に用いることが好ましい。
本発明の導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述した導電性細線は検出電極として有効に機能し得る。
なお、導電性基板においては、上述した所定の特性を有する導電性細線とは別に、上述した金属が存在する領域の幅が２．０μｍ超の導電部を有していてもよい。この導電部は、上述した導電性細線と接続して、導通していてもよい。<Application>
The conductive substrate obtained as described above can be applied to various applications such as touch panels (or touch panel sensors), semiconductor chips, various electric wiring boards, FPCs (Flexible Printed Circuits), COFs (Chip on Film), It can be applied to various uses such as TAB (Tape Automated Bonding), antennas, multilayer wiring boards, and motherboards. Among others, the conductive substrate of the present invention is preferably used for a touch panel (capacitive touch panel).
When the conductive substrate of the present invention is used for a touch panel, the conductive fine lines described above can effectively function as detection electrodes.
The conductive substrate may have a conductive portion having a width of more than 2.0 μm in the region where the metal exists, in addition to the conductive thin wire having the predetermined characteristics described above. This conductive portion may be connected to the conductive fine wire described above to conduct.

以下に本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。 EXAMPLES The present invention will be described more specifically below with reference to Examples of the present invention. It should be noted that the materials, usage amounts, ratios, processing details, processing procedures, and the like shown in the following examples can be changed as appropriate without departing from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed to be limited by the specific examples shown below.

＜実施例１＞
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を、１液を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記４液および５液を８分間にわたって加え、さらに、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、核粒子を０．２１μｍまで成長させた。さらに、得られた溶液にヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し、粒子形成を終了した。<Example 1>
(Preparation of silver halide emulsion)
Liquid 1 below was kept at 38° C. and pH 4.5, and 90% of each of liquids 2 and 3 below was added simultaneously over 20 minutes with stirring to liquid 1 to form core particles of 0.16 μm. formed. Subsequently, Liquids 4 and 5 below were added to the resulting solution over 8 minutes, and the remaining 10% of Liquids 2 and 3 below were added over 2 minutes to grow the core particles to 0.21 μm. let me Further, 0.15 g of potassium iodide was added to the resulting solution and aged for 5 minutes to complete grain formation.

１液：
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ８．６ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３－ジメチルイミダゾリジン－２－チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇLiquid 1:
750 ml of water
8.6g gelatin
3 g of sodium chloride
1,3-dimethylimidazolidine-2-thione 20 mg
Sodium benzenethiosulfonate 10mg
0.7 g of citric acid
Two liquids:
300ml water
150g of silver nitrate
3 fluids:
300ml water
38g sodium chloride
Potassium bromide 32g
Potassium hexachloroiridate (III) (0.005% KCl 20% aqueous solution) 5 ml
Ammonium hexachlororhodate
(0.001% NaCl 20% aqueous solution) 7 ml
4 fluids:
100ml water
50g silver nitrate
5 fluids:
100ml water
13 g sodium chloride
Potassium bromide 11g
yellow blood salt 5mg

その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、上記で得られた溶液の温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、得られた溶液から上澄み液を約３リットル除去した（第１水洗）。次に、上澄み液を除去した溶液に、３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、得られた溶液から上澄み液を３リットル除去した（第２水洗）。第２水洗と同じ操作をさらに１回繰り返して（第３水洗）、水洗および脱塩工程を終了した。水洗および脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン２．５ｇ、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇおよび塩化金酸１０ｍｇを加え、５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。その後、さらに、得られた乳剤に、安定剤として１，３，３ａ，７－テトラアザインデン１００ｍｇ、および、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径（球相当径）２００ｎｍ、変動係数９％の塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。 After that, it was washed with water by a flocculation method according to a conventional method. Specifically, the temperature of the solution obtained above was lowered to 35° C., and the pH was lowered using sulfuric acid until the silver halide precipitated (the pH was in the range of 3.6±0.2). Next, about 3 liters of the supernatant liquid was removed from the obtained solution (first water washing). Next, 3 liters of distilled water was added to the decanted solution, followed by sulfuric acid until the silver halide precipitated. Again, 3 liters of the supernatant was removed from the obtained solution (second water washing). The same operation as the second water washing was repeated once more (third water washing) to complete the water washing and desalting steps. After washing and desalting, the emulsion was adjusted to pH 6.4 and pAg 7.5, and 2.5 g of gelatin, 10 mg of sodium benzenethiosulfonate, 3 mg of sodium benzenethiosulfinate, 15 mg of sodium thiosulfate and 10 mg of chloroauric acid were added, Chemical sensitization was applied at 55°C for optimum sensitivity. Thereafter, 100 mg of 1,3,3a,7-tetraazaindene as a stabilizer and 100 mg of Proxel (trade name, manufactured by ICI Co., Ltd.) as a preservative were added to the obtained emulsion. The finally obtained emulsion contains 0.08 mol % of silver iodide, and the ratio of silver chlorobromide is 70 mol % of silver chloride and 30 mol % of silver bromide, and has an average grain size (equivalent sphere diameter). It was an emulsion of silver chlorobromide cubic grains of 200 nm and a coefficient of variation of 9%.

（感光性層形成用組成物の調製）
上記乳剤に１，３，３ａ，７－テトラアザインデン（１．２×１０-4モル／モルＡｇ）、ハイドロキノン（１．２×１０-2モル／モルＡｇ）、クエン酸（３．０×１０-4モル／モルＡｇ）、２，４－ジクロロ－６－ヒドロキシ－１，３，５－トリアジンナトリウム塩（０．９０ｇ／モルＡｇ）、および、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のｐＨを５．６に調整した。
上記組成物に、下記（Ｐ－１）で表される高分子（以下、「高分子１」ともいう。）とジアルキルフェニルＰＥＯ（ＰＥＯはポリエチレンオキシドの略号である。）硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス（高分子１の質量に対する分散剤の質量の比（分散剤の質量／高分子１の質量、単位はｇ／ｇ）が０．０２であって、固形分含有量が２２質量％である。）を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子１の質量の比（高分子１の質量／ゼラチンの質量、単位ｇ／ｇ）が０．２５／１となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比（ゼラチンの質量／ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はｇ／ｇである。）は０．１１であった。
さらに、架橋剤としてＥＰＯＸＹ ＲＥＳＩＮ ＤＹ ０２２（商品名：ナガセケムテックス社製）を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が０．０９ｇ／ｍ2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子１は、特許第３３０５４５９号公報および特許第３７５４７４５号公報を参照して合成した。(Preparation of composition for forming photosensitive layer)
1,3,3a,7-tetraazaindene (1.2×10 −4 mol/mol Ag), hydroquinone (1.2×10 −2 mol/mol Ag), citric acid (3.0× 10 −4 mol/mol Ag), 2,4-dichloro-6-hydroxy-1,3,5-triazine sodium salt (0.90 g/mol Ag), and a trace amount of hardener were added to form the composition. got The pH of the composition was then adjusted to 5.6 using citric acid.
A dispersing agent comprising a polymer represented by the following (P-1) (hereinafter also referred to as "polymer 1") and a dialkylphenyl PEO (PEO is an abbreviation for polyethylene oxide) sulfate ester is added to the above composition. and water (the ratio of the mass of the dispersant to the mass of the polymer 1 (mass of the dispersant/mass of the polymer 1, the unit is g/g) is 0.02, and the solid content is The amount is 22% by mass.), and the ratio of the mass of polymer 1 to the total mass of gelatin in the composition (mass of polymer 1/mass of gelatin, unit g/g) is 0.25/1 was added to obtain a polymer latex-containing composition. Here, in the polymer latex-containing composition, the ratio of the mass of gelatin to the mass of silver derived from silver halide (mass of gelatin/mass of silver derived from silver halide, the unit is g/g) is 0.5. was 11.
Furthermore, EPOXY RESIN DY 022 (trade name: manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was added as a cross-linking agent. The amount of the cross-linking agent added was adjusted so that the amount of the cross-linking agent in the silver halide-containing photosensitive layer described later was 0.09 g/m 2 .
A composition for forming a photosensitive layer was prepared as described above.
Polymer 1 was synthesized with reference to Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.

Figure 0007168691000005
Figure 0007168691000005

４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（「富士フイルム社製ロール状の長尺フィルム」）に上記ポリマーラテックスを塗布して、厚み０．０５μｍの下塗り層を設けた。この処理はロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理（工程）もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は１ｍ、長さは１０００ｍであった。 The above polymer latex was applied to a 40 μm polyethylene terephthalate film (“Rolled long film manufactured by Fuji Film Co., Ltd.”) to form a 0.05 μm thick undercoat layer. This treatment was performed by roll-to-roll, and each of the following treatments (steps) was also performed by roll-to-roll. At this time, the width of the roll was 1 m and the length was 1000 m.

（工程Ｈ１、工程Ａ１、工程Ｉ１）
次に、下塗り層上に、上記ポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上記感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは２．０μｍであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は２／１であり、高分子１の含有量は１．３ｇ／ｍ2であった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは２．５μｍであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．２５／１であり、高分子１の含有量は０．１９ｇ／ｍ2であった。
また、保護層の厚みは０．１５μｍであり、保護層中における高分子１とゼラチンとの混合質量比（高分子１／ゼラチン）は０．１／１であり、高分子１の含有量は０．０１５ｇ／ｍ2であった。(Step H1, Step A1, Step I1)
Next, on the undercoat layer, a protective layer is formed by mixing a silver halide-free layer-forming composition obtained by mixing the polymer latex and gelatin, the photosensitive layer-forming composition, the polymer latex and gelatin. and the composition for the second layer were coated simultaneously to form a silver halide-free layer, a silver halide-containing photosensitive layer and a protective layer on the undercoat layer.
The thickness of the silver halide-free layer was 2.0 μm, and the mixing mass ratio of the polymer 1 and gelatin (polymer 1/gelatin) in the silver halide-free layer was 2/1. The content of molecule 1 was 1.3 g/m 2 .
The silver halide-containing photosensitive layer had a thickness of 2.5 μm, and the mixing mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1/gelatin) in the silver halide-containing photosensitive layer was 0.25/1. and the content of polymer 1 was 0.19 g/m 2 .
The thickness of the protective layer was 0.15 μm, the mixing mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1/gelatin) in the protective layer was 0.1/1, and the content of polymer 1 was It was 0.015 g/m 2 .

（工程Ｂ１）
上記で作製した感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。フォトマスクとしては図３のパターン形成用のマスクを用いており、格子を形成する単位正方格子の線幅は１．２μｍ、格子（開口部）の一辺の長さＬは６００μｍになるようにした。(Step B1)
The photosensitive layer prepared above was exposed to parallel light from a high-pressure mercury lamp as a light source through a grid-like photomask. As the photomask, the mask for pattern formation shown in FIG. 3 was used. The line width of the unit square lattice forming the lattice was 1.2 μm, and the length L of one side of the lattice (opening) was 600 μm. .

露光後、得られたサンプルに対して、後述する現像液で現像し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ－Ｒ：富士フイルム社製）を用いて現像処理を行った後、２５℃の純水でリンスし、その後乾燥して、メッシュパターン状に形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルＡを得た。サンプルＡにおいては、２１．０ｃｍ×２９．７ｃｍの大きさの導電性メッシュパターン領域が形成されていた。 After exposure, the obtained sample was developed with a developer described later, and further developed using a fixer (trade name: N3X-R for CN16X: manufactured by Fuji Film Co., Ltd.). After rinsing with pure water and drying, a sample A having a silver-containing layer containing metallic silver formed in a mesh pattern was obtained. In sample A, a conductive mesh pattern area with a size of 21.0 cm×29.7 cm was formed.

（現像液の組成）
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ－メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ(Composition of developer)
The following compounds are contained in 1 liter (L) of developer.
Hydroquinone 0.037mol/L
N-methylaminophenol 0.016mol/L
Sodium metaborate 0.140mol/L
Sodium hydroxide 0.360mol/L
Sodium bromide 0.031mol/L
Potassium metabisulfite 0.187mol/L

上記で得られたサンプルＡを、５０℃の温水中に１８０秒間浸漬させた。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。 Sample A obtained above was immersed in hot water at 50° C. for 180 seconds. After that, water was removed by an air shower, and the substrate was dried naturally.

（工程Ｃ１）
工程Ｂ１で得られたサンプルＡを、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。(Step C1)
Sample A obtained in step B1 was carried into a superheated steam treatment tank at 110° C. and allowed to stand still for 30 seconds for superheated steam treatment. The steam flow rate at this time was 100 kg/h.

（工程Ｄ１）
工程Ｃ１で得られたサンプルＡを、次亜塩素酸含有水溶液（２５℃）に３０秒間浸漬した。サンプルＡを水溶液から取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
なお、使用した次亜塩素酸含有水溶液は、花王社製キッチンハイターを２倍に希釈してから使用することで調製した。(Step D1)
Sample A obtained in step C1 was immersed in a hypochlorous acid-containing aqueous solution (25° C.) for 30 seconds. The sample A was taken out from the aqueous solution, and washed by immersing the sample A in hot water (liquid temperature: 50° C.) for 120 seconds. After that, water was removed by an air shower, and the substrate was dried naturally.
The hypochlorous acid-containing aqueous solution used was prepared by diluting Kitchen Haiter manufactured by Kao Corporation twice before use.

（工程Ｅ１）
工程Ｄ１で得られたサンプルＡを、以下組成のめっき液Ａ（３０℃）に５分間浸漬した。サンプルＡをめっき液Ａから取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。
めっき液Ａ（全量１２００ｍｌ）の組成は、以下の通りであった。なお、めっき液ＡのｐＨは９．５であり、炭酸カリウム（富士フイルム和光純薬（株）製）を所定量加えることにより調整した。また、使用した以下の成分は、いずれも富士フイルム和光純薬（株）製を用いた。
（めっき液Ａの組成）
・ＡｇＮＯ３ ８．８ｇ
・亜硫酸ナトリウム ７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６６ｇ
・ヨウ化カリウム ０．００４ｇ
・クエン酸 １２ｇ
・メチルヒドロキノン ３．６７ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部(Step E1)
Sample A obtained in step D1 was immersed in plating solution A (30° C.) having the following composition for 5 minutes. The sample A was taken out from the plating solution A, and washed by immersing the sample A in hot water (liquid temperature: 50° C.) for 120 seconds.
The composition of plating solution A (total amount: 1200 ml) was as follows. The pH of plating solution A was 9.5, and was adjusted by adding a predetermined amount of potassium carbonate (manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). In addition, all of the following components used were manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
(Composition of plating solution A)
- AgNO3 8.8g
・Sodium sulfite 72g
・ Sodium thiosulfate pentahydrate 66g
・ Potassium iodide 0.004g
・Citric acid 12g
・Methylhydroquinone 3.67g
・Potassium carbonate prescribed amount ・Remainder of water

（工程Ｆ１）
工程Ｅ１で得られたサンプルＡに対して、金属ローラと樹脂製のローラとの組み合わせによるカレンダー装置を使用して、３０ｋＮの圧力でカレンダー処理した。カレンダー処理は室温で行った。(Process F1)
Sample A obtained in step E1 was subjected to calendering at a pressure of 30 kN using a calendering device with a combination of metal rollers and resin rollers. Calendering was performed at room temperature.

（工程Ｇ１）
工程Ｆ１で得られたサンプルＡに対して、１１０℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、３０秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は１００ｋｇ／ｈであった。得られた導電性メッシュパターン領域は、図３に示すような、導電性細線より形成されるメッシュ状の層であった。導電性細線の線幅は１．４μｍ、導電性細線の厚みは１．２μｍであった。
また、導電性細線中における金属が存在する領域の幅は１．３μｍであり、高さは１．１μｍであり、金属が存在する領域の幅に対する高さの比は０．８５であった。なお、金属が存在する領域の幅および高さの測定は、上述した方法により実施した。(Step G1)
The sample A obtained in step F1 was transferred to a superheated steam treatment tank at 110° C. and allowed to stand still for 30 seconds for superheated steam treatment. The steam flow rate at this time was 100 kg/h. The resulting conductive mesh pattern region was a mesh layer formed of conductive fine lines, as shown in FIG. The line width of the conductive thin wire was 1.4 μm, and the thickness of the conductive thin wire was 1.2 μm.
The width of the metal-containing region in the conductive thin wire was 1.3 μm, the height was 1.1 μm, and the ratio of the height to the width of the metal-containing region was 0.85. The width and height of the region where the metal exists were measured by the method described above.

＜実施例２～１０、実施例１３、比較例１～２＞
後述する表１に示すように、各種条件を変更して、表１中の各種構成を調整した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を得た。
なお、表１中の脱ゼラチン処理の「次亜塩素酸処理」とは実施例１で実施した工程Ｄ１の処理を意味し、「酵素処理」とは以下の処理を実施したことを意味する。
（酵素処理）
工程Ｃ１で得られたサンプルＡを、タンパク質分解酵素水溶液（４０℃）に１２０秒間浸漬した。サンプルＡをタンパク質分解酵素水溶液から取り出し、サンプルＡを温水（液温：５０℃）に１２０秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
なお、使用したタンパク質分解酵素水溶液は、以下の手順に従って調製した。
タンパク質分解酵素（ナガセケムテックス社製ビオプラーゼ３０Ｌ）の水溶液（タンパク質分解酵素の濃度：０．５質量％）に、トリエタノールアミン、硫酸を加えてｐＨを８．５に調製した。<Examples 2-10, Example 13, Comparative Examples 1-2>
A conductive substrate was obtained according to the same procedure as in Example 1, except that various conditions were changed to adjust various configurations in Table 1, as shown in Table 1, which will be described later.
"Hypochlorous acid treatment" in the degelatinization treatment in Table 1 means the treatment of step D1 carried out in Example 1, and "enzyme treatment" means that the following treatments were carried out.
(enzyme treatment)
Sample A obtained in step C1 was immersed in an aqueous protease solution (40° C.) for 120 seconds. The sample A was taken out from the protease aqueous solution, and washed by immersing the sample A in warm water (liquid temperature: 50°C) for 120 seconds. After that, water was removed by an air shower, and the substrate was dried naturally.
In addition, the protease aqueous solution used was prepared according to the following procedures.
Triethanolamine and sulfuric acid were added to an aqueous solution (concentration of protease: 0.5% by mass) of protease (Bioplase 30 L manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.) to adjust the pH to 8.5.

また、表１中のめっき液Ｂ（全量：１２００ｍｌ）、めっき液Ｃ（全量：１０００ｍｌ）、および、めっき液Ｄ（全量：１０００ｍｌ）の組成は、以下のとおりである。
なお、めっき液ＢおよびＤのｐＨは９．５であり、炭酸カリウムを所定量加えることにより調整した。
なお、めっき液ＣのｐＨは１２．２であり、水酸化ナトリウムを所定量加えることにより調整した。
また、使用した以下の成分は、いずれも富士フイルム和光純薬（株）製を用いた。
（めっき液Ｂ）
・ＡｇＮＯ３ ８．８ｇ
・亜硫酸ナトリウム ７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６６ｇ
・ヨウ化カリウム ０．００４ｇ
・１，２，４-トリヒドロキシベンゼン １．９ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
（めっき液Ｃ）
・硫酸銅５水和物 １０ｇ
・エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム ４０ｇ
・ホルマリン（濃度３７％） ３ｍｌ
・水酸化ナトリウム ９ｇ
・ビピリジル ０．０１ｇ
・ポリエチレングリコール ０．０１ｇ
・水酸化ナトリウム 所定量
・水 残部
（めっき液Ｄの組成）
・ＡｇＮＯ３ ８．８ｇ
・亜硫酸ナトリウム ７２ｇ
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 ６６ｇ
・ヨウ化カリウム ０．００４ｇ
・クエン酸 １２ｇ
・メチルヒドロキノン ３．６７ｇ
・フェニドン １．２ｇ
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
なお、後述するように、比較例１では工程Ｄ１は実施していない。The compositions of plating solution B (total amount: 1200 ml), plating solution C (total amount: 1000 ml), and plating solution D (total amount: 1000 ml) in Table 1 are as follows.
The pH of plating solutions B and D was 9.5, and was adjusted by adding a predetermined amount of potassium carbonate.
The pH of plating solution C was 12.2, and was adjusted by adding a predetermined amount of sodium hydroxide.
In addition, all of the following components used were manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
(Plating solution B)
- AgNO3 8.8 g
・Sodium sulfite 72g
・ Sodium thiosulfate pentahydrate 66g
・ Potassium iodide 0.004 g
・1,2,4-trihydroxybenzene 1.9g
・Potassium carbonate prescribed amount ・Remainder of water (plating solution C)
・ 10 g of copper sulfate pentahydrate
・40 g of disodium ethylenediaminetetraacetate
・Formalin (concentration 37%) 3ml
・9 g of sodium hydroxide
・Bipyridyl 0.01g
・Polyethylene glycol 0.01g
・Predetermined amount of sodium hydroxide ・Remainder of water (composition of plating solution D)
- AgNO3 8.8 g
・Sodium sulfite 72g
・ Sodium thiosulfate pentahydrate 66g
・ Potassium iodide 0.004 g
・Citric acid 12g
・Methylhydroquinone 3.67g
・Phenidone 1.2g
- Predetermined amount of potassium carbonate - Remainder of water In addition, as described later, in Comparative Example 1, step D1 was not carried out.

＜実施例１１＞
実施例１のハロゲン化銀乳剤の調製において、１液の温度を３０℃に変更し、また塩化ナトリウムの代わりに臭化カリウム８．９３ｇを用いることで、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径（球相当径）１２０ｎｍ、変動係数９％の塩臭化銀立方体粒子乳剤を調整し、使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って、導電性基板を得た。<Example 11>
In the preparation of the silver halide emulsion of Example 1, the temperature of solution 1 was changed to 30°C, and 8.93 g of potassium bromide was used in place of sodium chloride, so that the ratio of silver chlorobromide was changed to 70% silver chloride. The procedure of Example 1 was repeated except that a silver chlorobromide cubic grain emulsion having an average grain diameter (equivalent sphere diameter) of 120 nm and a coefficient of variation of 9% was prepared and used at 30 mol % silver bromide. A conductive substrate was obtained according to

＜実施例１２＞
工程Ｆの平滑化処理を実施しなかった以外は実施例２と同様の手順に従って、導電性基板を得た。<Example 12>
A conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 2, except that the smoothing treatment in step F was not performed.

＜比較例３＞
工程Ｄの脱ゼラチン処理とＥのめっき液浸漬処理の順序を逆にした以外は、実施例６と同様の手順に従って、導電性基板を得た。<Comparative Example 3>
A conductive substrate was obtained in the same manner as in Example 6, except that the order of the degelatinization treatment in step D and the plating solution immersion treatment in step E was reversed.

＜評価＞
（導電性）
得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域の線抵抗値を測定した。線抵抗値とは、四端針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の１本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、４本（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマイクロプローブ（マイクロサポート社製タングステンプローブ（直径０．５ｕｍ））を切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブＡ、Ｄにソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソースメーター、２４００型汎用ソースメーター）を用いて２５０μｍ間隔とした内部プローブＢ、Ｃ間の電圧Ｖが５ｍＶになるよう定電流Ｉを印加し、抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉを測定し、得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値を求めた。得られた抵抗値ＲをＢ、Ｃ間距離で除して線抵抗値とし、任意の１０箇所の測定値の平均値を、以下の基準に従って、導電性として評価した。結果は表１にまとめて示す。なお、評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５以上がさらに好ましい。
５：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ未満である。
４：線抵抗値が６０Ω／ｍｍ以上、８０Ω／ｍｍ未満である。
３：線抵抗値が８０Ω／ｍｍ以上、１００Ω／ｍｍ未満である。
２：線抵抗値が１００Ω／ｍｍ以上、２００Ω／ｍｍ未満である。
１：線抵抗値が２００Ω／ｍｍ以上である。<Evaluation>
(Conductivity)
The line resistance value of the conductive mesh pattern area of the obtained conductive substrate was measured. The line resistance value is obtained by dividing the resistance value measured by the four-probe method by the distance between the measurement terminals. More specifically, after disconnecting both ends of any one conductive fine wire constituting the mesh pattern and separating it from the mesh pattern, four (A, B, C, D) microprobes (Micro Support Co., Ltd. A tungsten probe (diameter 0.5 μm)) was brought into contact with the separated conductive thin wire, and the outermost probes A and D were separated by 250 μm using a source meter (KEITHLEY source meter, 2400 general-purpose source meter). A constant current I is applied so that the voltage V between the internal probes B and C is 5 mV, the resistance value R = V / I is measured, and the obtained resistance value R is divided by the distance between B and C to obtain the line resistance sought the value. The obtained resistance value R was divided by the distance between B and C to obtain the line resistance value, and the average value of the measured values at arbitrary 10 points was evaluated as conductivity according to the following criteria. The results are summarized in Table 1. In addition, as an evaluation, 3 or more is preferable, 4 or more is more preferable, and 5 or more is further preferable.
5: The wire resistance value is less than 60Ω/mm.
4: The wire resistance value is 60Ω/mm or more and less than 80Ω/mm.
3: The wire resistance value is 80Ω/mm or more and less than 100Ω/mm.
2: The wire resistance value is 100Ω/mm or more and less than 200Ω/mm.
1: The wire resistance value is 200Ω/mm or more.

（視認性）
得られた導電性基板をガラス／導電性基板／偏光板／偏光板（偏光面が直行する向き）／黒ＰＥＴ（パナック株式会社製、工業用黒ＰＥＴ（ＧＰＨ１００Ｅ８２Ａ０４））の順になるよう積層して、積層体を得た。なお、導電性基板中、導電性メッシュパターンがガラス側に位置するように、導電性基板を配置した。
次に、得られた積層体に対して、５００ｌｕｘの環境光にて、ガラス面側の正面および斜め３０°～６０°の角度から１０人の観察者が目視にて観察し、以下の基準に従って、評価した。結果は表１にまとめて示す。評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。なお、メッシュパターンが視認されにくい場合、光学特性に優れ、導電性基板をディスプレイに積層した際に発生するモアレが低減される。
５：１５ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンが視認されなかった。
４：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が０人あるいは１人であった。
３：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が２～４人であった。
２：３０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が５人以上であった。
１：５０ｃｍ離れた位置から導電性基板を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が５人以上であった。(Visibility)
The resulting conductive substrate was laminated in the order of glass/conductive substrate/polarizing plate/polarizing plate (direction in which the plane of polarization is orthogonal)/black PET (manufactured by Panac Co., Ltd., industrial black PET (GPH100E82A04)). , to obtain a laminate. The conductive substrate was placed so that the conductive mesh pattern was positioned on the glass side.
Next, the obtained laminate was visually observed by 10 observers from the front of the glass surface side and at an angle of 30° to 60° under ambient light of 500 lux, according to the following criteria. ,evaluated. The results are summarized in Table 1. The evaluation is preferably 3 or more, more preferably 4 or more, and even more preferably 5. When the mesh pattern is difficult to see, the optical properties are excellent, and moiré generated when the conductive substrate is laminated on the display is reduced.
5: No mesh pattern was visible when the conductive substrate was observed from a distance of 15 cm.
4: None or one observer visually recognized the mesh pattern when observing the conductive substrate from a position 30 cm away.
3: Two to four observers visually recognized the mesh pattern when observing the conductive substrate from a position 30 cm away.
2: Five or more observers visually recognized the mesh pattern when observing the conductive substrate from a position 30 cm away.
Five or more observers visually recognized the mesh pattern when observing the conductive substrate from a position 1:50 cm away.

（透過率）
得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域の全光線透過率を、日本電色工業のヘーズメーターＮＤＨ ７０００で測定し、以下の基準に従って、評価した。結果は表１にまとめて示す。なお、全光線透過率が高い場合、ディスプレイの画質が向上し、導電性基板を積層したディスプレイの消費電力を抑えることができる。評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。
５：全光線透過率が８５％以上
４：全光線透過率が８０％以上８５％未満
３：全光線透過率が７５％以上８０％未満
２：全光線透過率が７０％以上７５％未満
１：全光線透過率が７０％未満(Transmittance)
The total light transmittance of the conductive mesh pattern area of the obtained conductive substrate was measured with a haze meter NDH 7000 manufactured by Nippon Denshoku Industries and evaluated according to the following criteria. The results are summarized in Table 1. In addition, when the total light transmittance is high, the image quality of the display is improved, and the power consumption of the display in which the conductive substrates are laminated can be suppressed. The evaluation is preferably 3 or more, more preferably 4 or more, and even more preferably 5.
5: Total light transmittance is 85% or more 4: Total light transmittance is 80% or more and less than 85% 3: Total light transmittance is 75% or more and less than 80% 2: Total light transmittance is 70% or more and less than 75% 1 : Total light transmittance is less than 70%

（密着性）
得られた導電性基板の導電性メッシュパターン領域に対して、２５℃の純水に浸した状態で、４０ｇの荷重をかけたサファイア針（φ１．０）を用いて、引っ掻きを実施した。なお、導電性細線が延在する方向に対して直交する方向であって、導電性細線と交差するように１０ｃｍに渡って引っ掻きを実施して、その範囲から任意の３点を抽出し、光学顕微鏡を用いて各箇所で１ｃｍの引っ掻き範囲を観察し、以下の基準に従って、密着性として評価した。なお、評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。ここで、「歪み」とは、導電性細線に曲がりまたは欠けなどの変形が生じることをいう。
５：歪みが一切発生しない。
４：歪みが発生する箇所が３点中１点存在する。
３：歪みが発生する箇所が３点中２点存在する。
２：歪みが発生する箇所が３点中３点存在する。
１：導電性細線が剥がれて断裂した箇所が存在する。(Adhesion)
The conductive mesh pattern area of the obtained conductive substrate was immersed in pure water at 25° C. and scratched with a sapphire needle (φ1.0) under a load of 40 g. In addition, it is a direction orthogonal to the direction in which the conductive thin wire extends, and the scratching is performed over 10 cm so as to intersect the conductive thin wire, and arbitrary three points are extracted from the range, and optical A scratch range of 1 cm was observed at each location using a microscope, and the adhesion was evaluated according to the following criteria. In addition, as an evaluation, 3 or more is preferable, 4 or more is more preferable, and 5 is still more preferable. Here, "distortion" refers to deformation such as bending or chipping of the conductive thin wire.
5: No distortion occurs.
4: Distortion occurs at 1 point out of 3 points.
3: Distortion occurs at 2 points out of 3 points.
2: Distortion occurs at 3 out of 3 points.
1: There is a portion where the conductive thin wire is peeled off and torn.

（湿熱抵抗変化）
得られた導電性基板の導電性メッシュパターンを６０℃、９０％ＲＨの湿熱雰囲気下に１０日間静置した前後での線抵抗値の変化率｛（静置後の線抵抗値－静置前の線抵抗値）／静置前の線抵抗値｝を以下の基準に従って、湿熱抵抗変化として評価した。なお、評価としては、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、５がさらに好ましい。
５：変化率が３％未満
４：変化率が３％以上５％未満
３：変化率が５％以上１０％未満
２：変化率が１０％以上２０％未満
１：変化率が２０％以上(Wet heat resistance change)
The rate of change in the line resistance value before and after the conductive mesh pattern of the obtained conductive substrate was allowed to stand in a moist heat atmosphere of 60° C. and 90% RH for 10 days {(Line resistance value after standing − Before standing (line resistance value)/line resistance value before standing} was evaluated as a wet heat resistance change according to the following criteria. In addition, as an evaluation, 3 or more is preferable, 4 or more is more preferable, and 5 is still more preferable.
5: The rate of change is less than 3% 4: The rate of change is 3% or more and less than 5% 3: The rate of change is 5% or more and less than 10% 2: The rate of change is 10% or more and less than 20% 1: The rate of change is 20% or more

表１中の「高分子１含有量（ｇ／ｍ2）」は、ハロゲン化銀不含有層中の高分子１の含有量（ｇ／ｍ2）を表し、「厚み（μｍ）」はハロゲン化銀不含有層の厚みを表す。
表１中の「めっき金属種」は、めっき処理により析出される金属の種類を表す。
表１中の「めっき液」は、使用しためっき液の種類を表す。
表１中の「めっき時間」は、めっき液への浸漬時間を表す。
表１中の「銀含有層幅［μｍ］」は、露光現像処理後に得られる銀含有層の幅を表す。
表１中の「幅Ｗ［μｍ］」および「高さＨ［μｍ］」は、導電性細線の垂直断面における金属が存在する領域の幅および高さを表す。
表１中の「開口率」は、得られた導電性基板中の導電性メッシュパターン領域の開口率を表す。"Polymer 1 content (g/m 2 )" in Table 1 represents the content (g/m 2 ) of Polymer 1 in the silver halide-free layer, and "Thickness (μm)" It represents the thickness of the silver halide-free layer.
"Plating metal type" in Table 1 indicates the type of metal deposited by plating.
"Plating solution" in Table 1 indicates the type of plating solution used.
"Plating time" in Table 1 represents the immersion time in the plating solution.
"Silver-containing layer width [μm]" in Table 1 represents the width of the silver-containing layer obtained after exposure and development.
“Width W [μm]” and “Height H [μm]” in Table 1 represent the width and height of the region where the metal exists in the vertical cross section of the conductive thin wire.
"Aperture ratio" in Table 1 represents the aperture ratio of the conductive mesh pattern region in the obtained conductive substrate.

Figure 0007168691000006
Figure 0007168691000006

表１に示すように、本発明の製造方法および導電性基板によれば、所望の効果が得られることが確認された。
実施例１～３の比較より、Ｈ／Ｗが０．８６以上の場合、導電性がより優れることが確認された。
また、実施例４～５より、幅Ｗが１．３μｍ未満の場合、視認性がより優れることが確認された。
また、実施例７と８、比較例２との比較より、めっき金属種が銀の場合、線太りが起きづらく、導電性と視認性がより優れることが確認された。
実施例２と１０との比較より、ハロゲン化銀不含有層の厚みが１．０μｍ超の場合、密着性が向上することが確認された。
また、実施例１と１１の比較より、ハロゲン化銀の球相当径が小さい場合（５０～１５０ｎｍ）は導電性細線の高さが増し、導電性が向上することが確認された。また、導電性細線の線幅の均一性が増し、さらに湿熱経時させた場合の抵抗変化も抑制できることが確認された。
また、実施例２と実施例１２との比較より、平滑化処理を実施した場合、導電性がより向上することが確認された。
また、実施例６と比較例３の比較により、銀含有層からバインダーが除去され、細孔が形成されることによりめっき時の線太りが起こりづらく、導電性と視認性の両立において優れていることが確認された。As shown in Table 1, it was confirmed that the manufacturing method and the conductive substrate of the present invention provided desired effects.
From the comparison of Examples 1 to 3, it was confirmed that when H/W is 0.86 or more, the conductivity is more excellent.
Further, from Examples 4 and 5, it was confirmed that when the width W was less than 1.3 μm, the visibility was more excellent.
Further, from a comparison between Examples 7 and 8 and Comparative Example 2, it was confirmed that wire thickening is less likely to occur and conductivity and visibility are more excellent when the plating metal type is silver.
From a comparison between Examples 2 and 10, it was confirmed that adhesion was improved when the thickness of the silver halide-free layer was more than 1.0 µm.
Further, from a comparison of Examples 1 and 11, it was confirmed that when the equivalent sphere diameter of the silver halide is small (50 to 150 nm), the height of the conductive fine lines increases and the conductivity improves. In addition, it was confirmed that the uniformity of the line width of the conductive fine wire was increased, and furthermore, the resistance change in the case of moist heat aging could be suppressed.
Moreover, it was confirmed from the comparison between Example 2 and Example 12 that the conductivity was further improved when the smoothing treatment was performed.
In addition, by comparing Example 6 and Comparative Example 3, the binder is removed from the silver-containing layer and pores are formed, which makes it difficult for the line to thicken during plating, and is excellent in both conductivity and visibility. was confirmed.

１０ 導電性基板
１２ 基板
１４Ａ，１４Ｂ 導電性細線
１６ 高分子
１８ 金属
２０ 開口部REFERENCE SIGNS LIST 10 conductive substrate 12 substrate 14A, 14B conductive thin wire 16 polymer 18 metal 20 opening

Claims (16)

支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンと前記ゼラチンとは異なる高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程Ａと、
前記ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀と前記ゼラチンと前記ゼラチンとは異なる高分子とを含み、幅が２．０μｍ以下である細線状の銀含有層を形成する工程Ｂと、
前記工程Ｂで得られた前記銀含有層に対して加熱処理を施す工程Ｃと、
前記工程Ｃで得られた前記銀含有層中の前記ゼラチンを除去する工程Ｄと、
前記工程Ｄで得られた前記銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を形成する工程Ｅと、
を有し、
前記導電性細線が高分子および金属を含有し、
前記導電性細線が延在する方向に直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、前記金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下であり、
前記導電性細線が延在する方向に直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、前記金属が存在する領域の幅に対する高さの比が０．８０以上である、導電性基板の製造方法。 Step A of forming on a support a silver halide-containing photosensitive layer containing silver halide, gelatin, and a polymer different from the gelatin;
After exposing the silver halide-containing photosensitive layer, it is developed to form a fine linear silver-containing layer having a width of 2.0 μm or less containing metallic silver, the gelatin, and a polymer different from the gelatin. Forming step B;
a step C of subjecting the silver-containing layer obtained in the step B to a heat treatment;
a step D of removing the gelatin in the silver-containing layer obtained in the step C;
A step E of plating the silver-containing layer obtained in the step D to form a conductive thin wire;
has
the conductive thin wire contains a polymer and a metal,
The width of the region where the metal is present is 2.0 μm or less in a vertical cross section of the conductive thin wire in a direction perpendicular to the direction in which the conductive thin wire extends ,
A conductive substrate, wherein the ratio of the height to the width of the region where the metal exists is 0.80 or more in the vertical cross section of the conductive thin wire in the direction orthogonal to the direction in which the conductive thin wire extends. Production method. 前記ハロゲン化銀が、球相当径で１０～２００ｎｍの粒子である、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。 2. The method for producing a conductive substrate according to claim 1, wherein the silver halide is particles having an equivalent spherical diameter of 10 to 200 nm. 前記めっき処理が、銀めっき処理または銅めっき処理である、請求項１または２に記載の導電性基板の製造方法。 3. The method for manufacturing a conductive substrate according to claim 1, wherein said plating treatment is silver plating treatment or copper plating treatment. 前記めっき処理が、銀めっき処理である、請求項３に記載の導電性基板の製造方法。 4. The method for manufacturing a conductive substrate according to claim 3, wherein the plating treatment is silver plating treatment. 前記支持体が、その表面上に、ハロゲン化銀を含まず、ゼラチンと前記ゼラチンとは異なる高分子とを含み、厚みが１．０μｍ超であるハロゲン化銀不含有層を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。 2. Said support has on its surface a silver halide-free layer containing no silver halide, containing gelatin and a polymer different from said gelatin, and having a thickness of more than 1.0 μm. 5. The method for producing a conductive substrate according to any one of items 1 to 4. 前記工程Ｃが、前記工程Ｂで得られた前記銀含有層と過熱蒸気とを接触させる工程である、請求項１～５のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。 The method for producing a conductive substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein the step C is a step of bringing the silver-containing layer obtained in the step B into contact with superheated steam. 前記工程Ｅで得られた導電性細線に、さらに平滑化処理を施す工程Ｆを有する請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。 The method for producing a conductive substrate according to any one of claims 1 to 6, further comprising a step F of smoothing the conductive thin wires obtained in the step E. 前記工程Ｆの後に、工程Ｆで得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Ｇをさらに有する、請求項７に記載の導電性基板の製造方法。 8. The method of manufacturing a conductive substrate according to claim 7, further comprising a step G of heat-treating the conductive thin wires obtained in step F after step F. 前記導電性細線が延在する方向に直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、前記金属が存在する領域の幅に対する高さの比が０．８６以上である、請求項１～８のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。8. The ratio of the height to the width of the region where the metal exists is 0.86 or more in a vertical cross section of the conductive thin wire in a direction perpendicular to the direction in which the conductive thin wire extends. The method for manufacturing a conductive substrate according to any one of 1. 前記導電性細線が延在する方向に直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、前記金属が存在する領域の高さが１．２～１．４μｍである、請求項１～９のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。10. The method according to any one of claims 1 to 9, wherein the height of the region where the metal exists is 1.2 to 1.4 μm in a vertical cross section of the conductive thin wire in a direction perpendicular to the direction in which the conductive thin wire extends. A method for manufacturing a conductive substrate according to any one of the items. 前記工程Ｅにより、前記工程Ｄで前記ゼラチンを除去することにより形成された前記銀含有層中の空間に前記金属が充填された前記導電性細線が形成される、請求項１～１０のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。11. The conductive thin line according to any one of claims 1 to 10, wherein the step E fills the space in the silver-containing layer formed by removing the gelatin in the step D with the metal. 2. A method for producing a conductive substrate according to item 1. 支持体と、
前記支持体上に配置された、高分子および金属を含有する導電性細線と、を有し、
前記導電性細線が延在する方向に直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、前記金属が存在する領域の幅が２．０μｍ以下であり、
前記垂直断面において、前記金属が存在する領域の幅に対する高さの比が０．８０以上である、導電性基板。 a support;
a conductive thin wire containing a polymer and a metal disposed on the support;
In a vertical cross section of the conductive thin wire in a direction perpendicular to the direction in which the conductive thin wire extends, the width of the region where the metal exists is 2.0 μm or less,
A conductive substrate, wherein, in the vertical section, the ratio of height to width of the region where the metal is present is 0.80 or more . 前記導電性細線によってメッシュパターンが形成されている、請求項１２に記載の導電性基板。 13. The conductive substrate according to claim 12 , wherein said conductive fine lines form a mesh pattern. 前記メッシュパターンの開口率が９５．００％以上である、請求項１３に記載の導電性基板。 14. The conductive substrate according to claim 13 , wherein the mesh pattern has an aperture ratio of 95.00% or more. 前記導電性細線が延在する方向に直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、前記金属が存在する領域の幅に対する高さの比が０．８６以上である、請求項１２～１４のいずれか１項に記載の導電性基板。14. A ratio of height to width of the region in which the metal is present in a vertical cross section of the conductive thin wire in a direction perpendicular to the direction in which the conductive thin wire extends is 0.86 or more. The conductive substrate according to any one of . 前記導電性細線が延在する方向に直交する方向での前記導電性細線の垂直断面において、前記金属が存在する領域の高さが１．２～１．４μｍである、請求項１２～１５のいずれか１項に記載の導電性基板の製造方法。16. The method according to any one of claims 12 to 15, wherein the height of the region where the metal exists is 1.2 to 1.4 μm in a vertical cross section of the conductive thin wire in a direction perpendicular to the direction in which the conductive thin wire extends. A method for manufacturing a conductive substrate according to any one of the items.
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