JP7161059B2 - ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7161059B2 JP7161059B2 JP2021539069A JP2021539069A JP7161059B2 JP 7161059 B2 JP7161059 B2 JP 7161059B2 JP 2021539069 A JP2021539069 A JP 2021539069A JP 2021539069 A JP2021539069 A JP 2021539069A JP 7161059 B2 JP7161059 B2 JP 7161059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- composition
- alkyl
- resist pattern
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 94
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 49
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 33
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 21
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 18
- -1 heterocyclic amines Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 12
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 claims description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 150000003139 primary aliphatic amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000005619 secondary aliphatic amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 25
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 18
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UWQPDVZUOZVCBH-UHFFFAOYSA-N 2-diazonio-4-oxo-3h-naphthalen-1-olate Chemical class C1=CC=C2C(=O)C(=[N+]=[N-])CC(=O)C2=C1 UWQPDVZUOZVCBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N Lactic Acid Natural products CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAAZPARNPHGIKF-UHFFFAOYSA-N 1,2-dibromoethane Chemical compound BrCCBr PAAZPARNPHGIKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AICIYIDUYNFPRY-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydro-2H-imidazol-2-one Chemical compound O=C1NC=CN1 AICIYIDUYNFPRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SILNNFMWIMZVEQ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazol-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(O)=NC2=C1 SILNNFMWIMZVEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEBXWWBYZJNKRK-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2,3,4,6,7,8-hexahydropyrimido[1,2-a]pyrimidine Chemical compound C1CCN=C2N(C)CCCN21 OEBXWWBYZJNKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEPDDPLQZYCHOH-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CN1 DEPDDPLQZYCHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)-n,n-bis[2-(2-methoxyethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound COCCOCCN(CCOCCOC)CCOCCOC XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpentane Chemical compound CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJSQFQKUNVCTIA-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfide Chemical compound CCSCC LJSQFQKUNVCTIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N isobutyl acetate Chemical compound CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropyl acetate Chemical compound CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N nonyl acetate Chemical compound CCCCCCCCCOC(C)=O GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- LHXDLQBQYFFVNW-OIBJUYFYSA-N (-)-Fenchone Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C(C)(C)[C@@H]1C2 LHXDLQBQYFFVNW-OIBJUYFYSA-N 0.000 description 1
- 239000001124 (E)-prop-1-ene-1,2,3-tricarboxylic acid Substances 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1CC VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSSPGSAQUIYDCN-UHFFFAOYSA-N 1,3-Propane sultone Chemical compound O=S1(=O)CCCO1 FSSPGSAQUIYDCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- OXFSTTJBVAAALW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroimidazole-2-thione Chemical compound SC1=NC=CN1 OXFSTTJBVAAALW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWPUOFSQNASCII-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCC ZWPUOFSQNASCII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCOCCCC MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCOCC(C)OC(C)=O FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKQHIYSTBXDYNQ-UHFFFAOYSA-M 1-dodecylpyridin-1-ium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCC[N+]1=CC=CC=C1 GKQHIYSTBXDYNQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-methylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAPNOHKVXSQRPX-UHFFFAOYSA-N 1-phenylethanol Chemical compound CC(O)C1=CC=CC=C1 WAPNOHKVXSQRPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-1,4-dioxane Chemical compound CC1COC(C)CO1 AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNWQKDWAKRSKIF-UHFFFAOYSA-N 2-(1h-benzimidazol-2-yl)ethanol Chemical compound C1=CC=C2NC(CCO)=NC2=C1 KNWQKDWAKRSKIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)=O CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)=O DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1,3-hexanediol Chemical compound CCCC(O)C(CC)CO RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutyl acetate Chemical compound CCC(CC)COC(C)=O HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 2-Pentanol acetate Chemical compound CCCC(C)OC(C)=O GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOCCOC(C)=O SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1-butanol Chemical compound CCC(CC)CO TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl acetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(C)=O WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical compound CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-pentanol Chemical compound CCCC(C)CO PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRRVXFOKWJKTGG-UHFFFAOYSA-N 3,3,5-trimethylcyclohexanol Chemical compound CC1CC(O)CC(C)(C)C1 BRRVXFOKWJKTGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 3,4,6,7,8,9-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine Chemical compound C1CCN2CCCNC2=N1 FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHCCCMIWRBJYHG-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethylhexoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COCC(CC)CCCC YHCCCMIWRBJYHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLLSOEKIMZEGFV-UHFFFAOYSA-N 4-(dibutylsulfamoyl)benzoic acid Chemical compound CCCCN(CCCC)S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 HLLSOEKIMZEGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBKMJZAKWQTTHC-UHFFFAOYSA-N 4-methyldioxolane Chemical compound CC1COOC1 LBKMJZAKWQTTHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N Diisobutylcarbinol Chemical compound CC(C)CC(O)CC(C)C HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N Heptan-3-ol Chemical compound CCCCC(O)CC RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid dibutyl ester Chemical compound CCCCOC(=O)C(=O)OCCCC JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091181 aconitic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229940045714 alkyl sulfonate alkylating agent Drugs 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012648 alternating copolymerization Methods 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical group CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012661 block copolymerization Methods 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N butyl propionate Chemical compound CCCCOC(=O)CC BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N cis-aconitic acid Chemical compound OC(=O)C\C(C(O)=O)=C\C(O)=O GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(C)O QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXTNIJMLAQNTEG-UHFFFAOYSA-N hexan-2-yl acetate Chemical compound CCCCC(C)OC(C)=O RXTNIJMLAQNTEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N iso-pentane Natural products CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N methyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound COC(=O)CC1CCCCC1 IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N n-methylpropanamide Chemical compound CCC(=O)NC QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical compound CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N pentyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C(C)O GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N tetradecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(C)O BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical compound C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N trans-aconitic acid Natural products OC(=O)CC(C(O)=O)=CC(O)=O GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDRDMVYFQARLNH-UHFFFAOYSA-N tridecan-1-amine;hydrochloride Chemical compound Cl.CCCCCCCCCCCCCN XDRDMVYFQARLNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N undecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCC(C)O XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
リフトオフ法を行うには、逆テーパー形状のレジストパターンであることが好ましいため、ネガ型レジスト組成物が用いられることが多い。特許文献2では、半導体ではなくEL表示素子の隔壁を作成するために、プロセスが異なり求められる精度や感度も異なるが、逆テーパー形状の形成が試みられた。しかし、用いられた全てのレジスト組成はネガ型であり、さらに逆テーパーを実現したのはその一部であった。
一方、ポジ型レジスト組成から得たレジストパターンのボトムにアンダーカットを発生させ、T型を形成させることが検討されている(例えば、特許文献3~5)。これらの組成物は、特殊なポリマーを必要としたり、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド系感光剤を必須とするものである。
本発明は、上述のような課題を解決すべくなされたものであり、ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの製造方法を提供する。
(A)式(P-1)~(P-4):
Rp1、Rp3、Rp5、およびRp8は、それぞれ独立に、C1-5アルキル、C1-5アルコキシ、または-COOHであり、
Rp2、Rp4、およびRp7は、それぞれ独立に、C1-5アルキル(ここで、アルキル中の-CH2-が-O-によって置きかえられていてもよい)であり、
Rp6、およびRp9は、それぞれ独立に、C1-5アルキル(ここで、アルキル中の-CH2-が-O-によって置きかえられていてもよい)であり、
x1は0~4であり、x2は1~2であり、ただし、x1+x2≦5であり、
x3は0~5であり、
x4は1~2であり、x5は0~4であり、ただし、x4+x5≦5である)からなる群から選択される繰り返し単位を含んでなるポリマーP、および
式(Q-1):
Rq1は、それぞれ独立に、C1-5アルキルであり、
y1は1~2であり、y2は0~3であり、ただし、y1+y2≦4である)
で表される繰り返し単位を含んでなるポリマーQ
からなる群から選択される少なくとも1つのポリマーであって、
ただし、組成物中の、ポリマーPの総質量MpおよびポリマーQの総質量Mqが、式: 0<Mp/(Mp+Mq)≦100%、および0≦Mq/(Mp+Mq)<70%をみたすものである、ポリマー;
(B)イミド基を有する酸発生剤;
(C)2以上のフェノール構造が、オキシで置換されていてもよい炭化水素基によって結合されている化合物である、溶解速度調整剤;および
(D)溶媒
を含んでなる。
(1)基板の上方に上記の組成物を適用すること;
(2)前記組成物を加熱し、レジスト層を形成すること;
(3)前記レジスト層を露光すること;
(4)前記レジスト層を露光後加熱すること;および
(5)前記レジスト層を現像すること
を含んでなる。
リフトオフに適したレジストパターン形状を形成できる。レジスト組成物の感度が充分である。充分な解像度を得ることができる。レジストパターン製造時に環境の影響を低減できる。厚膜のレジストパターンが製造できる。固形成分の溶媒への溶解性が良い。蒸着した金属が厚くても、剥離液がレジスト側壁に侵入できるレジストパターン形状を得ることができる。剥離液への溶解性が高い。アスペクト比が高いレジストパターンを形成できる。レジスト膜のクラックを抑制できる。欠陥数を低減できる。保存安定性が良い。
剥離液への溶解性が高く、さらにレジストパターンの形状が好適であることが、本発明の有利な点である。
本明細書において、特に限定されて言及されない限り、本「定義」パラグラフに記載の定義や例に従う。
単数形は複数形を含み、「1つの」や「その」は「少なくとも1つ」を意味する。ある概念の要素は複数種によって発現されることが可能であり、その量(例えば質量%やモル%)が記載された場合、その量はそれら複数種の和を意味する。
「および/または」は、要素の全ての組み合わせを含み、また単体での使用も含む。
「~」または「-」を用いて数値範囲を示した場合、これらは両方の端点を含み、単位は共通する。例えば、5~25モル%は、5モル%以上25モル%以下を意味する。
「Cx-y」、「Cx~Cy」および「Cx」などの記載は、分子または置換基中の炭素の数を意味する。例えば、C1-6アルキルは、1以上6以下の炭素を有するアルキル鎖(メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等)を意味する。
ポリマーが複数種類の繰り返し単位を有する場合、これらの繰り返し単位は共重合する。これら共重合は、交互共重合、ランダム共重合、ブロック共重合、グラフト共重合、またはこれらの混在のいずれであってもよい。ポリマーや樹脂を構造式で示す際、括弧に併記されるnやm等は繰り返し数を示す。
温度の単位は摂氏(Celsius)を使用する。例えば、20度とは摂氏20度を意味する。
本発明によるポジ型レジスト組成物(以下、組成物ということがある)は、(A)特定のポリマー、(B)イミド基を有する酸発生剤、(C)溶解速度調整剤、および(D)溶媒を含んでなる。
本発明による組成物の粘度は、好ましくは50~2,000cPであり、より好ましくは200~1,500cPである。ここで粘度は、細管粘度計により25℃で測定したものである。
本発明による組成物は、厚膜レジスト形成組成物であることが好ましい。ここで、本発明において、厚膜とは、1~50μm、好ましくは5~15μmの膜厚をいい、薄膜とは、1μm未満の膜厚を意味する。
本発明による組成物は、好ましくは、後に行われる露光に、波長190~440nm、好ましくは240~440nm、さらに好ましくは360~440nm、よりさらに好ましくは365nmの光が用いられる。
本発明による組成物は、好ましくは逆テーパー形状形成ポジ型レジスト組成物である。本発明において、「逆テーパー形状」は以降に説明する。
本発明による組成物は、好ましくはポジ型レジストリフトオフ組成物である。
(A)ポリマーは、ポリマーP、またはポリマーPおよびポリマーQの組み合わせを含んでなる。記載するまでもないが、ポリマーPとポリマーQを共に含む場合、これらは共重合しない。
本発明において用いられるポリマーPは、酸と反応してアルカリ性水溶液に対する溶解度が増加するものである。このようなポリマーは、例えば保護基によって保護された酸基を有しており、外部から酸を添加されると、その保護基が脱離して、アルカリ性水溶液に対する溶解度が増加するものである。
Rp1、Rp3、Rp5、およびRp8は、それぞれ独立に、C1-5アルキル、C1-5アルコキシ、または-COOHであり、
Rp2、Rp4、およびRp7は、それぞれ独立に、C1-5アルキル(ここで、アルキル中の-CH2-が-O-によって置きかえられていてもよい)であり、 Rp6、およびRp9は、それぞれ独立に、C1-5アルキル(ここで、アルキル中の-CH2-が-O-によって置きかえられていてもよい)であり、
x1は0~4であり、x2は1~2であり、ただし、x1+x2≦5であり、
x3は0~5であり、
x4は1~2であり、x5は0~4であり、ただし、x4+x5≦5である。
本発明のポリマーPの一形態として、(P-1)のみを構成単位として有し、x2=1の(P-1)とx2=2の(P-1)が1:1の割合であることも有り得る。この場合、x2=1.5となる。ポリマーについて、特に言及されない場合、以降同様である。
Rp1は、好ましくは、水素、メチルであり、より好ましくは水素である。 Rp2は、好ましくは、メチル、エチル、t-ブチルまたはメトキシであり、より好ましくはメチルまたはt-ブチルである。
x2は、好ましくは1または2であり、より好ましくは1である。
x1は、好ましくは0、1、2または3であり、より好ましくは0である。
Rp3は、好ましくは水素、またはメチルであり、より好ましくは水素である。 Rp4は、好ましくは、メチル、エチル、t-ブチルまたはメトキシであり、より好ましくはメチルまたはt-ブチルである。
x3は、好ましくは0、1、2または3であり、より好ましくは0である。
Rp5は、好ましくは、水素、またはメチルであり、より好ましくは水素である。 Rp6は、好ましくは、メチル、エチル、プロピル、t-ブチル、-CH(CH3)-O-C2H5、または-CH(CH3)-O-CH3であり、より好ましくはメチル、-ブチル、-CH(CH3)-O-C2H5、または-CH(CH3)-O-CH3であり、さらに好ましくはt-ブチル、または-CH(CH3)-O-C2H5である。 Rp7は、好ましくは、メチル、エチル、t-ブチルまたはメトキシであり、より好ましくはメチルまたはt-ブチルである。
x4は好ましくは1または2であり、より好ましくは1である。
x5は、好ましくは0、1、2または3であり、より好ましくは0である。
Rp8は、好ましくは水素、またはメチルであり、より好ましくは水素である。 Rp9は、好ましくは、メチル、エチル、プロピル、またはt-ブチルであり、より好ましくはt-ブチルである。
好ましくは、(A)ポリマーにおいて、式(P-1)、(P-2)、(P-3)、および(P-4)の繰り返し単位数である、それぞれnp1、np2、np3、およびnp4が、以下の式:
30%≦np1/(np1+np2+np3+np4)≦90%、
0%≦np2/(np1+np2+np3+np4)≦40%、
0%≦np3/(np1+np2+np3+np4)≦40%、および
0%≦np4/(np1+np2+np3+np4)≦40%を満たすことが好ましい。
np1/(np1+np2+np3+np4)は、より好ましくは40~80%、さらに好ましくは40~70%である。
np2/(np1+np2+np3+np4)は、より好ましくは0~30%、さらに好ましくは10~30%である。
np3/(np1+np2+np3+np4)は、より好ましくは0~30%、さらに好ましくは10~30%である。np3/(np1+np2+np3+np4)が0%も好適な一態様である。
np4/(np1+np2+np3+np4)は、より好ましくは10~40%、さらに好ましくは10~30%である。
また、(np3+np4)/(np1+np2+np3+np4)、好ましくは0~40%、より好ましくは0~30%、さらに好ましくは10~30%である。ポリマーPにおいて、式(P-3)および(P-4)の繰り返し単位のいずれ一方が存在し、他方が存在しない態様も好適である。
(np1+np2+np3+np4)/ntotalは、より好ましくは90~100%であり、さらに好ましくは95~100%である。(np1+np2+np3+np4)/ntotal=100%であること、つまり、(P-1)~(P-4)以外の構成単位を含まないことも、本発明の好ましい一態様である。
本発明において、Mwはゲル浸透クロマトグラフィー(gel permeation chromatography、GPC)にて測定することが可能である。同測定では、GPCカラムを摂氏40度、溶出溶媒テトラヒドロフランを0.6mL/分、単分散ポリスチレンを標準として用いることが好適な1例である。以下においても同じである。
本発明において用いられるポリマーQは、リソグラフィーにおいて一般に用いられる、ノボラックポリマーであり、例えば、フェノール類とホルムアルデヒドとの縮合反応により得られる。
ポリマーQは、式(Q-1)で表される繰り返し単位を含んでなる。
Rq1は、それぞれ独立に、C1-5アルキルであり、
y1は1~2であり、
y2は0~3であり、ただし、y1+y2≦4である。
y1は、好ましくは1または2、より好ましくは1である。
y2は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0.5~1.5である。
30%≦Nqa/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦100%、
0%≦Nqb/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦70%、
0%≦Nqc/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦50%、および 0%≦Nqd/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦70%をみたすことが好ましい。
Nqa/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)は、より好ましくは30~80%、さらに好ましくは30~70%、よりさらに好ましくは40~60%である。
Nqb/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)は、より好ましくは10~60%、さらに好ましくは20~50%、よりさらに好ましくは30~50%である。
Nqc/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)は、より好ましくは0~40%、さらに好ましくは10~30%である。Nqc/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)が0%であることも、好適な一形態である。
Nqd/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)は、より好ましくは0~40%、さらに好ましくは10~30%である。Nqd/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)が0%であることも、好適な一形態である。ポリマーQにおいて、式(Q-1c)および(Q-1d)の繰返し単位のいずれか一方が存在し、他方が存在しない態様も好適である。
80%≦(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)/Ntotal≦100%を満たすことが好ましい。
(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)/Ntotalは、より好ましくは90~100%、さらに好ましくは95~100%である。(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)/Ntotal=100%であること、つまり、(Q-1a)~(Q-1d)以外の構成単位を含まないことも、本発明の好ましい一態様である。
また、0≦Mq/(Mp+Mq)<70%をみたすことが好ましく、10≦Mq/(Mp+Mq)≦60%をみたすことがより好ましい。
ポリマーPおよびポリマーQ以外のポリマーとは、上述の式(P-1)~(P-4)からなる群から選択される繰り返し単位を含んでなるポリマーの条件を満たさず、さらに上記の式(Q-1)で表される繰り返し単位を含んでなるポリマーの条件を満たさない。
ポリマーPおよびポリマーQ以外のポリマーを含まないことも、本発明の好適な一態様である。
本発明による組成物は、(B)イミド基を有する酸発生剤(以下、(B)酸発生剤ということがある)を含んでなる。この(B)酸発生剤は、光の照射によって酸を放出し、その酸がポリマーPに作用して、ポリマーのアルカリ性水溶液に対する溶解度を増加させる役割を果たす。例えばポリマーが保護基によって保護された酸基を有している場合に、酸によって、その保護基を脱離させる。
本発明において、(B)酸発生剤とは、上記の機能を有する化合物そのものをいう。その化合物が溶媒に溶解または分散されて、組成物に含有される場合もあるが、このような溶媒は(D)溶媒またはその他の成分として組成物に含有されることが好ましい。以降、組成物に含まれうる各種添加剤に対しても同様とする。
なお、本発明におけるイミド基は-N<の構造を有するものを意味するが、二つのカルボニルの間に窒素原子が存在する構造-C(=O)-N(-Z)-C(=O)-(ここで、Zは有機基)を有することが好ましい。
本発明による組成物は、ジアゾナフトキノン誘導体等を含むと、レジストパターンの断面形状がテーパー形状に近づく傾向にある。このため、本発明による組成物はジアゾナフトキノン誘導体等を全く含まないことが、好適な一形態である。
Rb1は、それぞれ独立に、C3-10アルケニルもしくはアルキニル(ここで、アルケニルおよびアルキニル中のCH3-がフェニルによって置換されていてもよく、アルケニルおよびアルキニル中の-CH2-が-C(=O)-、-O-またはフェニレンの少なくともいずれか一つによって置き換えられていてもよい)、C2-10チオアルキル、C5-10飽和複素環でありであり、
nbは、0、1または2であり、かつ
Rb2は、C1-5のフッ素置換されたアルキルである。ここで、フッ素置換は、少なくとも1つの水素原子がフッ素によって置きかえられていればよいが、好ましくは、全ての水素がフッ素に置換されている。
ここで、本発明において、アルケニルとは、1以上の二重結合(好ましくは1つ)を有する1価基を意味するものとする。同様に、アルキニルとは、1以上の三重結合(好ましくは1つ)を有する1価基を意味するものとする。
Rb1の具体例として、-C≡C-CH2-CH2-CH2-CH3、-CH=CH-C(=O)-O-tBu、-CH=CH-Ph、-S-CH(CH3)2、-CH=CH-Ph-O-CH(CH3)(CH2CH3)およびピぺリジンが挙げられる。ここで、tBuはt-ブチルを意味し、Phはフェニレンまたはフェニルを意味する。以降、特に言及しない限り同様である。
nbは、0または1であることが好ましく、nb=0がより好ましい。nb=1であることも、好適な一態様である。
Rb2は、好ましくは、C1-4の、全ての水素がフッ素置換されているアルキルであり、より好ましくはC1またはC4の全ての水素がフッ素置換されているアルキルである。Rb2のアルキルは直鎖であることが好ましい。
(B)酸発生剤の含有量が、(A)ポリマーの総質量を基準として、0.1~10.0質量%であり、より好ましくは0.5~1.0質量%である。
本発明による組成物は、2以上のフェノール構造が、オキシで置換されていてもよい炭化水素基によって結合されている化合物である、溶解速度調整剤を含んでなる。
(C)溶解速度調整剤は、ポリマーの現像液への溶解性を調整する機能がある。理論に拘束されないが、(C)溶解速度調整剤が存在することにより、以下のようなメカニズムによって好ましいパターン形状が形成されると考えられる。(C)溶解速度調整剤は、フェノール構造を有し、アルカリ現像液への溶解性が高いものである。現像時、現像液は、まず、膜の上部にまず接触する。このときに、膜中の表面近くに存在する(C)溶解速度調整剤のみが、現像液に溶解する。これにより、未露光部の膜の表面付近は、(C)溶解速度調整剤が失われ、ポリマーが高分子量化し、アルカリ現像液に対する溶解性が低下する。一方、形成されたレジストパターンの側面は溶解が促進される傾向にあり、レジストパターンの断面形状が逆テーパー形状となる。このようなメカニズムにより、溶解速度調整剤が逆テーパー形状形成に寄与する。このように、(C)溶解速度調整剤は溶解を抑止したり、促進したりと、速度調整を行う機能を有するのである。
nc1は、それぞれ独立に、1、2、または3であり、
nc2は、それぞれ独立に、0、1、2、または3であり、
Rc1は、それぞれ独立に、C1-7のアルキルであり、
Lcは、C1-15の2価のアルキレン(これは、ヒドロキシ置換されていてもよいアリールによって置換されていてもよく、Lc以外の置換基と環を形成していてもよい)である。
nc2は、好ましくは、それぞれ独立に、0、2、または3である。好ましい態様として、2つのnc2は同一である。nc2が0であることも、好適な一態様である。
Rc1は、好ましくは、それぞれ独立に、メチル、エチル、またはシクロヘキシルであり、より好ましくはメチルまたはシクロヘキシルである。
Lcは、好ましくはC2-12の2価のアルキレンであり、より好ましくはC2-7の2価のアルキレンである。このアルキレンを置換しうるアリールは、1価のアリールでも2価のアリーレンでも良い。このアリールは、好適にはフェニルまたはフェニレンである。このアリールはヒドロキシ置換され得るが、好適には1つのアリールが1または2つヒドロキシ置換され、より好適には1つヒドロキシ置換される。Lcのアルキレンは、直鎖、分岐、環形(好適にはシクロヘキサレン)およびこれらいずれの結合であっても良い。
Lc以外の置換基と環を形成の一例として、例えばRc1、またはRc1が結合するフェニルに結合するOHと環を形成したものが挙げられる。後者の環の形成の一例として、下記具体例が挙げられる。
本発明による組成物は、(D)溶媒を含んでなる。溶媒は、配合される各成分を溶解することができるものであれば特に限定されない。(D)溶媒は、好ましくは、水、炭化水素溶媒、エーテル溶媒、エステル溶媒、アルコール溶媒、ケトン溶媒、またはこれらいずれの組合せである。
溶媒の具体例としては、例えば、水、n-ペンタン、i-ペンタン、n-ヘキサン、i-ヘキサン、n-ヘプタン、i-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、i-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンセン、i-プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、i-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-i-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン、トリメチルベンゼン、メタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、t-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、t-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、ヘプタノール-3、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチルヘプタノール-4、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾール、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、ペンタンジオール-2,4、2-メチルペンタンジオール-2,4、ヘキサンジオール-2,5、ヘプタンジオール-2,4、2-エチルヘキサンジオール-1,3、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリン、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-i-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-i-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョン、エチルエーテル、i-プロピルエーテル、n-ブチルエーテル(ジブチルエーテル、DBE)、n-ヘキシルエーテル、2-エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、1,2-プロピレンオキシド、ジオキソラン、4-メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、2-メチルテトラヒドロフラン、ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル(ノルマルブチルアセテート、nBA)、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、γ-ブチロラクトン、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、プロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン、硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、および1,3-プロパンスルトンが挙げられる。これらの溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
本発明において、低沸点溶媒は、沸点が80~140℃であること、より好ましくは110~130℃である溶媒のことをいう。沸点は大気圧下で測定する。低沸点溶媒としては、PGMEやnBAが挙げられる。
本発明による組成物は、(E)塩基性化合物をさらに含むことができる。
(E)塩基性化合物は、露光部で発生した酸の拡散を抑える効果を有する。そして、本発明において、(E)塩基性化合物は、逆テーパー形状形成に寄与する役割を果たすと考えられる。理論に拘束されないが、以下のようなメカニズムであると考えられる。本発明による組成物を基板上に適用し、膜化する時点では、(E)塩基性化合物は、膜中に均一に存在する。その後、加熱をすると、(E)塩基性化合物のうちの膜中の上方に存在していたうちの一部が、溶剤とともに、大気中に揮発し、揮発していない分も上方に移動する。これにより、膜中の(E)塩基性化合物の分布は、上方には多く、下方には少なく偏在する。露光により、酸発生剤から酸が放出され、露光後加熱等によりこの酸が未露光部に拡散すると、この(E)塩基性化合物と中和反応が起こることにより、未露光部への酸の拡散が抑えられるのであるが、このとき、膜中の(E)塩基性化合物の偏在により、未露光部において、膜の上方では、酸の拡散が抑える効果が高いが、膜の下方では酸の拡散を抑える効果が低くなる。つまり、酸の分布が上方よりも下方の方が高くなるのである。これによって、アルカリ現像液で現像した際に、逆テーパー形状形成に寄与する。
塩基性化合物は、上記の効果の他に、空気中に含まれるアミン成分によるレジスト膜表面の酸の失活を抑える効果も有する。
本発明による組成物は、(F)可塑剤をさらに含むことができる。可塑剤を添加することにより、レジストパターンのクラック発生を抑えることができる。
Rf2は、好ましくは、それぞれ独立に、水素、またはメチルである。
より好ましくは、2つのRf1および2つのRf2のうちの1つがメチルであり、残りの3つは水素である。
Rf4は、好ましくは、水素、またはメチルであり、より好ましくは水素である。
Rf5は、好ましくは、メチルまたはエチルであり、より好ましくは、メチルである。
本発明による組成物は、(A)~(F)以外の、(G)添加物を含むことができる。
(G)添加物は特に限定されないが、好ましくは、界面活性剤、酸、および基板密着増強剤からなる群の少なくとも1つから選択される。
(G)添加物の含有量は、(A)ポリマーの総質量を基準として、0~20質量%であり、より好ましくは0~11質量%である。(G)添加剤を含まない(0質量%)ことも、本発明による組成物の好適な一例である。
本発明によるレジストパターンの製造方法は、
(1)基板の上方に本発明による組成物を適用すること;
(2)組成物を加熱し、レジスト層を形成すること;
(3)レジスト層を露光すること;
(4)レジスト層を露光後加熱すること;および
(5)レジスト層を現像すること
を含んでなる。
明確性のために記載すると、()の中の数字は、順番を意味する。例えば、(2)工程の前に、(1)の工程が行われる。
基板(例えば、シリコン/二酸化シリコン被覆基板、シリコンナイトライド基板、シリコンウェハ基板、ガラス基板およびITO基板等)の上方に、適当な方法により本発明による組成物を適用する。ここで、本発明において、上方とは、直上に形成される場合および他の層を介して形成される場合を含む。例えば、基板の直上に、平坦化膜やレジスト下層膜を形成し、その直上に本発明による組成物が適用されていてもよい。適用方法は特に限定されないが、例えばスピナー、コーターによる塗布による方法が挙げられる。塗布後、加熱することによりレジスト層が形成される。(2)の加熱は、例えばホットプレートによって行われる。加熱温度は、好ましくは60~140℃、より好ましくは90~110℃、である。ここでの温度は加熱雰囲気、例えばホットプレートの加熱面温度である。加熱時間は、好ましくは30~900秒間、より好ましくは60~300秒間である。加熱は、好ましくは大気または窒素ガス雰囲気にて行われる。
本発明の組成を用いることで、逆テーパー形状のレジストパターンを形成できる。ここで、本発明において、逆テーパー形状とは、図1(A)の断面図に示すように、基板11上に、レジストパターン12が形成されている場合、開口点(レジスト表面とレジストパターン側面との境界)13と底点(基板表面とレジストパターン側面との境界)14を結ぶ直線(テーパーライン)と、基板表面とがなす角度が90度より大きく、かつテーパーラインよりもレジストパターンが実質的に外側にはみ出さない、すなわち実質的にレジストパターンが太っていないことをいう。ここで、この角度をテーパー角度15という。このようなレジストパターンを逆テーパー形状のレジストパターン12という。なお、本発明において逆テーパー形状とは、逆円錐台形状(reverse truncated cone)だけを意味するのでは無く、ライン状のパターンにおいて、表面部のライン幅が、基板近傍のライン幅に比べて広い場合なども包含する。
本発明による逆テーパー形状のレジストパターンには、図1(B)の断面図に示すように、開口点22と底点23を結ぶ直線(テーパーライン24)よりも、レジストパターンが内側にえぐれている、即ち、レジストパターンが痩せている場合も含まれる。ここでのテーパー角度は、テーパー角度25である。このようなレジストパターンをオーバーハング形状のレジストパターン21という。基板から、レジストパターンの膜厚26の半分の長さ27の高さの位置で、基板表面と並行に直線をひき、その直線上で、レジストパターンとの交点と、テーパーラインとの交点との距離を食い込み幅28とする。同じくその直線上で、レジストパターンとの交点と、開口点から基板に垂直にひいた直線との交点との距離をテーパー幅29という。食い込み幅/テーパー幅が0より大きい場合が図1(B)であり、0である場合が図1(A)である。
オーバーハング形状である場合、金属蒸着後のレジスト剥離時に、剥離液が入り込みやすい傾向にあるため、好ましい。
なお、オーバーハング形状の変形例として、図1(C)のように、レジストパターン31の端が丸みを帯びるケースも考えられる。この場合、開口点32は、レジスト表面とレジストパターン側面との境界であって、底面と平行なレジスト表面の平面を想定し、その平面から、レジストパターンが離れる点とする。底点33が基板表面とレジストパターン側面との境界である。開口点32と底点33を結ぶ直線がテーパーライン34であり、ここでのテーパー角度は、テーパー角度35である。
テーパーラインの内側にあるが、レジストパターンではない部分の面積をSin36とし、テーパーラインの外側にあるが、レジストパターンである部分の面積をSout37とする。複数の場合は、面積の和を用いる。
Sout/(Sin+Sout)は、0~0.45であることが好ましく、0~0.1であることがより好ましく、0~0.05であることがさらに好ましく、0~0.01であることがよりさらに好ましい。Sout/(Sin+Sout)が小さい形状は、金属を厚くレジストパターン上に蒸着しても剥離液がレジスト側壁に侵入しやすく有利である。なお、特許文献3に記載のT型のレジストパターンは、Sout/(Sin+Sout)が約0.5である。
(Sin-Sout)/(Sin+Sout)は、0~1であることが好ましく、0.55~1であることがより好ましく、0.9~1であることがさらに好ましく、0.99~1であることがよりさらに好ましい。0<(Sin-Sout)/(Sin+Sout)であることも、本発明の好適な一態様である。(Sin-Sout)/(Sin+Sout)が大きいと、全体としてレジストパターンがテーパーラインより内側にくぼんだ形状となり、金属を厚くレジストパターン上に蒸着しても剥離液がレジスト側壁に侵入しやすく有利である。
図1(A)および(B)の形状の場合にあてはめると、どちらも、Sout/(Sin+Sout)=0であり、どちらも(Sin-Sout)/(Sin+Sout)=1である。
本発明による組成物は、従来知られている組成物に対して、上記したような形状変化の影響を受けにくい。すなわち、環境影響に強いという特徴を有している。
(6)レジストパターンをマスクとして、基板の上方に金属を蒸着させること;
(7)レジストパターンを剥離液で除去すること
を含んでなる方法により、金属パターンを製造することができる。
レジストパターンをマスクとして、基板の上方に、金、銅、等の金属(金属酸化物等であってもよい)を蒸着させる。なお、蒸着の他に、スパッタリングであってもよい。
その後、レジストパターンをその上部に形成された金属とともに、剥離液を用いて除去することで、金属パターンを形成することができる。剥離液は、レジストの剥離液として用いられているものであれば、特に限定されないが、例えば、N-メチルピロリドン(NMP)、アセトン、アルカリ溶液が使用される。本発明によるレジストパターンは逆テーパー形状であるため、レジストパターン上の金属と、レジストパターンが形成されていない部分に形成された金属との間が、隔たっているため、容易に剥離ができる。また、形成される金属パターンの膜厚も厚くすることができ、好ましくは膜厚0.01~40μm、より好ましくは1~5μmの金属パターンが形成される。
PGME:EL=85:15(質量比)の混合溶媒170質量部に、ポリマーPとして、下記P1を50質量部、ポリマーQとして、下記Q1を50質量部添加する。これに、組成物全体の総質量を基準として、酸発生剤として下記B1を1.6質量%、溶解速度調整剤として下記C1を2.5質量%、塩基性化合物としてトリス[2-(2-メトキシエトキシ)エチル]アミンを0.1質量%、可塑剤として下記F1を5.0質量%、界面活性剤として、KF-53(信越化学工業)を0.1質量%、それぞれ添加する。これを室温で5時間、攪拌する。添加物が溶解していることを目視で確認する。これを1.0μmフィルターでろ過する。これによって組成物1を得る。組成物1の粘度は、キャノンフェンスケ法により25℃で測定したところ、600cPである。
ポリマーおよび溶解速度調整剤を表1に記載のように変更する以外は、組成物1と同様に調製して、組成物2~10、および比較組成物1~3を得る。
上記で得られる組成物を用いて以下の操作を行い、レジストパターンを得る。
LITHOTRAC(Litho Tech Japan)を用いて各組成物を6インチシリコンウェハに滴下し、回転塗布し、レジスト層を形成する。このレジスト層が形成されたウェハをホットプレートを用いて100℃180秒間ベークする。ベーク後に、レジスト層の膜厚を光干渉式膜厚測定装置ラムダエースVM-12010(SCREEN)を用いて測定する。膜厚は、ウェハ上で、中心部を除く8点で膜厚を測定し、その平均値を用いる。得られた膜厚を表1に記載する。
マスクサイズとパターンサイズとが1:1になるときの露光エネルギー(mJ/cm2)は、実施例1の場合は、120mJ/cm2である。
得られるレジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡SU8230(日立テクノロジー)を用いて、観察し、上記に定義したテーパー角度を測定する。なお、実施例組成物5で形成されたレジストパターンの断面形状を図2(A)に示す。なお、図2(B)はその断面図を模式的に示したものである。得られた結果を表1に記載する。
実施例組成物5で形成されたレジストパターンの断面形状の、上記に定義されたSout/(Sin+Sout)=0、(Sin-Sout)/(Sin+Sout)=1である。
実施例組成物1の組成(これは、可塑剤を5質量%含む)に対して、可塑剤を含まないもの、可塑剤を2.5質量%含むもの、7.5質量%含むもの、10.0質量%含むものを調製し、上記と同様にレジストパターンを形成し、スパッタ装置で金を蒸着させる。その後、クラックの有無を光学顕微鏡目視で確認する。可塑剤を含まないものは、クラックがわずかに確認されたが、可塑剤を2.5質量%含むものでは、可塑剤を含まないものよりもクラックが減少する。可塑剤を、5質量%、7.5質量%、10.0質量%含むものは、クラックが全く確認されない。
12.逆テーパー形状のレジストパターン
13.開口点
14.底点
15.テーパー角度
21.オーバーハング形状のレジストパターン
22.開口点
23.底点
24.テーパーライン
25.テーパー角度
26.レジストパターンの膜厚
27.レジストパターンの膜厚の半分の長さ
28.食い込み幅
29.テーパー幅
31.レジストパターン
32.開口点
33.底点
34.テーパーライン
35.テーパー角度
36.Sin
37.Sout
51.基板
52.レジストパターン
Claims (14)
- 下記工程:
(1)基板の上方にポジ型レジストリフトオフ組成物を適用すること;
(2)前記組成物を加熱し、レジスト層を形成すること;
(3)前記レジスト層を露光すること;
(4)前記レジスト層を露光後加熱すること;
(5)前記レジスト層を現像すること;
(6)レジストパターンをマスクとして、基板の上方に金属を蒸着させること;および
(7)レジストパターンを剥離液で除去すること
を含んでなる、金属パターンの製造方法:
ここで、前記ポジ型レジストリフトオフ組成物は以下の成分を含んでなる:
(A)式(P-1)~(P-4):
Rp1、Rp3、Rp5、およびRp8は、それぞれ独立に、C1-5アルキル、C1-5アルコキシ、または-COOHであり、
Rp2、Rp4、およびRp7は、それぞれ独立に、C1-5アルキル(ここで、アルキル中の-CH2-が-O-によって置きかえられていてもよい)であり、
Rp6、およびRp9は、それぞれ独立に、C1-5アルキル(ここで、アルキル中の-CH2-が-O-によって置きかえられていてもよい)であり、
x1は0~4であり、x2は1~2であり、ただし、x1+x2≦5であり、
x3は0~5であり、
x4は1~2であり、x5は0~4であり、ただし、x4+x5≦5である)からなる群から選択される繰り返し単位を含んでなるポリマーP、および
式(Q-1a)~(Q-1d):
(Q-1a)の繰り返し単位数Nqa、(Q-1b)繰り返し単位数Nqb、(Q-1c)繰り返し単位数Nqc、および(Q-1d)繰り返し単位数Nqdが、以下の式:
30%≦Nqa/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦100%;
0%≦Nqb/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦70%;
0%≦Nqc/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦50%;および
0%≦Nqd/(Nqa+Nqb+Nqc+Nqd)≦70%をみたすものであるポリマーQ
からなる群から選択される少なくとも1つのポリマーであって、
ただし、組成物中の、ポリマーPの総質量MpおよびポリマーQの総質量Mqが、式:
0<Mp/(Mp+Mq)≦100%、および0≦Mq/(Mp+Mq)<70%をみたすものである、ポリマー;
(B)イミド基を有する酸発生剤;
(C)2以上のフェノール構造が、オキシで置換されていてもよい炭化水素基によって結合されている化合物である、溶解速度調整剤;および
(D)溶媒。 - 10≦Mq/(Mp+Mq)≦60%である、請求項1に記載の方法。
- 前記組成物が(E)塩基性化合物をさらに含んでなり、任意に前記組成物が(F)可塑剤をさらに含んでなる、請求項1または2に記載の方法。
- (B)酸発生剤の含有量が、(A)ポリマーの総質量を基準として、0.1~10.0質量%であり、
任意に、(A)ポリマーの含有量が、組成物の総質量を基準として、10~50質量%であり、
任意に、(C)溶解速度調整剤の含有量が、(A)ポリマーの総質量を基準として、0.1~20質量%であり、
任意に、(D)溶媒の含有量が、組成物の総質量を基準として、40~90質量%であり、
任意に、(E)塩基性化合物の含有量が、(A)ポリマーの総質量を基準として、0~1.0質量%であり、
任意に、(F)可塑剤の含有量が、(A)ポリマーの総質量を基準として、0~30質量%である、請求項1~3の少なくともいずれか一項に記載の方法。 - (B)酸発生剤が、式(b):
Rb1は、それぞれ独立に、C3-10のアルケニルもしくはアルキニル(ここで、アルケニルおよびアルキニル中のCH3-がフェニルによって置換されていてもよく、アルケニルおよびアルキニル中の-CH2-が-C(=O)-、-O-またはフェニレンの少なくともいずれか一つによって置き換えられていてもよい)、C2-10のチオアルキル、C5-10の飽和複素環であり、
nbは、0、1または2であり、かつ
Rb2は、C1-5のフッ素置換されたアルキルである)
で表されるものであり、および/または
(C)溶解速度調整剤が、式(c):
nc1は、それぞれ独立に、1、2または3であり、
nc2は、それぞれ独立に、0、1、2または3であり、
Rc1は、それぞれ独立に、C1-7アルキルであり、
Lcは、C1-15の2価のアルキレン(これは、ヒドロキシ置換されていてもよいアリールによって置換されていてもよく、Lc以外の置換基と環を形成していてもよい)である)
で表されるものである、請求項1~4の少なくともいずれか一項に記載の方法。 - (E)塩基性化合物が、アンモニア、C 1-16 の第一級脂肪族アミン、C 2-32 の第二級脂肪族アミン、C 3-48 の三級脂肪族アミン、C 6-30 の芳香族アミン、およびC 5-30 のヘテロ環アミン、ならびにそれらの誘導体からなる群から選択されるものであり、および/または
(F)可塑剤が、式(f-1):
R f1 は、それぞれ独立に、水素、またはC 1-5 のアルキルであり、かつ
R f2 は、それぞれ独立に、水素、またはC 1-5 のアルキルであり、)で表される構成単位、および/または
式(f-2):
R f3 は、それぞれ独立に、水素、またはC 1-5 のアルキルであり、
R f4 は、水素、またはC 1-5 のアルキルであり、かつ
R f5 は、C 1-5 のアルキルである)
で表される構成単位を含んでなる化合物である、請求項3に記載の方法。 - (D)溶媒が、低沸点溶媒を含んでなり、低沸点溶媒の沸点が80~140℃であり、
任意に、(D)溶媒が、(D)溶媒の総質量を基準として、低沸点溶媒を60%以上含む、請求項1~6の少なくともいずれか一項に記載の方法。 - 前記組成物の粘度が、25℃で50~2,000cPである、請求項1~7の少なくともいずれか一項に記載の方法。
- ポジ型レジストリフトオフ組成物が、逆テーパー形状形成ポジ型レジスト組成物である、請求項1~8の少なくともいずれか一項に記載の方法。
- 前記レジストパターンの膜厚が、1~50μmである、請求項1~9の少なくともいずれか一項に記載の方法。
- 前記レジストパターンが、逆テーパー形状である、請求項1~10の少なくともいずれか一項に記載の方法。
- 前記レジストパターンがオーバーハング形状であり、
任意に、レジストパターンの断面図において、開口点と底点を結ぶテーパーラインの内側にあるが、レジストパターンではない部分の面積をS in とし、テーパーラインの外側にあるが、レジストパターンである部分の面積をS out とすると、S out /(S in +S out )が、0~0.45であり、
任意に、(S in -S out )/(S in +S out )が、0~1である、請求項1~11の少なくともいずれか一項に記載の方法。 - 前記金属パターンの膜厚が、0.01~40μmである、請求項1~12の少なくともいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1~13の少なくともいずれか一項に記載の方法を含んでなる、デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019063192 | 2019-03-28 | ||
JP2019063192A JP2020165995A (ja) | 2019-03-28 | 2019-03-28 | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
PCT/EP2020/058495 WO2020193686A1 (en) | 2019-03-28 | 2020-03-26 | Positive type resist composition and method for manufacturing resist pattern using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022519168A JP2022519168A (ja) | 2022-03-22 |
JP7161059B2 true JP7161059B2 (ja) | 2022-10-25 |
Family
ID=70050112
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019063192A Pending JP2020165995A (ja) | 2019-03-28 | 2019-03-28 | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
JP2021539069A Active JP7161059B2 (ja) | 2019-03-28 | 2020-03-26 | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019063192A Pending JP2020165995A (ja) | 2019-03-28 | 2019-03-28 | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220163888A1 (ja) |
EP (1) | EP3948418A1 (ja) |
JP (2) | JP2020165995A (ja) |
KR (2) | KR20240047486A (ja) |
CN (1) | CN113632007A (ja) |
SG (1) | SG11202106868YA (ja) |
TW (1) | TWI816996B (ja) |
WO (1) | WO2020193686A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI760123B (zh) * | 2021-02-26 | 2022-04-01 | 新應材股份有限公司 | 用於低溫製程的正型感光性樹脂組成物以及光阻膜的製造方法 |
WO2023156419A1 (en) | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Merck Patent Gmbh | Positive type lift-off resist composition and method for manufacturing resist pattern using the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016194691A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2973874B2 (ja) | 1994-06-23 | 1999-11-08 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP3796564B2 (ja) | 2000-02-23 | 2006-07-12 | 信越化学工業株式会社 | リフトオフレジスト組成物 |
JP4322097B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-08-26 | 東京応化工業株式会社 | El表示素子の隔壁、およびel表示素子 |
US8062825B2 (en) * | 2004-12-03 | 2011-11-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and resist pattern forming method |
US8299825B2 (en) | 2009-10-30 | 2012-10-30 | Apple Inc. | Electronic age detection circuit |
JPWO2011102064A1 (ja) | 2010-02-19 | 2013-06-17 | Jsr株式会社 | n型半導体層上の電極の形成方法 |
JP5844613B2 (ja) * | 2010-11-17 | 2016-01-20 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 感光性コポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
JP5578044B2 (ja) | 2010-11-19 | 2014-08-27 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型リフトオフレジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP6761657B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2020-09-30 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
TWI731961B (zh) * | 2016-04-19 | 2021-07-01 | 德商馬克專利公司 | 正向感光材料及形成正向凸紋影像之方法 |
JP2018109701A (ja) * | 2017-01-04 | 2018-07-12 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
-
2019
- 2019-03-28 JP JP2019063192A patent/JP2020165995A/ja active Pending
-
2020
- 2020-03-26 JP JP2021539069A patent/JP7161059B2/ja active Active
- 2020-03-26 CN CN202080025092.2A patent/CN113632007A/zh active Pending
- 2020-03-26 SG SG11202106868Y patent/SG11202106868YA/en unknown
- 2020-03-26 KR KR1020247010953A patent/KR20240047486A/ko active Application Filing
- 2020-03-26 US US17/599,093 patent/US20220163888A1/en active Pending
- 2020-03-26 TW TW109110219A patent/TWI816996B/zh active
- 2020-03-26 EP EP20715028.5A patent/EP3948418A1/en active Pending
- 2020-03-26 WO PCT/EP2020/058495 patent/WO2020193686A1/en unknown
- 2020-03-26 KR KR1020217034966A patent/KR20210148230A/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016194691A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240047486A (ko) | 2024-04-12 |
EP3948418A1 (en) | 2022-02-09 |
WO2020193686A1 (en) | 2020-10-01 |
TW202043304A (zh) | 2020-12-01 |
CN113632007A (zh) | 2021-11-09 |
US20220163888A1 (en) | 2022-05-26 |
TWI816996B (zh) | 2023-10-01 |
KR20210148230A (ko) | 2021-12-07 |
JP2022519168A (ja) | 2022-03-22 |
SG11202106868YA (en) | 2021-10-28 |
JP2020165995A (ja) | 2020-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20170113518A (ko) | 포토리소그래픽 방법 | |
US20220187706A1 (en) | Thin film resist composition and method for manufacturing resist film using the same | |
WO2013115032A1 (ja) | 溶剤現像用シリコン含有レジスト下層膜形成組成物を用いた半導体装置の製造方法 | |
KR20160065811A (ko) | 폴리산을 포함하는 메탈함유 레지스트 하층막 형성조성물 | |
JP7161059B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 | |
JP6048679B2 (ja) | ポリマー含有現像液 | |
JP7233444B2 (ja) | フォトレジスト組成物、フォトレジストコーティング、エッチングされたフォトレジストコーティングおよびエッチングされたSi含有層を製造する方法、ならびにそれらを用いたデバイスの製造 | |
US20230314943A1 (en) | Chemically amplified resist composition and method for manufacturing resist film using the same | |
WO2023156419A1 (en) | Positive type lift-off resist composition and method for manufacturing resist pattern using the same | |
JP7189217B2 (ja) | アルカリ可溶性樹脂および架橋剤を含んでなるネガ型リフトオフレジスト組成物、並びに基板上に金属膜パターンを製造する方法 | |
JP7195318B2 (ja) | 感光性シロキサン組成物およびこれを用いたパターン形成方法 | |
WO2023165914A1 (en) | Ion implantation thick film resist composition, method for manufacturing processed substrate using the same and method for manufacturing device using the same | |
CN111433257A (zh) | 聚硅氧烷、包含其的组合物以及使用了其的固化膜 | |
WO2020203852A1 (ja) | レジストパターンメタル化プロセス用組成物 | |
TW202407028A (zh) | 被覆基板之光阻組成物及光阻圖案之製造方法 | |
WO2019198700A1 (ja) | 半導体基板用プライマーおよびパターン形成方法 | |
JP2024507043A (ja) | レジスト膜厚膜化組成物および厚膜化パターンの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220228 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221013 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7161059 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |