JP7160238B2 - ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物及びこれを用いたドライフィルムレジストの剥離方法 - Google Patents
ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物及びこれを用いたドライフィルムレジストの剥離方法 Download PDFInfo
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Description
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト剥離組成物中のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド系化合物は、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド(Triethylmethylammonium hydroxide、TEMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(Tetraethylammonium hydroxide、TEAH)化合物、またはこれらの混合物である。
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中の鎖型アミン化合物としては、モノエチルアルコールアミン(monoethanol amine)、ジエタノールアミン(diethanol amine)、トリエタノールアミン(triethanol amine)、プロパノールアミン(propanol amine)、ジプロパノールアミン(dipropanol amine)、トリプロパノールアミン(tripropanol amine)、イソプロパノールアミン(isopropanol amine)、ジイソプロパノールアミン(diisopropanol amine)、トリイソプロパノールアミン(triisopropanol amine)、2-(2-アミノ-エトキシ)エタノール(2-(2-aminoethoxy)ethanol)、2-(2-アミノエチルアミノ)エタノール(2-(2-aminoethylamino)ethanol)、N、N-ジメチルエタノールアミン(N、N-dimethylethanol amine)、N、N-ジエチルエタノールアミン(N、N-diethylethanol amine)、N-メチルエタノールアミン(N-methylethanol amine)、N-エチルエタノールアミン(N-Nethylethanol amine)、及びN-ブチルエタノールアミン(N-butylethanol amine)からなる群より1つ以上を用いることができ、モノエタノールアミンを用いることが最も好ましいことがある。
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中の有機溶媒は水溶性有機溶媒であって、アルコール類、グリコール類、グリコールエーテル類、ラクトン類、ラクタム類、ケトン類及びエステル類からなる群より選択される1種または2種以上の混合物を用いることができ、グリコールエーテル類が最も好ましいことがある。
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト剥離組成物は、エッチング抑制剤を含むことができる。
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中の純水は、イオン交換樹脂を用いて濾過した純水を使用し、比抵抗が18(MΩ)以上であるものが好ましい。
本発明で用いる極性溶剤としては、ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物、またはn-メチルピロリドン等のアルキルピロリドンを用いることができる。
下記表1に記載の実施例1-12の成分及び組成比を用いて、室温(25℃)で約2時間撹拌して、実施例1-12のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
下記表1に記載の比較例1-12の成分及び組成比を用いて室温(25℃)で約2時間撹拌して、比較例1-12のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
TEMAHを4重量%、MEAを4重量%及び下記表2に記載の実施例13-24の有機溶媒の成分及び組成比を用いて室温(25℃)で約2時間撹拌して、実施例13-24のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
TEMAHを4重量%、MEAを4重量%及び下記表2に記載の比較例13-24の有機溶媒の成分及び組成比を用いて室温(25℃)で約2時間撹拌して、比較例13-24のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
下記表3に記載の実施例25-56の成分及び組成比を用いて室温(25℃)で約2時間撹拌して、実施例25-56のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
TEMAHを4重量%、MEAを7重量%、DEGBEを7重量%及び下記表4に記載の比較例25-34のエッチング抑制剤の成分及び組成比を用いて室温(25℃)で約2時間撹拌して、比較例25-34のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
本発明に係るTEMAHを4重量%、MEAを7重量%、及びDEGBEを7重量%含むドライフィルムレジスト除去用剥離組成物にエッチング抑制剤を添加したとき、ドライフィルムレジストに対する剥離力に影響を与えるかどうかを確認した。
剥離回数(1、3、5回)に応ずるエッチング効果(etch effect)に変化があるかどうかについてFIB分析を行い、その結果を図6に示した。
フォトレジスト層を剥離するために用いられる剥離組成物中の有機添加剤のグリコールエーテル系列は、濃度を分析できる分析方法が全くない実情である。
20 ドライフィルム
21 ドライフィルムの未露光部
22 ドライフィルムの露光部
30 ソルダーボール
100 基板
Claims (12)
- 1~7重量部のトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド(Triethylmethylammonium hydroxide、TEMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(Tetraethylammonium hydroxide、TEAH)、またはこれらの混合物と、
1~10重量部の鎖型アミン化合物と、
1~10重量部の有機溶媒と、を含み、
前記有機溶媒は、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(Diethylene glycol monobutyl ether、DEGBE)及びエチレングリコールモノブチルエーテル(Ethylene glycol monobutyl ether、EGBE)から1種以上選択されるドライフィルムレジスト除去用剥離組成物。 - 1~5重量部のトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシドまたはテトラエチルアンモニウムヒドロキシド化合物を含む請求項1に記載のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物。
- 1~7重量部のトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド(Triethylmethylammonium hydroxide、TEMAH)またはトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシドとテトラエチルアンモニウムヒドロキシド(Tetraethylammonium hydroxide、TEAH)の混合物と、
1~10重量部の鎖型アミン化合物と、
1~10重量部の有機溶媒と、を含むドライフィルムレジスト除去用剥離組成物。 - 前記有機溶媒は、グリコールエーテル類である請求項3に記載のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物。
- 前記グリコールエーテル類は、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(Diethylene glycol monobutyl ether、DEGBE)及びエチレングリコールモノブチルエーテル(Ethylene glycol monobutyl ether、EGBE)から1種以上選択される請求項4に記載のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物。
- 前記鎖型アミン化合物は、モノエタノールアミンである請求項1から5のいずれか1項に記載のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物。
- 0.1~0.5重量部のトリアゾール化合物またはテトラゾール化合物をさらに含む請求項1から6のいずれか1項に記載のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物。
- 前記トリアゾール化合物は、トリルトリアゾールである請求項7に記載のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物。
- 前記有機溶媒の濃度は、動的表面張力(Dynamic Surface Tension、DST)を用いて分析することができる請求項1から8のいずれか1項に記載のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物。
- 所定の回路パターンが形成された基板上にドライフィルムをラミネーションする段階と、
前記ラミネーションしたドライフィルムを部分的に露光して、ドライフィルム露光部及びドライフィルム未露光部を形成する段階と、
前記ドライフィルムの未露光部を現像及び除去して開口部を形成する段階と、
請求項1から9のいずれか1項に記載のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を前記ドライフィルム露光部に接触させる段階と、を含むドライフィルムレジストの剥離方法。 - 前記接触させる段階の後に、ドライフィルムレジストの残渣を水洗いする段階をさらに含む請求項10に記載のドライフィルムレジストの剥離方法。
- 前記ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を前記ドライフィルム露光部に接触させる段階は、3時間以下で行われる請求項10または11に記載のドライフィルムレジストの剥離方法。
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