JP7148780B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図1は、第1実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。図2は、第1実施形態に係る半導体装置を示す概略拡大平面図である。図3は、第1実施形態に係る半導体装置を示す概略拡大断面図であり、図2のIII-III線における断面を示す。図2は図1の点線内を拡大している。また、図1において配線パターンは第1レジストや第2レジストに覆われ平面視において視認することができないが、説明の便宜上、配線パターンを点線で示す。
製造工程において、原材料と成形品との間で形や性状が異なることがあるが、同じ名称を使用することもある。例えば、原料として液状のエポキシ樹脂を使用し、加熱して硬化した成形品であっても同じエポキシ樹脂を使用する。製造工程中で名称を変えていくことは発明の内容の説明を複雑にするため、当業者の技術常識を考慮して適宜説明する。
20 配線
30 第1レジスト
40 導電部材
50 半導体素子
60 第2レジスト
70 封止部材
Claims (12)
- 基板上に一対の配線を形成する工程と、
前記基板上又は前記一対の配線上に、第1領域を除き、第1レジストをスクリーン印刷する工程と、
前記第1領域における前記一対の配線上に導電部材を形成する工程と、
前記導電部材を介して前記一対の配線上に半導体素子を載置する工程と、
前記基板と前記半導体素子との間にインクジェット方式又はディスペンス方式を使用して、前記基板上に第2レジストを塗布し、前記第1領域を被覆する工程と、
を有し、
前記第2レジストを塗布する工程において、前記第2レジストは、前記半導体素子の側面を覆うことなく、前記半導体素子の下面に配置されている、半導体装置の製造方法。 - 前記導電部材を形成する工程は、厚みが0.02mm~1.0mmのメタルマスクを用い、前記メタルマスクに設けられた複数の孔内に導体ペーストを印刷し、0.02mm~1.0mmの厚みの前記導電部材を形成する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電部材を形成する工程は、金属フィラー入りの第1熱硬化性樹脂を用いる請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電部材を形成する工程は、金属フィラー入りの第1熱硬化性樹脂を用いて硬化した後、硬化された前記第1熱硬化性樹脂の上面を研磨する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一対の配線を形成する工程は、導体層を形成した後、エッチングする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子を載置する工程は、前記導電部材に導電性接着剤を配置した後、前記半導体素子を載置する請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2レジストを塗布する工程は、白色フィラー入りの第2熱硬化性樹脂を用いる請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子は、半導体発光素子である請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2レジストを塗布する工程において、前記白色フィラーの濃度は3重量%以上50重量%以下である、請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1レジストは、前記白色フィラーを含み、
前記第2レジストは、前記第1レジストよりも前記白色フィラーの含有量が高濃度である、請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導電部材は、前記一対の配線上複数配置されており、前記複数の導電部材の高さは一定である、請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1領域は、前記半導体素子上面の大きさよりも大きく、
前記第2レジストを塗布する工程において、前記第2レジストの外縁は、表面張力により前記半導体素子の下面と前記第1レジストとの間が丸みを帯びている、請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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