JP7146753B2 - 可撓性有機elパネル - Google Patents
可撓性有機elパネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP7146753B2 JP7146753B2 JP2019526851A JP2019526851A JP7146753B2 JP 7146753 B2 JP7146753 B2 JP 7146753B2 JP 2019526851 A JP2019526851 A JP 2019526851A JP 2019526851 A JP2019526851 A JP 2019526851A JP 7146753 B2 JP7146753 B2 JP 7146753B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- film
- alkali barrier
- panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 title claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 58
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 57
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 26
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 18
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 15
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 14
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 135
- 239000010408 film Substances 0.000 description 115
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000511976 Hoya Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
該化学強化薄板ガラス基材の一主面の全面上に非晶質シリカ系膜を含むアルカリバリア膜を備えた素子形成基板の該アルカリバリア膜の素子形成領域に接して、該有機EL素子が形成されてなり、
該アルカリバリア膜が、該有機EL素子に接する側の面に平滑表面領域を含み、さらに、
該平滑表面領域が、5nm以下のRaの表面平滑性を有し、かつ、平面視、該素子形成領域を含み、さらに、
前記アルカリバリア膜が、平面視、前記平滑表面領域において、前記非晶質シリカ系膜と前記有機EL素子との間に、光硬化性樹脂を含む平坦化層を含む、可撓性有機ELパネルに関する。
本発明の可撓性有機ELパネルは、有機EL素子に対応する発光領域を含む発光面、及び当該有機EL素子が形成・配置され、これへの水分の浸入を防ぐ為に、当該有機EL素子上に形成される封止層が配置される封止面、を両方の主面とする、シート状の光源部材である。
本発明の可撓性有機ELパネルの製造方法は、例えば、化学強化薄板ガラス基材上に有機EL素子を形成するにあたり、該化学強化薄板ガラス基材から溶出するアルカリ成分の有機EL素子への拡散を防止するアルカリバリア層を化学強化薄板ガラス基材の有機EL素子配置面側に形成する工程の後、当該アルカリバリア層の表面に本発明に係る平滑表面領域を形成する工程を経た後、該平滑平面領域上に有機EL素子を形成する工程を順に実施する製造方法である。
本発明に係る化学強化薄板ガラス基材は、本発明に係る有機EL素子が配置される面を主面とする透光性ガラスシートであり、本発明の可撓性有機ELパネルを、薄く軽いパネルとしつつ、さらにはベンダブル又はフレキシブルの特性をパネルに付与せしめる観点から、その平均厚みが2mm以下であることを要し、その平均厚みは、好ましくは0.5mm以下、より好ましくは0.3mm以下であり、最終的に組み立て可能な厚みとする観点から、0.01mm以上の平均厚みを有することが好ましく、また、ガラスを薄くした場合の割れに対し強度を向上せしめ、実用に耐えるパネルとする観点から化学強化されていることを要し、薄くても十分な強度の基材とする観点から端面処理が施されていることが好ましく、無色透明であることが好ましく、その可視光の透過率については、光取り出し効率の観点から可視光域全域、例えば380~780nmの波長域、において90%以上であることが望ましく、このような化学強化薄板ガラス基材の構成としては、単層のみならず、複層であってもなんら問題はなく、耐摩耗性や平滑性、割れに対する強度向上のために、いずれかの面に処理層や被覆膜が形成されていてもなんら問題はない。
本発明に係るアルカリバリア膜は、前記薄板強化ガラス基材に含まれるアルカリ成分が有機EL素子へ侵入することを防ぐ機能を有し、該薄板強化ガラス基材の主面上に形成されてなる層である。
本発明に係る有機EL素子は、透明電極層、有機機能層、及び反射電極層を含み、透明電極層、及び反射電極層の間に、有機化合物を含む発光層を含む有機機能層が挟持されてなる発光デバイスであり、これらの層の重畳部分が当該素子であり、外部から、透明電極層及び反射電極層に給電することで、発光する。
まず、HOYA(株)製の化学強化薄板ガラス基材1であるDCG-1(サイズ:3cm×3cm、厚み:0.2mm、全端面処理)を準備した。
続いて、実施例1の素子形成基板の前記凹凸層3の領域を一部含む前記一主面の中央の0.8cm×3.0cmの領域上に、有機EL素子の一部である透明電極層、及び、透明電極層側給電部を含む透明導電膜6としてITO膜6を形成した。なお、このITO膜6は、基板温度を180℃としてスパッタ法で製膜し、平均膜厚を120nmとした。
比較例1として、実施例1における、凹凸構造形成用のアクリル樹脂フィルムの載置、及び融着等と、光散乱性平坦化層の形成とを実施せず、すなわち、化学強化薄板ガラス上に、アクリル樹脂凹凸層、及び光散乱性平坦化層を形成せず、アルカリバリア膜を形成することで、比較例1の素子形成基板を作製した。
比較例2として、実施例1における、凹凸構造形成用のアクリル樹脂フィルムの載置及び融着、アルカリバリア膜の形成、及び光散乱性平坦化層の形成を実施せず、すなわち、実施例1で使用した化学強化薄板ガラス基材そのものを素子形成基板として用い、実施例1と同様にして有機EL素子、及び無機封止層を形成することで、比較例2の有機ELパネルを作製した。言いかえれば、比較例2では、化学強化薄板ガラス上に、直接ITO膜を形成した。
2 アルカリバリア膜
3 凹凸層
4 平坦化層
6 透明導電膜
7 有機機能層
8 反射導電膜
9 封止層
Claims (4)
- 化学強化した平均厚み2mm以下の化学強化薄板ガラス基材、及び有機EL素子を含み、かつ、該有機EL素子に対応する発光領域を、その発光面に有する可撓性有機ELパネルであって、
該化学強化薄板ガラス基材の一主面の全面上に非晶質シリカ系膜を含むアルカリバリア膜を備えた素子形成基板の該アルカリバリア膜の素子形成領域に接して、該有機EL素子が形成されてなり、
該アルカリバリア膜が、該有機EL素子に接する側の面に平滑表面領域を含み、さらに、
該平滑表面領域が、5nm以下のRaの表面平滑性を有し、かつ、平面視、該素子形成領域を含み、さらに、
前記アルカリバリア膜が、平面視、前記平滑表面領域において、前記非晶質シリカ系膜と前記有機EL素子との間に、光硬化性樹脂を含む平坦化層を含む、可撓性有機ELパネル。 - 前記平坦化層が、屈折率が1.8以上の透明金属酸化物の微粒子を含有する、光散乱性平坦化層である、請求項1に記載の可撓性有機ELパネル。
- さらに、前記アルカリバリア膜が、前記化学強化薄板ガラス基材と前記非晶質シリカ系膜との間の、平面視、前記素子形成領域に、熱可塑性樹脂、及びガラスフリットからなる群から選ばれる1種以上を含み、かつ、前記非晶質シリカ系膜側に凹凸面を有する凹凸層を含む、請求項1、又は2に記載の可撓性有機ELパネル。
- 前記凹凸層が、アクリル樹脂を主成分とするアクリル樹脂系凹凸層である、請求項3に記載の可撓性有機ELパネル。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017124529 | 2017-06-26 | ||
JP2017124529 | 2017-06-26 | ||
PCT/JP2018/023685 WO2019004061A1 (ja) | 2017-06-26 | 2018-06-21 | 可撓性有機elパネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019004061A1 JPWO2019004061A1 (ja) | 2020-04-23 |
JP7146753B2 true JP7146753B2 (ja) | 2022-10-04 |
Family
ID=64741746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019526851A Active JP7146753B2 (ja) | 2017-06-26 | 2018-06-21 | 可撓性有機elパネル |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10777778B2 (ja) |
EP (1) | EP3648547A4 (ja) |
JP (1) | JP7146753B2 (ja) |
WO (1) | WO2019004061A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020184014A1 (ja) * | 2019-03-13 | 2020-09-17 | Agc株式会社 | 合わせガラス |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006061964A1 (ja) | 2004-12-08 | 2006-06-15 | Asahi Glass Company, Limited | 導電膜付き基体およびその製造方法 |
JP2008234928A (ja) | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2012174410A (ja) | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2014013668A (ja) | 2012-07-03 | 2014-01-23 | Asahi Glass Co Ltd | 有機led素子用の積層基板、及び有機led素子 |
JP2014028743A (ja) | 2012-06-25 | 2014-02-13 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 有機el用ガラス基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004079432A (ja) | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Nitto Denko Corp | 透明ガスバリア性部材及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2011111629A1 (ja) | 2010-03-08 | 2011-09-15 | 旭硝子株式会社 | 有機led発光素子及びその製造方法 |
CA2918872A1 (en) | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Jx Nippon Oil & Energy Corporation | Method for manufacturing substrate having textured structure |
JP6201807B2 (ja) | 2014-02-20 | 2017-09-27 | コニカミノルタ株式会社 | 有機発光素子の製造方法及び有機発光素子 |
-
2018
- 2018-06-21 EP EP18822833.2A patent/EP3648547A4/en not_active Withdrawn
- 2018-06-21 JP JP2019526851A patent/JP7146753B2/ja active Active
- 2018-06-21 WO PCT/JP2018/023685 patent/WO2019004061A1/ja unknown
- 2018-06-21 US US16/624,113 patent/US10777778B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006061964A1 (ja) | 2004-12-08 | 2006-06-15 | Asahi Glass Company, Limited | 導電膜付き基体およびその製造方法 |
JP2008234928A (ja) | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2012174410A (ja) | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2014028743A (ja) | 2012-06-25 | 2014-02-13 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 有機el用ガラス基板及びその製造方法 |
JP2014013668A (ja) | 2012-07-03 | 2014-01-23 | Asahi Glass Co Ltd | 有機led素子用の積層基板、及び有機led素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200220115A1 (en) | 2020-07-09 |
WO2019004061A1 (ja) | 2019-01-03 |
EP3648547A1 (en) | 2020-05-06 |
EP3648547A4 (en) | 2020-06-24 |
US10777778B2 (en) | 2020-09-15 |
JPWO2019004061A1 (ja) | 2020-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101114916B1 (ko) | 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법 | |
KR101471501B1 (ko) | 면상 발광 장치 | |
JP5979218B2 (ja) | 発光パネルおよびその製造方法 | |
JP5624061B2 (ja) | 直列接続されたoled | |
JP5981019B2 (ja) | 有機発光素子および照明装置 | |
Shin et al. | Improving light extraction of flexible OLEDs using a mechanically robust Ag mesh/ITO composite electrode and microlens array | |
JP2011048937A (ja) | 有機el発光素子 | |
TW201242414A (en) | Planate light emitting device | |
WO2012127916A1 (ja) | 透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2013054837A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6648752B2 (ja) | 封止構造体 | |
JP2010027428A (ja) | 面発光体、及びそれを用いる表示装置、照明装置 | |
JP7146753B2 (ja) | 可撓性有機elパネル | |
JP2004119147A (ja) | 発光モジュール、発光モジュール用基板及び発光モジュール用部材 | |
JP5660128B2 (ja) | 発光装置 | |
US9806262B2 (en) | Method of manufacturing organic light emitting device | |
CN1864282A (zh) | 有机发光器件 | |
TWI666804B (zh) | 透明擴散性oled基材及製造此種基材之方法 | |
US20160372712A1 (en) | Electroluminescent device and display apparatus | |
US20170256745A1 (en) | Method for manufacturing light extraction substrate for organic light-emitting diode, light extraction substrate for organic light-emitting diode, and organic light-emitting diode including same | |
US10763456B2 (en) | EL device use front plate and lighting device | |
KR101470293B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법 | |
JP2022121150A (ja) | 光取り出し基板、及びこれを含む有機elパネル、並びに、その製造方法 | |
WO2013161000A1 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
US20210305539A1 (en) | Light extraction structure with high index nanoparticles for an organic light emitting diode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220921 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7146753 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |