JP7129798B2 - 流量制御方法及び成膜装置 - Google Patents
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Description
図1は、ガス供給装置を備える成膜装置の一例を示す概略断面図である。図1の成膜装置は、例えば原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)法による成膜、化学的気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法による成膜が実施可能な装置である。図1に示されるように、成膜装置は、処理容器1、サセプタ2、シャワーヘッド3、排気部4、処理ガス供給機構5、制御装置6を有する。
図3は、原料ガスとしてWCl6ガスを使用したタングステン膜を成膜するプロセスの流量制御方法の一例を示すフローチャートである。図3の流量制御方法は、制御装置6が成膜装置の各部を制御することで実行される。
5 処理ガス供給機構
6 制御装置
601 供給制御部
602 取得部
603 特定部
604 算出部
605 補正部
91 成膜原料タンク
Claims (10)
- 原料容器内の原料を気化させて生成した原料ガスとキャリアガスとを含む混合ガスを供給するガス供給装置の流量制御方法であって、
予め定められた目標流量となるように前記混合ガスを供給する供給ステップと、
前記供給ステップにおける前記混合ガスの流量を取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得した前記混合ガスの流量の安定範囲を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定した前記安定範囲での前記混合ガスの流量の代表値を算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出した前記代表値と前記目標流量とに基づいて、前記目標流量を補正する補正ステップと、
を有し、
前記供給ステップは、前記混合ガスを供給するステップを含むサイクルをMサイクル(Mは1以上の整数)繰り返すALDプロセスをN回(Nは1以上の整数)行うことを含み、
前記補正ステップは、N回目の前記ALDプロセスに含まれる第M番目のサイクルにおける前記混合ガスの流量に基づいて算出される前記代表値と前記目標流量とに基づいて、N+1回目の前記ALDプロセスに含まれる特定サイクルの前記目標流量を補正する、
流量制御方法。 - 原料容器内の原料を気化させて生成した原料ガスとキャリアガスとを含む混合ガスを供給するガス供給装置の流量制御方法であって、
予め定められた目標流量となるように前記混合ガスを供給する供給ステップと、
前記供給ステップにおける前記混合ガスの流量を取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得した前記混合ガスの流量の安定範囲を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定した前記安定範囲での前記混合ガスの流量の代表値を算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出した前記代表値と前記目標流量とに基づいて、前記目標流量を補正する補正ステップと、
を有し、
前記供給ステップは、前記混合ガスを供給するステップを含むサイクルをMサイクル(Mは1以上の整数)繰り返すALDプロセスをN回(Nは1以上の整数)行うことを含み、
前記補正ステップは、N回目の前記ALDプロセスに含まれる複数のサイクルのそれぞれにおける前記混合ガスの流量に基づいて算出される複数の前記代表値のうち前記目標流量に最も近い代表値と前記目標流量とに基づいて、N+1回目の前記ALDプロセスに含まれる複数の特定サイクルのそれぞれの前記目標流量を補正する、
流量制御方法。 - 前記特定ステップは、前記混合ガスの流量の変化量が最も小さい範囲を前記安定範囲として特定する、
請求項1又は2に記載の流量制御方法。 - 前記補正ステップは、前記代表値が前記目標流量と一致するように前記目標流量を補正する、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の流量制御方法。 - 前記供給ステップは、前記混合ガスの流量以外の条件が少なくとも1つ異なる条件で連続して行われる複数のステップを有する、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の流量制御方法。 - 前記供給ステップは、同一条件で間欠的に行われる複数のステップを有し、
前記特定ステップは、前記複数のステップのそれぞれについて前記混合ガスの流量の安定範囲を特定し、
前記算出ステップは、前記特定ステップで特定した前記安定範囲ごとに代表値を算出し、
前記補正ステップは、前記算出ステップで算出した複数の前記代表値のうち前記目標流量に最も近い代表値と前記目標流量とに基づいて、前記目標流量を補正する、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の流量制御方法。 - 前記供給ステップは、前記混合ガスをバッファタンク内に一旦貯留させて間欠的に供給する、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の流量制御方法。 - 前記原料は、塩化タングステンの固体原料である、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の流量制御方法。 - 原料容器内の原料を気化させて生成した原料ガスとキャリアガスとを含む混合ガスを供給するガス供給装置を備える成膜装置であって、
処理容器と、
予め定められた目標流量となるように前記混合ガスを供給して前記処理容器内に導入する供給制御部と、
前記混合ガスの流量を取得する取得部と、
前記取得部が取得した前記混合ガスの流量の安定範囲を特定する特定部と、
前記特定部が特定した前記安定範囲での前記混合ガスの流量の代表値を算出する算出部と、
前記算出部が算出した前記代表値と前記目標流量とに基づいて、前記目標流量を補正する補正部と、
を有し、
前記供給制御部は、前記混合ガスを供給するステップを含むサイクルをMサイクル(Mは1以上の整数)繰り返すALDプロセスをN回(Nは1以上の整数)実施し、
前記補正部は、N回目の前記ALDプロセスに含まれる第M番目のサイクルにおける前記混合ガスの流量に基づいて算出される前記代表値と前記目標流量とに基づいて、N+1回目の前記ALDプロセスに含まれる特定サイクルの前記目標流量を補正する、
成膜装置。 - 原料容器内の原料を気化させて生成した原料ガスとキャリアガスとを含む混合ガスを供給するガス供給装置を備える成膜装置であって、
処理容器と、
予め定められた目標流量となるように前記混合ガスを供給して前記処理容器内に導入する供給制御部と、
前記混合ガスの流量を取得する取得部と、
前記取得部が取得した前記混合ガスの流量の安定範囲を特定する特定部と、
前記特定部が特定した前記安定範囲での前記混合ガスの流量の代表値を算出する算出部と、
前記算出部が算出した前記代表値と前記目標流量とに基づいて、前記目標流量を補正する補正部と、
を有し、
前記供給制御部は、前記混合ガスを供給するステップを含むサイクルをMサイクル(Mは1以上の整数)繰り返すALDプロセスをN回(Nは1以上の整数)実施し、
前記補正部は、N回目の前記ALDプロセスに含まれる複数のサイクルのそれぞれにおける前記混合ガスの流量に基づいて算出される複数の前記代表値のうち前記目標流量に最も近い代表値と前記目標流量とに基づいて、N+1回目の前記ALDプロセスに含まれる複数の特定サイクルのそれぞれの前記目標流量を補正する、
成膜装置。
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