JP7129362B2 - Seed crystal, seed crystal production method, seed crystal-attached support production method, and zeolite membrane composite production method - Google Patents
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Description
本発明は、ゼオライト膜複合体の製造の際に使用されるゼオライトの種結晶に関する。 The present invention relates to zeolite seed crystals used in the production of zeolite membrane composites.
現在、支持体上にゼオライト膜を形成してゼオライト膜複合体とすることにより、ゼオライトを利用した特定のガスの分離や分子の吸着等の用途の様々な研究や開発が行われている。当該ゼオライト膜を形成する際には、例えば、ゼオライトの種結晶を分散させた溶液に支持体を浸漬し、種結晶を支持体に付着させる。そして、種結晶を付着させた支持体を原料溶液に浸漬した状態で水熱合成等が行われる。これにより、当該種結晶を核としてゼオライトを成長させて、支持体上にゼオライト膜が形成される。 At present, by forming a zeolite membrane on a support to form a zeolite membrane composite, various researches and developments are being made for applications such as separation of specific gases and adsorption of molecules using zeolite. When forming the zeolite membrane, for example, the support is immersed in a solution in which zeolite seed crystals are dispersed to adhere the seed crystals to the support. Then, hydrothermal synthesis and the like are performed while the support to which the seed crystals are attached is immersed in the raw material solution. As a result, zeolite is grown using the seed crystals as nuclei to form a zeolite membrane on the support.
一方、支持体の鉛直面等にゼオライト膜を形成する場合、種結晶の支持体への付着力が小さいと、当該鉛直面等に種結晶が均一に付着せず、均一なゼオライト膜を形成できないおそれがある。付着力の小さい種結晶として、例えば、リン酸アルミニウム(AlPO)系ゼオライトの種結晶が挙げられる。特許文献1では、長手方向に延びる複数の貫通孔が設けられた略円柱状のモノリス型支持体において、貫通孔内側面にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を配置することにより、AlPO系ゼオライトの種結晶を支持体の貫通孔内側面に好適に付着させる技術が開示されている。
On the other hand, when the zeolite membrane is formed on the vertical surface of the support, if the adhesion of the seed crystals to the support is small, the seed crystals do not adhere uniformly to the vertical surface, etc., and a uniform zeolite membrane cannot be formed. There is a risk. Seed crystals with low adhesion include, for example, seed crystals of aluminum phosphate (AlPO)-based zeolite. In
ところで、特許文献1のゼオライト膜形成では、一般的な支持体ではなく、表面にアルカリ金属等が配置された特殊な支持体を準備する必要があり、ゼオライト膜複合体の製造が複雑化するおそれがある。
By the way, in the zeolite membrane formation of
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、支持体に対する種結晶の付着性を向上することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to improve the adhesion of seed crystals to a support.
本発明の好ましい一の形態に係るゼオライトの種結晶は、支持体と、前記支持体上に形成されたゼオライト膜とを備えるゼオライト膜複合体の製造の際に、前記支持体上に付着される。前記種結晶の比表面積は、10m2/g以上かつ150m2/g以下である。前記種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度は、アモルファス成分による強度の1倍以上かつ30倍以下である。 A zeolite seed crystal according to a preferred embodiment of the present invention is attached onto a support during production of a zeolite membrane composite comprising a support and a zeolite membrane formed on the support. . The seed crystal has a specific surface area of 10 m 2 /g or more and 150 m 2 /g or less. In the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays, the intensity due to the crystalline component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak in the range of the diffraction angle 2θ = 12° to 25° is the intensity due to the amorphous component. 1-fold or more and 30-fold or less.
好ましくは、前記種結晶は、ケイ素、アルミニウムおよびリンのうちいずれか2つ以上、または、ケイ素を含有する。より好ましくは、前記種結晶は、少なくともアルミニウム、リンおよび酸素を含有する。 Preferably, the seed crystal contains two or more of silicon, aluminum and phosphorus, or silicon. More preferably, the seed crystal contains at least aluminum, phosphorus and oxygen.
好ましくは、前記種結晶のタップ密度は、0.2g/cm3以上かつ1.0g/cm3以下である。 Preferably, the seed crystal has a tap density of 0.2 g/cm 3 or more and 1.0 g/cm 3 or less.
好ましくは、前記種結晶は、前記支持体の表面のうち、前記ゼオライト膜複合体の製造時における略鉛直面または下向きの面に付着される。 Preferably, the seed crystals are attached to a substantially vertical surface or a downward surface of the surface of the support during production of the zeolite membrane composite.
好ましくは、前記支持体は多孔質である。 Preferably, said support is porous.
好ましくは、前記支持体は、アルミナ焼結体またはムライト焼結体である。 Preferably, the support is an alumina sintered body or a mullite sintered body.
本発明は、ゼオライトの種結晶の製造方法にも向けられている。本発明の好ましい一の形態に係るゼオライトの種結晶の製造方法は、a)水熱合成にてゼオライトを生成し、前記ゼオライトから原結晶を取得する工程と、b)前記原結晶を粉砕することにより、比表面積が10m2/g以上かつ150m2/g以下であり、前記種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度が、アモルファス成分による強度の1倍以上かつ30倍以下である種結晶を形成する工程とを備える。 The present invention is also directed to a method for producing zeolite seed crystals. A method for producing zeolite seed crystals according to a preferred embodiment of the present invention comprises the steps of: a) producing zeolite by hydrothermal synthesis and obtaining a raw crystal from the zeolite; and b) pulverizing the raw crystal. Therefore, the specific surface area is 10 m 2 /g or more and 150 m 2 /g or less, and in the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays, the diffraction angle 2θ = 12 ° to 25 ° forming a seed crystal in which the intensity of the crystalline component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak is 1 to 30 times the intensity of the amorphous component.
好ましくは、前記b)工程は、b1)第1の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって前記原結晶を粉砕する工程と、b2)前記b1)工程にて粉砕された前記原結晶を、前記第1の回転数よりも低い第2の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって粉砕することにより、前記種結晶を形成する工程とを備える。 Preferably, the b) step includes b1) pulverizing the raw crystal with a ball mill or bead mill rotating at a first rotation speed, and b2) pulverizing the raw crystal pulverized in the b1) step. and forming the seed crystal by grinding with a ball mill or bead mill rotating at a second rotation speed lower than the first rotation speed.
本発明の好ましい他の形態に係るゼオライトの種結晶の製造方法は、a)水熱合成にてゼオライトを生成し、前記ゼオライトから原結晶を取得する工程と、b1)第1の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって前記原結晶を粉砕する工程と、b2)前記b1)工程にて粉砕された前記原結晶を、前記第1の回転数よりも低い第2の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって粉砕することにより、種結晶を形成する工程とを備える。 A method for producing zeolite seed crystals according to another preferred embodiment of the present invention includes the steps of: a) producing zeolite by hydrothermal synthesis and obtaining a raw crystal from the zeolite; a step of pulverizing the raw crystal with a rotating ball mill or bead mill; and b2) a ball mill rotating the raw crystal pulverized in step b1) at a second rotation speed lower than the first rotation speed. or forming seed crystals by pulverizing with a bead mill.
好ましくは、前記a)工程において、水熱合成にアルミニウム源が用いられる場合、水酸化アルミニウム、アルミニウムアルコキシドまたはアルミナゾルが前記アルミニウム源として用いられる。 Preferably, in step a), when an aluminum source is used for hydrothermal synthesis, aluminum hydroxide, aluminum alkoxide or alumina sol is used as said aluminum source.
本発明は、種結晶付着支持体の製造方法にも向けられている。本発明の好ましい一の形態に係る種結晶付着支持体の製造方法は、支持体を準備する工程と、上述の製造方法により製造された種結晶を、前記支持体上に付着させる工程とを備える。 The present invention is also directed to a method for producing a seed crystal-attached support. A method for producing a seed crystal-attached support according to a preferred embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a support and attaching the seed crystal produced by the above-described production method onto the support. .
本発明は、ゼオライト膜複合体の製造方法にも向けられている。本発明の好ましい一の形態に係るゼオライト膜複合体の製造方法は、上述の製造方法により製造された種結晶付着支持体を原料溶液に浸漬し、水熱合成により前記種結晶からゼオライトを成長させて前記支持体上にゼオライト膜を形成する工程と、前記ゼオライト膜から構造規定剤を除去する工程とを備える。 The present invention is also directed to a method for producing a zeolite membrane composite. A method for producing a zeolite membrane composite according to a preferred embodiment of the present invention comprises immersing a seed crystal-attached support produced by the above-described production method in a raw material solution, and growing zeolite from the seed crystals by hydrothermal synthesis. a step of forming a zeolite membrane on the support, and a step of removing the structure-directing agent from the zeolite membrane.
本発明では、支持体に対する種結晶の付着性を向上することができる。 In the present invention, the adhesion of seed crystals to the support can be improved.
図1は、本発明の一の実施の形態に係る種結晶を利用して製造されたゼオライト膜複合体1の断面図である。ゼオライト膜複合体1は、支持体11と、支持体11上に形成されたゼオライト膜12とを備える。図1に示す例では、支持体11は、長手方向(すなわち、図中の上下方向)にそれぞれ延びる複数の貫通孔111が設けられた略円柱状のモノリス型支持体である。各貫通孔111(すなわち、セル)の長手方向に垂直な断面は、例えば略円形である。図1では、貫通孔111の径を実際よりも大きく、貫通孔111の数を実際よりも少なく描いている。ゼオライト膜12は、貫通孔111の内側面上に形成され、貫通孔111の内側面を略全面に亘って被覆する。図1では、ゼオライト膜12を太線にて描いている。なお、支持体11の形状は、例えば、ハニカム状、平板状、管状、円筒状、円柱状または角柱状等であってもよい。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a
本実施の形態では、支持体11はガスを透過可能な多孔質であり、ゼオライト膜12はガス分離膜である。ゼオライト膜12は分子篩作用を利用する分子分離膜として他の用途に用いられてもよい。例えば、ゼオライト膜12は浸透気化膜としても利用可能である。ゼオライト膜複合体1は、さらに他の用途に利用されてもよい。支持体11はガスを透過しないもの(例えば、非多孔質)であってもよい。
In this embodiment, the
支持体11の材料は、表面にゼオライト膜12を形成する工程において化学的安定性を有するのであれば、様々なものが採用可能である。支持体11の材料として、例えば、セラミックス焼結体、金属、有機高分子、ガラス、カーボン等を挙げることができる。セラミックス焼結体としては、アルミナ、シリカ、ムライト、ジルコニア、チタニア、イットリア、窒化ケイ素、炭化ケイ素等が挙げられる。金属としては、アルミニウム、鉄、ブロンズ、ステンレス鋼等が挙げられる。有機高分子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスルホン、ポリイミド等が挙げられる。
Various materials can be used for the
支持体11は、無機結合材を含んでいてもよい。無機結合材としては、チタニア、ムライト、易焼結性アルミナ、シリカ、ガラスフリット、粘土鉱物、易焼結性コージェライトのうち少なくとも1つを用いることができる。
The
支持体11の長さは、例えば10cm~200cmである。支持体11の外径は、例えば0.5cm~30cmである。支持体11の形状がモノリス状である場合、隣接する貫通孔の中心軸間の距離は、例えば0.3mm~10mmである。支持体11の形状が管状や平板状である場合、支持体11の厚さは、例えば0.1mm~10mmである。
The length of the
支持体11の表面粗さ(Ra)は、例えば0.1μm~5.0μmであり、好ましくは0.2μm~2.0μmである。
The surface roughness (Ra) of the
ゼオライト膜12がガス分離膜として利用される場合、支持体11は多孔質である。この場合、好ましくは、ゼオライト膜12が形成される表面近傍における支持体11の平均細孔径は、他の部位の平均細孔径よりも小さい。このような構造を実現するために、支持体11は多層構造を有する。支持体11が多層構造を有する場合、各層の材料は上記のものを用いることができ、それぞれは同じでもよいし異なっていてもよい。平均細孔径は、水銀ポロシメータ、パームポロメータ、ナノパームポロメータ等によって測定することができる。支持体11の平均細孔径は、例えば0.01μm~70μmであり、好ましくは0.05μm~25μmである。ゼオライト膜12が形成される表面近傍における支持体11の気孔率は、好ましくは、20%~60%である。このような構造は、好ましくは、表面から1μm~50μmの範囲に設けられる。
When the
支持体11の細孔径の分布について、D5は例えば0.01μm~50μmであり、D50は例えば0.05μm~70μmであり、D95は例えば0.1μm~2000μmである。
Regarding the pore size distribution of the
ゼオライト膜12の厚さは、例えば0.05μm~30μmであり、好ましくは、0.1μm~20μmであり、さらに好ましくは0.5μm~10μmである。ゼオライト膜12を厚くするとガス分離性能が向上する。ゼオライト膜12を薄くするとガス透過速度が増大する。ゼオライト膜12の表面粗さ(Ra)は、例えば5μm以下であり、好ましくは2μm以下であり、より好ましくは1μm以下であり、さらに好ましくは0.5μm以下である。
The thickness of the
ゼオライト膜12は、例えば、構造がSAT型であるゼオライトである。換言すれば、ゼオライト膜12は、国際ゼオライト学会が定める構造コードが「SAT」であるゼオライトである。なお、ゼオライト膜12は、SAT型のゼオライトには限定されず、他の構造を有するゼオライトであってもよい。ゼオライト膜12は、例えば、AEI型、AFN型、AFX型、CHA型、DDR型、ERI型、GIS型、LEV型、LTA型、RHO型等のゼオライトであってもよい。ゼオライト膜12は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)およびリン(P)のうちいずれか2つ以上、または、Siを含有する。本実施の形態では、ゼオライト膜12は、少なくともAl、PおよびO(酸素)を含有する。換言すれば、ゼオライト膜12は、Al原子、P原子、O原子から構成されるリン酸アルミニウム(AlPO)系ゼオライトである。ゼオライト膜12を構成するゼオライトの最大員環数は、好ましくは、6または8である。より好ましくは、ゼオライト膜12は、最大員環数が8員環のゼオライトである。ゼオライト膜12の細孔径は、例えば、0.30nm×0.55nmである。既述のように、支持体11の材料としては様々なものが採用可能である。ゼオライト膜12がAlPO系である場合、支持体11は、アルミナ焼結体もしくはムライト焼結体であることが好ましい。
The
図2および図3は、ゼオライト膜複合体1の製造の流れの一例を示す図である。まず、水熱合成によりゼオライト粉末が生成され、当該ゼオライト粉末から原結晶が取得される(ステップS11)。原結晶は、例えば、SAT型のゼオライトである。原結晶は、Si、AlおよびPのうちいずれか2つ以上、または、Siを含有する。本実施の形態では、原結晶は、少なくともAl、PおよびOを含有する。換言すれば、原結晶はAlPO系ゼオライトである。ステップS11では、水熱合成におけるアルミニウム源として、例えば、水酸化アルミニウム、アルミニウムアルコキシドまたはアルミナゾルが用いられる。ステップS11では、ゼオライト粉末はそのまま原結晶として用いられてもよく、当該ゼオライト粉末を粉砕等によって加工することにより原結晶が取得されてもよい。
2 and 3 are diagrams showing an example of the production flow of the
続いて、原結晶を粉砕することにより種結晶が形成される(ステップS12)。図3に示すように、ステップS12では、例えば、原結晶は純水等の液体に分散した状態でボールミルまたはビーズミルに投入される。そして、第1の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルにより、原結晶が所定時間粉砕される(ステップS121)。次に、ボールミルまたはビーズミルの回転数が、第1の回転数よりも低い第2の回転数に変更される。第1の回転数に対する第2の回転数の割合は、例えば、15%以上かつ80%以下である。当該割合は、より好ましくは20%以上かつ70%以下であり、さらに好ましくは30%以上かつ60%以下である。 Subsequently, a seed crystal is formed by pulverizing the raw crystal (step S12). As shown in FIG. 3, in step S12, for example, raw crystals dispersed in a liquid such as pure water are put into a ball mill or a bead mill. Then, the raw crystal is pulverized for a predetermined time by a ball mill or bead mill rotating at the first rotation speed (step S121). Next, the rotation speed of the ball mill or bead mill is changed to a second rotation speed lower than the first rotation speed. A ratio of the second rotation speed to the first rotation speed is, for example, 15% or more and 80% or less. The ratio is more preferably 20% or more and 70% or less, and still more preferably 30% or more and 60% or less.
そして、ステップS121にて粉砕された原結晶が、第2の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって所定時間粉砕されることにより、種結晶が形成される(ステップS122)。ステップS12における原結晶の粉砕時間は、例えば、2日以上かつ13日以下である。原結晶の粉砕時間は、好ましくは、2日以上かつ7日以下である。ステップS121の粉砕時間は、例えば、5時間以上かつ48時間以内である。当該粉砕時間は、より好ましくは10時間以上かつ40時間以内であり、さらに好ましくは15時間以上30時間以内である。 Then, the seed crystal is formed by pulverizing the original crystal pulverized in step S121 for a predetermined time by a ball mill or bead mill rotating at the second rotation speed (step S122). The raw crystal pulverization time in step S12 is, for example, 2 days or more and 13 days or less. The pulverization time of the raw crystal is preferably 2 days or more and 7 days or less. The pulverization time in step S121 is, for example, 5 hours or more and 48 hours or less. The pulverization time is more preferably 10 hours or more and 40 hours or less, and still more preferably 15 hours or more and 30 hours or less.
ステップS12において取得された種結晶は、例えば、SAT型のゼオライトである。種結晶は、Si、AlおよびPのうちいずれか2つ以上、または、Siを含有する。本実施の形態では、種結晶は、少なくともAl、PおよびOを含有する。換言すれば、種結晶はAlPO系ゼオライトである。種結晶の比表面積は、例えば、10m2/g以上かつ150m2/g以下である。種結晶の比表面積は、BET1点法により求められる。 The seed crystal obtained in step S12 is, for example, SAT-type zeolite. The seed crystal contains two or more of Si, Al and P, or Si. In this embodiment, the seed crystal contains at least Al, P and O. In other words, the seed crystal is an AlPO-based zeolite. The specific surface area of the seed crystal is, for example, 10 m 2 /g or more and 150 m 2 /g or less. The specific surface area of the seed crystal is determined by the BET one-point method.
また、当該種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度(すなわち、ピーク強度)は、例えば、アモルファス成分による強度の1倍以上かつ30倍以下である。より好ましくは、結晶成分による強度はアモルファス成分による強度の1倍以上かつ20倍以下である。さらに好ましくは、結晶成分による強度はアモルファス成分による強度の1.2倍以上かつ20倍以下である。ゼオライト結晶は、その結晶構造に応じて、回折角2θ=12°~25°の範囲に強い回折ピークを示すことが知られている。そのため、回折角2θ=12°~25°の範囲での最大ピークを対象とすることにより、結晶成分とアモルファス成分とを評価することが可能である。 In addition, in the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays, the intensity due to the crystal component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak in the range of diffraction angle 2θ = 12 ° to 25 ° (that is, the peak intensity ) is, for example, greater than or equal to 1 and less than or equal to 30 times the intensity due to the amorphous component. More preferably, the strength due to the crystalline component is 1 to 20 times the strength due to the amorphous component. More preferably, the strength due to the crystalline component is 1.2 times or more and 20 times or less than the strength due to the amorphous component. Zeolite crystals are known to exhibit strong diffraction peaks in the range of diffraction angles 2θ=12° to 25° depending on the crystal structure. Therefore, it is possible to evaluate the crystalline component and the amorphous component by targeting the maximum peak in the range of the diffraction angle 2θ=12° to 25°.
X線回折に用いるX線は、CuKα線である。また、X線の出力は、600Wである。X線の種類や出力を規定することにより、結晶成分およびアモルファス成分の定量的な評価が可能である。当該X線回折では、管電圧40kV、管電流15mA、走査速度5°/min、走査ステップ0.02°とする。検出器は、シンチレーションカウンターを使用する。発散スリット1.25°、散乱スリット1.25°、受光スリット0.3mm、入射ソーラースリット5.0°、受光ソーラースリット5.0°とする。モノクロメーターは使用せず、CuKβ線フィルターとして0.015mm厚ニッケル箔を使用する。例えば、X線回折パターンの測定には、株式会社リガク製MiniFlex600を使用することができる。また、X線回折パターンの測定は、測定粉末を十分な深さの試料ホルダに緻密に詰めて行われる。 X-rays used for X-ray diffraction are CuKα rays. The X-ray output is 600W. By specifying the type and output of X-rays, it is possible to quantitatively evaluate crystalline and amorphous components. In the X-ray diffraction, the tube voltage is 40 kV, the tube current is 15 mA, the scanning speed is 5°/min, and the scanning step is 0.02°. The detector uses a scintillation counter. The divergence slit is 1.25°, the scattering slit is 1.25°, the receiving slit is 0.3 mm, the incident solar slit is 5.0°, and the receiving solar slit is 5.0°. A 0.015 mm thick nickel foil is used as a CuKβ ray filter without using a monochromator. For example, MiniFlex600 manufactured by Rigaku Corporation can be used for the measurement of the X-ray diffraction pattern. Also, the measurement of the X-ray diffraction pattern is performed by densely packing the measurement powder into a sufficiently deep sample holder.
アモルファス成分による強度とは、X線回折パターンにおける底部のライン、すなわち、バックグラウンドノイズ成分の高さである。結晶成分による強度とは、X線回折パターンにおいてアモルファス成分による強度を示す高さを除いた高さである。上述のX線回折パターンにおける底部のラインは、例えば、Sonneveld-Visser法またはスプライン補間法により求められる。 The intensity due to the amorphous component is the height of the bottom line, ie background noise component, in the X-ray diffraction pattern. The intensity due to the crystalline component is the height excluding the height indicating the intensity due to the amorphous component in the X-ray diffraction pattern. The bottom line in the X-ray diffraction pattern described above can be obtained, for example, by the Sonneveld-Visser method or the spline interpolation method.
ステップS12において取得された種結晶のタップ密度は、例えば0.2g/cm3~1.0g/cm3である。これにより、種結晶を支持体11に緻密に付着させることができる。なお、タップ密度の測定は、「JIS R 1628」にて行う。
The tap density of the seed crystal obtained in step S12 is, for example, 0.2 g/cm 3 to 1.0 g/cm 3 . Thereby, the seed crystal can be adhered to the
続いて、支持体11が準備される(ステップS13)。そして、種結晶を分散させた溶液に支持体11が浸漬され、種結晶が支持体11上に付着される(ステップS14)。支持体11は、例えば、長手方向が重力方向に略平行な状態で当該溶液に浸漬される。すなわち、各貫通孔111の内側面は、重力方向に略平行な略鉛直面(すなわち、法線が実質的に水平方向を向く面)である。各貫通孔111には、種結晶を分散させた上記溶液が充填される。そして、各貫通孔111内の溶液が、各貫通孔111の内側面から支持体11内へ吸引される。当該溶液に含まれる種結晶は、支持体11を通過することなく、各貫通孔111の内側面上に留まって当該内側面に付着する。これにより、種結晶付着支持体が製造される。なお、種結晶は、他の手法により支持体11上に付着されてもよい。
Subsequently, the
ステップS14において種結晶が付着された支持体11(すなわち、種結晶付着支持体)は、原料溶液に浸漬される。そして、水熱合成により当該種結晶を核としてゼオライトを成長させて、支持体11上にゼオライト膜12が形成される(ステップS15)。水熱合成時の温度は、好ましくは、110~200℃である。このとき、原料溶液中のリン源と構造規定剤(Structure-Directing Agent、以下「SDA」とも呼ぶ。)との配合割合等を調整することにより、配向したゼオライト膜12を得ることができる。その後、加熱によりゼオライト膜12中のSDAが分解されて除去される(ステップS16)。ステップS16では、ゼオライト膜12中のSDAは、全て除去されてもよく、一部が残っていてもよい。
The
次に、図4を参照しつつ、ゼオライト膜複合体1を利用した混合物質の分離について説明する。図4は、分離装置2を示す図である。分離装置2では、複数種類の流体(すなわち、ガスまたは液体)を含む混合物質をゼオライト膜複合体1に供給し、混合物質中の透過性が高い物質を、ゼオライト膜複合体1を透過させることにより混合物質から分離させる。分離装置2における分離は、例えば、透過性が高い物質を混合物質から抽出する目的で行われてもよく、透過性が低い物質を濃縮する目的で行われてもよい。
Next, separation of mixed substances using the
当該混合物質(すなわち、混合流体)は、複数種類のガスを含む混合ガスであってもよく、複数種類の液体を含む混合液であってもよく、ガスおよび液体の双方を含む気液二相流体であってもよい。 The mixed substance (that is, mixed fluid) may be a mixed gas containing multiple types of gas, a mixed liquid containing multiple types of liquid, or a gas-liquid two-phase mixture containing both gas and liquid. It may be a fluid.
混合物質は、例えば、水素(H2)、ヘリウム(He)、窒素(N2)、酸素(O2)、水(H2O)、水蒸気(H2O)、一酸化炭素(CO)、二酸化炭素(CO2)、窒素酸化物、アンモニア(NH3)、硫黄酸化物、硫化水素(H2S)、フッ化硫黄、水銀(Hg)、アルシン(AsH3)、シアン化水素(HCN)、硫化カルボニル(COS)、C1~C8の炭化水素、有機酸、アルコール、メルカプタン類、エステル、エーテル、ケトンおよびアルデヒドのうち、1種類以上の物質を含む。 Mixed substances include, for example, hydrogen (H 2 ), helium (He), nitrogen (N 2 ), oxygen (O 2 ), water (H 2 O), water vapor (H 2 O), carbon monoxide (CO), Carbon dioxide ( CO2 ), Nitrogen oxides, Ammonia ( NH3 ), Sulfur oxides, Hydrogen sulfide ( H2S ), Sulfur fluoride, Mercury (Hg), Arsine (AsH3) , Hydrogen cyanide (HCN), Sulfide Contains one or more of carbonyls (COS), C1-C8 hydrocarbons, organic acids, alcohols, mercaptans, esters, ethers, ketones and aldehydes.
窒素酸化物とは、窒素と酸素の化合物である。上述の窒素酸化物は、例えば、一酸化窒素(NO)、二酸化窒素(NO2)、亜酸化窒素(一酸化二窒素ともいう。)(N2O)、三酸化二窒素(N2O3)、四酸化二窒素(N2O4)、五酸化二窒素(N2O5)等のNOX(ノックス)と呼ばれるガスである。 Nitrogen oxides are compounds of nitrogen and oxygen. Nitrogen oxides mentioned above include, for example, nitric oxide (NO), nitrogen dioxide (NO 2 ), nitrous oxide (also referred to as dinitrogen monoxide) (N 2 O), dinitrogen trioxide (N 2 O 3 ), dinitrogen tetroxide (N 2 O 4 ), dinitrogen pentoxide (N 2 O 5 ), and other gases called NO x (nox).
硫黄酸化物とは、硫黄と酸素の化合物である。上述の硫黄酸化物は、例えば、二酸化硫黄(SO2)、三酸化硫黄(SO3)等のSOX(ソックス)と呼ばれるガスである。 Sulfur oxides are compounds of sulfur and oxygen. The above sulfur oxides are gases called SOx (socks) such as sulfur dioxide (SO 2 ) and sulfur trioxide (SO 3 ).
フッ化硫黄とは、フッ素と硫黄の化合物である。上述のフッ化硫黄は、例えば、二フッ化二硫黄(F-S-S-F,S=SF2)、二フッ化硫黄(SF2)、四フッ化硫黄(SF4)、六フッ化硫黄(SF6)または十フッ化二硫黄(S2F10)等である。 Sulfur fluoride is a compound of fluorine and sulfur. The sulfur fluorides mentioned above include, for example, disulfur difluoride (FSSF, S=SF 2 ), sulfur difluoride (SF 2 ), sulfur tetrafluoride (SF 4 ), hexafluoride sulfur (SF 6 ) or disulfur decafluoride (S 2 F 10 );
C1~C8の炭化水素とは、炭素が1個以上かつ8個以下の炭化水素である。C3~C8の炭化水素は、直鎖化合物、側鎖化合物および環式化合物のうちいずれであってもよい。また、C3~C8の炭化水素は、飽和炭化水素(すなわち、2重結合および3重結合が分子中に存在しないもの)、不飽和炭化水素(すなわち、2重結合および/または3重結合が分子中に存在するもの)のどちらであってもよい。C1~C4の炭化水素は、例えば、メタン(CH4)、エタン(C2H6)、エチレン(C2H4)、プロパン(C3H8)、プロピレン(C3H6)、ノルマルブタン(CH3(CH2)2CH3)、イソブタン(CH(CH3)3)、1-ブテン(CH2=CHCH2CH3)、2-ブテン(CH3CH=CHCH3)またはイソブテン(CH2=C(CH3)2)である。 C1-C8 hydrocarbons are hydrocarbons having 1 or more and 8 or less carbons. The C3-C8 hydrocarbons may be straight chain compounds, side chain compounds and cyclic compounds. In addition, C3 to C8 hydrocarbons include saturated hydrocarbons (that is, those in which double bonds and triple bonds are not present in the molecule), unsaturated hydrocarbons (that is, those in which double bonds and/or triple bonds are present in the molecule). existing within). C1-C4 hydrocarbons are, for example, methane (CH 4 ), ethane (C 2 H 6 ), ethylene (C 2 H 4 ), propane (C 3 H 8 ), propylene (C 3 H 6 ), normal butane (CH 3 (CH 2 ) 2 CH 3 ), isobutane (CH(CH 3 ) 3 ), 1-butene (CH 2 =CHCH 2 CH 3 ), 2-butene (CH 3 CH=CHCH 3 ) or isobutene (CH 2 = C( CH3 ) 2 ).
上述の有機酸は、カルボン酸またはスルホン酸等である。カルボン酸は、例えば、ギ酸(CH2O2)、酢酸(C2H4O2)、シュウ酸(C2H2O4)、アクリル酸(C3H4O2)または安息香酸(C6H5COOH)等である。スルホン酸は、例えばエタンスルホン酸(C2H6O3S)等である。当該有機酸は、鎖式化合物であってもよく、環式化合物であってもよい。 The organic acids mentioned above are carboxylic acids, sulfonic acids, and the like. Carboxylic acids are, for example, formic acid (CH 2 O 2 ), acetic acid (C 2 H 4 O 2 ), oxalic acid (C 2 H 2 O 4 ), acrylic acid (C 3 H 4 O 2 ) or benzoic acid (C 6 H 5 COOH) and the like. Sulfonic acid is, for example, ethanesulfonic acid (C 2 H 6 O 3 S). The organic acid may be a chain compound or a cyclic compound.
上述のアルコールは、例えば、メタノール(CH3OH)、エタノール(C2H5OH)、イソプロパノール(2-プロパノール)(CH3CH(OH)CH3)、エチレングリコール(CH2(OH)CH2(OH))またはブタノール(C4H9OH)等である。 The aforementioned alcohols are, for example, methanol (CH 3 OH), ethanol (C 2 H 5 OH), isopropanol (2-propanol) (CH 3 CH(OH)CH 3 ), ethylene glycol (CH 2 (OH)CH 2 (OH)) or butanol ( C4H9OH ), and the like.
メルカプタン類とは、水素化された硫黄(SH)を末端に持つ有機化合物であり、チオール、または、チオアルコールとも呼ばれる物質である。上述のメルカプタン類は、例えば、メチルメルカプタン(CH3SH)、エチルメルカプタン(C2H5SH)または1-プロパンチオール(C3H7SH)等である。 Mercaptans are organic compounds having hydrogenated sulfur (SH) at the end, and are also called thiols or thioalcohols. The mercaptans mentioned above are, for example, methyl mercaptan (CH 3 SH), ethyl mercaptan (C 2 H 5 SH) or 1-propanethiol (C 3 H 7 SH).
上述のエステルは、例えば、ギ酸エステルまたは酢酸エステル等である。 The esters mentioned above are, for example, formates or acetates.
上述のエーテルは、例えば、ジメチルエーテル((CH3)2O)、メチルエチルエーテル(C2H5OCH3)またはジエチルエーテル((C2H5)2O)等である。 The aforementioned ethers are, for example, dimethyl ether ((CH 3 ) 2 O), methyl ethyl ether (C 2 H 5 OCH 3 ) or diethyl ether ((C 2 H 5 ) 2 O).
上述のケトンは、例えば、アセトン((CH3)2CO)、メチルエチルケトン(C2H5COCH3)またはジエチルケトン((C2H5)2CO)等である。 The ketones mentioned above are, for example, acetone (( CH3 )2CO), methyl ethyl ketone ( C2H5COCH3 ) or diethylketone ( ( C2H5 ) 2CO ).
上述のアルデヒドは、例えば、アセトアルデヒド(CH3CHO)、プロピオンアルデヒド(C2H5CHO)またはブタナール(ブチルアルデヒド)(C3H7CHO)等である。 The aldehydes mentioned above are, for example, acetaldehyde (CH 3 CHO), propionaldehyde (C 2 H 5 CHO) or butanal (butyraldehyde) (C 3 H 7 CHO).
以下の説明では、分離装置2により分離される混合物質は、複数種類のガスを含む混合ガスであるものとして説明する。 In the following description, it is assumed that the mixed substance separated by the separating device 2 is a mixed gas containing multiple kinds of gases.
分離装置2は、ゼオライト膜複合体1と、封止部21と、外筒22と、2つのシール部材23とを備える。ゼオライト膜複合体1、封止部21およびシール部材23は、外筒22内に収容される。
The separation device 2 includes a
封止部21は、支持体11の長手方向(すなわち、図4中の左右方向)の両端部に取り付けられ、支持体11の長手方向両端面、および、当該両端面近傍の外側面を被覆して封止する部材である。封止部21は、支持体11の当該両端面からのガスの流入および流出を防止する。封止部21は、例えば、ガラスまたは樹脂により形成された板状部材である。封止部21の材料および形状は、適宜変更されてよい。なお、封止部21には、支持体11の複数の貫通孔111と重なる複数の開口が設けられているため、支持体11の各貫通孔111の長手方向両端は、封止部21により被覆されていない。したがって、当該両端から貫通孔111へのガス等の流入および流出は可能である。
The sealing
外筒22は、略円筒状の筒状部材である。外筒22は、例えばステンレス鋼または炭素鋼により形成される。外筒22の長手方向は、ゼオライト膜複合体1の長手方向に略平行である。外筒22の長手方向の一方の端部(すなわち、図4中の左側の端部)には供給ポート221が設けられ、他方の端部には第1排出ポート222が設けられる。外筒22の側面には、第2排出ポート223が設けられる。外筒22の内部空間は、外筒22の周囲の空間から隔離された密閉空間である。
The
2つのシール部材23は、ゼオライト膜複合体1の長手方向両端部近傍において、ゼオライト膜複合体1の外側面と外筒22の内側面との間に、全周に亘って配置される。各シール部材23は、ガスが透過不能な材料により形成された略円環状の部材である。シール部材23は、例えば、可撓性を有する樹脂により形成されたOリングである。シール部材23は、ゼオライト膜複合体1の外側面および外筒22の内側面に全周に亘って密着する。図4に示す例では、シール部材23は、封止部21の外側面に密着し、封止部21を介してゼオライト膜複合体1の外側面に間接的に密着する。シール部材23とゼオライト膜複合体1の外側面との間、および、シール部材23と外筒22の内側面との間は、シールされており、ガスの通過はほとんど、または、全く不能である。
The two sealing
混合ガスの分離が行われる際には、ゼオライト膜12に対する透過性が異なる複数種類のガスを含む混合ガスが、供給ポート221を介して外筒22の内部空間に供給される。例えば、混合ガスの主成分は、CO2およびCH4である。混合ガスには、CO2およびCH4以外のガスが含まれていてもよい。外筒22の内部空間に供給される混合ガスの圧力(すなわち、導入圧)は、例えば、0.1MPa~20.0MPaである。混合ガスの分離が行われる温度は、例えば、10℃~200℃である。
When the mixed gas is separated, the mixed gas containing multiple types of gases with different permeability to the
外筒22に供給された混合ガスは、矢印251にて示すように、ゼオライト膜複合体1の図中の左端から、支持体11の各貫通孔111内に導入される。混合ガス中の透過性が高いガス(例えば、CO2であり、以下、「高透過性物質」と呼ぶ。)は、各貫通孔111の内側面上に設けられたゼオライト膜12、および、支持体11を透過して支持体11の外側面から導出される。これにより、高透過性物質が、混合ガス中の透過性が低いガス(例えば、CH4であり、以下、「低透過性物質」と呼ぶ。)から分離される。支持体11の外側面から導出されたガス(以下、「透過物質」と呼ぶ。)は、矢印253にて示すように、第2排出ポート223を介して回収される。第2排出ポート223を介して回収されるガスの圧力(すなわち、透過圧)は、例えば、約1気圧(0.101MPa)である。
The mixed gas supplied to the
また、混合ガスのうち、ゼオライト膜12および支持体11を透過したガスを除くガス(以下、「不透過物質」と呼ぶ。)は、支持体11の各貫通孔111を図中の左側から右側へと通過し、矢印252にて示すように、第1排出ポート222を介して回収される。第1排出ポート222を介して回収されるガスの圧力は、例えば、導入圧と略同じ圧力である。不透過物質には、上述の低透過性物質以外に、ゼオライト膜12を透過しなかった高透過性物質が含まれていてもよい。
Further, of the mixed gas, the gas excluding the gas that has permeated the
次に、ゼオライト膜複合体1の製造の一の実施例について説明する。
Next, an example of manufacturing the
<種結晶の作製>
アルミニウム源、リン源、SDA(構造規定剤)として、それぞれアルミニウムイソプロポキシド、85%リン酸、水酸化1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン-C4-ジクアットを純水に溶解させ、組成が1Al2O3:1P2O5:0.8SDA:200H2Oの原料溶液を作製した。当該原料溶液を190℃にて50時間水熱合成した。当該水熱合成によって得られた原結晶を回収し、純水にて十分に洗浄した後、100℃で乾燥させた。X線回折測定の結果、得られた原結晶はSAT型ゼオライトの結晶であった。
<Preparation of seed crystal>
Aluminum isopropoxide, 85% phosphoric acid, and 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane-C4-diquat hydroxide are dissolved in pure water as an aluminum source, a phosphorus source, and an SDA (structure-directing agent), respectively. , with a composition of 1 Al 2 O 3 :1 P 2 O 5 :0.8 SDA:200 H 2 O. The raw material solution was hydrothermally synthesized at 190° C. for 50 hours. The raw crystal obtained by the hydrothermal synthesis was collected, thoroughly washed with pure water, and dried at 100°C. As a result of X-ray diffraction measurement, the raw crystal obtained was a crystal of SAT-type zeolite.
当該原結晶を7~8重量%となるよう純水に投入し、ボールミルによって2日間、7日間および14日間粉砕したものをそれぞれ、3種類の種結晶とした。X線回折測定の結果、得られた各種結晶はSAT型ゼオライトの結晶であった。原結晶の粉砕時間にかかわらず、粉砕の前半は回転数330rpmにて原結晶の粉砕を行い、粉砕の後半は回転数170rpmにて原結晶の粉砕を行った。前半の粉砕時間は1日とした。 The raw crystals were put into pure water so as to have a concentration of 7 to 8% by weight, and pulverized by a ball mill for 2 days, 7 days, and 14 days to obtain three types of seed crystals. As a result of X-ray diffraction measurement, various crystals obtained were crystals of SAT-type zeolite. Regardless of the pulverization time of the raw crystal, the raw crystal was pulverized at a rotation speed of 330 rpm in the first half of the pulverization, and at a rotation speed of 170 rpm in the latter half of the pulverization. The pulverization time in the first half was one day.
原結晶の合計粉砕時間(すなわち、前半の粉砕時間と後半の粉砕時間との合計)が2日間の場合、種結晶の比表面積は、約21m2/gであった。また、当該種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度は、アモルファス成分による強度の約23倍であった。最大ピークを示す回折角2θは21°であった。 When the total pulverization time of the raw crystal (that is, the sum of the first half pulverization time and the second half pulverization time) was two days, the specific surface area of the seed crystal was about 21 m 2 /g. In addition, in the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays, the intensity due to the crystal component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak in the range of diffraction angle 2θ = 12 ° to 25 ° is due to the amorphous component. It was about 23 times stronger. The diffraction angle 2θ showing the maximum peak was 21°.
原結晶の合計粉砕時間が7日間の場合、種結晶の比表面積は、約59m2/gであった。また、当該種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度は、アモルファス成分による強度の約1.3倍であった。最大ピークを示す回折角2θは21°であった。 When the total pulverization time of the original crystals was 7 days, the specific surface area of the seed crystals was about 59 m 2 /g. In addition, in the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays, the intensity due to the crystal component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak in the range of diffraction angle 2θ = 12 ° to 25 ° is due to the amorphous component. It was about 1.3 times the strength. The diffraction angle 2θ showing the maximum peak was 21°.
原結晶の合計粉砕時間が14日間の場合、種結晶の比表面積は、約103m2/gであった。また、当該種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度は、アモルファス成分による強度の約0.3倍であった。最大ピークを示す回折角2θは21°であった。 When the total pulverization time of the original crystals was 14 days, the specific surface area of the seed crystals was about 103 m 2 /g. In addition, in the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays, the intensity due to the crystal component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak in the range of diffraction angle 2θ = 12 ° to 25 ° is due to the amorphous component. It was about 0.3 times the strength. The diffraction angle 2θ showing the maximum peak was 21°.
上記のように、原結晶の合計粉砕時間が長くなるに従って、上述の結晶成分による強度のアモルファス成分による強度に対する割合は小さくなった。すなわち、原結晶の粉砕により結晶成分が減少し、アモルファス成分が増加した。 As described above, as the total pulverization time of the raw crystals increased, the ratio of the strength due to the above-described crystalline component to the strength due to the amorphous component decreased. In other words, the pulverization of the original crystal reduced the crystalline component and increased the amorphous component.
<ゼオライト膜の作製>
モノリス型のアルミナ製多孔質支持体11を準備した。支持体11を種結晶を分散させた溶液に浸漬し、種結晶を支持体11の各貫通孔111の内側面に付着させた。その後、アルミニウム源、リン源、SDAとして、それぞれアルミニウムイソプロポキシド、85%リン酸、水酸化1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン-C4-ジクアットを純水に溶解させ、組成が1Al2O3:2P2O5:2.3SDA:1000H2Oの原料溶液を作製した。
<Preparation of zeolite membrane>
A monolithic alumina
当該原料溶液に種結晶を付着させた支持体11を浸漬し、170℃にて50時間水熱合成した。これにより、支持体11上にSAT型のゼオライト膜12が形成された。水熱合成後、支持体11およびゼオライト膜12を純水にて十分に洗浄した後、100℃で乾燥させた。X線回折測定の結果、得られたゼオライト膜12はSAT型ゼオライトであった。
The
支持体11およびゼオライト膜12の乾燥後、ゼオライト膜12のN2(窒素)透過量を測定した。合計粉砕時間が2日間の種結晶を使用して形成したゼオライト膜12、および、合計粉砕時間が7日間の種結晶を使用して形成したゼオライト膜12のN2透過量は、0.005nmol/m2・s・Pa以下であった。これにより、合計粉砕時間が2日間から7日間の種結晶を使用して形成したゼオライト膜12は、実用可能な程度の緻密性を有していることが確認された。一方、合計粉砕時間が14日間の種結晶を使用して形成したゼオライト膜のN2透過量は、0.2nmol/m2・s・Paであり、合計粉砕時間が2日間または7日間の種結晶を使用した場合に比べて、ゼオライト膜が好適に成長していないことが確認された。その後、ゼオライト膜12を500℃にて50時間加熱処理することによってSDAを燃焼除去して、ゼオライト膜12内の微細孔を貫通させた。
After drying the
<ガス分離試験>
次に、図4に概略構造を示す装置にて混合ガスの分離試験を実施した。上述のように、ゼオライト膜12は、支持体11が有する複数の貫通孔111の内側面に形成されている。支持体11の両端部は封止部21にて封止され、支持体11は外筒22内に収められる。この状態で、混合ガスが矢印251にて示すように支持体11の各貫通孔111内に導入され、外筒22に設けられた第2排出ポート223からゼオライト膜12を透過したガスが矢印253にて示すように回収される。
<Gas separation test>
Next, a mixed gas separation test was carried out using an apparatus whose schematic structure is shown in FIG. As described above, the
分離試験でのガス導入圧は、0.2MPaGである。上記混合ガスとして、CO2とCH4との比が50:50であるものを用いた。その結果、合計粉砕時間が2日間の種結晶を使用して形成したゼオライト膜12におけるCO2/CH4のパーミアンス比は1705であった。また、合計粉砕時間が7日間の種結晶を使用して形成したゼオライト膜12におけるCO2/CH4のパーミアンス比は1800であった。これにより、合計粉砕時間が2日間から7日間の種結晶を使用して形成したゼオライト膜12は、十分に実用可能な分離性能を有していることが確認された。
The gas introduction pressure in the separation test is 0.2 MPaG. As the above mixed gas, one having a ratio of CO 2 and CH 4 of 50:50 was used. As a result, the permeance ratio of CO 2 /CH 4 was 1705 in the
以上に説明したように、上述の種結晶は、ゼオライト膜複合体1の製造の際に支持体11上に付着させるゼオライトの結晶である。当該種結晶の比表面積は、10m2/g以上かつ150m2/g以下である。これにより、種結晶を支持体11上に略均一な厚さで緻密に付着させることができる。
As explained above, the above-mentioned seed crystals are zeolite crystals deposited on the
上述のように、当該種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度は、アモルファス成分による強度の1倍以上かつ30倍以下である。このように、結晶成分による強度をアモルファス成分による強度の30倍以下とすることにより、種結晶中のアモルファス成分の割合を比較的大きくし、支持体11に対する種結晶の付着性を向上させることができる。その結果、種結晶を支持体11上に緻密かつ均等に付着させることができる。また、結晶成分による強度をアモルファス成分による強度の1倍以上とすることにより、種結晶中の結晶成分の割合が過剰に小さくなることを防止し、ゼオライト膜12の形成時にゼオライトを好適に成長させることができる。その結果、支持体11上に緻密なゼオライト膜12を形成することができる。
As described above, in the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays, the intensity due to the crystal component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak in the range of the diffraction angle 2θ = 12° to 25° is It is 1 to 30 times the strength of the amorphous component. Thus, by setting the strength of the crystalline component to be 30 times or less the strength of the amorphous component, the ratio of the amorphous component in the seed crystal can be relatively increased, and the adhesion of the seed crystal to the
当該種結晶は、支持体に付着しやすいため、支持体に対する付着性の向上が求められているゼオライト(例えば、Si、Al、Pのうちいずれか2つ以上を含有するゼオライト、または、Siを含有するゼオライト)の種結晶に適している。また、当該種結晶は、従来より一般的な支持体に付着しにくいと考えられているゼオライト(例えば、少なくともAl、PおよびOを含有するゼオライト)の種結晶に特に適している。 Since the seed crystal easily adheres to the support, zeolite that is required to improve adhesion to the support (for example, zeolite containing any two or more of Si, Al, and P, or Si It is suitable for seed crystals of zeolite containing In addition, the seed crystals are particularly suitable for seed crystals of zeolite (for example, zeolite containing at least Al, P and O), which has conventionally been considered to be difficult to adhere to general supports.
当該種結晶は、上述のように支持体に対する付着性が向上しているため、支持体11の表面のうち、重力の影響により種結晶が付着しにくい面(例えば、ゼオライト膜複合体1の製造時における略鉛直面)に付着される種結晶に特に適している。同様の観点から、当該種結晶は、支持体11の表面のうち、ゼオライト膜複合体1の製造時における下向きの面に付着される種結晶にも特に適している。いずれの場合も、種結晶を支持体11上に緻密かつ均等に付着させることができる。なお、上述の下向きの面とは、法線が水平よりも下向きになる面であり、法線が鉛直下方を向く面、および、法線が斜め下を向く面の双方を含む。もちろん、種結晶は、支持体11の表面であれば、上向きの面等、どの方向を向く面に付着されてもよい。
Since the seed crystal has improved adhesion to the support as described above, among the surfaces of the
上述のように、支持体11は多孔質である。これにより、ゼオライト膜複合体1において、ゼオライト膜12を分離膜(例えば、ガス分離膜)として使用することができる。また、支持体11は、アルミナ焼結体もしくはムライト焼結体である。これにより、支持体11に対する種結晶の付着性をさらに向上することができる。
As mentioned above,
上述のように、種結晶の製造方法は、水熱合成にてゼオライトを生成し、当該ゼオライトから原結晶を取得する工程(ステップS11)と、原結晶を粉砕することにより種結晶を形成する工程(ステップS12)とを備える。ステップS12において形成される種結晶の比表面積は、10m2/g以上かつ150m2/g以下である。また、当該種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度は、アモルファス成分による強度の1倍以上かつ30倍以下である。これにより、支持体11に対する付着性が高い種結晶を好適に製造することができる。
As described above, the method for producing seed crystals includes the steps of producing zeolite by hydrothermal synthesis and obtaining raw crystals from the zeolite (Step S11), and the steps of pulverizing the raw crystals to form seed crystals. (Step S12). The specific surface area of the seed crystal formed in step S12 is 10 m 2 /g or more and 150 m 2 /g or less. In addition, in the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays, the intensity due to the crystal component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak in the range of diffraction angle 2θ = 12 ° to 25 ° is due to the amorphous component. It is 1 time or more and 30 times or less of the strength. As a result, seed crystals having high adhesion to the
上述のように、原結晶の粉砕工程(ステップS12)は、第1の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって原結晶を粉砕する工程(ステップS121)と、第1の回転数よりも低い第2の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって原結晶を粉砕することにより、種結晶を形成する工程(ステップS122)とを備える。ステップS121では、比較的高速にて回転するボールミルまたはビーズミルにより、原結晶を効率良く粉砕することができる。原結晶の粉砕が進むと、ボールミルまたはビーズミル内の液体(すなわち、原結晶等が分散している液体)の粘性が増加する。ステップS122では、ボールミルまたはビーズミルの回転数を低下させることにより、粘性が増加した液体が、遠心力等によりミル容器の内側面に付着してしまうことを防止または抑制することができる。その結果、原結晶の粉砕を好適に行うことができる。 As described above, the raw crystal pulverization step (step S12) includes the step of pulverizing the raw crystal with a ball mill or bead mill rotating at the first rotation speed (step S121), and forming a seed crystal by pulverizing the original crystal with a ball mill or bead mill rotating at a number of revolutions of 2 (step S122). In step S121, the raw crystal can be efficiently pulverized by a ball mill or bead mill rotating at a relatively high speed. As the raw crystals are pulverized, the viscosity of the liquid in the ball mill or bead mill (that is, the liquid in which the raw crystals and the like are dispersed) increases. In step S122, by lowering the rotational speed of the ball mill or bead mill, it is possible to prevent or suppress the adhesion of the liquid with increased viscosity to the inner surface of the mill container due to centrifugal force or the like. As a result, the raw crystal can be suitably pulverized.
上述の原結晶、種結晶およびゼオライト膜12の生成の際に使用される原料溶液中のアルミニウム源として、アルミニウムイソプロポキシドに代えて、水酸化アルミニウム、アルミニウムアルコキシドまたはアルミナゾルに属する他の材料が用いられてもよい。なお、水酸化アルミニウム、アルミニウムアルコキシドまたはアルミナゾルは、原結晶および種結晶を生成する際のみに用いられてもよく、ゼオライト膜12を生成する際のみに用いられてもよい。原結晶の生成において、水熱合成におけるアルミニウム源として、水酸化アルミニウム、アルミニウムアルコキシドまたはアルミナゾルが用いられる場合、結晶性が高く、かつ、粒径の均一性が高い原結晶および種結晶を得ることができる。なお、原結晶、種結晶およびゼオライト膜の生成では、水酸化アルミニウム、アルミニウムアルコキシドおよびアルミナゾル以外のアルミニウム源が用いられてもよい。
Instead of aluminum isopropoxide, aluminum hydroxide, aluminum alkoxide, or other material belonging to alumina sol is used as the aluminum source in the raw material solution used in the production of the raw crystals, seed crystals, and
上記種結晶およびその製造方法では、様々な変更が可能である。 Various modifications can be made to the seed crystal and the method for producing the same.
例えば、種結晶の製造では、原結晶の粉砕工程(ステップS12)において、ボールミルまたはビーズミルの回転数は、3段階以上に変更されてもよい。例えば、ステップS121とステップS122との間に、第1の回転数よりも低く、かつ、第2の回転数よりも高い回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって原結晶を粉砕する工程が設けられてもよい。 For example, in the production of seed crystals, the number of revolutions of the ball mill or bead mill may be changed to three or more steps in the raw crystal pulverization step (step S12). For example, between step S121 and step S122, a step of pulverizing the raw crystal with a ball mill or bead mill rotating at a rotation speed lower than the first rotation speed and higher than the second rotation speed is provided. may
ステップS12において形成される種結晶の比表面積が10m2/g以上かつ150m2/g以下であり、当該種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度がアモルファス成分による強度の1倍以上かつ30倍以下であれば、ボールミルまたはビーズミルの回転数は、原結晶の粉砕が行われている間、一定に維持されてもよい。また、原結晶の粉砕は、ボールミルおよびビーズミル以外の粉砕機により行われてもよい。あるいは、原結晶は、粉砕されることなく、種結晶として利用されてもよい。いずれの場合であっても、支持体11に対する付着性が高い種結晶を好適に製造することができる。
The specific surface area of the seed crystal formed in step S12 is 10 m 2 /g or more and 150 m 2 /g or less, and the diffraction angle 2θ = 12° in the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays. If the intensity due to the crystalline component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak in the range of ~25° is 1 to 30 times the intensity due to the amorphous component, the rotation speed of the ball mill or bead mill should be adjusted so that the raw crystal is pulverized. may be maintained constant while Further, the raw crystal may be pulverized by a pulverizer other than the ball mill and bead mill. Alternatively, raw crystals may be used as seed crystals without being pulverized. In either case, seed crystals having high adhesion to the
一方、原結晶の粉砕工程(ステップS12)が、第1の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって原結晶を粉砕する工程(ステップS121)と、第1の回転数よりも低い第2の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって原結晶を粉砕することにより、種結晶を形成する工程(ステップS122)とを備えるのであれば、種結晶の比表面積は、10m2/g未満であってもよく、150m2/gよりも大きくてもよい。なお、別途、原結晶の粉砕条件を変更することにより、種結晶の比表面積を10m2/g未満とした場合、および、150m2/gよりも大きくした場合について確認した。種結晶の比表面積を10m2/g未満とすると、種結晶の比表面積が10m2/g以上かつ150m2/g以下である場合に比べて、支持体11上への種結晶の付着性が、ある程度低下することが確認された。種結晶の比表面積を150m2/gよりも大きくすると、種結晶の比表面積が10m2/g以上かつ150m2/g以下である場合に比べて、ゼオライト膜12の形成時に、ゼオライトの成長がある程度抑制されることが確認された。また、上述のX線回折パターンにおける結晶成分による強度は、アモルファス成分による強度の1倍未満であってもよく、30倍よりも大きくてもよい。この場合であっても、原結晶の粉砕を好適に行うことができる。
On the other hand, the step of pulverizing the raw crystal (step S12) includes a step of pulverizing the raw crystal with a ball mill or bead mill rotating at a first rotation speed (step S121) and a second rotation lower than the first rotation speed. forming a seed crystal by pulverizing the original crystal with a ball mill or bead mill rotating at a constant speed (step S122), the specific surface area of the seed crystal may be less than 10 m 2 /g. well, even greater than 150 m 2 /g. Separately, by changing the pulverization conditions of the raw crystal, it was confirmed that the specific surface area of the seed crystal was less than 10 m 2 /g and greater than 150 m 2 /g. When the specific surface area of the seed crystal is less than 10 m 2 /g, the adherence of the seed crystal to the
種結晶およびゼオライト膜12は、SAT型のゼオライトには限定されず、他の構造を有するゼオライトであってもよい。種結晶およびゼオライト膜12は、純粋なリン酸アルミニウムである必要はなく、他の元素が含まれてもよい。例えば、種結晶およびゼオライト膜12には、Mg原子やSi原子等が含まれてもよい。さらには、種結晶およびゼオライト膜12は、Si、AlおよびPのうち、必ずしも2つ以上を含有する必要もない。また、種結晶およびゼオライト膜12は、必ずしもSiを含有する必要もない。
The seed crystal and the
上記種結晶(すなわち、比表面積が10m2/g以上かつ150m2/g以下であり、X線回折パターンにおいて上記回折角2θにおける結晶成分による強度が、アモルファス成分による強度の1倍以上かつ30倍以下である種結晶)については、上述のSAT型のゼオライトの他に、Siを含有するDDR型のゼオライト、SiとAlとを含有するCHA型のゼオライト、SiとAlとPとを含有するAFX型のゼオライト、AlとPとを含有するAEI型のゼオライト、および、AlとPとを含有するERI型のゼオライトにおいても、同様に、支持体に対する種結晶の付着性が向上することを確認している。 The seed crystal (that is, the specific surface area is 10 m 2 /g or more and 150 m 2 /g or less, and the intensity of the crystalline component at the diffraction angle 2θ in the X-ray diffraction pattern is 1 to 30 times the intensity of the amorphous component With regard to the seed crystal below), in addition to the SAT type zeolite described above, DDR type zeolite containing Si, CHA type zeolite containing Si and Al, and AFX containing Si, Al and P type zeolite, AEI zeolite containing Al and P, and ERI type zeolite containing Al and P, similarly, it was confirmed that the adhesion of seed crystals to the support is improved. ing.
ゼオライト膜複合体1は、ゼオライト膜12上に積層された機能層や保護層をさらに備えていてもよい。このような機能層や保護層は、ゼオライト膜に限られず、炭素膜やシリカ膜等の無機膜、または、ポリイミド膜やシリコーン膜などの有機膜であってもよい。
The
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。 The configurations in the above embodiment and each modified example may be combined as appropriate as long as they do not contradict each other.
本発明に係る種結晶は、例えば、ガス分離膜として利用されるゼオライト膜複合体の製造に利用可能である。また、当該種結晶は、ガス以外の分離膜や様々な物質の吸着膜等として利用されるゼオライト膜複合体の製造に利用可能である。 Seed crystals according to the present invention can be used, for example, in the production of zeolite membrane composites used as gas separation membranes. In addition, the seed crystals can be used to produce zeolite membrane composites that are used as membranes for separating gases other than gases, adsorption membranes for various substances, and the like.
1 ゼオライト膜複合体
11 支持体
12 ゼオライト膜
S11~S16,S121,S122 ステップ
1
Claims (13)
比表面積が10m2/g以上かつ150m2/g以下であり、
前記種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度が、アモルファス成分による強度の1倍以上かつ30倍以下であることを特徴とするゼオライトの種結晶。 A zeolite seed crystal attached to a support during production of a zeolite membrane composite comprising a support and a zeolite membrane formed on the support,
a specific surface area of 10 m 2 /g or more and 150 m 2 /g or less;
In the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays, the intensity due to the crystalline component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak in the range of the diffraction angle 2θ = 12° to 25° is the intensity due to the amorphous component. A seed crystal of zeolite characterized by being 1-fold or more and 30-fold or less.
ケイ素、アルミニウムおよびリンのうちいずれか2つ以上、または、ケイ素を含有することを特徴とするゼオライトの種結晶。 A seed crystal of the zeolite according to claim 1,
A seed crystal of zeolite characterized by containing two or more of silicon, aluminum and phosphorus, or silicon.
少なくともアルミニウム、リンおよび酸素を含有することを特徴とするゼオライトの種結晶。 A seed crystal of the zeolite according to claim 2,
A zeolite seed crystal containing at least aluminum, phosphorus and oxygen.
タップ密度は、0.2g/cm3以上かつ1.0g/cm3以下であることを特徴とするゼオライトの種結晶。 A seed crystal of the zeolite according to any one of claims 1 to 3,
A zeolite seed crystal having a tap density of 0.2 g/cm 3 or more and 1.0 g/cm 3 or less.
前記支持体の表面のうち、前記ゼオライト膜複合体の製造時における略鉛直面または下向きの面に付着されることを特徴とするゼオライトの種結晶。 A seed crystal of the zeolite according to any one of claims 1 to 4,
A zeolite seed crystal, characterized in that it is attached to a substantially vertical surface or a downward surface of the surface of the support during production of the zeolite membrane composite.
前記支持体が多孔質であることを特徴とするゼオライトの種結晶。 A seed crystal of the zeolite according to any one of claims 1 to 5,
A zeolite seed crystal, wherein the support is porous.
前記支持体が、アルミナ焼結体またはムライト焼結体であることを特徴とするゼオライトの種結晶。 A seed crystal of the zeolite according to any one of claims 1 to 6,
A zeolite seed crystal, wherein the support is an alumina sintered body or a mullite sintered body.
a)水熱合成にてゼオライトを生成し、前記ゼオライトから原結晶を取得する工程と、
b)前記原結晶を粉砕することにより、比表面積が10m2/g以上かつ150m2/g以下であり、前記種結晶にX線を照射して得られるX線回折パターンにおいて、回折角2θ=12°~25°の範囲にて最大ピークを示す回折角2θにおける結晶成分による強度が、アモルファス成分による強度の1倍以上かつ30倍以下である種結晶を形成する工程と、
を備えることを特徴とするゼオライトの種結晶の製造方法。 A method for producing zeolite seed crystals attached to a support during production of a zeolite membrane composite comprising a support and a zeolite membrane formed on the support, comprising:
a) a step of producing a zeolite by hydrothermal synthesis and obtaining a raw crystal from the zeolite;
b) The specific surface area is 10 m 2 /g or more and 150 m 2 /g or less by pulverizing the raw crystal, and in the X-ray diffraction pattern obtained by irradiating the seed crystal with X-rays, the diffraction angle 2θ = a step of forming a seed crystal in which the intensity of the crystalline component at the diffraction angle 2θ showing the maximum peak in the range of 12° to 25° is 1 to 30 times the intensity of the amorphous component;
A method for producing zeolite seed crystals, comprising:
前記b)工程が、
b1)第1の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって前記原結晶を粉砕する工程と、
b2)前記b1)工程にて粉砕された前記原結晶を、前記第1の回転数よりも低い第2の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって粉砕することにより、前記種結晶を形成する工程と、
を備えることを特徴とするゼオライトの種結晶の製造方法。 A method for producing zeolite seed crystals according to claim 8,
The step b) is
b1) pulverizing the raw crystal with a ball mill or bead mill rotating at a first rotation speed;
b2) A step of forming the seed crystal by pulverizing the raw crystal pulverized in the step b1) with a ball mill or bead mill rotating at a second rotation speed lower than the first rotation speed. When,
A method for producing zeolite seed crystals, comprising:
a)水熱合成にてゼオライトを生成し、前記ゼオライトから原結晶を取得する工程と、
b1)第1の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって前記原結晶を粉砕する工程と、
b2)前記b1)工程にて粉砕された前記原結晶を、前記第1の回転数よりも低い第2の回転数にて回転するボールミルまたはビーズミルによって粉砕することにより、種結晶を形成する工程と、
を備えることを特徴とするゼオライトの種結晶の製造方法。 A method for producing zeolite seed crystals attached to a support during production of a zeolite membrane composite comprising a support and a zeolite membrane formed on the support, comprising:
a) a step of producing a zeolite by hydrothermal synthesis and obtaining a raw crystal from the zeolite;
b1) pulverizing the raw crystal with a ball mill or bead mill rotating at a first rotation speed;
b2) forming seed crystals by pulverizing the raw crystals pulverized in step b1) with a ball mill or bead mill rotating at a second rotation speed lower than the first rotation speed; ,
A method for producing zeolite seed crystals, comprising:
前記a)工程において、水熱合成にアルミニウム源が用いられる場合、水酸化アルミニウム、アルミニウムアルコキシドまたはアルミナゾルが前記アルミニウム源として用いられることを特徴とするゼオライトの種結晶の製造方法。 A method for producing zeolite seed crystals according to any one of claims 8 to 10,
A method for producing zeolite seed crystals, wherein in step a), when an aluminum source is used for hydrothermal synthesis, aluminum hydroxide, aluminum alkoxide or alumina sol is used as the aluminum source.
支持体を準備する工程と、
請求項8ないし11のいずれか1つに記載のゼオライトの種結晶の製造方法により製造された種結晶を、前記支持体上に付着させる工程と、
を備えることを特徴とする種結晶付着支持体の製造方法。 A method for producing a seed crystal-attached support, comprising:
providing a support;
a step of depositing seed crystals produced by the method for producing zeolite seed crystals according to any one of claims 8 to 11 on the support;
A method for producing a seed crystal-attached support, comprising:
請求項12に記載の種結晶付着支持体の製造方法により製造された種結晶付着支持体を原料溶液に浸漬し、水熱合成により前記種結晶からゼオライトを成長させて前記支持体上にゼオライト膜を形成する工程と、
前記ゼオライト膜から構造規定剤を除去する工程と、
を備えることを特徴とするゼオライト膜複合体の製造方法。 A method for producing a zeolite membrane composite,
A seed crystal-attached support manufactured by the method for manufacturing a seed crystal-attached support according to claim 12 is immersed in a raw material solution, and zeolite is grown from the seed crystals by hydrothermal synthesis to form a zeolite membrane on the support. forming a
removing the structure-directing agent from the zeolite membrane;
A method for producing a zeolite membrane composite, comprising:
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