JP7114628B2 - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7114628B2 JP7114628B2 JP2019557677A JP2019557677A JP7114628B2 JP 7114628 B2 JP7114628 B2 JP 7114628B2 JP 2019557677 A JP2019557677 A JP 2019557677A JP 2019557677 A JP2019557677 A JP 2019557677A JP 7114628 B2 JP7114628 B2 JP 7114628B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flexible substrate
- strip
- radiation detector
- detector
- semiconductor radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 161
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 38
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 2
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H01L31/119—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation characterised by field-effect operation, e.g. MIS type detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/50—Detectors
- G01N2223/507—Detectors secondary-emission detector
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
・可撓性基板402を含む検出器ヘッド構造は、セラミック基板102、202、302、312に依存する構造に比較して、製造がより低コストであり且つより迅速である。
・可撓性基板402の中央部分から延びるストリップを介した取り付けと電気接続部とが、既知の構造に比較して改善された信頼性と付加的な機械的強度とを実現する。
・X線蛍光分光法のために用いられる検出器ヘッド内で使用される時に、適正に設計される場合に、可撓性基板402の製造のために使用される材料の故に、セラミック基板102、202、302、312の使用に比較して、基板からの望ましくないX線蛍光の減少を実現する。
・可撓性基板402の中央部分から延びるストリップは、はんだ付けのような単純な技術を使用する、ヘッダーに検出器ヘッドを連結するための利便性と融通性が高い方法を実現すると同時に、検出器チップ401の大きな面積を実現する。
・可撓性基板402の中央部分から延びるストリップは、熱電クーラー403を可撓性基板402に取り付ける前に、及び/又は、検出器ヘッドをヘッダー上にアセンブリする前に、検出器チップ401と可撓性基板402とによって形成されるサブアセンブリをテストするための、利便性の高い手段を提供する。
・ブロック502に示されているように、可撓性基板材料の一片の少なくとも1つの表面の所望の位置に導電性トラックを配置する。これは、完成した可撓性基板402内に導電性トラックが備えられることになっている位置において、可撓性基板材料の少なくとも1つの表面を金属化することを含んでもよい。こうした位置の例が、幾つかの具体例によって上述されている。
・ブロック504に示されているように、第1の面の上の検出器チップ401の取り付けのための中央部分と、この中央部分から延びており且つ少なくとも1つの表面上にそれぞれの導電性トラックを有する複数のストリップとを含む、形状を有する可撓性基板402の形に、可撓性基板材料の一片を切断する。適切な形状の一例が図6に示されている。
・ブロック506に示されているように、可撓性基板402の第1の面から離れて突き出るように、可撓性基板402の中央部分から延びるストリップを曲げる。
・ブロック508に示されているように、検出器チップ401を可撓性基板402の第1の表面(の中央部分)に取り付けて、検出器チップ401と可撓性基板402の導電性トラック(の少なくとも1つ)との間の電気接続部を生じさせる。上述したように、検出器チップ401と可撓性基板402との間の電気接続部は、複数の方法の中の1つを使用することによって、例えば、検出器チップ401の第2の面(後面)と可撓性基板402(の中央部分)の第2の面(後面)との間のワイヤーボンディング接続部を実現することによって、実現される。
・ブロック510に示されているように、導電性トラックと接触ピンとの間の機械的取り付けと電気的結合とを実現するために、可撓性基板402の第1の表面から離れて突き出るストリップ内の導電性トラックを、ヘッダーのベースプレート404から反対方向に突き出る接触ピン408のそれぞれ1つに取り付ける。上述したように、ストリップの表面上の導電性トラックは、それぞれの接触ピン408の側方表面に接触するように配置されてもよく、及び/又は、導電性トラックと接触ピン408との間の接続が、例えば、はんだ付けによって、溶接によって、導電性接着剤によって、又は、ワイヤーボンディングによって、実現されてもよい。
Claims (13)
- 半導体放射線検出器アセンブリであって、
放射線を受け取るための前面と後面とを有する検出器チップであって、シリコンドリフト検出器(SDD)を備える、検出器チップと、
可撓性基板であって、前記検出器チップの前記後面に取り付けられている前面を有する中央部分と、該中央部分から延びており且つ前記検出器チップから離れて突き出るように曲げられている複数のストリップと、を有する可撓性基板と、を備え、
前記複数のストリップ全体が可撓性であり、
前記可撓性基板は、複数の接触ピンの1つに対する電気的結合と機械的取り付けのための、前記中央部分から前記ストリップの遠位端部に向かって前記ストリップの表面上を延びる複数の導電性トラックを備え、
前記検出器チップは前記導電性トラックの少なくとも1つに電気的に結合されている、半導体放射線検出器アセンブリ。 - 更にベースプレートを備え、該ベースプレートは前記検出器チップに向かってベースプレートから突き出す複数の前記複数の接触ピンを有する、請求項1に記載の半導体放射線検出器アセンブリ。
- 導電性トラックと接触ピンとの間の電気的結合は、
はんだ付け接続部と、
溶接接続部と、
ワイヤーボンディング接続部と、
導電性接着剤による接続部と、の内の1つを含む、請求項1又は2に記載の半導体放射線検出器アセンブリ。 - 複数の導電性トラックは、
前記中央部分から前記ストリップの側方端部に向かって前記可撓性基板の後部表面上を延びる第1の導電性トラックと、
前記複数の接触ピンに対する電気的結合のための、前記ストリップの遠位端部において又は前記側方端部の付近において前記可撓性基板の前部表面上に備えられている第2の導電性トラックと、
各々のストリップ内における、前記第1の導電性トラックと前記第2の導電性トラックのそれぞれ1つの間の電気接続部のための、前記可撓性基板を通る導電性ビアと、を備える請求項1~3の何れか一項に記載の半導体放射線検出器アセンブリ。 - 前記検出器チップと前記導電性トラックの少なくとも1つとの間の電気的結合は、前記可撓性基板の前記中央部分内の開口部を通して設けられている、請求項1~4の何れか一項に記載の半導体放射線検出器アセンブリ。
- 前記可撓性基板は、ポリマー層の上に配置されている可撓性金属層を備える可撓性プリント回路基板(PCB)を備え、前記可撓性金属層は前記導電性トラックを形成するためにパターン形成されている、請求項1~5の何れか一項に記載の半導体放射線検出器アセンブリ。
- 前記可撓性基板は、該可撓性基板と前記検出器チップとの間の距離を増大させるために、スペーサーを介して前記検出器チップに取り付けられている、請求項1~6の何れか一項に記載の半導体放射線検出器アセンブリ。
- 前記スペーサーは、零個以上の金属層と零個以上のセラミック層とを有する少なくとも1つの層を備える、請求項7に記載の半導体放射線検出器アセンブリ。
- 前記可撓性基板は、前記中央部分の少なくとも一部を構成する硬質部分を有する、請求項1~8の何れか一項に記載の半導体放射線検出器アセンブリ。
- 前記半導体放射線検出器アセンブリの外方側に位置する前記ストリップの遠位端部の一部分が前記半導体放射線検出器アセンブリの内方側に位置する前記接触ピンの一部分に接触するように、前記ストリップが湾曲されている、請求項1~9の何れか一項に記載の半導体放射線検出器アセンブリ。
- 半導体放射線検出器アセンブリを提供する方法であって、
可撓性基板材料の一片の少なくとも1つの表面の所望の位置に導電性トラックを配置するステップと、
前記可撓性基板材料の一片を切断するステップであって、第1の面の上の検出器チップの取り付けのための中央部分と、該中央部分から延びており、且つ、該中央部分からストリップの遠位端部に向かって延びる少なくとも1つの表面上にそれぞれの導電性トラックを有する複数のストリップとを含む形状を有する、可撓性基板の形にする、ステップと、
前記複数のストリップ全体が可撓性であり、
前記可撓性基板の第1の面から離れて突き出るように前記ストリップを曲げることと、
前記可撓性基板の前記中央部分の第1の面に検出器チップを取り付け、前記検出器チップと少なくとも1つの前記導電性トラックとの間の電気接続部を生じさせるステップと、を含み、
前記検出器チップはシリコンドリフト検出器(SDD)を備える、方法。 - 複数の接触ピンのそれぞれ1つに対して前記ストリップの遠位端部内の前記導電性トラックを取り付けるステップを更に含み、前記複数の接触ピンの前記導電性トラックと前記ストリップとの間の機械的取り付けと電気的結合とを実現する、請求項11に記載の方法。
- さらに、前記半導体放射線検出器アセンブリの外方側に位置する前記ストリップの遠位端部の一部分が前記半導体放射線検出器アセンブリの内方側に位置する前記接触ピンの一部分に接触するように、前記ストリップを湾曲するステップを含む、請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17150780.9A EP3346296B1 (en) | 2017-01-10 | 2017-01-10 | A semiconductor radiation detector |
EP17150780.9 | 2017-01-10 | ||
PCT/EP2018/050334 WO2018130487A1 (en) | 2017-01-10 | 2018-01-08 | A semiconductor radiation detector |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020514771A JP2020514771A (ja) | 2020-05-21 |
JP7114628B2 true JP7114628B2 (ja) | 2022-08-08 |
Family
ID=57777523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019557677A Active JP7114628B2 (ja) | 2017-01-10 | 2018-01-08 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11152522B2 (ja) |
EP (1) | EP3346296B1 (ja) |
JP (1) | JP7114628B2 (ja) |
CN (1) | CN110462443B (ja) |
WO (1) | WO2018130487A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11398573B2 (en) | 2018-10-01 | 2022-07-26 | Moxtek, Inc | Thermoelectric cooler mount |
DE102020200357B4 (de) * | 2020-01-14 | 2021-08-26 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Detektionseinrichtung für einen mikromechanischen Kombinationssensor |
WO2022230539A1 (ja) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | 株式会社堀場製作所 | 放射線検出器及び放射線検出装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006276016A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Siemens Ag | 検出器モジュール、検出器およびコンピュータ断層撮影装置 |
WO2014021171A1 (ja) | 2012-07-30 | 2014-02-06 | コニカミノルタ株式会社 | センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法 |
JP2014092448A (ja) | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Horiba Ltd | 放射線検出器、放射線検出装置、及びx線分析装置 |
JP2014239215A (ja) | 2013-05-24 | 2014-12-18 | オックスフォード インストゥルメンツ アナリティカル オーワイOxford Instruments Analytical Oy | 半導体検出器ヘッドおよびその製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5940562A (en) * | 1996-03-12 | 1999-08-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Stubless optoelectronic device receptacle |
DE19929567B4 (de) * | 1999-06-21 | 2005-06-23 | Deutsches Elektronen-Synchrotron Desy | Detektormodul für Röntgendetektorsystem |
US6985764B2 (en) * | 2001-05-03 | 2006-01-10 | Masimo Corporation | Flex circuit shielded optical sensor |
US6984866B1 (en) * | 2003-03-17 | 2006-01-10 | National Semiconductor Corporation | Flip chip optical semiconductor on a PCB |
EP1523043B1 (en) * | 2003-10-06 | 2011-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor and method for manufacturing the same |
JP4091936B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2008-05-28 | 松下電器産業株式会社 | 光学デバイス,その製造方法,キャップ部品及びその製造方法 |
JP2005353846A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス及びその製造方法 |
TW200644261A (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-16 | Megica Corp | Chip-package structure and manufacturing process thereof |
DE102005037860A1 (de) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Deutsches Elektronen-Synchrotron Desy | Röntgendetektormodul |
US20080029879A1 (en) * | 2006-03-01 | 2008-02-07 | Tessera, Inc. | Structure and method of making lidded chips |
JP4733092B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-07-27 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
DE102010015740B4 (de) * | 2010-04-21 | 2013-04-11 | Mühlbauer Ag | Vorrichtung zur Herstellung eines Solarmoduls mit flexiblen Dünnschicht-Solarzellen |
DE102011012989B4 (de) * | 2011-03-03 | 2019-05-02 | Ketek Gmbh | Sensorkopf für einen Röntgendetektor |
US8824635B2 (en) * | 2011-10-27 | 2014-09-02 | General Electric Company | Detector modules for imaging systems and methods of manufacturing |
US9513384B2 (en) * | 2011-11-08 | 2016-12-06 | Koninklijke Philips N.V. | Seamless tiling to build a large detector |
CN103124472B (zh) * | 2011-11-18 | 2015-12-16 | 北大方正集团有限公司 | 一种刚挠结合印制电路板制作方法及刚挠结合印制电路板 |
JP6063160B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2017-01-18 | 株式会社堀場製作所 | 放射線検出器 |
EP2881995B1 (en) | 2013-12-09 | 2020-07-15 | Oxford Instruments Technologies Oy | Semiconductor radiation detector with large active area, and method for its manufacture |
US9666730B2 (en) * | 2014-08-18 | 2017-05-30 | Optiz, Inc. | Wire bond sensor package |
-
2017
- 2017-01-10 EP EP17150780.9A patent/EP3346296B1/en active Active
-
2018
- 2018-01-08 JP JP2019557677A patent/JP7114628B2/ja active Active
- 2018-01-08 WO PCT/EP2018/050334 patent/WO2018130487A1/en active Application Filing
- 2018-01-08 CN CN201880006165.6A patent/CN110462443B/zh active Active
- 2018-01-08 US US16/476,736 patent/US11152522B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006276016A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Siemens Ag | 検出器モジュール、検出器およびコンピュータ断層撮影装置 |
WO2014021171A1 (ja) | 2012-07-30 | 2014-02-06 | コニカミノルタ株式会社 | センサー部材の製造方法およびセンサーチップの製造方法ならびにセンサー部材の使用方法 |
JP2014092448A (ja) | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Horiba Ltd | 放射線検出器、放射線検出装置、及びx線分析装置 |
JP2014239215A (ja) | 2013-05-24 | 2014-12-18 | オックスフォード インストゥルメンツ アナリティカル オーワイOxford Instruments Analytical Oy | 半導体検出器ヘッドおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110462443A (zh) | 2019-11-15 |
US20190363204A1 (en) | 2019-11-28 |
EP3346296B1 (en) | 2021-10-27 |
WO2018130487A1 (en) | 2018-07-19 |
US11152522B2 (en) | 2021-10-19 |
JP2020514771A (ja) | 2020-05-21 |
CN110462443B (zh) | 2023-05-16 |
EP3346296A1 (en) | 2018-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7114628B2 (ja) | 半導体放射線検出器 | |
JP5303641B2 (ja) | X線検出器用のセンサヘッド、及び同センサヘッドを含むx線検出器 | |
JP5645245B2 (ja) | 赤外線センサモジュール | |
KR20030083612A (ko) | 방사선 검출기 | |
JP2023065533A5 (ja) | ||
JP2014092448A (ja) | 放射線検出器、放射線検出装置、及びx線分析装置 | |
CN112534222A (zh) | 光谱仪装置以及用于制造光谱仪装置的方法 | |
EP0866955A1 (en) | Array combining many photoconductive detectors in a compact package | |
EP2806467B1 (en) | Semiconductor detector head and a method for manufacturing the same | |
JP2004221095A (ja) | 光半導体装置 | |
US11640999B2 (en) | Thermoelectric cooler including a single, solid, and electrically insulative support/plate having a planar side directly affixed to upper electrical connections and non-planar side to a raised structure | |
JP2007171159A (ja) | 赤外線検出器 | |
US20200229307A1 (en) | Electronic element mounting substrate and electronic device | |
JPH08240480A (ja) | 赤外線等の電磁波の検出装置 | |
US6895822B2 (en) | Apparatus and method for interconnecting leads in a high temperature pressure transducer | |
US20120211658A1 (en) | Compact infrared light detector and method for producing the same, and an infrared light detector system comprising the infrared light detector | |
JP4969522B2 (ja) | 電子素子キャリア | |
JP2003069125A (ja) | 光集積素子、光学ヘッド及び光学ヘッドの製造方法 | |
JP2005294429A (ja) | 光受信モジュール | |
US20240230519A9 (en) | Photoacoustic gas sensor device | |
US20240044856A1 (en) | Arrays of gas sensor device packages, and related methods | |
JP2000292253A (ja) | 熱型赤外線検知器 | |
JP2019058451A (ja) | 光学センサ装置 | |
JP2004022955A (ja) | 赤外線センサ素子収納用パッケージおよび赤外線センサ装置 | |
Moilanen et al. | Low temperature co-fired ceramics on optoelectronic sensors integration |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190912 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7114628 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |