JP5303641B2 - X線検出器用のセンサヘッド、及び同センサヘッドを含むx線検出器 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000010584 magnetic trap Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
- H01J37/256—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers using scanning beams
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2441—Semiconductor detectors, e.g. diodes
- H01J2237/24415—X-ray
- H01J2237/2442—Energy-dispersive (Si-Li type) spectrometer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
図2a,2bは、従来技術(図2a)と比較した、本発明(図2b)によるセンサヘッド30を示す側面図である。
図3a−gは、従来技術からのセンサヘッドと比較した、本発明によるセンサヘッド30の発明的改良例を示す平面図である。
図3hは、本発明におけるセンサヘッド30の別形態の発明的改良例の平面図である。
例の平面図である。
11 表面領域
12 端面
14 側面
16 ボンディングアイランド
18 長側面
20 短側面
22 切り欠き部
30 センサヘッド
32 センサチップ
34 熱電冷却素子
40 信号制御接続部
42 接続ピン
44 グラス製ボディ
46 ボンディングワイヤ
50 基板
52 台座
54 穴
60 SEM
62 磁極片
64 電子ビーム
66 試料
68 試料ホルダ
70 試料テーブル
72 X線放射
74 X線検出器
76 磁気トラップ
78 冷却装置
D 直径
A 距離
Claims (15)
- X線検出器(74)用センサヘッド(30)であって、
端面(12)および側面(14)を有するプリント配線板(10)と、
前記プリント配線板(10)の前記端面(12)に配設され放射X線(72)に感度を有するセンサチップ(32)と、
前記センサチップ(32)を作動させ且つ前記プリント配線板(10)の前記端面(12)の反対側に配置される複数の信号制御接続部(40)と、
各々のボンディングワイヤ(46)のうち少なくとも1つを介することで、少なくとも幾つかが前記信号制御接続部(40)と電気的接続を有するようプリント配線板(10)に配設された複数のボンディングアイランド(16)と、
を備えたセンサヘッドにおいて、
下記(a)および(b)のうちの1つにより特徴付けられるセンサヘッド。
(a)前記ボンディングアイランド(16)が、前記プリント配線板(10)の前記側面(14)にて配設されている。
(b)前記プリント配線板(10)が、前記側面(14)に切り欠き部(22)を有し、前記ボンディングアイランド(16)が、前記プリント配線板(10)の前記端面(12)上であって且つ各切り欠き部(22)に隣接した位置に配置され、前記信号制御接続部(40)はが、(b1)前記プリント配線板(10)の前記端面(12)の反対側において前記切り欠き部(22)の真下に位置するように構成されるか、又は、(b2)前記切り欠き部(22)内に延びる。 - 請求項1に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記プリント配線板(10)の前記端面(12)が、8角形状をなし、互いに対向する4つの長側面(18)と、互いに対向する4つの短側面(20)とをそれぞれ有していることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項2に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記ボンディングアイランド(16)が、前記プリント配線板(10)の前記8角形状における前記長側面(18)に配設されていることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項2又は請求項3に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記長側面(18)1つあたりに配設される前記ボンディングアイランド(16)の個数が、2個以上8個以下であることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項2乃至請求項4の何れか一項に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記プリント配線板(10)が、前記長側面(14)に切り欠き部(22)を有し、
前記ボンディングアイランド(16)が、前記切り欠き部(22)に配設されていることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記ボンディングアイランド(16)が、アルミニウムまたは金にて構成されていることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記プリント配線板(10)が、多層複合セラミクスで構成されていることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項1乃至請求項7の何れか一項に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記センサチップ(32)の活性表面の面積を10mm2とした場合において、
前記センサヘッド(30)の直径(D)が、14mmよりも小さくなるよう構成されていることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記プリント配線板(10)における前記端面(12)から見て離間した側にて、冷却手段が配設されていることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項1乃至請求項9の何れか一項に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記センサチップ(32)が、正方形状または8角形状の表面領域(11)を有し、
前記表面領域(11)が、前記プリント配線板(10)の前記端面(12)よりも小さい、又は、同端面(12)と同じ面積を有していることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項1乃至請求項10の何れか一項に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記信号制御接続部(40)が、グラス製ボディ(44)を有する接続ピン(42)であることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項11に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記接続ピン(42)が、前記プリント配線板(10)における前記端面(12)から見て離間した側にて配設され、前記プリント配線板(10)の前記端面(12)によって完全に又は部分的に覆い隠されていることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項1乃至請求項12の何れか一項に記載のセンサヘッド(30)であって、
前記プリント配線板(10)における前記端面(12)から見て離間した側が、台座(52)に配設されていることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項13に記載のセンサヘッド(30)であって、
基板(50)における前記端面(12)から見て離間した側が、前記台座(52)に配設され、
前記信号制御接続部(40)が、グラス製ボディ(44)を有する接続ピン(42)であり、
前記基板(50)が、前記接続ピン(42)を含む前記グラス製ボディ(44)を収容する穴(54)を備えていることを特徴とするセンサヘッド。 - 請求項1乃至請求項14の何れか一項に記載のセンサヘッド(30)を備えたX線検出器(74)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008028487A DE102008028487B3 (de) | 2008-06-13 | 2008-06-13 | Sensorkopf für einen Röntgendetektor sowie diesen Sensorkopf enthaltender Röntgendetektor |
DE102008028487.4 | 2008-06-13 | ||
PCT/EP2009/056779 WO2009150080A1 (de) | 2008-06-13 | 2009-06-03 | Sensorkopf für einen röntgendetektor sowie diesen sensorkopf enthaltender röntgendetektor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011524012A JP2011524012A (ja) | 2011-08-25 |
JP5303641B2 true JP5303641B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=41202735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011512935A Active JP5303641B2 (ja) | 2008-06-13 | 2009-06-03 | X線検出器用のセンサヘッド、及び同センサヘッドを含むx線検出器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8558175B2 (ja) |
EP (1) | EP2286275B1 (ja) |
JP (1) | JP5303641B2 (ja) |
DE (1) | DE102008028487B3 (ja) |
WO (1) | WO2009150080A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009026946B4 (de) * | 2009-06-15 | 2012-03-08 | Bruker Nano Gmbh | Störungsarmer Sensorkopf für einen Strahlungsdetektor sowie diesen störungsarmen Sensorkopf enthaltender Strahlungsdetektor |
DE102011012989B4 (de) * | 2011-03-03 | 2019-05-02 | Ketek Gmbh | Sensorkopf für einen Röntgendetektor |
DE102012213130A1 (de) | 2012-07-26 | 2014-01-30 | Bruker Nano Gmbh | Mehrfachmodul-Photonendetektor und seine Verwendung |
JP5600722B2 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-10-01 | 株式会社堀場製作所 | 放射線検出器、放射線検出装置、及びx線分析装置 |
US9159849B2 (en) * | 2013-05-24 | 2015-10-13 | Oxford Instruments Analytical Oy | Semiconductor detector head and a method for manufacturing the same |
EP2881995B1 (en) * | 2013-12-09 | 2020-07-15 | Oxford Instruments Technologies Oy | Semiconductor radiation detector with large active area, and method for its manufacture |
GB2540000A (en) | 2015-04-23 | 2017-01-04 | Horiba Ltd | Radiation detector and radiation detection apparatus |
CN105700003B (zh) * | 2015-05-21 | 2019-12-13 | 成都理工大学 | 一种半导体制冷的X射线硅pin探测器 |
US10869393B2 (en) | 2015-06-29 | 2020-12-15 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Pedestal mounting of sensor system |
US10187977B2 (en) | 2015-06-29 | 2019-01-22 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Head mounted computing device, adhesive joint system and method |
US11398573B2 (en) * | 2018-10-01 | 2022-07-26 | Moxtek, Inc | Thermoelectric cooler mount |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5839037A (ja) * | 1981-09-01 | 1983-03-07 | Nec Corp | チツプキヤリア |
FR2598250B1 (fr) * | 1986-04-30 | 1988-07-08 | Thomson Csf | Panneau de prise de vue radiologique, et procede de fabrication |
JPH0461173A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 | Nikko Kyodo Co Ltd | 半導体放射線検出器の製造方法 |
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US5225677A (en) * | 1992-06-12 | 1993-07-06 | North American Philips Corporation | Protective film for x-ray detector |
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JPH10253762A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Horiba Ltd | エネルギー分散型半導体x線検出器 |
JP3890883B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2007-03-07 | 株式会社島津製作所 | エネルギー分散型x線検出装置及びこれを用いた走査型電子顕微鏡及び電子線マイクロアナライザー |
IL158345A0 (en) * | 2003-10-09 | 2004-05-12 | Interon As | Pixel detector and method of manufacture and assembly thereof |
JP2005274169A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Hitachi Ltd | X線ct装置及びx線ct装置による検出方法 |
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-
2008
- 2008-06-13 DE DE102008028487A patent/DE102008028487B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-03 US US12/997,472 patent/US8558175B2/en active Active
- 2009-06-03 JP JP2011512935A patent/JP5303641B2/ja active Active
- 2009-06-03 WO PCT/EP2009/056779 patent/WO2009150080A1/de active Application Filing
- 2009-06-03 EP EP09761643A patent/EP2286275B1/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8558175B2 (en) | 2013-10-15 |
US20110139987A1 (en) | 2011-06-16 |
DE102008028487B3 (de) | 2010-01-07 |
JP2011524012A (ja) | 2011-08-25 |
EP2286275A1 (de) | 2011-02-23 |
EP2286275B1 (de) | 2012-08-29 |
WO2009150080A1 (de) | 2009-12-17 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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