JP7107478B2

JP7107478B2 - 抵抗素子及び抵抗素子アセンブリ

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Publication number: JP7107478B2
Application number: JP2017140245A
Authority: JP
Inventors: ヒョンパク、クァン; ソクユン、チャン; ソンベック、キョン
Original assignee: サムソンエレクトロ－メカニックスカンパニーリミテッド．
Priority date: 2016-10-31
Filing date: 2017-07-19
Publication date: 2022-07-27
Anticipated expiration: 2037-07-19
Also published as: US20190259514A1; KR20180047411A; US10347404B2; US10643769B2; US20180122539A1; JP2018074143A

Description

本発明は、抵抗素子及び抵抗素子アセンブリに関するものである。

電子機器の小型化及び軽量化への要求により、回路基板の配線密度を高めるために、チップ（ｃｈｉｐ）形態の抵抗素子が用いられている。また、電子機器の要求電力が高まるにつれて、電子機器に過電流検知及び電池残量検知回路が導入され、低抵抗値及び高精度を有する抵抗素子が要求されている。

高精度を有する抵抗素子を製造するためにメタル（ｍｅｔａｌ）工法を用いることができるが、かかるメタル工法には、工程が複雑であり精密なパターン設計によって裏付けられる必要があるという限界がある。

抵抗素子を製造するための他の方法としては厚膜工法が挙げられる。厚膜工法は比較的工程が単純であるが、低抵抗値を有する抵抗素子の場合、抵抗値の精度が低くなる傾向を有する。これは、抵抗層をなす抵抗材料の比抵抗及び抵抗温度係数（ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が高く、トリミング工程時に発生する熱起電力（ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅｆｏｒｃｅ）が抵抗値の誤差を誘発することに起因する。

特開２００４－１１９６９２号公報

本発明の課題は、トリミング工程の進行時に熱起電力の発生を抑える抵抗素子を提供することにある。

また、抵抗温度係数及び比抵抗値が低い抵抗材料を含むことにより、精密であり低抵抗値を有する抵抗素子を提供することにある。

本発明の一例による抵抗素子は、互いに対向する第１及び第２面を有するベース基材と、上記ベース基材の第１面に配置される第１抵抗層と、上記ベース基材の両端部に配置される第１端子及び第２端子と、上記第１抵抗層上に配置され、上記第１端子及び上記第２端子と電気的に連結され、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物を含む第２抵抗層と、を含む。

また、本発明の一例による抵抗素子アセンブリは、複数の電極パッドを有する回路基板と、上記回路基板に配置され、上記複数の電極パッドと電気的に連結される抵抗素子と、を含み、上記抵抗素子は、互いに対向する第１及び第２面を有するベース基材、上記ベース基材の第１面に配置される第１抵抗層、上記ベース基材の両端部に配置される第１端子及び第２端子、及び上記第１抵抗層上に配置される第２抵抗層を含み、上記第２抵抗層は、上記第１端子及び上記第２端子と電気的に連結され、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物を含む。

本発明の一例による抵抗素子及び抵抗素子アセンブリは、製作工法が単純でありトリミング工程の進行時に熱起電力の発生を抑えるため、製作費用を節減するとともに、不良率を減少させることができる。

また、抵抗温度係数及び比抵抗値が低い抵抗材料を含むため、温度に対する影響が少なく、低抵抗値を実現することができるという効果を有する。

本発明の一例による抵抗素子を示す斜視図である。図１の抵抗素子とは異なる一例による抵抗素子を示す斜視図である。図２のＩ－Ｉ'に沿って切開して見た場合の断面図である。本発明の他の一例による抵抗素子を示す断面図である。本発明の他の一例による抵抗素子を示す断面図である。本発明の他の一例による抵抗素子を示す断面図である。本発明の一例による抵抗素子アセンブリを示す斜視図である。図７のＩＩ－ＩＩ'に沿って切開して見た場合の断面図である。

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるもためある。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。

また、本明細書において、「上に」形成されるとは、直接接触して形成されることを意味するだけでなく、中間に他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。また、本明細書において、「上部」、「上面」、「下部」、「下面」、「側面」などの用語は、添付の図面の方向を基準として表現されており、実際には素子が配置される方向に応じて異なり得る。

図１は本発明の一例による抵抗素子を示す斜視図である。図１に示す抵抗素子１００は、抵抗素子が実装される面と対向する面に抵抗層を形成した例であり、図２に示す抵抗素子１００'は、抵抗素子が実装される面に抵抗層を形成した例である。図２の抵抗素子１００'は、抵抗層を回路基板の配線にさらに近接して形成することで正確な抵抗値を提供することができる。

図１及び２を参照すると、抵抗素子１００、１００'は、ベース基材１１０、第１抵抗層１２０、第２抵抗層１４０、第１端子１３１、及び第２端子１３２を含む。

上記ベース基材１１０は、第１抵抗層１２０を支持し、抵抗素子１００、１００'の強度を確保することができる。これに限定されるものではないが、上記ベース基材１１０は、所定の厚さを有しながら互いに対向する第１面及び第２面を有し、各面の形状が長方形である薄い板状に構成することができる。

また、ベース基材１１０は、熱伝導度に優れた材質で形成することができ、抵抗素子の使用時の抵抗層１２０から生成される熱を外部に効果的に放出させることができる。

上記ベース基材１１０は、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）のようなセラミックまたはポリマー基材であることができる。特定の例において、上記ベース基材１１０は、薄い板状のアルミニウムの表面を陽極酸化（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ）処理して得られたアルミナ基板であってもよい。

図１及び図２に示すように、第１端子１３１及び上記第２端子１３２は、上記ベース基材１１０の両端部に配置することができる。第２端子１３２は、第１端子１３１のように、第２内部電極１３２ａ及び第２外部電極１３２ｂを含むことができる。第１端子１３１及び第２端子１３２は、図３を参照してより具体的に説明する。

第１抵抗層１２０は、上記ベース基材１１０の一面に配置することができ、上記第２抵抗層１４０は、上記第１抵抗層上に配置することができる。上記第１抵抗層１２０及び上記第２抵抗層１４０は、互いに離れている第１端子１３１と第２端子１３２との間に配置し、第１端子１３１及び第２端子１３２と連結されて抵抗素子として用いることができる。ここで、上記第１抵抗層１２０は、第２抵抗層１４０を介して第１端子１３１及び第２端子１３２と連結されることができる。このため、第２抵抗層１４０は、第１抵抗層１２０と第１端子１３１との間、及び第１抵抗層１２０と上記第２端子１３２との間に配置することができる。

第１抵抗層１２０は、例えば、様々な金属もしくは合金、または酸化物のような組成物を用いることができる。例えば、Ｃｕ－Ｎｉ系合金、Ｎｉ－Ｃｒ系合金、Ｒｕ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｍｎ及びＭｎ系合金のうち少なくとも一つを含むことができる。また、第１抵抗層１２０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）をさらに含み、ペーストの形態で印刷した後、焼成工程を通じて上記ベース基材に接合することができる。

また、第２抵抗層１４０は、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物を含むことができる。ゼラニン（Ｚｅｒａｎｉｎ）と呼ばれる銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物は、特性上非常に簡単に酸化する。その結果、高温の還元雰囲気において焼結する焼成工程ではベース基材に接合することが困難となり得る。

本発明の抵抗素子は、まず第１抵抗層１２０をベース基材１１０に接合し、第１抵抗層１２０上に第２抵抗層１４０を接合するため、上記第１抵抗層１２０は、ベース基材１１０と第２抵抗層１４０を互いに接着する役割を果たすことができる。

第１抵抗層１２０及び第２抵抗層１４０は、トリミング（ｔｒｉｍｍｉｎｇ）工程によって抵抗値が決定されることができる。トリミング工程とは、抵抗層を形成した後、回路設計に必要な抵抗値を得るために微細切断（ｃｕｔｔｉｎｇ）などを通じて抵抗層を部分的に除去する工程のことである。

具体的には、トリミング工程で抵抗素子の抵抗値を測定しながら溝（ｇｒｏｏｖｅ）を形成し、測定された抵抗値が目標抵抗値に達した場合、溝の形成を中断させることで抵抗素子の抵抗値を調整する。

一方、上記トリミング工程で溝を形成する場合、熱が発散されることがある。上記トリミング工程によって発散される熱は、抵抗層と抵抗素子の端子との間に熱起電力（Ｔｈｅｒｍｏ－ＥｌｅｃｔｒｏｍｏｔｉｖｅＦｏｒｃｅ）を発生させ、測定された抵抗値の歪みを誘発する。すなわち、抵抗層に発生した熱による温度と、端子間の温度に差異が生じ、抵抗層と端子間に起電力が発生する可能性があり、上記温度差による起電力は熱起電力と示すことができる。このような熱起電力による抵抗値の歪みは、抵抗素子の量産時の不良率を高くする要因となる。

図１に示すように、第１抵抗層１２０及び第２抵抗層１４０は、トリミング（ｔｒｉｍｍｉｎｇ）工程により形成された溝１６０を含むことができる。図２では、トリミング工程により形成された溝を示していないが、同一の形態の溝を第１抵抗層１２０及び第２抵抗層１４０に形成することができる。

第２抵抗層１４０は、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物を含むことにより、トリミング工程時の熱起電力を抑えることができ、トリミング工程を通じてより精密な抵抗値を得ることができるようにする。具体的には、銅－ニッケル（Ｃｕ－Ｎｉ）系組成物は－４０ｕＶ／Ｋの熱起電力を有するが、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物は－１ｕＶ／Ｋの熱起電力を有することで知られている。

また、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物は、比較的低抵抗温度係数（ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ：ＴＣＲ）を有する。例えば、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物の抵抗温度係数（ＴＣＲ）の絶対値は１００ｐｐｍ／℃以下となり得る。このような低抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、抵抗素子が温度に対する耐性を有するようにする。

さらに、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物からなる抵抗層は、低熱起電力を発生させ、低抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有するため、トリミング工程時に、溝の形成位置変動に対して強い抵抗値を有することができる。

また、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物は、銅－ニッケル（Ｃｕ－Ｎｉ）系組成物よりも低い比抵抗値（例えば、２９μΩ／ｃｍ）を有するため、微細な抵抗値を有する抵抗素子を製造するのに有利である。

一方、第２抵抗層１４０の表面には保護層１５０を配置することができる。上記保護層１５０は、上記第１端子１３１と上記第２端子１３２との間に配置することができ、第１抵抗層１２０及び第２抵抗層１４０が外部に露出しないようにするとともに、第１抵抗層１２０及び第２抵抗層１４０を外部の衝撃から保護する。例えば、上記保護層１５０は、シリコン（ＳｉＯ_２）もしくはグラス（ｇｌａｓｓ）またはポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）材料を含むことができる。

特定の例において、上記保護層１５０は、グラスの第１保護層１５１及びポリマーの第２保護層１５２で構成することができる。必要に応じて、第１保護層１５１は、トリミング工程前に形成することで、トリミング（ｔｒｉｍｍｉｎｇ）工程時の第１抵抗層１２０及び第２抵抗層１４０にクラック（ｃｌａｃｋ）が発生することを防止することができ、第２保護層１５２は、トリミング（ｔｒｉｍｍｉｎｇ）工程後に形成することで、第１抵抗層１２０及び第２抵抗層１４０を保護することができる。

図２を参照すると、上記保護層１５０を第２抵抗層１４０上に配置しても、第１及び第２端子１３１、１３２を、保護層１５０よりも突出した形状を有するようにすることにより、基板実装時の第１及び第２端子１３１、１３２と回路基板に配置された電極パッドとの接触を容易にすることができる。

以下、本発明による抵抗素子の様々な例を抵抗素子の断面図を通じて参照する。

図３は図２のＩ－Ｉ'に沿って切開して見た場合の断面図である。

図２を参照すると、一例による抵抗素子は、ベース基材１１０、第１抵抗層１２０、第２抵抗層１４０、第１端子１３１、第２端子１３２、及び保護層１５０を含む。

ベース基材１１０は、互いに対向する第１及び第２面を有し、上記ベース基材の第１面に第１抵抗層１２０を配置し、上記第１抵抗層１２０及び第２抵抗層１４０は、上記第１端子１３１及び上記第２端子１３２と接触して連結されるように配置する。

ここで、第１抵抗層１２０は、銅（Ｃｕ）系組成物または銅－ニッケル（Ｃｕ－Ｎｉ）系組成物を含むことができ、第２抵抗層１４０は、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物を含むことができる。

第１端子１３１及び第２端子１３２のそれぞれは、ベース基材１１０の両端部を包むように形成することができる。また、上記第１端子１３１及び第２端子１３２のそれぞれは、互いに接合された上記第１抵抗層１２０及び上記第２抵抗層１４０の両端部と連結される。

このように、第１端子１３１及び第２端子１３２は、第１抵抗層１２０及び第２抵抗層１４０が形成する並列構造の経路（Ｐａｔｈ）を介して電気的に連結される。

異種の材料を用いて構成した並列構造は、トリミング工程時に、第１抵抗層１２０に形成される熱起電力を第２抵抗層１４０に分散させることができる。

また、第２抵抗層１４０は、低比抵抗、低抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有するため、抵抗素子は、第１抵抗層１２０のみを含む場合に比べて温度に対する耐性及びさらに精密な抵抗値を有することができる。

以下、上記第１端子１３１及び第２端子１３２の例について具体的に説明する。

例えば、上記第１端子１３１は、第１内部電極１３１ａ及び第１外部電極１３１ｂを含む。同様に、第２端子１３２は、第２内部電極１３２ａ及び第２外部電極１３２ｂを含む。

上記第１内部電極１３１ａ及び上記第２内部電極１３２ａは、ベース基材１１０の両端部に配置する。

また、第１外部電極１３１ｂ及び第２外部電極１３２ｂは、上記第１内部電極１３１ａ及び上記第２内部電極１３２ａ上にそれぞれ配置することができる。すなわち、第１外部電極１３１ｂは、上記第１内部電極１３１ａの表面の少なくとも一部領域を覆い、上記第２外部電極１３２ｂは、上記第２内部電極１３２ａの表面の少なくとも一部領域を覆う。

例えば、上記第１内部電極１３１ａは、第１シード電極１３１ａ１及び第１裏面電極１３１ａ２を含む。同様に、上記第２内部電極１３２ａは、第２シード電極１３２ａ１及び第２裏面電極１３２ａ２を含む。

上記第１シード電極１３１ａ１及び第２シード電極１３２ａ１は、ベース基材１１０の第１面に配置し、第１裏面電極１３１ａ２及び第２裏面電極１３２ａ２は、ベース基材１１０の第１面と向き合う第２面に配置する。この際、上記第１シード電極１３１ａ１は上記第１裏面電極１３１ａ２と対向することができ、上記第２シード電極１３２ａ１は上記第２裏面電極１３２ａ２と対向することができる。

図３に示してはいないが、上記第１内部電極１３１ａは、第１側面電極をさらに含むことができ、第２内部電極１３２ａは、第２側面電極をさらに含むことができる。

上記第１及び第２側面電極は、ベース基材１１０、第１抵抗層１２０、第２抵抗層１４０、第１及び第２シード電極１３１ａ１、１３２ａ１、及び第１及び第２裏面電極１３１ａ２、１３２ａ２を積層して形成した積層体の両端面に配置することができる。

すなわち、上記第１側面電極は、第１シード電極１３１ａ１及び第１裏面電極１３１ａ２と連結されるように配置し、第２側面電極は、第２シード電極１３２ａ１及び第２裏面電極１３２ａ２と連結されるように配置することができる。上記第１内部電極１３１ａが第１側面電極を含み、第２内部電極１３２ａが第２側面電極を含む場合、上記第１及び第２側面電極上にもそれぞれ第１及び第２外部電極１３１ｂ、１３２ｂを形成することができる。

また、上記第１内部電極１３１ａは、第１補強層１３１ａ３をさらに含むことができ、第２内部電極１３２ａは、第２補強層１３２ａ３をさらに含むことができる。

第１補強層１３１ａ３は、第１シード電極１３１ａ１上に配置することで第１端子１３１の厚さを補強することができ、第２補強層１３２ａ３は、第２シード電極１３２ａ１上に配置することで第２端子１３２の厚さを補強することができる。

これにより、第１端子１３１及び第２端子１３２の厚さが確保されるため、回路基板に配置された電極パッドとの接触がさらに容易となる。また、第１端子１３１及び第２端子１３２の表面積を広くすることができるため、実装工程時の半田との接合面積を確保して固着強度を向上させることができる。

また、第１内部電極１３１ａ及び第２内部電極１３２ａは、導電性ペーストを用いた印刷工程（印刷後に焼成）または蒸着工程を用いて形成することができる。第１内部電極１３１ａ及び第２内部電極１３２ａは、第１外部電極１３１ｂ及び第２外部電極１３２ｂを形成するためのめっき工程でシード（ｓｅｅｄ）として作用することができる。例えば、上記内部電極は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）のうち少なくとも一つを含むことができる。

また、第１外部電極１３１ｂ及び第２外部電極１３２ｂは、上記第１内部電極１３１ａ及び第２内部電極１３２ａ上にめっき工程を用いて形成することができる。一方、第１外部電極１３１ｂ及び第２外部電極１３２ｂは、保護層１５０を形成してから形成することができる。

上記第１外部電極１３１ｂ及び上記第２外部電極１３２ｂは、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一つを含むことができる。例えば、第１外部電極１３１ｂ及び第２外部電極１３２ｂは、ニッケル（Ｎｉ）めっき層とスズ（Ｓｎ）めっき層の二重層を含むことができ、銅（Ｃｕ）めっき層をさらに有することができる。ニッケル（Ｎｉ）めっき層は、素子実装時の内部電極の成分（例えば、Ａｇ）が半田の成分に浸出（ｌｅａｃｈｉｎｇ）することを防止することができ、スズ（Ｓｎ）めっき層は、素子実装時の半田成分との接合を容易にすることができる。また、銅（Ｃｕ）めっき層は、上記内部電極の導電性を向上させることができる。

図４は本発明の他の一例による抵抗素子を示す断面図である。

図３に示す抵抗素子と比較して、図４に示す抵抗素子の第１抵抗層１２０'は、ベース基材１１０の両端部まで延長した形態で配置することができる。これにより、第１抵抗層１２０'上に第１及び第２シード電極１３１ａ１、１３２ａ１を配置することができる。その他の構成は、図３に示す抵抗素子についての説明を同一に適用することができるため、重複する説明は省略する。

図５は本発明の他の一例による抵抗素子を示す断面図である。

図４に示す抵抗素子と比較して、図５に示す抵抗素子の第２抵抗層１４０'は、第１抵抗層１２０'と同様に、ベース基材１１０の両端部まで延長した形態で配置することができる。これにより、第２抵抗層１４０'上に第１及び第２シード電極１３１ａ１、１３２ａ１を配置することができる。すなわち、第２抵抗層１４０'は、上記第１抵抗層１２０'と上記第１端子１３１の第１シード電極１３１ａ１との間、及び上記第１抵抗層１２０'と上記第２端子１３２の第２シード電極１３２ａ１との間に配置する。

これにより、第２抵抗層１４０'が第１端子１３１及び第２端子１３２と接する面積を、第１抵抗層１２０'が第１端子１３１及び第２端子１３２と接する面積よりも非常に大きくすることができる。

その他の構成は、図３に示す抵抗素子についての説明を同様に適用することができるため、重複する説明は省略する。

図６は本発明の他の一例による抵抗素子を示す断面図である。

図３に示す抵抗素子と比較して、図６に示す抵抗素子の第２抵抗層１４０''は、第１抵抗体１４１及び第２抵抗体１４２を含む。

図６を参照すると、上記二つの抵抗体１４１、１４２は、第１抵抗層１２０と上記第１端子１３１との間、及び上記第１抵抗層１２０と上記第２端子１３２との間に分けて配置する。このため、第１端子１３１は、第１抵抗層１２０と一定の間隙を有するように配置することができ、第２端子１３２も同様に、第１抵抗層１２０と一定の間隙を有するように配置することができる。また、上記隙間に第１抵抗体１４１及び第２抵抗体１４２をそれぞれ満たすことで、第２抵抗層１４０''を形成することができる。

すなわち、第１抵抗体１４１は、第１端子１３１と第１抵抗層１２０とを連結するブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）構造を形成し、第２抵抗体１４２は、第２端子１３２と第１抵抗層１２０とを連結するブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）構造を形成する。

例えば、第１抵抗層１２０が銅－ニッケル（Ｃｕ－Ｎｉ）系組成物からなり、第１端子１３１が銅（Ｃｕ）を含む場合、第１抵抗体１４１は、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物を含むことで、第１抵抗層１２０と第１端子１３１との間に発生する可能性がある熱起電力を遮断することができる。

図７は本発明の一例による抵抗素子アセンブリを示す斜視図であり、図８は図７のＩＩ－ＩＩ'に沿って切開して見た場合の断面図である。

図７及び図８を参照すると、抵抗素子アセンブリ１０は、図２に示す抵抗素子１００'が実装された回路基板１１を含む。しかし、これに限定されるものではなく、図１に示す抵抗素子１００を適用してもよい。

上記回路基板１１は、抵抗素子が実装される領域に配置される第１及び第２電極パッド１２、１３を含む。上記第１及び第２電極パッド１２、１３は、上記回路基板１１に実現した回路パターンと連結され、素子を実装するために提供されるランドパターンのことである。

上記抵抗素子は、ベース基材１１０、上記ベース基材１１０の第１面に配置される第１抵抗層１２０、上記ベース基材１１０の両端部に配置される第１端子１３１及び第２端子１３２、及び上記第１抵抗層１２０上に配置される第２抵抗層１４０を含む。第２抵抗層１４０は、上記第１端子１３１及び上記第２端子１３２と連結され、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物を含む。また、抵抗素子は、保護層１５０をさらに含むことができる。

上述のように、第２抵抗層１４０が低比抵抗及び低抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有するため、抵抗素子は、第１抵抗層１２０のみを含む場合に比べて温度に対する耐性及びさらに精密な抵抗値を有することができる。

上記抵抗素子１００'は、図２～図６を参照して説明した抵抗素子から理解されることができるため、重複する説明は省略する。

回路基板１１は、電子回路が形成される部分で、電子機器の特定の動作または制御のための集積回路（ＩＣ）などが形成されて、別の電源から供給される電流が流れることができる。

この場合、回路基板１１は、様々な配線ラインを含むか、またはトランジスタなどのような他の種類の半導体素子をさらに含むことができる。また、回路基板１１は、導電層を含むか、誘電体層を含むなど、必要に応じて多様に構成することができる。

第１及び第２電極パッド１２、１３は、回路基板１１上に互いに離れるように配置し、半田１５を介して抵抗素子１００'の第１及び第２端子１３１、１３２とそれぞれ連結されることができる。

図７及び図８には、第１電極パッド１２が第１端子１３１と連結され、第２電極パッド１３が第２端子１３２と連結されるように示されているが、設計に応じて、第１電極パッド１２が第２端子１３２と連結され、第２電極パッド１３が第１端子１３１と連結されるようにすることもできる。

以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。

１００、１００' 抵抗素子
１１０ベース基材
１２０、１２０' 第１抵抗層
１４０、１４０'、１４０'' 第２抵抗層
１３１第１端子
１３２第２端子
１５０保護層
１６０溝
１０実装基板
１１回路基板
１２第１電極パッド
１３第２電極パッド
１５半田

Claims

互いに対向する第１及び第２面を有するベース基材と、
前記ベース基材の第１面に配置される第１抵抗層と、
前記ベース基材の両端部に配置される第１端子及び第２端子と、
前記第１抵抗層上に配置され、前記第１端子及び前記第２端子と連結され、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物を含む第２抵抗層と、を含み、
前記第２抵抗層は、前記第１抵抗層と前記第１端子との間、及び前記第１抵抗層と前記第２端子との間に配置される二つの抵抗体からなり、
前記第１抵抗層は、第１組成物を含み、前記銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物の熱起電力は、前記第１組成物の熱起電力よりも小さい
抵抗素子。
前記第１抵抗層は、銅－ニッケル（Ｃｕ－Ｎｉ）系組成物を含む、請求項１に記載の抵抗素子。
前記第１及び第２抵抗層は、トリミング工程によって除去された溝（ｇｒｏｏｖｅ）を含む、請求項１または２に記載の抵抗素子。
前記抵抗層上に配置され、ガラス（ｇｌａｓｓ）材料を含む第１保護層と、
前記第１保護層上に配置され、ポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）材料を含む第２保護層と、をさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の抵抗素子。
前記第１及び第２端子のそれぞれは、前記ベース基材上に配置される第１及び第２内部電極と、前記第１及び第２内部電極上に配置される第１及び第２外部電極と、を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の抵抗素子。
前記第２抵抗層の抵抗温度係数（ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ：ＴＣＲ）の絶対値は１００ｐｐｍ／℃以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の抵抗素子。
前記第１抵抗層は、ガラス（ｇｌａｓｓ）をさらに含み、ペースト形態で印刷した後、焼成工程を通じて前記ベース基材に接合する、請求項１から６のいずれか一項に記載の抵抗素子。
複数の電極パッドを有する回路基板と、
前記回路基板に配置され、前記複数の電極パッドと連結された抵抗素子と、を含み、
前記抵抗素子は、互いに対向する第１及び第２面を有するベース基材、前記ベース基材の第１面に配置される第１抵抗層、前記ベース基材の両端部に配置される第１端子及び第２端子、及び前記第１抵抗層上に配置される第２抵抗層を含み、
前記第２抵抗層は、前記第１端子及び前記第２端子と連結され、銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物を含み、
前記第２抵抗層は、前記第１抵抗層と前記第１端子との間、及び前記第１抵抗層と前記第２端子との間に分けて配置される二つの抵抗体からなり、
前記第１抵抗層は、第１組成物を含み、前記銅－マンガン－スズ（Ｃｕ－Ｍｎ－Ｓｎ）系組成物の熱起電力は、前記第１組成物の熱起電力よりも小さい
抵抗素子アセンブリ。
前記第１抵抗層は、銅－ニッケル（Ｃｕ－Ｎｉ）系組成物を含む、請求項８に記載の抵抗素子アセンブリ。