JP7095615B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7095615B2 JP7095615B2 JP2019022885A JP2019022885A JP7095615B2 JP 7095615 B2 JP7095615 B2 JP 7095615B2 JP 2019022885 A JP2019022885 A JP 2019022885A JP 2019022885 A JP2019022885 A JP 2019022885A JP 7095615 B2 JP7095615 B2 JP 7095615B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- oxide film
- sic substrate
- silicon oxide
- insulating resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
Claims (1)
- SiC基板と、
前記SiC基板の上部に配置されており、Alによって構成されている第1配線と、
前記SiC基板の上部に配置されており、Alによって構成されており、前記第1配線から分離されている第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線の間の前記SiC基板の上面に設けられている溝部と、
前記第1配線と前記第2配線の間の前記SiC基板の前記上面と、前記溝部の内面を覆っている酸化シリコン膜と、
前記第1配線、前記酸化シリコン膜、及び、前記第2配線に跨る範囲を覆っている絶縁樹脂、
を有し、
前記絶縁樹脂の一部が、前記溝部内に配置されており、前記溝部内の前記酸化シリコン膜の表面を覆っており、
前記第1配線と前記第2配線の間の間隔が100μm以下である、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019022885A JP7095615B2 (ja) | 2019-02-12 | 2019-02-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019022885A JP7095615B2 (ja) | 2019-02-12 | 2019-02-12 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020136287A JP2020136287A (ja) | 2020-08-31 |
JP7095615B2 true JP7095615B2 (ja) | 2022-07-05 |
Family
ID=72263604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019022885A Active JP7095615B2 (ja) | 2019-02-12 | 2019-02-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7095615B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005093652A (ja) | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005260163A (ja) | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Fujitsu Ltd | 容量素子及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 |
JP2008060145A (ja) | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2011125274A1 (ja) | 2010-04-06 | 2011-10-13 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2014011329A (ja) | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Advanced Power Device Research Association | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2018093129A (ja) | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置 |
-
2019
- 2019-02-12 JP JP2019022885A patent/JP7095615B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005093652A (ja) | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005260163A (ja) | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Fujitsu Ltd | 容量素子及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 |
JP2008060145A (ja) | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2011125274A1 (ja) | 2010-04-06 | 2011-10-13 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2014011329A (ja) | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Advanced Power Device Research Association | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2018093129A (ja) | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020136287A (ja) | 2020-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9275921B2 (en) | Semiconductor device | |
US9711429B2 (en) | Semiconductor device having a substrate housed in the housing opening portion | |
US9362192B2 (en) | Semiconductor device comprising heat dissipating connector | |
JP6072626B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP6264334B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI648829B (zh) | 半導體裝置的散熱結構 | |
JP7006812B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6742538B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6319028B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7095615B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4687066B2 (ja) | パワーic | |
US8692244B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2015122453A (ja) | パワーモジュール | |
JP2017038019A (ja) | 半導体装置 | |
JP6718143B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2020105097A1 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2017126084A1 (ja) | 半導体装置 | |
US20150179540A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2011060883A (ja) | 絶縁ゲートトランジスタ | |
JP2006216596A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4547934B2 (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ | |
JP2020141003A (ja) | スイッチング素子とその製造方法 | |
JP7400267B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7134367B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2023044582A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20210322 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210716 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220606 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7095615 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |