JP7092496B2 - 垂直型発光ダイオードダイの構造およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイの構造およびその製造方法に関し、特に、高い熱伝導率、低い熱膨張係数および初透磁率を有する、垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイの構造およびその製造方法に関する。

発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）は半導体技術により作られる光源であり、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体により形成される。ＬＥＤの発光原理は半導体の中にある電子と正孔が結合して光子を放出するものである。ＬＥＤは、数千度の高温で動作する従来の電球とは異なり、蛍光灯のように高電圧で電子ビームを励起する必要がなく、一般的な電子素子と同様に、電圧が２～４Ｖであれば一般的な温度でも正常動作可能であるため、発光寿命も従来の光源より長い。

ＬＥＤの構造は水平型（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）構造と垂直型（Ｖｅｒｔｉｃａｌ）構造の二種類に別けられ、水平型ＬＥＤの２つの電極はＬＥＤチップと同一側に位置し、垂直型ＬＥＤの２つの電極はＬＥＤのエピタキシャル層の両側にそれぞれ位置する。垂直型ＬＥＤは、水平型ＬＥＤと比較して、輝度が高く、放熱が速く、光の減衰が小さく、安定性が高い等の長所を有し、かつ、構造、光電パラメーター、熱特性、光の減衰およびコスト等のほか、垂直型ＬＥＤの放熱効率も水平型ＬＥＤよりはるかに優れている。垂直型ＬＥＤの優れた放熱特性により、チップから発生した熱を直ちに放出させ、チップと蛍光体の性能を最低限まで低下させることで、ＬＥＤの輝度を高く、放熱を速く、光の減衰を小さく、色ズレを小さくし、その結果、より信頼できる安定性を提供する。

しかし、現在一般的なＬＥＤはとても広く活用されており、例えばスマートフォンに用いられることが可能である。この場合は、使用によりスマートフォンが過熱すると、その中に搭載されたＬＥＤチップに影響を与えるとともに、ＬＥＤチップの中の、ダイを載置しスマートフォンまたはその他のデバイスに接続するための基板にも影響を与える。この基板の熱膨張係数が良くない場合、温度変化により基板が湾曲変形しやすくなり、ＬＥＤチップの発光効率にも影響を及ぼす。

上述した従来ＬＥＤの欠点を考慮し、本発明は、特殊な構造および製造方法により、低コストで、高い熱伝導率、低い熱膨張係数および初透磁率を有する基板を製造可能な垂直型発光ダイオードダイの構造およびその製造方法を提供する。

本発明の主な目的は、一般的なシリコン基板より優れたワイヤーボンディングを有し、一般的な金属基板より製造コストが低く、ＬＥＤ製造工程に適した低い熱膨張係数および高い熱伝導率を有し、ＬＥＤ製造工程により適した金属複合基板を提供し、これにより搭載後のＬＥＤが温度によって基板に影響を与えたり基板が変形したりすることなく、安定的で高効率の発光を維持できる、垂直型発光ダイオードダイの構造およびその製造方法を提供することにある。

本発明のもう１つの目的は、高い熱伝導率および低い熱膨張係数以外に、初透磁率を有することによりＬＥＤダイに微小電流を導通させ、無線発光への応用を達成できる金属複合基板を供給可能な垂直型発光ダイオードダイの構造およびその製造方法を提供することにある。

本発明のさらなる目的は、初透磁率を有する金属複合基板により現在のマイクロＬＥＤが抱える大量移送の問題を解決し、製造工程においてＬＥＤを大量に搬送または移送可能な垂直型発光ダイオードダイの構造およびその製造方法を提供することにある。

本発明のさらなる目的は、水平型ＬＥＤよりも放熱効率が高い垂直型発光ダイオードダイの構造を提供し、ＬＥＤパッケージを形成する製造工程を経て、ＬＥＤモジュールの発光効率をより高くできる、垂直型発光ダイオードダイの構造およびその製造方法を提供することにある。

上述の目的を達成するために、本発明に係る垂直型発光ダイオードダイの構造は金属複合基板およびエピタキシャル電極層を含み、金属複合基板は第一金属層および２つの第二金属層を有し、第二金属層は第一金属層の上下表面にそれぞれ位置し、第一金属層および第二金属層が切断、真空加熱およびポリッシングの方式によって組み合わせられることにより、金属複合基板が高い熱伝導率、低い熱膨張係数および初透磁率を有するようになり、エピタキシャル電極層は金属複合基板上に位置する。

また、本発明に係る垂直型発光ダイオードダイの製造方法は、成長基板を提供するとともに、その上にエピタキシャル層を形成するステップと、切断、真空加熱およびポリッシングにより形成される金属複合基板を提供するステップと、金属複合基板上に接続金属層を形成し、接続金属層によって金属複合基板とエピタキシャル層とを接合するステップと、成長基板を除去するステップと、エピタキシャル層の上面に複数の電極ユニットを設置するステップと、電極ユニットの数量に応じて分割を行い、金属複合基板上に複数のエピタキシャルダイを形成するステップと、を含む。

本発明において、エピタキシャル電極層は、金属複合基板上に位置する接続金属層を含み、少なくとも１つのエピタキシャルダイが接続金属層上に位置し、各エピタキシャルダイ上には電極ユニットを備える。

本発明において、第一金属層はニッケル－鉄合金であり、第二金属層は銅である。

本発明において、金属複合基板の第二金属層、第一金属層、第二金属層の厚さの比は１：２．５～３．５：１である。

本発明において、金属複合基板の厚さは２００μｍ以下である。

本発明において、切断はレーザー切断であり、ポリッシングは化学的機械研磨または銅金属ポリッシング方法である。

本発明において、金属複合基板は初透磁率によりエピタキシャル電極層に微小電流を導通可能にする。

本発明において、エピタキシャルダイを形成した後、エピタキシャルダイの組数に基づいて分割を行い、ワイヤーボンディングおよびパッケージングによりＬＥＤを形成する。

本発明において、ＬＥＤは無線発電機能を有して無線発光する。

本発明において、成長基板は化学溶液またはレーザー方式により除去される。

LＥＤの発光を安定させて効率を高め、かつ垂直型発光ダイオードへ効果的に応用するために、本発明はダイの構造および製造方法を改良する。これにより、ダイ下の基板の熱膨張係数を変えて熱伝導率を高めることで、将来的にＬＥＤが高温環境下に置かれても、基板の変形により発光強度が変わることがないほか、基板の特殊材料を用いることで、無線発電により無線発光するといった応用が可能になる。

本発明の垂直型発光ダイオードダイの第一実施例における構造を示す図である。 本発明の垂直型発光ダイオードダイの第一実施例における製造方法のステップを示すフローチャートである。 本発明の第一実施例の構造を製造する際の、各ステップにおける構造を示す図である。 本発明の第一実施例の構造を製造する際の、各ステップにおける構造を示す図である。 本発明の第一実施例の構造を製造する際の、各ステップにおける構造を示す図である。 本発明の第一実施例の構造を製造する際の、各ステップにおける構造を示す図である。 本発明の第一実施例の構造を製造する際の、各ステップにおける構造を示す図である。 本発明の第一実施例の構造を製造する際の、各ステップにおける構造を示す図である。 本発明の垂直型発光ダイオードダイの第二実施例における構造を示す図である。

本発明の目的、技術的内容、特徴および達成される効果のさらなる理解のため、具体的な実施例と添付の図面を併せて、以下に詳しく説明する。

まず、本発明の図１を参照されたい。垂直型発光ダイオードダイ（以下、ＶＬＥＤダイと称する）１０の構造は金属複合基板１２およびエピタキシャル電極層１３を含む。エピタキシャル電極層１３はさらに接続金属層１４、少なくとも１つのエピタキシャルダイ１６および少なくとも１つの電極ユニット１８を含む。本実施例では、まず１つのエピタキシャルダイ１６を例に挙げて説明する。接続金属層１４は金属複合基板１２上に位置し、エピタキシャルダイ１６は接続金属層１４上に位置し、電極ユニット１８はエピタキシャルダイ１６上に位置する。

上の段落に続いて、金属複合基板１２は第一金属層１２２および２つの第二金属層１２４を有する。この２つの第二金属層１２４は第一金属層１２２の上下表面上にそれぞれ位置する。本実施例において、第一金属層１２２はニッケル含有量が３６％のニッケル－鉄合金であり、第二金属層１２４は銅である。第一金属層１２２と第二金属層１２４の厚さの比は２．５～３．５：１であり、下から上に向かって形成された第二金属層１２４：第一金属層１２２：第二金属層１２４の厚さの比は１：２．５～３．５：１となる。本実施例では、まず、第一金属層１２２と第二金属層１２４の厚さの比を３：１として説明する。例えば、第一金属層１２２の最適な厚さが６０μｍだとすると、第二金属層１２４の最適な厚さは２０μｍとなるが、これに限定されない。金属複合基板１２の厚さは２００μｍ以下であってもよい。

さらに、接続金属層１４はコンタクト層１４２、反射層１４４および電流拡散層１４６を有し、コンタクト層１４２は金属複合基板１２上に位置し、反射層１４４はコンタクト層１４２上に位置し、電流拡散層１４６は反射層１４４上に位置し、反射層１４４上にはエピタキシャルダイ１６が設けられる。本実施例において、コンタクト層１４２はｐ－コンタクトであり、反射層１４４はリフレクターであり、電流拡散層１４６はｐ－ＧａＰである。

そして、さらにエピタキシャルダイ１６は、第一ＡｌＧａＩｎＰ層１６２、多重量子井戸（ＭＱＷｓ）層１６４、第二ＡｌＧａＩｎＰ層１６６およびＧａＡｓ層１６８を含む。第一ＡｌＧａＩｎＰ層１６２は電流拡散層１４６上に位置し、多重量子井戸層１６４は第一ＡｌＧａＩｎＰ層１６２上に位置し、第二ＡｌＧａＩｎＰ層１６６は多重量子井戸層１６４上に位置し、ＧａＡｓ層１６８は第二ＡｌＧａＩｎＰ層１６６上に位置し、かつＧａＡｓ層１６８上には電極ユニット１８が設けられる。本実施例において、第一ＡｌＧａＩｎＰ層１６２はｐ－ＡｌＧａＩｎＰであり、第二ＡｌＧａＩｎＰ層１６６はｎ－ＡｌＧａＩｎＰであり、ＧａＡｓ層１６８はｎ－ＧａＡｓである。

本発明の構造を説明した後は、本発明のＶＬＥＤダイの製造方法について詳しく説明する。図２および図３ａ～図３ｆを参照されたい。まず、図２と図３ａを同時に参照すると、ステップＳ１０では、成長基板２０を提供するとともに、成長基板２０上にエピタキシャル層２２を形成し、エピタキシャル層２２上に接続金属層１４を設置する。接続金属層１４は下から上の順に電流拡散層１４６、反射層１４４、コンタクト層１４２を含む。本実施例の成長基板２０はＧａＡｓ基板である。次に、図２と図３ｂを同時に参照すると、ステップＳ１２では、レーザー切断、真空加熱およびポリッシングの方式を利用し、図のような、２つの第二金属層１２４が第一金属層１２２の上下にそれぞれ位置する構造を形成する金属複合基板１２を提供する。本実施例において、ポリッシングは半導体製造工程の化学的機械研磨（ＣＰＭ）であるが、使用者が銅金属を用いたポリッシング方法を選ぶこともできる。いかなるポリッシング方法を用いるとしても、表面粗さが０．５～０．０１μｍとなるように第二金属層１２４の銅表面を接合面としてポリッシングすることができる。レーザー切断の場合はＵＶ－レーザー（２６６ｎｍ）規格を使用し、真空加熱温度の範囲が１５０～２５０℃、圧力が１００～２５０Ｔｏｒｒの範囲、加熱時間が１０～３０分となり、これにより、金属複合基板１２の応力を除去でき、厚さが２００μｍより小さい平坦な金属片を形成する。次に、本発明の図３ｃを合わせて参照すると、ステップＳ１４で示すように、金属複合基板１２をエピタキシャル層２２に接合するが、本発明は接合方式を限定しない。ステップＳ１６で示すように、金属複合基板１２をエピタキシャル層２２に接合した後、化学溶液を用いて成長基板２０を除去してもよい。成長基板２０を除去した後の構造は図３ｄを参照されたい。本実施例では、化学溶液がＮＨ_４ＯＨおよびＨ_２Ｏ_２の混合溶液であり、化学溶液を使用する以外に、レーザー切断方法を用いて切断を行ってもよいが、本発明は実施例の切断方法に限定されない。次に、図３ｅを合わせて参照すると、ステップＳ１８で示すように、アニール処理によりエピタキシャル層２２の上面に複数の電極ユニット１８を設置する。電極ユニット１８は、ＡｕＧｅとＡｕの比率を２：３とし、３６０℃の温度でアニール処理を施すことで形成される。図３ｅは断面図の方式で示しており、２つの電極ユニット１８を例に挙げて説明するが、本発明は電極ユニット１８の数量を限定せず、使用者の要求に応じて電極ユニット１８を配置してもよく、電極ユニット１８の数量が複数であってもよい。次に、図３ｆを合わせて参照すると、ステップＳ２０で示すように、電極ユニット１８の数量に応じてエピタキシャル層２２を分割し、各接続金属層１４上にエピタキシャルダイ１６を形成する。エピタキシャルダイ１６は上から下の順に第一ＡｌＧａＩｎＰ層１６２、多重量子井戸層１６４、第二ＡｌＧａＩｎＰ層１６６およびＧａＡｓ層１６８を含む。垂直型発光ダイオードダイ１０の最底部は第一金属層１２２および第二金属層１２４を有する金属複合基板１２である。図３ｆは図３ｅと同様に、２つのエピタキシャルダイ１６のみを示しているが、本発明はこれに限定されず、電極ユニット１８の数量に基づいてエピタキシャルダイ１６を分割してもよい。上述の２つのエピタキシャルダイ１６とその上の２つの電極ユニット１８は一組とされる。なお、本発明では、分割方法がレーザー切断または化学エッチング等を用いた方法に限定されない。

本発明は上述の製造方法により形成されたＶＬＥＤダイ構造では、金属複合基板の条件が従来のシリコン基板と異なり、後続のワイヤーボンディング・パッケージング工程においてより良い歩留まり率を有し、Ｍｏ、ＣｕＷおよびその混合金属のような他の金属基板と比べてさらに低コストである。また、本発明の金属複合基板は２種類の金属と１つの混合金属を組み合わせて積層されたため、一般的な金属基板と異なり、熱膨張係数の範囲が５～７ｐｐｍ／Ｋであり、最適な実施例おいて熱膨張係数が６．１（ｐｐｍ／Ｋ＠２０℃）となり、高すぎず低すぎない。また、本発明の金属複合基板は、高い熱伝導率を有し、その熱伝導率が２０～４０Ｗ／ｍＫ（垂直方向）および１７０～２８０Ｗ／ｍＫ（水平方向）となる。また、金属複合基板は接続金属層を介してエピタキシャル層に接合し、かつこの金属複合基板は十分に薄いため、余分な薄化処理を施す必要がない。すなわち、本発明は、最も好ましい低膨張係数、高熱伝導率、低コスト、高歩留まり率を有するほか、エピタキシャル層に容易に接合する金属複合基板を提供することが可能である。また、本発明の金属複合基板は、２０００よりも大きい初透磁率（Ｉｎｉｔｉａｌ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ）の軟磁性を有するため、初透磁率によりエピタキシャル電極層に微小電流を導通可能にする。こうすることで、本発明により形成されたＶＬＥＤダイ構造をLＥＤモジュールに搭載することで、無線発電機能が備わり、無線発光という新しい活用法を実現でき、高効率のＬＥＤの適用ニーズにも対応できる。また、本発明の金属複合基板は、上述した軟磁性によって金属複合基板自体が透磁構造となり、製造作業過程に効果的に応用できる。各ＬＥＤダイの体積が非常に微小であるため、手作業でＬＥＤダイを挟み取るのは容易ではない。一方、機械によってＬＥＤダイを挟み取るにしても、非常に精密さが求められるので、大量伝送は相当困難となる。しかし、将来的には、微小な磁針のような磁性を有する器材と組み合わせてロボットアームに応用すれば、本発明の軟磁性を有するＶＬＥＤダイの構造を大量に吸い付けることができ、製造作業過程においてこの磁力を活用して大量移送の効果を達成でき、工業生産の競争力を効果的に高めるとともに、現在のマイクロＬＥＤが抱える大量移送技術の欠点を解決することができる。

本発明により形成されたＶＬＥＤダイは、エピタキシャルダイが形成された後、２つずつで一組となるエピタキシャルダイと電極ユニットの組数に基づいて複数組に切断されるとともに、ワイヤーボンディングおよびパッケージングの工程により、ＶＬＥＤが形成される。本発明は後続の工程手順、構造および数量を限定しない。上述した実施例はエピタキシャルダイを一組のみに切断した場合の図である。なお、本発明は切断後の組数を限定せず、複数のエピタキシャルダイにより複数組を形成でき、かつ各組が２つのエピタキシャルダイおよび電極ユニットを含むＶＬＥＤダイを、使用者のニーズに合わせて設計できる。主にこのように形成されたＶＬＥＤは、どのような温度環境下でも、一般的なＶＬＥＤと比べて優れた熱膨張係数の金属複合基板を備えるので、温度の変化による変形の発生を回避できる。本発明はＬＥＤの高効率の発光効果を安定に維持できる。

例えば、本発明のエピタキシャル電極層の構造は限定されない。また、接続金属層上のエピタキシャルダイの数量は少なくとも１つであるが、２つ以上であってもよく、将来的に使用者によるＬＥＤのエピタキシャルダイの分割工程への制限によって定められる。したがって、本発明が次に提案するダブルエピタキシャル構造については、図４を参照されたい。ＶＬＥＤダイ３０の構造は金属複合基板３２およびエピタキシャル電極層３３を含み、エピタキシャル電極層３３は接続金属層３４、２つのエピタキシャルダイ３６および２つの電極ユニット３８を含み、接続金属層３４は金属複合基板３２上に位置し、２つのエピタキシャルダイ３６は接続金属層３４上に位置し、２つの電極ユニット３８はエピタキシャルダイ３６上にそれぞれ位置する。金属複合基板３２は第一金属層３２２および２つの第二金属層３２４を有し、この２つの第二金属層３２４は第一金属層３２２の上下表面上にそれぞれ位置する。接続金属層３４には、下から上の順でコンタクト層３４２、反射層３４４および電流拡散層３４６が設けられ、コンタクト層３４２は金属複合基板３２上に位置し、反射層３４４上には２つのエピタキシャルダイ３６が設けられる。各エピタキシャルダイ３６には、第一ＡｌＧａＩｎＰ層３６２、多重量子井戸層３６４、第二ＡｌＧａＩｎＰ層３６６およびＧａＡｓ層３６８が順に設けられる。第一ＡｌＧａＩｎＰ層３６２は電流拡散層３４６上に位置し、ＧａＡｓ層３６８上には電極ユニット３８が設けられる。この実施例の構成および製造工程方式は前述の実施例と同じであるが、エピタキシャルダイ３６に応じて分割するとき、２つのエピタキシャルダイ３６を一組として分割することで、図４で示すＶＬＥＤダイ３０を切り出すとともに、接続金属層３４までに２つのエピタキシャルダイ３６を切断する点で前述の実施例と異なる。

上述の実施例は本発明の技術思想および特徴を説明するためのものに過ぎず、その目的は、この技術分野を熟知する者が本発明の内容を理解し実施できるようにすることにあり、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。したがって、本発明の精神に基づいてなされた変更や潤色はすべて、本発明の特許請求の範囲内に含まれる。

１０ 垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ
１２ 金属複合基板
１２２ 第一金属層
１２４ 第二金属層
１３ エピタキシャル電極層
１４ 接続金属層
１４２ コンタクト層
１４４ 反射層
１４６ 電流拡散層
１６ エピタキシャルダイ
１６２ 第一ＡｌＧａＩｎＰ層
１６４ 多重量子井戸層
１６６ 第二ＡｌＧａＩｎＰ層
１６８ ＧａＡｓ層
１８ 電極ユニット
２０ 成長基板
２２ エピタキシャル層
３０ 垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ
３２ 金属複合基板
３２２ 第一金属層
３２４ 第二金属層
３３ エピタキシャル電極層
３４ 接続金属層
３４２ コンタクト層
３４４ 反射層
３４６ 電流拡散層
３６ エピタキシャルダイ
３６２ 第一ＡｌＧａＩｎＰ層
３６４ 多重量子井戸層
３６６ 第二ＡｌＧａＩｎＰ層
３６８ ＧａＡｓ層
３８ 電極ユニット

Claims (10)

1. 第一金属層、および前記第一金属層の上下表面上にそれぞれ位置する２つの第二金属層を有する金属複合基板と、
   前記金属複合基板上に位置するエピタキシャル電極層と、
   を含み、
   前記第一金属層は、ニッケル－鉄合金であって、ニッケルを３６％含むインバーであり、
   前記第二金属層は、銅であり、
   前記金属複合基板は、
   熱伝導率が、垂直方向において２０～４０Ｗ／ｍＫ、水平方向において１７０～２８０Ｗ／ｍＫであり、
   熱膨張係数が５～７ｐｐｍ／Ｋであり、
   初透磁率が２０００Ｈ／ｍより大きく、
   前記金属複合基板は、前記初透磁率により前記エピタキシャル電極層に微小電流を導通可能にする、
   垂直型発光ダイオードダイの構造。
2. 前記エピタキシャル電極層は、
   前記金属複合基板上に位置する接続金属層と、
   前記接続金属層上に位置し、各々が電極ユニットを備える、少なくとも１つのエピタキシャルダイと、
   をさらに含む、請求項１に記載の垂直型発光ダイオードダイの構造。
3. 前記金属複合基板の前記第二金属層、前記第一金属層、前記第二金属層の厚さの比は１：２．５～３．５：１である、請求項１又は請求項２に記載の垂直型発光ダイオードダイの構造。
4. 前記金属複合基板の厚さは２００μｍ以下である、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の垂直型発光ダイオードダイの構造。
5. 成長基板を提供するとともに、前記成長基板上にエピタキシャル層を形成することと、
   切断、真空加熱およびポリッシングにより形成された金属複合基板を提供することと、
   前記金属複合基板上に接続金属層を形成し、前記金属複合基板を前記接続金属層により前記エピタキシャル層に接合することと、
   前記成長基板を除去することと、
   前記エピタキシャル層の上面に複数の電極ユニットを設置することと、
   複数の前記電極ユニットの数量に応じて分割を行い、前記金属複合基板上に複数のエピタキシャルダイを形成することと、
   を含み、
   前記金属複合基板は、
   ニッケル－鉄合金であって、ニッケルを３６％含むインバーからなる第一金属層と、
   前記第一金属層の上下表面上にそれぞれ位置し、銅からなる２つの第二金属層と、
   を含み、
   熱伝導率が、垂直方向において２０～４０Ｗ／ｍＫ、水平方向において１７０～２８０Ｗ／ｍＫであり、
   熱膨張係数が５～７ｐｐｍ／Ｋであり、
   透磁率が２０００Ｈ／ｍより大きく、
   発光ダイオードは無線発電機能を有して無線発光する、
   垂直型発光ダイオードダイの製造方法。
6. 前記複数のエピタキシャルダイを形成した後、前記複数のエピタキシャルダイの組数に基づいて分割を行い、ワイヤーボンディングおよびパッケージングにより発光ダイオードを形成する、請求項５記載の垂直型発光ダイオードダイの製造方法。
7. 前記切断はレーザー切断であり、前記ポリッシングは化学的機械研磨または銅金属ポリッシング方法である、請求項５又は請求項６のいずれか１項に記載の垂直型発光ダイオードダイの製造方法。
8. 前記金属複合基板の前記第二金属層、前記第一金属層、前記第二金属層の厚さの比は１：２．５～３．５：１である、請求項５～請求項７のいずれか１項に記載の垂直型発光ダイオードダイの製造方法。
9. 前記金属複合基板の厚さは２００μｍ以下である、請求項５～請求項８のいずれか１項に記載の垂直型発光ダイオードダイの製造方法。
10. 化学溶液またはレーザー方式により前記成長基板を除去する、請求項５～請求項９のいずれか１項に記載の垂直型発光ダイオードダイの製造方法。

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