JP7081063B1 - めっき方法及びめっき装置 - Google Patents

Abstract

基板のシード層の劣化を抑制する技術を提供することを目的の一つとする。基板ホルダに基板を保持する工程であり、前記基板ホルダが前記基板を保持した状態で、前記基板に給電するコンタクトをめっき液から保護するシール空間が形成され、前記シール空間内において前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が局所的に液体で被覆される工程と、 前記基板ホルダに保持された前記基板をめっき液中に浸漬させアノードと対向させる工程と、 前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が液体で被覆された状態で、前記基板と前記アノードとの間に電流を供給して前記基板をめっき処理する工程と、を含む、めっき方法。

Description

本発明は、めっき方法及びめっき装置に関する。

従来、基板にめっき処理を施すことが可能なめっき装置として、特開２００４－２２５０８９号公報（特許文献１）に記載されたような、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている。このようなめっき装置は、めっき液を貯留するとともに、アノードが配置されためっき槽と、アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダ（めっきヘッドとも称する）とを備えている。このような基板ホルダとしては、ウエハ（基板）の外周部のコンタクト領域に接触して給電するための複数のコンタクトと、複数のコンタクトをめっき液から遮蔽するシールとを備えるものがある

また、特開２００３－２７２８８号公報（特許文献２）の基板保持部のように、各コンタクトを円筒状のシール材で囲み、シール材内部を金属イオンが存在しない導電性の液体で満たすことにより、円筒状のシール材の間から気泡が容易に抜けるようにするとともに、コンタクトにめっき液の結晶が付着しないようにするものがある。

特開２００４－２２５０８９号公報 特開２００３－２７２８８号公報

別ユニットで基板にプリウェット等の前処理を行った後、基板をめっき槽に搬送する場合、基板外周部のコンタクトと接触する領域（コンタクト領域）が濡れた状態になる。基板のコンタクト領域を乾燥させてからめっき処理しようとすると、基板外周部のパターンも乾燥しめっき不良となる虞がある。即ち、基板のコンタクト領域を乾燥させた場合、周囲のパターン開口内まで水が抜け、めっき中にパターン開口内に気泡が残りめっきされない異常が発生する虞がある。

また、コンタクト表面に付着した汚れや、基板ホルダの部品の隙間から染み出しためっき液が、基板とコンタクトとの接触箇所付近に付着した状態でめっき処理すると、接触箇所付近のシード層が溶解し、給電ばらつきが生じ、めっき膜厚の面内均一性が低下する虞がある。また、コンタクト洗浄後、コンタクトが完全に乾燥していない状態（部分的に濡れている）状態でめっき処理すると基板上のシード層にダメージを与える可能性がある。

特開２００３－２７２８８号公報（特許文献２）に記載の基板保持部では、コンタクトごとに設けられた円筒状のシール材内を導電性の液体で満たすため、濡れた基板をコンタクトに接触させても問題は比較的少ないと推測されるが、コンタクトごとに円筒状のシール材を配置し、各円筒状のシール材内に導電性の液体を供給する必要がある。

本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、めっき処理において簡易な構成で基板のシード層の劣化を抑制する技術を提供することを目的の一つとする。

本発明の一側面によれば、基板ホルダに基板を保持する工程であり、前記基板ホルダが前記基板を保持した状態で、前記基板に給電するコンタクトをめっき液から保護するシール空間が形成され、前記シール空間内において前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が局所的に液体で被覆される工程と、 前記基板ホルダに保持された前記基板をめっき液中に浸漬させアノードと対向させる工程と、 前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が液体で被覆された状態で、前記基板と前記アノードとの間に電流を供給して前記基板をめっき処理する工程と、を含む、めっき方法が提供される。

一実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 一実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。 一実施形態に係るめっき装置のめっきモジュールの構成を説明するための模式図である。 一実施形態に係る基板ホルダの一部を拡大して模式的に示す断面図である。 めっき装置の制御方法の流れを示すフローチャートである。 めっき装置の制御方法の流れを説明する説明図である。 めっき装置の制御方法の流れを説明する説明図である。 コンタクトの洗浄で使用される洗浄液の液量とシード層の外観の変化との関係を示す測定例である。 コンタクトを覆う洗浄液の高さ及び径を説明する説明図。 コンタクトを覆う洗浄液の電導度とシード層の外観の変化との関係を示す測定例である。 コンタクトを覆う洗浄液の電導度と面内均一性との関係を示す測定例である。 局部電池効果よるシード層の溶解を説明する説明図である。 シャント電流によるシード層の溶解を説明する説明図である。

以下、本発明の実施形態に係るめっき装置１０００及びめっき方法について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面は、物の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。

図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容されたウェハ（基板）を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。

なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。

続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。

図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００の構成を説明するための模式図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、フェースダウン式又はカップ式と称されるタイプのめっき装置である。本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、主として、めっき槽１０と、オーバーフロー槽２０と、めっきヘッドとも称される基板ホルダ３０と、回転機構４０と、傾斜機構４５と、昇降機構４６と、を備えている。但し、傾斜機構４５は省略されてもよい。

本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。めっき槽１０は、底壁と、この底壁の外周縁から上方に延在する外周壁とを有しており、この外周壁の上部が開口している。めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。本実施形態では、めっき槽１０は、円筒形状を有している。

めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない構成とすることもできる。

めっき槽１０の内部には、アノード１６が配置されている。アノード１６の具体的な種類は特に限定されるものではなく、溶解アノードや不溶解アノードを用いることができる。本実施形態においては、アノード１６として不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。

オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外側に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の上端を超えためっき液Ｐｓを一時的に貯留する。一例では、オーバーフロー槽２０のめっき液Ｐｓは、オーバーフロー槽２０用の排出口（図示せず）から排出されて、リザーバータンク（図示せず）に一時的に貯留された後に、再び、めっき槽１０に戻される。

めっき槽１０の内部におけるアノード１６よりも上方には、多孔質の抵抗体１７が配置されている。具体的には、抵抗体１７は、複数の孔（細孔）を有する多孔質の板部材によって構成されている。抵抗体１７よりも下方側のめっき液Ｐｓは、抵抗体１７を通過して、抵抗体１７よりも上方側に流動することができる。この抵抗体１７は、アノード１６と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。このような抵抗体１７がめっき槽１０に配置されることで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。なお、抵抗体１７は本実施形態において必須の構成ではなく、本実施形態は抵抗体１７を備えていない構成とすることもできる。

図３に示すように、基板ホルダ３０は、カソードとしての基板Ｗｆを保持する部材である。具体的には、基板ホルダ３０は、アノード１６よりも上方（本実施形態では、さらに抵抗体１７よりも上方）に配置されている。基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの下面Ｗｆａがアノード１６や抵抗体１７に対向するように基板Ｗｆを保持している。なお、基板Ｗｆの下面Ｗｆａは、被めっき面に相当する。

本実施形態に係る基板ホルダ３０は、第１保持部材３１と、第２保持部材３２と、コンタクト５０と、シール部材５５と、を備えている。基板ホルダ３０は、第１保持部材３１及び第２保持部材３２によって基板Ｗｆを挟持するように、基板Ｗｆを保持している。第１保持部材３１は、基板Ｗｆの上面Ｗｆｂを保持している。第２保持部材３２は、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの外周部を保持している。具体的には、本実施形態に係る第２保持部材３２は、シール部材５５を介して、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの外周部を保持している。基板ホルダ３０が基板Ｗｆを保持する際、シール部材５５が基板Ｗｆに密着し、コンタクト５０及び基板Ｗｆのコンタクト領域（基板外周部のコンタクト５０と接触する領域）をめっき液から保護するシール空間３３が形成される。

図３に示すように、基板ホルダ３０は、回転機構４０の回転軸４１に接続されている。回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させるための機構である。回転機構４０としては、モータ等の公知の機構を用いることができる。傾斜機構４５は、回転機構４０及び基板ホルダ３０を傾斜させるための機構である。傾斜機構４５としては、ピストン・シリンダ等の公知の傾斜機構を用いることができる。昇降機構４６は、上下方向に延在する支軸４７によって支持されている。昇降機構４６は、基板ホルダ３０、回転機構４０、及び、傾斜機構４５を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構４６としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。

めっき処理を実行する際には、回転機構４０が基板ホルダ３０を回転させるとともに、昇降機構４６が基板ホルダ３０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる。また、このように、基板Ｗｆをめっき液Ｐｓに浸漬させる際、傾斜機構４５は必要に応じて基板ホルダ３０を傾斜させてもよい。次いで、通電装置／電源（図示せず）によって、アノード１６と基板Ｗｆとの間にめっき液Ｐｓを介して電気を流す。これにより、基板Ｗｆの下面Ｗｆａに、めっき皮膜が形成される。

めっきモジュール４００の動作は、制御モジュール８００によって制御される。制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）８０１や、非一時的な記憶媒体としての記憶部８０２、等を備えている。制御モジュール８００は、記憶部８０２に記憶されたプログラムの指令に基づいてＣＰＵ８０１が動作することで、めっきモジュール４００の被制御部を制御する。プログラムは、例えば、搬送ロボット、搬送装置の搬送制御、各処理モジュールにおける処理の制御、めっきモジュールにおけるめっき処理の制御、洗浄処理を制御を実行するプログラム、各種機器の異常を検出するプログラムを含む。記憶媒体は、不揮発性及び／又は揮発性の記憶媒体を含むことが可能である。記憶媒体としては、例えば、コンピュータで読み取り可能なＲＯＭ、ＲＡＭ、フラッシュメモリなどのメモリや、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。制御モジュール８００は、めっき装置及びその他の関連装置を統括制御する図示しない上位コントローラと通信可能に構成され、上位コントローラが有するデータベースとの間でデータのやり取りをすることができる。制御モジュール８００の一部又は全部の機能は、ＡＳＩＣ等のハードウェアで構成することができる。制御モジュール８００の一部又は全部の機能は、ＰＬＣ、シーケンサ等で構成してもよい。制御モジュール８００の一部又は全部は、めっき装置の筐体の内部及び／又は外部に配置することができる。制御モジュール８００の一部又は全部は、有線及び／又は無線によりめっき装置の各部と通信可能に接続される。

図４は、基板ホルダ３０の一部（図３のＡ１部分）を拡大して模式的に示す断面図である。図３及び図４を参照して、本実施形態に係る基板ホルダ３０には、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの外周部のコンタクト領域に接触して基板Ｗｆに電気を給電するコンタクト５０が配置されている。具体的には、本実施形態に係るコンタクト５０は、基板ホルダ３０の第２保持部材３２に配置されている。本実施形態に係るコンタクト５０は、基板ホルダ３０の周方向（具体的には第２保持部材３２の周方向）に、複数配置されている。各コンタクト５０は、複数（例えば４つ）のフィンガーと称される板状電極を備えている。複数のコンタクト５０は、基板ホルダ３０の周方向に、均等に配置されている。なお、複数のコンタクト５０の数は特に限定されるものではないが、本実施形態では、一例として、１２個である。複数のコンタクト５０は、通電装置（図示せず）と電気的に接続されており、通電装置から供給された電気を基板Ｗｆ（より詳細には、基板Ｗｆの下面Ｗａに形成されたシード層Ｓｄ）に給電する。

本実施形態に係るめっきモジュール４００は、図３及び図４に示すように、めっき槽１０のめっき液Ｐｓがコンタクト５０に接触することを抑制するためのシール部材５５を備えている。シール部材５５は、基板側に向かって突出するように設けられたリップ部５５Ａを有し、リップ部５５Ａが、基板Ｗｆの下面Ｗｆａに接触する。具体的には、本実施形態に係るシール部材５５のリップ部５５Ａは、コンタクト５０よりも内側（基板ホルダ３０の径方向で内側）に配置されており、基板ホルダ３０に基板Ｗｆが保持された際に、基板ホルダ３０の第２保持部材３２と基板Ｗｆの下面Ｗｆａとの間に挟持される。この例では、リップ部５５Ａは、シール部材５５の径方向内側の端部付近に設けられている。シール部材５５は、例えば、基板Ｗｆの外周部に沿うようにリング形状を有している。めっきモジュール４００がこのようなシール部材５５を備えることで、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された場合に、めっき液Ｐｓがコンタクト５０に接触することが効果的に抑制される。

図４に示すように、基板ホルダ３０の第２保持部材３２は、外周壁３２Ａと、外周壁３２Ａの下端付近で径方向内側に突出する基板受部３２Ｂとを備えている。シール部材５５は、基板受け部３２に設けられている。第２保持部材３２は、シール部材５５を保持する部材であるため、シールリングホルダ（ＳＲＨ）とも称される。なお、第２保持部材３２は、複数の部材を組み立てた構成としてもよい。例えば、外周壁３２と基板受け部３２Ｂとが別体で設けられ、互いに結合されてもよい。リップ部５５Ａは、基板Ｗｆに接触して、図３に示すように、基板ホルダ３０内にシール空間３３を形成し、コンタクト５０と基板Ｗｆ（後述するコンタクト領域のシード層Ｓｄ）との接触箇所をめっき液Ｐｓから遮蔽／保護する。

本実施形態では、図４に示すように、コンタクト５０の基板Ｗと接触する接触部分（この例では先端部）を、後述する所定の閾値未満に電導度が管理された液体６０で覆った状態で、基板Ｗｆにめっき処理を実施することを特徴とする。液体６０は、純水、脱気水、その他の液体（プリウェット、プリソーク、洗浄等の処理に使用される液体）とすることができる。具体的には、めっき処理後に、コンタクト５０を装置から外すことなく純水をかけることができる洗浄ノズル７１（図７参照）と、洗浄排液を受ける液受トレー７２とを設け、液受トレー７２、及び／又は洗浄排液を排出する洗浄配管７３内に、洗浄排液の電気伝導度（電導度）を測定する電導度計７４を配置し、コンタクト５０の洗浄度を洗浄排液の電導度から測定する。電導度が実験等で決めた所定の閾値を下回った時に洗浄ノズル７１からの洗浄液の供給を止める。めっき処理時には、コンタクト５０と基板Ｗｆとの接触箇所が、電導度管理された液体６０で覆われた状態で、コンタクト５０と基板Ｗｆとの間に電流を流す。本実施形態では、基板受部３２Ｂに、コンタクト５０の基板Ｗと接触する接触部分を被覆するための液体６０を保持することができる。また、本実施形態では、シール部材５５（図４の例ではリップ部５５Ａ）が液体６０が径方向内方に垂れるのを抑制又は防止する役割を果たす。また、基板受部３２Ｂの外周側では、外周壁３２Ａが液体６０の移動を規制する役割を果たす。従って、基板ホルダ３０の基板受部３２Ｂ、シール部材５５、及び外周壁３２Ａが液体６０を保持する容器部を構成するということもできる（但し、液体６０が外周壁２３Ａに接触しなくてもよい）。

後述する実験によれば、本実施形態の構成では、洗浄ノズル７１からの純水供給は１３ｍＬ以上とし、その間に少なくとも基板ホルダ３０を１周回転させ、コンタクト５０に均一に純水が供給されるようにする。１３ｍＬの液量は、コンタクト５０の１フィンガーの基板Ｗｆ（シード層Ｓｄ）との接触箇所が完全に濡れるために必要な純水の液量をコンタクト１２個分（基板Ｗｆ１周分）足し合わせた値であり、言い換えれば、基板ホルダ３０の全てのコンタクト５０の基板Ｗｆとの接触箇所が完全に濡れるために必要な純水の液量である。

また、後述する実験により、本実施形態の構成では、電導度の閾値は５０μＳ／ｃｍ以下とすると、基板Ｗｆのシード層Ｓｄへのダメージがないことが分かった。即ち、コンタクト５０の洗浄後、コンタクト５０に付着した液体（例えば、純水）を振り切ることなく、電導度が所定の閾値以下で管理された洗浄液をそのまま次の基板処理用のコンタクト・基板接触箇所の被覆液（被覆水）として使用することを特徴とする。これにより、コンタクトを乾燥させる手間を省くことができ、かつコンタクト５０及び基板Ｗｆが中途半端に濡れた状態でめっき処理されることを防止することができる。

また、プリウェット処理等の前処理で濡らした基板Ｗｆのコンタクト領域（コンタクト５０と接触する領域）をめっき終了まで乾燥させないことを特徴とする。これにより、以下の不都合を抑制又は防止することができる。前処理で濡らした基板のコンタクト領域を乾燥させると、周囲のパターン開口内まで水が抜け、めっき中にパターン開口内に気泡が残ってこの部分がめっきされない異常が発生する虞があり、また、中途半端に乾燥した基板のコンタクト領域のシード層表面が酸化し導通不良が発生する虞がある。また、基板のシード層とコンタクトの接触箇所が中途半端に濡れていると、溶存酸素に起因する局部電池作用及び／又はシャント電流（コンタクト５０と基板Ｗｆのシード層Ｓｄとの接触箇所以外でコンタクト５０とシード層Ｓｄの間に液体を介して流れる分流）によりシード層Ｓｄが溶解し、給電ばらつきを生じ、めっき膜厚の面内均一性を低下させる虞がある。

図１２は、溶存酸素に起因する局部電池効果によるシード層の溶解を説明する説明図である。空気で満たされたシール空間３３（図３）においてコンタクト５０との接触箇所付近のシード層Ｓｄに液体Ｑが付着する場合を考える。このとき、同図に示すように、空気中の酸素Ｏ_２が液体Ｑに溶け込み、シード層ＳｄのＣｕがＯ_２に電子を渡し、Ｏ_２がＯＨ^－となると共に、ＣｕがＣｕ^２＋となって液体Ｑに溶け出す局部電池の作用が発生し、シード層Ｓｄが溶解する。この反応により、シード層ＳｄからＣｕが溶け出してシード層Ｓｄが薄くなってシード層Ｓｄの電気抵抗が増加し、給電ばらつきを生じる可能性がある。この現象は、気液界面がシード層Ｓｄから近いことに起因する。

図１３は、シャント電流によるシード層の溶解を説明する説明図である。シール空間３３内でコンタクト５０とシード層Ｓｄとの接触箇所が電導度の高い液体Ｑ（例えば、めっき液又はめっき液が混入した液体）で覆われる場合、シード層Ｓｄの電気抵抗、及び／又はコンタクト５０とシード層Ｓｄとの間の接触抵抗が高いと、液体Ｑ中のイオン電導と、シード層Ｓｄ表面及びコンタクト５０の表面での酸化還元反応により、シード層Ｓｄから液体Ｑを介してコンタクト５０に流れるシャント電流Ｉｓｈｕｎｔ（接触箇所を通る電流Ｉｃｗの分流）が発生する。シャント電流Ｉｓｈｕｎｔは、シード層Ｓｄの表面で、ＣｕがＣｕ^２＋となり液体Ｑ中に溶けだし、液体Ｑ中のＣｕ^２＋がコンタクト５０の表面でＣｕとなることにより流れる。従って、シャント電流が発生すると、シード層ＳｄのＣｕが溶解してシード層Ｓｄが薄くなってシード層Ｓｄの電気抵抗が増加し、給電ばらつきが生じる可能性がある。このシャント電流は、コンタクト５０とシード層Ｓｄとの接触箇所を覆う液体の電導度が高いことに起因する。

図５は、めっき装置の制御方法の流れを示すフローチャートである。図６、図７は、めっき装置の制御方法の流れを説明する説明図である。これらの図を参照しつつ、本実施形態に係るめっき装置の制御方法を説明する。

ステップＳ１１では、プリウェットモジュール２００において、被めっき面にシード層Ｓｄが設けられた基板Ｗｆにプリウェット処理を実施する。プリウェット処理では、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液Ｌｐ１で濡らすことで、基板表面に形成されたレジストパターンＲｐ内部の空気を処理液Ｌｐ１に置換する。プリウェット処理後の基板Ｗｆは処理液Ｌｐ１で濡れており、基板Ｗｆの表面のレジストパターンＲｐの開口内は処理液Ｌｐ１で満たされる（図６）。

ステップＳ１２では、プリソークモジュール３００において、基板Ｗｆにプリソーク処理を実施する。なお、プリソーク処理は、省略される場合もある。プリソーク処理では、例えばめっき処理前の基板Ｗｆの被めっき面に形成したシード層Ｓｄ表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液Ｌｐ２でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化する。なお、プリソーク処理後に、基板Ｗｆを純水又は脱気水などの処理液Ｌｐ３で洗浄してもよい。プリウェット処理後の基板Ｗｆは処理液Ｌｐ２（又はＬｐ３）で濡れており、基板Ｗｆの表面のレジストパターンＲｐの開口内は処理液Ｌｐ２（又はＬｐ３）で満たされる（図６）。以下の説明では、処理液Ｌｐ１、Ｌｐ２、Ｌｐ３を総称して、処理液Ｌｐと称する場合がある。

ステップＳ１３では、めっきモジュール４００に搬送された基板Ｗｆを、めっきヘッドとも称される基板ホルダ３０に取り付ける。このとき、図６に示すように、基板Ｗｆは処理液Ｌｐ（Ｌｐ１、Ｌｐ２、又はＬｐ３）で濡れている。基板ホルダ３０のコンタクト５０の接触部５１は、後述するステップＳ１５及び／又はＳ１７の洗浄処理で供給された液体６０の被覆液で覆われているものとする。なお、コンタクト５０の接触部５１とは、コンタクト５０が基板Ｗｆのシード層Ｓｄに接触する部分（この例ではコンタクト５０の先端部）を示す。

ステップＳ１４では、基板ホルダ３０に保持された基板Ｗｆをめっき槽１０内のめっき液Ｐｓに浸漬させ、基板Ｗｆにめっき処理を施す。なお、図６のステップＳ１４では、基板ＷｆのレジストパターンＲｐは省略している。このとき、基板ホルダ３０のコンタクト５０と基板Ｗｆとの接触箇所が、電導度管理された電導度の低い十分な液量の液体６０で被覆されているため、局部電池効果及び／又はシャント電流によりシード層Ｓｄが溶解されることが抑制又は防止される。また、中途半端に乾燥した基板Ｗｆのコンタクト領域のシード層Ｓｄ表面が酸化されることが抑制又は防止される。

ステップＳ１５では、めっき処理後に基板ホルダ３０をめっき槽１０のめっき液Ｐｓの液面上方に上昇させ、洗浄液ノズル６１から供給される洗浄液により基板Ｗｆの被めっき面を洗浄液で洗浄する（図７）。このとき、基板ホルダ３０及び／又は洗浄液ノズル６１を回転させ、洗浄液が基板Ｗｆに均一にかかるようにしてもよい。この洗浄処理により、基板Ｗｆに付着しているめっき液を回収し、適宜再利用することができる、及び／又は基板Ｗｆの被めっき面を濡らすことにより被めっき面が乾燥するのを防止することができる。洗浄液は、例えば、純水、脱気水、その他の液体（プリウェット、プリソーク、洗浄等の処理に使用される液体）とすることができる。洗浄に使用された後の洗浄液は、基板Ｗｆの下方に配置された液受トレー６２に回収され、排液配管６３を介して排出される。液受トレー６２及び／又は排液配管６３に電導度計６４を設け、回収された洗浄液（純水）の電導度を測定するようにしてもよい。また、回収された洗浄液を濃度調整した後又は濃度調整せずに、めっき槽１０に戻して再利用するようにしてもよい。洗浄ノズル６１及び液受トレー６２は、例えば、基板ホルダ３０が上昇されたときに、基板ホルダ３０の下方に移動し、及び、洗浄処理後に基板ホルダ３０の下方から退避できる構成とすることができる。

ステップＳ１６では、基板ホルダ３０から基板Ｗｆを取り外す。取り外した基板Ｗｆｆは、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００に順に搬送され、洗浄処理及び乾燥処理を施された後、ロードポート１００のカセットに搬送される（ステップＳ２０）。

ステップＳ１７では、基板Ｗｆを取り外した後の基板ホルダ３０のコンタクト５０及びシール部材５５を洗浄ノズル７１から供給される所定量の洗浄液６０により洗浄する。このとき、基板ホルダ３０を少なくとも１周回転させ、コンタクト５０に均一に純水が供給されるようにする。なお、コンタクト５０に少なくとも１回純水が供給されれば、洗浄ノズル７１を回転させてもよいし、基板ホルダ３０及び洗浄ノズル７１の両方を回転させてもよい。本実施形態では、基板Ｗｆ側と基板ホルダ３０側との両方を濡らしておくことで、コンタクト５０と基板シードＳｄとの接点部分を十分な量の水で被覆することを担保できる。洗浄液６０は、例えば純水、脱気水、その他の液体（プリウェット、プリソーク、洗浄等の処理に使用される液体）とすることができる。洗浄に使用された後の洗浄液６０は、基板Ｗｆの下方に配置された液受トレー７２に回収され、排液配管７３を介して排出される。液受トレー７２及び／又は排液配管７３には電導度計７４が設けられており、回収された洗浄液(純水)の電導度が電導度計７４により測定される（ステップＳ１８）。電導度計７４で測定された電導度は、制御モジュール８００に提供される。ステップＳ１９では、測定された洗浄液の電導度が閾値未満か否かを判別する。洗浄液の電導度が閾値以上である場合には、ステップＳ１７に戻り洗浄処理を継続する。一方、洗浄液の電導度が閾値未満である場合には、ステップＳ１３に戻り、次の基板Ｗｆがめっきモジュール４００に搬入されるのを待機し、次の基板Ｗｆを基板ホルダ３０に取り付ける。

以上の処理を繰り返し、複数枚の基板Ｗｆに順次めっき処理を施す。なお、最初の基板Ｗｆをめっき処理する際、又は、前にめっき処理された基板Ｗｆがめっきモジュール４００から取り出された時点から一定時間経過している場合には、基板ホルダ３０のコンタクト５０の接触部５１が乾燥している又は中途半端に乾燥している可能性がある。また、洗浄完了時から時間が経過していると、基板ホルダ上の洗浄液に大気中の二酸化炭素が徐々に溶解し電気伝導度が増大し、閾値を超えるおそれもある。このような場合には、基板Ｗｆをめっき処理する前に、ステップＳ１７－Ｓ１９の処理を実施して基板ホルダ３０のコンタクト５０の接触部５１を液体６０で覆い、その後、ステップＳ１３で基板ホルダ３０に濡れた基板Ｗｆを取り付けるようにする。

次に、ステップＳ１９で使用される電導度の閾値の決定方法を説明する。先ず、基板Ｗｆのシード層Ｓｄ表面の腐食を防ぐには、基板Ｗｆとコンタクト５０の接触箇所を気液界面から遠ざける必要があるが、その必要な距離及び液量を実験による測定結果から算出した。図８は、コンタクトの洗浄で使用される洗浄液の液量とシード層の外観の変化の関係を示す測定例である。図９は、コンタクトを覆う洗浄液の高さ及び径を説明する説明図である。この実験では、洗浄液として電導度１μＳ／ｃｍの純水を使用した。

図８の表において、最上段はコンタクトフィンガー４本に対して滴下した純水の液量を示し、第２段はコンタクトを覆う液滴の高さＨを示し、第３段は基板Ｗｆ１枚あたりに換算した純水の液量を示し、第４段はシード層Ｓｄの外観の変化を示す。

図９に示すように、めっきする基板Ｗｆと同様の銅シード層Ｓｄ付き基板Ｗｆにコンタクト５０を接触させ、コンタクトフィンガー４本（１つのコンタクトに含まれるフィンガー）に対し、図８に示す液量の液滴（電導度１μＳ／ｃｍの液体６０（純水））を滴下し、コンタクト５０と基板Ｗｆ間を電源で接続した。そして、電源からめっき時と同じ電流値(４フィンガー当たりに換算）をめっき時間分印可し、シード層Ｓｄの外観の腐食を確認した。

コンタクト５０は、めっき装置１０００では基板外周を覆うように多数配置されており、液体６０の液量を１基板（ウエハ）当たりに換算すると図８中第３段に示すようになった。また、コンタクト５０と基板Ｗｆとの接触箇所から、気液界面（液体６０と空気との界面）までの最短距離Ｈは、図９の液体６０の液滴の断面の長さを測定することにより算出した。一般に液滴は水平方向に濡れ広がり、重力により垂直方向に押しつぶされるので、垂直方向の長さＨ＜水平方向の長さ（液滴の径）Ｒとなる。また、液量が増えると液滴は、より押しつぶされるようになるので、液量と長さＨの関係は線形に比例しない。

図８に示す測定の結果から、基板Ｗｆのシード層Ｓｄに腐食が発生しない、コンタクト５０とシード層Ｓｄとの接触箇所から気液界面までの距離Ｈは、少なくとも１．２ｍｍ必要であった。液量については、ウエハ１枚当たり１３ｍＬの純水を均一にコンタクトに塗布した上で、めっき処理することでシード層Ｓｄへのダメージがないことを確認した。本実施形態の基板ホルダ３０の構造上、最大の液担持量(シール部材５５のリップ部５５Ａから純水が垂れない最大量)は、２６ｍＬであった。

次に、基板ホルダ３０に基板Ｗｆを保持してめっき処理を実施して、コンタクト５０を覆う液体６０の電導度の閾値を求めた。具体的には、基板ホルダ３０のコンタクト５０を洗浄し、予めめっき液を混入し電導度を調整した純水を基板Ｗｆ全体で１３ｍＬ相当の液量でコンタクト５０に塗布した上で、基板Ｗｆを設置して、めっき処理を実施した。そして、基板Ｗｆとコンタクト５０の接触箇所付近のシード層Ｓｄの外観を観察した。また、基板外周部（ｒ＞１４０ｍｍ）の膜厚分布を測定し、めっき膜厚の面内均一性Ｕ％を算出し、コンタクト５０による給電ばらつきの有無を確認した。

図１０は、コンタクトを覆う洗浄液（純水）の電導度とシード層の外観の変化との関係を示す測定例である。図１１は、コンタクトを覆う洗浄液（純水）の電導度と面内均一性との関係を示す測定例である。図１０中、第１段は純水の電導度を示し、第２段はシード層の外観を示し、第３段は基板外周部（ｒ＞１４０ｍｍ）のめっき膜厚の面内均一性を示す。図１１中、横軸は純水の電導度を示し、縦軸は基板外周部（ｒ＞１４０ｍｍ）のめっき膜厚の面内均一性を示す。

図１０及び図１１より、この実験では、液体６０の電導度を５０μＳ／ｃｍ以下に管理すれば、シード層Ｓｄへのダメージ無くめっきが可能であった。一方、電導度８０μＳ／ｃｍ以上でシード層Ｓｄに腐食が生じると、コンタクト５０とシード層Ｓｄ間の電気的導通が悪くなり、めっき膜厚の面内均一性は悪化した。従って、コンタクト５０を覆う液体６０の電導度の閾値を５０μＳ／ｃｍに設定すればよいことが分かった。なお、これらの測定結果は、本実施形態によるめっき装置の構成（めっき液の構成を含む）の場合のものであり、めっき装置の構成に応じて適切な洗浄液の液量（液量の閾値）、最短距離Ｈ、電導度の閾値を求めればよい。本実施形態で使用した構成では、ステップＳ１７－Ｓ１９の洗浄処理において、洗浄液（純水）の電導度が閾値５０μＳ／ｃｍ未満になるように洗浄することにより、コンタクト５０を被覆する純水の電導度が５０μＳ／ｃｍ未満となり、コンタクト５０を被覆する純水が１３ｍＬ以上、かつ、コンタクト５０とシード層Ｓｄとの接触箇所から気液界面までの距離Ｈが１．２ｍｍ以上確保されることが確認されている。

上述した実施形態によれば、少なくとも以下の作用効果を奏する。
（１）別ユニットで基板にプリウェット等の前処理を行った後、めっき槽に搬送する場合、基板外周部のコンタクトと接触する領域（コンタクト領域）が濡れた状態になる。コンタクト領域を乾燥させてからめっき処理しようとすると、基板外周部のパターンも乾燥しめっき不良となる虞がある。即ち、基板のコンタクト領域を乾燥させた場合、周囲のレジストパターンまで水が抜け、めっき中にレジストパターン内に気泡が残りめっきされない異常が発生する虞がある。上記実施形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所を被覆液で覆った状態でめっき処理するため、めっき前に基板のコンタクト領域を乾燥させる必要がなく、基板外周部のパターンが乾燥してめっき不良となることを抑制又は防止することができる。

（２）コンタクト表面に付着した汚れや、基板ホルダの部品の隙間から染み出しためっき液が、基板上のコンタクトとの接触箇所付近に付着した状態でめっきすると、接触箇所付近のシード層が溶解し、給電ばらつきが生じめっき膜の面内均一性が低下する虞がある。上記実施形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所を被覆液で覆った状態でめっき処理するため、コンタクト表面に汚れが付着すること、及び／又は、基板ホルダの部品の隙間から染み出しためっき液が、基板とコンタクトとの接触箇所に付着することを抑制することができる。

（３）コンタクト洗浄後、コンタクトが完全に乾燥していない状態（部分的に濡れている）状態でめっき処理すると基板上のシード層にダメージを与える可能性がある。上記形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所を被覆水で覆った状態でめっき処理するため、コンタクトが完全に乾燥していない状態でめっき処理することを抑制又は防止し、基板上のシード層にダメージを与えることを抑制又は防止することができる。

（４）上記実施形態によれば、コンタクトの洗浄後、コンタクトから水を振り切ることなく、電導度が閾値以下で管理された洗浄液（例えば、純水）をそのまま次の基板処理用の被覆水として使用するので、コンタクトを乾燥させる手間を省くことができると共に、コンタクト及び基板が中途半端に濡れた状態でめっき処理されて基板のシード層にダメージを与えることを抑制又は防止することができる。

（５）上記実施形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所を純水で覆った状態でめっき処理し、前処理で濡らした基板のコンタクト領域をめっき処理終了まで乾燥させない。これにより、基板のコンタクト領域を乾燥させた場合に周囲のパターン開口内まで水が抜け、めっき中にパターン開口内に気泡が残りこの部分がめっきされない異常が発生することを抑制又は防止することができる。また、中途半端に乾燥した基板のコンタクト領域のシード層表面が酸化し導通不良が発生することを抑制又は防止することができる。

（６）上記実施形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所を電導度管理された所定の閾値より低い電導度の被覆水で覆った状態で基板をめっき処理するので、接触箇所以外で液体を介して流れるシャント電流により、接触箇所付近のシード層が溶解することを抑制又は防止することができる。これにより、シード層の溶解による給電ばらつきを抑制又は防止することができる。

（７）上記実施形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所を所定量の純水で被覆して基板とコンタクトとの接触箇所と気液界面との距離を所定値以上に保った状態でめっき処理するので、被覆水中の溶存酸素濃度に起因する局部電池効果により、接触箇所付近のシード層が溶解することを抑制又は防止することができる。これにより、シード層の溶解による給電ばらつきを抑制又は防止することができる。

（８）上記実施形態によれば、コンタクト・基板接触箇所を液体で被覆するための基板ホルダ及びその周辺の特別な構成を必要としないので、基板ホルダの構成の変更を全く又は殆ど必要とせず、簡易な構成でコンタクト・基板接触箇所を液体で被覆することができる。また、各基板のめっき処理毎に基板ホルダのコンタクトを洗浄するため、コンタクトを常に清浄に保つことができる。

［他の実施形態］
上記実施形態では、基板上のパターンとしてレジストパターンを例に挙げたが、パターンは、配線を形成するためのビア又はトレンチのパターン、あるいは、バンプ、再配線、電極パッドを形成するためのレジスト又は絶縁膜のパターン、その他めっき膜の形状を定義する任意のパターンとすることができる。

上述した実施形態から少なくとも以下の形態が把握される。
［１］一形態によれば、 基板ホルダに基板を保持する工程であり、前記基板ホルダが前記基板を保持した状態で、前記基板に給電するコンタクトをめっき液から保護するシール空間が形成され、前記シール空間内において前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が局所的に液体で被覆される工程と、 前記基板ホルダに保持された前記基板をめっき液中に浸漬させアノードと対向させる工程と、 前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が液体で被覆された状態で、前記基板と前記アノードとの間に電流を供給して前記基板をめっき処理する工程と、を含む、めっき方法が提供される。局所的に被覆されている状態とは、シール空間全体を液体で満たすことなく、基板とコンタクトの接触箇所が被覆液で覆われている状態を示す。言い換えれば、シール空間内には、気体（空気）が存在し、基板とコンタクトの接触箇所を覆う被覆液と空気との間に気液界面が存在する。液体は、純水、脱気水、その他の液体（プリウェット、プリソーク、洗浄等の処理に使用される液体）とすることができる。

上記形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所を被覆液で覆った状態でめっき処理するため、めっき前に基板のコンタクト領域を乾燥させる必要がなく、基板外周部のパターンが乾燥してめっき不良となることを抑制又は防止することができる。

上記形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所を被覆液で覆った状態でめっき処理するため、コンタクト表面に汚れが付着すること、及び／又は、基板ホルダの部品の隙間から染み出しためっき液が、基板とコンタクトとの接触箇所に付着することを抑制することができる。

上記形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所を被覆液で覆った状態でめっき処理するため、コンタクトが完全に乾燥していない状態でめっき処理することを抑制又は防止し、基板上のシード層にダメージを与えることを抑制又は防止することができる。

上記形態によれば、基板ホルダの構成を変更する必要なしに又は大幅に変更する必要なしに簡易な構成で、基板のシード層の劣化を抑制することができる。

［２］一実施形態によれば、所定の閾値未満の電導度に管理された液体で、前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が覆われた状態で前記基板をめっき処理する。

この形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所を電導度管理された電導度の低い被覆液で覆った状態で基板をめっき処理するので、接触箇所以外で被覆液を介して流れるシャント電流により、接触箇所付近のシード層が溶解することを抑制又は防止することができる。これにより、シード層の溶解による給電ばらつきを抑制又は防止することができる。

［３］一実施形態によれば、前記基板ホルダに前記基板を保持する工程に先立ち、前記基板ホルダの前記コンタクトを液体で洗浄する工程であって、洗浄に使用された後の液体の電導度が所定の閾値未満になるまで前記コンタクトを洗浄し、前記閾値未満の電導度に管理された液体で前記コンタクトを覆う工程を含む。

この形態によれば、コンタクトの洗浄後、コンタクトから液体を振り切ることなく、電導度が閾値以下で管理された洗浄液（純水、脱気水、その他の液体）をそのまま次の基板処理用のコンタクト・基板接触箇所の被覆液として使用するので、コンタクトを乾燥させる手間を省くことができると共に、コンタクト及び基板が中途半端に濡れた状態でめっき処理されて基板のシード層にダメージを与えることを抑制又は防止することができる。また、コンタクト・基板接触箇所を液体で被覆するための基板ホルダ及びその周辺の特別な構成を必要としないので、基板ホルダの構成の変更を全く又は殆ど必要とせず、簡易な構成でコンタクト・基板接触箇所を液体で被覆することができる。また、各基板のめっき処理毎に基板ホルダのコンタクトを洗浄するため、コンタクトを常に清浄に保つことができる。

［４］一実施形態によれば、前記コンタクトの周りに所定の量以上の液体が残るように前記コンタクトを液体で洗浄する。

この形態によれば、コンタクト（特に、コンタクトの接触部）の周りに所定の量以上の液体を残して被覆液として使用するため、コンタクトと基板（シード層）の接触箇所と気液界面との間を所定の距離（閾値）以上離した状態でめっき処理することができる。

［５］一実施形態によれば、前記コンタクトの洗浄後に基板ホルダに基板を保持するまでに所定の時間が経過した場合には、前記コンタクトを再度洗浄し、前記閾値未満の電導度に管理された液体で前記コンタクトを覆いなおす。

この形態によれば、コンタクトの洗浄後時間の経過と共に、基板ホルダ上の液体に大気中の二酸化炭素が徐々に溶解し電気伝導度が閾値を超えることを抑制又は防止できる。

［６］一実施形態によれば、前記液体と前記シール空間内の空気との間の気液界面と、前記基板と前記コンタクトとの接触箇所との距離が所定の距離値以上になるように、前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が前記液体で覆われている。

この形態によれば、基板とコンタクトとの接触箇所と気液界面との距離を所定値以上に保った状態でめっき処理するので、接触箇所近傍で被覆液中の溶存酸素濃度を低く抑制することができ、溶存酸素に起因する局部電池効果により接触箇所付近のシード層が溶解することを抑制又は防止することができる。これにより、シード層の溶解による給電ばらつきを抑制又は防止することができる。

［７］一実施形態によれば、前記基板ホルダに保持する前の前記基板が濡れている。

この形態によれば、基板上のレジストパターンが乾燥して、めっき中にレジストパターン内に気泡が残りめっきされない異常が発生することを抑制又は防止することができる。

［８］一実施形態によれば、前記基板ホルダに前記基板を保持する工程に先立ち、前記基板と前記基板ホルダの前記コンタクトとを共に予め濡れた状態にする工程を含む。

この実施形態では、基板ホルダに基板を保持する工程に先立ち、基板と基板ホルダの両方を濡らしておくことで、コンタクトと基板シードとの接点部分を十分な量の液体で被覆することを担保できる。

［９］一実施形態によれば、前記基板ホルダに前記基板を保持する工程に先立ち、前記基板を液体で濡らすことで、前記基板の表面に形成されたパターン内部の空気を液体に置換するプリウェット処理を実施する工程を更に含む。

この形態によれば、プリウェット処理により基板のレジストパターンから気泡を除去した後の基板を基板ホルダに保持させることができる。また、基板ホルダに保持する前の基板を濡れた状態とすることができる。

［１０］一実施形態によれば、めっき処理後の前記基板を液体で洗浄する工程と、 洗浄後の濡れた状態の前記基板を次の工程に搬送する工程と、を更に含む。

この形態によれば、めっき処理後の基板を純水、脱気水等の液体で洗浄することにより、基板に付着しためっき液を回収することができる。また、基板を濡れた状態で次の工程に搬送できるため、基板にパーティクルが付着することを抑制又は防止することができる。

［１１］一実施形態によれば、濡れた状態の基板をめっきモジュールに搬入する工程と、 濡れた状態の前記基板をめっき槽内のめっき液に浸漬させてめっき処理する工程と、 めっき処理後の前記基板を前記めっき槽から引き上げ、洗浄する工程と、 洗浄後の濡れた状態の前記基板を前記めっきモジュールから搬出する工程と、を含む。

この形態によれば、めっきモジュールに搬入する時点から搬出する時点まで基板を濡れた状態に保つので、基板上のパターンが乾燥してパターン開口内の液体が抜け、めっき中にパターン開口内に気泡が残りこの部分がめっきされない異常が発生することを抑制又は防止することができる。また、中途半端に乾燥した基板のコンタクト領域のシード層表面が酸化し導通不良が発生することを抑制又は防止することができる。また、基板が濡れた状態に保たれるので、基板にパーティクルが付着することを抑制又は防止することができる。

［１２］一実施形態によれば、基板を保持するための基板ホルダであり、前記基板に給電するコンタクトと、前記基板と前記基板ホルダとの間をシールし、前記コンタクトをめっき液から保護するシール空間を前記基板ホルダ内に形成するシール部材とを有する、基板ホルダと、 前記基板ホルダに保持された前記基板をめっき処理するめっき槽と、 前記基板ホルダの前記コンタクトを液体で洗浄する洗浄ノズルと、 制御モジュールと、を備え、 前記制御モジュールは、前記洗浄ノズルにより洗浄され濡れた状態の前記コンタクトに前記基板を接触させて、前記基板ホルダに前記基板を保持させ、前記基板ホルダの前記シール空間内で前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が前記液体で局所的に濡れた状態で、前記基板をめっき処理する、 めっき装置が提供される。

［１３］一実施形態によれば、 めっき前の基板を処理液で処理する前処理モジュールと、 基板をめっき処理するめっき槽と、めっき処理後の前記基板を洗浄する洗浄ノズルとを有するめっきモジュールと、 前記基板を搬送する搬送モジュールと、 制御モジュールと、を備え、 前記制御モジュールは、前記搬送モジュールを制御して、前記前処理モジュールで濡れた状態の前記基板を前記めっきモジュールに搬入し、前記洗浄ノズルによる洗浄により濡れた状態のめっき処理後の前記基板を搬出する、めっき装置が提供される。

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、実施形態および変形例の任意の組み合わせが可能であり、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

特開２００４－２２５０８９号公報（特許文献１）、特開２００３－２７２８８号公報（特許文献２）の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書を含む全ての開示は、参照により全体として本願に組み込まれる。

１０ めっき槽
２０ オーバーフロー槽
１６ アノード
１７ 抵抗体
３０ 基板ホルダ
３１ 第１保持部材
３２ 第２保持部材
３３ シール空間
４０ 回転機構
４１ 回転軸
４５ 傾斜機構
４６ 昇降機構
４７ 支軸
５０ コンタクト
５５ シール部材
５５Ａ リップ部
６０ 洗浄液（純水）
１００ ロードポート
１１０ 搬送ロボット
１２０ アライナ
２００ プリウェットモジュール
３００ プリソークモジュール
４００ めっきモジュール
５００ 洗浄モジュール
６００ スピンリンスドライヤ
７００ 搬送装置
８００ 制御モジュール
８０１ ＣＰＵ
８０２ 記憶部
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｗａ 下面
Ｓｄ シード層
Ｐｓ めっき液

Claims (12)

1. 基板ホルダに基板を保持する工程であり、前記基板ホルダが前記基板を保持した状態で、前記基板に給電するコンタクトをめっき液から保護するシール空間を形成し、洗浄されることにより所定の閾値未満に電導度管理された液体で覆われたコンタクトに前記基板を接触させて、前記シール空間内において局所的に前記基板と前記コンタクトとの接触箇所を前記液体で覆う工程と、
   前記基板ホルダに保持された前記基板をめっき液中に浸漬させアノードと対向させる工程と、
   前記基板と前記コンタクトとの接触箇所を前記液体で覆った状態で、前記基板と前記アノードとの間に電流を供給して前記基板をめっき処理する工程と、
   を含む、めっき方法。
2. 請求項１又は２に記載のめっき方法において、
   前記基板ホルダに前記基板を保持する工程に先立ち、前記基板ホルダの前記コンタクトを液体で洗浄する工程であって、洗浄に使用された後の液体の電導度が所定の閾値未満になるまで前記コンタクトを洗浄し、前記閾値未満の電導度に管理された液体で前記コンタクトを覆う工程を含む、めっき方法。
3. 請求項２に記載のめっき方法において、
   前記コンタクトを液体で洗浄する工程では、前記洗浄ノズルから液体を前記基板ホルダの凹部内に配置された前記コンタクトに供給して洗浄することで、前記コンタクトの周りに所定の量以上の液体が残るようにする、めっき方法。
4. 請求項３に記載のめっき方法において、
   前記コンタクトの洗浄後に基板ホルダに基板を保持するまでに所定の時間が経過した場合には、前記コンタクトを再度洗浄し、前記閾値未満の電導度に管理された液体で前記コンタクトを覆いなおす、めっき方法。
5. 請求項１から４の何れかに記載のめっき方法において、
   前記液体と前記シール空間内の空気との間の気液界面と、前記基板と前記コンタクトとの接触箇所との距離が所定の距離値以上になるように、前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が前記液体で覆われている、めっき方法。
6. 請求項１から５の何れかに記載のめっき方法において、
   前記基板ホルダに保持する前の前記基板が濡れている、めっき方法。
7. 請求項６に記載のめっき方法において、
   前記基板ホルダに前記基板を保持する工程に先立ち、前記基板と前記基板ホルダの前記コンタクトとを共に予め濡れた状態にする工程を含む、めっき方法。
8. 請求項６に記載のめっき方法において、
   前記基板ホルダに前記基板を保持する工程に先立ち、前記基板を液体で濡らすことで、前記基板の表面に形成されたパターン内部の空気を液体に置換するプリウェット処理を実施する工程を更に含む、めっき方法。
9. 請求項１から８の何れかに記載のめっき方法において、
   めっき処理後の前記基板を液体で洗浄する工程と、
   洗浄後の濡れた状態の前記基板を次の工程に搬送する工程と、
   を更に含む、めっき方法。
10. 全面が濡れた状態の基板を、基板をめっき処理するめっき槽と、めっき処理後の前記基板を洗浄する洗浄ノズルとを有するめっきモジュールに搬入する工程と、
    全面が濡れた状態の前記基板をめっき槽内のめっき液に浸漬させてめっき処理する工程と、
    めっき処理後の前記基板を前記めっき槽から引き上げ、前記洗浄ノズルにより洗浄する工程と、
    洗浄後の濡れた状態の前記基板を前記めっきモジュールから搬出する工程と、
    を含む、めっき方法。
11. 基板を保持するための基板ホルダであり、前記基板に給電するコンタクトと、前記基板と前記基板ホルダとの間をシールし、前記コンタクトをめっき液から保護するシール空間を前記基板ホルダ内に形成するシール部材とを有する、基板ホルダと、
    前記基板ホルダに保持された前記基板をめっき処理するめっき槽と、
    前記基板ホルダの前記コンタクトを液体で洗浄する洗浄ノズルと、
    制御モジュールと、
    を備え、
    前記制御モジュールは、前記洗浄ノズルにより洗浄されることにより所定の閾値未満に電導度管理された液体で覆われた状態の前記コンタクトに前記基板を接触させて、前記基板ホルダに前記基板を保持させ、前記基板ホルダの前記シール空間内で局所的に前記基板と前記コンタクトとの接触箇所が前記液体で覆われた状態で、前記基板をめっき処理する、
    めっき装置。
12. めっき前の基板を処理液で処理する前処理モジュールであり、プリウェット処理及び／又はプリソーク処理を実施する前処理モジュールと、
    基板をめっき処理するめっき槽と、めっき処理後の前記基板を洗浄する洗浄ノズルとを有するめっきモジュールと、
    前記基板を搬送する搬送モジュールと、
    制御モジュールと、
    を備え、
    前記制御モジュールは、前記搬送モジュールを制御して、前記前処理モジュールで濡れた状態の前記基板を前記めっきモジュールに搬入し、前記洗浄ノズルによる洗浄により濡れた状態のめっき処理後の前記基板を搬出する、めっき装置。

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