JP7075785B2 - 回路基板、電子回路装置、および、回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板の両面に形成された配線パターンを電気的に接続させるスルーホールを備えた回路基板に関する。

従来、絶縁基板にスルーホールを設け、スルーホールに導電材料を充填することで、基板の表面と裏面とを電気的に接続させた回路基板が知られている。

このような回路基板の例として、図７及び図８に示す例では、配線パターンとして銅箔１０２が形成された基板１００のスルーホール１０１に、導電性樹脂１０３を充填した後、加熱して硬化させることで、基板の表面と裏面とを電気的に接続させている。

また、特許文献１に開示されている回路基板では、導電性樹脂ペーストをスルーホールに充填した後、導電性粒子を焼結することにより導電性粒子同士を融着させ、第１導電部を形成される。焼結時の第１導電部の収縮により、スルーホールの中央部にあいた空洞は、別の導電性樹脂ペーストで埋められ、導電性粒子が樹脂で固着された第２導電部が形成される。これにより、スルーホールの内壁に沿って、導電性粒子が融着した第１導電部が配置され、中央の空洞は、樹脂で導電性粒子が固着された第２導電部で充填されたスルーホールが形成されている。

特許第４０１２０２２号公報

しかしながら、上述した図７及び図８に示す回路基板や特許文献１の回路基板では、所謂スルーホール断線が生じやすい。すなわち、図７及び図８に示す回路基板では、スルーホールに充填された導電性樹脂と銅箔とが接合する面積が小さい（図７及び図８に破線で示す接合部分）。このため、基板の伸縮や曲げ、熱衝撃や環境試験などによってスルーホール及びその近傍に応力がかかった際に、配線パターンと導電材料との接合部分にクラックが生じ、スルーホール断線を生じやすい。一方、特許文献１に記載された回路基板は、一つのスルーホールの中に、導電性粒子が焼結された第１導電部と、導電性粒子が樹脂で固定された第２導電部の境界面が存在する。そのため、熱衝撃などによって境界面にクラックが生じて導電性が低下し、抵抗値が増大する可能性がある。また、スルーホールの直径が大きい場合、中央に配置される導電性樹脂ペーストの硬化時の収縮により、スルーホールの底面にくぼみを生じる。そのため、スルーホールの直径を小さく設計する必要がある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、導電性及び放熱性に優れ、かつ、スルーホールによる基板両面の接続信頼性を向上させることを目的とする。

本発明の一態様の回路基板は、スルーホールを有する基板と、基板の一方の面におけるスルーホール開口を塞ぐように覆い、一方の面から前記スルーホール内に挿入された第１の導電部と、基板の他方の面におけるスルーホールの開口を塞ぐように覆い、他方の面から前記スルーホール内に挿入された第２の導電部とを有する。第１の導電部のスルーホール内に挿入された部分は、スルーホールの径よりも小さい径の柱状である。第２の導電部のスルーホール内に挿入された部分は、第１の導入部の柱状の部分とスルーホールの内壁との間隙を充填する形状である。第１および第２の導電部は、いずれも、導電性粒子を焼結したものにより構成されている。

このように構成された回路基板は、以下のように製造される。すなわち、スルーホールを有する基板の一方の面からスルーホール内に、導電性粒子を溶媒に分散させた第１の導電ペーストを充填する第１ステップと、
第１の導電ペーストを加熱して、第１の導電ペーストを収縮させるとともに、導電性粒子を焼結させ、スルーホール内に挿入された部分の径が、スルーホールの径よりも小さい第１の導電部を形成する第２ステップと、
基板の他方の面から、スルーホール内壁と第１の導電部との間隙に、導電性粒子を溶媒に分散させた第２の導電ペーストを充填する第３ステップと、
第２の導電ペーストを加熱して、第２の導電ペーストを収縮させるとともに、第２の導電性ペーストの導電性粒子を焼結させ、スルーホール内壁と第１の導電部との間隙を充填する第２の導電部を形成する第４ステップとを実行する。

本発明によれば、所謂スルーホール断線を抑制し、スルーホールによる基板両面の接続信頼性を向上させることができる。

本発明の実施形態に係る回路基板の概略構成を示す断面図である。 （ａ）～（ｆ）は、本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法に係る工程を示す断面図である。 本発明の実施形態の変形例に係る回路基板の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施形態の変形例に係る回路基板の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施形態の他の変形例に係る回路基板の概略構成を示す断面図である。 （ａ）は本発明の別の実施形態に係る電子回路装置の概略構成を示す上面図であり、（ｂ）および（ｃ）は断面図である。 従来の回路基板の一例に係る概略構成を示す断面図である。 従来の回路基板の一例に係る概略構成を示す断面図である。

以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す図面において、理解の容易及び視認性向上のため、断面図であってもハッチングを適宜省略している。以下の説明において、同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。

＜＜実施形態＞＞
本発明の実施形態に係る回路基板１について説明する。

図１に示すように、本実施形態に係る回路基板１は、基板１１、基板に設けられたスルーホール１２、スルーホール１２に充填された導電部１３、基板１１の表面側に設けられた表面側配線パターン１４、及び基板１１の裏面側に設けられた裏面側配線パターン１５を備えている。

基板１１には、所望の位置に、基板１１の表面から裏面に貫通するスルーホール１２が形成されている。

導電部１３は、スルーホール１２に充填された表面側導電部１７（第１の導電部）と裏面側導電部１８（第２の導電部）とからなる。

表面側導電部（第１の導電部）１７は、基板１１の表面におけるスルーホールの開口を塞ぐように覆い、表面側配線パターン１４と接続される表面側接続部（第１の接続部）１７Ａと、表面側接続部から連続して形成され、スルーホール１２内に向かって立設される柱部１７Ｂとを備えている。柱部１７Ｂの径は、スルーホール１２の内径よりも小さい。表面側導電部（第１の導電部）１７と表面側配線パターン１４とは、一体として形成することもできる。

裏面側導電部（第２の導電部）１８は、基板１１の裏面におけるスルーホールの開口を塞ぐように覆い、裏面側配線パターン１５と接続される裏面側接続部（第２の接続部）１８Ａと、裏面側接続部１８Ａから連続して形成され、スルーホール１２内において柱部１７Ｂに接合し、柱部１７Ｂとスルーホール１２内壁との間隙を充填する形状（以下、凹部と呼ぶ）１８Ｂとを備えている。裏面側導電部（第２の導電部）１８と裏面側配線パターン１５とは、一体として形成することもできる。

表面側導電部１７と裏面側導電部１８とは、いずれも導電性粒子を焼結したものにより構成されている。

このように、本実施形態では、スルーホール内において、第１の導電部１７の柱部１７Ｂの径が、スルーホールの内径より小さく、第２の導電部１８が、スルーホール１２の内壁と柱部１７Ｂとの間隙を充填する形状であるため、第１の導電部１７と第２の導電部１８とは、柱部１７Ｂの外周面と底面において接合しており、接合面積が大きい。また、第１および第２の導電部１７，１８は、いずれも導電性粒子を焼結したものにより構成されているため、第１の導電部１７と第２の導電部１８の境界面を焼結時に強固に接合することができる。これにより、基板の伸縮や曲げ、熱衝撃や環境試験などによってスルーホール及びその近傍に応力がかかった場合でもあっても、スルーホール断線や、抵抗値の増大を生じにくい。

また、後述する製造方法のように、スルーホール１２に中央に位置する第１の導電部１７を第２の導電部１８よりも先に形成し、その周囲の間隙を埋める第２の導電部１８を後に形成することにより、第２の導電部１８で充填する間隙の幅は、第１の導電部１７の径に比べ相対的に小さくできる。このため、焼結時の収縮量も小さく、スルーホール１２に対する導電部１３全体の間隙を微小にすることができる。また、第２の導電部１８の収縮量が小さいため、第２の導電部１８の底面に収縮に伴うくぼみ等の変形を生じさせることもない。

なお、表面側導電部１７及び裏面側導電部１８の表面および裏面という呼び方は、説明の便宜上定めたものであり、表面が下側に、裏面が上側に位置する配置であってもかまわない。

第１および第２の導電部１７、１８は、いずれも樹脂を含まないことが望ましい。第１の導電部１７は、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子の導電性粒子を焼結したものであってもよいし、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子の導電性粒子と、直径が１μｍよりも大きく１ｍｍよりも小さいマイクロ粒子の導電性粒子との混合物を焼結したものであってもよい。第２の導電部１８もまた、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子の導電性粒子を焼結したものであってもよいし、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子の導電性粒子と、直径が１μｍよりも大きく１ｍｍよりも小さいマイクロ粒子の導電性粒子との混合物を焼結したものであってもよい。

いずれの場合も、第１の導電部１７は、焼結前の導電性粒子の平均粒径が、第２の導電部の焼結前の導電性粒子の平均粒径と同等もしくは、それよりも小さい方が、焼結時の収縮が大きいため好ましい。

基板１１の少なくとも一方の面には、スルーホールの周辺で第１の導電部１７または第２の導電部１８に接続された配線パターン１４，１５が搭載されていてもよい。配線パターン１４，１５は、導電性粒子を焼結したものにより構成することができる。この場合、基板１１は、フレキシブルであってもよい。配線パターン１４，１５を導電性粒子を焼結して形成することにより、ポーラスな層にすることができるため、基板１１がフレキシブルである場合も膜はがれ等を生じにくい。

続いて、このように形成された回路基板１の製造方法について図２に従って説明する。

図２（ａ）に示す基板１１の所定の位置に、図２（ｂ）に示すように、例えば、プレス、レーザ加工等の任意の手法により貫通孔を穿孔することで、スルーホール１２を形成する。

つぎに、導電性粒子を溶媒に分散させた第１の導電ペーストを用意し、図２（ｃ）に示すように、基板１１の表面側から、スクリーン印刷等により第１の導電ペーストをスルーホール１２の縁部近傍の所定範囲に塗布すると共にスルーホール１２内部に充填する。

本実施形態においては、第１の導電ペーストに用いる導電性粒子には、焼結時の体積収縮を生じさせるために、粒径が１μｍより小さいナノ粒子を用いることが好ましい。なお、一部は、粒径が１μｍ以上１００μｍ以下のマイクロ粒子が含有されていてもよい。マイクロ粒子が含有されていることにより、体積収縮は小さくなるが、第１の導電ペーストの形状を維持したまま導電性粒子を焼結しやすくなるため、柱状形状を維持しやすくなる。例えば、第１の導電ペーストに含まれる導電性粒子は、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子を割合が４０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であることが好ましく、７０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下である場合にはより好ましく、７５ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下である場合にはさらに好ましい。

また、第１の導電性ペーストにおける導電性粒子の割合が低すぎると、第１の導電ペーストの形状を維持したまま導電性粒子を焼結することが困難になり、柱部１７Ｂを形成することが難しくなる。そのため、第１の導電性ペーストにおける導電性粒子の割合は、５０ｗｔ％以上９８ｗｔ以下であることが好ましく、６０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下である場合にはより好ましく、８０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下である場合にはさらに好ましい。

導電性ペーストは、溶媒と、導電性粒子の他に、ポリビニルピロリドンなどの分散剤や、樹脂等を含有していてもよいが、焼結時に樹脂が残存すると体積収縮が小さくなるため、樹脂（エポキシ樹脂やシリコーン樹脂、ウレタン樹脂等）を含まないものが好ましい。分散剤は、多すぎると体積収縮が小さくなるため、分散を阻害しない程度に低い濃度で添加する。

さらに、溶媒は、粘度が低すぎるとスルーホール１２に充填した際に形状を維持できなくなるおそれがあるため、形状維持が確保できる程度の粘度のものを用いることが望ましい。

基板、導電性粒子、溶媒の具体的な例について、後でまとめて示す。

また、第１の導電ペーストを、スルーホール１２ｂに充填するのと同時に、または、連続して基板１１表面に表面側配線パターン１４の形状に印刷等により塗布する。

続いて、図２（ｄ）に示すように、第１の導電ペーストに電磁波や熱を加えることによって導電ペースト中の導電性粒子を焼結させる。電磁波によって焼結する場合の波長等について後で説明する。

この焼結により、導電ペーストに含まれる溶媒が揮発するとともに、導電性粒子同士が焼結（融着）するため、導電ペーストに体積収縮が生じる。従って、スルーホール縁部近傍に塗布された導電ペーストは焼結により表面側接続部１７Ａを形成すると共に、スルーホール１２内に充填された導電ペーストは焼結によりスルーホール１２の内壁から離れ中心に向かって体積収縮して柱部１７Ｂを形成する。つまり、焼結により導電ペーストが収縮し、表面側接続部１７Ａと柱部１７Ｂとからなる断面Ｔ字状の表面側導電部１７が形成される。これにより、スルーホール１２内壁と柱部１７Ｂとの間に間隙１９が生じる。

一例としては、厚み１００μｍの基板１１に、直径３００μｍのスルーホール１２を形成し、平均粒径５０ｎｍの銀粒子を有機溶媒中に８５ｗｔ％で分散させた導電ペーストを充填し、１６０～２００℃で焼結させたところ、直径が約１０％収縮し、間隙１９を生じた。

また、スルーホール１２内の第１の導電基板１１表面に塗布された導電ペーストが焼結されることにより、表面側配線パターン１４が形成される。

続いて、第２の導電部１８を形成するための、第２の導電ペーストを用意する。第２の導電ペースト１８に含まれる導電性粒子は、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子の割合が０ｗｔ％より大きく１００ｗｔ％以下であることが好ましく、０ｗｔ％より大きく９０ｗｔ％以下である場合にはより好ましく、０ｗｔ％より大きく８０ｗｔ％以下である場合にはさらに好ましい。

また、第２の導電性ペーストにおける導電性粒子の割合は、５０ｗｔ％以上９８ｗｔ％以下であることが好ましく、６０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下である場合にはより好ましく、８０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下である場合にはさらに好ましい。

第２の導電ペーストは、表面側導電部１７に用いられる第１の導電ペースト程の体積収縮を要しないため、例えば、表面側導電部１７に用いられる導電ペーストよりも導電性マイクロ粒子の割合を多くすることができる。

ここでは、第２の導電ペーストとして、第１の導電ペーストと同じものを用いる。

図２（ｅ）に示すように、基板１１の裏面側から、スクリーン印刷等により第２の導電ペーストをスルーホール１２の縁部近傍の所定範囲に塗布すると共に、スルーホール１２内壁と柱部１７Ｂとの間隙１９に充填する。

この時、図２（ｅ）に示すように、同時に、または、連続して、基板１１の裏面に裏面側配線パターン１５となる導電ペーストも塗布する。

続いて、図２（ｆ）に示すように、第２の導電ペーストに電磁波や熱を加えることによって導電ペーストを焼結させる。これにより、スルーホール縁部近傍に塗布された導電ペーストが裏面側接続部１８Ａを形成すると共に、スルーホール１２内壁と柱部１７Ｂとの間隙に充填された導電ペーストが焼結されて凹部１８Ｂを形成する。凹部１８Ｂは、スルーホール１２の中心に向かって体積収縮して柱部１７Ｂと強固に接合する。つまり、焼結により導電ペーストが収縮し、裏面側接続部１８Ａと凹部１８Ｂとからなる裏面側導電部１８が形成される。

なお、スルーホール１２内の第２の導電ペーストの加熱時には、第２の導電ペーストが接する第１の導電部１７にも熱が伝導して、第１の導電部１７も再び加熱されるため、第１の導電部１７の導電性粒子と、第２の導電ペーストの導電性粒子とが焼結される。第１の導電部１７と第２の導電部１８の接合面は、焼結により、ほぼ一体となる。

これにより、スルーホール１２内には、導電ペーストを焼結させてなる表面側導電部１７及び裏面側導電部１８が形成される。

また、スルーホール内の第２の導電ペーストの加熱と同時には、または、連続して、基板１１表面に配線パターンの形状に塗布された第２の導電ペーストも、焼結することにより、裏面側配線パターン１５が形成される。

なお、表面側接続部１７Ａ及び裏面側接続部１８Ａとして導電ペーストを塗布する範囲は、基板１１に実装する他の電子部品や、配線パターンとの関係を考慮しつつ、適宜設定することが望ましい。基板１１に曲げや伸縮等が生じた際に、スルーホール１２縁部には応力が集中しやすいため、表面側接続部１７Ａ及び裏面側接続部１８Ａの配線パターンとの接触箇所が、スルーホール１２に集中する応力の影響を受けにくい位置となるように、表面側接続部１７Ａ及び裏面側接続部１８Ａを塗布する導電ペーストの塗布範囲を決定することが好ましい。

このように、本実施形態によれば、第１の導電部を形成する第１の導電ペーストとして、体積収縮の大きいものを適用し、焼結により周囲に生じた間隙に、裏面側から第２の導電ペーストを充填して焼結する。したがって、表面側導電部と裏面側導電部との接合面積が大きいため、導電性及び放熱性に優れ、所謂スルーホール断線を抑制し、スルーホールによる基板両面の接続信頼性を向上させることができる。

また、スルーホールへの導電ペーストの充填と、配線パターンとしての導電ペーストの塗布を同時に行うことで、製造工程を削減させることができる。導電ペーストの塗布をスクリーン印刷により行う場合には、空気の逃げ口を取ることが容易となるため導電ペーストをスルーホール内の隅々まで充填させやすいという利点がある。

なお、配線パターンの形成は、スルーホール形成と同時でもよく、スルーホール形成より前でも後でもよい。

なお、基板１１の材質としては、第１および第２の導電部１７、１８および配線パターン１４，１５を支持することができ、少なくとも表面が絶縁性であり、第１および第２の導電部１７、１８の形成時の焼結に耐えることができるものであればどのような材質であってもよい。ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基板、ポリカーボネート（ＰＣ）基板、液晶ポリマー、ガラスエポキシ基板、紙フェノール基板、フレキシブルプリント基板、セラミック基板、ガラス含有シリコーン基板、ガラス基板、表面を絶縁層で被覆した金属基板などを用いることができる。また、基板１１には、フィルム状等のフレキシブルなものを用いることも可能である。なお、基板１１は、図６のように、湾曲した形状にすることも可能である。

導電性粒子の材料としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄなどの導電性金属のうちの１つ以上を用いることができる。

導電性粒子を分散させる溶媒としては、アミン、アルコール、エーテル、芳香族、ケトン、ニトリルなどの有機溶媒や水を用いることができる。

基板１１の厚みは、１００ｎｍ～３ｍｍ程度に形成することが可能である。スルーホール１２の直径は、５μｍ以上１ｍｍ以下にすることができる。また、スルーホール内の導電体１３の電気抵抗率は、１０^－４Ω・ｃｍ以下であることが望ましく、特に、１０^－６Ω・ｃｍオーダーの低抵抗であることが望ましい。配線パターン１４，１５の電気抵抗率は、１０^－４Ω・ｃｍ以下であることが望ましく、特に、１０^－６Ω・ｃｍオーダー以下の低抵抗であることが望ましい。

具体的には、導電ペーストの焼結には、光等の電磁波照射による焼結と、電磁波照射以外の方法による焼結との少なくとも一方を採用できる。基板１１が光透過性を有する場合、基板１１の上面、下面のいずれから光照射をしてもよい。基板１１が光透過性を有さない場合、光は基板の上面から照射する。

導電性ペースト粒子を焼結させる場合、導電性粒子は、その粒子を構成する材料のバルクの融点よりも低い温度で溶融して、隣の導電性粒子と融合（融着）して、焼結される。電磁波照射で導電性ペースト粒子を焼結させる場合、照射する電磁波は、紫外、可視、赤外等いずれの波長の光や電磁波でもよいが、導電性粒子に吸収される波長を選択して用いる。導電性粒子として、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕなどを用いた場合、例えば４００ｎｍ～１０６４ｎｍの光を電磁波として用いることができる。また、スルーホール１２よりも小さいか、または、同程度の照射径に集光した光ビームを用いることにより、光ビームが当たっていない基板１１が加熱されず、樹脂基板を用いた場合でも、基板１１にダメージを与えにくく、透明な基板１１の透明性を維持することが可能である。また、光ビームを走査させることにより、配線パターン１４，１５も焼結できる。また、基板に光が照射されても何ら問題が無い場合、全面に光を照射する事でスルーホール部と配線パターン部を一括で焼結する事も出来る。

なお、配線パターン１４，１５は、導電ペーストを焼結して形成する例について説明したが、メッキや薄膜蒸着等の他の方法により形成することももちろん可能である。

（変形例）
ここで、変形例について説明する。

図３及び図４に示す回路基板は、基板１１に形成するスルーホール１２をテーパー形状にしたものである。レーザ等によりスルーホール１２を穿孔することで、テーパー形状のスルーホールを形成することができる。

また、図５に示す回路基板のように、裏面側導電部が、スルーホール内壁と柱部１７Ｂとの間に生じた間隙を必ずしも全て充填していなくともよい。

例えば、基板１１の厚みの半分程度～１／４程度に充填されていても、表面側導電部と裏面側導電部との接合面積は確保されるため、スルーホール断線を抑制することができる。

図３～図５の回路基板の上述以外の構成および効果は、実施形態と同様であるので、説明を省略する。
＜＜別の実施形態＞＞

なお、上述した実施形態に係る回路基板１を用いて構成した電子回路装置について説明する。この電子回路装置は、回路基板１１の両面に電子部品３０を搭載した構成である。また、回路基板１１の上面に抵抗１４０を形成されている。

電子部品３０としては、どのようなものを用いてもよいが、一例としては、発光素子（ＬＥＤ，ＬＤ）、受光素子、集積回路、表示素子（液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイ等）、車載用電子部品等を用いることができる。配線パターン１４，１５は、複数の電子部品３０を直列や並列等の所望の回路パターンで接続するように形成する。

スルーホール１２と導電部１３は、両面の配線パターンを接続する位置に設けられている。

基板１１として、フレキシブルなものを用いることも可能であるし、透明なものを用いることも可能である。

これにより、車載用電子部品を搭載した車載用電子回装置を構成したり、通信機器、遊戯機器、ＯＡ機器などの電子デバイスに適用することができる。例えば、自動車のインストルメント・パネル（計器表示盤）やゲーム機の表示部等に適用できる。また、基板を湾曲させることができるため、ウエアラブル（体に装着可能な）な電子デバイス（メガネ、時計、ディスプレイ、医療機器等）や、湾曲したディスプレイに適用可能である。

１・・・回路基板、１１・・・基板、１２・・・スルーホール、１３・・・導電部、１４・・・表面側配線パターン、１５・・・裏面側配線パターン、１７・・・表面側導電部、１７Ａ・・・表面側接続部、１７Ｂ・・・柱部、１８・・・裏面側導電部、１８Ａ・・・裏面側接続部、１８Ｂ・・・凹部

Claims (19)

1. スルーホールを有する基板と、
   前記基板の一方の面における前記スルーホールの開口を塞ぐように覆い、前記一方の面から前記スルーホール内に挿入された第１の導電部と、
   前記基板の他方の面における前記スルーホールの開口を塞ぐように覆い、前記他方の面から前記スルーホール内に挿入された第２の導電部とを有し、
   前記第１の導電部の前記スルーホール内に挿入された部分は、前記スルーホールの径よりも小さい径の柱状であり、
   前記第２の導電部の前記スルーホール内に挿入された部分は、前記第１の導電部の前記柱状の部分と前記スルーホールの内壁との間隙を充填する形状であり、
   前記第１および第２の導電部は、いずれも、導電性粒子を焼結したものにより構成されていることを特徴とする回路基板。
2. 請求項１に記載の回路基板であって、前記第１および第２の導電部は、いずれも樹脂を含まないことを特徴とする回路基板。
3. 請求項１または２に記載の回路基板であって、前記第１の導電部は、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子の導電性粒子を焼結したものであることを特徴とする回路基板。
4. 請求項１または２に記載の回路基板であって、前記第１の導電部は、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子の導電性粒子と、直径が１μｍ以上１ｍｍよりも小さいマイクロ粒子の導電性粒子との混合物を焼結したものであることを特徴とする回路基板。
5. 請求項３または４に記載の回路基板であって、前記第２の導電部は、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子の導電性粒子を焼結したものであることを特徴とする回路基板。
6. 請求項３または４に記載の回路基板であって、前記第２の導電部は、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子の導電性粒子と、直径が１μｍよりも大きく１ｍｍよりも小さいマイクロ粒子の導電性粒子との混合物を焼結したものであることを特徴とする回路基板。
7. 請求項３ないし６のいずれか１項に記載の回路基板であって、前記第１の導電部は、焼結前の導電性粒子の平均粒径が、前記第２の導電部の焼結前の導電性粒子の平均粒径と同等もしくは、それよりも小さいことを特徴とする回路基板。
8. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の回路基板であって、前記基板の少なくとも一方の面には、前記スルーホールの周辺で前記第１の導電部または第２の導電部に接続された配線パターンが搭載され、前記配線パターンは、導電性粒子を焼結したものにより構成されていることを特徴とする回路基板。
9. 請求項１ないし８のいずれか１項に記載の回路基板であって、前記基板は、フレキシブルであることを特徴とする回路基板。
10. 配線パターンを備えた回路基板と、前記回路基板の少なくとも片面に搭載された電子部品とを有する電子回路装置であって、
    前記回路基板は、
    スルーホールを有する基板と、
    前記基板の一方の面における前記スルーホールの開口を塞ぐように覆い、前記一方の面から前記スルーホール内に挿入された第１の導電部と、
    前記基板の他方の面における前記スルーホールの開口を塞ぐように覆い、前記他方の面から前記スルーホール内に挿入された第２の導電部とを有し、
    前記第１の導電部の前記スルーホール内に挿入された部分は、前記スルーホールの径よりも小さい径の柱状であり、
    前記第２の導電部の前記スルーホール内に挿入された部分は、前記第１の導電部の前記柱状の部分と前記スルーホールの内壁との間隙を充填する形状であり、
    前記第１および第２の導電部は、いずれも、導電性粒子を焼結したものにより構成されていることを特徴とする電子回路装置。
11. スルーホールを有する基板の一方の面から前記スルーホール内に、導電性粒子を溶媒に分散させた第１の導電ペーストを充填する第１ステップと、
    前記第１の導電ペーストを加熱して、前記第１の導電ペーストを収縮させるとともに、前記導電性粒子を焼結させ、前記スルーホール内に挿入された部分の径が、前記スルーホールの径よりも小さい第１の導電部を形成する第２ステップと、
    前記基板の他方の面から、前記スルーホール内壁と前記第１の導電部との間隙に、導電性粒子を溶媒に分散させた第２の導電ペーストを充填する第３ステップと、
    前記第２の導電ペーストを加熱して、前記第２の導電ペーストを収縮させるとともに、前記第２の導電ペーストの前記導電性粒子を焼結させ、前記スルーホール内壁と前記第１の導電部との間隙を充填する第２の導電部を形成する第４ステップと
    を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
12. 請求項１１に記載の回路基板の製造方法であって、前記第１の導電ペーストは、前記導電性粒子を５０ｗｔ％以上９８ｗｔ％以下の割合で含有することを特徴とする回路基板の製造方法。
13. 請求項１１または１２に記載の回路基板の製造方法であって、前記第１の導電ペーストに含まれる導電性粒子は、粒径が１μｍよりも小さいナノ粒子の割合が４０ｗｔ％以上であることを特徴とする回路基板の製造方法。
14. 請求項１１ないし１３のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法であって、前記第１の導電ペーストの導電性粒子の平均粒径は、前記第２の導電ペーストの導電性粒子の平均粒径と同等もしくは、それよりも小さいことを特徴とする回路基板の製造方法。
15. 請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法であって、前記第２ステップおよび第４ステップは、電磁波を照射することにより前記第１および第２の導電ペーストを加熱することを特徴とする回路基板の製造方法。
16. 請求項１１または１５に記載の回路基板の製造方法であって、前記第１ステップは、前記スルーホールに対する前記第１の導電ペーストの充填と同時に、前記基板の前記一方の面に、前記第１の導電ペーストを配線パターン形状に塗布することを特徴とする回路基板の製造方法。
17. 請求項１６に記載の回路基板の製造方法であって、前記第２ステップでは、前記スルーホール内の前記第１の導電ペーストの加熱と同時に、または、連続して、前記配線パターン形状の前記第１の導電ペーストを加熱することを特徴とする回路基板の製造方法。
18. 請求項１１ないし１７のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法であって、前記第３ステップは、前記スルーホールに対する前記第２の導電ペーストの充填と同時に、前記基板の前記一方の面に、前記第２の導電ペーストを配線パターン形状に塗布することを特徴とする回路基板の製造方法。
19. 請求項１８に記載の回路基板の製造方法であって、前記第４ステップでは、前記スルーホール内の前記第２の導電ペーストの加熱と同時に、または、連続して、前記配線パターン形状の前記第２の導電ペーストを加熱することを特徴とする回路基板の製造方法。

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