JP7073230B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出装置付き表示機器として用いられている。このような外部近接物体の検出方法として、静電容量方式や電磁誘導方式が知られている。電磁誘導方式では、表示装置に磁界を発生するコイルと、磁界を検出するコイルが設けられる。外部物体であるペンには、共振回路を構成するコイルと容量素子が設けられる。表示装置は、表示装置の各コイルとペン内のコイルとの間の電磁誘導によってペンを検出する。下記特許文献１には、電磁誘導方式の座標入力装置が記載されている。

特開平１０－４９３０１号公報

静電容量方式と電磁誘導方式とでは、検出対象や検出電極の構成が大きく異なる。このため、表示装置に設けられた電極や各種配線及びこれらの駆動構成を、そのまま電磁誘導方式に採用すると、良好に電磁誘導方式のタッチ検出を行うことが困難となる可能性がある。

本発明は、表示装置に設けられた各種配線を電磁誘導方式の電極として共用しつつ、良好に電磁誘導方式のタッチ検出を行うことが可能な表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の表示装置は、基板と、複数の画素電極と、前記基板の表示領域にマトリクス状に配列された複数の検出電極と、複数の前記検出電極のそれぞれに接続された複数の検出電極配線と、前記検出電極又は前記検出電極配線の何れか一方と同層に設けられ、第１方向に延出する複数の第１電極と、複数の前記画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に延出する複数の信号線と、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、複数の前記第１電極の端部を接続する接続部材と、電磁誘導方式による第１センサ期間に、第１駆動信号を出力する駆動回路と、を有する。

本発明の一態様の表示装置は、基板と、複数の画素電極と、前記基板の表示領域にマトリクス状に配列された複数の検出電極と、複数の前記検出電極のそれぞれに接続された複数の検出電極配線と、複数の前記画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、前記基板に垂直な方向において、前記スイッチング素子の半導体と前記基板との間に設けられ、第１方向に延出する第２電極と、前記検出電極又は前記検出電極配線の何れか一方と同層に設けられ、前記第１方向に交差する第２方向に延出する複数の第１電極と、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、複数の前記第１電極の端部を接続する接続部材と、電磁誘導方式による第１センサ期間に、第１駆動信号を出力する駆動回路と、を有する。

本発明の一態様の表示装置は、基板と、複数の画素電極と、前記基板の表示領域にマトリクス状に配列された複数の検出電極と、複数の前記検出電極のそれぞれに接続された複数の検出電極配線と、複数の前記画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された信号線と、前記基板に垂直な方向において、前記検出電極の上側に設けられたシールド電極と、電磁誘導方式による第１センサ期間に、第１駆動信号を前記信号線又は前記シールド電極のいずれか一方に出力する第１駆動回路と、を有し、前記シールド電極は、前記信号線と交差する第１方向に延出する複数の配線部と、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、複数の前記配線部の端部を接続する接続部と、を有する。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成を示すブロック図である。 図２は、電磁誘導方式のタッチ検出を説明するための説明図である。 図３は、第１実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図４は、第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。 図５は、第１実施形態に係る表示装置の画素配列を表す回路図である。 図６は、第１電極の接続構成を示す回路図である。 図７は、各種信号を供給する駆動回路を示すブロック図である。 図８は、第１実施形態に係る検出電極及び第１電極を示す平面図である。 図９は、図８のＩＸ－ＩＸ’断面図である。 図１０は、第１実施形態に係る信号線の接続構成を示す回路図である。 図１１は、第１実施形態の変形例に係る検出電極及び第１電極を示す平面図である。 図１２は、第２実施形態に係る第１電極の接続構成を示す回路図である。 図１３は、第２実施形態に係る信号線の接続構成を示す回路図である。 図１４は、第３実施形態に係る第１電極の接続構成を示す回路図である。 図１５は、第３実施形態に係る第１電極、検出電極及び検出電極配線を示す平面図である。 図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ’断面図である。 図１７は、第３実施形態の変形例に係る第１電極、検出電極及び検出電極配線を示す平面図である。 図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ’断面図である。 図１９は、第４実施形態に係る第１電極の接続構成を示す回路図である。 図２０は、第４実施形態に係る第１電極及び検出電極配線を示す平面図である。 図２１は、第５実施形態に係る第１電極及び第２電極の接続構成を示す回路図である。 図２２は、第５実施形態に係る第２電極を拡大して示す平面図である。 図２３は、第５実施形態に係る第２電極と検出信号出力線との接続部分を拡大して示す平面図である。 図２４は、図２３のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ’断面図である。 図２５は、第５実施形態に係る第１電極及び検出電極配線を示す平面図である。 図２６は、第５実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。 図２７は、第５実施形態の変形例に係る第１電極及び第２電極の接続構成を示す回路図である。 図２８は、第６実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図２９は、第６実施形態に係る検出電極及び検出電極配線を示す平面図である。 図３０は、図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ’断面図である。 図３１は、第６実施形態に係るガード電極を示す平面図である。 図３２は、第３実施形態の変形例に係るガード電極を示す平面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成を示すブロック図である。本実施形態の表示装置１は、被検出体の表示面への接触や近接を検出する検出機能が内蔵されている。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２０と、第１検出制御回路１０と、第２検出制御回路１２と、表示制御回路１４と、ゲートドライバ１５と、第１接続切替回路１６と、第２接続切替回路１７と、駆動回路１８と、コントローラ２００と、を有する。

表示パネル２０は、例えば、表示素子として液晶を用いた液晶表示装置である。表示パネル２０は、ゲートドライバ１５から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って表示を行う装置である。より具体的には、表示パネル２０は、走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う装置である。

コントローラ２００は、第１検出制御回路１０、第２検出制御回路１２及び表示制御回路１４に制御信号Ｖｃｔｒｌを供給して、表示パネル２０の表示及び検出を制御する回路である。なお、第１検出制御回路１０、第２検出制御回路１２及び表示制御回路１４は、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）１９として表示パネル２０に設けられている。ただし、駆動ＩＣ１９は、表示パネル２０に接続された配線基板７１や、制御回路基板に設けられていてもよい。また、第１検出制御回路１０、第２検出制御回路１２、駆動回路１８及び表示制御回路１４の少なくとも一部は、駆動ＩＣ１９に内蔵されることなく、表示パネル２０に設けられてもよい。配線基板７１は、例えば、フレキシブルプリント基板である。

表示制御回路１４は、コントローラ２００より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１５、第１接続切替回路１６にそれぞれ制御信号を供給する。

ゲートドライバ１５は、表示制御回路１４から供給される制御信号に基づいて、表示パネル２０に走査信号Ｖｓｃａｎを供給する回路である。言い換えると、ゲートドライバ１５は、表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する回路である。

第１接続切替回路１６及び第２接続切替回路１７は、第１検出制御回路１０からの切替信号Ｖｓｓに基づいて、信号線ＳＧＬの接続状態を変更するスイッチ回路である。第１接続切替回路１６は、表示期間に、表示制御回路１４から供給される制御信号に基づいて、表示パネル２０の、各画素Ｐｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する。また、表示制御回路１４は、表示期間に、駆動回路１８を介して検出電極２２に表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。

表示パネル２０は、自己静電容量方式のタッチ検出により、表示パネル２０の表示面に接触又は近接した指の位置を検出する機能を含む。又、表示パネル２０は、電磁誘導方式のタッチ検出により、表示面に接触又は近接したタッチペン１００を検出する機能を含む。タイミングコントローラＴＣは、第１検出制御回路１０による電磁誘導方式のタッチ検出、第２検出制御回路１２による自己静電容量方式のタッチ検出、及び、表示制御回路１４による表示のタイミングを制御するための制御信号ＴＳＶＤ、ＴＳＨＤを供給する。

第１検出制御回路１０は、駆動ＩＣ１９に含まれるタイミングコントローラＴＣから供給される制御信号ＴＳＶＤ、ＴＳＨＤに基づいて、電磁誘導方式のタッチ検出を制御する回路である。第１検出制御回路１０は、電磁誘導方式の検出期間（以下、第１センサ期間と表す）に、表示パネル２０の電極又は配線により形成される送信コイルＣＴｘに、駆動回路１８を介して、第１駆動信号ＶＴＰを供給する。表示パネル２０の受信コイルＣＲｘは、電磁誘導方式によりタッチペン１００の接触又は近接を検出した場合、第１検出信号Ｖｄｅｔ１を第１検出制御回路１０に出力する。なお、本実施形態において、送信コイルＣＴｘは、第１電極２３であり、受信コイルＣＲｘは信号線ＳＧＬである。

第２検出制御回路１２は、コントローラ２００及びタイミングコントローラＴＣから供給される制御信号に基づいて、静電容量方式のタッチ検出を制御する回路である。第２検出制御回路１２は、静電容量方式の検出期間（以下、第２センサ期間と表す）に、駆動回路１８を介して、表示パネル２０の検出電極２２に第２駆動信号ＶＳＥＬＦを供給する。表示パネル２０は、静電容量方式により指の接触又は近接を検出した場合、第２検出信号Ｖｄｅｔ２を第２検出制御回路１２に出力する。第１駆動信号ＶＴＰ及び第２駆動信号ＶＳＥＬＦは、例えば、所定の周波数（例えば数ｋＨｚ～数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波である。なお、第１駆動信号ＶＴＰ及び第２駆動信号ＶＳＥＬＦの交流波形は、サイン波や三角波であってもよい。

第１検出制御回路１０は、第１検出信号Ｖｄｅｔ１を受信コイルＣＲｘから受け取る第１検出回路１１を備える。第１検出回路１１は、受信した第１検出信号Ｖｄｅｔ１を出力信号として表示パネル２０の外部（例えば、コントローラ２００）に送信する。また、第２検出制御回路１２は、第２検出信号Ｖｄｅｔ２を検出電極２２から受け取る第２検出回路１３を備える。第２検出回路１３は、受信した第２検出信号Ｖｄｅｔ２を出力信号として表示パネル２０の外部（例えば、コントローラ２００）に送信する。第１検出回路１１及び第２検出回路１３は、例えば、アナログフロントエンド（以下ＡＦＥ（Analog Front End）と表す）回路である。第１検出回路１１及び第２検出回路１３は、例えば、それぞれに供給された第１検出信号Ｖｄｅｔ１及び第２検出信号Ｖｄｅｔ２のノイズを抑制するフィルタ回路や、信号成分を増幅する増幅回路など信号調整を行う信号処理回路を備える。なお、第１検出回路１１及び第２検出回路１３は、信号処理回路を備えず、第１検出信号Ｖｄｅｔ１及び第２検出信号Ｖｄｅｔ２をそのまま出力信号としてコントローラ２００に供給し、コントローラ２００にフィルタ回路や増幅回路等の信号処理回路を備えてもよい。

第１検出制御回路１０及び第２検出制御回路１２は、それぞれ、第１検出信号Ｖｄｅｔ１及び第２検出信号Ｖｄｅｔ２の信号処理を行うＡ／Ｄ変換回路、信号処理回路、座標抽出回路等を備えていてもよい。或いは、コントローラ２００が信号処理回路、座標抽出回路等を備えていてもよい。

Ａ／Ｄ変換回路は、第１駆動信号ＶＴＰ又は第２駆動信号ＶＳＥＬＦに同期したタイミングで、表示パネル２０から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。

信号処理回路は、Ａ／Ｄ変換回路の出力信号に基づいて、表示パネル２０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理回路は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理回路は、絶対値｜ΔＶ｜を所定の閾値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧未満であれば、被検出体が非存在状態であると判断する。一方、信号処理回路は、絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧以上であれば、被検出体の存在状態と判断する。

座標抽出回路は、信号処理回路において被検出体が検出されたときに、被検出体の座標を求める論理回路である。座標抽出回路は、被検出体の座標を出力信号として出力する。座標抽出回路は、出力信号を表示パネル２０の外部（例えば、コントローラ２００）に出力する。

次に、図２を参照して、本実施形態の表示パネル２０の電磁誘導方式によるタッチ検出について説明する。図２は、電磁誘導方式のタッチ検出を説明するための説明図である。

図２に示すように、電磁誘導方式では、タッチペン１００の接触又は近接を検出する。タッチペン１００の内部には、共振回路１０１が設けられている。共振回路１０１は、コイル１０２と容量素子１０３とが並列接続されて構成される。

電磁誘導方式では、送信コイルＣＴｘと受信コイルＣＲｘが重なって設けられる。送信コイルＣＴｘは、第１方向Ｄｘに長手を有し、受信コイルＣＲｘは、第２方向Ｄｙに長手を有する。受信コイルＣＲｘは、平面視で送信コイルＣＴｘと交差して設けられる。送信コイルＣＴｘは、駆動回路１８に接続され、受信コイルＣＲｘは第１検出回路１１（図１参照）に接続される。

図２に示すように、磁界発生期間では、第１検出制御回路１０により駆動回路１８を介して送信コイルＣＴｘに所定の周波数（例えば数ｋＨｚ～数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波が印加される。これにより、送信コイルＣＴｘに電流が流れ、送信コイルＣＴｘはこの電流変化に応じた磁界Ｍ１を発生する。タッチペン１００が接触又は近接している場合、送信コイルＣＴｘとコイル１０２との相互誘導による起電力がコイル１０２に発生する。これにより、容量素子１０３が充電される。

次に、磁界検出期間では、タッチペン１００のコイル１０２は、共振回路１０１の共振周波数に応じて変化する磁界Ｍ２を発生する。磁界Ｍ２が受信コイルＣＲｘを通過することで、受信コイルＣＲｘとコイル１０２との相互誘導による起電力が受信コイルＣＲｘに発生する。第１検出回路１１には、受信コイルＣＲｘの起電力に応じた電流が流れる。送信コイルＣＴｘ及び受信コイルＣＲｘを走査することにより、タッチペン１００の検出が行われる。

図３は、第１実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図４は、第１実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。図３に示すように、表示装置１は、アレイ基板２と、対向基板３と、液晶層６と、偏光板２５と、偏光板３５とを備えている。対向基板３は、アレイ基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。液晶層６は、アレイ基板２と対向基板３との間に設けられる。

アレイ基板２は、第１基板２１と、検出電極２２と、第１電極２３と、画素電極２４とを含む。アレイ基板２は、各画素Ｐｉｘを駆動するための駆動回路基板であり、バックプレーンも呼ばれる。第１基板２１には、ゲートドライバ１５に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子Ｔｒや、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ（図５参照）等の各種配線が設けられる。画素電極２４は、第１基板２１の一方の面にマトリクス状に配列される。

検出電極２２及び第１電極２３は、第１基板２１と画素電極２４との間に設けられる。画素電極２４と、検出電極２２及び第１電極２３とは、絶縁層２７を介して絶縁されている。また、第１基板２１の他方の面には、接着層２６を介して偏光板２５が設けられている。なお、本実施形態では、画素電極２４が検出電極２２及び第１電極２３の上側に設けられる例について説明したが、検出電極２２及び第１電極２３の少なくとも一方が画素電極２４の上側に設けられていてもよい。言い換えると、第１基板２１と、検出電極２２及び第１電極２３の少なくとも一方との間に画素電極２４が配置されていてもよい。

また、第１基板２１には、駆動ＩＣ１９と、配線基板７１が設けられる。駆動ＩＣ１９は、図１に示す第１検出制御回路１０、第２検出制御回路１２及び表示制御回路１４の機能の全部又は一部を含む。駆動ＩＣ１９は２以上のＩＣチップからなってもよく、一部のＩＣチップが配線基板７１上に配置されてもよい。

図３に示すように、対向基板３は、第２基板３１と、カラーフィルタ３２とを含む。カラーフィルタ３２は、第２基板３１の、第１基板２１と対向する面に設けられる。また、カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。第２基板３１の上に、接着層３６を介して偏光板３５が設けられている。第１基板２１及び第２基板３１は、可視光を透過可能な透光性を有するガラス基板である。又は、第１基板２１及び第２基板３１は、ポリイミド等の樹脂で構成された透光性の樹脂基板又は樹脂フィルムであってもよい。なお、カラーフィルタ３２は、第１基板２１に設けられていてもよい。

第１基板２１と第２基板３１とは、シール部６６により所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１、第２基板３１及びシール部６６によって囲まれた空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。液晶層６は、画像を表示するための表示層として設けられる。なお、図３に示す液晶層６とアレイ基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設される。

なお、本明細書において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第１基板２１の表面に垂直な方向から見た場合を示す。

また、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙは、第１基板２１の表面に対して平行な方向である。第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交する。ただし、第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１基板２１の表面に垂直な方向である。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する。

図４に示すように、第１基板２１は、表示パネル２０の表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡの外側に設けられた周辺領域ＧＡとに対応する領域が形成されている。表示領域ＡＡは、複数の画素Ｐｉｘと重なる領域である。また、表示領域ＡＡは、検出電極２２や第１電極２３等の検出素子を含む領域である。言い換えると、表示領域ＡＡは、指等のタッチの有無や、タッチペン１００を検出可能な領域である。

複数の検出電極２２は、表示領域ＡＡにマトリクス状に配列されている。それぞれの検出電極２２は、平面視で矩形状又は正方形状である。検出電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。なお、検出電極２２は、多角形状等、他の形状であってもよい。

検出電極配線５１は、検出電極２２のそれぞれに電気的に接続される。複数の検出電極配線５１は、第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに並んで配列される。本実施形態では、検出電極配線５１は、検出電極２２と異なる層に設けられ、平面視で検出電極２２と重なる領域に設けられる。検出電極配線５１は、それぞれ、駆動ＩＣ１９に含まれる第２検出回路１３に接続される。

複数の第１電極２３は、それぞれ第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに配列されている。第１方向Ｄｘに配列された複数の検出電極２２は、１つの第１電極２３と第２方向Ｄｙに隣り合って配置される。また、複数の第１電極２３は、第２方向Ｄｙに隣り合う検出電極２２の間に配置される。第１電極２３は、検出電極２２と同じ層に設けられ、平面視で検出電極２２と重ならない領域に設けられる。また、第１電極２３は、検出電極配線５１とも離隔している。第１電極２３は、検出電極２２と同じ材料、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。

図５は、第１実施形態に係る表示装置の画素配列を表す回路図である。図５に示すように、表示パネル２０は、マトリクス状に配列された複数の画素Ｐｉｘを有している。画素Ｐｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２４と検出電極２２（共通電極）との間に絶縁層２７が設けられ、これらによって図５に示す保持容量６ｂが形成される。

図１に示すゲートドライバ１５は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１５は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを画素Ｐｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、画素Ｐｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、表示制御回路１４に含まれるソースドライバは、選択された１水平ラインを構成する画素Ｐｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの画素Ｐｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。なお、図４において、ゲートドライバ１５は、周辺領域ＧＡのうち、表示領域ＡＡを挟んで対向する２つの領域に配置されているが、いずれか一方に配置されていてもよい。

図３に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタ３２の色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂが周期的に配列されている。図５に示す各画素Ｐｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂが対応付けられる。なお、画素Ｐｉｘに対応付けられる色領域は、異なる色であればよく、他の色の組み合わせであってもよい。また、画素Ｐｉｘに対応付けられる色領域は、３色の組み合わせに限定されず、４色以上の組み合わせであってもよい。

図３及び図４に示す検出電極２２は、表示パネル２０の複数の画素Ｐｉｘに共通の電位を与える共通電極として機能するとともに、自己静電容量方式によるタッチ検出を行う際の駆動電極及び検出電極としても機能する。表示期間においては、表示制御回路１４は、駆動回路１８を介して検出電極２２に、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。

表示装置１の動作方法の一例として、表示装置１は、電磁誘導方式のタッチ検出（第１センサ期間）と、自己静電容量方式のタッチ検出（第２センサ期間）と、表示動作（表示期間）とを時分割に行う。各検出と表示とはどのように分けて行ってもよい。

図６は、第１電極の接続構成を示す回路図である。図７は、各種信号を供給する駆動回路を示すブロック図である。図６は、第１センサ期間での第１電極の接続構成を示す。

図６に示すように、複数の第１電極２３－１、２３－２、…、２４－９は、第２方向Ｄｙに配列されている。なお、以下の説明において、第１電極２３－１、２３－２、…、２３－９を区別して説明する必要がない場合には、第１電極２３と表す。また、以下の説明では、図６を参照しつつ、第１電極２３の一端を左端とし、他端を右端と表す。

複数の第１電極２３の左端側に第１駆動信号供給配線５２と第２駆動信号供給配線５４とが設けられ、右端側に第１駆動信号供給配線５３と第２駆動信号供給配線５５が設けられる。第１駆動信号供給配線５２、５３及び第２駆動信号供給配線５４、５５は、第１電極２３に第１駆動信号ＶＴＰを供給するための配線である。

スイッチＳＷ１１は、第１電極２３のそれぞれの左端と、第１駆動信号供給配線５２との間に設けられる。スイッチＳＷ１２は、第１電極２３のそれぞれの左端と第２駆動信号供給配線５４との間に設けられる。スイッチＳＷ１１及びスイッチＳＷ１２は、第１電極２３のそれぞれの左端に並列に接続される。

また、スイッチＳＷ１３は、第１電極２３のそれぞれの右端と第１駆動信号供給配線５３との間に設けられる。スイッチＳＷ１４は、第１電極２３の右端と第２駆動信号供給配線５５との間に設けられる。スイッチＳＷ１３及びスイッチＳＷ１４は、第１電極２３のそれぞれの右端に並列に接続される。第１駆動信号供給配線５２、５３、第２駆動信号供給配線５４、５５及びスイッチＳＷ１１からスイッチＳＷ１４は、周辺領域ＧＡに設けられる。第１駆動信号供給配線５２、５３、第２駆動信号供給配線５４、５５及びスイッチＳＷ１１からスイッチＳＷ１４は、複数の第１電極２３の端部どうしを接続する接続部材である。

ここで、図７に示すように、駆動回路１８は、検出電極配線５１、第１駆動信号供給配線５２、５３及び第２駆動信号供給配線５４、５５を介して、各種信号を検出電極２２及び第１電極２３に供給する。駆動回路１８は、表示駆動信号供給回路１８Ａ、第２駆動信号供給回路１８Ｂ、第１電圧供給回路１８Ｃ及び第２電圧供給回路１８Ｄを含む。表示駆動信号供給回路１８Ａ、第２駆動信号供給回路１８Ｂ、第１電圧供給回路１８Ｃ及び第２電圧供給回路１８Ｄは、駆動ＩＣ１９（図１参照）に搭載されている。なお、表示駆動信号供給回路１８Ａ、第２駆動信号供給回路１８Ｂ、第１電圧供給回路１８Ｃ及び第２電圧供給回路１８Ｄの少なくとも一部は、表示パネル２０に回路として設けられていてもよい。

表示駆動信号供給回路１８Ａは、検出電極配線５１を介して、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを検出電極２２に供給する。また、表示駆動信号供給回路１８Ａは、第１駆動信号供給配線５２、５３又は第２駆動信号供給配線５４、５５を介して、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを第１電極２３に供給する。第２駆動信号供給回路１８Ｂは、検出用の第２駆動信号ＶＳＥＬＦを、検出電極配線５１を介して検出電極２２に供給する。第１電圧供給回路１８Ｃは、第１駆動信号供給配線５２、５３を介して、第１電位を有する直流の第１電圧ＶＴＰＨを第１電極２３に供給する。第２電圧供給回路１８Ｄは、第２駆動信号供給配線５４、５５を介して、第２電圧ＶＴＰＬを第１電極２３に供給する。第２電圧ＶＴＰＬは、第１電位よりも小さい第２電位を有する直流の電圧信号である。

図６に示すように、電磁誘導方式の検出期間では、第１検出制御回路１０からの制御信号に応じて、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４が動作し、送信コイルＣＴｘを形成する第１電極２３が選択される。具体的には、第１電極２３－２、２３－３、２３－４及び第１電極２３－６、２３－７、２３－８が第１電極ブロックＢＫＥ１、ＢＫＥ２として選択される。それ以外の第１電極２３は、非選択電極ブロックである。第１電極２３－４と第１電極２３－６との間の領域は、被検出体を検出する検出領域Ａｅｍである。

第１電極２３－２、２３－３、２３－４の左側では、スイッチＳＷ１１はオフになり、スイッチＳＷ１２はオンになる。これにより、第１電極２３－２、２３－３、２３－４の左端は、第２駆動信号供給配線５４と電気的に接続される。また、第１電極２３－２、２３－３、２３－４の右側では、スイッチＳＷ１３はオンになり、スイッチＳＷ１４はオフになる。これにより、第１電極２３－２、２３－３、２３－４の右端は、第１駆動信号供給配線５３と電気的に接続される。

第１電極２３－６、２３－７、２３－８の左側では、スイッチＳＷ１１はオンになり、スイッチＳＷ１２はオフになる。これにより、第１電極２３－６、２３－７、２３－８の左端は、第１駆動信号供給配線５２と電気的に接続される。第１電極２３－６、２３－７、２３－８の右側では、スイッチＳＷ１３はオフになり、スイッチＳＷ１４はオンになる。これにより、第１電極２３－６、２３－７、２３－８の右端は、第２駆動信号供給配線５５と電気的に接続される。

これにより、第１センサ期間では、第１電極２３－２、２３－３、２３－４の左端側に第２電圧供給回路１８Ｄが接続され、右端側に第１電圧供給回路１８Ｃが接続される。また、第１電極２３－６、２３－７、２３－８の左端側に第１電圧供給回路１８Ｃが接続され、右端側に第２電圧供給回路１８Ｄが接続される。

第２電圧供給回路１８Ｄは、第２駆動信号供給配線５４を介して、第２電圧ＶＴＰＬを第１電極２３－２、２３－３、２３－４の左端に供給する。また、第１電圧供給回路１８Ｃは、第１駆動信号供給配線５３を介して、第１電圧ＶＴＰＨを第１電極２３－２、２３－３、２３－４の右端に供給する。これにより、第１電極２３－２、２３－３、２３－４の左端と右端とで電位差が生じ、電流Ｉ１が右端から左端に向かう方向に流れる。

第１電圧供給回路１８Ｃは、第１駆動信号供給配線５２を介して、第１電圧ＶＴＰＨを第１電極２３－６、２３－７、２３－８の左端に供給する。また、第２電圧供給回路１８Ｄは、第２駆動信号供給配線５５を介して、第２電圧ＶＴＰＬを第１電極２３－６、２３－７、２３－８の右端に供給する。これにより、第１電極２３－６、２３－７、２３－８の左端と右端とで電位差が生じ、電流Ｉ２が左端から右端に向かう方向に流れる。

第１検出制御回路１０は、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４の動作を切り替えることにより、第１電極２３の両端に供給される第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとを所定の周波数で変更する。これにより、第１電極２３に交流の電圧信号である第１駆動信号ＶＴＰが供給される。

第１電極２３に流れる電流Ｉ１、Ｉ２により磁界が発生し電磁誘導が形成される。電流Ｉ１と電流Ｉ２とは互いに反対方向に流れる。このため、電流Ｉ１により発生する磁界と、電流Ｉ２により発生する磁界は、検出領域Ａｅｍで重なり合う。これにより、検出領域Ａｅｍを通る磁界の強度を高めることができる。電流Ｉ１と電流Ｉ２とにより発生する磁界は、図３に示す電磁誘導方式の磁界発生期間に発生する磁界Ｍ１に相当する。また、第１電極ブロックＢＫＥ１に含まれる第１電極２３－２、２３－３、２３－４及び第１電極ブロックＢＫＥ２に含まれる第１電極２３－６、２３－７、２３－８が送信コイルＣＴｘに相当する。

また、図６において、非選択電極ブロックの第１電極２３（第１電極２３－１、２３－５、２３－９）は、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２及びスイッチＳＷ１３、ＳＷ１４がオフになる。これにより、非選択電極ブロックの第１電極２３はフローティング状態となる。

第１検出制御回路１０は、第１電極２３－１から第１電極２３－９を、順次選択する。これにより、電磁誘導方式により、表示領域ＡＡの全体のタッチ検出が行われる。なお、周辺領域ＧＡにも第１電極２３が設けられていてもよい。これにより、表示領域ＡＡの周縁部においても磁界を発生させることができる。

図６では、６つの第１電極２３により送信コイルＣＴｘが形成される。ただし、これに限定されず、検出領域Ａｅｍの一方に配置された１つ又は２つの第１電極２３と、他方に配置された１つ又は２つの第１電極２３とで送信コイルＣＴｘを形成してもよい。検出領域Ａｅｍの一方に配置された４つ以上の第１電極２３と、他方に配置された４つ以上の第１電極２３とで送信コイルＣＴｘを形成してもよい。また、これらの数が同数ではなく、一方の第１電極２３の数が他方の第１電極２３の数と異なる構成も採用可能である。なお、電流の流れる方向の異なる複数の第１電極２３の間に配置される第１電極２３の数は、１つに限らず、０でも２以上の整数であってもよい。

また、表示期間では、第１検出制御回路１０からの制御信号に応じて、全てのスイッチＳＷ１１、ＳＷ１３がオフになり、全てのスイッチＳＷ１２、ＳＷ１４がオンになる。これにより、全ての第１電極２３は第１駆動信号供給配線５２、５３と遮断され、全ての第１電極２３の左端に第２駆動信号供給配線５４が接続され、右端に第２駆動信号供給配線５５が接続される。

これにより、表示期間では、表示駆動信号供給回路１８Ａは、第２駆動信号供給配線５４、５５を介して、全ての第１電極２３に表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。同時に、表示駆動信号供給回路１８Ａは、検出電極２２にも検出電極配線５１を介して表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。

また、第２センサ期間では、第２駆動信号供給回路１８Ｂは、検出用の第２駆動信号ＶＳＥＬＦを、検出電極配線５１を介して検出電極２２に供給する。検出電極２２は、被検出体の接触又は近接に起因する自己静電容量変化に応じた信号（第２検出信号Ｖｄｅｔ２）を、第２検出回路１３に出力する。この場合に、第１検出制御回路１０は、全てのスイッチＳＷ１１、ＳＷ１３をオンとし、全てのスイッチＳＷ１２、ＳＷ１４をオフとする。第２駆動信号供給回路１８Ｂは、第１駆動信号供給配線５２、５３を介して全ての第１電極２３にガード駆動信号を供給する。ガード駆動信号は、第２駆動信号ＶＳＥＬＦと同期した同じ振幅を有する電圧信号である。なお、ガード駆動信号は、第２駆動信号ＶＳＥＬＦと同電位の信号であってもよい。これにより、表示装置１は、検出電極２２と第１電極２３との容量結合による影響を抑制することができる。

なお、図６に示す接続構成は、あくまで一例であり適宜変更できる。例えば、電磁誘導方式の検出期間において、第１電圧供給回路１８Ｃ及び第２電圧供給回路１８Ｄは、第１電極２３の左端にのみ第１電圧ＶＴＰＨ及び第２電圧ＶＴＰＬを供給してもよい。第２電圧供給回路１８Ｄは、第２駆動信号供給配線５４を介して、第２電圧ＶＴＰＬを第１電極２３－２、２３－３、２３－４の左端に供給する。また、第１電圧供給回路１８Ｃは、第１駆動信号供給配線５２を介して、第１電圧ＶＴＰＨを第１電極２３－６、２３－７、２３－８の左端に供給する。

そして、第１電極２３－２、２３－３、２３－４の右端と、第１電極２３－６、２３－７、２３－８の右端とは、第１駆動信号供給配線５３及び第２駆動信号供給配線５５の少なくとも一方により電気的に接続される。この場合であっても、第１電極２３－２、２３－３、２３－４及び第１電極２３－６、２３－７、２３－８は、送信コイルＣＴｘとして形成される。

図８は、第１実施形態に係る検出電極及び第１電極を示す平面図である。図９は、図８のＩＸ－ＩＸ’断面図である。なお、図９では、画素Ｐｉｘに設けられたスイッチング素子Ｔｒの断面構成を併せて示している。

図８に示すように、複数の検出電極２２は、それぞれ複数の部分検出電極２２ｓを有する。複数の部分検出電極２２ｓのそれぞれに個別検出電極配線５１ｓが接続される。複数の個別検出電極配線５１ｓは、それぞれ第２方向Ｄｙに延出して、第１方向Ｄｘに隣り合う。１つの検出電極２２に含まれる複数の部分検出電極２２ｓは、それぞれに接続された個別検出電極配線５１ｓを介して、１つの共通検出電極配線５１ｔに電気的に接続される。

共通検出電極配線５１ｔは、駆動ＩＣ１９の駆動回路１８に接続される。これにより、第２センサ期間には、共通検出電極配線５１ｔに電気的に接続された複数の部分検出電極２２ｓは、同じ第２駆動信号ＶＳＥＬＦが供給される。複数の部分検出電極２２ｓのそれぞれの静電容量変化に応じた信号が、共通検出電極配線５１ｔを介して統合されて、統合された信号が第２検出回路１３に出力される。これにより、複数の部分検出電極２２ｓは１つの検出電極２２として機能する。また、表示の際には、同じ表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが複数の部分検出電極２２ｓのそれぞれに供給される。

図８では、１つの検出電極２２は、４つの部分検出電極２２ｓを有する。なお、１つの検出電極２２は、５つ以上の部分検出電極２２ｓを有してもよく、２つ又は３つの部分検出電極２２ｓを有していてもよい。第１方向Ｄｘに隣り合う部分検出電極２２ｓはスリットＳＬにより離隔される。また、第１電極２３は、第２方向Ｄｙに隣り合う複数の部分検出電極２２ｓの間に配置される。第１電極２３と部分検出電極２２ｓとはスリットＳＬにより離隔される。検出電極２２及び第１電極２３と重なる領域に、それぞれ複数の画素電極２４が配列される。なお、図８では図面を見やすくするために一部の画素電極を示している。

このような構成により、第１電極２３の第２方向Ｄｙの配置ピッチは、検出電極２２の第２方向Ｄｙの配置ピッチよりも小さい。すなわち、表示装置１は、静電容量方式のタッチ検出の検出ピッチに対して、電磁誘導方式のタッチ検出の検出ピッチを小さくできる。

また、検出電極２２及び第１電極２３の上に金属配線２８が設けられている。第１電極２３の上に設けられた金属配線２８は、第１方向Ｄｘに延出する。また、部分検出電極２２ｓの上に設けられた複数の金属配線２８は、第２方向Ｄｙに配列される。複数の金属配線２８は、部分検出電極２２ｓごとに設けられる。

金属配線２８は、検出電極２２及び第１電極２３よりも高い導電性を有する金属材料である。これにより、検出電極２２と金属配線２８とを含む合計の抵抗値が低減し、また、第１電極２３と金属配線２８とを含む合計の抵抗値が低減する。これにより、本実施形態においては、電磁誘導方式のタッチ検出、自己静電容量方式のタッチ検出のいずれの場合であっても駆動信号（第１駆動信号ＶＴＰ、第２駆動信号ＶＳＥＬＦ）の応答性が高められ、検出感度が向上する。

図９に示すように、スイッチング素子Ｔｒは、半導体６１、ソース電極６２、ドレイン電極６３及びゲート電極６４を含む。ゲート電極６４は、第１絶縁層９１を介して第１基板２１の上に設けられる。第１絶縁層９１、第２絶縁層９２、第３絶縁層９３及び絶縁層２７は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）又はシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）等の無機絶縁材料が用いられる。また、各無機絶縁層は、単層に限定されず積層膜であってもよい。

第２絶縁層９２は、ゲート電極６４を覆って第１絶縁層９１の上に設けられる。半導体６１は、第２絶縁層９２の上に設けられる。ゲート電極６４は、ゲート線ＧＣＬのうち、半導体６１と重なる部分である。第３絶縁層９３は、半導体６１を覆って第２絶縁層９２の上に設けられる。ゲート電極６４は、第１基板２１に垂直な方向において、半導体６１と第１基板２１との間に設けられる。半導体６１のゲート電極６４と重なる部分にチャネル領域が形成される。

図９に示す例では、スイッチング素子Ｔｒは、いわゆるボトムゲート構造である。ただし、スイッチング素子Ｔｒは、半導体６１の上側にゲート電極６４が設けられたトップゲート構造でもよい。また、スイッチング素子Ｔｒは、第１基板２１に垂直な方向において、半導体６１を挟んでゲート電極６４が設けられたデュアルゲート構造でもよい。

半導体６１は、例えば、アモルファスシリコン、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、ポリシリコン、低温ポリシリコン（以下、ＬＴＰＳ（Low Temperature Polycrystalline Silicone）と表す）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）で構成される。

ソース電極６２及びドレイン電極６３は、第３絶縁層９３の上に設けられる。本実施形態では、ソース電極６２は、コンタクトホールＨ２を介して半導体６１と電気的に接続される。ドレイン電極６３は、コンタクトホールＨ３を介して半導体６１と電気的に接続される。ソース電極６２は、信号線ＳＧＬのうち、半導体６１と重なる部分である。

第４絶縁層９４及び第５絶縁層９５は、ソース電極６２及びドレイン電極６３を覆って、第３絶縁層９３の上に設けられる。第４絶縁層９４及び第５絶縁層９５は、スイッチング素子Ｔｒや、各種配線で形成される凹凸を平坦化する平坦化層である。

第４絶縁層９４の上に、中継電極６５及び検出電極配線５１が設けられる。中継電極６５は、コンタクトホールＨ４を介してドレイン電極６３と電気的に接続される。検出電極配線５１は、信号線ＳＧＬの上側に設けられる。また、第５絶縁層９５の上に検出電極２２及び第１電極２３が設けられる。第１電極２３は、検出電極２２と同層に設けられる。検出電極２２は、コンタクトホールＨ１を介して検出電極配線５１と電気的に接続される。また、複数の金属配線２８は、検出電極２２及び第１電極２３の上にそれぞれ設けられ、検出電極２２及び第１電極２３と接する。

画素電極２４は、絶縁層２７及び第５絶縁層９５に設けられたコンタクトホールＨ５を介して中継電極６５と電気的に接続される。コンタクトホールＨ５は、検出電極２２の開口２２ａに重なる位置に形成される。このような構成により、画素電極２４は、スイッチング素子Ｔｒと接続される。

図１０は、第１実施形態に係る信号線の接続構成を示す回路図である。図１０では、複数の信号線ＳＧＬのうち、４つの信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、ＳＧＬ４を示す。なお、以下の説明において信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、ＳＧＬ４を区別して説明する必要がない場合には、信号線ＳＧＬと表す。また、図１０では、第１電極２３を二点鎖線で示す。

図１０に示すように、信号線ＳＧＬは、平面視で第１電極２３と交差して設けられる。信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、ＳＧＬ４の一端側には、第１接続切替回路１６が設けられ、他端側には、第２接続切替回路１７が設けられる。第１接続切替回路１６は、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２２、ＳＷ２４を含むスイッチ回路である。第２接続切替回路１７は、スイッチＳＷ２３及び信号線接続配線５６を含むスイッチ回路である。また、以下の説明では、図１０を参照しつつ、信号線ＳＧＬの一端を下端とし、他端を上端と表す。

第１接続切替回路１６において、スイッチＳＷ２１は、信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２と、第１検出回路１１との間の接続と遮断を切り替える。スイッチＳＷ２２は、各信号線ＳＧＬと表示制御回路１４との間の接続と遮断を切り替える。スイッチＳＷ２４は、信号線ＳＧＬ３、ＳＧＬ４と、基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）との間の接続と遮断を切り替える。

第２接続切替回路１７において、スイッチＳＷ２３と信号線接続配線５６は、一対の信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３の上端どうしの間の接続と遮断を切り替える。また、スイッチＳＷ２３と信号線接続配線５６は、一対の信号線ＳＧＬ２、ＳＧＬ４の上端どうしの間の接続と遮断を切り替える。

第１センサ期間では、第１検出制御回路１０からの制御信号に応じて、スイッチＳＷ２３がオンになる。これにより、一対の信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３の上端どうしが、信号線接続配線５６を介して接続される。同様に、一対の信号線ＳＧＬ２、ＳＧＬ４の上端どうしが、信号線接続配線５６を介して接続される。また、信号線ＳＧＬの下端側では、スイッチＳＷ２２はオフになり、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２４はオンになる。これにより、信号線ＳＧＬ１及び信号線ＳＧＬ２の下端は、それぞれ第１検出回路１１に接続される。また、信号線ＳＧＬ３及び信号線ＳＧＬ４の下端は、基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）に接続される。

このような構成により、一対の信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３がループ状に接続されて、受信コイルＣＲｘとして形成される。また、一対の信号線ＳＧＬ２、ＳＧＬ４がループ状に接続されて、受信コイルＣＲｘとして形成される。受信コイルＣＲｘは、第１電極２３によって形成される検出領域Ａｅｍと重なって設けられる。なお、受信コイルＣＲｘは、図８に示す送信コイルＣＴｘと同様に、複数の信号線ＳＧＬを含む信号線ブロックにより形成されていてもよい。

タッチペン１００（図３参照）からの磁界Ｍ２が、一対の信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３及び信号線接続配線５６で囲まれた領域、又は一対の信号線ＳＧＬ２、ＳＧＬ４及び信号線接続配線５６で囲まれた領域を通過した場合、磁界Ｍ２の変化に応じた起電力が、各受信コイルＣＲｘに発生する。この起電力に応じた第１検出信号Ｖｄｅｔ１が第１検出回路１１に供給される。このように、第１センサ期間には、第１電極２３は、駆動回路１８から第１駆動信号ＶＴＰが供給されて磁界を発生させ、信号線ＳＧＬには、磁界に起因した起電力が発生する。これにより、表示装置１は、タッチペン１００を検出することができる。

本実施形態において、隣り合う受信コイルＣＲｘは、一部が互いに重なり合って配置される。具体的には、一方の受信コイルＣＲｘを構成する一対の信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３及び信号線接続配線５６で囲まれた領域に、他方の受信コイルＣＲｘの信号線ＳＧＬ２が配置される。また、他方の受信コイルＣＲｘを構成する一対の信号線ＳＧＬ２、ＳＧＬ４及び信号線接続配線５６で囲まれた領域に、一方の受信コイルＣＲｘの信号線ＳＧＬ３が配置される。これにより、表示領域ＡＡにおいて、磁界の検出感度が低下する領域、或いは磁界を検出することができない不感領域が生じることを抑制できる。

また、表示期間では、第１検出制御回路１０からの制御信号に応じて、スイッチＳＷ２３がオフになる。これにより、信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、ＳＧＬ４の上端どうしが非接続状態となる。また、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２４はオフになり、スイッチＳＷ２２はオンになる。これにより、信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、ＳＧＬ４の下端は、第１検出回路１１及び接地電位ＧＮＤと非接続状態となる。画素信号Ｖｐｉｘは、スイッチＳＷ２２を介して信号線ＳＧＬに供給される。

また、第２センサ期間では、第２検出制御回路１２は、複数の信号線ＳＧＬにガード駆動信号を供給してもよい。または、第２検出制御回路１２は、複数の信号線ＳＧＬをフローティング状態としてもよい。

（第１実施形態の変形例）
図１１は、第１実施形態の変形例に係る検出電極及び第１電極を示す平面図である。本変形例において、部分検出電極２２ｓは、第２方向Ｄｙに配列された画素Ｐｉｘごとに細分化されている。複数の第１電極２３は、第２方向Ｄｙに隣り合う部分検出電極２２ｓの間に設けられ、部分検出電極２２ｓに沿って第１方向Ｄｘに延出する。複数の第１電極２３の上には、それぞれ金属配線２８が設けられている。

複数の第１電極２３の右端は、第１電極接続配線２３ａにより接続される。第１電極接続配線２３ａにより接続された複数の第１電極２３は、第１駆動信号供給配線５２、５３及び第２駆動信号供給配線５４、５５に接続されて、送信コイルＣＴｘを形成する。なお、１つの第１電極接続配線２３ａには、４つ以上の第１電極２３が接続されていてもよい。

部分検出電極２２ｓ及び第１電極２３は、第２方向Ｄｙに配列された画素Ｐｉｘごとに細分化されているため、表示装置１は、自己静電容量方式のタッチ検出及び電磁誘導方式のタッチ検出の解像度を高めることができる。

（第２実施形態）
図１２は、第２実施形態に係る第１電極の接続構成を示す回路図である。図１３は、第２実施形態に係る信号線の接続構成を示す回路図である。なお、以下の説明において、上述した実施形態で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。

本実施形態において、第１センサ期間には、信号線ＳＧＬは、駆動回路１８から第１駆動信号ＶＴＰが供給されて磁界を発生させ、第１電極２３には、磁界に起因した起電力が発生する。

具体的には、図１２に示すように、第１電極２３－１の左端と第１電極２３－４の左端とが、周辺領域ＧＡに設けられた第１電極接続配線２３ａにより接続される。また、第１電極２３－１の右端と第１電極２３－４の右端には、それぞれ検出信号出力線５７－１、５７－４が接続される。検出信号出力線５７－１、５７－４は、第１検出回路１１に接続される。これにより、第１電極２３－１、第１電極２３－４及び第１電極接続配線２３ａは受信コイルＣＲｘを構成する。

同様に、第１電極２３－３の右端と第１電極２３－６の右端とが、周辺領域ＧＡに設けられた第１電極接続配線２３ａにより接続される。また、第１電極２３－３の右端と第１電極２３－６の左端には、それぞれ検出信号出力線５７－３、５７－６が接続される。検出信号出力線５７－３、５７－５は、第１検出回路１１に接続される。これにより、第１電極２３－３、第１電極２３－６及び第１電極接続配線２３ａは受信コイルＣＲｘを構成する。また、第１電極２３－５、第１電極２３－８及び第１電極接続配線２３ａは受信コイルＣＲｘを構成する。

本実施形態においても、隣り合う受信コイルＣＲｘは、一部が互いに重なり合って配置される。具体的には、一方の受信コイルＣＲｘを構成する一対の第１電極２３－１、第１電極２３－４及び第１電極接続配線２３ａで囲まれた領域に、他方の受信コイルＣＲｘの第１電極２３－３が配置される。また、他方の受信コイルＣＲｘを構成する一対の第１電極２３－３、第１電極２３－６及び第１電極接続配線２３ａで囲まれた領域に、一方の受信コイルＣＲｘの第１電極２３－４が配置される。

図１３に示すように、第２接続切替回路１７Ａは、スイッチＳＷ３０、ＳＷ３１、ＳＷ３２を含む。スイッチＳＷ３０は、信号線ＳＧＬの上端側に設けられ、信号線ＳＧＬの上端と、接続配線Ｌ５２Ａａ及び接続配線５４Ａａとの間に設けられる。接続配線５２Ａａは、信号線ＳＧＬの上端側に設けられ、第１駆動信号供給配線５２Ａと第１駆動信号供給配線５３Ａとを接続する。接続配線５４Ａａは、信号線ＳＧＬの上端側に設けられ、第２駆動信号供給配線５４Ａと第２駆動信号供給配線５５Ａとを接続する。第２接続切替回路１７Ａは、第１検出制御回路１０からの制御信号Ｖｓｓに基づき、信号線ＳＧＬ同士の接続を切り替える代わりに、第１検出制御回路１０から第１駆動信号ＶＴＰを供給する信号線ＳＧＬを切り替える。

スイッチＳＷ３１は、接続配線５４Ａａと信号線ＳＧＬの上端との間に設けられる。スイッチＳＷ３２は、接続配線５２Ａａと信号線ＳＧＬの上端との間に設けられる。

第１接続切替回路１６Ａは、スイッチＳＷ２２、ＳＷ３７、ＳＷ３８、ＳＷ３９を含む。スイッチＳＷ２２は、表示制御回路１４と接続し、画素信号Ｖｐｉｘが供給される。スイッチＳＷ３７は、信号線ＳＧＬの下端と接続配線５２Ａｃとの間に設けられる。スイッチＳＷ３８は、接続配線５４Ａｂと接続配線５２Ａｃ（信号線ＳＧＬ）との間に設けられる。接続配線５４Ａｂは、信号線ＳＧＬの下端側に設けられ、第１駆動信号供給配線５２Ａと第１駆動信号供給配線５３Ａとを接続する。スイッチＳＷ３９は、接続配線５２Ａｂと接続配線５２Ａｃ（信号線ＳＧＬ）との間に設けられる。接続配線５２Ａｂは、信号線ＳＧＬの下端側に設けられ、第２駆動信号供給配線５４Ａと第２駆動信号供給配線５５Ａとを接続する。第１接続切替回路１６Ａは、信号線ＳＧＬから第１検出信号Ｖｄｅｔ１を第１検出回路１１に供給する代わりに、第１検出制御回路１０から第１駆動信号ＶＴＰを供給する信号線ＳＧＬを切り替える。

走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）の高レベル電圧ＶＧＨは、スイッチＳＷ３３を介してゲート線ＧＣＬに供給される。走査信号Ｖｓｃａｎの低レベル電圧ＶＧＬは、スイッチＳＷ３４を介してゲート線ＧＣＬに供給される。

図１３では、図面を見やすくするために、４つの第１電極２３－１、２３－２、２３－３、２３－４を示す。第１電極２３－１の左端は検出信号出力線５７を介して第３駆動信号供給配線５８に接続される。第１電極２３－１と第１電極２３－２の同側の右端どうしは、第１電極接続配線２３ａを介して接続される。また、第１電極２３－２の左端は、スイッチＳＷ３５を介して第３駆動信号供給配線５８に接続され、又は、第１電極２３－２の左端は、スイッチＳＷ３６を介して第１検出回路１１に接続される。一対の第１電極２３－３と第１電極２３－４も、同様にループ状に接続される。

第１センサ期間では、第１検出制御回路１０からの制御信号に応じて、スイッチＳＷ２２がオフになり、スイッチＳＷ３７及びスイッチＳＷ３０がオンになる。これにより、信号線ＳＧＬは、第１駆動信号供給配線５２Ａ、５３Ａ及び第２駆動信号供給配線５４Ａ、５５Ａを介して図７に示す各供給回路と接続される。

具体的には、図１３では、信号線ＳＧＬ２と信号線ＳＧＬ４とで送信コイルＣＴｘが形成される場合を説明する。信号線ＳＧＬ２と信号線ＳＧＬ４との間の領域が検出領域Ａｅｍとなる。信号線ＳＧＬ２及び信号線ＳＧＬ４の上端側に接続されたスイッチＳＷ３０がそれぞれオンになる。また、信号線ＳＧＬ２及び信号線ＳＧＬ４の下端側に接続されたスイッチＳＷ３７がそれぞれオンになる。

信号線ＳＧＬ２の上端側では、スイッチＳＷ３１はオフになり、スイッチＳＷ３２はオンになる。これにより、信号線ＳＧＬ２の上端は、接続配線５２Ａａを介して第１駆動信号供給配線５２Ａ、５３Ａと電気的に接続される。また、信号線ＳＧＬ２の下端側では、スイッチＳＷ３８はオンになり、スイッチＳＷ３９はオフになる。これにより、信号線ＳＧＬ２の下端は、接続配線５４Ａｂを介して第２駆動信号供給配線５４Ａ、５５Ａと電気的に接続される。

信号線ＳＧＬ４の上端側では、スイッチＳＷ３１はオンになり、スイッチＳＷ３２はオフになる。これにより、信号線ＳＧＬ４の上端は、接続配線５４Ａａを介して第２駆動信号供給配線５４Ａ、５５Ａと電気的に接続される。また、信号線ＳＧＬ４の下端側では、スイッチＳＷ３８はオフになり、スイッチＳＷ３９はオンになる。これにより、信号線ＳＧＬ４の下端は、接続配線５２Ａｂを介して第１駆動信号供給配線５２Ａ、５３Ａと電気的に接続される。

第１電圧供給回路１８Ｃ（図７参照）は、第１駆動信号供給配線５２Ａ、５３Ａを介して、第１電圧ＶＴＰＨを信号線ＳＧＬ２の上端に供給する。また、第２電圧供給回路１８Ｄ（図７参照）は、第２駆動信号供給配線５４Ａ、５５Ａを介して、第２電圧ＶＴＰＬを信号線ＳＧＬ２の下端に供給する。これにより、信号線ＳＧＬ２の上端と下端とで電位差が生じ、電流Ｉ１が上端から下端に向かう方向に流れる。

第１電圧供給回路１８Ｃは、第１駆動信号供給配線５２Ａ、５３Ａを介して、第１電圧ＶＴＰＨを信号線ＳＧＬ４の下端に供給する。また、第２電圧供給回路１８Ｄは、第２駆動信号供給配線５４Ａ、５５Ａを介して、第２電圧ＶＴＰＬを信号線ＳＧＬ４の上端に供給する。これにより、信号線ＳＧＬ４の上端と下端とで電位差が生じ、電流Ｉ２が下端から上端に向かう方向に流れる。

本実施形態では、スイッチＳＷ３１、ＳＷ３２、ＳＷ３８、ＳＷ３９の動作を切り替えることにより、信号線ＳＧＬの両端に供給される第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとが所定の周波数で変更される。これにより、信号線ＳＧＬに交流の電圧信号である第１駆動信号ＶＴＰが供給される。

信号線ＳＧＬに流れる電流Ｉ１、Ｉ２により磁界が発生し電磁誘導が形成される。図１３に示す例では、信号線ＳＧＬ２及び信号線ＳＧＬ４が送信コイルＣＴｘに相当する。第１検出制御回路１０は、複数の信号線ＳＧＬを、順次選択する。これにより、電磁誘導方式により、表示領域ＡＡの全体のタッチ検出が行われる。なお、図１３では、２つの信号線ＳＧＬで送信コイルＣＴｘが形成される。ただしこれに限定されず、検出領域Ａｅｍの一方に配置された２つ以上の信号線ＳＧＬ（信号線ブロック）と、他方に配置された２つ以上の信号線ＳＧＬ（信号線ブロック）とで送信コイルＣＴｘを形成してもよい。また、これらの数が同数ではなく、一方の信号線ＳＧＬの数が、他方の信号線ＳＧＬの数と異なる構成も採用可能である。

また、第３駆動信号供給配線５８は、基準電位（接地電位ＧＮＤ）が供給される。第３駆動信号供給配線５８と接続される第１電極２３－１の左端及び第１電極２３－３の左端に基準電位（接地電位ＧＮＤ）が供給される。また、第１電極２３－２と第１電極２３－４の左端に接続されたスイッチＳＷ３５はオフになり、スイッチＳＷ３６はオンになる。これにより、第１電極２３－２の左端及び第１電極２３－４の左端は、第１検出回路１１に接続される。第１電極２３により形成される受信コイルＣＲｘには電磁誘導に基づく起電力が発生する。この起電力に応じた電流（第１検出信号Ｖｄｅｔ１）が第１検出回路１１に供給される。

一方、信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３、ＳＧＬ５の上端側に接続されたスイッチＳＷ３０、ＳＷ３１、ＳＷ３２はオフになり、下端側に接続されたスイッチＳＷ２２、ＳＷ３７、ＳＷ３８、ＳＷ３９はオフになる。これにより、信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ３、ＳＧＬ５には、接地電位ＧＮＤ、第１電圧ＶＴＰＨ及び第２電圧ＶＴＰＬが供給されず、フローティング状態となる。

また、第１センサ期間とは異なる期間（表示期間及び第２センサ期間）では、各スイッチの動作により複数の信号線ＳＧＬどうしを非接続状態とする。

ここで、検出電極２２はＩＴＯで形成されているのに対し、信号線ＳＧＬは金属により形成される。このため、信号線ＳＧＬは検出電極２２に比べ著しく低抵抗である。これにより、駆動電極（送信コイルＣＴｘ）として信号線ＳＧＬを用いることにより、交流矩形波である第１駆動信号ＶＴＰの鈍りを抑制することができる。これにより、表示装置１は、駆動信号の応答性が高められ、検出感度が向上する。

（第３実施形態）
図１４は、第３実施形態に係る第１電極の接続構成を示す回路図である。図１５は、第３実施形態に係る第１電極、検出電極及び検出電極配線を示す平面図である。図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ’断面図である。なお、図１６は、画素Ｐｉｘが有するスイッチング素子Ｔｒの断面構成を併せて示している。

本実施形態において、第１電極２３Ａは、検出電極配線５１と同層に設けられる。言い換えると、第１電極２３Ａは、検出電極２２と異なる層に設けられる。図１４に示すように、複数の第１電極２３Ａは、それぞれ第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに配列される。複数の第１電極２３Ａは、平面視で、検出電極２２と重なる位置に設けられ、複数の検出電極配線５１と交差する。本実施形態において、第１実施形態に示した図６、図１０と同様に、第１電極２３Ａが送信コイルＣＴｘを形成し、信号線ＳＧＬが受信コイルＣＲｘを形成する。

図１５に示すように、画素電極２４は、第１画素電極２４ａと、第２画素電極２４ｂとを含む。第１画素電極２４ａは、方向Ｄ１に沿って傾斜する。第２画素電極２４ｂは、方向Ｄ２に沿って傾斜する。第１画素電極２４ａと、第２画素電極２４ｂとは、第２方向Ｄｙに交互に配列される。

信号線ＳＧＬは、第１画素電極２４ａ及び第２画素電極２４ｂに沿って設けられる。信号線ＳＧＬは、方向Ｄ１に沿って傾斜する部分と、方向Ｄ２に沿って傾斜する部分とが、第２方向Ｄｙに交互に連結される。信号線ＳＧＬは、全体として第２方向Ｄｙに延出する。

ここで、方向Ｄ１は、第２方向Ｄｙに対して角度θ１だけ傾斜する方向である。方向Ｄ２は、第２方向Ｄｙに対して角度θ２だけ傾斜する方向である。本実施形態において、角度θ１は角度θ２と等しい。言い換えると、方向Ｄ２は、第２方向Ｄｙに対して方向Ｄ１と反対側に傾斜する方向である。ただし、角度θ１は角度θ２と異なっていてもよい。

第１電極２３Ａは、第２方向Ｄｙに隣り合う第１画素電極２４ａと第２画素電極２４ｂとの間に配置され、第１方向Ｄｘに延出する。

部分検出電極２２ｓは、３つの画素電極２４と重なる領域に設けられ、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに複数配列される。第２方向Ｄｙに隣り合う部分検出電極２２ｓは接続部２２ｔにより連結される。接続部２２ｔは、第１方向Ｄｘに隣り合う画素電極２４の間に設けられ、平面視で第１電極２３Ａと交差する。

検出電極配線５１は、第１部分検出電極配線５１ａと、第２部分検出電極配線５１ｂと、ブリッジ配線５１ｃとを含む。第１部分検出電極配線５１ａは、方向Ｄ１に沿って設けられ、第１方向Ｄｘに隣り合う第１画素電極２４ａの間に設けられる。第２部分検出電極配線５１ｂは、方向Ｄ２に沿って設けられ、第１方向Ｄｘに隣り合う第２画素電極２４ｂの間に設けられる。第１部分検出電極配線５１ａと、第２部分検出電極配線５１ｂとは、第１電極２３Ａを挟んで第２方向Ｄｙに隣り合って配列される。また、第１部分検出電極配線５１ａ及び第２部分検出電極配線５１ｂは、信号線ＳＧＬと重なって設けられる。

ブリッジ配線５１ｃは、第１部分検出電極配線５１ａ及び第２部分検出電極配線５１ｂと異なる層に設けられ、第１部分検出電極配線５１ａと第２部分検出電極配線５１ｂとを接続する。ブリッジ配線５１ｃは、平面視で第１電極２３Ａと交差する。部分検出電極２２ｓの角部には切り欠き２２ｂが形成されている。ブリッジ配線５１ｃは、４つの部分検出電極２２ｓの切り欠き２２ｂによって形成される開口に設けられる。

ブリッジ配線５１ｃは、赤色（Ｒ）を表示する画素Ｐｉｘと、緑色（Ｇ）を表示する画素Ｐｉｘとの間に設けることが好ましい。こうすれば、表示装置１は、輝度が小さい青色（Ｂ）を表示する画素Ｐｉｘの開口率の低下することを抑制できる。

図１６に示すように、スイッチング素子Ｔｒの半導体６１は、第１絶縁層９１の上に設けられる。ゲート電極６４は、第２絶縁層９２を介して半導体６１の上に設けられる。本実施形態のスイッチング素子Ｔｒは、いわゆるトップゲート構造である。第２電極６７は、第１基板２１に垂直な方向において、第１基板２１と半導体６１との間に設けられる。第２電極６７は、第１基板２１よりも光の透過率が小さい材料であり、遮光層として用いられる。第２電極６７は、例えば金属材料が用いられる。なお、本実施形態において、スイッチング素子Ｔｒは、図９と同様にボトムゲート構造であってもよく、デュアルゲート構造であってもよい。

第１部分検出電極配線５１ａ、第２部分検出電極配線５１ｂ及び第１電極２３Ａは、第４絶縁層９４の上に設けられる。ブリッジ配線５１ｃは、第１電極２３Ａを跨がって第５絶縁層９５の上に設けられる。ブリッジ配線５１ｃは、コンタクトホールＨ６を介して第２部分検出電極配線５１ｂと接続され、コンタクトホールＨ７を介して第１部分検出電極配線５１ａと接続される。ブリッジ配線５１ｃは、検出電極２２と同層に設けられる。ブリッジ配線５１ｃは、検出電極２２と同じ、例えばＩＴＯ等の透光性の導電性材料が用いられる。

本実施形態では、第１電極２３Ａは、検出電極２２に接続された検出電極配線５１と同層に設けられる。より具体的には、第１電極２３Ａは、検出電極２２と異なる層であって、第１部分検出電極配線５１ａ及び第２部分検出電極配線５１ｂと同層に設けられる。このため、第１電極２３Ａは、検出電極配線５１と同じ金属材料で形成できる。したがって、良好な導電性を有する第１電極２３Ａにより送信コイルＣＴｘが形成されることにより、表示装置１は、駆動信号の応答性が高められる。

（第３実施形態の変形例）
図１７は、第３実施形態の変形例に係る第１電極、検出電極及び検出電極配線を示す平面図である。図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ’断面図である。図１７に示すように、第１部分検出電極配線５１ａ及び第２部分検出電極配線５１ｂの端部には、それぞれ接続部５１ｅが設けられている。接続部５１ｅは、それぞれ、第１部分検出電極配線５１ａ及び第２部分検出電極配線５１ｂから屈曲して第１電極２３Ａに沿った方向に延出する。接続部５１ｅは、信号線ＳＧＬと重ならない位置まで延びて、ブリッジ配線５１ｃと接続される。ブリッジ配線５１ｃは、第１部分検出電極配線５１ａの接続部５１ｅと、第２部分検出電極配線５１ｂの接続部５１ｅと、を接続する。

図１８に示すように、ブリッジ配線５１ｃは信号線ＳＧＬと同層に設けられる。ブリッジ配線５１ｃは、第１電極２３Ａの下に設けられ、第４絶縁層９４に設けられたコンタクトホールを介して、第２部分検出電極配線５１ｂ及び第１部分検出電極配線５１ａに接続される。このような構成であっても、第１電極２３Ａは、検出電極２２に接続された検出電極配線５１と同層に設けることができる。ブリッジ配線５１ｃは、検出電極２２と異なる層に設けられているため、ブリッジ配線５１ｃの少なくとも一部と重なる領域に検出電極２２が設けられていてもよい。このため、検出電極２２には切り欠き２２ｂを形成する必要がない。

（第４実施形態）
図１９は、第４実施形態に係る第１電極の接続構成を示す回路図である。図２０は、第４実施形態に係る第１電極及び検出電極配線を示す平面図である。本実施形態では、電磁誘導方式の検出期間には、信号線ＳＧＬは、駆動回路１８から第１駆動信号ＶＴＰが供給されて磁界を発生させ、第１電極２３Ａには、磁界に起因した起電力が発生する。すなわち、信号線ＳＧＬは送信コイルＣＴｘを形成し、第１電極２３Ａは受信コイルＣＲｘを形成する。

図１９に示すように、第１電極２３Ａ－１、第１電極２３Ａ－４及び第１電極接続配線２３Ａａは受信コイルＣＲｘを形成する。また、第１電極２３Ａ－３、第１電極２３Ａ－６及び第１電極接続配線２３Ａａは受信コイルＣＲｘを形成する。受信コイルＣＲｘは、図１３と同様に、一方が基準電位に接続され、他方が第１検出回路１１に接続され、検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。本実施形態においても隣り合う受信コイルＣＲｘは、一部が互いに重なり合って配置される。また、信号線ＳＧＬの接続構成は、図１３と同様の構成を適用することができる。

第３実施形態と同様に、第１電極２３Ａは、検出電極配線５１と同層に設けられる。図２０に示すように、検出電極配線５１は、第１部分検出電極配線５１ａと、第２部分検出電極配線５１ｂと、交差配線部５１ｄとを有する。第２方向Ｄｙに連結された第１部分検出電極配線５１ａ及び第２部分検出電極配線５１ｂは、検出電極配線５１の主配線部である。２つの交差配線部５１ｄは、第１部分検出電極配線５１ａ及び第２部分検出電極配線５１ｂにそれぞれ連結され、第１方向Ｄｘに延出する。２つの交差配線部５１ｄは、第１電極２３Ａの第１主部２３Ａｂを挟んで第２方向Ｄｙに隣り合って配置され、第１電極２３Ａの第１主部２３Ａｂと重ならない位置で、第１部分検出電極配線５１ａ及び第２部分検出電極配線５１ｂにより、第２方向Ｄｙに連結される。このように、検出電極配線５１は、全体として第２方向Ｄｙに延出する。

第１電極２３Ａは、第１主部２３Ａｂと、第１交差部２３Ａｃと、第２交差部２３Ａｄと、ブリッジ部２３Ａｅと、第２主部２３Ａｆと、を有する。第１主部２３Ａｂは、第１方向Ｄｘに延出する。第１交差部２３Ａｃは、第１主部２３Ａｂに連結され、方向Ｄ１に沿って設けられる。第２交差部２３Ａｄは、第１主部２３Ａｂに連結され、方向Ｄ２に沿って設けられる。さらに、第１交差部２３Ａｃ及び第２交差部２３Ａｄは、検出電極配線５１の交差配線部５１ｄを挟んで、第２方向Ｄｙに隣り合って配置される。ブリッジ部２３Ａｅは、平面視で、交差配線部５１ｄと交差して設けられ、第１交差部２３Ａｃ及び第２交差部２３Ａｄを接続する。ブリッジ部２３Ａｅは、第３実施形態と同様に、検出電極２２と同層に設けられていてもよいし、信号線ＳＧＬと同層に設けられていてもよい。

２つの第２主部２３Ａｆは、交差配線部５１ｄ、第１主部２３Ａｂを挟んで互いに反対側に設けられ、一方の第２主部２３Ａｆは第１交差部２３Ａｃと連結され、他方の第２主部２３Ａｆは第２交差部２３Ａｄと連結される。このような構成により、第１電極２３Ａは、全体として第１方向Ｄｘに延出する。

第１電極２３Ａは受信コイルＣＲｘを形成する。受信コイルＣＲｘは送信コイルＣＴｘに比べて抵抗値が高くても、検出性能の低下を抑制できる。このため、第１電極２３Ａにブリッジ部２３Ａｅが設けられていても電磁誘導方式のタッチ検出の検出感度の低下を抑制できる。一方、検出電極配線５１にはブリッジ配線が設けられていない。このため、自己静電容量方式のタッチ検出において、第２駆動信号ＶＳＥＬＦの応答性が高められ、検出感度が向上する。

（第５実施形態）
図２１は、第５実施形態に係る第１電極及び第２電極の接続構成を示す回路図である。図２２は、第５実施形態に係る第２電極を拡大して示す平面図である。本実施形態において、電磁誘導方式の検出期間には、第１電極２３Ｂは、駆動回路１８から第１駆動信号ＶＴＰが供給されて磁界を発生させ、第２電極６７には、磁界に起因した起電力が発生する。すなわち、第１電極２３Ｂは送信コイルＣＴｘを形成し、第２電極６７は受信コイルＣＲｘを形成する。

図２１に示すように、複数の第１電極２３Ｂは、それぞれ第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに配列される。ここで、第１電極２３Ｂ－１、２３Ｂ－２、２３Ｂ－３を含む複数の第１電極２３Ｂを、第１電極ブロックＢＫＥ１とする。第１電極２３Ｂ－４、２３Ｂ－５、２３Ｂ－６を含む複数の第１電極２３Ｂを、第１電極ブロックＢＫＥ２とする。第１電極ブロックＢＫＥ１及び第１電極ブロックＢＫＥ２の上端側には、第１電極接続配線５９が設けられている。第１電極ブロックＢＫＥ１及び第１電極ブロックＢＫＥ２と、第１電極接続配線５９との間には、スイッチＳＷ４０が設けられている。

第１電極ブロックＢＫＥ１及び第１電極ブロックＢＫＥ２の下端側には、第１駆動信号供給配線５２Ｂ、第２駆動信号供給配線５４Ｂ、スイッチＳＷ３８及びスイッチＳＷ３９が設けられている。なお、スイッチＳＷ４０等のスイッチは、図面を見やすくするために一部のみ示しているが、複数の第１電極２３Ｂのそれぞれに設けられる。

第１センサ期間には、スイッチＳＷ４０がオンになり、第１電極ブロックＢＫＥ１及び第１電極ブロックＢＫＥ２の上端が第１電極接続配線５９を介して接続される。また、第１電極ブロックＢＫＥ１の下端側では、スイッチＳＷ３８がオンになり、スイッチＳＷ３９がオフになる。第１電極ブロックＢＫＥ２の下端側では、スイッチＳＷ３８がオフになり、スイッチＳＷ３９がオンになる。

第１電圧供給回路１８Ｃ（図７参照）は、第１駆動信号供給配線５２Ｂを介して、第１電圧ＶＴＰＨを第１電極ブロックＢＫＥ２の下端に供給する。また、第２電圧供給回路１８Ｄ（図７参照）は、第２駆動信号供給配線５４Ｂを介して、第２電圧ＶＴＰＬを第１電極ブロックＢＫＥ１の下端に供給する。これにより、第１電極ブロックＢＫＥ１、第１電極接続配線５９及び第１電極ブロックＢＫＥ２で形成される経路において、第１電極ブロックＢＫＥ１の下端と、第１電極ブロックＢＫＥ２の下端とで電位差が生じる。この電位差により、電流Ｉ１、Ｉ２が第１電極ブロックＢＫＥ１、ＢＫＥ２に流れる。

第１検出制御回路１０は、スイッチＳＷ３８、ＳＷ３９の動作を切り替えることにより、第１電極ブロックＢＫＥ１、ＢＫＥ２の下端に供給される第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとが所定の周波数で変更する。これにより、第１電極ブロックＢＫＥ１、ＢＫＥ２に交流の電圧信号である第１駆動信号ＶＴＰが供給される。

複数の第２電極６７は、それぞれ第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに配列される。第２電極ブロックＢＫ１、ＢＫ２、…、ＢＫ８は、それぞれ複数の第２電極６７を含む。第２電極ブロックＢＫ１の左端と第２電極ブロックＢＫ３の左端は、第２電極接続配線６７ａにより接続される。第２電極ブロックＢＫ１の右端と第２電極ブロックＢＫ３の右端は、それぞれ、容量ＣＳ及び検出信号出力線５７を介して、一方が基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）、他方が第１検出回路１１に接続される。これにより、第２電極ブロックＢＫ１、第２電極ブロックＢＫ３及び第２電極接続配線６７ａは受信コイルＣＲｘを構成する。

同様に、第２電極ブロックＢＫ２の右端と第２電極ブロックＢＫ５の右端は、第２電極接続配線６７ａにより接続される。第２電極ブロックＢＫ２の左端と第２電極ブロックＢＫ５の左端は、それぞれ、容量ＣＳ及び検出信号出力線５７を介して、一方が基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）、他方が第１検出回路１１に接続される。これにより、第２電極ブロックＢＫ２、第２電極ブロックＢＫ５及び第２電極接続配線６７ａは受信コイルＣＲｘを構成する。また、第２電極ブロックＢＫ４、第２電極ブロックＢＫ７及び第２電極接続配線６７ａは受信コイルＣＲｘを構成する。受信コイルＣＲｘは、図１３と同様に、一方が基準電位に接続され、他方が第１検出回路１１に接続され、検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。

図２２に示すように、ゲート線ＧＣＬは、信号線ＳＧＬと交差して第１方向Ｄｘに延出する。第２電極６７は、ゲート線ＧＣＬに沿って第１方向Ｄｘに延出し、ゲート線ＧＣＬ及びスイッチング素子Ｔｒの下に設けられる。第２電極６７は、第１方向Ｄｘに配列された複数の画素Ｐｉｘ及びスイッチング素子Ｔｒに亘って連続して設けられる。第２電極６７は、遮光層であり、少なくとも半導体６１とゲート線ＧＣＬとが交差する部分の下に設けられていればよい。これにより、第２電極６７は、スイッチング素子Ｔｒの光リーク電流を抑制することができる。なお、図２２では、図面を見やすくするために、各画素Ｐｉｘの画素電極２４を省略して示している。

図２３は、第５実施形態に係る第２電極と検出信号出力線との接続部分を拡大して示す平面図である。図２４は、図２３のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ’断面図である。なお、図２４は、画素Ｐｉｘに設けられるスイッチング素子Ｔｒの積層構成を併せて示している。

図２３に示すように、受信コイルＣＲｘを形成する第２電極ブロックＢＫには、それぞれ容量ＣＳが設けられる。容量ＣＳは、第１容量電極ＣＳＥ１と、第２容量電極ＣＳＥ２とを有する。第１容量電極ＣＳＥ１と、第２容量電極ＣＳＥ２とは、誘電体（絶縁層２７）を介して、平面視で重なって設けられる。

第２容量電極ＣＳＥ２は、中継配線５７ａを介して、第２電極ブロックＢＫの端部に接続される。第２電極ブロックＢＫの複数の第２電極６７は、第２電極接続配線６７ｂにより接続されている。また、第１容量電極ＣＳＥ１は、検出信号出力線５７と接続される。

図２４に示すように、第２電極６７は、表示領域ＡＡにおいて、第１基板２１と半導体６１との間に設けられ、周辺領域ＧＡまで延出する。容量ＣＳ及び検出信号出力線５７は、周辺領域ＧＡに設けられる。第１容量電極ＣＳＥ１は、画素電極２４と同層に、絶縁層２７の上に設けられる。第２容量電極ＣＳＥ２は、検出電極２２と同層に、第５絶縁層９５の上に設けられる。第１容量電極ＣＳＥ１と第２容量電極ＣＳＥ２とは、第１基板２１に垂直な方向において、絶縁層２７を介して対向する。これにより、第１容量電極ＣＳＥ１と第２容量電極ＣＳＥ２との間に容量が形成される。なお、第１容量電極ＣＳＥ１と第２容量電極ＣＳＥ２の形成する層は逆でもよい。つまり、第２容量電極ＣＳＥ２を画素電極２４と同層に形成し、第１容量電極ＣＳＥ１を検出電極２２と同層に形成してもよい。

第２容量電極ＣＳＥ２は、コンタクトホールＨ１１を介して中継配線５７ａと接続される。中継配線５７ａは、コンタクトホールＨ１３を介して第２電極６７と接続される。また、第１容量電極ＣＳＥ１は、コンタクトホールＨ１２を介して検出信号出力線５７と接続される。検出信号出力線５７及び中継配線５７ａは、信号線ＳＧＬと同層に設けられる。

このような構成により、第２電極ブロックＢＫにそれぞれと、第１検出回路１１との間に容量ＣＳが設けられる。容量ＣＳにより、スイッチング素子Ｔｒのリーク電流が抑制され、良好な表示性能が得られる。

図２５は、第５実施形態に係る第１電極及び検出電極配線を示す平面図である。本実施形態の第１電極２３Ｂは、検出電極配線５１と同層に設けられる。第１電極２３Ｂは、複数の検出電極２２と重なる領域のうち、検出電極配線５１が設けられた領域とは異なる領域に設けられる。図２５では、第２方向Ｄｙに配列された複数の検出電極２２と重なる領域で、複数の検出電極配線５１と第１電極ブロックＢＫＥとが、第１方向Ｄｘに隣り合って設けられる。このような構成により、第１電極ブロックＢＫＥは、受信コイルＣＲｘと交差するように送信コイルＣＴｘを形成することができる。

図２６は、第５実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。図２６に示すように、表示装置１は、表示期間ＰＤと第２センサ期間ＥＳとを時分割で交互に行う。表示装置１は、第１センサ期間ＥＭを表示期間ＰＤと同じ期間に実行する。第１センサ期間ＥＭは、電磁誘導方式のタッチ検出を行う期間である。第２センサ期間ＥＳは、自己静電容量方式のタッチ検出を行う期間である。

図２６に示すように、表示期間ＰＤにおいて、表示制御回路１４（図１参照）は、画素信号Ｖｐｉｘを信号線ＳＧＬに供給する。また、駆動回路１８（図７参照）は、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを検出電極２２に供給する。これにより、表示装置１の表示が実行される。

第１センサ期間ＥＭでは、駆動回路１８は、送信コイルＣＴｘを構成する第１電極ブロックＢＫＥに第１駆動信号ＶＴＰを供給する。駆動回路１８は、第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとを送信コイルＣＴｘの両端に交互に供給することで、交流電圧信号である第１駆動信号ＶＴＰを第１電極ブロックＢＫＥに供給する。そして、受信コイルＣＲｘを構成する第２電極６７には、磁界に起因した起電力が発生する。これにより第１検出信号Ｖｄｅｔ１が第１検出回路１１に出力される。

第２センサ期間ＥＳでは、駆動回路１８は、検出電極２２に第２駆動信号ＶＳＥＬＦを供給する。そして、検出電極２２は、検出電極２２の自己静電容量に応じた第２検出信号Ｖｄｅｔ２を第２検出回路１３（図１参照）に出力する。また、駆動回路１８は、信号線ＳＧＬ及び第１電極２３Ｂにガード駆動信号Ｖｇｄを供給する。ガード駆動信号Ｖｇｄは、第２駆動信号ＶＳＥＬＦと少なくとも同じ振幅を有する交流矩形波である。例えば、ガード駆動信号Ｖｇｄは、同じ電位及び同じ位相を有する交流矩形波であってもよい。これにより、表示装置１は、信号線ＳＧＬ及び第１電極２３Ｂと、検出電極２２との容量結合を抑制することができる。

なお、図２６に示すタイミング波形図は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、表示期間ＰＤ及び第１センサ期間ＥＭの長さ及び第２センサ期間ＥＳの長さは互いに異ならせてもよい。また、表示期間ＰＤと第１センサ期間ＥＭとを異なる期間に行ってもよい。表示期間ＰＤ、第１センサ期間ＥＭ及び第２センサ期間ＥＳの順番は適宜変更できる。また、１フレーム期間に、第１センサ期間ＥＭ又は第２センサ期間ＥＳのいずれか一方のみを配置してもよい。

（第５実施形態の変形例）
図２７は、第５実施形態の変形例に係る第１電極及び第２電極の接続構成を示す回路図である。本変形例の表示装置１は、第１センサ期間ＥＭには、第２電極６７は、駆動回路１８から第１駆動信号ＶＴＰが供給されて磁界を発生させ、第１電極２３Ｂには、磁界に起因した起電力が発生する。すなわち、第１電極２３Ｂは、受信コイルＣＲｘを形成し、第２電極６７は、送信コイルＣＴｘを形成する。受信コイルＣＲｘは、図１０と同様に、一方が基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）に接続され、他方が第１検出回路１１に接続され、検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。

第１電極２３Ｂ及び第２電極６７の接続構成は、第１実施形態の図６及び図１０に示した構成と同様である。すなわち、第２電極６７の両端には、第１駆動信号供給配線５２、５３及び第２駆動信号供給配線５４、５５を介して、駆動回路１８から第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとが交互に供給される。これにより、送信コイルＣＴｘには、第１駆動信号ＶＴＰが供給されて磁界が発生する。複数の第１電極２３Ｂの上端は、第１電極接続配線５９により接続されて受信コイルＣＲｘを形成する。受信コイルＣＲｘには、磁界に起因した起電力が発生する。第１電極２３Ｂの下端は、第１検出回路１１に接続されており、第１検出信号Ｖｄｅｔ１が第１検出回路１１に出力される。

（第６実施形態）
図２８は、第６実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図２９は、第６実施形態に係る検出電極及び検出電極配線を示す平面図である。図３０は、図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ’断面図である。図３１は、第６実施形態に係るガード電極を示す平面図である。

本実施形態の表示装置１Ａにおいて、第２基板３１の上にシールド電極３３が設けられている。言い換えると、シールド電極３３は、第１基板２１に垂直な方向において、検出電極２２の上側に設けられている。さらに、シールド電極３３の上には、保護層３８が設けられている。保護層３８の上に、接着層３６を介して偏光板３５が設けられている。また、第２基板３１には、配線基板７２が設けられている。シールド電極３３は、配線基板７１及び配線基板７２を介して、駆動ＩＣ１９の第１検出制御回路１０及び第２検出制御回路１２に接続される。配線基板７２は、例えば、フレキシブルプリント基板である。

図２９に示すように、検出電極配線５１は、検出電極２２と重ならない領域に設けられて第２方向Ｄｙに延出する。第２方向Ｄｙに配列された複数の検出電極２２を、検出電極２２－１、２２－２、２２－３、２２－４、２２－５とする。検出電極２２－２は、検出電極２２－１に接続された１つの検出電極配線５１と隣り合う。検出電極２２－３は、検出電極２２－１及び検出電極２２－２にそれぞれ接続された２つの検出電極配線５１と隣り合う。このように、検出電極２２－１、２２－２、２２－３、２２－４、２２－５の順に第１方向Ｄｘの幅が小さくなる。

図３０に示すように、検出電極配線５１は、検出電極２２と同層に、第４絶縁層９４の上に設けられている。検出電極配線５１は、透光性導電層５１ｎと、金属層５１ｍとを有する。透光性導電層５１ｎは、第４絶縁層９４の上に設けられ、検出電極２２と同じ材料、例えばＩＴＯ等の透光性を有する導電材料が用いられる。金属層５１ｍは透光性導電層５１ｎの上に設けられる。本実施形態では、検出電極配線５１と検出電極２２とが同層に設けられるため、第１実施形態等と比較して、第５絶縁層９５を省略できる。

図３１に示すように、シールド電極３３は、複数の個別シールド電極３３Ｓ－１、３３Ｓ－２、３３Ｓ－３、３３Ｓ－４、３３Ｓ－５、…を有する。複数の個別シールド電極３３Ｓ－１、３３Ｓ－２、３３Ｓ－３、３３Ｓ－４、３３Ｓ－５、…は、第２方向Ｄｙに配列されている。なお、以下の説明において、個別シールド電極３３Ｓ－１、３３Ｓ－２、３３Ｓ－３、３３Ｓ－４、３３Ｓ－５を区別する必要がない場合には、個別シールド電極３３Ｓと表す。

個別シールド電極３３Ｓ－１は、第１シールド配線３３ａと、第２シールド配線３３ｂと、第３シールド配線３３ｃと、ダミー配線３３ｄと、接続配線３３ｅと、を有する。個別シールド電極３３Ｓ－１を構成する各部分は、それぞれ複数の金属配線を有し、複数の金属配線がメッシュ状に形成されている。なお、個別シールド電極３３Ｓ－１の各部分の金属配線は、ジグザグ線状、波線状、直線状など他の形状であってもよい。

第１シールド配線３３ａ及び第２シールド配線３３ｂは、それぞれ第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに隣り合って配置される。複数の第３シールド配線３３ｃは、第１シールド配線３３ａと第２シールド配線３３ｂとの間に設けられ、第１シールド配線３３ａ及び第２シールド配線３３ｂのそれぞれに接続されている。複数の第３シールド配線３３ｃは、第１シールド配線３３ａ及び第２シールド配線３３ｂに沿って配列される。第２方向Ｄｙに隣り合う第３シールド配線３３ｃは、スリットにより離隔されている。

第１シールド配線３３ａ及び第２シールド配線３３ｂは、表示領域ＡＡから周辺領域ＧＡに亘って設けられる。個別シールド電極３３Ｓ－１において、第１シールド配線３３ａの右端及び第２シールド配線３３ｂの右端は、周辺領域ＧＡにおいて、接続配線３３ｅにより接続される。また、ダミー配線３３ｄは、第１シールド配線３３ａ、第２シールド配線３３ｂ及び第３シールド配線３３ｃで囲まれた領域に設けられる。ダミー配線３３ｄは、第１シールド配線３３ａ、第２シールド配線３３ｂ及び第３シールド配線３３ｃと接続されておらず、フローティング状態となっている。

個別シールド電極３３Ｓ－２では、第１シールド配線３３ａの左端及び第２シールド配線３３ｂの左端が、周辺領域ＧＡにおいて、接続配線３３ｅにより接続される。個別シールド電極３３Ｓ－３では、第１シールド配線３３ａの右端及び第２シールド配線３３ｂの右端が、周辺領域ＧＡにおいて、接続配線３３ｅにより接続される。このように、第２方向Ｄｙに配列された複数の個別シールド電極３３Ｓは、接続配線３３ｅの位置が交互に設けられる。

図３０に示すように、ダミー配線３３ｄは、検出電極２２の上側に配置される。第３シールド配線３３ｃは、検出電極配線５１の上側に配置される。第２センサ期間ＥＳにおいて、駆動回路１８は、個別シールド電極３３Ｓのそれぞれにガード駆動信号Ｖｇｄを供給する。これにより、検出電極配線５１と被検出体との間の容量結合が抑制される。一方、検出電極２２の上側にはフローティングのダミー配線３３ｄが設けられている。このため、検出電極２２は、自己静電容量方式のタッチ検出を良好に行うことができる。

本実施形態では、第１センサ期間ＥＭにおいて、信号線ＳＧＬが送信コイルＣＴｘとして形成され、シールド電極３３が受信コイルＣＲｘとして形成される。信号線ＳＧＬの接続構成は、第１実施形態の図１０と同様の構成を適用できる。

個別シールド電極３３Ｓは、それぞれ第１シールド配線３３ａ、第２シールド配線３３ｂ及び接続配線３３ｅがループ状に接続されて、受信コイルＣＲｘを構成する。個別シールド電極３３Ｓの、接続配線３３ｅと反対側の端部は、一方が基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）に接続され、他方が配線基板７１及び配線基板７２を介して第１検出回路１１に接続される。これにより、磁界に起因して受信コイルＣＲｘに起電力が発生し、第１検出信号Ｖｄｅｔ１が第１検出回路１１に出力される。

（第６実施形態の変形例）
図３２は、第６実施形態の変形例に係るガード電極を示す平面図である。本変形例では、信号線ＳＧＬが送信コイルＣＴｘとして機能し、シールド電極３３が受信コイルＣＲｘとして形成される。シールド電極３３の構成は、図３１と同様であり、詳細な説明は省略する。

図３２に示すように、シールド電極３３の左側に第１駆動信号供給配線５２、第２駆動信号供給配線５４及びスイッチＳＷ１１、ＳＷ１２が設けられる。スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２は、個別シールド電極３３Ｓ－１、３３Ｓ－３、３３Ｓ－５の、第１シールド配線３３ａ、第２シールド配線３３ｂに接続される。また、シールド電極３３の右側に第１駆動信号供給配線５３、第２駆動信号供給配線５５及びスイッチＳＷ１３、ＳＷ１４が設けられる。スイッチＳＷ１３、ＳＷ１４は、個別シールド電極３３Ｓ－２、３３Ｓ－４の、第１シールド配線３３ａ、第２シールド配線３３ｂに接続される。

個別シールド電極３３Ｓ－１、３３Ｓ－３、３３Ｓ－５において、第１検出制御回路１０により、例えば、第１シールド配線３３ａに接続されたスイッチＳＷ１１がオン、スイッチＳＷ１２がオフになる。この際、第２シールド配線３３ｂに接続されたスイッチＳＷ１１がオフ、スイッチＳＷ１２がオンになる。又は、第１シールド配線３３ａに接続されたスイッチＳＷ１２がオン、スイッチＳＷ１１がオフになる。この際、第２シールド配線３３ｂに接続されたスイッチＳＷ１２がオフ、スイッチＳＷ１１がオンになる。これにより、第１シールド配線３３ａの左端と第２シールド配線３３ｂの左端とで電位差が生じ、第１シールド配線３３ａ、接続配線３３ｅ及び第２シールド配線３３ｂに電流Ｉ１が流れる。個別シールド電極３３Ｓ－２、３３Ｓ－４においても、同様である。

第１検出制御回路１０は、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４の動作を切り替えることにより、個別シールド電極３３Ｓの両端に供給される第１電圧ＶＴＰＨと第２電圧ＶＴＰＬとを所定の周波数で変更する。これにより、個別シールド電極３３Ｓに交流の電圧信号である第１駆動信号ＶＴＰが供給される。また、信号線ＳＧＬは、図１０と同様に、一方が基準電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）に接続され、他方が第１検出回路１１に接続される。これにより、信号線ＳＧＬは、受信コイルを形成し、磁界に起因して受信コイルＣＲｘに起電力が発生し、第１検出信号Ｖｄｅｔ１が第１検出回路１１に出力される。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

１、１Ａ 表示装置
２ アレイ基板
３ 対向基板
１０ 第１検出制御回路
１１ 第１検出回路
１２ 第２検出制御回路
１３ 第２検出回路
１４ 表示制御回路
１６ 第１接続切替回路
１７ 第２接続切替回路
１８ 駆動回路
１９ 駆動ＩＣ
２０ 表示パネル
２１ 第１基板
２２ 検出電極
２２ｓ 部分検出電極
２３、２３Ａ、２３Ｂ 第１電極
２３ａ、２３Ａａ、５９ 第１電極接続配線
２４ 画素電極
２８ 金属配線
３１ 第２基板
３３ シールド電極
３３Ｓ 個別シールド電極
５１ 検出電極配線
５２、５２Ａ、５２Ｂ、５３、５３Ａ 第１駆動信号供給配線
５４、５４Ａ、５４Ｂ、５５、５５Ａ 第２駆動信号供給配線
５７ 検出信号出力線
５８ 第３駆動信号供給配線
６７ 第２電極
１００ タッチペン
ＡＡ 表示領域
ＣＴｘ 送信コイル
ＣＲｘ 受信コイル
ＣＳ 容量
ＣＳＥ１ 第１容量電極
ＣＳＥ２ 第２容量電極
ＧＡ 周辺領域
ＧＣＬ ゲート線
ＳＧＬ 信号線
Ｔｒ スイッチング素子
ＶＴＰ 第１駆動信号
ＶＳＥＬＦ 第２駆動信号

Claims (19)

1. 基板と、
   複数の画素電極と、
   前記基板の表示領域にマトリクス状に配列された複数の検出電極と、
   複数の前記検出電極のそれぞれに接続された複数の検出電極配線と、
   前記検出電極又は前記検出電極配線の何れか一方と同層に設けられ、第１方向に延出する複数の第１電極と、
   複数の前記画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に延出する複数の信号線と、
   前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、複数の前記第１電極の端部を接続する接続部材と、
   電磁誘導方式による第１センサ期間に、第１駆動信号を出力する駆動回路と、を有する
   表示装置。
2. 前記第１センサ期間には、前記第１電極は、前記駆動回路から前記第１駆動信号が供給されて磁界を発生させ、
   前記信号線には、前記磁界に起因した起電力が発生する
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１センサ期間には、前記信号線は、前記駆動回路から前記第１駆動信号が供給されて磁界を発生させ、
   前記第１電極には、前記磁界に起因した起電力が発生する
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１電極は、前記検出電極と同層に設けられ、
   前記第１方向に配列された複数の前記検出電極は、１つの前記第１電極と前記第２方向に隣り合って設けられる
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記第１電極及び前記検出電極は、透光性を有する導電材料であり、
   前記第１電極の上に、前記第１電極と接して金属配線が設けられている
   請求項４に記載の表示装置。
6. 複数の前記検出電極は、それぞれ複数の部分検出電極を有し、
   複数の前記部分検出電極は、それぞれに接続された個別検出電極配線を介して、共通検出電極配線に電気的に接続される
   請求項４又は請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１電極は、前記第２方向に隣り合う複数の前記部分検出電極の間に設けられる
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記検出電極配線は、前記第２方向に延出し、
   前記第１電極は、前記検出電極配線と同層に設けられ、平面視で複数の前記検出電極配線と交差する
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 複数の前記検出電極配線は、それぞれ、第１部分検出電極配線及び第２部分検出電極配線を有し、
   第１部分検出電極配線及び第２部分検出電極配線は、前記第２方向において、前記第１電極を挟んで隣り合って配置されるとともに、前記検出電極配線と異なる層に設けられたブリッジ配線を介して電気的に接続される
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記ブリッジ配線は、前記検出電極と同層に設けられる
    請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１部分検出電極配線及び前記第２部分検出電極配線は、それぞれ、平面視で前記信号線と重なって配置されるとともに、前記信号線と重ならない位置に設けられる接続部を有し、
    前記ブリッジ配線は、前記信号線と同層に設けられて、前記第１部分検出電極配線の前記接続部と前記第２部分検出電極配線の前記接続部とを接続する
    請求項９に記載の表示装置。
12. 前記検出電極配線は、前記第２方向に延出する主配線部と、前記主配線部に接続され、前記第１方向に延出する交差配線部と、を有し、
    前記第１電極は、前記第１方向に延出する主部と、前記交差配線部を挟んで前記第２方向に隣り合う第１交差部及び第２交差部とを有し、
    前記第１交差部及び前記第２交差部は、前記検出電極配線と異なる層に設けられたブリッジ配線を介して電気的に接続される
    請求項８に記載の表示装置。
13. 基板と、
    複数の画素電極と、
    前記基板の表示領域にマトリクス状に配列された複数の検出電極と、
    複数の前記検出電極のそれぞれに接続された複数の検出電極配線と、
    複数の前記画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、
    前記基板に垂直な方向において、前記スイッチング素子の半導体と前記基板との間に設けられ、第１方向に延出する第２電極と、
    前記検出電極又は前記検出電極配線の何れか一方と同層に設けられ、前記第１方向に交差する第２方向に延出する複数の第１電極と、
    前記表示領域の外側の周辺領域に設けられ、複数の前記第１電極の端部を接続する接続部材と、
    電磁誘導方式による第１センサ期間に、第１駆動信号を出力する駆動回路と、を有する
    表示装置。
14. 前記第１センサ期間には、前記第１電極は、前記駆動回路から前記第１駆動信号が供給されて磁界を発生させ、
    前記第２電極には、前記磁界に起因した起電力が発生する
    請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記第１センサ期間には、前記第２電極は、前記駆動回路から前記第１駆動信号が供給されて磁界を発生させ、
    前記第１電極には、前記磁界に起因した起電力が発生する
    請求項１３に記載の表示装置。
16. 前記第２電極は、前記基板よりも光の透過率が小さい
    請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の表示装置。
17. 前記第１電極は、前記検出電極配線と同層に設けられる
    請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載の表示装置。
18. 前記第２電極は、容量を介して検出信号出力線に接続され、
    前記容量は、
    複数の前記画素電極と同層に設けられた第１容量電極と、
    前記第１容量電極と対向し、前記検出電極と同層に設けられた第２容量電極とを有する
    請求項１３に記載の表示装置。
19. 第２センサ期間には、前記駆動回路は、前記検出電極配線を介して前記検出電極に第２駆動信号を供給し、
    複数の前記検出電極は、それぞれの自己静電容量に応じた信号を出力する
    請求項１から請求項１８のいずれか１項に記載の表示装置。

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