JP7070840B2 - 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、更に詳しくは、耐湿性、外部電極の機械的強度、外部電極の電気的な接続信頼性が改善された積層セラミックコンデンサに関する。

積層セラミックコンデンサが、種々の電子機器に広く使用されている。積層セラミックコンデンサにおいては、耐湿性の向上が重要な課題の１つになっている。

耐湿性の改善をはかった積層セラミックコンデンサが、特許文献１（特開２０１８-１１０２１２号公報）に開示されている。図７に、特許文献１に開示された積層セラミックコンデンサ１０００を示す。

積層セラミックコンデンサ１０００は、複数のセラミック層１０２と、複数の第１内部電極層１０３と、複数の第２内部電極層１０４とが積層された容量素子１０１を備えている。

容量素子１０１の両端面に、導体層１０５が形成されている。一方の端面に形成された導体層１０５に、第１内部電極層１０３が電気的に接続され、他方の端面に形成された導体層１０５に、第２内部電極層１０４が電気的に接続されている。

導体層１０５が、セラミックを主成分とする絶縁部１０６によって覆われている。導体層１０５および絶縁部１０６が、外部電極１０７によって覆われている。外部電極１０７は、下地外部電極層１０８と、めっき層１０９とで構成されている。

容量素子１０１の側面側および主面側の導体層１０５の端部において、導体層１０５と下地外部電極層１０８とが接合され、電気的に接続されている。導体層１０５と下地外部電極層１０８とが接合され、電気的に接続されている部分を符号Ｐで示す。

積層セラミックコンデンサ１０００は、導体層１０５と下地外部電極層１０８との間に、セラミックを主成分とする絶縁部１０６を形成したため、耐湿性が改善されている。すなわち、絶縁部１０６を形成したため、容量素子１０１の端面のセラミック層１０２と第１内部電極層１０３との隙間や、セラミック層１０２と第２内部電極層１０４との隙間から、内部に水分が侵入することが抑制されている。

特開２０１８-１１０２１２号公報

積層セラミックコンデンサ１０００は、導体層１０５と絶縁部１０６との接合強度、および、絶縁部１０６と下地外部電極層１０８との接合強度が、それぞれ低いため、外部電極１０７の機械的強度が低いという問題があった。すなわち、金属を主成分とする導体層１０５、下地外部電極層１０８と、セラミックを主成分とする絶縁部１０６との接合強度が低いため、外力や熱サイクルによって、外部電極１０７が容量素子１０１から剥がれてしまう虞があった。

また、積層セラミックコンデンサ１０００は、導体層１０５と下地外部電極層１０８との接合および電気的な接続を、符号Ｐで示す部分のみでおこなっているため、導体層１０５の厚みが小さくなると、導体層１０５と下地外部電極層１０８との接合強度が不十分になり、導体層１０５と下地外部電極層１０８との電気的な接続が不十分になったり、断線したりする虞があった。

従来の課題を解決するための手段として、本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、積層された複数のセラミック層と複数の第１内部電極層と複数の第２内部電極層とを含み、高さ方向において相対する第１主面および第２主面と、高さ方向に直行する幅方向において相対する第１側面および第２側面と、高さ方向および幅方向の両方に直行する長さ方向において相対する第１端面および第２端面とを有する容量素子を備え、第１内部電極層が第１端面に引出され、第２内部電極層が第２端面に引出され、第１端面の少なくとも一部分、および、第２端面の少なくとも一部分が、それぞれ、導体層によって覆われ、導体層の一部分が、絶縁部によって覆われ、第１端面および第２端面において、導体層および絶縁部の少なくとも一部分が、下地外部電極層によって覆われ、容量素子が、第１主面の一部分および第２主面の一部分、第１側面の一部分および第２側面の一部分において、下地外部電極層によって覆われ、下地外部電極層の少なくとも一部分が、めっき層によって覆われ、容量素子が、ＢａＴｉＯ _３ 、ＣａＴｉＯ _３ 、ＳｒＴｉＯ _３ 、ＣａＺｒＯ _３ のいずれかを主成分とする誘電体セラミックによって作製され、絶縁部が、容量素子を作製した誘電体セラミックと同じ種類のセラミックを主成分とする誘電体セラミックによって作製されたものとする。

本発明の積層セラミックコンデンサは、耐湿性、外部電極の機械的強度、外部電極の電気的な接続信頼性が改善されている。

第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の斜視図である。 図１における積層セラミックコンデンサ１００のＸ－Ｘ部分の断面図である。 図３（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の分解斜視図である。 図４（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の分解斜視図である。 第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００の分解斜視図である。 第３実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ３００の分解斜視図である。 特許文献１に開示された積層セラミックコンデンサ１０００の断面図である。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

［第１実施形態］
図１、図２、図３（Ａ）、（Ｂ）、図４（Ａ）、（Ｂ）に、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００を示す。なお、図中に、積層セラミックコンデンサ１００の高さ方向Ｔ、幅方向Ｗ、長さ方向Ｌを示しており、以下の説明において、これらの方向に言及する場合がある。

図１は、積層セラミックコンデンサ１００の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１００の断面図であり、図１に一点鎖線矢印で示したＸ-Ｘ部分を示している。図３（Ａ）、（Ｂ）、図４（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の分解斜視図である。なお、図３（Ａ）は、後述する、導体層４、絶縁部５、外部電極６（下地外部電極層７、めっき層８）を省略した状態を示している。図３（Ｂ）は、絶縁部５、外部電極６を省略した状態を示している。図４（Ａ）は、外部電極６を省略した状態を示している。図４（Ｂ）は、外部電極６のめっき層８を省略した状態を示している。

積層セラミックコンデンサ１００は、複数のセラミック層１ａと、複数の第１内部電極層２と、複数の第２内部電極層３とが積層された、容量素子１を備えている。容量素子１は、直方体形状からなり、高さ方向Ｔにおいて相対する第１主面１Ａ、第２主面１Ｂと、高さ方向Ｔに直行する幅方向Ｗにおいて相対する第１側面１Ｃ、第２側面１Ｄと、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗの両方に直行する長さ方向Ｌにおいて相対する第１端面１Ｅ、第２端面１Ｆとを有している。

容量素子１（セラミック層１ａ）の材質は任意であり、たとえば、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする誘電体セラミックを使用することができる。ただし、ＢａＴｉＯ_３に代えて、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３など、他の材質を主成分とする誘電体セラミックを使用してもよい。セラミック層１ａの厚みは任意であるが、例えば、０．１～１．０μｍである。

第１内部電極層２、第２内部電極層３の主成分は任意であり、たとえば、Ｎｉを使用することができる。ただし、Ｎｉに代えて、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕなど、他の金属を使用してもよい。また、ＮｉやＰｄ、Ａｇ、Ｃｕなどは、他の金属との合金であってもよい。第１内部電極層２、第２内部電極層３の厚みは任意であるが、例えば、０．１～１．０μｍである。

第１内部電極層２が第１端面１Ｅに引出され、第２内部電極層３が第２端面１Ｆに引出されている。

第１端面１Ｅ、第２端面１Ｆが、それぞれ、導体層４によって覆われている。第１端面１Ｅにおいて、第１内部電極層２が導体層４に電気的に接続され、第２端面１Ｆにおいて、第２内部電極層３が導体層４に電気的に接続されている。なお、導体層４は、第１端面１Ｅ、第２端面１Ｆ、それぞれの全面を覆っているが、全面を覆うことは必須ではなく、第１端面１Ｅにおいて、少なくとも第１端面１Ｅに引出された第１内部電極層２を覆っていればよく、第２端面１Ｆにおいて、少なくとも第２端面１Ｆに引出された第２内部電極層３を覆っていればよい。

導体層４の主成分は任意であり、たとえば、Ｎｉを使用することができる。ただし、Ｎｉに代えて、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕなど、他の金属を使用してもよい。また、ＮｉやＰｄ、Ａｇ、Ｃｕなどは、他の金属との合金であってもよい。導体層４の厚みは任意であるが、例えば、０．３～５．０μｍである。

導体層４の一部分が、絶縁部５によって覆われている。本実施形態においては、絶縁部５は円形であり、導体層４の表面に複数の絶縁部５が千鳥状に配置されている。絶縁部５の厚みは任意であるが、例えば、０．３～５．０μｍである。

導体層４の表面における絶縁部５の被覆率は、２０％以上、９８％以下であることが好ましい。２０％未満であると、絶縁部５によって耐湿性を向上させる効果が不十分になる虞があるからである。また、９８％を超えると、導体層４と、後述する下地外部電極層７との接合強度が低下する虞があるからである。

なお、導体層４の表面における絶縁部５の被覆率の測定は、外部電極６を除去した容量素子１の端面（第１端面１Ｅ、第２端面１Ｆ）を映した写真から、画像解析ソフトを用いて実施する。より具体的には、次の方法によって測定する。

まず、容量素子１の端面（第１端面１Ｅ、第２端面１Ｆ）から、外部電極６（下地外部電極層７、めっき層８）を除去する。外部電極６の除去方法には、物理的に研磨する方法や、化学的に除去する方法がある。物理的に研磨する方法は、容量素子１を固定し、端面部を研磨紙で水平に研磨することで、除去することができる。化学的に除去する方法は、たとえば、下地外部電極層７がＣｕを主成分にしている場合には、Ｃｕを溶解する溶液に浸漬することで、可能である。はんだ槽にチップを浸漬することでもＣｕ喰われを利用し、除去することが可能である。

次に、外部電極６を除去した容量素子１の端面の写真を撮像する。端面の写真は、以下に注意して撮像する。撮像は、光学顕微鏡、もしくはマイクロスコープを用いておこなう。ただし、絶縁部５と導体層４とを色調から識別できない場合は、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope；走査型電子顕微鏡）像（たとえば反射電子の検出）、もしくはＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray spectrometry；エネルギー分散型Ｘ線分析法）、ＷＤＸ（Wavelength Dispersive x-ray Spectrometry；波長分散型Ｘ線分析法）などを使い、マッピングすることで、絶縁部５と導体層４とを識別することが可能となる。

絶縁部５と導体層４との識別が可能な写真を用意したら、次に、画像解析ソフトで２値化処理をおこない、絶縁部５と導体層４との割合を面積比率で算出する。以上により、導体層４の表面における絶縁部５の被覆率を測定することができる。

絶縁部５の材質は任意である。ただし、本実施形態においては、絶縁部５はセラミックを主成分としている。なお、セラミックの種類も任意であるが、例えば、容量素子１（セラミック層１ａ）と同じ材質を使用することできる。

容量素子１の第１端面１Ｅ、第２端面１Ｆに、それぞれ、外部電極６が形成されている。外部電極６は、下地外部電極層７とめっき層８とで構成されている。なお、外部電極６は、それぞれ、キャップ状に形成されており、第１端面１Ｅ、第２端面１Ｆから、それぞれ、第１主面１Ａ、第２主面１Ｂおよび第１側面１Ｃ、第２側面１Ｄに延出して形成されている。

導体層４および絶縁部５が、下地外部電極層７によって覆われている。金属を主成分とする導体層４とセラミックを主成分とする絶縁部５との接合強度、および、セラミックを主成分とする絶縁部５と金属を主成分とする下地外部電極層７との接合強度は、それぞれ、あまり高くない。しかしながら、絶縁部５の隙間から、金属を主成分とする導体層４と金属を主成分とする下地外部電極層７とが強固に接合されているため、導体層４、絶縁部５、下地外部電極層７は、強固に一体化されている。

下地外部電極層７の材質は任意であるが、たとえば、Ｃｕおよびガラスを使用することができる。ただし、Ｃｕに代えて、Ａｇ、Ｎｉなど、他の金属を使用してもよい。また、ＣｕやＡｇ、Ｎｉなどは、他の金属との合金であってもよい。なお、下地外部電極層７は、ガラスが含まれていないものであってもよい。下地外部電極層７の厚みは任意であるが、例えば、２～１００μｍである。

下地外部電極層７が、めっき層８によって覆われている。めっき層８の材質、層数は任意であるが、たとえば、第１層目をＮｉめっき膜、第２層目をＳｎめっき膜とした２層構造にすることができる。ただし、図２においては、見やすくするため、めっき層８を１層に示している。めっき層８の１層あたりの厚みは任意であるが、例えば、０．１～５．０μｍである。

上述したとおり、下地外部電極層７とめっき層８とで、外部電極６が構成されている。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１００は、導体層４と下地外部電極層７との間に、セラミックを主成分とする絶縁部５が形成されているため、耐湿性が改善されている。すなわち、絶縁部５を形成したことによって、容量素子１の第１端面１Ｅにおけるセラミック層１ａと第１内部電極層２との隙間や、容量素子１の第２端面１Ｆにおけるセラミック層１ａと第２内部電極層３との隙間から、内部に水分が侵入することが抑制されている。

また、積層セラミックコンデンサ１００は、導体層４と下地外部電極層７との間に絶縁部５が形成されているが、絶縁部５の隙間から、導体層４と下地外部電極層７とが強固に接合されているため、導体層４、絶縁部５、下地外部電極層７は、強固に一体化されている。そのため、積層セラミックコンデンサ１００は、外部電極６の機械的強度が高く、外部電極６が容量素子１から剥がれにくい。

また、積層セラミックコンデンサ１００は、絶縁部５の隙間から、導体層４と下地外部電極層７とが面によって接合されて、導体層４と下地外部電極層７との電気的な接続がはかられているため、導体層４の厚みが小さくても、電気的な接続信頼性が高い。すなわち、例えば、図７に示した特許文献1に開示された積層セラミックコンデンサ１０００では、導体層１０５の厚みが小さくなると、符号Ｐで示す部分での導体層１０５と下地外部電極層１０８との電気的な接続が不十分になることがあったが、積層セラミックコンデンサ１００では、導体層４の厚みが小さくても、導体層４と下地外部電極層７とが良好に電気的に接続される。例えば、積層セラミックコンデンサ１００では、導体層４の厚みが５．０μｍ以下であっても、導体層４と下地外部電極層７とが良好に電気的に接続される。

下地外部電極層７に含まれるガラスは、接合強度を向上させるために添加されたものである。しかしながら、一般的に、ガラスの含有量を多くすると、接合強度が高くなるが、下地外部電極層７の導電率が低下してしまうという問題が発生する。しかしながら、積層セラミックコンデンサ１００は、上述したとおり、導体層４と下地外部電極層７とが、絶縁部５の隙間から、面によって強固に接合されるため、下地外部電極層７のガラスの含有量が少なくても問題がない。積層セラミックコンデンサ１００は、下地外部電極層７のガラスの含有量が４０体積％以下であっても、下地外部電極層７が導体層４および絶縁部５と良好に接合される。また、下地外部電極層７のガラスの含有量が４０体積％以下であれば、下地外部電極層７は十分な導電率を備える。

積層セラミックコンデンサ１００において、導体層４に、共材として、容量素子１（セラミック層１ａ）に含まれるセラミックと同じ種類のセラミックや、絶縁部５に含まれるセラミックと同じ種類のセラミックを添加することも好ましい。この場合には、容量素子１と導体層４との接合強度や、導体層４と絶縁部５との接合強度を向上させることができる。

第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００は、例えば、次の方法で製造することができる。

まず、誘電体セラミックスの粉末、バインダ樹脂、溶剤などを用意し、これらを湿式混合してセラミックスラリーを作製する。

次に、キャリアフィルム上に、セラミックスラリーをダイコータ、グラビアコーター、マイクログラビアコーターなどを用いてシート状に塗布し、乾燥させて、セラミックグリーンシートを作製する。

次に、所定のセラミックグリーンシートの主面に、第１内部電極層２、第２内部電極層３を形成するために、予め用意した導電性ペーストを所望のパターン形状に印刷する。なお、保護層となるセラミックグリーンシートには、導電性ペーストは印刷しない。

次に、セラミックグリーンシートを所定の順番に積層し、加熱圧着して一体化させ、未焼成の容量素子を作製する。

次に、導体層４を形成するために、Ｎｉシートを作製する。具体的には、まず、Ｎｉの粉末、バインダ樹脂、溶剤などを用意し、これらを湿式混合してＮｉスラリーを作製する。

次に、キャリアフィルム上に、Ｎｉスラリーをダイコータ、グラビアコーター、マイクログラビアコーターなどを用いてシート状に塗布し、乾燥させて、Ｎｉシートを作製する。

次に、未焼成の容量素子の端面をＮｉシートに押し付け、未焼成の容量素子の端面にＮｉシートを付着させる。

次に、絶縁部５を形成するために、セラミックスラリーを作製する。具体的には、まず、セラミックの粉末、バインダ樹脂、溶剤などを用意し、これらを湿式混合してセラミックスラリーを作製する。

次に、作製したセラミックスラリーを、例えばインクジェット法によって、未焼成の容量素子の端面に付着されたＮｉシートの表面に、所望の形状に塗布する。

次に、端面にＮｉシートが付着され、Ｎｉシートの表面にセラミックスラリーが塗布された未焼成の容量素子を、所定のプロファイルで焼成して、容量素子１を完成させる。なお、このとき、セラミックグリーンシートの主面に印刷された導電性ペーストが同時に焼成され、容量素子１の内部に第１内部電極層２、第２内部電極層３が形成される。また、Ｎｉシートが同時に焼成され、容量素子１の端面に導体層４が形成される。また、Ｎｉシートの表面に塗布されたセラミックスラリーが同時に焼成され、導体層４の表面に絶縁部５が形成される。

なお、未焼成の容量素子の焼成は、通常、多数個を一度にまとめて実施するが、このとき、Ｎｉシートの表面に塗布されセラミックスラリーによって、隣接する未焼成の容量素子のＮｉシートどうしが、くっつくことが抑制される。

次に、容量素子１に下地外部電極層７を形成するために、容量素子１の両端部に、導電性ペーストを塗布する。具体的には、容量素子１の端部を、導電性ペーストが入れられた浴に浸す。

次に、両端部に導電性ペーストが塗布された容量素子１を、所定の温度で加熱し、導電性ペーストを焼付けて、容量素子１の両端部に下地外部電極層７を形成する。

次に、電解めっきにより、下地外部電極層７の表面にめっき層８を形成して、外部電極６を完成させる。以上により、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００が完成する。

［第２実施形態］
図５に、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００を示す。ただし、図５は積層セラミックコンデンサ２００の分解斜視図であり、外部電極６（下地外部電極層７、めっき層８）を省略した状態を示している。

第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００は、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、積層セラミックコンデンサ１００では、導体層４が複数の円形の絶縁部５によって覆われていたが、積層セラミックコンデンサ２００では、これを変更し、導体層４を１つの面積の大きな絶縁部２５によって覆った。絶縁部２５は、導体層４の四隅を、それぞれ切り欠いた形状からなる。積層セラミックコンデンサ２００の他の構成については、積層セラミックコンデンサ１００と同じにした。

積層セラミックコンデンサ２００においては、切り欠いた部分で、導体層４と下地外部電極層７とが強固に接合される。また、この部分で、導体層４と下地外部電極層７との電気的な接続がはかられる。

［第３実施形態］
図６に、第３実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ３００を示す。ただし、図６は積層セラミックコンデンサ３００の分解斜視図であり、外部電極６（下地外部電極層７、めっき層８）を省略した状態を示している。

第３実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ３００も、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、積層セラミックコンデンサ１００では、導体層４が複数の円形の絶縁部５によって覆われていたが、積層セラミックコンデンサ３００では、これを変更し、導体層４を１つの格子状の絶縁部３５によって覆った。積層セラミックコンデンサ３００の他の構成については、積層セラミックコンデンサ１００と同じにした。

積層セラミックコンデンサ３００においては、導体層４における格子状の絶縁部３５に形成された窓状の絶縁部が形成されていない部分で、導体層４と下地外部電極層７とが強固に接合される。また、この部分で、導体層４と下地外部電極層７との電気的な接続がはかられる。

以上、第１実施形態～第３実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００、２００、３００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。

たとえば、上記実施形態では、導体層４を１層で構成したが、導体層４は複数の層で構成されてもよい。例えば、導体層４を、金属（Ｎｉなど）とセラミックとを含む第１層と、金属を含む第２層とで構成してもよい。

また、上記実施形態では、Ｎｉシートを使用して導体層４を形成したが、Ｎｉシートに代えて、Ｐｄシート、Ａｇシート、Ｃｕシートなどを使用してもよい。

また、上記実施形態では、未焼成の容量素子の端面に金属シート（Ｎｉシート）を付着させて導体層４を形成したが、これに代えて、未焼成の容量素子の端面に導電性ペーストを塗布して導体層４を形成するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、未焼成の容量素子の端面に金属シート（Ｎｉシート）を付着させた後に、金属シートの表面に、インクジェット法によって絶縁部５を形成するためのセラミックスラリーを塗布したが、これに代えて、未焼成の容量素子の端面に付着させる前の金属シートの表面に、予めセラミックスラリーを印刷しておいてもよい。

また、上記実施形態では、金属シート（Ｎｉシート）の表面に絶縁部５を形成するためのセラミックスラリーを部分的に塗布したが、金属シートの表面の全面にセラミックスラリーを塗布しておき、焼成時の熱によってセラミックスラリーを収縮させ、導体層４の表面に絶縁部５を部分的に形成するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、外部電極６を、第１端面１Ｅ、第２端面１Ｆから、それぞれ、第１主面１Ａ、第２主面１Ｂおよび第１側面１Ｃ、第２側面１Ｄに延出させてキャップ状に形成したが、外部電極６は、少なくとも第１端面１Ｅおよび第２端面１Ｆに形成されていればよい。

本願発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、「課題を解決するための手段」の欄に記載したとおりである。

この積層セラミックコンデンサにおいて、導体層の表面に絶縁部が分散配置されることも好ましい。この場合には、複数の絶縁部の隙間において、導体層と下地電極層とが接合される。

また、絶縁部は、端面において、四隅を切り欠いた形状であることも好ましい。この場合には、四隅において、導体層と下地電極層とが接合される。

また、導体層の表面における絶縁部の被覆率が、２０％以上、９８％以下であることも好ましい。２０％未満であると、絶縁部によって耐湿性を向上させる効果が不十分になる虞があるからである。また、９５％を超えると、導体層と下地外部電極層７との接合強度が低下する虞があるからである。

また、導体層の表面における絶縁部の被覆率が、３０％以上、７５％以下であることも更に好ましい。被覆率を３０％以上にすれば、絶縁部により十分な耐湿性を得ることができるからである。また、被覆率を７５％以下にすれば、導体層と下地外部電極層との接合強度が十分に大きくなるからである。

また、絶縁部は、例えば、セラミックを主成分とするものとすることができる。

また、導体層がセラミックを含有することも好ましい。この場合には、容量素子と導体層との接合強度や、導体層と絶縁部との接合強度を向上させることができる。

また、導体層の厚みは、５．０μｍ以下であってもよい。５．０μｍ以下であっても、導体層と下地外部電極層とは、良好に電気的に接続されるからである。

また、下地外部電極層がガラスを含有することも好ましい。この場合には、下地電極層の接合強度を向上させることができる。また、この場合において、ガラスの含有率が４０体積％以下であることも好ましい。ガラスの含有率が４０体積％以下であっても、絶縁部の隙間から、導体層と下地外部電極層とが良好に接合されるからである。また、ガラスの含有率が４０体積％以下であれば、下地外部電極層は良好な導電率を備えるからである。

１・・・容量素子
１ａ・・・セラミック層
１Ａ・・・第１主面
１Ｂ・・・第２主面
１Ｃ・・・第１側面
１Ｄ・・・第２側面
１Ｅ・・・第１端面
１Ｆ・・・第２端面
２・・・第１内部電極層
３・・・第２内部電極層
４・・・導体層
５、２５、３５・・・絶縁部
６・・・外部電極
７・・・下地外部電極層
８・・・めっき層

Claims (10)

1. 積層された複数のセラミック層と複数の第１内部電極層と複数の第２内部電極層とを含み、高さ方向において相対する第１主面および第２主面と、前記高さ方向に直行する幅方向において相対する第１側面および第２側面と、前記高さ方向および前記幅方向の両方に直行する長さ方向において相対する第１端面および第２端面とを有する容量素子を備え、
   前記第１内部電極層が前記第１端面に引出され、前記第２内部電極層が前記第２端面に引出され、
   前記第１端面の少なくとも一部分、および、前記第２端面の少なくとも一部分が、それぞれ、導体層によって覆われ、
   前記導体層の一部分が、絶縁部によって覆われ、
   前記第１端面および前記第２端面において、前記導体層および前記絶縁部の少なくとも一部分が、下地外部電極層によって覆われ、
   前記容量素子が、前記第１主面の一部分および前記第２主面の一部分、前記第１側面の一部分および前記第２側面の一部分において、前記下地外部電極層によって覆われ、
   前記下地外部電極層の少なくとも一部分が、めっき層によって覆われ、
   前記容量素子が、ＢａＴｉＯ _３ 、ＣａＴｉＯ _３ 、ＳｒＴｉＯ _３ 、ＣａＺｒＯ _３ のいずれかを主成分とする誘電体セラミックによって作製され、
   前記絶縁部が、前記容量素子を作製した前記誘電体セラミックと同じ種類のセラミックを主成分とする誘電体セラミックによって作製された、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記導体層の表面に前記絶縁部が分散配置された、請求項１に記載された積層セラミックコンデンサ。
3. 前記絶縁部は、前記端面において、四隅を切り欠いた形状である、請求項１に記載された積層セラミックコンデンサ。
4. 前記導体層の表面における前記絶縁部の被覆率が、２０％以上、９８％以下である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。
5. 前記導体層の表面における前記絶縁部の被覆率が、３０％以上、７５％以下である、請求項４に記載された積層セラミックコンデンサ。
6. 前記導体層がセラミックを含有する、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。
7. 前記導体層の厚みが５．０μｍ以下である、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。
8. 前記下地外部電極層がガラスを含有する、請求項１ないし７のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。
9. 前記下地外部電極層における前記ガラスの含有率が４０体積％以下である、請求項８に記載された積層セラミックコンデンサ。
10. 積層された複数のセラミック層と複数の第１内部電極層と複数の第２内部電極層とを含み、高さ方向において相対する第１主面および第２主面と、前記高さ方向に直行する幅方向において相対する第１側面および第２側面と、前記高さ方向および前記幅方向の両方に直行する長さ方向において相対する第１端面および第２端面とを有する容量素子を備え、
    前記第１内部電極層が前記第１端面に引出され、前記第２内部電極層が前記第２端面に引出され、
    前記第１端面の少なくとも一部分、および、前記第２端面の少なくとも一部分が、それぞれ、導体層によって覆われ、
    前記導体層の一部分が、絶縁部によって覆われ、
    前記第１端面および前記第２端面において、前記導体層および前記絶縁部の少なくとも一部分が、下地外部電極層によって覆われ、
    前記容量素子が、前記第１主面の一部分および前記第２主面の一部分、前記第１側面の一部分および前記第２側面の一部分において、前記下地外部電極層によって覆われ、
    前記下地外部電極層の少なくとも一部分が、めっき層によって覆われ、
    前記容量素子が、ＢａＴｉＯ _３ 、ＣａＴｉＯ _３ 、ＳｒＴｉＯ _３ 、ＣａＺｒＯ _３ のいずれかを主成分とする誘電体セラミックによって作製され、
    前記絶縁部が、前記容量素子を作製した前記誘電体セラミックと同じ種類のセラミックを主成分とする誘電体セラミックによって作製された、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
    未焼成の容量素子を作製する工程と、
    前記未焼成の容量素子の前記第１端面および前記第２端面に、前記導体層を形成するための金属シートを付着させる工程と、
    前記金属シートの表面に、前記絶縁部を形成するためのセラミックスラリーを塗布する工程と、
    前記未焼成の容量素子と、前記金属シートと、前記セラミックスラリーとを、同時に焼成する工程と、を備えた積層セラミックコンデンサの製造方法。

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