JP7052922B2 - 磁気素子及び磁気記録アレイ - Google Patents
磁気素子及び磁気記録アレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7052922B2 JP7052922B2 JP2021530680A JP2021530680A JP7052922B2 JP 7052922 B2 JP7052922 B2 JP 7052922B2 JP 2021530680 A JP2021530680 A JP 2021530680A JP 2021530680 A JP2021530680 A JP 2021530680A JP 7052922 B2 JP7052922 B2 JP 7052922B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- bending point
- domain wall
- element according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 313
- 238000003491 array Methods 0.000 title description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 172
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 130
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 101
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 13
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 11
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 11
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017028 MnSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001364096 Pachycephalidae Species 0.000 description 1
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 and at least B Inorganic materials 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910001463 metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Description
Access Memory)、ReRAM(Resistive Randome Access Memory)、PCRAM(Phase Change Random
Access Memory)等が次世代の不揮発性メモリとして知られている。
図1は、第1実施形態にかかる磁気記録アレイの構成図である。磁気記録アレイ200は、複数の磁壁移動素子100と、複数の第1配線Wp1~Wpnと、複数の第2配線Cm1~Cmnと、複数の第3配線Rp1~Rpnと、複数の第1スイッチング素子110と、複数の第2スイッチング素子120と、複数の第3スイッチング素子130とを備える。磁気記録アレイ200は、例えば、磁気メモリ、積和演算器、ニューロモーフィックデバイスに利用できる。磁壁移動素子100は、磁性素子の一例である。
第1配線Wp1~Wpnは、書き込み配線である。第1配線Wp1~Wpnは、電源と1つ以上の磁壁移動素子100とを電気的に接続する。電源は、使用時に磁気記録アレイ200の一端に接続される。
図1に示す第1スイッチング素子110、第2スイッチング素子120、第3スイッチング素子130は、複数の磁壁移動素子100のそれぞれに接続されている。磁壁移動素子100にスイッチング素子が接続されたものを半導体装置と称する。第1スイッチング素子110は、磁壁移動素子100のそれぞれと第1配線Wp1~Wpnとの間に接続されている。第2スイッチング素子120は、磁壁移動素子100のそれぞれと第2配線Cm1~Cmnとの間に接続されている。第3スイッチング素子130は、磁壁移動素子100のそれぞれと第3配線Rp1~Rpnとの間に接続されている。
図3は、磁壁移動素子100を配線層10のy方向の中心を通るxz平面で切断した断面図である。磁壁移動素子100は、配線層10と非磁性層20と第2強磁性層30と第1導電層40と第2導電層50とを有する。
配線層10は、x方向に延びる部分であり、通電できる部分を含む。配線層10は、例えば、z方向からの平面視で、x方向が長軸、y方向が短軸の矩形である。配線層10は、非磁性層20を挟んで、第2強磁性層30と対向する。配線層10は、例えば、第1導電層40と第2導電層50とに亘って、絶縁層90上に積層される。絶縁層90により配線層10に沿って電流が流れる。配線層10は強磁性体を含み、非磁性層20側に強磁性層を有する。
非磁性層20は、配線層10と第2強磁性層30との間に位置する。非磁性層20は、配線層10の一面に積層される。
第2強磁性層30は、非磁性層20に面する。第2強磁性層30は、一方向に配向した磁化M30を有する。第2強磁性層30の磁化M30は、所定の外力が印加された際に第1強磁性層12の磁化よりも配向方向が変化しにくい。所定の外力は、例えば外部磁場により磁化に印加される外力や、スピン偏極電流により磁化に印加される外力である。第2強磁性層30は、磁化固定層、磁化参照層と呼ばれることがある。
第1導電層40及び第2導電層50は、配線層10に接続される。第1導電層40及び第2導電層50は、例えば、接続配線Cwと配線層10との接続部である。第1導電層40は例えば配線層10の第1端部に接続され、第2導電層50は例えば配線層10の第2端部に接続される。磁壁移動素子100が第1導電層40及び第2導電層50を有さない場合は、接続配線Cwと配線層10とが直接接続される。
図9は、第1変形例に係る磁壁移動素子100Aのyz面における断面図である。磁壁移動素子100Aは、第1屈曲点B1が下地層16の側面に位置する点が、磁壁移動素子100と異なる。磁壁移動素子100と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省く。
図10は、第2変形例に係る磁壁移動素子100Bのyz面における断面図である。磁壁移動素子100Aは、第1屈曲点B1が磁気記録層14の側面に位置する点が、磁壁移動素子100と異なる。磁壁移動素子100と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省く。
図11は、第3変形例に係る磁壁移動素子100Cのyz面における断面図である。磁壁移動素子100Cは、第1屈曲点B1が磁気記録層14と第1強磁性層12との境界に位置する点が、磁壁移動素子100と異なる。磁壁移動素子100と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省く。
図12は、第4変形例に係る磁壁移動素子100Dのyz面における断面図である。磁壁移動素子100Dは、第1屈曲点B1が第1強磁性層12の側面に位置する点が、磁壁移動素子100と異なる。磁壁移動素子100と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省く。
図13は、第2実施形態に係る磁壁移動素子102のyz面における断面図である。磁壁移動素子102は、側面11が第2屈曲点B2を有する点が、磁壁移動素子100と異なる。
第3実施形態に係る磁気メモリは、磁壁移動素子をSOT素子に置き換えている点が異なる。図14は、第3実施形態に係るSOT素子103のxz面における断面図である。SOT素子は、磁性素子の一例である。
11、13、61、81 側面
11A、61A 第1傾斜面
11B、61B 第2傾斜面
11C 第3傾斜面
12、62 第1強磁性層
12A、14A 第1磁区
12B、14B 第2磁区
14 磁気記録層
16、86 下地層
17 磁壁
20 非磁性層
30 第2強磁性層
40 第1導電層
50 第2導電層
64 導電層
82、84、85 強磁性層
83 非磁性層
87、88 イオンビーム
90 絶縁層
100、100A、100B、100C、100D、101、102 磁壁移動素子
110 第1スイッチング素子
120 第2スイッチング素子
130 第3スイッチング素子
200 磁気記録アレイ
B1 第1屈曲点
B2 第2屈曲点
e1、e2 端部
L1、L2、L3 距離
Claims (20)
- 第1方向に延び、強磁性体を含む配線層と、
前記配線層に対して第2方向に積層された非磁性層とを、備え、
前記配線層は、前記第1方向と直交する切断面において、前記第2方向に対して傾斜する側面を有し、
前記側面は、前記第2方向に対する傾斜角が不連続となる屈曲点を一つ以上有し、
前記屈曲点のうち前記非磁性層から最も離れた位置にある第1屈曲点を挟んで、前記非磁性層から遠い第1傾斜面の前記傾斜角は、前記非磁性層に近い第2傾斜面の前記傾斜角より小さい、磁気素子。 - 前記配線層は、前記非磁性層に近い位置から第1強磁性層、磁気記録層、非磁性の下地層を順に有する、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記配線層は、前記非磁性層に近い位置から第1強磁性層、導電層を順に有する、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記第1屈曲点は、前記第1強磁性層の側面に位置する、請求項2又は3に記載の磁気素子。
- 前記第1屈曲点は、前記磁気記録層の側面に位置する、請求項2に記載の磁気素子。
- 前記第1屈曲点は、前記下地層の側面に位置する、請求項2に記載の磁気素子。
- 前記第1屈曲点は、前記導電層の側面に位置する、請求項3に記載の磁気素子。
- 前記第1屈曲点は、前記第1強磁性層と前記磁気記録層との境界に位置する、請求項2に記載の磁気素子。
- 前記第1屈曲点は、前記磁気記録層と前記下地層との境界に位置する、請求項2に記載の磁気素子。
- 前記第1屈曲点は、前記第1強磁性層と前記導電層との境界に位置する、請求項3に記載の磁気素子。
- 前記第1方向と直交する切断面における前記第1方向及び第2方向と直交する第3方向において、前記非磁性層の端部と前記第1屈曲点との距離は、前記配線層の端部との前記第1屈曲点との距離より長い、請求項1~10のいずれか一項に記載の磁気素子。
- 前記第1方向と直交する切断面において、前記非磁性層の端部と前記第1屈曲点との前記第2方向における距離は、前記配線層の端部と前記第1屈曲点との前記第2方向における距離より長い、請求項1~11のいずれか一項に記載の磁気素子。
- 前記屈曲点のうち前記第1屈曲点の次に前記非磁性層から離れた位置にある第2屈曲点を挟んで、前記非磁性層から遠くに位置する第2傾斜面の前記傾斜角は、前記非磁性層の近くに位置する第3傾斜面の前記傾斜角より大きい、請求項1~12のいずれか一項に記載の磁気素子。
- 前記屈曲点は、前記第1屈曲点の次に前記非磁性層から離れた位置に第2屈曲点をさらに備え、
前記第1方向と直交する切断面における前記第1方向及び第2方向と直交する第3方向において、前記第1屈曲点と前記第2屈曲点との距離は、前記配線層の端部と前記第1屈曲点との距離より長い、請求項11に記載の磁気素子。 - 前記第1方向と直交する切断面において、前記第1屈曲点と前記第2屈曲点との前記第2方向における距離は、前記配線層の端部と前記第1屈曲点との前記第2方向における距離より長い、請求項13又は14に記載の磁気素子。
- 前記第1屈曲点は前記第1方向に延びる、請求項1~15のいずれか一項に記載の磁気素子。
- 前記非磁性層の抵抗面積積(RA)が1×104Ωμm2以上である、請求項2に記載の磁気素子。
- 前記非磁性層の厚みが2.0nm以上である、請求項2に記載の磁気素子。
- 前記配線層の前記非磁性層と反対側の面に、絶縁層をさらに備える、請求項1~18のいずれか一項に記載の磁気素子。
- 前記非磁性層の前記配線層と反対側に、第2強磁性層をさらに備える、請求項1~18のいずれか一項に記載の磁気素子を複数有する、磁気記録アレイ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019126005 | 2019-07-05 | ||
JP2019126005 | 2019-07-05 | ||
PCT/JP2020/026264 WO2021006219A1 (ja) | 2019-07-05 | 2020-07-03 | 磁気素子及び磁気記録アレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021006219A1 JPWO2021006219A1 (ja) | 2021-11-11 |
JP7052922B2 true JP7052922B2 (ja) | 2022-04-12 |
Family
ID=74114196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021530680A Active JP7052922B2 (ja) | 2019-07-05 | 2020-07-03 | 磁気素子及び磁気記録アレイ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220359817A1 (ja) |
JP (1) | JP7052922B2 (ja) |
CN (1) | CN114051655A (ja) |
WO (1) | WO2021006219A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113793896A (zh) | 2020-05-26 | 2021-12-14 | Tdk株式会社 | 磁畴壁移动元件及磁存储阵列 |
WO2023007609A1 (ja) * | 2021-07-28 | 2023-02-02 | Tdk株式会社 | 磁壁移動素子および磁気アレイ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008547150A (ja) | 2005-06-24 | 2008-12-25 | ビーコ・インスツルメンツ・インコーポレーテッド | 大容量記憶装置の読み書きヘッド用の読み取りセンサの製造方法 |
WO2012110909A1 (en) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | International Business Machines Corporation | Ferromagnetic device providing high domain wall velocities |
JP2018074140A (ja) | 2016-10-27 | 2018-05-10 | Tdk株式会社 | スピン軌道トルク型磁化反転素子、磁気メモリ及び高周波磁気デバイス |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6481805B1 (ja) * | 2018-01-12 | 2019-03-13 | Tdk株式会社 | 磁壁移動型磁気記録素子及び磁気記録アレイ |
JP7211252B2 (ja) * | 2018-05-16 | 2023-01-24 | Tdk株式会社 | スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
JP7400502B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2023-12-19 | Tdk株式会社 | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ |
CN116867350A (zh) * | 2019-02-22 | 2023-10-10 | Tdk株式会社 | 磁畴壁移动元件和磁记录阵列 |
-
2020
- 2020-07-03 JP JP2021530680A patent/JP7052922B2/ja active Active
- 2020-07-03 US US17/623,540 patent/US20220359817A1/en active Pending
- 2020-07-03 WO PCT/JP2020/026264 patent/WO2021006219A1/ja active Application Filing
- 2020-07-03 CN CN202080047617.2A patent/CN114051655A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008547150A (ja) | 2005-06-24 | 2008-12-25 | ビーコ・インスツルメンツ・インコーポレーテッド | 大容量記憶装置の読み書きヘッド用の読み取りセンサの製造方法 |
WO2012110909A1 (en) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | International Business Machines Corporation | Ferromagnetic device providing high domain wall velocities |
JP2018074140A (ja) | 2016-10-27 | 2018-05-10 | Tdk株式会社 | スピン軌道トルク型磁化反転素子、磁気メモリ及び高周波磁気デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021006219A1 (ja) | 2021-01-14 |
JPWO2021006219A1 (ja) | 2021-11-11 |
US20220359817A1 (en) | 2022-11-10 |
CN114051655A (zh) | 2022-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109786544B (zh) | 自旋轨道转矩型磁化旋转元件、磁阻效应元件和磁存储器 | |
JP7211252B2 (ja) | スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
CN111492491B (zh) | 自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件以及磁存储器 | |
JPWO2019049591A1 (ja) | スピン流磁化反転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子、及びスピン流磁化反転素子の製造方法 | |
JP7052922B2 (ja) | 磁気素子及び磁気記録アレイ | |
WO2020230877A1 (ja) | 磁壁移動素子、磁気記録アレイ及び半導体装置 | |
CN113793896A (zh) | 磁畴壁移动元件及磁存储阵列 | |
US20220190233A1 (en) | Magnetic domain wall movement element and magnetic array | |
CN111279489B (zh) | 自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器 | |
JP2020141132A (ja) | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ | |
JP2018074138A (ja) | スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
JP6696635B2 (ja) | スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
JP2021057519A (ja) | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ | |
JP2020150113A (ja) | 磁壁移動素子、磁気記録アレイ及び半導体装置 | |
JP2021190690A (ja) | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ | |
JP7024914B2 (ja) | 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ | |
JP7081694B2 (ja) | 磁気記録層、磁壁移動素子及び磁気記録アレイ | |
WO2022070378A1 (ja) | 磁壁移動素子および磁気アレイ | |
US20220216394A1 (en) | Magnetic domain wall moving element and magnetic array | |
JP2022034728A (ja) | 配線層、磁壁移動素子および磁気アレイ | |
JP2022043545A (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ | |
JP2021015839A (ja) | 磁気メモリ及び磁気メモリの制御方法 | |
JP2022025821A (ja) | 磁気メモリ | |
CN116569676A (zh) | 磁畴壁移动元件、磁阵列和磁畴壁移动元件的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210802 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7052922 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |