JP7400502B2 - 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ - Google Patents
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Description
<半導体装置>
図1は、第1実施形態にかかる半導体装置の断面図である。図1は、磁気記録層20のy方向の幅の中心を通るxz平面で切断した断面である。半導体装置200は、複数の記憶素子100と、記憶素子100に接続された半導体素子(例えばトランジスタ)と、を有する。図1では、便宜上、一つの記憶素子100にフォーカスし、記憶素子100に接続された3つのトランジスタを図示している。半導体装置200は、第1強磁性層10と磁気記録層20と非磁性層30と第1電極40と第2電極50と基板60と第3電極70と複数の絶縁層80と複数の導電部90と第1配線Cmと第2配線Wpと第3配線Rpと複数のゲート電極G1,G2,G3と複数のゲート絶縁膜GI1,GI2,GI3とを有する。第1強磁性層10と磁気記録層20と非磁性層30と第1電極40と第2電極50とを記憶素子100と称する。記憶素子100は、磁壁移動素子の一例である。図1に示す半導体装置200は、磁気記録層20が第1強磁性層10より基板60の近くに位置するトップピン構造である。
基板60は、例えば、半導体基板である。基板60は、複数のソース領域S1,S2,S3及び複数のドレイン領域D1,D2,D3を有する。複数のソース領域S1,S2,S3及び複数のドレイン領域D1,D2,D3は、基板60に不純物が注入された領域である。ソース領域S1、ドレイン領域D1、ゲート電極G1、ゲート絶縁膜GI1は、第1トランジスタTr1となる。ソース領域S2、ドレイン領域D2、ゲート電極G2、ゲート絶縁膜GI2は、第2トランジスタTr2となる。ソース領域S3、ドレイン領域D3、ゲート電極G3、ゲート絶縁膜GI3は、第3トランジスタTr3となる。
絶縁層80は、多層配線の配線間や素子間を絶縁する絶縁層である。絶縁層80は、基板60、第1配線Cm、第2配線Wp、第3配線Rp及び記憶素子100のそれぞれを、導電部90を除いて、電気的に分離する。
第1配線Cmは、共通配線である。共通配線は、データの書き込み時及び読み出し時の両方で用いられる配線である。第2配線Wpは、書き込み配線である。書き込み配線は、データの書き込み時に用いられる配線である。第3配線Rpは、読み出し配線である。読み出し配線は、データの読み出し時に用いられる配線である。第1トランジスタTr1及び第3トランジスタTr3がオンになると、第2配線Wpと第1配線Cmとが電気的に繋がり、記憶素子100に書き込み電流が流れる。第2トランジスタTr1及び第3トランジスタTr3がオンになると、第3配線Wpと第1配線Cmとが電気的に繋がり、記憶素子100に読み出し電流が流れる。
導電部90は、第1配線Cm、第2配線Wp、第3配線Rp、記憶素子100のそれぞれと基板60とを電気的に接続する。導電部90は、導電性を有する材料を含む。導電部91は、第2配線Wpと第1トランジスタTr1のソース領域S1とを電気的に繋ぐ。導電部92は、第2電極50と第1トランジスタTr1のドレイン領域D1とを電気的に繋ぐ。導電部93は、第3配線Rpと第2トランジスタTr2のソース領域S2とを電気的に繋ぐ。導電部94は、配線71と第2トランジスタTr2のドレイン領域D2とを電気的に繋ぐ。導電部95は、第1配線Cmと第3トランジスタTr3のソース領域S3とを電気的に繋ぐ。導電部96は、第1電極40と第3トランジスタTr3のドレイン領域D3とを電気的に繋ぐ。導電部91,92,93,94,95,96は、z方向に延びる。
第3電極70は、記憶素子100に読み出し電流を流すための電極である。第3電極70は、導電性を有する材料を含む。第3電極70と導電部94との間は、配線71で接続されている。
図2は、第1実施形態に係る半導体装置の記憶素子100の近傍を拡大した断面図である。図3は、第1実施形態に係る半導体装置の記憶素子100の平面図である。記憶素子100は、第1強磁性層10と磁気記録層20と非磁性層30と第1電極40と第2電極50とを有する。図2は、記憶素子100を磁気記録層のy方向の中心を通るxz平面(図3におけるA-A面)で切断した断面図である。図2では、簡単のため、磁気記録層20、非磁性層30及び第1強磁性層10の周囲の絶縁層80を省略している。
第1電極40及び第2電極50は、磁気記録層20を基準に非磁性層30と反対側に位置する。第1電極40及び第2電極50は、絶縁層80の内部にある。第1電極40は磁気記録層20と導電部96との間に位置し、第2電極50は磁気記録層20と導電部92との間に位置する。第1電極40の少なくとも一部は、z方向において磁気記録層20と重なる。第2電極50の少なくとも一部は、z方向において磁気記録層20と重なる。
磁気記録層20は、第1電極40、第2電極50のz方向に位置する。磁気記録層20は、第1面40a、50aに跨って形成されている。磁気記録層20は、第1面40a、50aに直接接続されていてもよいし、間に層を介して接続されていてもよい。
非磁性層30は、第1強磁性層10と磁気記録層20との間に位置する。非磁性層30は、磁気記録層20の第2面20bに積層される。第2面20bは、第1面20aと対向する面である。
第1強磁性層10は、非磁性層30の+z方向に位置する。第1強磁性層10は、非磁性層30に面する。第1強磁性層10は、z方向から見て、第1電極40及び第2電極50の一部と重なる部分を有する。第1強磁性層10は、z方向から見て、第1領域R1及び第2領域R2と一部で重なる。
図4は、第1実施形態にかかる半導体装置の第1変形例の平面模式図である。図4に示す記憶素子100Aは、第1電極41及び第2電極51のz方向からの平面視形状が円形である点が、図3に示す記憶素子100と異なる。その他の構成は、図3に示す記憶素子100と同様であり、同様の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図5は、第1実施形態にかかる半導体装置の第2変形例の断面模式図である。図5に示す記憶素子100Bは、第2電極52が磁性体である点が、図2に示す記憶素子100と異なる。その他の構成は、図1に示す記憶素子100と同様であり、同様の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図6は、第1実施形態にかかる半導体装置の記憶素子の第3変形例の断面模式図である。図7は、第1実施形態にかかる半導体装置の記憶素子の第3変形例の平面模式図である。図6は、図7のA-A面で記憶素子をxz平面で切断した断面図である。記憶素子100Cは、記憶素子のx方向の側面の形状が異なる点が、図1に示す記憶素子100と異なる。その他の構成は、図1に示す記憶素子100と同様であり、同様の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図8は、第1実施形態にかかる半導体装置の記憶素子の第4変形例の断面模式図である。図8に示す記憶素子100Dは、第1側面11S1、31S1、21S1と第1傾斜部43p1とが不連続であり、第2側面11S2、31S2、21S2と第1傾斜部53p1とが不連続である点が、図8に示す第3変形例にかかる記憶素子100Cと異なる。その他の構成は、図8に示す第3変形例にかかる記憶素子100Cと同様であり、同様の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図9は、第1実施形態にかかる記憶素子の第5変形例の断面模式図である。図9に示す記憶素子100Eは、第1電極44及び第2電極54の形状が、図6に示す第3変形例にかかる記憶素子100Cと異なる。その他の構成は、図6に示す第3変形例にかかる記憶素子100Cと同様であり、同様の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図10は、第2実施形態にかかる半導体装置の断面模式図である。図10に示す半導体装置201は、第1強磁性層10が磁気記録層20より基板60の近くに位置するボトムピン構造である点が、第1実施形態にかかる半導体装置200と異なる。その他の構成は、図1に示す半導体装置200と同様であり、同様の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図12は、第2実施形態にかかる記憶素子の第6変形例の断面模式図である。図12に示す記憶素子101Bは、第1電極45及び第2電極55の形状、磁壁移動層20の第1部分R1a’及び第2部分R2a’の形状、及び、第1電極45及び第2電極55と絶縁層81との関係が、図11に示す第2実施形態にかかる記憶素子101と異なる。その他の構成は、図11に示す第2実施形態にかかる記憶素子101と同様であり、同様の構成については同一の符号を付し、説明を省く。
図13は、第3実施形態にかかる磁気記録アレイの構成図である。磁気記録アレイ300は、記憶素子100と、第1配線Cm1~Cmnと、第2配線Wp1~Wpnと、第3配線Rp1~Rpnと、第1スイッチング素子110と、第2スイッチング素子120と、第3スイッチング素子130とを備える。図1に示す第1配線Cmは、図12に示す第1配線Cm1~Cmnのうちの一つである。図1に示す第2配線Wpは、図12に示す第2配線Wp1~Wpnのうちの一つである。図1に示す第3配線Rpは、図12に示す第3配線Rp1~Rpnのうちの一つである。第1スイッチング素子110は、例えば、図1に示す第3トランジスタTr3である。第2スイッチング素子120は、例えば、図1に示す第1トランジスタTr1である。第3スイッチング素子130は、例えば、図1に示す第2トランジスタTr2である。また記憶素子100は、図1に示すものに限られず、その他の変形例、その他の実施形態の構成でもよい。
第1配線Cm1~Cmnは、共通配線である。共通配線は、データの書き込み時及び読み出し時の両方で用いられる配線である。第1配線Cm1~Cmnは、基準電位と電気的に接続されている。例えば、第1配線Cm1~Cmnが接地されている場合、基準電位はグラウンドとなる。また第1配線Cm1~Cmnは、複数の記憶素子100のうち少なくとも一つの記憶素子100に接続されている。第1配線Cm1~Cmnは、複数の記憶素子100のそれぞれに設けられてもよいし、複数の記憶素子100に亘って設けられてもよい。
第1スイッチング素子110は、記憶素子100のそれぞれと第1配線Cm1~Cmnとの間に接続されている。第2スイッチング素子120は、記憶素子100のそれぞれと第2配線Wp1~Wpnとの間に接続されている。第3スイッチング素子130は、記憶素子100のそれぞれと第3配線Rp1~Rpnとの間に接続されている。
20、21 磁気記録層
27 磁壁
28 第1磁区
29 第2磁区
30、31 非磁性層
40、41、43、44、45 第1電極
50、51、52、53、54、55 第2電極
60 基板
70 層間絶縁膜
80 絶縁層
100、100A、100B、100C、100D、100E、101 半導体装置
110 第1スイッチング素子
120 第2スイッチング素子
130 第3スイッチング素子
200 磁気記録アレイ
20a、40a、50a、60a 第1面
20b 第2面
11S1、21S1、31S1、43S1、44S1、53S1、54S1 第1側面
11S2、21S2、31S2、43S2、44S2、53S2、54S2 第2側面
43p1、44p1、53p1、54p1 第1傾斜部
43p2、53p2 第2部
44p2、54p2 第2傾斜部
R1 第1領域
R1a、R1a’ 第1部分
R2a、R2a’ 第2部分
R2 第2領域
R3 第3領域
M10、M11、M28、M29、M40、M43、M44、M52 磁化
Cm1~Cmn 第1配線
Wp1~Wpn 第2配線
Rp1~Rpn 第3配線
Claims (7)
- 第1強磁性層と、
前記第1強磁性層に対して第1方向に位置し、第2方向に延びる磁気記録層と、
前記第1強磁性層と前記磁気記録層との間に位置する非磁性層と、
前記磁気記録層の前記非磁性層と反対側に位置し、前記第1方向において前記磁気記録層の一部とそれぞれ重なる第1電極と第2電極と、を備え、
前記第1電極は、前記第1強磁性層の磁化の向きと異なる方向に磁化が配向した磁性体を含み、
前記磁気記録層は、前記第1電極及び前記第1強磁性層と前記第1方向において重なる第1領域と、前記第2電極及び前記第1強磁性層と前記第1方向において重なる第2領域と、前記第1領域と前記第2領域とに挟まれる第3領域とを有し、
前記第1領域の前記第1電極と対向する第1部分の面積は、前記第2領域の前記第2電極と対向する第2部分の面積より広く、
前記第1強磁性層は、前記第1方向において前記第1電極及び前記第2電極の一部と重なり、
前記磁気記録層の前記第1方向及び前記第2方向に直交する第3方向の中心を通り、前記第1方向及び前記第2方向に広がる切断面において、
前記第1電極は、第1側面と、前記第1側面より前記第2電極の近くに位置する第2側面と、を有し、
前記第1側面は、前記第2側面の前記第1方向に対する傾斜角より大きな傾斜角を有する部分を有する、磁壁移動素子。 - 第1強磁性層と、
前記第1強磁性層に対して第1方向に位置し、第2方向に延びる磁気記録層と、
前記第1強磁性層と前記磁気記録層との間に位置する非磁性層と、
前記磁気記録層の前記非磁性層と反対側に位置し、前記第1方向において前記磁気記録層の一部とそれぞれ重なる第1電極と第2電極と、を備え、
前記第1電極は、前記第1強磁性層の磁化の向きと異なる方向に磁化が配向した磁性体を含み、
前記磁気記録層は、前記第1電極及び前記第1強磁性層と前記第1方向において重なる第1領域と、前記第2電極及び前記第1強磁性層と前記第1方向において重なる第2領域と、前記第1領域と前記第2領域とに挟まれる第3領域とを有し、
前記第1領域の前記第1電極と対向する第1部分の面積は、前記第2領域の前記第2電極と対向する第2部分の面積より広く、
前記第1強磁性層は、前記第1方向において前記第1電極及び前記第2電極の一部と重なり、
前記磁気記録層の前記第1方向及び前記第2方向に直交する第3方向の中心を通り、前記第1方向及び前記第2方向に広がる切断面において、
前記第1電極は、第1側面と、前記第1側面より前記第2電極の近くに位置する第2側面と、を有し、
前記第1側面は、前記第1方向に対する傾きが不連続に変化する部分を有する、磁壁移動素子。 - 前記第2電極は、前記第1強磁性層の磁化の向きと同じ方向に磁化が配向した磁性体を含む、請求項1又は2に記載の磁壁移動素子。
- 基板をさらに有し、
前記第1強磁性層は、前記磁気記録層より前記基板の近くに位置する、請求項1又は2に記載の磁壁移動素子。 - 前記磁気記録層の前記第3領域を覆う絶縁層をさらに有する、請求項4に記載の磁壁移動素子。
- 基板をさらに有し、
前記第1強磁性層は、前記磁気記録層より前記基板から遠い位置にある、請求項1又は2に記載の磁壁移動素子。 - 請求項1~6のいずれか一項に記載の磁壁移動素子を複数有する、磁気記録アレイ。
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